KR20150040661A - Organic light- emitting display apparatus and method for manufacturing organic light- emitting display apparatus - Google Patents

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KR20150040661A
KR20150040661A KR20130119448A KR20130119448A KR20150040661A KR 20150040661 A KR20150040661 A KR 20150040661A KR 20130119448 A KR20130119448 A KR 20130119448A KR 20130119448 A KR20130119448 A KR 20130119448A KR 20150040661 A KR20150040661 A KR 20150040661A
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organic light
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정희성
이현식
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention relates to an organic light-emitting display apparatus comprising a plurality of sub-pixels formed on a substrate, wherein each of the plurality of sub-pixels includes a first electrode, a second electrode disposed on the first electrode, and an organic light emitting layer interposed between the first and second electrodes; and one of the plurality of sub-pixels includes a light-transmitting conductive pattern layer formed on a first electrode thereof.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법{Organic light- emitting display apparatus and method for manufacturing organic light- emitting display apparatus}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light-emitting display device and a method of manufacturing the organic light-

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display and a method of manufacturing an organic light emitting display.

근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 특히, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다. 2. Description of the Related Art Recently, display devices have been diversified in use. Particularly, the thickness of the display device is reduced and the weight is lighter, and the range of use is widening.

이 중 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 소비 전력 특성, 화질 특성 등이 우수하여 근래에 많은 연구가 진행되고 있다.Among these organic light emitting display devices, self-emission display devices are excellent in power consumption characteristics, image quality characteristics, and the like, and many studies have been conducted in recent years.

유기 발광 표시 장치는 크게 제1 전극, 이와 대향되는 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극의 사이에 배치된 유기 발광층을 구비한다. 유기 발광층은 제1 전극 및 제2 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자의 재결합을 통하여 가시 광선을 발생한다.The organic light emitting display includes a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode. The organic light emitting layer generates visible light through recombination of holes and electrons when a voltage is applied to the first electrode and the second electrode.

유기 발광 표시 장치의 광효율 및 화질 특성의 향상을 위하여 유기 발광 표시 장치의 구성 및 재료등에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있고, 또한 그 제조 방법등에 대한 연구도 계속되고 있다.In order to improve the light efficiency and image quality characteristics of the organic light emitting display, researches on the structure and materials of the organic light emitting display have been progressing actively, and research on the manufacturing method has been continued.

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an organic light emitting display and a method of manufacturing an organic light emitting display.

본 발명의 일 실시예는 기판 상에 형성되는 복수의 부화소를 구비하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 상기 복수의 부화소들은 각각, 제1 전극, 상기 제1 전극 상부에 배치되는 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 유기 발광층을 포함하고, 상기 복수의 부화소들 중 일 부화소는 상기 제1 전극 상에 형성된 광투과형 도전 패턴을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.One embodiment of the present invention is directed to an organic light emitting diode display having a plurality of sub-pixels formed on a substrate, wherein each of the plurality of sub-pixels includes a first electrode, a second electrode disposed above the first electrode, And an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein a pixel of the plurality of sub-pixels includes a light transmission type conductive pattern formed on the first electrode. do.

본 실시예에 있어서 상기 복수의 부화소들은 적어도 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소를 구비하고, 상기 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소에 구비된 유기 발광층들은 각각 제1 색, 제2 색 및 제3 색의 가시 광선을 발광하고, 상기 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색 및 제3 색은 청색이고, 상기 광투과형 도전 패턴은 상기 제2 부화소에만 형성될 수 있다.In this embodiment, the plurality of sub-pixels include at least a first sub-pixel, a second sub-pixel and a third sub-pixel, and the organic light-emitting layer included in the first, second, And the third color is blue, and the light transmission type conductive pattern is a color light of the first color, the second color and the third color, the first color is red, the second color is green, It can be formed only in the pixel.

본 실시예에 있어서 상기 제2 부화소에 구비된 유기 발광층의 두께는 320옹스트롬 내지 390옹스트롬일 수 있다.In this embodiment, the thickness of the organic light emitting layer included in the second sub-pixel may be 320 to 390 angstroms.

본 실시예에 있어서 상기 제1 부화소에는 상기 유기 발광층과 접하고 상기 유기 발광층과 상기 제1 전극의 사이에 배치된 보조층이 더 형성될 수 있다.In the present embodiment, the first sub-pixel may further include an auxiliary layer which is in contact with the organic light-emitting layer and is disposed between the organic light-emitting layer and the first electrode.

본 실시예에 있어서 상기 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소에 구비된 유기 발광층들은 각각 두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)를 갖도록 형성되고, 상기 유기 발광층들의 두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)의 크기는 두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)의 순서대로 작아질 수 있다.In this embodiment, the organic light emitting layers included in the first sub-pixel, the second sub-pixel and the third sub-pixel are formed to have a thickness DR, a thickness DG and a thickness DB, The thickness DR, the thickness DG and the thickness DB can be reduced in order of the thickness DR, the thickness DG and the thickness DB.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴의 두께는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬일 수 있다.In this embodiment, the thickness of the light transmission type conductive pattern may be 230 angstroms to 280 angstroms.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴은 상기 제1 전극의 상면과 접하고 상기 제1 전극과 동일한 패턴을 갖도록 형성될 수 있다.In this embodiment, the light transmission type conductive pattern may be formed so as to be in contact with the upper surface of the first electrode and have the same pattern as the first electrode.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴은 적어도 상기 제1 전극을 형성하는 재료 중 적어도 하나를 함유할 수 있다.In the present embodiment, the light transmission type conductive pattern may contain at least one of a material forming at least the first electrode.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 함유할 수 있다.In the present embodiment, the light transmission type conductive pattern may contain ITO, IZO, ZnO, or In2O3.

본 실시예에 있어서 상기 복수의 부화소의 제1 전극 및 광투과형 도전 패턴과 상기 복수의 부화소의 유기 발광층 사이에 형성되는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함하고, 상기 정공 주입층 또는 정공 수송층의 영역 중 상기 복수의 부화소의 유기 발광층과 중첩되는 소정의 영역의 두께는 상기 복수의 부화소에 대해서 동일할 수 있다.The first electrode of the plurality of sub-pixels and the hole injection layer or the hole transport layer formed between the light transmission type conductive pattern and the organic light emission layer of the plurality of sub-pixels, wherein the hole injection layer or the hole transport layer The thickness of a predetermined region overlapping the organic light emitting layer of the plurality of subpixels may be the same for the plurality of subpixels.

본 실시예에 있어서 상기 복수의 부화소의 제2 전극과 상기 복수의 부화소의 유기 발광층 사이에 형성되는 전자 주입층 또는 전자 수송층을 더 포함하고, 상기 전자 주입층 또는 전자 수송층의 영역 중 상기 복수의 부화소의 유기 발광층과 중첩되는 소정의 영역의 두께는 상기 복수의 부화소에 대해서 동일할 수 있다.In the present embodiment, the organic EL device may further include an electron injection layer or an electron transport layer formed between the second electrode of the plurality of subpixels and the organic light emitting layer of the plurality of subpixels, The thickness of a predetermined region overlapping the organic light emitting layer of the sub-pixel of the sub-pixel may be the same for the plurality of sub-pixels.

본 실시예에 있어서 상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 광공진 영역을 구현하도록 반사 물질을 함유하도록 형성될 수 있다.In this embodiment, the first electrode and the second electrode may be formed to contain a reflective material so as to realize a light resonance region between the first electrode and the second electrode.

본 실시예에 있어서 상기 제1 전극은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 포함하고, 여기에 더하여 상기 제1 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca를 포함할 수 있다.In this embodiment, the first electrode includes ITO, IZO, ZnO, or In2O3, and the first electrode may be formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Li, Yb or Ca.

본 실시예에 있어서 상기 제1 전극은 순차적으로 적층되는 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 구비하고, 상기 제1 층 및 제3 층은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 포함하고, 상기 제2 층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca를 포함할 수 있다.In this embodiment, the first electrode includes a first layer, a second layer and a third layer which are sequentially stacked, and the first and third layers include ITO, IZO, ZnO, or In2O3, The second layer may include Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb or Ca.

본 실시예에 있어서 상기 복수의 부화소의 제1 전극의 가장자리를 덮는 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 화소 정의막은 상기 광투과형 도전 패턴의 가장자리를 덮을 수 있다.In this embodiment, the pixel defining layer may further include a pixel defining layer covering an edge of the first electrode of the plurality of sub-pixels, and the pixel defining layer may cover an edge of the light transmitting type conductive pattern.

본 발명의 다른 실시예는 기판 상에 형성되는 복수의 부화소를 구비하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 복수의 부화소들을 형성하는 단계는 각각, 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상부에 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 부화소들 중 일 부화소는 상기 제1 전극 상에 형성된 광투과형 도전 패턴을 구비하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display including a plurality of sub-pixels formed on a substrate, the forming of the plurality of sub-pixels each comprising: Forming a second electrode disposed on the first electrode, and forming an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein a portion of the plurality of sub- And a light transmission type conductive pattern formed on the first electrode.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴은 적어도 상기 제1 전극을 형성하는 재료 중 적어도 하나를 함유하고, 상기 제1 전극의 상면과 접하고 상기 제1 전극과 동일한 패턴을 갖도록 형성될 수 있다.In the present embodiment, the light transmission type conductive pattern may include at least one of materials forming at least the first electrode, and may be formed to have the same pattern as the first electrode in contact with the upper surface of the first electrode.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴과 상기 제1 전극은 동시에 패터닝하여 형성할 수 있다.In this embodiment, the light transmission type conductive pattern and the first electrode may be formed by patterning simultaneously.

본 실시예에 있어서 상기 광투과형 도전 패턴과 상기 제1 전극을 동시에 패터닝하여 형성하는 단계는 하프톤 마스크를 이용하여 수행할 수 있다.In this embodiment, the step of simultaneously patterning the light transmission type conductive pattern and the first electrode may be performed using a halftone mask.

본 실시예에 있어서 상기 복수의 부화소의 제1 전극의 가장자리를 덮는 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 화소 정의막은 상기 광투과형 도전 패턴의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.The method may further include forming a pixel defining layer covering an edge of the first electrode of the plurality of sub-pixels, wherein the pixel defining layer may be formed to cover the edge of the light transmission type conductive pattern.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. Other aspects, features, and advantages will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 유기 발광 표시 장치의 광특성, 화질 특성 및 전기적 특성을 용이하게 향상할 수 있다. The organic light emitting display device and the method of manufacturing the organic light emitting display device according to the present embodiment can easily improve the optical characteristics, the image quality characteristics, and the electrical characteristics of the organic light emitting display device.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 K의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 도시한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of K in Fig.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
6A to 6E are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, the terms first, second, and the like are used for the purpose of distinguishing one element from another element, not the limitative meaning.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In the following examples, the singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as inclusive or possessive are intended to mean that a feature, or element, described in the specification is present, and does not preclude the possibility that one or more other features or elements may be added.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part of a film, an area, a component or the like is on or on another part, not only the case where the part is directly on the other part but also another film, area, And the like.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다. In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on the orthogonal coordinate system, and can be interpreted in a broad sense including the three axes. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. If certain embodiments are otherwise feasible, the particular process sequence may be performed differently from the sequence described. For example, two processes that are described in succession may be performed substantially concurrently, and may be performed in the reverse order of the order described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 K의 확대도이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of K in FIG.

도 1을 참조하면 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101)상에 형성된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함한다. 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the OLED display 100 includes a plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3 formed on a substrate 101. The plurality of sub-pixels SP1, SP2 and SP3 includes a first sub-pixel SP1, a second sub-pixel SP2 and a third sub-pixel SP3.

제1 부화소(SP1)는 제1 전극(110), 정공 주입층(121), 유기 발광층(122R), 보조층(123), 전자 수송층(124) 및 제2 전극(130)을 포함한다. The first sub-pixel SP1 includes a first electrode 110, a hole injection layer 121, an organic emission layer 122R, an auxiliary layer 123, an electron transport layer 124 and a second electrode 130. [

제2 부화소(SP2)는 제1 전극(110), 정공 주입층(121), 광투과형 도전 패턴(115), 유기 발광층(122G), 전자 수송층(124) 및 제2 전극(130)을 포함한다. The second sub-pixel SP2 includes a first electrode 110, a hole injection layer 121, a light transmission type conductive pattern 115, an organic light emitting layer 122G, an electron transport layer 124 and a second electrode 130 do.

제3 부화소(SP3)는 제1 전극(110), 정공 주입층(121), 유기 발광층(122B), 전자 수송층(124) 및 제2 전극(130)을 포함한다. The third sub-pixel SP3 includes a first electrode 110, a hole injection layer 121, an organic light emitting layer 122B, an electron transport layer 124, and a second electrode 130. [

정공 주입층(121)은 도 1에서와 같이 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성될 수 있고, 도시하지 않았으나 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각에 대응되도록 이격되어 형성될 수도 있다. 또한, 도시하지 않았으나 정공 수송층(미도시)이 정공 주입층(121)과 인접하도록 더 배치될 수도 있다. 또한 다른 예로서 정공 주입층(121)이 정공 수송 물질을 동시에 함유할 수도 있다. 또한 다른 예로서 정공 주입층(121)대신 정공 수송층이 배치될 수도 있다.The hole injection layer 121 may be formed in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 as shown in FIG. 1, The second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3, as shown in FIG. Further, although not shown, a hole transport layer (not shown) may be further disposed adjacent to the hole injection layer 121. As another example, the hole injecting layer 121 may simultaneously contain a hole transporting material. As another example, a hole transport layer may be disposed instead of the hole injection layer 121.

전자 수송층(124)은 도 1에서와 같이 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성될 수 있고, 도시하지 않았으나 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각에 대응되도록 이격되어 형성될 수도 있다. 또한, 도시하지 않았으나 전자 주입층(미도시)이 전자 수송층(124)과 인접하도록 더 배치될 수도 있다. 또한 다른 예로서 전자 수송층(124)이 전자 주입 물질을 동시에 함유할 수도 있다. 또한 다른 예로서 전자 수송층(124)대신 전자 주입층이 배치될 수도 있다.The electron transport layer 124 may be formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 as shown in FIG. 1, The second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3, respectively. Further, although not shown, an electron injection layer (not shown) may be further disposed adjacent to the electron transport layer 124. As another example, the electron transporting layer 124 may contain an electron injecting material at the same time. As another example, an electron injection layer may be disposed instead of the electron transport layer 124.

각 부재에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Each member will be described in detail.

기판(101)은 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한 기판(101)은 투명한 플라스틱 재질 또는 금속 박막과 같이 유연성이 있는 재질로 형성할 수도 있다. The substrate 101 may be made of a transparent glass material. The substrate 101 may be made of a transparent plastic material or a flexible material such as a metal thin film.

기판(101)상에 제1 전극(110)이 형성된다. 제1 전극(110)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)별로 각각 형성된다. 제1 전극(110)은 동일한 두께를 갖는다. A first electrode 110 is formed on a substrate 101. The first electrode 110 is formed for each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. The first electrode 110 has the same thickness.

제1 전극(110)은 애노드 또는 캐소드일 수 있다. 제1 전극(110)이 애노드 기능을 할 경우, 제1 전극(110)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하여 구비될 수 있다. 또한 여기에 더하여 제1 전극(110)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등의 반사 물질 또는 이러한 물질로 형성된 반사막을 더 포함한다.The first electrode 110 may be an anode or a cathode. When the first electrode 110 functions as an anode, the first electrode 110 may include ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function. In addition, the first electrode 110 may further include a reflective material such as Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, .

구체적으로 도 2에 도시한 것과 같이 제1 전극(110)은 제1 층(110a), 제2 층(110b) 및 제3 층(110c)를 구비한다. 제1 층(110a) 및 제3 층(110c)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3와 같은 투과형 도전 물질을 함유하고, 제2 층(110b)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등으로 형성된 반사막으로 형성된다.Specifically, as shown in FIG. 2, the first electrode 110 includes a first layer 110a, a second layer 110b, and a third layer 110c. The first layer 110a and the third layer 110c contain a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO or In2O3 and the second layer 110b contains Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb, Ca, or the like.

그러나 이는 하나의 예시로서 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 제1 전극(110)은 반사막 및 투과형 도전 물질의 2개의 층으로 형성될 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first electrode 110 may be formed of two layers of a reflective film and a transmissive conductive material.

광투과형 도전 패턴(115)이 제2 부화소(SP2)의 제1 전극(110)상에 형성된다. 광투과형 도전 패턴(115)은 제1 전극(110)과 접하고 제1 전극(110)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.The light transmission type conductive pattern 115 is formed on the first electrode 110 of the second sub-pixel SP2. The light transmission type conductive pattern 115 may be formed in the same pattern as the first electrode 110 in contact with the first electrode 110.

광투과형 도전 패턴(115)은 소정의 두께(T)를 갖는다. 광투과형 도전 패턴(115)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬인 것이 바람직하다.The light transmission type conductive pattern 115 has a predetermined thickness T. The thickness T of the light transmission type conductive pattern 115 is preferably from 230 angstroms to 280 angstroms.

광투과형 도전 패턴(115)의 두께가 230 옹스트롬 미만인 경우 제2 부화소(SP2)에서의 광공진 거리 확보 곤란으로 광효율이 감소한다. When the thickness of the light transmission type conductive pattern 115 is less than 230 angstroms, it is difficult to secure the light resonance distance in the second sub-pixel SP2 and the light efficiency is reduced.

또한, 광투과형 도전 패턴(115)의 두께가 230 옹스트롬 미만인 경우 제2 부화소(SP2)에서 광공진을 통한 광효율이 최적인 경우를 기준으로 광효율이 90%이하로 감소하게 된다. 또한, 광투과형 도전 패턴(115)의 두께가 230 옹스트롬 미만인 경우 제2 부화소(SP2)의 제1 전극(110)상에만 원하는 형태로 패터닝하기 용이하지 않다. 그러므로 광투과형 도전 패턴(115)의 두께(T)는 230 옹스트롬 이상이 되도록 한다.In addition, when the thickness of the light transmission type conductive pattern 115 is less than 230 angstroms, the light efficiency is reduced to 90% or less based on the optimal light efficiency through light resonance in the second sub-pixel SP2. In addition, when the thickness of the light transmission type conductive pattern 115 is less than 230 angstroms, it is not easy to pattern in a desired shape only on the first electrode 110 of the second sub-pixel SP2. Therefore, the thickness T of the light transmission type conductive pattern 115 is set to 230 angstroms or more.

광투과형 도전 패턴(115)의 두께가 280 옹스트롬을 초과하는 경우 광투과형 도전 패턴(115)을 제조하기 위한 공정 시간 증가를 통하여 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 효율성이 감소한다. When the thickness of the light transmission type conductive pattern 115 exceeds 280 angstroms, the manufacturing efficiency of the organic light emitting display 100 is reduced through an increase in the process time for manufacturing the light transmission type conductive pattern 115.

또한, 제2 부화소(SP2)에만 광투과형 도전 패턴(115)을 형성하게 되므로 광투과형 도전 패턴(115)이 지나치게 두꺼운 경우, 즉 280 옹스트롬 보다 큰 경우 순차적으로 형성될 정공 주입층(121)의 형성 시 스텝 커버리지 특성 감소로 인하여 추후 설명할 정공 주입층(121)의 두께(D1)가 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대하여 동일하게 유지되기 힘들고 결과적으로 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에서의 광공진 거리 제어가 곤란하여 유기 발광 표시 장치(100)의 광효율이 감소한다.When the light transmission type conductive pattern 115 is excessively thick, that is, when it is larger than 280 angstroms, the light transmission type conductive pattern 115 is formed only in the second subpixel SP2, The thickness D1 of the hole injection layer 121 to be described later is the same for the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 due to the decrease in the step coverage characteristic at the time of formation It is difficult to control the light resonance distance in the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3, so that the light efficiency of the organic light emitting display 100 is reduced.

광투과형 도전 패턴(115)은 제2 부화소(SP2)의 유기 발광층(122G)에서 발생한 가시 광선의 적어도 일부가 투과할 수 있는 재질로 형성된다. 예를들면 광투과형 도전 패턴(115)은 제1 전극(110)을 형성하는 투과형 도전성 재료인 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 이용하여 형성할 수 있다.The light transmission type conductive pattern 115 is formed of a material that can transmit at least a part of visible light generated in the organic light emitting layer 122G of the second subpixel SP2. For example, the light transmission type conductive pattern 115 can be formed using ITO, IZO, ZnO, or In2O3, which is a transmissive conductive material for forming the first electrode 110. [

정공 주입층(121)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성된다. 선택적인 실시예로서 전술한 대로 정공 주입층(121)이 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각에 대응되도록 이격되어 형성될 수도 있다.The hole injection layer 121 is formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. As an alternative embodiment, the hole injection layer 121 may be formed so as to correspond to each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 as described above.

정공 주입층(121)은 소정의 두께(D1)를 갖는다. 예를들면 정공 주입층(121)의 두께(D1)은 대략 1260 옹스트롬일 수 있다. 정공 주입층(121)의 두께(D1)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대하여 동일하다. 특히, 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 후술할 각각의 유기 발광층(122R, 122G, 122B)과 중첩되는 소정의 영역에서 동일한 두께(D1)를 갖도록 정공 주입층(121)이 형성된다. The hole injection layer 121 has a predetermined thickness D1. For example, the thickness D1 of the hole injection layer 121 may be approximately 1260 angstroms. The thickness D1 of the hole injection layer 121 is the same for the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. Particularly, in the predetermined regions overlapping with the respective organic light emitting layers 122R, 122G and 122B of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3, The hole injection layer 121 is formed.

정공 주입층(121)은 다양한 종류의 정공 주입 물질을 함유할 수 있고 그 재료에 제한을 두지 아니한다.The hole injection layer 121 may contain various kinds of hole injection materials and is not limited thereto.

유기 발광층(122R, 122G, 122B)은 정공 주입층(121)상에 형성된다. 유기 발광층(122R)은 제1 부화소(SP1)에 대응되고, 유기 발광층(122G)은 제2 부화소(SP2)에 대응되고, 유기 발광층(122B)은 제3 부화소(SP3)에 대응된다.The organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B are formed on the hole injection layer 121. [ The organic light emitting layer 122R corresponds to the first sub-pixel SP1, the organic light emitting layer 122G corresponds to the second sub-pixel SP2, and the organic light emitting layer 122B corresponds to the third sub-pixel SP3 .

제1 부화소(SP1)의 유기 발광층(122R)과 정공 주입층(121)의 사이에는 보조층(123)이 배치될 수 있다. 선택적인 실시예로서 보조층(123)을 삭제하고 보조층(123)의 두께만큼 유기 발광층(122R)의 두께를 증가할 수도 있다. 보조층(123)은 광을 투과하는 재질로 형성되고, 정공 수송 물질 또는 정공 주입 물질을 함유한다. 선택적으로 보조층(123)은 발광 물질을 함유할 수도 있다.An auxiliary layer 123 may be disposed between the organic light emitting layer 122R and the hole injection layer 121 of the first sub-pixel SP1. As an alternative embodiment, the auxiliary layer 123 may be omitted and the thickness of the organic light emitting layer 122R may be increased by the thickness of the auxiliary layer 123. [ The auxiliary layer 123 is formed of a material that transmits light, and contains a hole transporting material or a hole injecting material. Optionally, the auxiliary layer 123 may contain a light emitting material.

유기 발광층(122R, 122G, 122B)은 서로 다른 색의 가시광선을 발광한다. 즉 유기 발광층(122R)은 제1 색의 가시 광선을 발광하고, 유기 발광층(122G)은 제2 색의 가시 광선을 발광하고, 유기 발광층(122B)은 제3 색의 가시 광선을 발광한다. 구체적으로 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 청색일 수 있다.The organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B emit visible light of different colors. That is, the organic luminescent layer 122R emits visible light of the first color, the organic luminescent layer 122G emits visible light of the second color, and the organic luminescent layer 122B emits visible light of the third color. Specifically, the first color may be red, the second color may be green, and the third color may be blue.

유기 발광층(122R, 122G, 122B)은 서로 다른 두께를 갖는다. 즉 유기 발광층(122R)은 두께(DR)를 갖고, 유기 발광층(122G)은 두께(DG)를 갖고, 유기 발광층(122B)은 두께(DB)를 갖는다. The organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B have different thicknesses. That is, the organic light emitting layer 122R has a thickness DR, the organic light emitting layer 122G has a thickness DG, and the organic light emitting layer 122B has a thickness DB.

두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)의 순서대로 큰 값을 갖는다. 예를들면 두께(DR)는 대략 400옹스트롬, 두께(DG)는 320옹스트롬 내지 390옹스트롬 및 두께(DB)는 대략 230 옹스트롬일 수 있다.The thickness DR, the thickness DG, and the thickness DB in this order. For example, the thickness DR may be approximately 400 angstroms, the thickness DG may be between 320 angstroms and 390 angstroms, and the thickness DB may be approximately 230 angstroms.

특히, 유기 발광층(122G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬이다. 유기 발광층(122G)의 두께(DG)가 390 옹스트롬을 초과하는 경우 유기 발광층(122G)의 광효율이 감소한다. 특히 유기 발광층(122G)의 두께(DG)가 390 옹스트롬을 초과하는 경우 최적 광효율의 90 퍼센트 이내로 광효율이 감소하고 이는 사용자 측면에서 화질 감소로 시인되므로 유기 발광층(122G)의 두께(DG)가 390 옹스트롬 이하가 되도록 한다. In particular, the thickness (DG) of the organic light emitting layer 122G is from 320 angstroms to 390 angstroms. When the thickness DG of the organic light emitting layer 122G exceeds 390 angstroms, the light efficiency of the organic light emitting layer 122G decreases. In particular, when the thickness DG of the organic light emitting layer 122G is greater than 390 angstroms, the light efficiency is reduced to 90% or less of the optimum light efficiency, which is viewed as a decrease in image quality on the user side. Therefore, the thickness DG of the organic light emitting layer 122G is 390 angstroms Or less.

또한 유기 발광층(122G)의 두께(DG)가 390 옹스트롬을 초과하는 경우 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 전압이 증가하여 전기적 특성이 감소한다.Also, when the thickness DG of the organic light emitting layer 122G exceeds 390 angstroms, the driving voltage of the OLED display 100 increases and the electrical characteristics decrease.

유기 발광층(122G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 이상이 되도록 한다. 유기 발광층(122G)의 두께(DG)가 320 옹스트롬 미만이 되는 경우 제2 부화소(SP2)에 대응하는 광공진 거리를 확보하기 용이하지 않다. 즉, 녹색의 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(122G)을 포함하는 제2 부화소(SP2)에서의 광공진 거리를 확보하기 위하여 유기 발광층(122G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 이상이 되도록 한다.The thickness DG of the organic light emitting layer 122G is set to 320 angstroms or more. It is not easy to secure a light resonance distance corresponding to the second sub-pixel SP2 when the thickness DG of the organic light emitting layer 122G is less than 320 angstroms. That is, the thickness DG of the organic light emitting layer 122G is set to 320 angstroms or more in order to secure the light resonance distance in the second sub-pixel SP2 including the organic light emitting layer 122G that emits green visible light .

전자 수송층(124)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 유기 발광층(122R, 122G, 122B)의 상부에 형성된다. 선택적인 실시예로서 전술한 대로 전자 수송층(124)이 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각에 대응되도록 이격되어 형성될 수도 있다.The electron transport layer 124 is formed on the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. As an alternative embodiment, the electron transport layer 124 may be formed so as to correspond to each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 as described above.

전자 수송층(124)은 소정의 두께(D2)를 갖는다. 예를들면 전자 수송층(124)의 두께(D2)은 정공 주입층(121)의 두께(D1)보다 얇은데, 예를들면 대략 330 옹스트롬일 수 있다. 전자 수송층(124)의 두께(D2)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대하여 동일하다. 특히, 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각의 유기 발광층(122R, 122G, 122B)과 중첩되는 소정의 영역에서 동일한 두께(D2)를 갖도록 전자 수송층(124)이 형성된다. The electron transporting layer 124 has a predetermined thickness D2. For example, the thickness D2 of the electron transporting layer 124 is thinner than the thickness D1 of the hole injection layer 121, and may be, for example, about 330 angstroms. The thickness D2 of the electron transporting layer 124 is the same for the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. Particularly, the same thickness D2 is formed in a predetermined region overlapping each of the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub- The electron transport layer 124 is formed.

전자 수송층(124)은 다양한 종류의 전자 수송 물질을 함유할 수 있고 그 재료에 제한을 두지 아니한다.The electron transporting layer 124 may contain various kinds of electron transporting materials and is not limited thereto.

제2 전극(130)은 전자 수송층(124)에 형성된다. 제2 전극(130)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 전자 수송층(124)상에 형성된다. 전술한 것과 같이 제2 전극(130)과 전자 수송층(124)의 사이에 전자 주입층(미도시)이 더 포함될 수 있음은 물론이다.The second electrode 130 is formed in the electron transport layer 124. The second electrode 130 is formed on the electron transporting layer 124 in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. It is needless to say that an electron injection layer (not shown) may be further included between the second electrode 130 and the electron transport layer 124 as described above.

제2 전극(130)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca의 금속으로 형성될 수 있다. 또한 추가적으로 제2 전극(130)은 광투과가 가능한 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 더 포함할 수도 있다.The second electrode 130 may be formed of a metal such as Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, or Ca. In addition, the second electrode 130 may further include ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3, or the like that can transmit light.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함한다. 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)를 구비한다. 그리고 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)는 각각 다른 색의 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(122R, 122G, 122B)을 포함한다. 예를들면 유기 발광층(122R, 122G, 122B)은 각각 제1 색, 제2 색 및 제3 색의 가시 광선을 발광하고 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 청색일 수 있다.The OLED display 100 of the present embodiment includes a plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3. The plurality of sub-pixels SP1, SP2 and SP3 includes a first sub-pixel SP1, a second sub-pixel SP2 and a third sub-pixel SP3. The first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3 include organic light-emitting layers 122R, 122G, and 122B that emit visible light of different colors, respectively. For example, the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B emit visible light of the first color, the second color, and the third color, respectively, and the first color may be red, the second color may be green, have.

또한, 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 대하여 제1 전극(110)과 제2 전극(130)사이의 거리는 상이하다. 제1 전극(110)과 제2 전극(130)사이의 공간은 광공진이 발생하는 공간이다. 즉, 유기 발광층(122R, 122G, 122B)에서 발생한 가시 광선은 제1 전극(110)과 제2 전극(130)의 계면에서 반사하여 제1 전극(110)과 제2 전극(130)의 사이의 공간에서 공진하여 증폭된 뒤 사용자 측으로 취출된다. 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(100)의 광효율 및 화질 특성이 향상된다.The distance between the first electrode 110 and the second electrode 130 is different for the plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3. The space between the first electrode 110 and the second electrode 130 is a space where light resonance occurs. That is, the visible light generated from the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B is reflected at the interface between the first electrode 110 and the second electrode 130, Resonated in space, amplified, and then taken out to the user side. The light efficiency and image quality characteristics of the OLED display 100 are improved.

이 때 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2), 제3 부화소(SP3)는 서로 다른 색의 가시 광선을 구현하는 바, 이러한 색에 적합한 공진 거리는 상이하다. At this time, the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3 implement visible light of different colors, and the resonance distances suitable for these colors are different.

즉, 제1 부화소(SP1)에서 광공진이 발생하는 공간인 제1 전극(110)과 제2 전극(130)의 사이의 거리는 정공 주입층(121)의 두께(D1), 유기 발광층(122R)의 두께(DR), 보조층(123)의 두께(D3), 전자 수송층(124)의 두께(D2)의 합이고, 제2 부화소(SP2)에서 광공진이 발생하는 공간인 제1 전극(110)과 제2 전극(130)의 사이의 거리는 광투과형 도전 패턴(115)의 두께(T), 정공 주입층(121)의 두께(D1), 유기 발광층(122G)의 두께(DG), 및 전자 수송층(124)의 두께(D2)의 합이고, 제3 부화소(SP3)에서 광공진이 발생하는 공간인 제1 전극(110)과 제2 전극(130)의 사이의 거리는 정공 주입층(121)의 두께(D1), 유기 발광층(122B)의 두께(DB), 및 전자 수송층(124)의 두께(D2)의 합이다. That is, the distance between the first electrode 110 and the second electrode 130, which is the space where the light resonance occurs in the first sub-pixel SP1, depends on the thickness D1 of the hole injection layer 121, The thickness D3 of the auxiliary layer 123 and the thickness D2 of the electron transport layer 124 are the sum of the thickness DR of the second subpixel SP2, The distance between the first electrode 110 and the second electrode 130 is determined by the thickness T of the light transmission type conductive pattern 115, the thickness D1 of the hole injection layer 121, the thickness DG of the organic light emission layer 122G, And the thickness D2 of the electron transport layer 124. The distance between the first electrode 110 and the second electrode 130, which is a space where light resonance occurs in the third sub-pixel SP3, The thickness DB of the organic light emitting layer 122B and the thickness D2 of the electron transporting layer 124. [

전술한 대로 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 청색인 경우 광공진 거리는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 순서대로 결정될 수 있다.As described above, when the first color is red, the second color is green, and the third color is blue, the light resonance distance is set in the order of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub- Can be determined.

한편, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 제2 부화소(SP2)에 제1 전극(110)상에 광투과형 도전 패턴(115)을 형성한다. 이를 통하여 제2 부화소(SP2), 특히 녹색을 구현하는 부화소에서 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한 광투과형 도전 패턴(115)은 광을 투과할 뿐만 아니라 제1 전극(110)의 재료인 투과형 도전성 물질로 형성하므로 정공 주입 특성을 감소하지 않고 유기 발광층(122G)에서의 광효율을 향상한다. Meanwhile, the OLED display 100 of the present embodiment forms a light transmission type conductive pattern 115 on the first electrode 110 in the second sub-pixel SP2. Thus, the light resonance distance can be easily secured in the second sub-pixel SP2, especially in the sub-pixel realizing green. Also, since the light transmission type conductive pattern 115 not only transmits light but also forms a transmission type conductive material which is the material of the first electrode 110, the light efficiency in the organic light emission layer 122G is improved without decreasing the hole injection characteristic.

특히, 녹색을 구현하는 제2 부화소(SP2)에서 유기 발광층(122G)과 인접하도록 별도의 보조층(미도시)을 형성할 필요가 없으므로 보조층(미도시)을 형성하기 위한 패터닝 공정이 필요하지 않고 이로 인한 불량 발생을 억제하여 유기 발광 표시 장치(100)의 고해상도를 용이하게 구현한다.In particular, since it is not necessary to form a separate auxiliary layer (not shown) adjacent to the organic light emitting layer 122G in the second sub-pixel SP2 that implements green, a patterning process for forming an auxiliary layer Thereby preventing the occurrence of defects and easily realizing the high resolution of the organic light emitting diode display 100.

이 때 광투과형 도전 패턴(115)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬이 되도록 하여 광공진 거리를 용이하게 확보하고 광효율을 향상한다. 특히 광투과형 도전 패턴(115)이 제1 전극(110)을 형성하는 재료와 동일한 재료를 포함하도록 하여 제1 전극(110)과의 계면 접합 특성을 향상하여 계면에서의 비정상적 반사 및 산란을 방지한다. 또한, 광투과형 도전 패턴(115) 및 제1 전극(110)을 동시에 패터닝하여 제조 공정의 효율성을 향상한다.At this time, the thickness T of the light transmission type conductive pattern 115 is 230 to 280 angstroms, thereby easily securing the light resonance distance and improving the light efficiency. In particular, the light transmission type conductive pattern 115 includes the same material as the material forming the first electrode 110 to improve the interface bonding property with the first electrode 110, thereby preventing abnormal reflection and scattering at the interface . Further, the light transmission type conductive pattern 115 and the first electrode 110 are simultaneously patterned to improve the efficiency of the manufacturing process.

또한, 이와 동시에 유기 발광층(122G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬으로 제어한다. 이를 통하여 광투과형 도전 패턴(115)의 두께를 최소로 하면서 제2 부화소(SP2)에서의 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 전압 증가 없이 광효율 및 전기적 특성을 향상한다.At the same time, the thickness (DG) of the organic light emitting layer 122G is controlled to be from 320 angstroms to 390 angstroms. Thus, the light resonance distance in the second sub-pixel SP2 is easily secured while minimizing the thickness of the light transmission type conductive pattern 115. [ Further, the light efficiency and the electrical characteristics are improved without increasing the driving voltage of the OLED display 100.

도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(201)상에 형성된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함한다. 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the OLED display 200 includes a plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3 formed on a substrate 201. The plurality of sub-pixels SP1, SP2 and SP3 includes a first sub-pixel SP1, a second sub-pixel SP2 and a third sub-pixel SP3.

제1 부화소(SP1)는 제1 전극(210), 정공 주입층(221), 유기 발광층(222R), 보조층(223), 전자 수송층(224), 제2 전극(230) 및 캐핑층(240)을 포함한다. The first sub-pixel SP1 includes a first electrode 210, a hole injection layer 221, an organic emission layer 222R, an auxiliary layer 223, an electron transport layer 224, a second electrode 230, 240).

제2 부화소(SP2)는 제1 전극(210), 정공 주입층(221), 광투과형 도전 패턴(215), 유기 발광층(222G), 전자 수송층(224), 제2 전극(230) 및 캐핑층(240)을 포함한다. The second sub-pixel SP2 includes a first electrode 210, a hole injection layer 221, a light transmission type conductive pattern 215, an organic light emitting layer 222G, an electron transport layer 224, a second electrode 230, And a pinning layer 240.

제3 부화소(SP3)는 제1 전극(210), 정공 주입층(221), 유기 발광층(222B), 전자 수송층(224), 제2 전극(230) 및 캐핑층(240)을 포함한다. The third sub-pixel SP3 includes a first electrode 210, a hole injection layer 221, an organic light emitting layer 222B, an electron transport layer 224, a second electrode 230, and a capping layer 240.

설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.For convenience of explanation, the description will be focused on the differences from the above-described embodiment.

캐핑층(240)은 도 3에서와 같이 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성될 수 있고, 도시하지 않았으나 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각에 대응되도록 이격되어 형성될 수도 있다.The capping layer 240 may be formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 as shown in FIG. 3, The second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3, respectively.

기판(201)상에 제1 전극(210)이 형성된다. 제1 전극(210)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)별로 각각 형성된다. 제1 전극(210)은 동일한 두께를 갖는다. A first electrode 210 is formed on a substrate 201. The first electrode 210 is formed for each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. The first electrode 210 has the same thickness.

또한, 도시하지 않았으나 도 2에 도시한 것과 같이 제1 전극(210)이 세 개의 층으로 적층된 형태를 가질 수 있다.In addition, although not shown, the first electrode 210 may have a stacked structure of three layers as shown in FIG.

광투과형 도전 패턴(215)이 제2 부화소(SP2)의 제1 전극(210)상에 형성된다. 광투과형 도전 패턴(215)은 제1 전극(210)과 접하고 제1 전극(210)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.A light transmission type conductive pattern 215 is formed on the first electrode 210 of the second sub-pixel SP2. The light transmission type conductive pattern 215 may be formed in the same pattern as the first electrode 210 in contact with the first electrode 210.

광투과형 도전 패턴(215)은 소정의 두께(T)를 갖는다. 광투과형 도전 패턴(215)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬인 것이 바람직하다.The light transmission type conductive pattern 215 has a predetermined thickness T. The thickness T of the light transmission type conductive pattern 215 is preferably from 230 angstroms to 280 angstroms.

정공 주입층(221)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성된다. 정공 주입층(221)은 소정의 두께(D1)를 갖는다. The hole injection layer 221 is formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. The hole injection layer 221 has a predetermined thickness D1.

유기 발광층(222R, 222G, 222B)은 정공 주입층(221)상에 형성된다. 유기 발광층(222R)은 제1 부화소(SP1)에 대응되고, 유기 발광층(222G)은 제2 부화소(SP2)에 대응되고, 유기 발광층(222B)은 제3 부화소(SP3)에 대응된다.The organic light emitting layers 222R, 222G, and 222B are formed on the hole injection layer 221. [ The organic light emitting layer 222R corresponds to the first sub-pixel SP1, the organic light emitting layer 222G corresponds to the second sub-pixel SP2, and the organic light emitting layer 222B corresponds to the third sub-pixel SP3 .

제1 부화소(SP1)의 유기 발광층(222R)과 정공 주입층(221)의 사이에는 보조층(223)이 배치될 수 있다. An auxiliary layer 223 may be disposed between the organic light emitting layer 222R and the hole injection layer 221 of the first sub-pixel SP1.

유기 발광층(222R, 222G, 222B)은 서로 다른 두께를 갖는다. 즉 유기 발광층(222R)은 두께(DR)를 갖고, 유기 발광층(222G)은 두께(DG)를 갖고, 유기 발광층(222B)은 두께(DB)를 갖는다. The organic light emitting layers 222R, 222G, and 222B have different thicknesses. That is, the organic light emitting layer 222R has a thickness DR, the organic light emitting layer 222G has a thickness DG, and the organic light emitting layer 222B has a thickness DB.

특히, 유기 발광층(222G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬이다. In particular, the thickness (DG) of the organic light emitting layer 222G is from 320 angstroms to 390 angstroms.

전자 수송층(224)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 유기 발광층(222R, 222G, 222B)의 상부에 형성된다. 전자 수송층(224)은 소정의 두께(D2)를 갖는다. The electron transporting layer 224 is formed on the organic light emitting layers 222R, 222G, and 222B in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. The electron transporting layer 224 has a predetermined thickness D2.

제2 전극(230)은 전자 수송층(224)에 형성된다. 제2 전극(230)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 전자 수송층(224)상에 형성된다. The second electrode 230 is formed in the electron transport layer 224. The second electrode 230 is formed on the electron transporting layer 224 in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3.

캐핑층(240)은 제2 전극(230)상에 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성된다. 캐핑층(240)은 제2 전극(230)을 보호하고, 유기물 또는 무기물로 형성한다. The capping layer 240 is formed on the second electrode 230 in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. The capping layer 240 protects the second electrode 230 and forms an organic or inorganic material.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(200)는 광공진 발생을 통하여 유기 발광 표시 장치(200)의 광효율 및 화질 특성을 향상한다.The OLED display 200 of the present embodiment improves the light efficiency and image quality characteristics of the OLED display 200 through the generation of light resonance.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(200)는 제2 부화소(SP2)에 제1 전극(210)상에 광투과형 도전 패턴(215)을 형성한다. 이를 통하여 제2 부화소(SP2), 특히 녹색을 구현하는 부화소에서 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한 광투과형 도전 패턴(215)은 광을 투과할 뿐만 아니라 제1 전극(210)의 재료인 투과형 도전성 물질로 형성하므로 정공 주입 특성을 감소하지 않고 유기 발광층(222G)에서의 광효율을 향상한다.The organic light emitting display device 200 of this embodiment forms a light transmission type conductive pattern 215 on the first electrode 210 in the second subpixel SP2. Thus, the light resonance distance can be easily secured in the second sub-pixel SP2, especially in the sub-pixel realizing green. Also, since the light transmission type conductive pattern 215 not only transmits light but also is formed of a transmission type conductive material which is a material of the first electrode 210, the light efficiency in the organic light emission layer 222G is improved without decreasing the hole injection property.

특히, 녹색을 구현하는 제2 부화소(SP2)에서 유기 발광층(222G)과 인접하도록 별도의 보조층(미도시)을 형성할 필요가 없으므로 보조층(미도시)을 형성하기 위한 패터닝 공정이 필요하지 않고 이로 인한 불량 발생을 억제하여 유기 발광 표시 장치(200)의 고해상도를 용이하게 구현한다.In particular, since it is not necessary to form a separate auxiliary layer (not shown) adjacent to the organic light emitting layer 222G in the second sub-pixel SP2 that implements green, a patterning process for forming an auxiliary layer (not shown) Thereby preventing the occurrence of defects and easily realizing the high resolution of the organic light emitting display device 200.

또한 캐핑층(240)을 통하여 제2 전극(230)을 효과적으로 보호한다.And effectively protects the second electrode 230 through the capping layer 240.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(301)상에 형성된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함한다. 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)를 구비한다. 각 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 사이에는 화소 정의막(319)이 배치된다.Referring to FIG. 4, the OLED display 300 includes a plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3 formed on a substrate 301. The plurality of sub-pixels SP1, SP2 and SP3 includes a first sub-pixel SP1, a second sub-pixel SP2 and a third sub-pixel SP3. A pixel defining layer 319 is disposed between each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3.

제1 부화소(SP1)는 제1 전극(310), 정공 주입층(321), 유기 발광층(322R), 보조층(323), 전자 수송층(324) 및 제2 전극(330)을 포함한다. The first sub-pixel SP1 includes a first electrode 310, a hole injection layer 321, an organic emission layer 322R, an auxiliary layer 323, an electron transport layer 324 and a second electrode 330. [

제2 부화소(SP2)는 제1 전극(310), 정공 주입층(321), 광투과형 도전 패턴(315), 유기 발광층(322G), 전자 수송층(324) 및 제2 전극(330)을 포함한다. The second sub-pixel SP2 includes a first electrode 310, a hole injection layer 321, a light transmission type conductive pattern 315, an organic light emitting layer 322G, an electron transport layer 324 and a second electrode 330 do.

제3 부화소(SP3)는 제1 전극(310), 정공 주입층(321), 유기 발광층(322B), 전자 수송층(324) 및 제2 전극(330)을 포함한다. The third sub-pixel SP3 includes a first electrode 310, a hole injection layer 321, an organic light emitting layer 322B, an electron transport layer 324 and a second electrode 330. [

도시하지 않았으나 도 3에 도시한 것과 같이 캐핑층(미도시)이 더 구비될 수도 있음은 물론이다.It is needless to say that a capping layer (not shown) may be further provided as shown in FIG. 3 although not shown.

설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.For convenience of explanation, the description will be focused on the differences from the above-described embodiment.

기판(301)상에 제1 전극(310)이 형성된다. 제1 전극(310)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)별로 각각 형성된다. 제1 전극(310)은 동일한 두께를 갖는다. A first electrode 310 is formed on a substrate 301. The first electrode 310 is formed for each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. The first electrode 310 has the same thickness.

또한, 도시하지 않았으나 도 2에 도시한 것과 같이 제1 전극(310)이 세 개의 층으로 적층된 형태를 가질 수 있다.In addition, although not shown, the first electrode 310 may have a stacked structure of three layers as shown in FIG.

광투과형 도전 패턴(315)이 제2 부화소(SP2)의 제1 전극(310)상에 형성된다. 광투과형 도전 패턴(315)은 제1 전극(310)과 접하고 제1 전극(310)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.A light transmission type conductive pattern 315 is formed on the first electrode 310 of the second subpixel SP2. The light transmission type conductive pattern 315 may be formed in the same pattern as the first electrode 310 in contact with the first electrode 310.

광투과형 도전 패턴(315)은 소정의 두께(T)를 갖는다. 광투과형 도전 패턴(315)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬인 것이 바람직하다.The light transmission type conductive pattern 315 has a predetermined thickness T. The thickness T of the light transmission type conductive pattern 315 is preferably from 230 angstroms to 280 angstroms.

화소 정의막(319)이 제1 전극(310)상에 제1 전극(310)의 소정의 영역을 노출하도록 형성된다. 이 때 화소 정의막(319)은 광투과형 도전 패턴(315)의 가장자리를 덮고 소정의 영역을 노출한다.A pixel defining layer 319 is formed on the first electrode 310 to expose a predetermined region of the first electrode 310. At this time, the pixel defining layer 319 covers the edge of the light transmission type conductive pattern 315 and exposes a predetermined region.

정공 주입층(321)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성된다. 즉, 정공 주입층(321)은 화소 정의막(319)의 측면 및 상면에도 대응되도록 형성된다. 정공 주입층(321)은 소정의 두께(D1)를 갖는다. The hole injection layer 321 is formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. That is, the hole injection layer 321 is formed so as to correspond to the side surface and the top surface of the pixel defining layer 319. The hole injection layer 321 has a predetermined thickness D1.

유기 발광층(322R, 322G, 322B)은 정공 주입층(321)상에 형성된다. 유기 발광층(322R)은 제1 부화소(SP1)에 대응되고, 유기 발광층(322G)은 제2 부화소(SP2)에 대응되고, 유기 발광층(322B)은 제3 부화소(SP3)에 대응된다.The organic light emitting layers 322R, 322G, and 322B are formed on the hole injection layer 321. [ The organic light emitting layer 322R corresponds to the first sub-pixel SP1, the organic light emitting layer 322G corresponds to the second sub-pixel SP2, and the organic light emitting layer 322B corresponds to the third sub-pixel SP3 .

제1 부화소(SP1)의 유기 발광층(322R)과 정공 주입층(321)의 사이에는 보조층(323)이 배치될 수 있다. An auxiliary layer 323 may be disposed between the organic light emitting layer 322R and the hole injection layer 321 of the first sub-pixel SP1.

유기 발광층(322R)은 두께(DR)를 갖고, 유기 발광층(322G)은 두께(DG)를 갖고, 유기 발광층(322B)은 두께(DB)를 갖는다. The organic light emitting layer 322R has a thickness DR and the organic light emitting layer 322G has a thickness DG and the organic light emitting layer 322B has a thickness DB.

특히, 유기 발광층(322G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬이다. In particular, the thickness (DG) of the organic light emitting layer 322G is from 320 angstroms to 390 angstroms.

전자 수송층(324)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 유기 발광층(322R, 322G, 322B)의 상부에 형성된다. 전자 수송층(324)은 소정의 두께(D2)를 갖는다. The electron transporting layer 324 is formed on the organic light emitting layers 322R, 322G, and 322B in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. The electron transporting layer 324 has a predetermined thickness D2.

제2 전극(330)은 전자 수송층(324)에 형성된다. 제2 전극(330)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 전자 수송층(324)상에 형성된다. And the second electrode 330 is formed in the electron transporting layer 324. The second electrode 330 is formed on the electron transporting layer 324 in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)는 광공진 발생을 통하여 유기 발광 표시 장치(300)의 광효율 및 화질 특성을 향상한다.The organic light emitting display 300 of the present embodiment improves the light efficiency and image quality characteristics of the OLED display 300 through the generation of light resonance.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)는 제2 부화소(SP2)에 제1 전극(310)상에 광투과형 도전 패턴(315)을 형성한다. 이를 통하여 제2 부화소(SP2), 특히 녹색을 구현하는 부화소에서 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한 광투과형 도전 패턴(315)은 광을 투과할 뿐만 아니라 제1 전극(310)의 재료인 투과형 도전성 물질로 형성하므로 정공 주입 특성을 감소하지 않고 유기 발광층(322G)에서의 광효율을 향상한다.The OLED display 300 of the present embodiment forms a light transmission type conductive pattern 315 on the first electrode 310 in the second sub-pixel SP2. Thus, the light resonance distance can be easily secured in the second sub-pixel SP2, especially in the sub-pixel realizing green. In addition, since the light transmission type conductive pattern 315 is formed not only of light but also of the transmission type conductive material which is the material of the first electrode 310, the light efficiency in the organic emission layer 322G is improved without decreasing the hole injection characteristic.

특히, 녹색을 구현하는 제2 부화소(SP2)에서 유기 발광층(322G)과 인접하도록 별도의 보조층(미도시)을 형성할 필요가 없으므로 보조층(미도시)을 형성하기 위한 패터닝 공정이 필요하지 않고 이로 인한 불량 발생을 억제하여 유기 발광 표시 장치(300)의 고해상도를 용이하게 구현한다.In particular, since it is not necessary to form a separate auxiliary layer (not shown) adjacent to the organic light emitting layer 322G in the second sub-pixel SP2 that implements green, a patterning process for forming an auxiliary layer (not shown) Thereby preventing the occurrence of defects and easily realizing the high resolution of the organic light emitting display device 300.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는 기판(401)상에 형성된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함한다. 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)를 구비한다. 각 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)는 하나 이상의 박막 트랜지스터(470)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the OLED display 400 includes a plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3 formed on a substrate 401. Referring to FIG. The plurality of sub-pixels SP1, SP2 and SP3 includes a first sub-pixel SP1, a second sub-pixel SP2 and a third sub-pixel SP3. Each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 includes at least one thin film transistor 470.

제1 부화소(SP1)는 박막 트랜지스터(470), 제1 전극(310), 정공 주입층(321), 유기 발광층(322R), 보조층(323), 전자 수송층(324) 및 제2 전극(330)을 포함한다. The first sub-pixel SP1 includes a thin film transistor 470, a first electrode 310, a hole injection layer 321, an organic emission layer 322R, an auxiliary layer 323, an electron transport layer 324, 330).

제2 부화소(SP2)는 박막 트랜지스터(470), 제1 전극(310), 정공 주입층(321), 광투과형 도전 패턴(315), 유기 발광층(322G), 전자 수송층(324) 및 제2 전극(330)을 포함한다. The second sub-pixel SP2 includes a thin film transistor 470, a first electrode 310, a hole injection layer 321, a light transmission type conductive pattern 315, an organic light emitting layer 322G, an electron transport layer 324, Electrode 330 as shown in FIG.

제3 부화소(SP3)는 박막 트랜지스터(470), 제1 전극(310), 정공 주입층(321), 유기 발광층(322B), 전자 수송층(324) 및 제2 전극(330)을 포함한다. The third sub-pixel SP3 includes a thin film transistor 470, a first electrode 310, a hole injection layer 321, an organic light emitting layer 322B, an electron transport layer 324 and a second electrode 330. [

도시하지 않았으나 도 3에 도시한 것과 같이 캐핑층(미도시)이 더 구비될 수도 있음은 물론이다.It is needless to say that a capping layer (not shown) may be further provided as shown in FIG. 3 although not shown.

설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.For convenience of explanation, the description will be focused on the differences from the above-described embodiment.

기판(401)상에는 기판(401)상부에 평탄면을 제공하고, 기판(401)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유하는 버퍼층(402)이 모든 부화소(SP1, SP2, SP3)에 공통으로 형성되어 있다. A buffer layer 402 containing an insulating material is provided on the substrate 401 to provide a flat surface on the substrate 401 and to prevent moisture and foreign matter from penetrating toward the substrate 401. The buffer layer 402 includes all the sub- As shown in Fig.

제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대응되는 박막 트랜지스터(470)가 버퍼층(402)상에 형성된다. 박막 트랜지스터(470)는 크게 활성층(403), 게이트 전극(405), 소스 전극(407) 및 드레인 전극(408)을 포함한다. A thin film transistor 470 corresponding to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 is formed on the buffer layer 402. [ The thin film transistor 470 mainly includes an active layer 403, a gate electrode 405, a source electrode 407, and a drain electrode 408.

버퍼층(402)상에 소정 패턴으로 형성된 활성층(403)이 배치된다. 활성층(403)은 실리콘과 같은 무기 반도체 물질, 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다.An active layer 403 formed in a predetermined pattern is disposed on the buffer layer 402. The active layer 403 may contain an inorganic semiconductor material such as silicon, an organic semiconductor material, or an oxide semiconductor material.

활성층(403)상부에는 게이트 절연막(404)이 형성된다. 게이트 절연막(404)의 상부에는 활성층(403)과 대응되도록 게이트 전극(405)이 형성된다. 게이트 전극(405)을 덮도록 층간 절연막(406)이 형성되고, 층간 절연막(406) 상에 소스 전극(407) 및 드레인 전극(408)이 형성되는 데, 활성층(403)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성된다. A gate insulating layer 404 is formed on the active layer 403. A gate electrode 405 is formed on the gate insulating film 404 to correspond to the active layer 403. An interlayer insulating film 406 is formed to cover the gate electrode 405 and a source electrode 407 and a drain electrode 408 are formed on the interlayer insulating film 406. The source electrode 407 and the drain electrode 408 are formed in contact with a predetermined region of the active layer 403 .

소스 전극(407) 및 드레인 전극(408)을 덮도록 패시베이션층(409)이 형성되고, 패시베이션층(409)상부에는 박막 트랜지스터(470)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다. A passivation layer 409 may be formed to cover the source electrode 407 and the drain electrode 408 and an additional insulating layer may be formed on the passivation layer 409 for planarization of the thin film transistor 470.

패시베이션층(409)상에 제1 전극(410)이 형성된다. 제1 전극(410)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)별로 각각 형성된다. 제1 전극(410)은 동일한 두께를 갖는다. A first electrode 410 is formed on the passivation layer 409. The first electrode 410 is formed for each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. The first electrode 410 has the same thickness.

또한, 도시하지 않았으나 도 2에 도시한 것과 같이 제1 전극(410)이 세 개의 층으로 적층된 형태를 가질 수 있다.In addition, although not shown, the first electrode 410 may have a stacked structure of three layers as shown in FIG.

광투과형 도전 패턴(415)이 제2 부화소(SP2)의 제1 전극(410)상에 형성된다. 광투과형 도전 패턴(415)은 제1 전극(410)과 접하고 제1 전극(410)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.The light transmission type conductive pattern 415 is formed on the first electrode 410 of the second sub-pixel SP2. The light transmission type conductive pattern 415 may be formed in the same pattern as the first electrode 410 in contact with the first electrode 410.

광투과형 도전 패턴(415)은 소정의 두께(T)를 갖는다. 광투과형 도전 패턴(415)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬인 것이 바람직하다.The light transmission type conductive pattern 415 has a predetermined thickness T. [ The thickness T of the light transmission type conductive pattern 415 is preferably from 230 angstroms to 280 angstroms.

화소 정의막(419)이 제1 전극(410)상에 제1 전극(410)의 소정의 영역을 노출하도록 형성된다. 이 때 화소 정의막(419)은 광투과형 도전 패턴(415)의 가장자리를 덮고 소정의 영역을 노출한다.A pixel defining layer 419 is formed on the first electrode 410 to expose a predetermined region of the first electrode 410. At this time, the pixel defining layer 419 covers the edge of the light transmission type conductive pattern 415 and exposes a predetermined region.

정공 주입층(421)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성된다. 즉, 정공 주입층(421)은 화소 정의막(419)의 측면 및 상면에도 대응되도록 형성된다. 정공 주입층(421)은 소정의 두께(D1)를 갖는다. The hole injection layer 421 is formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. That is, the hole injection layer 421 is formed so as to correspond to both the side surface and the top surface of the pixel defining layer 419. The hole injection layer 421 has a predetermined thickness D1.

유기 발광층(422R, 422G, 422B)은 정공 주입층(421)상에 형성된다. 유기 발광층(422R)은 제1 부화소(SP1)에 대응되고, 유기 발광층(422G)은 제2 부화소(SP2)에 대응되고, 유기 발광층(422B)은 제3 부화소(SP3)에 대응된다.The organic light emitting layers 422R, 422G, and 422B are formed on the hole injection layer 421. [ The organic light emitting layer 422R corresponds to the first sub-pixel SP1, the organic light emitting layer 422G corresponds to the second sub-pixel SP2, and the organic light emitting layer 422B corresponds to the third sub-pixel SP3 .

제1 부화소(SP1)의 유기 발광층(422R)과 정공 주입층(421)의 사이에는 보조층(423)이 배치될 수 있다. An auxiliary layer 423 may be disposed between the organic light emitting layer 422R and the hole injection layer 421 of the first sub-pixel SP1.

유기 발광층(422R)은 두께(DR)를 갖고, 유기 발광층(422G)은 두께(DG)를 갖고, 유기 발광층(422B)은 두께(DB)를 갖는다. The organic light emitting layer 422R has a thickness DR and the organic light emitting layer 422G has a thickness DG and the organic light emitting layer 422B has a thickness DB.

특히, 유기 발광층(422G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬이다. In particular, the thickness (DG) of the organic light emitting layer 422G is from 320 angstroms to 390 angstroms.

전자 수송층(424)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 유기 발광층(422R, 322G, 322B)의 상부에 형성된다. 전자 수송층(424)은 소정의 두께(D2)를 갖는다. The electron transport layer 424 is formed on the organic light emitting layers 422R, 322G, and 322B in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. The electron transporting layer 424 has a predetermined thickness D2.

제2 전극(430)은 전자 수송층(424)에 형성된다. 제2 전극(430)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 전자 수송층(424)상에 형성된다. The second electrode 430 is formed in the electron transport layer 424. The second electrode 430 is formed on the electron transporting layer 424 in common to the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는 광공진 발생을 통하여 유기 발광 표시 장치(400)의 광효율 및 화질 특성을 향상한다.The organic light emitting display 400 of the present embodiment improves the light efficiency and image quality characteristics of the OLED display 400 through the generation of light resonance.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는 제2 부화소(SP2)에 제1 전극(410)상에 광투과형 도전 패턴(415)을 형성한다. 이를 통하여 제2 부화소(SP2), 특히 녹색을 구현하는 부화소에서 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한 광투과형 도전 패턴(415)은 광을 투과할 뿐만 아니라 제1 전극(410)의 재료인 투과형 도전성 물질로 형성하므로 정공 주입 특성을 감소하지 않고 유기 발광층(422G)에서의 광효율을 향상한다.The OLED display 400 of the present embodiment forms a light transmission type conductive pattern 415 on the first electrode 410 in the second sub-pixel SP2. Thus, the light resonance distance can be easily secured in the second sub-pixel SP2, especially in the sub-pixel realizing green. In addition, since the light transmission type conductive pattern 415 is formed not only of light but also of the transmission type conductive material which is the material of the first electrode 410, the light efficiency in the organic light emitting layer 422G is improved without decreasing the hole injection characteristic.

특히, 녹색을 구현하는 제2 부화소(SP2)에서 유기 발광층(422G)과 인접하도록 별도의 보조층(미도시)을 형성할 필요가 없으므로 보조층(미도시)을 형성하기 위한 패터닝 공정이 필요하지 않고 이로 인한 불량 발생을 억제하여 유기 발광 표시 장치(400)의 고해상도를 용이하게 구현한다.In particular, since it is not necessary to form a separate auxiliary layer (not shown) adjacent to the organic light emitting layer 422G in the second sub-pixel SP2 that implements green, a patterning process for forming an auxiliary layer Thereby preventing the occurrence of defects and easily realizing the high resolution of the organic light emitting diode display 400.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 도시한 개략적인 단면도이다. 예를들면 도 6a 내지 도 6e는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법을 순차적으로 설명한 도면들이다.6A to 6E are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. For example, FIGS. 6A to 6E are views sequentially illustrating a method of manufacturing the OLED display 100 of FIG.

그러나 이는 설명의 편의를 위한 것으로서 본 실시예의 제조 방법은 도 3, 도 4 및 도 5의 유기 발광 표시 장치들(200, 300, 400)에 그대로 또는 변형하여 적용할 수 있음은 물론이다.However, this is for convenience of description, and it goes without saying that the manufacturing method of the present embodiment can be applied to the organic light emitting display devices 200, 300 and 400 of FIGS. 3, 4 and 5 as they are.

먼저 도 6a를 참조하면 기판(101)을 준비한다. 기판(101)은 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한 기판(101)은 투명한 플라스틱 재질 또는 금속 박막과 같이 유연성이 있는 재질로 형성할 수도 있다. 기판(101)의 표면에 대한 세정 공정을 선 공정으로 진행할 수 있다.First, referring to FIG. 6A, a substrate 101 is prepared. The substrate 101 may be made of a transparent glass material. The substrate 101 may be made of a transparent plastic material or a flexible material such as a metal thin film. The cleaning process for the surface of the substrate 101 can be advanced.

그리고 나서 도 6b를 참조하면 기판(101)상에 제1 전극(110)이 형성된다. 제1 전극(110)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)별로 각각 형성된다. 제1 전극(110)은 동일한 두께를 갖는다. Referring to FIG. 6B, the first electrode 110 is formed on the substrate 101. The first electrode 110 is formed for each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. The first electrode 110 has the same thickness.

제1 전극(110)이 애노드 기능을 할 경우, 제1 전극(110)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하여 구비될 수 있다. 또한 목적 및 설계 조건에 따라서 제1 전극(110)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등으로 형성된 반사막을 더 포함할 수 있다. When the first electrode 110 functions as an anode, the first electrode 110 may include ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function. The first electrode 110 may further include a reflective layer formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb or Ca according to the object and design conditions.

구체적으로 도 2에 도시한 것과 같이 제1 전극(110)은 제1 층(110a), 제2 층(110b) 및 제3 층(110c)를 구비한다. 제1 층(110a) 및 제3 층(110c)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3와 같은 투과형 도전 물질을 함유하고, 제2 층(110b)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등으로 형성된 반사막으로 형성된다.Specifically, as shown in FIG. 2, the first electrode 110 includes a first layer 110a, a second layer 110b, and a third layer 110c. The first layer 110a and the third layer 110c contain a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO or In2O3 and the second layer 110b contains Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb, Ca, or the like.

그러나 이는 하나의 예시로서 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 제1 전극(110)은 반사막 및 투과형 도전 물질의 2개의 층으로 형성될 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first electrode 110 may be formed of two layers of a reflective film and a transmissive conductive material.

광투과형 도전 패턴(115)이 제2 부화소(SP2)의 제1 전극(110)상에 형성된다. 광투과형 도전 패턴(115)은 제1 전극(110)과 접하고 제1 전극(110)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.The light transmission type conductive pattern 115 is formed on the first electrode 110 of the second sub-pixel SP2. The light transmission type conductive pattern 115 may be formed in the same pattern as the first electrode 110 in contact with the first electrode 110.

광투과형 도전 패턴(115)은 소정의 두께(T)를 갖는다. 광투과형 도전 패턴(115)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬인 것이 바람직하다.The light transmission type conductive pattern 115 has a predetermined thickness T. The thickness T of the light transmission type conductive pattern 115 is preferably from 230 angstroms to 280 angstroms.

광투과형 도전 패턴(115)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3와 같은 투과형 도전 물질을 함유한다. 즉 광투과형 도전 패턴(115)은 제1 전극(110)을 형성하는 재료와 동일한 재료로 형성할 수 있다. 이로 인하여 광투과형 도전 패턴(115)은 제1 전극(110)의 형성 시 동시에 패터닝할 수 있다. 특히 하프톤 마스크와 같은 부재를 이용하여 제2 부화소(SP2)에만 광투과형 도전 패턴(115)이 형성되도록 할 수 있다. 이를 통하여 유기 발광 표시 장치의 제조를 위한 마스크 개수를 최소화하면서 공정 불량 발생을 억제한다.The light transmission type conductive pattern 115 contains a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In2O3. That is, the light transmission type conductive pattern 115 may be formed of the same material as the material forming the first electrode 110. Accordingly, the light transmission type conductive pattern 115 can be patterned at the same time when the first electrode 110 is formed. The light transmission type conductive pattern 115 can be formed only in the second sub-pixel SP2 using a member such as a half-tone mask. Thereby minimizing the number of masks for manufacturing the organic light emitting display and suppressing the occurrence of process defects.

특히 제2 부화소(SP2)에서 광공진 거리 확보를 위한 별도의 보조층(미도시)이 필요하지 않으므로 제2 부화소(SP2)에 대응하는 보조층(미도시)의 형성 시 필요한 마스크 공정을 원천적으로 제거하고 마스크를 이용한 패터닝 공정 시 발생하는 불량을 차단한다.Since a separate auxiliary layer (not shown) for securing the optical resonance distance is not required in the second sub-pixel SP2, the mask process necessary for forming the auxiliary layer (not shown) corresponding to the second sub-pixel SP2 And the defect caused by the patterning process using the mask is blocked.

그리고 나서, 도 6c를 참조하면 정공 주입층(121)을 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 형성된다. 선택적인 실시예로서 전술한 대로 정공 주입층(121)이 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각에 대응되도록 이격되어 형성될 수도 있다.6C, the hole injection layer 121 is formed in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub-pixel SP3. As an alternative embodiment, the hole injection layer 121 may be formed so as to correspond to each of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 as described above.

정공 주입층(121)은 소정의 두께(D1)를 갖는다. 예를들면 정공 주입층(121)의 두께(D1)은 대략 1260 옹스트롬일 수 있다. The hole injection layer 121 has a predetermined thickness D1. For example, the thickness D1 of the hole injection layer 121 may be approximately 1260 angstroms.

그리고 나서 도 6d를 참조하면 유기 발광층(122R, 122G, 122B)을 정공 주입층(121)상에 형성된다. 유기 발광층(122R)은 제1 부화소(SP1)에 대응되고, 유기 발광층(122G)은 제2 부화소(SP2)에 대응되고, 유기 발광층(122B)은 제3 부화소(SP3)에 대응된다.Then, referring to FIG. 6D, the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B are formed on the hole injection layer 121. The organic light emitting layer 122R corresponds to the first sub-pixel SP1, the organic light emitting layer 122G corresponds to the second sub-pixel SP2, and the organic light emitting layer 122B corresponds to the third sub-pixel SP3 .

제1 부화소(SP1)의 유기 발광층(122R)과 정공 주입층(121)의 사이에는 보조층(123)을 더 형성한다. 선택적인 실시예로서 보조층(123)을 삭제하고 보조층(123)의 두께만큼 유기 발광층(122R)의 두께를 증가할 수도 있다. 단, 유기 발광층(122R)의 형성을 위한 공정 시간 감소 및 구동 전압 감소를 위하여 유기 발광층(122R)의 두께를 지나치게 증가하지 않도록 보조층(123)을 유기 발광층(122R)과 함께 사용하는 것이 바람직하다.An auxiliary layer 123 is further formed between the organic light emitting layer 122R and the hole injection layer 121 of the first sub-pixel SP1. As an alternative embodiment, the auxiliary layer 123 may be omitted and the thickness of the organic light emitting layer 122R may be increased by the thickness of the auxiliary layer 123. [ However, it is preferable to use the auxiliary layer 123 together with the organic light emitting layer 122R so as not to excessively increase the thickness of the organic light emitting layer 122R in order to reduce the process time and drive voltage for forming the organic light emitting layer 122R .

유기 발광층(122R, 122G, 122B)은 서로 다른 색의 가시광선을 발광한다. 즉 유기 발광층(122R)은 제1 색의 가시 광선을 발광하고, 유기 발광층(122G)은 제2 색의 가시 광선을 발광하고, 유기 발광층(122B)은 제3 색의 가시 광선을 발광한다. 구체적으로 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 청색일 수 있다.The organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B emit visible light of different colors. That is, the organic luminescent layer 122R emits visible light of the first color, the organic luminescent layer 122G emits visible light of the second color, and the organic luminescent layer 122B emits visible light of the third color. Specifically, the first color may be red, the second color may be green, and the third color may be blue.

유기 발광층(122R, 122G, 122B)은 서로 다른 두께를 갖는다. 즉 유기 발광층(122R)은 두께(DR)를 갖고, 유기 발광층(122G)은 두께(DG)를 갖고, 유기 발광층(122B)은 두께(DB)를 갖는다. The organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B have different thicknesses. That is, the organic light emitting layer 122R has a thickness DR, the organic light emitting layer 122G has a thickness DG, and the organic light emitting layer 122B has a thickness DB.

유기 발광층(122G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬이 되도록 형성한다. The thickness DG of the organic light emitting layer 122G is formed to be 320 angstroms to 390 angstroms.

그리고 나서 도 6e를 참조하면 전자 수송층(124)을 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 유기 발광층(122R, 122G, 122B)의 상부에 형성한다. 이 때 전자 수송층(124)은 소정의 두께(D2)를 갖는다. 예를들면 전자 수송층(124)의 두께(D2)는 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대하여 동일하다. 특히, 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)의 각각의 유기 발광층(122R, 122G, 122B)과 중첩되는 소정의 영역에서 동일한 두께(D2)를 갖도록 전자 수송층(124)을 형성한다. Referring to FIG. 6E, the electron transport layer 124 is formed on the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B in common for the first, second, and third sub-pixels SP1, SP2, Respectively. At this time, the electron transporting layer 124 has a predetermined thickness D2. For example, the thickness D2 of the electron transport layer 124 is the same for the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. Particularly, the same thickness D2 is formed in a predetermined region overlapping each of the organic light emitting layers 122R, 122G, and 122B of the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2, and the third sub- The electron transport layer 124 is formed.

제2 전극(130)을 전자 수송층(124)에 형성하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(100)를 완성한다. 제2 전극(130)은 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)에 대해 공통으로 전자 수송층(124)상에 형성된다. The second electrode 130 is formed on the electron transport layer 124 to finally complete the organic light emitting diode display 100. The second electrode 130 is formed on the electron transporting layer 124 in common with the first sub-pixel SP1, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법은 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함하도록 형성하고, 제1 부화소(SP1), 제2 부화소(SP2) 및 제3 부화소(SP3)는 각각 다른 색, 예를들면 적색, 녹색 및 청색을 구현한다.The manufacturing method of the organic light emitting display 100 according to the present embodiment includes forming the plurality of subpixels SP1, SP2 and SP3 and forming the first subpixel SP1, the second subpixel SP2, The pixels SP3 implement different colors, for example, red, green, and blue.

또한, 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 대하여 제1 전극(110)과 제2 전극(130)사이의 공간에서 광공진이 발생하도록 제1 전극(110)과 제2 전극(130)사이의 거리를 용이하게 제어한다. 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(100)의 광효율 및 화질 특성이 향상한다.The first electrode 110 and the second electrode 130 are formed so that light resonance occurs in a space between the first electrode 110 and the second electrode 130 with respect to the plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3. Lt; / RTI > The light efficiency and image quality characteristics of the OLED display 100 are improved.

이 때 제2 부화소(SP2)에 제1 전극(110)상에 광투과형 도전 패턴(115)을 형성한다. 이를 통하여 제2 부화소(SP2), 특히 녹색을 구현하는 부화소에서 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한 광투과형 도전 패턴(115)은 광을 투과할 뿐만 아니라 제1 전극(110)의 재료인 투과형 도전성 물질로 형성하므로 정공 주입 특성을 감소하지 않고 유기 발광층(122G)에서의 광효율을 향상한다.At this time, the light transmission type conductive pattern 115 is formed on the first electrode 110 in the second sub-pixel SP2. Thus, the light resonance distance can be easily secured in the second sub-pixel SP2, especially in the sub-pixel realizing green. Also, since the light transmission type conductive pattern 115 not only transmits light but also forms a transmission type conductive material which is the material of the first electrode 110, the light efficiency in the organic light emission layer 122G is improved without decreasing the hole injection characteristic.

특히, 녹색을 구현하는 제2 부화소(SP2)에서 유기 발광층(122G)과 인접하도록 별도의 보조층(미도시)을 형성할 필요가 없으므로 보조층(미도시)을 형성하기 위한 패터닝 공정이 필요하지 않고 이로 인한 불량 발생을 억제하여 유기 발광 표시 장치(100)의 고해상도를 용이하게 구현한다.In particular, since it is not necessary to form a separate auxiliary layer (not shown) adjacent to the organic light emitting layer 122G in the second sub-pixel SP2 that implements green, a patterning process for forming an auxiliary layer Thereby preventing the occurrence of defects and easily realizing the high resolution of the organic light emitting diode display 100.

이 때 광투과형 도전 패턴(115)의 두께(T)는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬이 되도록 하여 광공진 거리를 용이하게 확보하고 광효율을 향상한다. 특히 광투과형 도전 패턴(115)이 제1 전극(110)을 형성하는 재료와 동일한 재료를 포함하도록 하여 제1 전극(110)과의 계면 접합 특성을 향상하여 계면에서의 비정상적 반사 및 산란을 방지한다. At this time, the thickness T of the light transmission type conductive pattern 115 is 230 to 280 angstroms, thereby easily securing the light resonance distance and improving the light efficiency. In particular, the light transmission type conductive pattern 115 includes the same material as the material forming the first electrode 110 to improve the interface bonding property with the first electrode 110, thereby preventing abnormal reflection and scattering at the interface .

또한, 광투과형 도전 패턴(115)을 제1 전극(110)을 형성하는 재료와 동일한 재료, 예를들면 제1 전극(110)을 3개의 층으로 형성 시 최상층의 재료와 동일한 재료를 함유하도록 하여 광투과형 도전 패턴(115)을 제1 전극(110)과 동시에 패터닝하여 형성할 수 있으므로 유기 발광 표시 장치(100)이 제조 공정 효율성을 향상하면서 유기 발광 표시 장치(100)의 광특성 및 화질 특성을 향상한다.When the light-transmitting conductive pattern 115 is made of the same material as the material for forming the first electrode 110, for example, when the first electrode 110 is formed of three layers, the same material as the material of the uppermost layer may be contained The light transmission type conductive pattern 115 can be formed by patterning simultaneously with the first electrode 110 so that the organic light emitting diode display 100 can improve the manufacturing process efficiency while improving the optical characteristics and image quality characteristics of the OLED display 100 Improvement.

또한, 이와 동시에 유기 발광층(122G)의 두께(DG)는 320 옹스트롬 내지 390옹스트롬으로 제어한다. 이를 통하여 광투과형 도전 패턴(115)의 두께를 최소로 하면서 제2 부화소(SP2)에서의 광공진 거리를 용이하게 확보한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 전압 증가 없이 광효율 및 전기적 특성을 향상한다.At the same time, the thickness (DG) of the organic light emitting layer 122G is controlled to be from 320 angstroms to 390 angstroms. Thus, the light resonance distance in the second sub-pixel SP2 is easily secured while minimizing the thickness of the light transmission type conductive pattern 115. [ Further, the light efficiency and the electrical characteristics are improved without increasing the driving voltage of the OLED display 100.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art . Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100, 200, 300, 400: 유기 발광 표시 장치
110, 210, 310, 410: 제1 전극
115, 215, 315, 415: 광투과형 도전 패턴
122R, 122G, 122B, 222R, 222G, 222B, 322R, 322G, 322B, 422R, 422G, 422B: 유기 발광층
130, 230, 330, 430: 제2 전극100, 200, 300, 400: organic light emitting display
110, 210, 310, 410: a first electrode
115, 215, 315, 415: light transmission type conductive pattern
122R, 122G, 122B, 222R, 222G, 222B, 322R, 322G, 322B, 422R, 422G, 422B:
130, 230, 330, 430:

Claims (20)

기판 상에 형성되는 복수의 부화소를 구비하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서,
상기 복수의 부화소들은 각각,
제1 전극;
상기 제1 전극 상부에 배치되는 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 유기 발광층을 포함하고,
상기 복수의 부화소들 중 일 부화소는 상기 제1 전극 상에 형성된 광투과형 도전 패턴을 구비하는 유기 발광 표시 장치.And a plurality of sub-pixels formed on the substrate,
The plurality of sub-
A first electrode;
A second electrode disposed on the first electrode; And
And an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode,
And a pixel of the plurality of sub-pixels includes a light transmission type conductive pattern formed on the first electrode. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소들은 적어도 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소를 구비하고,
상기 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소에 구비된 유기 발광층들은 각각 제1 색, 제2 색 및 제3 색의 가시 광선을 발광하고,
상기 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색 및 제3 색은 청색이고,
상기 광투과형 도전 패턴은 상기 제2 부화소에만 형성되는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of sub-pixels include at least a first sub-pixel, a second sub-pixel and a third sub-pixel,
The organic light emitting layers included in the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel emit visible light of a first color, a second color, and a third color, respectively,
The first color is red, the second color is green, and the third color is blue,
Wherein the light transmission type conductive pattern is formed only in the second sub-pixel. 제2 항에 있어서,
상기 제2 부화소에 구비된 유기 발광층의 두께는 320옹스트롬 내지 390옹스트롬인 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
And the thickness of the organic light emitting layer included in the second sub-pixel is 320 to 390 Angstroms. 제2 항에 있어서,
상기 제1 부화소에는 상기 유기 발광층과 접하고 상기 유기 발광층과 상기 제1 전극의 사이에 배치된 보조층이 더 형성되는 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first sub-pixel is further formed with an auxiliary layer which is in contact with the organic light emitting layer and which is disposed between the organic light emitting layer and the first electrode. 제2 항에 있어서,
상기 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소에 구비된 유기 발광층들은 각각 두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)를 갖도록 형성되고,
상기 유기 발광층들의 두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)의 크기는 두께(DR), 두께(DG) 및 두께(DB)의 순서대로 작아지는 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
The organic light emitting layers included in the first sub-pixel, the second sub-pixel and the third sub-pixel are formed to have a thickness DR, a thickness DG, and a thickness DB,
The thickness DR, the thickness DG and the thickness DB of the organic light emitting layers are reduced in order of the thickness DR, the thickness DG and the thickness DB. 제1 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴의 두께는 230 옹스트롬 내지 280 옹스트롬인 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the light transmission type conductive pattern is from 230 angstroms to 280 angstroms. 제1 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴은 상기 제1 전극의 상면과 접하고 상기 제1 전극과 동일한 패턴을 갖도록 형성된 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light transmission type conductive pattern is in contact with an upper surface of the first electrode and has the same pattern as the first electrode. 제1 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴은 적어도 상기 제1 전극을 형성하는 재료 중 적어도 하나를 함유하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light transmission type conductive pattern contains at least one of a material forming at least the first electrode. 제1 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 함유하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light transmission type conductive pattern contains ITO, IZO, ZnO, or In2O3. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 제1 전극 및 광투과형 도전 패턴과 상기 복수의 부화소의 유기 발광층 사이에 형성되는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함하고,
상기 정공 주입층 또는 정공 수송층의 영역 중 상기 복수의 부화소의 유기 발광층과 중첩되는 소정의 영역의 두께는 상기 복수의 부화소에 대해서 동일한 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a hole injection layer or a hole transport layer formed between the first electrode of the plurality of sub-pixels and the organic light emitting layer of the light transmission type conductive pattern and the plurality of sub-pixels,
Wherein a thickness of a predetermined region overlapping the organic light emitting layer of the plurality of sub-pixels in the region of the hole injection layer or the hole transporting layer is the same for the plurality of sub-pixels. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 제2 전극과 상기 복수의 부화소의 유기 발광층 사이에 형성되는 전자 주입층 또는 전자 수송층을 더 포함하고,
상기 전자 주입층 또는 전자 수송층의 영역 중 상기 복수의 부화소의 유기 발광층과 중첩되는 소정의 영역의 두께는 상기 복수의 부화소에 대해서 동일한 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Further comprising an electron injection layer or an electron transport layer formed between the second electrode of the plurality of subpixels and the organic light emitting layer of the plurality of subpixels,
Wherein a thickness of a predetermined region overlapping the organic light emitting layer of the plurality of sub-pixels among the regions of the electron injection layer or the electron transport layer is the same for the plurality of sub-pixels. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 광공진 영역을 구현하도록 반사 물질을 함유하도록 형성된 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode are formed to contain a reflective material so as to realize a light resonance region between the first electrode and the second electrode. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 포함하고, 여기에 더하여 상기 제1 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca를 포함하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The first electrode may include at least one of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb, or Ca And an organic light emitting diode (OLED). 제13 항에 있어서,
상기 제1 전극은 순차적으로 적층되는 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 구비하고, 상기 제1 층 및 제3 층은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 포함하고, 상기 제2 층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca를 포함하는 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the first electrode comprises a first layer, a second layer and a third layer that are sequentially stacked, wherein the first and third layers comprise ITO, IZO, ZnO, or In2O3, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb or Ca. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 제1 전극의 가장자리를 덮는 화소 정의막을 더 포함하고,
상기 화소 정의막은 상기 광투과형 도전 패턴의 가장자리를 덮는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And a pixel defining layer covering an edge of the first electrode of the plurality of sub-pixels,
Wherein the pixel defining layer covers an edge of the light transmission type conductive pattern. 기판 상에 형성되는 복수의 부화소를 구비하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서,
상기 복수의 부화소들을 형성하는 단계는 각각,
제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상부에 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 부화소들 중 일 부화소는 상기 제1 전극 상에 형성된 광투과형 도전 패턴을 구비하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting diode display having a plurality of sub-pixels formed on a substrate,
Wherein forming the plurality of sub-
Forming a first electrode;
Forming a second electrode over the first electrode; And
And forming an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode,
And a pixel of the plurality of sub-pixels has a light transmission type conductive pattern formed on the first electrode. 제16 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴은 적어도 상기 제1 전극을 형성하는 재료 중 적어도 하나를 함유하고, 상기 제1 전극의 상면과 접하고 상기 제1 전극과 동일한 패턴을 갖도록 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the light transmission type conductive pattern contains at least one of a material for forming at least the first electrode and is in contact with an upper surface of the first electrode and has the same pattern as the first electrode. 제16 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴과 상기 제1 전극은 동시에 패터닝하여 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the light-transmitting conductive pattern and the first electrode are patterned at the same time. 제18 항에 있어서,
상기 광투과형 도전 패턴과 상기 제1 전극을 동시에 패터닝하여 형성하는 단계는 하프톤 마스크를 이용하여 수행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.19. The method of claim 18,
Wherein the step of simultaneously patterning the light transmission type conductive pattern and the first electrode is performed using a halftone mask. 제16 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 제1 전극의 가장자리를 덮는 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 화소 정의막은 상기 광투과형 도전 패턴의 가장자리를 덮도록 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.17. The method of claim 16,
Forming a pixel defining layer covering an edge of the first electrode of the plurality of sub-pixels,
Wherein the pixel defining layer is formed to cover an edge of the light transmission type conductive pattern.
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