KR20150066511A - Workpiece carrier - Google Patents

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KR20150066511A
KR20150066511A KR1020157000748A KR20157000748A KR20150066511A KR 20150066511 A KR20150066511 A KR 20150066511A KR 1020157000748 A KR1020157000748 A KR 1020157000748A KR 20157000748 A KR20157000748 A KR 20157000748A KR 20150066511 A KR20150066511 A KR 20150066511A
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plate
workpiece
diameter
workpiece carrier
processed
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KR1020157000748A
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Inventor
윌리엄 데이비스 리
케빈 호이트
데이비드 쉐너
제이슨 베링거
Original Assignee
액셀리스 테크놀러지스, 인크.
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Abstract

피가공재 캐리어는 제 1 외경, 제 1 내경 및 제 1 내경으로부터 제 1 외경을 향해 제 1 거리만큼 연장하는 제 1 오목부를 갖는 제 1 판을 포함한다. 피가공재 캐리어는 제 2 외경, 제 2 내경 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경을 향해 제 2 거리만큼 연장하는 제 2 오목부를 갖는 제 2 판을 더 포함한다. 제 1 판 및 제 2 판과 관련된 복수의 맞물림 특징부(feature)들은 제 1 판과 제 2 판 사이에서 제 1 피가공재의 위치를 제 1 오목부와 제 2 오목부 내에 선택적으로 고정시키도록 구성된다.The workpiece carrier includes a first plate having a first outer diameter, a first inner diameter, and a first recess extending a first distance from the first inner diameter toward the first outer diameter. The workpiece carrier further includes a second plate having a second outer diameter, a second inner diameter, and a second recess extending from the second inner diameter by a second distance toward the second outer diameter. The plurality of engaging features associated with the first and second plates are configured to selectively secure the position of the first workpiece between the first and second plates within the first and second recesses do.

Description

피가공재 캐리어 {WORKPIECE CARRIER}{WORKPIECE CARRIER}

본 출원은 발명의 명칭이 "피가공재 캐리어"인 2012년 6월 12일자 출원된 미국 가 출원 일련번호 61/568,865 호의 우선권 및 이득을 주장하며, 그 전체 내용은 본 출원에 완전히 진술된 것으로서 인용에 의해 본 출원에 포함된다.
This application claims priority and benefit from U.S. Provisional Application Serial No. 61 / 568,865, filed June 12, 2012, entitled " Workpiece Carrier ", the entire contents of which are incorporated herein by reference for all purposes. Which is incorporated herein by reference.

본 개시는 일반적으로 피가공재 캐리어들 및 더 구체적으로는 이온 주입 시스템에서 다양한 크기의 웨이퍼들을 취급하기 위한 캐리어들에 관한 것이다.This disclosure generally relates to workpiece carriers and more particularly to carriers for handling wafers of various sizes in an ion implantation system.

정전식 클램프들 또는 척들(ESCs)은 이온 주입, 에칭, 화학 기상 증착(CVD) 등과 같은 플라즈마-기반 또는 진공-기반 반도체 처리들 중에 피가공재들 또는 기판들을 클램핑하기 위해 반도체 산업에 종종 이용된다. 통상적으로, 반도체 처리 시스템 및 관련 ESC는 하나의 특별한 크기의 피가공재를 클램핑하도록 설계된다. 그러나, 설계된 것과 상이한 크기의 피가공재를 처리하는 것은 피가공재 취급 구성요소들, ESCs, 및 다른 처리 장비의 재설계와 같은 다양한 문제들을 도입할 수 있다. 반도체 처리 시스템에서 피가공재 크기를 변경할 때 비용들 및 시스템 가동정지를 수반하는 것이 보통이며, 여기서는 취급 장비, ESCs, 및 다른 처리 장비 그리고 방법들의 실질적인 수정들이 통상적으로 필요하였다. 게다가, 그러한 처리가 고온에서 운용되는 경우에는 추가의 요건들이 시스템에 놓이게 된다.
Electrostatic clamps or chucks (ESCs) are often used in the semiconductor industry to clamp workpieces or substrates during plasma-based or vacuum-based semiconductor processes such as ion implantation, etching, chemical vapor deposition (CVD) Typically, semiconductor processing systems and associated ESCs are designed to clamp a specially sized work piece. However, processing workpieces of a different size than the one designed may introduce various problems, such as redesign of workpiece handling components, ESCs, and other processing equipment. Changes in workpiece size in semiconductor processing systems usually involve costs and system downtime, where practical modifications of handling equipment, ESCs, and other processing equipment and methods were typically required. In addition, when such processing is operated at high temperatures, additional requirements are placed on the system.

다양한 반도체 처리 시스템들의 상이한 크기의 피가공재를 위해 설계된 ESC 상의 하나의 크기의 피가공재를 처리하기 위한 필요성이 명확해지고 있다. 본 개시는 다양한 크기의 피가공재들을 고정하기 위한 피가공재 캐리어를 자세히 설명하며, 여기서 피가공재 캐리어는 사용이 쉽고, 고온에서 운용하는데 적합하며, 종래 기술에서 알려진 장비들의 다양한 변형들에 대한 비용 효과적인 해결책을 제공할 수 있다.
The need to process one size of workpiece on an ESC designed for different sized workpieces of various semiconductor processing systems is becoming clear. This disclosure details a workpiece carrier for securing workpieces of various sizes, wherein the workpiece carrier is easy to use, suitable for operation at high temperatures, and is a cost effective solution to various variations of equipment known in the prior art Can be provided.

본 발명은 반도체 처리 시스템 내에서 다양한 크기의 피가공재들을 취급 및 처리하기 위한 시스템, 장치 및 방법을 제공함으로써 종래 기술의 한계들을 극복한다. 따라서, 다음 내용은 본 발명의 몇몇 양태들에 대한 기본 이해를 제공하기 위해서 개시의 간단한 개요를 제시한다. 이러한 개요는 본 발명의 광범위한 개관이 아니다. 이는 본 발명의 핵심 또는 중요 요소들을 확인하려는 의도도 본 발명의 범주를 한정하려는 의도도 아니다. 이의 목적은 후에 제시되는 더 상세한 설명의 전조(preclude)로서 본 발명의 몇몇 개념들을 간단한 형태로 제시하려는 것이다.
The present invention overcomes the limitations of the prior art by providing a system, apparatus and method for handling and processing workpieces of various sizes within a semiconductor processing system. Accordingly, the following presents a simplified summary of the disclosure in order to provide a basic understanding of some aspects of the present invention. This summary is not an extensive overview of the present invention. It is neither intended to identify key or critical elements of the invention nor is it intended to limit the scope of the invention. Its purpose is to present some concepts of the present invention in a simplified form as a preclude of a more detailed description which is presented later.

제 1 외경, 제 1 내경 및 제 1 내경으로부터 제 1 외경을 향해 제 1 거리만큼 연장하는 제 1 오목부를 갖는 제 1 판을 포함하는 피가공재 캐리어가 제공된다. 피가공재 캐리어는 제 2 외경, 제 2 내경 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경을 향해 제 2 거리만큼 연장하는 제 2 오목부를 갖는 제 2 판을 더 포함한다. 제 1 판 및 제 2 판과 관련된 복수의 맞물림 특징부(feature)들은 제 1 판과 제 2 판 사이에서 제 1 피가공재의 위치를 제 1 오목부와 제 2 오목부 내에 선택적으로 고정시키도록 구성된다. 복수의 맞물림 특징부들은 이어(ear)들, 그루브들, 핀들, 구멍들, 및/또는 슬롯들을 포함할 수 있다.
And a first plate having a first outer diameter, a first inner diameter, and a first recess extending from the first inner diameter by a first distance toward the first outer diameter. The workpiece carrier further includes a second plate having a second outer diameter, a second inner diameter, and a second recess extending from the second inner diameter by a second distance toward the second outer diameter. The plurality of engaging features associated with the first and second plates are configured to selectively secure the position of the first workpiece between the first and second plates within the first and second recesses do. The plurality of engagement features may include ears, grooves, pins, holes, and / or slots.

위의 개요는 단지, 본 발명의 몇몇 실시예들의 몇몇 특징들에 대한 간단한 개관을 제공하려는 것이며, 다른 실시예들은 위에서 언급된 것들과 상이하고/하거나 부가적인 특징들을 포함할 수 있다. 특히, 이러한 개요는 본 출원의 범주를 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 따라서, 전술한 목적들 및 관련 목적들을 달성하기 위해서, 본 발명은 이후에 설명되고 특히 특허청구범위에 구체적으로 지적된 특징들을 포함한다. 다음의 설명 및 첨부 도면들은 본 발명의 특정된 예시적인 실시예들을 더 상세히 진술한다. 그러나, 이들 실시예들은 본 발명의 원리들이 사용될 수 있는 다양한 방식들 중의 일부만을 나타낸다. 본 발명의 다른 목적들, 장점들 및 신규한 특징들은 도면들과 함께 고려될 때 본 발명의 다음의 상세한 설명으로부터 자명해질 것이다.
The above summary is merely intended to provide a brief overview of some aspects of some embodiments of the present invention, and other embodiments may include features that are different and / or additional to those mentioned above. In particular, this summary should not be construed as limiting the scope of the present application. Accordingly, to the accomplishment of the foregoing and related ends, the invention includes the features hereinafter described and specifically pointed out in the claims. The following description and the annexed drawings set forth in detail certain illustrative embodiments of the invention. However, these embodiments represent only some of the various ways in which the principles of the present invention may be used. Other objects, advantages and novel features of the present invention will become apparent from the following detailed description of the invention when considered in conjunction with the drawings.

도 1은 본 개시의 여러 양태들에 따른 이온 주입 시스템을 포함하는 전형적인 진공 시스템의 블록도이며,
도 2는 본 개시의 다른 양태들에 따른 전형적인 피가공재 캐리어의 횡단면도이며,
도 3은 복수의 맞물림 특징부들을 갖는 전형적인 피가공재 캐리어의 분해된 상부 사시도를 예시하며,
도 4는 도 3의 전형적인 피가공재 캐리어의 분해된 저면 사시도를 예시하며,
도 5는 도 3 및 도 4의 전형적인 피가공재 캐리어의 상부 사시도를 예시하며,
도 6은 도 3 내지 도 5의 전형적인 피가공재 캐리어의 저면 사시도를 예시하며,
도 7은 복수의 맞물림 특징부들을 갖는 다른 전형적인 피가공재 캐리어의 분해된 상부 사시도를 예시하며,
도 8은 도 7의 전형적인 피가공재 캐리어의 분해된 저면 사시도를 예시하며,
도 9는 도 7 및 도 8의 전형적인 피가공재 캐리어의 상부 사시도를 예시하며,
도 10은 도 7 내지 도 9의 전형적인 피가공재 캐리어의 저면 사시도를 예시하며,
도 11 및 도 12는 본 개시의 피가공재 캐리어와 함께 전형적인 파지기(gripper) 기구들을 예시하며,
도 13은 또 다른 양태에 따라서 다수 크기의 피가공재들을 처리하기 위한 방법론을 예시한다.1 is a block diagram of a typical vacuum system including an ion implantation system in accordance with various aspects of the present disclosure,
Figure 2 is a cross-sectional view of an exemplary workpiece carrier according to another aspect of the present disclosure,
Figure 3 illustrates an exploded top perspective view of a typical workpiece carrier having a plurality of engagement features,
Figure 4 illustrates an exploded bottom perspective view of the exemplary workpiece carrier of Figure 3,
Figure 5 illustrates an upper perspective view of an exemplary workpiece carrier of Figures 3 and 4,
Figure 6 illustrates a bottom perspective view of an exemplary workpiece carrier of Figures 3-5,
Figure 7 illustrates an exploded top perspective view of another exemplary workpiece carrier having a plurality of engagement features,
Figure 8 illustrates an exploded bottom perspective view of the exemplary workpiece carrier of Figure 7,
Figure 9 illustrates a top perspective view of a typical workpiece carrier of Figures 7 and 8,
Figure 10 illustrates a bottom perspective view of a typical workpiece carrier of Figures 7 through 9,
Figures 11 and 12 illustrate typical gripper mechanisms with the workpiece carrier of the present disclosure,
Figure 13 illustrates a methodology for processing multiple sized workpieces according to yet another aspect.

본 개시는 일반적으로, 반도체 처리 시스템 내에서 다양한 크기의 피가공재들을 취급 및 처리하기 위한 시스템, 장치 및 방법에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 이제, 동일함 참조 번호들이 전반에 걸쳐 동일한 요소들을 지칭하는데 이용될 수 있는 도면들 참조하여 설명될 것이다. 이들 양태들에 대한 설명은 단지 예시적인 것이며 이들은 한정적인 의미로 해석되어서는 안 된다는 것이 이해될 것이다. 다음 설명에서, 설명의 목적들을 위해서 복수의 특정 상세들이 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 진술된다. 그러나, 본 발명이 이들 특정 상세들 없이도 실시될 수 있다는 것은 당업자에게는 자명할 것이다. 게다가, 본 발명의 범주는 첨부 도면들을 참조하여 이후에 설명되는 실시예들 또는 예들에 의해 한정하려는 것이 아니며 단지, 첨부된 특허청구범위 및 그의 균등물들에 의해서만 한정하려는 것이다.
This disclosure generally relates to systems, apparatus and methods for handling and processing workpieces of various sizes within a semiconductor processing system. Accordingly, the present invention will now be described with reference to the drawings, in which like reference numerals can be used to refer to like elements throughout. It is to be understood that the description of these aspects is merely exemplary and that they should not be construed in a limiting sense. In the following description, for purposes of explanation, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be practiced without these specific details. In addition, the scope of the present invention is not intended to be limited by the embodiments or examples described below with reference to the accompanying drawings, but only by the appended claims and their equivalents.

또한, 도면들은 본 개시의 실시예들에 대한 몇몇 양태들에 대한 예시를 주기 위해 제공되며, 따라서 단지 도시적인 것으로서 간주되어야 함에 주목해야 한다. 특히, 도면들에 도시된 요소들은 서로에 대해 반드시 축척대로 도시된 것이 아니며, 도면들에서 다양한 요소들의 배치는 각각의 실시예의 명확한 이해를 제공하기 위해서 선택된 것이며 본 발명의 실시예에 따른 실시들에서 다양한 구성요소들에 대한 실제적인 상대 위치들을 반드시 나타내는 것으로서 해석되어서는 안 된다. 게다가, 여기서 설명된 다양한 실시예들 및 예들의 특징들은 달리 특별히 언급하지 않은 한 서로 조합될 수 있다.
It should also be noted that the drawings are provided to provide an illustration of some aspects of embodiments of the present disclosure and should therefore be regarded as merely illustrative. In particular, the elements shown in the figures are not necessarily drawn to scale with respect to each other, and the arrangement of the various elements in the figures is chosen to provide a clear understanding of each embodiment, and in the embodiments according to the present invention It should not be construed as necessarily representing actual relative positions for various components. In addition, the features of the various embodiments and examples described herein can be combined with one another, unless specifically stated otherwise.

또한, 다음의 설명에서 도면들에 도시되고 여기서 설명되는 기능적 블록들, 장치들, 구성요소들, 회로 요소들 또는 다른 물리적 또는 기능적 유닛들 사이의 어떤 직접적인 연결 또는 커플링은 간접 연결 또는 커플링에 의해 또한 실시될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 게다가, 도면들에 도시된 기능적 블록들 또는 유닛들은 일 실시예에서 별도의 특징들 또는 회로들로서 실시될 수 있으며, 다른 실시예에서 공통의 특징 또는 회로로 실시될 수 있거나 이와는 달리 완전히 또는 부분적으로 실시될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 예를 들어, 여러 기능적 블록들이 신호 프로세서와 같은 공통의 프로세서를 운용하기 위한 소프트웨어로서 실시될 수 있다. 다음의 명세서에서 유선-기반으로서 설명된 임의의 연결은 반대로 언급하지 않는 한, 무선 통신으로서 또한 실시될 수 있다는 것이 추가로 이해되어야 한다.Further, any direct connection or coupling between the functional blocks, devices, components, circuit elements or other physical or functional units shown in the drawings and described herein in the following description is not intended to imply any limitation on indirect coupling or coupling As will be understood by those skilled in the art. In addition, the functional blocks or units illustrated in the figures may be embodied as separate features or circuits in one embodiment, and in other embodiments may be implemented in a common feature or circuit, or alternatively may be implemented in whole or in part Lt; / RTI > For example, various functional blocks may be implemented as software for operating a common processor such as a signal processor. It should further be understood that any connection described as wired-based in the following specification may also be implemented as a wireless communication, unless stated otherwise.

본 개시의 일 양태에 따르면, 도 1은 예시적인 처리 시스템(100)을 예시한다. 본 예에서 처리 시스템(100)은 이온 주입 시스템(ion implantation system)(101)을 포함하나, 플라즈마(plasma) 처리 시스템들, 반응 이온 에칭(reactive ion etching)(RIE) 시스템들, 또는 다른 반도체(semiconductor) 처리 시스템들과 같은, 다양한 다른 타입들의 처리 시스템들도 또한 고려된다. 예를 들어, 이온 주입 시스템(101)은 단자(102), 빔라인(beamline) 조립체(104), 및 엔드 스테이션(end station)(106)을 포함한다.
In accordance with one aspect of the present disclosure, FIG. 1 illustrates an exemplary processing system 100. In this example, the processing system 100 includes an ion implantation system 101, but may include plasma processing systems, reactive ion etching (RIE) systems, or other semiconductor Various other types of processing systems are also contemplated, such as semiconductor processing systems. For example, the ion implantation system 101 includes a terminal 102, a beamline assembly 104, and an end station 106.

일반적으로 말해서, 단자(102) 내의 이온 공급원(108)은 도펀트 가스(dopant gas)를 복수의 이온들로 이온화하기 위해 그리고 이온 빔(112)을 형성하기 위해 전원(power supply)(110)에 커플링된다. 본 예에서, 이온 빔(112)은 빔-스티어링(beam-steering) 장치(114)를 통해, 그리고 엔드 스테이션(106) 쪽으로 개구부(aperture)(116) 밖으로 지향된다. 엔드 스테이션(106)에서, 이온 빔(112)은 피가공재(118)(예를 들어, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 디스플레이 패널(display pannel) 등과 같은 반도체)에 충돌하며, 이는 선택적으로 클램핑(clamp)되거나 척(chuck)(120)(예를 들어, 정전척(electrostatic chuck) 또는 ESC)에 장착된다. 일단 피가공재(118)의 격자(lattice) 내에 박히면, 주입된 이온들은 피가공재의 물리적 및/또는 화학적 특성들을 변화시킨다. 이러한 이유 때문에, 이온 주입은, 재료 과학 연구에서의 다양한 적용예들뿐만 아니라 반도체 장치 제작 및 금속 표면처리(metal finishing)에 사용된다.
Generally speaking, the ion source 108 in the terminal 102 is coupled to a power supply 110 to ionize a dopant gas into a plurality of ions and to form an ion beam 112 . In this example, the ion beam 112 is directed out of the aperture 116 through the beam-steering device 114 and towards the end station 106. At the end station 106, the ion beam 112 impinges on the material to be processed 118 (e.g., a semiconductor such as a silicon wafer, a display panel, etc.) Or mounted on a chuck 120 (e.g., an electrostatic chuck or ESC). Once implanted in the lattice of the material to be processed 118, implanted ions change the physical and / or chemical properties of the material to be processed. For this reason, ion implantation is used for semiconductor device fabrication and metal finishing, as well as for various applications in material science research.

본 개시의 이온 빔(112)은 펜슬 또는 스팟 빔(spot beam), 리본 빔, 스캔 빔과 같은 임의의 형태, 또는 이온들이 엔드 스테이션(106) 쪽으로 지향되는 임의의 다른 형태를 취할 수 있으며, 모든 그러한 형태들은 개시의 범위 내에 포함되는 것으로서 고려된다.
The ion beam 112 of the present disclosure may take any form such as a pencil or spot beam, a ribbon beam, a scan beam, or any other form in which ions are directed toward the end station 106, Such forms are contemplated as being included within the scope of the disclosure.

하나의 전형적인 양태를 따르면, 엔드 스테이션(106)은 진공 챔버(124)와 같은 처리 챔버(122)를 포함하며, 여기서 처리 환경(126)은 처리 챔버와 결합된다. 처리 환경(126)은 일반적으로 처리 챔버(122) 내에 존재하고, 일 예에서, 처리 챔버에 커플링되고 실질적으로 처리 챔버를 비우도록 구성되는 진공원(128)(예를 들어, 진공 펌프)에 의해 제조되는 진공을 포함한다.
According to one exemplary aspect, the end station 106 includes a processing chamber 122, such as a vacuum chamber 124, wherein the processing environment 126 is coupled to the processing chamber. The processing environment 126 is generally located within the processing chamber 122 and in one example is coupled to a vacuum source 128 (e.g., a vacuum pump) coupled to the processing chamber and configured to substantially empty the processing chamber ≪ / RTI >

이온 주입 시스템(101)을 이용하여 주입 동안, 대전 이온(charged ion)들이 피가공재와 충돌하기 때문에, 에너지는 피가공재(118) 상에서 열의 형태로 증강된다. 대응책들이 없다면 그와 같은 열은 잠재적으로 피가공재(118)를 구부러지게 할 수 있거나 금이 가게 할 수 있으며, 이는 일부 실행예들에서 피가공재를 쓸모없게 (또는 상당히 덜 가치있게) 만들 수 있다. 열은 추가적으로, 피가공재(118)로 이송되는 이온들의 주입량이 바람직한 주입량과 다르게 할 수 있으며, 이는 원하는 것으로부터 기능적으로 변할 수 있다. 예를 들어, 1×1017 atoms/cm2 의 주입량이 피가공재(118)의 외측 표면 바로 아래의 매우 얇은 영역에 주입되는 것이 바람직하다면, 원하지 않는 가열은 이송된 이온들이 이러한 매우 얇은 영역으로부터 확산을 유발시킴으로써, 실제 달성된 주입량은 1×1017 atoms/cm2보다 더 작다. 실제로는, 원치 않은 가열은 주입된 전하(charge)를 원한 것보다 더 큰 영역 상으로 스미어링(smear)할 수 있으며, 이에 의해 원하는 것보다 더 작게 유효 주입량을 감소시킨다. 다른 원치않은 효과들은 또한 피가공재(118)의 원치 않은 가열로부터 발생할 수 있다. 개선된 CMOS 집적 회로 장치 제작에서 초박막 접합부(ultra shadow junction) 형성을 가능하게 하는 피가공재(118)의 표면의 바람직한 비정질화(amorphization)를 허용하는 것과 같은, 주위 온도(ambient temperature) 보다 아래 또는 위의 온도에서 이온들을 주입하는 것은 더 바람직할 수 있다. 이러한 경우들에서, 피가공재(118)의 냉각은 바람직하다. 다른 환경들에서, (예를 들어, 탄화 규소(silicon carbide) 내로의 고온의 주입과 같은) 주입 또는 처리를 보조하기 위한 다른 처리 중에 피가공재(118)를 더 가열하는 것이 바람직하다.
During implantation using the ion implantation system 101, the charged ions are augmented in the form of heat on the workpiece 118 because the charged ions collide with the workpiece. Without countermeasures, such heat can potentially cause the workpiece 118 to bend or crack, which may make the workpiece useless (or significantly less valuable) in some implementations. The heat may additionally cause the amount of ions delivered to the workpiece 118 to differ from the desired amount of implantation, which may vary functionally from the desired. For example, if it is desired that an implant dose of 1 x 10 17 atoms / cm 2 is injected into a very thin region immediately beneath the outer surface of the material to be processed 118, unwanted heating will cause the transferred ions to diffuse The actual amount of implantation achieved is less than 1 x 10 17 atoms / cm 2 . In practice, unwanted heating can smear the injected charge onto a larger area than desired, thereby reducing the effective dose less than desired. Other unwanted effects may also result from unwanted heating of the material to be processed 118. Or lower than the ambient temperature, such as to allow the desired amorphization of the surface of the material to be processed 118 that enables the formation of an ultra shadow junction in the fabrication of an improved CMOS integrated circuit device. Lt; RTI ID = 0.0 > of < / RTI > In these cases, cooling of the workpiece 118 is preferred. In other circumstances it may be desirable to further heat the workpiece 118 during other processes to assist in implantation or processing (e.g., implantation of a high temperature into a silicon carbide).

따라서, 또 다른 예에 따르면, 척(120)은 제어 온도(controlled temperature) 척(130)을 포함하며, 여기서 제어 온도 척은 피가공재를 지지하고, 이온 빔(112)에 피가공재를 노출하는 동안 처리 챔버(122) 내의 피가공재(118)를 선택적으로 냉각, 가열하거나 그렇지 않으면 선결정된 온도를 유지하도록 구성된다. 그 때문에, 본 예에서 제어 온도 척(130)이 피가공재(118)를 지지하고 냉각하도록 구성되는 주위 온도 이하(sub-ambient temperature)의 척 또는 처리 챔버(122) 내의 피가공재를 지지하고 가열하도록 구성되는 주위 온도 이상(super-ambient temperature)의 척을 포함할 수 있는 것이 주목되어야 한다. 또 다른 예에서, 제어 온도 척(130)은 피가공재에 대한 가열 또는 냉각을 제공할 수 없다.
Thus, in accordance with another example, the chuck 120 includes a controlled temperature chuck 130, wherein the control temperature chuck supports the workpiece, and while exposing the workpiece to the ion beam 112 To selectively cool, heat, or otherwise maintain a predetermined temperature of the material to be processed 118 in the processing chamber 122. Thus, in this example, the control temperature chuck 130 is configured to support and heat the chuck in the sub-ambient temperature or processing chamber 122 configured to support and cool the workpiece 118 It should be noted that it may include chucks of super-ambient temperature. In another example, the control temperature chuck 130 can not provide heating or cooling to the workpiece.

예를 들어, 제어 온도 척(130)은 각각, (예를 들어, 또한 "대기 환경"으로 불리는) 주변 또는 외부 환경(132)의 주위 또는 대기 온도보다 상당히 더 낮고 또는 더 높은 처리 온도로 피가공재(118)를 냉각하거나 가열하는 정전식 척을 포함한다. 열 시스템(134)이 더 제공될 수 있으며, 여기서 또 다른 예에서 열 시스템은 제어 온도 척(130)을 처리 온도로 냉각하거나 가열하도록 구성되고, 따라서 피가공재(118)가 이의 위에 존재한다.
For example, each of the control temperature chucks 130 may be heated to a processing temperature that is significantly lower or higher than the ambient or ambient temperature 132 (e.g., also referred to as the "atmospheric environment ≪ RTI ID = 0.0 > 118 < / RTI > A thermal system 134 may be further provided wherein the thermal system is configured to cool or heat the control temperature chuck 130 to the process temperature and thus the workpiece 118 is present thereon.

또 다른 양태에 따라서, 도 1을 다시 참조하면 로드록 챔버(load lock chamber)(136)는 처리 챔버(122)에 작동가능하게 추가로 커플링되며, 여기서 로드록 챔버는 처리 환경(126)을 외부 환경(132)로부터 분리하도록 구성된다. 로드록 챔버(136)는, 처리 챔버(122)와 외부 환경(132) 사이에서, 예컨대 로드록 챔버(122)와 작동가능하게 결합(associate)되거나 커플링되는 피가공재 이송 컨테이너(140)(예를 들어, FOUP 또는 피가공재 카세트(cassette))로 및/또는 그로부터 피가공재의 이송 동안 피가공재(118)를 지지하도록 구성되는 피가공재 지지부(138)를 더 포함한다. 따라서, 로드록 챔버(136)은 로드록 챔버 환경(142)을 변경함에 의해 진공 시스템(100) 내에서 처리 환경(126)(예를 들어, 진공 환경)을 유지된다. 예를 들어, 로드록 챔버(136) 내의 압력은 처리 환경(126)과 결합된 진공과 외부 환경(138)과 결합된 압력 사이에서 변화되도록 구성된다.
1, a load lock chamber 136 is operably further coupled to the process chamber 122, where the load lock chamber is operatively coupled to the process environment 126 And is configured to separate from the external environment 132. The load lock chamber 136 includes a workpiece transfer container 140 (e.g., a transfer chamber) that is operatively associated with or coupled to the load lock chamber 122, for example, between the processing chamber 122 and the external environment 132 Further comprising a workpiece support 138 configured to support a workpiece 118 to and / or from a FOUP or workpiece cassette (e.g., a FOUP or a workpiece cassette). Thus, the load lock chamber 136 is maintained in a processing environment 126 (e.g., a vacuum environment) within the vacuum system 100 by changing the load lock chamber environment 142. For example, the pressure in the load lock chamber 136 is configured to vary between the vacuum associated with the processing environment 126 and the pressure associated with the external environment 138.

게다가, 또 다른 전형적인 양태에 따라, 대기 로봇(atmospheric robot)(144)이 로드록 챔버(122)와 피가공재 이송 컨테이너(142) 사이에서 피가공재(118)를 선택적으로 이송하도록 구성된다. 예를 들어, 피가공재 이송 컨테이너(142)는 외부 환경(138)으로, 예컨대 진공 시스템(100)으로 및/또는 그로부터 복수의 피가공재(118)들을 이송하도록 구성된다. 진공 로봇(146)은 추가로, 로드록 챔버(122)와 척(120) 사이에서 피가공재(118)를 선택적으로 이송하도록 구성된다. 게다가, 제어부(148)는 예컨대, 진공 시스템(100)의 다른 구성 요소들뿐만 아니라 하나 또는 그 초과의 대기 로봇(144), 진공 로봇(146), 척(120)을 제어함으로써, 진공 시스템(100)을 통한 피가공재(118)의 운동을 선택적으로 제어하도록 구성된다.
In addition, according to another exemplary aspect, an atmospheric robot 144 is configured to selectively transport the material to be processed 118 between the load lock chamber 122 and the workpiece transfer container 142. For example, the workpiece transfer container 142 is configured to transfer a plurality of workpieces 118 to and / or from an external environment 138, for example, into the vacuum system 100. The vacuum robot 146 is further configured to selectively transport the material to be processed 118 between the load lock chamber 122 and the chuck 120. The control unit 148 can control the vacuum system 100 by controlling one or more of the atmospheric robots 144, the vacuum robot 146 and the chuck 120, as well as other components of the vacuum system 100, for example. To selectively control the movement of the material to be processed 118.

본 발명자들은 변화하는 크기들(예를 들어, 100mm 내지 300mm로 변화하는 직경들)을 가지는 피가공재(118)를 처리하기 위한 동일한 진공 시스템(100)을 이용하는 것이 유리할 수 있고 이러한 다양한 크기의 피가공재들을 처리하는 것이 이후에 개시되는 장치들 및 시스템들에 의해 달성될 수 있는 것을 인식한다. 그 때문에, 지금까지 알려진 비싼 장비의 변경들이 제거될 수 있으며, 시스템 효율성들이 본 개시된 장치들, 시스템들 및 방법들에 의해 달성될 수 있다.
The present inventors may find it advantageous to utilize the same vacuum system 100 for processing the workpiece 118 having varying sizes (e.g., diameters varying from 100 mm to 300 mm) Lt; RTI ID = 0.0 > devices < / RTI > and systems disclosed hereinafter. As such, changes to expensive equipment known to date can be eliminated, and system efficiencies can be achieved by the disclosed devices, systems, and methods.

일 예시적인 양태에 따라서, 도 2에서 예시되는 것과 같은, 피가공재 캐리어(carrier)(150)가 제공되며, 여기서 피가공재 캐리어는 100mm의 피가공재를 150mm의 척(예를 들어, 도 1의 척(120)) 상에 고정하도록 구성된다. 피가공재(118)의 특정 직경들 및/또는 크기들이 설명되었지만, 이러한 직경들 및/또는 크기들은 본 개시의 범주를 제한하는 것이 의도되지 않고, 본 개시는 다양한 다른 크기들의 척(120)들 및 피가공재(118)들로 확장될 수 있는 것에 주목해야 한다.
According to one exemplary aspect, a workpiece carrier 150, such as that illustrated in FIG. 2, is provided, wherein the workpiece carrier is made from a 100 mm workpiece with a 150 mm chuck (e.g., (Not shown). Although specific diameters and / or sizes of the material to be processed 118 have been described, these diameters and / or sizes are not intended to limit the scope of this disclosure, and this disclosure is applicable to various other sizes of chucks 120 and / It should be noted that it can be extended to the materials to be processed 118.

일 예에서, 피가공재 캐리어(150)는 제 1 외경(154), 제 1 내경(156), 및 제 1 내경으로부터 제 1 외경 쪽으로 제 1 거리(160)만큼 연장하는 제 1 오목부(158)을 가지는 제 1 판(152)을 포함한다. 제 2 판(162)이 더 제공되며, 여기서 제 2 판은 제 2 외경(164), 제 2 내경(166), 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경쪽으로 제 2 거리(170)만큼 연장하는 제 2 오목부(recess)(168)를 가진다.
In one example, the workpiece carrier 150 includes a first outer diameter 154, a first inner diameter 156, and a first recess 158 extending from the first inner diameter by a first distance 160 toward the first outer diameter, And a first plate 152 having a first end 152a. A second plate 162 is further provided wherein the second plate has a second outer diameter 164, a second inner diameter 166 and a second outer diameter 164 extending from the second inner diameter toward the second outer diameter by a second distance 170, And has a recess 168.

일 예에 따르면, 복수의 맞물림 특징부(172)들이 제 1 판(152) 및 제 2 판(162)과 추가로 결합되며, 여기서 복수의 대응 특징부들은 제 1 판과 제 2 판 사이의 제 1 오목부(158) 및 제 2 오목부(168) 내에 제 1 피가공재(174)의 위치를 선택적으로 고정하도록 구성된다.
According to one example, a plurality of engagement features 172 are further coupled to a first plate 152 and a second plate 162, wherein a plurality of corresponding features are disposed between the first and second plates 152, 1 is configured to selectively fix the position of the first work piece 174 in the first recess portion 158 and the second recess portion 168. [

또 다른 예에 따르면, 제 1 판(152)의 제 1 외경(154)은 제 2 피가공재(176)의 (예를 들어, 동일한)직경과 결합되고, 여기서 제 1 피가공재(174)의 직경은 제 2 피가공재의 직경보다 더 작다. 예를 들어, 제 1 피가공재(174)의 직경은 대략 100mm 이고, 제 2 피가공재(176)은 대략 150 mm 이다.
According to another example, the first outer diameter 154 of the first plate 152 is coupled with a (e.g., the same) diameter of the second workpiece 176, wherein the diameter of the first workpiece 174 Is smaller than the diameter of the second work piece. For example, the diameter of the first workpiece 174 is approximately 100 mm, and the diameter of the second workpiece 176 is approximately 150 mm.

일 예에 따르면, 도 3 내지 도 6에서 예시되는 것처럼, 복수의 대응 특징부(172)들은 제 1 판(152)의 상부 표면(182) 내로 연장하는 복수의 슬롯(180)들뿐만 아니라 제 2 판(162)의 제 2 외경(164)으로부터 연장하는 복수의 이어(ear)(178)들을 포함한다. 예를 들어, 복수의 이어(178)들은 제 2 판(162)의 바닥 표면(184)으로부터 연장된다. 예를 들어, 복수의 이어(178)들은 피가공재(118)의 취급과 연관된 로봇 파지기(robotic gripper)(185)들과 함께 일렬로 세워질 수 있으며, 여기서 제 1 및 제 2 판(152 및 162) 모두는 취급 동안 파지된다. 도 2에서 다시 예시되는 것처럼, 제 1 판(152)은 로봇 파지기(185)에 의해 이의 제 1 직경(154) 주위에 선택적으로 파지되도록 구성된다. 또 다른 예에서, 제 2 판(162)의 적어도 일부분(예를 들어, 이어(178)들)은 로봇 파지기(185)에 의해 이의 제 2 직경(164) 주위에 선택적으로 파지되도록 구성된다.
3 to 6, the plurality of corresponding features 172 may include a plurality of slots 180 extending into the top surface 182 of the first plate 152, And a plurality of ears (178) extending from the second outer diameter (164) of the plate (162). For example, the plurality of earrings 178 extend from the bottom surface 184 of the second plate 162. For example, a plurality of ears 178 may be laid up in line with robotic grippers 185 associated with handling of the work piece 118, wherein the first and second plates 152 and 162 ) All are gripped during handling. As illustrated again in FIG. 2, the first plate 152 is configured to be selectively gripped about its first diameter 154 by the robot gripper 185. In another example, at least a portion of the second plate 162 (e.g., earpieces 178) is configured to be selectively gripped about its second diameter 164 by the robot gripper 185.

또 다른 예에 따르면, 도 7 내지 도 10에서 예시되는 것처럼, 복수의 대응 특징부(172)들은 제 2 판(162)의 바닥 표면(184)으로부터 연장되는 복수의 핀(186)들 및 제 1 판(152)의 상부 표면(190) 내로 연장되는 복수의 구멍(188)들을 포함한다. 중력은 제 2 판(162)을 제자리에 고정하고, 제 1 피가공재(174)는 제 1 판(152), 웨이퍼(174), 및 제 2 판(162)의 적층의 간섭에 의해 구속된다.
7 to 10, the plurality of corresponding features 172 may include a plurality of fins 186 extending from the bottom surface 184 of the second plate 162 and a plurality of fins 186 extending from the bottom surface 184 of the second plate 162. In accordance with another example, And a plurality of apertures 188 extending into the top surface 190 of the plate 152. The gravity fixes the second plate 162 in place and the first workpiece 174 is constrained by the interference of the stacking of the first plate 152, the wafer 174, and the second plate 162.

예를 들어, 제 2 판(162)은 제 2 판의 바닥 표면(184)으로부터 아래로 연장되는 두 개 또는 그 초과의 핀(186)들을 포함한다. 예를 들어, 이러한 핀(186)들은 제 1 판(152)에서 상응하는 구멍(188)들 또는 (도시되지 않은) 슬롯들 내에 끼워 맞춰진다. 예를 들어, 핀(186)들은 더 이상 제 1 판(152)의 두께보다 더 크지 않을 수 있으며; 따라서, 핀들은 제 1 판의 바닥 표면을 넘어 돌출하고 클램핑을 방해할 수 없다. 또 다른 예에서, 핀(186)들은 제 1 판(152) 상에 위치될 수 있고, 제 2 판(162)가 핀들을 수용하기 위한 구멍(188)들을 가질 것이다. 이러한 배열은 더 낮은 온도들에서는 양호할 수 있으나, 높은 또는 매우 높은 온도들에서는 덜 바람직할 수 있는데, 이는 제 2 판(162)가 제 1 판(152)보다 더 천천히 가열될 수 있고, 핀(186)들이 제 2 판(162)의 크랙을 강요할 수 있기 때문이다. 그러나, 재료의 선택에 따라, 이것은 양호한 해결책일 수 있다.
For example, the second plate 162 includes two or more pins 186 extending down from the bottom surface 184 of the second plate. For example, these fins 186 fit within the corresponding holes 188 or slots (not shown) in the first plate 152. For example, the fins 186 may no longer be greater than the thickness of the first plate 152; Thus, the pins protrude beyond the bottom surface of the first plate and can not interfere with clamping. In another example, the pins 186 may be positioned on the first plate 152 and the second plate 162 may have holes 188 for receiving the pins. This arrangement may be acceptable at lower temperatures, but may be less desirable at high or very high temperatures because the second plate 162 may be heated more slowly than the first plate 152, 186 can force the second plate 162 to crack. However, depending on the choice of material, this can be a good solution.

예를 들어, 제 1 피가공재(174)가 제 1 판 안에 존재하는 것을 허용하기 위하여, 제 1 판(152)은 관통 구멍의 내측 반경 상에서 제거되는 하나의 단차부(step) 또는 제 1 오목부(158)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 단차부는 사용되는 가장 얇은 피가공재보다 덜 깊을 것이다. 이것은 제 1 피가공재(174)가 캐리어(150) 내에 위치될 때, 제 2 판(162)이 제 1 피가공재 상에 압력을 가할 것이며, 이는 제 1 피가공재를 제자리에 고정하는 것을 보장할 것이다. 또 다른 실시예에서, 단차부 또는 제 1 오목부(158)는 사용될 것으로 예상되는 가장 두꺼운 피가공재보다 더 깊을 것이다. 이러한 경우에 있어서, 제 2 판(162)은, 단차부 내로 제 1 피가공재(174)를 다시 가압하기에 충분하도록 아래로 돌출하는 립(lip)(예를 들어, 제 2 오목부(168))을 가질 것이며, 이는 제 1 피가공재가 제자리에 고정되고 움직이지 않게 보장한다. 두 경우들에서, 상부 판의 무게는 제 1 피가공재(174)를 제자리에 고정하는데 추가로 사용될 것이다.
For example, in order to allow the first work piece 174 to be present in the first plate, the first plate 152 may have a step or a step removed on the inner radius of the through hole, Lt; RTI ID = 0.0 > 158 < / RTI > In one embodiment, such a step will be less deep than the thinnest material to be used. This will ensure that when the first workpiece 174 is positioned within the carrier 150, the second plate 162 will apply pressure on the first workpiece, which will ensure that the first workpiece is held in place . In another embodiment, the step or first recess 158 will be deeper than the thickest material to be expected to be used. In this case, the second plate 162 is provided with a lip (e.g., a second recess 168) projecting downwardly enough to again press the first workpiece 174 into the stepped portion, ), Which ensures that the first work piece is held in place and does not move. In both cases, the weight of the top plate will additionally be used to secure the first work piece 174 in place.

또 다른 예에서, 제 1 피가공재(174)를 도 7 내지 도 10의 피가공재 캐리어(150) 내로 삽입하기 위해, 제 2 판(162)는 간단히 제거되고, 제 1 피가공재(175)는 단차부 또는 제 1 오목부(158) 상에 위치되고, 제 2 판은 제 1 판 내의 구멍(188)과 결합하는 핀(186)들에 의해 제 1 판(152) 상에 다시 위치된다. 제 1 피가공재(174)를 제거하기 위하여, 제 2 판(162)은 들어 올려지고, 제 1 피가공재(174)는 꺼내지고, 제 2 판은 교체될 수 있다.
In another example, to insert the first workpiece 174 into the workpiece carrier 150 of Figs. 7-10, the second plate 162 is simply removed, and the first workpiece 175 is removed And the second plate is located on the first plate 152 again by the pins 186 engaging the holes 188 in the first plate. To remove the first workpiece 174, the second plate 162 is lifted, the first workpiece 174 is removed, and the second plate can be replaced.

또 다른 예에서, 도 2의 제 1 거리(106) 및 제 2 거리(170)는 제 1 피가공재(174)의 배제(exclusionary) 구역들과 결합되며, 여기서 반도체 장치들은 일반적으로 배제 구역에 형성되지 않는다. 예를 들어, 제 1 판(152)의 제 1 오목부(158) 및 제 2 판의 제 2 오목부(168)는 제 1 피가공재(174)의 주변부 주위변에서 배제 구역과 접촉되도록 구성된다. 제 1 판(152) 및 제 2 판(162)은, 예를 들어 하나 또는 그 초과의 흑연(graphite), 탄화 규소(silicon carbide), 알루미나(alumina), 및 석영(quartz)으로 구성된다. 제 1 판 및 제 2 판은 상이한 재료들, 또는 유사한 재료들로 구성될 수 있다. 게다가, 각각, 제 1 피가공재(174)와 제 1 및 제 2 오목부(158 및 168) 사이에 유리한 간섭이 존재할 수 있다. 예를 들어, 제 1 판(152) 및 제 2 판(162)은 대략 700℃보다 더 큰 온도들에서 구조적으로 안정적인 재료로 구성된다.
In another example, the first distance 106 and the second distance 170 of FIG. 2 are combined with exclusionary zones of the first workpiece 174, wherein the semiconductor devices are generally formed in an exclusion zone It does not. For example, the first recessed portion 158 of the first plate 152 and the second recessed portion 168 of the second plate are configured to be in contact with the exclusion zone at the periphery of the periphery of the first workpiece 174 . The first plate 152 and the second plate 162 are comprised of, for example, one or more graphite, silicon carbide, alumina, and quartz. The first and second plates may be composed of different materials, or similar materials. In addition, there may be beneficial interference between the first workpiece 174 and the first and second recesses 158 and 168, respectively. For example, the first plate 152 and the second plate 162 are constructed of structurally stable materials at temperatures greater than approximately 700 ° C.

또 다른 예에서, 제 1 오목부(158)의 깊이(192A)와 제 2 오목부(168)의 깊이(192B)의 조합은 제 1 피가공재(174)의 두께(194)보다 더 작다. 계속하여 또 다른 예에서, 제 1 오목부(158)의 깊이(192A)와 제 2 오목부(168)의 깊이(192B)의 조합은 제 1 피가공재(174)의 두께(194)보다 더 크다.
In another example, the combination of the depth 192A of the first recess 158 and the depth 192B of the second recess 168 is smaller than the thickness 194 of the first work piece 174. The combination of the depth 192A of the first recess 158 and the depth 192B of the second recess 168 is greater than the thickness 194 of the first workpiece 174 .

도 2의 척(130)은, 예를 들어 기계식(예를 들어, 기계식 클램핑)일 수 있으며; 그러나 적절하게 클램핑하도록, 피가공재 캐리어(150)가 적합하게 전도성(conductive)이라면, 척은 대안적으로 정전식(electrostatic)(ESC)일 수 있다. 제 1 판(152)은 또한, 히터(heater)/척의 시선이 아래에 있을 수 있게 중심에 구멍을 가진다. 제 2 판(162)도 또한, 이온 빔 또는 다른 처리 매체가 웨이퍼 또는 피가공재(118)의 정면 표면에 도달하는 것을 허용하도록 그 안에 구멍을 가진다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 판(152 및 162)들 모두에서의 구멍들은 제 1 피가공재 직경보다 더 작지만, (예를 들어, 에지(edge) 배제 구역보다 더 배제되지 않는) 대부분의 피가공재가 척 아래로 또는 전방 측 상의 이온 빔에 보이거나 노출될 수 있도록 충분히 크다. 제 1 및 제 2 판(152 및 162)들에서의 이러한 구멍들은 완전히 둥글수 있거나, 또는 웨이퍼를 평평하게 정렬하는 특징부들 또는 노치(notch)를 포함할 수 있다.
The chuck 130 of FIG. 2 may be, for example, mechanical (e. G., Mechanical clamping); However, if the workpiece carrier 150 is suitably conductive for proper clamping, the chuck may alternatively be electrostatic (ESC). The first plate 152 also has a hole centrally so that the line of sight of the heater / chuck may be below. The second plate 162 also has holes therein to allow the ion beam or other treatment media to reach the front surface of the wafer or workpiece 118. For example, the holes in both the first and second plates 152 and 162 are smaller than the first work piece diameter, but most of the blood (e.g., So that the work piece can be seen or exposed to the ion beam on the chuck beneath or on the front side. These apertures in the first and second plates 152 and 162 may be fully rounded or may include features or notches that evenly align the wafer.

예를 들어, 피가공재 캐리어(150)는 150 mm 척(130)에 100 mm 웨이퍼들을 유지하도록 의도된 것이다. 예를 들어, 제 1 판(152) 및 제 2 판(162)은 상보적인 형상들을 가질 수 있다. 제 2 판(162)은 "윙들"을 갖는 고리를 가질 수 있으며, 바닥 판(152)은 상부 판의 윙들을 수용하기 위한 노치들을 갖는 다른 고리일 수 있다. 제 1 판(152) 및 제 2 판(162)(예를 들어, 각각의 상부 판 및 바닥 판)은 상부 판 상의 "윙들" 또는 이어(178)들이 바닥 판 상의 대응 노치들 내에 안착될 수 있도록 안착될 것이다. 두 개의 판(152,162)들은 평면에 안착되어서, 완전하고 균일한 캐리어 표면을 형성할 것이다. 부가로, 바닥 판 내의 노치들 중의 하나는 하부절단되어서(under cut), 상부 판 내의 맞물림 특징부가 상부 판을 제자리에 끼워 맞춰 유지될 수 있게 한다.
For example, the workpiece carrier 150 is intended to hold 100 mm wafers on a 150 mm chuck 130. For example, the first plate 152 and the second plate 162 may have complementary shapes. The second plate 162 may have a ring with "wings ", and the bottom plate 152 may be another ring having notches for receiving the wings of the top plate. The first plate 152 and the second plate 162 (e.g., each top plate and bottom plate) are configured such that the "wings" or ears 178 on the top plate are seated within corresponding notches on the bottom plate Lt; / RTI > The two plates 152,162 will be seated in a plane to form a complete and uniform carrier surface. In addition, one of the notches in the bottom plate is undercut so that the engaging feature in the top plate allows the top plate to fit into place.

클램프(130)에 있는 동안에, 기계식 또는 정전식에 무관하게 상부 판으로부터의 윙들 또는 이어(178)들은 클램프 구조물에 의해 제자리에 유지될 것이다. 차례로, 피가공재(174) 및 제 1 판(152)이 아래로 클램프 고정된다.
While in clamp 130, the wings or ears 178 from the top plate, regardless of mechanical or electrostatic, will be held in place by the clamping structure. In turn, the work piece 174 and the first plate 152 are clamped downward.

웨이퍼 또는 피가공재를 피가공재 캐리어(150)의 내측으로 삽입하기 위해서, 제 2 판(162)(상부 판)이 리프트되고 위로 피봇되어서, 하부절단 표면 주위에 힌지고정된다. 상부 판은 제거될 수 있다. 피가공재는 그 후에 제 1 오목부(158) 내에 놓이며, 제 2 판(162)은 다시 제 1 판(152) 상에 놓이고 먼저 하부절단부를 잡고나서 제자리에 아래로 힌지고정된다. 이들의 노치들 내의 윙들 또는 이어들과 하부절단 표면의 조합으로 제 1 피가공재(174)를 제자리에 단단히 유지하는 역할을 한다. 제 1 피가공재(174)를 제거하기 위해서, 제 2 판(162)이 다시 리프트되고 위로 피봇되며, 피가공재가 꺼내지고 제 2 판(162)이 교체될 수 있다.
To insert the wafer or workpiece into the interior of the workpiece carrier 150, the second plate 162 (the top plate) is lifted and pivoted up and hinged around the lower cutting surface. The top plate can be removed. The material to be processed is then placed in the first recess 158 and the second plate 162 is again placed on the first plate 152 and first held by the lower cut and then hinged down in place. And serves to hold the first work piece 174 firmly in place by a combination of wings or ears in their notches and a bottom cut surface. In order to remove the first work piece 174, the second plate 162 is lifted up again and pivoted upward, the work piece can be taken out and the second plate 162 can be replaced.

도 11 및 도 12는 파지기 로봇(196)에 의해 파지될 전형적인 피가공재 캐리어(150)의 여러 도면들을 예시하며, 여기서 파지기 로봇은 전술한 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 파지기(198)에 의해 적어도 제 1 판을 파지한다.
11 and 12 illustrate various views of a typical workpiece carrier 150 to be gripped by a gripper robot 196, wherein the gripper robot may include one or more grippers 198, as described above, At least the first plate is gripped.

본 발명의 또 다른 전형적인 양태에 따라서, 도 13은 상이한 직경들을 갖는 제 1 및 제 2 피가공재를 선택적으로 파지 및 처리하도록 제공되는 전형적인 방법(200)을 예시한다. 전형적인 방법들이 일련의 액트(act)들 또는 이벤트(event)들로서 여기서 예시되고 설명되었지만, 본 발명에 따라서 몇몇 단계들이 여기서 도시되고 설명된 것과는 별개로 다른 순서로 및/또는 다른 단계들과 동시에 발생할 수 있기 때문에, 본 발명은 그와 같은 액트들 또는 이벤트들에 대한 예시된 순서에 의해 한정되지 않는다는 것이 이해될 것임에 주목해야 한다. 또한, 본 발명에 따른 방법론을 실시하는데 예시된 모든 단계들이 요구되지 않을 수 있다. 게다가, 상기 방법들은 여기서 예시되고 설명된 시스템들과 관련하여, 뿐만 아니라 예시되지 않은 다른 시스템들과 관련하여 실시될 수 있다는 것이 인식될 것이다.
According to another exemplary aspect of the present invention, Figure 13 illustrates an exemplary method 200 that is provided to selectively grasp and process first and second workpieces having different diameters. Although the exemplary methods are illustrated and described herein as a series of acts or events, some of the steps may occur in different orders and / or concurrently with other steps, It should be understood that the present invention is not limited by the illustrated order of such acts or events. Moreover, not all illustrated steps may be required to practice the methodology in accordance with the present invention. Moreover, it will be appreciated that the above methods may be practiced in connection with the systems illustrated and described herein, as well as with other systems not illustrated.

도 13의 방법(200)은 액트(202)에서 시작하며, 여기서 제 1 피가공재 또는 제 2 피가공재가 처리될 것인지의 여부가 결정된다. 본 예에서, 제 1 피가공재의 직경은 제 2 피가공재의 직경보다 더 작다. 액트(204)에서, 제 1 피가공재가 처리될 예정일 때 제 1 피가공재는 제 1 판의 제 1 오목부 내에 위치되며, 여기서 제 1 판은 제 2 피가공재의 직경과 관련된 제 1 외경을 가지며, 여기서 제 1 판은 제 1 내경을 가지며, 여기서 제 1 오목부는 제 1 내경으로부터 제 1 외경을 향하여 제 1 거리만큼 연장한다. 액트(206)에서, 제 2 판은 제 1 판 위에 위치되며, 제 2 판은 제 1 외경, 제 2 내경 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경을 향하여 연장하는 제 2 오목부를 가지며, 여기서 제 1 피가공재의 위치는 일반적으로 제 1 판과 제 2 판 사이에서 제 1 오목부와 제 2 오목부 내에 고정되며, 여기서 제 1 판과 제 2 판과 관련된 복수의 맞물림 특징부들은 제 1 판과 제 2 판 사이에 제 1 피가공재의 위치를 추가로 선택적으로 고정한다. 액트(208)에서, 제 1 외경의 제 1 판이 파지되며, 제 1 피가공재가 액트(210)에서 계속해서 처리된다.
The method 200 of FIG. 13 begins at Act 202, where it is determined whether the first workpiece or the second workpiece is to be processed. In this example, the diameter of the first work piece is smaller than the diameter of the second work piece. In act 204, the first work piece is positioned within the first recess of the first plate when the first work piece is to be processed, wherein the first plate has a first outer diameter associated with the diameter of the second work piece Wherein the first plate has a first inner diameter, wherein the first recess extends a first distance from the first inner diameter toward the first outer diameter. In Act 206, the second plate is positioned over the first plate, and the second plate has a second recess extending from the first outer diameter, the second inner diameter, and the second inner diameter toward the second outer diameter, The location of the workpiece is generally fixed within the first recess and the second recess between the first and second plates, wherein the plurality of engaging features associated with the first and second plates comprises a first plate and a second plate, Further selectively fixing the position of the first workpiece between the plates. In the act 208, a first plate of a first outer diameter is held and the first work piece is subsequently processed in the act 210.

액트(202)에서 이루어진 결정이 더 큰 직경을 갖는 제 2 피가공재가 처리되는 것이라면, 제 2 피가공재의 주변부가 액트(212)에서 파지되며 제 2 피가공재가 액트(214)에서 계속해서 처리된다.
If the crystals made in the act 202 are to be treated with a second workpiece having a larger diameter, then the periphery of the second workpiece is held in the act 212 and the second workpiece is subsequently processed in the act 214 .

일 예에서, 제 1 피가공재 또는 제 2 피가공재가 처리될 것인가의 여부에 기초하여, 제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나가 처리 챔버 내에 위치된 척으로 계속해서 이송될 수 있다.
In one example, based on whether the first workpiece or the second workpiece is to be processed, one of the first and second workpieces can be continuously transferred to the chuck located in the process chamber.

예를 들어, 척을 통해서 제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 선택적으로 파지하는 것은 척을 통해서 제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 정전식으로 또는 기계식으로 파지하는 것을 포함할 수 있다.
For example, selectively grasping one of the first plate and the second workpiece through the chuck may include electrostatically or mechanically grasping one of the first plate and the second workpiece through the chuck .

본 발명이 특정 실시예 또는 실시예들에 대해 도시되고 설명되었지만, 전술한 실시예들은 단지, 본 발명의 몇몇 실시예들의 실시들을 위한 예들로서의 역할을 하며, 본 발명의 적용은 이들 실시예들에 제한되지 않는다는 것에 주목해야 한다. 특히 전술한 구성요소들(조립체들, 장치들, 회로들 등)에 의해 수행되는 다양한 기능들에 관하여, 그와 같은 구성요소들을 설명하는데 사용된 ("수단"에 대한 언급을 포함한)용어들은 본 발명의 여기서 예시된 전형적인 실시예들에서의 기능을 수행하는 개시된 구성과 구조적으로 균등하지 않을지라도, 전술한 구성요소의 특정 기능을 수행하는(즉, 기능적으로 균등한)임의의 구성요소에, 달리 나타내지 않는 한 대응하는 것으로 의도된다. 또한, 본 발명의 특정 특징이 여러 실시예들 중의 단지 하나에 관하여 개시되었을 수 있더라도, 임의로 주어진 적용 또는 특정 적용에 바람직하고 유리하다면 그러한 특징은 다른 실시예들의 하나 또는 그 초과의 다른 특징들과 조합될 수 있다. 따라서, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니며 단지 첨부된 특허청구범위 및 그의 균등물에 의해서만 한정될 것이다.
Although the present invention has been shown and described with respect to specific embodiments or embodiments, it should be understood that the above-described embodiments are merely illustrative of the acts of some embodiments of the present invention, But are not limited to. (Including references to "means") used to describe such components, in particular as regards the various functions performed by the components (assemblies, devices, circuits, etc.) Although not structurally equivalent to the disclosed configurations for performing the functions in the exemplary embodiments illustrated herein, any component that performs the specific function of the components described above (i.e., functionally equivalent) Unless otherwise indicated, are intended to correspond. Furthermore, although certain features of the invention may be disclosed with respect to only one of several embodiments, it will be appreciated that such features may be combined with one or more other features . Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, but will be limited only by the appended claims and their equivalents.

Claims (31)

피가공재 캐리어로서,
제 1 외경, 제 1 내경, 및 제 1 내경으로부터 제 1 외경을 향해 제 1 거리만큼 연장하는 제 1 오목부를 갖는 제 1 판과;
제 2 외경, 제 2 내경, 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경을 향해 제 2 거리만큼 연장하는 제 2 오목부를 갖는 제 2 판; 및
제 1 판 및 제 2 판과 관련된 복수의 맞물림 특징부(feature)들을 포함하며,
상기 복수의 맞물림 특징부는 제 1 판과 제 2 판 사이에서 제 1 피가공재의 위치를 제 1 오목부와 제 2 오목부 내에 선택적으로 고정시키도록 구성되는,
피가공재 캐리어.
As a workpiece carrier,
A first plate having a first outer diameter, a first inner diameter, and a first recess extending from the first inner diameter by a first distance toward the first outer diameter;
A second plate having a second outer diameter, a second inner diameter, and a second recess extending from the second inner diameter by a second distance toward the second outer diameter; And
A plurality of engaging features associated with the first and second plates,
Wherein the plurality of engaging features are configured to selectively fix the position of the first work piece between the first plate and the second plate within the first and second recesses,
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 외경은 제 2 피가공재의 직경과 관련되며, 상기 제 1 피가공재의 직경은 제 2 피가공재의 직경보다 더 작은,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the first outer diameter is related to the diameter of the second workpiece, the diameter of the first workpiece is smaller than the diameter of the second workpiece,
Workpiece carrier.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 피가공재의 직경은 대략 100 mm이며 제 2 피가공재의 직경은 대략 150 mm인,
피가공재 캐리어.
3. The method of claim 2,
Wherein the diameter of the first material to be processed is approximately 100 mm and the diameter of the second material to be processed is approximately 150 mm.
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 맞물림 특징부들은 제 2 판의 바닥 표면으로부터 연장하는 복수의 핀들 및 상기 제 1 판의 상부 표면으로 연장하는 복수의 구멍들을 포함하는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
The plurality of engagement features including a plurality of fins extending from a bottom surface of a second plate and a plurality of holes extending to an upper surface of the first plate,
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 맞물림 특징부들은 제 2 판의 제 2 외경으로부터 연장하는 복수의 이어(ear)들 및 제 1 판의 상부 표면으로 연장하는 복수의 슬롯들을 포함하는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of engagement features comprise a plurality of slots extending from a second outer diameter of the second plate and a plurality of slots extending to an upper surface of the first plate,
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 거리는 제 1 피가공재의 배제 구역과 관련되는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
The first and second distances being associated with an exclusion zone of the first workpiece,
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 판 및 제 2 판은 흑연, 실리콘 카바이드, 알루미나, 및 석영 중의 하나 또는 그 초과로 구성되는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second plates comprise one or more of graphite, silicon carbide, alumina, and quartz,
Workpiece carrier.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 판 및 제 2 판은 상이한 재료들로 구성되는,
피가공재 캐리어.
8. The method of claim 7,
Wherein the first and second plates are made of different materials,
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 판 및 제 2 판은 대략 700 ℃보다 더 높은 온도에서 구조적으로 안정한 재료로 구성되는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second plates are constructed of a structurally stable material at a temperature greater than approximately < RTI ID = 0.0 > 700 C. <
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 판의 제 1 오목부 및 제 2 판의 제 2 오목부는 제 1 피가공재의 주변부 주위의 배제 구역과 접촉하도록 구성되는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the first concave portion of the first plate and the second concave portion of the second plate are configured to contact the exclusion zone around the periphery of the first workpiece,
Workpiece carrier.
제 10 항에 있어서,
제 1 오목부와 제 2 오목부의 깊이의 조합은 제 1 피가공재의 두께보다 더 적은,
피가공재 캐리어.
11. The method of claim 10,
The combination of the depths of the first recess and the second recess is less than the thickness of the first material to be processed,
Workpiece carrier.
제 10 항에 있어서,
제 1 오목부와 제 2 오목부의 깊이의 조합은 제 1 피가공재의 두께보다 더 큰,
피가공재 캐리어.
11. The method of claim 10,
The combination of the depths of the first recess and the second recess is greater than the thickness of the first material to be processed,
Workpiece carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 판은 로봇 파지기에 의해 제 1 판의 제 1 직경 주위에서 선택적으로 파지되도록 구성되는,
피가공재 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the first plate is configured to be selectively gripped around a first diameter of the first plate by a robot gripper,
Workpiece carrier.
제 13 항에 있어서,
상기 제 2 판의 적어도 일부분은 로봇 파지기에 의해 제 2 판의 제 2 직경 주위에서 선택적으로 파지되도록 구성되는,
피가공재 캐리어.
14. The method of claim 13,
Wherein at least a portion of the second plate is configured to be selectively gripped around a second diameter of the second plate by a robot gripper,
Workpiece carrier.
제 1 피가공재의 직경이 제 2 피가공재의 직경보다 더 작은 제 1 피가공재 및 제 2 피가공재를 처리하기 위한 반도체 처리 시스템으로서,
관련 처리 환경을 갖는 처리 챔버와,
상기 제 1 피가공재를 지지하기 위한 피가공재 캐리어, 및
상기 처리 챔버 내부에 위치되는 척을 포함하며, 상기 피가공재 캐리어는
제 1 외경, 제 1 내경, 및 제 1 내경으로부터 제 1 외경을 향해 제 1 거리만큼 연장하는 제 1 오목부를 갖는 제 1 판과,
제 2 외경, 제 2 내경, 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경을 향해 제 2 거리만큼 연장하는 제 2 오목부를 갖는 제 2 판, 및
제 1 판 및 제 2 판과 관련된 복수의 맞물림 특징부(feature)들을 포함하며,
상기 복수의 맞물림 특징부는 제 1 판과 제 2 판 사이에서 제 1 피가공재의 위치를 제 1 오목부와 제 2 오목부 내에 선택적으로 고정시키도록 구성되며,
상기 척은 제 1 피가공재 또는 제 2 피가공재가 처리될 것인가의 여부에 기초하여 피가공재 캐리어와 제 2 피가공재 중 어느 하나를 선택적으로 파지하도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
A semiconductor processing system for processing a first material to be processed and a second material to be processed, the diameter of the first material to be processed being smaller than the diameter of the second material to be processed,
A processing chamber having an associated processing environment,
A workpiece carrier for supporting the first workpiece, and
And a chuck located within the processing chamber, the workpiece carrier
A first plate having a first outer diameter, a first inner diameter, and a first recess extending from the first inner diameter by a first distance toward the first outer diameter,
A second plate having a second outer diameter, a second inner diameter, and a second recess extending from the second inner diameter by a second distance toward the second outer diameter, and
A plurality of engaging features associated with the first and second plates,
Wherein the plurality of engaging features are configured to selectively fix the position of the first workpiece between the first plate and the second plate within the first recess and the second recess,
Wherein the chuck is configured to selectively grasp either the work material carrier or the second work material based on whether or not the first work material or the second work material is to be processed,
Semiconductor processing system.
제 15 항에 있어서,
이온 주입 장치를 더 포함하며,
상기 이온 주입 장치는 처리 챔버 내에 위치되는 제 1 피가공재와 제 2 피가공재 중의 하나에 복수의 이온들을 제공하도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
16. The method of claim 15,
Further comprising an ion implantation device,
Wherein the ion implantation apparatus is configured to provide a plurality of ions to one of a first material to be processed and a second material to be processed,
Semiconductor processing system.
제 15 항에 있어서,
상기 처리 챔버에 작동가능하게 커플링되는 로드록 챔버를 더 포함하며,
상기 로드록 챔버는 외부 환경으로부터 처리 챔버 내의 처리 환경을 격리하도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
16. The method of claim 15,
Further comprising a load lock chamber operatively coupled to the processing chamber,
Wherein the load lock chamber is configured to isolate a processing environment within the processing chamber from an external environment,
Semiconductor processing system.
제 15 항에 있어서,
로봇 파지기를 더 포함하며,
상기 제 1 판은 로봇 파지기에 의해 제 1 판의 제 1 직경 주위에서 선택적으로 파지되도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
16. The method of claim 15,
Further comprising a robot gripper,
Wherein the first plate is configured to be selectively gripped around a first diameter of the first plate by a robot gripper,
Semiconductor processing system.
제 18 항에 있어서,
상기 제 2 판의 적어도 일부분은 로봇 파지기에 의해 제 2 판의 제 2 직경 주위에서 선택적으로 파지되도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
19. The method of claim 18,
Wherein at least a portion of the second plate is configured to be selectively gripped around a second diameter of the second plate by a robot gripper,
Semiconductor processing system.
제 18 항에 있어서,
상기 처리 챔버에 작동가능하게 커플링되는 로드록 챔버를 더 포함하며,
상기 로봇 파지기는 처리 챔버 내에 위치되는 진공 로봇에 작동가능하게 연결되며, 상기 진공 로봇은 피가공재 캐리어와 처리 챔버 내의 제 2 피가공재 중 하나를 로드록 챔버 내측으로 및/또는 외측으로 이송하도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
19. The method of claim 18,
Further comprising a load lock chamber operatively coupled to the processing chamber,
The robot gripper is operatively connected to a vacuum robot located in a processing chamber, the vacuum robot configured to move one of a workpiece carrier and a second workpiece in a processing chamber into and / or out of the load lock chamber felled,
Semiconductor processing system.
제 18 항에 있어서,
상기 처리 챔버에 작동가능하게 커플링되는 로드록 챔버를 더 포함하며,
상기 로봇 파지기는 처리 챔버의 외측에 위치되는 대기 로봇에 작동가능하게 연결되며, 상기 대기 이송 로봇은 피가공재 캐리어와 제 2 피가공재 중 하나를 로드록 챔버 내측으로 및/또는 외측으로 이송하도록 구성되는,
반도체 처리 시스템.
19. The method of claim 18,
Further comprising a load lock chamber operatively coupled to the processing chamber,
The robot gripper is operatively connected to an atmospheric robot located outside the processing chamber, the atmospheric transfer robot configured to transfer one of the workpiece carrier and the second workpiece into and / or out of the load lock chamber felled,
Semiconductor processing system.
제 21 항에 있어서,
상기 로봇 파지기는 피가공재 이송 컨테이너와 피가공재 캐리어 사이에 제 1 피가공재를 이송하도록 추가로 구성되는,
반도체 처리 시스템.
22. The method of claim 21,
Wherein the robot gripper is further configured to transfer a first workpiece between a workpiece transfer container and a workpiece carrier,
Semiconductor processing system.
제 16 항에 있어서,
상기 이온 주입 장치는
이온 빔을 형성하도록 구성되는 이온 소스와,
상기 이온 빔을 질량 분석하도록 구성되는 빔라인 조립체, 및
처리 챔버를 포함하는 엔드 스테이션(end station)을 포함하는,
반도체 처리 시스템.
17. The method of claim 16,
The ion implantation apparatus
An ion source configured to form an ion beam;
A beamline assembly configured to mass-analyze the ion beam, and
An apparatus, comprising an end station including a processing chamber,
Semiconductor processing system.
제 15 항에 있어서,
상기 척은 제어된 온도 척을 포함하는,
반도체 처리 시스템.
16. The method of claim 15,
Wherein the chuck comprises a controlled temperature chuck,
Semiconductor processing system.
제 24 항에 있어서,
상기 제어된 온도 척은 주위 온도 이하 척과 주위 온도 이상 척 중 하나를 포함하는,
반도체 처리 시스템.
25. The method of claim 24,
Wherein the controlled temperature chuck comprises one of a chuck below ambient temperature and a chuck above ambient temperature,
Semiconductor processing system.
제 15 항에 있어서,
상기 척은 정전식 척을 포함하는,
반도체 처리 시스템.
16. The method of claim 15,
Wherein the chuck comprises an electrostatic chuck,
Semiconductor processing system.
제 1 피가공재의 직경이 제 2 피가공재의 직경보다 더 작은 제 1 피가공재 및 제 2 피가공재를 반도체 처리 시스템 내부에서 처리하기 위한 방법으로서,
제 1 피가공재 또는 제 2 피가공재를 처리할지를 결정하는 단계와,
제 1 피가공재가 처리될 예정일 때 제 1 판의 제 1 오목부 내에 제 1 피가공재를 위치시키는 단계로서, 제 1 판이 제 2 피가공재의 직경과 관련된 제 1 외경을 가지며, 제 1 판은 제 1 내경을 가지며, 제 1 오목부는 제 1 내경으로부터 제 1 외경을 향해 제 1 거리만큼 연장하는, 단계와,
제 2 외경, 제 2 내경, 및 제 2 내경으로부터 제 2 외경을 향해 제 2 거리만큼 연장하는 제 2 오목부를 갖는 제 2 판을 제 1 판 위에 위치시키는 단계로서, 상기 제 1 피가공재의 위치가 일반적으로 제 1 판과 제 2 판 사이에서 제 1 오목부와 제 2 오목부 내에 고정되며, 제 1 판과 제 2 판과 관련된 복수의 맞물림 특징부들이 제 1 판과 제 2 판 사이에 제 1 피가공재의 위치를 선택적으로 추가로 고정시키는, 단계, 및
제 1 피가공재 또는 제 2 피가공재를 처리할 것인지의 여부에 기초하여 제 1 판의 외경 또는 제 2 판의 주변부를 선택적으로 파지하는 단계를 포함하는,
방법.
1. A method for processing a first workpiece and a second workpiece having a diameter smaller than a diameter of a second workpiece in a semiconductor processing system,
Determining whether to process the first workpiece or the second workpiece,
Positioning the first workpiece in a first recess of the first plate when the first workpiece is to be processed, the first plate having a first outer diameter associated with the diameter of the second workpiece, 1 < / RTI > inner diameter, the first recess extending a first distance from the first inner diameter toward the first outer diameter,
Positioning a second plate on the first plate having a second outer diameter, a second inner diameter, and a second recess extending from the second inner diameter by a second distance from the second outer diameter, the position of the first workpiece being A plurality of engaging features secured in the first recess and the second recess between the first and second plates and associated with the first and second plates are disposed between the first and second plates, Optionally further fixing the position of the workpiece, and
Selectively grasping the outer diameter of the first plate or the peripheral portion of the second plate based on whether or not to process the first processed material or the second processed material.
Way.
제 27 항에 있어서,
제 1 피가공재 또는 제 2 피가공재를 처리할 것인지의 여부에 기초하여 제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 처리 챔버 내에 위치된 척으로 이송하는 단계를 더 포함하는,
방법.
28. The method of claim 27,
Further comprising transferring one of the first plate and the second workpiece to a chuck located in the process chamber based on whether or not to process the first workpiece or the second workpiece.
Way.
제 28 항에 있어서,
제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 척을 통해서 선택적으로 파지하는 단계를 더 포함하는,
방법.
29. The method of claim 28,
Further comprising selectively grasping one of the first plate and the second work material through a chuck,
Way.
제 29 항에 있어서,
제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 척을 통해서 선택적으로 파지하는 단계는 제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 척에 정전식으로 파지하는 단계를 포함하는,
방법.
30. The method of claim 29,
Wherein selectively gripping one of the first plate and the second work material through the chuck comprises electrostatically gripping one of the first plate and the second work material on the chuck,
Way.
제 29 항에 있어서,
제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 척을 통해서 선택적으로 파지하는 단계는 제 1 판과 제 2 피가공재 중 하나를 척에 기계식으로 파지하는 단계를 포함하는,
방법.
30. The method of claim 29,
The step of selectively grasping one of the first plate and the second work material through the chuck comprises mechanically grasping one of the first plate and the second work material to the chuck,
Way.
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