KR20150012517A - Donor film for laser induced thermal induction and - Google Patents

Donor film for laser induced thermal induction and Download PDF

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KR20150012517A KR1020130088108A KR20130088108A KR20150012517A KR 20150012517 A KR20150012517 A KR 20150012517A KR 1020130088108 A KR1020130088108 A KR 1020130088108A KR 20130088108 A KR20130088108 A KR 20130088108A KR 20150012517 A KR20150012517 A KR 20150012517A
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Abstract

Provided are a donor film for laser induced thermal induction and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same. For a donor film for laser induced thermal induction capable of forming a layer with accurate thickness and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, the present invention includes a base film which has a transfer region and a non-transfer region, a thickness measuring layer arranged on the non-transfer region of the base film, and a transfer layer arranged on the transfer region of the base film and at least parts of the thickness measuring layer.

Description

레이저열전사용 도너필름 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법{Donor film for laser induced thermal induction and }Technical Field [0001] The present invention relates to a donor film for laser induced thermal imaging,

본 발명은 레이저열전사용 도너필름 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 정확한 두께로 층이 형성되도록 할 수 있는 레이저열전사용 도너필름 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a donor film for laser induced thermal imaging and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, and more particularly, to a donor film for laser induced thermal imaging .

유기발광 디스플레이 장치는 디스플레이 영역에 유기발광 소자를 구비하는 디스플레이 장치로서, 유기발광 소자는 상호 대향된 화소전극 및 대향전극과, 화소전극과 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 구비한다.The organic light emitting display device is a display device having an organic light emitting device in a display area. The organic light emitting device includes an intermediate layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode, and the light emitting layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode.

이러한 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 시 중간층의 적어도 일부를 형성하는 방법으로 다양한 방법을 이용할 수 있는데, 예컨대 증착법, 잉크젯 프린팅법 또는 레이저열전사법(LITI; laser induced thermal imaging) 등을 이용할 수 있다.Various methods can be used as a method of forming at least a part of the intermediate layer in manufacturing the organic light emitting display device. For example, a vapor deposition method, an inkjet printing method, or a laser induced thermal imaging (LITI) method can be used.

그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에는, 레이저열전사법에서 사용하는 도너필름 상의 전사층의 두께에 따라 최종적으로 제조되는 유기발광 디스플레이 장치의 충간층 중 도너필름의 전사층에 의해 형성되는 층의 두께가 상이하게 될 수 있다는 문제점이 있었다.However, the manufacturing method of such a conventional organic light emitting display device is not limited to the layer formed by the transfer layer of the donor film in the interlevel layer of the organic light emitting display device finally manufactured according to the thickness of the transfer layer on the donor film used in the laser induced thermal imaging There is a problem in that the thickness of the film can be different.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정확한 두께로 층이 형성되도록 할 수 있는 레이저열전사용 도너필름 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is another object of the present invention to provide a donor film for laser induced thermal imaging capable of forming a layer with a precise thickness and a method for manufacturing an organic light emitting display device using the same. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 전사영역과 비전사영역을 갖는 베이스필름과, 상기 베이스필름의 비전사영역에 배치되는 두께측정용막과, 상기 두께측정용막의 적어도 일부분 및 상기 베이스필름의 전사영역 상에 배치되는 전사층을 구비하는, 레이저열전사용 도너필름이 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a base film having a transfer region and a non-transfer region; a thickness measuring film disposed in an untransferred region of the base film; And a transfer layer disposed on the donor film.

상기 두께측정용막의 반사율은 상기 전사층에 인접하여 위치하되 상기 전사층의 상기 베이스필름 방향에 위치한 층의 반사율보다 높을 수 있다.The reflectance of the thickness measurement film may be higher than that of the layer positioned adjacent to the transfer layer and located in the direction of the base film of the transfer layer.

상기 두께측정용막의 반사율은 상기 베이스필름의 반사율보다 높을 수 있다.The reflectance of the thickness measurement film may be higher than that of the base film.

상기 베이스필름과 상기 전사층 사이에 개재되는 중간층을 더 구비하고, 상기 두께측정용막은 상기 베이스필름의 비전사영역에 대응하도록 상기 중간층 상에 위치할 수 있다.And a transfer layer interposed between the base film and the transfer layer, wherein the thickness measurement film may be positioned on the intermediate layer so as to correspond to the non-transfer area of the base film.

이때, 상기 두께측정용막의 반사율은 상기 중간층의 반사율보다 높을 수 있다.At this time, the reflectance of the thickness measurement film may be higher than that of the intermediate layer.

상기 중간층은 광열변환층을 포함할 수 있다.The intermediate layer may include a photo-thermal conversion layer.

상기 두께측정용막은 금속막일 수 있다.The thickness measuring film may be a metal film.

상기 전사층의 상기 두께측정용막 상의 부분의 두께는 다른 부분의 두께와 같을 수 있다.The thickness of the portion of the transfer layer on the thickness measurement film may be the same as the thickness of the other portion.

본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계와, 상기와 같은 레이저열전사용 도너필름의 전사영역에 레이저빔을 조사하여 전사층을 화소전극 상부로 전사하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a laser-induced thermal imaging laser comprising the steps of: forming a pixel electrode on a substrate; and irradiating a laser beam onto the transfer region of the donor film for laser- , A method of manufacturing an organic light emitting display device is provided.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 정확한 두께로 층이 형성되도록 할 수 있는 레이저열전사용 도너필름 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention as described above, a donor film for laser induced thermal imaging capable of forming a layer with a precise thickness and a method for manufacturing an organic light emitting display device using the donor film can be realized. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도너필름을 만드는 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도너필름을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 도너필름을 만드는 공정을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a process of making a donor film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a donor film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view schematically showing a process of making the donor film of FIG. 2. FIG.
FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views schematically showing processes of a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

한편, 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다.On the other hand, when various elements such as layers, films, regions, plates and the like are referred to as being "on " another element, not only is it directly on another element, .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도너필름(300)을 만드는 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 그와 같이 제조된 본 발명의 일 실시예에 따른 도너필름(300)을 개략적으로 도시하는 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a process of making a donor film 300 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view of a donor film 300 according to an embodiment of the present invention, Fig.

본 실시예에 따른 도너필름(300)을 제조할 시, 베이스필름(310) 상에 전사층(350)을 형성하는 과정을 거치게 된다. 물론 전사층(350)을 형성하기에 앞서 베이스필름(310) 상에 광열변환층(320)을 형성하고, 나아가 필요에 따라 중간층(330) 등도 형성하기도 한다.When the donor film 300 according to the present embodiment is manufactured, a transfer layer 350 is formed on the base film 310. Of course, before forming the transfer layer 350, the photo-thermal conversion layer 320 may be formed on the base film 310, and the intermediate layer 330 may be formed if necessary.

베이스필름(310)은 광열변환층(320)에 빛을 전달하기 위하여 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate: PET)와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및/또는 폴리스티렌으로 형성될 수 있다.The base film 310 may be formed of polyester, polyacrylic, polyepoxy, polyethylene, and / or polystyrene such as polyethylene terephthalate (PET) to transmit light to the photo-thermal conversion layer 320.

이러한 베이스필름(310)은 전사영역(TA; transfer area)과 비전사영역(NTA; non-transfer area)을 갖는다. 예컨대 전사영역(TA)은 베이스필름(310)의 중앙부에 위치하고, 비전사영역(NTA)은 전사영역(TA) 외측에 위치할 수 있다.The base film 310 has a transfer area TA and a non-transfer area NTA. For example, the transfer area TA may be located at the center of the base film 310, and the non-transfer area NTA may be located outside the transfer area TA.

베이스필름(310)의 전사영역(TA)에는 후술하는 것과 같이 전사층(350)이 형성된다. 이 전사층(350)은 유기발광 디스플레이 장치 제조 시 화소전극 상에 전사될 물질을 포함한다. 베이스필름(310)의 비전사영역(NTA)은 전사층(350)을 갖지 않거나, 전사층(350)을 갖는다 하더라도 비전사영역(NTA)의 전사층(350)은 유기발광 디스플레이 장치 제조 시 전사되지 않는다.A transfer layer 350 is formed in the transfer area TA of the base film 310 as described later. The transfer layer 350 includes a material to be transferred onto a pixel electrode in manufacturing an organic light emitting display device. Even if the non-transfer area NTA of the base film 310 does not have the transfer layer 350 or has the transfer layer 350, the transfer layer 350 of the non-transfer area NTA can be transferred It does not.

광열변환층(320)은 베이스필름(310)을 통해 조사되는 레이저광을 흡수하여 레이저광의 에너지의 적어도 일부를 열로 변환시키는 층이다. 이러한 광열변환층(320)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수할 수 있는 알루미늄이나 은과 같은 금속막이거나, 그러한 금속의 산화물/황화물막이거나, 카본 블랙이나 흑연 등을 포함하는 고분자 유기막 등일 수 있다.The photo-thermal conversion layer 320 is a layer that absorbs the laser light irradiated through the base film 310 and converts at least a part of the energy of the laser light into heat. The photo-thermal conversion layer 320 may be a metal film such as aluminum or silver capable of absorbing light in the infrared-visible light region, an oxide / sulfide film of such a metal, or a polymer organic film including carbon black or graphite .

전술한 바와 같이 필요에 따라 광열변환층(320)과 전사층(350) 사이에 중간층(330)이 개재될 수도 있다. 그러한 중간층(330)은 예컨대 펜타에리트리톨 테트라니트레이트(PETN) 또는 트리니트로툴루엔(TNT) 등으로 형성되어 광열변환층(320)으로부터 전달되는 광 또는 열을 흡수하여 분해반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스 등을 생성하는 가스생성층일 수도 있고, 전사층(350)의 전사 시 광열변환층(320)의 일부가 전사층(350)에 묻어나는 것을 방지하기 위한 방지층일 수도 있다. 전자의 경우 가스를 생성하여 전사층(350)이 전사될 시 중간층이나 광열변환층(320)으로부터 잘 분리되도록 하는 역할을 할 수도 있다.The intermediate layer 330 may be interposed between the photo-thermal conversion layer 320 and the transfer layer 350 as described above. Such an intermediate layer 330 is formed of, for example, pentaerythritol tetranitrate (PETN) or trinitrotoluene (TNT), absorbs light or heat transmitted from the photo-thermal conversion layer 320 to generate a decomposition reaction, Gas or the like and may be an inhibiting layer for preventing a part of the photothermal conversion layer 320 from being transferred to the transfer layer 350 when the transfer layer 350 is transferred. In the former case, the gas may be generated to separate the transfer layer 350 from the intermediate layer or the photo-thermal conversion layer 320 when the transfer layer 350 is transferred.

전사층(350)은 광열변환층(320)에서 발생된 열에 의해 접촉하고 있는 면 상에 전사되는 층이다. 전사층(350)은 예컨대 유기발광 디스플레이 장치의 화소전극과 대향전극 사이에 개재되는 발광층용 물질을 포함하는 층일 수 있다. 물론 전사층(350)은 발광층용 물질이 아닌 유기발광 디스플레이 장치의 화소전극과 대향전극 사이에 개재되는 다른 층용 물질을 포함할 수도 있고, 다층구조를 가질 수도 있다. 이러한 전사층(350)은 증착 등의 방법을 통해 형성될 수 있다.The transfer layer 350 is a layer that is transferred onto a surface in contact with heat generated in the photo-thermal conversion layer 320. The transfer layer 350 may be a layer including a material for a light emitting layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode of the organic light emitting display device, for example. Of course, the transfer layer 350 may include another layer material interposed between the pixel electrode and the counter electrode of the organic light emitting display device, not the material for the light emitting layer, or may have a multi-layer structure. The transfer layer 350 may be formed by a method such as vapor deposition.

한편, 본 실시예에 따른 도너필름(300)을 제조할 시, 광열변환층(320) 상에 전사층(350)을 형성하기에 앞서, 두께측정용막(340)을 광열변환층(320) 상에 형성한다. 전술한 바와 같이 중간층(330)이 광열변환층(320) 상에 위치할 경우라면, 두께측정용막(340)은 중간층(330) 상에 형성되며, 전사층(350) 역시 두께측정용막(340)과 중간층(330)에 걸쳐 형성된다.The thickness measuring film 340 may be formed on the photothermal conversion layer 320 before the transfer layer 350 is formed on the photothermal conversion layer 320. In this case, . The thickness measuring film 340 is formed on the intermediate layer 330 and the transfer layer 350 is also formed on the thickness measuring film 340. The thickness measuring film 340 is formed on the intermediate layer 330, And the intermediate layer 330.

이러한 두께측정용막(340)은 베이스필름(310)의 비전사영역(NTA)에 대응하도록 배치된다. 전사층(350)은 베이스필름(310)의 전사영역(TA)에 대응하도록 형성되는 것은 물론, 비전사영역(NTA)의 적어도 일부분, 구체적으로는 두께측정용막(340)의 적어도 일부분에 대응하도록 형성된다.This thickness measuring film 340 is disposed so as to correspond to the non-transfer area NTA of the base film 310. The transfer layer 350 is formed so as to correspond to at least a part of the non-transfer area NTA, in particular at least a part of the thickness measuring film 340, as well as being formed to correspond to the transfer area TA of the base film 310. [ .

도 3은 도 2의 도너필름(300)을 만드는 공정을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 3에서는 전사층(350)이 형성되기 전의 도너필름(300)을 도시하고 있다. 도 3에서 점선으로 표시한 것과 같이 전사층(350)은 베이스필름(310)의 비전사영역(NTA)에 위치한 두께측정용막(340)의 적어도 일부분 및 베이스필름(310)의 전사영역(TA)에 대응하도록 형성된다. 베이스필름(310)의 전사영역(TA)의 경우에도 전사층(350)이 전사영역(TA)의 전면(全面)에 형성될 수도 있지만, 도 3에 도시된 것과 같이 전사층(350)이 전사영역(TA)의 일부영역 상에만 형성될 수도 있다.3 is a plan view schematically showing a process of making the donor film 300 of FIG. FIG. 3 shows the donor film 300 before the transfer layer 350 is formed. 3, the transfer layer 350 may include at least a portion of the thickness measuring film 340 located in the non-transfer area NTA of the base film 310 and a transfer area TA of the base film 310, As shown in FIG. The transfer layer 350 may be formed on the entire surface of the transfer area TA even in the case of the transfer area TA of the base film 310. However, But may be formed only on a partial area of the area TA.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views schematically showing processes of a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 4에 도시된 것과 같이 백플레인을 준비한다. 여기서 백플레인이라 함은 적어도 기판(100)과, 기판(100) 상에 형성된 화소전극(210)과, 화소전극(210) 각각의 중앙부를 포함한 적어도 일부를 노출시키도록 형성된 화소정의막(180)을 포함하는 것으로 이해할 수 있다. 이때 화소정의막(180)은 기판(100)을 중심으로 할 시 화소전극(210)보다 (+z 방향으로) 돌출된 형상을 가질 수 있다.First, a backplane is prepared as shown in FIG. The backplane includes at least a substrate 100, a pixel electrode 210 formed on the substrate 100, and a pixel defining layer 180 formed to expose at least a part of the pixel electrode 210, And the like. At this time, the pixel defining layer 180 may have a shape protruding (+ z direction) from the pixel electrode 210 when the substrate 100 is the center.

화소전극(210)은 (반)투명전극 또는 반사전극일 수 있다. (반)투명전극일 경우, 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)로 형성될 수 있다. 반사전극일 경우에는Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 포함할 수 있다. 물론 화소전극(210)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.The pixel electrode 210 may be a (semi) transparent electrode or a reflective electrode. In the case of a (semi) transparent electrode, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO zinc oxide), indium oxide (In 2 O 3 indium oxide) And may be formed of indium gallium oxide (IGO) or aluminum zinc oxide (AZO). A reflection film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr or a compound thereof and a film formed of ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 have. Of course, the structure and material of the pixel electrode 210 are not limited thereto, and various modifications are possible.

화소정의막(180)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 화소전극(210) 각각의 중앙부 또는 화소전극(210) 전체가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 단부와 화소전극(210) 상부의 대향전극(미도시) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The pixel defining layer 180 may serve to define the pixel by having an opening corresponding to each of the sub-pixels, that is, the center of each of the pixel electrodes 210 or the entire pixel electrode 210 is exposed. The pixel defining layer 180 is formed by increasing the distance between the end of the pixel electrode 210 and the counter electrode (not shown) above the pixel electrode 210 to thereby generate an arc or the like at the end of the pixel electrode 210 It can play a role to prevent.

물론 백플레인은 필요에 따라 그 외의 다양한 구성요소를 더 포함할 수 있다. 예컨대 도 4에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)나 커패시터(Cap)가 형성될 수 있다. 그리고 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층과 게이트전극을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극/드레인전극과 게이트전극을 절연시키기 위한 층간절연막(150) 및 박막트랜지스터(TFT)를 덮으며 상면이 대략 평평한 평탄화막(170) 등이나 다른 구성요소들을 구비할 수 있다.Of course, the backplane may further include various other components as needed. For example, a thin film transistor (TFT) or a capacitor Cap may be formed on the substrate 100 as shown in FIG. A buffer layer 110 formed to prevent impurities from penetrating into the semiconductor layer of the thin film transistor TFT, a gate insulating film 130 for insulating the semiconductor layer and the gate electrode of the thin film transistor TFT, a thin film transistor TFT, An interlayer insulating layer 150 for insulating the source electrode / drain electrode of the TFT with the gate electrode, and a flattening film 170 covering the thin film transistor TFT and having a substantially flat top surface.

이와 같이 백플레인을 준비한 후, 도 5에 도시된 것과 같이 백플레인 상에 레이저열전사를 위한 도너필름(300)을 배치한다. 물론 백플레인 상에 도너필름(300)을 배치하기에 앞서, 화소전극(210) 상에 또는 기판(100)의 전면(全面)에 필요한 층을 형성하는 과정을 거칠 수도 있다. 그러한 층은 예컨대 정공주입층이나 정공수송층 등이 될 수 있다.After the backplane is prepared as described above, the donor film 300 for laser thermal transfer is disposed on the backplane as shown in FIG. Of course, the formation of the necessary layers may be performed on the pixel electrode 210 or on the entire surface of the substrate 100 prior to disposing the donor film 300 on the backplane. Such a layer may be, for example, a hole injection layer, a hole transporting layer, or the like.

백플레인 상에 레이저열전사를 위한 도너필름(300)을 배치한 후, 도 5에 도시된 것과 같이 도너필름(300)의 사전설정된 부분에 레이저빔을 조사하여, 도너필름(300)의 전사층(350)의 일부를 백플레인으로 전사한다.After the donor film 300 for laser thermal transfer is placed on the backplane, a laser beam is irradiated onto a predetermined portion of the donor film 300, as shown in FIG. 5, 350 is transferred to the backplane.

예컨대 도너필름(300)의 전사층(350)의 적색광을 방출할 수 있는 물질을 포함하는 층일 경우, 백플레인의 적색부화소(R), 녹색부화소(G) 및 청색부화소(B) 중 적색부화소(R)에 대응하는 도너필름(300)의 부분에 레이저빔을 조사한다. 이 경우 레이저빔이 조사된 부분의 광열변환층(320)에서 열이 생성되어, 레이저빔이 조사된 부분의 베이스필름(310)이 그 열에 의해 부풀어 오르게 되며, 이에 따라 레이저빔이 조사된 부분의 전사층(350)이 백플레인의 적색부화소(R)의 화소전극(210)이나 화소정의막(180)의 측면 등에 접촉하게 된다. 물론 베이스필름(310) 외에 광열변환층(320)이나 중간층(330) 등도 함께 부풀어 오를 수도 있다.The red subpixel R, the green subpixel G and the blue subpixel B of the backplane, for example, a layer including a material capable of emitting red light of the transfer layer 350 of the donor film 300, The laser beam is irradiated onto the portion of the donor film 300 corresponding to the sub-pixel R. In this case, heat is generated in the photo-thermal conversion layer 320 of the portion irradiated with the laser beam, and the base film 310 of the portion irradiated with the laser beam is swelled by the heat, The transfer layer 350 is brought into contact with the pixel electrode 210 of the red sub-pixel R of the backplane or the side surface of the pixel defining layer 180 or the like. Of course, in addition to the base film 310, the photo-thermal conversion layer 320, the intermediate layer 330, and the like may also swell together.

레이저빔이 조사된 부분의 전사층(350)은 백플레인의 적색부화소(R)의 화소전극(210)이나 화소정의막(180)의 측면 등에 접촉되고 또한 광열변환층(320)에서 생성된 열의 영향을 받기에, 화소전극(210)이나 화소정의막(180)의 측면 등에 전사 된다. 그러나 레이저빔이 조사되지 않은 부분의 전사층(350)은 화소정의막(180)의 상면에 일부 접촉한다 하더라도 열의 영향을 받지 않기에, 화소정의막(180)의 상면에 일부 묻어날 수는 있더라도 전사되지는 않는다.The transfer layer 350 of the portion irradiated with the laser beam is in contact with the pixel electrode 210 of the red subpixel R of the backplane or the side surface of the pixel defining layer 180 and the like, It is transferred to the side surfaces of the pixel electrode 210 and the pixel defining layer 180, and the like. However, even if the transfer layer 350 of the portion not irradiated with the laser beam partially touches the upper surface of the pixel defining layer 180, the portion of the transferring layer 350 may be partially adhered to the upper surface of the pixel defining layer 180, It does not.

이후, 필요하다면 전자수송층이나 전자주입층을 화소전극(210)에 대응하게 또는 기판(100)의 전면에 형성한 후, 복수개의 화소전극(210)들에 대응하는 일체(一體)형 대향전극을 형성함으로써 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있다.Then, if necessary, an electron transport layer or an electron injection layer may be formed on the entire surface of the substrate 100 in correspondence with the pixel electrode 210, and then a one-piece counter electrode corresponding to the plurality of pixel electrodes 210 may be formed The organic light emitting display device can be manufactured.

이와 같은 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 화소전극(210)과 대향전극 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 중간층의 두께가 사전설정된 두께가 되도록 하는 것이 필요하다. 특히, 화소전극(210)과 대향전극 사이에 개재되는 중간층 중 발광층의 두께가 사전설정된 두께가 되도록 하는 것이 필요하다. 만일 발광층의 두께가 사전설정된 두께와 상이하게 된다면, 사전설정된 구동전압 등의 전기적 조건으로 유기발광 디스플레이 장치를 구동한다고 하더라도 발광층에서 그 사전설정된 전기적 조건에 대응하는 휘도의 광이 방출되지 않을 수도 있는 등, 유기발광 디스플레이 장치의 불량이 발생하게 되기 때문이다.In the case of such an organic light emitting display device, it is necessary that the thickness of the intermediate layer including the light emitting layer interposed between the pixel electrode 210 and the counter electrode is set to a predetermined thickness. In particular, it is necessary to make the thickness of the light-emitting layer of the intermediate layer interposed between the pixel electrode 210 and the counter electrode to be a predetermined thickness. If the thickness of the light emitting layer is different from the predetermined thickness, even if the organic light emitting display device is driven by an electrical condition such as a predetermined driving voltage, light of a luminance corresponding to the predetermined electrical condition may not be emitted from the light emitting layer , And the organic light emitting display device is defective.

화소전극(210)과 대향전극 사이에 개재되는 중간층 중 발광층의 두께가 사전설정된 두께가 되도록 하기 위해서는, 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 시 사용되는 도너필름(300)의 전사층(350)의 두께가 사전설정된 두께가 되도록 하는 것이 필요하다. 이를 위해, 도 1 내지 도 3을 참조하여 전술한 실시예에 따른 도너필름(300)을 이용할 수 있다.The thickness of the transfer layer 350 of the donor film 300 used in manufacturing the organic light emitting display device is preferably set to be less than or equal to the thickness of the transfer layer 350 of the intermediate layer between the pixel electrode 210 and the counter electrode It is necessary to ensure a predetermined thickness. For this, a donor film 300 according to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 3 may be used.

도 1 내지 도 3을 참조하여 전술한 실시예에 따른 도너필름(300)의 경우 두께측정용막(340)을 갖기에, 이를 이용해 전사층(350)의 두께를 확인할 수 있다. 두께측정용막(340)의 반사율이 전사층(350)에 인접하여 위치하되 전사층(350)의 베이스필름(310) 방향에 위치한 층의 반사율보다 높도록 함으로써, 이러한 두께측정용막(340)의 특성을 이용해 전사층(350)의 두께를 확인할 수 있다. 예컨대 중간층(330)이 광열변환층(320)과 전사층(350) 사이에 개재되며 두께측정용막(340)이 중간층 상에 위치한다면, 두께측정용막(340)의 반사율은 중간층(330)의 반사율보다 높도록 할 수 있다.In the case of the donor film 300 according to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 3, the thickness measuring film 340 is provided, and the thickness of the transfer layer 350 can be confirmed using the thickness measuring film 340. The reflectivity of the thickness measuring film 340 is set to be higher than that of the layer positioned in the direction of the base film 310 of the transfer layer 350 adjacent to the transfer layer 350, The thickness of the transfer layer 350 can be confirmed. For example, if the intermediate layer 330 is interposed between the photo-thermal conversion layer 320 and the transfer layer 350 and the thickness measuring film 340 is positioned on the intermediate layer, the reflectance of the thickness measuring film 340 is the reflectance of the intermediate layer 330 .

도 1 내지 도 3에 도시된 것과 같은 도너필름(300)의 경우 전사층(350)에 인접하여 위치하되 전사층(350)의 베이스필름(310) 방향에 위치한 층이 중간층(330)인바, 두께측정용막(340)의 반사율은 중간층(330)의 반사율보다 높다. 이에 따라 엘립소미터와 같은 광학적 두께측정장치로 중간층(330)의 두께를 형성할 시, 광학적 두께측정장치에서 방출되는 광이 두께측정용막(340)에서 반사되기에, 베이스필름(310)의 비전사영역(NTA)에서 전사층(350)의 두께를 측정할 수 있다. 베이스필름(310)의 비전사영역(NTA)에서의 전사층(350)의 두께는 베이스필름(310)의 전사영역(TA)에서의 전사층(350)의 두께와 동일하거나 거의 유사하다. 따라서 사전설정된 두께의 전사층(350)을 갖는 도너필름(300)을 이용해 유기발광 디스플레이 장치를 제조함으로써, 유기발광 디스플레이 장치의 발광층 등이 사전설정된 두께로 형성되도록 할 수 있다.In the case of the donor film 300 as shown in FIGS. 1 to 3, the layer located adjacent to the transfer layer 350 in the direction of the base film 310 of the transfer layer 350 is the intermediate layer 330, The reflectance of the measurement film 340 is higher than that of the intermediate layer 330. [ Accordingly, when the thickness of the intermediate layer 330 is formed by an optical thickness measuring device such as an ellipsometer, the light emitted from the optical thickness measuring device is reflected by the thickness measuring film 340, The thickness of the transfer layer 350 can be measured in the cut region NTA. The thickness of the transfer layer 350 in the non-transfer area NTA of the base film 310 is equal to or substantially the same as the thickness of the transfer layer 350 in the transfer area TA of the base film 310. [ Accordingly, the organic light emitting display device is manufactured using the donor film 300 having the transfer layer 350 having a predetermined thickness, so that the light emitting layer of the organic light emitting display device can be formed with a predetermined thickness.

전사층(350)의 반사율과 그 하부의 광열변환층(320)이나 중간층(330)의 반사율은 통상적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 만일 두께측정용막(340)이 존재하지 않는다면, 광학적인 방법으로 전사층(350)의 두께를 측정하는 것이 불가능하다. 이에 따라 두께측정용막(340)이 존재하지 않는 도너필름을 이용하여 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 경우, 도너필름을 준비하는 과정에서 사전설정된 두께의 전사층이 형성되었는지를 확인할 수 있는 방법이 없기에, 사전설정된 두께로 발광층 등을 형성할 수 없다. 그러나 본 실시예에 따른 도너필름(300)을 이용할 경우 증착 등의 방법으로 전사층(350)을 형성할 시 형성된 전사층(350)의 두께를 두께측정용막(340)을 이용해 효과적으로 확인할 수 있기에, 정확한 두께의 발광층을 갖는 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있다.The reflectance of the transfer layer 350 and the reflectance of the photo-thermal conversion layer 320 and the intermediate layer 330 under the transfer layer 350 are usually the same or similar. Therefore, if the thickness measuring film 340 is not present, it is impossible to measure the thickness of the transfer layer 350 by an optical method. Accordingly, when an organic light emitting display device is manufactured using a donor film in which the thickness measuring film 340 is not present, there is no method for confirming whether a transfer layer having a predetermined thickness is formed in the process of preparing the donor film. The light emitting layer or the like can not be formed with a predetermined thickness. However, when the donor film 300 according to the present embodiment is used, the thickness of the transfer layer 350 formed when the transfer layer 350 is formed by deposition or the like can be effectively confirmed by using the thickness measuring film 340, An organic light emitting display device having a light emitting layer with an accurate thickness can be manufactured.

한편, 도너필름(300)을 제조할 시 광열변환층(320)이나 중간층(330)의 두께를 일정하게 형성할 수 있다면, 베이스필름(310)의 전사층(350) 방향의 면에서 전사층(350)의 베이스필름(310) 방향의 반대방향의 면까지의 거리를 측정함으로써 전사층(350)의 두께를 간접적으로 측정할 수 있다. 따라서 두께측정용막(340)의 반사율이 베이스필름(310)의 반사율보다 높게 함으로써도, 전사층(350)의 두께를 측정할 수 있다.On the other hand, if the thickness of the photo-thermal conversion layer 320 or the intermediate layer 330 can be uniformly formed when the donor film 300 is manufactured, the thickness of the transfer layer 350 in the direction of the transfer layer 350 of the base film 310 The thickness of the transfer layer 350 can be indirectly measured by measuring the distance to the surface in the direction opposite to the base film 310 direction. Therefore, even if the reflectivity of the thickness measuring film 340 is higher than that of the base film 310, the thickness of the transfer layer 350 can be measured.

이와 같은 고반사율을 갖는 두께측정용막(340)은 반사율이 높은 금속으로 만들어진 금속막일 수 있다. 그러한 금속으로는 예컨대 은, 구리, 알루미늄 등을 들 수 있다.The thickness measuring film 340 having such a high reflectance may be a metal film made of a metal having a high reflectance. Examples of such metals include silver, copper, and aluminum.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

110: 버퍼층 130: 게이트절연막
150: 층간절연막 170: 평탄화막
180: 화소정의막 210: 화소전극
300: 도너필름 310: 베이스필름
320: 광열변환층 330: 중간층
340: 두께측정용막 350: 전사층110: buffer layer 130: gate insulating film
150: interlayer insulating film 170: planarization film
180: pixel defining layer 210: pixel electrode
300: donor film 310: base film
320: light conversion layer 330: middle layer
340: Thickness measurement film 350: Transfer layer

Claims (9)

전사영역과 비전사영역을 갖는 베이스필름;
상기 베이스필름의 비전사영역에 배치되는 두께측정용막; 및
상기 두께측정용막의 적어도 일부분 및 상기 베이스필름의 전사영역 상에 배치되는 전사층;
을 구비하는, 레이저열전사용 도너필름.A base film having a transfer region and a non-transfer region;
A thickness measuring film disposed in an untransferred region of the base film; And
A transfer layer disposed on at least a portion of the thickness measurement film and the transfer region of the base film;
Wherein the donor film is a thermosensitive material. 제1항에 있어서,
상기 두께측정용막의 반사율은 상기 전사층에 인접하여 위치하되 상기 전사층의 상기 베이스필름 방향에 위치한 층의 반사율보다 높은, 레이저열전사용 도너필름.The method according to claim 1,
Wherein the reflectance of the thickness measuring film is higher than that of the layer positioned adjacent to the transfer layer and located in the direction of the base film of the transfer layer. 제1항에 있어서,
상기 두께측정용막의 반사율은 상기 베이스필름의 반사율보다 높은, 레이저열전사용 도너필름.The method according to claim 1,
Wherein the reflectance of the thickness measuring film is higher than that of the base film. 제1항에 있어서,
상기 베이스필름과 상기 전사층 사이에 개재되는 중간층을 더 구비하고, 상기 두께측정용막은 상기 베이스필름의 비전사영역에 대응하도록 상기 중간층 상에 위치하는, 레이저열전사용 도너필름.The method according to claim 1,
Further comprising an intermediate layer interposed between the base film and the transfer layer, wherein the thickness measurement film is positioned on the intermediate layer so as to correspond to the non-transfer area of the base film. 제4항에 있어서,
상기 두께측정용막의 반사율은 상기 중간층의 반사율보다 높은, 레이저열전사용 도너필름.5. The method of claim 4,
Wherein the reflectance of the thickness measurement film is higher than that of the intermediate layer. 제4항에 있어서,
상기 중간층은 광열변환층을 포함하는, 레이저열전사용 도너필름.5. The method of claim 4,
Wherein the intermediate layer comprises a photo-thermal conversion layer. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 두께측정용막은 금속막인, 레이저열전사용 도너필름.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the thickness measuring film is a metal film. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전사층의 상기 두께측정용막 상의 부분의 두께는 다른 부분의 두께와 같은, 레이저열전사용 도너필름.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the thickness of the portion of the transfer layer on the thickness measurement film is the same as the thickness of the other portion. 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계; 및
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 레이저열전사용 도너필름의 전사영역에 레이저빔을 조사하여, 전사층을 화소전극 상부로 전사하는 단계;
를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.Forming a pixel electrode on a substrate; And
A method for manufacturing a donor film for laser induced thermal imaging, comprising the steps of: irradiating a laser beam onto a transfer region of a donor film for laser thermoelectric conversion according to any one of claims 1 to 6 to transfer a transfer layer onto a pixel electrode;
Wherein the organic light emitting display device comprises a light emitting layer.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10437113B2 (en) 2015-09-11 2019-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display panel substrate defining hole for input image device and liquid crystal display having the same
US11169401B2 (en) 2015-09-11 2021-11-09 Samsung Display Co., Ltd. Display panel substrate defining hole for input image device and liquid crystal display having the same
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