KR20150061565A - 표시 장치 및 그것의 구동 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그것의 구동 방법 Download PDF

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KR20150061565A KR1020140146271A KR20140146271A KR20150061565A KR 20150061565 A KR20150061565 A KR 20150061565A KR 1020140146271 A KR1020140146271 A KR 1020140146271A KR 20140146271 A KR20140146271 A KR 20140146271A KR 20150061565 A KR20150061565 A KR 20150061565A
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마사유키 쿠메타
에이지 칸다
나오아키 코미야
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Abstract

표시 장치는 발광 소자에 제 1 단자가 접속되고, 제어 단자에 인가되는 전압에 기초하여 제2 단자와 접속되어 있는 제1 전원과 발광 소자를 접속하여 발광 소자를 발광시키는 스위치 트랜지스터 및 발광 소자에 제1 단자가 접속되고, 제2 신호선을 통해 제어 단자에 인가되는 전압에 기초하여 제2 단자와 접속되어 있는 제2 전원과 발광 소자를 접속하여, 발광 소자가 센싱되도록 하는 센싱 스위치 트랜지스터를 포함하는 화소 회로를 갖는 표시부 및 발광 소자의 발광과 센싱을 제어하는 제어부를 포함하고, 제어부는 발광 시간을 제어함으로써, 계조를 표현시키고, 발광 기간에서, 발광 소자에 접속되는 전원을 제1 전원과 제2 전원 사이에서 전환시킴으로써, 발광 제어와 센싱 제어를 동시에 수행한다.

Description

표시 장치 및 그것의 구동 방법{DISPLAY APPARATUS AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그것의 구동 방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스형(active matrix)의 표시 장치는 발광 소자를 갖는 화소 회로를 포함한다. 액티브 매트릭스형(active matrix)의 표시 장치에서, 발광 소자의 VI 특성(voltage-current characteristics)을 측정하기 위한 기술이 개발되고 있다.　예를 들어, 특허문헌 1에는 발광 소자의 VI 특성을 측정할 수 있는 표시 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1에 개시된 표시 장치의 복수의 정전류 회로는 복수의 데이터 라인들(data line)에 소정의 정전류를 제공한다. 이러한 정전류는 각 화소의 발광 소자에 제공된다. 정전류가 각 화소의 발광 소자에 흐를 때, 각 발광 소자의 양 단자 사이의 전압이 측정되어, 발광 소자의 VI 특성이 측정될 수 있다.
그러나, 특허문헌 1에 개시된 표시 장치는 발광 소자의 VI 특성을 측정하기 위해 발광 소자에 정전류를 제공한다. 정 전류를 제공받는 발광 소자는 발광된다. 따라서, 선(line) 결함이나, 오 정렬된 블랙 레벨(misadjusted black level)에 의한 콘트라스트(contrast) 저하가 발생된다. 그 결과, 화질의 열화가 발생될 수 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
[특허문헌 1] JP2009-244654 A
본 발명의 목적은 발광 소자의 VI 특성이 센싱(sensing)될 때, 화질의 열화를 방지하면서, 발광 소자의 발광 제어와 발광 소자의 센싱 제어를 수행할 수 있는 표시 장치 및 그것의 구동 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는 제공받은 전류에 의해 발광하는 발광 소자, 상기 발광 소자의 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 제1 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 스위치 트랜지스터, 및 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 상기 발광 소자의 센싱을 위한 제2 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 센싱 스위치 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소 회로들을 갖고, 데이터 신호가 선택적으로 공급되는 제1 신호선을 통해 제공받는 데이터 신호에 대응하는 영상을 표시하는 표시부 및 상기 발광 소자의 발광과, 상기 발광 소자의 센싱을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 스위치 트랜지스터는 상기 제1 신호선을 통해 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제1 전원과 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제 1 단자를 접속시켜 상기 발광 소자를 선택적으로 발광시키고, 상기 센싱 스위치 트랜지스터는, 센싱을 제어하는 센싱 신호가 선택적으로 공급되는 제2 신호선을 통해 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제2 전원과 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자와 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 접속시켜, 선택적으로 상기 발광 소자가 센싱되도록 하고, 상기 제어부는 상기 상기 발광 소자의 발광 시간을 제어함으로써, 계조를 표시하고, 상기 발광 소자를 발광시키는 발광 기간에서, 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 전원을, 상기 제1 전원과 상기 제2 전원 사이에서 전환시킴에 따라서, 상기 발광 소자의 발광 제어와 상기 발광 소자의 센싱 제어를 동시에 수행한다.
상기 제어부는 상기 발광 소자가 센싱되는 경우, 소정의 레벨의 데이터 신호를 상기 제1 신호선으로 제공하여 상기 제1 전원과 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 분리시키고, 소정의 레벨의 센싱 신호를 상기 제2 신호선으로 제공하여 상기 제2 전원과 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 연결시킨다.
상기 발광 기간은 상기 발광 소자를 센싱시키기 위한 센싱 기간을 포함하고, 상기 제2 전원은, 상기 발광 소자를 발광시키고 상기 센싱을 수행하기 위한 제1 전압 및 상기 발광 소자를 비발광시키고, 상기 센싱을 수행하지 않게 하기 위한 제2 전압을 포함하고, 상기 센싱 기간에서 상기 제어부는 상기 표시부에 표시되는 영상에 대응하는 데이터 신호에 기초하여, 상기 제2 전원의 상기 제1 전압 또는 상기 제2 전원의 상기 제2 전압을 출력한다.
상기 제어부는상기 센싱 기간에 대응하는 데이터 신호가 나타내는 값이 제1 값인 경우, 상기 제2 전원의 상기 제1 전압을 출력하고, 상기 센싱 기간에 대응하는 데이터 신호가 나타내는 값이 상기 제1 값보다 작은 제2 값인 경우, 상기 제2 전원의 상기 제2 전압을 출력한다.
상기 제2 전원의 상기 제1 전압의 전압 값은, 상기 제1 전원의 전압의 전압 값과 동일하다.
1 필드는 계조마다 웨이팅(weighting)이 된 복수의 서브 필드 기간들을 포함하고, 상기 제어부는 상기 서브 필드 기간 중 상기 발광 기간에 대응하는 적어도 1 이상의 서브 필드 기간에서 상기 발광 소자를 센싱시킨다.
상기 발광 소자를 센싱되는 적어도 1 이상의 서브 필드 기간은 상기 발광 소자의 센싱에 필요한 센싱 필요 시간보다도 길다.
상기 제어부는 상기 발광 소자의 발광 제어를 상기 서브 필드 기간의 웨이팅(weighting)에 기초하여 비월 주사에 의해 수행한다.
상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자는, 상기 제2 전원에 연결되어 있는 센싱 선에 연결된다.
1 필드는 계조마다 웨이팅(weighting)이 된 복수의 서브 필드 기간들을 포함하고, 상기 각각의 서브 필드 기간은, 상기 스위치 트랜지스터의 제어 단자로 전압의 인가에 대한 제어가 수행되는제1 기간과, 상기 발광 소자의 발광 제어를 수행하는 제2 기간을 포함하고, 상기 제어부는 상기 각각의 서브 필드 기간의 상기 제1 기간에서 상기 스위치 트랜지스터의 제어 단자로 전압의 인가에 대한 제어를 상기 화소 회로들에 대하여 선 순차로 수행하고, 상기 제2 기간에서 상기 발광 소자의 발광 제어를 상기 화소 회로들에 대하여 동시에 수행한다.
상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자는, 상기 제1 신호선에 연결되고, 상기 제어부는 상기 제1 신호선에 상기 데이터 신호 또는 상기 제2 전원을 선택적으로 제공한다.
상기 제어부는 상기 발광 소자의 발광 제어를 수행하는 경우, 상기 발광 소자의 발광 상태와 비발광 상태를 상기 제1 전원의 전압을 변화시킴으로써 제어한다.
상기 화소 회로는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 갖는 에미션 스위치 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 에미션 스위치 트랜지스터는 상기 발광 소자의 발광 상태와 비발광 상태를 제어하는 발광 제어 신호가 선택적으로 제공되는 제3 신호선을 통해 상기 에미션 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 에미션 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 접속되어 있는 상기 발광 소자와, 상기 에미션 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자에 접속되어 있는 상기 스위치 트랜지스터를 선택적으로 연결시키고, 상기 제어부는 상기 발광 소자의 발광 제어를 수행하는 경우, 상기 발광 소자의 발광 상태와 비발광 상태를 상기 제3 신호선으로 제공되는 상기 발광 제어 신호에 의해 제어한다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방법은 제공받은 전류에 의해 발광하는 발광 소자, 상기 발광 소자의 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 제1 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 스위치 트랜지스터, 및 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 상기 발광 소자의 센싱을 위한 제2 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 센싱 스위치 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소 회로들을 갖고, 데이터 신호가 선택적으로 공급되는 제1 신호선을 통해 제공받는 데이터 신호에 대응하는 영상을 표시하는 표시부를 포함하고, 상기 스위치 트랜지스터는 상기 제1 신호선을 통해 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제1 전원과 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제 1 단자를 접속시켜 상기 발광 소자를 선택적으로 발광시키고, 상기 센싱 스위치 트랜지스터는, 센싱을 제어하는 센싱 신호가 선택적으로 공급되는 제2 신호선을 통해 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제2 전원과 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자와 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 접속시켜, 선택적으로 상기 발광 소자가 센싱되도록 하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 화소 회로의 상기 발광 소자의 발광과 상기 발광 소자의 센싱을 제어하는 단계를 포함하고, 상기 제어 단계는, 상기 발광 소자의 발광 시간을 제어하여 계조를 표시하고, 상기 발광 소자를 발광시키는 발광 기간에서, 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 전원을, 상기 제1 전원과　상기 제2 전원 사이에서 전환시킴에 따라서, 상기 발광 소자의 발광 제어와 상기 발광 소자의 센싱 제어를 동시에 수행한다.
본 발명의 표시 장치 및 그것의 구동 방법은 발광 소자의 VI 특성을 센싱(sensing)할 때, 화질의 열화를 방지하면서, 발광 소자의 발광 제어와 발광 소자의 센싱 제어를 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 전류 검출 드라이버의 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 데이터 드라이버의 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 데이터와 서브 필드 기간의 관계를 보여주는 도면이다.
도 7은 서브 필드 기간에서 제1 실시 예에 따른 화소 회로들의 동작을 설명하기 위한 타이밍도 이다.
도 8a 내지 도 8d는 센싱 대상 화소에서 제1 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 9a 및 도 9b는 서브 필드 기간에서 제1 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
도 10a 내지 도 10d는 비 센싱 대상 화소에서 제1 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 11a 및 도 11b는 서브 필드 기간에서 제1 실시 예에 따른 비 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들 이다.
도 12는 화소 회로의 발광 소자의 VI 특성을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 13은 화소 회로의 발광 소자로 흐르는 전류 및 휘도와의 관계를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 14는 화소 회로의 발광 소자에서, 계조와 발광량과의 관계를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 17은 도 16에 도시된 화소 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 18은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 데이터와 서브 필드 기간의 관계를 보여주는 도면이다.
도 19는 서브 필드 기간에서 제2 실시 예에 따른 화소 회로들의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 20a 내지 도 20d는 센싱 대상 화소에서 제2 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 21a 및 도 21b는 서브 필드 기간에서 제2 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들 이다.
도 22a 내지 도 22d는 비센싱 대상 화소에서 제2 실시 예에 따른 화소 회로(206)의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 23a 및 도 23b는 서브 필드 기간에서 제2 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
도 24는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 25는 도 24에 도시된 화소 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 26은 서브 필드 기간에서 제3 실시 예에 따른 화소 회로들의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 27a 내지 도 27d는 센싱 대상 화소에서 제3 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 28a 및 도 28b는 서브 필드 기간에서 제3 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
도 29a 내지 도 29d는 비센싱 대상 화소에서 제3 실시 예에 따른 화소 회로(302)의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 30a 및 도 30b는 서브 필드 기간에서 제3 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
[본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치 및 그 것의 구동 방법의 개요]
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는 발광 소자를 포함하는 화소 회로(또는, 화소라 칭함)를 갖는 액티브 매트릭스형의 표시 장치이다. 표시 장치는 정전압 및 디지털(digital) 구동에 의해 영상을 표시할 수 있다.　
본 발명의 실시형태에 따른 표시 장치는 1 필드(field)가 분할된 복수의 서브 필드들(sub-field) 각각의 기간에서, 화소의 발광 소자를 온(on) 상태 또는 오프(off) 상태로 제어함으로써, 계조를 표시한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자는, 유기 EL 소자(organic Electro Luminescence element) 또는 무기 EL 소자(Inorganic Electro Luminescence element)일 수 있다.　이하, 본 발명의 실시 예에서 발광 소자는 유기 EL 소자로서 설명될 것이다.
액티브 매트릭스형의 표시 장치가 정전압 및 디지털 구동에 의해 영상을 표시할 경우, 발광 소자의 VI 특성의 변화에 따라서 발광 소자에 일정한 전압이 인가되도, 전류가 변화될 수 있다. 그 결과, 휘도 불균일(luminance unevenness)에 의한 화질 열화가 발생될 수 있다.　
발광 소자의 VI 특성의 변화는 발광 소자의 제조 공정 상의 편차나, 발광 소자의 경시 열화(시간 경과에 따른 열화)의 변화 등에 의해 발생된다.　발광 소자의 제조 공정 상의 편차에 따른 VI 특성의 변화에 의해 휘도 불균일이 표시 장치에 발생될 수 있다. 또한, 발광 소자의 경시 열화에 의한 VI 특성의 변화에 의해 이미지 스틱킹(Image Sticking) 현상이 표시 장치에 발생될 수 있다.
디지털 구동은 발광 소자의 발광 시간을 변화시킴으로써, 계조가 표시되는 구동 방식으로 정의된다.
정전압 구동은, 트랜지스터(transistor)의 선형 영역이 이용되어 트랜지스터가 온 및 오프 스위치(on/off switch)로서 사용되고, 발광 소자의 발광 시간에 따라서 계조를 표현하는 구동 방식이다.　
정전압 구동이 사용되는 경우트랜지스터가 온 및 오프 스위치로서 사용되고, 발광 소자의 발광 시간에 따라서 계조가 표현되기 때문에, 트랜지스터의 특성의 변화가 계조 표현에 영향을 미치지 않을 수 있다.　
트랜지스터의 선형 영역이 이용되고, 트랜지스터의 저항 값이 작기 때문에, 전원 전압이 저감될 수 있어 소비 전력이 저감될 수 있다.
온 및 오프 스위치로서 사용되는 트랜지스터는 저 저항으로 사용되기 때문에, 주울 열이 저감될 수 있어, 영상의 표시에 따라 발생되는 발열이 저감될 수 있다.　
발광 소자에 전압이 인가됨으로써, 발광 소자에 흐르는 전류가 결정되기 때문에, 발광 소자의 VI 특성의 변화에 의해, 발광 소자로 흐르는 전류가 변화될 수 있다.
정전압 및 디지털 구동이 사용되는 경우, 상술한 바와 같이, 발광 소자의 VI 특성의 변화에 의해 발광 소자에 일정한 전압이 인가되더라도 전류가 변화될 수 있다. 그 결과, 휘도 불균일 등에 의한 화질 열화가 발생될 수 있다.　
특허문헌 1에 개시된 발광 소자의 VI 특성을 측정하는 기술에 의해 발광 소자의 VI 특성이 센싱되고, 센싱 결과에 기초하여 발광 소자의 VI 특성이 보상될 수 있다. 이러한 경우, 상술한 바와 같은 화질 열화가 방지될 수 있다.
그러나, 특허문헌 1에 개시된 발광 소자의 VI 특성을 측정하는 기술이 사용될 경우, 발광 소자의 센싱 시에 발광 소자가 발광되기 때문에, 선 결함이나, 오정렬된 블랙 레벨(misadjusted black level)에 의한 콘트라스트 저하가 발생된다. 그 결과, 화질의 열화가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치 및 그것의 구동 방법은, 정전압 및 디지털 구동 시, 발광 소자의 발광 제어(이하, 발광 제어라 칭함)와 발광 소자의 센싱 제어(이하, 센싱 제어라 칭함)를 동시에 수행한다.　
보다 구체적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는, 발광 소자를 발광시키는 발광 기간에서, 발광 소자의 제1 단자(예를 들어, 애노드(anode))에 접속되는 전원을, 발광 소자의 발광을 위한 전원과, 발광 소자의 센싱을 위한 전원 사이에서 전환시킴으로써, 발광 제어와 센싱 제어를 동시에 수행한다.　
이하, 발광 소자의 발광을 위한 전원은 제1 전원으로 정의되고, 발광 소자의 센싱을 위한 전원은 제2 전원으로 정의된다. 발광 소자의 제1 단자는 애노드로 정의되고, 발광 소자의 제2 단자는 캐소드(Cathode)로 정의된다.
여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 일 구성 요소와, 다른 구성 요소를, 접속하는이라 함은 당해 일 구성 요소와 당해 다른 구성 요소가 또 다른 구성 요소를 통하지 않고, 전기적으로 접속되어 있는 것, 또는, 당해 일 구성 요소와 당해 다른 구성 요소가, 또 다른 구성 요소를 통하여, 전기적으로 접속되어 있는 것을 말한다.본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치 및 그것의 구동 방법은 발광 기간에서, 발광 제어와 센싱 제어를 동시에 수행함으로, 기존의 발광 소자의 VI 특성의 센싱 시에 발생하는 화질 열화를 방지할 수 있다.이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명의 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 기능을 갖는 구성들은 동일한 부호가 사용되어 설명되었으며, 중복되는 설명은 생략되었다.
[제1 실시 예]
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 1을 참조하면, 1 필드(1 수직 기간)는 복수의 서브 필드 구간들(D0~D7)을 포함한다. 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치는 서브 필드 구간들(D0~D7) 각각에서 화소들의 발광 소자들을 온 상태 또는 오프 상태로 구동하여 계조를 표시할 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 각 서브 필드 기간(D0~D7)은 계조 데이터마다 웨이팅(weighting)(증량)된다.　즉, 제0 서브 필드 구간(D0)에서 제7 서브 필드 구간(D7)으로 갈수록 기간이 증가된다. 표시 장치는 화소 회로의 스위치 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압에 따라서 발광 동작을 수행하고, 서브 필드 기간의 웨이팅에 기초하여 그리고 비월 주사 방식으로 발광 동작을 수행한다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치는 서브 필드 기간들(D0~D7) 중 발광 기간에 대응하는 적어도 1 이상의 서브 필드 기간에서, 화소의 발광 소자를 센싱 시킨다.　예를 들어, 도 1에서, 표시 장치는 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간(D7)에서, 발광 소자를 센싱시킨다.
그러나, 표시 장치가 발광 소자를 센싱시키는 서브 필드 기간은 도 1에 도시된 바와 같은 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간(D7)에 한정되지 않는다.　예를 들어, 발광 소자의 센싱에 필요한 센싱 필요 시간보다도 길고, 1 또는 2 이상의 임의의 서브 필드 기간들로 설정되어, 발광 소자가 센싱될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 표시부(102), 스캔 드라이버(104)(scan driver), 센스 드라이버(106)(sense driver), 데이터 드라이버(108), 및 전류 검출 드라이버(110)를 포함한다.
표시부(102)는 복수의 화소 회로들(112)을 포함하고, 데이터 신호들에 대응하는 영상을 표시한다.　화소 회로들(112)은 매트릭스 형태로 배치된다. 　예시적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 표시부(102)는 (n+2) x (m+2) 개(n 및 m은 자연수)의 화소 회로들(112)을 포함할 수 있다. 이하 설명의 편의를 위해 n 및 m은 1이라 한다.
스캔 드라이버(104), 센스 드라이버(106), 데이터 드라이버(108), 및 전류 검출 드라이버(110)는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 제어 방법을 수행하기 위한 제어부로 정의될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 제어부는 스캔 드라이버(104), 센스 드라이버(106), 데이터 드라이버(108), 및 전류 검출 드라이버(110)의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 컨트롤러(미 도시됨)를 포함할 수 있다.　
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 제어부는, 스캔 드라이버(104), 센스 드라이버(106), 데이터 드라이버(108), 및 전류 검출 드라이버(110) 중 일부일 수도 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 제어부는, 1 또는 2 이상의 IC(Integrated Circuit)로 구현될 수 있다.
화소 회로들(112) 및 전류 검출 드라이버(110)에 전압(ELVDD) 및 전압(ELVSS)이 공급된다.
전압(ELVDD)은 제1 공통 전원으로부터 공급된다. 전압(ELVDD)은 화소 회로(112)의 발광 소자의 제1 단자(예를 들어, 애노드)에 선택적으로 인가된다.　전압(ELVDD)을 공급하는 제1 공통 전원은 제1 전원에 대응된다.
전압(ELVSS)은 제2 공통 전원으로부터 공급된다. 전압(ELVSS)은 화소 회로(112)의 발광 소자의 제2 단자(예를 들어, 캐소드)에 인가된다.　전압(ELVSS)은 전압(ELVDD)보다 낮은 전압이고, 제2 공통 전원은 기저 전원의 역할을 수행한다.
본 발명의 실시 예에서, 제1 공통 전원 및 제2 공통 전원은 표시 장치(100) 내에 구비되거나, 표시 장치(100)의 외부 전원일 수 있다.　또한, 제1 공통 전원 및 제2 공통 전원은 하나의 전원 회로(또는 전원 장치)이거나, 서로 다른 전원 회로들(또는 전원 장치들)일 수 있다.
제어선들(SCAN,SENSE)은 행 방향으로 연장되고, 신호선들(DT,SE)은 행 방향과 교차하는 열 방향으로 연장된다. 설명의 편의를 위해 도 2에는 n+2개의 제어선들(SCAN,SENSE) 및 m+2 개의 신호선들(DT,SE)이 도시되었다.
스캔 드라이버(104)는 제어선(SCAN)과 연결되고, 발광 제어에 따른 제어 신호인 주사 신호를 제어선(SCAN)에 선택적으로 공급한다.　주사 신호는 각 화소 회로(112)에 배치된 트랜지스터를 제어하는 역할을 수행한다.
센스 드라이버(106)는 제어선(SENSE)(제2 신호선)과 연결되고, 센싱에 따른 제어 신호인 센싱 신호를 제어선(SENSE)에 선택적으로 공급한다.　센싱 신호는 각 화소 회로(112)에 배치된 트랜지스터를 제어하는 역할을 수행한다.
데이터 드라이버(108)는 신호선(DT)(제1 신호선)과 연결되고, 데이터 신호(VDATA)를 신호선(DT)에 선택적으로 공급한다.　데이터 드라이버(108)의 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
전류 검출 드라이버(110)는 신호선(SE)과 연결되고, 신호선(SE)을 통해 화소 회로(112)의 발광 소자의 VI 특성을 센싱 한다.　전류 검출 드라이버(110)는 센싱에 따른 전원(제2 전원)의 역할을 수행한다.　전류 검출 드라이버(110)의 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 화소 회로(112)는 스위치 트랜지스터(M1)(switch transistor), 샘플링 스위치 트랜지스터(M2)(sampling switch transistor), 센싱 스위치 트랜지스터(M3)(sensing switch transistor), 용량 소자(CST), 및 발광 소자(D)를 포함한다.
본 발명의 실시 예에서, 트랜지스터들(M1,M2,M3)은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 및 FET(Field-Effect Transistor)일 수 있다. 또한, 트랜지스터들(M1,M2,M3)은 도 3에 도시된 바와 같이, P 채널(channel) 형의 MOSFET일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 트랜지스터들(M1,M2,M3)는 N 채널 형의 MOSFET일 수 있다.
그러나, 각 트랜지스터의 역할을 수행하는 것이 가능하면, 본 발명의 실시 예에 따른 트랜지스터들은 MOSFET 및 FET에 한정되지 않고, 임의의 종류의 트랜지스터로 구성될 수 있다.
스위치 트랜지스터(M1)는 표시 영상에 대응하는 데이터(또는 표시 데이터)에 따라서 발광 소자(D)의 애노드(제1 단자)로 전압을 공급하는 역할을 한다. 스위치 트랜지스터(M1)는 발광 소자(D)의 애노드에 연결되는 제1 단자, 제1 전원에 연결되는 제2 단자, 및 게이트(제어 단자)를 포함한다.
스위치 트랜지스터(M1)는 데이터선(DT)(제1 신호선)을 통해 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트로 인가되는 전압에 응답하여, 제1 전원과 발광 소자(D)의 제1 단자(애노드)를 접속시킨다. 즉, 스위치 트랜지스터(M1)에 의해 발광 소자(D)는 선택적으로 발광될 수 있다.
샘플링 스위치 트랜지스터(M2)는 데이터선(DT)으로부터 제공받는 표시 데이터에 따른 온 및 오프 전압을 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트에 샘플링하는 역할을 수행한다.　샘플링 스위치 트랜지스터(M2)의 게이트는 주사선(SCAN)에 연결된다. 샘플링 스위치 트랜지스터(M2)는 주사선(SCAN)으로부터 공급받는 주사 신호에 응답하여 선택적으로 표시 데이터에 따른 온 및 오프 전압을 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가한다.
용량 소자(CST)는 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트의 전위를 유지한다.　용량 소자(CST)로서는 소정의 정전 용량을 갖는 캐패시터일 수 있다.　또한, 용량 소자(CST)는 기생 용량일 수 있다.
센싱 스위치 트랜지스터(M3)는 선택적으로 발광 소자(D)의 VI 특성을 센싱하는 역할을 수행한다.　센싱 스위치 트랜지스터(M3)는 발광 소자의 애노드(제1 단자)에 연결되는 제1 단자, 제2 전원에 연결되는 제2 단자, 및 게이트(제어 단자)를 갖는다.　
화소 회로(112)에서 센싱 스위치 트랜지스터(M3)의 제2 단자는 신호선(SE)을 통해 제2 전원의 역할을 수행하는 전류 검출 드라이버(110)와 연결된다.
센싱 스위치 트랜지스터(M3)의　게이트는 제어선(SENSE)에　연결된다. 센싱 스위치 트랜지스터(M3)는 제어선(SENSE)으로부터 제공받는 센싱 신호에 응답하여, 선택적으로 제2 전원과 발광 소자(D)의　애노드를 접속시킨다.
화소 회로(112)는, 스캔 드라이버(104) 및 센스 드라이버(106)에서 생성된 제어 신호(주사 신호, 센싱 신호)에 의해 제어된다.　 표시 데이터에 대응하는 데이터 신호가 데이터 드라이버(108)로부터 화소 회로(112)에 제공된다. 화소 회로(112)의 발광 소자(D)의 VI 특성은 전류 검출 드라이버(110)에 의해 센싱 된다.
화소 회로(112)의 구성은 도 3에 도시된 구성에 한정되지 않는다.　예를 들어, 화소 회로(112)는 도 3에 도시된 발광 소자(D), 스위치 트랜지스터(M1), 및 센싱 스위치 트랜지스터(M3)를 포함하는 구성과 동일한 기능을 갖는 구성이면, 임의의 회로 구성으로 치환될 수 있다.　
도 4는 도 2에 도시된 전류 검출 드라이버의 구성을 보여주는 도면이다.도 4를 참조하면, 전류 검출 드라이버(110)는 스위치(120), 전류 검출 회로(122), AD 회로(Analog-to-Digital Converter : 124), 및 메모리(126)를 포함한다.
스위치(120), 전류 검출 회로(122), AD 회로(124)는 각 신호선(SE)에 대응하여 구비될 수 있다.스위치(120)는 표시 데이터에 응답하여 스위칭(switching)된다. 따라서, 스위치(120)에 의해 신호선(SE)으로 제공되는 전압(VSENSE)은 전압(ELVDD)(High) 및 전압(ELVDD)(Low) 중 어느 하나가 선택되어 전압(VSENSE)으로서 신호선(SE)에 제공된다.
즉, 전류 검출 드라이버(110)는 표시 데이터에 따라서 전압(ELVDD)(High) 및 전압(ELVDD)(Low) 중 어느 하나를 선택하여 전압(VSENSE)으로서 출력한다.
전류 검출 드라이버(110)에서 출력되는 전압(ELVDD)(High)은 제 2 전원으로부터 화소 회로(112)에 제공되고, 발광 소자(D)를 발광시키고, 센싱을 수행하는 전압에 해당한다.　전류 검출 드라이버(110)에서 출력되는 전압(ELVDD)(Low)은 제2 전원으로부터 화소 회로(112)에 제공되고, 발광 소자(D)를 비발광 시키고, 센싱을 수행하지 않는 전압에 해당한다.　
이하에서는, 제2 전원으로부터 화소 회로(112)에 제공되고, 발광 소자(D)를 발광시키고, 센싱을 수행하는 전압은 제2 전원의 제1 전압으로 정의된다. 또한, 제2 전원으로부터 화소 회로(112)에 제공되고, 발광 소자(D)를 비발광 시키고, 센싱을 수행하지 않는 전압은 제2 전원의 제2 전압으로 정의된다.
전압(ELVDD)(High)은, 제1 전원에 대응하는 제1 공통 전원(도시하지 않음)으로부터 제공되는 전압(ELVDD)과 동일한 전압일 수 있다.　전압(ELVDD)(Low)은 제2 공통 전원(도시하지 않음)으로부터 제공되는 전압(ELVSS)과 동일한 전압일 수 있다.
전류 검출 드라이버(110)가 전압(ELVDD)(High)을 화소 회로(112)에 제공하는 경우, 센스 드라이버(106)로부터 공급되는 센싱 신호에 의해, 전류 검출 드라이버(110)와 화소 회로(112)의 발광 소자(D)는 화소 회로(112)의 센싱 스위치 트랜지스터(M3)에 의해 접속된다.
따라서, 전류 검출 드라이버(110)가 전압(ELVDD)(High)를 화소 회로(112)에 제공하는 경우, 화소 회로(112)의 센싱 스위치 트랜지스터(M3)를 경유하여 발광 소자(D)로 전류가 흐른다. 이때, 전류 검출 드라이버(110)의 전류 검출 회로(122)에 의해 전류가 측정됨으로써, 화소 회로(112)의 발광 소자(D)의 VI 특성이 검출된다.
전류 검출 회로(122)에 의해 검출된 발광 소자(D)의 VI 특성은 AD 회로(124)에서 디지털 데이터로 변환되고, 메모리(126)에 저장된다.　메모리(126)에 저장된 발광 소자(D)의 VI 특성을 나타내는 데이터(OLED_VI)는 데이터 드라이버(108)의 데이터 보정 회로에 전송된다. 데이터 보정 회로는 이하 상세히 설명될 것이다.도 5는 도 2에 도시된 데이터 드라이버의 구성을 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 데이터 드라이버(108)는 데이터 보정 회로(130), 데이터 래치 회로(data latch circuit : 132), 출력 제어 회로(134), 및 출력 버퍼(output buffer : 136)를 포함한다.　데이터 래치 회로(132), 출력 제어 회로(134), 및 출력 버퍼(136)는 각 신호선(DT)에 대응하여 구비될 수 있다.
데이터 드라이버(108)의 데이터 보정 회로(130)는 전류 검출 드라이버(110)로부터 발광 소자(D)의 VI 특성을 나타내는 데이터(OLED_VI)를 제공받는다. 데이터 보정 회로(130)는 발광 소자(D)의 VI 특성을 나타내는 데이터(OLED_VI)에 기초하여, 보정 후의 데이터를 산출함으로써, 표시 데이터를 보정한다.　
데이터 드라이버(108)의 데이터 래치 회로(132)는 제어 신호（CLK）에 기초하여, 보정 후의 데이터를 제공받는다. 데이터 드라이버(108)의 출력 제어 회로(134)는 출력 버퍼(136)를 통해 데이터 신호(VDATA)를 신호선(DT)으로 출력한다.
따라서, 데이터 드라이버(108)는 발광 소자(D)의 VI 특성을 나타내는 데이터(OLED_VI)에 기초하여 표시 데이터를 보정하여 출력함으로써 발광 소자(D)의 VI 특성을 보상할 수 있다.
도 6 내지 도 14는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 이하, 도 6 내지 도 14를 참조하여 표시 장치의 구동 방법이 상세히 설명될 것이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 데이터와 서브 필드 기간의 관계를 보여주는 도면이다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 데이터에 의해 계조마다 웨이팅(weighting)된 서브 필드 기간들(D0~D7)에서, 화소 회로(112)의 발광 소자(D)를 발광 상태 및 발광 정지 상태(비발광 상태)로 제어한다. 또한, 표시 장치(100)는 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간(D7)에서 발광 소자(D)의 센싱을 수행한다.
표시 장치(100)는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간(D7)에 대응하는 데이터 신호가 나타내는 값에 기초하여, 선택적으로, 발광 및 센싱 동작을 수행한다.　예를 들어, 표시 장치(100)는 도 6에 도시된 바와 같이, 최상위 계조에 대응하는 표시 데이터의 값에 의해, 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간(D7)에서, 발광 정지 동작을 수행하거나 발광 및 센싱 동작을 수행할 수 있다. 발광 소자를 센싱하기 위한 서브 필드 기간은 센싱 기간으로 정의될 수 있다.
구체적으로는, 표시 장치(100)는, 최상위 계조에 대응하는 표시 데이터의 값이 1(제 1 값의 일 예)인 경우, 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간(D7)에서, 발광 및 센싱 동작을 수행한다.
또한, 표시 장치(100)는, 최상위 계조에 대응하는 표시 데이터의 값이 0(제 1 값보다도 작은 제 2 값의 일 예)인 경우, 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간(D7)에서, 발광 정지 동작을 수행한다.
또한, 표시 장치(100)가 센싱을 수행하는 서브 필드 기간은 최상위 계조에 대응하는 서브 필드 기간에 한정되지 않고, 센싱 필요 시간보다도 발광 시간이 긴 임의의 서브 필드 기간에서 발광 소자가 센싱될 수 있다.
도 7은 서브 필드 기간에서 제1 실시 예에 따른 화소 회로들의 동작을 설명하기 위한 타이밍도 이다.
도 7에서 (n)라인의 제어선(SCAN)에 접속되어 있는 화소 회로(112)는 센싱 대상의 화소(이하, 센싱 대상 화소라 칭함)이다. (n+1)라인의 제어선(SCAN)에 접속되어 있는 화소 회로(112) 및 (n+2)라인의 제어선(SCAN)에 접속되어 있는 화소 회로(112)는 센싱되지 않는 화소(이하, 비 센싱 대상 화소라 칭함)이다.
도 8a 내지 도 8d는 센싱 대상 화소에서 제1 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다. 도 9a 및 도 9b는 서브 필드 기간에서 제1 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들 이다.
도 8a 및 도 8b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 9a는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우 타이밍도를 나타낸다.
도 8c 및 도 8d는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 9b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 8a 및 도 8c는 도 9a 및 9b에 도시된 데이터 프로그램 기간에 대응하는 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 8b는 도 9a에 도시된 발광 + 센싱 기간에 대응하는 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 8d는 도 9b에 도시된 발광 정지 기간에 대응하는 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다.
도 9a에 도시된 발광 + 센싱 기간 및 도 9b에 도시된 발광 정지 기간은 발광 소자(D)가 센싱될 수 있는 센싱 기간일 수 있다.
도 8a 내지 도 8d, 도 9a, 및 도 9b를 참조하면, (n)라인의 제어선(SCAN)으로부터 제공되는 주사 신호가 온 레벨(LOW) 전압일 경우, 주사 신호에 의해, (n) 라인의 제어선(SCAN)에 접속되어 있는 화소 회로(112)의 샘플링 스위치 트랜지스터(M2)가 온 된다.　
샘플링 스위치 트랜지스터(M2)가 온 됨으로써, 신호선(DT)으로부터 제공되는 스위치 트랜지스터(M1)를 오프시키는 오프 레벨(High) l 전압이, 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트에 프로그램 된다.　스위치 트랜지스터(M1)는 오프 되고, 발광 소자(D)의 애노드 전원인 제1 전원의 전압(ELVDD)이 차단된다(도 8a 및 도 8c).
즉, 표시 장치(100)는 도 8a 및 도 8c 에 도시된 바와 같이, 신호선(DT)으로부터 제공되는 OFF Level 전압과 같은 소정 레벨의 데이터 신호를 신호선(DT)(제1 신호선)에 공급하여, 제1 전원과 발광 소자(D)의 애노드(제1 단자)를 분리시킨다.
이후, (n)라인의 제어선(SENSE)으로부터 제공되는 온 레벨(LOW)의 센싱 신호에 의해, (n)라인의 제어선(SENSE)에 접속되어 있는 화소 회로(112)의 센싱 스위치 트랜지스터(M3)가 온 된다.　즉, 표시 장치(100)는 소정 레벨의 센싱 신호를 제어선(SENSE)(제2 신호선)에 공급하여, 제2 전원의 역할을 수행하는 전류 검출 드라이버(110) 및 발광 소자(D)의 애노드(제1 단자)를 접속시킨다.
(n)라인의 신호선(SE)으로부터 표시 데이터에 따른 전압(VSENSE)가 발광 소자(D)의 애노드 전극에 1 서브 필드 기간 동안 공급됨에 따라, 발광 및 센싱 동작이 동시에 수행된다(도 9의 b).
이러한 경우, 전류 검출 드라이버(110)는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 제2 전원의 제1 전압에 대응하는 전압(ELVDD)(High)을 전압(VSENSE)로서 (n)라인의 신호선(SE)에 제공한다.　
전압(ELVDD)(High)이 전압(VSENSE)로서 (n)라인의 신호선(SE)에 제공됨으로써, 도 8b 및 도 9a의 발광+센싱 기간에 도시된 바와 같이, 발광 소자(D)의 발광과, 발광 소자(D)의 센싱이 함께 수행될 수 있다.
또한, 전류 검출 드라이버(110)는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간(D7)에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 제2 전원의 제2 전압에 해당하는 ELVDD(Low)를 전압(VSENSE)으로서 (n) 라인의 신호선(SE)에 제공한다.　
도 8d 및 도 9b에서는 ELVDD(Low)가 전압(ELVSS)인 예를 나타내고 있다. ELVDD(Low)가 전압(VSENSE)로서 (n)라인의 신호선(SE)에 공급되므로, 도 8d 및 도 9b의 발광 정지 기간에 도시된 바와 같이, 발광 소자(D)는 비 발광 되고, 발광 소자(D)의 센싱 동작은 수행해지지 않는다.
전술한 바와 같이, 센싱을 수행하는 서브 필드 기간(D7)에 대응하는 표시 데이터의 값에 따라서, 전류 검출 드라이버(110)(제2 전원)으로부터 신호선(SE)에 공급되는 전압이 전압(ELVDD)(High) 및 전압 ELVDD(Low) 사이에서 변화된다. 표시 데이터에 따라서 전압(ELVDD)(High) 및 전압 ELVDD(Low) 중 어느 하나가 화소에 제공되므로, 도 8b 또는 도 8d에 도시된 바와 같이, 표시 데이터에 따라서 발광 제어가 구현될 수 있다.
도 10a 내지 도 10d는 비 센싱 대상 화소에서 제1 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다. 도 11a 및 도 11b는 서브 필드 기간에서 제1 실시 예에 따른 비 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들 이다.
도 10a 및 도 10b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 11a는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 10c 및 도 10d는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 11b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 10a 및 도 10c는 도 11a 및 도 11b에 도시된 데이터 프로그램 기간에 대응하는 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 10b는 도 11a 에 도시된 발광 기간에 대응하는 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다. 도 10d 는 도 11b에 도시된 발광 정지 기간에 대응하는 화소 회로(112)의 동작을 나타낸다.
도 10a 내지 도 10d, 도 11a, 및 도 11b를 참조하면, (n+1) 라인 및 (n+2) 라인 각각의 제어선(SCAN)으로부터 제공되는 주사 신호가 온 레벨(Low) 전압일 경우 주사 신호에 의해, (n+1) 라인 및 (n+2) 라인 각각의 제어선(SCAN)에 접속되어 있는 화소 회로(112)의 샘플링 스위치 트랜지스터(M2)가 온 된다.　
샘플링 스위치 트랜지스터(M2)가 온 됨으로써, 신호선(DT)으로부터 제공되는 표시 데이터에 대응하는 전압이 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트에 프로그램 된다(도 10a 및 도 10c).　
스위치 트랜지스터(M1)의 게이트에 프로그램된 전압에 따라서 스위치 트랜지스터(M1)는 온 상태 또는 오프 상태로 되고, 표시 데이터에 따라서 발광 소자(D)가 선택적으로 발광된다(도 10b 및 도 10d).
따라서, 표시 장치(100)는 비 센싱 대상 화소에 대하여, 도 10a 내지 도 10d, 도 11a, 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 표시 데이터에 따라서 발광 제어를 수행한다.
도 12는 화소 회로의 발광 소자의 VI 특성을 예시적으로 도시한 도면이다. 도 13은 화소 회로의 발광 소자로 흐르는 전류 및 휘도와의 관계를 예시적으로 도시한 도면이다. 도 14는 화소 회로의 발광 소자에서, 계조와 발광량과의 관계를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 12, 도 13, 및 도 14를 참조하면, 발광 시간을 변경함으로써 계조를 표현하는 디지털 구동에서, 발광량(계조) = 휘도 × 발광 시간으로 표현된다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 발광 소자(D)의 VI 특성이 열화 등에 의해 변동되면(예를 들어, OLED1으로부터 OLED2로의 변동), 발광 소자(D)로 흐르는 전류 값이 변동된다(예를 들어, IOLED1으로부터 IOLED2로의 변동).
또한, 발광 소자(D)로 흐르는 전류 값이 변동되면, 도 13에 도시된 바와 같이, 휘도가 변동된다(예를 들어, IL1로부터 IL2로의 변동). 따라서, 휘도 변화 등에 의해 화질 열화가 발생될 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 표시 장치(100)는 도 14에 도시된 바와 같이, 발광 소자(D)의 VI 특성을 검출하고, 표시 데이터를 보정하여 발광 시간에 보정 값을 가산함으로써, 발광량(계조)이 변동 전과 동등하게 되도록 제어한다.　
본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 화소 회로(112)의 발광 소자(D)의 발광 및 발광 정지를 제어하면서, 동시에 발광 소자(D)의 VI 특성을 센싱할 수 있다. 　따라서, 종래의 문제점인 센싱 시에 발광 소자가 발광됨으로써 발생되는 화질 열화가 방지될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)은 발광 소자(D)의 VI 특성이 센싱될 때, 화질의 열화를 방지하고, 발광 소자(D)의 발광 제어와 발광 소자의 센싱 제어를 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 정전압 및 디지털 구동을 사용하기 때문에, 표시 화면의 대형화 및 고해상도가 구현되더라도, 화질 열화를 방지하면서, 저소비 전력을 구현할 수 있다.
[제 2 실시 예]
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 15를 참조하면, 제2 실시형태에 따른 표시 장치에서 1 필드(1 수직 기간)는 복수의 서브 필드 기간들(D0~D7)을 포함한다. 각각의 서브 필드 기간(D0~D7)은 데이터 프로그램 기간(제1 기간) 및 발광 기간(제2 기간)을 포함한다. 각 서브 필드 기간(D0~D7)은 본 발명의 제1 실시 예와 같이, 계조 데이터마다 웨이팅(weighting)된다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치는 데이터 프로그램 기간에서 선 순차적으로 데이터 갱신을 수행한다.　 또한, 모든 화소 회로들에 대한 데이터 프로그램이 완료한 후에, 발광 기간에서 발광 동작이 수행되고, 적어도 하나 이상의 발광 기간에서 센싱 동작이 수행된다.
도 15에 도시된 바와 같이, 하위 계조의 서브 필드 기간에서는 센싱 동작이 수행되지 않고, 상위 계조의 서브 필드 기간에서 센싱 동작이 수행된다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 표시 장치는 센싱 시간보다 발광 시간이 긴 서브 필드 기간이면, 어떤 계조에 대응하는 서브 필드 기간에서도 센싱 동작을 수행할 수 있다.
도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 16에 도시된 표시 장치(200)는 제1 스위치부(202) 및 제2 스위치부(204)를 포함하고, 신호선(SE)을 갖지 않고, 화소 회로(206)의 구성이 도 3에 도시된 화소 회로(112)와 다른 것을 제외하면, 도 2에 도시된 표시 장치(100)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 이하 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)와 다른 구성이 설명될 것이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 표시 장치(200)는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 표시 장치(100)와 달리 제1 스위치부(202) 및 제2 스위치부(204)를 더 포함한다.
또한, 표시 장치(200)는 신호선(SE)을 갖지 않는다.　표시 장치(200)는 신호선(SE)을 갖지 않음으로, 표시 장치(200)의 화소 회로(206)의 구성은 도 3에 도시된 화소 회로(112)의 구성과 다르다.
제1 스위치부(202)는 데이터 드라이버(108)로부터 제공받은 데이터 신호(VDATA) 및 전류 검출 드라이버(110)으로부터 제공받은 전압(VSENSE)을 전환할 수 있다. 제1 스위치부(202)는 데이터 신호(VDATA) 및 전압(VSENSE) 중 어느 하나를 선택하도록 스위칭 될 수 있다. 제1 스위치부(202)는 각 신호선(DT)에 대응하여 구비되는 스위칭 소자들로 구성될 수 있다.
제2 스위치부(204)는 스위칭 소자들로 구성되고, 제1 전원 전압에 대응하는 전압(ELVDD)을 전압(ELVDD)(High) 및 전압(ELVDD)(Low) 사이에서 전환한다. 전압(ELVDD)(High)은 제1 공통 전원으로부터 제공될 수 있다. 전압(ELVDD)(Low)은 제 2 공통 전원으로부터 제공될 수 있다.
도 16에서 전압(ELVDD)(Low)은 전압(ELVSS)이다. 그러나, 전압(ELVDD)(Low)은 전압(ELVSS)에 한정되지 않는다.　예를 들어, 전압(ELVDD)(Low)은 발광 소자의 캐소드에 인가되는 전압(ELVSS)의 전압 값과, 발광 소자의 문턱 전압의 전압 값을 가산한 전압 값보다도, 낮은 전압 값을 갖는 임의의 전압일 수 있다.
제1 스위치부(202), 및 제2 스위치부(204)의 스위칭 소자들은 제어 신호인 EM 신호에 의해 온 및 오프 상태로 제어될 수 있다.　제2 실시 예에 따른 스위칭 소자는 EM 신호에 응답하여 스위칭이 가능한 임의의 소자일 수 있다. 또한, EM 신호는, 타이밍 컨트롤러(미 도시됨)로부터 제공될 수 있다.
도 17은 도 16에 도시된 화소 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 17을 참조하면, 화소 회로(206)의 센싱 스위치 트랜지스터(M3)의 제2 단자는 신호선(DT)(제1 신호선)에 연결된다. 화소 회로(206)의 다른 구성은도 3에 도시된 화소 회로(112)와 동일한 구성을 갖는다.　따라서, 화소 회로(206)의 다른 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치(200)는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 신호선(DT)과 신호선(SE)이 하나의 신호선(DT)으로 공유화 된다.　표시 장치(200)는 신호선(DT)(제1 신호선)에 데이터 신호(VDATA) 및 센싱에 따른 전압(VSENSE)을 선택적으로 제공한다.
도 18은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 데이터와 서브 필드 기간의 관계를 보여주는 도면이다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치(200)는 복수의 서브 필드 기간들(D4~D7)에서 센싱 동작을 수행할 수 있다.　
도 19는 서브 필드 기간에서 제2 실시 예에 따른 화소 회로들의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 19를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 타이밍도에서 제1 실시 예에 따른 타이밍도의 다른 점은 1 서브 필드 기간에서 데이터 프로그램 기간 및 발광(센싱) 기간이 분리되는 것이다. 데이트 프로그램 기간에서 선 순차적으로 모든 화소 회로(206)에 대한 데이터 프로그램이 완료한 후에, 발광(센싱) 기간에서 발광(센싱) 동작이 수행된다.
데이터 프로그램 기간에서 발광 소자(D)의 발광이 정지되어야 하고, 발광 기간에서 발광 소자(D)가 발광되어야 한다. 표시 장치(200)는 발광 소자(D)의 발광 상태와 비발광 상태를 제1 전원의 전압에 대응하는 전압(ELVDD)을 변화시켜 제어한다.
구체적으로, 표시 장치(200)는 데이터 프로그램 기간에서 제1 전원의 전압에 대응하는 전압(ELVDD)을 전압(ELVDD)(Low)으로 설정한다.　표시 장치(200)는 발광 기간에서 제1 전원의 전압에 대응하는 전압(ELVDD)을 전압(ELVDD)(High)으로 전환한다.　
전압(ELVDD)(Low)은 발광 소자(D)의 캐소드에 인가되는 전압(ELVSS)의 전압 값과, 발광 소자(D)의 문턱 전압의 전압 값을 가산한 전압 값보다 낮은 전압 값을 갖는 임의의 전압일 수 있다.
도 20a 내지 도 20d는 센싱 대상 화소에서 제2 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다. 도 21a 및 도 21b는 서브 필드 기간에서 제2 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들 이다.
도 20a 및 도 20b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 21a는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 타이밍도를 나타낸다. 　
도 20c 및 도 20d는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 21b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 20a 및 도 20c는 도 21a 및 도 21b에 도시된 데이터 프로그램 기간에 대응하는 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 20b는 도 21a에 도시된 발광 + 센싱 기간에 대응하는 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 20d는 도 21b에 도시된 발광 정지 기간에 대응하는 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다.
도 8a 내지 도 8d, 도 9a, 및 도 9b에 도시된 본 발명의 제1 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도와 도 20a 내지 도 20d, 도 21a, 및 도 21b에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도의 차이점은 아래와 같다.
본 발명의 제2 실시 예에서 제1 실시 예에 따른 신호선(DT)과 신호선(SE)이 하나의 신호선(DT)으로 공유화된다. 제1 전원 전압에 대응하는 전압(ELVDD)이 데이터 프로그램 기간 및 발광 기간에 따라서 ELVDD(High)와 ELVDD(Low) 사이에서 가변 된다.
도 22a 내지 도 22d는 비센싱 대상 화소에서 제2 실시 예에 따른 화소 회로(206)의 동작을 보여주는 도면들이다. 도 23a 및 도 23b는 서브 필드 기간에서 제2 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
도 22a 및 도 22b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 23a는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 22c 및 도 22d는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 23b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 22a 및 도 22c는 도 23a 및 도 23b에 도시된 데이터 프로그램 기간에 대응하는 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 22b는 도 23a에 도시된 발광 기간에 대응하는 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다. 도 22d는 도 23b에 도시된 발광 정지 기간에 대응하는 화소 회로(206)의 동작을 나타낸다.
도 10a 내지 도 10d, 도 11a, 및 도 11b에 도시된 본 발명의 제1 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도와 도 22a 내지 도 22d, 도 23a, 및 도 23b에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도의 차이점은 아래와 같다.
본 발명의 제2 실시 예에서 제1 실시 예에 따른 신호선(DT)과 신호선(SE)이 하나의 신호선(DT)으로 공유화된다. 제1 전원 전압에 대응하는 전압(ELVDD)이 데이터 프로그램 기간 및 발광 기간에 따라서 ELVDD(High)와 ELVDD(Low) 사이에서 가변 된다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치(200)는 발광 소자(D)의 발광 및 발광 정지를 제어하면서, 동시에 발광 소자(D)의 VI 특성을 센싱할 수 있다. 　따라서, 종래의 문제점인 센싱 시에 발광 소자가 발광됨으로써 발생되는 화질 열화가 방지될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치(200)은 발광 소자(D)의 VI 특성이 센싱될 때, 화질의 열화를 방지하고, 발광 소자(D)의 발광 제어와 발광 소자의 센싱 제어를 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치(200)는 정전압 및 디지털 구동을 사용하기 때문에, 표시 화면의 대형화 및 고해상도가 구현되더라도, 화질 열화를 방지하면서, 저소비 전력을 구현할 수 있다.
본 발명의 제2 실시 예에서 제1 실시형태에 따른 신호선(DT)과 신호선(SE)이 하나의 신호선(DT)으로 공유화된다.　따라서, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치(200)는 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)보다 화소 회로의 레이아웃 사이즈를 작게할 수 있다.
[제3 실시 예]
도 24는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 24에 도시된 표시 장치(300)는 제 2 스위치부(204)를 구비하지 않고, 각 화소 회로(302)에 발광 제어 신호가 공급되는 신호선(EM)을 갖는 것을 제외하면, 도 16에 도시된 표시 장치(200)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.
도 24에서 발광 제어 신호의 일 예로서, 발광 제어 신호는 제1 스위치부(202)를 구성하는 각 스위칭 소자의 온 및 오프 상태를 제어하기 위한 EM 신호와 동일한 신호이다. 그러나 이에 한정되지 않고 발광 제어 신호와 EM 신호는 다른 신호(동일한 파형의 신호를 포함)일 수 있다.　
도 25는 도 24에 도시된 화소 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 25를 참조하면, 화소 회로(302)는 에미션 스위치 트랜지스터(M4)를 더 포함하는 것을 제외하면, 도 17에 도시된 화소 회로(206)와 동일한 구성을 갖는다.　
에미션 스위치 트랜지스터(M4)의 제1 단자는 발광 소자(D)의 애노드(제 1 단자)에 연결되고, 제2 단자는 스위치 트랜지스터(M1)의 제 1 단자에 연결된다.　에미션 스위치 트랜지스터(M4)의 게이트(제어 단자)에는 발광 제어 신호가 공급되는 신호선(제3 신호선)을 통하여, 발광 제어 신호인 EM 신호가 인가된다.
에미션 스위치 트랜지스터(M4)는 에미션 스위치 트랜지스터(M4)의 게이트에 인가되는 EM 신호에 따라서 발광 소자(D)와 스위치 트랜지스터(M1)를 선택적으로 접속시킬 수 있다.
즉, 표시 장치(300)는 발광 제어 신호가 공급되는 신호선(제3 신호선)을 통해 화소 회로(302)에 EM 신호를 공급함으로써, 발광 소자(D)의 발광 상태와 비발광 상태를 제어한다.
도 26은 서브 필드 기간에서 제3 실시 예에 따른 화소 회로들의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 26을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 타이밍도에서 제2 실시 예에 따른 타이밍도의 다른 점은 전압(ELVDD)은 고정되고, 데이터 프로그램 기간 및 발광 기간에 따라서 EM 신호가 변화되는 것이다.　
즉, 제2 실시 예어서 전압(ELVDD)이 변화되는 것과 달리 제3 실시 예에서 EM 신호가 변화된다.
도 27a 내지 도 27d는 센싱 대상 화소에서 제3 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 보여주는 도면들이다. 도 28a 및 도 28b는 서브 필드 기간에서 제3 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
도 27a 및 도 27b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 28a는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 27c 및 도 27d는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 28b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 27a 및 도 27c는 도 28a 및 도 28b에 도시된 데이터 프로그램 기간에 대응하는 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 27b는 도 28a에 도시된 발광 + 센싱 기간에 대응하는 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 27d는 도 28b에 도시된 발광 정지 기간에 대응하는 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다.
도 20a 내지 도 20d, 도 21a, 및 도 21b에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도와 도 27a 내지 도 27d, 도 28a, 및 도 28b에 도시된 본 발명의 제3 실시 예에 따른 센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도의 차이점은 아래와 같다.
본 발명의 제3 실시 예에서 에미션 스위치 트랜지스터(M4)는 데이터 프로그램 기간에서 오프 상태로 되고, 발광(센싱) 기간에서 온 상태로 된다.
도 29a 내지 도 29d는 비센싱 대상 화소에서 제3 실시 예에 따른 화소 회로(302)의 동작을 보여주는 도면들이다. 도 30a 및 도 30b는 서브 필드 기간에서 제3 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도들이다.
도 29a 및 도 29b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 30a는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 1인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 29c 및 도 29d는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 30b는 센싱을 수행하는 서브 필드 기간에 대응하는 표시 데이터의 값이 0인 경우, 타이밍도를 나타낸다.
도 29a 및 도 29c는 도 30a 및 도 30b에 도시된 데이터 프로그램 기간에 대응하는 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 29b는 도 30a에 도시된 발광 기간에 대응하는 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다. 도 29d는 도 30b에 도시된 발광 정지 기간에 대응하는 화소 회로(302)의 동작을 나타낸다.
도 22a 내지 도 22d, 도 23a, 및 도 23b에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도와 도 29a 내지 도 29d, 도 30a, 및 도 30b에 도시된 본 발명의 제3 실시 예에 따른 비센싱 대상 화소의 동작 및 서브 필드 기간의 타이밍도의 차이점은 아래와 같다.
본 발명의 제3 실시 예에서 에미션 스위치 트랜지스터(M4)는 데이터 프로그램 기간에서 오프 상태로 되고, 발광(센싱) 기간에서 온 상태로 된다.
본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치(300)는 발광 소자(D)의 발광 및 발광 정지를 제어하면서, 동시에 발광 소자(D)의 VI 특성을 센싱할 수 있다. 　따라서, 종래의 문제점인 센싱 시에 발광 소자가 발광됨으로써 발생되는 화질 열화가 방지될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치(300)은 발광 소자(D)의 VI 특성이 센싱될 때, 화질의 열화를 방지하고, 발광 소자(D)의 발광 제어와 발광 소자의 센싱 제어를 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치(300)는 정전압 및 디지털 구동을 사용하기 때문에, 표시 화면의 대형화 및 고해상도가 구현되더라도, 화질 열화를 방지하면서, 저소비 전력을 구현할 수 있다.
본 발명의 제3 실시 예에서 제1 실시형태에 따른 신호선(DT)과 신호선(SE)이 하나의 신호선(DT)으로 공유화된다.　따라서, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치(300)는 제1 실시 예에 따른 표시 장치(100)보다 화소 회로의 레이아웃 사이즈를 작게할 수 있다.
표시 장치(300)는 제1 전원 전압에 대응하는 전압(ELVDD)을 변화시키지 않는다. 전압(ELVDD)이 변화될 경우, 예를 들어, 전압(ELVDD)이 전압(ELVDD)(High)으로 변화되면, 동시에 발광 소자(D)로 전류가 흐름에 따라서, 화소 회로의 위치에 따라서 전압(ELVDD)의 파형 둔화가 발생될 수 있다. 또한, 전압(ELVDD)의 파형 둔화가 발생된 경우, 대응하는 화소 회로의 발광 소자의 발광량에 영향을 미칠 수 있다.
제3 실시 예에 따른 표시 장치(300)는 전압(ELVDD)를 변화시키지 않기 때문에, 상술한 바와 같은 전압(ELVDD)의 파형 둔화에 의한 발광량의 영향을 없앨 수 있다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 표시 장치 102: 표시부
104: 스캔 드라이버 106: 센스 드라이버
108: 데이터 드라이버 110: 전류 검출 드라이버
112, 206, 302: 화소 회로 202: 제 1 스위치부
204: 제 2 스위치부

Claims (14)

  1. 제공받은 전류에 의해 발광하는 발광 소자, 상기 발광 소자의 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 제1 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 스위치 트랜지스터, 및 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 상기 발광 소자의 센싱을 위한 제2 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 센싱 스위치 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소 회로들을 갖고, 데이터 신호가 선택적으로 공급되는 제1 신호선을 통해 제공받는 데이터 신호에 대응하는 영상을 표시하는 표시부; 및
    상기 발광 소자의 발광과, 상기 발광 소자의 센싱을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 스위치 트랜지스터는 상기 제1 신호선을 통해 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제1 전원과 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제 1 단자를 접속시켜 상기 발광 소자를 선택적으로 발광시키고,
    상기 센싱 스위치 트랜지스터는, 센싱을 제어하는 센싱 신호가 선택적으로 공급되는 제2 신호선을 통해 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제2 전원과 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자와 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 접속시켜, 선택적으로 상기 발광 소자가 센싱되도록 하고,
    상기 제어부는 상기 상기 발광 소자의 발광 시간을 제어함으로써, 계조를 표시하고,
    상기 발광 소자를 발광시키는 발광 기간에서, 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 전원을, 상기 제1 전원과 상기 제2 전원 사이에서 전환시킴에 따라서, 상기 발광 소자의 발광 제어와 상기 발광 소자의 센싱 제어를 동시에 수행하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 발광 소자가 센싱되는 경우, 소정의 레벨의 데이터 신호를 상기 제1 신호선으로 제공하여 상기 제1 전원과 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 분리시키고, 소정의 레벨의 센싱 신호를 상기 제2 신호선으로 제공하여 상기 제2 전원과 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 연결시키는 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 기간은 상기 발광 소자를 센싱시키기 위한 센싱 기간을 포함하고,
    상기 제2 전원은,
    상기 발광 소자를 발광시키고 상기 센싱을 수행하기 위한 제1 전압; 및
    상기 발광 소자를 비발광시키고, 상기 센싱을 수행하지 않게 하기 위한 제2 전압을 포함하고,
    상기 센싱 기간에서 상기 제어부는 상기 표시부에 표시되는 영상에 대응하는 데이터 신호에 기초하여, 상기 제2 전원의 상기 제1 전압 또는 상기 제2 전원의 상기 제2 전압을 출력하는 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는상기 센싱 기간에 대응하는 데이터 신호가 나타내는 값이 제1 값인 경우, 상기 제2 전원의 상기 제1 전압을 출력하고,
    상기 센싱 기간에 대응하는 데이터 신호가 나타내는 값이 상기 제1 값보다 작은 제2 값인 경우, 상기 제2 전원의 상기 제2 전압을 출력하는 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 전원의 상기 제1 전압의 전압 값은, 상기 제1 전원의 전압의 전압 값과 동일한 표시 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    1 필드는 계조마다 웨이팅(weighting)이 된 복수의 서브 필드 기간들을 포함하고,
    상기 제어부는 상기 서브 필드 기간 중 상기 발광 기간에 대응하는 적어도 1 이상의 서브 필드 기간에서 상기 발광 소자를 센싱시키는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광 소자를 센싱되는 적어도 1 이상의 서브 필드 기간은 상기 발광 소자의 센싱에 필요한 센싱 필요 시간보다도 긴 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 발광 소자의 발광 제어를 상기 서브 필드 기간의 웨이팅(weighting)에 기초하여 비월 주사에 의해 수행하는 표시 장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자는, 상기 제2 전원에 연결되어 있는 센싱 선에 연결되는 표시 장치.
  10. 제 3 항에 있어서,
    1 필드는 계조마다 웨이팅(weighting)이 된 복수의 서브 필드 기간들을 포함하고,
    상기 각각의 서브 필드 기간은, 상기 스위치 트랜지스터의 제어 단자로 전압의 인가에 대한 제어가 수행되는제1 기간과, 상기 발광 소자의 발광 제어를 수행하는 제2 기간을 포함하고,
    상기 제어부는 상기 각각의 서브 필드 기간의 상기 제1 기간에서 상기 스위치 트랜지스터의 제어 단자로 전압의 인가에 대한 제어를 상기 화소 회로들에 대하여 선 순차로 수행하고, 상기 제2 기간에서 상기 발광 소자의 발광 제어를 상기 화소 회로들에 대하여 동시에 수행하는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자는, 상기 제1 신호선에 연결되고,
    상기 제어부는 상기 제1 신호선에 상기 데이터 신호 또는 상기 제2 전원을 선택적으로 제공하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 발광 소자의 발광 제어를 수행하는 경우, 상기 발광 소자의 발광 상태와 비발광 상태를 상기 제1 전원의 전압을 변화시킴으로써 제어하는 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 갖는 에미션 스위치 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 에미션 스위치 트랜지스터는 상기 발광 소자의 발광 상태와 비발광 상태를 제어하는 발광 제어 신호가 선택적으로 제공되는 제3 신호선을 통해 상기 에미션 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 에미션 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 접속되어 있는 상기 발광 소자와, 상기 에미션 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자에 접속되어 있는 상기 스위치 트랜지스터를 선택적으로 연결시키고,
    상기 제어부는 상기 발광 소자의 발광 제어를 수행하는 경우, 상기 발광 소자의 발광 상태와 비발광 상태를 상기 제3 신호선으로 제공되는 상기 발광 제어 신호에 의해 제어하는 표시 장치.
  14. 제공받은 전류에 의해 발광하는 발광 소자, 상기 발광 소자의 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 제1 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 스위치 트랜지스터, 및 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 제1 단자, 상기 발광 소자의 센싱을 위한 제2 전원에 연결되는 제2 단자, 및 제어 단자를 포함하는 센싱 스위치 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소 회로들을 갖고, 데이터 신호가 선택적으로 공급되는 제1 신호선을 통해 제공받는 데이터 신호에 대응하는 영상을 표시하는 표시부를 포함하고,
    상기 스위치 트랜지스터는 상기 제1 신호선을 통해 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제1 전원과 상기 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 접속시켜 상기 발광 소자를 선택적으로 발광시키고, 상기 센싱 스위치 트랜지스터는, 센싱을 제어하는 센싱 신호가 선택적으로 공급되는 제2 신호선을 통해 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제어 단자로 인가되는 전압에 기초하여, 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되어 있는 상기 제2 전원과 상기 센싱 스위치 트랜지스터의 상기 제1 단자와 연결되어 있는 상기 발광 소자의 상기 제1 단자를 접속시켜, 선택적으로 상기 발광 소자가 센싱되도록 하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 화소 회로의 상기 발광 소자의 발광과 상기 발광 소자의 센싱을 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 제어 단계는,
    상기 발광 소자의 발광 시간을 제어하여 계조를 표시하고,
    상기 발광 소자를 발광시키는 발광 기간에서, 상기 발광 소자의 상기 제1 단자에 연결되는 전원을, 상기 제1 전원과　상기 제2 전원 사이에서 전환시킴에 따라서, 상기 발광 소자의 발광 제어와 상기 발광 소자의 센싱 제어를 동시에 수행하게 하는 것을 특징으로 표시 장치의 구동 방법.
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