KR20150102467A - Photosensitive polyimide resin, composition including the same and method for forming polymer membrane using the same - Google Patents

Photosensitive polyimide resin, composition including the same and method for forming polymer membrane using the same Download PDF

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Abstract

Disclosed are a photosensitive polyimide resin which can easily form a pattern having a high resolution by using a chemically amplified positive-type photosensitive polyimide resin, a composition including the same, and a method for forming a polymer membrane by using the same. The photosensitive polyimide resin includes a recurring unit represented by Chemical Formula 1. In Chemical Formula 1, X and R are the same or different from each other, wherein X is an organic group including an aromatic ring compound, and R is an organic group including or non-including an aromatic ring compound, or an inorganic group non-including an aromatic ring compound. Y is a leaving group coupled with an oxygen atom of a hydroxy group included in X or R and capable of being separated by oxygen, which is a C1 to 20 hydrocarbon group including 1 to 10 oxygen atoms. a, b, c, and d are the number of Y, wherein each of the a, b, c, and d are integers of 0 to 4, and the sum of the a, b, c, and d is 1 or greater.

Description

감광성 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법{Photosensitive polyimide resin, composition including the same and method for forming polymer membrane using the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photosensitive polyimide resin, a composition containing the same, and a method for forming a polymer membrane using the same.

본 발명은 감광성 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 화학증폭 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지를 이용하여, 높은 해상도를 가지는 패턴의 형성을 용이하게 할 수 있는 감광성 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a photosensitive polyimide resin, a composition containing the photosensitive polyimide resin, and a method of forming a polymer film using the same. More particularly, the present invention relates to a photosensitive polyimide resin which facilitates the formation of a pattern having a high resolution A composition containing the same, and a method of forming a polymer membrane using the same.

폴리이미드나 폴리벤족사졸로 대표되는 수지는, 우수한 내열성 및 전기 절연성을 가지는 것으로서, 반도체 소자의 표면 보호막, 층간 절연막 및 유기전계 발광소자의 절연층 등에 이용되고 있다. 최근, 반도체 및 디스플레이 소자의 회로 패턴이 미세화됨에 따라, 표면 보호막이나 층간 절연막 등에도 수 ㎛의 높은 해상도가 요구되고 있으며, 이에 따라, 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지를 이용한 조성물이나, 포지티브형 감광성 폴리벤족사졸 수지를 이용한 조성물이 많이 이용되고 있다.
Resins typified by polyimide or polybenzoxazole have excellent heat resistance and electrical insulation and are used for a surface protective film of semiconductor devices, an interlayer insulating film, and an insulating layer of an organic electroluminescent device. In recent years, as circuit patterns of semiconductors and display devices have become finer, a high resolution of several mu m is required for a surface protective film, an interlayer insulating film, and the like. Accordingly, a composition using a positive photosensitive polyimide resin, A composition using a cazole resin is widely used.

종래의 층간 절연막은, 가공성을 높이기 위해, 폴리이미드 전구체인 폴리 아믹산(polyamic acid, PAA)이나 폴리벤족사졸의 전구체인 폴리 히드록실 아미드(polyhydroxyl amide, PHA) 등을 실리콘 웨이퍼 등의 기제에 스핀 도포하여 필름을 형성하고, 이어서, 노광 및 현상을 거쳐 패턴을 형성한 후, 약 300 ℃ 이상의 고온에서 일정 시간 동안 경화시키게 된다. 하지만, 최근에는 반도체의 생산성 향상을 위해, 승온 시간의 단축을 목적으로 하며, 특히, 고집적의 반도체 생산에 따른 칩의 경박화에 의해, 실장 재료들의 낮은 경화 온도가 요구되고 있다.
In the conventional interlayer insulating film, polyamic acid (PAA) as a polyimide precursor or polyhydroxyl amide (PHA) as a precursor of polybenzoxazole is spin-coated on a base such as a silicon wafer in order to improve workability A film is formed, followed by exposure and development to form a pattern, followed by curing at a high temperature of about 300 DEG C or higher for a certain period of time. However, in recent years, in order to improve the productivity of semiconductors, the aim is to shorten the temperature rise time, and in particular, a low curing temperature of the mounting materials is required due to the miniaturization of chips due to the highly integrated semiconductor production.

종래의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 사용된 감광제로는 나프토퀴논 디아지드설폰산 에스테르 화합물 등이 있으며, 알칼리 가용성 수지와 페놀의 나프토퀴논 디아지드설폰산 에스테르 화합물을 포함한 조성물, 노볼락 수지 등의 내열성 수지 전구체, 퀴논디아지드 화합물, 알콕시 메틸기를 포함한 화합물 및 용제를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 등이 새롭게 제안되고 있으나, 높은 해상도를 가지는 조성물로 사용하기에는 한계가 있다.
Examples of the photosensitizer used in the conventional positive photosensitive resin composition include a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound and the like, a composition containing an alkaline soluble resin and a phenol naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound, A positive type photosensitive resin composition containing a heat resistant resin precursor, a quinone diazide compound, a compound containing an alkoxymethyl group, and a solvent has been newly proposed, but there is a limit to use as a composition having a high resolution.

따라서, 본 발명의 목적은, 반도체 제조 시, 경화 공정의 시간을 단축할 뿐만 아니라, 낮은 온도에서의 경화가 가능한, 감광성 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a photosensitive polyimide resin, a composition containing the same, and a method of forming a polymer film using the photosensitive polyimide resin, which can not only shorten the time of the curing process during semiconductor manufacturing but also can be cured at low temperatures.

본 발명의 다른 목적은, 리쏘그라피 공정의 해상력(resolution)을 향상시킬 수 있는, 감광성 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a photosensitive polyimide resin, a composition containing the same, and a method of forming a polymer film using the same, which can improve the resolution of the lithography process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a photosensitive polyimide resin comprising a repeating unit represented by the following general formula (1).

[화학식 1]  [Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기이고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기이고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소(O) 원자에 결합하여, 산(acid)에 의해 분리될 수 있는 이탈기로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다.
Wherein X and R are the same or different, X is an organic group containing an aromatic ring compound, R is an organic group containing no aromatic ring compound or an aromatic group containing no aromatic ring compound , Y is a leaving group which is bonded to an oxygen (O) atom of a hydroxyl group contained in X or R and can be separated by an acid, and is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and containing 1 to 10 oxygen atoms A, b, c, and d are the numbers of Y, and each is an integer of 0 to 4. The sum of a, b, c, and d is 1 or more.

또한, 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지, 바인더 수지, 광산발생제 및 나머지 용매를 포함하는 조성물을 제공한다.Further, the present invention provides a composition comprising a photosensitive polyimide resin, a binder resin, a photoacid generator, and the remaining solvent, which contains a repeating unit represented by the following formula (1).

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기이고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기이고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여, 산에 의해 분리될 수 있는 이탈기로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다.
Wherein X and R are the same or different, X is an organic group containing an aromatic ring compound, R is an organic group containing no aromatic ring compound or an aromatic group containing no aromatic ring compound , Y is a leaving group which can be bonded to the oxygen atom of the hydroxy group contained in X or R and can be separated by an acid, is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and containing 1 to 10 oxygen atoms, and a, b, c and d are the numbers of Y, and each is an integer of 0 to 4, and the sum of a, b, c and d is 1 or more.

또한, 본 발명은, 반도체 기판 상에 상기 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 막을 형성하는 단계; 상기 막을 노광 마스크 및 노광기로 노광하는 단계; 현상액으로 현상하여 패턴을 형성하는 단계; 및 용매의 제거를 위한 경화 단계를 포함하며, 상기 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지, 바인더 수지, 광산발생제 및 나머지 용매를 포함하는 것인 고분자막 형성방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a film by applying a composition containing the photosensitive polyimide resin on a semiconductor substrate; Exposing the film with an exposure mask and an exposure machine; Developing with a developer to form a pattern; And a curing step for removing the solvent, wherein the composition comprising the photosensitive polyimide resin comprises a photosensitive polyimide resin comprising a repeating unit represented by the following formula (1), a binder resin, a photoacid generator, and the remaining solvent A polymer film forming method is provided.

[화학식 1]  [Chemical Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기이고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기이고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여, 산에 의해 분리될 수 있는 이탈기로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다.
Wherein X and R are the same or different, X is an organic group containing an aromatic ring compound, R is an organic group containing no aromatic ring compound or an aromatic group containing no aromatic ring compound , Y is a leaving group which can be bonded to the oxygen atom of the hydroxy group contained in X or R and can be separated by an acid, is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and containing 1 to 10 oxygen atoms, and a, b, c and d are the numbers of Y, and each is an integer of 0 to 4, and the sum of a, b, c and d is 1 or more.

본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법은, 상기 감광성 폴리이미드 수지가 제조될 시, 화학적 사전 이미드 고리화(chemical preimidization) 반응이 완결되기 때문에, 고온 경화가 필요하지 않고, 단지, 용매의 제거만을 위한 200 ℃ 이하의 저온 경화가 가능해진다. 또한, 광산발생제에 의해 발생되는 산(acid)에 의해 쉽게 분리되는 이탈기를 도입함으로써, 리쏘그라피 공정의 해상력을 향상시킬 수 있다.
The photosensitive polyimide resin, the composition including the same, and the polymer film forming method using the photosensitive polyimide resin according to the present invention are characterized in that since the chemical preimidization reaction is completed when the photosensitive polyimide resin is produced, And it is possible to perform low-temperature curing at 200 DEG C or lower only for removing the solvent. Further, by introducing a leaving group which is easily separated by an acid generated by the photoacid generator, the resolving power of the lithographic process can be improved.

이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한다.The photosensitive polyimide resin according to the present invention comprises a repeating unit represented by the following general formula (1).

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기, 바람직하게는 탄소수 6 내지 40, 더욱 바람직하게는 탄소수 6 내지 35의 방향족 탄화수소기이고, 필요에 따라, 황(S), 산소(O) 및 불소(F) 등의 헤테로 원자 1 내지 20개를 포함할 수 있는 것으로서, 예를 들면, 히드록시기(-OH), 카보닐기, 아민기, SO2 또는 CF3 등을 포함할 수 있고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기, 바람직하게는 탄소수 6 내지 40, 더욱 바람직하게는 탄소수 6 내지 35의 선형, 가지형 및/또는 방향족 탄화수소기이고, 필요에 따라, 황, 산소 및 불소 등의 헤테로 원자를 1 내지 20개를 포함할 수 있는 것으로서, 예를 들면, 히드록시기, 카보닐기, 아민기, SO2 또는 CF3 등을 포함할 수 있고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기(-OH)의 산소(O) 원자에 결합하여, 산(acid)에 의해 분리될 수 있는 이탈기(acid labile group)로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기, 바람직하게는 산소 원자 1 내지 5개를 포함하는 탄소수 1 내지 12의 에테르기를 포함하는 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다. 한편, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지의 중량평균 분자량(Mw)은, 1,000 내지 200,000, 바람직하게는 3,000 내지 20,000, 더욱 바람직하게는 5,000 내지 10,000이다.
In the above formula (1), X and R are the same or different, and X is an organic group containing an aromatic ring compound, preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms, more preferably 6 to 35 carbon atoms, (-OH), a carbonyl group, an amine group, SO 2, or CF 3 , which may contain 1 to 20 heteroatoms such as sulfur (S), oxygen (O) and fluorine (F) And R may be an organic group containing no aromatic ring compound or an organic group containing no aromatic ring compound, preferably an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, more preferably a linear group having 6 to 35 carbon atoms , A branched and / or aromatic hydrocarbon group, and may optionally contain 1 to 20 hetero atoms such as sulfur, oxygen and fluorine, for example, a hydroxyl group, a carbonyl group, an amine group, an SO 2 or CF 3, etc. And Y is an acid labile group which is bonded to an oxygen (O) atom of a hydroxyl group (-OH) contained in X or R and can be separated by an acid, A, b, c and d represent the number of Y atoms, preferably 1 to 5 carbon atoms, and a, b, c and d represent hydrocarbon groups containing 1 to 10 carbon atoms, Each of which is an integer of 0 to 4, and the sum of a, b, c and d is 1 or more. On the other hand, the weight average molecular weight (Mw) of the photosensitive polyimide resin represented by Formula 1 is 1,000 to 200,000, preferably 3,000 to 20,000, and more preferably 5,000 to 10,000.

상기 화학식 1에 있어서, X의 구체적인 예로는,

Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
,
Figure pat00011
,
Figure pat00012
,
Figure pat00013
,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
,
Figure pat00016
Figure pat00017
등이 있으며(상기 예시들에서 굴곡선(
Figure pat00018
)은 연결부(connecting bond)를 나타낸다), 상기 예시들에 나타낸 바와 같이, 헤테로 원자가 포함될 경우에는, 방향족 고리 혹은 방향족 고리의 사이 등에 위치할 수 있다.
Specific examples of X in the above formula (1)
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
,
Figure pat00011
,
Figure pat00012
,
Figure pat00013
,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
,
Figure pat00016
And
Figure pat00017
And the like (in the above examples,
Figure pat00018
Refers to a connecting bond), as shown in the above examples, when a hetero atom is included, it may be located between an aromatic ring or an aromatic ring or the like.

상기 화학식 1에 있어서, R의 구체적인 예로는,

Figure pat00019
,
Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,
Figure pat00023
,
Figure pat00024
,
Figure pat00025
,
Figure pat00026
,
Figure pat00027
,
Figure pat00028
,
Figure pat00029
,
Figure pat00030
,
Figure pat00031
,
Figure pat00032
,
Figure pat00033
,
Figure pat00034
,
Figure pat00036
등이 있으며(상기 예시들에서 굴곡선(
Figure pat00037
)은 연결부를 나타낸다), 상기 예시들에 나타낸 바와 같이, 헤테로 원자가 포함될 경우에는, 방향족 고리 혹은 방향족 고리의 사이 등에 위치할 수 있다.
Specific examples of R in the above formula (1)
Figure pat00019
,
Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,
Figure pat00023
,
Figure pat00024
,
Figure pat00025
,
Figure pat00026
,
Figure pat00027
,
Figure pat00028
,
Figure pat00029
,
Figure pat00030
,
Figure pat00031
,
Figure pat00032
,
Figure pat00033
,
Figure pat00034
, And
Figure pat00036
And the like (in the above examples,
Figure pat00037
) Represents a connecting part), as shown in the above examples, when a hetero atom is included, it may be located between an aromatic ring or an aromatic ring or the like.

한편, 상기 X 및 R의 예시들에서 히드록시기(-OH)가 존재하는 경우, 상기 히드록시기의 산소 원자는 Y와 결합할 수 있으며, 히드록시기가 존재하지 않는 경우에는, 상기 화학식 1의 X 또는 R에 연결되는 Y는 존재하지 않는다. 따라서, 상기 화학식 1의 a, b, c 및 d의 합은 1 이상이어야 하므로, 상기 X 또는 R 중 하나에는 반드시 히드록시기가 하나 이상 포함되어야 한다.
In the examples of X and R, when the hydroxy group (-OH) is present, the oxygen atom of the hydroxy group may be bonded to Y, and when no hydroxy group is present, Y does not exist. Therefore, the sum of a, b, c, and d in Formula 1 should be at least 1, and therefore one of X and R must contain at least one hydroxy group.

상기 Y는, 광산발생제에 의해 발생되는 산(acid)에 의해 분리될 수 있는 이탈기(acid labile group)로서, 상기 화학식 1의 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여(결합 시, 히드록시기의 수소(H) 원자는 이탈됨), 아세탈(acetal)기, 케탈(ketal)기, 탄산염(carbonate)기 및 에스터기 등의 기(group)가 되며, 예를 들면,

Figure pat00038
,
Figure pat00039
,
Figure pat00040
,
Figure pat00041
,
Figure pat00042
,
Figure pat00043
Figure pat00044
등의 Y가 상기 화학식 1의 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여 아세탈이 되는 것이 가장 바람직하다(상기 예시들에서 굴곡선(
Figure pat00045
)은 연결부를 나타낸다).
Y is an acid labile group which can be separated by an acid generated by a photoacid generator and is bonded to an oxygen atom of a hydroxyl group contained in X or R of the formula 1 And the hydrogen (H) atom of the hydroxyl group is removed), acetal group, ketal group, carbonate group and ester group,
Figure pat00038
,
Figure pat00039
,
Figure pat00040
,
Figure pat00041
,
Figure pat00042
,
Figure pat00043
And
Figure pat00044
It is most preferred that Y is bonded to the oxygen atom of the hydroxy group contained in X or R of formula 1 to form an acetal (in the above examples,
Figure pat00045
) Represents a connection portion).

한편, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지는, N-메틸-2-피롤리돈 또는 감마 부티로락톤(γ- butyrolactone) 등의 용매 하에서, -30 내지 200 ℃, 바람직하게는 0 내지 100 ℃, 더욱 바람직하게는 25 내지 80 ℃의 온도로 2 내지 24 시간, 바람직하게는 2 내지 12 시간, 더욱 바람직하게는 2 내지 8 시간 동안 디아민(diamine) 화합물 및 디무수물(dianhydride) 화합물을 축합 반응시켜 폴리이미드 전구체를 합성한 후, 아세틱 무수물 및 피리딘 등의 촉매를 연속적으로 첨가시켜 화학적 이미드 고리화(chemical imidization) 반응에 의해 이미드화된 폴리이미드가 합성되고, 이어서, 상기 화학식 1의 Y기를 형성하기 위한, 산소 원자 1 내지 20개를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 포화 또는 불포화 탄화수소기, 바람직하게는 산소 원자 1 내지 15개를 포함하는 탄소수 4 내지 20의 불포화 에테르기를 포함하는 화합물, 예를 들면, 에틸비닐에테르(ethylvinyl ether, EVE,

Figure pat00046
) 화합물을 첨가한 후, 일정 온도로 유지시켜 제조할 수 있다.
On the other hand, the photosensitive polyimide resin represented by the above-mentioned formula (1) is allowed to react at -30 to 200 占 폚, preferably 0 to 100 占 폚, in a solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone or gamma-butyrolactone Condensation reaction of a diamine compound and a dianhydride compound for 2 to 24 hours, preferably for 2 to 12 hours, more preferably for 2 to 8 hours at a temperature of 25 to 80 ° C, more preferably 25 to 80 ° C, , A polyimide precursor is synthesized and then a catalyst such as acetic anhydride and pyridine is continuously added to synthesize a polyimide imidized by a chemical imidization reaction and then a Y A saturated or unsaturated hydrocarbon group of 2 to 30 carbon atoms containing 1 to 20 oxygen atoms, preferably a saturated or unsaturated hydrocarbon group of 4 to 20 carbon atoms containing 1 to 15 oxygen atoms Compounds containing saturated ether groups, such as ethyl vinyl ether (EVE,
Figure pat00046
) Compound and then keeping it at a constant temperature.

하기 반응식 1에, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지가 제조되는 일 예를 나타내었다.In the following Reaction Scheme 1, an example in which the photosensitive polyimide resin represented by Formula 1 is prepared is shown.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure pat00047
Figure pat00047

상기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 디아민과 디무수물의 축합 반응에 의해, 디아민의 아민기 중 수소 원자 2개와 디무수물의 산소 원자(카보닐기 사이에 위치하는 산소 원자)로 이루어지는 물(H2O) 분자가 분리되고, 화학적 이미드 고리화 반응에 의해, 상기 디무수물의 산소 원자가 위치하던 자리에, 상기 수소 원자 2개가 제거되고 남은 질소 원자가 자리하게 됨으로써, 이미드화된 폴리이미드가 합성된다. 이어서, 상기 이미드화된 폴리이미드의 히드록시기(정확하게는, 산소 원자)에는, 상기 화학식 1의 Y로 표시되는 화합물이 결합하여 아세틸기를 형성함으로써, 감광성 폴리이미드 수지가 제조된다.
(H 2 O) composed of two hydrogen atoms in the amine group of the diamine and an oxygen atom (oxygen atom located between the carbonyl group) of the dianhydride by the condensation reaction of the diamine and the dianhydride, The molecules are separated and the imidized polyimide is synthesized by removing the two hydrogen atoms and leaving the remaining nitrogen atoms at positions where the oxygen atoms of the dianhydrides are located by the chemical imidization reaction. Subsequently, a compound represented by Y in the above formula (1) is bonded to the hydroxyl group (precisely, an oxygen atom) of the imidized polyimide to form an acetyl group, thereby preparing a photosensitive polyimide resin.

상기 디아민(diamine) 화합물을 구성하는 단량체의 대표적인 예로는, 하기 화학식 2a 내지 2e로 표시되는 화합물을 예시할 수 있다.Representative examples of the monomer constituting the diamine compound include the compounds represented by the following general formulas (2a) to (2e).

[화학식 2a](2a)

Figure pat00048
Figure pat00048

[화학식 2b](2b)

Figure pat00049
Figure pat00049

[화학식 2c][Chemical Formula 2c]

Figure pat00050
Figure pat00050

[화학식 2d](2d)

Figure pat00051
Figure pat00051

[화학식 2e][Formula 2e]

Figure pat00052

Figure pat00052

또한, 상기 디무수물(dianhydride) 화합물을 구성하는 단량체의 대표적인 예로는, 하기 화학식 3a 내지 3e로 표시되는 화합물을 예시할 수 있다.Representative examples of the monomers constituting the dianhydride compound include the compounds represented by the following formulas (3a) to (3e).

[화학식 3a][Chemical Formula 3]

Figure pat00053
Figure pat00053

[화학식 3b](3b)

Figure pat00054
Figure pat00054

[화학식 3c][Chemical Formula 3c]

Figure pat00055
Figure pat00055

[화학식 3d](3d)

Figure pat00056
Figure pat00056

[화학식 3e][Formula 3e]

Figure pat00057

Figure pat00057

한편, 필요에 따라, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지의 말단(축합 반응 및 화학적 이미드 고리화 반응이 일어나지 않은 아민기)에는, 밀봉제를 반응시킬 수 있는 것으로서, 상기 밀봉제에 의해, 상기 감광성 폴리이미드 수지의 말단을 수산기, 카르복실기, 술폰산기, 티올기, 비닐기, 에티닐기 또는 알릴기 등으로 밀봉하게 되면, 알칼리 수용액에 대한 상기 감광성 폴리이미드 수지의 용해 속도를 조절할 수 있다. 상기 밀봉제로는 수산기, 카르복실기, 술폰산기, 티올기, 비닐기, 에티닐기 또는 알릴기 등을 가지는 모노아민, 산무수물, 산염화물 또는 모노카르복실산 등이 있으며, 상기 밀봉제가 사용되는 함량은, 폴리이미드 수지에 포함된 전체 아민 100 몰%에 대하여, 10 내지 60 몰%, 바람직하게는 5 내지 50 몰%이다.
On the other hand, if necessary, the end of the photosensitive polyimide resin represented by the above formula (1) (the amine group in which the condensation reaction and the chemical imidization reaction have not occurred) can be reacted with the sealing agent, , The dissolution rate of the photosensitive polyimide resin to the aqueous alkaline solution can be controlled by sealing the end of the photosensitive polyimide resin with a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, a vinyl group, an ethynyl group or an allyl group. The sealing agent may be a monoamine, an acid anhydride, an acid chloride, or a monocarboxylic acid having a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, a vinyl group, an ethynyl group or an allyl group, Is 10 to 60 mol%, preferably 5 to 50 mol%, based on 100 mol% of the total amines contained in the polyamide resin.

본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물은, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지, 바인더 수지, 광산발생제(photo acid generator, PAG) 및 나머지 용매를 포함하고, 필요에 따라, 가교제 및 실란(silane) 화합물을 더욱 포함할 수 있다.
The composition comprising the photosensitive polyimide resin according to the present invention comprises a photosensitive polyimide resin containing a repeating unit represented by the formula (1), a binder resin, a photo acid generator (PAG) and the remaining solvent, If necessary, it may further contain a crosslinking agent and a silane compound.

상기 바인더 수지는, 상기 감광성 폴리이미드 수지의 접착성 향상은 물론, 보다 작은 해상력을 구현하기 위한 것으로서, 그 예로는, 페놀성 수산기를 가지는 노볼락(novolac) 수지, 폴리히드록시 스타이렌(polyhydroxy styrene, PHS) 수지 및 폴리히드록시 스타일렌을 포함하는 공중합체 수지 등이 있고, 하기 화학식 4로 표시되며, 광산발생제에 의해 발생되는 산(acid)에 의해 쉽게 분리될 수 있는 이탈기(Y)를 포함하는 공중합체 수지가 가장 바람직하다.Examples of the binder resin include novolac resin having a phenolic hydroxyl group, polyhydroxy styrene (polyvinylidene chloride), polyvinylidene chloride (PHS) resin, polyhydroxy styrene, and the like, represented by the following formula (4), and a leaving group Y which can be easily separated by an acid generated by the photoacid generator Is most preferred.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00058
Figure pat00058

상기 화학식 4에서, a 및 b는 상기 화합물을 구성하는 각 반복단위의 몰%로서, a 및 b 각각 0 내지 100 몰%, 바람직하게는 각각 0 내지 50 몰% 및 50 내지 100 몰%, 더욱 바람직하게는 각각 0 내지 30 몰% 및 70 내지 100 몰%이며, a 및 b의 합은 반드시 100 몰%가 되어야 하고, Y는 상기 화학식 1에서 설명한 것과 동일하다.
In the above formula (4), a and b are 0 to 100 mol%, preferably 0 to 50 mol% and 50 to 100 mol%, respectively, of the repeating units constituting the compound, 0 to 30 mol% and 70 to 100 mol%, respectively, the sum of a and b must be 100 mol%, and Y is the same as that described in the above formula (1).

상기 바인더 수지의 함량은, 상기 감광성 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 100 중량부, 바람직하게는 5 내지 95 중량부, 더욱 바람직하게는 10 내지 90 중량부로서, 상기 바인더 수지의 함량이, 상기 감광성 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 미만일 경우, 상기 바인더 수지의 사용으로 인한 해상력 향상이 작거나 없을 우려가 있고, 100 중량부를 초과할 경우에는, 일정 온도에서의 경화 후, 화학 내성 및 필름의 물리적 특성을 만족하지 못할 우려가 있다. 또한, 상기 바인더 수지의 중량평균 분자량(Mw)은, 1,000 내지 30,000, 바람직하게는 2,000 내지 20,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 10,000이다.
The content of the binder resin is 1 to 100 parts by weight, preferably 5 to 95 parts by weight, more preferably 10 to 90 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin, When the amount of the binder resin is less than 1 part by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin, the improvement in resolution due to use of the binder resin may be small or may be insufficient. When the amount exceeds 100 parts by weight, And the physical properties of the film may not be satisfied. The weight average molecular weight (Mw) of the binder resin is 1,000 to 30,000, preferably 2,000 to 20,000, and more preferably 3,000 to 10,000.

상기 광산발생제는, 본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물이 화학증폭형 조성물로 작용하기 위한 것으로서, 산확산 거리(acid diffusion length)를 효과적으로 제어함으로써, 패턴의 해상도 등을 향상시킬 수 있다. 상기 광산발생제는 통상의 광산발생제를 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 설포늄염, 요오드늄염 등의 이온성 광산발생제, 설포닐디아조메탄계, N-설포닐옥시이미드계, 벤조인설포네이트계, 니트로벤질설포네이트계, 설폰계, 글리옥심계 및 트리아진계 등을 사용할 수 있다.
The photoacid generator is used for the composition containing the photosensitive polyimide resin according to the present invention to act as a chemically amplified composition and effectively controls the acid diffusion length to improve the resolution of the pattern have. The photoacid generator may be a conventional photoacid generator without limitation, preferably an ionic photoacid generator such as a sulfonium salt or an iodonium salt, a sulfonyldiazomethane-based, N-sulfonyloxyimide-based, Phenate, nitrobenzyl sulfonate, sulfone, glyoxime, and triazine.

상기 설포늄염은, 설포늄 양이온과 설포네이트(설폰산 음이온)의 염(salt)으로서, 상기 설포늄 양이온으로는, 트리페놀설포늄, (4-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, 비스(4-tert-부톡시페닐)페닐설포늄, 4-메틸페닐디페닐설포늄, 트리스(4-메틸페닐설포늄), 4-tert-부틸페닐디페닐설포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)설포늄, 트리스(4-tert-부톡시페닐)설포늄, (3-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, 비스(3-tert-부톡시페닐)페닐설포늄, 트리스(3-tert-부톡시페닐)설포늄, (3,4-di-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, 비스(3,4-di-tert-부톡시페닐)페닐설포늄, 트리스(3,4-di-tert-부톡시페닐)설포늄, 디페닐(4-티오페녹시페닐)설포늄, (4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)디페닐설포늄, 트리스(4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)설포늄, (4-tert-부톡시페닐)비스(4-디메틸아미노페닐)설포늄, 트리스(4-디메틸아미노페닐)설포늄, 디메틸-2-나프틸디페닐설포늄, 디메틸-2-나프틸설포늄, 4-히드록시페닐디메틸설포늄, 4-메톡시페닐디메틸설포늄, 트리메틸설포늄, 디페닐메틸설포늄, 메틸-2-옥소프로필페닐설포늄, 2-옥소시클로헥실시클로헥실메틸설포늄, 트리나프틸설포늄 및 트리벤질설포늄 등이 있고, 상기 설포네이트로는, 트리플루오로메탄설포네이트, 노나플루오로부탄설포네이트, 헵타데카플루오로옥탄설포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄설포네이트, 펜다플루오로벤젠설포네이트, 4-트리풀루오로메틸벤젠설포네이트, 4-플루오로벤젠설포네이트, 톨루엔설포네이트, 벤젠설포네이트, 나프탈렌설포네이트, 캄포설포네이트, 옥탄설포네이트, 도데실벤젠설포네이트, 부탄설포네이트 및 메탄설포네이트 등이 있다.
The sulfonium salt is a salt of a sulfonium cation and a sulfonate (sulfonate anion), and the sulfonium cation is triphenylsulfonium, (4-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, bis (4-tert-butylphenyl) phenylsulfonium, 4-methylphenyldiphenylsulfonium, tris (4-methylphenylsulfonium) Tert-butoxyphenyl) sulfonium, bis (3-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium, tris (3-tert- (3,4-di-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, bis (3,4-di-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium, tris (4-tert-butoxyphenyl) sulfonium, diphenyl (4-thiophenoxyphenyl) sulfonium, (4-tert-butoxycarbonylmethyloxyphenyl) Carbonylmethyloxyphenyl) sulfonium, (4-tert-butoxyphenyl) bis (4-dimethylaminophenyl) sulfonium, tris (4- Methyl-2-naphthylsulfonium, 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium, 4-methoxyphenyldimethylsulfonium, trimethylsulfonium, diphenylmethyl 2-oxocyclohexylcyclohexylmethylsulfonium, trinaphthylsulfonium, and tribenzylsulfonium. Examples of the sulfonate include trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonate, , Nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2,2,2-trifluoroethanesulfonate, pendafluorobenzene sulfonate, 4-trifluoromethylbenzenesulfonate, 4-fluoro Toluene sulfonate, benzene sulfonate, naphthalene sulfonate, camphorsulfonate, octane sulfonate, dodecylbenzene sulfonate, butane sulfonate, and methane sulfonate.

상기 요오드늄염은, 요오드늄 양이온과 설포네이트의 염으로서, 상기 요오드늄 양이온으로는, 디페닐요오드늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄, 4-tert-부톡시페닐페닐요오드늄 및 4-메톡시페닐페닐요오드늄 등이 있다.
The iodonium salt is a salt of an iodonium cation and a sulfonate. Examples of the iodonium cation include diphenyliodonium, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium, 4-tert-butoxyphenylphenyliodonium, 4-methoxyphenylphenyliodonium, and the like.

상기 설포닐디아조메탄계 광산발생제로는, 비스(에틸설포닐)디아조메탄, 비스(1-메틸프로필설포닐)디아조메탄, 비스(2-메틸프포필설포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(퍼플루로로이소프로필설포닐)디아조메탄, 비스(페닐설포닐)디아조메탄, 비스(4-메틸페닐설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐설포닐)디아조메탄 및 비스(2-나프틸설포닐)디아조메탄 등의 비스설포닐디아조메탄과, 4-메틸페닐설포닐벤조일디아조메탄, tert-부틸카르보닐-4-메틸페닐설포닐디아조메탄, 2-나프틸설포닐벤조일디아조메탄, 4-메틸페닐설포닐-2-나프토일디아조메탄, 메틸설포닐벤조일디아조메탄 및 tert-부톡시카르보닐-4-메틸페닐설포닐디아조메탄 등의 설포닐카르보닐디아조메탄 등이 있다.
Examples of the sulfonyldiazomethane-based photoacid generators include bis (ethylsulfonyl) diazomethane, bis (1-methylpropylsulfonyl) diazomethane, bis (2-methylpropoxylsulfonyl) diazomethane, bis Bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (perfluoroisopropylsulfonyl) diazomethane, bis Bis (4-methylphenylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane and bis (2-naphthylsulfonyl) diazomethane, 2-naphthylsulfonylbenzoyldiazomethane, 4-methylphenylsulfonyl-2-naphthoyldiazomethane, methylsulfonylbenzoyldiamine, 4-methylphenylsulfonyldiazomethane, And sulfonylcarbonyldiazomethane such as trimethoxycarbonyl-4-methylphenylsulfonyldiazomethane and the like.

상기 N-설포닐옥시이미드계 광산발생제로는, 숙신산 이미드, 나프탈렌디카르복실산 이미드, 프탈산 이미드, 시클로헥실디카르복실산 이미드, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 이미드, 7-옥사비시클로[2,2,1]-5-헵텐-2,3-디카르복실산 이미드, 트리플루오로메탄설포네이트, 노나플루오로부탄설포네이트, 헵타데카플루오로옥탄설포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄설포네이트, 펜타플루오로벤젠설포네이트, 4-트리풀루오로메틸벤젠설포네이트, 4-플루오로벤젠설포네이트, 톨루엔설포네이트, 벤젠설포네이트, 나프탈렌설포네이트, 캄포설포네이트, 옥탄설포네이트, 도데실벤젠설포네이트. 부탄설포네이트 및 메탄설포네이트 등이 있다.
Examples of the N-sulfonyloxyimide-based photoacid generator include succinic acid imide, naphthalene dicarboxylic acid imide, phthalic acid imide, cyclohexyldicarboxylic acid imide, 5-norbornene-2,3-dicar Heptene-2,3-dicarboxylic acid imide, trifluoromethanesulfonate, nonafluorobutanesulfonate, heptadecafluoro, heptadecafluoro, heptadecafluoro, Tetrafluorobutane sulfonate, 2,2,2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4-trifluoromethylbenzene sulfonate, 4-fluorobenzene sulfonate, toluene sulfonate, benzene sulfoxide Naphthalene sulfonate, camphorsulfonate, octane sulfonate, and dodecylbenzene sulfonate. Butane sulfonate and methane sulfonate.

상기 벤조인설포네이트계 광산발생제로는, 벤조인토실레이트, 벤조인메실레이트 및 벤조인부탄설포네이트 등이 있고, 상기 니트로벤질설포네이트계 광산발생제로는, 2,4-디니트로벤질설포네이트, 2-니트로벤질설포네이트, 2,6-디니트로벤질설포네이트 및 벤질의 니트로기를 트리플루오로메틸기로 치환한 화합물 등이 있다. 상기 설폰계 광산발생제로는, 비스(페닐설포닐)메탄, 비스(4-메틸페닐설포닐)메탄, 비스(2-나프틸설포닐)메탄, 2,2-비스(페닐설포닐)프로판, 2,2-비스(4-메틸페닐설포닐)프로판, 2,2-비스(2-나프틸설포닐)프로판, 2-메틸-2-(p-톨루엔설포닐)프로피오네논, 2-(시클로헥실카르보닐)-2-(p-톨루엔설포닐)프로판 및 2,4-디메틸-2-(p-톨루엔설포닐)펜탄-3-온 등이 있다.
Examples of the benzoin sulphonate-based photoacid generators include benzoin tosylate, benzoin mesylate, and benzoinbutane sulfonate. Examples of the nitrobenzyl sulfonate photoacid generator include 2,4-dinitrobenzylsulfonate , 2-nitrobenzylsulfonate, 2,6-dinitrobenzylsulfonate, and compounds in which a nitro group of benzyl is substituted with a trifluoromethyl group. Examples of the sulfonic acid photoacid generators include bis (phenylsulfonyl) methane, bis (4-methylphenylsulfonyl) methane, bis (2-naphthylsulfonyl) methane, 2,2- Propane, 2-methyl-2- (p-toluenesulfonyl) propionone, 2- (cyclohexylcarbonyl) ) -2- (p-toluenesulfonyl) propane and 2,4-dimethyl-2- (p-toluenesulfonyl) pentan-3-one.

상기 글리옥심계 광산발생제로는, 비스-o-(p-톨루엔설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔설포닐)-α-디시틀로헥실글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔설포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔설포닐)-2-메틸-3,4-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(n-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(n-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(n-부탄설포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비스-o-(n-부탄설포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(n-부탄설포닐)-2-메틸-3,4-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(메탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(트리플루오로메탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(1,1,1-트리플루오로에탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(tert-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(퍼플루오로옥탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(시클로헥실설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(벤젠설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-플루오로벤젠설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-tert-부틸벤젠설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(크실렌설포닐)-α-디메틸글리옥심 및 비스-o-(캄보설포닐)-α-디메틸글리옥심 등이 있다.
Examples of the glyoxime-based photoacid generator include bis-o- (p-toluenesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o- (p- toluenesulfonyl) (p-toluenesulfonyl) -2, 3-pentanedionylglyoxime, bis-o- (p-toluenesulfonyl) -? - dicyclohexylglyoxime, bis- (N-butanesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis- (n-butanesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -? - dicyclohexylglyoxime, bis- (Methanesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o- (trifluoromethanesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis -o- (1,1,1-trifluoroethanesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o- (tert-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis- Octylsulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o- ( (P-fluorobenzenesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o-dimethylglyoxime, bis-o-dimethylglyoxime, bis- o- (p-tert-butylbenzenesulfonyl) -? - dimethylglyoxime, bis-o- (xylenesulfonyl) -a-dimethylglyoxime and bis- .

상기 광산발생제의 함량은, 상기 감광성 폴리이미드 수지 및 바인더 수지의 사용량 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 10 중량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부로서, 상기 광산발생제의 함량이, 상기 감광성 폴리이미드 수지 및 바인더 수지의 사용량 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 미만일 경우, 현상액에 의해 현상되지 않을 우려가 있으며, 20 중량부를 초과할 경우에는, 아웃게싱(outgassing) 현상의 발생 및 저장안정성이 저하될 우려가 있다.
The content of the photo-acid generator is 0.1 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin and the binder resin, If the content of the photo-acid generator is less than 0.1 part by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin and the binder resin, there is a fear that the developer is not developed by the developing solution. If the content is more than 20 parts by weight, outgassing ) Phenomenon and storage stability may be deteriorated.

다음으로, 본 발명에 사용되는 용매는, 본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물의 평탄성 향상과, 코팅에 의한 얼룩의 발생을 차단함으로써, 균일한 패턴 프로파일(pattern profile)을 형성시키는 것으로서, 패턴을 변형시키지 않으면 제한 없이 사용할 수 있다. 그 예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸락테이트, 에틸락테이트, 부틸락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
Next, the solvent used in the present invention is to form a uniform pattern profile by improving the flatness of the composition comprising the photosensitive polyimide resin according to the present invention and preventing the occurrence of stains due to coating, , And can be used without limitation without changing the pattern. Examples thereof include N-methyl-2-pyrrolidone,? -Butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3- Butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, and mixtures thereof.

필요에 따라 더욱 포함할 수 있는 가교제는, 상기 바인더 수지와 가교 구조를 형성하는 것으로서, 통상의 가교제를 제한 없이 사용할 수 있으나, 알콕시 메틸기를 포함하는 가교제를 사용하는 것이 바람직하다. 통상적으로 알콕시 메틸기는 약 150 ℃에서 가교가 일어나므로, 가교 밀도를 높이기 위해 알콕시 메틸기를 2개 이상 가지는 가교제를 사용하는 것이 더욱 바람직하며, 가교 밀도를 더욱 높여 내약품성을 향상시키기 위해 알콕시 메틸기를 4개 이상 가지는 가교제의 사용이 가장 바람직하다. 한편, 경화(큐어) 후의 패턴 치수 불균일함을 감소시키는 관점에서는, 알콕시 메틸기 6개 이상을 가지는 가교제를 적어도 1종 이상 포함해야 한다. 상기 가교제가 사용될 경우의 함량은, 상기 감광성 폴리이미드 수지 및 바인더 수지의 사용량 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부, 바람직하게는 1 내지 25 중량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 20 중량부로서, 상기 가교제의 함량이, 상기 감광성 폴리이미드 수지 및 바인더 수지의 사용량 100 중량부에 대하여 1 중량부 미만일 경우, 화학적 내성이 강한 필름을 얻을 수 없는 문제점이 있으며, 30 중량부를 초과할 경우에는, 저장안정성이 저하될 우려가 있다.
The crosslinking agent which can be further included as needed forms a crosslinked structure with the above-mentioned binder resin, and conventional crosslinking agents can be used without limitation, but it is preferable to use a crosslinking agent containing an alkoxymethyl group. It is more preferable to use a cross-linking agent having two or more alkoxymethyl groups in order to increase the cross-linking density. In order to further increase the cross-linking density and improve the chemical resistance, the alkoxymethyl group is substituted with 4 Most preferred is the use of crosslinking agents having at least one crosslinking agent. On the other hand, from the viewpoint of reducing unevenness in the pattern dimension after curing (curing), at least one crosslinking agent having 6 or more alkoxymethyl groups should be contained. The content of the crosslinking agent is 1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 25 parts by weight, more preferably 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin and the binder resin, When the content of the crosslinking agent is less than 1 part by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin and the binder resin, there is a problem that a film having high chemical resistance can not be obtained. When the amount is more than 30 parts by weight, May be deteriorated.

필요에 따라 더욱 포함할 수 있는 실란 화합물은, 본 발명에 따른 조성물과 기판의 접착성을 향상시킬 수 있다. 상기 실란 화합물의 구체적인 예를 들면, N-페닐 아미노에틸트리메톡시실란, N-페닐 아미노에틸트리에톡시실란, N-페닐 아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐 아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐 아미노부틸트리메톡시실란, N-페닐 아미노부틸 트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리 클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란 및 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 상기 실란 화합물이 본 발명에 따른 조성물에 사용될 경우, 그 사용량은, 상기 감광성 폴리이미드 수지 및 바인더 수지의 사용량 100 중량부에 대하여 0.01 내지 15 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 13 중량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 10 중량부로서, 상기 실란 화합물을 상기 범위 내에서 사용하면, 본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물의 내열성을 유지함과 동시에, 접착제로서의 충분한 효과를 얻을 수 있다.
The silane compound which can be further included as needed can improve the adhesion between the composition of the present invention and the substrate. Specific examples of the silane compound include N-phenylaminoethyltrimethoxysilane, N-phenylaminoethyltriethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltriethoxysilane, N Vinylnaphthyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltris (? -Methoxyethoxy) silane, 3- Methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, and And mixtures thereof. When the silane compound is used in the composition according to the present invention, the amount of the silane compound used is 0.01 to 15 parts by weight, preferably 0.1 to 13 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin and the binder resin Is 0.5 to 10 parts by weight. When the silane compound is used within the above range, the heat resistance of the photoresist composition containing the photosensitive polyimide resin according to the present invention can be maintained and sufficient effect as an adhesive can be obtained.

본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물을 이용한 고분자막 형성방법은, 예를 들면, 반도체 기판 상에 상기 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 막을 형성하는 단계, 상기 막을 노광 마스크 및 노광기로 노광하는 단계, 현상액으로 현상하여 패턴을 형성하는 단계 및 용매의 제거를 위한 경화 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 고분자막은, 예를 들면, 반도체 소자의 표면 보호막, 층간 절연막 및 유기전계 발광소자의 절연층 등으로 사용될 수 있다.
The method of forming a polymer film using a composition comprising a photosensitive polyimide resin according to the present invention includes a step of forming a film by applying a composition containing the photosensitive polyimide resin on a semiconductor substrate, , Developing with a developing solution to form a pattern, and curing to remove the solvent. Here, the polymer film can be used, for example, as a surface protective film of a semiconductor device, an interlayer insulating film, and an insulating layer of an organic electroluminescent device.

이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. The following examples illustrate the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.

[제조예 1] 감광성 폴리이미드 수지의 제조 [Preparation Example 1] Preparation of photosensitive polyimide resin

건조 질소 기류 하에서, 상기 화학식 2c로 표시되는 디아민 단량체 15g(0.041 mol)을 109g의 N-메틸 피롤리돈(N-methyl pyrrolidone, NMP) 용매에 용해시킨 후, 상기 화학식 3a로 표시되는 디무수물 단량체 32.19g(0.045 mol)을 첨가하여 60 ℃의 온도에서 4 시간 동안 교반 및 반응시켰고(폴리이미드 전구체 생성), 이어서, 촉매인 피리딘 20g 및 아세틱 무수물(Ac2O) 26g을 첨가한 후 6 시간 동안 추가로 교반 및 반응시켜, 이미드화된(사전 이미드 고리화된) 폴리이미드를 생성하였다. 계속해서, 상기 이미드화된 폴리이미드에 에틸비닐에테르(EVE) 12.4g과 파라톨루엔설포늄산(PTSA) 18.79g을 첨가하여 60 ℃의 온도에서 12 시간 동안 교반 및 반응을 진행하였고, 상기 용매를 상온의 온도로 낮춘 후, 반응 용액을 2 리터(L)의 물(H2O)에 첨가 및 여과하여 고체의 침전물을 생성하였다. 그 다음, 상기 침전물을 물과 메탄올이 9 : 1의 비율로 혼합된 세척액으로 3회 세척한 후, 60 ℃로 맞춰진 진공 건조기에서 72 시간 동안 건조시켜, 상기 화학식 1로 표시되는 형태의 감광성 폴리이미드 수지를 제조하였다(이상, 상기 반응식 1 참조). 상기 제조된 감광성 폴리이미드 수지의 분자량을 겔 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography, GPC)로 측정하고, 상대적인 이미드화율을 적외선 분광법(Fourier Transform-Infrared Spectroscopy, FT-IR)으로 계산한 결과, 평균 분자량은 16,000이었고, 이미드화율은 90 %였다.
15 g (0.041 mol) of the diamine monomer represented by the above formula (2c) was dissolved in 109 g of N-methyl pyrrolidone (NMP) solvent under a dry nitrogen flow, and then the dianhydride monomer (Polyimide precursor), followed by the addition of 20 g of pyridine catalyst and 26 g of acetic anhydride (Ac 2 O), followed by stirring for 6 hours at room temperature Followed by further stirring and reaction, to give an imidized (pre-imide cyclized) polyimide. Subsequently, 12.4 g of ethyl vinyl ether (EVE) and 18.79 g of para-toluene sulfonic acid (PTSA) were added to the imidized polyimide, and the mixture was stirred and reacted at a temperature of 60 ° C for 12 hours. , The reaction solution was added to 2 liters of water (H 2 O) and filtered to produce a solid precipitate. Next, the precipitate was washed three times with a washing solution in which water and methanol were mixed at a ratio of 9: 1, and dried in a vacuum drier set at 60 ° C for 72 hours to obtain photosensitive polyimide (See above scheme 1). The molecular weight of the prepared photosensitive polyimide resin was measured by Gel Permeation Chromatography (GPC), and the relative imidization ratio was calculated by Fourier Transform-Infrared Spectroscopy (FT-IR) Was 16,000, and the imidization rate was 90%.

[제조예 2~14] 감광성 폴리이미드 수지의 제조 [Production Examples 2 to 14] Preparation of photosensitive polyimide resin

하기 표 1의 조성과 같이, 디아민과 디무수물의 종류 및 그밖의 첨가물 사용량을 다르게 한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일하게 실시하여, 각 감광성 폴리이미드 수지를 제조하였으며, 하기 표 2에, 상기 제조된 감광성 폴리이미드 수지의 평균 분자량 및 상대적인 이미드화율을 나타내었다.Each photosensitive polyimide resin was prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that the kind of diamine and dianhydride and the amount of other additives used were changed as shown in the composition of Table 1 below. , And the average molecular weight and the relative imidization rate of the photosensitive polyimide resin prepared above were shown.

Figure pat00059
Figure pat00059

분자량Molecular Weight 이미드화율(%)Imidization rate (%) 제조예 1Production Example 1 16,00016,000 9090 제조예 2Production Example 2 18,00018,000 8989 제조예 3Production Example 3 18,00018,000 9191 제조예 4Production Example 4 24,00024,000 9090 제조예 5Production Example 5 16,00016,000 9090 제조예 6Production Example 6 16,50016,500 8989 제조예 7Production Example 7 17,00017,000 9292 제조예 8Production Example 8 17,00017,000 9090 제조예 9Production Example 9 15,00015,000 8989 제조예 10Production Example 10 16,00016,000 9090 제조예 11Production Example 11 16,50016,500 9191 제조예 12Production Example 12 20,00020,000 9292 제조예 13Production Example 13 21,00021,000 9090 제조예 14Production Example 14 20,00020,000 9292

[제조예 15] 폴리이미드 전구체의 제조 [Preparation Example 15] Preparation of polyimide precursor

상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 피리딘, 아세틱 무수물, 에틸비닐에테르 및 파라톨루엔설포늄산을 첨가하지 않은 것을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일하게 실시하여, 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산을 제조하였다.
Polyamic acid as a polyimide precursor was prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that pyridine, acetic anhydride, ethyl vinyl ether and para-toluene sulfonic acid were not added as shown in Table 1 .

[제조예 16] 바인더 수지의 제조 [Production Example 16] Preparation of binder resin

분자량이 12,000인 폴리히드록시 스타이렌(PHS) 50g을 1L의 테트라히드로퓨란(THF) 용매에 용해시킨 후, 53.4g의 피리딘, 48.7g의 에틸비닐에테르(EVE) 및 128.4g의 파라톨루엔설포늄산(PTSA)을 첨가하여, 상온 및 건조 질소 분위기 하에서 24 시간 동안 반응시켰다. 반응이 종결된 용액을 5 L의 헵탄 용매에 서서히 적하하여 침전된 흰색 분말 형태의 고분자를 얻었으며, 이어서, 과량의 용매로 세척한 후 40 ℃로 맞춰진 진공 건조기에서 24 시간 동안 건조시켜, 바인더 수지를 제조하였다.
After dissolving 50 g of polyhydroxy styrene (PHS) having a molecular weight of 12,000 in 1 L of tetrahydrofuran (THF) solvent, 53.4 g of pyridine, 48.7 g of ethyl vinyl ether (EVE) and 128.4 g of para-toluenesulfonic acid (PTSA) was added, and the reaction was allowed to proceed at room temperature and in a dry nitrogen atmosphere for 24 hours. The reaction-terminated solution was gradually added dropwise to 5 L of heptane solvent to obtain a precipitated white powdery polymer, which was then washed with an excess amount of solvent and then dried in a vacuum drier set at 40 DEG C for 24 hours to obtain a binder resin .

[실시예 1] 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물의 제조 [Example 1] Preparation of a composition comprising photosensitive polyimide resin

상기 제조예 1에서 제조된 감광성 폴리이미드 수지 6.5g, 상기 제조예 16에서 제조된 바인더 수지 3.5g 및 광산발생제인 Irgacure PAG 103(BASF사, 독일) 0.5g을 15g의 감마 부티로락톤(gamma butyrolactone, GBL) 용매에 용해시켜 조성물을 제조하였다.
6.5 g of the photosensitive polyimide resin prepared in Preparation Example 1, 3.5 g of the binder resin prepared in Preparation Example 16 and 0.5 g of Irgacure PAG 103 (BASF Co., Germany) as a photo acid generator were mixed with 15 g of gamma butyrolactone , GBL) solvent to prepare a composition.

[실시예 2~14] 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물의 제조 [Examples 2 to 14] Preparation of compositions containing photosensitive polyimide resin

하기 표 3의 조성과 같이, 감광성 폴리이미드 수지의 종류가 다른 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 조성물을 제조하였다.A composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the types of the photosensitive polyimide resin were different, as shown in the composition of Table 3 below.

폴리이미드 수지Polyimide resin 바인더 수지Binder resin 광산발생제
(또는, 광활성화합물)
Photoacid generator
(Or photoactive compound)
용매menstruum
실시예 1Example 1 제조예 1Production Example 1 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 2Example 2 제조예 2Production Example 2 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 3Example 3 제조예 3Production Example 3 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 4Example 4 제조예 4Production Example 4 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 5Example 5 제조예 5Production Example 5 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 6Example 6 제조예 6Production Example 6 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 7Example 7 제조예 7Production Example 7 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 8Example 8 제조예 8Production Example 8 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 9Example 9 제조예 9Production Example 9 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 10Example 10 제조예 10Production Example 10 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 11Example 11 제조예 11Production Example 11 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 12Example 12 제조예 12Production Example 12 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 13Example 13 제조예 13Production Example 13 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 실시예 14Example 14 제조예 14Production Example 14 제조예 16Production Example 16 PAG 103PAG 103 GBLGBL 비교예 1Comparative Example 1 제조예 15Production Example 15 PHSPHS PACPAC GBLGBL

[비교예 1] 폴리이미드 전구체를 포함하는 조성물의 제조 [Comparative Example 1] Preparation of a composition containing a polyimide precursor

상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제조예 15에서 제조된 폴리이미드 전구체(폴리아믹산) 6.5g, 폴리히드록시 스타이렌(PHS, VP-8000, Nippon Soda사(일본)) 3.5g 및 PAC(photo active compound)인 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 (2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 디아조나프토퀴논 에스테르 화합물, Toyo Gosei사, 일본) 1.1g을 15g의 감마 부티로락톤(GBL) 용매에 용해시켜 조성물을 제조하였다.
As shown in Table 3, 6.5 g of the polyimide precursor (polyamic acid) prepared in Production Example 15, 3.5 g of polyhydroxystyrene (PHS, VP-8000, Nippon Soda Co., active compound, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 1,2-naphthoquinonediazide-5 (2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-5 -sulfonate, diazonaphthoquinone ester compound, Toyo Gosei, Japan) was dissolved in 15 g of gamma-butyrolactone (GBL) solvent to prepare a composition.

[실시예 1~14, 비교예 1] 패턴이 형성된 필름의 평가 [Examples 1 to 14, Comparative Example 1] Evaluation of pattern-formed films

상기 실시예 1 내지 14 및 비교예 1에서 제조된 조성물을, ACT 8 트랙(Tokyo electron사, 일본)을 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고, 120 ℃의 온도로 5 분 동안 가열(베이크)하여 10 ㎛ 두께의 필름을 얻었다. 이어서, 광대역(broadband) 파장을 가지는 MA-6 마스크 얼라이너 및 1 내지 10 ㎛ L/S 패턴의 마스크로 상기 필름을 노광한 후, TMAH 현상액(2.38 중량%)으로 120 초 동안 현상하여 목적으로 하는 크기의 패턴이 형성된 필름을 얻었다. 상기 패턴이 형성된 필름을 200 ℃의 온도에서 60 분간 경화시킨 후, 상온에서 10 분 동안 N-메틸 피롤리돈 용매에 침지시키고, 물로 세척하여 필름의 두께 변화 및 해상력을 측정하였다. 하기 표 4에, 상기 필름에 노광된 에너지의 양, 필름의 두께 변화(필름잔막율) 및 해상력을 나타내었다.The compositions prepared in Examples 1 to 14 and Comparative Example 1 were spin-coated on a silicon wafer using an ACT 8 track (Tokyo electron, Japan) and heated (baked) at a temperature of 120 ° C for 5 minutes A film having a thickness of 10 mu m was obtained. Subsequently, the film was exposed using a MA-6 mask aligner having a broadband wavelength and a mask having a pattern of 1 to 10 mu m L / S, and then developed with a TMAH developer (2.38 wt%) for 120 seconds, Sized pattern was obtained. The patterned film was cured at a temperature of 200 ° C for 60 minutes, immersed in N-methylpyrrolidone solvent at room temperature for 10 minutes, and washed with water to measure film thickness and resolution. Table 4 below shows the amount of energy exposed to the film, the change in film thickness (film residual film ratio), and resolution.

노광에너지 (mJ)Exposure energy (mJ) 해상력 (㎛)Resolution (㎛) 필름잔막율 (%)Film residual film ratio (%) 실시예 1Example 1 200200 22 9090 실시예 2Example 2 350350 22 9595 실시예 3Example 3 350350 22 9595 실시예 4Example 4 350350 22 9595 실시예 5Example 5 300300 22 9595 실시예 6Example 6 250250 22 9090 실시예 7Example 7 250250 22 9090 실시예 8Example 8 250250 22 9090 실시예 9Example 9 300300 22 9292 실시예 10Example 10 350350 22 9292 실시예 11Example 11 300300 22 9393 실시예 12Example 12 350350 22 9393 실시예 13Example 13 350350 22 9393 실시예 14Example 14 350350 22 9292 비교예 1Comparative Example 1 200200 1010 00

상기 표 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 사용되는 감광성 폴리이미드 수지및 바인더 수지는, 화학증폭형(chemically amplified resist, CAR)으로서, 낮은 활성화 에너지를 가지는 아세탈기가 노광으로 발생된 산에 의해 쉽게 이탈되어, 보다 작은 한계 해상력(고해상도 구현)을 가지는 것을 알 수 있으며, 기존에 사용되던 폴리아믹산(폴리이미드 전구체)을 이용한 비교예 1이 200 ℃의 온도에서 경화될 시 필름잔막율이 0 %인 것과는 달리, 200 ℃의 온도에서도 경화가 가능하여, 안정적으로 필름을 제조할 수 있음을 알 수 있다.As shown in Table 4, the photosensitive polyimide resin and the binder resin used in the present invention are chemically amplified resist (CAR), in which an acetal group having a low activation energy is easily released (Comparative Example 1) using polyamic acid (polyimide precursor), which has been used in the past, has a film residual ratio of 0% when cured at a temperature of 200 ° C. Otherwise, it is possible to cure at a temperature of 200 ° C, and it can be seen that the film can be stably produced.

Claims (13)

하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지.
[화학식 1]
Figure pat00060

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기이고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기이고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여, 산(acid)에 의해 분리될 수 있는 이탈기로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다.
1. A photosensitive polyimide resin comprising a repeating unit represented by the following formula (1).
[Chemical Formula 1]
Figure pat00060

Wherein X and R are the same or different, X is an organic group containing an aromatic ring compound, R is an organic group containing no aromatic ring compound or an aromatic group containing no aromatic ring compound , Y is a leaving group which can be bonded to an oxygen atom of a hydroxy group contained in X or R and can be separated by an acid and is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and containing 1 to 10 oxygen atoms, , b, c, and d are numbers of Y, and each is an integer of 0 to 4, and the sum of a, b, c, and d is 1 or more.
청구항 1에 있어서, 상기 Y는 상기 화학식 1의 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여, 아세탈기, 케탈기, 탄산염기 및 에스터기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기(group)가 되는 것인 감광성 폴리이미드 수지.The compound according to claim 1, wherein Y is a group selected from the group consisting of an acetal group, a ketal group, a carbonate group, and an ester group, which is bonded to an oxygen atom of a hydroxyl group contained in X or R in the formula (1) Photosensitive polyimide resin. 청구항 1에 있어서, 상기 Y는
Figure pat00061
,
Figure pat00062
,
Figure pat00063
,
Figure pat00064
,
Figure pat00065
,
Figure pat00066
Figure pat00067
로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 감광성 폴리이미드 수지.
The method of claim 1,
Figure pat00061
,
Figure pat00062
,
Figure pat00063
,
Figure pat00064
,
Figure pat00065
,
Figure pat00066
And
Figure pat00067
≪ / RTI >
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지는, 디아민 화합물 및 디무수물 화합물을 반응시킨 후, 상기 화학식 1의 Y기를 형성하기 위한, 산소 원자 1 내지 20개를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 포화 또는 불포화 탄화수소기를 포함하는 화합물을 첨가하여 제조되는 것인 감광성 폴리이미드 수지.The photosensitive polyimide resin as claimed in claim 1, wherein the photosensitive polyimide resin represented by the formula (1) is obtained by reacting a diamine compound and a dianhydride compound, Wherein the photosensitive polyimide resin is produced by adding a compound containing a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. 청구항 4에 있어서, 상기 디아민 화합물의 단량체는 하기 화학식 2a 내지 2e로 표시되는 것이고, 상기 디무수물 화합물의 단량체는 하기 화학식 3a 내지 3e로 표시되는 것인 감광성 폴리이미드 수지.
[화학식 2a]
Figure pat00068

[화학식 2b]
Figure pat00069

[화학식 2c]
Figure pat00070

[화학식 2d]
Figure pat00071

[화학식 2e]
Figure pat00072

[화학식 3a]
Figure pat00073

[화학식 3b]
Figure pat00074

[화학식 3c]
Figure pat00075

[화학식 3d]
Figure pat00076

[화학식 3e]
Figure pat00077
5. The photosensitive polyimide resin according to claim 4, wherein the monomer of the diamine compound is represented by the following general formula (2a) to (2e), and the monomer of the dianhydride compound is represented by the following general formulas (3a) to (3e).
(2a)
Figure pat00068

(2b)
Figure pat00069

[Chemical Formula 2c]
Figure pat00070

(2d)
Figure pat00071

[Formula 2e]
Figure pat00072

[Chemical Formula 3]
Figure pat00073

(3b)
Figure pat00074

[Chemical Formula 3c]
Figure pat00075

(3d)
Figure pat00076

[Formula 3e]
Figure pat00077
청구항 4에 있어서, 상기 반응은 -30 내지 200 ℃의 온도에서 2 내지 24 시간 동안 이루어지는 것인 감광성 폴리이미드 수지.The photosensitive polyimide resin according to claim 4, wherein the reaction is carried out at a temperature of -30 to 200 캜 for 2 to 24 hours. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지, 바인더 수지, 광산발생제 및 나머지 용매를 포함하는 조성물.
[화학식 1]
Figure pat00078

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기이고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기이고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여, 산에 의해 분리될 수 있는 이탈기로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다.
1. A composition comprising a photosensitive polyimide resin comprising a repeating unit represented by the following formula (1), a binder resin, a photoacid generator, and the remaining solvent.
[Chemical Formula 1]
Figure pat00078

Wherein X and R are the same or different, X is an organic group containing an aromatic ring compound, R is an organic group containing no aromatic ring compound or an aromatic group containing no aromatic ring compound , Y is a leaving group which can be bonded to the oxygen atom of the hydroxy group contained in X or R and can be separated by an acid, is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and containing 1 to 10 oxygen atoms, and a, b, c and d are the numbers of Y, and each is an integer of 0 to 4, and the sum of a, b, c and d is 1 or more.
청구항 7에 있어서, 상기 바인더 수지는 하기 화학식 4로 표시되며, 상기 광산발생제에 의해 발생되는 산에 의해 쉽게 분리될 수 있는 이탈기(Y)를 포함하는 것인 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물.
[화학식 4]
Figure pat00079

상기 화학식 4에서, a 및 b는 상기 화합물을 구성하는 각 반복단위의 몰%로서, a 및 b 각각 0 내지 100 몰%이며, a 및 b의 합은 반드시 100 몰%가 되어야 하고, Y는 상기 화학식 1에서 설명한 것과 동일하다.
[7] The composition according to claim 7, wherein the binder resin is represented by the following formula (4) and comprises a leaving group (Y) which can be easily separated by an acid generated by the photoacid generator .
[Chemical Formula 4]
Figure pat00079

Wherein a and b each represent 0 to 100 mol% of a and b each in terms of mol% of each repeating unit constituting the compound, the sum of a and b must be 100 mol% Is the same as that described in formula (1).
청구항 7에 있어서, 상기 광산발생제는 설포늄염, 요오드늄염의 이온성 광산발생제, 설포닐디아조메탄계, N-설포닐옥시이미드계, 벤조인설포네이트계, 니트로벤질설포네이트계, 설폰계, 글리옥심계 및 트리아진계로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물.[7] The photoacid generator according to claim 7, wherein the photoacid generator is at least one selected from the group consisting of a sulfonium salt, an ionic photoacid generator of an iodonium salt, a sulfonyldiazomethane-based, N-sulfonyloxyimide-based, benzoinisulfonate-based, nitrobenzylsulfonate- Wherein the photosensitive polyimide resin is selected from the group consisting of phthalic, glyoxime, and triazine. 청구항 7에 있어서, 상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸락테이트, 에틸락테이트, 부틸락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물.8. The process of claim 7, wherein the solvent is selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, gamma -butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1 , 3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, and mixtures thereof. . 청구항 7에 있어서, 상기 바인더 수지의 함량은 상기 감광성 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 100 중량부이고, 상기 광산발생제의 함량은 상기 감광성 폴리이미드 수지 및 바인더 수지의 사용량 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부이며, 나머지는 용매인 것인 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 7, wherein the content of the binder resin is 1 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin, and the content of the photoacid generator is 100 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the photosensitive polyimide resin and the binder resin. 0.1 to 20 parts by weight, and the balance being a solvent. 청구항 7에 있어서, 상기 감광성 폴리이미드 수지의 중량평균 분자량은 1,000 내지 200,000이고, 상기 바인더 수지의 중량평균 분자량은 1,000 내지 30,000인 것인 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물.[Claim 7] The composition according to claim 7, wherein the photosensitive polyimide resin has a weight average molecular weight of 1,000 to 200,000, and the binder resin has a weight average molecular weight of 1,000 to 30,000. 반도체 기판 상에 상기 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 막을 형성하는 단계;
상기 막을 노광 마스크 및 노광기로 노광하는 단계;
현상액으로 현상하여 패턴을 형성하는 단계; 및
용매의 제거를 위한 경화 단계를 포함하며,
상기 감광성 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 폴리이미드 수지, 바인더 수지, 광산발생제 및 나머지 용매를 포함하는 것인 고분자막 형성방법.
[화학식 1]
Figure pat00080

상기 화학식 1에서, X 및 R은 동일하거나 상이한 것으로서, X는 방향족 고리 화합물을 포함하는 유기기이고, R은 방향족 고리 화합물을 포함하거나 포함하지 않는 유기기 또는 방향족 고리 화합물을 포함하지 않는 무기기이고, Y는 X 또는 R에 포함되는 히드록시기의 산소 원자에 결합하여, 산에 의해 분리될 수 있는 이탈기로서, 산소 원자 1 내지 10개를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 Y의 개수로서, 각각 0 내지 4의 정수이며, a, b, c 및 d의 합은 1 이상이다.
Applying a composition comprising the photosensitive polyimide resin on a semiconductor substrate to form a film;
Exposing the film with an exposure mask and an exposure machine;
Developing with a developer to form a pattern; And
A curing step for removing the solvent,
Wherein the composition comprising the photosensitive polyimide resin comprises a photosensitive polyimide resin containing a repeating unit represented by the following formula (1), a binder resin, a photoacid generator, and the remaining solvent.
[Chemical Formula 1]
Figure pat00080

Wherein X and R are the same or different, X is an organic group containing an aromatic ring compound, R is an organic group containing no aromatic ring compound or an aromatic group containing no aromatic ring compound , Y is a leaving group which can be bonded to the oxygen atom of the hydroxy group contained in X or R and can be separated by an acid, is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and containing 1 to 10 oxygen atoms, and a, b, c and d are the numbers of Y, and each is an integer of 0 to 4, and the sum of a, b, c and d is 1 or more.
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