KR20150066734A - Organic Light Emitting Display Apparatus and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

Organic Light Emitting Display Apparatus and Method for Manufacturing The Same Download PDF

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KR20150066734A KR1020130152127A KR20130152127A KR20150066734A KR 20150066734 A KR20150066734 A KR 20150066734A KR 1020130152127 A KR1020130152127 A KR 1020130152127A KR 20130152127 A KR20130152127 A KR 20130152127A KR 20150066734 A KR20150066734 A KR 20150066734A
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Abstract

Disclosed are an organic light emitting display apparatus which significantly reduces a non-coating part (pin hole) caused by low wettability of an organic film against an inorganic film when the organic film and the inorganic film are alternately arranged to form an encapsulation structure; and a manufacturing method thereof. The organic light emitting display apparatus comprises: a TFT substrate including a thin film transistor; an organic light emitting diode on the TFT substrate; and the encapsulation structure to protect the organic light emitting diode from moisture and oxygen, wherein the encapsulation structure comprises silane derivatives.

Description

유기발광 표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Display Apparatus and Method for Manufacturing The Same}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 봉지 구조의 형성을 위해 무기막과 유기막을 교번적으로 적층할 때 상기 무기막에 대한 상기 유기막의 낮은 젖음성(wetting)으로 인해 야기될 수 있는 미코팅 부분[즉, 핀홀(pinhole)]이 획기적으로 감소된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an OLED display and a method of manufacturing the same, (I.e., a pinhole) that can be caused by a light emitting diode (LED), and a method of manufacturing the same.

현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시장치는 액정 표시장치이다. 그러나, 액정 표시장치는 스스로 빛을 생성하지 못하는 수광 소자(non-emissive device)이기 때문에, 휘도(brightness), 대조비(contrast ratio), 및 시야각(viewing angle) 등의 측면에서 상대적으로 취약하다.Currently, the most widely used flat panel display is a liquid crystal display. However, since the liquid crystal display device is a non-emissive device that can not generate light by itself, it is relatively weak in terms of brightness, contrast ratio, and viewing angle.

이와 같은 액정 표시장치의 단점을 극복할 수 있는 평판 표시장치로서 유기발광 표시장치가 주목을 받고 있다. 유기발광 표시장치는 스스로 빛을 내는 발광 소자(emissive device)이기 때문에 수광 소자에 비해 상대적으로 우수한 휘도, 대조비, 및 시야각을 갖는다. 또한, 유기발광 표시장치는 별도의 백라이트를 요구하지 않기 때문에 액정 표시장치에 비하여 더욱 가볍고, 더욱 얇으며, 더 적은 양의 전력을 소비하도록 구현될 수 있다.An organic light emitting display device has attracted attention as a flat panel display capable of overcoming the disadvantages of such a liquid crystal display device. Since the organic light emitting display device is an emissive device that emits light by itself, the organic light emitting display device has relatively excellent luminance, contrast ratio, and viewing angle as compared with the light receiving device. Further, since the organic light emitting display does not require a separate backlight, it can be realized to be lighter, thinner, and consumes less power than the liquid crystal display.

유기발광 표시장치는 기본적으로 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 발광 유기층(light-emissive organic layer), 및 상기 발광 유기층 상의 제2 전극을 포함한다.The organic light emitting display includes a thin film transistor, a first electrode electrically connected to the thin film transistor, a light-emissive organic layer on the first electrode, and a second electrode on the light emitting organic layer.

상기 발광 유기층은 수분과 산소에 취약하기 때문에, 이들이 발광 유기층으로 침투함으로써 발광 불량이 야기되는 것을 방지하기 위해서는 상기 발광 유기층을 외부의 수분이나 산소로부터 보호할 수 있는 구조(이하, '봉지 구조'라 칭함)가 제공되어야 한다.Since the light emitting organic layer is vulnerable to moisture and oxygen, a structure (hereinafter referred to as a " bag structure ") that can protect the light emitting organic layer from external moisture or oxygen Shall be provided.

도1 내지 도3은 상이한 봉지 구조들(이하, "제1 내지 제3 타입의 봉지 구조들"로 지칭함)을 갖는 유기발광 표시장치들의 단면들을 각각 개략적으로 보여준다.Figs. 1 to 3 schematically show cross sections of organic light emitting display devices having different encapsulation structures (hereinafter referred to as "encapsulation structures of first to third types"), respectively.

도1 내지 도3에 예시된 바와 같이, 이들 유기발광 표시장치들은, 박막 트랜지스터(미도시)를 포함하는 TFT 기판(10) 및 상기 TFT 기판(10) 상의 유기발광소자(20)를 포함한다는 점에서 서로 동일하다. 상기 유기발광소자(20)는, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된, 상기 TFT 기판(10) 상의 제1 전극(21); 상기 제1 전극(21)이 형성된 TFT 기판(10) 상에 형성되되, 발광 영역에 대응하는 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크층(22); 상기 뱅크층(22)의 뱅크홀을 통해 노출된 상기 제1 전극(21) 부분 상의 발광 유기층(23); 및 상기 발광 유기층(23) 상의 제2 전극(24)을 포함한다는 점에서 서로 동일하다.As illustrated in FIGS. 1 to 3, these organic light emitting display devices include a TFT substrate 10 including a thin film transistor (not shown) and an organic light emitting element 20 on the TFT substrate 10 . The organic light emitting diode (20) includes a first electrode (21) on the TFT substrate (10) electrically connected to the thin film transistor; A bank layer (22) formed on the TFT substrate (10) on which the first electrode (21) is formed, the bank layer (22) having a bank hole for exposing at least a part of the first electrode corresponding to the light emitting region; A light emitting organic layer 23 on the first electrode 21 exposed through the bank hole of the bank layer 22; And a second electrode (24) on the light emitting organic layer (23).

다만, 도1에 예시된 바와 같이, 제1 타입의 봉지 구조는 상기 유기발광소자(20)와 소정 거리 이격되어 있는 봉지 글라스(31), 및 상기 유기발광 표시장치의 가장자리에서 상기 TFT 기판(10)과 상기 봉지 글라스(31) 사이에 위치하는 프릿층(frit layer)(32)을 갖는다. 1, the encapsulation structure of the first type includes a sealing glass 31 spaced apart from the organic light emitting diode 20 by a predetermined distance, And a frit layer 32 positioned between the sealing glass 31 and the sealing glass 31.

제1 타입의 봉지 구조에 의하면, 유기발광 표시장치의 전면(face)을 통해 상기 발광 유기층(23)으로 산소/수분이 침투하는 것을 방지하는 것은 상기 봉지 글라스(31)에 의해 주로 수행되고, 유기발광 표시장치의 측면(side)을 통해 산소/수분이 상기 발광 유기층(23)으로 침투하는 것을 방지하는 것은 상기 프릿층(32)에 의해 주로 수행된다.According to the first type of encapsulation structure, it is possible to prevent oxygen / moisture from permeating into the light emitting organic layer 23 through the face of the organic light emitting diode display device, mainly by the sealing glass 31, It is mainly performed by the frit layer 32 to prevent oxygen / moisture from penetrating into the light emitting organic layer 23 through the side of the light emitting display device.

그러나, 상기 제1 타입의 봉지 구조를 갖는 유기발광 표시장치는 외부 충격에 취약하고, 플렉서블 표시장치의 구현이 불가능하다는 단점이 있다.However, the OLED display device having the first type of encapsulation structure is vulnerable to an external impact, and it is disadvantageous in that it is impossible to implement a flexible display device.

이와 같은 제1 타입의 봉지 구조의 단점을 극복하기 위하여 제2 및 제3 타입의 봉지 구조들이 제안되었다.In order to overcome the drawbacks of the first type of encapsulation structure, second and third types of encapsulation structures have been proposed.

제2 타입의 봉지 구조에 의하면, 도 2에 예시된 바와 같이, 상기 유기발광소자(20)가 형성된 TFT 기판(10) 상에 상기 유기발광소자(20)를 전체적으로 덮도록 보호층(40)이 형성되고, 이어서, 상기 보호층(40)이 형성된 TFT 기판(10) 상에 봉지 플레이트(60)가 접착층(adhesive layer)(50)을 통해 부착된다. 2, a protective layer 40 is formed on the TFT substrate 10 on which the organic light emitting device 20 is formed to cover the organic light emitting device 20 as a whole And then the sealing plate 60 is attached to the TFT substrate 10 on which the protective layer 40 is formed through the adhesive layer 50.

상기 보호층(40)은 상기 유기발광소자(20)를 전체적으로 덮는 제1 무기 보호막(41); 상기 제1 무기 보호막(41) 상의 유기 보호막(42); 및 상기 유기 보호막(42) 상의 제2 무기 보호막(43)을 포함한다.The protective layer 40 includes a first inorganic protective layer 41 covering the organic light emitting diode 20 as a whole. An organic protective film 42 on the first inorganic protective film 41; And a second inorganic protective film 43 on the organic protective film 42.

상기 제2 타입의 봉지 구조에 의하면, 유기발광 표시장치의 전면을 통해 산소/수분이 상기 발광 유기층(23)으로 침투하는 것을 방지하는 것은 상기 봉지 플레이트(60), 접착층(50) 및 보호층(40)에 의해 주로 수행되고, 유기발광 표시장치의 측면을 통해 산소/수분이 상기 발광 유기층(23)으로 침투하는 것을 방지하는 것은 상기 접착층(50) 및 보호층(40)에 의해 주로 수행된다. According to the encapsulation structure of the second type, it is possible to prevent penetration of oxygen / moisture into the light emitting organic layer 23 through the front surface of the organic light emitting diode display device by using the encapsulation plate 60, the adhesive layer 50, 40, and it is mainly performed by the adhesive layer 50 and the protective layer 40 to prevent penetration of oxygen / moisture into the light-emitting organic layer 23 through the side surface of the organic light emitting display device.

한편, 제3 타입의 봉지 구조에 의하면, 도 3에 예시된 바와 같이, 상기 유기발광소자(20)가 형성된 TFT 기판(10) 상에 상기 유기발광소자(20)를 전체적으로 덮도록 다수의 무기 박막들(71, 72, 73, 74, 75, 76) 및 다수의 유기 박막들(81, 82, 83, 84, 85)이 교번적으로 형성된다.3, on the TFT substrate 10 on which the organic light emitting device 20 is formed, a plurality of inorganic thin films 22 are formed so as to cover the organic light emitting device 20 as a whole, A plurality of organic thin films 81, 82, 83, 84 and 85 are alternately formed.

상기 제3 타입의 봉지 구조에 의하면, 유기발광 표시장치의 전면을 통해 산소/수분이 상기 발광 유기층(23)으로 침투하는 것을 방지하는 것은 상기 무기 박막들(71, 72, 73, 74, 75, 76) 및 유기 박막들(81, 82, 83, 84, 85)에 의해 주로 수행된다. 반면, 유기발광 표시장치의 측면을 통해 산소/수분이 상기 발광 유기층(23)으로 침투하는 것을 방지하는 것은 상기 무기 박막(71)에 의해 주로 수행된다.According to the encapsulation structure of the third type, it is possible to prevent penetration of oxygen / moisture into the light emitting organic layer 23 through the front surface of the organic light emitting display device, since the inorganic thin films 71, 72, 73, 74, 75, 76 and organic thin films 81, 82, 83, 84, On the other hand, it is mainly performed by the inorganic thin film 71 to prevent penetration of oxygen / moisture into the light emitting organic layer 23 through the side surface of the organic light emitting display device.

전술한 바와 같이, 제2 및 제3 타입의 봉지 구조들 모두 무기막 상에 유기막을 형성하거나 유기막 상에 무기막을 형성하는 공정을 요구한다. 즉, 상기 제2 타입의 봉지 구조는 보호층(40) 형성을 위해 제1 무기 보호막(41), 유기 보호막(42), 및 제2 무기 보호막(43)을 순차적으로 적층할 것을 요구하고, 상기 제3 타입의 봉지 구조는 다수의 무기 박막들(71, 72, 73, 74, 75, 76) 및 다수의 유기 박막들(81, 82, 83, 84, 85)을 교번적으로 적층할 것을 요구한다.As described above, both the second and third types of sealing structures require a process of forming an organic film on an inorganic film or forming an inorganic film on an organic film. That is, the second type of encapsulation structure requires that a first inorganic protective film 41, an organic protective film 42, and a second inorganic protective film 43 be sequentially stacked to form the protective layer 40, The third type of encapsulation structure requires a plurality of inorganic thin films 71, 72, 73, 74, 75, 76 and a plurality of organic thin films 81, 82, 83, 84, 85 to be alternately stacked do.

그러나, 무기막에 대한 상기 유기막의 낮은 젖음성으로 인해 미코팅 부분(즉, 핀홀)이 빈번히 야기되는 문제가 있다. 유기막과 무기막의 계면을 따라 침투한 산소 및/또는 수분이 상기 핀홀을 통해 용이하게 발광 유기층(23)으로 침투할 수 있기 때문에, 봉지 구조 내에 존재하는 핀홀은 유기발광소자(20)의 발광 불량을 초래할 가능성이 크다. 결과적으로, 이러한 핀홀은 생산성 저하, 제품의 신뢰성 저하, 및 브랜드 이미지 손상의 원인이 된다.However, there is a problem that uncoated portions (i.e., pinholes) are frequently caused due to the low wettability of the organic film to the inorganic film. Since the oxygen and / or moisture penetrating along the interface between the organic film and the inorganic film can easily penetrate into the light emitting organic layer 23 through the pinhole, the pinholes existing in the sealing structure can cause the light emitting failure of the organic light emitting element 20 . As a result, such a pinhole causes a decrease in productivity, a decrease in reliability of the product, and a damage to the brand image.

따라서, 본 발명은 위와 같은 관련 기술의 제한 및 단점들에 기인한 문제점들을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.Accordingly, the present invention is directed to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same, which can prevent problems due to limitations and disadvantages of the related art.

본 발명의 일 관점은, 봉지 구조의 형성을 위해 무기막과 유기막을 교번적으로 적층할 때 상기 무기막에 대한 상기 유기막의 낮은 젖음성으로 인해 야기될 수 있는 미코팅 부분이 획기적으로 감소된 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.One aspect of the present invention is to provide an organic electroluminescent device, which is characterized in that when an inorganic film and an organic film are alternately laminated for forming an encapsulation structure, an uncoated portion, which can be caused by low wettability of the organic film with respect to the inorganic film, And a display device.

본 발명의 다른 관점은, 봉지 구조의 형성을 위해 무기막과 유기막을 교번적으로 적층할 때 상기 무기막에 대한 상기 유기막의 낮은 젖음성으로 인해 야기될 수 있는 미코팅 부분을 획기적으로 감소시킬 수 있는 유기발광 표시장치 제조방법을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of drastically reducing an uncoated portion which can be caused by low wettability of the organic film with respect to the inorganic film when the inorganic film and the organic film are alternately stacked And a method of manufacturing an organic light emitting display device.

위에서 언급된 본 발명의 관점 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 설명되거나, 그러한 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be learned by those skilled in the art from the description.

위와 같은 본 발명의 일 관점에 따라, 박막 트랜지스터를 포함하는 TFT 기판; 상기 TFT 기판 상의 유기발광소자; 및 상기 유기발광소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조를 포함하되, 상기 봉지 구조는 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a TFT substrate including a thin film transistor; An organic light emitting element on the TFT substrate; And an encapsulation structure for protecting the organic light emitting device from moisture and oxygen, wherein the encapsulation structure includes a silane derivative.

본 발명의 다른 관점에 따라, 박막 트랜지스터를 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 유기발광소자를 형성하는 단계; 및 상기 유기발광소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 봉지 구조는 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: preparing a substrate including a thin film transistor; Forming an organic light emitting device on the substrate; And forming an encapsulation structure for protecting the organic light emitting device from moisture and oxygen, wherein the encapsulation structure includes a silane derivative.

상기 봉지 구조는, 상기 유기발광소자가 덮이도록 상기 TFT 기판 및 상기 유기발광소자 상에 형성된 보호층; 상기 보호층이 덮이도록 상기 TFT 기판 및 상기 보호층 상에 형성된 접착층; 및 상기 접착층 상의 봉지 플레이트를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 보호층이 상기 실란 유도체를 포함한다.The sealing structure may include: a protective layer formed on the TFT substrate and the organic light emitting element so that the organic light emitting element is covered; An adhesive layer formed on the TFT substrate and the protective layer so that the protective layer is covered; And an encapsulating plate on the adhesive layer. In this case, the protective layer includes the silane derivative.

상기 보호층은, 상기 유기발광소자가 덮이도록 상기 TFT 기판 및 상기 유기발광소자 상에 형성된 제1 무기 보호막; 상기 제1 무기 보호막 상의 제1 젖음성 강화막(wetting-enhancing film); 및 상기 제1 젖음성 강화막 상의 유기 보호막을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 젖음성 강화막이 상기 실란 유도체를 포함한다.Wherein the protective layer comprises: a first inorganic protective film formed on the TFT substrate and the organic light emitting element to cover the organic light emitting element; A first wetting-enhancing film on the first inorganic protective film; And an organic protective film on the first wettability enhanced film. In this case, the first wettability enhancing film includes the silane derivative.

상기 제1 무기 보호막은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 유기 보호막은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The first inorganic protective film may include at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlON, AlN, TiO 2 , ZrO, ZnO, and Ta 2 O 5 , An acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin.

상기 보호층은, 상기 유기 보호막 상의 제2 젖음성 강화막; 및 상기 제2 젖음성 강화막 상의 제2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 젖음성 강화막도 상기 실란 유도체를 포함한다.Wherein the protective layer comprises: a second wettability enhanced film on the organic protective film; And a second inorganic protective film on the second wettability enhanced film. In this case, the second wettability-enhanced film also includes the silane derivative.

상기 봉지 구조는, 다수의 무기 박막들; 다수의 젖음성 강화막들; 및 다수의 유기 박막들을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 무기 박막들, 젖음성 강화막들, 및 유기 박막들은 교번적으로 적층되어 있으며, 상기 젖음성 강화막들은 상기 실란 유도체를 포함한다.The sealing structure may include a plurality of inorganic thin films; A plurality of wettability enhancing membranes; And a plurality of organic thin films. In this case, the inorganic thin films, the wettability enhancing films, and the organic thin films are alternately stacked, and the wettability enhancing films include the silane derivatives.

상기 무기 박막들 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 유기 박막들 각각은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.Each of the inorganic thin film may comprise Al 2 O 3, SiO 2, Si 3 N 4, SiON, AlON, AlN, TiO 2, ZrO, ZnO, and at least one of Ta 2 O 5, in the organic thin film Each may include at least one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin.

상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane)일 수 있다.The silane derivative may be a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane.

상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란일 수 있다.The silane derivative having a chlorine substituent may be chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane.

위와 같은 본 발명에 대한 일반적 서술은 본 발명을 예시하거나 설명하기 위한 것일 뿐으로서, 본 발명의 권리범위를 제한하지 않는다.The foregoing general description of the present invention is intended to be illustrative of or explaining the present invention, but does not limit the scope of the present invention.

위와 같은 본 발명에 의하면, 봉지 구조의 형성을 위해 무기막과 유기막을 교번적으로 적층할 때 상기 무기막에 대한 상기 유기막의 낮은 젖음성으로 인해 야기될 수 있는 미코팅 부분이 방지되거나 획기적으로 감소될 수 있다.According to the present invention, when an inorganic film and an organic film are alternately stacked to form an encapsulation structure, an uncoated portion which can be caused by the low wettability of the organic film to the inorganic film is prevented or drastically reduced .

따라서, 유기발광 표시장치의 생산성이 향상될 수 있을 뿐만 아니라, 봉지 구조 내 핀홀 발생으로 인해 제품의 신뢰성이 저하되고 브랜드 이미지가 손상되는 것이 방지될 수 있다.Therefore, not only the productivity of the organic light emitting display device can be improved, but also the reliability of the product is lowered and the brand image is prevented from being damaged due to the occurrence of pinholes in the sealing structure.

첨부된 도면은 본 발명의 이해를 돕고 본 명세서의 일부를 구성하기 위한 것으로서, 본 발명의 실시예들을 예시하며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명한다.
도 1은 제1 타입의 봉지 구조를 갖는 유기발광 표시장치의 단면을 개략적으로 보여주고,
도 2는 제2 타입의 봉지 구조를 갖는 유기발광 표시장치의 단면을 개략적으로 보여주고,
도 3은 제3 타입의 봉지 구조를 갖는 유기발광 표시장치의 단면을 개략적으로 보여주고,
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면을 개략적으로 보여주고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT 기판의 단면을 개략적으로 보여주고,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 TFT 기판의 단면을 개략적으로 보여주고,
도 7 내지 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이고,
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면을 개략적으로 보여주며,
도 14 내지 도 18은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.
1 schematically shows a cross-section of an OLED display device having a first type of encapsulation structure,
2 schematically shows a cross-section of an OLED display device having a second type of encapsulation structure,
3 schematically shows a cross section of an OLED display device having a sealing structure of a third type,
4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a first embodiment of the present invention,
5 is a schematic cross-sectional view of a TFT substrate according to an embodiment of the present invention,
6 is a schematic cross-sectional view of a TFT substrate according to another embodiment of the present invention,
7 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention,
13 schematically shows a cross-section of an OLED display according to a second embodiment of the present invention,
14 to 18 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법의 실시예들을 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of an OLED display and a method of manufacturing the OLED display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물의 "상에(on)" 형성된다고(또는 위치한다고) 기재된 경우 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 다만, "바로 위에(directly on)"라는 용어가 사용될 경우에는, 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 것으로 제한되어 해석되어야 한다.In describing an embodiment of the present invention, when a structure is described as being "on" (or placed on) another structure, such a substrate is not limited to the case where these structures are in contact with each other, It should be construed to include the case where the third structure is interposed. However, if the term "directly on" is used, these structures should be construed as limited to being in contact with each other.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면을 개략적으로 보여준다. 4 schematically shows a cross-section of an OLED display according to a first embodiment of the present invention.

본 발명의 유기발광 표시장치는 박막 트랜지스터를 포함하는 TFT 기판(100), 상기 TFT 기판(100) 상의 유기발광소자(200), 및 상기 유기발광소자(200)를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조(300)를 포함한다.The organic light emitting display of the present invention includes a TFT substrate 100 including a thin film transistor, an organic light emitting device 200 on the TFT substrate 100, and a bag for protecting the organic light emitting device 200 from moisture and oxygen Structure (300).

도 4에 예시된 바와 같이, 상기 유기발광 표시장치는 상기 봉지 구조(300) 상의 원형 편광판(400) 및 상기 원형 편광판(400) 상의 전방 모듈(500)을 더 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 4, the OLED display may further include a circular polarizer 400 on the encapsulation structure 300 and a front module 500 on the circular polarizer 400.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT 기판(100)의 단면을 개략적으로 보여준다. 5 schematically shows a cross section of a TFT substrate 100 according to an embodiment of the present invention.

도 5에 예시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT 기판(100)은, 폴리이미드 필름(110), 상기 폴리이미드 필름(110)의 일면 상의 버퍼층(120), 상기 버퍼층(120) 상에 각각 위치하는 박막 트랜지스터(130) 및 커패시터(140), 및 상기 폴리이미드 필름(110)의 다른 면 상에 접착층(180)을 통해 부착된 후방 플레이트(190)를 포함한다.5, a TFT substrate 100 according to an embodiment of the present invention includes a polyimide film 110, a buffer layer 120 on one surface of the polyimide film 110, a buffer layer 120, And a rear plate 190 attached through an adhesive layer 180 on the other side of the polyimide film 110. The thin film transistor 130 and the capacitor 140 are disposed on the rear surface of the polyimide film 110,

상기 박막 트랜지스터(130)는 반도체층(131), 게이트 전극(132), 및 소스/드레인 전극(133, 134)을 포함하고, 상기 커패시터(140)는 커패시터 하부전극(141) 및 커패시터 상부전극(142)를 포함한다. The thin film transistor 130 includes a semiconductor layer 131, a gate electrode 132 and source / drain electrodes 133 and 134. The capacitor 140 includes a capacitor lower electrode 141 and a capacitor upper electrode 142).

상기 반도체층(131)과 게이트 전극(132) 사이 및 상기 커패시터 하부전극(141)과 커패시터 상부전극(142) 사이에 게이트 절연막(150)이 개재되어 있다. 상기 커패시터 상부전극(142) 상에 그리고 상기 게이트 전극(132)과 소스/드레인 전극(133) 사이에 층간 절연막(160)이 위치한다. A gate insulating layer 150 is interposed between the semiconductor layer 131 and the gate electrode 132 and between the capacitor lower electrode 141 and the capacitor upper electrode 142. An interlayer insulating film 160 is disposed on the capacitor upper electrode 142 and between the gate electrode 132 and the source / drain electrode 133.

상기 박막 트랜지스터(130) 및 커패시터(140)를 보호하고 상기 박막 트랜지스터(130)로 인한 단차를 평탄화하기 위하여, 상기 층간 절연막(160) 및 소스/드레인 전극(133, 134) 상에 오버코트층(170)이 위치한다.An overcoat layer 170 is formed on the interlayer insulating layer 160 and the source / drain electrodes 133 and 134 in order to protect the TFT 130 and the capacitor 140 and planarize a step due to the TFT 130. [ ).

상기 오버코트층(170)에 형성된 홀을 통해 상기 유기발광소자(200)의 제1 전극(210)이 상기 박막 트랜지스터(130)의 드레인 전극(134)에 전기적으로 연결된다.The first electrode 210 of the organic light emitting diode 200 is electrically connected to the drain electrode 134 of the thin film transistor 130 through holes formed in the overcoat layer 170.

도 5에 예시된 TFT 기판(100)은 플렉서블 표시장치 구현을 위한 구조를 가지며 게이트 전극(132)이 반도체층(131) 위에 위치하는 탑-게이트(Top-Gate)형 박막 트랜지스터를 포함하고 있으나, 본 발명이 이와 같은 구조로 제한되는 것은 아니며, 게이트 전극이 반도체층 아래에 위치하는 바텀-게이트(Bottom-Gate)형 박막 트랜지스터를 포함하거나 비-플렉서블(non-flexible) 구조를 가질 수도 있다.The TFT substrate 100 illustrated in FIG. 5 includes a top-gate type thin film transistor having a structure for implementing a flexible display device and a gate electrode 132 disposed on the semiconductor layer 131, The present invention is not limited to such a structure, and may include a bottom-gate type thin film transistor in which a gate electrode is positioned below a semiconductor layer, or may have a non-flexible structure.

예를 들어, 도 6에 예시된 바와 같이, TFT 기판(100')은 유리 또는 플라스틱 재질로 형성된 기판(111), 상기 기판(111) 상의 게이트 전극(113a), 상기 기판(111) 및 상기 게이트 전극(113a) 상의 게이트 절연막(112), 상기 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(113a)과 중첩되게 형성된 반도체층(113b), 상기 게이트 절연막(112) 및 반도체층(113b) 상에 서로 이격되게 형성된 소스/드레인 전극(113c, 113d), 박막 트랜지스터(113)가 형성된 기판(111) 상에 순차적으로 형성된 무기 절연막(114) 및 유기 절연막(115)을 포함한다. 상기 무기 절연막(114) 및 유기 절연막(115)에 형성되어 있는 홀을 통해 상기 유기발광소자(200)의 제1 전극(210)이 상기 박막 트랜지스터(113)의 드레인 전극(113d)에 전기적으로 연결된다.6, the TFT substrate 100 'includes a substrate 111 formed of a glass or plastic material, a gate electrode 113a on the substrate 111, a substrate 111, A gate insulating film 112 on the electrode 113a, a semiconductor layer 113b formed over the gate electrode 113a with the gate insulating film 112 interposed therebetween, a gate insulating film 112 on the gate insulating film 112, An inorganic insulating film 114 and an organic insulating film 115 sequentially formed on the substrate 111 on which the source / drain electrodes 113c and 113d and the thin film transistor 113 are formed. The first electrode 210 of the organic light emitting diode 200 is electrically connected to the drain electrode 113d of the thin film transistor 113 through holes formed in the inorganic insulating film 114 and the organic insulating film 115. [ do.

이하에서는, 도 4를 참조하여 상기 TFT 기판(100) 상의 유기발광소자(200)를 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode 200 on the TFT substrate 100 will be described in more detail with reference to FIG.

본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광소자(200)는 상기 TFT 기판(100) 상의 제1 전극(210), 상기 제1 전극(210)이 형성된 TFT 기판(100) 상에 형성되되 발광 영역에 대응하는 상기 제1 전극(210)의 적어도 일부를 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크층(220), 상기 뱅크층(220)의 뱅크홀을 통해 노출된 상기 제1 전극(210) 부분 상의 발광 유기층(230), 상기 발광 유기층(230) 상의 제2 전극(240), 및 상기 제2 전극(240) 상의 캐핑층(250)을 포함한다.The organic light emitting diode 200 according to an embodiment of the present invention is formed on the TFT substrate 100 on which the first electrode 210 and the first electrode 210 are formed, A bank layer 220 having a bank hole for exposing at least a part of the corresponding first electrode 210, a light emitting organic layer (not shown) on a portion of the first electrode 210 exposed through the bank hole of the bank layer 220 230, a second electrode 240 on the light emitting organic layer 230, and a capping layer 250 on the second electrode 240.

상기 제1 전극(210)은 상기 TFT 기판(100)의 박막 트랜지스터(130)[더욱 구체적으로는, 드레인 전극(134)]에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 제1 전극(210)은 애노드 전극으로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ICO(Indium Cerium Oxide), 또는 ZnO와 같은 높은 일함수를 갖고 투명한 전도성 물질로 형성될 수 있다. The first electrode 210 is electrically connected to the thin film transistor 130 (more specifically, the drain electrode 134) of the TFT substrate 100. The first electrode 210 may have a high work function such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Tin Oxide), ITZO (Indium Tin Zinc Oxide), ICO May be formed of a conductive material.

상기 뱅크층(220)의 뱅크홀은 상기 제1 전극(210)의 적어도 일부를 노출시킴으로써 발광 영역을 정의한다. The bank hole of the bank layer 220 defines at least a part of the first electrode 210 to define a light emitting region.

상기 뱅크층(220)의 뱅크홀을 통해 노출된 상기 제1 전극(210) 및 상기 뱅크층(220)의 일부 상에 위치한 상기 발광 유기층(230)은, 발광층, 상기 제1 전극(210)과 발광층 사이의 정공주입층 및/또는 정공수송층, 상기 제2 전극(240) 및 상기 발광층 사이의 전자주입층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있다.The first electrode 210 exposed through the bank hole of the bank layer 220 and the light emitting organic layer 230 located on a part of the bank layer 220 are formed on the light emitting layer, A hole injecting layer and / or a hole transporting layer between the light emitting layers, an electron injecting layer between the second electrode 240 and the light emitting layer, and / or an electron transporting layer.

선택적으로, 상기 발광 유기층(230)은 복수의 유기발광 유닛들이 중간 연결부(intermediate connector)(들)을 사이에 두고 적층됨으로써 형성될 수도 있다.Alternatively, the light emitting organic layer 230 may be formed by stacking a plurality of organic light emitting units with an intermediate connector (s) interposed therebetween.

상기 발광 유기층(230) 상에 위치한 제2 전극(240)은 캐소드 전극으로서 일함수가 낮은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag), 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The second electrode 240 located on the light emitting organic layer 230 may be formed of a low work function aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), silver (Ag) .

본 발명의 유기발광 표시장치는 상기 발광 유기층(230)으로부터 방출되는 빛이 상기 TFT 기판(100)을 통과하는 후면 발광 타입 또는 상기 발광 유기층(230)으로부터 방출되는 빛이 상기 전방 모듈(700)을 통과하는 전면 발광 타입일 수 있다.The organic light emitting display of the present invention is characterized in that a rear emission type in which light emitted from the light emitting organic layer 230 passes through the TFT substrate 100 or light emitted from the light emitting organic layer 230 is emitted to the front module 700 It can be a full luminescent type passing through.

후면 발광 타입의 경우, 상기 제2 전극(240)은 빛을 반사할 수 있을 정도의 충분한 두께를 갖는다. In the case of the backlight type, the second electrode 240 has a sufficient thickness to reflect light.

반면, 전면 발광 타입의 경우, 상기 제2 전극(240)은 빛이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께(예를 들어, 1 내지 50 Å)를 가지며, 상기 제1 전극(210) 아래에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni)로 형성된 반사층(미도시)이 배치될 수 있다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 전극(240) 상에 캐핑층(250)이 형성될 수 있다. 상기 캐핑층(250)은 발광 유기층(230)으로부터 방출되는 빛이 상기 제2 전극(240) 상부에서 전반사되는 것을 방지하기 위한 것으로서 도전성 무기물질과 유기물질의 혼합물로 형성될 수 있다. 상기 도전성 무기물질로는 금속, 예를 들어 전이금속, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들 중 2 이상의 합금이 사용될 수 있다. 상기 유기물질로는 정공 이동도가 우수한 유기물질 또는 전자 이동도가 우수한 유기물질이 사용될 수 있다. 상기 도전성 무기물질은 캐핑층(250)에서 표면 플라즈몬 공명을 발생시킴으로써 빛의 산란 및 흡수를 증가시키고, 상기 제2 전극(240) 상부에서의 전반사를 방지하며, 결과적으로 유기발광 표시장치의 광 추출 효과를 향상시킨다.On the other hand, in the case of the front emission type, the second electrode 240 has a thickness (for example, 1 to 50 ANGSTROM) so that light can be transmitted therethrough, ), Silver (Ag), or nickel (Ni) may be disposed on a reflective layer (not shown). Also, as shown in FIG. 4, the capping layer 250 may be formed on the second electrode 240. The capping layer 250 prevents the light emitted from the light emitting organic layer 230 from being totally reflected on the second electrode 240, and may be formed of a mixture of a conductive inorganic material and an organic material. As the conductive inorganic material, a metal such as a transition metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, and an alloy of two or more of them may be used. As the organic material, an organic material having excellent hole mobility or an organic material having excellent electron mobility may be used. The conductive inorganic material increases surface scattering and absorption of light by generating surface plasmon resonance in the capping layer 250 and prevents total reflection on the second electrode 240. As a result, Thereby improving the effect.

본 발명의 봉지 구조(300)는 실란 유도체를 포함한다. The encapsulation structure 300 of the present invention comprises a silane derivative.

상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane)일 수 있다. The silane derivative may be a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란이다.According to one embodiment of the present invention, the silane derivative having a chlorine substituent is selected from the group consisting of chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) Or hexachlorodisilane.

이하에서는, 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 봉지 구조(300)를 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the bag structure 300 according to the first embodiment of the present invention will be described more specifically with reference to FIG.

도 4에 예시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 봉지 구조(300)는 상기 유기발광소자(200)가 덮이도록 상기 TFT 기판(100) 및 상기 유기발광소자(200) 상에 형성된 보호층(310), 상기 보호층(310)이 덮이도록 상기 TFT 기판(100) 및 상기 보호층(300) 상에 형성된 접착층(320), 및 상기 접착층(320) 상의 봉지 플레이트(330)를 포함할 수 있다. 상기 실란 유도체는 상기 보호층(310)에 포함된다.4, the encapsulation structure 300 according to the first embodiment of the present invention is formed on the TFT substrate 100 and the organic light emitting device 200 such that the organic light emitting device 200 is covered, A protective layer 310 and an adhesive layer 320 formed on the TFT substrate 100 and the protective layer 300 so as to cover the protective layer 310 and an encapsulating plate 330 on the adhesive layer 320 can do. The silane derivative is included in the protective layer 310.

상기 보호층(310)은, 상기 유기발광소자(200)가 덮이도록 상기 TFT 기판(100) 및 상기 유기발광소자(200) 상에 형성된 제1 무기 보호막(311), 상기 제1 무기 보호막(311) 상의 제1 젖음성 강화막(wetting-enhancing film)(312), 및 상기 제1 젖음성 강화막(312) 상의 유기 보호막(313)을 포함한다. 상기 실란 유도체는 상기 제1 젖음성 강화막(312)에 포함된다.The protective layer 310 includes a first inorganic protective layer 311 formed on the TFT substrate 100 and the organic light emitting element 200 so that the organic light emitting element 200 is covered, A first wetting-enhancing film 312 on the first wettability enhancing film 312, and an organic protective film 313 on the first wettability enhancing film 312. The silane derivative is included in the first wettability enhancing layer 312.

상기 제1 무기 보호막(311)과 유기 보호막(313) 사이에 0.01 내지 1㎛ 두께의 제1 젖음성 강화막(312)을 개재시킴으로써, 무기막에 대한 상기 유기막의 낮은 젖음성으로 인해 상기 제1 무기 보호막(311) 상에 상기 유기 보호막(313)이 코팅되지 않는 부분이 발생하는 것을[즉, 상기 유기 보호막(313)에 핀홀이 발생하는 것을] 방지하거나 획기적으로 줄일 수 있다.A first wettability enhancing layer 312 having a thickness of 0.01 to 1 탆 is interposed between the first inorganic protective layer 311 and the organic protective layer 313 to reduce the wettability of the organic layer with respect to the inorganic layer, It is possible to prevent or significantly reduce the occurrence of a portion of the organic protective film 313 on which the organic protective film 313 is not coated (that is, pinholes in the organic protective film 313).

상기 보호층(310)은, 수분 및 산소 차단 효과를 강화시키기 위하여, 상기 유기 보호막(313) 상의 제2 젖음성 강화막(314) 및 상기 제2 젖음성 강화막(314) 상의 제2 무기 보호막(315)을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 젖음성 강화막(314)도 실란 유도체를 포함한다.The protective layer 310 may be formed on the second wettability enhancing layer 314 on the organic protective layer 313 and the second inorganic protective layer 315 on the second wettability enhancing layer 314, ). ≪ / RTI > The second wettability enhanced layer 314 also includes a silane derivative.

상기 제1 및 제2 무기 보호막들(311, 315) 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5와 같이 우수한 수분/산소 차단 특성을 갖는 무기물을 하나 이상 포함할 수 있다.The first and the second inorganic protective film in (311, 315) each of Al 2 O 3, SiO 2, Si 3 N 4, SiON, AlON, AlN, TiO 2, ZrO, ZnO, and Ta 2 O 5 and excellent as And one or more inorganic substances having water / oxygen barrier properties.

상기 유기 보호막(313)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지와 같이 수분/산소 차단에 적합한 유기물을 하나 이상 포함할 수 있다. 상기 유기 보호막(313)은 유기발광 표시장치가 휘어질 때 발생하는 각 층들 간의 응력을 완화시키는 기능을 수행하기도 한다.The organic protective layer 313 may include one or more organic materials suitable for moisture / oxygen blocking such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, and polyethylene resin. The organic passivation layer 313 also functions to relax the stress between the layers generated when the organic light emitting display is bent.

상기 제1 및 제2 젖음성 강화막들(312, 314)에 포함되어 있는 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔일 수 있으며, 상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것이 바람직하다.The silane derivative contained in the first and second wettability enhancing films 312 and 314 may be a silane derivative having a chlorine substituent or a hexamethyldisilazane. The silane derivative having a chlorine substituent may be chlorotrimethylsilane, trichloro (Hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane.

상기 접착층(320)은 10g/m2/day 이하의 수분투습도(water vapor transmissibility), 95% 이상의 가시광 투과도(visible light transmissibility), 및 0.3MPa 이하의 탄성률(modulus) 요건들을 동시에 만족시키는 점탄성체, 예를 들어 아크릴 수지, 올레핀 수지, 합성 고무, 또는 이들 중 2 이상의 혼합물로 형성될 수 있다.The adhesive layer 320 is a viscoelastic material that simultaneously satisfies water vapor transmissibility of 10 g / m 2 / day or less, visible light transmissibility of 95% or more, and modulus requirements of 0.3 MPa or less, For example, an acrylic resin, an olefin resin, a synthetic rubber, or a mixture of two or more thereof.

상기 접착층(320)을 사이에 두고 상기 보호층(300)이 형성된 TFT 기판(100)에 부착되는 봉지 플레이트(330)는 별도로 제작될 수 있으며, 광등방성 필름 상에 제1 유기막, 무기막, 및 제2 유기막을 순차적으로 적층함으로써 형성될 수 있다. 상기 제2 유기막이 상기 접착층(320)과 직접 접촉한다. 상기 무기막은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함하는 소재로 형성될 수 있고, 상기 제1 및 제2 유기막들은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에틸렌 수지 등과 같이 수분/산소 차단에 적합한 유기물로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 유기막들은 유기발광 표시장치가 휘어질 때 발생하는 응력을 완화시키는 기능을 수행하기도 한다.The sealing plate 330 attached to the TFT substrate 100 on which the passivation layer 300 is formed with the adhesive layer 320 interposed therebetween may be separately manufactured and a first organic layer, And a second organic film in this order. The second organic layer directly contacts the adhesive layer 320. The inorganic film may be formed of a material containing at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlON, AlN, TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, and Ta 2 O 5 , And the second organic layers may be formed of an organic material suitable for moisture / oxygen blocking such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin. The first and second organic layers also function to mitigate the stress generated when the organic light emitting display is bent.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 접착층(320)과 봉지 플레이트(330)는 함께 5×10-2 g/m2/day 이하의 수분투습도를 갖는다. 상기 수분투습도 요건을 만족시키기 위하여, 상기 봉지 플레이트(330)는 추가적인 무기막 및/또는 유기막을 더 포함할 수도 있다. According to an embodiment of the present invention, the adhesive layer 320 and the sealing plate 330 have moisture permeability of 5 × 10 -2 g / m 2 / day or less. In order to satisfy the moisture permeability requirement, the sealing plate 330 may further include an additional inorganic film and / or an organic film.

도 4에 예시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 상기 봉지 구조(300) 상의 원형 편광판(400) 및 상기 원형 편광판(400) 상의 전방 모듈(500)을 더 포함한다. 4, the OLED display according to an embodiment of the present invention further includes a circular polarizer 400 on the encapsulation structure 300 and a front module 500 on the circular polarizer 400 .

상기 봉지 플레이트(330)는 상기 원형 편광판(400)과의 접착을 위하여 상기 광등방성 필름 상의 접착막(adhesive film)을 더 포함할 수 있다. The encapsulation plate 330 may further include an adhesive film on the optically isotropic film for adhering to the circular polarizer 400.

또한, 상기 원형 편광판(400)과 전방 모듈(500)의 접착을 위하여, 상기 유기발광 표시장치는 감압 접착제(Pressure Sensitive Adhesive: PSA), 광학 투명 접착제(Optically Clear Adhesive: OCA) 등의 접착제로 형성된 접착층(미도시)을 더 포함할 수 있다.In order to adhere the circular polarizer 400 and the front module 500, the organic light emitting display may be formed of an adhesive such as Pressure Sensitive Adhesive (PSA) or Optically Clear Adhesive (OCA) And may further include an adhesive layer (not shown).

상기 원형 편광판(400)은 유기발광 소자(200)에 의해 반사된 외부 광이 유기발광 표시장치로부터 방출됨으로써 야기되는 시인성 저하를 방지하기 위한 것으로서, 유기발광 소자(200)의 제2 전극(240)에 의해 반사된 외부 광이 유기발광 표시장치로부터 방출되는 것을 방지한다. The circular polarizer 400 prevents the external light reflected by the organic light emitting diode 200 from being emitted from the organic light emitting diode display 200. The second electrode 240 of the organic light emitting diode 200, Thereby preventing the external light reflected by the organic light emitting display device from being emitted from the organic light emitting display device.

상기 원형 편광판(400)은 상기 봉지 구조(300) 상의 λ/4 위상차 필름 및 상기 λ/4 위상차 필름 상의 선형 편광 필름을 포함할 수 있다. 외부 광은 상기 선형 편광 필름을 통과하면서 선편광이 되고, 상기 선편광은 상기 λ/4 위상차 필름을 통과하고 상기 제2 전극(240)에서 반사되고 상기 λ/4 위상차 필름을 다시 통과하면서 상기 선형 편광 필름의 투과축과 수직한 선편광으로 변환된 후 상기 선형 편광 필름에 흡수된다.The circular polarizer 400 may include a? / 4 retardation film on the sealing structure 300 and a linear polarizing film on the? / 4 retardation film. The linearly polarized light passes through the? / 4 phase difference film and is reflected by the second electrode 240 and passes through the? / 4 phase difference film again while passing through the linear polarizing film Polarized light that is perpendicular to the transmission axis of the linear polarizing film.

선택적으로, 상기 봉지 플레이트(330)가 광등방성 필름 대신에 λ/4 위상차 필름을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 원형 편광판(400) 대신에 선형 편광 필름이 단독으로 사용된다.Optionally, the encapsulation plate 330 may comprise a quarter wave film in lieu of an optically isotropic film. In this case, a linear polarizing film alone is used instead of the circular polarizing plate 400.

상기 전방 모듈(500)은 터치 필름 및 커버 윈도우를 포함할 수 있으며, 접착층을 통해 상기 원형 편광판(400)에 부착될 수 있다. 상기 커버 윈도우는 유리 또는 플라스틱으로 형성될 수 있다. The front module 500 may include a touch film and a cover window, and may be attached to the circular polarizer 400 through an adhesive layer. The cover window may be formed of glass or plastic.

이하에서는, 도 7 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 12. FIG.

먼저, 도 7에 예시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(130)를 포함하는 기판(100a)을 준비한 후 상기 기판(100a) 상에 유기발광소자(200)를 형성한다.First, as illustrated in FIG. 7, a substrate 100a including a thin film transistor 130 is prepared, and an organic light emitting device 200 is formed on the substrate 100a.

상기 기판(100a)을 준비하기 위하여, 글라스 기판(101) 상에 폴리이미드 필름(110)이 형성된다. 선택적으로, 상기 글라스 기판(101)과 폴리이미드 필름(110) 사이에 레이저 조사에 의해 분해될 수 있는 희생층(미도시)이 개재될 수 있다. 이어서, 상기 폴리이미드 필름(110) 상에 무기 물질로 버퍼층(120)이 형성된다.In order to prepare the substrate 100a, a polyimide film 110 is formed on a glass substrate 101. [ Alternatively, a sacrifice layer (not shown), which can be decomposed by laser irradiation, may be interposed between the glass substrate 101 and the polyimide film 110. Next, a buffer layer 120 is formed of an inorganic material on the polyimide film 110.

상기 버퍼층(120) 상에 반도체층(131) 및 커패시터 하부 전극(141)이 서로 이격되게 각각 형성된다. 상기 반도체층(131)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 산화물 반도체일 수 있다.A semiconductor layer 131 and a capacitor lower electrode 141 are formed on the buffer layer 120 such that the semiconductor layer 131 and the capacitor lower electrode 141 are spaced apart from each other. The semiconductor layer 131 may be an amorphous silicon, a polycrystalline silicon, or an oxide semiconductor.

상기 반도체층(131) 및 커패시터 하부 전극(141)이 형성된 버퍼층(120) 상에 게이트 절연막(150)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(150)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 150 is formed on the buffer layer 120 on which the semiconductor layer 131 and the capacitor lower electrode 141 are formed. The gate insulating layer 150 may be formed of a silicon oxide layer (SiOx) or a silicon nitride layer (SiNx).

상기 게이트 절연막(150) 상에 상기 반도체층(131) 및 커패시터 하부 전극(141)에 각각 중첩되도록 게이트 전극(132) 및 커패시터 상부 전극(142)이 각각 형성된다. 상기 게이트 전극(132) 및 커패시터 상부 전극(142)은 Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, Cu, 또는 이들 중 2 이상의 합금으로 형성될 수 있다.A gate electrode 132 and a capacitor upper electrode 142 are formed on the gate insulating layer 150 so as to overlap the semiconductor layer 131 and the capacitor lower electrode 141, respectively. The gate electrode 132 and the capacitor upper electrode 142 may be formed of Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, Cu, or an alloy of two or more thereof.

이어서, 상기 게이트 전극(132) 및 커패시터 상부 전극(142)이 형성된 상기 게이트 절연막(150) 상에 층간 절연막(160)을 형성한다. 상기 층간 절연막(160)은 무기 단일막 또는 무기/유기 이중막일 수 있다.An interlayer insulating layer 160 is formed on the gate insulating layer 150 on which the gate electrode 132 and the capacitor upper electrode 142 are formed. The interlayer insulating layer 160 may be an inorganic single layer or an inorganic / organic double layer.

상기 게이트 전극(132)을 사이에 두고 그 양쪽에서 상기 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(150)을 각각 선택적으로 식각함으로써 상기 반도체층(131)을 부분적으로 노출시키는 2개의 비아 홀들(via holes)을 형성한다. 이어서, 상기 층간 절연막(160) 상에 Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, Cu, 또는 이들 중 2 이상의 합금으로 금속층을 형성한 후 포토리소그래피 및 식각 공정을 수행함으로써 소스/드레인 전극들(133, 134)을 각각 형성한다.Two via holes are formed to partially expose the semiconductor layer 131 by selectively etching the interlayer insulating layer 160 and the gate insulating layer 150 from both sides of the gate electrode 132, . Next, a metal layer is formed of Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, Cu, or two or more of these metals on the interlayer insulating layer 160 and then photolithography and etching are performed to form source / drain electrodes 133 and 134, respectively.

상기 박막 트랜지스터(130) 및 커패시터(140)를 보호하고 상기 박막 트랜지스터(130)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(170)이 소스/드레인 전극들(133, 134)이 형성된 층간 절연막(160) 상에 형성된다. 상기 오버코트층(170)은 무기 단일층 또는 무기/유기 이중층일 수 있다.An overcoat layer 170 for protecting the thin film transistor 130 and the capacitor 140 and planarizing the step due to the thin film transistor 130 is formed on the interlayer insulating layer 160 having the source / As shown in FIG. The overcoat layer 170 may be an inorganic single layer or an inorganic / organic double layer.

이렇게 완성된 기판(100a) 상에 유기발광소자(200)를 형성하기 위하여, 상기 오버코트층(170)을 선택적으로 식각함으로써 상기 드레인 전극(134)을 부분적으로 노출시키는 홀을 형성한다. 이어서, 상기 기판(100a) 상에 ITO, IZO, ITZO, ICO, 또는 ZnO와 같은 높은 일함수를 갖는 투명 전도성 물질을 CVD 또는 스퍼터링 공정을 통해 증착한 후 포토리소그래피 및 식각 공정을 수행함으로써 제1 전극(210)을 형성한다.A hole for partially exposing the drain electrode 134 is formed by selectively etching the overcoat layer 170 to form the organic light emitting device 200 on the completed substrate 100a. Next, a transparent conductive material having a high work function such as ITO, IZO, ITO, ICO, or ZnO is deposited on the substrate 100a through a CVD or sputtering process, and then a photolithography and an etching process are performed, (210).

전면 발광 타입의 유기발광 표시장치를 제조할 경우, 상기 제1 전극(210)을 형성하기 전에 상기 기판(100a) 상에 은(Ag) 또는 니켈(Ni)로 반사층(미도시)이 형성될 수 있다. When a front emission type organic light emitting display is manufactured, a reflective layer (not shown) may be formed of silver (Ag) or nickel (Ni) on the substrate 100a before the first electrode 210 is formed have.

상기 제1 전극(210)이 형성된 기판(100a) 상에 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene: BCB), 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지 등과 같은 유기 비전도성 물질을 이용하여 유기 절연층을 형성한 후 선택적 식각 공정을 수행함으로써 상기 제1 전극(210)의 적어도 일부를 노출시키는 뱅크홀을 가진 뱅크층(220)을 형성한다. An organic insulating layer is formed on the substrate 100a on which the first electrode 210 is formed by using an organic nonconductive material such as benzocyclobutene (BCB), acrylic resin, epoxy resin, polyamide resin, polyimide resin, A bank layer 220 having a bank hole exposing at least a part of the first electrode 210 is formed by performing a selective etching process.

이어서, 통상의 방법을 통해 상기 뱅크층(220) 및 제1 전극(210) 상에 발광 유기층(230), 제2 전극(240), 및 캐핑층(250)을 순차적으로 형성한다.Next, a light emitting organic layer 230, a second electrode 240, and a capping layer 250 are sequentially formed on the bank layer 220 and the first electrode 210 through a conventional method.

상기 발광 유기층(230) 상에 위치한 제2 전극(240)은 일함수가 낮은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag), 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 후면 발광 타입의 유기발광 표시장치를 제조하고자 할 경우, 상기 제2 전극(240)은 빛을 반사할 수 있을 정도의 충분한 두께를 갖도록 형성된다. 반면, 전면 발광 타입의 유기발광 표시장치를 제조하고자 할 경우, 상기 제2 전극(240)은 빛이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께(예를 들어, 1 내지 50 Å)를 갖도록 형성된다.The second electrode 240 positioned on the light emitting organic layer 230 may be formed of a low work function aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), silver (Ag), or an alloy thereof. In order to manufacture an organic light emitting display of the back light emission type, the second electrode 240 is formed to have a sufficient thickness to reflect light. On the other hand, when a front emission type organic light emitting display device is manufactured, the second electrode 240 is formed to have a thickness (for example, 1 to 50 ANGSTROM) so that light can be transmitted therethrough.

발광 유기층(230)으로부터 방출되는 빛이 상기 제2 전극(240) 상부에서 전반사되는 것을 방지하기 위한 캐핑층(250)이 상기 제2 전극(240) 상에 형성된다. 상기 캐핑층(250)은 약 10 내지 100 nm의 두께를 가질 수 있다.A capping layer 250 is formed on the second electrode 240 to prevent light emitted from the light emitting organic layer 230 from being totally reflected on the second electrode 240. The capping layer 250 may have a thickness of about 10 to 100 nm.

전술한 바와 같이, 상기 캐핑층(250)은 도전성 무기물질과 유기물질의 혼합물로 형성될 수 있으며, 상기 도전성 무기물질로는 금속, 예를 들어 전이금속, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들 중 2 이상의 합금이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 무기물질로서 은 나노 입자가 사용될 경우, 은 나노 입자와 유기물질이 각각 분사되어 상기 제2 전극(240) 상에 함께 증착됨으로써 상기 캐핑층(250)이 형성될 수 있으며, 상기 캐핑층(250) 내에 함유되는 은 나노 입자의 함량은 10 중량% 이하일 수 있다.As described above, the capping layer 250 may be formed of a mixture of a conductive inorganic material and an organic material, and the conductive inorganic material may include a metal such as a transition metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, Two or more of these alloys may be used. For example, when silver nanoparticles are used as the conductive inorganic material, the capping layer 250 may be formed by spraying silver nanoparticles and organic materials on the second electrode 240 together, The amount of the silver nanoparticles contained in the capping layer 250 may be 10 wt% or less.

이어서, 상기 유기발광소자(200)를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조(300)가 형성된다. 이하에서는, 도 8 및 도 9를 참조하여 상기 봉지 구조(300)의 형성에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, a sealing structure 300 for protecting the organic light emitting device 200 from moisture and oxygen is formed. Hereinafter, the formation of the bag structure 300 will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.

도 8에 예시된 바와 같이, 상기 유기발광소자(200) 전체가 완전히 덮이도록 상기 기판(100a) 및 상기 유기발광소자(200) 상에 보호층(310)을 형성한다. A protective layer 310 is formed on the substrate 100a and the organic light emitting device 200 such that the entire organic light emitting device 200 is completely covered.

상기 보호층(310)을 형성하는 단계는, 상기 기판(100a) 및 상기 유기발광소자(200) 상에 제1 무기 보호막(311)을 형성하는 단계, 상기 제1 무기 보호막(311) 상에 제1 젖음성 강화막(312)을 형성하는 단계, 상기 제1 젖음성 강화막(312) 상에 유기 보호막(313)을 형성하는 단계, 상기 유기 보호막(313) 상에 제2 젖음성 강화막(314)을 형성하는 단계, 및 상기 제2 젖음성 강화막(314) 상에 제2 무기 보호막(315)을 형성하는 단계를 포함한다.The forming of the passivation layer 310 may include forming a first inorganic protective layer 311 on the substrate 100a and the organic light emitting element 200, Forming a wettability enhancing layer 312 on the first wettability enhancing layer 312, forming an organic protective layer 313 on the first wettability enhancing layer 312, forming a second wettability enhancing layer 314 on the organic passivation layer 313, And forming a second inorganic protective film (315) on the second wettability enhanced film (314).

상기 제1 및 제2 무기 보호막들(311, 315) 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함하는 소재로 형성될 수 있다. 110℃ 이상의 고온에서 상기 발광 유기층(230)의 손상 위험성이 있기 때문에, 상기 제1 및 제2 무기 보호막들(311, 315)은 80 내지 100℃의 저온 PECVD 또는 ALD 공정을 통해 형성되는 것이 바람직하다.The first and the second inorganic protective film in (311, 315) each of Al 2 O 3, SiO 2, Si 3 N 4, SiON, AlON, AlN, TiO 2, ZrO, ZnO, and at least one of Ta 2 O 5 As shown in FIG. The first and second inorganic protective films 311 and 315 are preferably formed through a low temperature PECVD or ALD process at a temperature of 80 to 100 ° C because there is a risk of damaging the light emitting organic layer 230 at a high temperature of 110 ° C or more .

상기 유기 보호막(313)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에틸렌 수지 등과 같이 수분/산소 차단에 적합한 유기물로 형성될 수 있다. 상기 유기 보호막(320)은 증발 증착, 코팅 또는 프린팅을 통해 형성될 수 있다.The organic protective layer 313 may be formed of an organic material suitable for moisture / oxygen blocking, such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin. The organic passivation layer 320 may be formed by evaporation, coating, or printing.

상기 제1 및 제2 젖음성 강화막들(312, 314) 각각은 실란 유도체, 바람직하게는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔을 이용하여 0.01 내지 1㎛ 두께로 형성될 수 있다. 상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것이 바람직하다.Each of the first and second wettability-enhanced films 312 and 314 may be formed to a thickness of 0.01 to 1 탆 using a silane derivative, preferably a silane derivative having a chlorine substituent, or hexamethyldisilazane. The silane derivative having a chlorine substituent is preferably chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane .

상기 제1 및 제2 젖음성 강화막들(312, 314)은 습식 코팅(wet coating) 또는 증발 증착을 통해 형성될 수 있다.The first and second wettability enhancing films 312 and 314 may be formed through wet coating or evaporation.

이어서, 도 9에 예시된 바와 같이, 접착층(320)을 통해 상기 보호층(310) 상에 봉지 플레이트(330)가 부착된다. 상기 접착층(320)은 양면 테이프의 형태를 가질 수 있다.Then, as illustrated in FIG. 9, an encapsulating plate 330 is attached on the protective layer 310 through an adhesive layer 320. The adhesive layer 320 may have the form of a double-sided tape.

전술한 바와 같이, 상기 접착층(320)은 10g/m2/day 이하의 수분투습도, 95% 이상의 가시광 투과도, 및 0.3MPa 이하의 탄성률을 만족시키는 아크릴 수지, 올레핀 수지, 합성 고무, 또는 이들 중 2 이상의 혼합물을 포함한다.As described above, the adhesive layer 320 may be made of an acrylic resin, an olefin resin, a synthetic rubber, or two of them, which satisfies a moisture permeability of 10 g / m 2 / day or less, a visible light transmittance of 95% or more, and an elastic modulus of 0.3 MPa or less. ≪ / RTI >

본 발명의 일 실시예에 의하면, 광등방성 필름 상에 제1 유기막, 무기막, 및 제2 유기막을 순차적으로 적층함으로써 별도로 형성된 봉지 플레이트(330)를 준비한 후, 상기 봉지 플레이트(330)를 상기 접착층(320)을 통해 상기 보호층(310) 및 기판(100a) 상에 부착할 수 있다. 이때, 상기 제2 유기막이 상기 접착층(320)과 직접 접촉하는 방식으로 상기 봉지 플레이트(330)가 상기 보호층(310)이 형성된 기판(100a) 상에 부착된다.According to an embodiment of the present invention, a seal plate 330 formed separately is prepared by sequentially laminating a first organic film, an inorganic film, and a second organic film on an optically isotropic film, And may be adhered to the protective layer 310 and the substrate 100a through the adhesive layer 320. [ At this time, the sealing plate 330 is attached on the substrate 100a on which the protective layer 310 is formed, in such a manner that the second organic film is in direct contact with the adhesive layer 320. [

상기 봉지 플레이트(330)의 제1 및 제2 유기막들은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에틸렌 수지 등과 같이 수분/산소 차단에 적합한 유기물을 포함할 수 있고, 상기 무기막은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, Ta2O5 등과 같은 무기물을 포함할 수 있다.The first and second organic layers of the sealing plate 330 may include an organic material suitable for moisture / oxygen blocking such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin. The inorganic layer may include Al 2 O 3 , SiO 2, may comprise an inorganic material such as Si 3 N 4, SiON, AlON , AlN, TiO 2, ZrO, ZnO, Ta 2 O 5.

상기 봉지 플레이트(330)의 부착 후에, 도 10에 예시된 바와 같이, 상기 봉지 플레이트(330) 상에 원형 편광판(400) 및 전방 모듈(500)이 순차적으로 부착된다. After the attachment of the sealing plate 330, the circular polarizing plate 400 and the front module 500 are sequentially attached on the sealing plate 330 as illustrated in FIG.

상기 원형 편광판(400)은 상기 봉지 플레이트(330) 상에 배치될 λ/4 위상차 필름 및 상기 λ/4 위상차 필름 상의 선형 편광 필름을 포함할 수 있다.The circular polarizer 400 may include a? / 4 retardation film to be disposed on the encapsulation plate 330 and a linear polarizing film on the? / 4 retardation film.

상기 전방 모듈(500)은 상기 원형 편광판(400) 상에 배치될 터치 필름 및 상기 터치 필름 상의 커버 윈도우(720)를 포함할 수 있다. The front module 500 may include a touch film to be disposed on the circular polarizer 400 and a cover window 720 on the touch film.

상기 봉지 플레이트(330)는 상기 원형 편광판(400)과의 접착을 위하여 상기 광등방성 필름 상의 접착막(adhesive film)을 더 포함할 수 있다. The encapsulation plate 330 may further include an adhesive film on the optically isotropic film for adhering to the circular polarizer 400.

상기 원형 편광판(400)과 전방 모듈(700)의 접착을 위하여, 감압 접착제, 광학 투명 접착제 등의 접착제가 사용될 수 있다.In order to bond the circular polarizer 400 and the front module 700, an adhesive such as a pressure sensitive adhesive, an optical transparent adhesive, or the like may be used.

이어서, 도 11에 예시된 바와 같이, 제조 공정 중에 지지 기능을 수행하였던 글라스 기판(101)을 레이저를 이용하여 폴리이미드 필름(110)으로부터 분리한다. 이와 같은 분리 공정을 위하여, 전술한 바와 같이, 조사되는 레이저를 흡수하여 가열 및 분해됨으로써 글라스 기판(101)과 폴리이미드 필름(110)의 분리를 가능하게 하는 희생층(미도시)이 상기 글라스 기판(101)과 폴리이미드 필름(110) 사이에 더 형성될 수도 있다.Then, as illustrated in Fig. 11, the glass substrate 101 having been subjected to the supporting function during the manufacturing process is separated from the polyimide film 110 by using a laser. As described above, a sacrificial layer (not shown) for separating the glass substrate 101 and the polyimide film 110 by being absorbed by the irradiated laser beam and being heated and decomposed is formed on the glass substrate 101, Or may be further formed between the polyimide film 101 and the polyimide film 110.

이어서, 도 12에 예시된 바와 같이, 글라스 기판(101)이 폴리이미드 필름(110)으로부터 분리된 후, 본 발명의 유기발광 표시장치를 지지하기 위한 후방 플레이트(190)가 감압 접착제(PSA), 광학 투명 접착제(OCA) 등의 접착층(180)을 통해 상기 폴리이미드 필름(110)에 부착된다. 12, after the glass substrate 101 is separated from the polyimide film 110, the back plate 190 for supporting the organic light emitting display of the present invention is formed of a pressure sensitive adhesive (PSA) And is attached to the polyimide film 110 through an adhesive layer 180 such as optical transparent adhesive (OCA).

이하에서는, 도 13을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 설명한다.Hereinafter, an OLED display according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 13에 예시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 위에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 봉지 구조(300) 대신에 박막 봉지(Thin Film Encapsulation: TFE) 타입의 봉지 구조(600)를 갖는다는 것을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치와 동일하다. 따라서, 봉지 구조(600)를 중심으로 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 설명하고, 그 외의 다른 구성들에 대한 설명은 생략한다.13, the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention includes a thin film transistor (TFT) instead of the sealing structure 300 of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, (TFE) -type encapsulation structure 600 according to the first embodiment of the present invention. Therefore, the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention will be mainly described with reference to the sealing structure 600, and description of other structures will be omitted.

본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 봉지 구조(600)는, 다수의 무기 박막들(610), 다수의 젖음성 강화막들(620), 및 다수의 유기 박막들(630)을 포함하되, 상기 무기 박막들(610), 젖음성 강화막들(620), 및 유기 박막들(630)은 교번적으로 적층되어 있다.The sealing structure 600 of the OLED display according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of inorganic thin films 610, a plurality of wettability enhancing films 620, and a plurality of organic thin films 630 The inorganic thin films 610, the wettability enhancing films 620, and the organic thin films 630 are alternately stacked.

상기 무기 박막들 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 유기 박막들 각각은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.Each of the inorganic thin film may comprise Al 2 O 3, SiO 2, Si 3 N 4, SiON, AlON, AlN, TiO 2, ZrO, ZnO, and at least one of Ta 2 O 5, in the organic thin film Each may include at least one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin.

상기 젖음성 강화막들은 실란 유도체, 바람직하게는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔을 포함한다.The wettability enhancing membranes include silane derivatives, preferably silane derivatives having chlorine substituents, or hexamethyldisilazane.

상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란일 수 있다.The silane derivative having a chlorine substituent may be chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane.

상기 무기 박막(610)과 유기 박막(630) 사이에 본 발명의 젖음성 강화막(620)을 개재시킴으로써, 무기 박막(610)에 대한 상기 유기 박막(630)의 낮은 젖음성으로 인해 상기 무기 박막(610) 상에 상기 유기 박막(630)이 코팅되지 않는 부분이 발생하는 것을[즉, 상기 유기 박막(620)에 핀홀이 발생하는 것을] 방지하거나 획기적으로 줄일 수 있다.The wettability enhancement film 620 of the present invention is interposed between the inorganic thin film 610 and the organic thin film 630 so that the inorganic thin film 610 (That is, pinholes in the organic thin film 620) can be prevented or significantly reduced on the organic thin film 620.

이하에서는, 도 14 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating an OLED display device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 14 to 18. FIG.

먼저, 도 14에 예시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(130)를 포함하는 기판(100a)을 준비한 후 상기 기판(100a) 상에 유기발광소자(200)를 형성한다. 본 공정에 대한 구체적 설명은 전술한 도 7 관련 설명으로 대신한다.First, as illustrated in FIG. 14, a substrate 100a including a thin film transistor 130 is prepared, and an organic light emitting device 200 is formed on the substrate 100a. A detailed description of this process is given in the above description related to Fig.

이어서, 상기 유기발광소자(200)를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조(600)가 형성된다. 이하에서는, 도 15를 참조하여 상기 봉지 구조(600)의 형성에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, a sealing structure 600 for protecting the organic light emitting device 200 from moisture and oxygen is formed. Hereinafter, the formation of the sealing structure 600 will be described in detail with reference to FIG.

도 15에 예시된 바와 같이, 상기 유기발광소자(200) 전체가 완전히 덮이도록 상기 기판(100a) 및 상기 유기발광소자(200) 상에 무기 박막(610), 젖음성 강화막(620), 유기 박막(630)을 순차적으로 형성한다. 15, an inorganic thin film 610, a wettability enhancing film 620, an organic thin film 610, and an inorganic thin film 610 are formed on the substrate 100a and the organic light emitting device 200 such that the entire organic light emitting device 200 is completely covered. (630) are sequentially formed.

상기 무기 박막(610)은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함하는 소재로 형성될 수 있다. 110℃ 이상의 고온에서 상기 발광 유기층(230)의 손상 위험성이 있기 때문에, 상기 무기 박막(610)은 80 내지 100℃의 저온 PECVD 또는 ALD 공정을 통해 형성되는 것이 바람직하다.The inorganic thin film 610 may be formed of a material containing at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlON, AlN, TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, and Ta 2 O 5 . The inorganic thin film 610 is preferably formed through a low-temperature PECVD or ALD process at 80 to 100 ° C because there is a risk of damaging the light emitting organic layer 230 at a high temperature of 110 ° C or more.

상기 유기 박막(630)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에틸렌 수지 등과 같이 수분/산소 차단에 적합한 유기물로 형성될 수 있다. 상기 유기 박막(630)은 증발 증착, 코팅 또는 프린팅을 통해 형성될 수 있다.The organic thin film 630 may be formed of an organic material suitable for moisture / oxygen blocking, such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin. The organic thin film 630 may be formed by evaporation, coating, or printing.

상기 젖음성 강화막(620)은 실란 유도체, 바람직하게는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔을 이용하여 0.01 내지 1㎛ 두께로 형성될 수 있다. 상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것이 바람직하다. 상기 젖음성 강화막(620)은 습식 코팅 또는 증발 증착을 통해 형성될 수 있다.The wettability enhancing layer 620 may be formed to a thickness of 0.01-1 탆 by using a silane derivative, preferably a silane derivative having a chlorine substituent, or hexamethyldisilazane. The silane derivative having a chlorine substituent is preferably chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane . The wettability enhancing film 620 may be formed by wet coating or evaporation.

이어서, 유기발광 표시장치에 요구되는 수분투습도, 가시광 투과도 등의 기본 물성들을 모두 만족시키는 봉지 구조(600)가 완성될 때까지, 젖음성 강화막(620), 무기 박막(610), 젖음성 강화막(620), 및 유기 박막(630)을 순차적으로 형성하는 공정을 반복한다.The wettability enhancing layer 620, the inorganic thin layer 610, the wettability enhancing layer 610, and the wettability enhancing layer 620 are formed on the organic light emitting display device 600 until the sealing structure 600 satisfying the basic physical properties such as moisture permeability, visible light transmittance, 620, and an organic thin film 630 are sequentially formed.

봉지 구조(600)가 형성된 후에, 도 16에 예시된 바와 같이 상기 봉지 구조(600) 상에 원형 편광판(400) 및 전방 모듈(500)이 순차적으로 부착되고, 도 17에 예시된 바와 같이 제조 공정 중에 지지 기능을 수행하였던 글라스 기판(101)을 레이저를 이용하여 폴리이미드 필름(110)으로부터 분리하고, 도 18에 예시된 바와 같이 유기발광 표시장치를 지지하기 위한 후방 플레이트(190)가 상기 폴리이미드 필름(110)에 부착된다. 이들 공정들에 대한 구체적 설명은 전술한 도 10, 11, 및 12 관련 설명으로 대신한다.
After the encapsulation structure 600 is formed, the circular polarization plate 400 and the front module 500 are sequentially attached on the encapsulation structure 600 as illustrated in Fig. 16, and as shown in Fig. 17, The glass substrate 101 having been subjected to the supporting function is separated from the polyimide film 110 by using a laser and a rear plate 190 for supporting the organic light emitting display device as illustrated in Fig. And is attached to the film 110. A specific description of these processes is replaced with the description related to Figs. 10, 11, and 12 described above.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들 및 비교예를 통해 본 발명의 핀홀 방지 효과를 구체적으로 살펴본다.Hereinafter, the pinhole preventing effect of the present invention will be described in detail with reference to specific examples and comparative examples of the present invention.

실시예Example 1 One

SiNx 기판 상에 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 젖음성 강화막을 0.5㎛의 두께로 형성한 후, 그 위에 스크린 프린팅 공정을 통해 열경화성 에폭시 수지를 도포한 후 경화시킴으로써 20㎛의 두께를 갖는 유기막을 형성하였다.A wettability enhancing film was formed on the SiNx substrate with hexamethyldisilazane (HMDS) to a thickness of 0.5 탆, a thermosetting epoxy resin was applied thereon through a screen printing process, and then cured to form an organic film having a thickness of 20 탆 Respectively.

실시예Example 2 2

헥사메틸디실라잔(HMDS) 대신에 클로로트리메틸실란을 이용하여 젖음성 강화막을 형성하였다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 샘플을 완성하였다.A sample was completed in the same manner as in Example 1, except that chlorotrimethylsilane was used instead of hexamethyldisilazane (HMDS) to form a wettability enhanced film.

실시예Example 3 3

헥사메틸디실라잔(HMDS) 대신에 트리클로로(헥실)실란을 이용하여 젖음성 강화막을 형성하였다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 샘플을 완성하였다.A sample was completed in the same manner as in Example 1, except that a wettability enhanced film was formed using trichloro (hexyl) silane instead of hexamethyldisilazane (HMDS).

실시예Example 4 4

헥사메틸디실라잔(HMDS) 대신에 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란을 이용하여 젖음성 강화막을 형성하였다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 샘플을 완성하였다.A sample was completed in the same manner as in Example 1, except that a wettability-enhanced film was formed using chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane instead of hexamethyldisilazane (HMDS) .

실시예Example 5 5

헥사메틸디실라잔(HMDS) 대신에 메틸트리클로로실란을 이용하여 젖음성 강화막을 형성하였다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 샘플을 완성하였다.A sample was completed in the same manner as in Example 1, except that methyltrichlorosilane was used instead of hexamethyldisilazane (HMDS) to form a wettability enhanced film.

실시예Example 6 6

헥사메틸디실라잔(HMDS) 대신에 헥사클로로디실란을 이용하여 젖음성 강화막을 형성하였다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 샘플을 완성하였다.A sample was completed in the same manner as in Example 1, except that hexachlorodisilane was used instead of hexamethyldisilazane (HMDS) to form a wettability enhanced film.

비교예Comparative Example

젖음성 강화막을 형성하지 않고 유기막이 SiNx 기판 바로 위에 형성되었다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 샘플을 완성하였다.
A sample was completed in the same manner as in Example 1 except that the wettability enhancing film was not formed and the organic film was formed directly on the SiNx substrate.

핀홀Pinhole 발생 여부 측정 Measurement of occurrence

실시예 1 내지 6 및 비교예 각각에 대하여 20개씩의 샘플들을 취한 후, 이 샘플들(즉, 140개의 샘플들)의 유기막들에 핀홀이 존재하는 지의 여부를 현미경으로 관찰하였고, 그 결과를 아래의 표 1에 나타내었다.After taking 20 samples for each of Examples 1 to 6 and Comparative Example, it was microscopically observed whether pinholes were present in the organic films of these samples (i.e., 140 samples) The results are shown in Table 1 below.

젖음성 강화막 소재Wetting reinforced membrane material 핀홀 발생 샘플 개수Number of pinhole generated samples 불량률Defect rate 실시예1Example 1 헥사메틸디실라잔(HMDS)Hexamethyldisilazane (HMDS) 1One 5%5% 실시예2Example 2 클로로트리메틸실란Chlorotrimethylsilane 22 10%10% 실시예3Example 3 트리클로로(헥실)실란Trichloro (hexyl) silane 44 20%20% 실시예4Example 4 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란Chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane 33 15%15% 실시예5Example 5 메틸트리클로로실란Methyltrichlorosilane 55 25%25% 실시예6Example 6 헥사클로로디실란Hexachlorodisilane 1One 5%5% 비교예Comparative Example -- 1919 95%95%

위 표 1로부터, 실란 유도체, 특히 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 헥사클로로디실란 등과 같은 염소 치환기를 갖는 실란 유도체, 또는 헥사메틸디실라잔을 이용하여 젖음성 강화막을 상기 무기막 상에 형성 한 후 그 위에 유기막을 형성하면 무기막에 대한 유기막의 낮은 젖음성으로 인해 야기될 수 있는 유기막 미코팅 부분이 획기적으로 감소됨을 알 수 있다.It can be seen from Table 1 that a silane derivative, especially chlorine substituent such as chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, hexachlorodisilane, Or a hexamethyldisilazane is used to form a wettability enhancing layer on the inorganic layer and then an organic layer is formed thereon, an organic film uncoated portion which can be caused by the low wettability of the organic layer on the inorganic layer Is reduced dramatically.

100: TFT 기판 200: 유기발광소자
300, 600: 봉지 구조 400: 원형 편광판
500: 전방 모듈100: TFT substrate 200: organic light emitting element
300, 600: encapsulation structure 400: circular polarizer
500: front module

Claims (19)

박막 트랜지스터를 포함하는 TFT 기판;
상기 TFT 기판 상의 유기발광소자; 및
상기 유기발광소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조를 포함하되,
상기 봉지 구조는 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.A TFT substrate including a thin film transistor;
An organic light emitting element on the TFT substrate; And
A sealing structure for protecting the organic light emitting device from moisture and oxygen,
Wherein the sealing structure comprises a silane derivative. 제1항에 있어서,
상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane)인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the silane derivative is a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane. 제2항에 있어서,
상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.3. The method of claim 2,
The silane derivative having a chlorine substituent is characterized by being chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane To the organic light emitting display device. 제1항에 있어서,
상기 봉지 구조는,
상기 유기발광소자가 덮이도록 상기 TFT 기판 및 상기 유기발광소자 상에 형성된 보호층;
상기 보호층이 덮이도록 상기 TFT 기판 및 상기 보호층 상에 형성된 접착층; 및
상기 접착층 상의 봉지 플레이트를 포함하고,
상기 보호층이 상기 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
In the sealing structure,
A protective layer formed on the TFT substrate and the organic light emitting element to cover the organic light emitting element;
An adhesive layer formed on the TFT substrate and the protective layer so that the protective layer is covered; And
And an encapsulating plate on the adhesive layer,
Wherein the protective layer comprises the silane derivative. 제4항에 있어서,
상기 보호층은,
상기 유기발광소자가 덮이도록 상기 TFT 기판 및 상기 유기발광소자 상에 형성된 제1 무기 보호막;
상기 제1 무기 보호막 상의 제1 젖음성 강화막(wetting-enhancing film); 및
상기 제1 젖음성 강화막 상의 유기 보호막을 포함하고,
상기 제1 젖음성 강화막이 상기 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.5. The method of claim 4,
The protective layer may be formed,
A first inorganic protective film formed on the TFT substrate and the organic light emitting element to cover the organic light emitting element;
A first wetting-enhancing film on the first inorganic protective film; And
And an organic protective film on the first wettability enhanced film,
Wherein the first wettability enhancing layer comprises the silane derivative. 제5항에 있어서,
상기 제1 무기 보호막은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함하고,
상기 유기 보호막은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
Wherein the first inorganic protective film comprises at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlON, AlN, TiO 2 , ZrO, ZnO, and Ta 2 O 5 ,
Wherein the organic protective layer comprises at least one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin. 제6항에 있어서,
상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the silane derivative is a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane. 제7항에 있어서,
상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.8. The method of claim 7,
The silane derivative having a chlorine substituent is characterized by being chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane To the organic light emitting display device. 제5항에 있어서,
상기 보호층은,
상기 유기 보호막 상의 제2 젖음성 강화막; 및
상기 제2 젖음성 강화막 상의 제2 무기 보호막을 더 포함하고,
상기 제2 젖음성 강화막은 상기 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The protective layer may be formed,
A second wettability enhanced film on the organic protective film; And
And a second inorganic protective film on the second wettability enhanced film,
Wherein the second wettability enhancing layer comprises the silane derivative. 제1항에 있어서,
상기 봉지 구조는,
다수의 무기 박막들;
다수의 젖음성 강화막들; 및
다수의 유기 박막들을 포함하되,
상기 무기 박막들, 젖음성 강화막들, 및 유기 박막들은 교번적으로 적층되어 있으며,
상기 젖음성 강화막들은 상기 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
In the sealing structure,
A plurality of inorganic thin films;
A plurality of wettability enhancing membranes; And
A plurality of organic thin films,
The inorganic thin films, wettability enhancing films, and organic thin films are alternately stacked,
Wherein the wettability enhancing films include the silane derivatives. 제10항에 있어서,
상기 무기 박막들 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상을 포함하고,
상기 유기 박막들 각각은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지 중 하나 이상을 포함하며,
상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein each of the inorganic thin films comprises at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlON, AlN, TiO 2 , ZrO, ZnO, and Ta 2 O 5 ,
Wherein each of the organic thin films comprises at least one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin,
Wherein the silane derivative is a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane. 제11항에 있어서,
상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.12. The method of claim 11,
The silane derivative having a chlorine substituent is characterized by being chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane To the organic light emitting display device. 박막 트랜지스터를 포함하는 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 유기발광소자를 형성하는 단계; 및
상기 유기발광소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 봉지 구조를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 봉지 구조는 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.Preparing a substrate including a thin film transistor;
Forming an organic light emitting device on the substrate; And
Forming an encapsulation structure for protecting the organic light emitting device from moisture and oxygen,
Wherein the sealing structure comprises a silane derivative. 제13항에 있어서,
상기 봉지 구조를 형성하는 단계는,
상기 유기발광소자가 덮이도록 상기 기판 및 상기 유기발광소자 상에 제1 무기 보호막을 형성하는 단계;
상기 제1 무기 보호막 상에 상기 실란 유도체로 제1 젖음성 강화막을 형성하는 단계;
상기 제1 젖음성 강화막 상에 유기 보호막을 형성하는 단계;
상기 유기 보호막 상에 상기 실란 유도체로 제2 젖음성 강화막을 형성하는 단계;
상기 제2 젖음성 강화막 상에 제2 무기 보호막을 형성하는 단계; 및
접착층을 통해 상기 기판 및 제2 무기 보호막 상에 봉지 플레이트를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.14. The method of claim 13,
Wherein forming the encapsulation structure comprises:
Forming a first inorganic protective film on the substrate and the organic light emitting device so that the organic light emitting device is covered;
Forming a first wettability enhanced film with the silane derivative on the first inorganic protective film;
Forming an organic protective film on the first wettability enhanced film;
Forming a second wettability enhanced film with the silane derivative on the organic protective film;
Forming a second inorganic protective film on the second wettability enhanced film; And
And attaching an encapsulating plate on the substrate and the second inorganic protective film through an adhesive layer. 제14항에 있어서,
상기 제1 및 제2 무기 보호막들 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5로 구성된 그룹으로부터 선택된 무기물로 형성되고,
상기 유기 보호막은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 유기물로 형성되며,
상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.15. The method of claim 14,
Each of the first and second inorganic protective films is formed of an inorganic material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlON, AlN, TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, and Ta 2 O 5 . And,
Wherein the organic protective film is formed of an organic material selected from the group consisting of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin,
Wherein the silane derivative is a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane. 제15항에 있어서,
상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.16. The method of claim 15,
The silane derivative having a chlorine substituent is characterized by being chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane Gt; a < / RTI > organic light emitting display device. 제13항에 있어서,
상기 봉지 구조를 형성하는 단계는 무기 박막들, 젖음성 강화막들, 및 유기 박막들을 교번적으로 적층하는 단계를 포함하며,
상기 젖음성 강화막들은 상기 실란 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.14. The method of claim 13,
The step of forming the encapsulation structure includes alternately laminating the inorganic thin films, the wettability enhancing films, and the organic thin films,
Wherein the wettability enhancing films include the silane derivatives. 제17항에 있어서,
상기 무기 박막들 각각은 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON, AlON, AlN, TiO2, ZrO, ZnO, 및 Ta2O5로 구성된 그룹으로부터 선택된 무기물로 형성되고,
상기 유기 박막들 각각은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 및 폴리에틸렌 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 유기물로 형성되며,
상기 실란 유도체는 염소 치환기를 갖는 실란 유도체 또는 헥사메틸디실라잔인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.18. The method of claim 17,
Each of the inorganic thin film is formed of an inorganic material selected from Al 2 O 3, SiO 2, Si 3 N 4, SiON, AlON, AlN, TiO 2, ZrO, ZnO, and the group consisting of Ta 2 O 5,
Wherein each of the organic thin films is formed of an organic material selected from the group consisting of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyethylene resin,
Wherein the silane derivative is a silane derivative having a chlorine substituent or hexamethyldisilazane. 제18항에 있어서,
상기 염소 치환기를 갖는 실란 유도체는 클로로트리메틸실란, 트리클로로(헥실)실란, 클로로-디메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 메틸트리클로로실란, 또는 헥사클로로디실란인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.19. The method of claim 18,
The silane derivative having a chlorine substituent is characterized by being chlorotrimethylsilane, trichloro (hexyl) silane, chloro-dimethyl (3,3,3-trifluoropropyl) silane, methyltrichlorosilane, or hexachlorodisilane Gt; a < / RTI > organic light emitting display device.
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