KR20150054489A - 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조 - Google Patents

디지타이저 센서의 배선 패턴 구조 Download PDF

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권순욱
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    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
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    • G06F3/046Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means

Abstract

본 발명은 본 발명은 디지타이저에 관한 것으로, 얇은 베젤에 적합한 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 복수의 디지타이저 센서(110)의 배선 배턴 구조에 있어서, 상기 복수의 디지타이저 센서(110) 각각이 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단과 교번되면서 전기적으로 연결된 형태로 구성됨을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조를 제공한다.

Description

디지타이저 센서의 배선 패턴 구조{Structure of circuit pattern for digitizer sensor}
본 발명은 디지타이저에 관한 것으로, 얇은 베젤에 적합한 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조에 관한 것이다.
디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 컴퓨터의 보조 장치들도 함께 개발되고 있으며, 개인용 컴퓨터, 휴대용 전송장치, 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스와 같은 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리를 수행한다.
하지만, 정보화 사회의 급속한 진행에 따라 컴퓨터의 용도가 점점 확대되는 추세에 있는 바, 현재 입력장치 역할을 담당하는 키보드 및 마우스만으로는 효율적인 제품의 구동이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 간단하고 오조작이 적을 뿐 아니라, 누구라도 쉽게 정보입력이 가능한 기기의 필요성이 높아지고 있다.
또한, 입력장치에 관한 기술은 일반적 기능을 충족시키는 수준을 넘어서 고신뢰성, 내구성, 혁신성, 설계 및 가공 관련기술 등으로 관심이 바뀌고 있으며, 이러한 목적을 달성하기 위해서 텍스트, 그래픽 등의 정보 입력이 가능한 입력장치로서 접촉감지패널(Touch screen)이 개발되었다.
개인용 컴퓨터, 휴대용 전송 장치, 그 밖의 개인전용 정보 처리 장치들은 키보드, 마우스, 디지타이저(digitizer) 등의 다양한 입력 장치를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리 등을 수행한다.
특히, 디지타이저는 특수하게 제작된 평판 상에 위치하는 스타일러스의 위치를 디지털적으로 검출하여 XY좌표화하여 출력하는 장치로서, 기존에 널리 쓰이고 있는 마우스, 키보드, 스캐너 등에 비해 그림을 보다 편리하고 정밀하게 입력할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 디지타이저는 사용자가 손에 잡고 움직일 수 있는 펜 모양의 스타일러스(stylus) 또는 단추 등이 달린 라인 커서 장치를 인식한다.
디지타이저 시스템을 구현함에 있어서, 좌표 데이터를 부여하기 위한 태블릿(tablet), 태블릿에 의해 표현된 좌표계의 한 점을 지정하기 위한 스타일러스의 포인팅 디바이스, 그리고 이들을 제어하기 위한 디지타이저 컨트롤러가 필요하다.
디지타이저는 키보드나 마우스와 같은 입력 장치와 달리, 화면 상에서 사용자가 지시한 위치 정보를 입력받는 장치이다. 이에 따라, 캐드와 같은 그래픽 작업을 수행하기에 적합하며, 직관적이고 편리한 사용자 인터페이스를 제공하기 위해 많이 사용되고 있다.
이와 같은 디지타이저는 터치스크린, EGIP(Electric graphic input panel)라고 불리기도 하며, 전자기 유도 방식을 사용한다.
전자기 유도 방식은 복수개의 코일을 포함한 디지타이저 센서 기판을 이용하며, 사용자가 펜을 움직이면, 펜이 진동하는 자계를 일으키도록 교류신호에 의하여 구동되며, 진동하는 자계는 코일에 신호를 유도하고, 코일에 유도된 신호를 통해 펜의 위치를 검출한다.
이와 같이 전자기 방식은 디지타이저 기판에 다수개의 코일을 장착하고, 펜의 접근에 의해 발생하는 전자기적 변화를 감지하여 펜의 위치를 파악한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기로 한다.
도 1은 일반적인 디지타이저를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 종래 기술에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
종래 기술에 따른 디지타이저는 디지타이저 센서(110)와, 파워코일(120)과, 선택회로부(130)를 포함하여 구성된다.
디지타이저 센서(110)는 스타일러스 펜(200)의 접근을 센싱하는 센서 코일로써 일측은 선택회로부(130)에 연결된다.
파워코일(120)은 공진주파수 발진에 의해 발진 주파수를 스타러스 펜(200)에 제공한다.
선택회로부(130)는 X축, Y축 선택회로로 구성되어 다수의 디지타이저 센서(110)의 출력을 선택적으로 아날로그 스위칭하여 좌표검출을 수행하는 회로(IC)로 출력하도록 한다.
한편 이러한 디지타이저의 디지타이저 센서 배선은 도 2에 나타낸 바와 같이, 스타일러스 펜(200)으로부터 전달 된 신호(signal)는 X 축과 Y 축으로 구성 된 센서들을 통해 IC 로 입력된다.
디지타이저 센서(110)와 IC 간에는 물리적으로 연결이 필요하며, 디지타이저 센서의 수에 비례한 공간이 필요하다. 이때, 제한 된 배선 공간에 배선을 하는 경우, 특히 모바일 기기의 경우, 예를 들어 IC 가 도 2에 나타낸 바와 같이 디지타이저 센서(110)의 상단에 배치되는 경우 Y축 디지타이저 센서들의 배선을 기존 패턴 디자인은 한쪽으로만 배선되는 구조를 갖고 있어 제한 된 공간에서의 배선을 위해 개선이 필요하였다. 특히 최근 모바일 기기들은 얇은 베젤을 갖는 추세여서 디지타이저 센서들을 한쪽으로 모아서 배선하기가 점차로 어려워 지고 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 제한된 배선 공간에 배선하는 경우 특히 얇은 베젤에 적합하도록 디지타이저 센서의 배선 패턴을 좌우측 베젤을 모두 사용하거나 상하측 베젤을 이용할 수 있도록 한 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조를 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조는 복수의 디지타이저 센서의 배선 배턴 구조에 있어서, 상기 복수의 디지타이저 센서 각각이 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단과 교번되면서 전기적으로 연결된 형태로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 제한된 배선 공간에 배선하는 경우 특히 얇은 베젤에 적합한 디지타이저 센서 배선 패턴을 제공할 수 있는 효과가 있다.
둘째, IC 의 위치에 따라 상하, 좌우 자유롭게 디지타이저 센서 배선 패턴을 제공할 수 있다.
도 1은 일반적인 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 종래 기술에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명 제1실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명 제2실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명 제3실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명 제4실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
아울러, 본 발명에서 사용되는 용어는 가능한한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며 이 경우는 해당되는 발명의 설명부분에서 상세히 그 의미를 기재하였으므로, 단순한 용어의 명칭이 아닌 용어가 가지는 의미로서 본 발명을 파악하여야 함을 밝혀두고자 한다. 또한 실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고, 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
도 3은 본 발명 제1실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명 제1실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴 구조는 도 3에 나타낸 바와 같이, IC가 상단에 배치되었을 때의 배선 예이다.
이때, Y 축 디지타이저 센서(110)를 도 3에서와 같이 하나의 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단이 교번되면서 연결된 형태로 구성하며, 각 센서의 끝단에서 IC 와 연결되는 배선 포인트(Y0 내지 Y14)를 만든다.
도 4는 본 발명 제2실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명 제2실시예에 따른 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조는 도 4에 나타낸 바와 같이 IC 가 하단에 배치 되었을 때의 배선 예이다.
이때, Y 축 센서를 도 4에서와 같이 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단이 교번되면서 연결된 형태로 구성하며, 각 센서의 끝단에서 IC 와 연결되는 배선 포인트(Y0 내지 Y14)를 만든다.
도 5는 본 발명 제3실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명 제3실시예에 따른 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조는 도 5에 나타낸 바와 같이 IC 가 좌측에 배치 되었을 때의 배선 예이다.
이때, X축 센서를 도 5에서와 같이 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단이 교번되면서 연결된 형태로 구성하며, 각 센서의 끝단에서 IC 와 연결되는 배선 포인트(X0 내지 X14)를 만든다.
도 6은 본 발명 제4실시예에 따른 디지타이저의 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명 제4실시예에 따른 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조는 도 6에 나타낸 바와 같이 IC 가 우측에 배치 되었을 때의 배선 예이다.
이때, X축 센서를 도 6에서와 같이 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단이 교번되면서 연결된 형태로 구성하며, 각 센서의 끝단에서 IC 와 연결되는 배선 포인트(X0 내지 X14)를 만든다.
이러한 본 발명 제1 내지 제4실시예에서 디지타이저 센서 및 트레이스(trace)의 대칭 구조를 통해 측정 디지타이저 센서들간 저항 특성이 동일하게 맞춰 지는 구조이다. 예를 들면 Y0-Y2, Y1-Y3…이다.
참고로 ITO 와 silver 또는 metal trace 의 조합으로 디지타이저 센서를 구성 할 경우 센서 연결 위치에 따라 저항 특성이 달라지는 경우가 있다. 이런 센서 및 트레이스(trace)의 재질 영향을 받지 않도록 좌표 측정에 사용되는 센서간의 저항 특성은 동일하도록 맞춘다.
또한 디지타이저 센서 끝단에 위치한 IC 와의 배선 포인트는 디지타이저 센서와 트레이스(trace) 간 접합 형태에 따라(실험에 따라) 센서 간 폭만큼 위치가 변경 될 수 있다.
한편, 도 3 내지 도 6에 나타낸 센서 패턴을 좌우 또는 상하로 대칭시킨 뒤에 IC와 배선 할 수 있다.
여기서 디지타이저 센서(110) 배선 패턴은 디지타이저 센서(110)의 센싱을 검출하는 IC 의 위치에 따라 IC 가 상측 또는 하측에 있을 경우 좌, 우측 베젤을 동시에 사용한다.
그리고 디지타이저 센서(110) 배선 패턴은 디지타이저 센서의 센싱을 검출하는 IC 의 위치에 따라 IC 가 좌측 또는 우측에 있을 경우 상, 하측 베젤을 동시에 사용하도록 한다.
따라서 얇은 베젤에 적합한 디지타이저 센서 배선 패턴 구조를 제공할 수 있다.
본 발명을 첨부된 도면과 함께 설명하였으나, 이는 본 발명의 요지를 포함하는 다양한 실시 형태 중의 하나의 실시예에 불과하며, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 하는 데에 그 목적이 있는 것으로, 본 발명은 상기 설명된 실시예에만 국한되는 것이 아님은 명확하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 하기의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서의 변경, 치환, 대체 등에 의해 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함될 것이다. 또한, 도면의 일부 구성은 구성을 보다 명확하게 설명하기 위한 것으로 실제보다 과장되거나 축소되어 제공된 것임을 명확히 한다.
110 : 디지타이저 센서

Claims (7)

  1. 복수의 디지타이저 센서(110)의 배선 배턴 구조에 있어서,
    상기 복수의 디지타이저 센서(110) 각각이 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단과 교번되면서 전기적으로 연결된 형태로 구성됨을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이웃하는 디지타이저 센서의 끝단과 교번되도록 연결된 상기 디지타이저 센서는 베젤 영역을 사용한 배선이 필요한 X축 디지타이저 센서 또는 Y 축 디지타이저 센서 배선 패턴인 것을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 디지타이저 센서 배선 패턴은 상기 디지타이저 센서의 센싱을 검출하는 IC 의 위치에 따라 상기 IC 가 상측 또는 하측에 있을 경우 좌, 우측 베젤을 동시에 사용됨을 특징으로 하는 사용하는 것을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 디지타이저 센서 배선 패턴은 상기 디지타이저 센서의 센싱을 검출하는 IC 의 위치에 따라 상기 IC 가 좌측 또는 우측에 있을 경우 상, 하측 베젤을 동시에 사용하는 것을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 디지타이저 센서 배선 패턴의 끝단에 위치한 IC 와의 배선 포인트는 상기 디지타이저 센서와 트레이스(trace) 간 접합 형태에 따라 센서 간 폭만큼 위치가 가변되도록 구성된 것을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 디지타이저 센서 배선 패턴을 좌우 또는 상하로 대칭 시킨 뒤에 상기 IC와 배선하는 것을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 디지타이저 센서 배선 패턴은 상기 디지타이저 센서 및 트레이스(trace)의 대칭 구조를 통해 상기 디지타이저 센서들간 저항 특성이 동일하게 맞춰 지는 구조인 것을 특징으로 하는 디지타이저 센서의 배선 패턴 구조.
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