KR20150084693A - 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터 - Google Patents
그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 관한 것으로, 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level을 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 전정기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
Description
본 발명은 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그래핀, 플러렌, 반도체회로, 마이크로단위, 나노단위 중 하나 이상 선택되는 단위를 구비하는 구조물 및 조성물, 유연성, 탄성, 신축성 중 하나 이상 선택되는 것 을 구비 하는 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 구조물)등이 가지고 있던 공간, 중공, 탄성, 신축성, 유연성 중 하나 이상 선택되는 것을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터을 하나 이상 구비하여 하나 이상의 전자을 연결하는 것이다.
1. 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십 억개씩 들어가 있는 현행 반도체로는 `10나노급`이 미세공정의 한계로 꼽힌다. 하지만 전자 이동속도가 100배 이상 빠른 그래핀을 활용하면 7나노, 3나노대의 반도체를 만드는 데 힘을 받을 수 있다는 게 전자업계 설명이다.
2. 또한 그래핀 소재로 반도체의 용량과 처리속도를 확 높이면 차세대 반도체 시장의 주도권을 쥘 수 있다. 그래핀은 값비싼 물질이 아니어서 생산원가에 부담이 없는 반면 반도체 공급가격을 높일 수 있는 여지가 큰 것으로 파악된다.
3.그래핀은 탄소 원자 한층으로 이뤄진 육각형 구조의 물질로 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전자를 전달하는 특성을 지니고 있다.
4. 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터 크기를 줄여 전자의 이동거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이도록 해야 한다.
5. 높은 전자 이동도를 갖고 있는 그래핀은 실리콘을 대체할 물질로 주목받고 있지만 문제는 그래핀이 `도체` 특성을 갖고 있다는 점이다. 그래핀이 금속성을 지니고 있어 전류를 차단할 수 없다는 얘기다. 트랜지스터는 전류의 흐름과 차단으로 디지털 신호인 0과 1을 나타낸다. 그래핀을 사용하려면 이를 `반도체화`하는 과정이나 충분한 진공 gap, Band gap, Air gap, 중 선택되는 것을 가져야 한다.
6. 그래핀이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
7. 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
8. 또한 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
9. 종래 반도체 제조공정을 바꿀 필요가 없다. 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하면 되므로 반도체 공정에서 크게 달라지는 게 없다.
10. 발명의 한 실시적인 예로, Piezo 특성을 갖는 그래핀을 사용하였을 경우 별도의 그래핀 없이 자체적으로 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level을 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구성되어 볼 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation으로 설명되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.
1. 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십 억개씩 들어가 있는 현행 반도체로는 `10나노급`이 미세공정의 한계로 꼽힌다. 하지만 전자 이동속도가 100배 이상 빠른 그래핀을 활용하면 7나노, 3나노대의 반도체를 만드는 데 힘을 받을 수 있다는 게 전자업계 설명이다.
2. 또한 그래핀 소재로 반도체의 용량과 처리속도를 확 높이면 차세대 반도체 시장의 주도권을 쥘 수 있다. 그래핀은 값비싼 물질이 아니어서 생산원가에 부담이 없는 반면 반도체 공급가격을 높일 수 있는 여지가 큰 것으로 파악된다.
3.그래핀은 탄소 원자 한층으로 이뤄진 육각형 구조의 물질로 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전자를 전달하는 특성을 지니고 있다.
4. 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터 크기를 줄여 전자의 이동거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이도록 해야 한다.
[문헌1] Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012:Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126/science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim
그러나, 상기 그래핀의 뛰어난 전도도를 활용하고자 하는 경우, 너무 뛰어난 전도도로 인해 종래의 트랜지스터 방식으로는 전류의 흐름과 차단을 조절하기가 어려운 문제점이 발생하게 되었다.
따라서, 본 발명은 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level을 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 전정기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공함에 그 목적이 있다.
1. 그래핀이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
2. 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 이는 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
3. 또한 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
4. 또한 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
5. 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
발명의 한 실시예에서, 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
발명의 한 실시예에서, Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
발명의 한 실시예에서, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
상기에서 설명한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 대기 전력 문제를 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하면 종래의 트랜지스터보다 100배 이상 처리속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있는 효과가 있게 된다.
도 1
a. 1 내지 3으로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
d. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
도 2
a. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하여 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 전극자유회로기능은 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level을 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
도 3
a. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3으로 구성되는, 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 90 또는 100(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미하며, 도면에서 빈공간은 진공층, 또는 Air층 또는 쇼키장벽(Schottky Barrier), 또는 Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 90 또는 100(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 4
a. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level을 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
도 5
a. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3 으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는 빗금쳐져 있는 부위-장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3 으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미하며, 도면에서 빈공간은 진공층, 또는 Air층 또는 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 6
a. 1 내지 4 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
b. 1 내지 4 로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면의 구성이 포함되어 있는 회로)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
c. 1 내지 4 로 구성되는, 하나 이상의 200(그래핀)이 하나 이상의 300(도면의 구성이 포함되어 있는)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면의 구성이 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 7
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 회로로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 8
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 회로로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
a. 1 내지 3으로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
d. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
도 2
a. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하여 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 전극자유회로기능은 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level을 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
도 3
a. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3으로 구성되는, 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 90 또는 100(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미하며, 도면에서 빈공간은 진공층, 또는 Air층 또는 쇼키장벽(Schottky Barrier), 또는 Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 90 또는 100(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 4
a. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level을 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
도 5
a. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3 으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는 빗금쳐져 있는 부위-장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3 으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미하며, 도면에서 빈공간은 진공층, 또는 Air층 또는 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 6
a. 1 내지 4 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
b. 1 내지 4 로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면의 구성이 포함되어 있는 회로)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
c. 1 내지 4 로 구성되는, 하나 이상의 200(그래핀)이 하나 이상의 300(도면의 구성이 포함되어 있는)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면의 구성이 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 7
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 회로로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 8
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 회로로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function를 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리이다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것으로 인하여 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하게 되며, 이는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 조절하는 방법으로도 활용될 수 있다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 힘으로 인하여 조절이 가능합니다. 이러한 모델은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형을 일으켜 굽힘변형이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있습니다. 이는 그래핀의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 종래의 구조가 어려웠던 그래핀을 충분히 진공 gap, Band gap, Air gap, 중 선택되는 것을 유지한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있다.
본 발명은 그래핀이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결한다.
그리고, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 이는 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결한다.
또한, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 Fermi level를 하나 이상 조절하는 것을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
또한, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
또, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터로 이해되어 질 수 있음이다.
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본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function를 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리이다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것으로 인하여 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하게 되며, 이는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 조절하는 방법으로도 활용될 수 있다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 준위로 인하여 조절이 가능하다. 이러한 모델은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있다. 이는 그래핀의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 종래의 구조가 어려웠던 그래핀을 충분히 진공 gap, Band gap, Air gap, 중 선택되는 것을 유지한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하는것은 그래핀의 상단부에 접착물질이나 엘라스토머 등이 구비되어 있는 상황에서도 그래핀과 함께 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀를 구비하는데 있어서 전사기술, 리소그래피기술을 사용할 수 있으며, 교차되는 회로를 꾸미는데 있어서, 오버레이 기술등 통용되는 종래의 반도체 제조기술을 사용하여 제작 할 수 있음이다. 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀이 전사되는데 있어서 하나 이상의 자성입자가 함께 구비되어 있는 상태로 같이 전사되어 회로를 구성할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 진공층이나 Air층을 구비하는데 있어서 해체층으로서 구비할 수 있으며, 해체층은 분열이나 분해시켜 사용할 수 있는 종래의 반도체 공정에서 사용하는 해체층을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 상부에 접착물질, 엘라스토머, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 다층상태에서 굽힘변형이 구비되어, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 이는 도면에서 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 통로로 이어지는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 굽힘변형은 영률(Yong's Module)로서 설명될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 곡률반경 1/2 R 값으로서도 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 하나 이상의 나노 자성입자를 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 Magnet 성질을 구비하는 모든 합성물질을 포함하는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 Magnet 성질을 구비하는 모든 나노 합성물질을 포함하는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 비선형 버커링 물리학적 원리와 관련된 복잡한 하나 이상의 형태, 하나 이상의 레이아웃를 하나 이상 구비할 수 있으며, 하나 이상의 초기변형률(prestrain)의 크기(εpre)가 증가할수록 상기 비선형 버커링 물리학적 원리와 관련된 복잡한 하나 이상의 형태, 하나 이상의 레이아웃 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것에서의 기초적인 굽힘 역학을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하여 유도된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상 구비하는 하나 이상의 층에서 하나 이상의 구부림 모멘트<M>은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 그것은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 <u>의 2차 도함수이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상 구비하는 평면에서 수행되며, 종래 전자장치 제조공정과 하나 이상 선택적으로 호환될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 종래 평면 형상 제조 시스템을 비선형 형태를 필요로 하는 적용에 사용하기 위해 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 평면으로 제조되는 기하학적 한계를 극복할 수 있는 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 양의 곡률을 하나 이상 구비하는 표면과 관련됨에 불구하고 음의 곡률을 하나 이상 구비하는 것들 역시 가능하다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 비동일 평면을 하나 이상 구비하고 하나 이상 상호연결된 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀을 하나 이상 구비하는데 있어서, 하나 이상의 캐리어 유동체나 용매와 같은 하나 이상의 캐리어 매개물로 확산되는 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 mobility로서 설명된다.
본 발명의 한 실시예에서, mobility는 기체, 액체, 고체 내에서 이온, 전자, 콜로이드입자 등 전하를 가진 입자가 전기장 때문에 힘을 받을 때, 그 평균이동속도 v와 전기장의 세기 E의 관계 v=uE로 정의되는 계수 u이다. 전기장의 세기가 크지 않을 때만 성립하며, u의 단위는 cm2 s-1 V-1이다.
본 발명의 한 실시예에서, 이 비례관계는 E가 그다지 크지 않을 때 성립하며, 등방성 매질에서는 u는 스칼라상수이다. u의 단위는 cm2 s-1 V-1이다. 특히 홀이동도(Hall mobility)와 구분할 때는 유동이동도라 한다. 단위부피당의 입자수를n, 입자의 전하를 e라 하면, 입자의 운동에 따른 전기전도도 σ는 σ=neu이다. 입자의 확산계수 D는 일반적으로 아인슈타인의 관계식 u=eD/kT(k는 볼츠만상수, T는 절대온도)가 성립한다.
본 발명의 한 실시예에서, mobility는 임피던스의 역수를 말한다. 단(單)진동하는 기계시스템의 어떤 점 속도와 같은 점 또는 다른 점의 힘과의 복소수 비를 이동도라 한다. (1) 세기 E의 전장에서 전하를 갖는 입자가 힘을 받을 때 평균 이동속도 V와 E의 비 V/E를 이동도 라고 한다. (2) 주파수 응답 함수의 일종이며, 어떤 점의 속도와 그와 같은 점 또는 다른 점의 여자력의 비이다. 기계 임피던스의 역수이며 주파수의 복소 함수가 된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 그래핀의 굽힘역학은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것에 비하여 그래핀이 하나 이상의 영률(Young's modulus)를 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 (1) 하나 이상의 1 마이크론 이상 100 마이크론 이하의 범위, (2) 하나 이상의 1 나노미터 이상 100 나노미터 이하의 범위, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (2) 중 하나 이상 선택되는 범위를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 변형으로 부터 자유로운 변형 고립층를 본 발명의 트랜지스터는 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것에서의 기초적인 굽힘 역학으로 해석되어 질 수 있다. 또한 박리 등의 치명적인 변형을 피하기 위하여 변형이 영인 구조를 본 발명의 트랜지스터는 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 기하학적인 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 다층구조, 다층 스택, 네트, 단일, 스택, 계층, 셀, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상의 변형이 발생하는 면적으로 인하여 조절되어지지만, 본 발명의 한 실시예에서, 변형이 발생하지 않는 면적에 의하여 영향을 받을 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 공간적으로 균일하지 않은 특성을 구비하여 구비된다.
본 발명의 한 실시예에서, 이미 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 공간적으로 균일한 특성을 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다. 상기 공간적으로 균일한 특성, 공간적으로 뷸균일한 특성은 (평면-변형) 계수들로서 설명되어 진다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상 공간적으로 균일하지 않은 특성, 하나 이상 공간적으로 균일한 특성, 중 하나 이상 선택되는 특성을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 상부 표면으로부터 변형이 발생하는 거리(d)로서 설명되어 진다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 구부림 강성도 및 효과적인 신장성을 가지는 합성보의 굽힙역학으로 설명되어 진다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 모멘트<M> (하나 이상의 굽힘 에너지, 축방향 힘 F 중 하나 이상 선택되는 것)은 플레이트 이론을 통하여 그것의 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 평면밖 변위 <u>의 항으로 얻어진다. 또한 그것의 변형 에너지는 <u>의 항으로 얻어진다. 더하여 상기 변위 <u>는 전체 에너지를 최소화하는 것에 의해 결정되어질 계수들과 함께 푸리에 급수로 확장된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 그것은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 <u>의 2차 도함수이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상 가깝게, 일치하며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 10 ㎛, 1 ㎛, 100 ㎚, 3 ㎚ 중 하나 이상 선택되는 수치보다 적은 수학 값, 물리적 치수 중 하나 이상 선택되는 것으로 정의된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 구비할때 발생하는 변형에 민감한 층을 보호하기 위하여 충분히 단단한 재질이 사용될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 그래핀을 100%, 75%, 50%, 25%, 10%, 100% 내지 3% 의 범위, 중 하나 이상 선택되는 범위에서 굽힘변형을 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 다층구조, 다층 스택, 네트, 단일, 스택, 계층, 셀, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하되, 등가 장력 강도 및 등가 굽힘 강도로서 설명될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 해체층은 하나 이상의 PMMA를 하나 이상 구비, 이용 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상의 이탈, 박리, 분열, 분해, 제거 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 제조방법은 전자 구성 요소 배열 또는 요소의 패턴 배열과 같이(예를 들어, 반도체) 고정확성 리프트오프 인쇄 요소들을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 고정 및 지지 구조(fixture)를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 접착층, 접착영역은 본 발명에서 제시하는 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것의 결합력보다 적은 결합력을 의미할 수 있으며, 본 발명에서 제시하는 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상 구비되지 않는 영역을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 접착층, 접착영역은 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 유한 요소 시뮬레이션을 만족하는 하나 이상의 재질, 구조, 형태, 장치, 구성요소 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 유한 요소 시뮬레이션은 하나 이상의 8-노드, 4-노드 다층 쉘 요소 중 하나 이상 선택되는 것을 가진 육면체 요소를 이용하여 실행될 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 유한 요소 시뮬레이션은, 역학적으로 독립적 방식으로 행동하기 위해 하나 이상의 유한요소법(FEM), 유한차분법(FDM), 유한체적법(Finite Volume Method), 다구찌 기법(Taguchi method), 로버스트 설계(Robust Design) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터를 제조하기 위해서 정렬 유지 소자를 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 버클링변형을 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 버클링변형은 작은 다수의 파장들이 함께 융합되는 것과 같이 발생할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터는 a. 하나 이상의 비동일 평면의 설계를 위하여, b. 하나 이상의 기계적인 변형격리를 위하여, 로 구성되는 상기 a 내지 b, 중 하나 이상 선택되는 것을 위하여, 본 발명에서 제시하는 제조방법을 하나 이상 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 점, 리본, 띠, 디스크, 작은 판, 블럭, 기둥, 원통 또는 이들 형상의 모든 조합중 하나 이상 선택되는 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 변형두께가 대략 1 나노미터 ~ 100 마이크론, b. 변형폭이 대략 1 나노미터 ~ 1 밀리미터 c. 변형길이가 대략 1 마이크론 ~ 1 밀리미터, d. 변형길이가 10 마이크론 이상 또는 이하, e. 변형폭이 1 마이크론 이상 또는 이하, f. 마이크로스트립변형(두께 340 나노미터, 폭 5 마이크론, 길이 15밀리미터 이하), g. 변형간격(2 마이크론 이상 또는 이하), h. 하나 이상의 변형길이, 변형넓이, 변형면적, 변형부피, 변형폭, 변형높이, 변형두께, 변형단면적, 변형간격, 표면 거칠기, 표면 활성화범위, 표면 비활성화범위, 편평도, 중 하나 이상 선택되는 것의 하나 이상의 물리적 치수가 1 나노미터 ~ 200 마이크론, 로 구성되는 상기 a 내지 h, 로 구성되는 것중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 4 ~ 20 ppma(parts per million atoms) 미만의 포함도, (b). 100만 원자 당 대략 1 ~ 4 ppma 미만의 포함도, (c). 대략 1 ppma 이하의 포함도, (d). 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 100 ppba(parts per billionatoms) 이하의 포함도, (e). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 ppba 이하의 포함도를 하나 이상 구비할 수 있다. (f). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10-50 ppba 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, (g). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10-50 ppmv(parts per million by volume) 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, (h). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10-50 ppbv(parts per billion by volume) 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다,
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 적어도 하나이상 매끄러운 표면을 하나 이상 구비하며, b. 바람직하게는 하나 이상의 10 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, c. 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 하나 이상의 1 Augstrom 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, 로 구성되는 상기 a 내지 c 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 버클링 변형, 맴브레인 변형, 굽힘 변형 중 하나 이상 선택되는 하나 이상의 변형을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 사인파, 스퀘어파, 아리에스(Aries) 함수, 가우시안(Gaussian)파, 로렌츠형(Lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래핀 및 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 나노결정과 같은 "상향식" 공정 기술에 의해 생성된 반도체 재료 기반 장치에 관한 강화된 신뢰성을 보이는 기능적인 장치의 제조를 용이하게 하는 공정 플랫폼을 하나 이상 구비하여 하나 이상 제조할 수 있다. 더하여 상기 신뢰성은 확장된 작동 기간에 걸쳐 우수한 전자 특성을 보이기 위한 기능적인 장치의 성능을 나타내고, 본 발명의 방법 및 조성을 사용하여 제조된 장치의 총체의 전기적 특성에 관한 각각에 대한(piece-to-piece) 획일성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고(즉, 오버랩되지 않는), 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, c. 하나 이상의 전기적인 접촉, 로 구성되는 상기 a 내지 c 중 하나 이상 선택되는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 기울기를 구비하는 형태로 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 상기 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되어 있는 상태에서 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 것을 의미할 수 있다. 덧붙여 설명하자면 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 Work function을 하나 이상 조절하는데 있어서 도움을 주는것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 것은 Fermi-level pinning이 고려되어 설계되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)로서 설명되어 질 수 있다. 중요한 요점은 그래핀과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, 이것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다는 점이다. 본 발명의 한 실시예에서, 자성입자가 점 접촉, 면 접촉, 날카로운 접촉, 둥근면접촉, 날카로운면접촉, ,규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있음이다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 나노단위에서의 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 연속체 역학으로서 설명될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 코시 탄성체로서 설명되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 탄성을 구비하며 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 의미될 수 있으며, 탄성(elasticity)이란 물체에 가해진 힘이 사라졌을 때 물체가 원래의 모양으로 복구되고자 하는 성질이다.
본 발명의 한 실시예에서, 연속체 역학은 더 작은 요소로 무한히 나누어도 그 각각의 요소가 원래의 전체로서의 물질의 성질을 그대로 유지한다고 가정하는 연속체의 개념을 기반으로 한다. 실제로 물질은 연속적인 것이 아니라 원자로 이루어져 있다는 점, 그래서 불균일한 미시 구조를 갖고 있다는 점은 무시된다. 본 발명의 한 실시예에서, 연속체에서는 물체 내에 물질이 균일하게 분포되어 있고, 물체가 차지한 공간을 완전히 꽉 채우고 있으며, 따라서 에너지나 운동량 등의 물리량들이 극소 극한에서도 그대로 유지된다고 가정한다. 본 발명의 한 실시예에서, 연속체 역학에서는 본 발명을 설명하는데에 미분 방정식을 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 있어서, 도면에서 보았을때 하부라 표현하였지만 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀의 상부에 하나 이상 구비되어 그래핀이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 이는 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀의 측면에 하나 이상 구비되어 그래핀이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 하부에 구비되는 것으로 표현하는 것은 상부나 측면에 구비되는 것을 포함하는 의미로 해석될 수 있으며, 중요한 요점은 그래핀이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이다.
본 발명의 한 실시형태에서,그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 (Ⅰ). 하나 이상의 가공, 증착, 스퍼터증착, 음극 아크 증착, 전자빔 물리 기상 증착, 증발 증착, 펄스 레이저 증착, 진동증착, 마스크, 광학적필터, 마스킹, 에칭, 패터닝, 측면 패터닝, 한 방향 이상의 패터닝, 전사, 전이, 재생, 오버레이(over lay), 전자기 방사, 프린팅, 3D Print, 샘플회전, 기울기, Gradient, 산화, 롤러, 주조, 인쇄, 캐스팅, 경화, 응고, 부유, 발열체사용, 프레싱, 롤 프레싱, 연마, 예비 변형, 트렌치(trench)의 시리즈, 큐어링, 몰딩, 회로를들어올림, 혼합, 채움, 반데르발스 결합, 봉지화, METAL, CLEAN, IMP, DIFF, PHOTO, CVD, CMP, DEPOSITION, ANNEALING, WET, 식각, 반도체 용융블로잉 방사, 반도체 전기방사, 반도체 일렉트로브로운방사, 반도체 부직포를 하나 이상 제조하는 방사법, 방사를 이용한 반도체 나노섬유 제조기술, 반도체 나노섬유 웹 방사제조기술, 반도체 극세 섬유 부직포 제조기술, 반도체 초극세 나노섬유 부직포 제조기술, 반도체 섬유 웹 제조기술, 반도체 초극세 나노섬유 웹 제조기술, 반도체 극세 섬유 웹 제조기술, 반도체 플래시 방사 제조기술, 반도체 정전 방사제조기술, 반도체 멜트브로운 방사제조기술, 레이저, 용접, 응축, FUSI, 이중확산, packaging, Bangding Wire, Wide Square, Analog Pond, Digital Area, Wire Bonding, Bonding, Soldering, wave Soldering, BRAZING, Manual Soldering, 융착, 리프트오프(lift off), 물질 성장, 도핑, 코팅, 증발, 담금, 금속증발, 용융, 분말코팅, 함침, 젤화, 필터, 절단, 용해, 세척, 건조, 전처리, 포토리소그래피, 리소그래피, 리토그라피, 광학적 리토그라피, 형상식각, 금속증착, 절연막 형성, 선택적 식각, 마스크를 사용하지 않는 전자빔 리토그라피, FIB(focused-ion-beam)공정, 제거, HMDS, BOE, 스핀-온-도판트, PECVD, RIE, 피라나처리, HF, 스핀코팅, 자외선오존처리, PR패턴, PR제거, 아세톤세척, 에탄올세척, 융합, UVO처리, 배열제조, 전자빔, 이온빔, 성형, 초음파, 빛, 노광, 광, 집광, 램프, 레이저 파동 시리즈(광핀셋)로 위치이동, 리플로우(reflow), 현상, 플라즈마, 접착, 정전기력, 자기력, 정자기력, 음파, 압착, 압축, 전자파, 변형, 고주파, 침투, 확산, 산란, 분리, 분해, 화학적활성, 분열, 노출, 가열, 흡수, 방출, 냉각, 균열, 이용, 하나 이상의 고정 및 지지 구조(fixture), 비결합, 결합, 분사, 부착, 접촉, 밀착, 메니스커스원리, 박리, DNA사슬접기, 배열, 배치, 합성, 연결, 적층, 형상만들기, 조립, 음각, 양각, 조합, 형태변형, 위치시킴, 조직화, 조합, 교차, 근접, 밀접, 밀착, 통과, 공급, 패턴, 집적, 부각, 위치결정공정, 용액 인쇄, 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 도핑과 같은 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형, 중 선택되는 것으로 구성되는 것은 각각의 선택되는 방법이 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 각각의 선택되는 하나 이상의 방법(예를들어, 상기 집적은 하나 이상의 동일한, 상이한 중 하나 이상 선택되는 특성을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 집적)을 의미하되, Ⅰ. (a) 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (b) 한 방향 이상에서, (c) 하나 이상 지속적, 비지속적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (d) 하나 이상 전체적, 부분적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (e) 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되며, Ⅱ. 상기 Ⅰ 에서 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하되, ⓐ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법은 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 도핑과 같은 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형도 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 하나 이상의 공정의 하나 이상의 공간적으로 제어되는 특성, ⓑ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법의 지속시간, ⓒ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 온도, ⓓ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 압력, ⓔ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 전력, ⓕ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 기체, 액체, 고체 중 하나 이상 선택되는 것의 농도, ⓖ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 공간, ⓗ. 상기 ⓐ 내지 ⓖ 중 하나 이상 선택되는 것이 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 단계, (Ⅱ). 상기 (Ⅰ) 에서 하나 이상 선택된 방법을 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하여, ①. 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ②. 한 방향 이상에서, ③. 하나 이상 지속적, 비지속적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ④. 하나 이상 전체적, 부분적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ⑤. 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 로 구성되는 상기 ① 내지 ⑤ 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되되, 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택된 특성을 하나 이상 구비되는 것; 을 특징으로 한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation으로 설명되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation으로 설명되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 상부에 반도체, 부도체, 접착물질, 엘라스토머, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 다층상태에서, 상기 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되어, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 이는 도면에서 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 통로로 이어지는 것을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 도면 300은 다층상태의 300을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것에서, Fermi level은 a. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다. b. state와 전자를 동시에 제공한다. C. 결정의 공간적인 왜곡, d. 결정의 공간적으로 왜곡시키되 state와 전자를 동시에 제공한다, 으로 구성되는 a 내지 d 로 구성되는 것 을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 적어도 하나이상 매끄러운 표면을 하나 이상 구비하며, b. 바람직하게는 하나 이상의 100 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, c. 바람직하게는 하나 이상의 1 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, d. 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 하나 이상의 1 Augstrom 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, 로 구성되는 상기 a 내지 d 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래핀의 탄성을 구비한다. 상기 탄성은 그래핀의 고유한 성질이며, 상기 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비된 이후 그래핀의 형태변형이 되돌아 오는 것으로 의미될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 접촉 면적을 증가시키는 표면 구조를 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 "표면 구조(Surface texture)"는 증가된 표면 영역에 작용상 나타나는 어떠한 기술, 기능, 작용, 작동, 형태, 특징을 총칭하여 사용할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 "표면 구조(Surface texture)"는 내적, 외적 중 하나 이상 선택되는 것으로 돌출 형상(relief feature) 또는 또 다른 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 표면 거칠기(surface roughness)를 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 표면 거칠기(surface roughness)는, (a). 100 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (b). 10 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (c). 1 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (d). 0.1 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (d) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 영률은 0.1 MPa 이상과 5 MPa 사이, 100 Mpa 이하, 하나 이상의 5 MPa 이상, 1 MPa 이상, 로 구성되는 영률을 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 영률은 그래핀 또는 그래핀과 상부에 구비되는 다층형태에서 영률을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 1 마이크론 이하의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (b). 500 나노미터 이하의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (c). 1 마이크론 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (d). 500 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (e). 100 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (f). 10 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (g). 1 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (g) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 물리적 치수에 한정되지 않고 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀이 갖는 고유한 유연성은 종래 깨지기 쉬운 실리콘 기반의 전자 장치들에는 가능하지 않은 사용가능한 수많은 장치배열 위해 제공되는 다양한 형태로 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 구비되게 할 수 있다. 또한 공정가능한 구성재료들과 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되도록 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀은 적은 비용으로 큰 기판영역에 전자 장치들을 제조할 수 있는 인쇄 기술로 제조 가능하다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 구비하는 것은 하나 이상의 전사 프린트하는 제조방법을 하나 이상 구비하여 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 파괴점(failure point)을 특징짖는 하나 이상의 변형, 파괴점(failure point)을 특징짖는 하나 이상의 기계적 충격 중 하나 이상 선택되는 것과 같은 심각한 변형을 유도하지 않고 구비되는 것을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 변형률이 약 100%으로, (b). 변형률이 약 50% 미만으로, (c). 변형률이 약 10% 미만으로, (d). 바람직하게는 가해지는 변형률이 약 1% 미만으로, (e) 더욱 바람직하게는 가해지는 변형률이 약 0.5% 미만으로, 로 선택되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 의미될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위는 펄스형태나 테라헤르쯔, 기가헤르쯔, 등의 헤르쯔 형태로 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 상기 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 간격조정하는 것으로 의미될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상 파손되지 않고 약 1% 이상, 약 10% 이상, 약 30% 이상, 약 100% 이상, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀, 그래핀 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정회로는 본 발명에서 제시하는 제조방법으로 하나 이상 패턴화할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 굽힘 역학으로 설명될 수 있으며, 상기 하나 이상의 굽힘 역학은 본 발명에서 제시, 청구하고자 하는 하나 이상의 구조의 하나 이상의 설계 및 하나 이상의 효율의 관점에 있어서 고려될 수 있다
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 임의의 적은 곡률반경(r)에 대한 변형이 영인 구조를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 임의의 적은 곡률반경(r)의 하나 이상 위치한 기하학적 면에서부터 변형이 발생하는 거리(d)로서 설명되며, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것에서, 임의의 적은 곡률반경(r)의 하나 이상 위치한 기하학적 면에서부터 변형이 발생하는 거리(d)로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 설명되어 진다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기에서 설명하는 거리(d)는 효과적인 신장성 강성도를 가지는 합성보로서 설계되어질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 모멘트<M> (하나 이상의 굽힘 에너지, 축방향 힘 F 중 하나 이상 선택되는 것)은 플레이트 이론을 통하여 하나 이상 구비하는 하나 이상의 평면밖 변위 <u>의 항으로 얻어진다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 표면 변위 <u>에 영향을 받는 변형 에너지는 <u>의 항으로 얻어진다. 더하여 상기 변위 <u>는 전체 에너지를 최소화하는 것에 의해 결정되어질 계수들과 함께 푸리에 급수로 확장된다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것에서 각각의 층에서 하나 이상의 구부림 모멘트<M>은 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 하나 이상의 <u>의 2차 도함수로서 풀이된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 기계적 변형을 도모할 수 있는 구조적 모양을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 작동하기 전과 비교하여, 하나 이상 공간적으로 균일하지 않은 특성을 하나 이상 구비하는 적어도 하나이상의 층을 의미할 수 있다. 하지만 공간적으로 균일한 특성이 Fermi level의 높이를 조절하는데 있어서 영향을 줄 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 고정 및 지지 구조(fixture)를 구비하는 제조방법은 고정확성 리프트오프 배열을 용이하게하기 위한 앵커(anchor)를 발생시키고, 이에 의해 지지 기판으로부터 폴리머 재료에 고정된 배열을 제거시키는 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 유한 요소 시뮬레이션을 수행하는 데 있어서 하나 이상의 좌굴(buckling)시트의 유한 요소 모델를 만족하며, 상기 유한 요소 모델은 본 발명의 한 실시형태에서, 상기 하나 이상의 8-노드, 4-노드 다층 쉘 요소 중 하나 이상 선택되는 것을 가진 육면체 요소는 유사한 버클링 패턴을 나타내며, 역학적으로 독립적 방식으로 행동하기 위해 충분하게 이격된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 제조방법은 하나 이상의 특정 평면 공정 단계들, 회로 리프트오프(liftoff) 전략, 압축성 연결체 레이아웃, 반구형 PDMS 전이 요소들, 방사성 장력을 인가하는 단계, 고정장치(fixture), 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 도핑과 같은 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형, 중 하나 이상 선택되는 제조방법을 구비하여 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 사용될 제조방법에는 소수성영역과 친수성영역을 구분하여 캐리어 매개물로 인해 확산하는 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 상부에는 경화제 없이 경화되지 않는 액체 고분자 또는 엘라스토머가 상기 하나 이상의 상부 표면에 하나 이상 구비되는 형태를 취할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 제조방법은 반도체 웨이퍼와 같은 모체 기판으로 기계적으로 결합시키는 하나 이상의 정렬 유지 소자와 함께 제공될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 정렬 유지 소자는 또한 하나 이상의 전사, 조립, 집적, 본 발명에서 제시하는 하나 이상의 제조방법 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 공정 단계 중에 반도체 소자의 선택된 패턴을 정의하는 복수의 반도체 소자의 관련된 위치 및 배향을 유지하는데 유용하다.
"(◆Fermi Level in 트랜지스터◆)"
본 발명의 한 실시형태에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터은 "(◆Fermi Level in 트랜지스터◆)"을 하나 이상 구비한다. 상기 (◆Fermi Level in 트랜지스터◆)은 아래와 같이 설명된다.
(001-001). Fermi level in 트랜지스터
(001-002). 에서 Fermi level 트랜지스터 총 화학 잠재력 전자에 대 한 (또는 전기 화학 잠재력 전자에 대 한)와 트랜지스터 u 에 의해 일반적으로 트랜지스터 또는 E F 트랜지스터
(001-003).는 Fermi level에 있는 바디의 트랜지스터 은 한 열역학 수량에 트랜지스터, 그리고 그것의 중요성에 트랜지스터 은 열역학적 작업 한 전자에서 시체를 추가 하는 데 필요한 트랜지스터 (계산 하지 어디에서 온에서 전자를 제거 하는 데 필요한 작업에) 트랜지스터.
(001-004).에서 Fermi level의 정확한 이해 트랜지스터 -방법에 관한 전자 밴드 구조 전자 속성 결정 방법에 관한에 전압 트랜지스터 및 충전의 흐름 에서 전자 회로에서 트랜지스터-에 고체 물리학의 이해에 근본적 이다 트랜지스터.
에 밴드 구조 에 있는 트랜지스터에서 Fermi level 가상 에너지 수준에 전자의 간주 될 수 있습니다. 열역학 평형에서이 에너지 레벨에 어떤 주어진된 시간에 점령 되 고의 50% 확률 했는지의 여부.
(001-005).에 Fermi level 에서 실제 에너지 레벨에 해당 하는 것은 반드시 트랜지스터 (절연체는 페르미 레벨에 놓여는 밴드 갭 에 트랜지스터)도에서 밴드 구조의 존재 않아도 트랜지스터.
(001-006). NoneTheless에서 Fermi level 트랜지스터 에 정확 하 게 정의 된 열역학적 수량은 트랜지스터, 및에서 Fermi level의 차이 트랜지스터 와 함께 간단 하 게 측정 될 수 있다는 전압계 .
(001-007). 의 Fermi level와 전압 트랜지스터
(001-008). 제시되는물질 전자의 간소화 설명 회로 ① 은 그 전기 전류에 차이에 의해 구동 됩니다 정전기 잠재력 (Galvani 잠재적인)에서 트랜지스터
(001-009). 예를들어, 다중 소재 소자로 트랜지스터 같은 p-n 접합 내부의 정전기 잠재적인 차이에 동반 전류 없이 평형에 포함 트랜지스터경우에 전압계; 트랜지스터 에 접속점에 연결 트랜지스터하나 단순히 0 볼트에 측정, 트랜지스터
(001-010). 명확 하 게, 정전기 잠재력에 트랜지스터 에서 재료의 흐름에 영향을 미치는 유일한 요소 하지 트랜지스터-Pauli 반발 작용 에 트랜지스터 열 효과 또한에 중요 한 역할을 담당할 트랜지스터.
(001-011). 사실, 수량에서 전자 회로에서 측정 된 "전압" 라고 트랜지스터 은 단순히 전자 (Fermi level)에 대 한 화학 잠재력에 관련 된 트랜지스터.
(001-012). 때의 지도 전압계 에 트랜지스터 회로에서 두 지점에 연결 된 트랜지스터에 표시 된 전압 트랜지스터 의 총 측정에서 작동 트랜지스터 당 단위 요금에서 다른 한 지점에서 흐름의 작은 금액을 함으로써 얻을 수 있다 트랜지스터.
(001-013). 간단한 철사에 있는 경우 트랜지스터 서로 다른 전압 두 점 사이의 연결 (형성 한 단락)에서 긍정 부정적인 전압 전류가 흐르게 됩니다 트랜지스터에서 열으로 사용할 수 있는 작업을 변환, 트랜지스터.
(001-014).는 Fermi level는 신체의 표현에서 전자를, 추가 하는 데 필요한 트랜지스터 또는 동등 하 게 일에서 전자를 제거 하 여 얻은 트랜지스터.
(001-015). 따라서 관찰 된 차이 (V A-V B) 전압에서 두 점 "A"와 "B"에서 전자 회로에서 트랜지스터 해당 차이 (u A-u B) Fermi level에 정확 하 게 관련 된 트랜지스터에 공식에 의해
(001-016). 어디에 -e 트랜지스터 은 전자 요금
(001-017). 위의 토론에서 그것에 트랜지스터 는 전자 이동 합니다 높은 u (낮은 전압)의 시체에서 낮은 u(높은 전압) 간단한 경로 제공 하는 경우 볼 수 있습니다.
(001-018). 전자이 흐름 트랜지스터 낮은 u (때문에 충전 또는 다른 반발 효과) 증가와 마찬가지로 높은 u 감소를 일으킬 원인이 됩니다 트랜지스터.
(001-019). 결국, u 에 트랜지스터 같은 값에 두 기관에 정착 것입니다 트랜지스터.
(001-020). 이것은 (off) 상태에서 전자 회로의 평형에 관한 중요 한 사실은 트랜지스터:
(001-021). 전자 회로에 열역학 평형 에서 트랜지스터 상수 Fermi level의 연결된 부분에 걸쳐 있을 것 이다 에 트랜지스터.
(001-022). 또한 즉 임의의 두 점 사이의 전압 (전압계로 측정) 제로 됩니다 트랜지스터에서 평형에서 트랜지스터.
(001-023).는 열역학 평형 여기 회로 내부적으로 연결 되어야 하 고 어떤 배터리를 포함 하지 필요 합니다 트랜지스터 또는 다른 전원 소스에 트랜지스터, 온도에 있는 어떤 변이 아니다 트랜지스터.
(001-024).는 페르미 레벨 에 트랜지스터 및 밴드 구조에서 트랜지스터
(001-025). 필 링 전자 밴드 구조 에서 소재의 다양 한 종류에서 평형. 금속 및 semimeTals Fermi level E F 안의 적어도 하나의 밴드에서 트랜지스터. 그러나 절연체 및 반도체 에서 Fermi level 트랜지스터 안에 밴드 갭 에 트랜지스터, 반도체는 밴드 에서 트랜지스터 충분 해야 Fermi level 근처 열 채워진 전자와 또는 구멍 .
(001-026).에 밴드 이론 에서 고체의 트랜지스터, 전자 트랜지스터 단일 입자 에너지 eigensTaTes 각 ? 에 의해 표시의 구성 하는 밴드의 시리즈를 점유 하는 것으로 간주 됩니다 트랜지스터.
(001-027). 비록이 단일 입자에 포토 트랜지스터 에 근사 이다 트랜지스터단순화에 전자 행동의 이해, 트랜지스터 그것은 일반적으로 제대로 적용 될 때 올바른 결과 제공 합니다에 트랜지스터.
(001-028).는 페르미-디랙 분포 
제시되는물질 확률 제공 ① 는 (에서 열역학 평형) 전자 에너지 ? 있는 상태를 차지할 것입니다 트랜지스터.
(001-029). 그것에 전자의 평균 수를 제공 하는 양자 택일로, 트랜지스터 에서 차지 하는 트랜지스터 에 의해 부과 된 금지를 주어진 상태는 트랜지스터 에서 파울리 배타 원리 :
(001-030). 여기에서, T 트랜지스터 이다은 절대 온도 k 트랜지스터 은 볼츠만 상수 .
(001-031). 경우에 트랜지스터 는 페르미에 상태 레벨은 (? u=)에서 트랜지스터, 그 후에이 상태 어떤 주어진된 시간에 점령 되 고의 50% 기회가 있을 것 이다.
(001-032). u 에서 재료의 밴드 구조 내에서 위치 트랜지스터 에 재료의 전기 행동 결정에 중요 하다 트랜지스터.
(001-032-1).에 절연체 u 큰 이내 거짓말 밴드 갭 에 트랜지스터전류를 수행할 수 있는 모든 국가에서 멀리,.
(001-032-2). 금속, semimeTal 에 트랜지스터 또는에서 타락 한 반도체 트랜지스터, u 에 delocalized 밴드 내에서 속 인 다 트랜지스터. u 에 인근 국가의 많은 수 트랜지스터 열에 활성 트랜지스터 쉽게에서 현재 수행 하 고 트랜지스터.
(001-032-3).에서 내장에서 트랜지스터 가볍게 반도체에 첨가 하는 또는 트랜지스터, u 에 트랜지스터 그 밴드 가장자리 근처에 있는 열로 흥분된 사업자의 희석 수는 밴드 가장자리에 충분히 가깝습니다.
(001-033). 반도체 및 semimeTals u 밴드 상대적인 위치에 구조에서 트랜지스터 도 핑에 의해 뜻깊은 정도에 일반적으로 통제 될 수 있다 트랜지스터 에서 게이팅 또는 트랜지스터.
(001-034). 이러한 컨트롤 u 를 변경 하지 마십시오에서 트랜지스터 에서 전극에 의해 고정 트랜지스터, 하지만 오히려 그들은 전체 밴드 구조에 변화를 일으킬 트랜지스터 에서 (때때로 또한 밴드 구조 모양 변경) 아래 트랜지스터.
(001-035). 지역 전도 밴드 참조 에서 트랜지스터, 내부 화학 잠재력에 트랜지스터, 및 매개 변수 C트랜지스터
(001-036). 경우 기호 E 에 트랜지스터 전자 에너지 레벨의 바깥쪽 밴드 ? C, 아래쪽의 에너지 관련 측정 후 우리는 일반적으로 나타내는 데 사용 됩니다 E = ? - ? C, 특히 매개 변수 C에서 정의할 수 있습니다 및 트랜지스터 에서 밴드 가장자리에 Fermi level를 참조 하 여 트랜지스터:
(001-037). 그것에 페르미-디랙 분포 함수는 다음과 같습니다 트랜지스터 작성할 수도 있습니다
(001-038). 제시되는물질 C① 그들의 전형적인 운동 에너지로 서 활성 전 하 운반자의 수와 직접 관련 있다 따라서 그것에 트랜지스터 결정 재료의 로컬 속성에 직접 참여 (와 같은 전기 전도도)에서 트랜지스터.
(001-039). 이런 이유로 그것에 트랜지스터 C에 가치에 집중 하는 것이 일반적입니다 트랜지스터 단일, 균질 전도성 물자에 있는 전자의 속성에 집중 하는 때 트랜지스터.
(001-040). 자유 전자의 에너지 상태를 비유 하 여는 E 제시되는물질 은 트랜지스터 그 주와 ? C 에서 운동 에너지 는 그것의 트랜지스터 에서 퍼텐셜 에너지 .
(001-041).이 염두에서에 두고, 매개 변수 C수 있습니다 또한 수 표시 "페르미 운동 에너지".
(001-042). u에서 매개 변수 C와 달리 트랜지스터 은 여러 값 ? C에 있는 변이 때문에 평형에 상수가 아닙니다.
(001-043). C에 물자 일반적으로 다양 한 위치에 위치에서 트랜지스터소재 품질 및 불순물/두 같은 요인에 따라.
(001-044).에서 반도체의 표면에 가까운 트랜지스터 에 semimeTal 또는 트랜지스터, C에서 트랜지스터 강력 하 게 제어할 수 있는 외부에서 적용 된 전기 분야에 의해에서 같이 트랜지스터 에서 이루어집니다는 트랜지스터 에 필드 효과 트랜지스터 .
(001-045). 멀티 밴드 자료에서 C단일 위치에 있는 여러 값에도 걸릴 수 있습니다 트랜지스터.
(001-046). 예를 들어 알루미늄 금속 조각에 있는 Fermi level (다른 물자에서 더 많은 밴드)를 건너 두 전도 밴드 트랜지스터각 밴드는 다른 가장자리 에너지 ? C 에서, 트랜지스터 에서 C의 다른 값과 트랜지스터.
(001-047).는 페르미 레벨 에 트랜지스터 평형에서 온도 에 트랜지스터
(001-048). 즉 페르미 레벨 트랜지스터
(001-049).에 페르미 레벨 u 트랜지스터 온도 T 에서 트랜지스터 는 열역학 평형 상황, 같은 때에 고체 장치에 대 한 잘 정의 된 상수에 트랜지스터 아무것도에서 선반에 앉아 있다 트랜지스터.
(001-050). 때에 장치 트랜지스터 평형에서 데리고 이며 엄밀히 말하면 페르미 레벨 및 온도 더 이상 잘 정의 된 사용에 투입 합니다.
(001-051). 다행히도, 그것에 트랜지스터 자주 준 Fermi level와 유사 온도에서 주어진된 위치에 대 한 정의 수 트랜지스터에 열 배급의 점에서 국가의 점령을 정확 하 게 설명 하는, 트랜지스터.
(001-052).에서 장치 트랜지스터 에서 '유사 평형' 이라고 트랜지스터 어디에서 그러한 설명 트랜지스터 가능.
(001-053). 유사 평형 접근으로 일부 비 평형 효과의 간단한 그림을 만들 수는 전기 전도도 ( u에 그라데이션에서 유래)으로 금속 조각에 트랜지스터 또는 그것의 열 전도도 ( T에 그라데이션에서 유래)로 트랜지스터.
(001-054).는 외견상-u 와 유사-T 트랜지스터 수 다를 (또는 전혀 존재 하지) 모든 평형이 아닌 상황에서 트랜지스터와 같은:
(001-055). 때에 장치 트랜지스터 변경 되었습니다 하지만 충분 한 시간에 다시 equilibraTe을 적이 없는 트랜지스터 (에서 같이 압 전 에 트랜지스터 또는 pyroelecTric 물질 트랜지스터).
(001-056). 어떤 상황에서 그런 소재 후 즉시 높은 에너지 레이저 펄스 경험, 전자 메일 어떤 열 분포에 의해 설명 될 수 없습니다.
(001-057). 하나에서 준 Fermi level를 정의할 수 없습니다 트랜지스터 또는이 경우에 즉 온도 트랜지스터전자 단순히 수 "비-Thermalized" 있다;
(001-058). 페르미 레벨 참조 및 제로 Fermi level의 위치
(001-059). 원점에 좌표계에서의 선택 처럼 트랜지스터, 영점 에너지의 트랜지스터 에서 임의로 정의할 수 있습니다 트랜지스터.
(001-060). 관찰 현상만 에너지 차이에 따라 달라 집니다.
(001-061). 그것에 트랜지스터 그들은 제로 에너지의 위치에 그들의 선택에서 모두 일관성이 중요 하다에서 트랜지스터 또는 다른 무의미 한 결과 얻을 것 이다.
(001-062). 그것에 트랜지스터 명시적으로 다른 구성 요소에서 계약에 되도록 일반적인 포인트 이름을 따라서 유용할 수 있습니다 트랜지스터.
(001-063). 반면에, 만약에 기준점 트랜지스터 받으려는 선택 ("진공" 등 아래 참조) 그것은 대신 더 많은 문제를 일으킬 것 이다.
(001-064). 실용적이 고 잘 정당화에 일반적인 포인트 선택 트랜지스터 부피에서 트랜지스터, 실제 지휘자 트랜지스터와 같은 전기 지상 에 트랜지스터 또는 earth 트랜지스터.
도체트랜지스터좋은 열역학 평형에 있을 간주 될 수 있습니다 하 고 그래서 그것의 u잘 정의.
(001-065). 전자의 큰 숫자에 추가 될 수 있도록 충전, 저수지를 제공 트랜지스터 에 충전 효과 들이지 않고 제거 또는 트랜지스터.
(001-066). 그것 또한 장점이 되 고 액세스할 수 있도록에서 다른 개체의 Fermi level 트랜지스터 단순히에 전압계로 측정 될 수 있다 트랜지스터.
(001-067). 왜 그것에 트랜지스터 하지 참조 0로 "진공에서 에너지"를 사용 하 여 것이 좋습니다
(001-068). 두 금속 (동등한 페르미 수준으로), 열역학 평형에 있을 때 진공 정전기 잠재력 에 ? 트랜지스터 에 차이로 인해 평평 하지 않은 Work function, 에서 트랜지스터.
(001-069). 원칙적으로, 하나 에너지에 대 한 기준점으로 진공에서 고정 된 전자의 상태를 사용을 고려할 수 있습니다.
하나트랜지스터가 정확 하 게 정의할 수 있는 "진공"에서트랜지스터
에 문제트랜지스터모든 진공, 서 점 트랜지스터, 동일트랜지스터.
(001-070). 열역학 평형에서 그것에 트랜지스터 은 진공에서 존재 하기 위해서는 1 V의 전기 잠재적인 차이 대 한 전형적인 (볼타 잠재력)에서 트랜지스터.
(001-071).에 진공이 잠재적인 변화의 소스 트랜지스터 에서 변형 Work function, 에서 트랜지스터 다른 지휘 물자에 있는 진공에 노출 사이 트랜지스터.
(001-072).에서 지휘자 밖에 서 그냥 트랜지스터정전기 잠재력에 민감하게 의존, 트랜지스터, 어떤 표면에 뿐만 아니라 트랜지스터 에서 선택한 트랜지스터
(001-073).에서 보편성에 제일 근사를 준다 매개 변수 트랜지스터 에서 위에 제안한 지구 참조 Fermi level는 트랜지스터. 이것 또한 장점이에서 그것 트랜지스터 에 전압계로 측정 될 수 있다 트랜지스터.
(001-074). DiscreTe charging effecTs in small sysTems 트랜지스터
(001-075). 단일 전자 때문 "충전 효과" 무시할 수 없는 경우에서 위의 정의 명확히 해야 합니다. 예를 들어는 커패시터 에서 두 개의 동일한 병렬 플레이트의 만들어 트랜지스터.
(001-076). 만약에 커패시터 트랜지스터 에서 저격총은 트랜지스터, Fermi level에 트랜지스터 에서 양쪽 모두 동일 트랜지스터, 하나의 생각에 전자 이동 에너지 소요 되어야 한다 그래서 트랜지스터 다른 한 접시에서.
(001-077). 하지만 때에 전자 트랜지스터 이동 되었습니다 트랜지스터에서 커패시터 트랜지스터 될 (약간) 청구 했다, 그래서이 에너지의 약간의 금액은 트랜지스터.
(001-078). 일반 커패시터에서 이것은, 하지만 나노-규모 트랜지스터에 중요할 수 있습니다.
(001-079).이 경우 하나는 장치의 상태 뿐만 아니라 잠재적인 화학의 열역학 정의 대해 정확 해야:에서 트랜지스터 는 전기로 격리에 트랜지스터 또는 트랜지스터 에 연결 된다
(001-080). 때에 몸 트랜지스터 전자 교환 수 트랜지스터 에서 전극 (저수지)와 에너지 트랜지스터, 그것 트랜지스터 에 의해 설명 되는 웅대한 바른틀 앙상블.
(001-081). 화학 잠재력의 가치 u 에 트랜지스터 에서 전극에 의해 해결 될 하 라고 할 수 있다 트랜지스터, 전자의 수와 N 시체에 변동 될 수 있습니다.
(001-082).이 경우에 신체의 화학 잠재력 트랜지스터 미소 한 양의 미소 한 양만큼 전자의 평균 수를 증가 하는 데 필요한 작업은 (비록에서 언제 든 지 전자의 수 트랜지스터 은 정수 이며 평균 수는 지속적으로 변화 한다.)에 트랜지스터 :
(001-083). 어디 F(N, T) 에서 트랜지스터 이다은 자유 에너지 웅대한 바른틀 앙상블의 기능.
(001-084). 경우에 본문에서 전자의 수 트랜지스터 고정 (에 몸만 트랜지스터 여전히 열 열 탕에 연결 된)에 트랜지스터, 그 후에 그것에 트랜지스터 에 바른틀 앙상블 에서 트랜지스터 .
(001-085). 우리는 트랜지스터 정의할 수 있습니다 "화학 잠재력"이 경우 하나의 전자에 시체를 추가 하는 데 필요한 작품으로 말 그대로 트랜지스터 N 를 이미 정확 하 게는 전자,
(001-086). 어디 F(N, T) 에서 트랜지스터 바른틀 앙상블의 자유 에너지 기능에 트랜지스터 또는 그 시체 로부터 전자를 제거 하 여 얻은 작품으로 양자 택일
(001-087). 이러한 화학 잠재력에 트랜지스터 하지 동일 u , u' , u''를 제외 하 고는 열역학 제한 에 트랜지스터 .
(001-088).에서 구별 트랜지스터 는 작은 시스템에서 중요 한 트랜지스터 보여주는 등 트랜지스터 에서 쿨롱 봉쇄
(001-089). 매개 변수 u (즉, 경우에에서 어디에 전자의 수 트랜지스터 변동 허용) 남아 있는 전압계 전압을 정확 하 게 관련 트랜지스터에 작은 시스템 에서도 트랜지스터 .
(001-090). 정확 하 게, 그때, Fermi level에 트랜지스터 1 전자 요금에 의해 결정적 충전 이벤트에 의해 아닙니다 정의 트랜지스터, 하지만 전자의 미소 한 분수에 의해 오히려 통계 충전 이벤트.
(002-001). 굴곡
(002-002). In engineering mechanics 에서 트랜지스터, bending (also known as flexure) characTerizes The behavior of a slender sTrucTural elemenT subjecTed To an exTernal load applied perpendicularly To alongiTudinal axis of The elemenT 에서 트랜지스터.
(002-003). 구조 요소에 트랜지스터 같은 것으로 간주 됩니다 그 중 하나에 크기 트랜지스터 작은 분수, 일반적으로 1/10에 트랜지스터 에 트랜지스터에서 다른 2의 트랜지스터
(002-004). 때에 길이 트랜지스터 너비와 두께에 요소 보다 상당히 긴 트랜지스터 라고는 Beam .
(002-005). 다른 한편으로는 쉘 에 트랜지스터 길이 너비는 동일한 크기 순서 하지만 구조 ('벽'으로 알려진)의 두께 어떤 기하학적 형태의 구조는 트랜지스터 상당히 작다.
(002-006).에서 얇은 벽 하지만 큰 직경 트랜지스터, 짧은 튜브의 끝에 지원 되 고 옆에 로드 트랜지스터 쉘 휨 발생의 예이다.
(002-007). QuasisTaTic bending of beams 에서 트랜지스터
(002-008). Beam 변형 및 응력 때에 가로 부하 내부 개발 트랜지스터 그것에 적용된다. QuasisTaTic 경우 굽 힘의 양 편향도 개발 하는 스트레스에서 시간이 지남에 변경 하지 간주 됩니다 및 트랜지스터 .
(002-009). 끝에 지원 되 고 중간에 beam의 오버 쪽에 자료에 아래쪽으로 로드 된 수평 Beam에서 트랜지스터 에 밑면에 소재 하는 동안 압축 트랜지스터 에서 뻗어 트랜지스터. 측면 부하에 의해 발생 하는 내부 응력의 2 개의 모양이 있다 트랜지스터 :
(002-010). 전단 응력 측면 로드 플러스 보완 전단 응력 하 중 방향에 수직인 평면에 평행한 트랜지스터 ;
(002-011). 직접 압축 긴장 에 보의 상위 영역에 트랜지스터, 직접 트랜지스터 에 beam의 낮은 지역에서 인장 응력 .
(002-012). 이러한 마지막 두 세력 형태는 쌍 에 트랜지스터 또는 순간 그들은 규모와 반대 방향에 있는 동등한 트랜지스터. 이구 부리는 순간 Beam에 휨 발생의 처지 변형 저항 트랜지스터. 에 Beam에 스트레스 배포 트랜지스터 예측할 수 꽤 정확 하 게도 가정을 사용 하는 경우에 트랜지스터
(002-013). QuasisTaTic bending of plaTes 에서 트랜지스터
(002-014). 변위 강조 얇은 격판덮개의 개 악 에 트랜지스터, 중간 표면에 트랜지스터 및 중간 표면에 정상에 트랜지스터
(002-015).에 beam의 정의 기능 트랜지스터 그 중에 차원 트랜지스터 은 훨씬 더 큰 보다 다른 2.
(002-016). 구조 트랜지스터 접시 이라고 때에 트랜지스터 평면 및 그것의 차원에서 중 하나는 트랜지스터 가 훨씬 더 작은 다른 두 사람 보다. 변형, 적용된 중 두 번째는 널리 사용 되는 아래 접시에 스트레스를 설명 하려고 하는 몇 가지 이론이 있다. 이들은
(002-017).에서 트랜지스터 사용할 수 번호판 (클래식 접시 이론이 라고도 함)의 키 르 히 호프 사랑 이론
(002-018).에서 트랜지스터 사용할 수 Mindlin Reissner 접시 이론 (번호판의 1 차 전단 이론이 라고도 함)
(002-019). 키 르 히 호프 사랑 이론 에서 트랜지스터
(002-020).에 키 르 히 호프 사랑 이론의 가정 트랜지스터 는
(002-020-1). 중간 표면에 수직한 직선 변형 후 똑바로 유지
(002-020-2). 중간 표면에 수직한 직선 변형 후 중간 표면에 정상 유지
(002-020-3). 플레이트의 두께 변형 하는 동안 변경 되지 않습니다.
(002-021). 이러한 가정을 의미 하는 트랜지스터
(002-022). 어디 에서 트랜지스터 is The 플레이트의 점 and 
에서 트랜지스터 is 중간표면 에서 트랜지스터.
(002-023). 변형-변위 관계 트랜지스터
(002-024). 평형 방정식에서 트랜지스터
(002-025). 어디 
에서 트랜지스터 적용된 부하에 격판덮개의 표면에 수직 이다 트랜지스터 .
(002-026). 변위, 측면에 트랜지스터, 등방성에 대 한 평형 방정식 트랜지스터, 외부 부하의 부재에서 선형 탄력 있는 격판덮개 트랜지스터 쓸 수 있는데
직접 텐서 표시법
(002-027). Mindlin-Reissner Theory of plaTes 에서 트랜지스터
(002-028).이 이론에서의 특별 한 가정 트랜지스터 중간 표면 법선 직선 및 inexTensible 하지만 하지 반드시 서피스에 수직으로 중간에 변형 후 남아 있는 것입니다 트랜지스터 .
(002-029).에서 격판덮개의 진지 변환은 트랜지스터 에 의해 주어진 다
(002-030). 어디 
에서 트랜지스터는 보통의 The roTaTions.
(002-031). 이러한 가정에서 발생 하는 변형-변위 관계는
(002-032). 어디 
전단 수정 계수는. 평형 방정식 에서 트랜지스터
어디에서
(002-033). Dynamic bending of plaTes 에서 트랜지스터
(002-034). Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes 에서 트랜지스터
(002-035). 번호판의 동적 이론 결정에 번호판에 파도의 전파 트랜지스터, 및 연구에 서 파도의 트랜지스터 및 진동 모드에서 트랜지스터 .
(002-036). 방정식에 Kirchhoff 접시의 동적 굽 힘을 제어 하는 트랜지스터
어디, 밀도와 plate 
그리고
(002-037). 원형 접시의 몇몇 진동 모드 표시 트랜지스터 .
(002-038). 모드 k = 0, p = 1, 트랜지스터
(002-039). 모드 k = 0, p = 2, 트랜지스터
(002-040). 모드 k = 1, p = 2, 에서 트랜지스터
*
,로 구성되는 상기 설명하는 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 조합 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되어 있는 것을 의미하되, (a). 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것의 설명의 의미, (b). 일반적으로 통용되는 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것에 대한 의미, (c). 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것의 이론에 대한 설명, 설명의 전체적 범위, 설명의 부분적 범위, 중 하나 이상 선택되는 것이 본 발명에 하나 이상 구비되도록, (d). 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것의 전체적인 요소, 부분적인 요소, 중 하나 이상 선택되는 것이 본 발명에 하나 이상 구비되도록, (e). 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것, (f). 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것 각각으로서의 상기 (001-001) 내지 (002-040) 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (f) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 조합 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비한다.
본 발명에 특별히 기술된 것보다, 일반적으로 알려진 방법, 알려진 수학식, 알려진 법칙, 알려진 논문, 알려진 설명, 장치, 장치 소자, 재료, 순서 및 기술은 불필요한 실험에 의지하지 않고 넓게 드러나 있는 본 발명의 실시에 적용될 수 있다. 여기서 기술된 방법, 장치, 장치 소자, 재료, 순서 그리고 특히 기술적으로 동일하게 알려진 모든 기술은 본 발명에 의해 포함되는 경향이 있다.
여기서 채용된 용어 및 표현들은 발명의 상세한 설명의 용어로써 사용되나 의미를 제한하는 것은 아니며, 설명되거나 도시된 특징과의 임의의 등가물의 용어나 표현을 제한할 의도는 없다. 다만, 본 발명의 청구된 범위 안에서 다양한 변형들이 가능하다. 그러므로, 본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들에 의해 개시되었음에 불구하고 대표적 실시예 및 선택적 특징들, 여기서 개시된 개념의 수정 및 변화가 종래 기술등에 의해 재분류될 수 있다고 이해되어야 하며, 이러한 수정 및 변화들은 첨부된 청구항에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 안에서 고려될 수 있다.
여기서 제공된 특정 실시예는 본 발명의 유용한 실시예의 예시이고, 본 발명이 장치들, 장치 구성요소들, 방법단계들의 많은 변화들을 사용하여 수행되어질 수 있다는 것은 명백하다.
본 발명의 방법 및 상기 방법을 위해 유용한 장치는 다양한 선택적 구성 및 절차 구성요소 및 단계들을 포함할 수 있다.
여기서 치환된 구성요소들이 개시될 때, 그것은 그룹 멤버들의 임의의 이성질체, 경상 이성질체, 및 부분입체 이성질체을 포함하는 모든 하위 그룹 및 그룹의 모든 개별 멤버들이 각각 개시된 것으로 이해되어야 한다.
여기서 마쿠쉬 그룹 또는 다른 그룹들이 사용될 때, 상기 그룹의 모든 개별 멤버들 및 모든 조합과 상기 그룹의 가능한 하위 조합은 개시된 범위 안에서 개별적으로 포함된다.
여기서 혼합물의 특정 이성질체, 경상 이성질체 또는 부분입체 이성질체가 구체적으로 명시되지 않는 방법으로 혼합물이 설명될 때, 예를 들어 화학명 또는 화학식으로 설명될 때, 이러한 설명은 개별적 또는 임의의 조합으로 개시된 혼합물의 각 이성질체 및 경상 이성질체를 포함하는 것으로 의도된다.
부가적으로, 다른 설명이 필요하지 않은 경우, 여기서 개시된 혼합물의 모든 동이원소 변이체는 개시된 바에 의해 망라되는 것으로 의도된다. 예를 들어, 하나 이상의 수소는 중수소, 삼중수소, 수소화합물, 수소결합물, 수소합금, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것으로 대체될 수 있는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 개시된 혼합물의 모든 동이원소 변이체는 개시된 바에 의해 망라되는 것으로 의도된다. 예를 들어 하나 이상의 금은 금, 금 원자, 금 입자, 금 나노 입자, 금 화합물, 금 결합물, 금 합금, 나노 금 화합물, 나노 금 결합물, 나노 금 합금중 하나 이상 선택되는 것으로 대체될 수 있는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 단수개로 설명된 것은 복수개를 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 자성입자는 하나 이상의 자성입자를 의미할 수 있다.
분자의 동위원소 변이체는 일반적으로 분자의 순도분석 및 분자 또는 그것의 사용과 관련된 화학적 및 생물학적연구에서 기준으로 유용하다. 이와 같은 동위원소 변이체를 만드는 방법은 이미 알려져 있다. 혼합물의 구체적 이름은 본 발명이 속하는 기술분야의 일반적 기술을 가진자가 같은 혼합물을 다르게 부를 수도 있는 점에서 임의의 예시로서 불려질 수 있다.
여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 모든 화학식 또는 조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다. 예를 들어 온도, 시간, 농도, 전압, 전기 등과 같은 범위가 상세하게 주어질 때 뿐만 아니라 상기 범위들에 포함된 모든 개별 값들은 개시된 범위에 포함되는 것으로 의도된다.
본 발명의 한 실시형태에서, 여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 모든 분자구조 또는 합성분자조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다.
여기서 개시된 설명에 포함된 임의의 범위 또는 범위, 하위 범위 내의 개별 값들은 여기서 청구된 청구항에는 나타나지 않을 수 있다고 이해되어질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 내용은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 레벨에서 설명되었다. 더하여, 중요한 조합이 청구된 때, 본 발명의 한 실시형태에서, 제공되는 혼합물을 포함하며 출원인의 종래 기술에서 활용가능하고 알려진 혼합물은 여기서 청구된 중요한 조합에 의도되지 않게 포함된 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 여기서 임의의 범위 또는 범위, 하위 범위로 설명된 본 발명은 임의의 구성요소 또는 구성요소들, 상세하게 개시되지 않은 제한 또는 제한들이 없는 경우에도 실현될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 시작 재료들, 생물학적 재료들, 시약들, 합성 방법들, 정제 방법들, 분석 방법들, 순도분석 방법들 및 상세하게 예시된 것과 다른 생물학적 방법들이 과도한 실험에 기대지 않고도 본 발명의 실시에 채용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 임의의 재료들 및 방법들의 기능적으로 등가인 알려진 모든 기술들은 본 발명의 한 실시형태에서, 포함되어질 수 있다.
이상, 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 내용에 한정되지 않으며, 여러 가지 하나 이상의 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다.
또한 적당하게 도식적으로 설명된 본 발명은 임의의 구성요소 또는 구성요소들, 상세하게 개시되지 않은 제한 또는 제한들이 없는 경우에도 실현될 수 있다.
임의의 재료들 및 방법들의 기능적으로 등가인 알려진 모든 기술들은 본 발명에서 포함되어질 수 있다.
<참고문헌>
[문헌1] Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012:Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126/science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim
90 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
100 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
110 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
200 : 하나 이상의 그래핀을 의미한다.
300 : 그래핀과 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높낮이를 조절할 수 있게 구성되는 물질, 본 발명의 한 실시형태에서다층상태의 300을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 300 은 실리콘을 의미할 수 있다.
500 : 본 발명의 한 실시형태에서, 도면의 구성이 포함되어 있는 주위 환경(예를들어 90, 100, 110, 중 하나 이상 선택되는 것이 포함되는 물질)을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 500 은 실리콘을 의미할 수 있다.
전극자유회로기능 : 자성입자, 전하를 갖는 입자, 전하를띠는입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆본 발명에서 제시하는 기능들◆) : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆액추에이터기능◆) : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆300, 500◆) : 300 또는 500을 의미한다.
100 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
110 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
200 : 하나 이상의 그래핀을 의미한다.
300 : 그래핀과 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높낮이를 조절할 수 있게 구성되는 물질, 본 발명의 한 실시형태에서다층상태의 300을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 300 은 실리콘을 의미할 수 있다.
500 : 본 발명의 한 실시형태에서, 도면의 구성이 포함되어 있는 주위 환경(예를들어 90, 100, 110, 중 하나 이상 선택되는 것이 포함되는 물질)을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 500 은 실리콘을 의미할 수 있다.
전극자유회로기능 : 자성입자, 전하를 갖는 입자, 전하를띠는입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆본 발명에서 제시하는 기능들◆) : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆액추에이터기능◆) : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆300, 500◆) : 300 또는 500을 의미한다.
Claims (20)
- 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되,
b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되,
b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
하나 이상의 그래핀 상단부에 하나 이상의 접착층, 엘라스토머층, 진공층, Air 층, 중 하나 이상 선택되는 층을 하나 이상 구비하며,
하나 이상의 그래핀의 하나 이상의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
하나 이상의 그래핀과 실리콘이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 실리콘과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상의 실리콘과의 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것이 구성되는 물질은, 반도체, 금속, 실리콘, 중 하나 이상 선택되는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되,
b. 상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 영률(Yong's Module)로서 하나 이상 구비되며,
c. 하나 이상의 그래핀의 하나 이상의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되,
b. 하나 이상의 자성입자는 하나 이상의 Magnet, Magnet 성질을 구비하는 합성물질, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하며,
c. 하나 이상의 그래핀의 하나 이상의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되,
b. 하나 이상의 그래핀과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하면서,
c. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되,
b. 하나 이상의 그래핀과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되,
c. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 자성입자가 점 접촉, 면 접촉, 날카로운 접촉, 둥근면접촉, 날카로운면접촉, 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되,
b. 하나 이상의 그래핀과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 연속체 역학으로 하나 이상 구비되며,
c. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Bending은 하나의 층, 다층상태, 중 하나 이상 선택되는 층의 상태로
a. 하나 이상의 Beam의 굽힘변형
b. 하나 이상의 Plate의 굽힘변형
c. 다층상태의 굽힘변형
d. QuasisTaTic bending of beams
e. QuasisTaTic bending of plaTes
f. 키 르 히 호프 사랑 이론
g. Mindlin-Reissner Theory of plaTes
h. Dynamic bending of plaTes
i. 하나 이상의 곡률
,로 구성되는 a 내지 i 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 14항에 있어서,
상기 Bending은 하나의 층, 다층상태, 중 하나 이상 선택되는 층의 상태로
a. 하나 이상의 Beam의 굽힘변형
b. 하나 이상의 Plate의 굽힘변형
c. 다층상태의 굽힘변형
d. QuasisTaTic bending of beams
e. QuasisTaTic bending of plaTes
f. 키 르 히 호프 사랑 이론
g. Mindlin-Reissner Theory of plaTes
h. Dynamic bending of plaTes
i. 하나 이상의 곡률
,로 구성되는 a 내지 i 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있어서,
b. 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 해결하는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 14항에 있어서,
a. 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있어서,
b. 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 해결하는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는
CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터. - 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는
CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
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