KR20150051625A - Organic light emitting didoe, pixel of an organic light emitting display device, and organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting didoe, pixel of an organic light emitting display device, and organic light emitting display device Download PDF

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KR20150051625A
KR20150051625A KR1020130133338A KR20130133338A KR20150051625A KR 20150051625 A KR20150051625 A KR 20150051625A KR 1020130133338 A KR1020130133338 A KR 1020130133338A KR 20130133338 A KR20130133338 A KR 20130133338A KR 20150051625 A KR20150051625 A KR 20150051625A
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이관희
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

According to the present invention an organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transfer layer formed on the first electrode, an organic light emitting layer formed on the hole transfer layer, an electron transfer layer formed on the organic light emitting layer, a second electrode formed on the electron transfer layer, and a leakage path which leaks a part of driving current applied by the first electrode. Thereby, uniform brightness can be displayed even in a low gray scale level.

Description

유기 발광 다이오드, 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIDOE, PIXEL OF AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode, a pixel of an organic light emitting display, and an OLED display device.

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기 발광 다이오드, 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic light emitting diode, a pixel of an organic light emitting display device, and an organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극으로부터 각기 제공되는 정공들과 전자들이 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하는 유기 발광층에서 결합하여 생성되는 광을 이용하여 영상, 문자 등의 정보를 나타낼 수 있는 표시 장치를 말한다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지므로 유망한 차세대 디스플레이 장치로 각광받고 있다.The organic light emitting display device can display information such as images, characters, and the like using light generated by combining holes and electrons provided from the anode electrode and the cathode electrode in the organic light emitting layer positioned between the anode electrode and the cathode electrode Display device. Such an organic light emitting display device has many advantages such as a wide viewing angle, a fast response speed, a thin thickness, and low power consumption, and thus it is attracting attention as a promising next generation display device.

한편, 유기 발광 다이오드의 효율이 향상됨에 따라, 풀 컬러(full color) 구현을 위해 저계조 레벨에서 전류 효율(current efficiency)이 급격하게 증가되는 전류 효율 영역이 사용되고 있다. 또한, 트랜지스터의 문턱 전압 산포 등으로 인하여 상기 유기 발광 다이오드에 인가되는 구동 전류가 산포를 가질 수 있고, 이에 따라 패널에 얼룩이 발현될 수 있으며, 이러한 얼룩은 상기 저계조 레벨에서 더욱 문제될 수 있다.Meanwhile, as the efficiency of an organic light emitting diode is improved, a current efficiency region in which a current efficiency is rapidly increased at a low gradation level for full color implementation is used. In addition, the driving current applied to the organic light emitting diode may have scattering due to the dispersion of the threshold voltage of the transistor or the like, so that a stain may appear on the panel, and such a stain may be more problematic at the low gray level.

본 발명의 일 목적은 누설 경로를 포함하는 유기 발광 다이오드를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode including a leakage path.

본 발명의 다른 목적은 누설 경로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a pixel of an organic light emitting display including a leakage path.

본 발명의 또 다른 목적은 각 화소가 누설 경로를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide an organic light emitting display in which each pixel includes a leakage path.

다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the above-described embodiments and various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 형성된 전자 수송층, 상기 전자 수송층 상에 형성된 제2 전극, 및 상기 제1 전극을 통하여 인가되는 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 포함한다.In order to accomplish one object of the present invention, an organic light emitting diode according to embodiments of the present invention includes a first electrode, a hole transporting layer formed on the first electrode, an organic light emitting layer formed on the hole transporting layer, A second electrode formed on the electron transporting layer, and a leakage path for leaking a part of the current flowing through the first electrode.

일 실시예에서, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위 및 상기 전자 수송층의 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성될 수 있다.In one embodiment, the leakage path may be generated by adjusting at least one of a lowest occupied molecular orbital energy level of the hole transport layer and a highest occupied molecular orbital energy level of the electron transport layer.

일 실시예에서, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 상기 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위를 감소시키고, 상기 전자 수송층의 상기 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위를 증가시킴으로써 생성될 수 있다.In one embodiment, the leakage path may be generated by decreasing the lowest unoccupied molecular orbital energy level of the hole transport layer and increasing the highest occupied molecular orbital energy level of the electron transport layer.

일 실시예에서, 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 수송층은 상기 제1 전극의 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 누설 경로는, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층일 수 있다.In one embodiment, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron transport layer are formed between a part of the first electrode and a corresponding part of the second electrode, and the leakage path is different from the And a current leakage layer formed between a portion of the first electrode and a corresponding portion of the second electrode. In one embodiment, the current leakage layer may be a single organic layer having a predetermined resistance value.

일 실시예에서, 상기 유기 발광층은 상기 정공 수송층의 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층일 수 있다.In one embodiment, the organic luminescent layer is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer, and the leakage path is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding other part of the electron transporting layer And a current leakage layer formed between the regions. In one embodiment, the current leakage layer may be a single organic layer having a predetermined resistance value.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는 스토리지 커패시터, 스캔 신호에 응답하여 상기 스토리지 커패시터에 데이터 신호를 저장하는 스위칭 트랜지스터, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 기초하여 구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로, 및 상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 다른 일부 전류에 응답하여 발광하는 유기 발광 다이오드를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a pixel of an OLED display device including a storage capacitor, a switching transistor for storing a data signal in the storage capacitor in response to a scan signal, A drive transistor for generating a drive current based on the data signal, a leakage path for leaking a part of the drive current generated by the drive transistor, and a drive transistor for generating a drive current corresponding to a part of the drive current generated by the drive transistor And an organic light emitting diode for emitting light.

일 실시예에서, 상기 누설 경로는 상기 유기 발광 다이오드 내에 형성될 수 있다.In one embodiment, the leakage path may be formed in the organic light emitting diode.

일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위 및 상기 전자 수송층의 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성될 수 있다.In one embodiment, the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode, wherein the leakage path includes a lowest unoccupied molecular orbital energy level of the hole transporting layer, Or at least one of the highest occupied molecular orbital energy levels of the molecule.

일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 수송층은 상기 제1 전극의 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 누설 경로는, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층일 수 있다.In one embodiment, the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode, wherein the hole transporting layer, the organic light emitting layer, And the leakage path may include a current leakage layer formed between another partial area of the first electrode and a corresponding other partial area of the second electrode. In one embodiment, the current leakage layer may be a single organic layer having a predetermined resistance value.

일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 정공 수송층의 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층일 수 있다.In one embodiment, the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode, wherein the organic light emitting layer is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer And the leakage path may include a current leakage layer formed between another partial region of the hole transporting layer and another corresponding partial region of the electron transporting layer. In one embodiment, the current leakage layer may be a single organic layer having a predetermined resistance value.

일 실시예에서, 상기 누설 경로는, 상기 구동 트랜지스터와 전원 전압 사이에 상기 유기 발광 다이오드와 병렬로 연결된 병렬 저항을 포함할 수 있다.In one embodiment, the leakage path may include a parallel resistor connected in parallel with the organic light emitting diode between the driving transistor and the power supply voltage.

본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소들을 포함한다. 상기 복수의 화소들 각각은, 스토리지 커패시터, 스캔 신호에 응답하여 상기 스토리지 커패시터에 데이터 신호를 저장하는 스위칭 트랜지스터, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 기초하여 구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로, 및 상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 다른 일부 전류에 응답하여 발광하는 유기 발광 다이오드를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a plurality of pixels arranged in a matrix. Wherein each of the plurality of pixels includes a storage capacitor, a switching transistor for storing a data signal in the storage capacitor in response to a scan signal, a drive transistor for generating a drive current based on the data signal stored in the storage capacitor, And an organic light emitting diode that emits light in response to some other current among the driving currents generated by the driving transistor.

일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위 및 상기 전자 수송층의 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성될 수 있다.In one embodiment, the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode, wherein the leakage path includes a lowest unoccupied molecular orbital energy level of the hole transporting layer, Or at least one of the highest occupied molecular orbital energy levels of the molecule.

일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 수송층은 상기 제1 전극의 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 누설 경로는, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함할 수 있다.In one embodiment, the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode, wherein the hole transporting layer, the organic light emitting layer, And the leakage path may include a current leakage layer formed between another partial area of the first electrode and a corresponding other partial area of the second electrode.

일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 정공 수송층의 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함할 수 있다.In one embodiment, the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode, wherein the organic light emitting layer is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer And the leakage path may include a current leakage layer formed between another partial region of the hole transporting layer and another corresponding partial region of the electron transporting layer.

일 실시예에서, 상기 누설 경로는, 상기 구동 트랜지스터와 전원 전압 사이에 상기 유기 발광 다이오드와 병렬로 연결된 병렬 저항을 포함할 수 있다.In one embodiment, the leakage path may include a parallel resistor connected in parallel with the organic light emitting diode between the driving transistor and the power supply voltage.

본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드, 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치는 각 유기 발광 다이오드 내에 또는 각 화소 내에 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 포함하여, 저계조 레벨에서의 발광 효율을 감소시킴으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.The organic light emitting diode, the pixel of the organic light emitting display, and the organic light emitting display according to embodiments of the present invention may include a leakage path that leaks a part of the driving current in each organic light emitting diode or each pixel, The uniform luminance can be expressed even at a low gradation level.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously expanded without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.
도 2는 일반적인 유기 발광 다이오드의 계조 레벨에 따른 전류 효율을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 각 층의 에너지 준위를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.
도 7a는 본 발명의 실시예들에 따른 누설 경로를 포함하는 유기 발광 다이오드의 IV 곡선을 나타내는 도면이고, 도 7b는 본 발명의 실시예들에 따른 누설 경로를 포함하는 유기 발광 다이오드의 휘도별 효율 제어 효과를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.1 is a view illustrating an organic light emitting diode according to embodiments of the present invention.
2 is a graph showing current efficiency according to a gradation level of a general organic light emitting diode.
3 is a view illustrating an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing energy levels of respective layers of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
6 is a view illustrating an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7A is a diagram showing an IV curve of an organic light emitting diode including a leakage path according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a graph showing an efficiency of the organic light emitting diode including a leakage path according to embodiments of the present invention, Fig.
8 is a diagram illustrating a pixel of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
9 is a view illustrating a pixel of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
10 is a view illustrating an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.
11 is a block diagram illustrating an electronic apparatus including an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.For the embodiments of the invention disclosed herein, specific structural and functional descriptions are set forth for the purpose of describing an embodiment of the invention only, and it is to be understood that the embodiments of the invention may be practiced in various forms, The present invention should not be construed as limited to the embodiments described in Figs.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "having", and the like are intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, , Steps, operations, components, parts, or combinations thereof, as a matter of principle.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be construed as meaning consistent with meaning in the context of the relevant art and are not to be construed as ideal or overly formal in meaning unless expressly defined in the present application .

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same constituent elements in the drawings and redundant explanations for the same constituent elements are omitted.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이고, 도 2는 일반적인 유기 발광 다이오드의 계조 레벨에 따른 전류 효율을 나타내는 그래프이다.FIG. 1 is a view showing an organic light emitting diode according to embodiments of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing a current efficiency according to a gray level of a general organic light emitting diode.

도 1을 참조하면, 유기 발광 다이오드(100)는 애노드 전극(+) 및 캐소드 전극(-)을 가지고, 애노드 전극(+)을 통하여 인가되는 구동 전류(Itot) 중 일부 전류(Ileak)를 누설하는 누설 경로를 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드(100)는, 구동 전류(Itot)의 전체가 아닌, 구동 전류(Itot) 중 누설되는 일부 전류(Ileak)를 제외한 다른 일부 전류(Iemi)에 의해 발광할 수 있다. 일 실시예에서, 유기 발광 다이오드(100) 내에 포함된 상기 누설 경로는 유기 발광 다이오드(100)에 포함된 정공 수송층(hole transport layer, HTL)의 최저 비점유 분자 궤도(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO) 에너지 준위 및 유기 발광 다이오드(100)에 포함된 전자 수송층(electron transport layer, ETL)의 최고 점유 분자 궤도(highest occupied molecular orbital, HOMO) 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성될 수 있다. 다른 실시예에서, 유기 발광 다이오드(100) 내에 포함된 상기 누설 경로는 유기 발광 다이오드(100) 내에 형성된 소정의 저항값을 가지는 전류 누설층에 의해 구현될 수 있다.1, the organic light emitting diode 100 has an anode electrode (+) and a cathode electrode (-), and it leaks a part of the current Ileak among the driving current Itot applied through the anode electrode (+ Leakage path. Accordingly, the organic light emitting diode 100 can emit light by some current Iemi other than the leakage current Ileak among the driving current Itot, rather than the entire driving current Itot. The leakage path included in the organic light emitting diode 100 may be a lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of a hole transport layer (HTL) included in the organic light emitting diode 100, And the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level of an electron transport layer (ETL) included in the organic light emitting diode 100. [ In another embodiment, the leakage path included in the organic light emitting diode 100 may be implemented by a current leakage layer having a predetermined resistance value formed in the organic light emitting diode 100.

최근, 도 2에 도시된 바와 같이, 풀 컬러(full color) 구현을 위해 저계조 레벨에서 전류 효율(current efficiency)이 급격하게 증가되는 전류 효율 영역(150)이 사용되고 있다. 한편, 트랜지스터의 문턱 전압 산포 등으로 인하여 유기 발광 다이오드에 인가되는 구동 전류가 산포를 가질 수 있고, 이에 따라 종래의 유기 발광 표시 장치에서는 얼룩이 발현될 수 있고, 이러한 얼룩은 저계조 레벨에서 더욱 문제될 수 있다.Recently, as shown in FIG. 2, a current efficiency region 150 in which a current efficiency is sharply increased at a low gradation level is used for a full color implementation. On the other hand, the driving current applied to the organic light emitting diode may have scattering due to the dispersion of the threshold voltage of the transistor and the like. Accordingly, the conventional organic light emitting display device may exhibit a stain, .

그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드(100)를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서는, 유기 발광 다이오드(100)가 인위적으로 형성된 누설 경로를 포함함으로써, 저계조 레벨에서 전류 효율, 즉 전류에 따른 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드(100)를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저계조 레벨에서의 전류 효율의 급격한 증가를 방지함으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.However, in the organic light emitting display device including the organic light emitting diode 100 according to the embodiments of the present invention, the organic light emitting diode 100 includes the artificial leakage path, so that the current efficiency at the low gradation level, It is possible to reduce the luminous efficiency. Accordingly, the OLED display including the organic light emitting diode 100 according to the embodiments of the present invention can exhibit a uniform luminance even at a low gradation level by preventing a sharp increase in current efficiency at a low gradation level.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 각 층의 에너지 준위를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing energy levels of respective layers of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 유기 발광 다이오드(200)는 제1 전극(210)(예를 들어, 애노드(anode) 전극), 정공 수송층(hole transport layer, HTL)(230), 유기 발광층(organic light emitting layer, EML)(250), 전자 수송층(electron transport layer, ETL)(270) 및 제2 전극(290)(예를 들어, 캐소드(cathode) 전극)을 포함할 수 있다.3, the organic light emitting diode 200 includes a first electrode 210 (e.g., an anode electrode), a hole transport layer (HTL) 230, an organic light emitting layer layer (EML) 250, an electron transport layer (ETL) 270 and a second electrode 290 (e.g., a cathode).

유기 발광 표시 장치의 발광 방식(전면 발광 또는 후면 발광)에 따라, 제1 전극(210)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(210)이 반사형 전극일 경우 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 또는 이들의 혼합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등을 배치하여 제1 전극(210)을 형성할 수 있다. 제1 전극(210)이 투과형 전극일 경우 제1 전극(210)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성될 수 있다. 한편, 이하에서는, 제1 전극(210)이 반사성을 갖는 물질을 가지는 반사형 전극인 경우에 대하여 설명한다.The first electrode 210 may be formed using a material having a reflective property or a material having a transmissive property in accordance with the emission method (front emission or back emission) of the OLED display. For example, when the first electrode 210 is a reflective electrode, a reflective film is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, And ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function may be disposed thereon to form the first electrode 210. When the first electrode 210 is a transmissive electrode, the first electrode 210 may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function. In the following description, the first electrode 210 is a reflective electrode having a reflective material.

정공 수송층(230)은 제1 전극(210) 상에 형성된다. 정공 수송층(230)은 임의의 정공 수송 물질, 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-바이페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(NPB) 등의 방향족 축합환을 가지는 아민 유도체 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 실시예에 따라, 정공 수송층(230)은 증가된 또는 높은 공액(conjugation)도를 가지는 정공 수송 물질, 또는 높은 전자 구인성(electron withdrawing) 정공 수송 물질로 형성됨으로써, 종래의 정공 수송층보다 감소된 최저 비점유 분자 궤도(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO) 에너지 준위를 가질 수 있다.The hole transport layer 230 is formed on the first electrode 210. The hole transport layer 230 can be formed using any hole transport material such as carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, Aromatic condensation such as phenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD) and N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine An amine derivative having a ring, and the like, but is not limited thereto. According to the embodiment, the hole transporting layer 230 is formed of a hole transporting material having an increased or high degree of conjugation, or a high electron withdrawing hole transporting material, And the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level.

유기 발광층(250)은 정공 수송층(230) 상에 형성된다. 유기 발광층(250)은 유기 발광 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광층(250)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다.The organic light emitting layer 250 is formed on the hole transporting layer 230. The organic light emitting layer 250 may be formed using light emitting materials capable of generating different color light such as red light, green light, and blue light depending on each pixel of the OLED display. According to other exemplary embodiments, the organic light emitting layer 250 may have a structure in which a plurality of light emitting materials capable of realizing different color light such as red light, green light, and blue light are stacked to emit white light.

전자 수송층(270)은 유기 발광층(250) 상에 형성된다. 전자 수송층(270)은 임의의 전자 수송 물질, 예를 들어, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, BAlq, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 실시예에 따라, 전자 수송층(270)은 높은 공액도를 가지는 전자 수송 물질, 또는 높은 전자 공여성(electron donating) 전자 수송 물질을 이용하여 형성됨으로써, 종래의 전자 수송층보다 증가된 최고 점유 분자 궤도(highest occupied molecular orbital, HOMO) 에너지 준위를 가질 수 있다.An electron transporting layer 270 is formed on the organic light emitting layer 250. The electron transporting layer 270 may be any electron transporting material such as quinoline derivatives and especially tris (8-quinolinolate) aluminum (Alq3), TAZ, BAlq, beryllium bis (benzoquinolyl- the electron transport layer 270 may be formed of an electron transporting material having a high degree of conjugation or a hole transporting material having a high electron mobility, (HOMO) energy level higher than that of a conventional electron transporting layer by being formed using an electron donating electron transporting material.

제2 전극(290)은 전자 수송층(270) 상에 형성된다. 한편, 제2 전극(290)이 투과형 전극일 경우, 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 또는 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성함으로써, 제2 전극(290)이 형성될 수 있다.The second electrode 290 is formed on the electron transporting layer 270. When the second electrode 290 is a transmissive electrode, a metal having a small work function, that is, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, The second electrode 290 can be formed by forming an auxiliary electrode layer or a bus electrode line with a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In2O3 thereon.

실시예에 따라, 제1 전극(210)과 정공 수송층(230) 사이에는 정공 주입층(hole injection layer, HIL)(220)이 더욱 형성될 수 있다. 정공 주입층(220)은 임의의 정공 주입 물질, 예를 들어, 구리프탈로시아닌(CuPc) 등과 같은 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A hole injection layer (HIL) 220 may be further formed between the first electrode 210 and the hole transport layer 230. Referring to FIG. The hole injection layer 220 may be formed using any hole injection material such as a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine (CuPc), m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, Pani / DBSA (Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: Benzene sulfonic acid), PEDOT / PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonate): poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (Polyaniline / camphor sulfonic acid: polyaniline / camphorsulfonic acid) or PANI / PSS (polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate): polyaniline) / poly (4-styrene sulfonate).

또한, 실시예에 따라, 전자 수송층(270)과 제2 전극(290) 사이에는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)(280)이 더욱 형성될 수 있다. 전자 주입층(280)은 임의의 전자 주입 물질, 예를 들어 LiF, NaCl, CsF, Li2O 또는 BaO 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to the embodiment, an electron injection layer (EIL) 280 may further be formed between the electron transport layer 270 and the second electrode 290. The electron injection layer 280 may be formed of any electron injecting material such as LiF, NaCl, CsF, Li2O or BaO, but is not limited thereto.

또한, 실시예에 따라, 정공 수송층(230)과 유기 발광층(250) 사이에는 전자 차단층(electron blocking layer, EBL)이 더욱 형성될 수 있다. 상기 전자 차단층은 전자 수송 능력은 낮으면서 정공 수송 능력이 우수한 물질, 예를 들어 Ir(ppz)3 등으로 형성될 수 있다.According to the embodiment, an electron blocking layer (EBL) may be further formed between the hole transport layer 230 and the organic emission layer 250. The electron blocking layer may be formed of a material having a low electron transporting ability and an excellent hole transporting capability, for example Ir (ppz) 3.

또한, 실시예에 따라, 유기 발광층(250)과 전자 수송층(270) 사이에는 정공 차단층(hole blocking layer, HBL)이 더욱 형성될 수 있다. 상기 정공 차단층은 정공 수송 능력은 낮으면서 전자 수송 능력이 우수한 물질, 예를 들어 바쏘쿠프로인(Bathocuproine: BCP), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-터트-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 등으로 형성될 수 있다.In addition, a hole blocking layer (HBL) may be further formed between the organic light emitting layer 250 and the electron transporting layer 270 according to the embodiment. The hole-blocking layer may be formed of a material having a low hole-transporting ability and an excellent electron-transporting capability, such as bathocuproine (BCP), 3- (4-biphenylyl) Tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) or the like.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 제1 전극(210)을 통하여 인가되는 구동 전류(Itot) 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 포함할 수 있고, 이에 따라, 제1 전극(210)을 통하여 인가되는 구동 전류(Itot)보다 중 누설되는 일부 전류(Ileak)를 제외한 다른 일부 전류(Iemi)에 기초하여 유기 발광층(250)이 발광할 수 있다. 일 실시예에서, 유기 발광 다이오드(200) 내에 형성되는 상기 누설 경로는 정공 수송층(230)의 LUMO 에너지 준위 및 전자 수송층(270)의 HOMO 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성될 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting diode 200 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a leakage path that leaks some current among the driving current Itot applied through the first electrode 210, The organic light emitting layer 250 may emit light based on a part of the current Iemi except for a part of the current Ileak leaking more than the driving current Itot applied through the one electrode 210. [ In one embodiment, the leakage path formed in the organic light emitting diode 200 may be generated by adjusting at least one of the LUMO energy level of the hole transport layer 230 and the HOMO energy level of the electron transport layer 270.

예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 누설 경로는, 정공 수송층(230)(및/또는 상기 전자 차단층)의 LUMO 에너지 준위를 종래의 약 -2.0 eV에서 약 -2.5 eV로 감소시키고, 전자 수송층(270)(및/또는 상기 정공 차단층)의 HOMO 에너지 준위를 종래의 약 -6.5 eV에서 약 -5.5 eV로 증가시킴으로써, 생성될 수 있다. 한편, 실시예에 따라, 정공 수송층(230)의 LUMO 에너지 준위 감소는 증가된 또는 높은 공액(conjugation)도를 가지는 정공 수송 물질을 이용하여 정공 수송층(230)을 형성하거나, 또는 높은 전자 구인성(electron withdrawing) 정공 수송 물질을 이용하여 정공 수송층(230)을 형성함으로써, 달성될 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 전자 수송층(270)의 HOMO 에너지 준위 증가는 높은 공액도를 가지는 전자 수송 물질을 이용하여 전자 수송층(270)을 형성하거나, 또는 높은 전자 공여성(electron donating) 전자 수송 물질을 이용하여 전자 수송층(270)을 형성함으로써, 달성될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(210)으로부터 주입된 정공들 중 일부가 유기 발광층(250)에서 전자와 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하지 않고, 전자 수송층(270)의 HOMO 에너지 준위 증가(즉, 전자 수송층(270)의 정공 배리어의 감소)에 의해 누설될 수 있고, 또한 제2 전극(290)으로부터 주입된 전자들 중 일부가 유기 발광층(250)에서 정공와 재결합하여 엑시톤을 생성하지 않고, 정공 수송층(230)의 LUMO 에너지 준위 감소(즉, 정공 수송층(230)의 전자 배리어의 감소)에 의해 누설될 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the leakage path reduces the LUMO energy level of the hole transport layer 230 (and / or the electron blocking layer) from about -2.0 eV to about -2.5 eV , And the HOMO energy level of the electron transport layer 270 (and / or the hole blocking layer) from about -6.5 eV to about -5.5 eV in the prior art. According to the embodiment, the LUMO energy level reduction of the hole transport layer 230 may be performed by forming the hole transport layer 230 using a hole transport material having an increased or a high degree of conjugation, Electron withdrawing can be achieved by forming the hole transport layer 230 using a hole transport material. Also, according to the embodiment, the HOMO energy level of the electron transport layer 270 may be increased by forming the electron transport layer 270 using an electron transport material having a high degree of conjugation, or by using a high electron donating electron transport material To form the electron transporting layer 270 using the electron transporting layer. Accordingly, a part of the holes injected from the first electrode 210 recombine with electrons in the organic light emitting layer 250 to generate no exciton, and the HOMO energy level of the electron transport layer 270 increases (that is, The electrons injected from the second electrode 290 are recombined with the holes in the organic light emitting layer 250 to generate no excitons and the electrons injected from the hole transport layer 230) (i.e., reduction of the electron barrier of the hole transport layer 230).

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 감소된 LUMO 에너지 준위를 가지는 정공 수송층(230) 및/또는 증가된 HOMO 에너지 준위를 가지는 전자 수송층(270)을 포함함으로써, 인가되는 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 구비할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 저계조 레벨에서 전류 효율, 즉 전류에 따른 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(200)를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저계조 레벨에서의 전류 효율의 급격한 증가를 방지함으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode 200 according to an embodiment of the present invention includes the hole transport layer 230 having a reduced LUMO energy level and / or the electron transport layer 270 having an increased HOMO energy level , And a leakage path that leaks some current among the applied currents. Accordingly, the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention can reduce the current efficiency at the low gradation level, that is, the luminous efficiency according to the current. Therefore, the organic light emitting display device including the organic light emitting diode 200 according to an embodiment of the present invention can exhibit a uniform luminance even at a low gradation level by preventing a sharp increase in current efficiency at a low gradation level.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.5 is a view illustrating an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 유기 발광 다이오드(300)는 제1 전극(310)(예를 들어, 애노드 전극), 제1 전극(310) 상에 형성된 정공 수송층(330), 정공 수송층(330) 상에 형성된 유기 발광층(350), 유기 발광층(350) 상에 형성된 전자 수송층(370), 및 전자 수송층(370) 상에 형성된 제2 전극(390)(예를 들어, 캐소드 전극)을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드(300)는 전류 누설층(current leakage layer, CLL)(340)으로 구현되는 누설 경로를 더 포함할 수 있다.5, the organic light emitting diode 300 includes a first electrode 310 (for example, an anode electrode), a hole transporting layer 330 formed on the first electrode 310, and a hole transporting layer 330 formed on the hole transporting layer 330 An electron transport layer 370 formed on the organic light emitting layer 350 and a second electrode 390 formed on the electron transport layer 370 (e.g., a cathode electrode). In addition, the organic light emitting diode 300 may further include a leakage path implemented by a current leakage layer (CLL)

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(300)에서, 정공 수송층(330), 유기 발광층(350) 및 전자 수송층(370)은 제1 전극(310)의 일부 영역 및 제2 전극(390)의 상응하는 일부 영역 사이에 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(310)의 다른 일부 영역 및 제2 전극(390)의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 전류 누설층(340)이 형성됨으로써, 유기 발광 다이오드(300)에 인가되는 구동 전류가 모두 유기 발광층(350)에 제공되지는 않고, 상기 구동 전류 중 일부 전류(Ileak)를 누설하는 누설 경로가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 전류 누설층(340)은 소정의 유기물로 형성되는 단일 유기층일 수 있고, 일부 전류(Ileak)를 누설하기 위한 소정의 저항값을 가질 수 있다. 예를 들어, 전류 누설층(340)의 저항값은 약 50 kohm 내지 약 10,000 kohm일 수 있다.The hole transport layer 330, the organic light emitting layer 350 and the electron transport layer 370 may be formed in a part of the first electrode 310 and the second electrode 390 in the organic light emitting diode 300 according to another embodiment of the present invention. Or between some corresponding regions of the first electrode. The current leakage layer 340 is formed between the other part of the first electrode 310 and the corresponding other part of the second electrode 390 so that the driving current applied to the organic light emitting diode 300 is all A leakage path may be formed which is not provided to the organic light emitting layer 350 but leaks some current Ileak among the driving current. In one embodiment, the current leakage layer 340 may be a single organic layer formed of a predetermined organic material, and may have a predetermined resistance value for leakage of some current Ileak. For example, the resistance value of current leakage layer 340 may be from about 50 kohm to about 10,000 kohm.

상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(300)는 제1 전극(310)의 일부 영역 및 제2 전극(390)의 상응하는 일부 영역 사이에 전류 누설층(340)을 포함함으로써, 인가되는 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 구비할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(300)는 저계조 레벨에서 전류 효율, 즉 전류에 따른 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(300)를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저계조 레벨에서의 전류 효율의 급격한 증가를 방지함으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.The organic light emitting diode 300 according to another embodiment of the present invention includes a current leakage layer 340 between a portion of the first electrode 310 and a corresponding portion of the second electrode 390 It is possible to provide a leakage path that leaks some of the applied current. Accordingly, the organic light emitting diode 300 according to another embodiment of the present invention can reduce the current efficiency, that is, the luminous efficiency depending on the current, at a low gradation level. Therefore, the organic light emitting display device including the organic light emitting diode 300 according to another embodiment of the present invention can exhibit a uniform luminance even at a low gradation level by preventing a sharp increase in current efficiency at a low gradation level.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 유기 발광 다이오드(400)는 제1 전극(410)(예를 들어, 애노드 전극), 제1 전극(410) 상에 형성된 정공 수송층(430), 정공 수송층(430) 상에 형성된 유기 발광층(450), 유기 발광층(450) 상에 형성된 전자 수송층(470), 및 전자 수송층(470) 상에 형성된 제2 전극(490)(예를 들어, 캐소드 전극)을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드(400)는 전류 누설층(460)으로 구현되는 누설 경로를 더 포함할 수 있다.6, the organic light emitting diode 400 includes a first electrode 410 (e.g., an anode electrode), a hole transport layer 430 formed on the first electrode 410, and a hole transport layer 430 formed on the hole transport layer 430 An electron transport layer 470 formed on the organic light emitting layer 450 and a second electrode 490 formed on the electron transport layer 470 (for example, a cathode electrode). In addition, the organic light emitting diode 400 may further include a leakage path embodied in the current leakage layer 460.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(400)에서, 유기 발광층(450)은 정공 수송층(430)의 일부 영역 및 전자 수송층(470)의 상응하는 일부 영역 사이에 형성될 수 있다. 또한, 정공 수송층(430)의 다른 일부 영역 및 전자 수송층(470)의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층(460)이 형성됨으로써, 유기 발광 다이오드(400)에 인가되는 구동 전류가 모두 유기 발광층(450)에 제공되지는 않고, 상기 구동 전류 중 일부 전류(Ileak)를 누설하는 누설 경로가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 전류 누설층(460)은 소정의 유기물로 형성되는 단일 유기층일 수 있고, 일부 전류(Ileak)를 누설하기 위한 소정의 저항값을 가질 수 있다. 예를 들어, 전류 누설층(460)의 저항값은 약 50 kohm 내지 10,000 kohm일 수 있다.In the organic light emitting diode 400 according to another embodiment of the present invention, the organic light emitting layer 450 may be formed between a part of the hole transporting layer 430 and a corresponding part of the electron transporting layer 470. A current leakage layer 460 is formed between another partial region of the hole transport layer 430 and another corresponding partial region of the electron transport layer 470 so that the driving current applied to the organic light emitting diode 400 is all A leakage path may be formed that is not provided to the light emitting layer 450 but leaks some current Ileak among the driving current. In one embodiment, the current leakage layer 460 may be a single organic layer formed of a predetermined organic material, and may have a predetermined resistance value for leakage of some current Ileak. For example, the resistance value of current leakage layer 460 may be between about 50 kohm and 10,000 kohm.

상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(400)는 정공 수송층(430)의 일부 영역 및 전자 수송층(470)의 상응하는 일부 영역 사이에 전류 누설층(460)을 포함함으로써, 인가되는 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 구비할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(400)는 저계조 레벨에서 전류 효율, 즉 전류에 따른 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(400)를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저계조 레벨에서의 전류 효율의 급격한 증가를 방지함으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode 400 according to another embodiment of the present invention includes a current leakage layer 460 between a part of the hole transporting layer 430 and a corresponding part of the electron transporting layer 470 So that it is possible to provide a leakage path that leaks some current among the applied current. Accordingly, the organic light emitting diode 400 according to another embodiment of the present invention can reduce the current efficiency at the low gradation level, that is, the luminous efficiency according to the current. Therefore, the organic light emitting display device including the organic light emitting diode 400 according to another embodiment of the present invention can exhibit a uniform luminance even at a low gradation level by preventing a sharp increase in current efficiency at a low gradation level.

도 7a는 본 발명의 실시예들에 따른 누설 경로를 포함하는 유기 발광 다이오드의 IV 곡선을 나타내는 도면이고, 도 7b는 본 발명의 실시예들에 따른 누설 경로를 포함하는 유기 발광 다이오드의 휘도별 효율 제어 효과를 나타내는 도면이다.FIG. 7A is a diagram showing an IV curve of an organic light emitting diode including a leakage path according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a graph showing an efficiency of the organic light emitting diode including a leakage path according to embodiments of the present invention, Fig.

도 7a에는 유기 발광 다이오드에 누설 경로가 형성되지 않은 경우(ref), 유기 발광 다이오드에 약 310 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 유기 발광 다이오드에 약 570 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 및 유기 발광 다이오드에 약 1,025 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우 각각의 유기 발광 다이오드에 인가되는 바이어스 전압에 따른 전류 밀도가 개시되어 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 유기 발광 다이오드에 약 310 kohm, 약 570 kohm 또는 약 1,025 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 낮은 바이어스 전압에서, 즉 저계조 레벨에서 상기 누설 경로가 형성되지 않은 경우에 비하여 높은 전류 밀도를 가짐을 알 수 있다. 즉, 상기 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 낮은 바이어스 전압에서, 즉 저계조 레벨에서 구동 전류가 고계조 레벨일 때에 비하여 상대적으로 상기 누설 경로로 보다 많이 흐를 수 있다. 또한, 높은 바이어스 전압에서는, 상기 누설 경로로 흐르는 전류의 약이 상대적으로 감소하여 고효율이 구현될 수 있다.7A shows a case where a leakage path is not formed in the organic light emitting diode (ref), and a leakage path having a resistance value of about 310 kohm is formed in the organic light emitting diode, a leakage path having a resistance value of about 570 kohm And a leakage path having a resistance value of about 1,025 kohm is formed in the organic light emitting diode, a current density according to a bias voltage applied to each organic light emitting diode is disclosed. As shown in FIG. 7A, when a leakage path having a resistance value of about 310 kohm, about 570 kohm, or about 1,025 kohm is formed in the organic light emitting diode, the leakage path is not formed at a low bias voltage, It can be understood that the current density is higher than that in the case where the current density is high. That is, when the leakage path having the resistance value is formed, the leakage current can flow relatively more through the leakage path at a low bias voltage, that is, at a low gradation level, as compared to when the driving current is at a high gradation level. Further, at a high bias voltage, the efficiency of the current flowing through the leakage path is relatively reduced, and high efficiency can be realized.

또한, 도 7b에는 유기 발광 다이오드에 누설 경로가 형성되지 않은 경우(ref), 유기 발광 다이오드에 약 310 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 유기 발광 다이오드에 약 570 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 및 유기 발광 다이오드에 약 1,025 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우 각각의 유기 발광 다이오드의 휘도에 따른 발광 효율(Cd/A)이 개시되어 있다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 유기 발광 다이오드에 약 310 kohm, 약 570 kohm 또는 약 1,025 kohm의 저항값을 가지는 누설 경로가 형성된 경우, 저휘도에서 상기 누설 경로가 형성되지 않은 경우에 비하여 낮은 발광 효율을 가짐을 알 수 있다.7B, when a leakage path having a resistance value of about 310 kohm is formed in the organic light emitting diode when a leakage path is not formed in the organic light emitting diode (ref), the organic light emitting diode has a resistance value of about 570 kohm Emitting efficiency (Cd / A) according to the luminance of each organic light emitting diode is disclosed when a leakage path is formed and a leakage path having a resistance value of about 1,025 kohm is formed in the organic light emitting diode. As shown in FIG. 7B, when a leakage path having a resistance value of about 310 kohm, about 570 kohm, or about 1,025 kohm is formed in the organic light emitting diode, a lower luminous efficiency . ≪ / RTI >

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating a pixel of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(500)는 스위칭 트랜지스터(510), 스토리지 커패시터(530), 구동 트랜지스터(550) 및 유기 발광 다이오드(570)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the pixel 500 of the organic light emitting display may include a switching transistor 510, a storage capacitor 530, a driving transistor 550, and an organic light emitting diode 570.

스위칭 트랜지스터(510)는 스캔 신호(SSCAN)에 응답하여 스토리지 커패시터(530)에 데이터 신호(SDATA)를 전송하여 데이터 신호(SDATA)를 스토리지 커패시터(530)에 저장시킬 수 있다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터(510)는 데이터 신호(SDATA)를 수신하는 소스, 스토리지 커패시터(530)에 연결된 드레인, 및 스캔 신호(SSCAN)를 수신하는 게이트를 가질 수 있다.The switching transistor 510 may transmit the data signal SDATA to the storage capacitor 530 in response to the scan signal SSCAN to store the data signal SDATA in the storage capacitor 530. For example, the switching transistor 510 may have a source for receiving the data signal SDATA, a drain coupled to the storage capacitor 530, and a gate for receiving the scan signal SSCAN.

스토리지 커패시터(530)는 스위칭 트랜지스터(510)를 통하여 전송된 데이터 신호(SDATA)를 저장할 수 있다.The storage capacitor 530 may store the data signal SDATA transmitted through the switching transistor 510. [

구동 트랜지스터(550)는 스토리지 커패시터(530)에 저장된 데이터 신호(SDTA)에 기초하여 구동 전류(Itot)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(550)는 고전원 전압(ELVDD)에 연결된 소스, 유기 발광 다이오드(570)에 연결된 드레인, 및 스토리지 커패시터(530)에 연결된 게이트를 가질 수 있다.The driving transistor 550 can generate the driving current Itot based on the data signal SDTA stored in the storage capacitor 530. [ For example, the driving transistor 550 may have a source coupled to the high voltage ELVDD, a drain coupled to the organic light emitting diode 570, and a gate coupled to the storage capacitor 530.

유기 발광 다이오드(570)는 구동 트랜지스터(550)에 의해 생성된 구동 전류(Itot)에 기초하여 발광할 수 있다. 한편, 화소(500)는 유기 발광 다이오드(570) 내에 형성된 누설 경로를 더 포함할 수 있다. 상기 누설 경로는 구동 트랜지스터(550)에 의해 생성된 구동 전류(Itot) 중 일부 전류(Ileak)를 누설할 수 있고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(570)는 구동 전류(Itot) 중 누설되는 일부 전류(Ileak)를 제외한 다른 일부 전류(Iemi)에 의해 발광할 수 있다.The organic light emitting diode 570 can emit light based on the driving current Itot generated by the driving transistor 550. [ Meanwhile, the pixel 500 may further include a leakage path formed in the organic light emitting diode 570. The leakage path may leak some current Ileak among the driving current Itot generated by the driving transistor 550 so that the organic light emitting diode 570 can prevent leakage current Lt; RTI ID = 0.0 > Iem, < / RTI > Ileak).

일 실시예에서, 유기 발광 다이오드(570) 내에 형성된 상기 누설 경로는 유기 발광 다이오드(570)의 정공 수송층의 LUMO 에너지 준위 및 유기 발광 다이오드(570)의 전자 수송층의 HOMO 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성될 수 있다. 다른 실시예에서, 유기 발광 다이오드(570) 내에 형성된 상기 누설 경로는, 유기 발광 다이오드(570)의 정공 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층이 제1 전극의 일부 영역 및 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 전류 누설층이 형성됨으로써, 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 유기 발광 다이오드(570) 내에 형성된 상기 누설 경로는, 유기 발광 다이오드(570)의 유기 발광층이 정공 수송층의 일부 영역 및 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 전류 누설층이 형성됨으로써, 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 누설층은 약 50 kohm 내지 약 10,000 kohm의 저항값을 가지는 단일 유기층일 수 있다.The leakage path formed in the organic light emitting diode 570 may control at least one of the LUMO energy level of the hole transport layer of the organic light emitting diode 570 and the HOMO energy level of the electron transport layer of the organic light emitting diode 570 Lt; / RTI > In another embodiment, the leakage path formed in the organic light emitting diode 570 is formed by the organic light emitting layer 570, the organic light emitting layer, and the electron transporting layer between the partial region of the first electrode and the corresponding partial region of the second electrode And a current leakage layer is formed between another partial region of the first electrode and another corresponding partial region of the second electrode. In another embodiment, the leakage path formed in the organic light emitting diode 570 is formed such that the organic light emitting layer of the organic light emitting diode 570 is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer, By forming a current leakage layer between some other region of the electron transport layer and a corresponding other portion of the electron transport layer. For example, the current leakage layer may be a single organic layer having a resistance value of about 50 kohm to about 10,000 kohm.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(500)는 인가되는 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 구비한 유기 발광 다이오드(570)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(500)는 저계조 레벨에서 전류 효율, 즉 전류에 따른 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(500)를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저계조 레벨에서의 전류 효율의 급격한 증가를 방지함으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.As described above, the pixel 500 of the organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention may include an organic light emitting diode 570 having a leakage path that leaks some current among the applied currents. Accordingly, the pixel 500 of the OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention can reduce the current efficiency, that is, the luminous efficiency according to the current, at a low gradation level. Therefore, the organic light emitting display including the pixel 500 of the organic light emitting display according to the embodiment can exhibit a uniform luminance even at a low gradation level by preventing a sharp increase in the current efficiency at the low gradation level.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 도면이다.9 is a view illustrating a pixel of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(600)는 스토리지 커패시터(630), 스캔 신호(SSCAN)에 응답하여 스토리지 커패시터(630)에 데이터 신호(SDATA)를 저장하는 스위칭 트랜지스터(610), 스토리지 커패시터(630)에 저장된 데이터 신호(SDATA)에 기초하여 구동 전류(Itot)를 생성하는 구동 트랜지스터(650), 유기 발광 다이오드(670) 및 병렬 저항(680)을 포함할 수 있다.9, a pixel 600 of an organic light emitting diode display includes a storage capacitor 630, a switching transistor 610 for storing a data signal SDATA in the storage capacitor 630 in response to a scan signal SSCAN, An organic light emitting diode 670 and a parallel resistor 680 that generate a driving current Itot based on the data signal SDATA stored in the storage capacitor 630. [

병렬 저항(680)은 구동 트랜지스터(650)와 전원 전압(ELVSS)(예를 들어, 저전원 전압) 사이에 유기 발광 다이오드(670)와 병렬로 연결됨으로써, 구동 트랜지스터(650)에 의해 생성된 구동 전류(Itot) 중 일부 전류(Ileak)를 누설하는 누설 경로를 형성할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드(670)는, 구동 전류(Itot)의 전체가 아닌, 구동 전류(Itot) 중 누설되는 일부 전류(Ileak)를 제외한 다른 일부 전류(Iemi)에 의해 발광할 수 있다.The parallel resistor 680 is connected in parallel with the organic light emitting diode 670 between the driving transistor 650 and the power supply voltage ELVSS (for example, a low power supply voltage) It is possible to form a leakage path that leaks some current Ileak among the current Itot. Accordingly, the organic light emitting diode 670 can emit light by some current Iemi other than the leakage current Ileak among the driving current Itot, rather than the entire driving current Itot.

상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(600)는 유기 발광 다이오드(670)와 병렬로 연결되어 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 형성하는 병렬 저항(680)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(600)는 저계조 레벨에서 전류 효율, 즉 전류에 따른 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(600)를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저계조 레벨에서의 전류 효율의 급격한 증가를 방지함으로써 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.As described above, the pixel 600 of the organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention includes a parallel resistor connected in parallel with the organic light emitting diode 670 to form a leakage path that leaks some current among the driving currents 680). Accordingly, the pixel 600 of the organic light emitting display according to another embodiment of the present invention can reduce the current efficiency, that is, the luminous efficiency according to the current, at a low gradation level. Therefore, the organic light emitting display device including the pixel 600 of the organic light emitting display according to another embodiment can express a uniform luminance even at a low gradation level by preventing a sharp increase in current efficiency at a low gradation level.

도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면이다.10 is a view illustrating an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.

도 10을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(800)는 디스플레이 패널(810), 데이터 드라이버(820), 스캔 드라이버(830) 및 타이밍 컨트롤러(850)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the OLED display 800 may include a display panel 810, a data driver 820, a scan driver 830, and a timing controller 850.

디스플레이 패널(810)은 복수의 데이터 라인들을 통하여 데이터 드라이버(820)와 연결되고, 복수의 스캔 라인들을 통하여 스캔 드라이버(830)와 연결될 수 있다. 디스플레이 패널(810)은 상기 복수의 데이터 라인들 및 상기 복수의 스캔 라인들의 교차부마다 위치되는 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 한편, 복수의 화소들(PX) 각각은 각 유기 발광 다이오드 내에 또는 각 화소 내에 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 포함하여, 저계조 레벨에서의 발광 효율을 감소시킴으로써, 구동 전류가 산포를 가지더라도 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.The display panel 810 is connected to the data driver 820 through a plurality of data lines and may be connected to the scan driver 830 through a plurality of scan lines. The display panel 810 may include a plurality of pixels PX located at intersections of the plurality of data lines and the plurality of scan lines. On the other hand, each of the plurality of pixels PX includes a leakage path that leaks a part of the driving current in each organic light emitting diode or each pixel, thereby reducing the luminous efficiency at the low gray level, The uniform luminance can be expressed even at a low gradation level.

데이터 드라이버(820)는 상기 복수의 데이터 라인들을 통하여 디스플레이 패널(810)에 데이터 신호(SDATA)를 인가하고, 스캔 드라이버(830)는 상기 복수의 스캔 라인들을 통하여 디스플레이 패널(810)에 스캔 신호(SSCAN)을 인가할 수 있다.The data driver 820 applies a data signal SDATA to the display panel 810 through the plurality of data lines and the scan driver 830 applies a scan signal to the display panel 810 through the plurality of scan lines. SSCAN) can be applied.

타이밍 컨트롤러(850)는 유기 발광 표시 장치(800)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 컨트롤러(850)는 소정의 제어 신호들을 데이터 드라이버(820) 및 스캔 드라이버(830)에 제공함으로써 유기 발광 표시 장치(800)의 동작을 제어할 수 있다.The timing controller 850 can control the operation of the OLED display 800. [ For example, the timing controller 850 can control the operation of the organic light emitting display 800 by providing predetermined control signals to the data driver 820 and the scan driver 830. [

도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.11 is a block diagram illustrating an electronic apparatus including an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.

도 11을 참조하면, 전자 기기(1000)는 프로세서(1010), 메모리 장치(1020), 저장 장치(1030), 입출력 장치(1040), 파워 서플라이(1050) 및 유기 발광 표시 장치(1060)를 포함할 수 있다. 전자 기기(1000)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다.11, the electronic device 1000 includes a processor 1010, a memory device 1020, a storage device 1030, an input / output device 1040, a power supply 1050, and an organic light emitting display 1060 can do. The electronic device 1000 may further include a plurality of ports capable of communicating with, or communicating with, video cards, sound cards, memory cards, USB devices, and the like.

프로세서(1010)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1010)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(1010)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라서, 프로세서(1010)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.Processor 1010 may perform certain calculations or tasks. In accordance with an embodiment, the processor 1010 may be a microprocessor, a central processing unit (CPU), or the like. The processor 1010 may be coupled to other components via an address bus, a control bus, and a data bus. In accordance with an embodiment, the processor 1010 may also be coupled to an expansion bus, such as a Peripheral Component Interconnect (PCI) bus.

메모리 장치(1020)는 전자 기기(1000)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(1020)는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.The memory device 1020 may store data necessary for operation of the electronic device 1000. [ For example, the memory device 1020 may be an erasable programmable read-only memory (EPROM), an electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM), a flash memory, a phase change random access memory (PRAM) Volatile memory devices such as a random access memory (RAM), a nano floating gate memory (NFGM), a polymer random access memory (PoRAM), a magnetic random access memory (MRAM), a ferroelectric random access memory (FRAM) Memory, a static random access memory (SRAM), a mobile DRAM, and the like.

저장 장치(1030)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(1040)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단, 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(1050)는 전자 기기(1000)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1060)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다.The storage device 1030 may include a solid state drive (SSD), a hard disk drive (HDD), a CD-ROM, and the like. The input / output device 1040 may include input means such as a keyboard, a keypad, a touchpad, a touch screen, a mouse, etc., and output means such as a speaker, a printer, The power supply 1050 can supply the power necessary for the operation of the electronic device 1000. The organic light emitting display 1060 may be coupled to other components via the buses or other communication links.

유기 발광 표시 장치(1060)는, 각 유기 발광 다이오드 내에 또는 각 화소 내에 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 포함하여, 저계조 레벨에서의 발광 효율을 감소시킴으로써, 구동 전류가 산포를 가지더라도 저계조 레벨에서도 균일한 휘도를 표현할 수 있다.The organic light emitting diode display 1060 includes a leakage path that leaks a part of the driving current in each organic light emitting diode or each pixel to reduce the luminous efficiency at a low gray level so that even if the driving current has a scatter Uniform luminance can be expressed even at a low gradation level.

실시예에 따라, 전자 기기(1000)는 디지털 TV(Digital Television), 3D TV, 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 태블릿 컴퓨터(Table Computer), 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 개인 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(portable multimedia player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(portable game console), 내비게이션(Navigation) 등과 같은 유기 발광 표시 장치(1060)를 포함하는 임의의 전자 기기일 수 있다.According to an embodiment, the electronic device 1000 may be a digital TV, a 3D TV, a personal computer (PC), a home electronic device, a laptop computer, a tablet computer, a mobile phone A mobile phone, a smart phone, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a digital camera, a music player, and an organic light emitting display 1060 such as a portable game console, navigation, and the like.

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 임의의 전자 기기에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 디지털 TV(Digital Television), 3D TV, 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 태블릿 컴퓨터(Table Computer), 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 개인 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(portable multimedia player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(portable game console), 내비게이션(Navigation) 등과 같은 유기 발광 표시 장치를 포함하는 임의의 전자 기기에 적용될 수 있을 것이다.The present invention can be applied to an organic light emitting display and any electronic device including the same. Accordingly, the present invention is applicable to a digital TV, a 3D TV, a personal computer (PC), a home electronic device, a laptop computer, a tablet computer, a mobile phone, Such as a smart phone, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a digital camera, a music player, a portable game console, The present invention can be applied to any electronic device including an organic light emitting display device such as a navigation device.

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that it is possible.

100, 200, 300, 400, 570, 670: 유기 발광 다이오드
210, 310, 410: 제1 전극
230, 330, 430: 정공 수송층
250, 350, 450: 유기 발광층
270, 370, 470: 전자 수송층
290, 390, 490: 제2 전극
340, 460: 전류 누설층100, 200, 300, 400, 570, 670: organic light emitting diode
210, 310, 410: a first electrode
230, 330, 430: hole transport layer
250, 350, 450: organic light emitting layer
270, 370, 470: electron transport layer
290, 390, 490: the second electrode
340, 460: current leakage layer

Claims (20)

제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성된 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 형성된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 형성된 전자 수송층;
상기 전자 수송층 상에 형성된 제2 전극; 및
상기 제1 전극을 통하여 인가되는 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로를 포함하는 유기 발광 다이오드.A first electrode;
A hole transport layer formed on the first electrode;
An organic light emitting layer formed on the hole transporting layer;
An electron transport layer formed on the organic light emitting layer;
A second electrode formed on the electron transporting layer; And
And a leakage path that leaks some of the driving currents applied through the first electrode. 제1 항에 있어서, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위 및 상기 전자 수송층의 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode according to claim 1, wherein the leakage path is generated by adjusting at least one of a lowest occupied molecular orbital energy level of the hole transport layer and a highest occupied molecular orbital energy level of the electron transport layer. 제2 항에 있어서, 상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 상기 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위를 감소시키고, 상기 전자 수송층의 상기 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위를 증가시킴으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.3. The organic light emitting diode according to claim 2, wherein the leakage path is generated by decreasing the lowest unoccupied molecular orbital energy level of the hole transport layer and increasing the highest occupied molecular orbital energy level of the electron transport layer . 제1 항에 있어서, 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 수송층은 상기 제1 전극의 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고,
상기 누설 경로는, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron transport layer are formed between a partial region of the first electrode and a corresponding partial region of the second electrode,
Wherein the leakage path includes a current leakage layer formed between another partial region of the first electrode and a corresponding another partial region of the second electrode. 제4 항에 있어서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode according to claim 4, wherein the current leakage layer is a single organic layer having a predetermined resistance value. 제1 항에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 정공 수송층의 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고,
상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic light emitting layer is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer,
Wherein the leakage path includes a current leakage layer formed between another partial region of the hole transport layer and another corresponding partial region of the electron transport layer. 제6 항에 있어서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode according to claim 6, wherein the current leakage layer is a single organic layer having a predetermined resistance value. 스토리지 커패시터;
스캔 신호에 응답하여 상기 스토리지 커패시터에 데이터 신호를 저장하는 스위칭 트랜지스터;
상기 스토리지 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 기초하여 구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로; 및
상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 다른 일부 전류에 응답하여 발광하는 유기 발광 다이오드를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소.Storage capacitor;
A switching transistor for storing a data signal in the storage capacitor in response to a scan signal;
A driving transistor for generating a driving current based on the data signal stored in the storage capacitor;
A leakage path that leaks a part of the current generated by the driving transistor; And
And an organic light emitting diode that emits light in response to some other current among the driving currents generated by the driving transistor. 제8 항에 있어서, 상기 누설 경로는 상기 유기 발광 다이오드 내에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.9. The pixel of claim 8, wherein the leakage path is formed in the organic light emitting diode. 제9 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위 및 상기 전자 수송층의 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.The organic light emitting diode according to claim 9, wherein the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer,
Wherein the leakage path is generated by adjusting at least one of a lowest occupied molecular orbital energy level of the hole transport layer and a highest occupied molecular orbital energy level of the electron transport layer. 제9 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 수송층은 상기 제1 전극의 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고,
상기 누설 경로는, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.The organic light emitting diode according to claim 9, wherein the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer,
The hole transporting layer, the organic light emitting layer, and the electron transporting layer are formed between a part of the first electrode and a corresponding part of the second electrode,
Wherein the leakage path includes a current leakage layer formed between another partial region of the first electrode and another corresponding partial region of the second electrode. 제11 항에 있어서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.12. The pixel of claim 11, wherein the current leakage layer is a single organic layer having a predetermined resistance value. 제9 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 유기 발광층은 상기 정공 수송층의 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고,
상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.The organic light emitting diode according to claim 9, wherein the organic light emitting diode includes a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer,
The organic light emitting layer is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer,
Wherein the leakage path includes a current leakage layer formed between another part of the hole transporting layer and another corresponding part of the electron transporting layer. 제13 항에 있어서, 상기 전류 누설층은 소정의 저항값을 가지는 단일 유기층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.14. The pixel of claim 13, wherein the current leakage layer is a single organic layer having a predetermined resistance value. 제8 항에 있어서, 상기 누설 경로는,
상기 구동 트랜지스터와 전원 전압 사이에 상기 유기 발광 다이오드와 병렬로 연결된 병렬 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.9. The method according to claim 8,
And a parallel resistor connected between the driving transistor and the power supply voltage in parallel with the organic light emitting diode. 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소들을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은,
스토리지 커패시터;
스캔 신호에 응답하여 상기 스토리지 커패시터에 데이터 신호를 저장하는 스위칭 트랜지스터;
상기 스토리지 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 기초하여 구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 일부 전류를 누설하는 누설 경로; 및
상기 구동 트랜지스터에 의해 생성된 상기 구동 전류 중 다른 일부 전류에 응답하여 발광하는 유기 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting diode display comprising a plurality of pixels arranged in a matrix form,
Storage capacitor;
A switching transistor for storing a data signal in the storage capacitor in response to a scan signal;
A driving transistor for generating a driving current based on the data signal stored in the storage capacitor;
A leakage path that leaks a part of the current generated by the driving transistor; And
And an organic light emitting diode that emits light in response to some other current among the driving currents generated by the driving transistor. 제16 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 최저 비점유 분자 궤도 에너지 준위 및 상기 전자 수송층의 최고 점유 분자 궤도 에너지 준위 중 적어도 하나를 조절하여 생성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode according to claim 16, wherein the organic light emitting diode comprises a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer,
Wherein the leakage path is generated by adjusting at least one of a lowest occupied molecular orbital energy level of the hole transport layer and a highest occupied molecular orbital energy level of the electron transport layer. 제16 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 수송층은 상기 제1 전극의 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고,
상기 누설 경로는, 상기 제1 전극의 다른 일부 영역 및 상기 제2 전극의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode according to claim 16, wherein the organic light emitting diode comprises a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer,
The hole transporting layer, the organic light emitting layer, and the electron transporting layer are formed between a part of the first electrode and a corresponding part of the second electrode,
Wherein the leakage path includes a current leakage layer formed between another partial region of the first electrode and another corresponding partial region of the second electrode. 제16 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 유기 발광층은 상기 정공 수송층의 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 일부 영역 사이에 형성되고,
상기 누설 경로는, 상기 정공 수송층의 다른 일부 영역 및 상기 전자 수송층의 상응하는 다른 일부 영역 사이에 형성된 전류 누설층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode according to claim 16, wherein the organic light emitting diode comprises a first electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer,
The organic light emitting layer is formed between a part of the hole transporting layer and a corresponding part of the electron transporting layer,
Wherein the leakage path includes a current leakage layer formed between another partial region of the hole transporting layer and a corresponding another partial region of the electron transporting layer. 제16 항에 있어서, 상기 누설 경로는,
상기 구동 트랜지스터와 전원 전압 사이에 상기 유기 발광 다이오드와 병렬로 연결된 병렬 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.17. The method of claim 16,
And a parallel resistor connected between the driving transistor and the power supply voltage in parallel with the organic light emitting diode.
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