KR20150085639A - Apparatus for fabricating Phase Shift Mask - Google Patents

Apparatus for fabricating Phase Shift Mask Download PDF

Info

Publication number
KR20150085639A
KR20150085639A KR1020140005528A KR20140005528A KR20150085639A KR 20150085639 A KR20150085639 A KR 20150085639A KR 1020140005528 A KR1020140005528 A KR 1020140005528A KR 20140005528 A KR20140005528 A KR 20140005528A KR 20150085639 A KR20150085639 A KR 20150085639A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase shift
shift mask
phase
mask
wafer
Prior art date
Application number
KR1020140005528A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
송동훈
표현봉
박형주
정문연
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020140005528A priority Critical patent/KR20150085639A/en
Publication of KR20150085639A publication Critical patent/KR20150085639A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

The present invention relates to an apparatus for manufacturing a phase shift mask and, more specifically, an apparatus for manufacturing a phase shift mask, which gathers an electron beam to a source, accordingly forms ions and enables the ion to be deposited on a wafer after ions pass a phase shift controlling part where the provided apparatus for manufacturing the phase shift mask is allowed to increase the thickness of the phase shift mask deposited on the wafer based on rotation directions and can generate optical vortex beam when a laser bean is supplied to the phase shift mask wherein the apparatus of the present invention includes an electron beam generating part which gathers electron beams at source to generate ions; and a phase shift mask controlling part which controls the level of the ion deposition based on the rotation direction of the wafer while passing the ions.

Description

위상 변환 마스크의 제조장치{Apparatus for fabricating Phase Shift Mask}[0001] Apparatus for fabricating phase shift mask [0002]

본 발명은 위상 변환 마스크의 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 회전 방향에 따라 점진적으로 두께가 증가하는 위상 변환 마스크의 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a phase shift mask, and more particularly to an apparatus for manufacturing a phase shift mask whose thickness gradually increases in a rotating direction.

웨이퍼에 패턴을 구현하기 위한 방법으로 포토리소그라피(photolithography) 공정을 이용해왔다. 그러나, 소자들의 집적도가 높아짐에 따라, 패턴 크기가 미세해지면서 웨이퍼 상에 형성하고자 하는 패턴을 정확하게 구현하기가 어려워지고 있다. 따라서, 미세한 패턴을 정확하게 구현하기 위하여 0도 위상 영역 및 180도 위상 영역을 구현하여 회절 및 간섭 효과를 이용하는 위상 변환 마스크(PSM; phase shift mask)가 제안되고 있다.Photolithography has been used as a method for implementing patterns on wafers. However, as the degree of integration of the devices increases, the pattern size becomes finer and it is becoming difficult to accurately form the pattern to be formed on the wafer. Therefore, a phase shift mask (PSM) using a diffraction and interference effect is realized by implementing a 0-degree phase region and a 180-degree phase region in order to accurately realize a fine pattern.

본 발명은 위상 변환 마스크의 제조장치에 관한 것으로, 전자빔을 소스에 집속시켜 이온들을 형성한 후, 이온들이 위상 변환 조절부를 통과하여 웨이퍼 상에 증착되는 장치로써, 웨이퍼 상에 증착된 위상 변환 마스크는 회전 방향에 따라 점진적으로 두께가 증가하며, 위상 변환 마스크에 레이저 빔을 공급하여 위상이 변환된 광 보텍스(optical vortex) 빔을 생성할 수 있는 위상 변환 마스크의 제조장치를 제공한다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a phase change mask, in which ions are formed by focusing an electron beam onto a source, and thereafter ions are deposited on the wafer through a phase shift control unit, wherein the phase shift mask deposited on the wafer There is provided an apparatus for manufacturing a phase shift mask which is gradually increased in thickness in accordance with a rotation direction and is capable of generating a phase-converted optical vortex beam by supplying a laser beam to the phase conversion mask.

본 발명의 실시예에 따른 위상 변환 마스크의 제조장치는 전자빔을 소스에 집속시켜 이온들을 발생시키는 전자빔 발생부 및 상기 이온들이 통과하되, 웨이퍼의 회전 방향에 따라 상기 이온들의 증착 정도를 조절하는 위상 변환 마스크 조절부를 포함할 수 있다.An apparatus for manufacturing a phase shift mask according to an embodiment of the present invention includes an electron beam generating unit for generating ions by focusing an electron beam to a source and an electron beam generating unit for passing the ions through a phase conversion And a mask adjusting unit.

또한, 상기 위상 변환 마스크 조절부는 부채꼴 형상의 투과 영역을 포함할 수 있다.In addition, the phase-shift mask adjusting unit may include a transmissive area having a fan shape.

또한, 상기 위상 변환 마스크 조절부를 통과한 이온들이 증착되는 증착부를 더 포함할 수 있다.In addition, the plasma display apparatus may further include a deposition unit for depositing ions passing through the phase shift mask control unit.

또한, 상기 증착부는 상기 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 홀더부 및 상기 웨이퍼 홀더부와 연결되어 상기 웨이퍼 홀더부를 회전시키는 모터부를 포함할 수 있다.The deposition unit may include a wafer holder for fixing the wafer, and a motor unit connected to the wafer holder unit to rotate the wafer holder unit.

또한, 상기 소스는 이산화실리콘(SiO2) 또는 이산화티타늄(TiO2) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the source may comprise at least one of silicon dioxide (SiO2) or titanium dioxide (TiO2).

본 기술은 위상 변환 마스크의 증착 두께를 미세하게 조절할 수 있고, 증착 박막의 조밀도를 높이고 밀착력을 향상시켜 위상 변환 마스크의 생산성 및 수율 향상을 극대화할 수 있다.This technology can finely control the deposition thickness of the phase conversion mask, increase the density of the deposited thin film and improve the adhesion, thereby maximizing the productivity and yield improvement of the phase conversion mask.

본 기술은 위상 변환 마스크의 제조장치에 의해 생성된 위상 변환 마스크를 이용하여 광 보텍스 빔을 제조할 수 있다.The present technique can produce an optical vortex beam using a phase-shift mask produced by an apparatus for producing a phase-change mask.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 위상 변환 마스크를 제조하기 위한 장치이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 위상 변환 마스크를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 궤도 각운동량이 1인 위상 변환판을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 궤도 각운동량이 3인 위상 변환판을 나타내는 사시도이다.1 is an apparatus for manufacturing a phase shift mask according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a phase conversion mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing a phase conversion plate having an angular momentum amount of 1 according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view illustrating a phase conversion plate having an orbital angular momentum of 3 according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 위상 변환 마스크를 제조하기 위한 장치이다.1 is an apparatus for manufacturing a phase shift mask according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 위상 변환 마스크 제조 장치(10)는 진공 상태의 챔버(chamber, 20) 내 전자빔 발생부(100), 위상 변환 마스크 조절부(200) 및 증착부(300)를 포함한다.1, an apparatus 10 for manufacturing a phase-change mask according to an embodiment of the present invention includes an electron beam generating unit 100 in a chamber 20 in a vacuum state, a phase-shift mask adjusting unit 200, (300).

전자빔 발생부(100)는 전자빔을 생성하는 전자빔 생성부(1) 및 소스부(2)를 포함한다.The electron beam generating section 100 includes an electron beam generating section 1 and a source section 2 for generating an electron beam.

전자빔 생성부(1)는 전자빔을 생성하며, 전자빔을 소스부(2)에 구비된 소스에 조사하여 소스가 이온화되도록 만든 장치이다.The electron beam generating section 1 generates an electron beam and irradiates the electron beam to a source provided in the source section 2 to ionize the source.

소스부(2)는 소스의 공급원으로써, 전자빔이 소스에 집속되어 이온들이 생성된다. 여기서, 소스는 이산화실리콘(SiO2) 또는 이산화티타늄(TiO2) 등 빛의 투과율이 높은 물질을 포함하는 구성물질 중 적어도 하나로 구비될 수 있다.The source portion 2 is a source of a source, and an electron beam is focused on a source to generate ions. Here, the source may be provided with at least one of constituent materials including a material having a high light transmittance such as silicon dioxide (SiO 2) or titanium dioxide (TiO 2).

위상 변환 마스크 조절부(200)는 투과 영역(3)과 비 투과 영역(4)을 포함한다. 투과 영역(3)은 부채꼴 형상으로 구비되어 있고, 비 투과 영역(4)은 그 외 나머지 영역으로 구비되어 있다.The phase-shift mask adjustment unit 200 includes a transmissive region 3 and a non-transmissive region 4. The transmissive area 3 is provided in a fan shape, and the non-transmissive area 4 is provided in other areas.

전자빔 발생부(100)에서 전자빔을 소스에 집속시켜 발생한 이온들이 위상 변환 마스크 조절부(200)를 통과한다. 챔버(20) 내에서 생성된 이온들은 웨이퍼(310)가 구비된 증착부(300)로 이동하려는 경향이 있다. 이러한 이온들은 위상 변환 마스크 조절부(200)를 통과하여 지속적으로 회전하고 있는 웨이퍼(310)의 상부에 적층됨으로써 위상 변환 마스크를 생성할 수 있다. The ions generated by focusing the electron beam to the source in the electron beam generating unit 100 pass through the phase-shift mask adjusting unit 200. The ions generated in the chamber 20 tend to move to the deposition unit 300 provided with the wafer 310. [ These ions pass through the phase-shift mask control unit 200 and are stacked on top of the wafer 310 which is continuously rotating, thereby generating a phase-shift mask.

여기서, 웨이퍼(310)의 상부에 서로 두께 차이를 갖도록 적층된 것을 위상 변환 마스크라고 정의하고, 이러한 위상 변환 마스크는 위상 변환 마스크의 중심 영역과 가장자리 영역의 두께 차가 수 십 나노미터 이상 차이를 가질 수 있다. 또한, 위상 변환 마스크는 웨이퍼(310)의 회전 방향에 따라 점진적으로 두께가 증가할 수 있다. A phase shift mask is defined as a phase shift mask having a thickness difference on the top of the wafer 310. The phase shift mask may have a difference in thickness between the center region and the edge region of the phase shift mask by several tens of nanometers or more have. In addition, the phase shift mask may gradually increase in thickness along the direction of rotation of the wafer 310. [

증착부(300)는 이온화된 물질이 증착되는 웨이퍼(310), 웨이퍼(310)를 고정시키는 웨이퍼 홀더부(320) 및 웨이퍼 홀더부(320)와 연결되어 웨이퍼 홀더부(320)를 회전시키는 모터부(330)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 홀더부(320)와 연결된 모터부(330)를 회전시켜 웨이퍼(310)의 중심축의 각도와 회전방향을 조절할 수 있다.The deposition unit 300 includes a wafer 310 on which an ionized material is deposited, a wafer holder 320 for fixing the wafer 310, and a motor 330 connected to the wafer holder 320 to rotate the wafer holder 320. [ (330). The angle of the center axis of the wafer 310 and the rotational direction can be adjusted by rotating the motor unit 330 connected to the wafer holder unit 320. [

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 위상 변환 마스크를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a phase conversion mask according to an embodiment of the present invention.

도 1의 위상 변환 마스크 제조장치에 의해 구비된 위상 변환 마스크(200')가 구비될 수 있다. 위상 변환 마스크(200')에 레이저 빔을 투과하면 위상이 변환된 광 보텍스 빔이 생성된다. 이러한 광 보텍스 빔은 궤도 각운동량의 크기에 따른 함수를 갖는다. 여기서, 광 보텍스는 중앙에 불일치점(screw dislocation) 또는 특이점을 가지는 빔으로 1974년 Nye와 Berry에 의해서 이론적으로 연구가 된 후, Allen에 의해서 실험적으로 구현되었다. 광 보텍스는 중앙에 어두운 특이점을 가지는 특성으로 인하여 빔은 도넛 형태를 띄며 빔의 꼬임 정도에 따라 빔 위상특성(topological charge)이 변형된다.A phase-shift mask 200 'provided by the phase-change-mask manufacturing apparatus of FIG. 1 may be provided. When the laser beam is transmitted through the phase conversion mask 200 ', a phase-converted optical vortex beam is generated. This optical vortex beam has a function depending on the magnitude of the angular momentum of the orbit. Here, the optical vortex is experimentally implemented by Allen after being theoretically studied by Nye and Berry in 1974 as a beam with a central screw dislocation or singularity. The optical vortex has a donut shape due to its characteristic of having a dark singularity at the center, and the topological charge is deformed according to the degree of twist of the beam.

구체적으로, 위상 변환 마스크(200')는 가우시안 레이저 펄스를 궤도 각운동량(orbit angular momentum)을 갖는 레이저 펄스로 변환시킬 수 있다. 궤도 각운동량은 레이저 펄스를 양자화하여 나타낸 물리적인 값이고, 단위를 갖지 않는다. 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스는 360도의 2π 라디안의 정수 배의 궤도 각운동량을 가질 수 있다. 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스는 레이저 빔의 진행 방향에 대하여 궤도 각운동량을 갖는다.Specifically, the phase shift mask 200 'may convert the Gaussian laser pulse into a laser pulse having an orbital angular momentum. The orbital angular momentum is a physical value expressed by quantizing a laser pulse, and does not have a unit. A laser pulse having an orbital angular momentum can have an orbital angular momentum of an integral multiple of 2π radians of 360 degrees. The laser pulse having an orbital angular momentum has an orbital angular momentum with respect to the traveling direction of the laser beam.

예를 들어, 위상 변환 마스크(200')는 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스의 궤도 각운동량의 크기에 따라 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.For example, the phase shift mask 200 'will be described with reference to FIGS. 3 and 4 according to the magnitude of the orbital angular momentum of the laser pulse having the trajectory angular momentum.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 궤도 각운동량이 1인 위상 변환 마스크(200')를 나타내는 사시도로서, (a)는 평면도이고, (b)는 입체도이다.3 is a perspective view showing a phase shift mask 200 'having an orbital angular momentum amount of 1 according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a plan view and (b) is a three-dimensional view.

도 3을 참조하면, 위상 변환 마스크(200')는 원(circle)을 방위각 방향으로 분할하는 복수개의 섹터들(210)을 포함할 수 있다. 섹터들(210)은 빛의 투과율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 섹터들(210)은 제 1 내지 제 8 쿼터 마스크들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the phase shift mask 200 'may include a plurality of sectors 210 dividing a circle in an azimuthal direction. Sectors 210 may include materials with high transmittance of light. Sectors 210 may include first through eighth quarter masks 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208.

제 1 내지 제 8 쿼터 마스크들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)은 각각 360도 원에 대해 45도 각도로 나누어질 수 있다. 제 1 내지 제 8 쿼터 마스크들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)은 가우시안 레이저 펄스를 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스로 변환시킬 수 있다. 또한, 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스는 제 1 내지 제 8 쿼터 마스크들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)에 의해 2π 라디안의 위상이 천이(shift)될 수 있다. 제 1 쿼터 마스크(201)와 제 8 쿼터 마스크(208)는 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스에 대해 2π 라디안의 정수 배의 위상 차를 발생시킬 수 있다. 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스의 궤도 각운동량은 1이 될 수 있다. 또한, 펨토 초 펄스 또는 테라 헤르츠 주파수를 갖는 극 초단파의 가우시안 레이저 펄스는 파장이 매우 넓기 때문에, 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스는 제 1 내지 제 8 쿼터 마스크들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)에 의해 π 라디안의 정수 배에 대응되는 위상 차를 가질 수 있다.The first to eighth quarter masks 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 may be divided at a 45 degree angle relative to a 360 degree circle, respectively. The first to eighth quarter masks 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 may convert a Gaussian laser pulse into a laser pulse having an orbital angular momentum. In addition, the laser pulse having the trajectory angular momentum can be shifted by 2π radians by the first to eighth quarter masks 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208. The first quarter mask 201 and the eighth quarter mask 208 can generate an integral multiple of 2π radians for a laser pulse having an orbital angular momentum. The orbital angular momentum of the laser pulse having the angular momentum of the orbit can be equal to one. Since the ultra-high-frequency Gaussian laser pulse having the femtosecond pulse or the terahertz frequency has a very wide wavelength, the laser pulse having the orbital angular momentum has the first to eighth quarter masks 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, and 208, the phase difference corresponding to an integer multiple of pi radians.

또한, 제 1 내지 제 8 쿼터 마스크들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)은 순차적으로 일정하게 증가된 두께를 가질 수 있다. 즉, 제 2 내지 8 쿼터 마스크들(202, 203, 204, 205, 206, 207, 208)은 각기 제 1 쿼터 마스크(201)의 두께만큼 점진적으로 증가된 두께를 가질 수 있다. 제 8 쿼터 마스크(208)는 제 1 쿼터 마스크(201)의 8배의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 실시 예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 위상 변환 마스크(201)는 제 1 내지 제 n 쿼터 마스크들을 포함하며, 제 1 내지 제 n의 섹터들(210)의 개수가 증가될수록 높은 효율의 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스를 제공할 수 있다.In addition, the first to eighth quarter masks 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 may have sequentially increased thicknesses. That is, each of the second to eighth quarter masks 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 may have a thickness gradually increased by the thickness of the first quarter mask 201. The eighth quarter mask 208 may have a thickness of eight times the thickness of the first quarter mask 201. The embodiment of the present invention is not limited thereto. For example, the phase-shift mask 201 may include first through n-th quota masks, and may provide a laser pulse having a higher orbital angular momentum as the number of first through n-th sectors 210 increases .

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 궤도 각운동량이 3인 위상 변환 마스크를 나타내는 사시도로서, (a)는 평면도이고, (b)는 입체도이다.4 is a perspective view showing a phase conversion mask having an orbital angular momentum amount of 3 according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a plan view and (b) is a stereoscopic view.

도 4를 참조하면, 위상 변환 마스크(200')는 제 1 내지 제 3 섹터 블록들(220, 230, 240)을 포함할 수 있다. 제 1 내지 제 3 섹터 블록들(220, 230, 240)은 궤도 각운동량이 3인 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스를 제공할 수 있다. 제 1 내지 제 3 섹터 블록들(220, 230, 240)은 360도를 각각 120도로 나누어 배치될 수 있다. 제 1 내지 제 3 섹터 블록들(220, 230, 240)은 각각 제 1 내지 제 5 서브 마스크들(211, 212, 213, 214, 215)을 포함할 수 있다. 제 1 내지 제 5 서브 마스크들(211, 212, 213, 214, 215)은 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스를 2π 라디안의 위상이 천이 시킬 수 있다. 제 5 서브 마스크(215)는 제 1 서브 마스크(211)의 약 5배 정도의 두께를 가질 수 있다.Referring to FIG. 4, the phase shift mask 200 'may include first through third sector blocks 220, 230, and 240. The first to third sector blocks 220, 230, and 240 may provide a laser pulse having an orbital angular momentum of 3 orbital angular momentum. The first to third sector blocks 220, 230, and 240 may be arranged to divide 360 degrees by 120 degrees. The first through third sector blocks 220, 230 and 240 may include first through fifth submasks 211, 212, 213, 214 and 215, respectively. The first to fifth sub-masks 211, 212, 213, 214, and 215 may shift the laser pulse having the trajectory angular momentum by 2π radians. The fifth sub-mask 215 may have a thickness of about five times the thickness of the first sub-mask 211.

따라서, 위상 변환 마스크(200')는 제 1 내지 제 3 섹터 블록들(220, 230, 240)을 이용하여 궤도 각운동량이 3인 궤도 각운동량을 갖는 레이저 펄스를 제공할 수 있다.Accordingly, the phase shift mask 200 'can provide a laser pulse having an orbital angular momentum of 3 with an orbital angular momentum of 3 using the first through third sector blocks 220, 230, and 240.

이상, 본 발명은 비록 한정된 구성과 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이러한 것에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해, 본 발명의 기술적 사상과 하기 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 실시가 가능할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Various modifications and variations may be made without departing from the scope of the appended claims.

Claims (1)

전자빔을 소스에 집속시켜 이온들을 발생시키는 전자빔 발생부; 및
상기 이온들이 통과하되, 웨이퍼의 회전 방향에 따라 상기 이온들의 증착 정도를 조절하는 위상 변환 마스크 조절부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변환 마스크의 제조장치.An electron beam generator for focusing the electron beam to a source to generate ions; And
A phase shift mask control unit for controlling the degree of deposition of the ions according to the rotation direction of the wafer,
Wherein the phase shift mask is formed on the substrate.
KR1020140005528A 2014-01-16 2014-01-16 Apparatus for fabricating Phase Shift Mask KR20150085639A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140005528A KR20150085639A (en) 2014-01-16 2014-01-16 Apparatus for fabricating Phase Shift Mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140005528A KR20150085639A (en) 2014-01-16 2014-01-16 Apparatus for fabricating Phase Shift Mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150085639A true KR20150085639A (en) 2015-07-24

Family

ID=53875858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140005528A KR20150085639A (en) 2014-01-16 2014-01-16 Apparatus for fabricating Phase Shift Mask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150085639A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200095035A (en) * 2019-01-31 2020-08-10 에스케이씨하이테크앤마케팅(주) Gradation film and preparation method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200095035A (en) * 2019-01-31 2020-08-10 에스케이씨하이테크앤마케팅(주) Gradation film and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10522332B2 (en) Plasma processing system, electron beam generator, and method of fabricating semiconductor device
CN107148494B (en) Lighthouse scanner with rotating mirror and annular target
TWI616262B (en) Manufacturing device and method of shadow mask using laser patterning
CA2479702C (en) System and method for making thin-film structures using a stepped profile mask
US20200348599A1 (en) Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same
US20140038393A1 (en) Method and system for ion-assisted processing
US20120280140A1 (en) Method and system for controlling critical dimension and roughness in resist features
US20120080308A1 (en) Plume steering
JP7417611B2 (en) Adjustment of rolling K vector of tilted grating
US20130037725A1 (en) Grid providing beamlet steering
KR20150085639A (en) Apparatus for fabricating Phase Shift Mask
WO2018033801A1 (en) An interference coating or its part consisting layers with different porosity
WO2012047982A2 (en) Plume steering
US11456205B2 (en) Methods for variable etch depths
JP2016111057A (en) Manufacturing method for fluorescent light source light-emitting element, and fluorescent light source light-emitting element
WO2016071760A2 (en) Laser patterning of cylinders for printing, imprinting, embossing, and inverse offset, for 3d patterning
WO2018156047A1 (en) Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using
CN112522671B (en) Magnetron sputtering method, device, equipment and readable storage medium
US20190256966A1 (en) Techniques for selective deposition using angled ions
DE102012205615A1 (en) Coating for producing an optical element having a substrate, whose surface has optically active coating, comprises e.g. placing substrate in substrate plane, generating ions, and deflecting ions moving toward substrate by an electric field
JP2022550019A (en) Method and apparatus for carrier proximity mask
KR101136258B1 (en) Manufacturing process of element include metal film having nano-scale aperture, nano-scale element, optical lens and plasmonic optical head manufactured the method
Wang et al. Large-area uniformity in evaporation coating through a new form of substrate motion
Savvides Correction masks for large-area ion beam etching and figuring of optics
JP2006141910A (en) Apparatus for forming irradiation field of charged particle beam

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination