KR20150090635A

KR20150090635A - Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same

Info

Publication number: KR20150090635A
Application number: KR1020140011525A
Authority: KR
Inventors: 김재경; 최만섭; 임재익; 최해윤
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-01-29
Filing date: 2014-01-29
Publication date: 2015-08-06

Abstract

Disclosed are an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof. The organic light emitting display device according to one embodiment of the present invention includes a substrate, a first electrode which is arranged on the substrate, a pixel defining layer which is arranged on the substrate and the first electrode and exposes the center part of the first electrode, an intermediate layer which is arranged on the first electrode and includes an organic light emitting layer, and a second electrode which is arranged on the intermediate layer. The pixel defining layer includes a plurality of inorganic layers. The inorganic layers form a step on the opening part.

Description

[0001] The present invention relates to an organic light-emitting display device and a method of manufacturing the same,

본 발명의 실시예들은 유기발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

유기발광표시장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기발광층을 포함하는 유기발광소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.The organic light emitting display includes a hole injecting electrode, an electron injecting electrode, and an organic light emitting element including an organic light emitting layer formed therebetween, wherein holes injected from the hole injecting electrode and electrons injected from the electron injecting electrode are injected into the organic light emitting layer Emitting type display device in which excitons generated in association with each other drop from an excited state to a ground state to generate light.

자발광형 표시장치인 유기발광표시장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.Since an organic light emitting display device which is a self-emission type display device does not require a separate light source, it can be driven at a low voltage and can be configured as a light and thin type. Due to its high quality characteristics such as wide viewing angle, high contrast, It is attracting attention as a next generation display device.

본 발명의 실시예들은 유기발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention provide an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는,An organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes:

기판;Board;

상기 기판 상에 배치되는 제1 전극;A first electrode disposed on the substrate;

상기 기판 및 상기 제1 전극 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 중심 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 화소정의막;A pixel defining layer disposed on the substrate and the first electrode, the pixel defining layer having an opening exposing a center portion of the first electrode;

상기 제1 전극 상에 배치되며, 유기발광층을 포함하는 중간층; 및An intermediate layer disposed on the first electrode, the intermediate layer including an organic light emitting layer; And

상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극;을 포함하며,And a second electrode disposed on the intermediate layer,

상기 화소정의막은 복수의 무기층을 포함하고, 상기 복수의 무기층은 상기 개구부에서 단차를 형성한다.The pixel defining layer includes a plurality of inorganic layers, and the plurality of inorganic layers form a step in the opening.

일 실시예에 있어서, 상기 화소정의막은 상기 복수의 무기층 상에 적어도 하나의 유기층을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 유기층은 상기 복수의 무기층과 단차를 형성할 수 있다.In one embodiment, the pixel defining layer may further include at least one organic layer on the plurality of inorganic layers, and the at least one organic layer may form a step with the plurality of inorganic layers.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층은,제1 무기층, 제2 무기층, 및 제3 무기층이 순차적으로 적층된 구조를 포함하며, 상기 개구부에서의 상기 제2 무기층의 측면 경사도는 상기 제1 무기층 및 상기 제3 무기층의 측면 경사도와는 상이할 수 있다.In one embodiment, the plurality of inorganic layers includes a structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially laminated, and the side inclination of the second inorganic layer in the opening May be different from the side inclination of the first inorganic layer and the third inorganic layer.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층은, 제1 무기층, 제2 무기층, 및 제3 무기층이 순차적으로 적층된 구조를 포함하며, 상기 개구부에서 상기 제1 무기층 및 제2 무기층은 단차를 형성할 수 있다.In one embodiment, the plurality of inorganic layers includes a structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially laminated, wherein the first inorganic layer and the second inorganic layer The layer can form a step.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층은 고굴절률층과 저굴절률층이 교번적으로 적층될 수 있다.In one embodiment, the plurality of inorganic layers may be alternately laminated with a high refractive index layer and a low refractive index layer.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층의 각각의 굴절률은 상기 중간층의 굴절률보다 작을 수 있다.In one embodiment, the refractive index of each of the plurality of inorganic layers may be smaller than the refractive index of the intermediate layer.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층의 두께는 상기 중간층의 두께보다 클 수 있다.In one embodiment, the thickness of the plurality of inorganic layers may be greater than the thickness of the intermediate layer.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층은 SiO 계열의 무기층과 SiON 계열의 무기층이 교번적으로 적층될 수 있다.In one embodiment, the plurality of inorganic layers may be formed by alternately stacking an SiO-based inorganic layer and an SiON-based inorganic layer.

본 발명의 일 실시예에 따르는 유기발광표시장치의 제조방법은, A method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes:

기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the substrate;

상기 기판 및 상기 제1 전극 상에 형성되며, 상기 제1 전극의 중심 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 화소정의막을 형성하는 단계;Forming a pixel defining layer on the substrate and the first electrode, the pixel defining layer having an opening exposing a center portion of the first electrode;

상기 제1 전극 상에 유기발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및Forming an intermediate layer including an organic light emitting layer on the first electrode; And

상기 중간층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,And forming a second electrode on the intermediate layer,

상기 화소정의막은 복수의 무기층을 포함하고, 상기 복수의 무기층은 상기 개구부에서 단차를 형성할 수 있다.The pixel defining layer includes a plurality of inorganic layers, and the plurality of inorganic layers can form a step in the opening.

일 실시예에 있어서, 상기 화소정의막을 형성하는 단계는, 상기 기판 및 상기 제1 전극 상에 복수의 무기층을 적층하는 단계; 상기 복수의 무기층에 상기 제1 전극을 노출시키는 제1 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 개구부의 측면에 단차를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the forming of the pixel defining layer may include: stacking a plurality of inorganic layers on the substrate and the first electrode; Forming a first opening in the plurality of inorganic layers to expose the first electrode; And forming a step on a side surface of the first opening.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 개구부는 복수의 무기층을 일괄적으로 식각하여 형성할 수 있다.In one embodiment, the first opening may be formed by collectively etching a plurality of inorganic layers.

일 실시예에 있어서, 상기 단차는 상기 복수의 무기층을 선택적으로 식각하여 형성할 수 있다.In one embodiment, the step may be formed by selectively etching the plurality of inorganic layers.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층은, 제1 무기층, 제2 무기층, 및 제3 무기층이 순차적으로 적층된 구조를 포함하며, 선택적 식각 공정에 대한 상기 제1 무기층과 제2 무기층의 선택적 식각비는 1:10 내지 1:30일 수 있다.In one embodiment, the plurality of inorganic layers include a structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially stacked, and the first inorganic layer and the second inorganic layer 2 inorganic layer may be from 1:10 to 1:30.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 무기층은, 제1 무기층, 제2 무기층, 및 제3 무기층이 순차적으로 적층된 구조를 포함하며, 상기 개구부에서의 상기 제2 무기층의 측면 경사도는 상기 제1 무기층 및 상기 제3 무기층의 측면 경사도와는 상이할 수 있다.In one embodiment, the plurality of inorganic layers includes a structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially laminated, and the side inclination of the second inorganic layer in the opening May be different from the side inclination of the first inorganic layer and the third inorganic layer.

일 실시예에 있어서, 상기 화소정의막을 형성하는 단계는, 상기 복수의 무기층 상에 적어도 하나의 유기층을 도포하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 유기층을 감광하여 상기 제1 전극을 노출시키는 제2 개구부를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the forming of the pixel defining layer may include: applying at least one organic layer on the plurality of inorganic layers; And forming a second opening exposing the first electrode by exposing the at least one organic layer.

일 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 유기층은 상기 복수의 무기층과 단차를 형성할 수 있다.In one embodiment, the at least one organic layer may form a step with the plurality of inorganic layers.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 의한 유기발광표시장치는 단차를 형성하고 있는 복수의 무기막을 포함하고 있어, 광효율이 향상될 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention includes a plurality of inorganic films forming a step, so that light efficiency can be improved.

도 1 은 본 개시의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 도시한 단면도이다.
도 2 는 본 개시의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1 또는 도 2에 도시된 I 부분의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g 는 도 3의 유기발광표시장치의 일 실시예에 따른 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present disclosure.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing one embodiment of the portion I shown in FIG. 1 or FIG. 2. FIG.
4A to 4G are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing method according to an embodiment of the OLED display of FIG.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. In the following embodiments, the terms first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one element from another element, rather than limiting.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as inclusive or possessive are intended to mean that a feature, or element, described in the specification is present, and does not preclude the possibility that one or more other features or elements may be added.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위"에 또는 "상"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part of a film, an area, a component or the like is referred to as being "above" or "above" another part, Elements and the like are interposed.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

도 1 및 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치(1, 2)를 도시한 단면도이다.1 and 2 are sectional views showing an organic light emitting display device 1, 2 according to an embodiment of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 유기발광표시장치(1)는 기판(21) 상에 마련된 유기발광부(22)와 유기발광부(22)를 밀봉하는 밀봉기판(23)을 포함한다.1, an organic light emitting diode display 1 includes an organic light emitting portion 22 provided on a substrate 21 and a sealing substrate 23 sealing the organic light emitting portion 22.

밀봉기판(23)은 투명한 부재로 마련되어 유기발광부(22)로부터의 화상이 구현될 수 있도록 하고, 유기발광부(22)로 산소 및 수분이 침투하는 것을 막는 역할을 할 수 있다.The sealing substrate 23 is provided as a transparent member so that an image from the organic light emitting portion 22 can be realized and can prevent oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting portion 22. [

기판(21)과 밀봉기판(23)은 그 가장자리가 밀봉재(24)에 의해 결합되어 기판(21)과 밀봉기판(23) 사이의 내부공간(25)이 밀봉된다. 상기 내부공간(25)에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.The substrate 21 and the sealing substrate 23 are joined at their edges by the sealing material 24 so that the internal space 25 between the substrate 21 and the sealing substrate 23 is sealed. A moisture absorbent, a filler, or the like may be disposed in the inner space 25.

도 2를 참조하면, 유기발광표시장치(2)는 기판(21) 상에 형성된 유기발광부(22)와 유기발광부(22)를 밀봉하는 밀봉필름(26)을 포함한다. 2, the organic light emitting diode display 2 includes an organic light emitting portion 22 formed on a substrate 21 and a sealing film 26 sealing the organic light emitting portion 22.

도 2의 유기발광표시장치(2)는 도 1의 밀봉기판(23) 대신에 박막의 밀봉필름(26)을 구비한다는 점에서 차이가 있다. 밀봉필름(26)은 유기발광부(22)를 덮어 유기발광부(22)를 외기로부터 보호할 수 있다. 예를 들어, 밀봉필름(26)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 무기밀봉층과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 유기밀봉층이 교대로 성막된 구조를 취할 수 있다. The organic light emitting display device 2 of FIG. 2 differs from the sealing substrate 23 of FIG. 1 in that it has a thin sealing film 26 instead of the sealing substrate 23 of FIG. The sealing film 26 can cover the organic light emitting portion 22 and protect the organic light emitting portion 22 from the outside air. For example, the sealing film 26 may have a structure in which an inorganic sealing layer made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, and an organic sealing layer made of an organic material such as epoxy or polyimide are alternately formed.

상기 무기밀봉층 또는 상기 유기밀봉층은 각각 복수 개일 수 있다.Each of the inorganic sealing layer and the organic sealing layer may be plural.

상기 유기밀봉층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기밀봉층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO(2,4,6-Trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphineoxide)와 같은 공지의 광개시제가 더 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The organic sealing layer may be a single layer or a laminated layer formed of a polymer and preferably formed of any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, epoxy, polyethylene and polyacrylate. More preferably, the organic sealing layer may be formed of a polyacrylate, and specifically, a monomer composition containing a diacrylate monomer and a triacrylate monomer may be polymerized. The monomer composition may further include a monoacrylate monomer. Further, a known photoinitiator such as TPO (2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphineoxide) may be further added to the monomer composition, but the present invention is not limited thereto.

상기 무기밀봉층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al₂O₃, SiO₂, TiO₂ 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The inorganic sealing layer may be a single film or a laminated film containing a metal oxide or a metal nitride. Specifically, the inorganic layer may comprise any one of _{_{SiNx, Al 2 O 3, SiO}} 2, TiO 2.

상기 밀봉필름(26) 중 외부로 노출된 최상층은 유기발광소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기밀봉층으로 형성될 수 있다.The uppermost layer exposed to the outside of the sealing film 26 may be formed of an inorganic sealing layer to prevent moisture permeation to the organic light emitting device.

상기 밀봉필름(26)은 적어도 2개의 무기밀봉층 사이에 적어도 하나의 유기밀봉층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 밀봉필름(26)은 적어도 2개의 유기밀봉층 사이에 적어도 하나의 무기밀봉층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.The sealing film 26 may include at least one sandwich structure in which at least one organic sealing layer is interposed between at least two inorganic sealing layers. In addition, the sealing film 26 may include at least one sandwich structure in which at least one inorganic sealing layer is interposed between at least two organic sealing layers.

상기 밀봉필름(26)은 상기 유기발광부(22)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기밀봉층, 제1 유기밀봉층, 제2 무기밀봉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 밀봉필름(26)은 상기 유기발광부(22)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기밀봉층, 제1 유기밀봉층, 제2 무기밀봉층, 제2 유기밀봉층, 제3 무기밀봉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 밀봉필름(26)은 상기 유기발광부(22)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기밀봉층, 제1 유기밀봉층, 제2 무기밀봉층, 제2 유기밀봉층, 제3 무기밀봉층, 제3 유기밀봉층, 제4 무기밀봉층을 포함할 수 있다.The sealing film 26 may include a first inorganic sealing layer, a first organic sealing layer, and a second inorganic sealing layer sequentially from the top of the organic light emitting portion 22. The sealing film 26 is sequentially formed from the top of the organic light emitting portion 22 by a first inorganic sealing layer, a first organic sealing layer, a second inorganic sealing layer, a second organic sealing layer, . &Lt; / RTI > The sealing film 26 is sequentially formed from the top of the organic light emitting portion 22 by a first inorganic sealing layer, a first organic sealing layer, a second inorganic sealing layer, a second organic sealing layer, , A third organic sealing layer, and a fourth inorganic sealing layer.

상기 유기발광부(22)와 상기 제1 무기밀봉층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제1 무기밀봉층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 유기발광부(22)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. A halogenated metal layer including LiF may be further included between the organic light emitting portion 22 and the first inorganic sealing layer. The metal halide layer can prevent the organic light emitting portion 22 from being damaged when the first inorganic sealing layer is formed by a sputtering method or a plasma deposition method.

상기 제1 유기밀봉층은 상기 제2 무기밀봉층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기밀봉층도 상기 제3 무기밀봉층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 유기밀봉층은 상기 제2 무기밀봉층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기밀봉층도 상기 제3 무기밀봉층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.The first organic sealing layer is smaller in area than the second inorganic sealing layer, and the second organic sealing layer may be narrower than the third inorganic sealing layer. Further, the first organic sealing layer is completely covered by the second inorganic sealing layer, and the second organic sealing layer may be completely covered by the third inorganic sealing layer.

다른 예로 밀봉필름(26)은 주석산화물(SnO)과 같은 저융점 유리(low melting glass)를 포함하는 막 구조를 취할 수 있다. 한편, 이는 예시적인 것에 불과하여 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.As another example, the sealing film 26 may have a film structure including a low melting glass such as tin oxide (SnO). On the other hand, this is merely exemplary and is not necessarily limited thereto.

도 3은 도 1 또는 도 2에 도시된 I 부분의 일 실시예를 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view showing one embodiment of the portion I shown in FIG. 1 or FIG. 2. FIG.

도 3을 참조하면, 유기발광표시장치는 기판(21), 유기발광소자(OLED), 및 복수의 무기층을 포함하는 화소정의막(225)를 포함한다. 또한, 유기발광표시장치는 버퍼막(211), 박막트랜지스터(TR), 평탄화막(218)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the OLED display includes a substrate 21, an organic light emitting diode (OLED), and a pixel defining layer 225 including a plurality of inorganic layers. The organic light emitting display device may further include a buffer film 211, a thin film transistor TR, and a planarization film 218.

기판(21)은 SiO₂를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 마련될 수 있다. 기판(21)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 세라믹재, 투명한 플라스틱재 또는 금속재 등, 다양한 재질의 기판을 이용할 수 있다.The substrate 21 may be made of a transparent glass material having SiO ₂ as a main component. The substrate 21 is not limited thereto, and various substrates such as a ceramic material, a transparent plastic material, or a metal material can be used.

버퍼막(211)은 기판(21) 상면에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼막(211)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물 또는 이들의 적층체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼막(211)은 필수 구성요소는 아니며, 필요에 따라서는 구비되지 않을 수도 있다. 버퍼막(211)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.The buffer film 211 prevents impurity ions from diffusing on the upper surface of the substrate 21, prevents penetration of moisture or outside air, and can flatten the surface. In some embodiments, the buffer film 211 is formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, or titanium nitride, or an inorganic material such as polyimide, An organic material or a laminate thereof. The buffer film 211 is not an essential component and may not be provided if necessary. The buffer layer 211 may be formed by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), and low pressure CVD (LPCVD).

박막트랜지스터(TR)는 활성층(212), 게이트전극(214), 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)으로 구성된다. 게이트전극(214)과 활성층(212) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 게이트절연막(213)이 개재되어 있다. The thin film transistor TR is composed of an active layer 212, a gate electrode 214, a source electrode 216 and a drain electrode 217. A gate insulating film 213 for insulating therebetween is interposed between the gate electrode 214 and the active layer 212.

활성층(212)은 버퍼막(211) 상에 마련될 수 있다. 활성층(212)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly silicon)과 같은 무기 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 활성층(212)는 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. The active layer 212 may be provided on the buffer film 211. The active layer 212 may be an inorganic semiconductor such as amorphous silicon or poly silicon, or an organic semiconductor. In some embodiments, the active layer 212 may be formed of an oxide semiconductor. For example, the oxide semiconductor may be a Group 12, 13, or Group 14 metal such as Zn, In, Ga, Cd, Ge, &Lt; / RTI > elements and combinations thereof.

게이트절연막(213)은 버퍼막(211) 상에 마련되어 상기 활성층(212)을 덮고, 게이트절연막(213) 상에 게이트전극(214)이 형성된다. The gate insulating film 213 is provided on the buffer film 211 to cover the active layer 212 and a gate electrode 214 is formed on the gate insulating film 213.

게이트전극(214)을 덮도록 게이트절연막(213) 상에 층간절연막(215)이 형성되고, 이 층간절연막(215) 상에 소스 전극(216)과 드레인 전극(217)이 형성되어 각각 활성층(212)과 콘택 홀을 통해 콘택된다. An interlayer insulating film 215 is formed on the gate insulating film 213 so as to cover the gate electrode 214. A source electrode 216 and a drain electrode 217 are formed on the interlayer insulating film 215 to form active layers 212 ) And the contact hole.

상기와 같은 박막트랜지스터(TR)의 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태의 박막트랜지스터의 구조가 적용 가능하다. 예를 들면, 상기 박막트랜지스터(TR)는 탑 게이트 구조로 형성된 것이나, 게이트전극(214)이 활성층(212) 하부에 배치된 바텀 게이트 구조로 형성될 수도 있다.The structure of the thin film transistor TR is not limited thereto, and various types of thin film transistor structures are applicable. For example, the thin film transistor TR may have a top gate structure, or may have a bottom gate structure in which a gate electrode 214 is disposed under the active layer 212.

상기 박막트랜지스터(TR)와 함께 커패시터를 포함하는 픽셀 회로(미도시)가 형성될 수 있다.A pixel circuit (not shown) including a capacitor together with the thin film transistor TR may be formed.

평탄화막(218)은 상기 박막트랜지스터(TR)을 덮으며, 층간절연막(215) 상에 구비된다. 평탄화막(218)은 그 위에 형성될 유기발광소자(OLED)의 발광효율을 높이기 위해 막의 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 평탄화막(218)은 드레인 전극(217)의 일부를 노출시키는 관통홀(208)을 가질 수 있다.The planarizing film 218 covers the thin film transistor TR and is provided on the interlayer insulating film 215. The planarization film 218 may serve to eliminate the planarization of the film and to planarize the planarization film 218 in order to increase the luminous efficiency of the organic light emitting device OLED to be formed thereon. In addition, the planarization film 218 may have a through hole 208 exposing a part of the drain electrode 217.

평탄화막(218)은 절연체로 구비될 수 있다. 예를 들면, 평탄화막(218)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 평탄화막(218)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.The planarizing film 218 may be formed of an insulator. For example, the planarization film 218 may be formed of a single layer or a plurality of layers of an inorganic material, an organic material, or an organic / inorganic composite, and may be formed by various deposition methods. In some embodiments, the planarization film 218 is formed of a material selected from the group consisting of polyacrylates resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides resin, The resin may be formed of at least one of unsaturated polyesters resin, polyphenylenethers resin, polyphenylenesulfides resin, and benzocyclobutene (BCB). have.

또한, 본 개시에 따른 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(218)과 층간절연막(215) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.In addition, the embodiment according to the present disclosure is not limited to the above-described structure, and either the planarizing film 218 or the interlayer insulating film 215 may be omitted in some cases.

유기발광소자(OLED)는 상기 평탄화막(218) 상에 배치되며, 제1 전극(221), 유기발광층을 포함하는 중간층(220), 제2 전극(222)을 포함한다. 화소정의막(225)은 상기 기판(21) 및 상기 제1 전극(221) 상에 배치되며, 제1 전극(221)의 중심 부분을 노출시키는 개구부(225h)를 가지고 있다.The organic light emitting diode OLED is disposed on the planarization layer 218 and includes a first electrode 221, an intermediate layer 220 including an organic light emitting layer, and a second electrode 222. The pixel defining layer 225 is disposed on the substrate 21 and the first electrode 221 and has an opening 225h exposing a center portion of the first electrode 221. [

중간층(220)은 저분자 또는 고분자 유기물에 의해서 형성될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우, 중간층(220)은 유기발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer),및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(220)은 유기발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다. 이들 저분자 유기물은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 유기발광층은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 화소마다 독립되게 형성될 수 있고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 화소에 공통으로 적용될 수 있다.The intermediate layer 220 may be formed of a low-molecular or high-molecular organic material. When a low molecular organic material is used, the intermediate layer 220 includes an organic emission layer, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an electron transport layer (ETL) Electron Transport Layer (ETL), and Electron Injection Layer (EIL). The present embodiment is not limited to this, and the intermediate layer 220 may include an organic light emitting layer and may further include various other functional layers. These low-molecular organic substances can be formed by a vacuum deposition method. The hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be formed as a common layer, for example, , Red, green, and blue pixels.

한편, 중간층(220)이 고분자 유기물로 형성되는 경우에는, 유기발광층을 중심으로 제1 전극(221) 방향으로 정공 수송층만이 포함될 수 있다. 정공 수송층은 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 제1 전극(221) 상부에 형성할 수 있다. 중간층(220)은 화소정의막(225)의 측벽 상으로 연장되어 배치될 수 있다. On the other hand, when the intermediate layer 220 is formed of a polymer organic material, only the hole transport layer may be included in the direction of the first electrode 221 with the organic emission layer as a center. The hole transport layer can be formed on the first electrode 221 by ink-jet printing or spin coating. The intermediate layer 220 may be disposed on the sidewalls of the pixel defining layer 225.

제1 전극(221)은 평탄화막(218) 상에 배치되어, 평탄화막(218)을 관통하는 제1 비아홀(208a)을 통하여 제1 박막트랜지스터(TFT1)의 드레인 전극(217a)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 221 is disposed on the planarization layer 218 and is electrically connected to the drain electrode 217a of the first thin film transistor TFT1 through the first via hole 208a penetrating the planarization layer 218 .

상기 제1 전극(221)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 제2 전극(222)은 캐소드 전극의 기능을 할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 이들 제1 전극(221)과 제2 전극(222)의 극성은 서로 반대로 될 수 있다.The first electrode 221 may function as an anode electrode, and the second electrode 222 may function as a cathode electrode. However, the present invention is not limited to this, and the polarities of the first electrode 221 and the second electrode 222 may be reversed.

상기 제1 전극(221)이 애노드 전극의 기능을 할 경우, 상기 제1 전극(221)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In₂O₃ 등을 포함하여 구비될 수 있다. 유기발광표시장치(1)가 기판(21)의 반대 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형일 경우 상기 제1 전극(221)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등을 포함하는 반사막을 더 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 전극(221)은 전술한 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 전극(221)은 반사형 전극으로 ITO/Ag/ITO 구조를 포함할 수 있다.When the first electrode 221 functions as an anode electrode, the first electrode 221 may include ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ having a high work function. The first electrode 221 is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb, Ca, or the like. These may be used alone or in combination with each other. In addition, the first electrode 221 may be formed as a single-layer structure or a multi-layer structure including the above-described metal and / or alloy. In some embodiments, the first electrode 221 may comprise an ITO / Ag / ITO structure as a reflective electrode.

상기 제2 전극(222)이 캐소드 전극의 기능을 할 경우, 상기 제2 전극(222)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca의 금속으로 형성될 수 있다. 유기발광표시장치(1)가 전면 발광형일 경우, 상기 제2 전극(222)은 광투과가 가능하도록 구비되어야 한다. 일부 실시예에서, 상기 제2 전극(222)은 투명 전도성 금속산화물인 ITO, IZO, ZTO, ZnO, 또는 In₂O₃ 등을 포함하여 구비될 수 있다. When the second electrode 222 functions as a cathode electrode, the second electrode 222 is formed of a metal such as Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, As shown in FIG. When the organic light emitting display device 1 is of the top emission type, the second electrode 222 should be provided to transmit light. In some embodiments, the second electrode 222 may comprise a transparent conductive metal oxide such as ITO, IZO, ZTO, ZnO, or In ₂ O ₃ .

또 다른 실시예에서, 상기 제2 전극(222)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 또는 Yb 에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 박막으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(222)은 Mg:Ag, Ag:Yb 및/또는 Ag가 단일층 또는 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(222)은 제1 전극(221)과 달리 모든 화소들에 걸쳐 공통된 전압이 인가되도록 형성될 수 있다.In another embodiment, the second electrode 222 may be formed of a thin film containing at least one material selected from Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, . For example, the second electrode 222 may be formed of a single layer or a stacked structure of Mg: Ag, Ag: Yb and / or Ag. Unlike the first electrode 221, the second electrode 222 may be formed to apply a common voltage across all the pixels.

화소정의막(225)은 평탄화막(218) 및 제1 전극(221) 상에 배치되며, 제1 전극(221)을 노출시키는 복수의 개구부(225h)를 가지고 유기발광소자(OLED)의 발광 영역과 비발광 영역을 정의할 수 있다. 화소정의막(225)의 개구부(225h) 내에서 제1 전극(221)은 노출되며, 그 위로 중간층(220), 및 제2 전극(222)이 차례로 적층되면서 중간층(220)이 발광할 수 있게 된다. The pixel defining layer 225 is disposed on the planarization layer 218 and the first electrode 221 and has a plurality of openings 225h exposing the first electrode 221, And a non-emission region can be defined. The first electrode 221 is exposed in the opening 225h of the pixel defining layer 225 and the intermediate layer 220 and the second electrode 222 are sequentially stacked thereon so that the intermediate layer 220 can emit light do.

다시 말하면, 제1 전극(221) 및 제2 전극(222)는 각각 정공 주입 전극과 전자 주입 전극이 될 수 있으며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 중간층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시킬 수 있다.In other words, the first electrode 221 and the second electrode 222 may be a hole injection electrode and an electron injection electrode, respectively, and holes injected from the hole injection electrode and electrons injected from the electron injection electrode are combined in the intermediate layer The generated excitons may be emitted from the excited state to the ground state.

화소정의막(225)은 복수의 무기층(219)을 포함하며, 복수의 무기층(219)은 화소정의막(225)의 개구부(225h)에서 단차를 형성하고 있다. 예를 들면, 복수의 무기층(219)은 상기 복수의 무기층(219) 중 연속된 두 무기층의 끝단이 서로 어긋나 있는 구조를 가질 수 있다. 또는, 복수의 무기층(219)는 각각의 무기층에 의해서 계단 형상을 형성할 수 있다.The pixel defining layer 225 includes a plurality of inorganic layers 219 and the plurality of inorganic layers 219 form a step in the opening 225h of the pixel defining layer 225. [ For example, the plurality of inorganic layers 219 may have a structure in which the ends of two successive inorganic layers of the plurality of inorganic layers 219 are shifted from each other. Alternatively, the plurality of inorganic layers 219 can form a step shape by each inorganic layer.

화소정의막(225)는 상기 복수의 무기층(219) 상에 적어도 하나의 유기층(223)을 더 포함할 수 있다. 유기층(223)은 상기 복수의 무기층(219)과 단차를 형성할 수 있다. 이에 따라, 중간층(220)에서 생성된 광 중 측면으로 이동하는 광의 경로를 바꿔주는 역할을 할 수 있다.The pixel defining layer 225 may further include at least one organic layer 223 on the plurality of inorganic layers 219. The organic layer 223 may form a step with the plurality of inorganic layers 219. Accordingly, the path of the light traveling to the side of the light generated in the intermediate layer 220 can be changed.

유기층(223)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 유기층(223)은 밀봉기판(25, 도1 참조)에 의해 밀봉되는 경우, 밀봉기판(23)과 유기발광부(22)의 간격을 유지하기 위한 스페이서의 기능을 겸비할 수 있다.The organic layer 223 may include an organic material such as a photoresist, a polyacrylic resin, a polyimide resin, or an acrylic resin. When the organic layer 223 is sealed by the sealing substrate 25 (see Fig. 1), the organic layer 223 can have the function of a spacer for maintaining the gap between the sealing substrate 23 and the organic light emitting portion 22.

상기 복수의 무기층(219)은 제1 무기층(219a), 제2 무기층(219b), 및 제3 무기층(219c)이 순차적으로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 그러나, 복수의 무기층(219)의 층수는 3층 구조에 한정되지 않으며, 2층 구조 또는 5층 구조 등 다양하게 변형될 수 있다.The plurality of inorganic layers 219 may include a structure in which a first inorganic layer 219a, a second inorganic layer 219b, and a third inorganic layer 219c are sequentially stacked. However, the number of layers of the plurality of inorganic layers 219 is not limited to a three-layer structure, and can be variously modified, such as a two-layer structure or a five-layer structure.

상기 개구부(225h)에서의 상기 제2 무기층(219b)의 측면 경사도(θ2)는 상기 제1 무기층(219a) 및 상기 제3 무기층(219c)의 측면 경사도(θ1)와는 실질적으로 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 무기층(219b)의 기판(21)면 방향에 대한 측면 경사도(θ2)는 제1 무기층(219a) 및 상기 제3 무기층(219c)의 기판(21)면 방향에 대한 측면 경사도(θ1)에 비해서 클 수 있다.The side inclination 2 of the second inorganic layer 219b in the opening 225h is substantially different from the side inclination 1 of the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c . In some embodiments, the side inclination 2 of the second inorganic layer 219b with respect to the plane direction of the substrate 21 is smaller than the side inclination 2 with respect to the plane direction of the substrate 21 of the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c Can be larger than the side inclination &thetas; 1.

이는 후술할 선택적 식각에 대한 제2 무기층(219b)의 식각율이 제1 무기층(219a) 및 상기 제3 무기층(219c)의 식각율에 비해서 높기 때문에 나타나는 구조일 수 있다.This may be a structure that appears because the etching rate of the second inorganic layer 219b with respect to the selective etching to be described later is higher than the etching rate of the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c.

이에 따라, 상기 개구부(225h)에서 복수의 무기층(219)의 상기 제1 무기층(219a) 및 제2 무기층(219b)은 단차를 형성할 수 있다.Thus, the first inorganic layer 219a and the second inorganic layer 219b of the plurality of inorganic layers 219 in the opening 225h can form a step.

발광영역의 중간층(220)에서 발생하는 광의 일부는 외부로 추출되지 못하고 제1 전극(221)과 제2 전극(222) 사이에서 전반사하며 측면 방향으로 진행될 수 있다. 복수의 무기층(219)의 단차 구조는 이러한 광의 경로를 변경하여 광을 외부로 추출하기 위한 것일 수 있다. 즉, 단차 구조는 측면 방향으로 진행되는 광을 굴절 또는 반사시켜 외부로 출사될 수 있도록 광의 경로를 바꿔주는 역할을 할 수 있다.A part of the light generated in the intermediate layer 220 of the light emitting region can not be extracted to the outside and can be totally reflected between the first electrode 221 and the second electrode 222 and proceed in the lateral direction. The step structure of the plurality of inorganic layers 219 may be for changing the path of such light to extract light to the outside. That is, the stepped structure can refract or reflect the light traveling in the lateral direction and change the light path so as to be emitted to the outside.

일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)은 고굴절률의 무기층과 저굴절률의 무기층이 교번적으로 적층될 수 있다. 이와 같은 굴절률의 차이에 의해서, 광의 경로는 더욱 다양해질 수 있으며, 광을 외부로 추출하는 것에 기여할 수 있다.In some embodiments, the plurality of inorganic layers 219 may be alternately stacked with an inorganic layer of high refractive index and an inorganic layer of low refractive index. Due to the difference in the refractive indexes, the light path can be further diversified, and the light can be extracted to the outside.

일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)의 각각의 굴절률은 상기 유기발광소자(OLED)의 중간층(220)의 굴절률보다 작을 수 있다. 이에 따라, 중간층(220)에서 생성된 광이 복수의 무기층(219)의 내부로 흡수되지 않고 반사될 수 있다. In some embodiments, the refractive index of each of the plurality of inorganic layers 219 may be smaller than the refractive index of the intermediate layer 220 of the OLED. Accordingly, the light generated in the intermediate layer 220 can be reflected without being absorbed into the plurality of inorganic layers 219. [

일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)의 두께(t1)는 상기 중간층(220)의 두께(t2)보다 클 수 있다. 이에 따라, 복수의 무기층(219)는 중간층(220)에서 생성되어 측면으로 이동하는 광이 외부로 출사될 수 있도록 변경시키는 역할을 할 수 있다.In some embodiments, the thickness t1 of the plurality of inorganic layers 219 may be greater than the thickness t2 of the intermediate layer 220. Accordingly, the plurality of inorganic layers 219 may be formed in the intermediate layer 220 to change the light traveling to the side to be emitted to the outside.

복수의 무기층(219)는 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)는 SiO 계열의 무기층과 SiON 계열의 무기층을 교번적으로 적층한 구조일 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)는 SiO 계열의 무기층과 SiN 계열의 무기층을 교번적으로 적층한 구조일 수 있다.The plurality of inorganic layers 219 may include a silicon compound. In some embodiments, the plurality of inorganic layers 219 may be a structure in which an SiO-based inorganic layer and an SiON-based inorganic layer are alternately laminated. In some embodiments, the plurality of inorganic layers 219 may be a structure in which an SiO-based inorganic layer and an SiN-based inorganic layer are alternately laminated.

도 4a 내지 도 4g 는 도 3의 유기발광표시장치의 일 실시예에 따른 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.4A to 4G are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing method according to an embodiment of the OLED display of FIG.

도 4a를 참조하면, 기판(21) 상에 버퍼막(211)을 형성한다. 버퍼막(211)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 기판(21) 상에 버퍼막(211)을 형성하기 전에 기판(21)에 대하여 평탄화 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공적을 기판(21)에 대하여 수행하여, 기판(21)이 실질적으로 평탄한 상면을 확보할 수 있다. Referring to FIG. 4A, a buffer film 211 is formed on a substrate 21. The buffer layer 211 may be formed by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), and low pressure CVD (LPCVD). A planarization process may be performed on the substrate 21 before the buffer film 211 is formed on the substrate 21. [ For example, a chemical mechanical polishing process and / or etch back may be performed on the substrate 21 to ensure that the substrate 21 has a substantially planar top surface.

그 다음, 활성층(212)을 버퍼막(211) 상에 형성한다. 활성층(212)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly silicon)과 같은 무기 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 활성층(212)는 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 활성층(212)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 활성층(212)은 버퍼막(211) 상에 전체적으로 형성된 후, 식각 등에 의해서 패터닝될 수 있다. 그 후, 결정화 공정이 추가적으로 이루어질 수 있다. Then, an active layer 212 is formed on the buffer film 211. Then, The active layer 212 may be an inorganic semiconductor such as amorphous silicon or poly silicon, or an organic semiconductor. In some embodiments, the active layer 212 may be formed of an oxide semiconductor. The active layer 212 may be formed by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), and low pressure CVD (LPCVD). The active layer 212 may be formed entirely on the buffer layer 211, and then patterned by etching or the like. Thereafter, a crystallization process may be additionally performed.

그 다음, 버퍼막(211) 상에 활성층(212)를 덮는 게이트절연막(213)을 형성한다. 게이트절연막(213)은 활성층(212)의 프로파일(profile)에 따라 버퍼막(211) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. Next, a gate insulating film 213 is formed on the buffer film 211 so as to cover the active layer 212. The gate insulating film 213 may be formed substantially uniformly on the buffer film 211 in accordance with the profile of the active layer 212. [

게이트절연막(213) 상에는 게이트전극(214)이 형성된다. 게이트전극(214)는 게이트절연막(213) 중에서 아래에 활성층(212)이 위치하는 부분 상에 형성된다. 게이트전극(214)는 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 전도성 물질 등을 포함할 수 있다.A gate electrode 214 is formed on the gate insulating film 213. The gate electrode 214 is formed on a portion of the gate insulating film 213 below the active layer 212. The gate electrode 214 may include a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide, a transparent conductive material, or the like.

게이트전극(214)을 덮도록 게이트절연막(213) 상에 층간절연막(215)을 형성한다. 층간절연막(215)은 게이트전극(214)의 프로파일에 따라 게이트절연막(213) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 층간절연막(215)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. An interlayer insulating film 215 is formed on the gate insulating film 213 so as to cover the gate electrode 214. [ The interlayer insulating film 215 may be formed to have a substantially uniform thickness on the gate insulating film 213 in accordance with the profile of the gate electrode 214. [ The interlayer insulating film 215 may be formed using a silicon compound.

층간절연막(215) 상에 소스 전극(216)과 드레인 전극(217)을 형성한다. 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)은 게이트전극(214)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되며, 게이트전극(214)에 인접하여 배치된다. 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)은 층간절연막(215), 게이트절연막(213)을 관통하여 활성층(212)의 양 끝단과 콘택된다. 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 전도성 물질 등을 포함할 수 있다. A source electrode 216 and a drain electrode 217 are formed on the interlayer insulating film 215. The source electrode 216 and the drain electrode 217 are spaced apart from each other by a predetermined distance about the gate electrode 214 and disposed adjacent to the gate electrode 214. The source electrode 216 and the drain electrode 217 are in contact with both ends of the active layer 212 through the interlayer insulating film 215 and the gate insulating film 213. The source electrode 216 and the drain electrode 217 may include a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide, a transparent conductive material, or the like.

일부 실시예에서, 층간절연막(215) 및 게이트절연막(213)을 부분적으로 식각하여 활성층(212)을 노출시키는 관통홀을 형성한 후, 이러한 관통홀을 채우면서 층간절연막(215) 상에 도전막(미도시)을 형성한다. 다음에, 상기 도전막(미도시)를 패터닝하여 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)을 형성할 수 있다.The interlayer insulating film 215 and the gate insulating film 213 are partly etched to form a through hole exposing the active layer 212. The conductive film 212 is formed on the interlayer insulating film 215 while filling the through hole, (Not shown). Next, the source electrode 216 and the drain electrode 217 can be formed by patterning the conductive film (not shown).

그 다음, 층간절연막(215) 상에 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)을 덮는 평탄화막(218)을 형성한다. 평탄화막(218)은 소스 전극(216) 및 드레인 전극(217)을 완전하게 덮을 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다. 평탄화막(218)은 무기물 및/또는 유기물로 형성될 수 있다. 평탄화막(218)은 그 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.Then, the planarization film 218 covering the source electrode 216 and the drain electrode 217 is formed on the interlayer insulating film 215. The planarization film 218 may have a sufficient thickness to completely cover the source electrode 216 and the drain electrode 217. The planarization film 218 may be formed of an inorganic material and / or an organic material. The planarization layer 218 may be formed by a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, A chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, a vacuum deposition process, or the like.

도 4b를 참조하면, 평탄화막(218)을 관통하여 박막트랜지스터(TR)의 드레인 전극(217)을 노출시키는 관통홀(208)을 형성한다. 도면에서는 관통홀(208)은 평탄화막(218)만을 관통하고 있으나, 이는 예시적인 것이다. 예를 들면, 박막트랜지스터(TR)의 위치에 따라, 관통홀(208)은 평탄화막(218)을 관통하여 박막트랜지스터(TR)까지 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4B, a through hole 208 is formed through the planarization film 218 to expose the drain electrode 217 of the thin film transistor TR. In the drawing, the through hole 208 penetrates through only the planarization film 218, but this is an example. For example, depending on the position of the thin film transistor TR, the through hole 208 may be formed through the planarization film 218 to the thin film transistor TR.

그 다음, 제1 전극(221)을 평탄화막(218) 상에 형성한다. 제1 전극(221)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(221)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 전극(221)은 전술한 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 전극(221)은 반사형 전극으로 ITO/Ag/ITO 구조를 포함할 수 있다.Then, the first electrode 221 is formed on the planarization film 218. The first electrode 221 may be formed using a material having reflectivity. For example, the first electrode 221 may include Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, These may be used alone or in combination with each other. In addition, the first electrode 221 may be formed as a single-layer structure or a multi-layer structure including the above-described metal and / or alloy. In some embodiments, the first electrode 221 may comprise an ITO / Ag / ITO structure as a reflective electrode.

제1 전극(221)은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 프린팅 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 전극(221)은 화소별로 패터닝될 수 있다. 제1 전극(221)은 발광영역을 중심으로 인접하는 비발광영역의 일부까지 연장될 수 있다. 제1 전극(221)은 관통홀(208)을 통하여 드레인 전극(217)과 연결될 수 있다.The first electrode 221 may be formed using a sputtering process, a vacuum deposition process, a chemical vapor deposition process, a pulsed laser deposition process, a printing process, an atomic layer deposition process, or the like. The first electrode 221 may be patterned for each pixel. The first electrode 221 may extend to a portion of the non-emission region adjacent to the emission region. The first electrode 221 may be connected to the drain electrode 217 through the through hole 208.

도 4c를 참조하면, 복수의 무기층(219)을 평탄화막(218) 및 제1 전극(221) 상에 형성한다.Referring to FIG. 4C, a plurality of inorganic layers 219 are formed on the planarization film 218 and the first electrode 221.

복수의 무기층(219)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법, 스퍼터링 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. The plurality of inorganic layers 219 may be formed by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), low pressure CVD (LPCVD), and sputtering.

복수의 무기층(219)은 고굴절률의 무기층과 저굴절률의 무기층이 교번적으로 적층된 구조일 수 있다.The plurality of inorganic layers 219 may be a structure in which an inorganic layer of high refractive index and an inorganic layer of low refractive index are alternately laminated.

복수의 무기층(219)은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 복수의 무기층(219)는 SiO 계열, SiN 계열, 및 SiON 계열의 무기물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)는 SiO 계열의 무기층과 SiON 계열의 무기층을 교번적으로 적층한 구조일 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 무기층(219)는 SiO 계열의 무기층과 SiN 계열의 무기층을 교번적으로 적층한 구조일 수 있다.The plurality of inorganic layers 219 may include a silicon compound. The plurality of inorganic layers 219 may include at least one of SiO-based, SiN-based, and SiON-based inorganic materials. In some embodiments, the plurality of inorganic layers 219 may be a structure in which an SiO-based inorganic layer and an SiON-based inorganic layer are alternately laminated. In some embodiments, the plurality of inorganic layers 219 may be a structure in which an SiO-based inorganic layer and an SiN-based inorganic layer are alternately laminated.

복수의 무기층(219)는 제1 무기층(219a), 제2 무기층(219b),및 제3 무기층(219c)이 순차적으로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 그러나, 복수의 무기층(219)의 층수는 3층 구조에 한정되지 않으며, 2층 구조 또는 5층 구조 등 다양하게 변형될 수 있다.The plurality of inorganic layers 219 may include a structure in which a first inorganic layer 219a, a second inorganic layer 219b, and a third inorganic layer 219c are sequentially stacked. However, the number of layers of the plurality of inorganic layers 219 is not limited to a three-layer structure, and can be variously modified, such as a two-layer structure or a five-layer structure.

일부 실시예에서, 제1 무기층(219a)과 제3 무기층(219c)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제1 무기층(219a), 제2 무기층(219b),및 제3 무기층(219c)은 모두 다른 물질로 형성될 수 있다.In some embodiments, the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c may be formed of the same material. However, the present invention is not limited thereto, and the first inorganic layer 219a, the second inorganic layer 219b, and the third inorganic layer 219c may be formed of different materials.

도 4d를 참조하면, 복수의 무기층(219)에 제1 전극(221)을 노출시키는 제1 개구부(219h)를 형성한다.Referring to FIG. 4D, a first opening 219h exposing the first electrode 221 is formed on the plurality of inorganic layers 219. As shown in FIG.

제1 개구부(219h)는 리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해서 형성될 수 있다. 식각 공정은 건식, 습식 또는 이들의 조합에 의해서 수행될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 개구부(219h)를 형성하는 식각 공정은 건식 식각 공정일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 개구부(219h)를 형성하는 건식 식각 공정은 불소 계열의 가스를 주입하여 수행할 수 있다. 예를 들어, 불소 계열의 가스는 CF₄ 또는 SF₆ 등의 가스일 수 있다. 또한, 식각 공정 수행시 헬륨 가스를 추가적으로 첨가할 수 있다.The first opening 219h may be formed by a lithography process and an etching process. The etching process may be performed by dry, wet or a combination thereof. In some embodiments, the etching process for forming the first opening 219h may be a dry etching process. In some embodiments, the dry etching process for forming the first openings 219h may be performed by implanting a fluorine-based gas. For example, the fluorine-based gas may be a gas such as CF ₄ or SF ₆ . In addition, helium gas may be additionally added during the etching process.

도 4e를 참조하면, 제1 개구부(219h) 측면에 단차를 형성하여, 측면에 단차가 형성된 제1' 개구부(219h')를 완성한다.Referring to FIG. 4E, a step is formed at the side of the first opening 219h to complete a first 'opening 219h' having a step on the side.

제1' 개구부(219h')의 측면 단차는 선택적 식각 공정에 의해서 형성될 수 있다. The side step of the first opening 219h 'may be formed by a selective etching process.

일부 실시예에서, 제1 무기층(219a)과 제2 무기층(219b)의 선택적 식각비는 1:10 내지 1:30의 범위일 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 무기층(219c)과 제2 무기층(219b)의 선택적 식각비는 1:10 내지 1:30의 범위일 수 있다. 제1 무기층(219a)와 제3 무기층(219c)의 선택적 식각비는 동일할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 무기층(219a), 제2 무기층(219b), 또는 제3 무기층(219c)의 선택적 식각비는 모두 다를 수 있다.In some embodiments, the selective etching ratio of the first inorganic layer 219a and the second inorganic layer 219b may be in the range of 1:10 to 1:30. In some embodiments, the selective etching ratio of the third inorganic layer 219c to the second inorganic layer 219b may range from 1:10 to 1:30. The selective etching ratios of the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c may be the same, but are not limited thereto. For example, the selective etching ratios of the first inorganic layer 219a, the second inorganic layer 219b, and the third inorganic layer 219c may all be different.

일부 실시예에서, 선택적 식각은 아르곤(Ar) 기체, 산소 기체, 또는 이들의 조합에 의한 건식 식각일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 선택적 식각은 건식, 습식, 또는 이들의 조합에 의해 수행될 수 있다.In some embodiments, the selective etch may be a dry etch with argon (Ar) gas, oxygen gas, or a combination thereof. However, without being limited thereto, the selective etching may be performed by dry, wet, or a combination thereof.

이와 같은 선택적 식각 공정에 의해서, 상기 제1' 개구부(219h')에서의 상기 제2 무기층(219b)의 측면 경사도(θ2)는 상기 제1 무기층(219a) 및 상기 제3 무기층(219c)의 측면 경사도(θ1)와는 실질적으로 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 무기층(219b)의 기판(21)면 방향에 대한 측면 경사도(θ2)는 제1 무기층(219a) 및 상기 제3 무기층(219c)의 기판(21)면 방향에 대한 측면 경사도(θ1)에 비해서 클 수 있다.The side inclination 2 of the second inorganic layer 219b in the first opening 219h 'is set to be larger than the side inclination 2 of the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c 1) of the side surface inclination angle? 1. In some embodiments, the side inclination 2 of the second inorganic layer 219b with respect to the plane direction of the substrate 21 is smaller than the side inclination 2 with respect to the plane direction of the substrate 21 of the first inorganic layer 219a and the third inorganic layer 219c Can be larger than the side inclination &thetas; 1.

도 4f를 참조하면, 화소정의막(225)의 복수의 무기층(219) 상에 적어도 하나의 유기층(223)을 형성한다.Referring to FIG. 4F, at least one organic layer 223 is formed on the plurality of inorganic layers 219 of the pixel defining layer 225.

일부 실시예에서, 화소정의막(225)의 유기층(223)은 감광성 유기막을 도포하고,마스크를 사용하여 노광 공정을 통해 노광량을 조절하여 감광한 후, 현상(developing)하여 패터닝 한다. 이에 따라, 제2 개구부(223h)가 형성되게 되며,화소정의막(225)은 제1' 개구부(219h') 및 제2 개구부(223h)가 연결된 개구부(225h)를 포함하게 된다.In some embodiments, the organic layer 223 of the pixel defining layer 225 is formed by applying a photosensitive organic film, and by using a mask, adjusting the amount of exposure through an exposure process, exposing the photosensitive layer, developing, and patterning. Accordingly, the second opening 223h is formed, and the pixel defining layer 225 includes the opening 225h to which the first 'opening 219h' and the second opening 223h are connected.

도 4g를 참조하면, 화소정의막(225)의 개구부(225h)를 중심으로 제1 전극(221) 상에 중간층(220)을 형성한다. 유기발광층을 포함하는 중간층(220)은 화소정의막(225)의 측벽 상에 형성될 수 있다. 중간층(220)은 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(220)은 진공증착 방법으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 중간층(220)은 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 레이저를 이용한 열전사 방식 등으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4G, an intermediate layer 220 is formed on the first electrode 221 with the opening 225h of the pixel defining layer 225 as a center. The intermediate layer 220 including the organic light emitting layer may be formed on the sidewall of the pixel defining layer 225. The intermediate layer 220 may be formed by laminating in a single or composite structure. In some embodiments, the intermediate layer 220 may be formed by a vacuum deposition method. In another embodiment, the intermediate layer 220 may be formed by ink jet printing, spin coating, a thermal transfer method using a laser, or the like.

그 다음, 중간층(220) 상에 제2 전극(222)를 형성한다. 제2 전극(222)은 화소정의막(225) 상에 형성될 수 있다. Next, a second electrode 222 is formed on the intermediate layer 220. The second electrode 222 may be formed on the pixel defining layer 225.

제2 전극(222)은 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 제2 전극(222)은 투명 전도성 금속산화물인 ITO, IZO, ZTO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하여 구비될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 제2 전극(222)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 또는 Yb 에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 박막으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(222)은 Mg:Ag, Ag:Yb 및/또는 Ag가 단일층 또는 적층 구조로 형성될 수 있다. The second electrode 222 may be formed of a transparent conductive material. In some embodiments, the second electrode 222 may comprise a transparent conductive metal oxide such as ITO, IZO, ZTO, ZnO, or In2O3. In another embodiment, the second electrode 222 may be formed of a thin film containing at least one material selected from Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, . For example, the second electrode 222 may be formed of a single layer or a stacked structure of Mg: Ag, Ag: Yb and / or Ag.

제2 전극(222)은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 프린팅 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.일부 실시예에서, 제2 전극(222)은 모든 화소들에 걸쳐 공통된 전압이 인가되도록 형성될 수 있다. The second electrode 222 may be formed using a sputtering process, a vacuum deposition process, a chemical vapor deposition process, a pulsed laser deposition process, a printing process, an atomic layer deposition process, etc. In some embodiments, May be formed such that a common voltage is applied across all of the pixels.

제2 전극(222) 상에는 추가적으로 보호층(미도시)이 형성될 수 있다. 보호층은 유기발광소자(OLED)를 덮어 보호하는 역할을 할 수 있다. 보호층은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 보호층은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.An additional protective layer (not shown) may be formed on the second electrode 222. The protective layer may cover and protect the organic light emitting diode OLED. As the protective layer, an inorganic insulating film and / or an organic insulating film can be used. The protective layer can be deposited by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), and low pressure CVD (LPCVD).

본 예에서는 도 3에서 예시한 유기발광표시장치를 제작하는 공정 순서를 설명하였으나, 이를 바탕으로 한 다양한 변형이 있을 수 있다. In this example, the process sequence for fabricating the organic light emitting display device illustrated in FIG. 3 has been described, but various modifications may be made based on the process sequence.

본 개시의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.Although the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present disclosure has been described with reference to the embodiments shown in the drawings for the sake of understanding, it should be understood by those skilled in the art that various modifications and variations It will be appreciated that other embodiments are possible.

1, 2,: 유기발광표시장치
21 : 기판, 22:유기발광부, 23: 밀봉기판,
24: 밀봉재, 25: 내부공간, 26: 밀봉필름
208:관통홀,
211:버퍼막, 212:활성층,
213:게이트절연막. 214:게이트전극, 215:층간절연막, 218: 평탄화막
216:소스 전극, 217:드레인 전극
220:중간층, 221:제1 전극, 222:제2 전극
219: 무기층
223: 유기층
225a:개구부, 225:화소정의막1, 2,: Organic light emitting display
21: substrate, 22: organic light emitting portion, 23: sealing substrate,
24: sealing material, 25: inner space, 26: sealing film
208: Through hole,
211: buffer film, 212: active layer,
213: Gate insulating film. 214: gate electrode, 215: interlayer insulating film, 218: planarization film
216: source electrode, 217: drain electrode
220: intermediate layer, 221: first electrode, 222: second electrode
219: inorganic layer
223: Organic layer
225a: opening, 225: pixel defining film

Claims

Board;
A first electrode disposed on the substrate;
A pixel defining layer disposed on the substrate and the first electrode, the pixel defining layer having an opening exposing a center portion of the first electrode;
An intermediate layer disposed on the first electrode, the intermediate layer including an organic light emitting layer; And
And a second electrode disposed on the intermediate layer,
Wherein the pixel defining layer includes a plurality of inorganic layers, and the plurality of inorganic layers form a step in the opening.

The method according to claim 1,
Wherein the pixel defining layer further comprises at least one organic layer on the plurality of inorganic layers,
Wherein the at least one organic layer forms a step with the plurality of inorganic layers.

The method according to claim 1,
Wherein the plurality of inorganic layers comprises:
A structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially stacked,
And the side inclination of the second inorganic layer in the opening is different from the side inclination of the first inorganic layer and the third inorganic layer.

The method according to claim 1,
Wherein the plurality of inorganic layers comprises:
A structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially stacked,
Wherein the first inorganic layer and the second inorganic layer form a step in the opening.

The method according to claim 1,
Wherein the plurality of inorganic layers are alternately laminated with a high refractive index layer and a low refractive index layer.

The method according to claim 1,
Wherein the refractive index of each of the plurality of inorganic layers is smaller than the refractive index of the intermediate layer.

The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the plurality of inorganic layers is larger than a thickness of the intermediate layer.

The method according to claim 1,
Wherein the plurality of inorganic layers are formed by alternately stacking an SiO-based inorganic layer and an SiON-based inorganic layer.

Forming a first electrode on the substrate;
Forming a pixel defining layer on the substrate and the first electrode, the pixel defining layer having an opening exposing a center portion of the first electrode;
Forming an intermediate layer including an organic light emitting layer on the first electrode; And
And forming a second electrode on the intermediate layer,
Wherein the pixel defining layer includes a plurality of inorganic layers, and the plurality of inorganic layers form a step in the opening.

10. The method of claim 9,
Wherein forming the pixel defining layer comprises:
Stacking a plurality of inorganic layers on the substrate and the first electrode;
Forming a first opening in the plurality of inorganic layers to expose the first electrode; And
And forming a step on a side surface of the first opening.

11. The method of claim 10,
Wherein the first opening is formed by collectively etching a plurality of inorganic layers.

11. The method of claim 10,
Wherein the step is formed by selectively etching the plurality of inorganic layers.

10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of inorganic layers comprises:
A structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially stacked,
Wherein the selective etching ratio of the first inorganic layer and the second inorganic layer to the selective etching process is 1:10 to 1:30.

10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of inorganic layers comprises:
A structure in which a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer are sequentially stacked,
Wherein a side inclination of the second inorganic layer in the opening is different from a side inclination of the first inorganic layer and the third inorganic layer.

10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of inorganic layers are formed by alternately laminating a high refractive index layer and a low refractive index layer.

10. The method of claim 9,
Wherein the refractive index of each of the plurality of inorganic layers is smaller than the refractive index of the intermediate layer.

10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of inorganic layers are formed by alternately stacking an SiO-based inorganic layer and an SiON-based inorganic layer.

10. The method of claim 9,
Wherein forming the pixel defining layer comprises:
Applying at least one organic layer on the plurality of inorganic layers; And
And forming a second opening exposing the first electrode by exposing the at least one organic layer to light.

19. The method of claim 18,
Wherein the at least one organic layer forms a step with the plurality of inorganic layers.