KR20150045075A - 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판, 상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 질화물 상에 형성된 광활성층, 상기 광활성층 상에 형성된 p형 반도체층을 포함하는 발광셀, 상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 n형 전극, 상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 p형 전극, 상기 발광 셀을 둘러싸고 배치된 열전도 강화층, 및 상기 열전도 강화층과 연결된 방열판을 포함한다. 이에 따라, 발광다이오드 내부의 열을 효율적으로 방출시킴으로서, 발광다이오드의 광효율을 향상시켜 발광다이오드의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 발광다이오드의 측면에 분포하는 비발광재결합센터 및 기생전류를 차단하여 광학적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 고효율 발광다이오드 백색 조명은 통상의 형광등과 유사한 광효율 수준에 도달하여 조명기구, 디스플레이, 전자기기, 또는 자동차용 제품 등 다양한 방면에 응용되고 있다. 발광다이오드 사용 시 고집적화로 인해 전자기기의 온도상승이 발생하며 이는 소자의 광효율 및 수명 저하의 원인이 된다. 이에, 높은 열전도 및 방열 메커니즘을 기반으로 한 방열기술의 필요성이 대두되고 있다.
또한, 발광다이오드는 약 40%의 전력을 빛으로 방출하고 나머지 약 60%의 전력은 열로 방출하게 된다. 때문에 발광다이오드의 효율을 향상시키기 위해서는 방열처리가 필수적이다. 종래의 발광다이오드의 경우, 기판 상에 n형 반도체층, 광활성층, p형 반도체층, 및 투명전극층을 순차적으로 적층하여 형성되는 것이 일반적이다. 또한, 이 때 상기 기판으로는 사파이어 기판, 상기 반도체층으로는 GaN, 또한 상기 투명전극은 고분자 필름 또는 투명산화물 필름 등이 주로 사용된다. 종래의 경우 상기 일반적인 발광다이오드를 방열판상에 형성하여 방열하는 것이 일반적이다. 하지만, 상기 제시된 일반적인 방열의 경우, 금속에 비하여 상대적으로 낮은 열전도도를 갖는 기판을 통해 발광다이오드에 포함된 발광셀 내에서 만들어진 열을 효과적으로 방출하는데 제한적이다. 구체적으로, 상기 기판으로 언급된 사파이어의 경우 30W/m·K의 열전도도를 갖는다. 이로 인해 발광다이오드 내부에 열이 축적됨에 따라, 발광다이오드 내부의 온도상승에 따른 광효율 감소 및 발광다이오드의 수명 저하의 단점이 있다. 또한, 발광다이오드의 방열을 위하여 고분자 유기 수지와 높은 열전도도를 갖는 파우더 형태의 물질을 교반하는 발명들이 제시되고 있으나 이와 같은 구조의 물질은 5W/m·K이상의 열전도도를 갖기 어려워 효과적인 방열에 한계를 가진다.
또한, 발광다이오의 온도 상승으로 인해 측면에 분포하는 비발광재결합센터(nonradiative recombination center) 및 기생전류는 발광다이오드의 광학적 전기적 특성을 저하시키는 단점이 있다.
이에 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 착안된 것으로서, 기존의 제한적이었던 발광다이오드의 열방출 효율을 향상시키고, 이에 따라 발광다이오드 내부의 온도상승에 따른 광효율을 향상시 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
그리고, 발광다이오드의 수명을 연장시키기 위해 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.
또한, 발광다이오드의 측면에 분포하는 비발광재결합센터 및 기생전류를 차단하여 광학적 및 전기적 특성을 향상시킨 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면은 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드를 제공한다.
상기 발광다이오드는 기판, 상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 질화물 상에 형성된 광활성층, 상기 광활성층 상에 형성된 p형 반도체층을 포함하는 발광셀, 상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 n형 전극, 상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 p형 전극, 상기 발광 셀을 둘러싸고 배치된 열전도 강화층, 및 상기 열전도 강화층과 연결된 방열판을 포함한다.
상기 열전도 강화층은 상기 발광 셀의 양 측부, 상부, 또는 하부에 배치된 것을 특징으로 할 수 있고, 상기 열전도 강화층은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 열전도 강화층은 열전도도가 100W/m·K 내지 2000W/m·K 일 수 있고, 상기 열전도 강화층은 0.1nm 내지 100mm일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 다른 일 측면은 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다.
상기 제조방법은 방열판을 형성하는 단계, 기판 상에 n형 반도체층, 광활성층, p형 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 n형 전극을 형성하는 단계, 상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 p형 전극을 형성하여 발광셀을 형성하는 단계, 및 상기 발광 셀을 둘러싸며, 상기 방열판과 연결되는 열전도 강화층을 증착하는 단계를 포함한다.
이 때, 상기 열전도 강화층은 스핀코팅, 프린팅, 열확산, 도포, 열증착법, 이빔 증착법, 스퍼터링, 또는 레이저 증착법을 사용하여 증착될 수 있고, 상기 열전도 강화층은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 이용할 수 있다.
본 발명을 따르면 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법은 발광다이오드 내부의 열을 효율적으로 방출시킴으로써, 발광다이오드의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 이에 따라 발광다이오드의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 발광다이오드의 측면에 분포하는 비발광재결합센터 및 기생전류를 차단하여 광학적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상" 에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있으나, 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 그 기준에 따라 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며 절대적인 방향을 의미하는 것으로 한정 해석되어서는 안된다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장 또는 생략된 것일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드는 기판(300), 상기 기판(300) 상에 형성된 n형 반도체층(401), 상기 n형 질화물 상에 형성된 광활성층(402), 상기 광활성층(402) 상에 형성된 p형 반도체층(403), 상기 p형 반도체층(403) 상에 형성된 전류확산층을 포함하는 발광셀(400), 상기 n형 반도체층(401)과 전기적으로 접속되도록 형성된 n형 전극(501), 상기 p형 반도체층(403)과 전기적으로 접속되도록 형성된 p형 전극(502), 상기 발광 셀을 둘러싸고 배치된 열전도 강화층(200), 및 상기 열전도 강화층(200)과 연결된 방열판(100)을 포함한다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 먼저 방열판(100, heat sink)을 형성한다. 상기 방열판(100)은 알루미늄, 구리, 아연, 및 니켈-구리, 및 스타늄 또는 이들을 함유하는 합금 등의 열전도성 및 가공성이 우수한 금속재료를 이용하여 만드는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. 상기 방열판(100)은 다양한 형태로 형성될 수 있고, 발광다이오드와 상기 열전도 강화층(200)을 통해 연결되어 상기 발광다이오드의 양측부, 상부, 또는 하부 등에 형성될 수 있다. 상기 방열판(100)은 프레스, 단조, 또는 다이캐스팅 등에 의해 제작될 수 있으며, 특히, 프레스에 의해 제작되는 경우에는 상기 방열판(100)의 두께를 최소화하여 재료비를 절감할 수 있다. 이렇게 형성된 방열판(100)은 상기 발광다이오드로부터 발생된 열을 흡수하여 상기 발광다이오드의 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 방열판(100) 상에 열전도 강화층(200)을 형성될 수 있다. 이렇게 형성된 열전도 강화층(200)은 이 후에 형성되는 발광셀(400)의 하부에 형성되어 상기 발광셀(400)로부터 발생하는 열을 상기 방열판(100)으로 전달시키는 열할을 할 수 있다. 상기 열전도 강화층(200)은 후술될 내용에서 더 상세히 설명할 것이다. 다만, 상기 발광셀(400)의 하부에 형성되는 열전도 강화층(200)은 실시의 형태에 따라 생략할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 열전도 강화층(200) 상에 기판(300), n형 반도체층(401), 광활성층(402), 및 p형 반도체층(403)을 순차적으로 적층한다. 상기 기판(300)은 소정의 광투과도를 가지고 n형 반도체층(401)의 성장을 용이하게 할 수 있는 재질이라면 어느 것이나 가능할 것이다. 예컨대, 발광 구조가 질화물 계열의 화합물 반도체 또는 산화물 계열의 화합물 반도체로 구성되고, 육방정계 구조를 가지는 경우, 상기 기판(300)도 육방정계의 결정구조를 가짐이 바람직하다. 이외에도 상기 기판(300)은 비정질상 또는 육방정계 이외의 결정구조를 가진 상태에서 그 상부에 단결정 박막이 구비된 형태로 제공될 수 있다. 상기 기판(300)은 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판, GaN 기판, ZnO 기판 또는 실리콘 기판 등일 수 있다.
또한, 상기 기판(300)과 상기 n형 반도체층(401) 사이에 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(300) 및 n형 반도체층(401)의 물질에 따라 적절히 선택될 수 있다. 상기 버퍼층은 유기금속 화학기상증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 또는 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE) 등을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 n형 반도체층(401), 광활성층(402), 및 p형 반도체층(403)은 적층되어 발광셀(400)을 형성한다.
상기 n형 반도체층(401)은 질화물 반도체 또는 산화물 반도체일 수 있다. 상기 질화물 반도체는 GaN로 구성될 수 있다. 이 경우, 도판트로는 4족 원소가 사용되며, Si이 도판트로 사용됨이 바람직하다. 상기 산화물 반도체는 ZnO로 구성될 수 있다. 이 경우, 도판트로는 3족 원소가 사용됨이 바람직하다.
상기 n형 반도체층(401) 상에 광활성층(402)이 형성된다. 상기 광활성층(402)은 하부의 n형 반도체층(401)과 동종의 결정구조를 가지는 물질로 형성함이 바람직하다. 예컨대, n형 반도체층(401)이 GaN 계열인 경우, 상기 광활성층(402)도 GaN 계열로 형성됨이 바람직하다. 다만, 실시의 형태에 따라 상기 광활성층(402)은 n형 반도체층(401)과 이종접합으로 형성될 수 있다. 예컨대, n형 반도체층(401)이 ZnO를 포함하는 경우, 상기 광활성층(402)은 GaN 기반의 막질로 구성될 수도 있다.
또한, 상기 광활성층(402)은 단일 양자 우물(Single Quantum Well) 구조 또는 다중 양자 우물(Multi Quantum Well) 구조일 수 있으나, 다중 양자 우물 구조가 바람직하다. 다중 양자 우물 구조는 장벽층(barrier layer)과 우물층(quantum well layer)이 교대로 적층된 구조를 의미한다. 장벽층은 우물층의 밴드갭보다 높은 밴드갭을 가진다. 이를 통해 우물층에서의 양자구속효과는 유효하게 발현된다. 우물층 또는 장벽층의 형성은 밴드갭 엔지니어링에 의해 수행된다.
예컨대, GaN 기반의 광활성층(402)을 형성하고자 하는 경우, GaN보다 낮은 밴드갭을 가지는 물질을 도입하여 우물층의 밴드갭을 조절할 수 있다. 즉, In 원자를 도입하여 우물층을 InGaN으로 형성하고, In의 분율의 조절을 통해 우물층과 장벽층을 형성할 수 있다. In의 분율이 상대적으로 낮은 경우, 장벽층으로 거동하며, In의 분율이 상대적으로 높은 경우, 우물층으로 거동한다. 또한, 우물층 또는 장벽층은 2원계, 3원계 또는 4원계로 형성될 수 있다. 예컨대, 4원계 AlInGaN 박막을 광활성층(402)으로 사용할 수 있다.
또한, 상기 광활성층(402)이 ZnO 계열로 형성되는 경우, Mg, Cd 또는 Be 등의 도입을 통해 밴드갭 엔지니어링이 수행될 수 있다. 물론, 우물층 또는 장벽층은 2원계, 3원계 또는 4원계로 형성될 수 있다.
다만, 우물층의 밴드갭은 장벽층보다 낮을 것이 요구되며, 장벽층의 밴드갭은 p형 반도체층(403)보다 낮게 설정됨이 바람직하다.
상기 광활성층(402) 상에 p형 반도체층(403)이 형성된다.
상기 p형 반도체층(403)은 상기 n형 반도체층(401) 또는 광활성층(402)을 형성하는 기반 물질과 동일한 기반 물질로 형성됨이 바람직하다. 예컨대, n형 반도체층(401) 또는 광활성층(402)이 GaN을 포함하는 경우, p형 반도체층(403)도 GaN을 포함함이 바람직하다. 또한, n형 반도체층(401) 또는 광활성층(402)이 ZnO를 포함하는 경우, p형 반도체층(403)도 ZnO를 포함함이 바람직하다.
다만, 상기 p형 반도체층(403)의 재질은 상기 광활성층(402)에서 형성된 빛의 흡수가 최소화될 수 있는 구조와 밴드갭을 가진 물질이고, 소정의 광투과성을 가진 물질이라면 사용가능하다 할 것이다.
p형 반도체층(403)의 형성을 위해 다양한 형태의 도판트가 도입될 수 있다. 예컨대, 상기 p형 반도체층(403)이 GaN을 포함하는 경우, 도판트로는 2족 원소가 사용될 수 있으며, Mg이 사용됨이 바람직하다. 또한, 상기 n형 반도체층(401)이 ZnO를 포함하는 경우, 도판트로는 1족 원소 또는 5족 원소 등이 사용될 수 있다.
상기 n형 반도체층(401), 광활성층(402), 및 p형 반도체층(403)은 서로에 관계없이 MOCVD, HVPE, MBE, E-beam 또는 스퍼터 등을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 p형 반도체층(403) 상에 전류확산층(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 전류확산층은 상기 p형 반도체층(403)과 상기 p형 전극(502) 사이의 오믹 접합 특성을 개선하고, 전류확산의 역할을 한다. 상기 전류확산층으로는 ITO 등의 도전성 산화물이 사용될 수 있다. 다만, 상기 전류확산층은 실시의 형태에 따라 생략할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 n형 반도체층(401)과 전기적으로 접속하는 n형 전극(501)을 형성하고, 상기 p형 반도체층(403)과 전기적으로 접속하는 p형 전극(502)을 형성한다.
상기 p형 전극(502)은 p형 반도체층(403)과 오믹 접합을 이룰 수 있는 물질이라면 어느 것이나 가능할 것이다. 예컨대, 상기 p형 전극(502)은 Cr/Au로 형성될 수 있다.
상기 n형 반도체층(401)이 GaN을 포함하는 경우, 상기 n형 전극(501)은 Ni, Cr, W, Rh, In, Au, Sn, Zr, Ta, Al, Ti 및 이들의 화합물로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 n형 전극(501)은 Ti/Au로 형성될 수 있다.
또한, 상기 n형 반도체층(401)이 ZnO를 포함하는 경우, 상기 n형 전극(501)은 Ni, Cr, W, Rh, In, Au, Sn, Zr, Ta, Al, Ti 및 이들의 화합물로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 n형 전극(501)은 Pt/Au로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 n형 전극(501)의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층(403), 광활성층(402), 및 n형 반도체층(401)의 일부를 식각하여 형성된다. 상기 식각 공정은 ICP 등을 이용하여 메사 식각을 수행할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 발광셀(400)의 양 측면 또는 상부에 열전도 강화층(200)을 증착한다. 이 때, 상기 열전도 강화층(200)은 상기 발광셀(400)에서 방출된 열을 상기 방열판(100)으로 전달할 수 있도록 상기 방열판(100)과 연결되게 형성되어야 한다. 또한, 상기 열전도 강화층(200)은 상기 발광셀(400)의 양 측부, 상부, 또는 하부에 배치될 수 있다. 특히, 상기 발광 셀의 양 측부에 형성될 경우, 상기 발광다이오드의 측면에 분포하는 비발광재결합센터 및 기생전류를 차단하여 발광다이오드의 우수한 광학적 전기적 특성을 기대할 수 있다. 또한, 상기 발광셀(400)의 상부 또는 하부에 배치될 때에도, 상기 발광다이오드에서 방출된 열을 상기 방열판(100)으로 전달할 수 있다.
이 때 상기 열전도 강화층(200)에 사용되는 열전도 물질은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 열전도 물질들은 높은 열전도도를 가짐과 동시에 우수한 전기적 절연성을 가지므로, 발광다셀로부터 발생하는 비발광재결합센터 및 기생전류를 차단하여 우수한 광학적 및 전기적 특성을 기대할 수 있다. 또한, 상기 열전도 물질은 열전도도가 100W/m·K 내지 2000W/m·K 이다. 구체적으로, 상기 다이아몬드 상 탄소의 경우, 1100W/m·K, 상기 질화알루미늄은 300W/m·K, 상기 질화붕소는 600W/m·K, 및 상기 탄화규소는 300W/m·K의 열전도도를 갖는다. 또한, 상기 열전도 강화 물질에 금속산화물, 금속질화물, 금속수산화물, 금속불화물, 금속황화물, 및 금속탄화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 더 포함시켜 형성될 수 있다. 이렇게 상기 물질들을 더 포함했을 시, 열전도 강화효과를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 열전도 물질은 열전도성이 큰 구리, 은, 금, 알루미늄, 및 타이타늄으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나를 포함시켜 혼합하여 사용할 수 있다.이렇게, 상기 물질들중 적어도 하나를 더 포함할 시 열전도 강화 효과를 향상시킬 수 있다.
상기 열전도 강화층(200) 증착 시에는 상기 열전도 강화층(200)은 스핀코팅, 프린팅, 열확산, 도포, 열증착법, 이빔 증착법, 스퍼터링, 또는 레이저 증착법을 사용할 수 있다. 상기 증착법을 사용했을 시 열전도 강화층(200)이 고루게 분포되어 형성될 수 있다.
상기 열전도 강화층(200)은 0.1nm 내지 100mm의 두께를 가질 수 있다. 상기 열전도 강화층(200)의 두께가 0.1nm미만일 경우, 상기 열전도 효과가 저하될 수 있고, 상기 열전도 강화층(200)의 두께가 100nm를 상회할 경우, 공정 시간이 오래걸려 공정의 효율성이 저하될 수 있다.
이렇게 형성된 열전도 강화층(200)은 발광다이오드의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드 내부 온도 상승에 따른 광효율 감소 및 소자의 수명 저하를 개선할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 방열판(100)이 상기 발광셀(400)의 측부에도 형성될 수 있다. 이렇듯 상기 열전도 강화층(200)을 상기 방열판(100)과 상기 발광셀(400)이 연결되도록 형성되면 상기 방열판(100)의 위치가 다양하게 변경될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다.
100 : 방열판 200 : 열전도 강화층
300 : 기판 400 : 발광셀
401 : n형 반도체층 402 : 광활성층
403 : p형 반도체층 501 : n형 전극
502 : p형 전극
300 : 기판 400 : 발광셀
401 : n형 반도체층 402 : 광활성층
403 : p형 반도체층 501 : n형 전극
502 : p형 전극
Claims (8)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 질화물 상에 형성된 광활성층, 상기 광활성층 상에 형성된 p형 반도체층을 포함하는 발광셀;
상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 n형 전극;
상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 p형 전극;
상기 발광 셀을 둘러싸고 배치된 열전도 강화층; 및
상기 열전도 강화층과 연결된 방열판을 포함하는 발광다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 열전도 강화층은 상기 발광 셀의 양 측부, 상부, 또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 발광다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 열전도 강화층은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 발광다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 열전도 강화층은 열전도도가 100W/m·K 내지 2000W/m·K 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 열전도 강화층은 0.1nm 내지 100mm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드. - 방열판을 형성하는 단계;
기판 상에 n형 반도체층, 광활성층, p형 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계;
상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 n형 전극을 형성하는 단계;
상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 p형 전극을 형성하여 발광셀을 형성하는 단계; 및
상기 발광 셀을 둘러싸며, 상기 방열판과 연결되는 열전도 강화층을 증착하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 열전도 강화층은 스핀코팅, 프린팅, 열확산, 도포, 열증착법, 이빔 증착법, 스퍼터링, 또는 레이저 증착법을 사용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 열전도 강화층은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 이용하는 발광다이오드의 제조방법.
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| KR20130124298A KR20150045075A (ko) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130124298A KR20150045075A (ko) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
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| KR20130124298A KR20150045075A (ko) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 열전도 강화층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
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| KR (1) | KR20150045075A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180090049A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 한국과학기술원 | 유연 전자소자 및 이의 제조방법 |
-
2013
- 2013-10-18 KR KR20130124298A patent/KR20150045075A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR20180090049A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 한국과학기술원 | 유연 전자소자 및 이의 제조방법 |
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