KR20150101530A - 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 - Google Patents

레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 균일한 레이저빔을 방출하여 고품질의 비정질실리콘층 어닐링이 가능한 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 위하여, 마스터 레이저빔을 방출할 수 있는 마스터 레이저빔 방출부와, 상기 마스터 레이저빔 방출부에서 방출된 마스터 레이저빔을 복수개의 마스터 서브 레이저빔들로 스플릿할 수 있는 레이저빔 스플릿부와, 상기 레이저빔 스플릿부에 의해 스플릿된 복수개의 마스터 서브 레이저빔들 각각의 경로 상에 위치하여, 통과하는 레이저빔의 위상을 변조할 수 있는 복수개의 위상변조기들과, 상기 복수개의 위상변조기들을 통과한 레이저빔들을 머지(merge)하는 레이저빔 머지부를 구비하는, 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 제공한다.

Description

레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법{Laser annealing apparatus and method for manufacturing display apparatus using the same}
본 발명의 실시예들은 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 균일한 레이저빔을 방출하여 고품질의 비정질실리콘층 어닐링이 가능한 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치 또는 액정 디스플레이 장치 등은 각 화소의 발광여부나 발광정도를 박막트랜지스터를 이용해 제어한다. 그러한 박막트랜지스터는 반도체층, 게이트전극 및 소스/드레인전극 등을 포함하는데, 반도체층으로는 비정질실리콘을 결정화한 폴리실리콘이 주로 사용된다.
이와 같은 박막트랜지스터를 구비하는 박막트랜지스터 기판이나 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조공정을 설명하면, 기판에 비정질실리콘층을 형성하고 이를 폴리실리콘으로 결정화하는 과정을 거쳐, 박막트랜지스터 기판이나 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제조하였다.
그러나 이러한 종래의 제조과정 중 비정질실리콘을 폴리실리콘으로 결정화함에 있어서 균일하게 결정화하는 것이 용이하지 않다는 문제점이 있었다. 디스플레이 장치를 제조함에 있어서 기판 상의 다양한 위치에서 비정질실리콘을 폴리실리콘으로 결정화해야 하는바, 이를 위해 비정질실리콘에 레이저빔을 조사하게 된다. 이때 조사하는 레이저빔이 그 강도 등이 균일하지 않을 경우, 다양한 위치에서의 비정질실리콘층의 결정화도가 다를 수도 있고, 특정 영역 내에 있어서도 비정질실리콘층의 결정화도가 균일하지 않을 수 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 균일한 레이저빔을 방출하여 고품질의 비정질실리콘층 어닐링이 가능한 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 마스터 레이저빔을 방출할 수 있는 마스터 레이저빔 방출부와, 상기 마스터 레이저빔 방출부에서 방출된 마스터 레이저빔을 복수개의 마스터 서브 레이저빔들로 스플릿할 수 있는 레이저빔 스플릿부와, 상기 레이저빔 스플릿부에 의해 스플릿된 복수개의 마스터 서브 레이저빔들 각각의 경로 상에 위치하여, 통과하는 레이저빔의 위상을 변조할 수 있는 복수개의 위상변조기들과, 상기 복수개의 위상변조기들을 통과한 레이저빔들을 머지(merge)하는 레이저빔 머지부를 구비하는, 레이저빔 어닐링 장치가 제공된다.
이때, 슬레이브 레이저빔을 방출할 수 있는 슬레이브 레이저빔 방출부를 더 구비하고, 상기 레이저빔 스플릿부는 상기 슬레이브 레이저빔 방출부에서 방출된 슬레이브 레이저빔을 복수개의 슬레이브 서브 레이저빔들로 스플릿할 수 있으며, 상기 레이저빔 스플릿부에 의해 스플릿된 복수개의 슬레이브 서브 레이저빔들은 상기 복수개의 위상변조기들을 통과하도록 할 수 있다.
나아가, 상기 레이저빔 스플릿부는, 상기 마스터 레이저빔 방출부에서 방출된 마스터 레이저빔을 n개의 마스터 서브 레이저빔들로 스플릿하고, 상기 슬레이브 레이저빔 방출부에서 방출된 슬레이브 레이저빔을 n개의 슬레이브 서브 레이저빔들로 스플릿하며, n개의 마스터 서브 레이저빔들과 n개의 슬레이브 서브 레이저빔들을 일대일로 대응시켜 머지하여 n개의 서브 레이저빔들을 방출하도록 할 수 있다.
또한, 상기 복수개의 위상변조기들은 제1위상변조기 내지 제n위상변조기를 포함하고, 상기 제1위상변조기 내지 상기 제n위상변조기는 n개의 서브 레이저빔들의 광경로 상에 위치하도록 할 수 있다.
한편, 상기 레이저빔 스플릿부를 통과한 n개의 서브 레이저빔들 각각을 k개의 서브 레이저빔들로 스플릿하여 nXk개의 서브 레이저빔들을 방출하는 추가 스플릿부를 더 구비할 수 있다(K: 2 이상의 자연수).
이 경우, 상기 복수개의 위상변조기들은 제1위상변조기 내지 제nXk위상변조기를 포함하고, 상기 제1위상변조기 내지 상기 제nXk위상변조기는 nXk개의 서브 레이저빔들의 광경로 상에 위치할 수 있다.
상기 복수개의 위상변조기들 중 적어도 하나는 레이저빔 통과 미디엄 및 상기 레이저빔 통과 미디엄을 진동시킬 수 있는 진동부를 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 레이저빔 통과 미디엄은 사파이어 및 쿼츠 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또는, 상기 진동부는 피에조 액츄에이터를 포함할 수 있다.
상기 복수개의 위상변조기들 중 적어도 하나는 도브프리즘을 구비할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와, 비정질 실리콘층에 전술한 것과 같은 레이저빔 어닐링 장치들 중 적어도 어느 하나에서 방출되는 레이저빔을 조사하여 다결정 실리콘층으로 변환시키는 단계와, 디스플레이소자를 형성하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 균일한 레이저빔을 방출하여 고품질의 비정질실리콘층 어닐링이 가능한 레이저빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 2는 도 1의 레이저 어닐링 장치의 다른 부분을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 3은 도 1의 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 4는 도 1의 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에 따라 제조된 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다. 본 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치는 마스터 레이저빔 방출부(MLE), 레이저빔 스플릿부(BSU), 위상변조부(PMU) 및 레이저빔 머지부(laser beam merge unit, 미도시)를 구비한다.
마스터 레이저빔 방출부(MLE)는 마스터 레이저빔(MLB)을 방출할 수 있다. 마스터 레이저빔 방출부(MLE)가 방출하는 마스터 레이저빔(MLB)은 예컨대 308nm 파장을 갖는 레이저빔일 수 있다. 이러한 마스터 레이저빔(MLB)은 변조 등을 거친 후 비정질실리콘에 조사되어 이를 폴리실리콘으로 결정화시킬 수 있다.
레이저빔 스플릿부(BSU)는 마스터 레이저빔 방출부(MLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)을 복수개의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)로 스플릿할 수 있다. 도 1에서는 레이저빔 스플릿부(BSU)가 제1반사부(M1), 제1빔스플리터(BS1) 및 제2반사부(M2)를 구비하는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 물론 필요에 따라서는 제1반사부(M1) 및/또는 제2반사부(M2)는 레이저빔 스플릿부(BSU)의 구성요소가 아니라 별도의 구성요소이고, 제1반사부(M1), 제1빔스플리터(BS1) 및 제2반사부(M2) 중에서는 제1빔스플리터(BS1)만이 레이저빔 스플릿부(BSU)의 구성요소인 것으로 간주할 수도 있다.
도 1에 도시된 것과 같은 경우, 레이저빔 스플릿부(BSU)의 제1반사부(M1)는 마스터 레이저빔 방출부(MLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)을 제1빔스플리터(BS1)를 향해 반사시킨다. 제1빔스플리터(BS1)는 예컨대 반투과 반사판과 같은 것으로, 입사한 마스터 레이저빔(MLB)의 일부는 투과시키고, 다른 일부는 반사시킨다. 마스터 레이저빔(MLB)의 제1빔스플리터(BS1)를 통과한 부분은 제2반사부(M2)에서 반사되어, 마스터 레이저빔(MLB)의 제1빔스플리터(BS1)에서 반사된 부분과 대략 같은 방향으로 진행되도록 할 수 있다. 결국 제1빔스플리터(BS1)에서 반사된 부분과 제2반사부(M2)에서 반사된 부분은 각각 마스터 서브 레이저빔(MSLB1)과 마스터 서브 레이저빔(MSLB2)으로 이해될 수 있다.
도 1에서는 레이저빔 스플릿부(BSU)가 마스터 레이저빔 방출부(MLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)을 2개의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)로 스플릿하는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이하에서는 편의상 레이저빔 스플릿부(BSU)가 마스터 레이저빔 방출부(MLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)을 2개의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)로 스플릿하는 경우에 대해 설명한다.
위상변조부(PMU)는 복수개의 위상변조기들(PM1, PM2)을 구비할 수 있다. 도 1에서는 위상변조부(PMU)가 마스터 서브 레이저빔(MSLB1, MSLB2)의 개수와 같은 2개의 위상변조기들(PM1, PM2)을 구비하는 것으로 도시하고 있다. 이와 같은 위상변조기들(PM1, PM2)은 레이저빔 스플릿부(BSU)에 의해 스플릿된 복수개의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2) 각각의 경로 상에 위치한다. 위상변조기들(PM1, PM2)은 이들을 통과하는 레이저빔의 위상을 변조할 수 있다.
마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)은 마스터 레이저빔 방출부(MLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)이 스플릿된 것이기에, 동일/유사한 위상을 갖는다. 그러나 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)이 서로 상이한 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과하기에, 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1', MSLB2')은 위상이 상호 상이하게 될 수 있다. 따라서 위상변조기들(PM1, PM2)이 통과하는 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)의 위상을 변조하는 정도를 조절함으로써, 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1', MSLB2')의 위상차를 조절할 수 있다.
도 2는 도 1의 레이저 어닐링 장치의 다른 부분을 개략적으로 도시하는 개념도로서, 본 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 레이저빔 머지부로 이해될 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이, 레이저빔 머지부는 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1', MSLB2')이 머지되어 하나의 레이저빔이 방출되도록 한다. 이를 위해 도 2에 도시된 것과 같이 레이저빔 머지부는 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1', MSLB2')이 입사하는 광학요소(OP1)나, 입사하는 레이저빔들을 하나의 레이저빔으로 반사시키는 메인반사부(MM) 등을 포함할 수 있다. 물론 메인반사부(MM)에서 반사된 하나의 레이저빔은 필요에 따라 다양한 광학요소(미도시)들을 거치게 될 수 있으며, 이후 비정질실리콘에 조사되어 이를 폴리실리콘으로 결정화시킬 수 있다.
종래의 레이저빔 어닐링 장치의 경우, 비정질실리콘을 폴리실리콘으로 결정화함에 있어서 균일하게 결정화하는 것이 용이하지 않다는 문제점이 있었다. 이는 비정질실리콘에 조사되는 레이저빔이 그 강도 등이 균일하지 않기 때문이다.
그러나 본 실시예에 따른 레이저빔 어닐링 장치는 위상변조기들(PM1, PM2)이 통과하는 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1, MSLB2)의 위상을 변조하는 정도를 조절함으로써, 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1', MSLB2')의 위상차를 조절할 수 있다. 이를 통해 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔들(MSLB1', MSLB2')이 머지되어 하나의 레이저빔이 될 시, 레이저빔이 조사되는 영역에 있어서 균일한 강도의 레이저빔이 조사되도록 할 수 있다. 예컨대 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔(MSLB1')의 강도 분포와 마스터 서브 레이저빔(MSLB2')의 강도 분포가 상이하게 함으로써, 결과적으로 머지 이후의 레이저빔은 전 영역에 있어서 균일한 강도 분포를 갖도록 할 수 있다.
도 3은 도 1의 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다. 위상변조기(PM1)는 레이저빔이 통과하게 되는 레이저빔 통과 미디엄 및 이를 진동시킬 수 있는 진동부를 구비할 수 있다. 이 경우 레이저빔 통과 미디엄이 진동하는 정도를 조절함으로써, 위상변조기(PM1)를 통과하기 전의 마스터 서브 레이저빔(MSLB1)의 위상과 통과 후의 마스터 서브 레이저빔(MSLB2)의 위상을 상이하게 할 수 있으며, 그 상이한 정도 역시 조절할 수 있다.
레이저빔 통과 미디엄은 예컨대 308nm 파장의 레이저빔을 통과시킬 수 있는 물질로 형성될 수 있다. 레이저빔 통과 미디엄은 예컨대 사파이어 및 쿼츠 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 레이저빔 통과 미디엄을 진동시키는 진동부는 예컨대 피에조 액츄에이터를 포함할 수 있다. 피에조 액츄에이터는 전기적 신호에 따라 그 부피가 신속하게 축소/팽창함으로써 진동을 발생시키는 것으로, 전기적 신호 변화를 조절함에 따라 진동 주파수를 효과적으로 정밀하게 조절할 수 있다. 또한 그 부피가 작기에, 도 1에 도시된 것과 같은 레이저 어닐링 장치를 구성할 시 레이저 어닐링 장치의 크기가 크게 늘어나지 않으면서도 간단하게 레이저 어닐링 장치를 구성할 수 있다.
진동부는 레이저빔 통과 미디엄을 진동시킬 수 있는바, 도 3에 도시된 것과 같이 레이저빔의 진행방향(+z 방향)과 레이저빔 통과 미디엄의 길이방향(+x 방향)에 수직하며 레이저빔을 지나는 축(y축)을 중심으로 레이저빔 통과 미디엄을 좌우로 흔들 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정된 것은 아니며, 진동부는 레이저빔 통과 미디엄위 위치를 x축 상의 위치는 고정시킨 채 +z 방향과 -z 방향으로 교번하여 변화시키며 그 위치를 변화시킬 수도 있고, z축 상에서의 위치는 고정시킨 채 +x 방향과 -x 방향으로 교번하여 변화시키며 그 위치를 변화시킬 수도 있다.
도 4는 도 1의 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다. 위상변조기(PM1)는 레이저빔이 통과하게 되는 레이저빔 통과 미디엄 및 이를 진동시킬 수 있는 진동부를 구비할 수 있는바, 레이저빔 통과 미디엄은 예컨대 도브프리즘을 구비할 수 있다. 도브프리즘(dove prism)은 예컨대 입사광의 이미지를 180도 반전시켜 출사시킬 수 있는 것으로, 위상변조기(PM1)가 도브프리즘을 구비함에 따라 도브프리즘을 통과한 레이저빔과 도브프리즘을 통과하지 않은 레이저빔들을 머지함에 따라 산포가 균일한 레이저빔을 구현할 수 있다. 또는 모든 레이저빔들이 도브프리즘들을 통과하되 도브프리즘들이 진동부들에 의해 상이한 진동수로 진동되도록 하여, 도브프리즘들을 통과한 레이저빔들을 머지함에 따라 산포가 균일한 레이저빔을 구현할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다. 본 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치는 도 1을 참조하여 전술한 레이저 어닐링 장치와 달리 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)를 더 구비한다. 이 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)는 슬레이브 레이저빔(SLB)을 방출할 수 있다. 이때 레이저빔 스플릿부(BSU)는 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출된 슬레이브 레이저빔(SLB)을 복수개의 슬레이브 서브 레이저빔들(SSLB1, SSLB2)로 스플릿할 수 있다. 그리고 레이저빔 스플릿부(BSU)에 의해 스플릿된 복수개의 슬레이브 서브 레이저빔들(SSLB1, SSLB2)은 복수개의 위상변조기들(PM1, PM2)을 통과한다.
도 5에서는 레이저빔 스플릿부(BSU)가 제1반사부(M1), 제1빔스플리터(BS1) 및 제2반사부(M2) 외에 제3반사부(M3) 및 제4반사부(M4)를 더 구비하는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 물론 필요에 따라서는 제1반사부(M1) 내지 제4반사부(M4) 중 적어도 어느 일부는 레이저빔 스플릿부(BSU)의 구성요소가 아니라 별도의 구성요소이고, 제1반사부(M1) 내지 제4반사부(M4) 및 제1빔스플리터(BS1) 중에서는 제1빔스플리터(BS1)만이 레이저빔 스플릿부(BSU)의 구성요소인 것으로 간주할 수도 있다.
도 5에 도시된 것과 같은 경우, 레이저빔 스플릿부(BSU)의 제3반사부(M3)는 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출된 슬레이브 레이저빔(SLB)을 제4반사부(M4)를 향해 반사시킨다. 제4반사부(M4)는 입사한 슬레이브 레이저빔(SLB)을 제1빔스플리터(BS1)를 향해 반사시킨다. 제1빔스플리터(BS1)는 예컨대 반투과 반사판과 같은 것으로, 입사한 슬레이브 레이저빔(SLB)의 일부는 투과시키고, 다른 일부는 반사시킨다. 슬레이브 레이저빔(SLB)의 제1빔스플리터(BS1)에서 반사된 부분은 제2반사부(M2)에서 반사되어, 슬레이브 레이저빔(MLB)의 제1빔스플리터(BS1)에서 투과된 부분과 대략 같은 방향으로 진행되도록 할 수 있다. 결국 제1빔스플리터(BS1)에서 반사된 부분과 제2반사부(M2)에서 반사된 부분은 각각 슬레이브 서브 레이저빔(SSLB1)과 마스터 서브 레이저빔(SSLB2)으로 이해될 수 있다.
도 5에서는 레이저빔 스플릿부(BSU)가 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출된 슬레이브 레이저빔(SLB)을 2개의 슬레이브 서브 레이저빔들(SSLB1, SSLB2)로 스플릿하는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이하에서는 편의상 레이저빔 스플릿부(BSU)가 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출된 슬레이브 레이저빔(SLB)을 2개의 슬레이브 서브 레이저빔들(SSLB1, SSLB2)로 스플릿하는 경우에 대해 설명한다.
레이저빔 스플릿부(BSU)는, 마스터 레이저빔 방출부(MLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)을 n개의 마스터 서브 레이저빔들로 스플릿하고, 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출된 슬레이브 레이저빔(SLB)을 n개의 슬레이브 서브 레이저빔들로 스플릿하며, n개의 마스터 서브 레이저빔들과 n개의 슬레이브 서브 레이저빔들을 일대일로 대응시켜 머지하여 n개의 서브 레이저빔들을 방출할 수 있다. 그리고 위상변조부(PMU)는 제1위상변조기 내지 제n위상변조기를 포함하고, 제1위상변조기 내지 제n위상변조기는 n개의 서브 레이저빔들의 광경로 상에 위치할 수 있다. 도 5의 경우에는 n=2인 경우로 이해될 수 있다.
그리고 도 5에서는 제1빔스플리터(BS1)에서 반사되거나 제1빔스플리터(BS1)를 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔(MSLB1)과 슬레이브 서브 레이저빔(SSLB1)이 구분되는 것처럼 도시하고, 제1빔스플리터(BS1)에서 반사되거나 제1빔스플리터(BS1)를 통과한 이후의 슬레이브 서브 레이저빔(SSLB2)과 마스터 서브 레이저빔(MSLB2)이 구분되는 것처럼 도시하였으나, 이는 편의상 그와 같이 도시한 것일 뿐이다. 즉, 제1빔스플리터(BS1)에서 반사되거나 제1빔스플리터(BS1)를 통과한 이후의 마스터 서브 레이저빔(MSLB1)과 슬레이브 서브 레이저빔(SSLB1)은 바로 머지되어 하나의 서브 레이저빔이 되어 위상변조부(PMU)로 진입할 수 있고, 제1빔스플리터(BS1)에서 반사되거나 제1빔스플리터(BS1)를 통과한 이후의 슬레이브 서브 레이저빔(SSLB2)과 마스터 서브 레이저빔(MSLB2) 역시 바로 머지되어 하나의 서브 레이저빔이 되어 위상변조부(PMU)로 진입할 수 있다. 이에 따라 2 개의 서브 레이저빔들은 각각 제1위상변조기(PM1)와 제2위상변조기(PM2)로 진입하여, 위상이 변조된다. 이와 같은 편의상의 도시는 이하에서도 마찬가지이다.
물론 이와 같이 위상변조부(PMU)를 통과한 이후 서브 레이저빔들은 도 2에 도시된 것과 같이 레이저빔 머지부에서 머지될 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치는, 마스터 레이저빔 방출부(MLE)와 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출되는 마스터 레이저빔(MLB)과 슬레이브 레이저빔(SLB)을 이용하는바, 상이한 위상/강도분포를 갖는 마스터 레이저빔(MLB)과 슬레이브 레이저빔(SLB)을 이용하여 최종적으로 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔을 형성하므로, 최종적으로 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔의 산포가 균일하도록 할 수 있다. 물론 마스터 레이저빔(MLB)과 슬레이브 레이저빔(SLB) 각각을 도 1의 마스터 레이저빔(MLB)을 처리한 것과 동일/유사한 방식으로 스플릿하고 위상변조시키기에, 최종적으로 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔의 산포가 매우 균일하도록 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 개념도이다. 도 6에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치는 도 5를 참조하여 전술한 실시예에 따른 레이저 어닐링 장치와 달리 추가 스플릿부(ABSU)를 더 구비한다. 이 추가 스플릿부(ABSU)는 레이저빔 스플릿부(BSU)를 통과한 n개의 서브 레이저빔들 각각을 k개의 서브 레이저빔들로 스플릿하여 nXk개의 서브 레이저빔들을 방출한다. 도 6에서는 n=2이고 k=2인 경우를 도시하여, 레이저빔 스플릿부(BSU)를 통과한 2개의 서브 레이저빔들 각각을 2개의 서브 레이저빔들로 스플릿하여 4개의 서브 레이저빔들을 방출하는 것으로 도시하고 있다.
이를 위해 추가 스플릿부(ABSU)는 제2빔스플리터(BS2), 제5반사부(M5), 제3빔스플리터(BS3) 및 제6반사부(M6)를 포함할 수 있다. 이러한 추가 스플릿부(ABSU)는 도 6에 도시된 것과 같이 레이저빔 스플릿부(BSU)와 구별되는 별도의 구성요소일 수 있고, 경우에 따라서는 추가 스플릿부(ABSU)의 적어도 일부가 레이저빔 스플릿부(BSU)와 일체화될 수도 있다.
위상변조부(PMU)는 제1위상변조기 내지 제nXk위상변조기를 포함하고, 이 제1위상변조기 내지 제nXk위상변조기는 nXk개의 서브 레이저빔들의 광경로 상에 위치할 수 있다. 도 6에서는 위상변조부(PMU)가 제1위상변조기(PM1) 내지 제4위상변조기(PM4)의 4개의 위상변조기들을 구비하는 것으로 도시하고 있다.
이와 같이 마스터 레이저빔 방출부(MLE)와 슬레이브 레이저빔 방출부(SLE)에서 방출된 마스터 레이저빔(MLB)과 슬레이브 레이저빔(SLB)을 스플릿하고 일부 머지하고 이를 다시 스플릿한 후 위상변조기들을 통과시킨 후 레이저빔 머지부에서 이들을 머지함으로써, 최종적으로 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔의 산포가 매우 균일하도록 할 수 있다.
지금까지 설명한 레이저빔 어닐링 장치는 디스플레이 장치의 제조에 사용될 수 있으며, 그와 같은 디스플레이 장치 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다. 도 7은 그와 같은 제조방법에 의해 제조된 디스플레이 장치로서 유기발광 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
기판(110) 상에는 버퍼층(105), 게이트절연막(130), 층간절연막(150) 등과 같은 공통층이 기판(110)의 전면(全面)에 형성될 수 있고, 비정질실리콘영역(120)과 폴리실리콘영역(120a)을 포함하는 반도체층 역시 기판(110)의 전면(全面)에 형성될 수 있다. 또한, 반도체층의 폴리실리콘영역(120a)을 활성층으로 가지며 게이트전극(140), 소스전극(161) 및 드레인전극(162)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)가 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 물론 필요에 따라 비정질실리콘영역(120)은 존재하지 않고, 폴리실리콘영역(120a)만 존재하도록 할 수도 있다. 이는 비정질실리콘층을 모두 결정화시킨 후 이를 패터닝한 것일 수도 있고, 폴리실리콘영역의 적어도 일부만을 잔존시키고 나머지를 제거한 것일 수도 있다.
그리고 이러한 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(170)과, 보호막(170) 상에 위치하며 그 상면이 대략 평탄한 평탄화막(180)이 기판(110)의 전면에 형성될 수 있다. 이러한 평탄화막(180) 상에는 패터닝된 화소전극(210), 기판(110)의 전면에 대략 대응하는 대향전극(230), 그리고 화소전극(210)과 대향전극(230) 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 다층 구조의 중간층(220)을 포함하는, 유기발광소자(200)가 위치하도록 형성될 수 있다. 물론 중간층(220)은 도시된 것과 달리 일부 층은 기판(110)의 전면에 대략 대응하는 공통층일 수 있고, 다른 일부 층은 화소전극(210)에 대응하도록 패터닝된 패턴층일 수 있다. 화소전극(210)은 비아홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다. 물론 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 각 화소영역을 정의하는 개구를 갖는 화소정의막(190)이 기판(110)의 전면에 대략 대응하도록 평탄화막(180) 상에 형성될 수 있다.
이때, 폴리실리콘영역(120a)은 전술한 실시예들에 따른 레이저 어닐링 장치들에 의해 형성된 것일 수 있다.
이와 같은 구조의 유기발광 디스플레이 장치는 그 제조 중 레이저 어닐링 과정에서 균일한 산포의 고품질 레이저빔에 의해 비정질실리콘을 폴리실리콘으로 결정화시키기에, 고품질의 유기발광 디스플레이 장치의 제조수율을 향상시키고 제조시간을 단축할 수 있다.
물론 본 발명이 유기발광 디스플레이 장치에 국한되어 적용되는 것은 아니며, 예컨대 액정디스플레이 장치 등과 같이 폴리실리콘을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터를 갖는 디스플레이 장치라면 본 발명이 적용될 수 있는 범위에 속한다고 할 것이다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
MSLB1, MSLB2: 마스터 서브 레이저빔
SSLB1, SSLB2: 슬레이브 서브 레이저빔
PM1PM4 : 위상변조기M1M6 : 반사부
BS1, BS2, BS3: 빔스플리터

Claims (11)

  1. 마스터 레이저빔을 방출할 수 있는, 마스터 레이저빔 방출부;
    상기 마스터 레이저빔 방출부에서 방출된 마스터 레이저빔을 복수개의 마스터 서브 레이저빔들로 스플릿할 수 있는, 레이저빔 스플릿부;
    상기 레이저빔 스플릿부에 의해 스플릿된 복수개의 마스터 서브 레이저빔들 각각의 경로 상에 위치하여, 통과하는 레이저빔의 위상을 변조할 수 있는, 복수개의 위상변조기들; 및
    상기 복수개의 위상변조기들을 통과한 레이저빔들을 머지(merge)하는 레이저빔 머지부;
    를 구비하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    슬레이브 레이저빔을 방출할 수 있는 슬레이브 레이저빔 방출부를 더 구비하고, 상기 레이저빔 스플릿부는 상기 슬레이브 레이저빔 방출부에서 방출된 슬레이브 레이저빔을 복수개의 슬레이브 서브 레이저빔들로 스플릿할 수 있으며, 상기 레이저빔 스플릿부에 의해 스플릿된 복수개의 슬레이브 서브 레이저빔들은 상기 복수개의 위상변조기들을 통과하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레이저빔 스플릿부는, 상기 마스터 레이저빔 방출부에서 방출된 마스터 레이저빔을 n개의 마스터 서브 레이저빔들로 스플릿하고, 상기 슬레이브 레이저빔 방출부에서 방출된 슬레이브 레이저빔을 n개의 슬레이브 서브 레이저빔들로 스플릿하며, n개의 마스터 서브 레이저빔들과 n개의 슬레이브 서브 레이저빔들을 일대일로 대응시켜 머지하여 n개의 서브 레이저빔들을 방출하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수개의 위상변조기들은 제1위상변조기 내지 제n위상변조기를 포함하고, 상기 제1위상변조기 내지 상기 제n위상변조기는 n개의 서브 레이저빔들의 광경로 상에 위치하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 레이저빔 스플릿부를 통과한 n개의 서브 레이저빔들 각각을 k개의 서브 레이저빔들로 스플릿하여 nXk개의 서브 레이저빔들을 방출하는 추가 스플릿부를 더 구비하는, 레이저빔 어닐링 장치(K: 2 이상의 자연수).
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수개의 위상변조기들은 제1위상변조기 내지 제nXk위상변조기를 포함하고, 상기 제1위상변조기 내지 상기 제nXk위상변조기는 nXk개의 서브 레이저빔들의 광경로 상에 위치하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수개의 위상변조기들 중 적어도 하나는 레이저빔 통과 미디엄 및 상기 레이저빔 통과 미디엄을 진동시킬 수 있는 진동부를 구비하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 레이저빔 통과 미디엄은 사파이어 및 쿼츠 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 진동부는 피에조 액츄에이터를 포함하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수개의 위상변조기들 중 적어도 하나는 도브프리즘을 구비하는, 레이저빔 어닐링 장치.
  11. 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;
    비정질 실리콘층에 상기 제1항 내지 제6항 중 어느 한 레이저빔 어닐링 장치에서 방출되는 레이저빔을 조사하여 다결정 실리콘층으로 변환시키는 단계; 및
    디스플레이소자를 형성하는 단계;
    를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170085184A (ko) * 2016-01-13 2017-07-24 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7184703B2 (ja) * 2019-04-16 2022-12-06 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343737A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法とレーザアニール装置
KR20050072466A (ko) * 2002-11-05 2005-07-11 소니 가부시끼 가이샤 광조사장치
JP2008543576A (ja) * 2005-06-28 2008-12-04 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ レーザービームを用いた材料の穿孔および除去装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2555739B1 (fr) * 1980-11-07 1986-04-04 Thomson Csf Dispositif de mesure d'un dephasage non reciproque engendre dans un interferometre en anneau
JP3903761B2 (ja) * 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
TWI239936B (en) * 2004-02-27 2005-09-21 Au Optronics Corp Laser annealing apparatus and laser annealing method
CN1315163C (zh) * 2004-03-08 2007-05-09 友达光电股份有限公司 激光退火装置及其激光退火方法
KR20060064388A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법, 이를 갖는 표시장치 및표시장치의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343737A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法とレーザアニール装置
KR20050072466A (ko) * 2002-11-05 2005-07-11 소니 가부시끼 가이샤 광조사장치
JP2008543576A (ja) * 2005-06-28 2008-12-04 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ レーザービームを用いた材料の穿孔および除去装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170085184A (ko) * 2016-01-13 2017-07-24 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치

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