KR20150075690A - Display Device With Integrated Touch Screen and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

Display Device With Integrated Touch Screen and Method for Manufacturing The Same Download PDF

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Abstract

According to an aspect of the present invention, an integrated touch screen display device includes: gate and pad electrodes formed on a substrate; source and drain electrodes formed on the gate electrodes and data electrodes formed on the pad electrodes; a first protection layer formed on the source electrodes, drain electrodes, and data electrodes; a second protection layer formed on the first protection layer; first pixel electrodes formed in an area corresponding to the source electrodes on the second protection layer, second pixel electrodes connected to the drain electrodes, and third pixel electrodes connected to the data electrodes; first to third connection wires formed on the first to third pixel electrodes; a third protection layer which is formed on the first to third connection wires or on the second protection layer; and first common electrodes which are formed on the third protection layer and connected to the first connection wires and second common electrodes connected to the third connection wires. The second common electrodes are arranged above the top surface of the second protection layer.

Description

터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조방법{Display Device With Integrated Touch Screen and Method for Manufacturing The Same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a touch screen integrated type display device and a manufacturing method thereof,

본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 터치스크린 일체형 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a touch screen integrated display device.

터치스크린은 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전계발광 표시장치(Electroluminescence Device, EL), 전기영동 표시장치 등과 같은 화상표시장치에 설치되어 사용자가 화상표시장치를 보면서 터치스크린 내의 터치 센서를 가압하여(누르거나 터치하여) 미리 정해진 정보를 입력하는 입력장치의 한 종류이다.The touch screen may be a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), an electroluminescence device (EL) , And is a kind of an input device that presses (presses or touches) a touch sensor in a touch screen while the user views the image display device and inputs predetermined information.

특히, 최근에는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 휴대용 단말기의 슬림화를 위해 표시장치의 내부에 터치스크린을 구성하는 소자들을 내장하는 인셀 타입(In-cell type) 터치스크린 일체형 표시장치에 대한 수요가 증가하고 있다.In particular, in recent years, in order to reduce the size of a portable terminal such as a smart phone, a tablet PC, and the like, there has been an increasing demand for an in-cell type touch screen integrated display device in which elements constituting a touch screen are built in a display device have.

이하에서는 일반적인 인셀 타입 터치스크린 일체형 표시장치에 대해서 도 1 을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a general in-cell type touch screen integrated display device will be described with reference to FIG.

도 1은 일반적인 터치스크린 일체형 표시장치의 단면도이다. 일반적인 터치스크린 일체형 표시장치는 도 1에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터 영역 및 패드 영역으로 구분되어 있으며, 기판(100), 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(TFT), 패드 전극(111), 데이터 전극(133), 제1 보호층(134), 제2 보호층(140), 픽셀 전극(151,152), 연결 배선(161,162), 제3 보호층(170), 공통 전극(181,182)을 포함하고 있다.1 is a cross-sectional view of a general touch screen integrated display device. 1, a general touch screen integrated type display device is divided into a thin film transistor region and a pad region and includes a substrate 100, a thin film transistor (TFT) as a switching element, a pad electrode 111, a data electrode 133, A first passivation layer 134, a second passivation layer 140, pixel electrodes 151 and 152, connection wirings 161 and 162, a third passivation layer 170 and common electrodes 181 and 182.

여기서, 데이터 전극(133)은 패드 영역에서 패드 전극(111)과 연결되어 있다.Here, the data electrode 133 is connected to the pad electrode 111 in the pad region.

박막 트랜지스터는 박막 트랜지스터 영역에 형성되어 있으며, 게이트 전극(110), 게이트 절연막(120), 액티브층(130), 에치 스토퍼(131) 및 소스 및 드레인 전극(132)을 포함하고 있다.The thin film transistor is formed in a thin film transistor region and includes a gate electrode 110, a gate insulating film 120, an active layer 130, an etch stopper 131, and source and drain electrodes 132.

여기서, 게이트 절연막(120) 및 에치 스토퍼(131)는 도 1에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터 영역 뿐만 아니라 패드 영역에도 형성되어 있다.Here, the gate insulating film 120 and the etch stopper 131 are formed not only in the thin film transistor region but also in the pad region, as shown in FIG.

제1 보호층(134)은 박막 트랜지스터 및 패드 전극(111) 상에 형성되며, 제2 보호층(140)은 포토 아크릴(Photo acryl)로써 박막 트랜지스터 및 패드 전극(110) 상에서 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 일측 전극과 패드 전극(111) 상단의 일부분을 노출시키는 형태로 형성된다.The first passivation layer 134 is formed on the thin film transistor and the pad electrode 111 and the second passivation layer 140 is formed on the thin film transistor and the pad electrode 110 as a photo- Drain electrodes and a portion of the upper end of the pad electrode 111 are exposed.

픽셀 전극(151,152)은 제1 보호층(134) 및 제2 보호층(140)상에 형성된다. 여기서, 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극(132) 중 일측 전극을 노출시키는 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 전극과 연결되어 있는 제1 픽셀 전극(151)은 디스플레이 구동을 위한 기능을 하며, 제1 보호층(134) 및 제2 보호층(140) 상에 형성된 제2 픽셀 전극(152)은 디스플레이 구동이 아닌 다른 부가적인 기능을 할 수 있다.Pixel electrodes 151 and 152 are formed on the first passivation layer 134 and the second passivation layer 140. Here, the first pixel electrode 151 connected to the source and drain electrodes through the contact hole exposing one of the source and drain electrodes 132 of the thin film transistor functions as a display driving, The second pixel electrode 152 formed on the first passivation layer 134 and the second passivation layer 140 may perform an additional function other than the display driving.

연결 배선(161,162)은 메탈 재질로 픽셀 전극(151,152) 상에 형성된다.The connection wirings 161 and 162 are formed on the pixel electrodes 151 and 152 using a metal material.

여기서, 제2 보호층(140) 상부의 제2 픽셀 전극(152) 상에 형성된 제1 연결 배선(161)은 공통 전극(181)에 디스플레이 구동 신호 및 터치 구동 신호를 전달하기 위한 기능을 하며, 데이터 전극(133)에 연결된 제2 연결 배선(162)은 패드 전극(111)의 신호를 인가받는 기능을 하며, 소스 및 드레인 전극(132)에 연결된 제2 연결 배선(162)은 접촉 관련된 다른 부가적인 기능을 할 수 있다.The first connection wiring 161 formed on the second pixel electrode 152 on the second passivation layer 140 serves to transmit a display driving signal and a touch driving signal to the common electrode 181, The second connection wiring 162 connected to the data electrode 133 functions to receive a signal of the pad electrode 111 and the second connection wiring 162 connected to the source and drain electrodes 132 functions as a contact- Function.

제3 보호층(170)은 연결 배선(161,162) 및 제2 보호층(140) 상에 형성되어 픽셀 전극과 공통 전극을 구분하는 기능을 할 수 있다.The third passivation layer 170 may be formed on the connection wirings 161 and 162 and the second passivation layer 140 to divide the pixel electrode and the common electrode.

공통 전극(181,182)은 제3 보호층(170) 상에 형성된다The common electrodes 181 and 182 are formed on the third passivation layer 170

여기서, 제1 공통 전극(181)은 슬릿(slit)을 포함하여 형성되어 디스플레이 구동 모드 시 제2 픽셀 전극(152)과 함께 전계를 형성하여 디스플레이 구동을 위한 전극으로 사용되고, 터치 구동 모드 시 터치를 센싱하기 위한 터치 전극으로 사용되고, 제2 공통 전극(182)은 제2 연결 배선(162)을 통해 데이터 전극(133)에 연결되어 다른 부가적인 기능을 할 수 있다.Here, the first common electrode 181 includes a slit and is used as an electrode for driving a display by forming an electric field together with the second pixel electrode 152 in the display driving mode. In the touch driving mode, And the second common electrode 182 may be connected to the data electrode 133 through the second connection wiring 162 to perform another additional function.

반면, 일반적인 터치스크린 일체형 표시장치에서 제2 공통 전극(181)은 다른 구조를 적용하지 않고 오직 제2 연결 배선(162)을 통해 데이터 전극(133)과 직접 연결하였다. 왜냐하면 데이터 전극(133)이 형성되어 있는 패드 영역은 디스플레이 드라이버 IC와 연결되거나 FPC 본딩되는 영역이므로 제2 보호층(134)을 형성하지 않기 때문이다.On the other hand, in the general touch screen integrated type display device, the second common electrode 181 is directly connected to the data electrode 133 through the second connection wiring 162 without applying any other structure. This is because the pad region in which the data electrode 133 is formed is connected to the display driver IC or FPC-bonded region, so that the second protective layer 134 is not formed.

하지만, 이러한 구조로 인해 제2 보호층(140)의 단차부 아래쪽, 즉 제2 보호층이 형성되어 있지 않은 영역 또는 단차부 경계부에서 제2 공통 전극(182)의 잔사가 남은 문제가 발생하였다. 왜냐하면, 공통 전극(181,182) 패터닝 공정에서 제2 보호층(140)이 형성되어 있지 않은 단차부 아래쪽과 제2 보호층(140)이 형성되어 있는 단차부 위쪽의 노광량의 차이가 있으므로 단차부 아래쪽의 제2 공통 전극(182)이 제대로 패터닝 되지 않아 제2 공통 전극의 잔사가 남을 수 있기 때문이다.However, due to such a structure, there is a problem that the residue of the second common electrode 182 is left below the step portion of the second protective layer 140, that is, the region where the second protective layer is not formed or the stepped portion boundary portion. This is because there is a difference in exposure amount between the lower portion of the stepped portion where the second protective layer 140 is not formed and the upper portion of the stepped portion where the second protective layer 140 is formed in the patterning process of the common electrodes 181 and 182, The second common electrode 182 may not be properly patterned and the residue of the second common electrode may remain.

또한, 이런 제2 공통 전극 잔사로 인하여 제2 공통 전극(182)끼리 합선되는 현상이 발생할 수 있으며 또한 잔사 부분에 정전기가 발생할 수 있다는 문제점이 있다.In addition, the second common electrode 182 may be short-circuited due to the second common electrode residue, and static electricity may be generated at the residue.

따라서, 종래의 문제점을 해결할 수 있는 터치스크린 일체형 표시장치의 필요성이 대두되고 있다.
Accordingly, there is a need for a touch screen integrated display capable of solving the conventional problems.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 패드 영역에서 공통 전극의 잔사 문제를 해결할 수 있는 터치스크린 일체형 표시 장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a touch screen integrated type display device capable of solving the problem of a common electrode residue in a pad region.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 일체형 표시장치는, 기판 상에 형성되는 게이트 전극 및 패드 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 및 상기 패드 전극 상에 형성되는 데이터 전극; 상기 소스 및 드레인 전극, 및 상기 데이터 전극 상에 형성되는 제1 보호층; 상기 제1 보호층 상에 형성되는 제2 보호층; 상기 제2 보호층 상에 형성되며, 상기 소스 전극과 대응되는 위치에 형성되는 제1 픽셀 전극, 상기 드레인 전극과 연결되는 제2 픽셀 전극 및 상기 데이터 전극과 연결되는 제3 픽셀 전극; 상기 제1 내지 제 3 픽셀 전극 상에 형성되는 제1 내지 제3 연결 배선; 상기 제1 내지 제3 연결 배선 및 상기 제2 보호층 상에 형성되는 제3 보호층; 및 상기 제3 보호층 상에 형성되며, 상기 제1 연결 배선과 연결되는 제1 공통 전극 및 상기 제3 연결 배선과 연결되는 제2 공통 전극을 포함하며, 상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 최상면보다 상부에 위치하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a touch screen integrated type display device including: a gate electrode and a pad electrode formed on a substrate; A source electrode and a drain electrode formed on the gate electrode, and a data electrode formed on the pad electrode; A first protective layer formed on the source and drain electrodes and the data electrode; A second passivation layer formed on the first passivation layer; A first pixel electrode formed on the second passivation layer and formed at a position corresponding to the source electrode, a second pixel electrode connected to the drain electrode, and a third pixel electrode connected to the data electrode; First to third connection wirings formed on the first to third pixel electrodes; A third protective layer formed on the first through third connection wirings and the second protective layer; And a second common electrode formed on the third protection layer, the first common electrode being connected to the first connection wiring and the second common electrode connected to the third connection wiring, Layer is located above the uppermost surface of the layer.

일 실시예에 있어서,In one embodiment,

상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 상부에만 위치하는 것을 특징으로 한다.And the second common electrode is located only above the second passivation layer.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법은, 기판 상에 게이트 전극 및 패드 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 소스 및 드레인 전극 형성하고, 상기 패드 전극 상에 데이터 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 전극, 및 상기 데이터 전극 상에 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계; 상기 제2 보호층 상에, 상기 소스 전극과 대응되는 위치에 제1 픽셀 전극을 형성하고, 상기 드레인 전극과 연결되는 제2 픽셀 전극을 형성하고, 상기 데이터 전극과 연결되는 제3 픽셀 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 내지 제 3 픽셀 전극 상에 제1 내지 제3 연결 배선을 형성하는 단계; 상기 제1 내지 제3 연결 배선 및 상기 제2 보호층 상에 제3 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 보호층 상에, 상기 제1 연결 배선과 연결되는 제1 공통 전극 및 상기 제3 연결 배선과 연결되는 제2 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 최상면보다 상부에 위치하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a touch screen integrated type display device including: forming a gate electrode and a pad electrode on a substrate; Forming a source electrode and a drain electrode on the gate electrode, and forming a data electrode on the pad electrode; Forming a first protective layer on the source and drain electrodes and the data electrode; Forming a second protective layer on the first protective layer; A first pixel electrode is formed on the second protective layer at a position corresponding to the source electrode, a second pixel electrode is formed to be connected to the drain electrode, and a third pixel electrode is formed to be connected to the data electrode ; Forming first to third connection wirings on the first to third pixel electrodes; Forming a third protective layer on the first to third connection wirings and the second protective layer; And forming a first common electrode connected to the first connection wiring and a second common electrode connected to the third connection wiring on the third protection layer, 2 < / RTI > protective layer.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 상부에만 위치하는 것을 특징으로 한다.
In one embodiment, the second common electrode is located only above the second passivation layer.

본 발명에 따르면, 터치스크린 일체형 표시장치에서 단차부 이전에 공통 전극과 데이터 전극을 연결할 수 있어 설계 시 공간 활용의 장점을 가질 수 있다.According to the present invention, the common electrode and the data electrode can be connected to each other before the step portion in the touch screen integrated display device, thereby having the advantage of space utilization in designing.

단차부 하부에 공통 전극의 잔사가 남지 않으므로 공통 전극의 합선으로 인한 터치 구동 불량을 방지할 수 있다.Since the residue of the common electrode is not left in the lower portion of the step portion, it is possible to prevent the touch driving failure due to the short circuit of the common electrode.

단차부 하부에 공통 전극이 형성되어 있지 않으므로, 전체적인 노광 공정에 큰 제약이 없다.The common electrode is not formed in the lower portion of the step portion, so there is no significant restriction on the entire exposure process.

도 1은 일반적인 터치스크린 일체형 표시장치의 단면도; 및
도 2 내지 도 14은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도.1 is a sectional view of a general touch screen integrated display device; And
2 to 14 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물의 상에 또는 아래에 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing an embodiment of the present invention, when it is described that a structure is formed on or under another structure, such a substrate is not limited to a case where these structures are in contact with each other, It should be construed as including.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 일체형 표시장치에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도이다.2 to 14 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 일체형 표시장치는 도 2 내지 도 14 에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 영역 및 패드 영역으로 구분되어 있으며, 기판(200), 박막 트랜지스터, 패드 전극(211), 데이터 전극(233), 제1 보호층(234), 제2 보호층(240), 픽셀 전극(251,252,253), 연결 배선(261,262,263), 제3 보호층(270) 및 공통 전극(281,282)을 포함한다.As shown in FIGS. 2 to 14, the touch screen integrated type display device according to an embodiment of the present invention is divided into a thin film transistor region and a pad region, and includes a substrate 200, a thin film transistor, a pad electrode 211, The data line 233, the first passivation layer 234, the second passivation layer 240, the pixel electrodes 251, 252 and 253, the connection lines 261, 262 and 263, the third passivation layer 270 and the common electrodes 281 and 282 .

박막 트랜지스터는 도 2 내지 도 7에 도시된 바와 같이 기판(200) 상에 박막 트랜지스터 영역에서 스위칭 소자로써 형성되어 있으며, 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220), 액티브층(230), 소스 및 드레인 전극(232)을 포함한다. 소스 및 드레인 전극은 신호의 인가에 따라 서로 명칭이 변경될 수 있으므로 동일한 도면부호를 사용하여 표현하였다. 참고로, 본 발명의 일 실시예에서는 제2 픽셀 전극(252)과 연결되어 있는 부분을 드레인 전극으로 정하여 설명하기로 한다.The thin film transistor is formed as a switching element in the thin film transistor region on the substrate 200 as shown in FIGS. 2 to 7 and includes a gate electrode 210, a gate insulating film 220, an active layer 230, a source, And a drain electrode 232. The source and drain electrodes are denoted by the same reference numerals because their names can be changed according to application of signals. For reference, a portion connected to the second pixel electrode 252 will be described as a drain electrode in an embodiment of the present invention.

박막 트랜지스터는 도 7에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(210)이 액티브층(230) 아래로 형성된 바텀 게이트 구조이지만, 게이트 전극(210)이 액티브층(230) 상에 위치에 있는 탑 게이트 구조로 이루어질 수 있다.The thin film transistor is a bottom gate structure in which the gate electrode 210 is formed below the active layer 230 as shown in FIG. 7, but a top gate structure in which the gate electrode 210 is positioned on the active layer 230 Lt; / RTI >

그리고, 패드 전극(211)은 기판 상에 패드 영역에서 박막 트랜지스터의 게이트 전극(210)과 동일한 물질 및 공정으로 형성된다. 데이터 전극(233)은 패드 전극(211)을 노출시키는 게이트 절연막(220)의 콘택홀(A)을 통해 패드 전극(211)과 연결되게 형성되어 있다.The pad electrode 211 is formed of the same material and process as the gate electrode 210 of the thin film transistor in the pad region on the substrate. The data electrode 233 is formed to be connected to the pad electrode 211 through the contact hole A of the gate insulating layer 220 exposing the pad electrode 211.

본 발명에 터치스크린 일체형 표시장치는 에칭 공정 시 액티브층을 보호하는 역할을 하는 에치 스토퍼(231)를 액티브층(230) 상에 추가로 형성할 수 있다. 에치 스토퍼는 도 5에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터 영역 뿐만 아니라 패드 영역에도 형성되어 있다. 그리고 상술한 게이트 절연막(220) 역시 박막 트랜지스터 영역 뿐만 아니라 패드 영역에도 형성되어 있다.The touch screen integrated display device of the present invention may further form an etch stopper 231 on the active layer 230, which serves to protect the active layer during the etching process. The etch stopper is formed not only in the thin film transistor region but also in the pad region as shown in FIG. The gate insulating layer 220 is also formed in the pad region as well as the thin film transistor region.

제1 보호층(234)은 도 8에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극(232), 및 데이터 전극(233) 상에 형성되며, 일반적으로 패시베이션층으로 형성된다.8, the first passivation layer 234 is formed on the source and drain electrodes 232 and the data electrode 233 of the thin film transistor, and is generally formed of a passivation layer.

제1 보호층(234)은 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극(232), 및 데이터 전극(233) 상에 형성되어 박막 트랜지스터 및 데이터 전극(233)을 보호하는 기능을 한다.The first passivation layer 234 is formed on the source and drain electrodes 232 of the thin film transistor and the data electrode 233 to protect the thin film transistor and the data electrode 233.

제2 보호층(240)은 도 9에 도시된 바와 같이, 증착, 패터닝, 현상의 공정을 통해 패터닝 된 형태로 제1 보호층 상에 형성된다. 여기서 패터닝은 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 패드 전극을 노출시키는 형태로 패터닝된다.The second passivation layer 240 is formed on the first passivation layer in a patterned manner through a process of deposition, patterning, and development, as shown in FIG. Here, the patterning is patterned to expose the drain electrode and the pad electrode of the thin film transistor.

제2 보호층(240)은 일반적으로 포토 아크릴로 형성되며, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 보호층 상에 포토레지스터를 형성하고, 포토레지스터를 마스크로 활용하여 제1 보호층에 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(B) 및 제1 보호층에 패드 전극을 노출시키는 콘택홀(C)을 형성한다.10, a photoresist is formed on the second passivation layer, and a drain electrode (not shown) is formed in the first passivation layer by using the photoresist as a mask. The second passivation layer 240 is formed of photo- And a contact hole C exposing the pad electrode to the first passivation layer are formed.

여기서, 데이터 전극(233)을 노출시키는 제2 보호층의 콘택홀(C)은 패드 전극(211)을 노출시키는 게이트 절연막(220)의 콘택홀(A)에 대응되는 영역 상에 형성된다는 특징이 있다.The contact hole C of the second passivation layer exposing the data electrode 233 is characterized in that it is formed on a region corresponding to the contact hole A of the gate insulating film 220 exposing the pad electrode 211 have.

좀 더 상세히, 제2 보호층(240) 상에 포토레지스터층을 증착하고, 증착된 포토레지스터층을 이용하여 현상, 노광, 에치, 스트립 공정으로 제1 보호층(260)을 패터닝하여 드레인 전극 및 패드 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 이때 사용된 포토레지스터층은 콘택홀을 형성한 후 제거한다.In more detail, a photoresist layer is deposited on the second passivation layer 240 and the first passivation layer 260 is patterned by a development, exposure, etch, and strip process using a deposited photoresist layer to form the drain electrode and / Thereby forming a contact hole exposing the pad electrode. At this time, the photoresist layer used is removed after forming a contact hole.

픽셀 전극(251,252,253)는 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 보호층(240) 상에 형성된다.Pixel electrodes 251, 252, and 253 are formed on the second passivation layer 240, as shown in FIG.

제1 내지 제3 픽셀 전극은 동일한 물질로 형성되고, 일반적으로 픽셀 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전체로 형성된다.The first to third pixel electrodes are formed of the same material, and the pixel electrode is generally formed of a transparent conductor such as ITO (Indium Tin Oxide).

픽셀 전극은 소스 전극과 대응되는 위치에 형성되는 제1 픽셀 전극(251), 드레인 전극과 연결되는 제2 픽셀 전극(252) 및 데이터 전극과 연결되는 제3 픽셀 전극(253)으로 구분되어 있다.The pixel electrode is divided into a first pixel electrode 251 formed at a position corresponding to the source electrode, a second pixel electrode 252 connected to the drain electrode, and a third pixel electrode 253 connected to the data electrode.

제1 픽셀 전극(251)을 제2 보호층(240) 및 제1 연결 배선(261) 사이에 형성하는 경우, 제1 픽셀 전극(251)을 형성하고 있는 ITO 물질이 제2 보호층(240)을 형성하고 있는 포토 아크릴과 접착력이 좋으므로 제2 보호층(240) 및 제1 연결 배선(261) 간의 필링 문제를 방지할 수 있다.When the first pixel electrode 251 is formed between the second passivation layer 240 and the first connection wiring 261, the ITO material forming the first pixel electrode 251 is formed on the second passivation layer 240, The peeling problem between the second protective layer 240 and the first connection wiring 261 can be prevented.

제2 픽셀 전극(252)은 제2 보호층(240) 상에 형성되며, 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(B)을 통해 드레인 전극과 연결되어 공통 전극(281)과 함께 디스플레이 구동을 위한 전극으로 사용될 수 있다.The second pixel electrode 252 is formed on the second passivation layer 240 and is connected to the drain electrode through the contact hole B exposing the drain electrode to form an electrode for driving the display together with the common electrode 281 Can be used.

제3 픽셀 전극(253)은 제3 연결 배선(263)과 데이터 전극(233) 사이에 형성되며, 데이터 전극(233)을 노출시키는 제2 보호층의 콘택홀(C)을 통해 데이터 전극(233)과 연결된다.The third pixel electrode 253 is formed between the third connection wiring 263 and the data electrode 233 and is electrically connected to the data electrode 233 through the contact hole C of the second passivation layer exposing the data electrode 233. [ ).

제3 픽셀 전극(253)은 제3 연결 배선(263)과 제2 보호층(240)의 공정 불량을개선하기 위해 형성된다. 다시 말해, 제3 연결 배선(260)을 제2 보호층(240) 상에 직접 형성시 제3 연결 배선이 유실되는 현상이 발생하였고, 그 유실 불량을 개선하기 위해 제3 픽셀 전극(253)을 제2 보호층과 제3 연결 배선 사이에 형성한다.The third pixel electrode 253 is formed to improve process defects of the third connection wiring 263 and the second passivation layer 240. In other words, when the third connection wiring line 260 is directly formed on the second passivation layer 240, the third connection wiring line is lost. To improve the loss of the third connection wiring line, the third pixel electrode 253 And is formed between the second protective layer and the third connection wiring.

연결 배선(261,262,263)은 도 12에 도시된 바와 같이, 픽셀 전극(251,252,253) 상에 메탈 재질로 형성되며, 일반적으로 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리 중에 선택되는 어느 하나의 물질 또는 이를 포함하는 합금으로 형성된다.12, the connection wirings 261, 262, and 263 are formed of a metal material on the pixel electrodes 251, 252, and 253 and are formed of any one material selected from among molybdenum (Mo), aluminum (Al) .

연결 배선(261,262,263)은 제1 픽셀 전극(251) 상에 형성되는 제1 연결 배선(261), 제2 픽셀 전극(252) 상에 형성되는 제2 연결 배선(262), 제3 픽셀 전극(253) 상에 형성되는 제3 연결 배선(263)으로 구분되어 있다.The connection wirings 261, 262 and 263 are formed by a first connection wiring 261 formed on the first pixel electrode 251, a second connection wiring 262 formed on the second pixel electrode 252, a third pixel electrode 253 And a third connection wiring 263 formed on the second connection wiring 263.

여기서, 제1 연결 배선(261)은 제1 픽셀 전극(251) 상에 형성되어, 제1 픽셀 전극(251)과 전기적으로 연결되며, 제1 연결 배선(261)은 공통 전극(281)에 디스플레이 구동 신호 및 터치 구동 신호를 전달하기 위한 기능을 할 수 있다.The first connection wiring 261 is formed on the first pixel electrode 251 and electrically connected to the first pixel electrode 251 and the first connection wiring 261 is electrically connected to the common electrode 281 And can transmit a driving signal and a touch driving signal.

제2 연결 배선(262)은 제2 픽셀 전극(262) 상에 형성되어, 제2 보호층의 콘택홀(C)이 깊은 경우에 생길 수 있는 제2 픽셀 전극(262)의 단선 문제를 해결하는 기능을 한다.The second connection wiring 262 is formed on the second pixel electrode 262 so as to solve the problem of disconnection of the second pixel electrode 262 which may occur when the contact hole C of the second protection layer is deep Function.

제3 연결 배선(263)은 제 3 픽셀 전극(263) 상에 형성되어, 패드 전극(211)과 제2 공통 전극(282)를 연결하는 기능을 할 수 있다.The third connection wiring 263 may be formed on the third pixel electrode 263 to connect the pad electrode 211 and the second common electrode 282.

제3 보호층(270)은 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 연결 배선 및 제2 보호층 상에 형성되며, 일반적으로 패시베이션층으로 형성된다.The third passivation layer 270 is formed on the first through third connection wirings and the second passivation layer, as shown in FIG. 13, and is generally formed of a passivation layer.

제3 보호층(270)은 제1 내지 제3 연결 배선을 보호하는 기능을 하며, 픽셀 전극과 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.The third passivation layer 270 functions to protect the first to third connection wirings and electrically isolate the pixel electrode and the common electrode.

공통 전극(281,282)은 도 14에 도시된 바와 같이, 제3 보호층(270) 상에 형성되며, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전체로 형성된다.As shown in FIG. 14, the common electrodes 281 and 282 are formed on the third passivation layer 270 and formed of a transparent conductor such as ITO (Indium Tin Oxide).

공통 전극(281,282)는 제3 보호층(270) 상에 형성되며, 다시 말해, 제1 연결 배선(261)과 연결되는 제1 공통 전극(281) 및 제3 연결 배선(263)과 연결되는 제2 공통 전극(282)로 구분되어 있지만, 동일한 층에 형성되어 있다.The common electrodes 281 and 282 are formed on the third passivation layer 270. In other words, the common electrodes 281 and 282 are connected to the first common electrode 281 and the third connection wiring 263, 2 common electrodes 282, but are formed on the same layer.

여기서, 제1 공통 전극(281)은 제3 보호층 상에 형성되며, 디스플레이 구동 모드 시 제2 픽셀 전극(252)과 함께 전계를 형성하여 디스플레이 구동을 위한 디스플레이 전극으로 사용되고, 터치 구동 모드 시 터치 센싱을 위한 터치 전극으로 사용된다, 한개의 제1 공통 전극이 형성되어 있는 영역은 복수의 RGB 픽셀이 형성되어 있는 영역에 대응되는 영역이며, 한개의 제1 공통 전극은 하나의 터치 전극으로 활용된다. Here, the first common electrode 281 is formed on the third passivation layer, and forms an electric field together with the second pixel electrode 252 in the display driving mode to be used as a display electrode for driving the display, The region where one first common electrode is formed is a region corresponding to a region where a plurality of RGB pixels are formed and one first common electrode is utilized as one touch electrode .

제1 공통 전극(281)은 내부에 슬릿(slit)을 포함하고 있으며, 제1 공통 전극(281)과 제2 픽셀 전극(252)은 슬릿을 통해 프린지 필드(fringe field)를 형성하고, 이와 같은 프린지 필드에 의해서 액정이 구동될 수 있다.The first common electrode 281 includes a slit therein and the first common electrode 281 and the second pixel electrode 252 form a fringe field through the slit, The liquid crystal can be driven by the fringe field.

제2 공통 전극(282)는 제3 보호층 상에 형성되며, 제3 연결 배선(263)을 통해 데이터 전극(133)에 연결되어 다른 부가적인 기능을 한다.The second common electrode 282 is formed on the third passivation layer and connected to the data electrode 133 through the third connection wiring 263 to perform another additional function.

본 발명의 일 실시예에 따른 제2 공통 전극(282)은 제2 보호층(240)의 최상면보다 상부에 위치하고, 제2 보호층(240)의 상부에만 위치하는 것을 특징으로 한다.The second common electrode 282 according to an embodiment of the present invention is located above the uppermost surface of the second protective layer 240 and is located only on the upper portion of the second protective layer 240.

상술한 형태로 제2 공통 전극(282)을 형성하는 경우 제2 보호층(240) 상부 및 하부의 단차부 높이에 의한 노광량 차이가 생기더라도 제2 보호층(240) 하부 영역에는 제2 공통 전극(282)이 존재하지 않기 때문에 잔사가 남지 않는다.In the case where the second common electrode 282 is formed in the above-described manner, even if there is a difference in exposure amount due to the height of the stepped portions above and below the second passivation layer 240, (282) is not present, no residue remains.

따라서, 제2 보호층(240) 단차부 하부에 제2 공통 전극(282)의 잔사가 남지 않으므로 공통 전극의 합선으로 인한 터치 구동 불량을 방지할 수 있다.Therefore, since the residue of the second common electrode 282 is not left below the stepped portion of the second protective layer 240, it is possible to prevent the touch driving failure due to the short circuit of the common electrode.

또한, 단차부 하부에 공통 전극이 형성되어 있지 않으므로, 전체적인 노광 공정에 큰 제약이 없으며, 단차부 이전에 제2 공통 전극(282)과 데이터 전극(233)을 연결할 수 있어 설계 시 공간 활용의 장점을 가질 수 있다.
In addition, since the common electrode is not formed in the lower part of the step portion, there is no restriction on the entire exposure process, and the second common electrode 282 and the data electrode 233 can be connected before the step portion, Lt; / RTI >

이하에서는, 상술한 바와 같은 구성을 갖는 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법에 대해 도 2 내지 도 14를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the touch screen integrated type display device having the above-described structure will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 14. FIG.

도 2 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도이다.2 to 14 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(200) 상에 게이트 전극(210) 및 패드 전극(211)을 형성하는 단계를 수행한다.First, as shown in FIG. 2, a step of forming a gate electrode 210 and a pad electrode 211 on a substrate 200 is performed.

여기서, 게이트 전극(210)은 박막 트랜지스터 영역에 형성되고, 패드 전극(211)은 패드 영역에 형성되고, 게이트 전극(210)과 패드 전극(211)은 동일한 공정 및 동일한 물질로 형성된다.Here, the gate electrode 210 is formed in the thin film transistor region, the pad electrode 211 is formed in the pad region, and the gate electrode 210 and the pad electrode 211 are formed using the same process and the same material.

다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(200), 게이트 전극(210) 및 패드 전극(211) 상에 게이트 절연막(220)을 형성하는 단계를 수행한다.Next, as shown in FIG. 3, a step of forming a gate insulating layer 220 on the substrate 200, the gate electrode 210, and the pad electrode 211 is performed.

다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(210)에 대응되는 영역의 게이트 절연막(220) 상에 액티브층(230)을 형성하는 단계를 수행한다.Next, as shown in FIG. 4, a step of forming an active layer 230 on the gate insulating layer 220 in a region corresponding to the gate electrode 210 is performed.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(220) 및 액티브층(230) 상에 에치 스토퍼(231)를 형성하는 단계를 수행한다.Next, as shown in FIG. 5, a step of forming an etch stopper 231 on the gate insulating layer 220 and the active layer 230 is performed.

여기서, 에치 스토퍼(231)는 액티브층(230)이 소스 및 드레인 전극(232)과 연결되는 부분을 노출시키고 패드 전극(211)에 대응되는 영역의 게이트 절연막(220)을 노출시키는 형태로 형성된다.The etch stopper 231 exposes a portion where the active layer 230 is connected to the source and drain electrodes 232 and exposes the gate insulating layer 220 in a region corresponding to the pad electrode 211 .

다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 패드 전극(211)을 노출시키는 게이트 절연막(220)의 콘택홀(A)를 형성하는 단계를 수행한다.Next, as shown in FIG. 6, a step of forming a contact hole A of the gate insulating layer 220 exposing the pad electrode 211 is performed.

다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(220) 상에 액티브층(230)과 연결되는 소스 및 드레인 전극(232) 형성하고, 게이트 절연막(220) 상에 패드 전극(211)과 연결되는 데이터 전극(233)을 형성하는 단계를 수행한다.7, source and drain electrodes 232 connected to the active layer 230 are formed on the gate insulating layer 220 and connected to the pad electrode 211 on the gate insulating layer 220. Then, The data electrode 233 is formed.

다시 말해, 데이터 전극(233)은 패드 전극(211)을 노출시키는 게이트 절연막의 콘택홀(A)을 통해 패드 전극(211)과 연결된다.In other words, the data electrode 233 is connected to the pad electrode 211 through the contact hole A of the gate insulating film exposing the pad electrode 211.

다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 액티브층(230), 소스 및 드레인 전극(232), 및 데이터 전극(233) 상에 제1 보호층(234)을 형성하는 단계를 수행한다. 일반적으로 제1 보호층은 패시베이션층으로 형성된다.Next, as shown in FIG. 8, a step of forming a first passivation layer 234 on the active layer 230, the source and drain electrodes 232, and the data electrode 233 is performed. Generally, the first passivation layer is formed of a passivation layer.

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 보호층(234) 상에 제2 보호층(240)을 형성하는 단계를 수행한다. 일반적으로 제2 보호층은 포토아크릴로 형성된다.Next, as shown in FIG. 9, a step of forming a second protective layer 240 on the first protective layer 234 is performed. Generally, the second protective layer is formed of photoacrylic.

다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 보호층(240) 상에 추가적으로 형성된 포토레지스터를 마스크로 하여 제1 보호층(234)에 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(B) 및 패드 전극을 노출시키는 콘택홀(C)을 형성하는 단계를 수행한다.10, a contact hole B for exposing the drain electrode to the first passivation layer 234 and a pad electrode for exposing the first passivation layer 234 using the photoresist, which is additionally formed on the second passivation layer 240, Thereby forming a contact hole (C) for exposing.

여기서, 데이터 전극을 노출시키는 제2 보호층의 콘택홀(C)은 패드 전극(211)을 노출시키는 게이트 절연막의 콘택홀(A)에 대응되는 영역 상에 형성된다는 특징이 있다.Here, the contact hole C of the second passivation layer exposing the data electrode is formed on a region corresponding to the contact hole A of the gate insulating film exposing the pad electrode 211.

다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 보호층(240) 상에, 소스 전극과 대응되는 위치에 제1 픽셀 전극(251)을 형성하고, 드레인 전극과 연결되는 제2 픽셀 전극(252)을 형성하고, 데이터 전극(233)과 연결되는 제3 픽셀 전극(253)을 형성하는 단계를 수행한다. 제1 내지 제3 픽셀 전극은 동일한 물질로 형성되고, 일반적으로 픽셀 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전체로 형성된다.11, a first pixel electrode 251 is formed on the second passivation layer 240 at a position corresponding to the source electrode and a second pixel electrode 252 connected to the drain electrode And forming a third pixel electrode 253 connected to the data electrode 233. The first to third pixel electrodes are formed of the same material, and the pixel electrode is generally formed of a transparent conductor such as ITO (Indium Tin Oxide).

여기서, 제2 픽셀 전극(252)는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(B)을 통해 드레인 전극과 연결되어 공통 전극(281)과 함께 디스플레이 구동을 위한 전극으로 사용되고, 제3 픽셀 전극(253)은 데이터 전극(233)을 노출시키는 제2 보호층(240)의 콘택홀을 통해 데이터 전극(233)과 연결된다.The second pixel electrode 252 is connected to the drain electrode through the contact hole B exposing the drain electrode and is used as an electrode for driving the display together with the common electrode 281. The third pixel electrode 253 And is connected to the data electrode 233 through the contact hole of the second passivation layer 240 exposing the data electrode 233.

다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 픽셀 전극(251) 상에 형성되는 제1 연결 배선(261), 제2 픽셀 전극(252) 상에 형성되는 제2 연결 배선(262), 제3 픽셀 전극(253) 상에 형성되는 제3 연결 배선(263)을 형성하는 단계를 수행한다. 일반적으로 연결 전극은 메탈 재질로 형성되며, 일반적으로 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리 중에 선택되는 어느 하나의 물질 또는 이를 포함하는 합금으로 형성된다.Next, as shown in Fig. 12, a first connection wiring 261 formed on the first pixel electrode 251, a second connection wiring 262 formed on the second pixel electrode 252, The third connection wiring 263 formed on the three-pixel electrode 253 is formed. Generally, the connection electrode is formed of a metal material, and is generally formed of any one material selected from molybdenum (Mo), aluminum (Al), and copper or an alloy containing the same.

다음으로, 도 13에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 연결 배선 및 제2 보호층(240) 상에 제3 보호층(270)을 형성하는 단계를 수행한다. 일반적으로 제1 보호층은 패시베이션층으로 형성된다.Next, as shown in FIG. 13, a step of forming the third passivation layer 270 on the first to third connection wires and the second passivation layer 240 is performed. Generally, the first passivation layer is formed of a passivation layer.

다음으로, 도 14에 도시된 바와 같이 제3 보호층(270) 상에, 제1 연결 배선(261)과 연결되는 제1 공통 전극(281) 및 제3 연결 배선(263)과 연결되는 제2 공통 전극(282)을 형성하는 단계를 수행한다. 일반적으로 공통전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전체로 형성된다. 또한 제1 공통 전극(281) 및 제2 공통 전극(282)은 동일한 층에 형성된다.14, a second common electrode 281 connected to the first connection wiring 261 and a second common connection wiring 263 connected to the third connection wiring 263 are formed on the third protective layer 270, Thereby forming the common electrode 282. In general, the common electrode is formed of a transparent conductor such as ITO (Indium Tin Oxide). Further, the first common electrode 281 and the second common electrode 282 are formed in the same layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 제2 공통 전극(282)은 제2 보호층(240)의 최상면보다 상부에 위치하고, 제2 보호층(240)의 상부에만 위치하는 것을 특징으로 한다.The second common electrode 282 according to an embodiment of the present invention is located above the uppermost surface of the second protective layer 240 and is located only on the upper portion of the second protective layer 240.

상술한 형태로 제2 공통 전극(282)을 형성하는 경우 제2 보호층(240) 상부 및 하부의 단차부 높이에 의한 노광량 차이가 생기더라도 제2 보호층(240) 하부 영역에는 제2 공통 전극(282)이 존재하지 않기 때문에 잔사가 남지 않는다.In the case where the second common electrode 282 is formed in the above-described manner, even if there is a difference in exposure amount due to the height of the stepped portions above and below the second passivation layer 240, (282) is not present, no residue remains.

따라서, 제2 보호층(240) 단차부 하부에 제2 공통 전극(282)의 잔사가 남지 않으므로 공통 전극의 합선으로 인한 터치 구동 불량을 방지할 수 있다.Therefore, since the residue of the second common electrode 282 is not left below the stepped portion of the second protective layer 240, it is possible to prevent the touch driving failure due to the short circuit of the common electrode.

또한, 단차부 하부에 공통 전극이 형성되어 있지 않으므로, 전체적인 노광 공정에 큰 제약이 없으며, 단차부 이전에 제2 공통 전극(282)과 데이터 전극(233)을 연결할 수 있어 설계 시 공간 활용의 장점을 가질 수 있다.
In addition, since the common electrode is not formed in the lower part of the step portion, there is no restriction on the entire exposure process, and the second common electrode 282 and the data electrode 233 can be connected before the step portion, Lt; / RTI >

본 명세서에서는 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법에 있어서 공통 전극을 형성하는 공정까지만 설명하였으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 공통 전극 형성 공정 후 터치스크린 일체형 표시장치의 제조를 위한 추가적인 공정을 더 수행할 수도 있다.Although only the process of forming the common electrode in the manufacturing method of the touch screen integrated type display device has been described in this specification, the concept of the present invention is not limited thereto, and an additional process for manufacturing the touch screen integrated type display device after the common electrode formation process You can do more.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

200 : 기판 210 : 게이트 전극
211 : 패드 전극 220 : 게이트 절연막
230 : 액티브층 231 : 에치 스토퍼
232 : 소스 및 드레인 전극 233 : 데이터 전극
234 : 제1 보호층 240 : 제2 보호층
251 : 제1 픽셀 전극 252 : 제2 픽셀 전극
253 : 제3 픽셀 전극 261 : 제1 연결 배선
262 : 제2 연결 배선 263 : 제3 연결 배선
270 : 제3 보호층 281 : 제1 공통 전극
282 : 제2 공통 전극200: substrate 210: gate electrode
211: pad electrode 220: gate insulating film
230: active layer 231: etch stopper
232: source and drain electrodes 233: data electrode
234: first protective layer 240: second protective layer
251: first pixel electrode 252: second pixel electrode
253: third pixel electrode 261: first connection wiring
262: second connection wiring 263: third connection wiring
270: third protection layer 281: first common electrode
282: second common electrode

Claims (14)

기판 상에 형성되는 게이트 전극 및 패드 전극;
상기 게이트 전극 상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 및 상기 패드 전극 상에 형성되는 데이터 전극;
상기 소스 및 드레인 전극, 및 상기 데이터 전극 상에 형성되는 제1 보호층;
상기 제1 보호층 상에 형성되는 제2 보호층;
상기 제2 보호층 상에 형성되며, 상기 소스 전극과 대응되는 위치에 형성되는 제1 픽셀 전극, 상기 드레인 전극과 연결되는 제2 픽셀 전극 및 상기 데이터 전극과 연결되는 제3 픽셀 전극;
상기 제1 내지 제 3 픽셀 전극 상에 형성되는 제1 내지 제3 연결 배선;
상기 제1 내지 제3 연결 배선 및 상기 제2 보호층 상에 형성되는 제3 보호층; 및
상기 제3 보호층 상에 형성되며, 상기 제1 연결 배선과 연결되는 제1 공통 전극 및 상기 제3 연결 배선과 연결되는 제2 공통 전극을 포함하며,
상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 최상면보다 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
A gate electrode and a pad electrode formed on the substrate;
A source electrode and a drain electrode formed on the gate electrode, and a data electrode formed on the pad electrode;
A first protective layer formed on the source and drain electrodes and the data electrode;
A second passivation layer formed on the first passivation layer;
A first pixel electrode formed on the second passivation layer and formed at a position corresponding to the source electrode, a second pixel electrode connected to the drain electrode, and a third pixel electrode connected to the data electrode;
First to third connection wirings formed on the first to third pixel electrodes;
A third protective layer formed on the first through third connection wirings and the second protective layer; And
A first common electrode formed on the third passivation layer and connected to the first connection wiring; and a second common electrode connected to the third connection wiring,
Wherein the second common electrode is positioned above the uppermost surface of the second passivation layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 상부에만 위치하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the second common electrode is located only above the second passivation layer.
제 1 항에 있어서,
제3 픽셀 전극은 상기 데이터 전극을 노출시키는 상기 제2 보호층의 콘택홀을 통해 상기 데이터 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
The method according to claim 1,
And the third pixel electrode is connected to the data electrode through a contact hole of the second passivation layer exposing the data electrode.
제 3 항에 있어서,
상기 데이터 전극은 상기 패드 전극을 노출시키는 게이트 절연막의 콘택홀을 통해 상기 패드 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the data electrode is connected to the pad electrode through a contact hole of a gate insulating layer exposing the pad electrode.
제 4 항에 있어서,
상기 데이터 전극을 노출시키는 상기 제2 보호층의 콘택홀은 상기 패드 전극을 노출시키는 게이트 절연막의 콘택홀에 대응되는 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
5. The method of claim 4,
And the contact hole of the second passivation layer exposing the data electrode is formed on a region corresponding to the contact hole of the gate insulating layer exposing the pad electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 공통 전극 및 상기 제2 공통 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first common electrode and the second common electrode are formed on the same layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 픽셀 전극은 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first to third pixel electrodes are formed of the same material.
제 1 항에 있어서,
제1 공통 전극은 터치 센싱을 위한 터치 전극 및 디스플레이 구동을 위한 디스플레이 전극으로 활용되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first common electrode is used as a touch electrode for touch sensing and a display electrode for driving the display.
기판 상에 게이트 전극 및 패드 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극 상에 소스 및 드레인 전극 형성하고, 상기 패드 전극 상에 데이터 전극을 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인 전극, 및 상기 데이터 전극 상에 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계;
상기 제2 보호층 상에, 상기 소스 전극과 대응되는 위치에 제1 픽셀 전극을 형성하고, 상기 드레인 전극과 연결되는 제2 픽셀 전극을 형성하고, 상기 데이터 전극과 연결되는 제3 픽셀 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 내지 제 3 픽셀 전극 상에 제1 내지 제3 연결 배선을 형성하는 단계;
상기 제1 내지 제3 연결 배선 및 상기 제2 보호층 상에 제3 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 제3 보호층 상에, 상기 제1 연결 배선과 연결되는 제1 공통 전극 및 상기 제3 연결 배선과 연결되는 제2 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 최상면보다 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법.
Forming a gate electrode and a pad electrode on a substrate;
Forming a source electrode and a drain electrode on the gate electrode, and forming a data electrode on the pad electrode;
Forming a first protective layer on the source and drain electrodes and the data electrode;
Forming a second protective layer on the first protective layer;
A first pixel electrode is formed on the second protective layer at a position corresponding to the source electrode, a second pixel electrode is formed to be connected to the drain electrode, and a third pixel electrode is formed to be connected to the data electrode ;
Forming first to third connection wirings on the first to third pixel electrodes;
Forming a third protective layer on the first to third connection wirings and the second protective layer; And
Forming a first common electrode connected to the first connection wiring and a second common electrode connected to the third connection wiring on the third protection layer,
Wherein the second common electrode is positioned above the uppermost surface of the second passivation layer.
제 9 항에 있어서,
상기 제2 공통 전극은 상기 제2 보호층의 상부에만 위치하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the second common electrode is located only above the second passivation layer.
제 9 항에 있어서,
제3 픽셀 전극은 상기 데이터 전극을 노출시키는 상기 제2 보호층의 콘택홀을 통해 상기 데이터 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치의 제조방법.
10. The method of claim 9,
And the third pixel electrode is connected to the data electrode through a contact hole of the second passivation layer exposing the data electrode.
제 11 항에 있어서,
상기 데이터 전극은 상기 패드 전극을 노출시키는 게이트 절연막의 콘택홀을 통해 상기 패드 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the data electrode is connected to the pad electrode through a contact hole of a gate insulating layer exposing the pad electrode.
제 12 항에 있어서,
상기 데이터 전극을 노출시키는 상기 제2 보호층의 콘택홀은 상기 패드 전극을 노출시키는 게이트 절연막의 콘택홀에 대응되는 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.
13. The method of claim 12,
And the contact hole of the second passivation layer exposing the data electrode is formed on a region corresponding to the contact hole of the gate insulating layer exposing the pad electrode.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 공통 전극 및 상기 제2 공통 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치.10. The method of claim 9,
Wherein the first common electrode and the second common electrode are formed on the same layer.
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