KR20150124226A - Transparent electrode substrate and method of fabricating the same - Google Patents

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신화인터텍 주식회사
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Abstract

Provided are a transparent electrode substrate and a manufacturing method thereof. The transparent electrode substrate includes a support layer which includes an engraved pattern, a wavelength conversion particle which is arranged on the support layer, and a transparent conductive pattern which is filled in the engraved pattern of the support layer. The method for manufacturing the transparent electrode substrate includes the steps of: forming the support layer which includes the engraved pattern and in which the wavelength conversion particle is arranged; and filling the engraved pattern of the support layer with conductive materials.

Description

투명 전극 기판 및 이의 제조 방법{Transparent electrode substrate and method of fabricating the same}Transparent electrode substrate and method of fabricating the same

본 발명은 투명 전극 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a transparent electrode substrate and a method of manufacturing the same.

투명 도전막은 액정표시장치나 유기EL 표시장치 등의 화소전극이나 공통전극과 같은 투명전극용으로 많이 사용되고 있다. 뿐만 아니라, 최근에는 터치 패널, 조명 장치, 태양 전지 등에도 그 적용예를 넓혀 가고 있다. BACKGROUND ART A transparent conductive film is widely used for a pixel electrode such as a liquid crystal display device and an organic EL display device, or a transparent electrode such as a common electrode. In addition, recently, application examples have been expanded to touch panels, lighting devices, and solar cells.

그 동안 투명 도전막으로 많이 적용되었던 물질은 안티몬이나 불소가 도핑된 산화주석(SnO2)막 알루미늄이나 칼륨이 도핑된 산화아연(ZnO)막, 주석이 도핑된 산화인듐(In2O3)막 등이었다. 최근 들어서는 탄소나노튜브, 금속 나노 와이어와 같은 신소재를 적용하는 방안도 연구되고 있다.The materials that have been widely applied as transparent conductive films in recent years include antimony, fluorine-doped tin oxide (SnO2) film aluminum, potassium-doped zinc oxide (ZnO) film, and tin-doped indium oxide (In2O3) film. Recently, new materials such as carbon nanotubes and metal nanowires have been studied.

투명 도전막이 투명 전극으로 적용되려면, 패터닝 공정이 필요하다. 투명 도전막의 패터닝 공정은 예컨대 에칭 공정을 포함할 수 있다. 그런데, 에칭 공정은 그 자체로 복잡한 공정일 뿐만 아니라, 재료에 따라서는 에칭에 의해 미세 패턴을 형성하는 것이 어려운 경우도 있다. 또, 에칭은 투명 도전막의 일부를 제거하는 공정이므로, 재료의 낭비되어 공정 비용을 증가시킨다. 또한, 에칭 재료 및 제거된 투명 도전막의 일부는 환경오염을 야기할 수 있다.In order for the transparent conductive film to be applied as a transparent electrode, a patterning process is required. The patterning process of the transparent conductive film may include an etching process, for example. However, the etching process itself is not only a complicated process, but it may be difficult to form a fine pattern by etching depending on the material. In addition, since etching is a step of removing a part of the transparent conductive film, the material is wasted and the process cost is increased. Further, the etching material and a part of the removed transparent conductive film may cause environmental pollution.

한편, 패터닝된 투명 도전막은 표면에 투면 도전 패턴과 절연 물질이 노출된다. 표면의 투명 도전 패턴과 절연 물질은 광 반사율 및 광 반사 파장이 상이할 수 있고, 외부에 노출되면 외광 반사에 의해 투명 도전 패턴이 시인될 수 있다. On the other hand, the patterned transparent conductive film is exposed on the surface of the transparent conductive pattern and the insulating material. The transparent conductive pattern on the surface and the insulating material may have different light reflection and light reflection wavelengths, and when exposed to the outside, the transparent conductive pattern can be visually recognized by external light reflection.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 패턴 시인성이 완화된 투명 전극 기판을 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a transparent electrode substrate with reduced pattern visibility.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 공정 효율이 개선된 투명 전극 기판의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a transparent electrode substrate with improved process efficiency.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극 기판은 음각 패턴을 포함하는 지지층, 상기 지지층에 배치된 파장 변환 입자, 및 상기 지지층의 상기 음각 패턴에 충진된 투명 도전 패턴을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a transparent electrode substrate comprising a support layer including a relief pattern, wavelength conversion particles disposed on the support layer, and a transparent conductive pattern filled in the relief pattern of the support layer .

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판은 기재, 상기 기재의 상부에 형성되고 제1 음각 패턴을 포함하는 제1 지지층, 상기 제1 지지층의 상기 제1 음각 패턴 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴, 상기 기재의 하부에 형성되고 제2 음각 패턴을 포함하는 제2 지지층, 상기 제2 지지층의 상기 제2 음각 패턴 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴, 및 상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층 중 적어도 하나의 내부에 배치된 파장 변환 입자를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a transparent electrode substrate comprising a substrate, a first support layer formed on the substrate and including a first intaglio pattern, a second support layer formed on the first support layer, A second support layer formed on a lower portion of the substrate and including a second intaglio pattern, a second transparent conductive pattern filled in the second intaglio pattern of the second support layer, and a second transparent conductive pattern formed on the first support layer, And the wavelength conversion particles disposed inside at least one of the second support layers.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판은 제1 기재, 상기 제1 기재 상에 형성되고 제1 음각 패턴을 포함하는 제1 지지층, 상기 제1 지지층의 상기 제1 음각 패턴 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴, 상기 제1 지지층 및 상기 제1 투명 도전 패턴 상에 형성된 접착층, 상기 접착층 상에 배치되고, 하면에 형성된 제2 음각 패턴을 포함하는 제2 지지층, 상기 제2 지지층의 상기 제2 음각 패턴 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴, 및 상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층 중 적어도 하나의 내부에 배치된 파장 변환 입자를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a transparent electrode substrate comprising a first substrate, a first support layer formed on the first substrate and including a first intaglio pattern, a first support layer formed on the first support layer, A second support layer including a first support layer and an adhesive layer formed on the first transparent conductive pattern, a second support layer formed on the adhesive layer and including a second intaglio pattern formed on the lower surface, A second transparent conductive pattern filled in the second intaglio pattern of the second support layer, and a wavelength conversion particle disposed inside at least one of the first support layer and the second support layer.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판은 기재, 상기 기재의 상부에 형성되고 제1 음각 패턴을 포함하는 제1 지지층, 상기 제1 지지층의 상기 제1 음각 패턴 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴, 상기 제1 지지층 및 상기 제1 투명 도전 패턴 상에 형성되며, 제2 음각 패턴을 포함하는 제2 지지층, 상기 제2 지지층의 상기 제2 음각 패턴 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴, 및 상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층 중 적어도 하나의 내부에 배치된 파장 변환 입자를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a transparent electrode substrate comprising a substrate, a first support layer formed on the substrate and including a first intaglio pattern, a second support layer formed on the first support layer, A second support layer formed on the first support layer and the first transparent conductive pattern, the second support layer including a second intaglio pattern; a second support layer formed on the second support layer, A transparent conductive pattern, and a wavelength converting particle disposed inside at least one of the first supporting layer and the second supporting layer.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법은 음각 패턴을 포함하고, 내부에 파장 변환 입자가 배치된 지지층을 형성하는 단계, 및 상기 지지층의 상기 음각 패턴 내에 도전 물질을 충진시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a transparent electrode substrate, the method comprising: forming a support layer including an engraved pattern in which wavelength conversion particles are disposed; And filling the conductive material with a conductive material.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.The embodiments of the present invention have at least the following effects.

즉, 본 발명의 실시예들에 따른 투명 전극 기판은 투명 도전 패턴이 시인되는 것이 방지되거나 완화될 수 있다. That is, the transparent electrode substrate according to the embodiments of the present invention can be prevented or mitigated from being visually recognized.

또, 투명 도전 패턴을 음각 패턴 내에 도전 물질을 충진하므로, 재료의 낭비를 줄일 수 있고, 공정 효율이 개선될 수 있다. Further, since the transparent conductive pattern is filled with the conductive material in the engraved pattern, the waste of the material can be reduced, and the process efficiency can be improved.

또한, 에칭 재료를 사용하지 않고, 에칭으로 인하여 제거된 금속 도전막이 발생치 않으므로 친환경적인 제품을 구현할 수 있다. In addition, since the metal conductive film removed by etching is not formed without using an etching material, an environmentally friendly product can be realized.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극 기판의 평면도이다.
도 2는 도 1의 IIa-IIa', IIb-IIb', IIc-IIc'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도들이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 투명 전극 기판의 평면도들이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 평면도들이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 레이아웃도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.1 is a plan view of a transparent electrode substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along lines IIa-IIa ', IIb-IIb' and IIc-IIc 'of FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG.
4 and 5 are sectional views of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
6 and 7 are cross-sectional views of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
8 to 12 are plan views of a transparent electrode substrate according to various embodiments of the present invention.
13 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
15 and 16 are plan views of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
19 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
20 is a layout view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
21 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.
22 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. It is to be understood that elements or layers are referred to as being "on " other elements or layers, including both intervening layers or other elements directly on or in between. On the other hand, a device being referred to as "directly on" refers to not intervening another device or layer in the middle. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. "And / or" include each and any combination of one or more of the mentioned items.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. The terms " comprises "and / or" comprising "used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe a correlation between an element and other elements. Spatially relative terms should be understood in terms of the directions shown in the drawings, including the different directions of components at the time of use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element . Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The components can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서, 투명 전극 기판이라 함은 투명 도전막을 포함하는 기판을 의미할 수 있다. 또, 기판은 패널, 플레이트, 필름, 시트의 의미로 사용될 수 있다.In this specification, the transparent electrode substrate may mean a substrate including a transparent conductive film. Further, the substrate may be used in the meaning of a panel, a plate, a film, and a sheet.

투명 전극 기판에 포함되는 투명 도전 패턴은 가시광을 적어도 부분적으로 투과시킨다. 이를 위해, 투명 도전 패턴을 구성하는 물질 자체가 투명도를 가질 수도 있고(예컨대, ITO 등), 구성 물질 자체는 가시광을 투과시키지 못하지만 입자의 크기, 폭, 두께 또는 형상이나 밀도에 따른 특성이 해당 패턴에 전반적인 가시광 투과성을 부여(예컨대, 나노와이어, CNT 등)할 수도 있다. The transparent conductive pattern included in the transparent electrode substrate at least partially transmits visible light. For this purpose, the material constituting the transparent conductive pattern may have transparency (for example, ITO or the like), and the constituent material itself does not transmit visible light, but the size, width, thickness, (For example, nanowires, CNTs, and the like) on the entire surface of the substrate.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극 기판의 평면도이다. 도 2는 도 1의 IIa-IIa', IIb-IIb', IIc-IIc'선을 따라 자른 단면도이다. 도 3은 도 1의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다. 1 is a plan view of a transparent electrode substrate according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along lines IIa-IIa ', IIb-IIb' and IIc-IIc 'of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 투명 전극 기판은 지지층(100) 및 투명 도전 패턴(200)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 3, a transparent electrode substrate according to an embodiment includes a support layer 100 and a transparent conductive pattern 200.

지지층(100)은 투명 도전 패턴(200)을 지지한다. 지지층(100)에는 음각 패턴(110)이 형성된다. 음각 패턴(110)은 지지층(100)의 표면(120)으로부터 함몰되어 형성된다. 지지층(100)의 표면(120)은 평탄할 수 있다. 투명 도전 물질이 음각 패턴(110) 내에 충진되어 투명 도전 패턴(200)을 형성한다. 상기 투명 도전 물질과 음각 패턴(110)과의 부착력을 향상시키거나 패턴 시인성을 개선하기 위하여 그 사이에 별도의 접착층이 형성되거나, 음각 패턴(110)의 표면이 플라즈마처리나 검화처리 등을 통하여 개질될 수도 있다. The support layer 100 supports the transparent conductive pattern 200. The engraved pattern 110 is formed on the support layer 100. The engraved pattern 110 is recessed from the surface 120 of the support layer 100. The surface 120 of the support layer 100 may be flat. The transparent conductive material is filled in the engraved pattern 110 to form the transparent conductive pattern 200. [ In order to improve the adhesion between the transparent conductive material and the engraved pattern 110 or to improve the visibility of the pattern, a separate adhesive layer may be formed therebetween, or the surface of the engraved pattern 110 may be modified through plasma treatment, .

음각 패턴(110)의 형상과 투명 도전 패턴(200)의 형상은 오프셋 관계와 같은 상호 상관 관계가 있다. 본 명세서에서, 음각 패턴(110)과 투명 도전 패턴(200)의 형상이 실질적인 오프셋 관계에 있는 경우, 그 형상이 실질적으로 동일한 관계에 있는 것으로 기술한다. 또한, 음각 패턴(110)의 형상과 투명 도전 패턴(200)의 형상이 실질적으로 동일한 경우에 대해서는 투명 도전 패턴(200)의 형상을 위주로 설명하고, 중복되는 음각 패턴(110)의 형상에 대한 설명은 생략하기로 한다.The shape of the engraved pattern 110 and the shape of the transparent conductive pattern 200 have a mutual correlation such as an offset relationship. In the present specification, when the shapes of the engraved pattern 110 and the transparent conductive pattern 200 are in a substantially offset relationship, they are described as being substantially in the same relationship. When the shape of the engraved pattern 110 and the shape of the transparent conductive pattern 200 are substantially the same, the shape of the transparent conductive pattern 200 will be mainly described and a description of the shape of the overlapping engraved pattern 110 Is omitted.

일 실시예에서, 투명 도전 패턴(200)을 구성하는 물질은 음각 패턴(110)을 모두 충진할 수 있다. 투명 도전 패턴(200)의 상부 표면은 지지층(100)의 표면(120)과 동일한 레벨에 있을 수 있다. 구체적으로, 충진된 투명 도전 패턴(200)의 상부 표면과 지지층(100)의 표면(120)은 동일 평면에 위치할 수 있다. In one embodiment, the material constituting the transparent conductive pattern 200 may fill all of the engraved patterns 110. The top surface of the transparent conductive pattern 200 may be at the same level as the surface 120 of the support layer 100. [ Specifically, the upper surface of the filled transparent conductive pattern 200 and the surface 120 of the support layer 100 may be coplanar.

지지층(100)의 표면 면적은 투명 도전 패턴(200)의 전도성과 지지층(100) 내부에 배치된 파장 변환 입자(150)의 안정성에 관계가 있다. 지지층(100)의 표면 면적이 너무 넓으면, 투명 도전 패턴(200)의 표면 면적이 상대적으로 작아지므로, 투명 도전 패턴(200)의 전도성이 낮아질 뿐만 아니라, 지지층(100) 내부에 배치된 파장 변환 입자(150)가 외부의 수분과 반응하여 손상될 우려가 높아진다. 따라서, 본 발명을 제한하지 않는 일 실시예에서, 지지층(100)의 표면 면적은 투명 도전 패턴(200)의 표면 면적보다 상대적으로 작을 수 있다. The surface area of the support layer 100 is related to the conductivity of the transparent conductive pattern 200 and the stability of the wavelength conversion particles 150 disposed inside the support layer 100. If the surface area of the support layer 100 is too wide, the surface area of the transparent conductive pattern 200 becomes relatively small, so that not only the conductivity of the transparent conductive pattern 200 is lowered, but also the wavelength conversion There is a high possibility that the particles 150 will be damaged by external moisture. Therefore, in an embodiment in which the present invention is not limited, the surface area of the support layer 100 may be relatively smaller than the surface area of the transparent conductive pattern 200. [

투명 도전 패턴(200)을 구성하는 물질로는 ITO, IZO, ZO 등의 투명 도전성 산화물이나, 탄소나노물질, 나노와이어, 전도성 폴리머 등의 도전체, 박막 형태의 금속 입자나 금속을 들 수 있으며, 이들 중 하나 이상이 조합되어 적용될 수 있다. Examples of the material constituting the transparent conductive pattern 200 include transparent conductive oxides such as ITO, IZO and ZO, conductors such as carbon nanomaterials, nanowires and conductive polymers, metal particles in the form of thin films, and metals. One or more of these may be applied in combination.

상기 탄소나노물질은 싱글월 탄소나노튜브, 멀티월 탄소나노튜브, 탄소나노입자, 또는 그라핀(graphene)일 수 있다.The carbon nanomaterial may be a single wall carbon nanotube, a multiwall carbon nanotube, a carbon nanoparticle, or a graphene.

상기 나노 와이어는 은 나노 와이어, 구리 나노 와이어, 금 나노 와이어, 백금 나노 와이어, 또는 실리콘 나노 와이어일 수 있다.The nanowires can be silver nanowires, copper nanowires, gold nanowires, platinum nanowires, or silicon nanowires.

상기 전도성 폴리머의 예로는 폴리(3-알킬)티오펜[poly(3-alkyl)thiophene: P3AT], 폴리(3-헥실)티오펜[poly( 3-hexyl)thiophene: P3HT], , 폴리아닐린 [polyaniline: PANI], 폴리아세틸렌(polyacetylene: PA), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene: PEDOT), 폴리이소시아나프탈렌(polyisothianapthalene: PITN ), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리티에닐렌비닐렌(polythienylenevinylene) , 폴리티오펜(polythiophene: PT), 폴리파라페닐렌 {polyparapheny lene: PPP), , 폴리파라페닐렌 비닐렌(polyparaphenylene vinylene: PPV), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide) , 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리피롤(polypyrrole: PPY), 폴리헵타디엔(polyheptadiyne: PHT) 등을 들 수 있다.Examples of the conductive polymer include poly (3-alkyl) thiophene (P3AT), poly (3-hexyl) thiophene (P3HT), polyaniline : PANI], polyacetylene (PA), polyazulene, polyethylene dioxythiophene (PEDOT), polyisothianapthalene (PITN), polyisothianaphthene, polythienylene (PP), polyparaphenylene vinylene (PPV), polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide, polyphenylenevinylene, polythiophene (PT) Polyphenylene, polyfuran, polypyrrole (PPY), polyheptadiene (PHT), and the like.

상술한 탄소나노물질, 나노와이어, 전도성 폴리머들의 도전체는 약 3:1 이상의 종횡비를 갖는 형상으로 이루어질 수 있다. 여기서, 종횡비란 입자의 길이와 직경의 비를 의미한다. 종횡비가 클수록 도전 입자간 교차확률이 높아 전도율에 유리하다. 몇몇 실시예에서, 종횡비는 10:1 이상일 수 있다. 다른 실시예에서, 종횡비는 100:1 이상일 수 있다. The conductors of the carbon nanomaterials, nanowires, and conductive polymers described above may be of a shape having an aspect ratio of at least about 3: 1. Here, the aspect ratio means the ratio of the particle length to the diameter. The larger the aspect ratio, the higher the crossing probability between conductive particles is, which is advantageous for the conductivity. In some embodiments, the aspect ratio can be at least 10: 1. In other embodiments, the aspect ratio may be greater than or equal to 100: 1.

상기 도전체는 적어도 부분적으로 꼬여 있을 수 있다. 이 경우, 종횡비는 도전체의 꼬임을 풀어 라인 형상으로 하였을 때의 길이와 도전체의 직경의 비로 해석될 수 있다.The conductor may be at least partially twisted. In this case, the aspect ratio can be interpreted as the ratio of the length of the conductor to the conductor when the conductor is twisted to form a line and the diameter of the conductor.

투명 도전 패턴(200)은 위에서 열거된 물질 들 외에, 도전체의 전도율을 개선하거나, 도전체의 분산성을 개선하거나, 도전체의 안정성을 개선하기 위하여 금속 나노 입자, 무기 나노 입자, 폴리머 첨가제, 및 계면 활성제 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어질 수 있다.In addition to the materials listed above, the transparent conductive pattern 200 may include metal nanoparticles, inorganic nanoparticles, polymeric additives, metal nanoparticles, metal nanoparticles, and polymeric additives to improve the conductivity of the conductor, improve the dispersibility of the conductor, And at least one of a surfactant and a surfactant.

상기 금속 나노 입자의 예로는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 베릴륨(Be), 카드뮴(Cd), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 수은(Hg), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 안티몬(Sb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn), 루비듐(Ru), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 주석(Sn), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 바나듐(V), 카본 블랙, 플러렌 등을 들 수 있다.Examples of the metal nanoparticles include metals such as silver, aluminum, gold, beryllium, cadmium, cobalt, chromium, copper, iron, ), Tungsten (Hg), magnesium (Mg), manganese (Mn), nickel (Ni), lead (Pb), palladium (Pd), platinum ), Tungsten (W), zinc (Zn), rubidium (Ru), osmium (Os), iridium (Ir), rhodium (Rh), tin (Sn), lithium (Li), sodium ), Calcium (Ca), scandium (Sc), vanadium (V), carbon black, and fullerene.

상기 무기 나노입자의 예로는 실리카, 알루미나(Al2O3), 지르코니아(Zirconia), 타이타니아(Titania), 안티몬 주석 산화물(Antimony Tin Oxide, ATO), 인듐 주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide), 산화인듐, 산화카드뮴, 산화주석, 산화아연, 산화티타늄 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic nanoparticles include silica, alumina (Al2O3), zirconia, titania, antimony tin oxide (ATO), indium tin oxide (ITO) Cadmium, tin oxide, zinc oxide, titanium oxide, and the like.

상기 폴리머 첨가제의 예로는 고무 변성 폴리스티렌 수지, 나트륨폴리아크릴레이트(Sodium Polyacrylate), 니트로셀룰로오스, 니트릴고무, 디알릴테레프탈레이트 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 수지, 부티랄, 부틸고무, 불소 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 비닐에스테르 수지, 세라믹 하이브리드 폴리머, 세라믹 혼성 폴리머, 셀룰로오스, 수첨스티렌-부타디엔 공중합체, 수첨폴리이소프렌 및 수첨폴리부타디엔, 스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴 공중합체, 시클로올레핀계 수지, 신디오택틱 폴리스티렌 수지, 실리콘 수지, 아로마틱폴리아미드, 아세트산 비닐, 아세트산셀룰로오스 수지, 아크릴 고무, 아크릴 변형 실리케이트, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌(ABS) 수지, 아크릴로니트릴-스티렌(AS) 수지, 아크릴산 멜라민, 아크릴산 우레탄, 알키드 수지, 액정 폴리에스테르 수지, 에틸렌-부텐-디엔 공중합체, 에틸렌비닐알코올 수지, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체, 에폭시 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 염화 비닐계 수지, 염화 폴리에틸렌, 염화 폴리프로필렌, 염화비닐 및 아세트산비닐의 공중합체, 우레아 수지, 우레탄 수지, 이오노머 수지, 인산화물, 젤라틴, 칼코게나이드(chalcogenides), 케톤 수지, 크실렌 수지, 등을 들 수 있다. Examples of the polymer additive include rubber modified polystyrene resins, sodium polyacrylate, nitrocellulose, nitrile rubber, diallyl terephthalate resin, melamine resin, benzoguanamine resin, modified polyphenylene ether resin, butyral, Butadiene copolymer, hydrogenated polyisoprene and hydrogenated polybutadiene, styrene, styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene copolymer, Acrylic resin, acrylic resin, acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS) resin, acrylic copolymer, cycloolefin resin, syndiotactic polystyrene resin, silicone resin, aromatic polyamide, vinyl acetate, cellulose acetate resin, acrylic rubber, acrylic modified silicate, , Acrylonitrile-styrene (AS) resin, melamine acrylate, acrylate urethane, alkyd resin, liquid crystal polyester resin, ethylene-butene-diene copolymer, ethylene vinyl alcohol resin, ethylene-propylene copolymer, ethylene-propylene-diene copolymer, A copolymer of vinyl chloride and vinyl acetate, a urea resin, a urethane resin, an ionomer resin, a phosphoric acid, a gelatin, a chalcogenide, a ketone resin, a xylene resin, a polyetherimide resin, a polyimide resin, a polyvinyl chloride resin, Resin, and the like.

상기 계면활성제의 예로는 2-알킬-1-알킬-1-히드록시에틸 이미다졸리늄(2-alkyl-1-alkyl-1-hydroxyethyl imidazolium), 2-알킬-1-카르복시메틸-1-히드록시에틸 이미다졸리늄 베타인, 4급 암모늄, 나프탈렌 술폰산 포름알데히드 축합물, 다가 알코올 지방산 부분 에스테르, 도데실벤젠술폰산의 나트륨염(Na-DDBS), 도데실트리메틸암모니움 브로마이드(Dodecyltrimethylammonium bromide, DTAB), 도데실페닐에테르술폰산염, 디알킬술포숙신산, 리튬 도데실 설페이트(Lithium dodecyl sulfate, LDS), 석유 술폰산, 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드(CTAB, Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide), 소듐 도데실 설페이트(SDS, Sodium Dodecyl Sulfate), 소듐도데실벤젠설포네이트(Sodium dodecylbenzenesulfonate, SDBS), 소듐도데실설포네이트(Sodium dodecylsulfonate, SDSA) 등을 들 수 있다.Examples of the surfactant include 2-alkyl-1-alkyl-1-hydroxyethyl imidazolium, 2-alkyl-1-carboxymethyl- (Na-DDBS), dodecyltrimethylammonium bromide (DTAB), dodecyltrimethylammonium bromide, tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium bromide, ), Dodecylphenyl ether sulfonate, dialkylsulfosuccinic acid, lithium dodecyl sulfate (LDS), petroleum sulfonic acid, CTAB (Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide), sodium dodecyl sulfate Dodecyl Sulfate, Sodium dodecylbenzenesulfonate (SDBS), and Sodium dodecylsulfonate (SDSA).

상기 금속 입자와 상기 금속은 설사 그 자체로는 투명하지 않더라도, 얇은 박막으로 적용됨로써, 투명 도전 패턴(200)에 광 투과율을 제공할 수 있다. 이를 위해 금속 입자 또는 금속의 크기와 투명 도전 패턴(200)의 최대 두께의 비는 1.0 이하인 것이 바람직하다.The metal particles and the metal may be applied as a thin film even if the metal itself is not transparent to diarrhea, thereby providing a light transmittance to the transparent conductive pattern 200. To this end, the ratio of the size of the metal particles or metal to the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 is preferably 1.0 or less.

상기 금속 입자와 상기 금속의 예로는 SiO2, ZrO2, MgF2, Sb2O5, BaF2, TiO2, ZnO, ZnS, CeF2및 Nb2O5 등을 들 수 있지만, 이에 제한되지 않음은 물론이다.Examples of the metal particles and the metal include but are not limited to SiO2, ZrO2, MgF2, Sb2O5, BaF2, TiO2, ZnO, ZnS, CeF2 and Nb2O5.

지지층(100)은 투명 도전 패턴(200)과는 달리 절연 특성을 가질 수 있다. 지지층(100)은 광경화성 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 지지층(100)은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지 등으로 이루어질 수 있고, 구체적으로 에폭시아크릴레이트계 수지, 우레탄아크릴레이트계 수지, 실리콘아크릴레이트계 수지 등으로 이루어질 수 있다. 더 나아가, 지지층(100)은 무기 입자를 더 포함할 수 있다. 무기 입자의 예로는 가시광 영역에서의 투과율이 뛰어난 SiO2, TiO2를 들 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Unlike the transparent conductive pattern 200, the support layer 100 may have insulating properties. The support layer 100 may be made of a photo-curable polymer material. For example, the support layer 100 may be made of an acrylic resin, a urethane resin, a polyester resin, or the like, and specifically, an epoxy acrylate resin, a urethane acrylate resin, a silicone acrylate resin, or the like. Further, the support layer 100 may further include inorganic particles. Examples of the inorganic particles include SiO2 and TiO2, which have excellent transmittance in the visible light region, but are not limited thereto.

지지층(100)의 내부에는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 파장 변환 입자(150)가 배치될 수 있다. 파장 변환 입자(150)는 지지층(100) 내부에 균일하게 분산되어 있을 수도 있고, 불균일하거나 랜덤하게 배치될 수도 있다. As shown in FIGS. 2 and 3, the wavelength conversion particles 150 may be disposed in the support layer 100. The wavelength converting particles 150 may be uniformly dispersed in the support layer 100, or may be arranged in a non-uniform or random manner.

파장 변환 입자(150)는 형광 물질, 인광 물질, 염료 물질 등과 같은 형광체 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 변환 입자(150)는 양자점 입자일 수 있다. 상기 양자점 입자는 II족 화합물 반도체, III족 화합물 반도체, V족 화합물 반도체 및 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 입자(150)로 사용되는 양자점 입자는 CdSe, CdTe, CdS 등과 같은 카드뮴계 물질 또는 GaAs, InP, CuInS2 등과 같은 비카드뮴계 물질로 이루어질 수 있다.The wavelength converting particles 150 may be a phosphor material such as a fluorescent material, a phosphorescent material, a dye material, or the like. In an exemplary embodiment, the wavelength converting particle 150 may be a quantum dot particle. The quantum dot particles may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. For example, the quantum dot particles used as the wavelength conversion particles 150 may be made of a cadmium-based material such as CdSe, CdTe, CdS or the like, or a non-cadmium-based material such as GaAs, InP, CuInS2 or the like.

상기 양자점 입자는 코어쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 코어쉘 구조는 중심에 위치하는 코어부 및 그 외곽에 위치하는 쉘부를 포함한다. 상기 코어부는 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS 등의 나노 결정으로 이루어지고, 상기 쉘부는 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS 등의 나노 결정으로 이루어질 수 있다. The quantum dot particles may have a core shell structure. The core shell structure includes a core portion located at the center and a shell portion located at an outer periphery thereof. The core portion is made of nanocrystals such as Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell portion is made of CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS Nanocrystals.

파장 변환 입자(150)의 크기는 2 내지 50nm일 수 있다. 파장 변환 입자(150)가 코어쉘 구조로 이루어진 경우, 변환광의 파장은 코어부의 직경에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 코어부의 입자가 상대적으로 작으면 짧은 파장의 청색 빛을 방출하고, 코어부의 입자가 상대적으로 크면 파장이 긴 붉은 빛에 가까운 색을 나타낼 수 있다. 구체적으로, 코어부 입자의 직경이 1 내지 4nm인 경우에는 변환광이 청색을 나타내고, 4 내지 5nm인 경우에는 변환광이 녹색을 나타내고, 5 내지 7nm인 경우에는 변환광이 적색을 나타낼 수 있다. The size of the wavelength converting particles 150 may be 2 to 50 nm. When the wavelength converting particles 150 are made of a core shell structure, the wavelength of the converted light may be changed depending on the diameter of the core portion. For example, when the particles of the core portion are relatively small, blue light of a short wavelength is emitted, and when the particles of the core portion are relatively large, the wavelength can be close to red light having a long wavelength. Specifically, in the case where the diameter of the core particles is 1 to 4 nm, the converted light indicates blue. In the case of 4 to 5 nm, the converted light indicates green, and in the case of 5 to 7 nm, the converted light may show red.

예시적인 실시예에서, 지지층(100) 내부에는 복수의 변환광 파장을 나타내는 파장 변환 입자(150)가 혼재되어 있을 수 있다. 예를 들어, 지지층(100) 내부의 파장 변환 입자(150)는 제1 파장의 변환광을 생성하는 제1 파장 변환 입자와 제1 파장과 상이한 제2 파장의 변환광을 생성하는 제2 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 더 다양한 파장의 변환광을 생성하는 여러 종류의 파장 변환 입자가 혼재될 수 있음은 물론이다. In the exemplary embodiment, the wavelength conversion particles 150 representing a plurality of converted light wavelengths may be mixed in the support layer 100. For example, the wavelength conversion particles 150 inside the support layer 100 may be formed of a first wavelength conversion particle for generating a converted light of a first wavelength and a second wavelength conversion particle for generating a converted light of a second wavelength different from the first wavelength. Particles. It goes without saying that a plurality of kinds of wavelength converting particles that produce converted light of a wider range of wavelengths can be mixed.

적색 파장의 변환광을 생성하는 파장 변환 입자와, 청색 파장의 변환광을 생성하는 파장 변환 입자와, 녹색 파장의 변환광을 생성하는 파장 변환 입자가 골고루 혼재되어 있으면, 지지층(100) 내부의 파장 변환 입자(150)에 의해 변환 생성된 빛이 혼합되어 전반적으로 백색을 띨 수 있다. 각 색상에 대응하는 파장 변환 입자의 밀도를 상이하게 조절하면 다른 색상(파장)을 구현할 수도 있음이 쉽게 이해될 수 있을 것이다.If the wavelength conversion particles generating the converted light of the red wavelength, the wavelength conversion particles generating the converted light of the blue wavelength, and the wavelength conversion particles generating the converted light of the green wavelength are mixed, the wavelength inside the support layer 100 The light converted and converted by the conversion particles 150 may be mixed to become wholly white overall. It will be easily understood that different colors (wavelengths) may be realized by controlling the densities of the wavelength converting particles corresponding to the respective colors to be different.

한편, 파장 변환 입자(150)의 밀도는 변환광의 발광량에 비례한다. 파장 변환 입자(150)의 밀도가 크면 변환광의 양, 즉 휘도가 커지고, 파장 변환 입자(150)의 밀도가 작으면 변환광의 양, 즉 휘도가 작아진다. 따라서, 파장 변환 입자(150)의 밀도를 조절함으로써, 외부로 발광되는 양을 조절할 수 있다.On the other hand, the density of the wavelength converting particles 150 is proportional to the amount of light to be converted. If the density of the wavelength conversion particles 150 is large, the amount of converted light, that is, the luminance, becomes large. When the density of the wavelength conversion particles 150 is small, the amount of converted light, that is, the luminance, becomes small. Therefore, by controlling the density of the wavelength converting particles 150, the amount of light emitted to the outside can be controlled.

상술한 바와 같이, 파장 변환 입자(150)는 방출광의 파장과 발광 양을 조절할 수 있는데, 이와 같은 조절을 통해 패턴 시인성을 개선할 수 있다.As described above, the wavelength conversion particles 150 can control the wavelength of the emitted light and the amount of emitted light, and the pattern visibility can be improved through such adjustment.

더욱 구체적으로 설명하면, 투명 전극 기판의 표면에 위치하는 지지층(100)과 투명 도전 패턴(200)은 상이한 물질로 이루어져 있기 때문에, 광 반사율 및 광 반사 파장이 상이할 수 있다. 이처럼, 광 반사율 및/또는 광 반사 파장이 상이하면, 투명 전극 기판이 외부에 노출되었을 때, 외광 반사에 의해 투명 도전 패턴이 지지층(100)으로부터 구별되어 인식될 수 있다. 일부 적용예에서, 투명 전극 기판은 빛을 많이 투과시킬수록, 그리고 완전히 투명하여 디스플레이 패널이나 조명으로부터 출사되는 빛을 그대로 투과시키는 게 바람직하며, 투명 도전 패턴이 시인되면 표시 품질을 떨어뜨릴 수 있다. More specifically, since the support layer 100 positioned on the surface of the transparent electrode substrate and the transparent conductive pattern 200 are made of different materials, the light reflectance and the optical reflection wavelength may be different. When the light reflectance and / or the light reflection wavelength are different from each other, when the transparent electrode substrate is exposed to the outside, the transparent conductive pattern can be distinguished from the support layer 100 by external light reflection. In some applications, the more transparent the transparent electrode substrate is, the more transparent the transparent electrode substrate is, and the transparent electrode substrate is preferably completely transparent so that the light emitted from the display panel or the illumination light is transmitted as it is.

본 실시예의 경우, 상술한 것처럼 지지층(100) 내부에 파장 변환 입자(150)가 배치되어 광 반사율과 광 반사 파장을 조율할 수 있다. 즉, 외광이 지지층(100) 표면(120)에 입사되면 일부는 반사하지만, 다른 일부는 지지층(100) 내부로 투과한다. 투과된 외광이 지지층(100) 내부에 배치된 파장 변환 입자(150)에 도달하면, 파장 변환 입자(150)가 빛의 파장을 변환하여 방출한다. 이렇게 방출된 빛의 적어도 일부는 외부(즉, 외광 반사 방향)로 출사되어 표면에서 외광 반사된 빛과 섞이게 된다. 그에 따라, 관찰자의 입장에선 지지층(100)의 표면으로부터 직접 반사된 빛과, 파장 변환 입자(150)에 의해 변환된 빛이 혼합된 빛을 함께 인식하게 될 것이다.In this embodiment, as described above, the wavelength conversion particles 150 are disposed inside the support layer 100, so that the light reflectance and the optical reflection wavelength can be tuned. That is, when external light is incident on the surface 120 of the supporting layer 100, part of the external light is reflected, while another part of the external light is transmitted into the supporting layer 100. When the transmitted external light reaches the wavelength converting particles 150 disposed in the supporting layer 100, the wavelength converting particles 150 convert the wavelength of light and emit the light. At least a part of the emitted light is emitted to the outside (that is, in the direction of the external light reflection) and mixed with the light reflected from the surface. Accordingly, in the viewer's view, the light reflected directly from the surface of the support layer 100 and the light converted by the wavelength conversion particles 150 will be recognized together.

따라서, 파장 변환 입자(150)에 의해 변환되는 빛의 양과 그 파장을 조절하면, 지지층(100)으로부터 반사 및 방출되는 빛의 총량과 파장을 조절할 수 있고, 이를 투명 도전 패턴(200)에서 반사되는 빛의 양과 파장에 동일 또는 유사하게 함으로써, 투명 도전 패턴(200)이 시인되는 것을 방지하거나 감소시킬 수 있다.Therefore, the total amount and wavelength of the light reflected and emitted from the support layer 100 can be adjusted by adjusting the amount and wavelength of the light converted by the wavelength converting particle 150, and the total amount and wavelength of the light reflected and emitted from the transparent conductive pattern 200 By making the amount or wavelength of light the same or similar, it is possible to prevent or reduce the visibility of the transparent conductive pattern 200.

파장 변환 입자(150)는 지지층(100) 내부에 단독으로 분산되어 배치될 수도 잇지만, 투명 비드의 표면에 부착되어 배치될 수도 있다. 이 경우, 보다 넓은 면적으로의 광 균일도를 개선할 수 있고, 파장 변환 입자(150)의 분산이 효과적으로 이루어질 수 있다.The wavelength converting particles 150 may be dispersed and disposed alone in the support layer 100, but may be disposed on the surface of the transparent beads. In this case, the light uniformity over a wider area can be improved, and the dispersion of the wavelength conversion particles 150 can be effectively performed.

투명 도전 패턴(200)은 도 1에 도시된 바와 같이, 일 방향으로 연장된 라인 타입으로 형성될 수 있다. 연장 방향을 따라 좌우측에 배치되는 일변(S1)과 타변(S2)의 프로파일은 복수의 굴곡을 포함할 수 있다. 즉, 일변(S1)과 타변(S2)은 연장 방향을 따라 진행하면서 투명 도전 패턴(200)의 중심선(CP)에 대해 점점 더 멀어지다가 굴곡되어 다시 가까워지고, 점점 더 가까워지다가 다시 굴곡되어 다시 멀어지는 것을 반복할 수 있다. 투명 도전 패턴(200)의 중심선(CP)은 도 1, 도 8 내지 도 11에서 도시된 것처럼 직선일 수도 있지만, 도 12에 도시된 것처럼 곡선일 수도 있다. The transparent conductive pattern 200 may be formed in a line type extending in one direction, as shown in Fig. The profiles of the side S1 and the side S2 disposed on the left and right along the extending direction may include a plurality of bends. In other words, the one side S1 and the other side S2 extend along the extending direction, become gradually closer to the center line CP of the transparent conductive pattern 200, then bend back and become closer, become closer, Can be repeated. The center line CP of the transparent conductive pattern 200 may be a straight line as shown in Figs. 1 and 8 to 11, but may be a curved line as shown in Fig.

예시적인 실시예에서, 일변(S1)과 타변(S2)의 굴곡 프로파일은 도 1, 도 8, 도 9 및 도 12에 도시된 바와 같이 전반적으로 곡선으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 굴곡점을 중심으로 날카로운 각을 이루지 않고, 볼록 또는 오목한 곡선에 의해 굴곡점이 형성될 수 있다. 또, 굴곡점과 굴곡점 사이도 곡선으로 연결될 수 있다. 굴곡점과 굴곡점 사이는 아래로 볼록 및 위로 볼록 곡선이 혼재하고, 이들간의 경계에는 변곡점이 정의될 수 있다. 다른 실시예에서, 일변(S1)과 타변(S2)의 굴곡 프로파일은 도 10 및 도 11에 예시된 바와 같이 직선으로 이루어질 수도 있다. 이 경우, 굴곡점은 도 10에 도시된 것처럼, 날카로운 각을 이룰 수도 있다. 또한, 도 11에 도시된 것처럼, 일부의 굴곡점 주변에서 연장 방향과 평행한 구간을 포함할 수 있다. 즉, 도 11은 후술하는 협폭부가 소정의 구간으로 이루질 수 있음을 예시한다.In an exemplary embodiment, the curvature profile of one side S1 and the other side S2 may be generally curved as shown in Figs. 1, 8, 9 and 12. For example, an inflection point may be formed by a convex or concave curve without forming a sharp angle around the inflection point. Also, a curved line may be connected between the inflection point and the inflection point. Between the bending point and the bending point, convex and convex curves are mixed downward, and an inflection point can be defined at the boundary between them. In another embodiment, the curvature profile of one side S1 and the other side S2 may be straight, as illustrated in Figs. In this case, the inflection point may be at a sharp angle, as shown in Fig. Further, as shown in Fig. 11, it may include a section parallel to the extending direction around a part of the inflection point. That is, FIG. 11 illustrates that the narrow width portion described later can be formed into a predetermined section.

일변(S1)과 타변(S2)의 굴곡 프로파일에 의해 투명 도전 패턴(200)의 폭 또한 연장 방향을 따라 변화할 수 있다. 즉, 투명 도전 패턴(200)의 폭은 연장 방향을 따라 점점 더 넓어지다가 특정 지점(광폭부, BWP)를 기준으로 반전되어 좁아지고, 연장 방향을 따라 점점 좁하지다가 특정 지점(협폭부, NWP)를 기준으로 반전되어 다시 넓어지는 것을 반복할 수 있다. 본 명세서에서 투명 도전 패턴(200) 폭의 증가 및 감소가 변곡하는 지점을 광폭부(BWP) 및 협폭부(NWP)로 지칭된다. 광폭부(BWP)는 연장 방향을 기준으로 주변에서 가장 폭이 넓은 지점이고, 협폭부(NWP)는 주변에서 가장 폭이 가장 좁은 지점을 의미할 수 있다.The width of the transparent conductive pattern 200 can also change along the extending direction due to the curved profile of the first side S1 and the second side S2. That is, the width of the transparent conductive pattern 200 becomes gradually wider along the extending direction, becomes narrower on the basis of a specific point (wide portion, BWP), becomes narrower along the extending direction, ) Can be reversed and expanded again. In this specification, the points at which the increase and decrease of the width of the transparent conductive pattern 200 are bent are referred to as a wide portion BWP and a narrow portion NWP. The wide portion BWP may be the widest point in the periphery with respect to the extending direction, and the narrow width portion NWP may be the point with the narrowest width in the periphery.

투명 도전 패턴의 연장 방향을 따라 광폭부(BWP)와 협폭부(NWP)는 일정한 주기를 갖고 반복하여 배열될 수 있다. 광폭부(BWP)와 협폭부(NWP) 사이의 배열 간격은 동일할 수 있다.The wide portion BWP and the narrow portion NWP may be repeatedly arranged with a constant period along the extending direction of the transparent conductive pattern. The arrangement interval between the wide portion BWP and the narrow portion NWP may be the same.

도 1, 도 8 및 도 10 내지 도 12에 도시된 것처럼, 각 광폭부(BWP)의 폭(w1)은 각각 동일할 수 있고, 각 협폭부(NWP)의 폭(w2)은 동일할 수 있지만, 도 9에 도시된 것처럼 서로 다른 광폭부(BWP)의 폭이 상이하고, 서로 다른 협폭부(NWP)의 폭이 상이할 수도 있다. As shown in FIGS. 1, 8 and 10 to 12, the width w1 of each wide portion BWP may be the same, and the width w2 of each narrow portion NWP may be the same , The widths of the different wide portions BWP may be different and the widths of the different narrow portions NWP may be different as shown in Fig.

일변(S1)과 타변(S2)의 굴곡 프로파일은 도 1, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 중심선(C1)을 기준으로 실질적으로 상호 대칭일 수 있다. 도 1 및 도 10 내지 도 12의 경우 특정 지점에서 일변(S1)과 타변(S2)의 중심선(CP)까지의 거리는 상호 동일하다. The curvature profiles of the first side S1 and the second side S2 may be substantially symmetrical with respect to the center line C1 as shown in Figs. 1, 10 to 12. In the case of FIGS. 1 and 10 to 12, distances from the one side S1 to the center line CP of the other side S2 are the same at a specific point.

도 8 및 도 9는 중심선(CP)을 기준으로 일변(S1)과 타변(S2)의 굴곡 프로파일이 비대칭인 경우를 예시한다. 도 8은 일변(S1)보다 타변(S2)의 굴곡 프로파일이 상대적으로 더 급격하게 변하는 것을 예시한다. 그에 따라 광폭부(BWP)에서 일변(S1)과 중심선(CP)의 거리가 타변(S2)과 중심선(CP)의 거리보다 작거나, 협폭부(NWP)에서 일변(S1)과 중심선(CP)의 거리가 타변(S2)과 중심선(CP)의 거리보다 클 수 있다. 도 9의 실시예는 중심선(CP)을 기준으로 광폭부(BWP)/협폭부(NWP)에서 일변(S1) 및 타변(S2)까지의 거리가 광폭부(BWP)/협폭부(NWP)별로 상이할 수 있음을 예시한다. 광폭부(BWP)/협폭부(NWP)를 연결한 선은 중심선(CP)과 평행하지 않을 수 있고, 중심선(CP)과 평행한 광폭부(BWP)/협폭부(NWP)를 지나는 선에 대해 다른 광폭부(BWP)/협폭부(NWP)는 내측 또는 외측에 위치할 수 있다. 8 and 9 illustrate a case where the curvature profile of one side S1 and the other side S2 is asymmetric with respect to the center line CP. Fig. 8 illustrates that the bending profile of the second side S2 changes more sharply than the first side S1. The distance between the one side S1 and the center line CP in the wide portion BWP is smaller than the distance between the side curve S2 and the center line CP or the distance between the side S1 and the center line CP in the narrow portion NWP, May be greater than the distance between the second side S2 and the center line CP. 9, the distance from the wide portion BWP / narrow width portion NWP to one side S1 and the other side S2 is larger than the width WWP / narrow width portion NWP by the center line CP Lt; / RTI > can be different. The line connecting the wide portion BWP and the narrow portion NWP may not be parallel to the center line CP and may be parallel to the line passing through the wide portion BWP / narrow portion NWP parallel to the center line CP The other wide width portion (BWP) / narrow width portion (NWP) may be located inside or outside.

이하, 투명 전극 기판의 단면 구조에 대해 상세히 설명한다. 음각 패턴(110)은 도 2에 도시된 것처럼 외측으로부터 내측으로 갈수록 하향 경사진 경사면을 포함할 수 있다. 따라서, 음각 패턴(110)의 깊이는 외측보다 내측이 더 클 수 있다. 그에 상응하여, 투명 도전 패턴(200)의 경우에도 일변(S1) 또는 타변(S2) 부근 보다는 중심선(CP) 부근의 두께가 상대적으로 더 클 수 있다. 예시적인 실시예에서, 투명 도전 패턴(200)의 폭 방향의 단면 형상은 반원, 작은 활꼴(원을 직선으로 잘라 분리된 2개의 부분 중 작은 부분), 타원의 일부이거나, 그 바닥면이 포물선일 수 있다. 다른 실시예에서, 투명 도전 패턴(200)의 내측 부분은 두께가 일정한 구간을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폭 방향으로 자른 단면에서 적어도 중심부의 바닥면이 평탄할 수 있다. 이와 같은 단면 구조는 충분한 중심 두께를 보유하여 저항을 감소시킴과 동시에 실질적으로 시인될 수 있는 투명 전극 패턴(200)의 폭을 감소시킴으로써, 전반적인 투명 전극 패턴(200)의 시인성을 감소시키는데 기여할 수 있다. Hereinafter, the cross-sectional structure of the transparent electrode substrate will be described in detail. The engraved pattern 110 may include an inclined surface inclined downward from the outer side toward the inner side as shown in FIG. Therefore, the depth of the engraved pattern 110 may be larger on the inner side than on the outer side. Correspondingly, in the case of the transparent conductive pattern 200, the thickness in the vicinity of the center line CP may be relatively larger than in the vicinity of the one side S1 or the other side S2. In the exemplary embodiment, the cross-sectional shape of the transparent conductive pattern 200 in the width direction may be a semicircle, a small arc (a small portion of two portions separated and cut by a straight line), a part of an ellipse, . In another embodiment, the inner portion of the transparent conductive pattern 200 may include a section having a constant thickness. For example, the bottom surface of at least the central portion in the section cut in the width direction may be flat. Such a cross-sectional structure can contribute to decrease the visibility of the transparent electrode pattern 200 as a whole by reducing the width of the transparent electrode pattern 200 which can be substantially visually recognized while having a sufficient center thickness to reduce the resistance .

한편, 투명 도전 패턴(200)의 최대 두께는 투명 도전 패턴(200)의 폭과 정의 상관 관계가 있다. 즉, 광폭부(BWP)에서의 투명 도전 패턴(200) 최대 두께가 인접한 협폭부(NWP)에서의 투명 도전 패턴(200) 최대 두께보다 클 수 있다. 광폭부(BWP)에서 협폭부(NWP)로 갈수록 투명 도전 패턴(200)의 폭과 최대 두께는 작아지고, 협폭부(NWP)에서 광폭부(BWP)로 갈수록 투명 도전 패턴(200)의 폭과 최대 두께는 커질 수 있다. 다만, 반드시 투명 도전 패턴(200)의 폭의 증가율과 두께의 증가율이 동일한 것은 아니다. On the other hand, the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 has a positive correlation with the width of the transparent conductive pattern 200. That is, the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 in the wide portion BWP may be greater than the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 in the adjacent narrow portion NWP. The width and the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 decrease from the wide portion BWP to the narrow portion NWP and the width and the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 decrease from the narrow portion NWP to the wide portion BWP. The maximum thickness can be large. However, the rate of increase of the width of the transparent conductive pattern 200 is not necessarily the same as the rate of increase of the thickness.

예시적인 실시예에서, 투명 도전 패턴(200)의 폭과 최대 두께의 비율은 광폭부(BWP)에서 협폭부(NWP)로 갈수록 오히려 더 증가할 수 있다. 예를 들면, 광폭부(BWP)에서의 폭과 최대두께의 비율이 10:1이고, 협폭부(NWP)에서의 폭과 최대두께의 비율은 5:0.8일 수 있다.In the exemplary embodiment, the ratio of the width to the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 may further increase from the wide portion BWP to the narrow portion NWP. For example, the ratio of the width to the maximum thickness in the wide portion BWP may be 10: 1, and the ratio of the width to the maximum thickness in the narrow portion NWP may be 5: 0.8.

상술한 바와 같이 투명 전극 기판을 터치 패널에 적용할 경우, 광폭부(BWP) 주변은 터치 좌표에 매칭될 수 있다. 광폭부(BWP) 주변은 상대적으로 투명 도전 패턴(200)의 면적이 넓으므로, 보다 큰 정전용량을 확보할 수 있어 터치 감도가 개선될 수 있다. 또한, 협폭부(NWP)는 각 터치 좌표에서 인식된 터치 입력을 센싱부 또는 제어부로 전달하는 배선으로서의 역할을 수행할 수 있다. 투명 도전 패턴(200)의 최대 두께가 투명 도전 패턴(200)의 폭과 정의 상관 관계가 있음으로 인해, 투명 도전 패턴(200)은 광폭부(BWP) 부근에서 전기 저항값이 최소가 된다. 따라서, 터치 좌표에 매칭된 광폭부(BWP) 주변의 전기 저항값이 낮아짐으로써, 터치 감도가 개선될 수 있다. 민감한 터치 감도가 요구되는 영역에 상대적으로 많은 양의 도전 물질을 집중시키는 한편, 그 이외의 영역은 상대적으로 적은 양의 도전 물질을 충진함으로써, 도전 물질의 사용량이 감소할 수 있고, 투명도가 개선될 수 있다.As described above, when the transparent electrode substrate is applied to the touch panel, the periphery of the wide portion BWP can be matched with the touch coordinates. Since the area of the transparent portion 200 is relatively large around the wide portion BWP, a larger electrostatic capacity can be secured and the touch sensitivity can be improved. In addition, the narrow portion NWP can serve as a wiring for transmitting the touch input recognized in each touch coordinate to the sensing portion or the control portion. The electrical resistance value of the transparent conductive pattern 200 near the wide portion BWP is minimized because the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 has a positive correlation with the width of the transparent conductive pattern 200. [ Accordingly, the electric resistance value around the wide portion BWP matched with the touch coordinates is lowered, so that the touch sensitivity can be improved. A relatively large amount of conductive material is concentrated in a region requiring sensitive touch sensitivity while other regions fill a relatively small amount of conductive material so that the amount of use of the conductive material can be reduced and transparency is improved .

상기한 바와 같은 투명 전극 기판을 제조하는 예시적인 방법을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 고분자 물질과 그 내부에 분산 배치된 파장 변환 입자를 포함하는 지지층용 수지를 준비한다. 이어, 음각 패턴(110)을 포함하는 지지층(100)을 형성한다. 여기서, 지지층(100) 표면의 면적을 음각 패턴(110)의 표면 면적보다 작게 형성할 수 있다. 음각 패턴(110)을 포함하는 지지층(100)은 예를 들어, 몰드를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 소망하는 음각 패턴(110)과 실질적으로 동일한 형상의 양각 패턴을 포함하는 몰드에 지지층용 수지를 통과시키고, 경화시킴으로써 형성할 수 있다.An exemplary method of manufacturing the above-described transparent electrode substrate will be described below. First, a resin for a support layer containing a polymer material and wavelength converting particles dispersed therein is prepared. Next, the support layer 100 including the engraved pattern 110 is formed. Here, the surface area of the supporting layer 100 may be smaller than the surface area of the engraved pattern 110. The support layer 100 including the engraved pattern 110 may be formed using, for example, a mold. That is, it can be formed by passing a resin for a support layer through a mold including a relief pattern having substantially the same shape as a desired engraved pattern 110 and curing it.

이어, 음각 패턴(110) 내에 도전 물질을 충진한다. 도전 물질의 충진은 잉크젯 등의 방법으로 음각 패턴(110) 내에만 선택적으로 충진할 수도 있고, 지지층(100) 전면에 코팅한 후, 블레이드 등으로 지지층 표면 상의 도전 물질을 제거하는 방식을 충진할 수도 있다. 제거된 도전 물질은 재활용될 수 있다. Then, the conductive pattern is filled in the engraved pattern 110. The filling of the conductive material may be selectively filled only in the engraved pattern 110 by an ink jet method or may be coated on the entire surface of the supporting layer 100 and then filled with a method of removing the conductive material on the surface of the supporting layer with a blade or the like have. The removed conductive material can be recycled.

위에서 설명한 예시적인 방법에 의하면, 도전 물질의 사용량이 감소할 수 있으며, 패터닝 공정이 단순화될 수 있다.According to the exemplary method described above, the amount of use of the conductive material can be reduced, and the patterning process can be simplified.

도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도로서, 도 2 및 도 3의 단면도에 대응된다.4 and 5 are sectional views of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention, and correspond to the sectional views of FIGS. 2 and 3. FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예는 투명 도전 패턴(200)의 최대 두께가 투명 도전 패턴(200)의 폭과 부의 상관 관계에 있는 점이 도 2 및 도 3의 실시예와 상이한 점이다. 즉, 광폭부(BWP)에서의 투명 도전 패턴(200) 최대 두께가 인접한 협폭부(NWP)에서의 투명 도전 패턴(200) 최대 두께보다 작다. 광폭부(BWP)에서 협폭부(NWP)로 갈수록 투명 도전 패턴(200)의 폭과 최대 두께는 커지고, 협폭부(NWP)에서 광폭부(BWP)로 갈수록 투명 도전 패턴(200)의 폭과 최대 두께는 작아질 수 있다. 다만, 반드시 투명 도전 패턴(200)의 폭과 두께가 반비례하는 것은 아니다. 4 and 5, the present embodiment is different from the embodiment of Figs. 2 and 3 in that the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 is negatively correlated with the width of the transparent conductive pattern 200 . That is, the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 in the wide portion BWP is smaller than the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 in the adjacent narrow portion NWP. The width and the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 increase from the wide portion BWP to the narrow portion NWP and the width and the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 increase from the narrow portion NWP to the wide portion BWP. The thickness can be reduced. However, the width and thickness of the transparent conductive pattern 200 are not always in inverse proportion.

예시적인 실시예에서, 투명 도전 패턴(200)의 폭과 최대 두께의 비율은 광폭부(BWP)에서 협폭부(NWP)로 갈수록 오히려 감소할 수 있다. 예를 들면, 광폭부(BWP)에서의 폭과 최대두께의 비율이 10:1이고, 협폭부(NWP)에서의 폭과 최대두께의 비율은 5:1.4일 수 있다.In the exemplary embodiment, the ratio of the width to the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 may be rather reduced from the wide portion BWP to the narrow portion NWP. For example, the ratio of the width to the maximum thickness in the wide portion BWP may be 10: 1, and the ratio of the width to the maximum thickness in the narrow portion NWP may be 5: 1.4.

한편, 투명 도전 패턴(200)의 최대 두께가 투명 도전 패턴(200)의 폭과 부의 상관 관계가 있음으로 인해, 투명 도전 패턴(200)의 전기 전도도가 균일해질 수 있다. 구체적으로 설명하면, 도전체의 전기 전도도는 단면적의 크기에 비례한다. 그런데, 협폭부(NWP)의 경우에는 폭이 좁으므로 상대적으로 전기 전도도가 낮고 저항이 클 수 있다. On the other hand, since the maximum thickness of the transparent conductive pattern 200 has a negative correlation with the width of the transparent conductive pattern 200, the electric conductivity of the transparent conductive pattern 200 can be made uniform. Specifically, the electrical conductivity of the conductor is proportional to the size of the cross-sectional area. However, in the case of the narrow width portion (NWP), the width is narrow and the electrical conductivity is relatively low and the resistance can be large.

본 실시예의 경우, 협폭부(NWP)의 두께를 상대적으로 두껍게 하여 단면적을 넓힘으로써 저항을 낮추고 전기 전도도를 개선할 수 있다. 충분한 전기 전도도를 유지하게 위해 도전 물질의 양을 증가시키는 것도 고려될 수 있지만, 이 경우 분산성이 저해되거나 응집하는 문제가 발생할 수 있다. 본 실시예는 이와 같은 문제에 관한 우려없이, 협폭부(NWP)에서도 충분한 전기 전도도를 유지할 수 있다. In the case of the present embodiment, by increasing the thickness of the narrow portion NWP to widen the cross-sectional area, the resistance can be lowered and the electric conductivity can be improved. Increasing the amount of conductive material to maintain sufficient electrical conductivity may also be considered, but in this case dispersibility may be impaired or coagulation may occur. The present embodiment can maintain sufficient electric conductivity even in the narrow portion (NWP) without concern about such a problem.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도로서, 도 2 및 도 3의 단면도에 대응된다. 도 6 및 도 7의 실시예는 광폭부(BWP) 및 협폭부(NWP)에 무관하게 최대 두께가 균일할 수 있음을 예시한다. 6 and 7 are sectional views of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention, and correspond to the sectional views of FIGS. 2 and 3. FIG. The embodiments of Figs. 6 and 7 illustrate that the maximum thickness can be uniform regardless of the wide portion BWP and the narrow portion NWP.

이하에서 기술되는 더욱 다양한 실시예에서, 그 단면 구조로 도 2 및 도 3의 실시예를 예로 하여 설명하지만, 각각의 경우 도 4-5의 실시예 또는 도 6-7의 실시예가 실질적으로 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다. In the further various embodiments described below, its cross-sectional structure will be described by taking the embodiment of Figs. 2 and 3 as an example, but in each case the embodiment of Figs. 4-5 or the embodiment of Figs. 6-7 is substantially the same Of course, can be applied.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다. 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 음각 패턴(110) 내에서 도전 물질이 지지층(100)의 표면에까지 완전히 충진하지 않은 점이 도 2의 실시예와 상이한 점이다. 따라서 투명 도전 패턴(200)의 상면은 지지층(100)의 표면(120)보다 낮게 위치할 수 있다. 그에 따라 투명 도전 패턴(200)의 폭이 음각 패턴(110)의 폭보다 작을 수 있다. 다만, 이 경우에도 투명 도전 패턴(200)과 음각 패턴(110)의 형상은 실질적으로 유사할 수 있다.13 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention. 13, the transparent electrode substrate according to the present embodiment is different from the embodiment of FIG. 2 in that conductive material is not completely filled up to the surface of the supporting layer 100 in the engraved pattern 110. Therefore, the upper surface of the transparent conductive pattern 200 may be positioned lower than the surface 120 of the support layer 100. Accordingly, the width of the transparent conductive pattern 200 may be smaller than the width of the engraved pattern 110. In this case, however, the shapes of the transparent conductive pattern 200 and the engraved pattern 110 may be substantially similar.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다. 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 지지체(107)의 표면(127)이 평탄하지 않고 볼록면을 포함하는 점이 도 2의 실시예와 차이가 있다. 지지체(107) 표면(127)의 볼록면은 곡면일 수 있다. 예를 들어, 그 단면이 반원 형상, 작은 활꼴, 타원의 일부이거나, 볼록면의 단면 프로파일이 포물선일 수 있다. 다른 예로, 지지체(107) 표면(127)의 볼록면은 산부를 중심으로 양측으로 하향 경사진 형상을 가질 수도 있다. 이 경우, 지지체(107) 표면(127)은 다면 형상을 가지게 된다. 여기서, 산부의 내각은 약 130° 내지 160°일 수 있다. 14 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14, the transparent electrode substrate according to the present embodiment is different from the embodiment of FIG. 2 in that the surface 127 of the support 107 includes a convex surface without being flat. The convex surface of the surface 127 of the support 107 may be curved. For example, the cross section may be a semicircular shape, a small convex shape, a part of an ellipse, or a cross-sectional profile of a convex surface may be a parabola. As another example, the convex surface of the surface 127 of the support 107 may have a shape inclined downward on both sides around the hill. In this case, the surface 127 of the support 107 has a polyhedral shape. Here, the internal angle of the hill can be about 130 ° to 160 °.

투명 도전 패턴(200)의 표면은 지지체(107) 표면(127) 볼록면의 정상보다 낮게 위치한다. 또한, 투명 도전 패턴(200)의 표면은 지지체 볼록면과 음각 패턴(110)의 경계와 동일 레벨에 있거나, 더 낮게 위치할 수 있다. The surface of the transparent conductive pattern 200 is located lower than the normal of the convex surface of the surface 127 of the support 107. [ Further, the surface of the transparent conductive pattern 200 may be at the same level as the boundary between the support convex surface and the engraved pattern 110, or may be positioned lower.

본 실시예의 경우, 지지체(100)가 렌즈와 유사한 곡면을 갖거나 다면 형상을 가짐으로써, 광확산, 집광 등의 기능을 더 수행할 수 있다. 또한, 투과광의 경로가 굴절됨에 따라 투명 도전 패턴(200)의 구성 물질인 도전체에 대한 시인성이 제어될 수 있다. In the case of this embodiment, the support 100 has a curved surface similar to a lens or has a multi-sided shape, thereby further performing functions such as light diffusion and light condensation. Also, as the path of the transmitted light is refracted, the visibility of the conductor, which is a constituent material of the transparent conductive pattern 200, can be controlled.

도 15 및 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 평면도들이다. 도 15 및 도 16의 실시예는 복수의 투명 도전 패턴(200)이 배열된 모습을 예시한다. 15 and 16 are plan views of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention. The embodiments of Figs. 15 and 16 illustrate arrangements in which a plurality of transparent conductive patterns 200 are arranged.

도 15 및 도 16을 참조하면, 각 투명 도전 패턴(200)들은 실질적으로 평행하게 배열될 수 있다. 즉, 각 투명 도전 패턴(200)의 연장방향은 상호 동일할 수 있다. 각 투명 도전 패턴(200)의 형상은 실질적으로 동일할 수 있다. Referring to Figs. 15 and 16, each transparent conductive pattern 200 may be arranged substantially in parallel. That is, the extending directions of the transparent conductive patterns 200 may be the same. The shape of each transparent conductive pattern 200 may be substantially the same.

도 15는 이웃하는 투명 도전 패턴(200)의 광폭부(BWP)와 협폭부(NWP)가 각각 대응되도록 배치된 경우를 예시한다. 즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 투명 도전 패턴(200)의 연장 방향에 대해 수직인 방향을 따라, 일 도전 패턴의 광폭부(BWP)는 이웃하는 다른 도전 패턴의 광폭부(BWP)와 인접하고, 일 도전 패턴의 협폭부(NWP)는 이웃하는 다른 투명 도전 패턴(200)의 협폭부(NWP)와 인접할 수 있다. 각 광폭부(BWP)는 투명 도전 패턴(200)의 연장 방향의 열과, 투명 도전 패턴(200) 연장 방향의 수직 방향의 행을 포함하는 행렬 배열을 가질 수 있다. 이와 같은 구조에서, 각 광폭부(BWP)는 매트릭스로 배열된 터치 좌표에 대응될 수 있다.FIG. 15 illustrates a case where the wide portion BWP and the narrow portion NWP of the neighboring transparent conductive pattern 200 are arranged to correspond to each other. 15, along the direction perpendicular to the extending direction of the transparent conductive pattern 200, the wide portion BWP of one conductive pattern is adjacent to the wide portion BWP of the neighboring conductive pattern And the narrow portion NWP of the one conductive pattern may be adjacent to the narrow width portion NWP of the other transparent conductive pattern 200 adjacent thereto. Each wide portion BWP may have a matrix arrangement including a row in the extending direction of the transparent conductive pattern 200 and a row in the vertical direction of the extending direction of the transparent conductive pattern 200. In such a structure, each wide portion BWP may correspond to touch coordinates arranged in a matrix.

도 16은 이웃하는 투명 도전 패턴(200)의 광폭부(BWP)와 협폭부(NWP)가 상호 엇갈려 배열된 경우를 예시한다. 즉, 도 16에 도시된 바와 같이, 투명 도전 패턴(200)의 연장 방향에 대해 수직인 방향을 따라, 일 투명 도전 패턴(200)의 광폭부(BWP)는 이웃하는 다른 투명 도전 패턴(200)의 협폭부(NWP)와 인접하고, 일 투명 도전 패턴(200)의 협폭부(NWP)는 이웃하는 다른 투명 도전 패턴(200)의 광폭부(BWP)와 인접할 수 있다. 다른 투명 도전 패턴(200)의 광폭부(BWP)는 일 투명 도전 패턴(200)의 이웃하는 광폭부(BWP) 사이에 배치된다. 본 실시예에서, 이웃하는 투명 도전 패턴(200)의 이격 거리는 투명 도전 패턴(200)의 연장 방향을 따라 실질적으로 동일하게 유지될 수 있다. 이와 같은 배열을 갖는 실시예의 경우, 단위 면적당 더 많은 광폭부(BWP)를 배열시킬 수 있다. 따라서, 터치 좌표의 밀도가 개선될 수 있다.16 illustrates a case where the wide portion BWP and the narrow portion NWP of the neighboring transparent conductive pattern 200 are alternately arranged. 16, along the direction perpendicular to the extending direction of the transparent conductive pattern 200, the wide portion BWP of one transparent conductive pattern 200 is formed on the other transparent conductive pattern 200 adjacent thereto, And the narrow width portion NWP of one transparent conductive pattern 200 may be adjacent to the wide width portion BWP of the neighboring transparent conductive pattern 200. [ The wide portion BWP of the other transparent conductive pattern 200 is disposed between neighboring wide portions BWP of one transparent conductive pattern 200. [ In this embodiment, the spacing distance of the neighboring transparent conductive pattern 200 can be maintained substantially the same along the extending direction of the transparent conductive pattern 200. In the case of an embodiment having such an arrangement, it is possible to arrange more wide width portions (BWP) per unit area. Thus, the density of the touch coordinates can be improved.

도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.17 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 지지층(100) 하부에 기재(300)가 배치된 점이 도 13의 실시예와 상이하다. 기재(300)가 추가로 배치됨으로써, 투명 전극 기판에 적절한 강도가 부여될 수 있다.Referring to FIG. 17, the transparent electrode substrate according to the present embodiment is different from the embodiment of FIG. 13 in that the substrate 300 is disposed under the support layer 100. By further disposing the base material 300, appropriate strength can be given to the transparent electrode substrate.

기재(300)는 투명 기재일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 기재(300)는 가요성 기재일 수 있다. The substrate 300 may be a transparent substrate. In some embodiments, the substrate 300 may be a flexible substrate.

기재(300)는 유리, 석영이나 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 플라스틱 기재의 구성물질의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephtalate, PET), 폴리카보네이트(PolyCarbonate, PC), 트리아세틸셀룰로오스(Triacetyl cellulose, TAC), COP(Cyclic Olefin Polymer) 등을 들 수 있다.The substrate 300 may be made of glass, quartz, plastic, or the like. For example, examples of the constituent material of the plastic substrate include polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), triacetyl cellulose (TAC), and cyclic olefin polymer (COP) have.

다른 실시예에서, 기재(300)는 투명한 물질을 포함하여 이루어진 디스플레이 제품이나 부품일 수도 있다. In another embodiment, the substrate 300 may be a display product or component comprising a transparent material.

기재(300)와 지지층(100) 사이에는 버퍼층(350)이 개재될 수 있다. 버퍼층(350)은 1.6이상의 고굴절율 물질로 이루어질 수 있다. 바람직하게는 버퍼층(350)은 1.7이상의 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이 버퍼층(350)이 고굴절율 물질로 이루어질 경우 외광으로 인한 패턴 시인성을 보다 개선할 수 있다. A buffer layer 350 may be interposed between the substrate 300 and the support layer 100. The buffer layer 350 may be made of a material having a high refractive index of 1.6 or more. Preferably, the buffer layer 350 may comprise a material of 1.7 or more. When the buffer layer 350 is made of a high refractive index material, the pattern visibility due to external light can be further improved.

또한, 버퍼층(350)은 단층 또는 복층으로 형성될 수 있다. 복층으로 형성될 경우, 각 층은 상이한 굴절율을 가지면서 교대로 적층될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(350)은 기재(300) 일면에 TiO2와 SiO2를 교대로 적층하여 형성 할 수 있다. 버퍼층(350)은 투과율을 향상시키거나 투명 도전 패턴(200)의 패턴시인성을 개선할 뿐만 아니라, 지지층(100)과 기재(300)와의 접착력을 확보하기 위한 프라이머 기능을 수행할 수도 있다. 버퍼층(350)은 생략될 수도 있다.In addition, the buffer layer 350 may be formed as a single layer or a multi-layer. When formed as a multiple layer, each layer can be alternately stacked with different refractive indices. For example, the buffer layer 350 can be formed by alternately laminating TiO 2 and SiO 2 on one side of the substrate 300. The buffer layer 350 may perform a primer function to improve the transmittance or improve the pattern visibility of the transparent conductive pattern 200 as well as to secure the adhesive strength between the support layer 100 and the substrate 300. The buffer layer 350 may be omitted.

도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.18 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.

도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 투명 도전 패턴(200)과 지지층(100) 상부에 접착층(400)을 개재하여 윈도우(500)가 배치된 점이 도 17의 실시예와 상이하다.18, the transparent electrode substrate according to the present embodiment differs from the embodiment of FIG. 17 in that a window 500 is disposed on the transparent conductive pattern 200 and the support layer 100 with the adhesive layer 400 interposed therebetween. Do.

접착층(400)은 투명 도전 패턴(200) 및 지지층(100) 상부에 직접 적층될 수 있다. 투명 도전 패턴(200)의 표면과 지지층(100)의 표면이 평탄하지 않을 경우, 예를 들어 도 13의 경우처럼 투명 도전 패턴(200)의 표면이 지지층(100)의 표면보다 낮게 위치한 경우, 접착층(400)은 지지층(100)의 표면과 투명 도전 패턴(200)의 표면 사이의 공간을 완전히 매립할 수 있다. 접착층(400)은 공기층을 생성하지 않고, 투명 도전 패턴(200)의 표면에 직접 밀착할 수 있다. 이 경우, 투명 도전 패턴(200)은 지지층(100)의 음각 패턴(110)과 접착층(400)에 의해 완전히 둘러싸여 밀폐될 수 있다. 따라서, 투명 도전 패턴(200) 측으로 습기나 이온 등의 침입이 차단되거나 최소화될 수 있다. 접착층(400)은 투명 도전 패턴(200) 상에 직접 코팅될 수 있다. 그에 따라 투명 도전 기판의 박형화가 가능하다. The adhesive layer 400 may be directly laminated on the transparent conductive pattern 200 and the support layer 100. When the surface of the transparent conductive pattern 200 and the surface of the supporting layer 100 are not flat and the surface of the transparent conductive pattern 200 is positioned lower than the surface of the supporting layer 100 as in the case of Fig. 13, (400) can completely fill the space between the surface of the support layer (100) and the surface of the transparent conductive pattern (200). The adhesive layer 400 can directly adhere to the surface of the transparent conductive pattern 200 without producing an air layer. In this case, the transparent conductive pattern 200 can be completely enclosed and sealed by the engraved pattern 110 of the support layer 100 and the adhesive layer 400. Therefore, penetration of moisture, ions, and the like into the transparent conductive pattern 200 side can be blocked or minimized. The adhesive layer 400 may be coated directly on the transparent conductive pattern 200. Thereby making it possible to reduce the thickness of the transparent conductive substrate.

접착층(400)은 투명 접착층이 적용될 수 있다. 또한, 접착층(400)은 굴절율이 1.4 이하인 저굴절율 물질로 이루어질 수 있다. 상기와 같은 범위에서 외광에 의한 투명 도전 패턴(200)의 패턴 시인성이 개선될 수 있다. The adhesive layer 400 may be a transparent adhesive layer. Further, the adhesive layer 400 may be made of a low refractive index material having a refractive index of 1.4 or less. The pattern visibility of the transparent conductive pattern 200 due to external light in the above range can be improved.

접착층(400)은 예를 들어, 폴리우레탄, 폴리아크릴릭(polyacrylic), 실리콘, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리실란(polysilane), 폴리에스테르, 폴리염화비닐(polyvinyl chloride), 폴리스틸렌(polystyrene), 폴리올레핀(polyolefin), 불소중합체(fluoropolymer), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리노보넨(polynorbornene), 아크릴로나이트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer), 또는 공중합체들(copolymers) 또는 그들의 혼합물들(blends)중 적어도 하나의 조성물을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 접착층(400)은 상호 연결된 복수의 나노 공극과 바인더를 포함하는 접착 조성물로 이루어질 수 있다. 이 때, 상기 접착 조성물 중 복수의 상호 연결된 나노공극의 부피 비율은 5%이상 일 수 있다. The adhesive layer 400 may be formed of, for example, polyurethane, polyacrylic, silicone, polyacrylate, polysilane, polyester, polyvinyl chloride, polystyrene, but are not limited to, polyolefin, fluoropolymer, polyamide, polyimide, polynorbornene, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, At least one composition of copolymers or blends thereof may be included. In addition, the adhesive layer 400 may be composed of an adhesive composition comprising a plurality of interconnected nanopoles and a binder. At this time, the volume ratio of the plurality of interconnected nanopores in the adhesive composition may be 5% or more.

접착층(400) 상부에는 윈도우(500)가 장착되어 고정될 수 있다. 윈도우(500)는 투명한 유리, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 윈도우(500)는 생략될 수도 있다.A window 500 may be mounted on and fixed to the top of the adhesive layer 400. The window 500 may be made of transparent glass, plastic, or the like. The window 500 may be omitted.

도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다. 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 레이아웃도이다. 도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 기재(300)의 상부에 형성된 제1 지지층(101) 및 기재(300)의 하부에 형성된 제2 지지층(102)을 포함한다. 제1 지지층(101)과 제2 지지층(102) 중 적어도 하나의 내부에는 파장 변환 입자(150)가 배치된다.19 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention. 20 is a layout view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention. 19 and 20, the transparent electrode substrate according to the present embodiment includes a first support layer 101 formed on an upper portion of a substrate 300 and a second support layer 102 formed on a lower portion of the substrate 300 . The wavelength conversion particles 150 are disposed in at least one of the first support layer 101 and the second support layer 102.

제1 지지층(101)에는 제1 음각 패턴(111)이 형성되고, 제1 음각 패턴(111)에는 제1 투명 도전 패턴(210)이 충진되며, 제1 투명 도전 패턴(210)의 상부에는 제1 접착층(410)이 형성된다. 기재(300) 상부의 제1 지지층(101), 제1 음각 패턴(111), 제1 투명 도전 패턴(210) 및 제1 접착층(410)의 형상, 배치, 구성 물질 등은 도 13의 지지층, 음각 패턴, 투명 도전 패턴 및 접착층과 실질적으로 동일하다. A first engraved pattern 111 is formed on the first supporting layer 101 and a first transparent conductive pattern 210 is filled on the first engraved pattern 111. A first transparent conductive pattern 210 is formed on the first transparent conductive pattern 210, 1 adhesion layer 410 is formed. The shape, arrangement, and constituent materials of the first support layer 101, the first intaglio pattern 111, the first transparent conductive pattern 210, and the first adhesive layer 410 on the substrate 300 are the same as those of the support layer, The engraved pattern, the transparent conductive pattern and the adhesive layer.

제2 지지층(102)에는 제2 음각 패턴(112)이 형성되고, 제2 음각 패턴(112)에는 제2 투명 도전 패턴(220)이 충진되며, 제2 투명 도전 패턴(220)의 하부에는 제2 접착층(420)이 형성된다. 기재(300) 하부의 제2 지지층(102), 제2 음각 패턴(112), 제2 투명 도전 패턴(220) 및 제2 접착층(420)의 형상, 배치, 구성 물질 등은 도 13의 지지층, 음각 패턴, 투명 도전 패턴 및 접착층과 실질적으로 동일하다. A second indentation pattern 112 is formed on the second support layer 102 and a second transparent conductive pattern 220 is embedded on the second intaglio pattern 112. A second transparent conductive pattern 220 is formed on the second transparent conductive pattern 220, 2 adhesion layer 420 is formed. The shape, arrangement, and constituent materials of the second supporting layer 102, the second engraved pattern 112, the second transparent conductive pattern 220, and the second adhesive layer 420 under the substrate 300 are the same as the supporting layer, The engraved pattern, the transparent conductive pattern and the adhesive layer.

제1 음각 패턴(111)과 제2 음각 패턴(112)의 음각 방향은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 음각 패턴(111)의 음각 방향은 하측이고, 제2 음각 패턴(112)의 음각 방향은 상측일 수 있다.The engraved directions of the first engraved patterns 111 and the second engraved patterns 112 may be different from each other. For example, the engraved direction of the first engraved pattern 111 may be lower and the engraved direction of the second engraved pattern 112 may be upper.

설명의 편의상 도 19의 실시예는 기재(300)를 기준으로 상하부가 완전히 대칭인 경우를 예시한다. 다만, 제1 투명 도전 패턴(210)과 제2 투명 도전 패턴(220)은 그 연장 방향이 서로 상이할 수도 있다. 예를 들어, 도 20에 도시된 바와 같이 제1 투명 도전 패턴(210)과 제2 투명 도전 패턴(220)의 연장 방향은 직교할 수 있다. 그 결과, 제1 투명 도전 패턴(210)과 제2 투명 도전 패턴(220)은 기재(300)와 제1 지지층(101) 및 제2 지지층(102)에 의해 상호 절연되면서, 레이아웃상 상호 교차하게 되며, 이로써 매트릭스 형상의 터치 좌표를 구현할 수 있게 된다.For convenience of description, the embodiment of FIG. 19 exemplifies a case where the upper and lower portions are completely symmetrical with respect to the base material 300. However, the first transparent conductive pattern 210 and the second transparent conductive pattern 220 may have different extending directions. For example, as shown in FIG. 20, the extending directions of the first transparent conductive pattern 210 and the second transparent conductive pattern 220 may be orthogonal. As a result, the first transparent conductive pattern 210 and the second transparent conductive pattern 220 are insulated from each other by the substrate 300 and the first support layer 101 and the second support layer 102, Thus, the touch coordinates of the matrix shape can be realized.

도면으로 도시하지는 않았지만, 도 17의 실시예와 유사하게 기재(300)와 제1 지지층(101) 사이에 제1 버퍼층이 개재되고, 기재(300)와 제2 지지층(102) 사이에 제2 버퍼층이 개재될 수도 있다.A first buffer layer is interposed between the substrate 300 and the first support layer 101 and a second buffer layer is interposed between the substrate 300 and the second support layer 102, May be intervening.

도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다. 도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 제1 기재(301) 상에 형성되고, 제1 음각 패턴(113)을 포함하는 제1 지지층(103), 제1 음각 패턴(113) 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴(221), 제1 지지층(103) 및 제1 투명 도전 패턴(221) 상에 형성된 접착층(400), 접착층(400) 상에 배치되고 제2 음각 패턴(114)을 포함하는 제2 지지층(104), 제2 음각 패턴(114) 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴(222) 및 제2 지지층(104) 상에 배치된 제2 기재(302)를 포함한다. 제1 지지층(103)과 제2 지지층(104) 중 적어도 하나의 내부에는 파장 변환 입자(150)가 배치된다. 제1 기재(301)와 제2 기재(302)는 도 13의 기재와 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예로 제1 기재(301)와 제2 기재(302)가 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 제1 기재(301)가 PET로 이루어지고, 제2 기재(302)가 PC(PolyCarbonate)로 이루어지거나, 그 반대로 적용될 수 있다.21 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention. 21, a transparent electrode substrate according to an embodiment of the present invention is formed on a first substrate 301 and includes a first support layer 103 including a first intaglio pattern 113, a first intaglio pattern 113, An adhesive layer 400 formed on the first transparent conductive pattern 221 and the first support layer 103 and the first transparent conductive pattern 221 filled in the adhesive layer 400 and a second engraved pattern 114 disposed on the adhesive layer 400, A second transparent conductive pattern 222 filled in the second intaglio pattern 114 and a second substrate 302 disposed on the second support layer 104. The second support layer 104 includes a second support layer 104, The wavelength conversion particles 150 are disposed in at least one of the first support layer 103 and the second support layer 104. The first substrate 301 and the second substrate 302 may be substantially the same as the substrate of Fig. As another example, the first base material 301 and the second base material 302 may be made of different materials. For example, the first base material 301 may be made of PET and the second base material 302 may be made of PC (polycarbonate), or vice versa.

제1 음각 패턴(113)과 제2 음각 패턴(114)의 음각 방향은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 음각 패턴(113)의 음각 방향은 하측이고, 제2 음각 패턴(114)의 음각 방향은 상측일 수 있다. 제2 음각 패턴(114)은 제2 지지층(104)의 하면에 형성될 수 있다. 제2 음각 패턴(114)에 충진된 제2 투명 도전 패턴(222)은 접착층(400)에 접할 수 있다.The engraved directions of the first engraved pattern 113 and the second engraved pattern 114 may be different from each other. For example, the engraved direction of the first engraved pattern 113 may be lower and the engraved direction of the second engraved pattern 114 may be upper. The second engraved pattern 114 may be formed on the lower surface of the second support layer 104. The second transparent conductive pattern 222 filled in the second engraved pattern 114 can be in contact with the adhesive layer 400.

본 실시예의 경우, 접착층(400)을 기준으로 제1 투명 도전 패턴(221)과 제2 투명 도전 패턴(222), 제1 지지층(103)과 제2 지지층(104), 제1 기재(301)와 제2 기재(302)가 각각 대칭으로 배치된다. 제1 투명 도전 패턴(221)과 제2 투명 도전 패턴(222)은 접착층(400)에 의해 상호 절연될 수 있다. 또한, 도 20에 도시된 것처럼, 제1 투명 도전 패턴(221)과 제2 투명 도전 패턴(222)이, 레이아웃상 상호 교차할 수 있다. 이와 같은 구조는 매트릭스 형상의 터치 좌표 구현에 유리할 수 있다.In this embodiment, the first transparent conductive pattern 221 and the second transparent conductive pattern 222, the first support layer 103 and the second support layer 104, and the first substrate 301 are formed on the basis of the adhesive layer 400, And the second substrate 302 are symmetrically arranged. The first transparent conductive pattern 221 and the second transparent conductive pattern 222 may be insulated from each other by the adhesive layer 400. Further, as shown in Fig. 20, the first transparent conductive pattern 221 and the second transparent conductive pattern 222 may cross each other in a layout. Such a structure can be advantageous for realizing the touch coordinates of the matrix shape.

도면으로 도시하지는 않았지만, 도 17의 실시예와 유사하게 기재와 제1 지지층(103) 사이에 제1 버퍼층이 개재되고, 기재와 제2 지지층(104) 사이에 제2 버퍼층이 개재될 수도 있다.Although not shown in the drawing, a first buffer layer may be interposed between the substrate and the first support layer 103, and a second buffer layer may be interposed between the substrate and the second support layer 104, similar to the embodiment of Fig.

도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 단면도이다.22 is a cross-sectional view of a transparent electrode substrate according to another embodiment of the present invention.

도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 전극 기판은 기재(300), 기재(300) 상에 형성되고, 제1 음각 패턴(115)을 포함하는 제1 지지층(105), 제1 음각 패턴(115) 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴(223), 제1 지지층(105) 및 제1 투명 도전 패턴(115) 상에 형성되고 제2 음각 패턴(116)을 포함하는 제2 지지층(106), 제2 음각 패턴(116) 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴(222), 및 제2 투명 도전 패턴(222)을 덮는 접착층(400)을 포함한다. 제1 지지층(105) 및 제2 지지층(106) 중 적어도 하나의 내부에는 파장 변환 입자(150)가 배치된다.22, the transparent electrode substrate according to the present embodiment includes a substrate 300, a first support layer 105 formed on the substrate 300 and including a first intaglio pattern 115, A first supporting layer 105 and a second supporting layer 106 formed on the first transparent conductive pattern 115 and including a second engraved pattern 116, A second transparent conductive pattern 222 filled in the second intaglio pattern 116, and an adhesive layer 400 covering the second transparent conductive pattern 222. The wavelength conversion particles 150 are disposed in at least one of the first support layer 105 and the second support layer 106.

제1 음각 패턴(115)과 제2 음각 패턴(116)의 음각 방향은 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 음각 패턴(115)의 음각 방향과 제2 음각 패턴(116)의 음각 방향은 모두 하측일 수 있다. 제2 음각 패턴(116)은 제2 지지층(106)의 상면에 형성될 수 있다. The engraved directions of the first engraved pattern 115 and the second engraved pattern 116 may be the same. For example, the engraved direction of the first engraved pattern 115 and the engraved direction of the second engraved pattern 116 may both be downward. The second engraved pattern 116 may be formed on the upper surface of the second support layer 106.

제1 투명 도전 패턴(223)과 제2 투명 도전 패턴(224)은 제2 지지층(106)에 의해 상호 절연될 수 있다. 또한, 도 20에 도시된 것처럼, 제1 투명 도전 패턴(223)과 제2 투명 도전 패턴(224)이, 레이아웃상 상호 교차할 수 있다. 이와 같은 구조는 매트릭스 형상의 터치 좌표 구현에 유리할 수 있다.The first transparent conductive pattern 223 and the second transparent conductive pattern 224 can be insulated from each other by the second support layer 106. [ Further, as shown in Fig. 20, the first transparent conductive pattern 223 and the second transparent conductive pattern 224 may cross each other in a layout. Such a structure can be advantageous for realizing the touch coordinates of the matrix shape.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 투명 전극 기판은 디스플레이 장치의 터치 패널로 사용될 수 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치의 발광 전면부 상에 배치되어 터치 입력을 제공하는 역할을 수행할 수 있다. 또, 몇몇 실시예의 경우, 디스플레이 장치 내부에 투명 전극 기판이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치의 봉지막 또는 봉지 기판 상에 도 2에 도시된 투명 전극 기판이 형성되고, 그 위에 편광층, 접착층 및 윈도우가 순차 적층될 수 있다.The transparent electrode substrate according to the embodiments of the present invention described above can be used as a touch panel of a display device. For example, it may be disposed on a light emitting front surface of a liquid crystal display or an organic light emitting display to provide a touch input. Further, in some embodiments, a transparent electrode substrate may be disposed inside the display device. For example, a transparent electrode substrate shown in FIG. 2 is formed on a sealing film or an encapsulating substrate of an organic light emitting display, and a polarizing layer, an adhesive layer, and a window may be sequentially stacked thereon.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100: 지지층
150: 파장 변환 입자
200: 투명 도전 패턴
300: 기재
400: 접착층100: Support layer
150: Wavelength conversion particle
200: transparent conductive pattern
300: substrate
400: adhesive layer

Claims (16)

음각 패턴을 포함하는 지지층;
상기 지지층에 배치된 파장 변환 입자; 및
상기 지지층의 상기 음각 패턴에 충진된 투명 도전 패턴을 포함하는 투명 전극 기판.A support layer including a relief pattern;
Wavelength conversion particles disposed on the support layer; And
And a transparent conductive pattern filled in the engraved pattern of the supporting layer. 제1 항에 있어서,
상기 파장 변환 입자는 형광 물질, 인광 물질, 또는 염료 물질인 투명 전극 기판.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion particle is a fluorescent material, a phosphorescent material, or a dye material. 제1 항에 있어서,
상기 파장 변환 입자는 코어쉘 구조를 갖는 양자점 입자인 투명 전극 기판.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion particle is a quantum dot particle having a core shell structure. 제1 항에 있어서,
상기 파장 변환 입자는 투명 비드의 표면에 부착되어 배치되는 투명 전극 기판.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength converting particles are attached to the surface of the transparent bead. 제1 항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴은 일 방향으로 연장되고,
상기 투명 도전 패턴은 폭이 넓은 부분 및 폭이 좁은 부분을 포함하며,
상기 폭이 넓은 부분에서의 상기 투명 도전 패턴의 두께는 상기 폭이 좁은 부분에서의 상기 투명 도전 패턴의 두께보다 큰 투명 전극 기판. The method according to claim 1,
Wherein the transparent conductive pattern extends in one direction,
The transparent conductive pattern includes a wide portion and a narrow portion,
Wherein a thickness of the transparent conductive pattern in the wide portion is larger than a thickness of the transparent conductive pattern in the narrow portion. 제1 항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴은 일 방향으로 연장되고,
상기 투명 도전 패턴은 폭이 넓은 부분 및 폭이 좁은 부분을 포함하며,
상기 폭이 넓은 부분에서의 상기 투명 도전 패턴의 두께는 상기 폭이 좁은 부분에서의 상기 투명 도전 패턴의 두께보다 작은 투명 전극 기판. The method according to claim 1,
Wherein the transparent conductive pattern extends in one direction,
The transparent conductive pattern includes a wide portion and a narrow portion,
Wherein a thickness of the transparent conductive pattern in the wide portion is smaller than a thickness of the transparent conductive pattern in the narrow portion. 제1 항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴의 표면과 상기 지지층의 표면보다 낮게 위치하는 투명 전극 기판. The method according to claim 1,
Wherein the transparent conductive substrate is positioned lower than the surface of the transparent conductive pattern and the surface of the support layer. 제7 항에 있어서,
상기 지지층의 표면은 볼록면을 포함하는 투명 전극 기판. 8. The method of claim 7,
Wherein the surface of the support layer comprises a convex surface. 제1 항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴 및 상기 지지층 상부에 형성된 접착층을 더 포함하는 투명 전극 기판. The method according to claim 1,
Further comprising a transparent conductive pattern and an adhesive layer formed on the support layer. 제9 항에 있어서,
상기 접착층 상부에 배치된 윈도우를 더 포함하는 투명 전극 기판. 10. The method of claim 9,
And a window disposed on the adhesive layer. 제1 항 내지 제10 항에 있어서,
상기 접착층 상부에 배치된 윈도우를 더 포함하는 투명 전극 기판.
상기 지지층의 표면 면적은 상기 투명 도전 패턴의 표면 면적보다 작은 투명 전극 기판.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
And a window disposed on the adhesive layer.
Wherein a surface area of the support layer is smaller than a surface area of the transparent conductive pattern. 기재;
상기 기재의 상부에 형성되고 제1 음각 패턴을 포함하는 제1 지지층;
상기 제1 지지층의 상기 제1 음각 패턴 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴;
상기 기재의 하부에 형성되고 제2 음각 패턴을 포함하는 제2 지지층;
상기 제2 지지층의 상기 제2 음각 패턴 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴; 및
상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층 중 적어도 하나의 내부에 배치된 파장 변환 입자를 포함하는 투명 전극 기판. materials;
A first support layer formed on the substrate and including a first intaglio pattern;
A first transparent conductive pattern filled in the first intaglio pattern of the first support layer;
A second support layer formed on a lower portion of the substrate and including a second intaglio pattern;
A second transparent conductive pattern filled in the second intaglio pattern of the second support layer; And
And at least one of the first support layer and the second support layer. 제1 기재;
상기 제1 기재 상에 형성되고 제1 음각 패턴을 포함하는 제1 지지층;
상기 제1 지지층의 상기 제1 음각 패턴 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴;
상기 제1 지지층 및 상기 제1 투명 도전 패턴 상에 형성된 접착층;
상기 접착층 상에 배치되고, 하면에 형성된 제2 음각 패턴을 포함하는 제2 지지층;
상기 제2 지지층의 상기 제2 음각 패턴 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴; 및
상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층 중 적어도 하나의 내부에 배치된 파장 변환 입자를 포함하는 투명 전극 기판. A first substrate;
A first support layer formed on the first substrate and including a first intaglio pattern;
A first transparent conductive pattern filled in the first intaglio pattern of the first support layer;
An adhesive layer formed on the first support layer and the first transparent conductive pattern;
A second supporting layer disposed on the adhesive layer and including a second engraved pattern formed on a lower surface thereof;
A second transparent conductive pattern filled in the second intaglio pattern of the second support layer; And
And at least one of the first support layer and the second support layer. 기재;
상기 기재의 상부에 형성되고 제1 음각 패턴을 포함하는 제1 지지층;
상기 제1 지지층의 상기 제1 음각 패턴 내에 충진된 제1 투명 도전 패턴;
상기 제1 지지층 및 상기 제1 투명 도전 패턴 상에 형성되며, 제2 음각 패턴을 포함하는 제2 지지층;
상기 제2 지지층의 상기 제2 음각 패턴 내에 충진된 제2 투명 도전 패턴; 및
상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층 중 적어도 하나의 내부에 배치된 파장 변환 입자를 포함하는 투명 전극 기판. materials;
A first support layer formed on the substrate and including a first intaglio pattern;
A first transparent conductive pattern filled in the first intaglio pattern of the first support layer;
A second support layer formed on the first support layer and the first transparent conductive pattern, the second support layer including a second intaglio pattern;
A second transparent conductive pattern filled in the second intaglio pattern of the second support layer; And
And at least one of the first support layer and the second support layer. 제12 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 지지층의 표면 면적은 상기 제1 투명 도전 패턴의 표면 면적보다 작고,
상기 제2 지지층의 표면 면적은 상기 제2 투명 도전 패턴의 표면 면적보다 작은 투명 전극 기판.15. The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein a surface area of the first supporting layer is smaller than a surface area of the first transparent conductive pattern,
Wherein a surface area of the second support layer is smaller than a surface area of the second transparent conductive pattern. 음각 패턴을 포함하고, 내부에 파장 변환 입자가 배치된 지지층을 형성하는 단계; 및
상기 지지층의 상기 음각 패턴 내에 도전 물질을 충진시키는 단계를 포함하는 투명 전극 기판의 제조 방법.
Forming a support layer including an engraved pattern and having a wavelength conversion particle disposed therein; And
And filling a conductive material in the intaglio pattern of the support layer.
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