KR20150125152A

KR20150125152A - Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same

Info

Publication number: KR20150125152A
Application number: KR1020140051905A
Authority: KR
Inventors: 원성근; 김영구; 오정일
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-04-29
Filing date: 2014-04-29
Publication date: 2015-11-09

Abstract

The present invention provides an organic light emitting display device with improved light extraction properties, and a manufacturing method thereof. According to one aspect of the present invention, the organic light emitting display device comprises: a substrate; a light emitting device arranged on the substrate; and an encapsulating layer which is arranged on the light emitting device, and has a porous layer including an organic material, and having the density gradient from a direction of the substrate to an opposite direction of the substrate.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

본 발명은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광 추출 특성이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device having improved light extraction characteristics and a method of manufacturing the same.

디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.Of the display devices, the organic light emitting display device has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and is receiving attention as a next generation display device.

일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.Generally, an organic light emitting display device forms a thin film transistor and organic light emitting devices on a substrate, and the organic light emitting devices emit light by themselves. Such an organic light emitting display device may be used as a display portion of a small-sized product such as a mobile phone or a display portion of a large-sized product such as a television.

일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들을 덮도록 박막봉지층이 형성된다. 유기발광소자들은 수분과 산소에 취약하기 때문에 외부로부터 수분과 산소가 패널 내부에 유입되는 것을 차단하기 위해 유기발광소자 상에 박막봉지층을 형성하여 유기발광소자를 외부의 산소 및 수분으로부터 보호한다.Generally, an organic light emitting display device forms organic light emitting devices on a substrate, and a thin film sealing layer is formed to cover organic light emitting devices. Since the organic light emitting devices are vulnerable to moisture and oxygen, a thin sealing layer is formed on the organic light emitting device to prevent moisture and oxygen from being introduced into the panel from the outside, thereby protecting the organic light emitting device from external oxygen and moisture.

이러한 박막봉지층은 유기발광소자 상에 유기막과 무기막을 적층하여 형성한다.This thin film sealing layer is formed by laminating an organic film and an inorganic film on an organic light emitting element.

그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에는, 유기발광소자에서 방출되는 빛이 내부반사 등에 의해 대부분 소실된다는 문제점이 존재하였다.However, in such a conventional organic light emitting display device and its manufacturing method, there is a problem that light emitted from the organic light emitting device is largely lost due to internal reflection or the like.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 광 추출 특성이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is an object of the present invention to solve the above problems and to provide an organic light emitting display device having improved light extraction characteristics and a method of manufacturing the same. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치되는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자 상에 배치되고, 유기물을 포함하며 상기 기판 방향으로부터 상기 기판 반대방향으로 밀도 구배를 갖는 다공층을 포함한, 봉지층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising a substrate, an organic light emitting element disposed on the substrate, and a porous layer disposed on the organic light emitting element, the porous layer including an organic matter and having a density gradient from the substrate direction , And an encapsulating layer.

상기 다공층은 나노 입자를 포함할 수 있다.The porous layer may comprise nanoparticles.

상기 다공층은 상기 기판 방향으로부터 상기 기판 반대방향으로 나노 입자의 크기가 순차적으로 커질 수 있다.The size of the nanoparticles in the porous layer may be sequentially increased from the substrate direction toward the substrate.

상기 다공층은 상기 기판 방향으로부터 상기 기판 반대방향으로 갈수록 고밀도에서 저밀도의 밀도 구배를 가질 수 있다.The porous layer may have a density gradient from a high density to a low density toward a direction opposite to the substrate from the substrate direction.

상기 봉지층은 유기층과 무기층이 교번하여 배치될 수 있다.The sealing layer may be disposed such that the organic layer and the inorganic layer are alternated.

상기 다공층은 유기층과 무기층 사이에 배치될 수 있다.The porous layer may be disposed between the organic layer and the inorganic layer.

본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 유기발광소자를 형성하는 단계,유기발광소자 상에 제1유기층을 형성하는 단계, 제1유기층 상에, 기판 방향으로부터 기판 반대방향으로 밀도 구배를 가지며 유기물을 포함하는 다공층을 형성하는 단계 및 다공층 상에 제1무기층을 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, comprising: forming an organic light emitting element on a substrate; forming a first organic layer on the organic light emitting element; There is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, comprising: forming a porous layer containing an organic material; and forming a first inorganic layer on the porous layer.

상기 다공층을 형성하는 단계는, 유기물로 형성된 나노 입자를 포함하여 형성하는 단계일 수 있다.The forming of the porous layer may include forming nanoparticles formed of an organic material.

상기 다공층을 형성하는 단계는, 기판 방향으로부터 기판 반대방향으로 나노 입자의 크기가 순차적으로 커지도록 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the porous layer may be a step of sequentially growing the nanoparticles in the direction opposite to the substrate from the substrate direction.

상기 다공층을 형성하는 단계는, 기판 방향으로부터 기판 반대방향으로 갈수록 고밀도에서 저밀도의 밀도 구배를 갖도록 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the porous layer may be a step of forming a density gradient from a high density to a low density toward an opposite direction of the substrate from the substrate direction.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. 이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.Other aspects, features, and advantages will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention. These general and specific aspects may be implemented by using a system, method, computer program, or any combination of systems, methods, and computer programs.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광특성이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention as described above, an organic light emitting display device having improved optical characteristics and a method of manufacturing the same can be realized. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기발광 디스플레이 장치 중 일부를 확대하여 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged view of a part of the organic light emitting display device of FIG.
3 is a cross-sectional view schematically showing the organic light emitting display device of FIG.
4 to 6 are cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of an OLED display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 아울러, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, the terms first, second, and the like are used for the purpose of distinguishing one element from another element, not the limitative meaning. Also, the singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Also, the terms include, including, or the like mean that there is a feature, or element, recited in the specification and does not preclude the possibility that one or more other features or components may be added.

한편, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. On the other hand, when a part of a film, an area, a component or the like is referred to as being "on" or "on" another part, Areas, elements, and the like are interposed.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings. Further, the x-axis, y-axis, and z-axis are not limited to three axes on the orthogonal coordinate system, but can be interpreted in a broad sense including the three axes. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.If certain embodiments are otherwise feasible, the particular process sequence may be performed differently from the sequence described. For example, two processes that are described in succession may be performed substantially concurrently, and may be performed in the reverse order of the order described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기발광 디스플레이 장치 중 일부를 확대하여 개략적으로 도시하는 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view of a part of the organic light emitting display device of FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 유기발광소자(200) 및 봉지층(300)을 포함한다. 기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 이러한 기판(100)은 복수개의 화소들이 배치되는 디스플레이영역과, 이 디스플레이영역을 감싸는 주변영역을 가질 수 있다.Referring to FIG. 1, an OLED display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 100, an organic light emitting device 200 disposed on the substrate 100, and an encapsulation layer 300. The substrate 100 may be formed of various materials such as a glass material, a metal material, or a plastic material such as PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylenenaphthalate), polyimide, or the like. The substrate 100 may have a display area where a plurality of pixels are arranged and a peripheral area surrounding the display area.

한편, 기판(100) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)는 화소전극(210), 발광층을 포함한 중간층(220) 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 여기서 유기발광소자(200)가 기판(100) 상에 배치된다고 함은, 기판(100) 상에 유기발광소자(200)가 직접 배치되는 경우뿐만 아니라, 기판(100) 상에 각종 층들이 형성되고 그러한 층들 상에 화소전극(210)이 배치되는 경우는 물론이다. 예컨대, 기판(100) 상에 박막트랜지스터가 배치되고, 평탄화막이 이러한 박막트랜지스터를 덮도록 하며, 화소전극(210)은 그러한 평탄화막 상에 위치하도록 할 수도 있다. 도 1에서는 편의상 기판(100) 상에 유기발광소자(200)가 직접 위치하는 것으로 도시하였으며, 이하의 설명에서도 편의상 그와 같이 설명한다.On the other hand, the organic light emitting diode 200 may be disposed on the substrate 100. The organic light emitting diode 200 may include a pixel electrode 210, an intermediate layer 220 including a light emitting layer, and an opposite electrode 230. Herein, the organic light emitting device 200 is disposed on the substrate 100 not only when the organic light emitting device 200 is directly disposed on the substrate 100, but also when various layers are formed on the substrate 100 It goes without saying that the pixel electrodes 210 are disposed on such layers. For example, a thin film transistor may be disposed on the substrate 100, a planarization film may cover the thin film transistor, and the pixel electrode 210 may be positioned on such a planarization film. In FIG. 1, the organic light emitting diode 200 is directly disposed on the substrate 100 for convenience, and will be described in the following description for the sake of convenience.

상술한 것과 같이, 기판(100) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 도 1에서는 기판(100) 상에 하나의 유기발광소자(200)가 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 기판(100) 상에 복수개의 유기발광소자(200)들이 배치된 형태일 수 있다. 이러한 유기발광소자(200)는 화소전극(210, 도 3 참조), 발광층을 포함하는 중간층(220, 도 3 참조) 및 대향전극(230, 도 3 참조)을 포함할 수 있다. 기판(100) 상에 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극(210)이 배치되어 있고, 화소전극(210)의 가장자리를 덮는 화소정의막이 화소전극(210)의 중앙부를 노출시키도록 패터닝되어 배치될 수 있다. 화소전극(210)의 중앙부가 노출된 부분에는 발광층을 포함하는 중간층(220)이 배치될 있다. 중간층(220) 상에는 중간층(220)을 덮으며 기판(100) 전면(全面)에 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 도 1에는 유기발광소자(200) 만이 간략하게 도시되어 있으나, 후술한 도 3을 참조하면, 유기발광소자(200)의 상세한 구성에 대하여 도시되어 있다. 이에 대하여는 자세히 후술하도록 한다.As described above, the organic light emitting diode 200 may be disposed on the substrate 100. 1, a single organic light emitting device 200 is illustrated as being disposed on a substrate 100. However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of organic light emitting devices 200 may be disposed on a substrate 100 have. The organic light emitting device 200 may include a pixel electrode 210 (see FIG. 3), an intermediate layer 220 including a light emitting layer (see FIG. 3), and an opposite electrode 230 (see FIG. A pixel electrode 210 electrically connected to a thin film transistor is disposed on the substrate 100 and a pixel defining layer covering the edge of the pixel electrode 210 may be patterned and arranged so as to expose a central portion of the pixel electrode 210 have. An intermediate layer 220 including a light emitting layer is disposed at a portion of the pixel electrode 210 where the central portion of the pixel electrode 210 is exposed. The counter electrode 230 may be disposed on the entire surface of the substrate 100 so as to cover the intermediate layer 220 on the intermediate layer 220. Although only the organic light emitting device 200 is schematically shown in FIG. 1, the detailed structure of the organic light emitting device 200 is shown in FIG. This will be described in detail later.

한편, 도 1을 참조하면, 유기발광소자(200)를 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 것과 같이 봉지층(300)은 유기층과 무기층이 교대로 적층되어 있는 다층구조 일 수 있다. 도 1에서는 유기층과 무기층이 각각 두 층 이상으로 적층된 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 유기층과 무기층이 한층 이상 배치되는 형태 일 수도 있다. 이와 같이 봉지층(300)을 다층구조로 형성하는 이유는, 봉지층(300)을 유기층 만으로 또는 무기층 만으로 형성할 경우 막 내부에 형성된 미세한 통로를 통해 외부로부터 산소나 수분 등이 침투하여 디스플레이부가 손상될 수 있기 때문이다. 이와 같이 본 발명의 일 실시예에 관한 봉지층(300)에 대하여 도 2에 상세히 도시되어 있는바, 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.Referring to FIG. 1, the sealing layer 300 may be disposed over the entire surface of the substrate 100 so as to cover the organic light emitting device 200. As shown in FIG. 1, the sealing layer 300 may have a multi-layer structure in which an organic layer and an inorganic layer are alternately stacked. In FIG. 1, the organic layer and the inorganic layer are stacked in two or more layers, respectively. However, the present invention is not limited to this, and the organic layer and the inorganic layer may be arranged more than one layer. The reason why the sealing layer 300 is formed in a multilayer structure is that when oxygen or moisture or the like penetrates from the outside through the fine passage formed inside the membrane when the sealing layer 300 is formed of only the organic layer or only the inorganic layer, It can be damaged. The encapsulation layer 300 according to an embodiment of the present invention is shown in detail in FIG. 2 and will be described with reference to FIG. 2. FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 봉지층(300)은 제1유기층(310), 유기물을 포함하는 다공층(320), 제1무기층(330), 제2유기층(312) 및 제2무기층(332)이 순차적으로 적층된 구조 일 수 있다. 경우에 따라서는 제2무기층(332) 상에 유기층 및 무기층이 더 적층된 구조로 형성될 수 도 있다.2, the encapsulation layer 300 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first organic layer 310, a porous layer 320 including an organic material, a first inorganic layer 330, a second organic layer 312 ) And the second inorganic layer 332 are sequentially stacked. In some cases, the organic layer and the inorganic layer may be further laminated on the second inorganic layer 332.

도 2를 참조하면, 제1유기층(310)을 이루는 제1유기물 및 상기 제2유기층(312)을 이루는 제2유기물은 서로 독립적으로, 예컨대 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 이 경우 제1유기물과 제2유기물은 서로 동일하거나, 상이할 수 있다.Referring to FIG. 2, the first organic material constituting the first organic layer 310 and the second organic material constituting the second organic layer 312 may be, for example, acrylic resin, methacrylic resin, polyisoprene, , An epoxy resin, a urethane resin, a cellulose resin, and a perylene resin. In this case, the first organic material and the second organic material may be the same or different from each other.

보다 구체적으로는, 아크릴계 수지의 예로서, 부틸아그릴레이트, 에틸헥실아크릴레이트 등이 있고, 메타크릴계 수지의 예로서, 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트 등이 있고, 비닐계 수지의 예로서 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈 등이 있고, 에폭시계 수지의 예로서, 싸이클로알리파틱 에폭사이드, 에폭시 아크릴레이트, 비닐 에폭시계 수지 등이 있고, 우레탄계 수지의 예로서, 우레탄 아크릴레이트 등이 있고, 셀룰로오즈계 수지의 예로서, 셀룰로오즈나이트레이트 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, examples of the acrylic resin include butyl acrylate and ethylhexyl acrylate. Examples of the methacrylic resin include propylene glycol methacrylate, tetrahydroperfomethacrylate and the like, and vinyl Examples of the resin include vinyl acetate and N-vinylpyrrolidone. Examples of the epoxy resin include cyclic aliphatic epoxide, epoxy acrylate and vinyl epoxy resin. Examples of the urethane resin include urethane Acrylate. Examples of the cellulose resin include cellulose nitrate and the like, but the present invention is not limited thereto.

또한, 제1무기층(330)을 이루는 제1무기물과 제2무기층(332)을 이루는 제2무기물은 서로 독립적으로, 예컨대 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1무기물과 제2무기물은 서로 동일하거나, 상이할 수 있다.The first inorganic material constituting the first inorganic layer 330 and the second inorganic material constituting the second inorganic layer 332 may be made of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride , Silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride (SiON). In this case, the first inorganic material and the second inorganic material may be the same or different from each other.

한편, 제1유기층(310) 상에는 유기물을 포함한 다공층(320)이 배치될 수 있다. 다공층(320)은 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 밀도 구배를 가질 수 있다. 이러한 다공층(320)의 밀도 구배는 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 고밀도에서 저밀도의 밀도 구배를 가질 수 있다. 즉, 제1유기층(310)에 인접해있는 부분은 고밀도를 이루고, 점점 제1무기층(330)에 인접하게 될수록 저밀도를 갖는 것으로 이해될 수 있다.On the other hand, a porous layer 320 including an organic material may be disposed on the first organic layer 310. The porous layer 320 may have a density gradient from the direction of the substrate 100 to the direction opposite to the substrate 100. The density gradient of the porous layer 320 may have a density gradient from a high density to a low density toward the opposite direction of the substrate 100 from the substrate 100 direction. That is, it can be understood that the portion adjacent to the first organic layer 310 has a high density, and the closer to the first inorganic layer 330, the lower the density.

도 2에 도시된 것과 같이, 다공층(320)은 유기물을 포함하는 나노 입자들(322)을 포함하여 형성될 수 있다. 이때 다공층(320)은 상술한 것과 같이 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 고밀도에서 저밀도의 밀도 구배를 갖기에, 다공층(320)을 이루는 나노 입자들(322)의 크기는 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 점차적으로 커질 수 있다. 다공층(320)을 이루는 나노 입자들(322)이 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 커짐에 따라, 나노 입자들(322) 사이의 공간 역시 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 커지게 되는 것으로 이해될 수 있다.As shown in FIG. 2, the porous layer 320 may be formed to include nanoparticles 322 containing an organic material. As described above, the porous layer 320 has a density gradient from a high density to a low density toward the opposite direction of the substrate 100 from the direction of the substrate 100, and the density of the nanoparticles 322 forming the porous layer 320 The size may gradually increase from the direction of the substrate 100 toward the direction opposite to the substrate 100. As the nanoparticles 322 forming the porous layer 320 become larger toward the opposite direction of the substrate 100 from the direction of the substrate 100, the space between the nanoparticles 322 also increases from the substrate 100 toward the substrate 100, It is understood that it becomes larger in the direction opposite to the direction of the arrow 100.

다공층(320)을 이루는 나노 입자들(322)은 상술한 것과 같이, 제1유기층(310)에 인접한 부분에서 제1무기층(330)에 인접한 부분으로 갈수록 나노 입자의 크기가 점점 커질 수 있다. 나노 입자들(322)의 크기는 나노 입자들(322)을 이루는 유기물의 분자량을 조절하는 기술을 통해 조절할 수 있다. The size of the nanoparticles 322 forming the porous layer 320 may gradually increase from the portion adjacent to the first organic layer 310 to the portion adjacent to the first inorganic layer 330 as described above . The size of the nanoparticles 322 can be controlled by a technique for controlling the molecular weight of the organic material forming the nanoparticles 322.

이와 같은 다공층(320)을 형성하는 나노 입자들(322)은 상술한 것과 같이 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The nanoparticles 322 forming the porous layer 320 may include organic materials as described above. For example, it may include at least one material selected from the group consisting of an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyisoprene, a vinyl resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cellulose resin and a perylene resin.

이러한 다공층(320)은 제조 공정에서 유기물의 분자량을 조절하는 간단한 공정을 통하여 형성할 수 있어 제조 단가 측면에 있어서도 경쟁력을 확보할 수 있다. 또한 유기발광소자(200)에서 발광하는 빛이, 크기가 각각 상이한 나노 입자들(322)이 순차적으로 적층되어 형성된 다공층(320)을 통과함에 따라, 유기발광소자(200)에서 발광하는 빛이 내부에서 내부 반사되는 것을 줄이고, 광굴절 및 광산란을 이용한 광출사량을 획기적으로 향상시킬 수 있다.Since the porous layer 320 can be formed through a simple process of controlling the molecular weight of the organic material in the manufacturing process, the porous layer 320 can secure competitiveness in terms of manufacturing cost. The light emitted from the organic light emitting diode 200 passes through the porous layer 320 formed by sequentially stacking the nanoparticles 322 having different sizes, Internal reflection from the inside can be reduced, and the amount of light output using light refraction and light scattering can be remarkably improved.

한편, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치에 있어서 박막트랜지스터를 포함하는 세부적인 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a detailed cross-sectional view of a thin film transistor in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

전술한 것과 같이, 도 1을 참조한 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100) 상에 유기발광소자(200)가 배치되고, 유기발광소자(200)를 덮도록 기판(100) 전면에 배치된 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 이때 편의상 기판(100) 상에 유기발광소자(200)가 배치되는 것으로 설명했으나, 경우에 따라 기판(100) 상에 박막트랜지스터를 포함한 각종 층들이 형성되고, 그 위에 유기발광소자(200)가 배치될 수도 있다. 따라서 이하 도 3을 참조하여 전술한 구성들을 이외의 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 구성에 대하여 상세히 설명한다.1, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting device 200 disposed on a substrate 100, a substrate 100 (not shown) to cover the organic light emitting device 200, The sealing layer 300 disposed on the front surface may be disposed. In this case, the organic light emitting device 200 is disposed on the substrate 100 for convenience. However, in some cases, various layers including a thin film transistor are formed on the substrate 100, and the organic light emitting device 200 is disposed thereon . Therefore, the structure of the organic light emitting display device according to one embodiment of the present invention other than those described above with reference to FIG. 3 will be described in detail.

도 3을 참조하면, 기판(100) 상에는 박막트랜지스터가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(120), 게이트전극(140), 소스전극(160') 및 드레인전극(160)을 포함한다. 이하 박막트랜지스터(TFT)의 일반적인 구성을 자세히 설명한다.Referring to FIG. 3, a thin film transistor may be disposed on the substrate 100. The thin film transistor (TFT) includes a semiconductor layer 120, a gate electrode 140, a source electrode 160 ', and a drain electrode 160 including amorphous silicon, polycrystalline silicon, or organic semiconductor material. Hereinafter, a general configuration of a thin film transistor (TFT) will be described in detail.

기판(100) 상에는 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(120)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(110)이 배치되고, 이 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다.A buffer layer 110 formed of silicon oxide or silicon nitride or the like is disposed on the substrate 100 in order to planarize the surface of the substrate 100 or to prevent impurities or the like from penetrating into the semiconductor layer 120, The semiconductor layer 120 may be positioned on the buffer layer 110.

반도체층(120)의 상부에는 게이트전극(140)이 배치되는데, 이 게이트전극(140)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(160') 및 드레인전극(160)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(140)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 140 is disposed on the semiconductor layer 120 and the source electrode 160 'and the drain electrode 160 are electrically connected to each other according to a signal applied to the gate electrode 140. The gate electrode 140 may be formed of a metal such as aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), or the like in consideration of adhesion with the adjacent layer, surface flatness of the layer to be laminated, (Au), Ni, Ni, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, , Copper (Cu), or the like.

이때 반도체층(120)과 게이트전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연막(130)이 반도체층(120)과 게이트전극(140) 사이에 개재될 수 있다.A gate insulating layer 130 formed of silicon oxide and / or silicon nitride is formed between the semiconductor layer 120 and the gate electrode 140 in order to ensure insulation between the semiconductor layer 120 and the gate electrode 140. At this time, As shown in FIG.

게이트전극(140)의 상부에는 층간절연막(150)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating layer 150 may be disposed on the gate electrode 140. The interlayer insulating layer 150 may be formed of a single layer such as silicon oxide or silicon nitride, or may be formed in multiple layers.

층간절연막(150)의 상부에는 소스전극(160') 및 드레인전극(160)이 배치된다. 소스전극(160') 및 드레인전극(160)은 층간절연막(150)과 게이트절연막(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(160') 및 드레인전극(160)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A source electrode 160 'and a drain electrode 160 are disposed on the interlayer insulating layer 150. The source electrode 160 'and the drain electrode 160 are electrically connected to the semiconductor layer 120 through the interlayer insulating layer 150 and the contact hole formed in the gate insulating layer 130, respectively. The source electrode 160 'and the drain electrode 160 may be formed of a metal such as aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg) One of the elements Ni, Ni, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, Or may be formed as a single layer or multiple layers.

이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 도 3에는 도시되어 있지않으나, 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 더 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이러한 보호막은 단층 또는 다층구조를 가질 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.Although not shown in FIG. 3 for the protection of the thin film transistor (TFT) having such a structure, a protective film (not shown) covering the thin film transistor TFT may be further disposed. The protective film may be formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride. Such a protective film may have a single layer or a multilayer structure, and various modifications are possible.

한편, 기판(100)의 상에 평탄화막(170)이 배치될 수 있다. 이 경우 평탄화막(170)은 말 그대로 유기발광소자(200)가 배치되는 박막트랜지스터 상부를 평탄화 시키기 위한 평탄화막일 수도 있고, 박막트랜지스터가 위치한 하부를 보호하기 위한 보호막일 수도 있다. 이러한 보호막(미도시)과 평탄화막(170)은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 이때 도 3에 도시된 것과 같이, 게이트절연막(130), 층간절연막(150), 보호막(미도시), 평탄화막(170)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.On the other hand, the planarization film 170 may be disposed on the substrate 100. In this case, the planarization layer 170 may be a flattening layer for flattening the upper surface of the thin film transistor where the organic light emitting diode 200 is disposed, or may be a protective layer for protecting the bottom of the thin film transistor. The protective film (not shown) and the planarization film 170 may be formed of, for example, acrylic organic material or BCB (Benzocyclobutene). 3, a gate insulating layer 130, an interlayer insulating layer 150, a passivation layer (not shown), and a planarization layer 170 may be formed on the entire surface of the substrate 100.

한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 상술한 평탄화막(170) 상에 위치할 수 있으며, 화소전극(210)의 중앙부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 이러한 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 중앙부를 노출시키도록 패터닝 됨에 따라 기판(100) 상에 화소영역을 정의하는 역할을 한다.On the other hand, the pixel defining layer 180 may be disposed above the thin film transistor TFT. The pixel defining layer 180 may be located on the planarization layer 170 and may have openings exposing a central portion of the pixel electrode 210. The pixel defining layer 180 is patterned to expose a central portion of the pixel electrode 210, thereby defining a pixel region on the substrate 100.

이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기물로 형성될 수 있다. 그러한 유기물로는 예컨대, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 180 may be formed of an organic material, for example. Examples of such organic materials include acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polymer derivatives having a phenol group, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluorine polymers, Based polymer, a vinyl-based polymer, a mixture thereof, and the like.

한편 도 3에 도시된 것과 같이, 평탄화막(170) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 이러한 유기발광소자(200)는 화소전극(210), 화소전극(210) 상에 배치되는 발광층을 포함한 중간층(220) 및 중간층(220)을 덮도록 배치되는 대향전극(230)을 포함할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 3, the organic light emitting diode 200 may be disposed on the planarization layer 170. The organic light emitting device 200 may include a pixel electrode 210, an intermediate layer 220 including a light emitting layer disposed on the pixel electrode 210, and an opposite electrode 230 disposed to cover the intermediate layer 220 .

화소전극(210)은 평탄화막(170) 상에 배치될 수 있다. 이 경우 평탄화막(170)에는 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(160') 및 드레인전극(160) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 이 개구부를 통해 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(160') 및 드레인전극(160) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.The pixel electrode 210 may be disposed on the planarization layer 170. In this case, the planarizing film 170 has an opening for exposing at least one of the source electrode 160 'and the drain electrode 160 of the thin film transistor (TFT). Through the opening, the pixel electrode 210 is electrically connected to the thin film transistor (TFT) in contact with either the source electrode 160 'or the drain electrode 160 of the thin film transistor (TFT).

화소전극(210) 은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In₂O₃, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In₂O₃, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The pixel electrode 210 may be formed of a (semi) transparent electrode or a reflective electrode. (Semi) transparent electrode may be formed of, for example, ITO, IZO, ZnO, In ₂ O ₃ , IGO or AZO. A reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr or a compound thereof and ITO, IZO, ZnO, In ₂ O ₃ , IGO or AZO May be formed. Of course, the present invention is not limited to this, but may be formed of various materials, and the structure may be a single layer or a multi-layer structure.

화소정의막(180)에 의해 정의된 화소영역에는 발광층을 포함하는 중간층(220)이 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)의 중간층(220)은 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하며, 발광층을 이외에 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.An intermediate layer 220 including a light emitting layer may be disposed in the pixel region defined by the pixel defining layer 180. The intermediate layer 220 of the organic light emitting diode 200 includes an emission layer (EML) and a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an electron transport layer ETL (Electron Transport Layer), EIL (Electron Injection Layer), etc. may be stacked in a single or composite structure. Of course, the intermediate layer 220 is not necessarily limited to this, and may have various structures.

이러한 중간층(220)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다. The intermediate layer 220 may be a low molecular organic material or a polymer organic material.

중간층(220)이 저분자 유기물일 경우, 발광층(EML)을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N'-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.When the intermediate layer 220 is a low molecular organic material, a hole transport layer (HTL), a hole injection layer (HIL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer An electron injection layer (EIL) may be stacked. In addition, various layers can be stacked as needed. At this time, as the usable organic material, copper phthalocyanine (CuPc), N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'- N-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), and the like.

중간층(220)이 고분자 유기물일 경우, 중간층(220) 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다. 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 또한, 중간층(220)과 화소전극(210) 및 대향전극(230) 사이에는 무기 재료가 더 구비될 수도 있다.When the intermediate layer 220 is a polymer organic material, a hole transport layer (HTL) may be included in addition to the intermediate layer 220. The hole transporting layer may be made of polyethylene dihydroxythiophene (PEDOT), polyaniline (PANI), or the like. At this time, polymer organic materials such as PPV (poly-phenylenevinylene) -based and polyfluorene-based organic materials can be used as the organic material. In addition, an inorganic material may be further provided between the intermediate layer 220 and the pixel electrode 210 and the counter electrode 230.

이때 홀 수송층(HTL), 홀 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 기판(100) 전면(全面)에 일체(一體)로 형성될 수 있고, 발광층(EML)만 잉크젯 프린팅 공정으로 화소별로 형성될 수 있다. At this time, the hole transport layer (HTL), the hole injection layer (HIL), the electron transport layer (ETL) and the electron injection layer (EIL) may be integrally formed on the entire surface of the substrate 100, May be formed on a pixel-by-pixel basis by an ink-jet printing process.

발광층을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)이 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. The counter electrode 230 facing the pixel electrode 210 covering the intermediate layer 220 including the light emitting layer may be disposed over the entire surface of the substrate 100. [ The counter electrode 230 may be formed of a (semi) transparent electrode or a reflective electrode.

대향전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.When the counter electrode 230 is formed as a (semi) transparent electrode, a layer formed of a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, , A (semi) transparent conductive layer such as ZnO or In ₂ O ₃ . When the counter electrode 230 is formed as a reflective electrode, it may have a layer formed of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, Of course, the configuration and material of the counter electrode 230 are not limited thereto, and various modifications are possible.

지금까지는 유기발광 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 유기발광 디스플레이 장치를 제조하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.Although only the organic light emitting display device has been described so far, the present invention is not limited thereto. For example, a manufacturing method of an organic light emitting display device for manufacturing such an organic light emitting display device is also within the scope of the present invention.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.4 to 6 are cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of an OLED display device according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은, 기판(100) 상에 유기발광소자(200)를 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 기판(100)은 투명한 소재, 예컨대 글라스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다. 도 4에서는 기판(100) 바로 위에 유기발광소자(200)를 형성하는 것으로 도시되어 있으나, 기판(100) 상에 박막트랜지스터 및 커패시터를 비롯한 각종 층들이 형성되고 그 위에 유기발광소자(200)가 형성될 수도 있다. 이에 관하여는 전술한 도 3에 상세한 구조가 도시되어 있는바, 도 3을 참조하여 설명한다.Referring to FIG. 4, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention may include the step of forming an organic light emitting device 200 on a substrate 100. The substrate 100 may be formed of a transparent material such as a glass material, a plastic material, or a metal material. 4, an organic light emitting device 200 is formed directly on a substrate 100, but various layers including a thin film transistor and a capacitor are formed on the substrate 100, and an organic light emitting device 200 is formed thereon . In this regard, the detailed structure is shown in FIG. 3, which is described above with reference to FIG.

먼저 기판(100) 상에 먼저 버퍼층(110)을 형성한 후, 버퍼층(110) 상에 채널영역, 소스컨택영역 및 드레인컨택영역을 포함하는 반도체층(120)을 패터닝할 수 있다. 그 후 반도체층(120)을 보호하기 위해 반도체층(120)을 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 게이트절연막(130)을 형성할 수 있다. The semiconductor layer 120 including the channel region, the source contact region, and the drain contact region may be patterned on the buffer layer 110 after the buffer layer 110 is formed on the substrate 100 first. The gate insulating layer 130 may be formed on the entire surface of the substrate 100 so as to cover the semiconductor layer 120 to protect the semiconductor layer 120.

한편, 반도체층(120)이 배치된 상부에 게이트전극(140)을 패터닝하여 형성한 후, 게이트전극(140)을 덮도록 층간절연막(150)을 형성할 수 있다. 그 후 층간절연막(150) 상에는 소스전극(160') 및 드레인전극(160)을 형성하는데, 이러한 소스전극(160') 및 드레인전극(160)은 게이트절연막(130) 및 층간절연막(150)에 형성된 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 패터닝된 반도체층(120)과 함께 게이트전극(140), 소스전극(160') 및 드레인전극(160)를 포함하여 박막트랜지스터를 구성할 수 있다.The interlayer insulating layer 150 may be formed to cover the gate electrode 140 after the gate electrode 140 is patterned on the semiconductor layer 120. A source electrode 160 'and a drain electrode 160 are formed on the interlayer insulating film 150. The source electrode 160' and the drain electrode 160 are formed on the gate insulating film 130 and the interlayer insulating film 150 And may be electrically connected to the semiconductor layer 120 through the formed contact hole. A thin film transistor including the gate electrode 140, the source electrode 160 'and the drain electrode 160 together with the patterned semiconductor layer 120 may be formed.

그 후, 박막트랜지스터 상에는 유기발광소자(200)가 배치되는 부분을 평탄화하게 하기 위한 평탄화막(170)이 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. 경우에 따라 평탄화막(170)을 형성하기 전에 박막트랜지스터를 보호하는 보호막(미도시)를 더 형성할 수도 있다.Thereafter, a planarization layer 170 may be formed on the entire surface of the substrate 100 to planarize a portion where the organic light emitting diode 200 is disposed on the thin film transistor. In some cases, a protective film (not shown) may be further formed to protect the thin film transistor before forming the planarization film 170.

한편, 이러한 평탄화막(170) 상에는 패터닝된 화소전극(210), 화소전극(210)상에 형성되는 발광층을 포함한 다층구조 형성된 중간층(220) 및 화소전극(210)에 대향하며 기판(100)의 전면에 대략 대응하는 대향전극(230)을 포함하는, 유기발광소자(200)(OLED)가 위치하도록 형성될 수 있다. An intermediate layer 220 having a multilayer structure including a patterned pixel electrode 210 and a light emitting layer formed on the pixel electrode 210 is formed on the planarization layer 170. The intermediate layer 220 faces the pixel electrode 210, And the organic light emitting device 200 (OLED) including the counter electrode 230 substantially corresponding to the front surface.

화소전극(210)은 평탄화층(170)에 형성된 비아홀을 통해 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되도록 형성할 수 있다. 이러한 화소전극(210)의 중앙부를 노출하며 가장자리를 덮도록 화소정의막이 평탄화층(170) 상에 형성될 수 있다. 이러한 화소정의막은 화소전극(210)의 중앙부를 노출시킴으로서 화소영역을 정의하는 역할을 한다.The pixel electrode 210 may be formed to be electrically connected to the thin film transistor through a via hole formed in the planarization layer 170. A pixel defining layer may be formed on the planarization layer 170 to expose the center of the pixel electrode 210 and cover the edge. The pixel defining layer serves to define a pixel region by exposing a central portion of the pixel electrode 210.

이와 같이 화소정의막에 의해 정의된 화소영역에 발광층을 포함하는 중간층(220)을 형성할 수 있다. 물론 중간층(220)은 도시된 것과 달리 일부 층은 기판(100)의 전면에 대략 대응하는 공통층일 수 있고, 다른 일부 층은 화소전극(210)에 대응하도록 패터닝된 패턴층일 수 있다. In this manner, the intermediate layer 220 including the light emitting layer can be formed in the pixel region defined by the pixel defining layer. Of course, the intermediate layer 220 may be a common layer, which differs from the one shown in the drawing, and some of the layers may be a pattern layer patterned to correspond to the pixel electrode 210.

그 후, 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)을 기판(100) 전면에 걸쳐 형성할 수 있다. Thereafter, the counter electrode 230 covering the intermediate layer 220 and opposed to the pixel electrode 210 may be formed over the entire surface of the substrate 100.

한편, 유기발광소자(200)를 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐 봉지층(300)을 형성할 수 있다. 봉지층(300)은 유기층과 무기층이 교대로 적층되어 있는 다층구조 일 수 있다. 이와 같이 봉지층(300)을 다층구조로 형성하는 이유는, 봉지층(300)을 유기층 만으로 또는 무기층 만으로 형성할 경우 막 내부에 형성된 미세한 통로를 통해 외부로부터 산소나 수분 등이 침투하여 디스플레이부가 손상될 수 있기 때문이다. Meanwhile, the sealing layer 300 may be formed over the entire surface of the substrate 100 so as to cover the organic light emitting device 200. The sealing layer 300 may be a multi-layer structure in which an organic layer and an inorganic layer are alternately stacked. The reason why the sealing layer 300 is formed in a multilayer structure is that when oxygen or moisture or the like penetrates from the outside through the fine passage formed inside the membrane when the sealing layer 300 is formed of only the organic layer or only the inorganic layer, It can be damaged.

이어서 도 5를 참조하면, 먼저 유기발광소자(200) 상에 제1유기층(310)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 이러한 제1유기층(310)은 유기발광소자(200)의 상면을 평탄화하게 하기 위해 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, a first organic layer 310 may be formed on the organic light emitting device 200. The first organic layer 310 may be formed to planarize the top surface of the organic light emitting device 200.

이러한 제1유기층(310)을 이루는 유기물은, 예컨대 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. The organic material constituting the first organic layer 310 may be at least one selected from the group consisting of acrylic resin, methacrylic resin, polyisoprene, vinyl resin, epoxy resin, urethane resin, cellulose resin and perylene resin . &Lt; / RTI >

그 후, 제1유기층(310) 상에는 기판(100) 방향으로부터 기판(100) 반대방향으로 밀도 구배를 가지며 유기물을 포함하는 다공층(320)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 이러한 다공층(320)의 밀도 구배는 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 고밀도에서 저밀도의 밀도 구배를 갖도록 형성할 수 있다. 즉, 제1유기층(310)에 인접해있는 부분은 고밀도를 이루고, 점점 제1무기층(330)에 인접하게 될수록 저밀도를 갖는 것으로 이해될 수 있다.Thereafter, a porous layer 320 having a density gradient in the direction opposite to the substrate 100 from the direction of the substrate 100 may be formed on the first organic layer 310. The density gradient of the porous layer 320 can be formed to have a density gradient from a high density to a low density toward the direction opposite to the substrate 100 from the substrate 100 direction. That is, it can be understood that the portion adjacent to the first organic layer 310 has a high density, and the closer to the first inorganic layer 330, the lower the density.

이러한 다공층(320)은 앞서 도 2에 도시된 것과 같이, 크기가 다른 나노 입자들(322)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 유기물을 포함하는 나노 입자들(322)을 포함하여 형성될 수 있다. 이때 다공층(320)은 상술한 것과 같이 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 고밀도에서 저밀도의 밀도 구배를 갖기에, 다공층(320)을 이루는 나노 입자들(322)의 크기는 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 점차적으로 커지도록 형성할 수 있다. 다공층(320)을 이루는 나노 입자들(322)이 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 커짐에 따라, 나노 입자들(322) 사이의 공간 역시 기판(100) 방향으로부터 기판(100)의 반대방향으로 갈수록 커지게 되는 것으로 이해될 수 있다.As shown in FIG. 2, the porous layer 320 may be formed by sequentially stacking nanoparticles 322 having different sizes. And nanoparticles 322 including an organic material. As described above, the porous layer 320 has a density gradient from a high density to a low density toward the opposite direction of the substrate 100 from the direction of the substrate 100, and the density of the nanoparticles 322 forming the porous layer 320 The size may be gradually increased from the direction of the substrate 100 toward the direction opposite to the substrate 100. As the nanoparticles 322 forming the porous layer 320 become larger toward the opposite direction of the substrate 100 from the direction of the substrate 100, the space between the nanoparticles 322 also increases from the substrate 100 toward the substrate 100, It is understood that it becomes larger in the direction opposite to the direction of the arrow 100.

이러한 다공층(320)을 이루는 나노 입자들(322)은 상술한 것과 같이, 제1유기층(310)에 인접한 부분에서 제1무기층(330)에 인접한 부분으로 갈수록 나노 입자의 크기가 점점 커질 수 있다. 이러한 나노 입자들(322)의 크기는 나노 입자들(322)을 이루는 유기물의 분자량을 조절하는 기술을 통해 조절할 수 있다.As described above, the size of the nanoparticles 322 forming the porous layer 320 may gradually increase from the portion adjacent to the first organic layer 310 to the portion adjacent to the first inorganic layer 330 have. The size of the nanoparticles 322 can be controlled by a technique for controlling the molecular weight of the organic material constituting the nanoparticles 322.

이와 같은 다공층(320)을 형성하는 나노 입자들(322)은 같이 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The nanoparticles 322 forming the porous layer 320 may also include organic materials. For example, it may include at least one material selected from the group consisting of an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyisoprene, a vinyl resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cellulose resin and a perylene resin.

도 6을 참조하면, 다공층(320) 상에 제1무기층(330)을 형성할 수 있다. 이러한 제1무기층(330)은 외부로부터 유입되는 각종 불순물 또는 수분 등이 유기발광소자(200) 또는 그 하부에 배치된 소자들에 유입되어 불량이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.Referring to FIG. 6, the first inorganic layer 330 may be formed on the porous layer 320. The first inorganic layer 330 functions to prevent defects such as various impurities or moisture introduced from the outside from flowing into the organic light emitting device 200 or the elements disposed under the organic light emitting device 200.

이러한 제1무기층(330)을 이루는 무기물은, 예컨대 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The inorganic material constituting the first inorganic layer 330 may include at least one of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, (SiON). &Lt; / RTI >

나아가 도 6에는 도시되어 있지 않지만, 제1무기층(330) 상에 제2유기층(312) 및 제2무기층(332)을 더 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 제2유기층(312)은 유기발광소자(200)의 상부를 평탄화하게 하는 역할을 하며, 제2무기층(332)은 유기발광소자(200)에 외부로부터 불순물이 유입되지 않도록 방지하는 역할을 한다. 이와 같이 두 층 이상의 제1유기층(310)과 제2유기층(312) 및 제1무기층(330)과 제2무기층(332)을 교번하여 형성하면 봉지층(300)이 충분한 밀봉효과를 나타낼 수 있다. 이러한 제2유기층(312)은 상술한 것과 같이 제1유기층(310)을 형성하는 유기물과 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 마찬가지로 제2무기층(332) 역시 상술한 것과 같이 제1무기층(330)을 형성하는 무기물과 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.Although not shown in FIG. 6, a step of further forming a second organic layer 312 and a second inorganic layer 332 on the first inorganic layer 330 may be performed. The second organic layer 312 serves to planarize the upper portion of the organic light emitting device 200 and the second inorganic layer 332 serves to prevent impurities from being introduced into the organic light emitting device 200 from the outside . When the first organic layer 310, the second organic layer 312, the first inorganic layer 330, and the second inorganic layer 332 are alternately formed in this manner, the sealing layer 300 exhibits a sufficient sealing effect . The second organic layer 312 may be the same as or different from the organic material forming the first organic layer 310 as described above. Likewise, the second inorganic layer 332 may be the same as or different from the inorganic material forming the first inorganic layer 330 as described above.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Therefore, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100: 기판
200: 유기발광소자
300: 봉지층
310: 제1유기층
312: 제2유기층
320: 다공층
330: 제1무기층
332: 제2무기층100: substrate
200: Organic light emitting device
300: sealing layer
310: first organic layer
312: second organic layer
320: porous layer
330: first inorganic layer
332: second inorganic layer

Claims

Board;
An organic light emitting element disposed on the substrate; And
An encapsulation layer disposed on the organic light emitting element, the encapsulation layer including an organic material and including a porous layer having a density gradient from the substrate direction toward the substrate in a direction opposite to the substrate;
And an organic light emitting display device.

The method according to claim 1,
Wherein the porous layer comprises nanoparticles.

3. The method of claim 2,
And the size of the nanoparticles sequentially increases from the substrate direction to the substrate opposite to the substrate in the porous layer.

The method according to claim 1,
Wherein the porous layer has a density gradient from a high density to a low density toward a direction opposite to the substrate from the substrate direction.

The method according to claim 1,
Wherein the organic layer and the inorganic layer are disposed alternately in the sealing layer.

6. The method of claim 5,
Wherein the porous layer is disposed between the organic layer and the inorganic layer.

Forming an organic light emitting element on a substrate;
Forming a first organic layer on the organic light emitting device;
Forming a porous layer on the first organic layer, the porous layer having a density gradient in a direction opposite to the substrate from the substrate direction and containing organic matter; And
Forming a first inorganic layer on the porous layer;
Wherein the organic light emitting display device comprises a light emitting layer.

8. The method of claim 7,
Wherein the forming of the porous layer includes forming nanoparticles formed of an organic material.

9. The method of claim 8,
Wherein the step of forming the porous layer is a step of forming the nano-particles sequentially in the direction opposite to the substrate from the direction of the substrate.

8. The method of claim 7,
Wherein the forming of the porous layer is a step of forming a density gradient from a high density to a low density toward an opposite direction of the substrate from the substrate direction.