KR20150092667A - Chemical Vapor Deposition Apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a chemical vapor deposition apparatus which comprises: a susceptor supporting a substrate, wherein a heater generating heat is built in; a reaction chamber accommodating the susceptor; a shower head arranged in an upper portion of the reaction chamber to enable reaction gas to flow into the reaction chamber; and a spacer chamber arranged between the shower head and the susceptor to prevent a thin film from being deposited in the shower head in case of a baking process. Thus, after a deposition process on the substrate, a process by-product remaining inside the chamber is easily removed, and contamination of the shower head can be prevented.

Description

화학 기상 증착 장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus}[0001] Chemical Vapor Deposition Apparatus [0002]

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에 증착 공정 후 챔버 내부에 남아있는 공정 부산물을 간편하게 제거할 수 있는 화학 기장 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus capable of easily removing process by-products remaining in a chamber after a deposition process.

일반적으로 반도체 공정에 있어서 원하는 재료를 기판 상에 증착시키는 박막 증착 공정은 크게 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition: PVD) 공법과 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공법으로 구분된다.Generally, a thin film deposition process for depositing a desired material on a substrate in a semiconductor process is classified into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD).

여기서 CVD 공법은 공정 가스를 반응 챔버로 공급하여 열이나 플라즈마를 이용하여 공정 가스를 화학적으로 반응시켜 기판에 박막을 증착시키는 공법이다.In the CVD method, a process gas is supplied to a reaction chamber, and the process gas is chemically reacted with heat or plasma to deposit a thin film on the substrate.

화학 기상 증착 장치에 의해 형성된 금속 박막, 예를 들면 알루미늄(Al) 박막은 높은 단차 피복성(step coverage)을 갖고 양산성이 우수하여 반도체 소자를 제조하는 데 필수적으로 이용되고 있다.The metal thin film formed by the chemical vapor deposition apparatus, for example, an aluminum (Al) thin film has a high step coverage and is excellent in mass productivity and is thus used for manufacturing a semiconductor device.

이러한 CVD 공법에 의하여 기판에 박막을 형성할 때에는 주기적으로 반응 챔버 내부를 세정하여 사용한다. 반응 챔버 내부에 잔류하는 잔류물은 웨이퍼 가공시 파티클 소스(particle source)가 되기 때문이다. 특히, 최근 고집적 회로 제작에 적합하도록 설계된 저압 고밀도 플라즈마(plasma)를 이용한 설비들(예컨대 헬리콘, ECR, ICP(TCP) 및 SWP 등)은 공정 압력이 저압(수 mT 정도)이기 때문에 반응 챔버 내부의 오염은 공정 재현성에 심각한 문제를 유발할 수 있다.When the thin film is formed on the substrate by such a CVD method, the inside of the reaction chamber is periodically cleaned and used. This is because the residue remaining in the reaction chamber becomes a particle source during wafer processing. Particularly, facilities using low-pressure high-density plasma (for example, helicon, ECR, ICP (TCP) and SWP) recently designed to be suitable for the production of highly integrated circuits have a low process pressure (about several mT) Contamination can cause serious problems in process reproducibility.

반응 챔버의 세정은 플라즈마(plasma)를 이용하는 것이 통상적이다. Al 증착의 경우, 반응 챔버 내에 잔류하는 Al 잔류물을 제거하기 위하여 Al과 반응성이 좋은 염소(Cl) 기체 플라즈마를 이용한다. 한편, 플라즈마를 이용하여도 잔류물을 완전하게 제거하기는 어렵다. 따라서, 나머지 잔류물을 고온으로 가열하여 흡착력을 떨어뜨려 제거하는 고온 베이킹(baking) 공정이 필요하다.Cleaning of the reaction chamber is typically performed using plasma. In the case of Al deposition, a chlorine (Cl) gas plasma is used which is highly reactive with Al to remove Al residues remaining in the reaction chamber. On the other hand, it is difficult to completely remove the residue even by using plasma. Therefore, there is a need for a high-temperature baking process in which the remaining residues are heated to a high temperature to remove the adsorbing force.

특히, 반응 챔버 내부에 기판이 장착되는 서셉터 부근에는 많은 공정 부산물들이 부착되어 있는 경우가 많아 파티클 문제가 발생하므로 고온의 베이킹 공정이 필요하다.Particularly, in the vicinity of the susceptor in which the substrate is mounted in the reaction chamber, many process-by-products are often attached to the reaction chamber, which causes a problem of particles, and therefore a high-temperature baking process is required.

그런데, 이러한 반응 챔버 내에서의 베이킹 공정 시에 고온으로 가열된 잔류물들이 반응 챔버 상부에 마련되는 샤워 헤드에 부착되어 샤워 헤드가 오염되고 샤워 헤드에서 파티클 소스가 증가하는 문제가 있다.However, there is a problem that the residues heated to a high temperature in the baking step in the reaction chamber adhere to the showerhead provided in the upper part of the reaction chamber, so that the showerhead becomes contaminated and the particle source increases in the showerhead.

이에, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판에 증착 공정 후 챔버 내부에 남아있는 공정 부산물을 간편하게 제거하며 샤워 헤드의 오염을 방지할 수 있는 화학 기장 증착 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a chemical vapor deposition apparatus capable of easily removing process by-products remaining in a chamber after a vapor deposition process and preventing contamination of a showerhead do.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 열을 발생시키는 히터가 내장되며 기판을 지지하는 서셉터; 상기 서셉터를 수용하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 상부에 마련되어 반응 가스를 상기 반응 챔버 내부로 유입시키는 샤워 헤드; 및 상기 샤워 헤드와 상기 서셉터의 사이에 마련되어 베이킹 공정 시 상기 샤워 헤드에 박막이 증착되는 것을 방지하는 스페이서 챔버를 포함하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a susceptor having a heater for generating heat and supporting a substrate; A reaction chamber for accommodating the susceptor; A showerhead provided at an upper portion of the reaction chamber to introduce reaction gas into the reaction chamber; And a spacer chamber provided between the showerhead and the susceptor to prevent a thin film from being deposited on the showerhead during a baking process.

상기 스페이서 챔버는, 중심부에 중공이 형성되며 상기 샤워 헤드와 상기 반응 챔버 사이에 삽입 결합되는 플랜지; 상기 플랜지의 상기 중공을 덮도록 상기 플랜지에 장착되는 증착 방지 플레이트; 상기 증착 방지 플레이트와 상기 플랜지 사이에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시키는 제1 실링부재; 및 상기 플랜지와 상기 반응 챔버 사이에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시키는 제2 실링부재를 포함할 수 있다.Wherein the spacer chamber has a hollow at its center and is inserted and coupled between the showerhead and the reaction chamber; A vapor deposition plate mounted on the flange to cover the hollow of the flange; A first sealing member inserted between the deposition preventing plate and the flange to seal the space therebetween; And a second sealing member inserted between the flange and the reaction chamber to seal the space therebetween.

상기 증착 방지 플레이트는 질화붕소 또는 석영을 포함하여 형성될 수 있다.The deposition preventing plate may be formed of boron nitride or quartz.

상기 플랜지는, 내부에 냉각물질이 수용되는 공간이 형성되며 일측에 냉각물질주입구가 형성되고 타측에 냉각물질배출구가 형성될 수 있다.The flange may have a space in which a cooling material is received, a cooling material inlet may be formed at one side, and a cooling material outlet may be formed at the other side.

상기 스페이서 챔버는 상기 샤워 헤드와 상기 반응 챔버 사이에 설치 또는 설치 해제 가능하게 마련될 수 있다.The spacer chamber may be provided between the showerhead and the reaction chamber so as to be installed or uninstalled.

상기 화학 기상 증착 장치는, 상기 샤워 헤드와 연결되어 상기 샤워 헤드를 상기 반응 챔버로부터 분리 또는 결합되도록 상하 방향으로 이동시키는 이동부를 더 포함할 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus may further include a moving unit connected to the showerhead and moving the showerhead vertically so as to be separated from or coupled to the reaction chamber.

본 발명의 화학 기상 증착 장치에 따르면, 기판에 증착 공정 후 챔버 내부에 남아있는 공정 부산물을 간편하게 제거하며 샤워 헤드의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the chemical vapor deposition apparatus of the present invention, it is possible to easily remove the process by-products remaining in the chamber after the deposition process on the substrate, and to prevent contamination of the showerhead.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치 정면도이다.
도 2는 도 1의 스페이서 챔버의 사시도이다.
도 3은 도 3의 분해 사시도이다.
도 4는 도 1의 화학 기상 증착 장치의 내부 단면도이다.1 is a front view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view of the spacer chamber of Figure 1;
3 is an exploded perspective view of Fig.
4 is an internal cross-sectional view of the chemical vapor deposition apparatus of FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In addition, the preferred embodiments of the present invention will be described below, but it is needless to say that the technical idea of the present invention is not limited thereto and can be variously modified by those skilled in the art.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치 정면도이고, 도 2는 도 1의 스페이서 챔버의 사시도이며, 도 3은 도 3의 분해 사시도이고, 도 4는 도 1의 화학 기상 증착 장치의 내부 단면도이다.FIG. 1 is a front view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of the spacer chamber of FIG. 1, FIG. 3 is an exploded perspective view of FIG. Fig.

이러한 도 1 내지 도 4는, 본 발명을 개념적으로 명확히 이해하기 위하여, 주요 특징 부분만을 명확히 도시한 것이며, 그 결과 도해의 다양한 변형이 예상되며, 도면에 도시된 특정 형상에 의해 본 발명의 범위가 제한될 필요는 없다.1 to 4 clearly show only the main feature parts in order to clearly understand the present invention, and as a result various variations of the illustration are expected, and the scope of the present invention is not limited by the specific shapes shown in the drawings Need not be limited.

이들 도면을 참조하여 살펴보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(1)는, 반응 챔버(100), 서셉터(200), 샤워 헤드(300), 스페이서 챔버(400) 및 이동부(500)를 포함한다.The chemical vapor deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber 100, a susceptor 200, a showerhead 300, a spacer chamber 400, (500).

반응 챔버(100)는, 기판(W)에 박막이 증착되는 공정이 진행되는 공간이다. 기판(W)의 증착 공정 시 샤워 헤드(300)를 통하여 반응 챔버(100) 내부로 반응가스가 유입되어 기판(W)에 박막이 증착된다. 반응 챔버(100)의 하부에는 가스배출구(110)가 구비되고, 이를 통하여 반응 챔버(100) 내의 가스가 반응 챔버(100) 외부로 배출된다.The reaction chamber 100 is a space in which the process of depositing a thin film on the substrate W proceeds. The reaction gas is introduced into the reaction chamber 100 through the showerhead 300 during deposition of the substrate W to deposit a thin film on the substrate W. [ A gas outlet 110 is provided in the lower portion of the reaction chamber 100 to discharge the gas in the reaction chamber 100 to the outside of the reaction chamber 100.

반응 챔버(100) 내부에는 기판이 장착 지지되는 서셉터(200)가 마련된다. 서셉터(200)는, 기판이 장착 지지되는 기판지지대(210)와, 기판지지대(210)의 하부에 마련되어 열을 발생시키는 히터(220)를 포함한다. 기판지지대(210)는 기판(W)이 장착되어 증착 공정 시 기판(W)에 박막이 증착되며, 히터(220)는 증착 공정 시 기판지지대(210)를 공정 온도로 가열한다.In the reaction chamber 100, a susceptor 200 on which a substrate is mounted is supported. The susceptor 200 includes a substrate support 210 on which a substrate is mounted and supported and a heater 220 provided below the substrate support 210 to generate heat. The substrate support 210 is mounted with a substrate W and a thin film is deposited on the substrate W during the deposition process and the heater 220 heats the substrate support 210 to the process temperature during the deposition process.

샤워 헤드(300)는 반응 챔버(100)의 상부에 마련되어 반응가스를 반응 챔버(100) 내부로 유입시킨다. 샤워 헤드(300)의 일측에는 가스 주입구가 마련되어 이를 통하여 내부로 유입된 반응가스를 반응 챔버(100)로 이동시킨다.The showerhead 300 is provided at an upper portion of the reaction chamber 100 to introduce the reaction gas into the reaction chamber 100. A gas injection port is provided at one side of the shower head 300 to move the reaction gas introduced into the shower head 300 to the reaction chamber 100.

본 실시예의 화학 기상 증착 장치(1)는 기판에 박막을 형성하는 증착 공정 진행시 반응 챔버(100)의 상부에 샤워 헤드(300)가 직접 결합되어 샤워 헤드(300)로부터 반응가스가 반응 챔버(100) 내부로 유입되면서 증착 공정이 진행된다.In the chemical vapor deposition apparatus 1 of this embodiment, the showerhead 300 is directly coupled to the upper part of the reaction chamber 100 during the deposition process for forming a thin film on the substrate, and the reaction gas is supplied from the showerhead 300 to the reaction chamber 100, and the deposition process proceeds.

증착 공정이 반복하여 진행되면 반응 챔버(100) 내부에 공정 부산물이 부착되어 파티클 소스가 되는 문제점이 발생하므로, 고온의 베이킹(baking) 공정을 통하여 반응 챔버(100) 내부에 부착되어 있는 공정 부산물을 제거한다.When the deposition process is repeatedly performed, a problem arises that process by-products adhere to the inside of the reaction chamber 100 to become a particle source. Therefore, a process by-product adhered to the inside of the reaction chamber 100 through a high- Remove.

본 실시예의 화학 기상 증착 장치(1)에서는 베이킹 공정 진행 시 샤워 헤드(300)와 서셉터(200)의 사이에 스페이서 챔버(400)를 삽입 결합하여 샤워 헤드(300)에 박막이 증착되는 것을 방지한다.In the chemical vapor deposition apparatus 1 of this embodiment, the spacer chamber 400 is inserted between the shower head 300 and the susceptor 200 during the baking process to prevent the thin film from being deposited on the shower head 300 do.

도 2 및 도 3을 참조하면, 스페이서 챔버(400)는, 중심부에 중공이 형성되며 샤워 헤드(300)와 반응 챔버(100) 사이에 삽입 결합되는 플랜지(410)와, 플랜지(410)의 중공을 덮도록 플랜지(410)에 장착되는 증착 방지 플레이트(420)와, 증착 방지 플레이트(420)와 플랜지(410) 사이에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시키는 제1 실링부재(430)와, 플랜지(410)와 반응 챔버(100) 사이에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시키는 제2 실링부재(440)를 포함한다.2 and 3, the spacer chamber 400 includes a flange 410 formed with a hollow at its central portion and inserted and coupled between the showerhead 300 and the reaction chamber 100, A first sealing member 430 inserted between the deposition preventing plate 420 and the flange 410 to seal the space therebetween and a flange 410 interposed between the flange 410 and the flange 410, And a second sealing member 440 inserted between the reaction chamber 100 and the reaction chamber 100 to seal the space therebetween.

플렌지는 반응 챔버(100) 및 샤워 헤드(300)의 형상에 맞추어 이들과 대응되는 형상으로 마련되며, 본 실시예에서는 원형의 형상으로 마련되었다. 플랜지(410)는 상부에 샤워 헤드(300)와 밀착 결합되고 하부에는 반응 챔버(100)와 밀착 결합되도록 다양한 형상으로 마련될 수 있다.The flange is provided in a shape corresponding to the shapes of the reaction chamber 100 and the shower head 300, and is formed in a circular shape in this embodiment. The flange 410 may be formed in various shapes such that the flange 410 is tightly coupled to the shower head 300 at the upper portion thereof and is closely coupled to the reaction chamber 100 at the lower portion thereof.

증착 방지 플레이트(420)는 플랜지(410)의 중공을 덮도록 플랜지(410) 중공의 가장자리에 형성되는 단차부에 장착된다. 증착 방지 플레이트(420)는 반응 챔버(100) 내에서 공정 잔류물을 제거하는 베이킹 공정시 가열된 잔류물들이 반응 챔버(100) 상부로 상승하는 경우 잔류물을 흡착함으로써 샤워 헤드(300)에 잔류물이 부착되는 것을 방지한다.The anti-deposition plate 420 is mounted on a step formed at the edge of the hollow of the flange 410 so as to cover the hollow of the flange 410. The deposition preventive plate 420 is configured to adsorb residues when the heated residues rise above the reaction chamber 100 in the baking process for removing the process residues in the reaction chamber 100, Prevent water from adhering.

증착 방지 플레이트(420)는 질화붕소 또는 석영을 포함하여 형성된다. 즉, 증착 방지 플레이트(420)의 외표면에는 질화붕소 또는 석영층이 마련되어 가열된 공정 잔류물(예를 들면, Al)들이 증착 방지 플레이트(420)에 쉽게 증착될 수 있다.The anti-deposition plate 420 is formed of boron nitride or quartz. That is, a boron nitride or quartz layer may be provided on the outer surface of the deposition preventing plate 420 to easily deposit heated process residues (e.g., Al) on the deposition preventing plate 420.

제1 실링부재(430)는 증착 방지 플레이트(420)가 플랜지(410)에 결합되는 부위에 삽입되어 증착 방지 플레이트(420)와 플랜지(410) 사이 공간을 밀폐시킨다. 이로인하여 베이킹 공정시 가열된 잔류물이 증착 방지 플레이트(420)와 플랜지(410) 사이 공간을 통하여 샤워 헤드(300)로 이동되는 것이 방지된다.The first sealing member 430 is inserted into a portion where the deposition preventing plate 420 is coupled to the flange 410 to seal the space between the deposition preventing plate 420 and the flange 410. This prevents the heated residue in the baking process from moving to the showerhead 300 through the space between the deposition preventing plate 420 and the flange 410.

제2 실링부재(440)는 플랜지(410)와 반응 챔버(100) 사이의 결합면에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시킨다. 제2 실링부재(440)는 다양한 소재의 가스켓(gasket)으로 마련될 수 있다. 제2 실링부재(440)에 의하여 반응 챔버(100) 내부의 가스가 플랜지(410)와 반응 챔버(100) 사이의 틈새로 새어나가는 것을 방지할 수 있다.The second sealing member 440 is inserted into the coupling surface between the flange 410 and the reaction chamber 100 to seal the space therebetween. The second sealing member 440 may be a gasket of various materials. The gas inside the reaction chamber 100 can be prevented from leaking into the gap between the flange 410 and the reaction chamber 100 by the second sealing member 440.

한편, 본 실시예의 플랜지(410)는, 내부에 냉각물질이 수용되는 공간이 형성되며 일측에 냉각물질주입구(411)가 형성되고 타측에 냉각물질배출구(412)가 형성된다. 베이킹 공정 시 반응 챔버(100) 내부는 고온이 되므로 플랜지(410) 내부를 유동하는 냉각물질에 의하여 플랜지(410) 및 증착 방지 플레이트(420)가 냉각되어 반응 챔버(100) 내부의 잔류물이 증착 방지 플레이트(420)에 용이하게 부착될 수 있다.In the meantime, the flange 410 of the present embodiment has a space in which a cooling material is received, a cooling material inlet 411 is formed on one side, and a cooling material outlet 412 is formed on the other side. The flange 410 and the deposition preventing plate 420 are cooled by the cooling material flowing in the flange 410 to deposit the residue inside the reaction chamber 100. As a result, And can be easily attached to the prevention plate 420.

본 실시예의 화학 기상 증착 장치(1)에서, 스페이서 챔버(400)는 샤워 헤드(300)와 반응 챔버(100) 사이에 설치 또는 설치 해제 가능하게 마련된다. 즉, 반응 챔버(100) 내에서 증착 공정이 진행되는 경우에는 스페이서 챔버(400)가 제거되어 일반적인 화학 기상 증착 장치(1)로서 증착 공정이 실행되고, 반응 챔버(100) 내에서 공정 부산물을 제거하기 위한 베이킹 공정을 수행하고자 할 때에는 샤워 헤드(300)와 반응 챔버(100) 사이에 스페이서 챔버(400)를 삽입 설치한 후 베이킹 공정을 수행한다.In the chemical vapor deposition apparatus 1 of this embodiment, the spacer chamber 400 is provided between the showerhead 300 and the reaction chamber 100 so as to be installed or uninstalled. That is, when the deposition process is performed in the reaction chamber 100, the spacer chamber 400 is removed, and the deposition process is performed as a general chemical vapor deposition apparatus 1, and the process by-products are removed in the reaction chamber 100 The spacer chamber 400 is inserted between the shower head 300 and the reaction chamber 100, and then a baking process is performed.

스페이서 챔버(400)의 삽입 설치 또는 설치 해제를 위하여, 샤워 헤드(300)를 상하 방향으로 이동시키는 이동부(500)가 마련된다. 이동부(500)는, 샤워 헤드(300)와 연결되어 샤워 헤드(300)를 반응 챔버(100)로부터 분리 또는 결합되도록 상하 방향으로 이동시킨다. 이동부(500)는 반응 챔버(100)의 양측에 마련되는 지지로드에 상하 방향으로 슬라이딩 이동 가능하게 마련되며, 샤워 헤드(300)의 상면에 연결되어 샤워 헤드(300)와 일체로 이동된다.A moving part 500 for vertically moving the shower head 300 is provided to insert or uninstall the spacer chamber 400. The moving part 500 is connected to the shower head 300 to move the shower head 300 in the vertical direction so as to be separated from or coupled to the reaction chamber 100. The moving part 500 is vertically slidable on the support rods provided on both sides of the reaction chamber 100 and connected to the upper surface of the shower head 300 to move integrally with the shower head 300.

이러한 구성을 갖는 화학 기상 증착 장치(1)의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.The operation of the chemical vapor deposition apparatus 1 having such a configuration will be described below.

기판에 박막을 증착시키는 증착 공정시에는 샤워 헤드(300)가 반응 챔버(100)에 직접 연결되어 반응 챔버(100) 내부에서 기판(W)에 박막 증착 공정이 수행된다. 이때 서셉터(200)의 히터(220)는 기판에 증착이 이루어지도록 기판지지대(210)를 공정 온도로 가열한다. 알루미늄(Al) 증착 공정시 공정 온도는 약 1300도 정도이다.The showerhead 300 is directly connected to the reaction chamber 100 to perform a thin film deposition process on the substrate W in the reaction chamber 100. [ At this time, the heater 220 of the susceptor 200 heats the substrate support 210 to the process temperature so that deposition is performed on the substrate. In the aluminum (Al) deposition process, the process temperature is about 1300 degrees.

증착 공정이 수회 진행되어 반응 챔버(100) 내부, 특히 기판지지대(210) 부근에 공정 잔류물들이 부착된 경우에는 잔류물들을 제거하기 위하여 베이킹 공정을 수행한다.If the deposition process is repeated several times and the process residues adhere to the inside of the reaction chamber 100, particularly, the substrate support 210, a baking process is performed to remove the residues.

베이킹 공정시에는 샤워 헤드(300)를 이동부(500)에 의하여 상방으로 이동시킨 후 샤워 헤드(300)와 반응 챔버(100) 사이에 스페이서 챔버(400)를 삽입한다. 스페이서 챔버(400) 삽입 후 이동부(500)에 의하여 샤워 헤드(300)를 하방으로 이동시켜 스페이서 챔버(400)가 샤워 헤드(300) 및 반응 챔버(100)에 밀착시킨다.The shower head 300 is moved upward by the moving part 500 and then the spacer chamber 400 is inserted between the shower head 300 and the reaction chamber 100 during the baking process. After the spacer chamber 400 is inserted, the shower head 300 is moved downward by the moving part 500 to bring the spacer chamber 400 into close contact with the showerhead 300 and the reaction chamber 100.

스페이서 챔버(400)가 장착된 상태에서 서셉터(200)의 히터(220)를 작동하여 기판지지대(210)를 약 1350도 정도로 가열하여 베이킹 공정을 수행한다.The heater 220 of the susceptor 200 is operated in a state where the spacer chamber 400 is mounted to heat the substrate support 210 to about 1350 degrees to perform the baking process.

베이킹 공정 수행시 반응 챔버(100) 내부에 부착된 잔류물들은 상부로 이동되어 스페이서 챔버(400)의 증착 방지 플레이트(420)에 부착된다.The residues adhered to the inside of the reaction chamber 100 during the baking process are moved upward and attached to the deposition prevention plate 420 of the spacer chamber 400.

베이킹 공정에 의하여 반응 챔버(100) 내부의 잔류물들이 제거되면 다시 스페이서 챔버(400)를 제거하고 반응 챔버(100) 내부에서 증착 공정을 수행할 수 있다.When the residues in the reaction chamber 100 are removed by the baking process, the spacer chamber 400 may be removed and the deposition process may be performed inside the reaction chamber 100.

이와 같이, 본 발명의 화학 기상 증착 장치(1)에 의하면, 기판에 증착 공정 후 챔버 내부에 남아있는 공정 부산물을 간편하게 제거하며 샤워 헤드(300)의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the chemical vapor deposition apparatus 1 of the present invention, it is possible to easily remove the process by-products remaining in the chamber after the deposition process on the substrate, and to prevent contamination of the shower head 300.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

1 : 화학 기상 증착 장치
100 : 반응 챔버
200 : 서셉터
210 : 기판지지대
220 : 히터
300 : 샤워 헤드
400 : 스페이서 챔버
410 : 플랜지
420 : 증착 방지 플레이트
430 : 제1 실링부재
440 : 제2 실링부재
500 : 이동부1: chemical vapor deposition apparatus
100: reaction chamber
200: susceptor
210: substrate support
220: heater
300: Shower head
400: spacer chamber
410: Flange
420: deposition prevention plate
430: first sealing member
440: second sealing member
500:

Claims (6)

열을 발생시키는 히터가 내장되며 기판을 지지하는 서셉터;
상기 서셉터를 수용하는 반응 챔버;
상기 반응 챔버의 상부에 마련되어 반응 가스를 상기 반응 챔버 내부로 유입시키는 샤워 헤드; 및
상기 샤워 헤드와 상기 서셉터의 사이에 마련되어 베이킹 공정 시 상기 샤워 헤드에 박막이 증착되는 것을 방지하는 스페이서 챔버를 포함하는 화학 기상 증착 장치.A susceptor having a heater for generating heat and supporting the substrate;
A reaction chamber for accommodating the susceptor;
A showerhead provided at an upper portion of the reaction chamber to introduce reaction gas into the reaction chamber; And
And a spacer chamber provided between the showerhead and the susceptor to prevent a thin film from being deposited on the showerhead during a baking process. 제1항에 있어서,
상기 스페이서 챔버는,
중심부에 중공이 형성되며 상기 샤워 헤드와 상기 반응 챔버 사이에 삽입 결합되는 플랜지;
상기 플랜지의 상기 중공을 덮도록 상기 플랜지에 장착되는 증착 방지 플레이트;
상기 증착 방지 플레이트와 상기 플랜지 사이에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시키는 제1 실링부재; 및
상기 플랜지와 상기 반응 챔버 사이에 삽입되어 그 사이 공간을 밀폐시키는 제2 실링부재를 포함하는 화학 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the spacer chamber comprises:
A flange having a central hollow formed therein and inserted between the showerhead and the reaction chamber;
A vapor deposition plate mounted on the flange to cover the hollow of the flange;
A first sealing member inserted between the deposition preventing plate and the flange to seal the space therebetween; And
And a second sealing member inserted between the flange and the reaction chamber to seal the space therebetween. 제2항에 있어서,
상기 증착 방지 플레이트는 질화붕소 또는 석영을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the deposition preventing plate is formed of boron nitride or quartz. 제2항에 있어서,
상기 플랜지는,
내부에 냉각물질이 수용되는 공간이 형성되며 일측에 냉각물질주입구가 형성되고 타측에 냉각물질배출구가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.3. The method of claim 2,
The flange
Wherein a space in which a cooling material is accommodated is formed in the inside, a cooling material inlet is formed in one side, and a cooling material outlet is formed in the other side. 제1항에 있어서,
상기 스페이서 챔버는 상기 샤워 헤드와 상기 반응 챔버 사이에 설치 또는 설치 해제 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the spacer chamber is provided to be installed or uninstalled between the showerhead and the reaction chamber. 제1항에 있어서,
상기 샤워 헤드와 연결되어 상기 샤워 헤드를 상기 반응 챔버로부터 분리 또는 결합되도록 상하 방향으로 이동시키는 이동부를 더 포함하는 화학 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
And a moving part connected to the showerhead and moving the showerhead vertically so as to be separated from or coupled to the reaction chamber.
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