KR20150012504A

KR20150012504A - Deposition apparatus and manufacturing method of organic light emitting display using the same

Info

Publication number: KR20150012504A
Application number: KR1020130088083A
Authority: KR
Inventors: 김우현
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-07-25
Filing date: 2013-07-25
Publication date: 2015-02-04

Abstract

The present invention relates to a deposition apparatus, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same. According to the present invention, a deposition apparatus includes: a deposition part to form a thin film on a substrate, and a cooling plate to cool the substrate. The deposition part includes: a first deposition source, a second deposition source, and a third deposition source. The first deposition source and the second deposition source deposit a low temperature viscosity change inorganic material on the substrate to form the thin film, and the third deposition source can dope the thin film with tungsten; thus improving the characteristics of a sealing layer.

Description

[0001] The present invention relates to a deposition apparatus and an organic light emitting display using the same,

본 발명은 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 봉지층의 특성을 용이하게 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, and more particularly, to a deposition apparatus capable of easily improving characteristics of a sealing layer and a method of manufacturing the organic light emitting display apparatus using the same.

유기 발광 디스플레이 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 디스플레이 장치다.The organic light emitting display device includes a hole injecting electrode, an electron injecting electrode, and an organic light emitting element including an organic light emitting layer formed therebetween, wherein holes injected from the hole injecting electrode and electrons injected from the electron injecting electrode are injected into the organic light emitting layer Emitting display device in which excitons generated in association with each other drop from an excited state to a ground state to generate light.

자발광형 디스플레이 장치인 유기 발광 디스플레이 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다. 다만, 유기 발광 디스플레이 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 밀봉하여야 한다.Since an organic light emitting display device which is a self-light emitting display device does not require a separate light source, it can be driven at a low voltage and can be configured as a lightweight thin type. Due to its high quality characteristics such as wide viewing angle, high contrast, And is attracting attention as a next generation display device. However, since the organic light emitting display device has a characteristic of being deteriorated by external moisture or oxygen, the organic light emitting device should be sealed in order to protect the organic light emitting device from external moisture or oxygen.

본 발명의 목적은, 봉지층의 특성을 용이하게 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus capable of easily improving the characteristics of an encapsulation layer and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 증착장치는, 기판 상에 박막을 형성하기 위한 증착부 및 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각 플레이트를 포함하고, 상기 증착부는, 제1 증착원, 제2 증착원 및 제3 증착원을 포함하고, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원은 저온 점도 변화 무기물을 상기 기판 상에 증착 시켜 상기 박막을 형성하며, 상기 제3 증착원은 텅스텐을 상기 박막 내에 도핑시킬 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus including a deposition unit for forming a thin film on a substrate, and a cooling plate for cooling the substrate, wherein the deposition unit includes a first deposition source, A second evaporation source and a third evaporation source, wherein the first evaporation source and the second evaporation source form a thin film by depositing an inorganic material having a low temperature viscosity on the substrate, wherein the third evaporation source is made of tungsten It can be doped into the thin film.

본 발명에 있어서, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원 각각은, 서로 대향하는 한 쌍의 타겟, 상기 한 쌍의 타겟 각각을 지지하는 한 쌍의 타겟 플레이트 및 상기 한 쌍의 타겟 플레이트의 배면에 각각 배치되는 자계 발생부를 포함할 수 있다.In the present invention, each of the first evaporation source and the second evaporation source may include a pair of targets facing each other, a pair of target plates for supporting the pair of targets, And a magnetic field generator disposed in the magnetic field generator.

본 발명에 있어서, 상기 한 쌍의 타겟은 상기 저온 점도 변화 물질로 형성될 수 있다.In the present invention, the pair of targets may be formed of the low temperature viscosity-changing material.

본 발명에 있어서, 상기 제3 증착원은 상기 제1 증착원 및 상기 제2 증착원과 동일한 구성을 가질 수 있다.In the present invention, the third evaporation source may have the same configuration as the first evaporation source and the second evaporation source.

본 발명에 있어서, 상기 제3 증착원은, 증발 증착법을 위한 이베퍼레이션 도가니일 수 있다.In the present invention, the third evaporation source may be an evaporation crucible for evaporation deposition.

본 발명에 있어서, 상기 저온 점도 변화 무기물과 상기 텅스텐은 상기 기판 상에 동시 증착될 수 있다.In the present invention, the low-temperature-viscosity-changing inorganic material and the tungsten may be simultaneously deposited on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 증착부는, 상기 기판 상에 상기 제1 증착원, 상기 제2 증착원 및 상기 제3 증착원의 증착 영역을 제어하기 위한 각도 조절판을 포함할 수 있다.In the present invention, the evaporation unit may include an angle regulating plate for controlling deposition regions of the first evaporation source, the second evaporation source and the third evaporation source on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 기판은 상기 증착부와 상대적으로 이동할 수 있다.In the present invention, the substrate can move relative to the vapor deposition unit.

본 발명에 있어서, 상기 냉각 플레이트는 냉매가 흐르는 유로, 상기 유로 내로 상기 냉매를 주입하는 주입부 및 상기 유로로부터 상기 냉매를 배출하는 배출부를 포함할 수 있다.In the present invention, the cooling plate may include a flow passage through which the coolant flows, an injection section for injecting the coolant into the flow passage, and a discharge section for discharging the coolant from the flow passage.

본 발명에 있어서, 상기 박막은, 상기 저온 점도 변화 무기물로 형성된 제1 층과, 상기 저온 점도 변화 무기물 및 상기 텅스텐이 함께 증착되어 형성된 제2 층을 포함하도록 형성될 수 있다.In the present invention, the thin film may be formed to include a first layer formed of the low temperature-viscosity-changing inorganic material and a second layer formed by depositing the low-temperature-viscosity-changing inorganic material and the tungsten together.

본 발명에 있어서, 상기 제1 층과 상기 제2 층은 교번적으로 증착될 수 있다.In the present invention, the first layer and the second layer may be alternately deposited.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계 및 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 기판이 일 방향으로 이동 하며, 상기 기판의 이동 중에 증착부에 의해 상기 기판 상에 저온 점도 변화 무기물과 텅스텐이 동시에 증착될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, the method including forming a display portion on a substrate, and forming a sealing layer to seal the display portion, The step of forming the layer may be such that the substrate moves in one direction and the low temperature viscosity inorganic material and tungsten are simultaneously deposited on the substrate by the deposition part during the movement of the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 증착부는 제1 증착원, 제2 증착원 및 제3 증착원을 포함하고, 상기 저온 점도 변화 무기물은 상기 제1 증착원과 제2 증착원에 의해 증착되고, 상기 텅스텐은 상기 제3 증착원에 의해 증착될 수 있다.In the present invention, the vapor deposition unit may include a first evaporation source, a second evaporation source, and a third evaporation source, wherein the low temperature viscosity variable inorganic substance is deposited by the first evaporation source and the second evaporation source, And may be deposited by the third evaporation source.

본 발명에 있어서, 상기 증착부는 각도 조절판을 포함하고, 상기 각도 조절판은 상기 제1 증착원, 상기 제2 증착원 및 상기 제3 증착원의 증착 영역을 제어할 수 있다.In the present invention, the evaporation unit may include an angle regulating plate, and the angle regulating plate may control a deposition area of the first evaporation source, the second evaporation source, and the third evaporation source.

본 발명에 있어서, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원 각각은 서로 대향하는 한 쌍의 타겟을 포함하고, 상기 저온 점도 변화 무기물은 상기 한 쌍의 타겟을 이용한 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다.In the present invention, the first evaporation source and the second evaporation source each include a pair of targets facing each other, and the low temperature viscosity-changing inorganic material may be deposited by sputtering using the pair of targets.

본 발명에 있어서, 상기 제3 증착원은 증발 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 상기 텅스텐을 상기 기판 상에 증착 시킬 수 있다.In the present invention, the third evaporation source may deposit the tungsten on the substrate by a vapor deposition method or a sputtering method.

본 발명에 있어서, 상기 봉지층은, 상기 저온 점도 변화 무기물로 형성된 제1 층과, 상기 저온 점도 변화 무기물 및 상기 텅스텐이 함께 증착되어 형성된 제2 층을 포함하도록 형성될 수 있다.In the present invention, the sealing layer may be formed to include a first layer formed of the low temperature-viscosity-changing inorganic material and a second layer formed by depositing the low-temperature-viscosity-changing inorganic material and the tungsten together.

본 발명에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 중에, 상기 기판은 냉각 플레이트에 의해 냉각될 수 있다.In the present invention, during formation of the sealing layer, the substrate may be cooled by a cooling plate.

본 발명에 있어서, 상기 냉각 플레이트는 상기 기판과 밀착하게 배치되며, 상기 냉각 플레이트에는 냉매가 흐를 수 있는 유로가 형성될 수 있다.In the present invention, the cooling plate may be disposed in close contact with the substrate, and a flow path through which the refrigerant can flow may be formed in the cooling plate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 봉지층을 형성하기 위한 증착시 봉지층의 내구성을 향상시킬 수 있는 불순물을 함께 증착할 수 있으므로, 봉지층의 특성을 용이하게 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, impurities capable of improving the durability of the sealing layer can be deposited together during the deposition for forming the sealing layer, so that the characteristics of the sealing layer can be easily improved.

도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 P부분을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 봉지층을 형성하기 위한 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 증착 장치의 증착부의 일부를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 증착 장치의 냉각 플레이트를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6a는 도 3의 증착 장치를 이용하여 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 6b는 이에 따른 봉지층의 단면을 도시한 단면도이다.
도 7a은 도 3의 증착 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 7b는 이에 의해 형성된 봉지층의 단면을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to an aspect of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing the P portion of Fig.
3 is a cross-sectional view schematically showing a deposition apparatus for forming an encapsulating layer of the organic light emitting display device of FIG.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing a part of the deposition unit of the deposition apparatus of Fig. 3;
5 is a plan view schematically showing a cooling plate of the deposition apparatus of FIG.
FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing an organic light emitting display device using the deposition apparatus of FIG. 3, and FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating a seal layer according to the method.
FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing a modification of the deposition apparatus of FIG. 3, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a cross section of the seal layer formed thereby.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by terms. Terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시 예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 P부분을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to an aspect of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a P portion of FIG.

먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(10)는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200) 및 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300)을 포함할 수 있다.1, an organic light emitting display device 10 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 100, a display unit 200 formed on the substrate 100, and a display unit 200, The sealing layer 300 may be formed of a metal.

기판(100)은 SiO₂를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 기판(100)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 기판(100)을 형성하는 플라스틱 재는 절연성 유기물일 수 있는데, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethyelenennapthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트(celluloseacetatepropionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The substrate 100 may be made of a transparent glass material having SiO ₂ as a main component. However, the substrate 100 is not limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material. The plastic material forming the substrate 100 may be an insulating organic material such as polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethyelenennapthalate (PEN) Polyethylene terephthalate (PET), polyphenylenesulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate Cellulose acetate (CAP), and the like.

한편, 화상이 기판(100)방향으로 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)인 경우에 기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형(top emission type)인 경우에 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(100)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(100)을 형성할 경우 기판(100)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 및 스테인레스 스틸(SUS)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, when the image is a bottom emission type in which the image is realized in the direction of the substrate 100, the substrate 100 should be formed of a transparent material. However, when the image is a top emission type in which the image is formed in the direction opposite to the substrate 100, the substrate 100 need not necessarily be formed of a transparent material. In this case, the substrate 100 can be formed of metal. When the substrate 100 is formed of metal, the substrate 100 may include at least one selected from the group consisting of carbon, iron, chromium, manganese, nickel, titanium, molybdenum, and stainless steel It is not.

디스플레이부(200)는 유기 박막 트랜지스터 층(200a)과 화소부(200b)를 구비할 수 있다. 화소부(200b)는 유기 발광 소자(OLED)일 수 있다. 이하에서는 도 2를 참조하여 디스플레이부(200)를 보다 자세히 설명한다.The display portion 200 may include an organic thin film transistor layer 200a and a pixel portion 200b. The pixel portion 200b may be an organic light emitting diode (OLED). Hereinafter, the display unit 200 will be described in more detail with reference to FIG.

기판(100)상에는 버퍼층(212)이 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 기판(100)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 기판(100)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 버퍼층(212)은 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(212)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. A buffer layer 212 may be formed on the substrate 100. The buffer layer 212 prevents penetration of impurity elements through the substrate 100 and provides a flat surface on the substrate 100. The buffer layer 212 may be formed of various materials capable of performing this function . For example, the buffer layer 212 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide or titanium nitride, or an organic material such as polyimide, polyester, And may be formed of a plurality of stacked materials among the exemplified materials.

이와 같은 버퍼층(212)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.The buffer layer 212 may be deposited by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), and low pressure CVD (LPCVD).

활성층(221)은 버퍼층(212) 상에서 실리콘과 같은 무기질 반도체나, 유기 반도체에 의해 형성될 수 있다. 또한, 활성층(221)은 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 예를 들어, 비정질 실리콘을 사용하여 활성층(221)을 형성하는 경우 비정질 실리콘층을 기판(100) 전면에 형성한 후 이를 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝한 후 가장자리의 소스 영역 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 그 사이의 채널 영역을 포함하는 활성층(221)을 형성할 수 있다. The active layer 221 may be formed on the buffer layer 212 by an inorganic semiconductor such as silicon or an organic semiconductor. In addition, the active layer 221 has a source region, a drain region, and a channel region therebetween. For example, when the active layer 221 is formed using amorphous silicon, an amorphous silicon layer is formed on the entire surface of the substrate 100 and crystallized to form a polycrystalline silicon layer. After patterning, a source region and a drain region An active layer 221 including a source region, a drain region, and a channel region therebetween can be formed.

활성층(221) 상에는 게이트 절연막(213)이 형성된다. 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로 SiNx, SiO₂ 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다. A gate insulating film 213 is formed on the active layer 221. The gate insulating film 213 is for insulating the active layer 221 from the gate electrode 222 and may be formed of an inorganic material such as SiNx or SiO ₂ .

게이트 절연막(213) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 게이트 전극(222)은 박막 트랜지스터(TFT)의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다.A gate electrode 222 is formed on a predetermined region of the gate insulating film 213. The gate electrode 222 is connected to a gate line (not shown) for applying on / off signals of the thin film transistor TFT.

게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.The gate electrode 222 may contain Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, or Mo and may include an alloy such as Al: Nd or Mo: W alloy. So that it can be formed into various materials.

게이트 전극(222) 상에 형성되는 층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 및 드레인 전극(223) 사이의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO₂ 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.The interlayer insulating film 214 formed on the gate electrode 222 is for insulation between the gate electrode 222 and the source and drain electrodes 223 and may be formed of an inorganic material such as SiNx or SiO ₂ .

층간 절연막(214)상에는 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다.On the interlayer insulating film 214, source and drain electrodes 223 are formed. Specifically, the interlayer insulating film 214 and the gate insulating film 213 are formed so as to expose the source region and the drain region of the active layer 221, and the source and drain regions are formed in contact with the exposed source and drain regions of the active layer 221, An electrode 223 is formed.

한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 및 드레인 전극(223)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.2 illustrates a top gate type thin film transistor (TFT) including an active layer 221, a gate electrode 222, and a source and a drain electrode 223 sequentially. However, The present invention is not limited to this, and the gate electrode 222 may be disposed under the active layer 221.

이와 같은 박막 트랜지스터(TFT) 층(200a)은 화소부(200b)에 전기적으로 연결되어 화소부(200b)를 구동하며, 평탄화막(215)으로 덮여 보호된다.The thin film transistor (TFT) layer 200a is electrically connected to the pixel portion 200b to drive the pixel portion 200b, and is covered with a planarization layer 215 to be protected.

평탄화막(215)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO₂, SiNx, SiON, Al₂O₃, TiO₂, Ta₂O₅, HfO₂, ZrO₂, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 평탄화막(215)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.As the planarization film 215, an inorganic insulating film and / or an organic insulating film may be used. As the inorganic insulating film, SiO ₂ , SiN x, SiON, Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , HfO ₂ , ZrO ₂ , BST and PZT can be included. As the organic insulating film, , PS), a polymer derivative having a phenolic group, an acrylic polymer, an imide polymer, an aryl ether polymer, an amide polymer, a fluorine polymer, a p-xylene polymer, a vinyl alcohol polymer and blends thereof . The planarization film 215 may also be formed as a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화막(215) 상에는 화소부(200b)가 형성되며, 화소부(200b)는 화소 전극(231), 중간층(232) 및 대향 전극(233)을 구비할 수 있다.A pixel portion 200b is formed on the planarization layer 215 and the pixel portion 200b may include a pixel electrode 231, an intermediate layer 232, and a counter electrode 233. [

화소 전극(231)은 평탄화막(215)상에 형성되고, 평탄화막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 소스 및 드레인 전극(223)과 전기적으로 연결된다.The pixel electrode 231 is formed on the planarization film 215 and is electrically connected to the source and drain electrodes 223 through the contact hole 230 formed in the planarization film 215.

화소 전극(231)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.The pixel electrode 231 may be a reflective electrode and may be formed of a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr or a compound thereof and a transparent or translucent electrode layer . The transparent or translucent electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In2O3), indium gallium oxide indium gallium oxide (AZO), and aluminum zinc oxide (AZO).

화소 전극(231)과 대향되도록 배치된 대향 전극(233)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. The counter electrode 233 disposed to face the pixel electrode 231 may be a transparent or translucent electrode and may have a work function including Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, May be formed of a small metal thin film. Further, an auxiliary electrode layer or a bus electrode can be further formed on the metal thin film using a transparent electrode forming material such as ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ .

따라서, 대향 전극(233)은 중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층(미도시)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(231)에 의해 반사되어, 대향 전극(233) 측으로 방출될 수 있다.Therefore, the counter electrode 233 can transmit the light emitted from the organic light emitting layer (not shown) included in the intermediate layer 232. That is, the light emitted from the organic light emitting layer (not shown) may be reflected directly or by the pixel electrode 231 composed of a reflective electrode, and may be emitted toward the counter electrode 233 side.

그러나, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.However, the organic light emitting display device 10 of the present embodiment is not limited to the front emission type, and may be a back emission type in which light emitted from the organic emission layer (not shown) is emitted toward the substrate 100. In this case, the pixel electrode 231 may be a transparent or semitransparent electrode, and the counter electrode 233 may be a reflective electrode. In addition, the organic light emitting display device 10 of the present embodiment may be a double-sided light emitting type that emits light in both front and rear directions.

한편, 화소 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(216)은 화소 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.On the other hand, a pixel defining layer 216 is formed on the pixel electrode 231 as an insulating material. The pixel defining layer 216 may be formed of one or more organic insulating materials selected from the group consisting of polyimide, polyamide, acrylic resin, benzocyclobutene, and phenol resin by a method such as spin coating. The pixel defining layer 216 exposes a predetermined region of the pixel electrode 231 and an intermediate layer 232 including an organic light emitting layer is located in the exposed region.

중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(232)은 유기 발광층(미도시) 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.The intermediate layer 232 may include a hole transport layer (HTL), a hole transport layer (HIL), a hole injection layer (HIL), and the like, in addition to an organic emission layer (not shown) a hole injection layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL).

다시 도 1을 참조하면, 봉지층(300)은 디스플레이부(200)를 전체적으로 덮도록 형성되어, 외부의 습기 및 산소가 디스플레이부(200)로 침투하는 것을 방지한다. 특히, 봉지층(300)은 디스플레이부(200)의 면적 보다 넓은 면적으로 형성되어 그 가장자리가 모두 기판(100)과 접하도록 형성될 수 있고, 이에 의해 외기의 침투를 더욱 견고히 차단할 수 있다.Referring again to FIG. 1, the sealing layer 300 is formed to cover the display portion 200 as a whole, thereby preventing external moisture and oxygen from penetrating the display portion 200. In particular, the sealing layer 300 may be formed to have an area wider than the area of the display unit 200 so that all the edges of the sealing layer 300 are in contact with the substrate 100, thereby more firmly blocking the penetration of the outside air.

이와 같은 봉지층(300)은 저온 점도 변화(Low temperature Viscosity Transition, LVT) 무기물로 형성될 수 있다. 여기서, 저온 점도 변화 무기물이란, 저온 점도 변화 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 점도 변화 온도가 유기 발광 소자에 포함된 물질의 화학적 및/또는 물리적 변성을 초래할 수 있는 변성 온도보다 작은 값을 가지는 무기물을 의미한다.The sealing layer 300 may be formed of a low temperature viscosity transition (LVT) inorganic material. Herein, the low temperature viscosity-changing inorganic material is a material having a viscosity change temperature that can provide fluidity to the low temperature viscosity inorganic material at a value smaller than the denaturation temperature that can cause chemical and / or physical denaturation of the material contained in the organic light emitting device &Lt; / RTI >

저온 점도 변화 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO₂)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 저온 점도 변화 무기물이 SnO를 포함할 경우, SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.Low temperature viscosity changes minerals may include a tin oxide (e.g., SnO or SnO _2). For example, when the low temperature viscosity-changing inorganic material includes SnO, the content of SnO may be 20 wt% to 100 wt%.

또한, 저온 점도 변화 무기물은, 인 산화물(예를 들면, P₂O₅), 보론 포스페이트(BPO₄), 주석 불화물(예를 들면, SnF₂), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO₃) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The low-temperature-viscosity-changing inorganic material may be selected from the group consisting of phosphorus oxides (for example, P ₂ O ₅ ), boron phosphate (BPO ₄ ), tin fluoride (for example, SnF ₂ ), niobium oxides (for example, NbO) Oxide (for example, WO ₃ ), but is not limited thereto.

예를 들어, 저온 점도 변화 무기물은, 1)SnO, 2)SnO 및 P₂O₅ _,3)SnO 및 BPO₄ _,4)SnO, SnF₂ 및 P₂O₅ _,5)SnO, SnF₂, P₂O₅ 및 NbO 또는 6)SnO, SnF₂, P₂O₅ 및 WO₃를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, low-temperature viscosity change minerals, 1) SnO, 2) SnO and P ₂ O _{_5,} 3) SnO and _{_{BPO 4, 4) SnO, SnF}} 2 , and _{_{_{P 2 O 5, 5) SnO}}} , SnF 2, P ₂ O ₅ and NbO or 6) SnO, SnF ₂ , P ₂ O ₅ and WO ₃ .

또한, 저온 점도 변화 무기물은 1)SnO(100wt%), 2)SnO(80wt%) 및 P₂O₅(20wt%), 3)SnO(90wt%) 및 BPO₄(10wt%), 4) SnO(20-50wt%), SnF₂(30-60wt%) 및 P₂O₅(10-30wt%) 5) SnO(20-50wt%), SnF₂(30-60wt%), P₂O₅(10-30wt%) 및 NbO(1-5wt%) 또는 6) SnO(20-50wt%), SnF₂(30-60wt%), P₂O₅(10-30wt%) 및 WO₃(1-5wt%)의 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.SnO (80 wt%), P ₂ O ₅ (20 wt%), SnO (90 wt%) and BPO ₄ (10 wt%), and SnO (20-50wt%) SnF ₂ (30-60wt%) and P ₂ O ₅ (10-30wt%) SnO (20-50wt%) SnF ₂ (30-60wt%) P ₂ O ₅ 10-30wt%) and NbO (1-5wt%) or 6) SnO (20-50wt%), SnF 2 (30-60wt%), P 2 O 5 (10-30wt%) and WO ₃ (1-5wt %), But the present invention is not limited thereto.

한편, 봉지층(300)은 봉지층(300)의 내구성을 향상시키기 위한 불순물을 포함할 수 있다. 불순물은 예를 들어, 텅스텐(W)일 수 있다.Meanwhile, the sealing layer 300 may include impurities for improving the durability of the sealing layer 300. The impurity may be, for example, tungsten (W).

저온 점도 변화 무기물로 형성되는 봉지층(300)에 텅스텐이 포함되면, 저온 점도 변화 무기물이 보다 안정적이고 균질한 유리를 형성할 수 있으므로, 봉지층(300)의 내구성이 강화될 수 있다.When tungsten is included in the sealing layer 300 formed of a low temperature viscosity inorganic material, the inorganic material having a low temperature viscosity can form a more stable and homogeneous glass, so that the durability of the sealing layer 300 can be enhanced.

텅스텐은 봉지층(300) 전체에서 균일하게 분포할 수 있으며, 이에 따라 봉지층(300)은 단일층으로 구성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 도 6b 및 도 7b에 도시하는 바와 같이, 봉지층(300)은 텅스텐을 포함하는 층과 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 층이 교번적으로 적층되어 형성될 수도 있다.The tungsten may be uniformly distributed throughout the encapsulation layer 300, so that the encapsulation layer 300 may be composed of a single layer. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIGS. 6B and 7B, the sealing layer 300 may be formed by alternately laminating a layer containing tungsten and a layer formed of a low temperature-viscosity- have.

이와 같은 봉지층(300)은 도 3에서 도시하는 증착 장치(도 3의 20)에 의해 형성될 수 있다. 도 3의 증착 장치(도 3의 20)는 봉지층(300)을 형성하기 위해 저온 점도 변화 무기물의 증착시 텅스텐을 동시에 증착할 수 있으므로, 용이하게 봉지층(300)의 특성을 향상시킬 수 있다. Such an encapsulating layer 300 may be formed by a deposition apparatus (20 in FIG. 3) shown in FIG. The deposition apparatus 20 of FIG. 3 (FIG. 3) can simultaneously deposit tungsten at the time of depositing the low temperature-viscosity-changing inorganic material to form the sealing layer 300, so that the characteristics of the sealing layer 300 can be easily improved .

이하에서는 도 1과 함께 도 3 내지 도 5를 참조하여 봉지층(300)을 형성하기 위한 증착 장치(20)를 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus 20 for forming the sealing layer 300 will be described with reference to FIG. 1 and FIGS. 3 to 5. FIG.

도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 봉지층(300)을 형성하기 위한 증착 장치(20)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 증착 장치(20)의 증착부(400)의 일부를 도시한 단면도이며, 도 5는 도 3의 증착 장치(20)의 냉각 플레이트(500)를 개략적으로 도시한 평면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing a deposition apparatus 20 for forming an encapsulating layer 300 of the organic light emitting display device 10 of FIG. 1. FIG. 4 is a cross-sectional view of a deposition unit 20 of the deposition apparatus 20 of FIG. FIG. 5 is a plan view schematically showing a cooling plate 500 of the deposition apparatus 20 of FIG. 3; FIG.

먼저, 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(20)는 기판(100) 상에 박막을 형성하기 위한 증착부(400), 기판(100)을 냉각시키기 위한 냉각 플레이트(500)를 포함할 수 있다. 한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 증착 장치(20)는 챔버(미도시) 내에 위치하고, 챔버(미도시)는 챔버(미도시) 내의 압력을 조정하기 위한 진공 펌프(미도시) 및 기판(100)의 출입을 위한 하나 이상의 출입구(미도시)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 3, a deposition apparatus 20 according to an embodiment of the present invention includes a deposition unit 400 for forming a thin film on a substrate 100, a cooling plate (not shown) for cooling the substrate 100 500). (Not shown), a chamber (not shown) is connected to a vacuum pump (not shown) for adjusting the pressure in the chamber (not shown) and a vacuum pump (Not shown) for the entrance and exit of the door (not shown).

증착부(400)는 제1 증착원(410), 제2 증착원(420) 및 제3 증착원(430)를 포함할 수 있으며, 이 중, 제1 증착원(410)과 제2 증착원(420)은 저온 점도 변화 무기물을 기판(100) 상에 증착시켜 봉지층(300)을 형성할 수 있다.The deposition unit 400 may include a first evaporation source 410, a second evaporation source 420 and a third evaporation source 430. Among the first evaporation source 410 and the second evaporation source 430, (420) can form an encapsulating layer (300) by depositing a low temperature viscous inorganic material on the substrate (100).

제1 증착원(410) 및 제2 증착원(420)은 스퍼터링 장치일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 증착원(410) 및 제2 증착원(420)은 서로 대향하는 한 쌍의 대향 타겟들을 이용하는 스퍼터링 장치일 수 있다. 도 3은 제1 증착원(410)의 단면을 개략적으로 도시하는데, 제2 증착원(420)도 제1 증착원(410)과 동일한 구성을 가질 수 있다.The first evaporation source 410 and the second evaporation source 420 may be a sputtering apparatus. More specifically, the first evaporation source 410 and the second evaporation source 420 may be a sputtering apparatus using a pair of opposed targets opposed to each other. FIG. 3 schematically shows a cross section of the first evaporation source 410, and the second evaporation source 420 may have the same configuration as the first evaporation source 410. FIG.

도 3을 참조하면, 제1 증착원(410)은 서로 대향하는 제1 타겟(414a) 및 제2 타겟(414b), 제1 타겟(414a) 및 제2 타겟(414b)을 각각 지지하는 한 쌍의 제1 타겟 플레이트(412a) 및 제2 타겟 플레이트(412b), 그리고 제1 타겟 플레이트(412a) 및 제2 타겟 플레이트(412b)의 배면에 각각 배치되는 제1 자계 발생부(416a) 및 제2 자계 발생부(416b)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the first evaporation source 410 includes a first target 414a and a second target 414b opposed to each other, a pair of first and second targets 414a and 414b, The first target plate 412a and the second target plate 412b and the first magnetic field generating portion 416a and the second magnetic field generating portion 416b disposed on the back surfaces of the first target plate 412a and the second target plate 412b, And a magnetic field generator 416b.

제1 타겟(414a) 및 제2 타겟(414b)은 저온 점도 변화 무기물로 형성될 수 있다. 저온 점도 변화 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO₂)을 포함할 수 있으며, 인 산화물(예를 들면, P₂O₅), 보론 포스페이트(BPO₄), 주석 불화물(예를 들면, SnF₂), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO₃) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다. The first target 414a and the second target 414b may be formed of a low-temperature-viscosity-changing inorganic material. Low temperature viscosity changes mineral tin oxide may include (e.g., SnO or SnO _2), an oxide (for example, P ₂ O _5), boron phosphate (BPO _4), tin fluoride (e.g., SnF ₂ ), niobium oxide (e.g., NbO), and tungsten oxide (e.g., WO ₃ ).

예를 들어, 제1 타겟(414a) 및 제2 타겟(414b)은 각각 SnO(42.5wt%), SnF₂ (40wt%), P₂O₅(15wt%) 및 WO₃(2.5wt%)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first target (414a) and the second target (414b) are each _{SnO (42.5wt%), SnF 2} (40wt%), P 2 O 5 (15wt%) and WO ₃ (2.5wt%) But is not limited thereto.

제1 자계 발생부(416a) 및 제2 자계 발생부(416b)는 페라이트계, 네오듐계(예를 들면, 네오듐(neodium), 철, 붕소(boron) 등) 자석이나 사마륨(samarium) 코발트계 자석 등의 강자성체로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 자계 발생부(416a) 및 제2 자계 발생부(416b)는 서로 자극이 서로 반대로 배치되어 제1 자계 발생부(416a)와 제2 자계 발생부(416b) 사이에서는 자계가 형성되고, 플라즈마(P)의 영역을 제1 타겟 플레이트(412a)와 제2 타겟 플레이트(412b) 사이의 공간으로 제한할 수 있다. The first magnetic field generating section 416a and the second magnetic field generating section 416b may be ferrite type, neodymium type (for example, neodium, iron, boron, etc.) magnets, samarium cobalt type And may be made of a ferromagnetic material such as a magnet. The first magnetic field generating portion 416a and the second magnetic field generating portion 416b are arranged so that their magnetic poles are opposite to each other so that a magnetic field is formed between the first magnetic field generating portion 416a and the second magnetic field generating portion 416b , The region of the plasma P may be limited to the space between the first target plate 412a and the second target plate 412b.

이와 같은 제1 증착원(410)의 제1 타겟(414a)과 제2 타겟(414b) 사이에 아르곤 가스 등과 같은 불활성 가스를 주입하고, 제1 타겟(414a)과 제2 타겟(414b)에 전원을 인가하면, 제1 타겟(414a)과 제2 타겟(414b) 사이의 공간에서 방전이 발생하며, 방전에 의해 생성된 전자가 아르곤 가스와 충돌함으로써 아르곤 이온을 생성하여 플라즈마(P)가 발생한다.An inert gas such as argon gas is injected between the first target 414a and the second target 414b of the first evaporation source 410 and the first target 414a and the second target 414b are supplied with power A discharge is generated in the space between the first target 414a and the second target 414b and the electrons generated by the discharge collide with the argon gas to generate argon ions to generate the plasma P .

한편, 플라즈마 내의 전자, 음이온, 양이온 등의 전하를 띤 입자는 자기력선을 따라 제1 타겟(414a)과 제2 타겟(414b) 사이를 왕복 운동함으로써, 제1 증착원(410)의 상부에 위치하는 기판(100) 및 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200)에 손상을 주지 않고, 비교적 낮은 에너지를 갖는 중성 입자의 확산에 의하여 기판(100) 상에 박막 형성이 진행될 수 있다. 따라서, 증착 과정 중 높은 에너지를 갖는 입자의 충돌에 의한 기판(100)의 손상을 방지할 수 있다.On the other hand, the charged particles such as electrons, anions, positive ions, etc. in the plasma are reciprocated between the first target 414a and the second target 414b along the lines of magnetic force, Thin film formation can proceed on the substrate 100 by diffusion of neutral particles having a relatively low energy without damaging the display portion 200 formed on the substrate 100 and the substrate 100. [ Therefore, it is possible to prevent the substrate 100 from being damaged by collision of particles having a high energy during the deposition process.

또한, 제1 증착원(410)은 입자의 반복적인 충돌로 인해 상승하는 제1 타겟(414a)과 제2 타겟(414b)의 온도를 낮추기 위한 냉각장치를 포함할 수 있다.In addition, the first evaporation source 410 may include a first target 414a that rises due to repetitive collision of particles, and a cooling device for lowering the temperature of the second target 414b.

제3 증착원(430)은 봉지층(300)의 내구성을 향상시키기 위한 불순물을 기판(100)상에 증착할 수 있다. 예를 들어, 불순물은 텅스텐일 수 있다.The third evaporation source 430 may deposit an impurity on the substrate 100 to improve the durability of the sealing layer 300. For example, the impurity may be tungsten.

제3 증착원(430)은 제1 증착원(410) 및 제2 증착원(420)과 같이 한 쌍의 대향 타겟을 이용한 스퍼터링 장치로, 스퍼터링에 의제 텅스텐을 기판(100) 상에 증착할 수 있다. 이와 같은 경우, 제3 증착원(430)에 장착되는 한 쌍의 대향 타겟은 텅스텐 산화물(WOx)로 형성될 수 있다.The third evaporation source 430 is a sputtering apparatus using a pair of opposing targets, such as the first evaporation source 410 and the second evaporation source 420, in which the agent tungsten can be deposited on the substrate 100 for sputtering have. In this case, the pair of opposing targets mounted on the third evaporation source 430 may be formed of tungsten oxide (WOx).

또한, 제3 증착원(430)은 증발 증착법을 위한 이베퍼레이션 도가니일 수 있다. 제3 증착원(430)이 이베퍼레이션 도가니인 경우, 제3 증착원(430)은 열의 발생을 위한 히터(미도시)와 히터(미도시)에 전력을 공급하기 위한 전력 공급부(미도시)를 포함할 수 있다. 히터(미도시)에 의해 열이 발생하면, 도가니에 삽입된 텅스텐 산화물 등이 증발하여 기판(100) 방향으로 확산되어, 기판(100) 상에 증착될 수 있다.Also, the third evaporation source 430 may be an evaporation crucible for the evaporation deposition method. When the third evaporation source 430 is an evaporation crucible, the third evaporation source 430 includes a heater (not shown) for generating heat and a power supply unit (not shown) for supplying power to a heater . &Lt; / RTI > When heat is generated by a heater (not shown), tungsten oxide or the like inserted into the crucible evaporates and diffuses toward the substrate 100, and can be deposited on the substrate 100.

따라서, 증착부(400)는, 제1 증착원(410)과 제2 증착원(420)에 의해 봉지층(300)이 형성되는 중에, 제3 증착원(430)에 의해 봉지층(300) 내로의 텅스텐의 주입을 동시에 실시할 수 있으므로, 용이하게 봉지층(300)의 특성을 향상시킬 수 있다.The deposition unit 400 may be formed by forming the sealing layer 300 by the third evaporation source 430 while the sealing layer 300 is formed by the first evaporation source 410 and the second evaporation source 420, Since the tungsten can be injected into the sealing layer 300 at the same time, the characteristics of the sealing layer 300 can be easily improved.

한편, 제1 증착원(410), 제2 증착원(420) 및 제3 증착원(430)의 배치 순서는 형성되는 봉지층(300)의 특성을 감안하여 적절히 선택될 수 있다. 또한, 증착부(400)는 기판(100) 상에 각각의 증착원들(410~430)의 증착 영역을 제어하기 위한 각도 조절판(440)을 포함할 수 있다.The arrangement order of the first evaporation source 410, the second evaporation source 420, and the third evaporation source 430 may be appropriately selected in consideration of the characteristics of the sealing layer 300 to be formed. The deposition unit 400 may include an angle regulating plate 440 for controlling the deposition areas of the evaporation sources 410 to 430 on the substrate 100.

예를 들어, 도 3에는 제1 증착원(410), 제3 증착원(430) 및 제2 증착원(420)이 순서대로 배치되고, 각도 조절판(440)에 의해 제3 증착원(430)에서 방출되는 텅스텐이 기판(100) 상에 전체적으로 확산되는 것을 도시하고 있다. 이와 같은 경우, 기판(100) 상에 형성되는 봉지층(300)에는 텅스텐이 전체적으로 균일하게 포함될 수 있고, 봉지층(300)은 단일막의 구성을 가질 수 있다.3, the first evaporation source 410, the third evaporation source 430, and the second evaporation source 420 are arranged in order, and the third evaporation source 430 is disposed by the angle regulating plate 440, Lt; RTI ID = 0.0 > 100 < / RTI > In this case, the sealing layer 300 formed on the substrate 100 may uniformly include tungsten as a whole, and the sealing layer 300 may have a single-layer structure.

한편, 봉지층(300)의 형성시, 텅스텐의 도핑을 동시에 진행하게 되면 많은 열이 발생하며, 이는 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200) 내의 유기 발광 소자에 포함된 물질의 화학적 및/또는 물리적 변성을 초래할 수 있는바, 증착 장치(20)는 기판(100)을 냉각시키기 위한 냉각 플레이트(500)를 포함할 수 있다.When the tungsten doping process is performed simultaneously, a large amount of heat is generated. This is because the chemical and / or physical properties of the material contained in the organic light emitting device in the display unit 200 formed on the substrate 100, Or physical denaturation, the deposition apparatus 20 may include a cooling plate 500 for cooling the substrate 100.

냉각 플레이트(500)는 도 5에 도시한 바와 같이, 냉매가 흐를 수 있는 유로(516)와 냉매를 유로(516)로 주입하는 주입부(512) 및 유로(516)로부터 냉매를 배출하는 배출부(514)를 포함할 수 있다. 냉각 플레이트(500)에 흐르는 냉매는 그 종류를 다양하게 선택할 수 있고, 이에 따라 냉각 플레이트(500)의 온도를 가변 시킬 수 있다. 이와 같은 냉각 플레이트(500)는 기판(100)의 일면과 밀착하여, 열 교환에 의해 기판(100)의 온도를 낮추어 유기 발광 소자 등의 열적 변성을 방지할 수 있다. 5, the cooling plate 500 includes a passage 516 through which a refrigerant can flow, an injection portion 512 through which the refrigerant flows into the passage 516, and a discharge portion 512 through which the refrigerant is discharged from the passage 516. [ (514). The type of the refrigerant flowing into the cooling plate 500 can be variously selected, and thus the temperature of the cooling plate 500 can be varied. The cooling plate 500 may be in close contact with one surface of the substrate 100 to reduce the temperature of the substrate 100 by heat exchange, thereby preventing thermal degeneration of the organic light emitting device.

도 6a는 도 3의 증착 장치를 이용하여 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 6b는 이에 따른 봉지층의 단면을 도시한 단면도이다. 이하, 도 1과 함께 도 6a를 참조하여 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명한다.FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing an organic light emitting display device using the deposition apparatus of FIG. 3, and FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating a seal layer according to the method. Hereinafter, with reference to FIG. 1, a method of manufacturing an organic light emitting display device will be described with reference to FIG. 6A.

유기 발광 디스플레이 장치(10)의 제조 방법은, 기판(100) 상에 디스플레이부(200)를 형성하는 단계와, 디스플레이부(200)를 밀봉하기 위한 봉지층(300)을 형성하는 단계를 포함한다.The manufacturing method of the organic light emitting display device 10 includes forming the display portion 200 on the substrate 100 and forming the sealing layer 300 to seal the display portion 200 .

디스플레이부(200)는 도 2에서 설명한 바와 동일하고, 공지된 다양한 유기발광 디스플레이가 적용될 수 있으므로, 이의 구체적인 제조 방법은 생략한다.The display unit 200 is the same as that described with reference to FIG. 2, and a variety of known organic light emitting displays can be applied, and thus a specific manufacturing method thereof will be omitted.

봉지층(300)은 기판(100)이 증착부(400) 상에서 제1 방향(M1)으로 이동하며 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 기판(100)의 위치가 고정되고, 증착부(400)가 기판(100)과 상대적인 이동을 하도록 구성될 수 있다.The sealing layer 300 may be formed by moving the substrate 100 in the first direction M1 on the deposition unit 400. [ However, the present invention is not limited to this, and the position of the substrate 100 may be fixed and the deposition unit 400 may be configured to move relative to the substrate 100.

기판(100)은 디스플레이부(200)가 증착부(400)를 향하도록 배치될 수 있다.The substrate 100 may be disposed such that the display unit 200 faces the deposition unit 400.

증착부(400)는 기판(100)의 이동 중에 기판(100) 방향으로 증착 물질을 확산시킨다. 보다 구체적으로, 제1 증착원(410)과 제2 증착원(420)은 저온 점도 변화 무기물을 스퍼터링법에 의해 기판(100) 상에 증착 시키고, 제3 증착원(430)은 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 봉지층(300B)의 내구성을 향상시키기 위한 불순물 즉, 텅스텐을 기판(100) 방향으로 확산시키다.The deposition unit 400 diffuses the deposition material toward the substrate 100 during movement of the substrate 100. The first evaporation source 410 and the second evaporation source 420 are formed by depositing an inorganic material having a low temperature viscosity on the substrate 100 by a sputtering method and the third evaporation source 430 is an evaporation source That is, tungsten, to improve the durability of the sealing layer 300B formed of the silicon nitride layer 300B.

이와 같은 제1 증착원(410), 제2 증착원(420) 및 제3 증착원(430)의 배치 순서는 형성되는 봉지층(300B)의 특성을 감안하여 적절히 선택될 수 있다. 또한, 각각의 증착원들(410~430)에서 방출되는 성막 물질의 확산 각도는 각도 조절판(440)에 의해 제어될 수 있다.The arrangement order of the first evaporation source 410, the second evaporation source 420, and the third evaporation source 430 may be appropriately selected in consideration of the characteristics of the sealing layer 300B to be formed. In addition, the diffusing angle of the deposition material emitted from each of the evaporation sources 410 to 430 may be controlled by the angle regulating plate 440.

도 6a는 기판(100)의 이동 방향을 기준으로 제1 증착원(410), 제3 증착원(430) 및 제2 증착원(420)이 순차적으로 배치되되, 제3 증착원(430)의 확산 각도가 기판(100)의 일부에 형성되도록 각도 조절판(440)에 의해 제어된 상태를 도시한다.6A is a sectional view illustrating a state where the first evaporation source 410, the third evaporation source 430, and the second evaporation source 420 are sequentially disposed with respect to the moving direction of the substrate 100, And a diffusion angle is controlled by the angle regulating plate 440 so as to be formed on a part of the substrate 100. [

이와 같은 상태에서 기판(100)이 제1 방향(M1)으로 이동하면, 제1 증착원(410), 제3 증착원(430) 및 제2 증착원(420)에 의한 증착이 순차적으로 일어나게 되므로, 봉지층(300B)은, 도 6b에 도시하는 바와 같이, T 방향으로 제1 층(310)과 제2 층(320)이 교번적으로 중첩되어 형성될 수 있다. 여기서, 제1 층(310)은 제1 증착원(410) 또는 제2 증착원(420)에 의해 증착된 층으로, 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 층이며, 제2 층(320)은 제1 증착원(410) 또는 제2 증착원(420)과 함께 제3 증착원(430)에 의해 텅스텐이 함께 증착된 층이다. 이와 같은, 제1층(310)과 제2 층(320)의 두께는 각도 조절판(440)의 조절에 의해 제어될 수 있는 바, 봉지층(300B)의 특성을 감안하여 적절히 선택될 수 있다.When the substrate 100 is moved in the first direction M1 in this state, deposition is sequentially performed by the first evaporation source 410, the third evaporation source 430, and the second evaporation source 420 The sealing layer 300B may be formed by alternately overlapping the first layer 310 and the second layer 320 in the T direction as shown in FIG. 6B. The first layer 310 is a layer deposited by the first evaporation source 410 or the second evaporation source 420 and is formed of a low temperature viscous inorganic material. The second layer 320 is a layer formed by the first vapor deposition source 410 or the second evaporation source 420, Tungsten is deposited together with the evaporation source 410 or the second evaporation source 420 by the third evaporation source 430. The thicknesses of the first layer 310 and the second layer 320 may be controlled by adjusting the angle regulating plate 440 and appropriately selected in consideration of the characteristics of the sealing layer 300B.

도 7a은 도 3의 증착 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 7b는 이에 의해 형성된 봉지층의 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing a modification of the deposition apparatus of FIG. 3, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a cross section of the seal layer formed thereby.

도 7a의 증착 장치는 도 3에서 도시하고 설명한 증착 장치(도 3의 20)와 그 기본적인 구성이 동일하다. 다만, 도 7a의 증착 장치는 증착부(400B)에 포함된 제1 증착원(410), 제2 증착원(420) 및 제3 증착원(430)의 배치 순서가 상이하다.The vapor deposition apparatus of FIG. 7A has the same basic structure as the vapor deposition apparatus 20 (FIG. 3) shown and described in FIG. However, the deposition apparatus of FIG. 7A differs from the deposition order of the first deposition source 410, the second deposition source 420, and the third deposition source 430 included in the deposition unit 400B.

도 7a 및 도 7a를 참조하면, 일면에 디스플레이부(도 1의 200)가 형성된 기판(100)은 증착부(400B) 상부에서 제1 방향(M1)과 제2 방향(M2)으로 왕복 운동할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 기판(100)은 위치가 고정되고, 증착부(400B)가 왕복 운동할 수도 있다.7A and 7A, the substrate 100 having the display unit 200 on one side thereof is reciprocated in the first direction M1 and the second direction M2 on the vapor deposition unit 400B . However, the present invention is not limited to this, and the position of the substrate 100 may be fixed, and the deposition unit 400B may reciprocate.

기판(100)의 왕복 운동 중에 증착부(400B)는 기판(100) 방향으로 증착 물질을 확산시킨다. 보다 구체적으로, 제1 증착원(410)과 제2 증착원(420)은 저온 점도 변화 무기물을 스퍼터링에 의해 기판(100) 상에 증착 시키고, 제3 증착원(430)은 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 봉지층(300C)의 내구성을 향상시키기 위한 불순물 즉, 텅스텐을 기판(100) 방향으로 확산시키다.During the reciprocating motion of the substrate 100, the deposition unit 400B diffuses the deposition material toward the substrate 100. More specifically, the first evaporation source 410 and the second evaporation source 420 are formed by depositing an inorganic material having a low temperature viscosity on the substrate 100 by sputtering, and the third evaporation source 430 is an inorganic material having a low temperature viscosity variation That is, tungsten is diffused toward the substrate 100 to improve the durability of the sealing layer 300C to be formed.

한편, 도 7a는 기판(100)의 제1 방향(M1)을 따라 제3 증착원(430), 제1 증착원(410) 및 제2 증착원(420)이 순차적으로 배치된 예를 도시하며, 제2 증착원(420)과 제3 증착원(430)은 증착 범위가 서로 겹치지 않고, 가운데 위치하는 제1 증착원(410)의 확산 범위가 기판(100) 전체에 이르도록 각도 조절판(440)에 의해 제어된 상태를 도시한다. 7A shows an example in which a third evaporation source 430, a first evaporation source 410 and a second evaporation source 420 are sequentially arranged along a first direction M1 of the substrate 100 The second evaporation source 420 and the third evaporation source 430 do not overlap with each other and the diffusion range of the first evaporation source 410 located at the center reaches the entire substrate 100, ). &Lt; / RTI >

즉, 기판(100) 상의 일부 영역에서는 제1 증착원(410)과 제3 증착원(430)의 증착 범위가 겹침에 따라 텅스텐을 포함하는 제2 층(320)이 형성될 수 있고, 기판(100) 상의 다른 영역에서는 제1 증착원(410)과 제2 증착원(420)의 증착 범위가 겹침에 따라 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 층인 제1 층(310)이 형성될 수 있다. 한편, 제1 층(310)은 동일한 물질을 증착하는 제1 증착원(410)과 제2 증착원(420)의 동시 증착에 의해 형성되는바, 증착 효율이 향상될 수 있다.That is, the second layer 320 including tungsten can be formed in a part of the region on the substrate 100 according to the deposition range of the first evaporation source 410 and the third evaporation source 430, The first layer 310, which is a layer formed of a low-temperature-viscosity-changing inorganic material, may be formed in another region on the first deposition source 410 and the second deposition source 420 in accordance with overlapping deposition ranges of the first deposition source 410 and the second deposition source 420. Meanwhile, the first layer 310 is formed by simultaneous vapor deposition of the first evaporation source 410 and the second evaporation source 420 for depositing the same material, so that the deposition efficiency can be improved.

한편, 기판(100)의 왕복 운동이 제1 방향(M1)을 시작으로 진행되는 경우는, 도 7b에 도시된 바와 같이 기판(100) 상의 T 방향을 따라 제2 층(320)이 먼저 증착되고, 그 위로 제1 층(310)과 제2 층(320)이 교번적으로 증착된 봉지층(300C)이 형성될 수 있다.On the other hand, when the reciprocating movement of the substrate 100 starts from the first direction M1, the second layer 320 is first deposited along the T direction on the substrate 100 as shown in FIG. 7B And an encapsulating layer 300C on which the first layer 310 and the second layer 320 are alternately deposited may be formed thereon.

또한, 이와는 반대로 기판(100)의 왕복 운동이 제2 방향(M2)을 시작으로 진행되는 경우는, 기판(100) 상에 제1 층(310)이 기판(100) 상의 디스플레이부(도 1의 200)와 접하도록 형성되고, 그 위로 제2 층(320)과 제1 층(310)이 교번적으로 증착될 수 있다.Conversely, when the reciprocating motion of the substrate 100 proceeds in the second direction M2, the first layer 310 is formed on the display 100 (see FIG. 1) on the substrate 100, 200, over which a second layer 320 and a first layer 310 may be alternately deposited.

즉, 봉지층(300C)이 제1 층(310)과 제2 층(320)이 교번적으로 적층되어 형성될 때, 기판(100) 상의 디스플레이부(도 1의 200)와 접하는 층을 용이하게 선택할 수 있다. 예를 들어, 제1 층(310)이 디스플레이부(도 1의 200)와 접하도록 형성되는 경우는, 저온 점도 변화 무기물과 대향 전극(도 2의 233) 간의 접합력이 우수하기 때문에, 봉지층(300C)과 디스플레이부(도 1의 200) 사이의 막 들뜸 현상 등을 방지할 수 있다.That is, when the sealing layer 300C is formed by alternately stacking the first layer 310 and the second layer 320, the layer in contact with the display portion (200 in FIG. 1) on the substrate 100 can be easily You can choose. For example, in the case where the first layer 310 is formed to be in contact with the display portion (200 in FIG. 1), since the bonding force between the low temperature viscosity variable inorganic material and the counter electrode (233 in FIG. 2) 300C) and the display unit (200 of FIG. 1) can be prevented.

또한, 텅스텐이 포함된 저온 점도 변화 무기물로 형성된 제2 층(320)이 디스플레이부(도 1의 200)와 접하도록 형성되는 경우는, 대향 전극(도 2의 233)의 재질에 따라 봉지층(300C)이 우수한 접합력을 가질 수 있고, 제2 층(320)의 우수한 화학적 내구성에 의해 효과적으로 디스플레이부(200)를 보호할 수 있다.When the second layer 320 formed of a low-temperature-viscosity-changing inorganic material containing tungsten is formed to be in contact with the display portion (200 in FIG. 1), the sealing layer 300C can have an excellent bonding strength and the display portion 200 can be effectively protected by the excellent chemical durability of the second layer 320. [

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

10: 유기 발광 디스플레이 장치
20: 증착 장치
100: 기판
200: 디스플레이부
300: 봉지층
400, 400B: 증착부
410: 제1 증착원
420: 제2 증착원
430: 제3 증착원
500: 냉각 플레이트10: Organic light-emitting display device
20: Deposition device
100: substrate
200:
300: sealing layer
400 and 400B:
410: first evaporation source
420: second evaporation source
430: Third deposition source
500: cooling plate

Claims

A deposition unit for forming a thin film on a substrate; And
And a cooling plate for cooling the substrate,
The deposition unit may include:
A first evaporation source, a second evaporation source, and a third evaporation source,
Wherein the first evaporation source and the second evaporation source deposit an inorganic material having a low temperature viscosity on the substrate to form the thin film, and the third evaporation source dopes tungsten in the thin film.

The method according to claim 1,
Wherein each of the first evaporation source and the second evaporation source comprises:
A pair of targets opposing each other, a pair of target plates for supporting the pair of targets, and a magnetic field generator disposed on the back surfaces of the pair of target plates.

3. The method of claim 2,
Wherein the pair of targets are formed of the low-temperature-viscosity material.

3. The method of claim 2,
Wherein the third evaporation source has the same configuration as the first evaporation source and the second evaporation source.

The method according to claim 1,
Wherein the third evaporation source is an evaporation crucible for evaporation deposition.

The method according to claim 1,
Wherein the low-temperature-viscosity-changing inorganic material and the tungsten are co-deposited on the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the deposition unit includes an angle regulating plate for controlling deposition regions of the first evaporation source, the second evaporation source and the third evaporation source on the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the substrate moves relative to the deposition unit.

The method according to claim 1,
Wherein the cooling plate includes a flow passage through which the coolant flows, an injection section that injects the coolant into the flow passage, and a discharge section that discharges the coolant from the flow passage.

The method according to claim 1,
Wherein the thin film is formed to include a first layer formed of the low temperature viscosity-changing inorganic material and a second layer formed by depositing the low temperature-viscosity-changing inorganic material and the tungsten together.

11. The method of claim 10,
Wherein the first layer and the second layer are alternately deposited.

Forming a display portion on the substrate; And
And forming an encapsulating layer for encapsulating the display portion,
The step of forming the sealing layer may include:
Wherein the substrate moves in one direction and the low temperature viscosity inorganic material and tungsten are simultaneously deposited on the substrate by the evaporation unit during the movement of the substrate.

13. The method of claim 12,
Wherein the deposition unit includes a first evaporation source, a second evaporation source, and a third evaporation source,
Wherein the low-temperature-viscosity-changing inorganic material is deposited by the first evaporation source and the second evaporation source, and the tungsten is evaporated by the third evaporation source.

14. The method of claim 13,
Wherein the evaporation portion includes an angle regulating plate,
Wherein the angle regulating plate controls the deposition area of the first evaporation source, the second evaporation source, and the third evaporation source.

14. The method of claim 13,
Wherein each of the first evaporation source and the second evaporation source includes a pair of targets facing each other,
Wherein the low-temperature-viscosity-changing inorganic material is deposited by sputtering using the pair of targets.

16. The method of claim 15,
Wherein the third evaporation source deposits the tungsten on the substrate by a vapor deposition method or a sputtering method.

13. The method of claim 12,
Wherein the sealing layer is formed so as to include a first layer formed of the low temperature viscosity variable inorganic material and a second layer formed by depositing the low temperature viscosity variable inorganic material and the tungsten together.

18. The method of claim 17,
Wherein the first layer and the second layer are alternately deposited.

13. The method of claim 12,
Wherein during the formation of the sealing layer, the substrate is cooled by a cooling plate.

13. The method of claim 12,
Wherein the cooling plate is disposed in close contact with the substrate, and a flow path through which the refrigerant can flow is formed in the cooling plate.