KR20150057315A - Reflective semiconductor optical amplifier module package - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a reflective semiconductor optical amplifier module package. The reflective semiconductor optical amplifier module package according to the present invention includes a plate which is combined with a signal line and a ground line on the lower side thereof, a reflective semiconductor optical amplifier which is installed on the upper side of the plate, a housing which forms a first inner space by combining the plate with a lower end thereof and receives the reflective semiconductor optical amplifier in the inner space, a sleeve which forms a second inner space which is connected to the first inner space, an optical circulator which is received in the second inner space, and a first optical fiber and a second optical fiber which are combined with the upper side of the optical circulator. The optical circulator inputs an optical signal inputted through the first optical fiber to the reflective semiconductor optical amplifier and outputs an optical signal outputted from the reflective semiconductor optical amplifier through the second optical fiber.

Description

반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지{REFLECTIVE SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER MODULE PACKAGE}REFLECTIVE SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER MODULE PACKAGE [0002]

본 발명은 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광 통신에서 반사형 반도체 광 증폭기를 사용하여 효율적으로 광 신호를 증폭시킬 수 있는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective semiconductor optical amplifier module package, and more particularly, to a reflective semiconductor optical amplifier module package capable of efficiently amplifying an optical signal using a reflective semiconductor optical amplifier in optical communication.

광 증폭기(optical amplifier)는 동작 방식에 따라 광섬유 광 증폭기(optical fiber amplifier)와 반도체 광 증폭기(SOA ; Semiconductor Optical Amplifier)로 나눌 수 있다. 반도체 광 증폭기는 광섬유 광폭기에 비해 증폭 이득 또는 잡음 특성이 좋지 않다는 단점이 있지만, 상대적으로 가격이 저렴하고 설치 등이 쉽다는 장점이 있다.An optical amplifier can be divided into an optical fiber amplifier and a semiconductor optical amplifier (SOA) according to the operation method. Semiconductor optical amplifiers have a disadvantage in that they have less amplification gain or noise characteristics than optical fiber amplifiers, but they are relatively inexpensive and easy to install.

반사형 반도체 광 증폭기(RSOA ; Reflective SOA)는 반도체 광 증폭기의 증폭 영역의 일단에 무반사 코팅면을 형성하고, 타면에 반사 코팅면을 형성하여, 입력된 신호가 증폭된 후 반사 코팅면에서 반사되어 출력되는 구조이다. 이러한 반사형 반도체 광 증폭기는 종래에 독립적인 씨드(seed) 광원이 필요없는 WDM-PON(Seedless RSOA-based WDM-PON)을 구성하는 것에 주로 응용되었다. 그러나 반사형 반도체 광 증폭기는 소형화가 가능하고, 다른 형태의 광 증폭기보다 가격이 저렴하다는 장점으로 인해 다른 용도로 응용될 수 있다는 의견이 제기되고 있다. Reflective SOA (Reflective SOA) has a structure in which an anti-reflection coated surface is formed on one end of an amplification region of a semiconductor optical amplifier, a reflection coated surface is formed on the other surface, the input signal is amplified, Output structure. This reflection type semiconductor optical amplifier has been mainly applied to construct a WDM-PON (Seedless RSOA-based WDM-PON) which does not require an independent seed light source. However, it is suggested that a reflective semiconductor optical amplifier can be used for other purposes because it can be miniaturized and is less expensive than other types of optical amplifiers.

수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network) 시스템에서는 광 신호의 전송 손실에 따라 광 신호의 증폭이 필요하다. 이에 따라 수동형 광 네트워크에서는 다양한 방식의 광 증폭기가 설치될 수 있다. 종래에 사용되는 광 증폭기는 주로 EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier) 또는 라만 광 증폭기(Raman Fiber Amplifier)의 광섬유 광 증폭기가 사용되었다.In a passive optical network (PON) system, it is necessary to amplify an optical signal according to the transmission loss of the optical signal. Accordingly, various types of optical amplifiers can be installed in a passive optical network. In the conventional optical amplifiers, an EDFA (Erbium-Doped Fiber Amplifier) or a Raman Fiber Amplifier optical fiber optical amplifier was used.

그러나 최근들어 수동형 광 네트워크가 널리 보급됨에 따라 다양한 환경에서 사용될 뿐만 아니라, GE PON이외에도 10GE PON 및 비디오 오버레이를 위한 다양한 파장 대역의 신호 등도 전송됨에 따라 상황에 따라 용이하게 설치할 수 있는 소형 광 증폭기가 필요하게 되었다. 그러나 종래의 광섬유 광 증폭기는 상대적으로 가격이 비싸고 크기가 클 뿐만 아니라 설치가 복잡하다는 문제가 있었다. 이에 이러한 문제를 해결할 수 있는 광 증폭기에 대한 요구가 있어 왔다.However, as the passive optical network has been popularized recently, it is used not only in a variety of environments but also in a variety of wavelength bands for 10GE PON and video overlay in addition to the GE PON. Therefore, a compact optical amplifier . However, the conventional optical fiber optical amplifier is relatively expensive, has a large size, and is complicated in installation. Accordingly, there has been a demand for an optical amplifier capable of solving such a problem.

본 발명의 목적은 작업자가 설치가 용이하면서 소형화가 가능한 광 증폭기 모듈 패키지를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical amplifier module package that is easy to install and can be downsized by an operator.

본 발명의 다른 목적은 시간 지연과 이득 제어가 간단한 광 증폭기 모듈 패키지를 제공하는 것에 있다.It is another object of the present invention to provide an optical amplifier module package which is simple in time delay and gain control.

본 발명의 또 다른 목적은 방열 특성이 우수한 광 증폭기 모듈 패키지를 제공하는 것에 있다.It is still another object of the present invention to provide an optical amplifier module package excellent in heat radiation characteristics.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 신호선 및 접지선이 결합된 플레이트, 상기 플레이트의 상면 상에 설치되는 반사형 반도체 광 증폭기, 하단이 상기 플레이트와 결합하여 제1 내부 공간을 형성하고, 상기 내부 공간에 상기 반사형 반도체 광 증폭기를 수용하는 하우징, 상기 제1 내부 공간과 연통되는 제2 내부 공간을 형성하는 슬리브, 상기 제2 내부 공간 내부에 수용되는 광 서큘레이터 및 상기 광 서큘레이터의 상단 측에 결합된 제1 및 제2 광섬유를 포함하되, 상기 광 서큘레이터는 상기 제1 광섬유를 통해 입력된 광 신호가 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되도록 하고, 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력된 광 신호가 상기 제2 광섬유를 통해 출력되게 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a reflection type semiconductor optical amplifier module package including a plate coupled with a signal line and a ground line, a reflection type semiconductor optical amplifier provided on an upper surface of the plate, A housing for accommodating the reflection type semiconductor optical amplifier in the inner space, a sleeve for forming a second inner space communicating with the first inner space, a housing accommodated in the second inner space, And a first optical fiber and a second optical fiber coupled to an upper end of the optical circulator, wherein the optical circulator is configured to allow the optical signal input through the first optical fiber to be input to the reflective semiconductor optical amplifier And the optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier is output through the second optical fiber.

일 측에 있어서, 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되거나 또는 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력되는 광 신호를 미리 정해진 비율로 분배하는 탭 필터를 더 포함할 수 있다.And a tap filter for dividing the optical signal input to the reflection type semiconductor optical amplifier or output from the reflection type semiconductor optical amplifier at a predetermined ratio.

일 측에 있어서, 상기 탭 필터는 상기 제1 내부 공간에 수용되고, 상기 플레이트와 기울어진 상태로 대향될 수 있다.On one side, the tap filter is accommodated in the first inner space and can be opposed to the plate in an inclined state.

일 측에 있어서, 상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되는 광 신호를 수광하는 제1 포토 다이오드부를 더 포함할 수 있다.The first filter may further include a first photodiode part for receiving an optical signal input to the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter.

일 측에 있어서, 상기 제1 포토 다이오드부는 상기 하우징의 측면에 결합되고, 상기 탭 필터와 기울어진 상태로 대향될 수 있다.The first photodiode portion may be coupled to a side surface of the housing and may be opposed to the tap filter in a slanted state.

일 측에 있어서, 상기 하우징은 측면에 제1 개구부를 구비하고, 상기 제1 포토 다이오드부는, 상기 제1 개구부를 통해 상기 제1 내부 공간과 연통되는 공간을 형성하는 제1 캔, 상기 제1 캔에 의해 형성된 공간에 수용되는 제1 포토 다이오드 및 상기 제1 포토 다이오드에 신호를 입출력하는 리드선을 포함할 수 있다.The first photodiode portion includes a first can that forms a space communicating with the first inner space through the first opening portion, a second can that forms a space communicating with the first inner space through the first opening portion, A first photodiode accommodated in a space formed by the first photodiode and a lead line for inputting / outputting a signal to / from the first photodiode.

일 측에 있어서, 상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력되는 광 신호를 수광하는 제2 포토 다이오드부를 더 포함할 수 있다.And a second photodiode part for receiving the optical signal output from the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter.

일 측에 있어서, 상기 제2 포토 다이오드부는 상기 하우징의 측면에 결합되고, 상기 탭 필터와 기울어진 상태로 대향될 수 있다.In one embodiment, the second photodiode portion is coupled to the side surface of the housing, and may be opposed to the tap filter in an inclined state.

일 측에 있어서, 상기 하우징은 측면에 제2 개구부를 구비하고, 상기 제2 포토 다이오드부는, 상기 제2 개구부를 통해 상기 제1 내부 공간과 연통되는 공간을 형성하는 제2 캔, 상기 제2 캔에 의해 형성된 공간에 수용되는 제2 포토 다이오드 및 상기 제2 포토 다이오드에 신호를 입출력하는 리드선을 포함할 수 있다.The housing has a second opening at a side thereof and the second photodiode portion includes a second can forming a space communicating with the first internal space through the second opening, A second photodiode accommodated in a space formed by the first photodiode and a lead line for inputting / outputting a signal to / from the second photodiode.

일 측에 있어서, 상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되는 광 신호를 수광하는 제1 포토 다이오드부 및 상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력되는 광 신호를 수광하는 제2 포토 다이오드부를 더 포함하고, 상기 제1 포토 다이오드부와 상기 제2 포토 다이오드부는 상기 하우징의 측면에서 상기 탭 필터를 사이에 두고 서로 대향될 수 있다.A first photodiode part for receiving an optical signal inputted to the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter and a second photodiode part for receiving an optical signal outputted from the reflection type semiconductor optical amplifier, The first photodiode portion and the second photodiode portion may be opposed to each other with the tap filter interposed between the side surfaces of the housing.

일 측에 있어서, 상기 플레이트와 상기 반사형 반도체 광 증폭기 사이에 배치되는 방열 부재를 더 포함할 수 있다.And a heat dissipation member disposed between the plate and the reflection type semiconductor optical amplifier.

일 측에 있어서, 상기 슬리브는 상기 플레이트에 수직인 방향에 대해서 0.1° 내지 15°의 각도로 기울어질 수 있다.On one side, the sleeve may be tilted at an angle of 0.1 DEG to 15 DEG with respect to a direction perpendicular to the plate.

일 측에 있어서, 상기 제1 및 제2 광섬유가 관통되는 관통홀이 형성되고, 상기 슬리브의 상단과 결합하여 상기 제2 내부 공간을 밀폐시키는 커버부를 더 포함할 수 있다.The cover may further include a cover portion formed at one side with a through hole through which the first and second optical fibers penetrate and sealing the second internal space by engaging with an upper end of the sleeve.

일 측에 있어서, 상기 하우징은 상단에 상기 제1 내부 공간과 상기 제2 내부 공간을 연통하는 개구부를 구비할 수 있다.In one aspect, the housing may have an opening at an upper end thereof which communicates the first inner space and the second inner space.

일 측에 있어서, 상기 슬리브는 상기 하우징의 상단에 결합하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.Wherein the sleeve is coupled to an upper end of the housing.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 실시예에 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 상기 하우징은 측면의 하단에서 외측 방향으로 돌출된 돌출 부재를 구비하고, 상기 슬리브는 하단이 상기 돌출 부재와 결합한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a reflection type semiconductor optical amplifier module package, wherein the housing includes a protruding member protruding outward at a lower side of a side surface of the housing, .

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 실시예에 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 상기 플레이트는 상기 하우징의 하단을 초과하여 형성되고, 상기 슬리브는 하단이 상기 하우징의 하단을 초과하여 형성된 플레이트와 결합한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a reflective semiconductor optical amplifier module package, wherein the plate is formed to extend beyond a lower end of the housing, and the lower end of the sleeve is formed to extend beyond a lower end of the housing Plate.

본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 따르면 광 서큘레이터와 입출력 신호를 측정할 수 있는 제1 및 제2 포토 다이오드부를 하나의 패키지로 형성하여 작업자가 광 선로에 증폭기 패키지를 설치하는 것이 용이할 뿐만 아니라, 시간 지연과 이득 제어가 간편하다는 효과가 있다.According to the reflection type semiconductor optical amplifier module package of the present invention, the first and second photodiode portions capable of measuring the input and output signals with the optical circulator are formed into one package, and it is easy for the operator to install the amplifier package in the optical line In addition, there is an effect that the time delay and the gain control are simple.

또한, 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 하나의 패키지로 형성하여 단가가 저렴하고 제작 공정이 간소하다는 장점이 있다.Also, the reflection type semiconductor optical amplifier module package of the present invention is formed in one package, which is advantageous in that the unit price is low and the manufacturing process is simple.

또한, 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 각각의 내부 공간이 서로 연통되어 있어 방열에 유리하다. Further, the reflection type semiconductor optical amplifier module package of the present invention is advantageous for heat radiation since the respective internal spaces are communicated with each other.

또한, 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 소형화가 가능해 하향 신호(DS ; Down Stream) 및 상향 신호(US ; Up Stream)를 증폭할 수 있는 두 개의 증폭기 패키지를 하나의 통합 패키지로 구성할 수 있고, 더 나아가 하향 신호(DS ; Down Stream)에서도 서로 다른 파장 대역의 광 신호를 증폭할 수 있는 증폭기 패키지까지 포함된 적어도 3개 이상의 증폭기 통합 패키지를 구성할 수도 있다는 장점이 있다.In addition, the reflective semiconductor optical amplifier module package of the present invention can be miniaturized, so that two amplifier packages capable of amplifying Downstream (DS) and Upstream (US) It is also advantageous to configure at least three amplifier integration packages including an amplifier package capable of amplifying optical signals of different wavelength bands even in a downstream signal (DS).

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 분해사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 내부 공간을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 사용 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view showing the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view showing a structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an internal space of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view showing the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is judged that it is possible to make the gist of the present invention obscure by adding a detailed description of a technique or configuration already known in the field, it is omitted from the detailed description. In addition, terms used in the present specification are terms used to appropriately express the embodiments of the present invention, which may vary depending on the person or custom in the relevant field. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

본 발명은 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective semiconductor optical amplifier module package.

이하, 첨부한 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관해 설명한다. Hereinafter, a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5 attached hereto.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 분해사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 내부 공간을 설명하기 위한 단면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지의 사용 상태를 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view showing the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention. 2 is an exploded perspective view showing a structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view showing the structure of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating an internal space of a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view illustrating a reflective semiconductor optical amplifier module package according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 플레이트(100), 방열 부재(270), 반사형 반도체 광 증폭기(200), 하우징(300), 슬리브(400), 광 서큘레이터(500), 제1 광섬유(610), 제2 광섬유(620), 탭 필터(700), 제1 포토 다이오드부(800) 및 제2 포토 다이오드부(900)를 포한한다.1 to 3, the reflective semiconductor optical amplifier module package includes a plate 100, a heat dissipating member 270, a reflective semiconductor optical amplifier 200, a housing 300, a sleeve 400, A first optical fiber 610, a second optical fiber 620, a tap filter 700, a first photodiode part 800 and a second photodiode part 900. The first optical fiber 610, the second optical fiber 620,

플레이트(100)는 상면과 하면을 갖는다. 플레이트(100)는 금속 재질의 평판 또는 회로 기판 등으로 형성될 수 있다. 플레이트(100)는 하우징(300)과 기밀(氣密, airtight)하게 결합되어 후술할 제1 내부 공간(S1)을 밀폐시킬 수 있다.The plate 100 has an upper surface and a lower surface. The plate 100 may be formed of a metal plate, a circuit board, or the like. The plate 100 may be hermetically sealed with the housing 300 to seal the first internal space S1, which will be described later.

플레이트(100)의 상면에는 각종 부품 및 소자 등이 실장될 수 있도록 도전성 패드(111)가 형성된다.A conductive pad 111 is formed on the upper surface of the plate 100 so that various components and elements can be mounted.

플레이트(100)는 신호의 입출력을 위해 컨택트 단자나 리드선이 형성될 수 있다. 상기 컨택트 단자나 리드선은 플레이트(100)의 상면에 실장된 부품 및 소자 등과 전기적으로 연결될 수 있다.The plate 100 may be provided with a contact terminal or a lead wire for input / output of a signal. The contact terminals and the lead wires may be electrically connected to components and elements mounted on the upper surface of the plate 100.

도 3을 참조하면, 플레이트(100)의 상면에는 반사형 반도체 광 증폭기(200)가 실장되어 신호를 입출력할 수 있도록 도전성 패드(111)가 형성된다. 플레이트(100)의 하면에는 신호가 입출력될 수 있는 신호선(121) 및 접지 영역과 연결될 수 있는 접지선(122)이 결합되어 있다.Referring to FIG. 3, a conductive pad 111 is formed on the upper surface of the plate 100 so that a reflective semiconductor optical amplifier 200 is mounted on the plate 100 to input and output a signal. A signal line 121 through which a signal can be input and output and a ground line 122 connected with a ground region are coupled to the lower surface of the plate 100.

또한, 도 4에 도시된 것과 같이 플레이트(100)는 후술할 하우징(300)과 함께 제1 내부 공간(S1)을 형성한다. 구체적으로, 제1 내부 공간(S1)의 하면을 형성한다.
4, the plate 100 forms a first internal space S1 together with the housing 300, which will be described later. Specifically, the lower surface of the first inner space S1 is formed.

도 3을 참조하면, 반사형 반도체 광 증폭기(200)는 플레이트(100)의 상면 상에 설치된다. 반사형 반도체 광 증폭기(200)는 증폭 영역(210), 무반사 코팅면(230) 및 반사 코팅면(250)을 포함한다. 반사형 반도체 광 증폭기(200)는 증폭 영역(210)에 전류를 공급하는 전류 공급부(미도시)를 추가적으로 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the reflective semiconductor optical amplifier 200 is mounted on the upper surface of the plate 100. The reflective semiconductor optical amplifier 200 includes an amplification region 210, an anti-reflective coating surface 230, and a reflective coating surface 250. The reflection type semiconductor optical amplifier 200 may further include a current supply unit (not shown) for supplying current to the amplification region 210.

증폭 영역(210)은 다수의 물질층으로 형성되어 입력된 광 신호를 증폭시킨다. 증폭 영역(210)은 증폭시키려는 광 신호의 파장 대역에 따라 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 증폭 영역(210)은 인듐갈륨아세나이드포스파이드(InGaAsP), 인듐알루미늄아세나이드(InAlAs), 알루미늄아세나이드포스파이드(AlAsP), 인듐갈륨알루미늄아세나이드(InGaAlAs), 인듐알루미늄아세나이드포스파이드(InAlAsP) 및 인듐갈륨나이트라이드아세나이드(InGaNAs) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. The amplification region 210 is formed of a plurality of material layers to amplify the input optical signal. The amplification region 210 may be formed of different materials depending on the wavelength band of the optical signal to be amplified. The amplification region 210 may be formed of indium gallium arsenide phosphide (InGaAsP), indium aluminum arsenide (InAlAs), aluminum arsenide phosphide (AlAsP), indium gallium aluminum arsenide (InGaAlAs), indium aluminum arsenide phosphide ) And indium gallium nitride arsenide (InGaNAs).

무반사 코팅면(230)은 증폭 영역(210)의 상단에 형성된다. 구체적으로 무반사 코팅면(230)은 증폭 영역(210)의 상면, 즉, 플레이트(100)와 마주보는 면의 반대면에 형성된다. 광 신호는 무반사 코팅면(230)을 통과하여 증폭 영역(210)으로 입력되고, 증폭 영역(210)에서 출력된다.An anti-reflective coating surface 230 is formed at the top of the amplification region 210. Specifically, the non-reflective coating surface 230 is formed on the upper surface of the amplification region 210, that is, the surface opposite to the surface facing the plate 100. The optical signal passes through the non-reflective coating surface 230, enters the amplification region 210, and is output from the amplification region 210.

반사 코팅면(250)은 증폭 영역(210)의 하단에 형성된다. 구체적으로 반사 코팅면(250)은 증폭 영역(210)의 하면, 즉 플레이트(100)와 마주보는 면에 형성된다. 반사 코팅면(250)은 증폭 영역(210)을 통과한 광 신호를 반사시킨다.A reflective coating surface 250 is formed at the bottom of the amplification region 210. Specifically, the reflective coating surface 250 is formed on the lower surface of the amplification region 210, that is, on the surface facing the plate 100. The reflective coating surface 250 reflects the optical signal passing through the amplification region 210.

반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 입력된 입력 광 신호는 무반사 코팅면(230)을 통과하여 증폭 영역(210)으로 입력된다. 입력 광 신호는 증폭 영역(210)에서 증폭된다. 증폭된 신호는 반사 코팅면(250)에서 반사되어 다시 증폭 영역(210)을 거친 후, 무반사 코팅면(230)을 다시 통과하여 출력 광 신호로 출력된다.The input optical signal input to the reflective semiconductor optical amplifier module package passes through the non-reflective coating surface 230 and is input to the amplification region 210. The input optical signal is amplified in the amplification region 210. The amplified signal is reflected on the reflective coating surface 250, passes through the amplification region 210, passes through the non-reflective coating surface 230 again, and is output as an output optical signal.

입력 광 신호가 증폭되는 이득(gain)은 증폭 영역(210)의 물질층을 형성하는 물질이나 증폭 영역(210)에 공급되는 전류량 등으로 조절될 수 있다. 또한, 증폭 영역(210)이 증폭시킬 수 있는 입력 광 신호의 파장 대역도 증폭 영역(210)의 물질층을 형성하는 물질에 따라 변할 수 있다.The gain by which the input optical signal is amplified can be controlled by the material forming the material layer of the amplification region 210 or the amount of current supplied to the amplification region 210 and the like. In addition, the wavelength band of the input optical signal that can be amplified by the amplification region 210 may vary depending on the material forming the material layer of the amplification region 210.

도 3을 참조하면, 플레이트(100)와 반사형 반도체 광 증폭기(200) 사이에 방열 부재(270)가 배치된다. 방열 부재(270)는 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 발생하는 열을 조절할 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이, 반사형 반도체 광 증폭기(200)는 직접 플레이트(100)의 상면과 전기적으로 연결될 수 있으나, 방열 부재(270)를 통해서 반사형 반도체 광 증폭기(200)와 플레이트(100)가 전기적으로 연결되는 것도 가능하다.Referring to FIG. 3, a heat dissipating member 270 is disposed between the plate 100 and the reflective semiconductor optical amplifier 200. The heat dissipating member 270 can control the heat generated in the reflection type semiconductor optical amplifier 200. 2, the reflection type semiconductor optical amplifier 200 may be electrically connected to the upper surface of the direct plate 100, but the reflection type semiconductor optical amplifier 200 and the plate 100 May be electrically connected to each other.

또한, 방열 부재(270)는 TEC소자 등으로 형성될 수 있다.The heat dissipating member 270 may be formed of a TEC element or the like.

플레이트(100)에 비아홀(130)이 형성될 수 있다. 구제적으로 비아홀(130)은 플레이트(100) 중 방열 부재(270)와 맞닿는 부분에 형성될 수 있다. 비아홀(130)에 의해 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 발생하는 열을 더욱 효과적으로 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지 외부로 방출할 수 있다.
A via hole 130 may be formed in the plate 100. The via hole 130 may be formed at a portion of the plate 100 in contact with the heat dissipating member 270. The heat generated in the reflection type semiconductor optical amplifier 200 by the via hole 130 can be more effectively radiated to the outside of the reflection type semiconductor optical amplifier module package.

도 3을 참조하면, 하우징(300)은 플레이트(100)와 결합하여 제1 내부 공간(S1)을 형성한다. 구체적으로, 하우징(300)은 하부가 개방된 형태이고, 상면에는 개구부(310)가 형성된다. 하부와 상부를 연결하는 측면이 구비된다. 입출력 광 신호가 상면에 형성된 개구부(310)를 통과할 수 있다.Referring to FIG. 3, the housing 300 is coupled with the plate 100 to form a first internal space S1. Specifically, the housing 300 has a bottom opened shape, and an opening 310 is formed on an upper surface thereof. And a side surface connecting the lower portion and the upper portion is provided. The input / output optical signal can pass through the opening 310 formed on the upper surface.

또한, 하우징(300)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 니켈 합금 등의 금속 재질로 형성될 수 있다. 그러나 상기 나열한 금속 재질에 한정되는 것은 아니다.In addition, the housing 300 may be formed of a metal such as aluminum, an aluminum alloy, or a nickel alloy. However, the present invention is not limited to the metal materials listed above.

또한, 하우징(300)은 상하부가 사각형 형태로 이루어져 있어, 상면과 하부를 연결하는 4개의 측면을 포함할 수 있다. 그러나 이러한 형태에 한정되는 것은 아니어서 하우징(300)은 상하부가 다른 다각형의 형태로 이루어져 있어, 다른 개수의 측면을 포함할 수도 있다. 또한, 하우징(300)은 상하부가 원형의 형태로 이루어져 있어, 원통형의 측면을 포함할 수도 있다. 하우징(300)의 구체적인 형태는 특정한 형태로 제한되지 않는다.In addition, the upper and lower portions of the housing 300 may have a rectangular shape, and may include four side surfaces connecting the upper surface and the lower surface. However, the shape of the housing 300 is not limited to this, and the upper and lower portions of the housing 300 may have different polygonal shapes, and may include different numbers of sides. Further, the upper and lower portions of the housing 300 are formed in a circular shape, and may include a cylindrical side surface. The specific form of the housing 300 is not limited to a specific form.

또한, 하우징(300)은 플레이트(100)와 결합하여 제1 내부 공간(S1)을 형성한다. 플레이트(100)는 제1 내부 공간(S1)의 하면을 형성하고, 하우징(300)의 측면과 상면이 각각 제1 내부 공간(S1)의 측면과 상면을 형성한다.Further, the housing 300 is combined with the plate 100 to form the first internal space S1. The plate 100 forms the lower surface of the first internal space S1 and the side surface and the upper surface of the housing 300 respectively form the side surface and the upper surface of the first internal space S1.

또한, 하우징(300)과 플레이트(100)는 서로 기밀하게 결합되어, 제1 내부 공간(S1)이 외부로부터 차폐될 수 있다. 구체적으로, 도 3에 도시된 것과 같이, 플레이트(100)의 상면과 하우징(300)의 측면의 하면이 결합될 수 있다. 다른 가능한 형태로, 하우징(300)의 측면의 하면에서 하우징(300)의 내측 또는 외측으로 절곡되며 연장되는 절곡부가 형성되어 있고, 플레이트(100)의 하면이 상기 절곡부와 결합되는 형태일 수도 있다.Also, the housing 300 and the plate 100 are airtightly coupled to each other, so that the first internal space S1 can be shielded from the outside. 3, the upper surface of the plate 100 and the lower surface of the side surface of the housing 300 may be engaged with each other. Alternatively, a bent portion may be formed on the lower surface of the side surface of the housing 300 so as to be bent or extended from the inner side or the outer side of the housing 300, and the lower surface of the plate 100 may be coupled with the bent portion .

제1 내부 공간(S1)에는 반사형 반도체 광 증폭기(200)와 방열 부재(270)가 수용된다. 또한, 후술할 탭 필터(700)도 제1 내부 공간(S1)에 수용된다.The reflection type semiconductor optical amplifier 200 and the radiation member 270 are accommodated in the first internal space S1. Further, the tap filter 700 to be described later is also accommodated in the first internal space S1.

또한, 하우징(300)의 측면에는 적어도 하나의 개구부가 구비된다. 도 3을 참조하면, 하우징(300)의 측면에는 제1 개구부(310), 제2 개구부(320)의 두 개의 개구부가 구비된다. 제1 개구부(310) 및 제2 개구부(320)는 서로 마주보는 위치에 형성된다. 개구부는 원형 또는 사각형 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, at least one opening is provided on the side surface of the housing 300. Referring to FIG. 3, two openings are provided in the side surface of the housing 300, namely, a first opening 310 and a second opening 320. The first opening 310 and the second opening 320 are formed at positions facing each other. The opening may be formed in a circular shape or a square shape, but is not limited thereto.

개구부는 후술할 포토 다이오드부(800, 900)의 캔(810, 910)과 결합되어 제1 내부 공간(S1)과 포토 다이오드(830, 930)가 실장되는 캔(810, 910)의 내부 공간(P1, P2)을 연통시킬 수 있다.
The openings are combined with the can 810 and 910 of the photodiode units 800 and 900 to be described later so that the internal spaces S1 and S2 of the can 810 and 910 in which the first internal space S1 and the photodiodes 830 and 930 are mounted P1, and P2.

도 3을 참조하면, 슬리브(400)는 하우징(300)의 상면과 결합된다. 슬리브(400)는 하면이 개방되어 있어 하우징(300)의 상면과 결합됨으로써 하면이 형성될 수 있다. 슬리브(400)의 상면은 후술할 제1 및 제2 광섬유(610, 620)가 관통되는 관통홀(411)이 형성되는 커버부(410)와 결합하여 밀폐될 수 있다.Referring to FIG. 3, the sleeve 400 is engaged with the upper surface of the housing 300. The lower surface of the sleeve 400 may be opened and coupled with the upper surface of the housing 300 to form a lower surface. The upper surface of the sleeve 400 may be sealed by being coupled with a cover portion 410 having a through hole 411 through which the first and second optical fibers 610 and 620 pass.

커버부(410)의 관통홀(411)에는 실링 부재(412)가 구비될 수 있다. 실링 부재(412)는 관통홀(411)의 내주면에 결합하여 관통홀(411)을 관통하는 제1 및 제2 광섬유(610, 620)와 밀착하여 결합될 수 있다. 이를 통해 커버부(410)의 관통홀(411)을 밀폐시킬 수 있다. 실링 부재(412)는 고무 등의 가요성 소재로 형성될 수 있다.The through hole 411 of the cover 410 may be provided with a sealing member 412. The sealing member 412 may be closely coupled to the first and second optical fibers 610 and 620 that are coupled to the inner circumferential surface of the through hole 411 and penetrate the through hole 411. The through hole 411 of the cover part 410 can be sealed. The sealing member 412 may be formed of a flexible material such as rubber.

또한, 도 4에 도시된 것과 같이, 슬리브(400)는 원통형 또는 다수 개의 측면을 가지는 막대형으로 형성되어 제2 내부 공간(S2)을 형성할 수 있다. 제2 내부 공간(S2)은 하우징(300)의 상면에 형성된 개구부(310)를 통해 제1 내부 공간(S1)과 연통될 수 있다.Also, as shown in FIG. 4, the sleeve 400 may be formed in a cylindrical shape or a rod shape having a plurality of side surfaces to form a second inner space S2. The second inner space S2 can communicate with the first inner space S1 through the opening 310 formed in the upper surface of the housing 300. [

또한, 슬리브(400)는 알루미늄, 알루미늄 합금, 니켈 합금 등의 금속 재질로 형성될 수 있다. 그러나 상기 나열한 금속 재질에 한정되는 것은 아니다. 슬리브(400)는 하우징(300)과 기밀하게 결합될 수 있다. 예를 들어, 하우징(300)과 슬리브(400)는 레이저 웰딩(laser welding)공법을 이용하여 정교하게 결합될 수 있다.In addition, the sleeve 400 may be formed of a metal such as aluminum, an aluminum alloy, or a nickel alloy. However, the present invention is not limited to the metal materials listed above. Sleeve 400 may be hermetically coupled to housing 300. For example, the housing 300 and the sleeve 400 may be finely coupled using a laser welding technique.

또한, 슬리브(400)는 소정의 각도(θ)로 기울어진 상태로 하우징(300)과 결합될 수 있다. 구체적으로, 슬리브(400)는 플레이트(100)에 수직인 방향(광축 방향)에 대해서 0.1° 내지 15°의 각도로 기울어진 형태로 결합될 수 있다. 이를 통해, 슬리브(400) 내부에 수용되는 광 서큘레이터(optical circulator)(500)가 슬리브(400)의 내측면과 간단한 구조로 견고하게 결합될 수 있다.
In addition, the sleeve 400 can be coupled with the housing 300 in a tilted state at a predetermined angle?. Specifically, the sleeve 400 can be coupled in an inclined form at an angle of 0.1 DEG to 15 DEG with respect to a direction perpendicular to the plate 100 (optical axis direction). The optical circulator 500 accommodated in the sleeve 400 can be firmly coupled to the inner surface of the sleeve 400 with a simple structure.

도 3을 참조하면, 광 서큘레이터(500)(optical circulator)는 제2 내부 공간(S2)에 수용된다. 광 서큘레이터(500)는 후술할 광섬유(600)를 통해 입력되는 광 신호와 출력되는 광 신호를 서로 다른 광섬유로 전송되도록 한다. 광 서큘레이터(500)는 다수 개의 렌즈 등으로 구성될 수 있다.
Referring to FIG. 3, the optical circulator 500 is accommodated in the second inner space S2. The optical circulator 500 transmits an optical signal input through an optical fiber 600 and an optical signal to be output through different optical fibers. The optical circulator 500 may be composed of a plurality of lenses or the like.

도 3을 참조하면, 제1 광섬유(610)와 제2 광섬유(620)는 광 서큘레이터(500)의 상단 측에 결합되어 광 신호를 입력하거나 출력한다. 제1 광섬유(610)와 제2 광섬유(620)의 각각의 일단(611, 621)은 광 서큘레이터(500)의 상단 측에 위치하여 광 신호를 광 서큘레이터(500)에 입력하거나 출력된 신호를 입력받을 수 있다. 광섬유의 타단(613, 623)은 베어 파이버(bare fiber) 상태일 수 있고, 커넥터가 형성되어 있을 수 있다.Referring to FIG. 3, the first optical fiber 610 and the second optical fiber 620 are coupled to the upper end of the optical circulator 500 to input or output optical signals. One ends 611 and 621 of each of the first optical fiber 610 and the second optical fiber 620 are located on the upper end of the optical circulator 500 to input an optical signal to the optical circulator 500, Can be input. The other ends 613 and 623 of the optical fiber may be in the form of a bare fiber, and a connector may be formed.

제1 광섬유(610)와 제2 광섬유(620)는 입력과 출력이 구분되지 않는다. 즉, 제1 광섬유(610)로 광 신호가 입력되면 제2 광섬유(620)로 광 신호가 출력될 수 있다. 반대로, 제2 광섬유(620)로 광 신호가 입력되면 제1 광섬유(610)로 광 신호가 출력될 수 있다.
The input and output of the first optical fiber 610 and the second optical fiber 620 are not distinguished. That is, when an optical signal is input to the first optical fiber 610, an optical signal can be output to the second optical fiber 620. In contrast, when an optical signal is input to the second optical fiber 620, an optical signal may be output to the first optical fiber 610.

이하, 도 5를 참조하여 광 서큘레이터(500)를 통과하는 광 신호의 경로에 대해 설명한다. 도 4에서는 제1 광섬유(610)를 통해 광 신호가 입력되지만, 제2 광섬유(620)를 통해 광 신호가 입력되는 것도 가능하다.Hereinafter, the path of the optical signal passing through the optical circulator 500 will be described with reference to FIG. In FIG. 4, an optical signal is inputted through the first optical fiber 610, but it is also possible that the optical signal is input through the second optical fiber 620.

광 신호는 제1 광섬유(610)를 통해 광 서큘레이터(500)의 상단 측으로 입력된다. 광 서큘레이터(500)에 입력된 광 신호는 광 서큘레이터(500)의 하단 측으로 출력되어 반사형 반도체 광 증폭기(200)로 입력된다. 반사형 반도체 광 증폭기(200) 내부에서 반사형 반도체 광 증폭기(200)의 무반사 코팅면(230)을 통과한 광 신호는 증폭 영역(210)에서 증폭된 후 반사 코팅면(250)에서 반사된다. 반사된 증폭된 광 신호는 다시 무반사 코팅면(230)을 통과하여 광 서큘레이터(500)의 하단 측으로 입력되어 광 서큘레이터(500)의 상단 측의 제2 광섬유(620)에 입사된다. 결과적으로 증폭된 광 신호는 제2 광섬유(620)를 통해 출력된다.
The optical signal is input to the upper end of the optical circulator 500 through the first optical fiber 610. The optical signal inputted to the optical circulator 500 is outputted to the lower end side of the optical circulator 500 and inputted to the reflection type semiconductor optical amplifier 200. The optical signal passing through the non-reflective coating surface 230 of the reflective semiconductor optical amplifier 200 in the reflective semiconductor optical amplifier 200 is amplified in the amplification region 210 and then reflected on the reflective coating surface 250. The reflected amplified optical signal passes through the non-reflective coating surface 230, enters the lower end of the optical circulator 500, and is incident on the second optical fiber 620 on the upper end of the optical circulator 500. As a result, the amplified optical signal is output through the second optical fiber 620.

도 3을 참조하면, 탭 필터(700)는 제1 내부 공간(S1)에 수용된다. 탭 필터(700)는 평평한 면을 구비하는 형태일 수 있다. 탭 필터(700)는 플레이트(100)와 기울어진 상태로 대향되도록 배치된다. 탭 필터(700)는 플레이트(100)와 대략 45°±10°정도로 기울어진 상태로 대향되도록 배치되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3, the tap filter 700 is accommodated in the first internal space S1. The tap filter 700 may be of a shape having a flat surface. The tap filter 700 is arranged so as to be opposed to the plate 100 in an inclined state. The tap filter 700 is preferably arranged to be opposed to the plate 100 at an angle of about 45 ° ± 10 °.

탭 필터(700)는 입력되는 광 신호를 미리 정해진 비율로 일부 분배하는 필터이다. 탭 필터(700)는 소정의 비율의 광 신호는 반사되어 굴절되고, 나머지의 광 신호는 통과되어 진행하는 부분 반사 거울로 형성될 수 있다. 따라서 분배된 광 신호는 기존의 광 신호와 다른 방향으로 굴절되어 진행한다. 반사되는 정도를 조절하여 분배되는 비율을 달리 설정할 수 있다. 탭 필터(700)가 분배하는 비율은 구체적인 환경 등에 따라 달리 설정할 수 있으나 통상적으로 0.5% 내지 20%의 비율로 분배한다. The tap filter 700 is a filter that distributes a part of the input optical signal at a predetermined ratio. The tap filter 700 may be formed of a partial reflection mirror in which a predetermined ratio of the optical signal is reflected and refracted while the remaining optical signal is transmitted and passed. Therefore, the distributed optical signal is refracted in a direction different from that of the conventional optical signal. The degree of reflection can be adjusted to differently set the ratio of dispensing. The rate at which the tap filter 700 is dispensed may be set differently depending on the specific environment and the like, but is usually distributed at a ratio of 0.5% to 20%.

탭 필터(700)는 소정의 비율의 광 신호는 반사되어 굴절되고, 나머지의 광 신호는 통과되어 진행하는 부분 반사 거울로 형성될 수 있다. 따라서 분배된 광 신호는 기존의 광 신호와 다른 방향으로 굴절되어 진행한다. 반사되는 정도를 조절하여 분배되는 비율을 달리 설정할 수 있다.The tap filter 700 may be formed of a partial reflection mirror in which a predetermined ratio of the optical signal is reflected and refracted while the remaining optical signal is transmitted and passed. Therefore, the distributed optical signal is refracted in a direction different from that of the conventional optical signal. The degree of reflection can be adjusted to differently set the ratio of dispensing.

반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에서 광 서큘레이터(500)의 하단 측에서 출력된 광 신호는 반사형 반도체 광 증폭기(200)에 입력되기 전에 탭 필터(700)를 통과한다. 탭 필터(700)는 미리 정해진 비율에 따라 광 신호를 분배한다. 탭 필터(700)에서 분배된 반사형 반도체 광 증폭기(200)에 입력되는 광 신호는 종래의 반사형 반도체 광 증폭기(200)에 입력되는 광 신호와 다른 방향으로 굴절되어 진행한다. 굴절되는 정도는 대략 45°±10°정도로 굴절되는 것이 바람직하다. In the reflective semiconductor optical amplifier module package, the optical signal output from the lower end of the optical circulator 500 passes through the tap filter 700 before being input to the reflective semiconductor optical amplifier 200. The tap filter 700 distributes the optical signal according to a predetermined ratio. The optical signal input to the reflective semiconductor optical amplifier 200 divided by the tap filter 700 is refracted in a direction different from that of the optical signal input to the conventional reflective semiconductor optical amplifier 200 and proceeds. It is preferable that the degree of refraction is about 45 DEG +/- 10 DEG.

반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 출력된 광 신호는 광 서큘레이터(500)의 하단 측에 입력되기 전에 탭 필터(700)를 통과한다. 탭 필터(700)는 미리 정해진 비율에 따라 광 신호를 분배한다. 탭 필터(700)에서 분배된 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 출력되는 광 신호는 종래의 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 출력되는 광 신호와 다른 방향으로 굴절되어 진행한다. 굴절되는 정도는 대략 45°±10°정도로 굴절되는 것이 바람직하다.The optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier 200 passes through the tap filter 700 before being inputted to the lower end of the optical circulator 500. The tap filter 700 distributes the optical signal according to a predetermined ratio. The optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier 200 divided by the tap filter 700 is refracted in a direction different from the optical signal output from the conventional reflective semiconductor optical amplifier 200 and proceeds. It is preferable that the degree of refraction is about 45 DEG +/- 10 DEG.

탭 필터(700)에서 분배된 반사형 반도체 광 증폭기(200)에 입력되는 광 신호와 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 출력되는 광 신호는 다른 반대 방향으로 굴절되어 진행된다.
The optical signal input to the reflective semiconductor optical amplifier 200 divided by the tap filter 700 and the optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier 200 are refracted in the opposite direction to each other.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 포토 다이오드부(800)가 하우징(300)의 제1 개구부(310) 측에 설치된다. 제1 포토 다이오드부(800)는 제1 캔(810), 제1 포토 다이오드(PD ; Photo Diode)(830) 및 리드선(850)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, a first photodiode part 800 is provided on the first opening 310 side of the housing 300. The first photodiode portion 800 includes a first can 810, a first photodiode (PD) 830, and a lead wire 850.

제1 캔(810)은 제1 개구부(310)를 통해 제1 내부 공간(S1)과 연통되는 공간을 형성한다. 제1 캔(810)은 하우징(300)의 측면으로부터 직각으로 돌출된 형태로 형성될 수 있다. 제1 캔(810)이 형성하는 공간(P1)에 제1 포토 다이오드(830)가 수용된다. 제1 포토 다이오드(830)는 광 신호를 수광하여 그 광 파워 등을 측정할 수 있는 소자이다. 리드선(850)은 제1 포토 다이오드(830)에 신호를 입출력하거나 전원을 공급할 수 있다. 리드선(850)은 제1 캔(810)을 관통하여 형성될 수 있다. 리드선(850)은 하나 또는 둘 이상이 형성될 수 있다.The first can 810 forms a space communicating with the first inner space S 1 through the first opening 310. The first can 810 may be formed to protrude at a right angle from the side surface of the housing 300. The first photodiode 830 is accommodated in the space P1 formed by the first can 810. [ The first photodiode 830 is an element capable of receiving an optical signal and measuring the optical power and the like. The lead line 850 can input / output a signal to the first photodiode 830 or supply power. The lead wire 850 may be formed through the first can 810. One or more lead wires 850 may be formed.

제1 포토 다이오드부(800)는 탭 필터(700)와 기울어진 상태로 대향되도록 설치된다. 따라서 제1 포토 다이오드부(800)는 탭 필터(700)에서 반사되어 분배된 신호가 입력될 수 있다.The first photodiode part 800 is installed so as to be opposed to the tap filter 700 in an inclined state. Accordingly, the first photodiode part 800 can receive the reflected signal reflected from the tap filter 700.

제1 포토 다이오드부(800)는 탭 필터(700)에서 분배된 반사형 반도체 광 증폭기(200)에 입력되는 광 신호를 수광한다. 구체적으로, 제1 포토 다이오드부(800)는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있다. 제1 포토 다이오드부(800)가 측정한 광 파워와 탭 필터(700)의 분배 비율을 통해 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 입력되는 광 신호 또는 반사형 반도체 광 증폭기(200)에 입력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있다.The first photodiode part 800 receives an optical signal input to the reflective semiconductor optical amplifier 200 divided by the tap filter 700. Specifically, the first photodiode part 800 can measure the optical power of the optical signal. An optical signal input to the reflective semiconductor optical amplifier module package through the optical power measured by the first photodiode unit 800 and a distribution ratio of the tap filter 700 or an optical signal input to the reflective semiconductor optical amplifier 200 Can be measured.

제2 포토 다이오드부(900)가 하우징(300)의 제2 개구부(320) 측에 설치된다. 제2 포토 다이오드부(900)는 제2 캔(910), 제2 포토 다이오드(930) 및 리드선(950)을 포함한다. 제2 포토 다이오드부(900)는 제1 포토 다이오드부(800)와 탭 필터(700)를 사이에 두고 서로 대향되는 위치에 설치된다. 이는 탭 필터(700)에서 반사되는 서로 다른 두 광 신호가 서로 반대되는 방향으로 반사되어 진행되고, 제1 및 제2 포토 다이오드부(900)는 상기의 서로 반대되는 방향으로 진행되는 광 신호를 수광하기 위해 설치되기 때문이다.And a second photodiode portion 900 is provided on the second opening portion 320 side of the housing 300. The second photodiode portion 900 includes a second can 910, a second photodiode 930, and a lead 950. The second photodiode portion 900 is disposed at a position opposite to the first photodiode portion 800 with the tap filter 700 interposed therebetween. This is because the two different optical signals reflected by the tap filter 700 are reflected and propagated in directions opposite to each other, and the first and second photodiodes 900 receive the optical signals traveling in the mutually opposite directions To be installed.

제2 캔(910)은 제2 개구부(320)를 통해 제1 내부 공간(S1)과 연통되는 공간을 형성한다. 제2 캔(910)은 하우징(300)의 측면으로부터 직각으로 돌출된 형태로 형성될 수 있다. 제2 캔(910)이 형성하는 공간(P2)에 제2 포토 다이오드(930)가 수용된다. 제2 포토 다이오드(930)는 광 신호를 수광하여 그 광 파워 등을 측정할 수 있는 소자이다. 리드선(950)은 제2 포토 다이오드(930)에 신호를 입출력하거나 전원을 공급할 수 있다. 리드선(850 950)은 제2 캔(910)을 관통하여 형성될 수 있다. 리드선(850 950)은 하나 또는 둘 이상이 형성될 수 있다.The second can 910 forms a space communicating with the first inner space S1 through the second opening 320. [ The second can 910 may be formed to protrude at a right angle from the side surface of the housing 300. And the second photodiode 930 is accommodated in the space P2 formed by the second can 910. [ The second photodiode 930 is an element capable of receiving an optical signal and measuring the optical power and the like. The lead wire 950 can input / output a signal or supply power to the second photodiode 930. Lead wires 850 950 may be formed through the second can 910. One or more lead wires 850 950 may be formed.

제2 포토 다이오드부(900)는 탭 필터(700)와 기울어진 상태로 대향되도록 설치된다. 따라서 제2 포토 다이오드부(900)는 탭 필터(700)에서 반사되어 분배된 신호가 입력될 수 있다.The second photodiode portion 900 is disposed so as to face the tap filter 700 in a tilted state. Accordingly, the second photodiode portion 900 can receive the reflected signal reflected from the tap filter 700.

제2 포토 다이오드부(900)는 탭 필터(700)에서 분배된 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 출력되는 광 신호를 수광한다. 구체적으로, 제2 포토 다이오드부(900)는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있다. 제2 포토 다이오드부(900)가 측정한 광 파워와 탭 필터(700)의 분배 비율을 통해 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에서 출력되는 광 신호 또는 반사형 반도체 광 증폭기(200)에서 출력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있다.The second photodiode section 900 receives the optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier 200 divided by the tap filter 700. Specifically, the second photodiode unit 900 can measure the optical power of the optical signal. The optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier module package through the optical power measured by the second photodiode unit 900 and the distribution ratio of the tap filter 700 or the optical signal output from the reflective semiconductor optical amplifier 200 Can be measured.

제1 포토 다이오드부(800)와 제2 포토 다이오드부(900)가 측정한 입출력 신호의 광 파워를 비교하여 반사형 반도체 광 증폭기(200)의 시간 지연(time transient)을 제어할 수 있다. 또한, 반사형 반도체 광 증폭기(200)의 이득(gain)을 조절할 수 있다.The time transient of the reflective semiconductor optical amplifier 200 can be controlled by comparing the optical powers of the input and output signals measured by the first photodiode portion 800 and the second photodiode portion 900. In addition, the gain of the reflective semiconductor optical amplifier 200 can be adjusted.

목적에 따라, 제1 포토 다이오드부(800) 또는 제2 포토 다이오드부(900) 중 하나만 설치되어 입력 또는 출력 광 신호 중 하나만 측정할 수 있는 형태도 가능하다. 이러한 경우, 탭 필터(700)에서 반사되어 포토 다이오드부에서 측정되는 광 신호가 반드시 대략 90°로 굴절될 필요가 없고, 따라서 포토 다이오드부도 설치되는 위치 및 형태가 변경될 수 있다.Depending on the purpose, only one of the first photodiode unit 800 or the second photodiode unit 900 may be installed, and only one of the input or output optical signals may be measured. In this case, the optical signal reflected by the tap filter 700 and measured at the photodiode portion does not necessarily have to be refracted by about 90 degrees, and thus the position and shape in which the photodiode portion is also provided can be changed.

반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 광 서큘레이터(500)와 입출력 신호를 측정할 수 있는 제1 및 제2 포토 다이오드부(800, 900)를 하나의 패키지로 형성하여 작업자가 광 선로에 증폭기 패키지를 설치하는 것이 용이할 뿐만 아니라, 시간 지연과 이득 제어가 간편하다는 장점이 있다. 또한, 하나의 패키지로 형성하여 단가가 저렴하고 제작 공정이 간소하다. 또한, 각각의 내부 공간이 서로 연통되어 있어 방열에 유리하다. 또한, 소형화가 가능해 하향 신호(DS ; Down Stream) 및 상향 신호(US ; Up Stream)를 증폭할 수 있는 두 개의 증폭기 패키지를 하나의 통합 패키지로 구성할 수 있고, 더 나아가 하향 신호(DS ; Down Stream)에서도 서로 다른 파장 대역의 광 신호를 증폭할 수 있는 증폭기 패키지까지 포함된 적어도 3개 이상의 증폭기 통합 패키지를 구성할 수도 있다.
In the reflection type semiconductor optical amplifier module package, the optical circulator 500 and the first and second photodiode parts 800 and 900 capable of measuring the input and output signals are formed in one package so that the operator can package the amplifier package It is easy to install, and there is an advantage that the time delay and the gain control are simple. In addition, it is formed in one package, the unit price is low, and the manufacturing process is simple. Further, each of the inner spaces communicates with each other, which is advantageous for heat radiation. In addition, two amplifier packages capable of amplifying a down stream (DS) and an up stream (US) can be formed in one integrated package because of miniaturization, and furthermore, a down signal DS Stream may include at least three amplifier integrated packages including an amplifier package capable of amplifying optical signals of different wavelength bands.

이하, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관해 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 본 발명의 다른 일 실시예를 설명하는 것에 있어서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지와 다른 점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a reflection type semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, another embodiment of the present invention will be described focusing on differences from the reflection type semiconductor optical amplifier module package according to the embodiment of the present invention described with reference to Figs. 1 to 5 .

하우징(300)은 측면의 하단에서 외측 방향으로 돌출된 플랜지부를 구비한다. 플랜지부(350)는 측면의 하단에서 절곡되며 연장되는 것일 수 있다.The housing 300 has a flange protruding outward from the lower end of the side surface. The flange portion 350 may be bent and extended at the lower end of the side surface.

플레이트(100)는 상면이 하우징(300)의 플랜지부(350)의 하면에 접합되어 결합된다.The upper surface of the plate 100 is joined to the lower surface of the flange portion 350 of the housing 300.

슬리브(400)는 하단이 플랜지부(350)의 상면에 접합되어 결합된다. 슬리브(400)의 내측면 일부가 하우징(300)의 측면의 외부와 마주할 수 있다. 슬리브(400)의 내측면 일부와 하우징(300)의 측면의 외부 사이에 이격 공간이 형성될 수 있다. 이러한 경우 제2 내부 공간(S2)의 일부가 하우징(300)의 외측 주변까지 연장되어 형성될 수 있다.The lower end of the sleeve 400 is joined to the upper surface of the flange portion 350. A portion of the inner surface of the sleeve 400 may face the outside of the side surface of the housing 300. [ A spacing space may be formed between a portion of the inner surface of the sleeve 400 and the outer surface of the side surface of the housing 300. In this case, a part of the second inner space S2 may extend to the outer periphery of the housing 300. [

다른 가능한 형태로, 슬리브(400)의 내측면 일부와 하우징(300)의 측면의 외부 사이가 이격되지 않고 밀착된 상태로 결합되어, 내부 공간이 형성되지 않을 수도 있다.
In another possible form, a portion of the inner surface of the sleeve 400 and the outer surface of the side surface of the housing 300 may be tightly coupled without being spaced apart, so that an internal space may not be formed.

이하, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관해 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명하는 것에 있어서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지와 다른 점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a reflective semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, another embodiment of the present invention will be described by focusing on differences from the reflection type semiconductor optical amplifier module package according to one embodiment of the present invention described with reference to Figs. 1 to 5 do.

본 실시예의 하우징(300)도 측면의 하단에서 외측 방향으로 돌출된 플랜지부(350)를 구비한다. 플랜지부(350)는 측면의 하단에서 절곡되며 연장되는 것일 수 있다.The housing 300 of the present embodiment also has a flange portion 350 protruding outward at the lower end of the side surface. The flange portion 350 may be bent and extended at the lower end of the side surface.

플레이트(100)는 상면이 하우징(300)의 플랜지부(350)의 하면에 접합되어 결합된다. 그러나 도 4에 도시된 플레이트(100)와 달리, 플레이트(100)는 하우징(300)의 하단을 초과하여 연장되도록 형성된다. 따라서 플레이트(100)의 상면의 외곽부가 하우징(300)과 결합하지 않은 상태로 노출될 수 있다.The upper surface of the plate 100 is joined to the lower surface of the flange portion 350 of the housing 300. However, unlike the plate 100 shown in FIG. 4, the plate 100 is formed to extend beyond the lower end of the housing 300. Therefore, the outer surface of the upper surface of the plate 100 can be exposed without being coupled with the housing 300.

슬리브(400)는 하단이 상기 하우징(300)의 하단을 초과하여 형성된 플레이트(100)와 결합할 수 있다. 이 때, 슬리브(400)의 측면의 하단에서 외측 방향으로 돌출된 플랜지부(450)가 형성되고, 플랜지부(450)의 하면이 플레이트(100)의 상면과 결합할 수 있다. 또한, 다른 형태로 슬리브(400)의 측면의 하단에서 내측 방향으로 돌출된 플랜지부가 형성되고, 플랜지부의 하면이 플레이트(100)의 상면과 결합할 수 있다.The sleeve 400 may be coupled to the plate 100 whose lower end is formed beyond the lower end of the housing 300. At this time, a flange portion 450 protruding outward from the lower end of the side surface of the sleeve 400 is formed, and the lower surface of the flange portion 450 can engage with the upper surface of the plate 100. In another form, a flange portion protruding inward from the lower end of the side surface of the sleeve 400 is formed, and the lower surface of the flange portion can engage with the upper surface of the plate 100. [

슬리브(400)의 내측면 일부가 하우징(300)의 측면의 외부와 마주할 수 있다. 슬리브(400)의 내측면 일부와 하우징(300)의 측면의 외부 사이에 이격 공간이 형성될 수 있다. 이러한 경우 제2 내부 공간(S2)의 일부가 하우징(300)의 외측 주변까지 연장되어 형성될 수 있다.A portion of the inner surface of the sleeve 400 may face the outside of the side surface of the housing 300. [ A spacing space may be formed between a portion of the inner surface of the sleeve 400 and the outer surface of the side surface of the housing 300. In this case, a part of the second inner space S2 may extend to the outer periphery of the housing 300. [

다른 가능한 형태로, 슬리브(400)의 내측면 일부와 하우징(300)의 측면의 외부 사이가 이격되지 않고 밀착된 상태로 결합되어, 내부 공간이 형성되지 않을 수도 있다.
In another possible form, a portion of the inner surface of the sleeve 400 and the outer surface of the side surface of the housing 300 may be tightly coupled without being spaced apart, so that an internal space may not be formed.

이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관해 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명하는 것에 있어서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지와 다른 점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a reflective semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For convenience of explanation, another embodiment of the present invention will be described by focusing on differences from the reflection type semiconductor optical amplifier module package according to one embodiment of the present invention described with reference to Figs. 1 to 5 do.

도 6을 참조하면, 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지는 증폭기 캡(360)을 더 포함한다. 증폭기 캡(360)은 하우징(300) 내부의 제1 내부 공간(S1)에 위치한다. 증폭기 캡(360)은 상면과 상면의 주변부에서 수직으로 연장되는 측면을 구비한다. 증폭기 캡의 하면은 개방되어 있다. 증폭기 캡은 하면이 플레이트의 상면에 의해 밀폐되어 제1a 내부 공간을 형성한다. 제1a 내부 공간은 제1 내부 공간 내부에 형성되는 공간이다. 제1a 내부 공간에 반사형 반도체 광 증폭기를 수용할 수 있다.Referring to FIG. 6, the reflective semiconductor optical amplifier module package further includes an amplifier cap 360. The amplifier cap 360 is located in the first internal space S1 inside the housing 300. [ The amplifier cap 360 has side surfaces that extend vertically at the periphery of the top surface and the top surface. The lower surface of the amplifier cap is open. The lower surface of the amplifier cap is sealed by the upper surface of the plate to form the first inner space. The first inner space is a space formed inside the first inner space. The reflection type semiconductor optical amplifier can be accommodated in the first inner space.

증폭기 캡(360)의 상면에는 투광용 개구부를 형성된다. 투광용 개구부를 통해서 반사형 반도체 광 증폭기의 입출력광이 투과될 수 있다. 따라서 투광용 개구부는 광축이 통과하는 위치에 형성된다.On the upper surface of the amplifier cap 360, a light-transmitting opening is formed. The input / output light of the reflection type semiconductor optical amplifier can be transmitted through the light-transmitting opening. Therefore, the light-transmitting opening is formed at the position through which the optical axis passes.

투광용 개구부는 윈도우(361)에 의해 밀폐될 수 있다. 윈도우(361)는 광학 필터로 형성되어 특정 파장 대역의 광 신호만을 투과시키거나 차단시키는 기능을 수행할 수 있다.
The light-transmitting opening can be sealed by the window 361. The window 361 is formed of an optical filter and can perform a function of transmitting or blocking only an optical signal of a specific wavelength band.

이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관해 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명하는 것에 있어서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지와 다른 점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a reflection type semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For convenience of explanation, another embodiment of the present invention will be described by focusing on differences from the reflection type semiconductor optical amplifier module package according to one embodiment of the present invention described with reference to Figs. 1 to 5 do.

도 7을 참조하면, 플레이트(100)와 플레이트(100)에 실장된 반도체 반사형 광 증폭기(200)가 광축에 대해 소정의 각도(θ)로 기울어져 있도록 설치된다. 소정의 각도(θ)는 0.1° 내지 15°일 수 있다. 광축이란 슬리브에 수직인 방향을 의미한다.7, the plate 100 and the semiconductor reflection type optical amplifier 200 mounted on the plate 100 are installed to be inclined at a predetermined angle? With respect to the optical axis. The predetermined angle [theta] may be 0.1 [deg.] To 15 [deg.]. The optical axis means the direction perpendicular to the sleeve.

이러한 설치로 인해 반도체 반사형 광 증폭기의 반사 코팅면(250)에 입력 광신호가 상기 기울어져 있는 각도로 입사된다. 이 후 상기 입사각에 대응되는 각도로 출력 광신호가 반사된다.The input optical signal is incident on the reflection coating surface 250 of the semiconductor reflection type optical amplifier at an inclined angle. Thereafter, the output optical signal is reflected at an angle corresponding to the incident angle.

상술한 것과 같이, 반사형 광 증폭기(200)가 광축에 대해 소정의 각도로 기울어져 있는 것에 의해서 제1 내부 공간(S1) 및 제2 내부 공간(S2)에서 입력 광신호와 출력 광신호의 진행 경로를 다르게 설정할 수 있다. 제1 광섬유(610) 및 제2 광섬유(620)가 각각 서로 다른 위치에 설치되므로 입력 광신호와 출력 광신호는 서로 다른 경로로 진행되어야 하므로, 상술한 설치 구조로 인해 이러한 목적을 달성할 수 있다.
As described above, since the reflective optical amplifier 200 is inclined at a predetermined angle with respect to the optical axis, the progress of the input optical signal and the output optical signal in the first inner space S1 and the second inner space S2 You can set the path differently. Since the first optical fiber 610 and the second optical fiber 620 are provided at different positions from each other, the input optical signal and the output optical signal must travel in different paths. .

이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지에 관해 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명하는 것에 있어서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지와 다른 점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a reflection type semiconductor optical amplifier module package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For convenience of explanation, another embodiment of the present invention will be described by focusing on differences from the reflection type semiconductor optical amplifier module package according to one embodiment of the present invention described with reference to Figs. 1 to 5 do.

도 8을 참조하면, 슬리브(400)와 슬리브(400) 내부의 광 서큘레이터(500)는 광축에 대해 소정의 각도(θ)로 기울어져 있도록 설치된다. 소정의 각도(θ)는 0.1° 내지 15°일 수 있다. 광축이란 플레이트(100)에 수직인 방향을 의미한다. Referring to FIG. 8, the optical circulator 500 inside the sleeve 400 and the sleeve 400 is installed to be inclined at a predetermined angle? With respect to the optical axis. The predetermined angle [theta] may be 0.1 [deg.] To 15 [deg.]. The optical axis means a direction perpendicular to the plate 100.

이러한 설치로 인해 반도체 반사형 광 증폭기(200)의 반사 코팅면(250)에 입력 광신호가 상기 기울어져 있는 각도로 입사된다. 이 후 상기 입사각에 대응되는 각도로 출력 광신호가 반사된다.The input optical signal is incident on the reflection coating surface 250 of the semiconductor reflection type optical amplifier 200 at an inclined angle. Thereafter, the output optical signal is reflected at an angle corresponding to the incident angle.

상술한 것과 같이, 반사형 광 증폭기(200)가 광축에 대해 소정의 각도로 기울어져 있는 것에 의해서 제1 내부 공간(S1) 및 제2 내부 공간(S2)에서 입력 광신호와 출력 광신호의 진행 경로를 다르게 설정할 수 있다. 제1 광섬유(610) 및 제2 광섬유(620)가 각각 서로 다른 위치에 설치되므로 입력 광신호와 출력 광신호는 서로 다른 경로로 진행되어야 하므로, 상술한 설치 구조로 인해 이러한 목적을 달성할 수 있다.
As described above, since the reflective optical amplifier 200 is inclined at a predetermined angle with respect to the optical axis, the progress of the input optical signal and the output optical signal in the first inner space S1 and the second inner space S2 You can set the path differently. Since the first optical fiber 610 and the second optical fiber 620 are provided at different positions from each other, the input optical signal and the output optical signal must travel in different paths. .

상술한 바와 같이 본 발명의 한정된 몇몇 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상술한 설명으로부터 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 상술한 설명 및 첨부한 도면에 한정되어 해석되어져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위와 이와 균등한 범위에 의해 정해져야 할 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0028] As described above, certain limited embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes may be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above description and the accompanying drawings, but should be defined by the appended claims and their equivalents.

100 : 플레이트 200 : 증폭기
300 : 하우징 400 : 슬리브
500 : 광 서큘레이터 600 : 광섬유
700 : 탭 필터 800 : 제1 포토 다이오드부
900 : 제2 포토 다이오드부100: Plate 200: Amplifier
300: housing 400: sleeve
500: optical circulator 600: optical fiber
700: tap filter 800: first photodiode part
900: second photodiode part

Claims (23)

신호선 및 접지선이 결합된 플레이트;
상기 플레이트의 상면 상에 설치되는 반사형 반도체 광 증폭기;
하단이 상기 플레이트와 결합하여 제1 내부 공간을 형성하고, 상기 내부 공간에 상기 반사형 반도체 광 증폭기를 수용하는 하우징;
상기 제1 내부 공간과 연통되는 제2 내부 공간을 형성하는 슬리브;
상기 제2 내부 공간 내부에 수용되는 광 서큘레이터; 및
상기 광 서큘레이터의 상단 측에 결합된 제1 및 제2 광섬유;
를 포함하되,
상기 광 서큘레이터는 상기 제1 광섬유를 통해 입력된 광 신호가 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되도록 하고, 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력된 광 신호가 상기 제2 광섬유를 통해 출력되게 하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
A plate to which a signal line and a ground line are coupled;
A reflective semiconductor optical amplifier provided on an upper surface of the plate;
A housing having a lower end thereof coupled with the plate to form a first internal space, the housing accommodating the reflection type semiconductor optical amplifier in the internal space;
A sleeve forming a second inner space communicating with the first inner space;
An optical circulator accommodated in the second inner space; And
First and second optical fibers coupled to an upper end of the optical circulator;
, ≪ / RTI &
The optical circulator includes a reflection type semiconductor optical amplifier for inputting the optical signal inputted through the first optical fiber to the reflection type semiconductor optical amplifier, and a reflection type optical amplifier for outputting the optical signal outputted from the reflection type semiconductor optical amplifier through the second optical fiber. Semiconductor optical amplifier module package.
제1 항에 있어서,
상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되거나 또는 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력되는 광 신호를 미리 정해진 비율로 분배하는 탭 필터를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Further comprising a tap filter that divides the optical signal inputted to or reflected from the reflective semiconductor optical amplifier at a predetermined ratio.
제2 항에 있어서,
상기 탭 필터는 상기 제1 내부 공간에 수용되고, 상기 플레이트와 기울어진 상태로 대향되는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein the tap filter is housed in the first internal space and is opposed to the plate in an inclined state.
제2 항에 있어서,
상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되는 광 신호를 수광하는 제1 포토 다이오드부를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
3. The method of claim 2,
Further comprising a first photodiode part for receiving an optical signal inputted to the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter.
제4 항에 있어서,
상기 제1 포토 다이오드부는 상기 하우징의 측면에 결합되고, 상기 탭 필터와 기울어진 상태로 대향되는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the first photodiode portion is coupled to a side surface of the housing and is opposed to the tap filter in a tilted state.
제4 항에 있어서,
상기 하우징은 측면에 제1 개구부를 구비하고,
상기 제1 포토 다이오드부는,
상기 제1 개구부를 통해 상기 제1 내부 공간과 연통되는 공간을 형성하는 제1 캔;
상기 제1 캔에 의해 형성된 공간에 수용되는 제1 포토 다이오드; 및
상기 제1 포토 다이오드에 신호를 입출력하는 리드선;
을 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
5. The method of claim 4,
The housing has a first opening on a side surface,
Wherein the first photo-
A first can forming a space communicating with the first inner space through the first opening;
A first photodiode housed in a space formed by the first can; And
A lead line for inputting / outputting a signal to / from the first photodiode;
And a reflective semiconductor optical amplifier module package.
제2 항에 있어서,
상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력되는 광 신호를 수광하는 제2 포토 다이오드부를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
3. The method of claim 2,
And a second photodiode part for receiving the optical signal output from the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter.
제7 항에 있어서,
상기 제2 포토 다이오드부는 상기 하우징의 측면에 결합되고, 상기 탭 필터와 기울어진 상태로 대향되는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein the second photodiode portion is coupled to a side surface of the housing and is opposed to the tap filter in a tilted state.
제7 항에 있어서,
상기 하우징은 측면에 제2 개구부를 구비하고,
상기 제2 포토 다이오드부는,
상기 제2 개구부를 통해 상기 제1 내부 공간과 연통되는 공간을 형성하는 제2 캔;
상기 제2 캔에 의해 형성된 공간에 수용되는 제2 포토 다이오드; 및
상기 제2 포토 다이오드에 신호를 입출력하는 리드선;
을 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
8. The method of claim 7,
The housing has a second opening on a side surface,
Wherein the second photodiode part comprises:
A second can forming a space communicating with the first inner space through the second opening;
A second photodiode housed in a space defined by the second can; And
A lead line for inputting / outputting a signal to / from the second photodiode;
And a reflective semiconductor optical amplifier module package.
제2 항에 있어서,
상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에 입력되는 광 신호를 수광하는 제1 포토 다이오드부; 및
상기 탭 필터에서 분배된 상기 반사형 반도체 광 증폭기에서 출력되는 광 신호를 수광하는 제2 포토 다이오드부를 더 포함하고,
상기 제1 포토 다이오드부와 상기 제2 포토 다이오드부는 상기 하우징의 측면에서 상기 탭 필터를 사이에 두고 서로 대향되는 위치에 설치되는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
3. The method of claim 2,
A first photodiode part for receiving an optical signal input to the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter; And
Further comprising a second photodiode part for receiving the optical signal output from the reflection type semiconductor optical amplifier distributed in the tap filter,
Wherein the first photodiode portion and the second photodiode portion are provided at positions opposite to each other with the tap filter interposed between the side surfaces of the housing.
제1 항에 있어서,
상기 플레이트와 상기 반사형 반도체 광 증폭기 사이에 배치되는 방열 부재를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
And a heat dissipating member disposed between the plate and the reflective semiconductor optical amplifier.
제1 항에 있어서,
상기 슬리브는 상기 플레이트에 수직인 방향에 대해서 0.1° 내지 15°의 각도로 기울어진 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the sleeve is inclined at an angle of from 0.1 DEG to 15 DEG with respect to a direction perpendicular to the plate.
제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 광섬유가 관통되는 관통홀이 형성되고, 상기 슬리브의 상단과 결합하여 상기 제2 내부 공간을 밀폐시키는 커버부를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Further comprising a cover portion formed with a through hole through which the first and second optical fibers penetrate and sealing the second internal space by engaging with an upper end of the sleeve.
제1 항에 있어서,
상기 하우징은 상단에 상기 제1 내부 공간과 상기 제2 내부 공간을 연통하는 개구부를 구비한 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
And the housing has an opening at an upper end thereof for communicating the first inner space and the second inner space.
제1 항에 있어서,
상기 슬리브는 상기 하우징의 상단에 결합하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
And the sleeve is coupled to an upper end of the housing.
제1 항에 있어서,
상기 슬리브는 측면의 하단에서 외측 방향으로 돌출된 플랜지부를 구비하고,
상기 플랜지부와 상기 하우징의 상단은 맞닿아 결합하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the sleeve has a flange protruding outwardly from a lower end of a side surface,
And the flange portion and the upper end of the housing abut against each other.
제1 항에 있어서,
상기 플레이트는 상기 하우징의 하단을 초과하여 형성되고,
상기 슬리브는 하단이 상기 하우징의 하단을 초과하여 형성된 플레이트와 결합하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the plate is formed beyond the lower end of the housing,
Wherein the sleeve is coupled to a plate whose lower end is beyond the lower end of the housing.
제1 항에 있어서,
상기 제1 내부 공간 내부에 위치하고, 상기 플레이트의 상면과 결합하여 상기 반사형 반도체 광 증폭기를 수용하는 제1a 내부 공간을 형성하는 증폭기 캡을 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Further comprising an amplifier cap positioned within the first internal space and coupled to an upper surface of the plate to form a first internal space for accommodating the reflective semiconductor optical amplifier.
제18 항에 있어서,
상기 증폭기 캡은 투광용 개구부가 형성된 상면과 상기 상면의 주변부에서 연장되어 상기 플레이트의 상면과 결합하는 측면을 구비하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
19. The method of claim 18,
Wherein the amplifier cap has an upper surface on which the light-transmitting opening is formed and a side surface extending from a peripheral portion of the upper surface to engage with the upper surface of the plate.
제19 항에 있어서,
상기 투광용 개구부를 밀폐하는 윈도우를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
20. The method of claim 19,
And a window for sealing the light-transmitting opening portion.
제20 항에 있어서,
상기 윈도우는 광학 필터인 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
21. The method of claim 20,
Wherein the window is an optical filter.
제1 항에 있어서,
상기 플레이트와 상기 하우징은 기밀(氣密, airtight)하게 결합되는 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the plate and the housing are airtightly coupled.
제1 항에 있어서,
상기 플레이트는 상기 슬리브에 수직인 방향에 대해서 0.1° 내지 15°의 각도로 기울어진 반사형 반도체 광 증폭기 모듈 패키지.







The method according to claim 1,
Wherein said plate is inclined at an angle of from 0.1 DEG to 15 DEG with respect to a direction perpendicular to said sleeve.







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