KR20150041581A - Nanocrystal polymer composites and processes for preparing the same - Google Patents

Nanocrystal polymer composites and processes for preparing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20150041581A
KR20150041581A KR20140131933A KR20140131933A KR20150041581A KR 20150041581 A KR20150041581 A KR 20150041581A KR 20140131933 A KR20140131933 A KR 20140131933A KR 20140131933 A KR20140131933 A KR 20140131933A KR 20150041581 A KR20150041581 A KR 20150041581A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
monomer
polymerizable
oligomer
polymer
Prior art date
Application number
KR20140131933A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101546938B1 (en
Inventor
원나연
강현아
장은주
전신애
조얼
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US14/503,764 priority Critical patent/US9778510B2/en
Priority to CN201810952629.4A priority patent/CN109239974B/en
Priority to CN201410525122.2A priority patent/CN104513335B/en
Publication of KR20150041581A publication Critical patent/KR20150041581A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101546938B1 publication Critical patent/KR101546938B1/en
Priority to US15/707,195 priority patent/US10001671B2/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L41/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur; Compositions of derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K13/00Use of mixtures of ingredients not covered by one single of the preceding main groups, each of these compounds being essential
    • C08K13/02Organic and inorganic ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/14Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen

Abstract

The present invention relates to a semiconductor nanocrystal composition to provide a semiconductor nanocrystal-polymer composite having excellent brightness and stability. More specifically, provided is a semiconductor nanocrystal composition comprising: a semiconductor nanocrystal; an organic additive; and a polymerizable monomer, and showing haze of more than or equal to 40% after polymerization. Also, provided is a composite manufactured from the same.

Description

나노 결정 폴리머 복합체 및 그 제조 방법{NANOCRYSTAL POLYMER COMPOSITES AND PROCESSES FOR PREPARING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a nanocrystalline polymer composite,

나노 결정-폴리머 복합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.To a nanocrystal-polymer composite and a manufacturing method thereof.

액정 디스플레이 장치(LCD, Liquid Cystal Display)는 발광형 디스플레이 장치인 플라즈마 디스플레이 패널(PDP, Plasma display panel), 전계방출 디스플레이 장치(FED, Field Emission Display) 등과 달리 그 자체가 발광하지 못하고 외부로부터 빛이 입사되어 화상을 형성하는 수광형 디스플레이 장치이다. 따라서, 액정 디스플레이 장치는 그 배면에 빛을 출사시키는 백라이트 유닛(backlight unit)이 위치한다.Unlike a plasma display panel (PDP) or a field emission display (FED), which is an emission type display device, a liquid crystal display device (LCD) can not emit light itself, Is a light-receiving-type display device which is incident to form an image. Accordingly, the liquid crystal display device has a backlight unit that emits light on its backside.

액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛은 광원으로서 냉음극 형광램프(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)가 사용되었다. 그러나, 이러한 냉음극 형광램프를 광원으로 사용하는 경우에는 액정 디스플레이 장치가 대형화할수록 휘도의 균일성을 확보하기가 어렵고, 색순도가 떨어진다는 문제점이 있다. In a backlight unit for a liquid crystal display device, a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) is used as a light source. However, when such a cold-cathode fluorescent lamp is used as a light source, it is difficult to ensure the uniformity of luminance as the size of the liquid crystal display device becomes larger, and the color purity decreases.

최근에는 삼색 발광다이오드(three color LEDs)를 광원으로 사용하는 백라이트 유닛이 개발되고 있는데, 이러한 삼색 LED를 광원으로 사용하는 백라이트는 높은 색순도를 재현할 수 있어 고품질의 디스플레이 장치에 응용될 수 있다. 그러나, 냉음극 형광램프를 광원으로 사용하는 백라이트 유닛과 비교하여 가격이 매우 비싸다는 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여, 단일 색상의 LED 칩으로부터 나오는 빛을 백색광으로 전환하여 출사시키는 백색 LED가 개발되고 있다. In recent years, a backlight unit using three color LEDs as a light source has been developed. A backlight using such a three-color LED as a light source can reproduce a high color purity and can be applied to a high-quality display device. However, it is disadvantageous in that it is very expensive as compared with a backlight unit using a cold cathode fluorescent lamp as a light source. In order to overcome this disadvantage, a white LED which converts light emitted from a single color LED chip into white light and emits white light is being developed.

그러나, 이러한 백색 LED는 경제성을 확보할 수는 있으나, 삼색 LED에 비하여 색순도 및 색재현성이 낮다는 문제점이 있다. 이에 따라, 최근에는 색재현성 및 색순도를 향상시킬 수 있고, 가격 경쟁력을 확보하기 위하여 반도체 나노결정을 LED에서 광전환층 물질로 사용하기 위한 노력이 시도되고 있다.However, although such white LEDs can secure economical efficiency, they have a problem that their color purity and color reproducibility are lower than those of the three-color LEDs. In recent years, attempts have been made to use semiconductor nanocrystals as light-converting layer materials in LEDs in order to improve color reproducibility and color purity and to secure price competitiveness.

일 구현예는 휘도 및 안정성이 모두 우수한 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 제공할 수 있는 반도체 나노결정 조성물에 대한 것이다.One embodiment is directed to a semiconductor nanocrystal composition capable of providing a semiconductor nanocrystal-polymer composite having both excellent brightness and stability.

다른 구현예는, 휘도 및 안정성이 모두 우수한 반도체 나노결정-폴리머 복합체에 대한 것이다.Another embodiment is for a semiconductor nanocrystal-polymer composite that is both excellent in brightness and stability.

다른 구현예는, 휘도 및 안정성이 모두 우수한 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛에 대한 것이다.Another embodiment relates to a backlight unit for a liquid crystal display device having both excellent brightness and stability.

일 구현예에서, 반도체 나노 결정 조성물은, 반도체 나노 결정; 유기 첨가제; 및 중합성 모노머, 중합성 올리고머, 및 이들의 조합으로부터 선택된 1종 이상의 중합성 성분(polymerizable substance)를 포함하되, 중합 후 헤이즈가 40% 이상이다. In one embodiment, the semiconductor nanocrystal composition comprises a semiconductor nanocrystal; Organic additives; And at least one polymerizable substance selected from polymerizable monomers, polymerizable oligomers, and combinations thereof, wherein the haze after polymerization is 40% or more.

상기 중합성 성분은 중합성 모노머 및 중합성 올리고머를 포함할 수 있다.The polymerizable component may comprise a polymerizable monomer and a polymerizable oligomer.

상기 반도체 나노결정은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소 또는 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The semiconductor nanocrystals may comprise Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV elements or compounds, or combinations thereof.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 IV족 원소 또는 화합물은 Si, Ge 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단원소물질; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The II-VI group compound is selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; A trivalent element selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS, Small compounds; And a Group III-V compound selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, , GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and mixtures thereof; A trivalent compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and mixtures thereof; And a silicate compound selected from the group consisting of GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb and mixtures thereof. And the IV-VI group compound is selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A triple compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And a silane compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. The Group IV element or compound may be selected from the group consisting of Si, Ge, and combinations thereof matter; And these elemental compounds selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

상기 반도체 나노 결정은 코어쉘 구조를 가질 수 있다.The semiconductor nanocrystals may have a core shell structure.

상기 반도체 나노 결정은, 양자 효율이 50% 이상일 수 있다.The semiconductor nanocrystals may have a quantum efficiency of 50% or more.

상기 반도체 나노 결정은, 반치폭이 45nm 이하일 수 있다.The semiconductor nanocrystals may have a half-width of 45 nm or less.

상기 반도체 나노 결정은, 리간드 화합물, 용매, 또는 이들의 조합을 포함한 표면 유기물 함량이, 상기 반도체 나노결정 총 중량을 기준으로, 35 wt% 이하일 수 있다. The semiconductor nanocrystals may have a surface organic content of less than 35 wt% based on the total weight of the semiconductor nanocrystals, including ligand compounds, solvents, or combinations thereof.

상기 반도체 나노 결정은, 중합성 성분의 총 중량을 기준으로 20 중량% 이하일 수 있다.The semiconductor nanocrystals may be 20 wt% or less based on the total weight of the polymerizable component.

상기 유기 첨가제는 C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 아민, C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진포스핀(primary phosphine), C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 포스핀 옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The organic additive may be an amine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a primary phosphine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphor having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, Pin oxide, or a combination thereof.

상기 유기 첨가제는, 상기 중합성 성분의 총 중량을 기준으로 약 0.05 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 포함될 수 있다.The organic additive may be included in an amount of about 0.05 wt% to about 10 wt% based on the total weight of the polymerizable component.

상기 중합성 모노머 및 상기 중합성 올리고머는, 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머의 혼합물, 아크릴레이트계 모노머, 아크릴레이트계 올리고머, 메타아크릴레이트계 모노머, 메타크릴레이트계 올리고머, 우레탄 아크릴레이트계 모노머, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시계 모노머, 에폭시계 올리고머, 실리콘계 모노머, 또는 실리콘계 올리고머를 포함할 수 있다. The polymerizable monomer and the polymerizable oligomer may be a mixture of a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the terminals and a second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the ends, an acrylate monomer, Based oligomer, a methacrylate-based monomer, a methacrylate-based oligomer, a urethane acrylate-based monomer, a urethane acrylate-based oligomer, an epoxy-based monomer, an epoxy-based oligomer, a silicon-based monomer or a silicone-based oligomer.

상기 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머는 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.The first monomer having at least two thiol (SH) groups at the terminal may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1은 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 히드록시기; NH2; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아민기(-NRR', 여기에서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 이소시아네이트기; 이소시아누레이트기; (메트)아크릴레이트기; 할로겐; -ROR' (여기에서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기이고 R'은 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 아실 할라이드(-RC(=O)X, 여기에서 R은 치환 또는 비치환된 알킬렌기이고 X는 할로겐임); -C(=O)OR' (여기에서 R'은 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); -CN; 또는 -C(=O)ONRR' (여기에서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임)에서 선택되고, R 1 is hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C30 linear or branched alkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 alicyclic organic group having a double bond or a triple bond in the ring; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group having a double bond or a triple bond in the ring; A C3 to C30 alicyclic organic group substituted with C2 to C30 alkenyl groups or C2 to C30 alkynyl groups; A C3 to C30 heterocycloalkyl group substituted with C2 to C30 alkenyl group or C2 to C30 alkynyl group; A hydroxy group; NH 2 ; A substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group (-NRR ', wherein R and R' are, independently of each other, hydrogen or a C1 to C30 linear or branched alkyl group); Isocyanate group; An isocyanurate group; (Meth) acrylate groups; halogen; -ROR 'wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group and R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; Acyl halide (-RC (= O) X wherein R is a substituted or unsubstituted alkylene group and X is halogen; -C (= O) OR 'wherein R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; -CN; Or -C (= O) ONRR ', wherein R and R' are, independently from each other, hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group,

L1은, 단일결합, 탄소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴렌기이고,L 1 represents a single bond, a carbon atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 cycloalkenylene group, a substituted Or an unsubstituted C6 to C30 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group,

Y1는 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임), 이민(-NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임) 또는 이들의 조합으로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기이고,Y 1 is a single bond; A substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group; A substituted or unsubstituted C2-C30 alkenylene group; At least one of the methylene (-CH 2 -) is replaced by a sulfonyl (-S (═O) 2 -), carbonyl (-C (═O) -), ether (-O-), sulfide (-S (= O) -), ester (-C (= O) O-), amide (-C (= O) NR-) wherein R is hydrogen or a C1 to C10 linear or branched alkyl group C30 alkylene group or a C2-C30 alkenylene group substituted with imine (-NR-), wherein R is hydrogen or a straight or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms, or a combination thereof,

m은 1 이상의 정수이고,m is an integer of 1 or more,

k1은 0 또는 1이상의 정수이고 k2는 1 이상의 정수이고, k1 is 0 or an integer of 1 or more, k2 is an integer of 1 or more,

m과 k2의 합은 3이상의 정수이되, m은 Y1의 원자가수를 넘지 않으며, k1과 k2의 합은 L1의 원자가수를 넘지 않는다. the sum of m and k2 is 3 or more being an integer, m is no more than the atomic valence of Y 1, the sum of k1 and k2 is no more than the atomic valence of L 1.

상기 제2 모노머는 하기 화학식 2로 나타낼 수 있다.The second monomer may be represented by the following general formula (2).

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

X는 탄소-탄소 불포화결합을 가지는 C2 내지 C30의 지방족 유기기, 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C6 내지 C30의 방향족 유기기 또는 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C3 내지 C30의 지환족 유기기이고,X is a C2 to C30 aliphatic organic group having a carbon-carbon unsaturated bond, a C6 to C30 aromatic organic group having a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, or a carbon-carbon double bond or a carbon- Is a C3 to C30 alicyclic organic group,

R2는 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 히드록시기; NH2; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아민기(-NRR', 여기에서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 이소시아네이트기; 이소시아누레이트기; (메트)아크릴옥시기; 할로겐; -ROR' (여기에서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기이고 R'은 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 아실 할라이드(-RC(=O)X, 여기에서 R은 치환 또는 비치환된 알킬렌기이고 X는 할로겐임); -C(=O)OR' (여기에서 R'은 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); -CN; 또는 -C(=O)ONRR' (여기에서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임)에서 선택되고,R 2 is hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C30 linear or branched alkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 alicyclic organic group having a double bond or a triple bond in the ring; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group having a double bond or a triple bond in the ring; A C3 to C30 alicyclic organic group substituted with C2 to C30 alkenyl groups or C2 to C30 alkynyl groups; A C3 to C30 heterocycloalkyl group substituted with C2 to C30 alkenyl group or C2 to C30 alkynyl group; A hydroxy group; NH 2 ; A substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group (-NRR ', wherein R and R' are, independently of each other, hydrogen or a C1 to C30 linear or branched alkyl group); Isocyanate group; An isocyanurate group; (Meth) acryloxy group; halogen; -ROR 'wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group and R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; Acyl halide (-RC (= O) X wherein R is a substituted or unsubstituted alkylene group and X is halogen; -C (= O) OR 'wherein R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; -CN; Or -C (= O) ONRR ', wherein R and R' are, independently from each other, hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group,

L2는 단일결합, 탄소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴렌기이고,L 2 represents a single bond, a carbon atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 cycloalkenylene group, An unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group,

Y2는 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 또는 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임), 이민(-NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임) 또는 이들의 조합으로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기이고, n은 1 이상의 정수이고,Y 2 is a single bond; A substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group; A substituted or unsubstituted C2-C30 alkenylene group; Or at least one of methylene (-CH 2 -) is replaced by a sulfonyl (-S (═O) 2- ), carbonyl (-C (═O) -), ether (-O-), sulfide (-S (= O) -), ester (-C (= O) O-), amide (-C (= O) NR-) wherein R is hydrogen or a straight or branched C30 alkylene group or C2 to C30 alkenylene group substituted with imine (-NR-) (wherein R is hydrogen or a straight or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms) or a combination thereof, n is an integer of 1 or more,

k3은 0 또는 1이상의 정수이고 k4는 1 이상의 정수이고, k3 is 0 or an integer of 1 or more, k4 is an integer of 1 or more,

n과 k4의 합은 3이상의 정수이되, n은 Y2의 원자가수를 넘지 않으며, k3과 k4의 합은 L2의 원자가수를 넘지 않는다.The sum of n and k4 is an integer greater than or equal to 3, n does not exceed the atomic number of Y 2 , and the sum of k 3 and k 4 does not exceed the atomic value of L 2 .

상기 중합성 모노머 및 상기 중합성 올리고머는, 친수성 잔기를 가진 것일 수 있다.The polymerizable monomer and the polymerizable oligomer may have hydrophilic residues.

일구현예에서, 상기 반도체 나노 결정 조성물은 무기 산화물 입자를 포함하지 않는다.In one embodiment, the semiconductor nanocrystalline composition does not include inorganic oxide particles.

다른 구현예에서, 상기 반도체 나노결정 조성물은 무기 산화물을 더 포함할 수 있다. 상기 무기 산화물은 입자일 수 있다.In another embodiment, the semiconductor nanocrystal composition may further comprise an inorganic oxide. The inorganic oxide may be particles.

상기 무기 산화물은 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화아연 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. The inorganic oxide may be selected from silica, alumina, titania, zirconia, zinc oxide, and combinations thereof.

상기 무기 산화물은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로, 약 1 중량% 이상의 양으로 포함될 수 있다.The inorganic oxide may be included in an amount of about 1% by weight or more based on the total weight of the composition.

상기 무기 산화물은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로, 약 20 중량% 이하, 예컨대, 약 15 중량% 이하의 양으로 포함될 수 있다.The inorganic oxide may be included in an amount of up to about 20 wt%, e.g., up to about 15 wt%, based on the total weight of the composition.

다른 구현예에서, 반도체 나노결정-폴리머 복합체는, 반도체 나노결정; 유기 첨가제; 및 중합성 모노머 및 중합성 올리고머로부터 선택된 1 종이상의 중합성 성분 의 중합 생성물을 포함하며, 헤이즈 값이 40% 이상이다.In another embodiment, the semiconductor nanocrystal-polymer composite comprises a semiconductor nanocrystal; Organic additives; And a polymerization product of one or more polymerizable components selected from a polymerizable monomer and a polymerizable oligomer, wherein the haze value is 40% or more.

상기 반도체 나노결정은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The semiconductor nanocrystals may comprise a Group II-VI compound, a Group III-V compound, a Group IV-VI compound, a Group IV compound, or a combination thereof.

상기 반도체 나노 결정은 녹색광 또는 적색광을 발하는 반도체 나노결정일 수 있다.The semiconductor nanocrystals may be semiconductor nanocrystals emitting green light or red light.

상기 유기 첨가제는 하나 이상의 C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 아민, 하나 이상의 C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 포스핀, 하나 이상의 C8 내지 C30 의 알킬기로 치환된 포스핀 옥사이드, 또는 이들의 조합일 수 있다.Wherein the organic additive is selected from the group consisting of an amine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphine oxide substituted with at least one C8 to C30 alkyl group, Lt; / RTI >

상기 유기 첨가제는, 상기 중합성 성분의 총 중량을 기준으로 약 0.05 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 포함될 수 있다.The organic additive may be included in an amount of about 0.05 wt% to about 10 wt% based on the total weight of the polymerizable component.

상기 중합성 모노머는, 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머의 혼합물, 아크릴레이트계 모노머, 메타아크릴레이트계 모노머, 우레탄 아크릴레이트계 모노머, 에폭시계 모노머, 실리콘계 모노머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 상기 중합성 올리고머는, 아크릴레이트계 올리고머, 메타크릴레이트계 올리고머, 우레탄(메타)아크릴레이트계 올리고머, 에폭시계 올리고머, 실리콘계 올리고머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The polymerizable monomer may be a mixture of a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the ends thereof and a second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the ends thereof, an acrylate monomer, a methacrylate monomer, Based monomer, an epoxy-based monomer, a silicone-based monomer, or a combination thereof. The polymerizable oligomer may be at least one selected from the group consisting of an acrylate oligomer, a methacrylate oligomer, a urethane (meth) acrylate oligomer, Based oligomers, silicone-based oligomers, or combinations thereof.

일구현예에서, 상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체는 무기 산화물 입자를 포함하지 않는다.In one embodiment, the semiconductor nanocrystal-polymer composite does not comprise inorganic oxide particles.

다른 구현예에서, 상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체는 무기 산화물을 더 포함할 수 있다. 상기 무기 산화물은 입자의 형태일 수 있다.In another embodiment, the semiconductor nanocrystal-polymer composite may further comprise an inorganic oxide. The inorganic oxide may be in the form of particles.

상기 무기 산화물은 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화아연 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 상기 무기 산화물은, 상기 복합체의 총 중량을 기준으로, 약 1 중량% 내지 약 20 중량%로 포함될 수 있다.The inorganic oxide may be selected from silica, alumina, titania, zirconia, zinc oxide, and combinations thereof. The inorganic oxide may comprise from about 1% to about 20% by weight, based on the total weight of the composite.

일 구현예에서, 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛은,In one embodiment, the backlight unit for a liquid crystal display device comprises:

LED 광원; 및LED light source; And

상기 LED 광원에 이격되게 설치되어 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널 쪽으로 출사시키는 광전환층And a light switching layer provided so as to be spaced apart from the LED light source so as to convert light incident from the LED light source into white light,

을 포함하고,/ RTI >

상기 광전환층은 전술한 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함한다,The light conversion layer comprises the semiconductor nanocrystal-polymer complex described above,

상기 백라이트 유닛은 상기 LED 광원과 광전환층 사이에 위치하는 도광판(light guide panel)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit may further include a light guide panel disposed between the LED light source and the light conversion layer.

상기 백라이트 유닛은 상기 도광판 위에 확산판을 더 포함하며, 상기 광전환층은 도광판과 확산판 사이 또는 확산판 위(상기 도광판이 위치한 쪽의 반대쪽)에 위치할 수 있다.The backlight unit may further include a diffusion plate on the light guide plate, and the light conversion layer may be disposed between the light guide plate and the diffusion plate or on the diffusion plate (opposite to the side where the light guide plate is located).

상기 광전환층은 전술한 반도체 나노결정 폴리머 복합체의 필름; 및 상기 필름의 적어도 하나의 일면에 위치하는 제1 고분자 필름과 제2 고분자 필름 중 적어도 하나를 더 포함하고 상기 제1 고분자 필름과 제2 고분자 필름은 폴리에스테르, 고리형 올레핀 고분자(cyclic olefin polymer, COP), 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머가 중합된 고분자 및 이들의 조합에서 선택되는 고분자를 포함할 수 있다.The light conversion layer may be a film of the above-mentioned semiconductor nanocrystal polymer composite; And at least one of a first polymer film and a second polymer film disposed on at least one side of the film, wherein the first polymer film and the second polymer film are made of a polyester, a cyclic olefin polymer, COP), a polymer obtained by polymerizing a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the terminal thereof and a second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the terminal thereof, and a polymer selected from a combination thereof .

상기 제1 고분자 필름 및 제2 고분자 필름의 적어도 하나는 무기산화물을 더 포함할 수 있다.At least one of the first polymer film and the second polymer film may further include an inorganic oxide.

상기 제1 고분자 필름과 제2 고분자 필름은 광전환층과 접촉하지 않는 면에 요철을 가질 수 있다.The first polymer film and the second polymer film may have irregularities on a surface not in contact with the light conversion layer.

다른 구현예에서, 액정 디스플레이 장치는,In another embodiment, the liquid crystal display device further comprises:

LED 광원; LED light source;

상기 LED 광원에 이격되게 설치되어 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널 쪽으로 출사시키는 광전환층; 및 A light diverting layer provided so as to be spaced apart from the LED light source and converting light incident from the LED light source into white light and emitting the light to the liquid crystal panel; And

상기 광전환층으로부터 입사된 광을 이용하여 화상을 형성하는 액정 패널을 포함하고 And a liquid crystal panel for forming an image using light incident from the light conversion layer

상기 광전환층은 전술한 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함한다.The light conversion layer includes the above-described semiconductor nanocrystal-polymer composite.

상기 액정 디스플레이 장치는, 상기 LED 광원과 광전환층 사이에 위치하는 도광판을 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display device may further include a light guide plate positioned between the LED light source and the light conversion layer.

전술한 반도체 나노결정 조성물 및 반도체 나노결정-폴리머의 복합체의 경우, 높은 안정성과 함께 향상된 휘도를 가질 수 있다. 콜로이드 상태로 합성하여 여분의 유기물을 제거한 반도체 나노결정에 유기물 첨가제를 포함시킴으로써, 반도체 나노결정-폴리머 복합체에서 나노결정 간의 응집을 방지할 수 있으며, 광원의 광 경로 길이(optical path length)를 늘여 display 적용시 높은 휘도를 달성할 수 있다. 또한 반도체 나노결정의 합성 방법에 관계없이 복합체 내의 유기물의 종류와 양을 조절할 수 있어 재현성이 확보될 수 있다.In the case of the aforementioned semiconductor nanocrystal composition and the complex of semiconductor nanocrystal-polymer, it can have improved stability with high luminance. By incorporating an organic additive in a semiconductor nanocrystal that has been synthesized in a colloidal state to remove excess organic matter, aggregation of nanocrystals in the semiconductor nanocrystal-polymer composite can be prevented, optical path length of the light source can be increased, High luminance can be achieved when applied. In addition, regardless of the method of synthesizing semiconductor nanocrystals, the type and amount of the organic material in the composite can be controlled and reproducibility can be secured.

도 1은, 일구현예에 따른 반도체 나노결정-폴리머 복합체 제조 공정을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 2는, 일구현예에 따른 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 포함한 시트를 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3은, 상이한 종류와 양의 유기 첨가제를 첨가하여 제조된 반도체 나노 결정-복합체 필름의 헤이즈(haze) 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 4는, 상이한 종류와 양의 유기 첨가제를 첨가하여 제조된 반도체 나노 결정-복합체 필름을 포함한 백라이트 유닛(BLU)의 휘도(brightness)를 비교한 것이다.
도 5는, 상이한 종류와 양의 유기 첨가제를 부가하여 제조된 반도체 나노 결정-복합체 필름을 포함한 BLU의 휘도를 비교한 것이다.
도 6은 유기 첨가제의 부가량에 대한 반도체 나노 결정-복합체 필름 포함 BLU에서 휘도값 변화를 그래프화한 것이다.
도 7은, 상이한 종류와 양의 유기 첨가제를 첨가하여 제조된 반도체 나노 결정-복합체 필름을 포함한 백라이트 유닛의 구동 신뢰성 평가 결과를 나타낸 것이다.
도 8은, 일 구현예에 따른 BLU를 포함한 액정 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 9는, 다른 구현예에 따른 BLU를 포함한 액정 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 10은, 비교예 4, 비교예 5 및 실시예 9의 반도체 나노결정 폴리머 복합체 필름의 헤이즈를 나타낸 것이다.
도 11은, 비교예 4, 비교예 5 및 실시예 9의 반도체 나노결정 폴리머 복합체 필름을 포함한 BLU의 휘도를 나타낸 것이다.
도 12 및 도 13은, 각각, 참조예에서 제조한 (2차 원심분리 후) 베어 반도체 나노 결정과, 여기에 TOA 를 첨가한 조성물의 TGA 및 DTGA 분석 결과를 나타낸 것이다.
FIG. 1 schematically illustrates a process for producing a semiconductor nanocrystal-polymer composite according to one embodiment.
2 schematically shows a sheet including a semiconductor nanocrystal-polymer composite film according to one embodiment.
Figure 3 shows the haze measurement results of semiconductor nanocrystal-composite films prepared by adding different kinds and amounts of organic additives.
Fig. 4 compares the brightness of a backlight unit (BLU) including a semiconductor nanocrystal-composite film prepared by adding different kinds and amounts of organic additives.
Figure 5 compares the brightness of BLUs comprising semiconductor nanocrystal-composite films prepared by adding different types and amounts of organic additives.
FIG. 6 is a graphical illustration of the change in luminance value in a BLU with semiconductor nanocrystal-composite film versus negative additive amount;
FIG. 7 shows the results of driving reliability evaluation of a backlight unit including a semiconductor nanocrystal-composite film prepared by adding different kinds and amounts of organic additives.
8 schematically shows a liquid crystal display device including a BLU according to one embodiment.
Fig. 9 schematically shows a liquid crystal display device including a BLU according to another embodiment.
10 shows the haze of the semiconductor nanocrystal polymer composite films of Comparative Example 4, Comparative Examples 5 and 9.
Fig. 11 shows the luminance of BLU including the semiconductor nanocrystal polymer composite film of Comparative Example 4, Comparative Example 5 and Example 9. Fig.
Figs. 12 and 13 show TGA and DTGA analysis results of the bare semiconductor nanocrystals (after the second centrifugation) prepared in Reference Example and compositions prepared by adding TOA thereto, respectively.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 구현예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 구현예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 구현예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 구현예들에서, 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some implementations, well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise. Whenever a component is referred to as "including" an element throughout the specification, it is to be understood that the element may include other elements, not the exclusion of any other element, unless the context clearly dictates otherwise.

또한, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. Also, singular forms include plural forms unless the context clearly dictates otherwise.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification.

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하에서 별도의 정의가 없는 한, "치환"이란, 화합물 중의 수소가 C1 내지 C30의 알킬기, C2 내지 C30의 알키닐기, C6 내지 C30의 아릴기, C7 내지 C30의 알킬아릴기, C1 내지 C30의 알콕시, C6 내지 C30의 아릴옥시기, C1 내지 C30의 헤테로알킬기, C3 내지 C30의 헤테로알킬아릴기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C30의 사이클로알키닐기, C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 할로겐(-F, -Cl, -Br 또는 -I), 히드록시기(-OH), 니트로기(-NO2), 시아노기(-CN), 아미노기(NRR' 여기서 R과 R'는 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C6 알킬기임), 아지도기(-N3), 아미디노기(-C(=NH)NH2), 히드라지노기(-NHNH2), 히드라조노기(=N(NH2), 알데히드기(-C(=O)H), 카르바모일기, 티올기, 에스테르기(-C(=O)OR, 여기서 R 은 C1 내지 C6 알킬기 또는 C6 내지 C12 아릴기임), 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기(-SO3H) 또는 그것의 염(-SO3M 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임), 인산(-PO3H2) 이나 그것의 염(-PO3MH 또는 -PO3M2 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임) 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다. Refers to an alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, a C2 to C30 alkynyl group, a C6 to C30 aryl group, a C7 to C30 alkylaryl group, a C1 to C30 A C3 to C30 cycloalkenyl group, a C6 to C30 cycloalkynyl group, a C2 to C30 heteroaryl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C15 cycloalkenyl group, a C6 to C30 cycloalkynyl group, a C2 to C30 heteroaryl group, (-F, -Cl, -Br or -I), a hydroxy group (-OH), a nitro group (-NO 2 ), a cyano group (-CN), an amino group (NRR ' R 'is independently hydrogen or a C1 to C6 alkyl groups each other), azido (-N 3), an amidino group (-C (= NH) NH 2 ), hydrazino groups (-NHNH 2), hydride tank group ( = N (NH 2), aldehyde (-C (= O) H) , a carbamoyl group, a thiol group, an ester group (-C (= O) oR, where R is C1 to C6 alkyl group or a C6 to C12 aryl group) , Reubok group or its salt, a sulfonic acid group (-SO 3 H) or a salt thereof, phosphate (-PO 3 H 2) or its salt (-PO 3 (-SO 3 M, where M are the organic or inorganic cation), MH or -PO 3 M 2 wherein M means substituted with a substituent selected from an organic or inorganic cation Im), and combinations thereof.

또한 이하에서 별도의 정의가 없는 한, "헤테로" 란, 고리(ring) 내에 N, O, S, Si 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 4개 포함한 것을 의미한다. 고리의 전체 멤버는 3 내지 10일 수 있다. 다중 고리가 존재한다면 각각의 링은 방향족 고리, 포화 또는 부분 포화 고리 또는 다중 고리(융합링, 펜던트링, 스피로사이클릭 링 또는 이들의 조합)일 수 있다. 헤테로사이클로알킬기는 헤테로원자를 포함하는 적어도 하나의 비방향족 고리(non-aromatic ring)일 수 있고, 헤테로아릴기는 헤테로 원자를 포함하는 적어도 하나의 방향족 고리일 수 있다. 적어도 하나의 고리가 헤테로원자를 포함하는 방향족 고리라면 비방향족 및/또는 카르보사이클릭(carbocyclic) 고리가 헤테로아릴기에 존재할 수 있다."Hetero" means one to four heteroatoms selected from N, O, S, Si and P in the ring unless otherwise defined below. The total member of the ring may be from 3 to 10. If multiple rings are present, each ring can be an aromatic ring, a saturated or partially saturated ring or multiple rings (fused rings, pendant rings, spiacyclic rings, or combinations thereof). The heterocycloalkyl group may be at least one non-aromatic ring containing a heteroatom, and the heteroaryl group may be at least one aromatic ring containing a heteroatom. Non-aromatic and / or carbocyclic rings may be present in the heteroaryl group if the at least one ring is an aromatic ring containing a heteroatom.

본 명세서에서 "알킬렌기"는 하나 이상의 치환체를 선택적으로 포함하는 2 이상의 결합 가수(valance)를 가지는 직쇄 또는 분지쇄의 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기이다. 본 명세서에서 "아릴렌기"는 하나 이상의 치환체를 선택적으로 포함하고, 하나 이상의 방향족 링에서 적어도 2개의 수소의 제거에 의해서 형성된 2 이상의 결합 가수를 가지는 작용기를 의미한다. 또한 "지방족 유기기"는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기를 의미하며, "방향족 유기기"는 C6 내지 C30의 아릴기 또는 C2 내지 C30의 헤테로아릴기를 의미하며, "지환족 유기기"는 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알케닐기 및 C3 내지 C30의 사이클로알키닐기를 의미한다. As used herein, an "alkylene group" is a straight or branched chain saturated or unsaturated aliphatic hydrocarbon group having two or more valances, optionally including one or more substituents. As used herein, the term "arylene group" refers to a functional group that optionally contains one or more substituents and has at least two bond valences formed by the removal of at least two hydrogens in one or more aromatic rings. &Quot; Aliphatic organic group " means a C1 to C30 linear or branched alkyl group, "aromatic organic group" means C6 to C30 aryl group or C2 to C30 heteroaryl group, A C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C30 cycloalkenyl group, and a C3 to C30 cycloalkynyl group.

본 명세서에서 "이들의 조합"이란 구성물의 혼합물, 적층물, 복합체, 합금, 블렌드, 반응 생성물 등을 의미한다. As used herein, the term " combination thereof "means a mixture, a laminate, a composite, an alloy, a blend, a reaction product, and the like of the composition.

본 명세서에서, (메타)아크릴레이트라 함은 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미한다.In the present specification, (meth) acrylate means acrylate and / or methacrylate.

본 발명의 일 구현예에 따라 제공되는 반도체 나노결정 조성물은, 반도체 나노 결정; 유기 첨가제; 및 중합성 모노머, 중합성 올리고머, 및 이들의 조합으로부터 선택된 하나 이상의 중합성 성분을 포함하되, 상기 조성물은 중합 후 헤이즈가 40% 이상이다. The semiconductor nanocrystal composition provided according to an embodiment of the present invention includes semiconductor nanocrystals; Organic additives; And at least one polymerizable component selected from polymerizable monomers, polymerizable oligomers, and combinations thereof, wherein the composition has a haze of at least 40% after polymerization.

상기 헤이즈 값은 상기 조성물로부터 제조되고 100 ㎛ 또는 그 이하 (예컨대, 50 ㎛ 이하, 또는 20 ㎛ 이하)의 두께를 가진 중합체 필름에 대하여 측정한 값일 수 있다. 상기 헤이즈 값은 전체 투과된 빛에 대하여 직선이 아닌 방향으로 산란된 빛의 비율을 대표하는 것이다. 상기 반도체 나노결정 조성물은, 중합 후, 헤이즈값이 약 95% 이하일 수 있다. 일구현예에서, 상기 조성물로부터 제조되고 두께가 100 ㎛인 폴리머 필름은 헤이즈값이, 하기 실시예에 기재된 방식으로 측정하였을 때, 45% 내지 95%의 범위일 수 있다.The haze value may be a value measured for a polymer film made from the composition and having a thickness of 100 占 퐉 or less (e.g., 50 占 퐉 or less, or 20 占 퐉 or less). The haze value represents the ratio of light scattered in a direction other than a straight line with respect to the entire transmitted light. After the polymerization, the semiconductor nanocrystal composition may have a haze value of about 95% or less. In one embodiment, a polymer film having a thickness of 100 [mu] m made from the composition and having a haze value can range from 45% to 95%, as measured in the manner described in the Examples below.

상기 조성물에서, 유기 첨가제는, (예컨대, 캡핑제와 달리), 상기 반도체 나노 결정의 표면을 배위 또는 둘러싸지 않고, 상기 반도체 나노 결정과 분리되어 독립적으로 조성물 내에 존재할 수 있다. 상기 조성물은, 상기 반도체 나노 결정의 표면을 배위 또는 둘러싸는 캡핑제 (또는 리간드 화합물)가 열중량분석에서 나타내는 피크와 다른 위치에서 상기 유기 화합물의 피크를 나타낼 수 있다. In such a composition, the organic additive may be present in the composition independently from the semiconductor nanocrystal, without coordinating or surrounding the surface of the semiconductor nanocrystal (e.g., as opposed to a capping agent). The composition may exhibit a peak of the organic compound at a position different from a peak indicated by a thermogravimetric analysis of a capping agent (or a ligand compound) that coordinates or surrounds the surface of the semiconductor nanocrystal.

상기 중합성 성분은, 광중합 가능한 것일 수 있다. 상기 반도체 나노결정 조성물에서, 상기 중합성 성분은, 중합성 모노머 및 중합성 올리고머를 포함할 수 있다.The polymerizable component may be one that can be photopolymerized. In the semiconductor nanocrystal composition, the polymerizable component may include a polymerizable monomer and a polymerizable oligomer.

상기 반도체 나노결정은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소 또는 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The semiconductor nanocrystals may comprise Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV elements or compounds, or combinations thereof.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 IV족 또는 화합물은 Si, Ge 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단원소 물질; 및 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The II-VI group compound is selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; A trivalent element selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS, Small compounds; And a silane compound selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe and mixtures thereof. The III-V compound may be selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and mixtures thereof. A trivalent compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and mixtures thereof; And a silicate compound selected from the group consisting of GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb and mixtures thereof. have. The IV-VI compound may be selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A triple compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And a silane compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. The Group IV or compound is a monosource material selected from the group consisting of Si, Ge and combinations thereof; And these elemental compounds selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 하나의 반도체 나노결정이 다른 반도체 나노결정을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 코어 또는 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 또한, 상기 반도체 나노결정은 하나의 반도체 나노결정 코어와 이를 둘러싸는 다층의 쉘을 포함하는 구조를 가질 수도 있다. 이때 다층의 쉘 구조는 2층 이상의 쉘 구조를 가지는 것으로 각각의 층은 단일 조성 또는 합금 또는 농도 구배를 가질 수 있다. The elemental compound, the trivalent compound, or the photovoltaic compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle by dividing the concentration distribution into different states partially. One semiconductor nanocrystal may have a core / shell structure surrounding other semiconductor nanocrystals. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element existing in the core or shell becomes lower toward the center. In addition, the semiconductor nanocrystals may have a structure including one semiconductor nanocrystal core and a multi-layered shell surrounding the one semiconductor nanocrystal core. Wherein the multi-layered shell structure has a shell structure of two or more layers wherein each layer may have a single composition or alloy or concentration gradient.

또한, 상기의 반도체 나노결정은 코어보다 쉘을 구성하는 물질 조성이 더 큰 에너지 밴드갭을 갖고 있어, 양자 구속 효과가 효과적으로 나타나는 구조를 가질 수 있다. 다층의 쉘을 구성하는 경우도 코어에 가까운 쉘보다 코어의 바깥 쪽에 있는 쉘이 더 큰 에너지 밴드갭을 갖는 구조일 수 있으며, 이 때 반도체 나노결정은 자외선 내지 적외선 파장 범위를 가질 수 있다. In addition, the semiconductor nanocrystals may have a structure in which the material composition of the shell is larger than that of the core, so that the quantum confinement effect is effectively exhibited. In the case of constructing a multi-layered shell, the shell on the outer side of the core may have a larger energy band gap than the shell near the core, and the semiconductor nanocrystals may have an ultraviolet to infrared wavelength range.

반도체 나노결정은 약 50% 이상, 예컨대, 약 70% 이상, 또는 약 90% 이상의 양자 효율(quantum efficiency)을 가질 수 있다. 상기 범위에서 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Semiconductor nanocrystals may have a quantum efficiency of greater than about 50%, such as greater than about 70%, or greater than about 90%. The luminous efficiency of the device can be improved in the above range.

또한, 반도체 나노결정의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭은 응용 분야에 따라 넓거나 좁게 설계될 수 있으며, 디스플레이에서 색순도나 색재현성을 향상시키기 위해 반도체 나노 결정은 좁은 스펙트럼을 가질 수 있다. 상기 반도체 나노결정은 약 45 nm 이하, 예를 들어 약 40 nm 이하, 또는 약 30 nm 이하의 발광파장 스펙트럼의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 범위에서 소자의 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. In addition, the half width of the emission wavelength spectrum of the semiconductor nanocrystal can be designed to be wide or narrow according to the application field, and the semiconductor nanocrystals can have a narrow spectrum in order to improve the color purity and color reproducibility in the display. The semiconductor nanocrystals may have a half-width of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, for example, about 40 nm or less, or about 30 nm or less. The color purity and color reproducibility of the device can be improved in the above range.

상기 나노결정은 약 1 nm 내지 약 100 nm의 입경(구형이 아닌 경우 가장 긴 부분의 크기)을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 나노 결정은, 약 1 nm 내지 약 20 nm (e.g., 1nm 내지 10nm)의 입경(구형이 아닌 경우 가장 긴 부분의 크기)을 가질 수 있다.The nanocrystals may have a particle size of about 1 nm to about 100 nm (the longest portion size if not spherical). For example, the nanocrystals may have a particle size of about 1 nm to about 20 nm (e.g., 1 nm to 10 nm) (the longest portion size if not spherical).

또한, 상기 나노결정의 형태는 당분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 나노 결정은 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 입방체(cubic) 형상, 타원(elliptical) 형상, 사면체(tetrahedral) 형상, 팔면체(octahedral) 형상, 실린더(cylindrical) 형상, 다면체 기둥(polygonal pillar-like) 형상, 원뿔(conical) 형상, 컬럼(columnar) 형상, 관형(tubular) 형상, 나선(helical) 형상, 깔대기(funnel) 형상, 덴드라이트(dendritic) 또는 임의의 다양한 통상의 정형/비정형 형상일 수 있다. 나노결정은, 나노입자, 나노튜브, 나노와이어, 나노섬유, 나노 판(plate), 나노시트 등일 수 있다.The shape of the nanocrystals is not particularly limited and is generally used in the art. For example, the nanocrystals may be in the form of spheres, pyramids, multi-arcs, cubic, elliptical, tetrahedral, octahedral, cylindrical, But are not limited to, a polygonal pillar-like shape, a conical shape, a columnar shape, a tubular shape, a helical shape, a funnel shape, a dendritic shape, Shaped < / RTI > Nanocrystals can be nanoparticles, nanotubes, nanowires, nanofibers, nanoplates, nanosheets, and the like.

또한, 상기 나노결정은 임의의 방법으로 합성될 수 있으며, 예를 들어 이하 기술된 방법에 의해 합성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the nanocrystals can be synthesized by any method and can be synthesized by, for example, the methods described below, but are not limited thereto.

비제한적인 예에서, 수 나노크기의 반도체 나노결정은 화학적 습식 방법(wet chemical process)을 통하여 합성될 수 있다. 화학적 습식 방법에서는, 유기 용매 중에서 전구체 물질들을 반응시켜 결정 입자들을 성장시키며, 이 때 유기용매 또는 리간드화합물이 자연스럽게 반도체 나노 결정의 표면에 배위됨으로써 결정의 성장을 조절할 수 있다. 이처럼 나노 결정의 표면에 배위된 유기 용매는 소자 내에서 안정성에 영향을 줄 수 있으므로, 나노 결정의 표면에 배위되지 않은 여분의 유기물은 과량의 비용매(non-solvent)에 붓고, 얻어진 혼합물을 원심 분리하는 과정을 거쳐 제거할 수 있다. 비용매의 구체적 종류로는, 아세톤, 에탄올, 메탄올 등을 들 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 여분의 유기물을 제거한 후 나노 결정의 표면에 배위된 유기물의 양은 나노결정 무게의 35 중량% 이하, 예컨대, 25 중량% 이하일 수 있다. 이러한 유기물은, 리간드 화합물, 유기 용매, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 리간드 화합물은, 특별히 제한되지 않으며, 화학적 습식 방법에서 리간드 화합물로 사용되는 임의의 유기 화합물일 수 있다. 예컨대, 상기 리간드 화합물은, RCOOH, RNH2, R2NH, R3N, RSH, R3PO, R3P, ROH, RCOOR', RCONH2, RCONHR' RCONR'R'', RCN, RPO(OH)2, R2POOH (여기서, R, R', R''는 각각 독립적으로 C1 내지 C24의 알킬기, C2 내지 C24의 알케닐기 또는 C6 내지 C20의 아릴기임), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 유기 리간드 화합물은 제조된 나노 결정의 표면을 배위하며, 나노 결정이 용액 상에 잘 분산되어 있도록 할 뿐 아니라 발광 및 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다. 상기 유기 리간드 화합물의 구체적인 예로서는, 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올 등의 티올; 메탄 아민, 에탄 아민, 프로판 아민, 부탄 아민, 펜탄 아민, 헥산 아민, 옥탄 아민, 도데칸 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민, 트리옥틸아민 등의 아민; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올; 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산 등의 산; 에스테르, 예컨대, 메틸아세테에트, 에틸 아세테에트, 메틸 프로피오네이트, 에틸프로피오네이트 등; 아미드 예컨대, 메틸 아세트아미드, 에틸아세트아미드, 메틸 프로피온아미드, 에틸프로피온아미드 등; 니트릴류, 예컨대, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴 등; 메틸 포스핀, 에틸 포스핀, 프로필 포스핀, 부틸 포스핀, 펜틸 포스핀 등의 포스핀; 메틸 포스핀 옥사이드, 에틸 포스핀 옥사이드, 프로필 포스핀 옥사이드, 부틸 포스핀 옥사이드 등의 포스핀 옥사이드 화합물; 다이 페닐 포스핀, 트리 페닐 포스핀 화합물 또는 그의 옥사이드 화합물; 포스폰산(phosphonic acid) 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 유기 리간드 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다. In a non-limiting example, nanocrystalline semiconductor nanocrystals can be synthesized through a wet chemical process. In the chemical wet process, the precursor materials are reacted in an organic solvent to grow crystal grains. At this time, the organic solvent or the ligand compound is naturally coordinated to the surface of the semiconductor nanocrystals to control crystal growth. Since the organic solvent coordinated on the surface of the nanocrystal may affect the stability in the device, the excess organic substance not coordinated on the surface of the nanocrystals is poured into an excessive amount of non-solvent, and the obtained mixture is centrifuged It can be removed by a separation process. Specific examples of the non-solvent include acetone, ethanol, methanol, and the like, but are not limited thereto. The amount of organics coordinated to the surface of the nanocrystals after removing the excess organic material may be up to 35 wt%, e.g., up to 25 wt% of the weight of the nanocrystals. Such organic materials may include ligand compounds, organic solvents, or combinations thereof. The ligand compound is not particularly limited and may be any organic compound used as a ligand compound in a chemical wet process. For example, the ligand compound may be selected from the group consisting of RCOOH, RNH 2 , R 2 NH, R 3 N, RSH, R 3 PO, R 3 P, ROH, RCOOR ', RCONH 2 , RCONHR' OH) 2 , R 2 POOH wherein R, R ', R "are each independently a C1 to C24 alkyl group, a C2 to C24 alkenyl group or a C6 to C20 aryl group, or combinations thereof . Organic ligand compounds coordinate the surface of the prepared nanocrystals, which not only allows the nanocrystals to be well dispersed in the solution, but can also affect the luminescence and electrical properties. Specific examples of the organic ligand compound include thiols such as methanethiol, ethanethiol, propanethiol, butanethiol, pentanethiol, hexanethiol, octanethiol, dodecanethiol, hexadecanethiol, octadecanethiol and benzylthiol; An amine such as methane amine, ethane amine, propane amine, butane amine, pentane amine, hexane amine, octane amine, dodecane amine, hexadecyl amine, octadecyl amine, dimethyl amine, diethyl amine, dipropyl amine, ; Alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol; An acid such as methane acid, ethane acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, dodecanoic acid, hexadecanoic acid, octadecanoic acid, oleic acid or benzoic acid; Esters such as methyl acetate, ethyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate and the like; Amides such as methyl acetamide, ethyl acetamide, methyl propionamide, ethyl propionamide and the like; Nitriles such as acetonitrile, propionitrile, butyronitrile and the like; Phosphines such as methylphosphine, ethylphosphine, propylphosphine, butylphosphine and pentylphosphine; Phosphine oxide compounds such as methylphosphine oxide, ethylphosphine oxide, propylphosphine oxide, and butylphosphine oxide; Diphenylphosphine, triphenylphosphine compound or an oxide compound thereof; Phosphonic acid, and the like, but are not limited thereto. The organic ligand compound may be used alone or in a mixture of two or more.

상기 용매는, 특별히 제한되지 않으며, 화학적 습식 방법에서 용매로 사용되는 임의의 화합물일 수 있다. 예컨대, 상기 용매는, 헥사데실아민 등의 C6 내지 C22의 1차 아민; 다이옥틸아민 등의 C6 내지 C22의 2차 아민; 트리옥틸아민 등의 C6 내지 C40의 3차 아민; 피리딘 등의 질소함유 헤테로고리 화합물; 헥사데칸, 옥타데칸, 옥타데센, 스쿠알렌(squalane) 등의 C6 내지 C40의 지방족 탄화수소 (예컨대, 알칸, 알켄, 알킨 등); 페닐도데칸, 페닐테트라데칸, 페닐 헥사데칸 등 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소; 트리옥틸포스핀 등의 C6 내지 C22의 알킬기로 치환된 포스핀; 트리옥틸포스핀옥사이드 등의 C6 내지 C22의 알킬기로 치환된 포스핀옥사이드; 페닐 에테르, 벤질 에테르 등 C12 내지 C22의 방향족 에테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The solvent is not particularly limited and may be any compound used as a solvent in a chemical wet process. For example, the solvent may be selected from C6 to C22 primary amines such as hexadecylamine; C6 to C22 secondary amines such as dioctylamine; C6 to C40 tertiary amines such as trioctylamine; Nitrogen-containing heterocyclic compounds such as pyridine; C6 to C40 aliphatic hydrocarbons (e.g., alkanes, alkenes, alkynes, etc.) such as hexadecane, octadecane, octadecene, squalane and the like; C6 to C30 aromatic hydrocarbons such as phenyldodecane, phenyltetradecane, and phenylhexadecane; Phosphine substituted with a C6 to C22 alkyl group such as trioctylphosphine; Phosphine oxides substituted with C6 to C22 alkyl groups such as trioctylphosphine oxide; But are not limited to, C12 to C22 aromatic ethers such as phenyl ether, benzyl ether, and combinations thereof.

상기 유기 첨가제는 옥틸아민, 올레일아민, 헥사데실아민 등의 C8 이상 (예를 들어, C8-C30)의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 1차 아민, 디옥틸아민, 디데실아민 등의 C8 이상(예를 들어, C8-C30)의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 2차 아민, 트리옥틸아민, 트리도데실아민 등의 C8 이상(예를 들어, C8-C30)의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 3차 아민), 하나 이상의 C8 이상의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 포스핀 (예를 들어, C8 이상 (예를 들어, C8-C30 또는 C8 내지 C22)의 알킬기로 치환된 1차 포스핀, 다이옥틸포스핀 등의 C8 이상(예를 들어, C8-C30 또는 C8 내지 C22)의 알킬기로 치환된 2차 포스핀, 트리옥틸포스핀 등의 C8 이상(예를 들어, C8-C30 또는 C8 내지 C22)의 알킬기로 치환된 3차 포스핀), 하나 이상의 C8 이상의 알킬기 또는 알케닐기를 가진 포스핀 옥사이드 (예를 들어, C8-C30 또는C8 이상(예를 들어, C8 내지 C22)의 알킬기로 치환된 1차 포스핀 옥사이드, 다이옥틸포스핀 옥사이드 등의 C8 이상(예를 들어, C8-C30 또는 C8 내지 C22)의 알킬기로 치환된 2차 포스핀 옥사이드, 트리옥틸포스핀옥사이드 등의 C8 이상(예를 들어, C8-C30 또는 C8 내지 C22)의 알킬기로 치환된 3차 포스핀 옥사이드, 또는 이들의 조합일 수 있다. The organic additive may be at least one selected from the group consisting of primary amines having C8 or higher (for example, C8-C30) alkyl or alkenyl groups such as octylamine, oleylamine and hexadecylamine, C8 or higher such as dioctylamine and didecylamine (For example, C8-C30) alkyl group or an alkenyl group having a C8 or higher (e.g., C8-C30) alkyl group such as trioctylamine or tridodecylamine; ), Primary phosphine substituted with an alkyl group of C8 or higher (e.g., C8-C30 or C8 to C22), dioctylphosphine or the like having at least one C8 or higher alkyl or alkenyl group (For example, C8-C30 or C8 to C22) alkyl group such as secondary phosphine or trioctylphosphine substituted with an alkyl group having C8 or more (for example, C8-C30 or C8 to C22) Phosphine oxide having at least one C8 or higher alkyl or alkenyl group (e.g., C8-C3 (For example, C8-C30 or C8 to C22) alkyl groups such as primary phosphine oxide substituted with an alkyl group having 0 or more than C8 (for example, C8 to C22), dioctylphosphine oxide and the like (E. G., C8-C30 or C8 to C22) alkyl groups such as secondary phosphine oxide, trioctylphosphine oxide, and the like, or a combination thereof.

상기 유기 첨가제는, 후술하는 상기 중합성 모노머 (및, 선택에 따라, 중합성 올리고머)의 총 중량을 기준으로 약 0.05 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로, 예를 들어, 약 0.1 중량% 내지 약 6 중량% 또는 약 0.1 중량% 내지 5 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 유기 첨가제가 전술한 함량으로 포함된 조성물은, 복합체의 우수한 기계적/광학적 물성을 유지하면서 헤이즈 및 휘도를 현저히 향상시킬 수 있다. The organic additive may be present in an amount of from about 0.05% to about 10% by weight, for example, from about 0.1% to about 10% by weight, based on the total weight of the polymerizable monomer (and optionally the polymerizable oligomer) About 6% by weight, or about 0.1% by weight to 5% by weight. The composition in which the organic additive is contained in the above-mentioned content can significantly improve haze and brightness while maintaining excellent mechanical / optical properties of the composite.

상기 중합성 성분은, 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머의 혼합물, 또는 (메트)아크릴레이트계 모노머 또는 올리고머, 우레탄 아크릴레이트계 모노머 또는 올리고머, 에폭시계 모노머 또는 올리고머, 실리콘계 모노머 또는 올리고머일 수 있다.The polymerizable component may be a mixture of a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the ends thereof and a second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the ends thereof, or a mixture of a (meth) acrylate monomer or oligomer, Urethane acrylate-based monomer or oligomer, epoxy-based monomer or oligomer, silicone-based monomer or oligomer.

상기 (메트)아크릴레이트계 모노머는, 이소보닐(isobornyl) (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, 벤질 (메트)아크릴레이트, 노보닐(norbornyl) (메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(cyclohexyl) (메트)아크릴레이트, n-헥실(n-hexyl) (메트)아크릴레이트, iso-옥틸 (메트)아크릴레이트, 부틸 (메트)아크릴레이트, 아다만틸 아크릴레이트, 사이클로펜틸 아크릴레이트, 에틸렌 글라이콜 디메타크릴레이트, 헥산다이올 디아크릴레이트, 트리사이클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트, 트리메틸올 프로판트리아크릴레이트 및 이들의 조합에서 선택할 수 있다. The (meth) acrylate monomer may be at least one selected from the group consisting of isobornyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, norbornyl (Meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, iso-octyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, adamantyl acrylate Acrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,

상기 중합성 올리고머는 1 이상, 예컨대, 2 이상의 중합 가능한 관능기 (예컨대, (메트)아크릴레이트기, 비닐기등) 를 가지는 올리고머이다. 상기 중합성 올리고머는, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 아크릴(acrylic) (메트)아크릴레이트, 폴리부타디엔 (메트)아크릴레이트, 실리콘(silicone) (메트)아크릴레이트, 멜라민 (메트)아크릴레이트 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 상기 중합성 올리고머의 분자량은 특별히 제한되지 않으며, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 상기 중합성 올리고머의 분자량은 1,000 내지 20,000 g/mol, 예컨대, 1,000 내지 10,000 g/mol 일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 중합성 올리고머는, 공지된 방법에 의해 합성할 수 있거나 상업적으로 입수 가능하다. The polymerizable oligomer is an oligomer having one or more, for example, two or more polymerizable functional groups (e.g., (meth) acrylate group, vinyl group, etc.). The polymerizable oligomer may be selected from the group consisting of urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, acrylic (meth) acrylate, polybutadiene (Meth) acrylate, melamine (meth) acrylate, and combinations thereof. The molecular weight of the polymerizable oligomer is not particularly limited and may be appropriately selected. For example, the molecular weight of the polymerizable oligomer may be 1,000 to 20,000 g / mol, such as 1,000 to 10,000 g / mol, but is not limited thereto. Such polymerizable oligomers can be synthesized by a known method or are commercially available.

상기 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머는 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.The first monomer having at least two thiol (SH) groups at the terminal may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1은 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 히드록시기; NH2; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아민기(-NRR', 여기에서 R과 R'는 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 이소시아네이트기; 이소시아누레이트기; (메트)아크릴레이트기; 할로겐; -ROR' (여기에서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기이고 R'는 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 아실 할라이드(-RC(=O)X, 여기에서 R은 치환 또는 비치환된 알킬렌기이고 X는 할로겐임); -C(=O)OR' (여기에서 R'는 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); -CN; 또는 -C(=O)ONRR' (여기에서 R과 R'는 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임)에서 선택되고, R 1 is hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C30 linear or branched alkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 alicyclic organic group having a double bond or a triple bond in the ring; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group having a double bond or a triple bond in the ring; A C3 to C30 alicyclic organic group substituted with C2 to C30 alkenyl groups or C2 to C30 alkynyl groups; A C3 to C30 heterocycloalkyl group substituted with C2 to C30 alkenyl group or C2 to C30 alkynyl group; A hydroxy group; NH 2 ; A substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group (-NRR ', where R and R' are, independently of each other, hydrogen or a C1 to C30 linear or branched alkyl group); Isocyanate group; An isocyanurate group; (Meth) acrylate groups; halogen; -ROR 'wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group and R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; Acyl halide (-RC (= O) X wherein R is a substituted or unsubstituted alkylene group and X is halogen; -C (= O) OR ', wherein R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; -CN; Or -C (= O) ONRR ', wherein R and R' independently from each other are hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group,

L1은 단일결합, 탄소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 (e.g., C6 내지 C30)의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 (e.g., C6 내지 C30)의 시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴렌기이고,L 1 represents a single bond, a carbon atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 (eg, C6 to C30) cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 C6 to C30), a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group,

Y1는 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임), 이민(-NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임) 또는 이들의 조합으로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기이고,Y 1 is a single bond; A substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group; A substituted or unsubstituted C2-C30 alkenylene group; At least one of the methylene (-CH 2 -) is replaced by a sulfonyl (-S (═O) 2 -), carbonyl (-C (═O) -), ether (-O-), sulfide (-S (= O) -), ester (-C (= O) O-), amide (-C (= O) NR-) wherein R is hydrogen or a C1 to C10 linear or branched alkyl group C30 alkylene group or a C2-C30 alkenylene group substituted with imine (-NR-), wherein R is hydrogen or a straight or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms, or a combination thereof,

m은 1 이상의 정수이고,m is an integer of 1 or more,

k1은 0 또는 1이상의 정수이고 k2는 1 이상의 정수이고, k1 is 0 or an integer of 1 or more, k2 is an integer of 1 or more,

m과 k2의 합은 3이상의 정수이되, m은 Y1의 원자가수를 넘지 않으며, k1과 k2의 합은 L1의 원자가수를 넘지 않는다. the sum of m and k2 is 3 or more being an integer, m is no more than the atomic valence of Y 1, the sum of k1 and k2 is no more than the atomic valence of L 1.

상기 제2 모노머는 하기 화학식 2로 나타낼 수 있다.The second monomer may be represented by the following general formula (2).

[화학식 2](2)

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

X는 탄소-탄소 불포화결합을 가지는 C2 내지 C30의 지방족 유기기, 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C6 내지 C30의 방향족 유기기 또는 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C3 내지 C30의 지환족 유기기이고,X is a C2 to C30 aliphatic organic group having a carbon-carbon unsaturated bond, a C6 to C30 aromatic organic group having a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, or a carbon-carbon double bond or a carbon- Is a C3 to C30 alicyclic organic group,

R2는 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; 히드록시기; NH2; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아민기(-NRR', 여기에서 R과 R'는 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 이소시아네이트기; 이소시아누레이트기; (메트)아크릴옥시기; 할로겐; -ROR' (여기에서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기이고 R'는 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); 아실 할라이드(-RC(=O)X, 여기에서 R은 치환 또는 비치환된 알킬렌기이고 X는 할로겐임); -C(=O)OR' (여기에서 R'는 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임); -CN; 또는 -C(=O)ONRR' (여기에서 R과 R'는 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임)에서 선택되고,R 2 is hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C30 linear or branched alkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 alicyclic organic group having a double bond or a triple bond in the ring; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group having a double bond or a triple bond in the ring; A C3 to C30 alicyclic organic group substituted with C2 to C30 alkenyl groups or C2 to C30 alkynyl groups; A C3 to C30 heterocycloalkyl group substituted with C2 to C30 alkenyl group or C2 to C30 alkynyl group; A hydroxy group; NH 2 ; A substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group (-NRR ', where R and R' are, independently of each other, hydrogen or a C1 to C30 linear or branched alkyl group); Isocyanate group; An isocyanurate group; (Meth) acryloxy group; halogen; -ROR 'wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group and R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; Acyl halide (-RC (= O) X wherein R is a substituted or unsubstituted alkylene group and X is halogen; -C (= O) OR ', wherein R' is hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group; -CN; Or -C (= O) ONRR ', wherein R and R' independently from each other are hydrogen or a C1 to C20 linear or branched alkyl group,

L2는 단일결합, 탄소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 (e.g. C6-C30)의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30(e.g. C6-C30)의 시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴렌기이고,L 2 represents a single bond, a carbon atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 (eg C6-C30) cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 C6-C30) cycloalkenylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group,

Y2는 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 또는 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임), 이민(-NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임) 또는 이들의 조합으로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기이고, n은 1 이상의 정수이고,Y 2 is a single bond; A substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group; A substituted or unsubstituted C2-C30 alkenylene group; Or at least one of methylene (-CH 2 -) is replaced by a sulfonyl (-S (═O) 2- ), carbonyl (-C (═O) -), ether (-O-), sulfide (-S (= O) -), ester (-C (= O) O-), amide (-C (= O) NR-) wherein R is hydrogen or a straight or branched C30 alkylene group or C2 to C30 alkenylene group substituted with imine (-NR-) (wherein R is hydrogen or a straight or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms) or a combination thereof, n is an integer of 1 or more,

k3은 0 또는 1이상의 정수이고 k4는 1 이상의 정수이고, k3 is 0 or an integer of 1 or more, k4 is an integer of 1 or more,

n과 k4의 합은 3이상의 정수이되, n은 Y2의 원자가수를 넘지 않으며, k3과 k4의 합은 L2의 원자가수를 넘지 않는다.The sum of n and k4 is an integer greater than or equal to 3, n does not exceed the atomic number of Y 2 , and the sum of k 3 and k 4 does not exceed the atomic value of L 2 .

상기 중합성 모노머는, 친수성 잔기를 가진 것일 수 있다.The polymerizable monomer may be one having a hydrophilic moiety.

상기 화학식 1의 제1 모노머의 예로는 하기 화학식 1-1의 모노머를 들 수 있다.Examples of the first monomer of Formula 1 include monomers of Formula 1-1.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 1-1에서, In Formula 1-1,

L1'는 탄소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 예를 들어 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴렌기, 예를 들어 트리옥소트리아진기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬렌기이고,L 1 ' is a carbon, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, for example, a substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group such as a trioxotriazine group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkylene group,

Ya 내지 Yd는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 또는 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임), 이민(-NR-)(여기서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기임) 또는 이들의 조합으로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기이고,Y a to Y d each independently represent a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group; A substituted or unsubstituted C2-C30 alkenylene group; Or at least one of methylene (-CH 2 -) is replaced by a sulfonyl (-S (═O) 2- ), carbonyl (-C (═O) -), ether (-O-), sulfide (-S (= O) -), ester (-C (= O) O-), amide (-C (= O) NR-) wherein R is hydrogen or a straight or branched C30 alkylene group or C2 to C30 alkenylene group substituted with imine (-NR-) (wherein R is hydrogen or a straight or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms) or a combination thereof,

Ra 내지 Rd는 화학식 1의 R1 또는 SH이고 Ra 내지 Rd중 적어도 2개는 SH이다. R a to R d are R 1 or SH in formula (1), and at least two of R a to R d are SH.

상기 화학식 1의 제1 모노머의 보다 구체적인 예로는 하기 화학식 1-2 내지 1-5로 표시되는 화합물을 들 수 있다.More specific examples of the first monomer of Formula 1 include the compounds represented by Formulas 1-2 to 1-5 below.

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

X는 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C1 내지 C30의 지방족 유기기, 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C6 내지 C30의 방향족 유기기 또는 탄소-탄소 이중결합 또는 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 C3 내지 C30의 지환족 유기기일 수 있다. 상기 X는 아크릴옥시기; 메타크릴옥시기; C2 내지 C30의 알케닐기; C2 내지 C30의 알키닐기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기; C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기; 또는 C2 내지 C30의 알케닐기 또는 C2 내지 C30의 알키닐기로 치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기에서 선택될 수 있다.X is a C1 to C30 aliphatic organic group having a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, a C6 to C30 aromatic organic group having a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond or a carbon- May be a C3 to C30 alicyclic organic group having a carbon-carbon triple bond. X is an acryloxy group; A methacryloxy group; C2 to C30 alkenyl groups; An alkynyl group of C2 to C30; A substituted or unsubstituted C3 to C30 alicyclic organic group having a double bond or a triple bond in the ring; A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group having a double bond or a triple bond in the ring; A C3 to C30 alicyclic organic group substituted with C2 to C30 alkenyl groups or C2 to C30 alkynyl groups; Or a C3 to C30 heterocycloalkyl group substituted with C2 to C30 alkenyl groups or C2 to C30 alkynyl groups.

상기 화학식 2의 X의 정의에서, 알케닐기는 비닐기, 알릴(allyl)기, 2-부테닐기 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 상기 고리 내에 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 지환족 유기기는 노보넨(norbornene)기, 말레이미드기, 나드이미드(nadimide)기, 테트라하이드로프탈이미드기 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있다.In the definition of X in the above formula (2), the alkenyl group may be selected from a vinyl group, an allyl group, a 2-butenyl group, or a combination thereof. The substituted or unsubstituted C3 to C30 alicyclic organic group having a double bond or a triple bond in the ring may be a norbornene group, a maleimide group, a nadimide group, a tetrahydrophthalimide group, . ≪ / RTI >

상기 화학식 2에서, L2는 치환 또는 비치환된 피롤리디닐기, 치환 또는 비치환된 테트라하이드로퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미딜기, 치환 또는 비치환된 피페리딜기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리옥소트리아지닐기, 치환 또는 비치환의 트리시클로데칸 잔기, 또는 치환 또는 비치환된 이소시아누레이트기일 수 있다.In the general formula (2), L 2 represents a substituted or unsubstituted pyrrolidinyl group, a substituted or unsubstituted tetrahydrofuranyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidyl group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolidinyl group, a substituted or unsubstituted thiazolidinyl group, a substituted or unsubstituted thiazolidinyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolidinyl group,

상기 화학식 2의 제2 모노머의 구체적인 예로는 하기 화학식 2-1 및 화학식 2-2를 들 수 있다.Specific examples of the second monomer of Formula 2 include the following Formula 2-1 and Formula 2-2.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 2-1 및 2-2에서, Z1 내지 Z3는 각각 독립적으로 상기 화학식 2의 *-Y2-(X)n에 해당된다.In Formulas (2-1) and (2-2), Z 1 to Z 3 each independently represent * -Y 2 - (X) n in Formula 2.

보다 구체적인 예로는 하기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5의 화합물을 들 수 있다.More specific examples include compounds represented by the following formulas (2-3) to (2-5).

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 2-4][Chemical Formula 2-4]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 2-5][Chemical Formula 2-5]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 제1 모노머와 제2 모노머는 제1 모노머의 티올기와 제2 모노머의 탄소-탄소 불포화 결합이 1: 약 0.75 내지 1: 약 1.25의 몰비가 되도록 존재할 수 있다. 상기 범위에서 제1 모노머와 제2 모노머를 사용하는 경우 고밀도 네트워크를 가져 우수한 기계적 강도와 물성을 가지는 고분자를 제공할 수 있다.The first monomer and the second monomer may be present such that the carbon-carbon unsaturated bond of the thiol group of the first monomer and the second monomer is in a molar ratio of 1: about 0.75 to 1: about 1.25. When the first and second monomers are used in the above range, a polymer having a high density network and having excellent mechanical strength and physical properties can be provided.

상기 고분자는 말단에 1개의 티올기를 포함하는 제3 모노머; 말단에 1개의 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 제4 모노머; 또는 이들 모두를 더 중합한 고분자일 수 있다.Wherein the polymer comprises a third monomer having one thiol group at the terminal; A fourth monomer having one carbon-carbon unsaturated bond at the terminal thereof; Or all of these may be further polymerized.

상기 제3 모노머는 화학식 1에서 m과 k2가 각각 1인 화합물이며, 제4 모노머는 화학식 2에서 n과 k4가 각각 1인 화합물이다.The third monomer is a compound wherein m and k2 are each 1 in Formula (1), and the fourth monomer is a compound in which n and k4 are each 1 in Formula (2).

상기 제1 모노머와 제2 모노머, 그리고 선택적으로 제3 모노머 및/또는 제4 모노머는 티올기와 탄소-탄소 불포화 결합의 가교반응을 촉진시키기 위한 개시제의 존재 하에서 중합될 수 있다. 상기 개시제로는 포스핀 옥사이드(phospine oxide), 알파-아미노 케톤(α-amino ketone), 페닐글리옥실레이트(phenylglyoxylate), 모노아실 포스핀(monoacyl phosphine), 벤질메틸 케탈(benzyldimethyl-ketal), 히드록시케톤(hydroxyketone) 등이 있다.The first monomer and the second monomer, and optionally the third monomer and / or the fourth monomer, may be polymerized in the presence of an initiator to promote the cross-linking reaction of the thiol group and the carbon-carbon unsaturated bond. The initiator may be selected from the group consisting of phospine oxide, alpha-amino ketone, phenylglyoxylate, monoacyl phosphine, benzyldimethyl-ketal, Hydroxyketone, and the like.

상기 제1 모노머와 상기 제2 모노머는 상온에서 짧은 시간 동안 중합(예를 들어, 경화)시킬 수 있어 발광 입자의 안정성을 저하시킬 수 있는 고온 공정을 실시하지 않아도 된다. 또한 중합 생성물이 치밀한 가교구조를 형성하여 산소 또는 수분 등 외부 인자를 효과적으로 차단할 수 있다.The first monomer and the second monomer can be polymerized (for example, cured) at a room temperature for a short time, so that a high-temperature process that can lower the stability of the luminescent particles can be omitted. In addition, the polymerization product forms a dense crosslinked structure and can effectively block external factors such as oxygen or water.

반도체 나노결정 조성물은 하나 이상의 추가 성분, 예컨대, 난연제, UV광 안정제, 열 안정제, 항산화제, 확산제(diffusing agent), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이러한 추가 성분(들)의 타입/함량은 특정 응용 분야에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 각각의 추가 성분은 반도체 나노결정 조성물의 총 중량을 기준으로, 0.005 내지 5 중량%의 양으로 존재할 수 있다.The semiconductor nanocrystal composition may include one or more additional components such as a flame retardant, a UV light stabilizer, a heat stabilizer, an antioxidant, a diffusing agent, or a combination thereof. The type / content of such additional component (s) may vary depending on the particular application. For example, each additional component may be present in an amount of from 0.005 to 5 wt%, based on the total weight of the semiconductor nanocrystal composition.

다른 구현예에서, 반도체 나노결정-폴리머 복합체는, 반도체 나노결정; 유기 첨가제; 및 중합성 모노머의 중합 생성물 또는 중합성 모노머 및 중합성 올리고머의 혼합물의 중합 생성물을 포함하며, 헤이즈 값이 40% 이상이다. 상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체는, 전술한 반도체 나노결정 조성물로부터, (예컨대, 열처리, 또는 UV 조사 등에 의해) 중합성 모노머/올리고머의 중합을 수행하여 제조할 수 있다. 따라서, 반도체 나노 결정, 유기 첨가제, 중합성 모노머 및 중합성 올리고머에 대한 내용은 전술한 바와 같다. 중합성 모노머/올리고머의 중합 조건은 사용된 모노머/올리고머의 종류를 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 중합성 모노머/올리고머가 광중합 가능한 경우, UV 조사에 의해 중합을 개시할 수 있다.In another embodiment, the semiconductor nanocrystal-polymer composite comprises a semiconductor nanocrystal; Organic additives; And a polymerization product of a polymerizable monomer or a mixture of a polymerizable monomer and a polymerizable oligomer, and has a haze value of 40% or more. The semiconductor nanocrystal-polymer composite can be prepared by performing polymerization of a polymerizable monomer / oligomer (for example, by heat treatment or UV irradiation) from the above-described semiconductor nanocrystal composition. Therefore, the contents of semiconductor nanocrystals, organic additives, polymerizable monomers and polymerizable oligomers are as described above. Polymerization conditions of the polymerizable monomer / oligomer can be appropriately selected in consideration of the type of the monomer / oligomer used and are not particularly limited. When the polymerizable monomer / oligomer can be photopolymerized, the polymerization can be initiated by UV irradiation.

상기 반도체 나노결정 조성물 또는 상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체 내에서 반도체 나노결정의 양은 특별히 제한되지 않으며, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 반도체 나노결정의 양은, 반도체 나노결정 조성물 또는 반도체 나노결정-폴리머 복합체의 중량을 기준으로 0.1 중량% 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 반도체 나노결정의 양은, 반도체 나노결정 조성물 또는 반도체 나노결정-폴리머 복합체의 중량을 기준으로 20 중량% 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
The amount of the semiconductor nanocrystals in the semiconductor nanocrystal composition or the semiconductor nanocrystal-polymer composite is not particularly limited and may be appropriately selected. For example, the amount of semiconductor nanocrystals may be at least 0.1 wt.%, Based on the weight of the semiconductor nanocrystal-composition or semiconductor nanocrystal-polymer composite, but is not limited thereto. The amount of the semiconductor nanocrystals may be 20 wt% or less based on the weight of the semiconductor nanocrystal composition or the semiconductor nanocrystal-polymer composite, but is not limited thereto.

도 1은, 상기 반도체 나노 결정-폴리머 복합체의 제조 공정의 비제한적 일구현예를 모식적으로 나타낸 것이다. 도 1을 참고하면, 콜로이드 상태로 합성된 반도체 나노 결정(이하, 양자점 또는 QD 라고도 함)으로부터 여분의 유기물을 제거하여 유기물 함량 35 wt% 이하의 반도체 나노결정(즉, 베어 QD)을 얻는다. 유기물 제거 방법은 전술한 바와 같다. 나노 결정을 분산 용매에 분산시키고, 상기 유기 첨가제와 상기 중합성 모노머와 혼합한 후 경화하여 제조할 수 있다. 분산용매의 구체적 예로서는, 클로로포름, 헥센, 아크릴레이트계 모노머 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 1 schematically illustrates one non-limiting embodiment of the process for producing the semiconductor nanocrystal-polymer composite. Referring to FIG. 1, semiconductor nanocrystals (ie, QDs) having an organic content of 35 wt% or less are obtained by removing excess organic substances from semiconductor nanocrystals synthesized in a colloid state (hereinafter also referred to as QD or QD). The method for removing organic matter is as described above. Dispersing the nanocrystals in a dispersion solvent, mixing the organic additives with the polymerizable monomer, and curing the mixture. Specific examples of the dispersion solvent include, but are not limited to, chloroform, hexene, acrylate monomers, or combinations thereof.

혼합 방법은 특히 제한되지 않으며, 다양한 방식, 예컨대, 분산, 블랜딩, 교반, 음파처리(sonication), 스파징(sparging), 밀링(milling), 쉐이킹(shaking), 원심 분리형 순환 펌프 혼합(centrifugal circulating pump mixing), 블레이드 혼합(blade mixing), 임팩트 믹싱(impact mixing), 제트 혼합(jet mixing), 균질화(homogenization), 코-스프레이(co-sparying), 고전단 믹싱(high sheer mixing), 싱글 패스 또는 멀티 패스 혼합 등에 의해 수행될 수 있다.The mixing method is not particularly limited and may be carried out in various ways such as dispersion, blending, stirring, sonication, sparging, milling, shaking, centrifugal circulating pump mixing, mixing, blade mixing, impact mixing, jet mixing, homogenization, co-sparing, high sheer mixing, Multipass mixing, and the like.

반도체 나노결정을 LED의 광전환 소재 (color-down converting material)로 사용하여, 기존 형광체에 비해 우월한 색순도를 얻을 수 있다. 이론적인 QD의 양자 효율은 100%이며, 반치폭이 45 nm 이하가 가능하여 색순도가 높기 때문에 기존의 무기 형광체 대비하여 발광 소자에 적용 시 색재현성이 향상될 것으로 기대된다. 그러나, 기존 무기 형광체는 마이크로 크기 정도를 갖는 입자인 반면, 나노 크기를 갖는 QD의 경우는 수명이 짧다. 그러나, QD를 발광 소자에 적용시킬 경우 약 30,000시간 이상의 수명을 확보하여야 실제 적용이 가능한 소자를 개발할 수 있다. 특히 콜로이드 상태의 QD를 LED에 적용할 때, 이들의 높은 효율과 색순도를 유지하여 LED의 효율과 색재현성을 유지하기 위해서는 QD 표면의 패시배이션층(passivation layer)을 잘 보존하도록 하는 것이 중요하다. 현재 발광재료를 LED 칩에 제공(dispense)할 때 인캡슐레이션(encapsulation) 재료인 고분자와 파우더 형태의 발광재료를 단순 혼합하거나 분산제를 사용하여 분산 특성을 향상시키는 방법을 적용하고 있다. 하지만, 콜로이드 상태인 QD는, 인캡슐란트(encapsulant)로 사용되는 실리콘(silicone)과 QD 표면의 유기물 간의 상용성이 적어서 응집(aggregation)이 발생하기 쉽고, 그 과정에서 QD 표면의 유기물도 손실되어 효율 감소가 일어난다. 또, QD 의 합성 조건 및 정제 정도에 따라 남아있는 유기물의 양이 달라서, 폴리머와의 복합체 (composite) 형성 시 재현성을 달성하기 어렵다. 특히, 유기물이 많이 제거된 경우 QD 표면의 리간드 화합물까지 제거되어 장시간 구동 시 QD와 패시베이션층의 퇴화(degradation)가 빠르게 진행되는 문제가 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서, QD와 폴리머 복합체(polymer composite) 형성 시 유기물의 종류와 양을 조절할 필요가 있다. 또한 QD-폴리머 복합체를 LED 1차 광원의 빛을 다운 컨버젼(down-conversion) 하는 용도로 사용할 경우에 복합체 의 두께, QD의 함량에 따라 1차 광원 빛의 투과가 제한되거나 QD 사이 재흡수(reabsorption) 에 의한 휘도 감소의 문제가 있다. By using semiconductor nanocrystals as color-down converting materials for LEDs, superior color purity can be obtained compared to existing phosphors. The quantum efficiency of the theoretical QD is 100% and the half-width of 45 nm or less is possible, and the color purity is high. Therefore, it is expected that the color reproducibility is improved when applied to the light emitting device compared with the conventional inorganic phosphor. However, the conventional inorganic phosphor is a particle having a micron size, whereas a QD having a nanometer size has a short life span. However, when QD is applied to a light emitting device, it is necessary to secure a lifetime of about 30,000 hours or more to develop a device that can be practically applied. In particular, when applying colloidal QDs to LEDs, it is important to preserve the passivation layer of the QD surface to maintain their efficiency and color reproducibility by maintaining their high efficiency and color purity . Currently, when dispensing a light emitting material to an LED chip, a method of simply mixing an encapsulation material with a light emitting material in powder form or using a dispersant to improve dispersion characteristics is applied. However, the colloidal state of QD is apt to cause aggregation due to low compatibility between silicone used as an encapsulant and organic matters on the surface of the QD, Efficiency reduction occurs. In addition, the amount of organic matters remaining depends on the conditions of synthesis and the degree of purification of QD, so that it is difficult to achieve reproducibility in forming a composite with a polymer. Particularly, when a large amount of organic matter is removed, the ligand compound on the surface of the QD is also removed, and the degradation of the QD and the passivation layer progresses rapidly during long-term driving. To solve these problems, it is necessary to control the kind and amount of organic substances in the formation of a polymer composite. In addition, when the QD-polymer composite is used to down-convert the light of the LED primary light source, the transmission of the primary light source may be restricted or the QD reabsorption There is a problem of luminance reduction.

일구현예에 따른 상기 반도체 나노결정 조성물 또는 이로부터 제조된 반도체 나노결정-폴리머 복합체는, 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하여, 높은 휘도와 향상된 수준의 안정성을 동시에 달성할 수 있다. 특정 이론에 의해 구속되려 함은 아니지만, 조성물 또는 복합체 내에 첨가된 유기 첨가제가 QD 표면을 보호하여 공기 및 습기에 대한 안정성을 높이고, 광산화 반응을 막을 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 유기 첨가제가, 광투과율에 대한 영향없이 (예컨대, 시트 또는 필름 형태의)복합체의 헤이즈(haze)를 높일 수 있어 1차 광원의 광학적 경로 길이(optical path length)를 증가시키는 역할을 할 수 있다. 또, 무기 산화물 입자와 달리, 상기 유기 첨가제는, 복합체의 제조를 위한 중합 반응에 실질적 영향을 주지 않고 광 투과율에 대한 부정적 영향 없이 높은 헤이즈 및 휘도를 나타내는 복합체 (필름)을 제공할 수 있다. 따라서, 이러한 복합체를 사용하여 고휘도의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. The semiconductor nanocrystal composition or the semiconductor nanocrystal-polymer composite prepared from the semiconductor nanocrystal composition according to an embodiment can solve the problems of the above-described conventional techniques and achieve high luminance and improved level of stability at the same time. While not intending to be bound by any particular theory, it is believed that the organic additive added to the composition or composite can protect the QD surface to enhance stability to air and moisture and prevent photooxidation. In addition, the organic additive can increase the haze of the composite (e.g., in sheet or film form) without affecting the light transmittance, thereby increasing the optical path length of the primary light source can do. Further, unlike the inorganic oxide particles, the organic additive can provide a composite (film) exhibiting a high haze and a luminance without adversely affecting the light transmittance without substantially affecting the polymerization reaction for producing the composite. Therefore, a high brightness display device can be realized by using such a composite.

전술한 바와 같이, 이러한 반도체 나노결정-폴리머 복합체는, 비제한적인 실시예에서, 콜로이드 상태로 합성하고 여분의 유기물을 제거한 QD를 유기용매에 분산시키거나 분말 상태로 유기 첨가제 및 모노머와 혼합하고, (필요한 경우 용매 제거 후) 예를 들어, 경화(curing) (예컨대, UV 경화)시켜 박막 형태로 제조할 수 있다. 대안적으로, 콜로이드 형태로 합성된 QD표면을, 합성 시 사용된 리간드 화합물과 유사한 화학 구조를 가지고 있는 고분자로 치환한 후 전술한 방식으로 안정한 형태의 QD-폴리머 복합체를 형성할 수 있다. As described above, such a semiconductor nanocrystal-polymer composite can be prepared by dispersing the QD in a colloidal state and removing the excess organic matter in an organic solvent or mixing it with an organic additive and a monomer in a powder state, (After removal of the solvent, if necessary), for example, by curing (e.g., UV curing). Alternatively, the QD surface synthesized in a colloidal form can be substituted with a polymer having a chemical structure similar to that of the ligand compound used in synthesis, and then a stable form of the QD-polymer complex can be formed in the above-described manner.

비제한적인 예에서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제조된 반도체 나노결정-폴리머 복합체 위에, 산소나 수분을 막아줄 수 있는 다양한 보호필름 (예를 들어, 배리어층), 예컨대, 실리카, 티타니아, 또는 알루미나 등을 코팅 또는 라미네이션(lamination)하여 안정성을 증가시킬 수 있다. In a non-limiting example, as shown in FIG. 2, various protective films (e.g., barrier layers), such as silica, titania, or the like, may be formed on the prepared semiconductor nanocrystal- Alumina or the like may be coated or laminated to increase the stability.

다른 구현예에서, 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛은,In another embodiment, the backlight unit for a liquid crystal display device comprises:

LED 광원; 및LED light source; And

상기 LED 광원에 이격되게 설치되어 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널 쪽으로 출사시키는 광전환층And a light switching layer provided so as to be spaced apart from the LED light source so as to convert light incident from the LED light source into white light,

을 포함하고, / RTI >

상기 광전환층은 전술한 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함한다. 상기 백 라이트 유닛은, 상기 LED 광원과 광전환층 사이에 위치하는 도광판(light guide panel)을 더 포함할 수 있다. 반도체 나노결정-폴리머 복합체에 대한 구체적 내용은 전술한 바와 같다. 이하에서, 도면을 참조하여 일 구현예에 따른 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.The light conversion layer includes the above-described semiconductor nanocrystal-polymer composite. The backlight unit may further include a light guide panel disposed between the LED light source and the light switching layer. The details of the semiconductor nanocrystal-polymer composite are as described above. Hereinafter, a backlight unit and a liquid crystal display device including the same according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

도 8은 일 구현예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 액정 디스플레이 장치(10)를 개략적으로 도시한 도면이다8 is a schematic view of a liquid crystal display device 10 including a backlight unit according to one embodiment

도 8을 참조하면, 액정 디스플레이 장치(10)는 백라이트 유닛(100)과 상기 백라이트 유닛(100)으로부터 출사된 백색광을 이용하여 소정 색상의 화상을 형성하는 액정 패널(500)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the liquid crystal display device 10 includes a backlight unit 100 and a liquid crystal panel 500 that forms an image of a predetermined color using white light emitted from the backlight unit 100.

상기 백라이트 유닛(100)은 LED(light emitting diode) 광원(110)과, 상기 LED 광원(110)으로부터 출사된 광을 백색광으로 전환시키는 광전환층(light converting layer, 130)과, 이들 사이에 상기 LED 광원(110)으로부터 출사된 광을 광전환층(130)으로 가이드하기 위한 도광판(120)을 포함한다. 여기서, 상기 LED 광원(110)은 소정 파장의 광을 방출하는 다수의 LED 칩으로 구성된다. 상기 LED 광원(110)은 청색광을 방출하는 LED 광원 또는 자외선을 방출하는 LED 광원일 수 있다. The backlight unit 100 includes a light emitting diode (LED) light source 110, a light converting layer 130 for converting the light emitted from the LED light source 110 into white light, And a light guide plate 120 for guiding the light emitted from the LED light source 110 to the light switching layer 130. Here, the LED light source 110 is composed of a plurality of LED chips emitting light of a predetermined wavelength. The LED light source 110 may be an LED light source emitting blue light or an LED light source emitting ultraviolet light.

상기 도광판(120)의 하부면에는 반사판(reflector)(도시되지 않음)이 더 위치할 수 있다. A reflector (not shown) may be further disposed on the lower surface of the light guide plate 120.

상기 광전환층(130)은 LED 광원(110)으로부터 소정 거리만큼 이격되게 위치하여 상기 LED 광원(110)으로부터 출사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널(500) 쪽으로 출사시킨다. The light conversion layer 130 is spaced apart from the LED light source 110 by a predetermined distance so that the light emitted from the LED light source 110 is converted into white light and emitted to the liquid crystal panel 500.

상기 광전환층(130)은, 전술한 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함한다. 반도체 나노결정-폴리머 복합체에 대한 상세 내용은 전술한 바와 같다. The light conversion layer 130 includes the above-described semiconductor nanocrystal-polymer composite. Details of the semiconductor nanocrystal-polymer composite are as described above.

상기 백라이트 유닛 (100)은 도광판(120) 위에 확산판을 더 포함할 수 있으며, 상기 광전환층(130)은 도광판과 확산판 사이 또는 확산판 위(상기 도광판이 위치한 쪽의 반대쪽)에 위치할 수 있다. LED 광원(110), 도광판, 확산판, 액정 패널의 재질 및 구조는 알려져 있으며, 상업적으로 입수 가능하고, 특별히 제한되지 않는다.The backlight unit 100 may further include a diffusion plate on the light guide plate 120. The light conversion layer 130 may be disposed between the light guide plate and the diffusion plate or on a diffusion plate opposite to the light guide plate . Materials and structures of the LED light source 110, the light guide plate, the diffusion plate, and the liquid crystal panel are known and commercially available, and are not particularly limited.

상기 광전환층(130)에 포함된 전술한 반도체 나노결정-폴리머 복합체는 필름 형태로 제작될 수 있다. 상기 필름은 몰드를 사용하거나 캐스팅(casting)을 통해 다양한 두께와 형태로 제작될 수 있다.The semiconductor nanocrystal-polymer composite included in the light conversion layer 130 may be formed into a film. The film can be manufactured in various thicknesses and shapes by using a mold or by casting.

상기 LED 광원(110)으로부터 출사된 광이 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함하는 광전환층(130)을 통과하게 되면 청색광, 녹색광 및 적색광이 혼합된 백색광을 얻을 수 있다. 여기서, 상기 광전환층(130)을 이루는 반도체 나노결정의 조성 및 사이즈를 변화시키면, 청색광, 녹색광 및 적색광을 원하는 비율로 조절할 수 있게 되고, 이에 따라, 우수한 색재현성 및 색순도를 구현할 수 있는 백색광을 얻을 수 있게 된다. 이러한 백색광의 색좌표는 CIE 1931 색공간(color space)에서 Cx 값은 약 0.24 내지 0.56이고, Cy 값은 약 0.24 내지 0.42의 범위에 있을 수 있다.When the light emitted from the LED light source 110 passes through the light conversion layer 130 including the semiconductor nanocrystal-polymer composite, white light mixed with blue light, green light, and red light can be obtained. When the composition and the size of the semiconductor nanocrystals constituting the light conversion layer 130 are changed, blue light, green light and red light can be controlled at desired ratios, and accordingly white light capable of realizing excellent color reproducibility and color purity can be obtained. . The color coordinates of such white light may have a Cx value in the CIE 1931 color space of about 0.24 to 0.56 and a Cy value in the range of about 0.24 to 0.42.

한편, 상기 광전환층(130)은 복수의 층으로 구성될 수도 있다. 이 경우, 상기 복수의 층들은 LED 광원(110)쪽으로 갈수록 더 낮은 에너지의 발광파장을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들면, LED 광원(110)이 청색 LED 광원이라면, 상기 광전환층(130)은 LED 광원(110)으로부터 멀어지는 방향으로 순차적으로 적층되는 적색 광전환층 및 녹색 광전환층으로 구성될 수 있다. Meanwhile, the light conversion layer 130 may be formed of a plurality of layers. In this case, the plurality of layers may be arranged to have an emission wavelength of a lower energy toward the LED light source 110. For example, if the LED light source 110 is a blue LED light source, the light conversion layer 130 may be composed of a red light conversion layer and a green light conversion layer that are sequentially stacked in a direction away from the LED light source 110 .

도 8에는 도시되어 있지 않지만, 상기 광전환층(130) 위에 확산판, 프리즘 시트, 마이크로렌즈 시트 및 휘도 향상 필름(예를 들어 이중 휘도 향상 필름(DBEF(Double brightness enhance film)))에서 선택되는 적어도 하나의 필름이 더 위치할 수 있다. 또한 상기 광전환층(130)은 도광판, 확산판, 프리즘 시트, 마이크로렌즈 시트 및 휘도 향상 필름(예를 들어 이중 휘도 향상 필름(DBEF(Double brightness enhance film)))에서 선택되는 적어도 두개의 필름 사이에 위치할 수도 있다.Although not shown in FIG. 8, a diffusion plate, a prism sheet, a microlens sheet, and a brightness enhancement film (for example, a double brightness enhancement film (DBEF)) are formed on the light conversion layer 130 At least one film may be further positioned. The light conversion layer 130 may be formed of at least two films selected from a light guide plate, a diffusion plate, a prism sheet, a micro lens sheet, and a brightness enhancement film (for example, double brightness enhancement film (DBEF) As shown in FIG.

도 9는 또 다른 구현예에 따른 백라이트 유닛(102)을 포함하는 액정 디스플레이 장치(20)를 개략적으로 도시한 것이다.9 schematically shows a liquid crystal display device 20 including a backlight unit 102 according to another embodiment.

도 9에 도시된 바와 같이, 광전환층(132)은 반도체 나노 결정-폴리머 복합체 필름(131)의 적어도 한쪽 면에 제1 고분자 필름(133)과 제2 고분자 필름(135)중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 필름(131)의 아래쪽에 위치하는 제2 고분자 필름(135)은 LED 광원(110)으로부터 반도체 나노결정이 열화되는 것을 방지하는 배리어(barrier) 역할을 할 수 있다.9, the light conversion layer 132 may include at least one of the first polymeric film 133 and the second polymeric film 135 on at least one side of the semiconductor nanocrystal- . The second polymer film 135 located below the film 131 may serve as a barrier for preventing the semiconductor nanocrystals from deteriorating from the LED light source 110.

상기 제1 고분자 필름(133)과 제2 고분자 필름(135)은 폴리에스테르, 고리형 올레핀 고분자(cyclic olefin polymer, COP), 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머가 중합된 고분자 및 이들의 조합에서 선택되는 고분자를 포함할 수 있다. 상기 폴리에스테르로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등이 있다. 상기 고리형 올레핀 고분자는 에텐과 같은 사슬형 올레핀 화합물과 노보넨 이나 테트라시클로도데센과 같은 고리형 올레핀 단량체를 중합하여 얻은 고분자를 의미한다. 상기 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머가 중합된 고분자는 위에서 설명된 바와 동일하다. The first polymer film 133 and the second polymer film 135 may be made of a material selected from the group consisting of polyester, a cyclic olefin polymer (COP), a first monomer having at least two thiol (SH) - a polymer obtained by polymerizing a second monomer having at least two carbon unsaturated bonds, and a polymer selected from a combination thereof. Examples of the polyester include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate. The cyclic olefin polymer means a polymer obtained by polymerizing a chain olefin compound such as ethene and a cyclic olefin monomer such as norbornene or tetracyclododecene. The polymer obtained by polymerizing the first monomer having at least two thiol (SH) groups at the terminal and the second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the terminal is the same as described above.

상기 제1 고분자 필름(133)과 제2 고분자 필름(135) 중 적어도 하나는 무기 산화물을 더 포함할 수 있다. 상기 무기 산화물은 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 이들 무기 산화물은 광 확산 물질로 작용할 수 있다. 상기 무기 산화물은 제1 고분자 필름(133) 및 제 2 고분자 필름(135) 표면에 약 10 내지 100nm 두께로 코팅하여 사용할 수도 있다.At least one of the first polymer film 133 and the second polymer film 135 may further include an inorganic oxide. The inorganic oxide may be selected from silica, alumina, titania, zirconia, and combinations thereof. These inorganic oxides can act as light diffusing materials . The inorganic oxide may be coated on the surfaces of the first polymer film 133 and the second polymer film 135 to a thickness of about 10 to 100 nm.

상기 제1 고분자 필름(133)은 반도체 나노 결정과 매트릭스 고분자를 포함하는 필름(131)과 접촉하지 않는 면에 일정 크기의 요철을 가질 수 있다. 상기 제2 고분자 필름(135)도 또한 반도체 나노 결정과 매트릭스 고분자를 포함하는 필름(131)과 접촉하지 않는 면에 일정 크기의 요철을 가질 수 있다. 상기 요철이 표면에 형성된 제1 고분자 필름(133)과 제2 고분자 필름(135)은 LED 광원(110)에서 출사되는 광을 확산시키는 역할을 수행할 수 있다. 따라서 상기 액정 디스플레이 장치는 도광판(120) 위에 존재하는 확산판이나 프리즘 시트를 생략할 수 있다. 그러나 본 발명의 다른 구현예에서 도광판(120) 위에 확산판이나 프리즘 시트가 더 위치할 수 있음은 물론이다. The first polymer film 133 may have irregularities of a predetermined size on a surface not contacting the film 131 including the semiconductor nanocrystals and the matrix polymer. The second polymer film 135 may also have irregularities of a certain size on a surface not contacting the film 131 including the semiconductor nanocrystals and the matrix polymer. The first polymer film 133 and the second polymer film 135 having the concavities and convexities formed on the surface thereof may diffuse light emitted from the LED light source 110. Therefore, the liquid crystal display device can omit a diffusion plate or a prism sheet existing on the light guide plate 120. However, it goes without saying that another diffuser plate or prism sheet may be further disposed on the light guide plate 120 according to another embodiment of the present invention.

도 9에는 도시되어 있지 않지만, 상기 광전환층(132) 위에 확산판, 프리즘 시트, 마이크로렌즈 시트 및 휘도 향상 필름(예를 들어 이중 휘도 향상 필름(DBEF(Double brightness enhance film)))에서 선택되는 적어도 하나의 필름이 더 위치할 수 있다. 또한 상기 광전환층(132)은 도광판, 확산판, 프리즘 시트, 마이크로렌즈 시트 및 휘도 향상 필름(예를 들어 이중 휘도 향상 필름(DBEF(Double brightness enhance film)))에서 선택되는 적어도 두개의 필름 사이에 위치할 수도 있다. Although not shown in FIG. 9, a diffusion plate, a prism sheet, a microlens sheet, and a brightness enhancement film (for example, double brightness enhancement film (DBEF)) are formed on the light conversion layer 132 At least one film may be further positioned. The light conversion layer 132 may be formed between at least two films selected from a light guide plate, a diffusion plate, a prism sheet, a micro lens sheet, and a brightness enhancement film (for example, a double brightness enhancement film (DBEF) As shown in FIG.

이와 같은 백라이트 유닛(100, 102)으로부터 출사된 백색광은 액정 패널(500) 쪽으로 입사된다. 그리고, 상기 액정 패널(500)은 백라이트 유닛(100, 102)으로부터 입사된 백색광을 이용하여 소정 색상의 화상을 형성하게 된다. 여기서, 상기 액정 패널(500)은 제1 편광판(501), 액정층(502), 제2 편광판(503) 및 컬러 필터(504)가 순차적으로 배치된 구조를 가질 수 있다. 상기 백라이트 유닛(100, 102)으로부터 출사된 백색광은 제1 편광판(501), 액정층(502) 및 제2 편광판(503)을 투과하게 되고, 이렇게 투과된 백색광이 컬러 필터(504)에 입사되어 소정 색상의 화상을 형성하게 된다.The white light emitted from the backlight units 100 and 102 is incident on the liquid crystal panel 500 side. The liquid crystal panel 500 forms an image of a predetermined color using the white light incident from the backlight units 100 and 102. Here, the liquid crystal panel 500 may have a structure in which a first polarizer 501, a liquid crystal layer 502, a second polarizer 503, and a color filter 504 are sequentially disposed. The white light emitted from the backlight units 100 and 102 is transmitted through the first polarizing plate 501, the liquid crystal layer 502 and the second polarizing plate 503 and the thus transmitted white light is incident on the color filter 504 Thereby forming an image of a predetermined color.

다른 구현예에서, 액정 디스플레이 장치는,In another embodiment, the liquid crystal display device further comprises:

LED 광원; LED light source;

상기 LED 광원에 이격되게 설치되어 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널 쪽으로 출사시키는 광전환층; A light diverting layer provided so as to be spaced apart from the LED light source and converting light incident from the LED light source into white light and emitting the light to the liquid crystal panel;

And

상기 광전환층으로부터 입사된 광을 이용하여 화상을 형성하는 액정 패널을 포함하고 And a liquid crystal panel for forming an image using light incident from the light conversion layer

상기 광전환층은 전술한 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함한다. 상기 액정 디스플레이 장치는, 상기 LED 광원과 광전환층 사이에 위치하는 도광판을 더 포함할 수 있다. 상기 액정 패널은 특별히 제한되지 않으며, 공지되었거나 상업적으로 입수 가능한 임의의 액정 패널을 포함할 수 있다. 액정 디스플레이 장치에 대한 구체적 내용은 전술한 바와 같다. The light conversion layer includes the above-described semiconductor nanocrystal-polymer composite. The liquid crystal display device may further include a light guide plate positioned between the LED light source and the light conversion layer. The liquid crystal panel is not particularly limited and may include any liquid crystal panel known or commercially available. The details of the liquid crystal display device are as described above.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로써 발명의 범위가 제한되어서는 아니된다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. It should be noted, however, that the embodiments described below are only intended to illustrate or explain the invention in detail, and the scope of the invention should not be limited thereby.

[[ 실시예Example ] ]

참조예Reference Example : 베어 반도체 나노 결정 제조: Bare semiconductor nanocrystal manufacturing

(1) 인듐 아세테이트(indium acetate) 0.2 mmol, 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol, 1-옥타데센(octadecene) 10mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120도씨로 가열한다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환한다. 280도씨로 가열한 후 트리스(트리메틸실릴)포스핀(tris(trimethylsilyl)phosphine: TMS3P) 0.1mmol 및 트리옥틸포스핀 0.5mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 20분간 반응시킨다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 아세톤을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 톨루엔에 분산시킨다. 얻어진 InP 반도체 나노 결정은, UV 제1 흡수 최대 파장 420 내지 600nm를 나타낸다. (1) 0.2 mmol of indium acetate, 0.6 mmol of palmitic acid and 10 mL of 1-octadecene are placed in a reactor and heated to 120 ° C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor is converted to nitrogen. After heating to 280 ° C, a mixed solution of 0.1 mmol of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS3P) and 0.5 mL of trioctylphosphine is rapidly injected and reacted for 20 minutes. Acetone is added to the reaction solution which is quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation is dispersed in toluene. The obtained InP semiconductor nanocrystals exhibit a first absorption maximum wavelength of 420 to 600 nm.

아연 아세테이트 (zinc acetate) 0.3mmoL (0.056g), 올레산(oleic acid) 0.6mmol (0.189g), 및 트리옥틸아민(trioctylamine) 10mL를 반응 플라스크에 넣고 120도에서 10분간 진공처리한다. N2로 반응 플라스크 안을 치환한 후 220도로 승온한다. 위에서 제조한 InP 반도체 나노 결정의 톨루엔 분산액 (OD:0.15) 및 S/TOP 0.6 mmol를 상기 반응 플라스크에 넣고 280도씨로 승온하여 30분 반응시킨다. 반응 종료 후, 반응용액을 상온으로 신속히 냉각하여 InP/ZnS 반도체 나노결정을 포함한 반응물을 얻는다.0.3 mmol (0.056 g) of zinc acetate, 0.6 mmol (0.189 g) of oleic acid and 10 mL of trioctylamine are placed in a reaction flask and vacuum-treated at 120 ° C. for 10 minutes. After replacing the inside of the reaction flask with N 2 , the temperature is raised to 220 ° C. The toluene dispersion (OD: 0.15) and the S / TOP (0.6 mmol) of the InP semiconductor nanocrystals prepared above were placed in the reaction flask, heated to 280 ° C and reacted for 30 minutes. After completion of the reaction, the reaction solution is rapidly cooled to room temperature to obtain a reactant containing InP / ZnS semiconductor nanocrystals.

(2) 상기 InP/ZnS 반도체 나노결정을 포함한 반응물에 과량의 에탄올을 넣고 원심 분리하여 상기 반도체 나노결정 반응물에 존재하는 여분의 유기물을 제거한다. 원심 분리 후 상층액은 버리고, 침전물을 다시 헥산에 녹인 후, 과량의 에탄올을 넣어 다시 원심 분리한다. 이렇게 원심분리된 침전물을 건조하고 나서 클로로포름에 분산시켜 UV-vis 흡광 스펙트럼을 측정한다. (2) Extra ethanol is added to the reactant containing the InP / ZnS semiconductor nanocrystals and centrifuged to remove excess organic substances present in the semiconductor nanocrystal reactant. After centrifugation, discard the supernatant, dissolve the precipitate again in hexane, add excess ethanol, and centrifuge again. The centrifuged sediment is dried and dispersed in chloroform, and the UV-vis absorption spectrum is measured.

(3) (2)에서 원심 분리 후 얻은 침전물을 N2 분위기 하에서 600℃까지 10℃/min 속도로 승온하여 열중량 분석(Thermogravimetric analysis, TGA) 분석을 실시한다. 2회 원심분리 후 침전물에 대한 열중량 분석 결과를 도 12 및 도 13에 나타낸다. 도 12 및 도 13의 결과로부터, 1회 원심 분리 후, 침전물 전체 무게를 기준으로 유기물의 양은 60 wt% 정도이고, 2회 원심 분리 후, 남아있는 유기물의 양은 20 wt% 정도인 것을 확인한다. (3) The precipitate obtained after centrifugation in (2) is subjected to thermogravimetric analysis (TGA) analysis by raising the temperature to 600 ° C. at a rate of 10 ° C./min under N 2 atmosphere. The results of thermogravimetric analysis of precipitates after two centrifugations are shown in FIG. 12 and FIG. From the results shown in Figs. 12 and 13, it is confirmed that the amount of organic matter is about 60 wt% based on the weight of the whole sediment after one centrifugation, and the amount of organic matter remaining after centrifugation twice is about 20 wt%.

(4) (2)에서 2차 원심 분리 후 얻은 침전물에 30 그램의 트리옥틸아민을 부가하여 조성물을 제조한다. 제조된 조성물을 N2 분위기 하에서 600℃까지 10℃/min 속도로 승온하여 열중량 분석(Thermogravimetric analysis, TGA) 분석을 실시하고 그 결과를 도 12 및 도 13에 나타낸다. (4) The composition is prepared by adding 30 grams of trioctylamine to the precipitate obtained by secondary centrifugation in (2). Subjected to the temperature was raised to 10 ℃ / min rate TGA (Thermogravimetric analysis, TGA) analysis of the composition prepared under N 2 atmosphere to 600 ℃ and The results are shown in Figs.

도 12 및 도 13의 결과로부터, 침전물에 별도 부가된 트리옥틸아민은 침전물에 잔류하는 유기물 (예컨대, 나노결정입자에 배위된 리간드 화합물 또는 용매 등)과 다른 온도에서 분해됨을 확인한다.
12 and 13, it is confirmed that the trioctylamine added to the precipitate decomposes at a different temperature from the organic matter remaining in the precipitate (for example, the ligand compound or solvent coordinated to the nanocrystalline particles).

비교 compare 제조예Manufacturing example 1 내지 3 및  1 to 3 and 제조예Manufacturing example 1 내지 2: 반도체 나노결정 조성물의 제조 1 to 2: Preparation of semiconductor nanocrystal compositions

펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토프로피오네이트) [pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate):4T] 0.89 g, 1,3,5-트리알릴-1,3,5-트리아진-2,4,6-트리온(1,3,5-triallyl-1,3,5-trizaine-2,4,6-trione: TTT) 0.61 g, irgacure 754 0.03 g을 혼합하여 모노머 혼합물을 준비한다. 상기 모노머 혼합물을 진공에서 탈포한다. 0.89 g of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate): 4T, 1,3,5-triallyl-1,3,5-triazine-2,4,6- 0.61 g of 3, 5-triallyl-1,3,5-trizaine-2,4,6-trione (TTT) and 0.03 g of irgacure 754 are mixed to prepare a monomer mixture. The monomer mixture is defoamed in vacuo.

참조예에서 제조한 반도체 나노 결정 클로로포름 분산액 [농도: (absorption at 449 nm) X (volume of QD solution (mL)) = 3.75 ]에 아래 표 1에 나타낸 바와 같이, 유기 첨가제를 부가하고(비교 제조예 2 및 3, 제조예 1 내지 2) 휘저어 혼합 용액을 얻는다. 반도체 나노결정 용액을, 그대로(비교 제조예 1) 혹은 전술한 혼합 용액으로 제조하여, 위에서 제조한 모노머 혼합물(1.5 g)과 혼합하고 휘저어(vortexing), 하기 표 1과 같이 반도체 나노결정 조성물 을 얻는다. 얻어진 조성물을 상온에서 1시간 동안 진공 건조하여 조성물 내에 포함된 클로로포름을 제거한다.An organic additive was added to the semiconductor nanocrystalline chloroform dispersion [concentration: (absorption at 449 nm) X (volume of QD solution (mL)) = 3.75] prepared in Reference Example as shown in the following Table 1 2 and 3, Production Examples 1 and 2) to obtain a mixed solution. The semiconductor nanocrystal solution is prepared as it is (Comparative Preparation Example 1) or the above-mentioned mixed solution, mixed with the monomer mixture (1.5 g) prepared above and vortexed to obtain a semiconductor nanocrystal composition as shown in Table 1 below . The obtained composition was vacuum-dried at room temperature for 1 hour to remove chloroform contained in the composition.

샘플Sample 유기 첨가제 종류 Types of organic additives 유기첨가제의 양 (모노머 혼합물 총 중량 기준)Amount of organic additive (based on total weight of monomer mixture) 비교 제조예 1Comparative Preparation Example 1 없음 (X)None (X) -- 비교 제조예 2Comparative Production Example 2 ODE(옥타데센)ODE (octadecene) 0.5 wt%0.5 wt% 비교 제조예 3Comparative Production Example 3 TEA(트리에틸아민)TEA (triethylamine) 2.5 wt%2.5 wt% 제조예 1Production Example 1 TOA (트리옥틸 아민)TOA (trioctylamine) 0.1 wt%0.1 wt% 제조예 2Production Example 2 TOP (트리옥틸 포스핀)TOP (trioctylphosphine) 2.5 wt%2.5 wt%

실시예Example 1 내지 2 및  1 to 2 and 비교예Comparative Example 1 내지 3 1 to 3

배리어가 스퍼터링된 PET 필름 상에 비교 제조예 1 내지 3 및 제조예 1과 2에서 얻은 반도체 나노결정 조성물 각각 1g을 드롭 캐스팅(drop casting) 한다. 배리어는 SiOx (0<x<2, I-component Co.,Ltd.) 이다. 조성물 상에 PET 필름을 덮고 4분간 UV 경화하여(광 강도: 100 mW/cm2), 도 2에 나타낸 바와 같은 구조의 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 얻는다. 1 g of each of the semiconductor nanocrystal compositions obtained in Comparative Production Examples 1 to 3 and Production Examples 1 and 2 was drop cast on a PET film on which a barrier was sputtered. The barrier is SiOx (0 < x < 2, I-component Co., Ltd.). The composition was covered with a PET film and cured by UV for 4 minutes (light intensity: 100 mW / cm 2 ) to obtain a semiconductor nanocrystal-polymer composite film having the structure shown in Fig.

분광 광도계 (Konica Minolta, CM-3600d)를 사용하여 다음과 같은 방법으로 제조된 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름의 헤이즈를 측정한다:Using a spectrophotometer (Konica Minolta, CM-3600d), the haze of a semiconductor nanocrystal-polymer composite film prepared by the following method is measured:

먼저 적분구 내부로 빛을 조사하여 모든 빛을 모은 경우 광량(T1)을 측정하고, 입사되는 빛의 직선 방향에 검정판을 놓아 직선으로 투과되는 빛을 제외시킨 경우 광량(T2)을 측정한다. 이어서, 적분구 입구에 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 위치시키고 적분구 내부로 빛을 조사하여 모든 빛을 모은 경우의 광량(T3)과 입사되는 빛의 직선 방향에 검정판을 놓아 직선으로 투과되는 빛을 제외시킨 경우의 광량(T4) 를 측정하여 (T4/T3 - T2/T1) X 100 (%)를 헤이즈(haze) 로 나타낸다.First, when the light is irradiated into the integrating sphere and all the light is collected, the light amount (T1) is measured. When the light is transmitted through the straight line, the amount of light (T2) is measured. Then, the semiconductor nanocrystal-polymer composite film is placed at the entrance of the integrating sphere, light is irradiated into the integrating sphere, and the light amount (T3) when all the light is collected and the black plate placed in the linear direction of the incident light, The light amount T4 when the light is excluded is measured (T4 / T3 - T2 / T1) and X 100 (%) is expressed as haze.

상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을, 피크 파장이 449 nm 인 청색 LED 를 장착한 60인치 TV 의 도광판과 광학필름 (즉 프리즘 시트, 마이크로렌즈 시트, 휘도 강화 필름) 사이에 삽입하고 TV 를 구동하여 약 30 cm 앞에서 스펙트로라디오미터(spectroradiometer) (Konica minolta, CS-2000) 로 휘도(상대 휘도)를 측정한다. 휘도는 기준 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름(reference film) 에 대한 상대적 값이다.The semiconductor nanocrystal-polymer composite film was inserted between a light guide plate of a 60-inch TV having a blue LED having a peak wavelength of 449 nm and an optical film (i.e., a prism sheet, a micro lens sheet, and a brightness enhancement film) Measure the luminance (relative luminance) with a spectroradiometer (Konica minolta, CS-2000) in front of about 30 cm. The brightness is a relative value to a reference semiconductor nanocrystal-polymer composite film (reference film).

헤이즈 및 휘도 측정 결과를 아래 표 2 및 도 3과 도 4에 나타낸다.The haze and luminance measurement results are shown in Table 2 below and in FIG. 3 and FIG.

샘플Sample 헤이즈(%)Haze (%) 필름의 상대 휘도 (%) Relative luminance of film (%) 비교예 1Comparative Example 1 21.021.0 4040 비교예 2Comparative Example 2 19.219.2 3333 비교예 3Comparative Example 3 28.428.4 4545 실시예 1Example 1 50.250.2 9494 실시예 2Example 2 93.393.3 9494

실시예 1 및 실시예 2의 경우, 산란이 증가하여 헤이즈 값이 대폭 (200% 이상, 높게는 400% 이상) 증가하고, 휘도도 현저히 (200% 이상) 증가하는 것을 확인한다.It is confirmed that the scattering increases and the haze value increases significantly (200% or more, more preferably 400% or more) and the luminance increases remarkably (200% or more) in Examples 1 and 2.

제조예Manufacturing example 3 내지  3 to 제조예Manufacturing example 6: 6: 반도체 나노결정 조성물의 제조 Preparation of semiconductor nanocrystal compositions IIII

유기 첨가제로서, 올레일아민(제조예 3)을 0.37 중량%, 옥틸아민(제조예 4)을 0.18 중량%, 디옥틸아민 (제조예 5)을 0.34 중량% 및 트리옥틸포스핀 옥사이드(제조예 6)을 2.5 중량% 사용하는 것을 제외하고는, 제조예 1과 동일한 방식으로 반도체 나노 결정 조성물을 제조한다.0.37% by weight of oleylamine (Production Example 3), 0.18% by weight of octylamine (Production Example 4), 0.34% by weight of dioctylamine (Preparation Example 5) and 0.34% by weight of trioctylphosphine oxide 6) was used in an amount of 2.5% by weight, a semiconductor nanocrystal composition was prepared in the same manner as in Production Example 1.

실시예Example 3 내지 6 3 to 6

제조예 3 내지 6의 반도체 나노결정 조성물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 제조하고, 각각의 필름에 대하여 휘도를 측정한다. 그 결과를 도 5 및 표 3에 나타낸다.A semiconductor nanocrystal-polymer composite film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the semiconductor nanocrystal compositions of Production Examples 3 to 6 were used, and the luminance was measured for each film. The results are shown in Fig. 5 and Table 3.

유기첨가제 (함량)Organic additive (content) 헤이즈Hayes 값 (%) Value (%) 휘도 (%)Brightness (%) 실시예Example 3 3 올레일아민 (0.37wt%)Oleylamine (0.37 wt%) 64.764.7 7676 실시예Example 4 4 옥틸아민 (0.18wt)Octylamine (0.18 wt) 74.974.9 7979 실시예Example 5 5 디옥틸아민 (0.34wt)Dioctylamine (0.34 wt) -- 8484 실시예Example 6 6 트리옥틸포스핀 옥사이드 (2.5wt%)Trioctylphosphine oxide (2.5 wt%) 87.887.8 8484

도 5 및 표 3의 결과는, 유기 첨가제의 부가에 의해 제조된 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름의 휘도가 대략 2배 이상 향상될 수 있음을 확인한다.5 and Table 3 confirm that the luminance of the semiconductor nanocrystal-polymer composite film produced by the addition of the organic additive can be improved by about two times or more.

실시예Example 7: 7: 유기 첨가제의 첨가량에 따른 휘도 변화Change of luminance according to addition amount of organic additive

트리옥틸아민(trioctylamine: TOA) 또는 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine: TOP)을 각각 아래 표 4와 같이 포함하는 반도체 나노결정 조성물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1 또는 실시예 2와 동일한 방식으로 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 제조하고, 제조된 각각의 필름에 대하여 헤이즈 및 휘도를 측정한다. 그 결과를 도 6 및 표 4에 나타낸다. Except that a semiconductor nanocrystal composition containing trioctylamine (TOA) or trioctylphosphine (TOP) as shown in Table 4 below was used, respectively, in the same manner as in Example 1 or Example 2 A semiconductor nanocrystal-polymer composite film is prepared, and haze and luminance are measured for each of the produced films. The results are shown in Fig. 6 and Table 4.

유기첨가제 (함량)Organic additive (content) 헤이즈Hayes 값 (%) Value (%) 휘도 (%)Brightness (%) 실시예Example 7 7 TOA 0.5 wt%TOA 0.5 wt% 50.950.9 8888 TOA 2.5 wt%TOA 2.5 wt% 94.594.5 9191 TOA 5 wt%TOA 5 wt% 95.595.5 9191 TOP 1 wt%TOP 1 wt% 90.690.6 6969 TOP 5 wt%TOP 5 wt% 95.095.0 8888

도 6 및 표 4의 결과로부터, 유기물 첨가에 의해 필름의 헤이즈값 및 휘도가 상승하는 것을 확인한다.From the results of FIG. 6 and Table 4, it is confirmed that the haze value and the luminance of the film are increased by the addition of the organic substance.

실시예Example 8: 신뢰성 평가 8: Reliability evaluation

여분의 유기물 제거 공정을 1회 또는 2회 거친 반도체 나노 결정을 사용하고, 트리옥틸아민(TOA) 0.5 중량%, 트리옥틸포스핀(TOP) 5 중량%, 또는 트리옥틸포스핀(TOP) 10 중량%를 사용하여 제조된 반도체 나노결정-폴리머 복합체에 대하여 아래와 같은 방식으로 백라이트 유닛 구동 시 신뢰성을 시험하였다:The excess organic material removal process was carried out once or twice and the semiconductor nanocrystals were used, and 0.5 wt% of trioctylamine (TOA), 5 wt% of trioctylphosphine (TOP), 10 wt% of trioctylphosphine (TOP) %, The reliability was tested for driving the backlight unit in the following manner: &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 피크 파장이 449 nm 인 청색 LED를 장착한 40인치 TV 의 도광판과 광학필름 (프리즘 시트, 마이크로렌즈, 휘도 강화 필름) 사이에 삽입하고 TV 를 구동하여 약 30 cm 앞에서 스펙트로라디오미터 (Konica minolta, CS-2000) 로 휘도를 측정한다. 50도 고온구동 챔버에서 시간 경과에 따라 휘도를 측정하여 휘도 변화를 비교한다.The semiconductor nanocrystal-polymer composite film was inserted between a light guide plate of a 40-inch TV equipped with a blue LED having a peak wavelength of 449 nm and an optical film (prism sheet, microlens, brightness enhancement film) The luminance is measured with a spectro radometer (Konica minolta, CS-2000). In a 50 degree high temperature drive chamber, the brightness is measured over time to compare the change in brightness.

그 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7로부터, 실시예의 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름은, (높은 휘도 뿐만 아니라) 우수한 안정성도 가짐을 확인한다.The results are shown in Fig. From Fig. 7, it is confirmed that the semiconductor nanocrystal-polymer composite film of the embodiment has excellent stability (as well as high luminance).

비교 compare 제조예Manufacturing example 4 내지 5 및  4 to 5 and 제조예Manufacturing example 7: 반도체 나노결정 조성물의 제조 7: Fabrication of semiconductor nanocrystal composition

라우릴메타크릴레이트(lauryl methacrylate, 모노머) 30 중량부, 트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트(tricyclodecane dimethanol diacrylate, 모노머) 36 중량부, 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트(trimethylol propane triacrylate, 모노머) 4 중량부, 에폭시디아크릴레이트 올리고머(epoxy diacrylate oligomer, 제조사:Satomer, 올리고머) 20 중량부를 혼합하여 모노머/올리고머 혼합물을 얻고, 여기에, 1-히드록시-시클로헥실-페닐케톤(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone) 1 중량부, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드 (2,4,6-Trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphineoxide) 1 중량부 를 더 넣어 최종 혼합물을 준비한다. 상기 최종 혼합물을 진공에서 탈포한다.30 parts by weight of lauryl methacrylate (monomer), 36 parts by weight of tricyclodecane dimethanol diacrylate (monomer), 4 parts by weight of trimethylol propane triacrylate (monomer) And 20 parts by weight of an epoxy diacrylate oligomer (manufactured by Satomer, oligomer) were mixed to obtain a monomer / oligomer mixture, and 1-hydroxy-cyclohexyl- phenyl-ketone) and 1 part by weight of 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide to prepare a final mixture. The final mixture is degassed in vacuo.

참조예에 기재된 바와 동일한 방식으로, 반도체 나노 결정을 1회 원심 분리한다. 얻어진 반도체 나노결정의 톨루엔 분산액 [농도: (absorption at 449 nm) X (volume of QD solution (mL)) = 3.75]을 다시 과량의 에탄올과 혼합하여 원심 분리한다. 분리된 반도체 나노결정을 10 중량부의 라우릴메타크릴레이트 (lauryl methacrylate, 모노머) 에 분산시킨 후, 하기 표 5에 나타낸 바와 같이 첨가제를 부가하고(비교 제조예 5, 제조예 7) 휘저어 혼합 용액을 얻는다. 참조예에서 제조한 반도체 나노결정 클로로포름 분산액을, 그대로(비교 제조예 4) 혹은 전술한 바와 같이 혼합 용액으로 제조하여, 상기 모노머(올리고머) 혼합물 90 중량부를 포함한 최종 혼합물에 넣고 휘저어(vortexing), 반도체 나노결정 조성물을 얻는다.In the same manner as described in the Reference Example, the semiconductor nanocrystals are centrifuged once. The toluene dispersion of the obtained semiconductor nanocrystals (concentration: (absorption at 449 nm) X (volume of QD solution (mL)) = 3.75) is again mixed with an excess of ethanol and centrifuged. The separated semiconductor nanocrystals were dispersed in 10 parts by weight of lauryl methacrylate (monomer), and then additives were added as shown in the following Table 5 (Comparative Preparation Example 5, Production Example 7) . The semiconductor nanocrystalline chloroform dispersion prepared in Reference Example was prepared as a mixture solution (Comparative Preparation Example 4) or as described above, and the resulting mixture was put into a final mixture containing 90 parts by weight of the monomer (oligomer) mixture, followed by vortexing, To obtain a nanocrystal composition.

샘플Sample 첨가제additive 첨가제의 양 (모노머 및 올리고머 총 100 중량부 당)The amount of additive (per 100 parts by weight of total monomer and oligomer) 비교 제조예 4Comparative Production Example 4 없음none -- 비교 제조예 5Comparative Preparation Example 5 실리카(구입처: 시그마-알드리치 상품명: #748161)Silica (purchased from Sigma-Aldrich) # 748161) 5 중량부5 parts by weight 제조예 7Production Example 7 TOP (트리옥틸 포스핀)TOP (trioctylphosphine) 5 중량부5 parts by weight

실시예 9 및 비교예 4 및 5 : Example 9 and Comparative Examples 4 and 5 :

제조예 7 및 비교 제조예 4 및 5의 반도체 나노결정 조성물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 반도체 나노결정-폴리머 복합체 필름을 제조하고, 각각의 필름에 대하여 헤이즈 및 휘도를 측정한다. 그 결과를 도 10 및 도 11에 나타낸다.A semiconductor nanocrystal-polymer composite film was produced in the same manner as in Example 1, except that the semiconductor nanocrystal compositions of Production Example 7 and Comparative Production Examples 4 and 5 were used, and haze and luminance were measured for each film . The results are shown in Fig. 10 and Fig.

도 10 및 도 11로부터, 첨가제로서 트리옥틸포스핀을 함유하는 실시예 9의 필름이 첨가제를 포함하지 않는 비교예 4의 필름 및 (에폭시 수지와의 굴절률 (RI) 차이가 더 큰) 실리카를 포함하는 비교예 5의 필름에 비해 훨씬 높은 헤이즈값 (61.4%)을 가지면서 현저히 향상된 휘도값(81%)을 나타낼 수 있음을 확인한다.10 and 11, the film of Example 9 containing trioctylphosphine as an additive includes the film of Comparative Example 4 containing no additive and silica (having a difference in refractive index (RI) from epoxy resin) (81%) while having a much higher haze value (61.4%) than that of the film of Comparative Example 5, which has a significantly improved luminance value.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And falls within the scope of the invention.

Claims (23)

반도체 나노 결정; 유기 첨가제; 중합성 모노머, 중합성 올리고머, 및 이들의 조합으로부터 선택된 하나 이상의 중합 가능 성분(polymerizable substance)을 포함하되, 중합 후 40% 이상의 헤이즈를 나타내는 반도체 나노 결정 조성물. Semiconductor nanocrystals; Organic additives; A semiconductor nanocrystal composition comprising at least one polymerizable substance selected from polymerizable monomers, polymerizable oligomers, and combinations thereof, wherein the semiconductor nanocrystal composition exhibits a haze of at least 40% after polymerization. 제1항에 있어서,
상기 중합 가능성분은, 중합성 모노머 및 중합성 올리고머를 포함하는 반도체 나노 결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the polymerizable component comprises a polymerizable monomer and a polymerizable oligomer.
제1항에 있어서,
상기 반도체 나노결정은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소 혹은 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 나노 결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor nanocrystals comprise Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV elements or compounds, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 반도체 나노 결정은 코어쉘 구조를 가지는 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor nanocrystals have a core shell structure.
제1항에 있어서,
상기 반도체 나노 결정은, 양자 효율이 50% 이상인 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor nanocrystals have a quantum efficiency of 50% or more.
제1항에 있어서,
상기 반도체 나노 결정은, 반치폭이 45nm 이하인 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor nanocrystals have a half-width of 45 nm or less.
제1항에 있어서,
상기 반도체 나노 결정은, 리간드 화합물, 용매, 또는 양자를 포함한 상기 나노 결정의 표면을 둘러싼 유기물의 함량이, 상기 반도체 나노결정의 총 중량을 기준으로 35 중량% 이하인 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor nanocrystals have a content of an organic substance surrounding the surface of the nanocrystals including a ligand compound, a solvent, or both, of 35% by weight or less based on the total weight of the semiconductor nanocrystals.
제1항에 있어서,
상기 유기 첨가제는 C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 아민, C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 포스핀, C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진포스핀 옥사이드, , 또는 이들의 조합인 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
The organic additive may include an amine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphine oxide having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, Or a combination thereof.
제1항 에 있어서,
상기 유기 첨가제는, 상기 중합 가능 성분의 총 중량을 기준으로 0.05 중량% 내지 10 중량%의 양으로 포함하는 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the organic additive comprises from 0.05% to 10% by weight, based on the total weight of the polymerizable component.
제1항에 있어서,
상기 중합성 모노머는, 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머의 혼합물, 아크릴레이트계 모노머, 메타아크릴레이트계 모노머, 우레탄 (메타)아크릴레이트계 모노머, 에폭시계 모노머, 실리콘계 모노머, 또는 이들의 조합을 포함하고,
상기 중합성 올리고머는, 아크릴레이트 올리고머, 메타크릴레이트 올리고머, 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 올리고머, 실리콘 올리고머, 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
The polymerizable monomer may be a mixture of a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the ends thereof and a second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the ends thereof, an acrylate monomer, a methacrylate monomer, Urethane (meth) acrylate-based monomer, epoxy-based monomer, silicone-based monomer, or a combination thereof,
Wherein the polymerizable oligomer comprises an acrylate oligomer, a methacrylate oligomer, a urethane acrylate oligomer, an epoxy oligomer, a silicone oligomer, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 반도체 나노결정 조성물은 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화아연, 및 이들의 조합으로부터 선택된 무기 산화물을 더 포함하는 반도체 나노결정 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor nanocrystal composition further comprises an inorganic oxide selected from silica, alumina, titania, zirconia, zinc oxide, and combinations thereof.
반도체 나노결정; 유기 첨가제; 및 중합성 모노머 및 중합성 올리고머로부터 선택된 1종 이상의 중합성분의 중합체를 포함하며, 헤이즈 값이 40% 이상인 반도체 나노결정-폴리머 복합체.Semiconductor nanocrystals; Organic additives; And a polymer of at least one polymerization component selected from a polymerizable monomer and a polymerizable oligomer, wherein the semiconductor nanocrystalline-polymer complex has a haze value of 40% or more. 제12항에 있어서,
상기 복합체는, 필름 형태인 반도체 나노결정 - 폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
The composite is a film-like semiconductor nanocrystal-polymer composite.
제12항에 있어서,
상기 반도체 나노결정은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소 혹은 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 나노결정-폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
Wherein the semiconductor nanocrystals comprise Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV elements or compounds, or combinations thereof.
제12항에 있어서,
상기 반도체 나노결정은, 녹색광 또는 적색광을 발하는 반도체 나노결정-폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
Wherein the semiconductor nanocrystals emit green light or red light.
제12항에 있어서,
실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화아연, 및 이들의 조합으로부터 선택된 무기 산화물을 더 포함하는 반도체 나노결정-폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
Further comprising an inorganic oxide selected from silica, alumina, titania, zirconia, zinc oxide, and combinations thereof.
제12항에 있어서,
상기 유기 첨가제는 C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 아민, C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 포스핀, C8 내지 C30의 알킬기 또는 알케닐기를 하나 이상 가진 포스핀 옥사이드, 또는 이들의 조합인 반도체 나노결정-폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
The organic additive may include an amine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphine having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, a phosphine oxide having at least one C8 to C30 alkyl or alkenyl group, A combination thereof, a semiconductor nanocrystal-polymer composite.
제12항에 있어서,
상기 유기 첨가제는, 상기 중합성 모노머 또는 상기 중합성 모노머 및 상기 중합성 올리고머의 총 중량을 기준으로 0.05 중량% 내지 10 중량%의 양으로 포함되는 반도체 나노결정-폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
Wherein the organic additive is contained in an amount of 0.05% by weight to 10% by weight based on the total weight of the polymerizable monomer or the polymerizable monomer and the polymerizable oligomer.
제12항에 있어서,
상기 중합성 모노머는, 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머의 혼합물, 아크릴레이트계 모노머, 메타아크릴레이트계 모노머, 우레탄(메타)아크릴레이트 모노머, 에폭시계 모노머, 실리콘계 모노머, 또는 이들의 조합이고,
상기 중합성 올리고머는 아크릴레이트계 올리고머, 메타크릴레이트계 올리고머, 우레탄 (메타)아크릴레이트계 올리고머, 에폭시계 올리고머, 실리콘계 올리고머, 또는 이들의 조합인 반도체 나노결정-폴리머 복합체.
13. The method of claim 12,
The polymerizable monomer may be a mixture of a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the ends thereof and a second monomer having at least two carbon-carbon unsaturated bonds at the ends thereof, an acrylate monomer, a methacrylate monomer, Urethane (meth) acrylate monomers, epoxy-based monomers, silicone-based monomers, or combinations thereof,
The polymerizable oligomer may be an acrylate oligomer, a methacrylate oligomer, a urethane (meth) acrylate oligomer, an epoxy oligomer, a silicone oligomer, or a combination thereof.
LED 광원;
상기 LED 광원에 이격되게 설치되어 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널 쪽으로 출사시키는 광전환층
을 포함하고, 상기 광전환층은, 제12항의 반도체 나노결정-폴리머 복합체를 포함하는 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛.
LED light source;
And a light switching layer provided so as to be spaced apart from the LED light source so as to convert light incident from the LED light source into white light,
Wherein the light conversion layer comprises the semiconductor nanocrystal-polymer composite of claim 12. 12. A backlight unit for a liquid crystal display device, comprising:
제20항에 있어서,
상기 광전환층은, 상기 반도체 나노결정-폴리머 복합체의 필름; 및 상기 필름의 적어도 하나의 일면에 위치하는 제1 고분자 필름과 제2 고분자 필름 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제1 고분자 필름과 제2 고분자 필름은 폴리에스테르, 고리형 올레핀 고분자(cyclic olefin polymer, COP), 말단에 티올(SH)기를 적어도 2개 가지는 제1 모노머 및 말단에 탄소-탄소 불포화 결합을 적어도 2개 가지는 제2 모노머가 중합된 고분자 및 이들의 조합에서 선택되는 고분자를 포함하는, 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛.
21. The method of claim 20,
Wherein the light conversion layer comprises: a film of the semiconductor nanocrystal-polymer composite; And at least one of a first polymer film and a second polymer film positioned on at least one side of the film,
Wherein the first polymer film and the second polymer film are made of a polyester, a cyclic olefin polymer (COP), a first monomer having at least two thiol (SH) groups at the terminal, and a second monomer having at least two carbon- And the second polymer comprises a polymer selected from the group consisting of a polymer obtained by polymerizing a second monomer and a polymer selected from a combination thereof.
제21항에 있어서,
상기 제1 고분자 필름 및 제2 고분자 필름의 적어도 하나는 무기산화물을 더 포함하는 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛.
22. The method of claim 21,
Wherein at least one of the first polymer film and the second polymer film further comprises an inorganic oxide.
제21항에 있어서,
상기 제1 고분자 필름 및 상기 제2 고분자 필름 중 적어도 하나는 상기 광전환층과 접촉하지 않는 면에 요철을 가지는 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛.
22. The method of claim 21,
Wherein at least one of the first polymer film and the second polymer film has irregularities on a surface not in contact with the light conversion layer.
KR1020140131933A 2013-10-08 2014-09-30 Nanocrystal polymer composites and processes for preparing the same KR101546938B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/503,764 US9778510B2 (en) 2013-10-08 2014-10-01 Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
CN201810952629.4A CN109239974B (en) 2013-10-08 2014-10-08 Display device with a light-shielding layer
CN201410525122.2A CN104513335B (en) 2013-10-08 2014-10-08 Semiconductor nanocrystal composition, semiconductor nanocrystal-polymer complex and the back light unit for liquid crystal display device
US15/707,195 US10001671B2 (en) 2013-10-08 2017-09-18 Nanocrystal polymer composites and production methods thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130120151 2013-10-08
KR1020130120151 2013-10-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150041581A true KR20150041581A (en) 2015-04-16
KR101546938B1 KR101546938B1 (en) 2015-08-24

Family

ID=53035031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140131933A KR101546938B1 (en) 2013-10-08 2014-09-30 Nanocrystal polymer composites and processes for preparing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101546938B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180018891A (en) * 2016-08-09 2018-02-22 삼성전자주식회사 Quantum dot polymer composites and devices including the same
KR20180094788A (en) * 2017-02-16 2018-08-24 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 Methods for making improved quantum dot resin formulations
KR20180094787A (en) * 2017-02-16 2018-08-24 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
KR20220055825A (en) * 2020-10-27 2022-05-04 삼성에스디아이 주식회사 Curable composition for electrophoresis apparatus, cured layer and display device using the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102653473B1 (en) * 2015-12-29 2024-04-01 삼성전자주식회사 Electronic devices including quantum dots

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180018891A (en) * 2016-08-09 2018-02-22 삼성전자주식회사 Quantum dot polymer composites and devices including the same
US11958998B2 (en) 2016-08-09 2024-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, quantum dot polymer composites prepared therefrom, and devices including the same
KR20180094788A (en) * 2017-02-16 2018-08-24 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 Methods for making improved quantum dot resin formulations
KR20180094787A (en) * 2017-02-16 2018-08-24 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
CN108440756A (en) * 2017-02-16 2018-08-24 陶氏环球技术有限责任公司 Including the polymer composites and film of reactive additive with mercapto are for the dispersion of raising quantum dot and barrier property
KR20220055825A (en) * 2020-10-27 2022-05-04 삼성에스디아이 주식회사 Curable composition for electrophoresis apparatus, cured layer and display device using the same
WO2022092556A1 (en) * 2020-10-27 2022-05-05 삼성에스디아이 주식회사 Curable composition for electrophoretic apparatus, cured film using same, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101546938B1 (en) 2015-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10001671B2 (en) Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
US11567360B2 (en) Backlight unit and liquid crystal display including the same
KR102309892B1 (en) Compositions and polymer composites prepared from the same
US10053556B2 (en) Barrier coating compositions, composites prepared therefrom, and quantum dot polymer composite articles including the same
CN107433746B (en) Layered structure, quantum dot sheet, and electronic device including the same
KR101712033B1 (en) Backlight Unit and Liquid Crystal Display Including Same
KR102427698B1 (en) Quantum dot-polymer micronized composite, production method thereof, and article and electronic device including the same
KR20180019003A (en) Quantum dot aggregate particles, production methods thereof, and compositions and electronic devices including the same
KR101644051B1 (en) Optoelectronic device and laminated structure
KR20130046881A (en) Semiconductor nanocrystal-polymer micronized composite, method of preparing the same, and optoelectronic device
KR20160109497A (en) Barrier films and quantum dot polymer composite articles including the same
KR101546938B1 (en) Nanocrystal polymer composites and processes for preparing the same
US9181471B2 (en) White light emitting device
KR20150018693A (en) Methods of grinding semiconductor nanocrystal polymer composite particles
KR101569084B1 (en) Photoluminescent layered composites and back light unit and display device including the same
KR101835111B1 (en) Liquid Crystal Display Device and Semiconductor Nanocrystal-Polymer Composite
KR101991695B1 (en) Barrier films and quantum dot polymer composite articles including the same
KR20170112054A (en) Barrier films and quantum dot polymer composite articles including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180717

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190717

Year of fee payment: 5