KR20150084689A - Transparent conductive electrode and method for producing the same - Google Patents
Transparent conductive electrode and method for producing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150084689A KR20150084689A KR1020150007022A KR20150007022A KR20150084689A KR 20150084689 A KR20150084689 A KR 20150084689A KR 1020150007022 A KR1020150007022 A KR 1020150007022A KR 20150007022 A KR20150007022 A KR 20150007022A KR 20150084689 A KR20150084689 A KR 20150084689A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive electrode
- overcoat layer
- electrode layer
- metal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
Abstract
Description
본 발명은 투명 도전성 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전성 전극에 있어서, 금속 이온의 마이그레이션(migration)을 억제하여, 신뢰성을 향상시킨 투명 도전성 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive electrode and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a transparent conductive electrode comprising metal nanowires, wherein migration of metal ions is suppressed, And a manufacturing method thereof.
최근, 평판 TV의 수요 증가에 따라, 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이패널(PDP), 유기전계발광장치(OELD) 등의 다양한 방식의 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이러한 평판 표시 장치들에 있어서는, 투명 도전막을 이용한 투명 전극이 필수적으로 사용되어야 한다. 또한, 터치 패널, 휴대 전화, 전자 종이 등의 각종 전자 기기에 있어서도, 투명 도전막이 필수적으로 사용되어야 한다. 이러한 투명 도전막으로서, Au, Ag, Pt, Cu 등의 각종 금속 박막, 주석 또는 아연이 도핑된 산화 인듐(ITO, IZO), 알루미늄 또는 갈륨이 도핑된 산화아연(AZO, GZO) 등의 금속 산화물 박막 등이 주로 사용되었으며, 이들 무기 박막 외에, 전도성 고분자로 이루어진 유기 박막도 사용되고 있다. 이 중, 인듐 주석 산화물(ITO)은 광투과성 및 도전성이 모두 우수하고, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법 등에 의해 용이하게 박막을 형성할 수 있으므로, 다양한 전자 기기에서, 투명 도전성 전극으로 널리 사용되고 있다. 그러나, 이러한 ITO 성막 방법은, 대부분 고가의 장비 및 다량의 에너지가 필요하며, 형성된 ITO 박막이 무겁고 유연하지 못한 단점이 있다.
2. Description of the Related Art In recent years, various types of display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic electroluminescent device (OELD) In such flat panel display devices, a transparent electrode using a transparent conductive film is necessarily used. In addition, a transparent conductive film must be essentially used for various electronic devices such as a touch panel, a cellular phone, and an electronic paper. As such a transparent conductive film, various metal thin films such as Au, Ag, Pt, and Cu, indium oxide (ITO, IZO) doped with tin or zinc, metal oxides such as zinc oxide (AZO, GZO) doped with aluminum or gallium Thin films and the like are mainly used. In addition to these inorganic thin films, organic thin films made of conductive polymers are also used. Of these, indium tin oxide (ITO) is excellent in both light transmittance and conductivity and can be easily formed into a thin film by a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, etc., and is widely used as a transparent conductive electrode in various electronic apparatuses . However, most of these ITO film forming methods require expensive equipment and a large amount of energy, and the formed ITO thin film is heavy and inflexible.
이러한 단점을 해소하기 위하여, 최근에는, 금속 나노와이어(nanowire: NW)의 분산액을 기재(substrate)에 도포하고 건조시켜, 금속 나노와이어로 이루어진 투명 도전막을 형성하는 방법이 연구되고 있다. 이러한 나노와이어 투명 도전막에 있어서는, 매우 작은 크기를 가지는 나노와이어의 전기적인 네트워크에 의해 도전성이 발현되므로, 도전성과 투명성이 모두 우수하고, 투명 도전막을 고온 가열 처리할 필요가 없으므로, 플라스틱 필름과 같은 수지 기재 상에 투명 도전막을 형성할 수도 있다. 특히, 은(Ag)은 전도성이 우수하고, 수계에서 간편에서 은(Ag) 나노와이어를 제조할 수 있으므로, 가장 실용적인 도전막 형성 재료로 알려져 있다(예를 들면, 미국 특허공개 제2005/0056118호 참조). 그러나, 은(Ag) 나노와이어로 이루어진 투명 도전막의 경우, 장시간 전압이 인가되면, 은(Ag) 나노와이어의 일부 은(Ag) 성분이 Ag+로 이온화되어, 도전막 내부에서 이동(migration)하는 현상이 발생한다. 이와 같이 이동하는 Ag+ 이온이 투명 도전막 및/또는 도전막에 맞닿은 절연부의 표면에서 석출 및 성장하면, 도전막 및/또는 절연부의 형태가 변화하여, 저항값이 변화하거나, 쇼트(short, 통전)가 발생하는 등, 도전막의 안정성 및 내구성이 저하되는 문제가 있다.
Recently, a method of forming a transparent conductive film composed of metal nanowires by coating a substrate with a dispersion of a metal nanowire (NW) and drying the substrate has been researched. In such a nanowire transparent conductive film, since conductivity is exhibited by an electrical network of nanowires having a very small size, both conductivity and transparency are excellent, and there is no need to heat the transparent conductive film at a high temperature. A transparent conductive film may be formed on the resin substrate. Particularly, silver (Ag) is excellent in conductivity and it is known as the most practical conductive film forming material since silver (Ag) nanowire can be easily produced in an aqueous system (see, for example, U.S. Patent Publication No. 2005/0056118 Reference). However, in the case of a transparent conductive film made of a silver (Ag) nanowire, when a voltage is applied for a long time, part of the silver (Ag) nanowire migrates in the conductive film due to ionization of the (Ag) Lt; / RTI > When the Ag + ions migrate and grow on the surface of the insulating part contacting the transparent conductive film and / or the conductive film, the shape of the conductive film and / or the insulating part changes and the resistance value changes or short- There is a problem that stability and durability of the conductive film deteriorate.
본 발명의 목적은, 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전성 전극에 있어서, 금속 이온의 마이그레이션(migration)을 억제하여, 신뢰성을 향상시킨 투명 도전성 전극 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a transparent conductive electrode which suppresses migration of metal ions and improves reliability in a transparent conductive electrode comprising metal nanowires and a method for producing the same.
본 발명의 다른 목적은, 전극 및 절연부의 변형에 의한 쇼트(short) 등 전기적 특성의 저하를 방지할 수 있는 투명 도전성 전극 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
It is another object of the present invention to provide a transparent conductive electrode capable of preventing deterioration of electrical characteristics such as a short due to deformation of an electrode and an insulating portion, and a manufacturing method thereof.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기재 상에 형성되어 있으며, 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전성 전극층; 및 상기 투명 도전성 전극층의 상부에 코팅되어, 금속 이온의 이동을 억제하는 오버 코팅층을 포함하며, 상기 오버 코팅층은, (1) 아크릴레이트 중합체, (2) 에폭시 수지 및 (3) 실록산 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질로 이루어진 것인, 투명 도전성 전극을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a transparent conductive electrode layer formed on a substrate and including metal nanowires; And an overcoat layer coated on top of the transparent conductive electrode layer to inhibit movement of metal ions, wherein the overcoat layer comprises (1) an acrylate polymer, (2) an epoxy resin and (3) a siloxane polymer And a transparent conductive electrode.
또한, 본 발명은, 금속 나노와이어를 분산 용매에 분산시킨 코팅용 조성물을 기재에 도포하고 건조시켜 투명 도전성 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 투명 도전성 전극층의 상부에 상기 오버 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전성 전극의 제조방법을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a transparent conductive electrode, comprising: forming a transparent conductive electrode layer by applying a coating composition in which metal nanowires are dispersed in a dispersion solvent; And forming the overcoat layer on the transparent conductive electrode layer.
본 발명에 따른 투명 도전성 전극 및 그 제조방법은, 금속 이온의 마이그레이션을 억제하여, 전극의 신뢰성을 향상시키고, 전극 및 절연부의 변형에 의한 전기적 특성의 저하를 방지할 수 있다.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The transparent conductive electrode and the method of manufacturing the same according to the present invention can prevent the migration of metal ions, improve the reliability of the electrode, and prevent deterioration of electrical characteristics due to deformation of the electrode and the insulating portion.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 전극의 구조를 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a transparent conductive electrode according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 전극의 구조를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 도전성 전극은, 기재(10) 상에 형성되어 있으며, 금속 나노와이어(22)를 포함하는 투명 도전성 전극층(20), 및 상기 투명 도전성 전극층(20)의 상부에 코팅되어, 금속 이온의 이동을 억제하는 오버 코팅층(30, over coating layer)을 포함한다.
1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a transparent conductive electrode according to an embodiment of the present invention. 1, a transparent conductive electrode according to a first embodiment of the present invention includes a transparent conductive electrode layer 20 formed on a
상기 투명 도전성 전극층(20)은 투명 도전성 물질로서 금속 나노와이어(22)를 포함하며, 필요에 따라, 상기 금속 나노와이어(22) 및 기재(10) 사이의 접착성을 향상시키기 위한 투명 바인더(24, binder)를 더욱 포함할 수 있다. 공지된 바와 같이, 상기 투명 도전성 전극층(20)은 소정 두께의 막(layer)의 형태를 가질 수 있고, 필요에 따라, 소정의 전극 형태로 패터닝되어 있을 수 있다. 상기 금속 나노와이어(22)로는, 통상의 금속 나노와이어를 특별한 제한없이 사용할 수 있다(일본 특개 2009-127092호, 특개 2013-122053호 등 참조). 상기 금속 나노와이어(22)는 Ag, Au, Ni, Cu, Pd, Pt, Rh, Ir, Fe, Co, Sn 등의 금속 원소로 이루어질 수 있고, 바람직하게는 은(Ag)으로 이루어질 수 있다. 상기 금속 나노와이어(22)의 형상은, 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어, 원주 형상, 직육면체 형상, 단면이 다각형인 기둥 형상 등의 임의의 형상을 가질 수 있다. 상기 금속 나노와이어(22)의 장축 평균 길이는, 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 5 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이상이고, 예를 들면, 1 내지 1000 ㎛ 이다. 상기 금속 나노와이어(22)의 길이가, 1 ㎛ 미만이면, 투명 도전성 전극층(20)을 형성한 경우, 금속끼리의 접합점이 감소되어 저항이 증가할 우려가 있다. 또한, 상기 금속 나노와이어(22)의 단축 평균 길이(직경)은 1 내지 200 nm, 바람직하게는 5 내지 100 nm 일 수 있다. 상기 나노와이어(22)의 직경이 너무 작으면, 나노와이어(22)의 내열성이 저하될 우려가 있고, 너무 크면, 금속의 산란에 의한 헤이즈가 증가되어, 금속 나노와이어(22)를 함유하는 도전성 전극층(20)의 광선 투과성 및 시인성이 저하될 우려가 있다.
The transparent conductive electrode layer 20 includes a metal nanowire 22 as a transparent conductive material and a
상기 투명 바인더(24)로는, 기재(10) 및 금속 나노와이어(22)와의 부착력이 우수하고, 금속 나노와이어(22)를 균일하게 분산시킬 수 있는 통상의 투명 고분자 수지를 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 상기 투명 바인더(24)의 구체적인 예로는, 폴리염화비닐, 염화비닐-초산비닐 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 니트로셀룰로오스, 염소화 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌, 불화비닐리덴 등의 열가소성 수지, 멜라민 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 변성 실리케이트 등의 열, 빛, 전자선, 또는 방사선 경화성 수지를 사용할 수 있다. 상기 투명 도전성 전극층(20)에 있어서, 상기 투명 바인더(24)의 함량은 0 내지 80 중량%, 바람직하게는 5 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량%이다. 여기서, 상기 투명 바인더(24)의 함량이 너무 많으면, 투명 도전성 전극층(20)의 전도성이 저하될 우려가 있고, 너무 작으면, 기재(10)와 금속 나노와이어(22)의 부착력이 저하될 우려가 있다. 상기 투명 도전성 전극층(20)의 두께는, 구현하고자 하는 전극의 선폭 및 요구 저항에 따라 적절히 설정될 수 있으며, 바람직하게는 5.0 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 ㎛ 이하, 예를 들면, 0.05 내지 0.5 ㎛이다. 상기 투명 도전성 전극층(20)이 형성되는 기재는, 특별히 제한 없이, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 필름 등의 폴리머 필름, 유리 등의 통상의 기재를 사용할 수 있다.
As the
상기 오버 코팅층(30)은, 수분 등을 통해 이동하는 금속 이온, 특히, Ag+ 이온의 이동(migration)을 억제하여, 투명 도전성 전극의 신뢰성을 향상시키기 위해, 상기 투명 도전성 전극층(20)의 상부에 형성된다. 상기 오버 코팅층(30)은, 수분 및 기체 투과율(WVTR, Water Vapor Transmission rate)이 낮은 배리어성 중합체로 형성되는 것이 바람직하고, 구체적으로는 (1) 아크릴레이트(acrylate) 중합체, (2) 에폭시 수지 또는 (3) 실록산 중합체로 형성될 수 있다. 상기 (1) 아크릴레이트 중합체로는 메틸메타크릴레이트(Methyl Methacrylate), 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 2-클로로에틸 비닐에테르(2-Chloroethyl vinyl ether), 2-에틸헥실(2-Ethylhexyl) 아크릴레이트, 히드록시에틸(Hydroxyethyl) 메타크릴레이트, 부틸(Butyl) 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트 등의 통상의 광경화성 또는 열경화성 아크릴레이트 단량체의 중합 생성물을 사용할 수 있다. 상기 (2) 에폭시 수지로는 비스페놀형 에폭시 수지(Bisphenol A type epoxy resin), 노볼락 에폭시 수지(Novolac Epoxy resin), 지방족 에폭시 수지(Aliphatic epoxy resin) 등의 통상의 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 (3) 실록산 중합체로는 테트라에틸옥시실란(TEOS), 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 통상의 중합성 실란계 단량체의 중합 생성물을 사용할 수 있다. 상기 오버 코팅층(30)의 두께는 10 nm 내지 100 ㎛, 바람직하게는 1 내지 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 20 ㎛이다.
The
상기 오버 코팅층(30), 특히, 실록산 중합체로 형성된 오버 코팅층(30)은 금속 이온과 결합 가능한 킬레이트제(40)를 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 상기 오버 코팅층(30) 내부에 분산되어 있는 킬레이트제(40)는 금속 이온, 특히 Ag+ 이온과 결합하여, 금속 이온의 이동(migration)을 억제함으로서, 투명 도전성 전극층(20)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 킬레이트제로는 NH3, H2N-R-NH2 등의 아민 화합물, RS-, S2 -, R2S, S2O3 2-, PR3 등의 인(P) 또는 황(S) 함유 화합물(R: 탄소수 1 내지 10의 알킬기), C2H4 등의 불포화 알켄, H-, I-, CN-, CO 등의 이온성 화합물 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있고, 바람직하게는 아민 화합물, 인(P) 또는 황(S) 함유 화합물을 사용할 수 있고, 더욱 바람직하게는 아민 화합물을 사용할 수 있다. 상기 오버 코팅층(30)에 있어서, 상기 킬레이트제(40)의 함량은 0.1 내지 20 중량%, 바람직하게는 1 내지 15 중량%, 더욱 바람직하게는 4 내지 11 중량%이다. 여기서, 상기 킬레이트제(40)의 함량이 너무 작으면, 금속 이온의 이동을 충분히 억제할 수 없고, 상기 킬레이트제(40)의 함량이 너무 많으면, 오버 코팅층(30)의 물성이 저하될 우려가 있다.
The
다음으로, 본 발명에 따른 투명 도전성 전극의 제조방법을 설명한다.Next, a method of manufacturing a transparent conductive electrode according to the present invention will be described.
본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 도전성 전극을 제조하기 위해서는, 먼저, 상기 금속 나노와이어(22)를 분산 용매에 분산시킨 코팅용 조성물을 기재(10)에 도포하고 건조시켜 투명 도전성 전극층(20)을 형성한다. 필요에 따라, 상기 코팅용 조성물은 투명 바인더(24), 분산제, 계면활성제(surfactant), 습윤제(wetting agent), 레벨링제(leveling) 등의 첨가제를 더욱 포함할 수 있다. 상기 코팅용 조성물의 분산 용매로는, 물, 유기 용매 등 금속 나노와이어(22)를 분산시킬 수 있는 용매를 특별한 제한 없이 사용할 수 있으나, 주로 물이 사용되고, 물과 혼화되는 유기 용매를 50 중량% 이하의 함량으로 병용하는 것이 바람직하다. 상기 유기 용매로는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올 등의 알코올류, 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메톡시프로필아세테이트, 카비톨아세테이트 등의 아세테이트류, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산 등의 에테르류, 메틸에틸케톤, 아세톤, 디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈 등의 케톤류, 헥산, 헵탄, 도데칸, 파라핀 오일 등의 탄화수소계, 벤전, 톨루엔, 자일렌과 같은 방향족, 그리고 클로로포름이나 메틸렌클로라이드 등의 할로겐 치환 용매, 아세토니트릴, 디메틸술폭사이드 등을 다독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 코팅용 조성물에 있어서, 금속 나노와이어(22)의 함량은, 특별히 제한은 없지만, 0.1 내지 99 중량%, 바람직하게는 1 내지 95 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 중량%이다. 상기 금속 나노와이어(22)의 함량이 너무 작으면, 투명 도전성 전극층(20) 형성 시, 건조 공정의 부하가 커지고, 너무 크면, 나노와이어(22) 입자가 응집될 우려가 있다. 상기 코팅용 조성물을 기재(10)에 도포하는 방법으로는, 통상의 막 형성 방법이 사용될 수 있으며, 예를 들면, 스핀(spin) 코팅, 롤(roll) 코팅, 스프레이 코팅, 딥(dip) 코팅, 플로(flow) 코팅, 닥터 블레이드(doctor blade)와 디스펜싱(dispensing), 잉크젯 프린팅, 옵셋 프린팅, 스크린 프린팅, 패드(pad) 프린팅, 그라비아 프린팅, 플렉소(flexography) 프린팅, 스텐실 프린팅, 임프린팅(imprinting) 방법 등의 방법을 사용할 수 있다. 상기 코팅용 조성물의 건조 온도는, 기재(10), 나노와이어(22) 등 대상물의 특성에 영향을 미치지 않는 한도에서 자유롭게 선택될 수 있고, 통상 80 내지 200 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 이때, 상기 코팅용 조성물을 소정의 전극 형태로 기재(10) 상부에 코팅(도포)하거나, 식각 가공, 레이저 가공 등의 방법을 사용하여, 소정 두께의 막 형태로 건조된 코팅 조성물을 전극 형태로 패터닝할 수 있다.
In order to manufacture the transparent conductive electrode according to the first embodiment of the present invention, a coating composition in which the metal nanowires 22 are dispersed in a dispersion solvent is first applied to a
이와 같이 투명 도전성 전극층(20)을 형성한 다음, 투명 도전성 전극층(20)의 상부에 오버 코팅층(30)을 형성한다. 오버 코팅층(30)은 공지된 통상의 막 형성 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 오버 코팅층(30)이 광경화성 고분자로 이루어지는 경우, 상기 투명 도전성 전극층(20)의 상부에 상기 광경화성 단량체를 코팅하고, 자외선(uv) 등 광을 조사하여, 오버 코팅층(30)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 오버 코팅층(30)을 형성하는 물질에 킬레이트제(40)를 포함시키면, 킬레이트제(40)를 포함하는 오버 코팅층(30)이 형성된다. 상기 오버 코팅층(30)을 형성하는 물질은, 상기 (1) 아크릴레이트 중합체, (2) 에폭시 수지 또는 (3) 실록산 중합체를 형성하는 단량체 외에, 히드록시프로필셀룰로오스(HPC) 등의 바인더, 표면 평활제(leveling agent), 소포제(defoaming agent) 등의 통상의 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.
After the transparent conductive electrode layer 20 is formed as described above, an
이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. The following examples illustrate the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.
[제조예 1~5 및 비교예] 실록산 중합체 오버 코팅층 형성 조성물 제조 [Production Examples 1 to 5 and Comparative Examples] Preparation of composition for forming a siloxane polymer overcoat layer
하기 표 1에 기재된 성분과 함량에 따라, 킬레이트제를 포함하는 실록산 중합체 오버 코팅층 형성 조성물을 제조하였다. 하기 표 1에서, TEOS는 테트라에틸옥시실란(TEOS) 단량체를 나타내고, EtOH는 에탄올 용매를 나타내며, HPC는 히드록시프로필셀룰로오스 바인더를 나타낸다.A composition for forming a siloxane polymer overcoat layer containing a chelating agent was prepared according to the ingredients and content shown in Table 1 below. In the following Table 1, TEOS represents a tetraethyloxysilane (TEOS) monomer, EtOH represents an ethanol solvent, and HPC represents a hydroxypropylcellulose binder.
함량(중량%)Chelating agents and
Content (% by weight)
(중량%)TEOS
(weight%)
(중량%)EtOH
(weight%)
(중량%)HPC
(weight%)
[제조예 6~8] 에폭시계 중합체 오버 코팅층 형성 조성물 제조 [Production Examples 6 to 8] Preparation of composition for forming an epoxy polymer overcoat layer
하기 표 2에 기재된 성분과 함량에 따라, 에폭시계 중합체 오버 코팅층 형성 조성물을 제조하였다.Based on the components and contents shown in Table 2 below, a composition for forming an epoxy polymer overcoat layer was prepared.
Epoxy
resin(%)Novolac
Epoxy
resin (%)
resin(%)Aliphatic epoxy
resin (%)
(%)Thermal Initiator
(%)
agent(%)Leveling
agent (%)
agent(%)Defoaming
agent (%)
[실시예 1~8 및 비교예] 투명 도전막 형성 및 광학 특성 평가 [Examples 1 to 8 and Comparative Examples] Formation of transparent conductive film and evaluation of optical properties
은 나노와이어 1 g를 8 g의 에탄올에 분산시킨 후, 기재(substrate)에 도포하고 건조시켜 두께 약 10 ㎛의 도전막을 형성하였다. 다음으로, 형성된 도전막의 상부에 비교예 및 제조예 1~8의 오버 코팅층 형성 조성물을 도포하고, 중합하여 두께 총 15 ㎛의 오버 코팅층을 형성하였다. 오버 코팅층이 형성된 투명 도전막의 광학 특성 및 신뢰성을 확인하기 위하여, 면저항(Sheet resistance), 투과도(Transmittance: Trans), 탁도(Haze) 및 저항값 변화(85/85 Test)를 평가하여, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 하기 표 3에서, 저항값 변화(85/85 Test)는 습도(humidity) 85 % 및 온도 85 ℃에서 1000 시간 보관 후, 저항 값의 변화가 초기값의 10% 이내로 유지되면 "◎" (Pass), 20% 내로 유지되면 "○", 20% 이상이면 "X"(fail)로 표기하였다.1 g of the nanowire was dispersed in 8 g of ethanol, applied to a substrate, and dried to form a conductive film having a thickness of about 10 mu m. Next, the overcoat layer forming composition of Comparative Examples and Preparation Examples 1 to 8 was applied to the top of the formed conductive film and polymerized to form an overcoat layer having a total thickness of 15 占 퐉. Transmittance (Transmittance: Trans), haze, and resistance value change (85/85 Test) were evaluated in order to confirm the optical characteristics and reliability of the transparent conductive film having the overcoat layer formed thereon. Table 3 shows the results. In the following Table 3, when the resistance value change (85/85 Test) is maintained at 85% humidity and 85 ° C temperature for 1000 hours, if the resistance value change is kept within 10% of the initial value, , &Quot; O "is indicated when it is maintained within 20%, and" X "
표 3에 나타낸 바와 같이, 킬레이트제를 포함하는 실록산 중합체 오버 코팅층을 형성한 경우, NH3 함량 5~10 중량% 및 H2N(CH2)2NH2 함량 1~5 중량% 인 경우(실시예 2~5)에 저항값 변화 시험에서 보다 우수한 결과를 얻을 수 있었다. 에폭시계 중합체 오버 코팅층의 경우, 실시예 6 및 7에서 저항값 변화 특성이 보다 우수하였다. 상기 표 3으로부터, 킬레이트제를 포함하는 실록산 중합체 오버 코팅층 및 에폭시계 중합체 오버 코팅층은 투명 도전막의 광학특성 및 신뢰성을 향상시키는 효과를 가짐을 알 수 있다.As shown in Table 3, when the siloxane polymer overcoat layer containing the chelating agent was formed, the NH 3 content was 5 to 10 wt% and the H 2 N (CH 2 ) 2 NH 2 content was 1 to 5 wt% Example 2 ~ 5) showed better results than the resistance change test. In the case of the epoxy polymer overcoat layer, the resistance value change characteristics in Examples 6 and 7 were better. From Table 3, it can be seen that the siloxane polymer overcoat layer containing the chelating agent and the epoxy polymer overcoat layer have the effect of improving the optical characteristics and reliability of the transparent conductive film.
Claims (4)
상기 투명 도전성 전극층의 상부에 코팅되어, 금속 이온의 이동을 억제하는 오버 코팅층을 포함하며,
상기 오버 코팅층은, (1) 아크릴레이트 중합체, (2) 에폭시 수지 및 (3) 실록산 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질로 이루어진 것인, 투명 도전성 전극.A transparent conductive electrode layer formed on the substrate and including a metal nanowire; And
And an overcoat layer coated on the transparent conductive electrode layer to suppress movement of metal ions,
Wherein the overcoat layer is made of a material selected from the group consisting of (1) an acrylate polymer, (2) an epoxy resin, and (3) a siloxane polymer.
상기 투명 도전성 전극층의 상부에 금속 이온의 이동을 억제하는 오버 코팅층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 오버 코팅층은, (1) 아크릴레이트 중합체, (2) 에폭시 수지 및 (3) 실록산 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질로 이루어진 것인, 투명 도전성 전극의 제조방법.Applying a coating composition in which metal nanowires are dispersed in a dispersion solvent to a substrate and drying the coating composition to form a transparent conductive electrode layer; And
And forming an overcoat layer on the transparent conductive electrode layer, the overcoat layer suppressing migration of metal ions,
Wherein the overcoat layer is made of a material selected from the group consisting of (1) an acrylate polymer, (2) an epoxy resin, and (3) a siloxane polymer.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20140004353 | 2014-01-14 | ||
KR1020140004353 | 2014-01-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150084689A true KR20150084689A (en) | 2015-07-22 |
Family
ID=53874546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150007022A KR20150084689A (en) | 2014-01-14 | 2015-01-14 | Transparent conductive electrode and method for producing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20150084689A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170133483A (en) * | 2015-07-30 | 2017-12-05 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | METHOD FOR PRODUCING TRANSDUCTION FILM |
KR20180130874A (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-10 | 한국과학기술연구원 | Metal nanowire heater and method of fabricating the same |
WO2020027368A1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 주식회사 라훔나노테크 | Metal nanowire transparent electrode and method for manufacturing same |
KR20210085441A (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 한국광기술원 | Multijunction Solar Cell and Method for Manufacturing the Same |
-
2015
- 2015-01-14 KR KR1020150007022A patent/KR20150084689A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170133483A (en) * | 2015-07-30 | 2017-12-05 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | METHOD FOR PRODUCING TRANSDUCTION FILM |
KR20180130874A (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-10 | 한국과학기술연구원 | Metal nanowire heater and method of fabricating the same |
US11026297B2 (en) | 2017-05-30 | 2021-06-01 | Korea Institute Of Science And Technology | Metal nanowire heater and method of fabricating the same |
WO2020027368A1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 주식회사 라훔나노테크 | Metal nanowire transparent electrode and method for manufacturing same |
KR20210085441A (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 한국광기술원 | Multijunction Solar Cell and Method for Manufacturing the Same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2828861B1 (en) | Mixtures, methods and compositions pertaining to conductive materials | |
KR102349263B1 (en) | Transparent conductive coatings based on metal nanowires | |
KR102283361B1 (en) | Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks | |
US20150187983A1 (en) | Method for forming a transparent conductive film with metal nanowires having high linearity | |
KR20150084689A (en) | Transparent conductive electrode and method for producing the same | |
CN114395293B (en) | Stabilized sparse metal conductive films and solutions for delivery of stabilizing compounds | |
US9544999B2 (en) | Transparent electrodes and electronic devices including the same | |
KR20070096145A (en) | Antistatic coating formulation for polarizer films and antistatic polarizer film using the same | |
US20130295384A1 (en) | Transparent Electrode with Flexibility and Method for Manufacturing the Same | |
JP2013225498A (en) | Conductive composition, conductive member, method for producing conductive member, touch panel, and solar cell | |
EP2908227A1 (en) | Conductive film, manufacturing method thereof, and display device including same | |
TWI614660B (en) | Transparent conductive film and touch panel therewith and display device | |
KR20170055361A (en) | Transparent electrodes and electronic devices including the same | |
EP3159897A1 (en) | Composition for forming transparent conductor and transparentconductor made therefrom | |
KR20120088313A (en) | Conductive Ink Composition Having Bimodal Particle Distribution | |
US20180194952A1 (en) | Conductive transparent coating for rigid and flexible substrates | |
CN105807986A (en) | Transparent electric conductor and touch screen | |
KR20160062353A (en) | Windable optical multilayer film | |
JP2013039739A (en) | Transparent laminated body and method for producing transparent laminated body | |
KR100955522B1 (en) | Antistatic coating formulation for polarizer films and antistatic polarizer film using the same | |
KR20210059835A (en) | Heat insulating film and heat insulating substrate comprising the same | |
KR101535208B1 (en) | Transparent conductive film having metal nano-wire structure | |
KR20160014409A (en) | Conductive ink composition and conductor and electronic device | |
KR20120028126A (en) | Method for producing conductive coating film, and primer composition therefor | |
KR20150084691A (en) | Metal nanowire, method for producing the same, and transparent conductive film including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |