KR20150057622A - 기판 가공 장치 및 기판 가공 방법 - Google Patents

기판 가공 장치 및 기판 가공 방법 Download PDF

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KR20150057622A
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박찬중
김문기
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주식회사 코디에스
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Abstract

본 발명에 따른 기판 가공 장치는 기판의 모서리의 굴곡을 측정하는 측정부, 기판의 모서리에 접촉하여 열을 가함으로써 상기 모서리의 일부를 제거하는 가열부, 상기 측정부의 측정 결과에 따라 상기 가열부의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

기판 가공 장치 및 기판 가공 방법{DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 가공 장치 및 기판 가공 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 기판을 포함한다. 이러한 기판은 대면적의 모기판에 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극 등 표시 장치에서 필요로 하는 부분을 형성하고 스크라이빙(scribing) 및 절단(cutting) 등을 거쳐 단위 기판으로 나뉘어 진다.
기판의 절단은 주로 레이저를 이용하여 이루어진다. 레이저를 이용하여 기판을 절단하는 경우에는 강한 레이저로 인하여 절단 측면이 매끈하지 않고 굴곡이 발생할 수 있다. 이와 같이 절단 측면이 이로 인하여 기판의 강도가 저하되고 공정 수율이 낮아진다.
한편, 기판이 절단된 이후에 기판의 표면 마무리를 위하여 모서리를 가공하는 작업이 수행되는데, 이러한 작업을 모따기 또는 면취라고 한다. 기판 절단이 매끄럽게 진행된 경우에는 면취 공정이 원활하게 진행될 수 있다. 그러나, 만일 기판의 절단 측면에 굴곡이 발생하는 경우에는 면취 공정이 고르게 이루어지기 어려워 기판 가공 공정이 어려움이 발생할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판의 절단 공정 결과 기판의 측면이 매끄럽지 못한 경우에도 면취 공정을 원활하게 진행할 수 있는 기판 가공 장치 및 기판 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치는 기판의 모서리의 굴곡을 측정하는 측정부, 기판의 모서리에 접촉하여 열을 가함으로써 상기 모서리의 일부를 제거하는 가열부, 상기 측정부의 측정 결과에 따라 상기 가열부의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.
상기 측정부는, 상기 모서리에서 깊이가 가장 깊은 지점을 측정할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부의 동작 조건을 설정할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부와 상기 기판의 접촉 압력을 결정할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 가열부의 온도를 제어할 수 있다.
상기 가열부는, 상기 모서리의 일부를 제거하여 상기 기판의 수평면 및 수직면과 접하는 깍인면이 노출되게 할 수 있다.
상기 모서리 주변을 냉각하는 냉각부를 더 포함할 수 있다.
상기 냉각부는 상기 가열부와 상기 기판이 접촉할 부분을 냉각하거나, 상기 가열부와 상기 기판이 접촉한 부분을 냉각할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 냉각부의 냉각량을 제어할 수 있다.
상기 모서리의 일부가 제거된 상기 기판을 후처리하는 후처리부를 더 포함할 수 있다.
상기 후처리부는, 상기 기판의 일부를 기판의 평면에 수직한 방향으로 절단할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 가공 방법은 기판을 스테이지에 장착하는 단계, 상기 기판의 모서리의 굴곡을 측정하는 단계, 상기 측정 결과에 따라 공정 조건을 설정하는 단계, 그리고 열을 전달하는 가열부를 상기 기판의 모서리에 접촉함으로써 상기 모서리의 일부를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 측정하는 단계는, 상기 모서리에서 깊이가 가장 깊은 지점을 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 설정하는 단계는, 상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부의 동작 조건을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 설정하는 단계는, 상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부와 상기 기판의 접촉 압력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 모서리의 일부를 제거하는 단계는, 상기 모서리의 일부를 제거하여 상기 기판의 수평면 및 수직면과 접하는 깍인면이 노출되게 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 모서리 주변을 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 냉각하는 단계는, 상기 모서리의 일부를 제거하는 단계 이전에 상기 기판을 사전 냉각 시키는 단계, 그리고 상기 모서리의 일부를 제거하는 단계 이후에 상기 기판을 사후 냉각 시키는 단계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 공정 조건을 설정하는 단계는, 상기 가열부의 온도 및 상기 냉각부의 냉각량 중 적어도 하나를 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 모서리의 일부가 제거된 상기 기판을 후처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 후처리하는 단계는, 상기 기판의 일부를 기판의 평면에 수직한 방향으로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면 기판의 절단 공정 결과 기판의 측면이 매끄럽지 못한 경우에 측면의 굴곡을 측정하여 그 결과에 따라 면취 공정 조건을 조절함으로써, 면취 공정을 원활하게 진행할 수 있어 기판의 강도 및 수율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시에에 따른 기판 가공 장치가 가공하는 기판의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시에에 따른 기판 가공 장치가 가공하는 기판의 일부를 도시하는 정면도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시에에 따른 기판 가공 장치가 가공하는 기판의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치가 동작하는 모습을 도시하는 도면이다.
도 6은 종래 기술에 따라 가공된 기판을 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 후처리부의 동작을 설명하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 방법의 흐름도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이제 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치 및 가공 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 블록도이며, 도 2는 본 발명의 한 실시에에 따른 기판 가공 장치가 가공하는 기판의 일부를 도시하는 사시도이며, 도 3은 본 발명의 한 실시에에 따른 기판 가공 장치가 가공하는 기판의 일부를 도시하는 정면도이며, 도 4는 본 발명의 한 실시에에 따른 기판 가공 장치가 가공하는 기판의 일부를 도시하는 단면도이며, 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치가 동작하는 모습을 도시하는 도면이며, 도 6은 종래 기술에 따라 가공된 기판을 도시하는 단면도이다.
기판 가공 장치(100)는 평판 표시 장치의 표시판(panel)으로 사용되는 기판(10)의 모서리(30)를 가공하는 장치이다.
기판(10)은 평판 표시 장치의 종류에 따라 유리, 실리콘 또는 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 재료에 따라 가요성(flexible)을 가질 수 있다. 고분자 물질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
기판(10)은 스테이지(40)에 장착되어 스테이지(40)의 이동에 따라 또는 기판 가공 장치(100)의 이동에 따라 가공 공정이 진행될 수 있다. 스테이지(40)의 크기는 기판(10)의 크기와 실질적으로 동일하거나 가공 환경에 따라 더 크거나 작을 수도 있다. 스테이지(40)는 흡착구(도시하지 않음)가 내부에 형성되어 진공을 이용하여 기판(10)을 고정할 수 있다.
기판 가공 장치(100)는 측정부(110), 가열부(120), 냉각부(130), 제어부(140) 및 후처리부(150)를 포함한다.
측정부(110)는 기판(10)의 모서리(30) 굴곡을 측정한다. 이에 대하여 도 2 내지 도 4를 참고하여 상세하게 설명한다.
기판 가공 장치(100)의 기판 가공 공정 이전에 기판은 모기판에서 단위 기판 등으로 절단된다. 이때 절단 공정의 방법에 따라 절단 측면이 매끈하지 않고 굴곡이 발생할 수 있다. 이러한 경우 기판(10)의 모서리(30)는 도 3과 같이 직선으로 형성되지 못하고 곡선으로 형성될 수 있다. 측정부(110)는 이와 같이 곡선으로 형성된 모서리(30)의 굴곡을 측정한다.
예를 들어, 모서리(30)는 길이 방향의 수직 방향으로 가장 깊이가 얕은 지점(A), 두 번째로 깊이가 얕은 지점(B) 및 깊이가 가장 깊은 지점(C)을 가질 수 있다. 지점(A)와 지점(B)의 거리는 D1이고, 지점(C)와 지점(B)의 거리는 D2이다. 이때 측정부(110)는 이 중에서 가장 깊이가 깊은 지점(C)의 위치를 측정한다.
가열부(120)는 기판(10)의 모서리(30)에 접촉하여 열을 가함으로써 모서리(30)의 일부를 벗겨낸다. 도 5를 참고하면, 가열부(120)는 열이 인가되는 본체(41) 및 본체(41)가 부착되어 있는 지지부(42)를 포함한다.
본체(41)는 본체(41)의 기둥 방향과 소정의 각도(θ1)를 가지고 형성되어 있는 접촉면(43)를 포함한다.
접촉면(43)는 기판(10)의 모서리(11)에 접촉하는 면으로서, 열로서 기판(10)의 모서리(11)의 일부(12)를 제거한다. 모서리(11)의 일부(12)는 스트립 형태로 형성될 수 있다. 접촉면(43)이 본체(41)의 기둥 방향과 이루는 각도(θ1)는 기판(10)의 수직면(14)과 깍인면(13)이 이루는 각도(θ2)에 대응된다.
지지부(42)는 본체(41)를 지지하고 있으며, 본체(41)에 열을 전달하며 본체(41)의 온도를 일정 시간 동안 일정하게 유지하게 한다. 예를 들어 지지부(42)의 양단에 전류가 인가되어 본체(41)의 온도를 조절할 수 있다.
냉각부(130)는 기판(10)에서 가열부(120)가 접촉하는 부분 즉 모서리(30) 주변을 냉각시킨다. 상세하게는 가열부(130)는 기판 가공 장치(100)의 진행 방향을 기준으로 가열부(120)보다 뒤에 배치되어 기판(10)의 가열된 부분을 후 냉각하거나, 기판 가공 장치(100)의 진행 방향을 기준으로 가열부(120)보다 앞에 배치되어 기판(10)이 가열될 부분을 선 냉각할 수 있다. 또한 냉각부(130)는 도 5에서 화살표(21, 22, 23)로 표시한 방향으로 나누어 가열된 모서리(30) 주변에 있는 복수의 기판 면을 각각 냉각할 수도 있다.
냉각부(130)는 냉매, 초순수 및 냉각된 공기 등을 이용하는 냉각 장치 등을 포함할 수 있다. 냉매 및 초순수 등을 이용하는 냉각 장치는 냉각관 등을 이용하는 기판 접촉식 또는 기판 비접촉식일 수 있고, 냉각된 공기를 이용하는 냉각 장치는 냉각관 등을 이용하는 접촉식으로 구성되거나 냉각된 공기를 불어내는 비접촉식으로 구성될 수 있을 뿐만 아니라, 가열된 공기를 빨아들이는 방식으로 구성할 수 있다.
제어부(140)는 측정부(110)의 측정 결과에 따라 가열부(120) 및 냉각부(130)의 동작을 제어한다. 즉, 제어부(140)는 측정부(110)가 모서리(30)에서 가장 깊은 지점(C)을 측정한 결과에 따라 지점(C)을 기준으로 가열부(120)의 접촉 위치를 결정할 수 있다.
예를 들어 제어부(140)는 지점(C)을 가열부(120)의 최초 접촉 위치로 결정하고 지점(C)을 기준으로 가열부(120)와 기판(10)의 접촉 압력을 결정하고 결정된 조건을 한 변에 존재하는 모서리 공정 전체에 적용할 수 있다.
또한 이 뿐만 아니라 제어부(140)는 가열부(120)의 온도 및 냉각부(130)의 냉각량 등을 결정하여 가열부(120) 및 냉각부(130)의 동작을 제어할 수 있다. 이때 제어부(140)는 기판(10)의 절단 면적, 기판(10)의 재질 및 기판(10)의 두께 등을 고려할 수 있다.
만일 도 6과 같이 가열부(120)가 가장 깊은 지점(C)이 아닌 중간 깊이 지점(B)을 시작점으로 하여 이를 기준으로 접촉 압력을 결정하여 면취를 하여 깍인면(63)을 형성하면, 공정의 기준이 되는 지점(B)보다 깊은 깊이를 갖고 있는 지점(C)은 가열부(120)가 가진 열의 영향만 받을 뿐 접촉이 이루어지지 않아 면취가 수행되지 않을 수 있다. 이는 면취 공정이 가장 얕은 깊이를 갖는 지점(A)을 기준으로 수행되었을 때에는 이러한 상태가 더 심하다.
그러나 본 발명의 한 실시예에 따르면, 가장 깊은 깊이를 갖는 지점(C)을 측정하여 이를 기준으로 면취 공정 조건을 결정함으로써, 면취가 이루어지지 않는 부분이 발생하는 것을 방지하여 가공된 모서리가 매끈하게 형성되게 한다.
또한 본 발명의 한 실시예에 따르면 열을 이용하여 모서리에 접촉식으로 압력을 가하여 면취 공정을 진행함으로써, 모서리에 버(burr)가 생긴 부분과, 버가 생기지 않은 부분의 면취량에 편차가 없어져서 매끄러운 모서리 가공이 가능하다.
또한 본 발명의 한 실시예에 따르면, 기판(10)에서 가열부(120)가 접촉하는 부분을 가열부(130)를 이용하여 냉각함으로써, 기판(10)의 열변형을 즉각적으로 방지하여 면취가 고르게 이루어지게 할 수 있다.
다시 도 1을 참고하면, 후처리부(150)는 면취 공정이 완료된 후에 면취 공정 결과에 따라 기판(10)을 추가 절단하여 기판 가공을 후처리한다. 이에 대하여 도 7을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 기판 가공 장치의 후처리부의 동작을 설명하는 도면이다.
도 7을 참고하면, 면취 공정이 완료된 기판(10)의 단면도가 도시되어 있다. 기판(10)의 모서리(30) 일부가 제거되어 깍인면(13)이 노출된 상태이다. 가공 공정의 품질을 유지하기 위하여 깍인면(13)과 수평면(12)이 만나는 지점(41)과 모서리(11)까지 거리(P)(이하 '깍인면의 수평 거리'라고 한다)를 일정한 범위 이내로 조절하는 것이 중요하다.
그런데 본 발명의 한 실시예에 다르면, 굴곡이 있는 모서리(30)에서 깊이가 가장 깊은 지점(C)을 기준으로 면취 공정이 수행되었기 때문에 위치에 따라서 가공량이 과도해지는 경우가 있다. 따라서 위치에 따라 깍인면의 수평 거리(P)가 희망하는 직선거리(S)보다 커질 수 있다.
이러한 경우 희망하는 깍인면의 수평 거리가 S인 지점에 대응되는 선(CL)을 따라 기판(10)의 일부(70)를 절단하는 후처리를 수행한다. 선(CL)은 기판(10)의 수직면(14)에 평행하다. 이러한 후처리 공정은 열, 레이저 및 연마 등 다양한 방법으로 진행될 수 있다.
이와 같이 면취 공정 후에 위치에 따라 과도한 가공이 이루어진 경우, 후처리를 수행함으로써 모서리 가공의 적정 수준을 유지할 수 있다.
이제 도 8을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 가공 방법을 설명한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 가공 방법의 흐름도이다.
도 8을 참고하면, 스테이지(40)에 기판(10)을 장착한다(S810). 이때 진공을 이용하여 스테이지(40)에 기판(10)을 고정하거나, 다른 고정 수단을 이용하여 기판(10)을 고정할 수 있다.
이어서 기판 가공 장치(100)는 가공 대상인 기판(10)의 단면 굴곡을 측정한다(S820). 즉 절단 공정이 완료된 기판(10)에서 면취 공정의 대상이 되는 모서리(30)의 굴곡을 측정하여 깊이가 가장 깊은 지점을 파악한다.
기판 가공 장치(100)는 기판 가공의 동작 조건을 설정한다(S830). 이때 기판 가공 장치(100)의 동작 조건은 모서리(30)의 굴곡 측정 결과 깊이가 가장 깊은 지점을 면취 공정의 시작점으로 결정하는 것을 포함한다.
또한 동작 조건은 가열부(120)가 모서리(30)에 접촉하는 압력, 가열부(120)의 온도, 냉각부(130)의 냉각량 등을 포함한다.
이어서, 기판 가공 장치(100)의 가열부(120)를 기판(10)의 모서리(30)를 접촉시킨다(S840). 이때 스테이지(40)가 이동되거나, 기판 가공 장치(100)가 이동됨으로써 공정 방향이 결정될 수 있다. 그러면 가열부(110)의 열로 인하여 기판(10)의 모서리(30)가 제거되면서 깍인면(13)이 노출된다.
이어서 기판 가공 장치(100)의 냉각부(130)는 가열부(120)가 접촉한 부분을 냉각한다(S850).
단계(S840) 및 단계(S850)는 연속하여 이루어질 수 있다. 또한 단계(S840)는 단계(S850) 이전에 수행될 수 있으며, 단계(S440)는 단계(S430) 이전 및 이후에 모두 수행될 수도 있다. 또한 단계(S840) 및 단계(S850)는 동시에 수행될 수도 있다.
그리고 기판 가공 장치(100)는 모서리(30)가 제거된 기판(10)을 필요에 따라 후처리한다(S860). 즉, 도 7과 같이 깍인면의 수평 거리가 P 인 경우 희망하는 깍인면의 수평 거리가 S 인 지점에 대응되는 선(CL)을 따라 기판(10)의 일부(70)를 절단하는 후처리를 수행한다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (21)

  1. 기판의 모서리의 굴곡을 측정하는 측정부,
    기판의 모서리에 접촉하여 열을 가함으로써 상기 모서리의 일부를 제거하는 가열부, 그리고
    상기 측정부의 측정 결과에 따라 상기 가열부의 동작을 제어하는 제어부
    를 포함하는 기판 가공 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 측정부는,
    상기 모서리에서 깊이가 가장 깊은 지점을 측정하는
    기판 가공 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제어부는,
    상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부의 동작 조건을 설정하는
    기판 가공 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제어부는,
    상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부와 상기 기판의 접촉 압력을 결정하는 기판 가공 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 제어부는, 상기 가열부의 온도를 제어하는
    기판 가공 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 가열부는,
    상기 모서리의 일부를 제거하여 상기 기판의 수평면 및 수직면과 접하는 깍인면이 노출되게 하는
    기판 가공 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 모서리 주변을 냉각하는 냉각부
    를 더 포함하는 기판 가공 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 냉각부는
    상기 가열부와 상기 기판이 접촉할 부분을 냉각하거나, 상기 가열부와 상기 기판이 접촉한 부분을 냉각하는
    기판 가공 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제어부는,
    상기 냉각부의 냉각량을 제어하는 기판 가공 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 모서리의 일부가 제거된 상기 기판을 후처리하는 후처리부
    를 더 포함하는 기판 가공 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 후처리부는,
    상기 기판의 일부를 기판의 평면에 수직한 방향으로 절단하는
    기판 가공 장치.
  12. 기판을 스테이지에 장착하는 단계,
    상기 기판의 모서리의 굴곡을 측정하는 단계,
    상기 측정 결과에 따라 공정 조건을 설정하는 단계, 그리고
    열을 전달하는 가열부를 상기 기판의 모서리에 접촉함으로써 상기 모서리의 일부를 제거하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 측정하는 단계는,
    상기 모서리에서 깊이가 가장 깊은 지점을 측정하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 설정하는 단계는,
    상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부의 동작 조건을 설정하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
  15. 제13항에서,
    상기 설정하는 단계는,
    상기 깊이가 가장 깊은 지점을 기준으로 상기 가열부와 상기 기판의 접촉 압력을 결정하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
  16. 제12항에서,
    상기 모서리의 일부를 제거하는 단계는,
    상기 모서리의 일부를 제거하여 상기 기판의 수평면 및 수직면과 접하는 깍인면이 노출되게 하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
  17. 제12항에서,
    상기 모서리 주변을 냉각하는 단계
    를 더 포함하는 기판 가공 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 냉각하는 단계는,
    상기 모서리의 일부를 제거하는 단계 이전에 상기 기판을 사전 냉각 시키는 단계, 그리고
    상기 모서리의 일부를 제거하는 단계 이후에 상기 기판을 사후 냉각 시키는 단계
    중 적어도 하나를 포함하는 기판 가공 방법.
  19. 제12항에서,
    상기 공정 조건을 설정하는 단계는,
    상기 가열부의 온도 및 상기 냉각부의 냉각량 중 적어도 하나를 설정하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
  20. 제12항에서,
    상기 모서리의 일부가 제거된 상기 기판을 후처리하는 단계
    를 더 포함하는 기판 가공 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 후처리하는 단계는,
    상기 기판의 일부를 기판의 평면에 수직한 방향으로 절단하는 단계
    를 포함하는 기판 가공 방법.
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