KR20150011900A - Method of manufacturing a light emitting device, apparatus for manufacturing a light emitting device and light emitting device manufactured by the apparatus - Google Patents

Method of manufacturing a light emitting device, apparatus for manufacturing a light emitting device and light emitting device manufactured by the apparatus Download PDF

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KR20150011900A
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Abstract

An apparatus for manufacturing a light emitting device includes: a polishing member for polishing the upper side of a wafer for reducing the thickness of the wafer including a light emitting structure; and a pressure member for forming a bending prevention member in a neighboring area of the polished wafer. According to an embodiment of the present invention, the present invention improves the emission characteristic of the light emitting device since heat generated from the light emitting structure is emitted to the outside by reducing the thickness of a substrate.

Description

발광 소자 제조 방법, 발광 소자 제조 장치 및 이에 의해 제조된 발광 소자{Method of manufacturing a light emitting device, apparatus for manufacturing a light emitting device and light emitting device manufactured by the apparatus}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device, a method of manufacturing the same, a light emitting device manufactured by the method,

실시예는 발광 소자 제조 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a method of manufacturing a light emitting device.

실시예는 발광 소자 제조 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light-emitting element manufacturing apparatus.

실시예는 그 제조 장치에 의해 제조된 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device manufactured by the manufacturing apparatus.

발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대한 연구가 활발하게 진행 중이다.Studies on a light emitting device and a light emitting device package are actively under way.

발광 소자는 예컨대 반도체 물질로 형성되어 전기 에너지를 빛으로 변환하여 주는 반도체 발광 소자 또는 반도체 발광 다이오드이다. The light emitting device is, for example, a semiconductor light emitting device or a semiconductor light emitting diode formed of a semiconductor material and converting electrical energy into light.

발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 반도체 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. The light emitting device has advantages such as low power consumption, semi-permanent lifetime, quick response speed, safety, and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Therefore, much research is underway to replace an existing light source with a semiconductor light emitting element.

발광 소자는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치의 백라이트 유닛, 전광판과 같은 표시 소자, 가로등과 같은 조명 소자로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.BACKGROUND ART [0002] Light emitting devices have been increasingly used as display devices such as various lamps used in indoor and outdoor, backlight units of liquid crystal display devices, display boards, and street lamps.

실시예는 휨을 방지하는 발광 소자 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a light emitting device that prevents warping.

실시예는 얇은 두께를 갖는 발광 소자 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a light emitting device having a thin thickness.

실시예는 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a light emitting device capable of improving light efficiency.

실시예는 품질을 향상시킬 수 있는 발광 소자 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a light emitting device capable of improving quality.

실시예는 위와 같은 목적을 달성하기 위한 발광 소자 제조 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device manufacturing apparatus for achieving the above objects.

실시예는 위와 같은 목적을 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having the above-described object.

실시예에 따르면, 발광 소자 제조 장치는, 발광 구조물을 포함하는 웨이퍼의 두께를 줄이기 위해 상기 웨이퍼의 상면을 연마하는 연마 부재; 및 상기 연마 처리된 웨이퍼의 주변 영역으로 휨 방지 부재를 형성하기 위한 가압 부재를 포함한다.According to the embodiment, the light emitting device manufacturing apparatus includes: a polishing member for polishing the upper surface of the wafer to reduce the thickness of the wafer including the light emitting structure; And a pressing member for forming a bending prevention member in a peripheral region of the polished wafer.

실시예에 따르면, 발광 소자 제조 방법은, 제1 두께를 갖는 웨이퍼를 마련하는 단계; 상기 웨이퍼 상에 발광 구조물을 성장하는 단계; 상기 발광 구조물을 캐리어에 고정하는 단계; 상기 웨이퍼가 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖도록 상기 웨이퍼의 상면을 연마하는 단계; 상기 연마된 웨이퍼의 상면 상에 휨 방지 부재를 형성하는 단계; 및 상기 다수의 발광 소자를 형성하기 위해 상기 웨이퍼를 절단하는 단계를 포함한다. According to an embodiment, a method of manufacturing a light emitting device includes the steps of: providing a wafer having a first thickness; Growing a light emitting structure on the wafer; Fixing the light emitting structure to a carrier; Polishing the upper surface of the wafer such that the wafer has a second thickness that is less than the first thickness; Forming a bending prevention member on an upper surface of the polished wafer; And cutting the wafer to form the plurality of light emitting devices.

실시예에 따르면, 발광 소자는 상기 발광 소자 제조 장치에 의해 제조된다.According to the embodiment, the light emitting element is manufactured by the light emitting element manufacturing apparatus.

실시예는 기판의 두께를 얇게 하여 주어, 발광 구조물에서 생성된 열이 기판에 머물지 않고 곧바로 외부로 방출되므로 발광 소자의 방출 특성이 향상될 수 있다.In the embodiment, the thickness of the substrate is made thin, and the heat generated in the light emitting structure is directly emitted to the outside without staying on the substrate, so that the emission characteristic of the light emitting device can be improved.

실시예는 기판의 두께를 얇게 하여 주어, 발광 구조물에서 생성된 광이 기판에서 소멸되기 보다 외부로 방출될 가능성이 증가되어 광 효율이 향상될 수 있다. Embodiments can reduce the thickness of the substrate, increase the possibility that the light generated in the light emitting structure is emitted to the outside rather than disappear from the substrate, thereby improving the light efficiency.

실시예는 공정 중에 웨이퍼에 발생되는 휨을 휨 방지 부재에 의해 억제시킨 후 후공정에 의해 웨이퍼로부터 발광 소자를 분리하여 줌으로써, 발광 소자에 휨이 발생되지 않아 발광 소자의 기판이 깨지지 않게 된다. 이에 따라, 소자 불량의 발생 가능성을 줄여 주어 제품 수율이 증가될 수 있다. In the embodiment, since the warpage generated on the wafer during the process is suppressed by the bending prevention member and the light emitting element is separated from the wafer by a post process, the light emitting element is not warped and the substrate of the light emitting element is not broken. As a result, the possibility of device failure can be reduced and the product yield can be increased.

실시예는 휨 방지 부재가 미리 가공되어 가공된 휨 방지 부재를 단지 접착 부재 상에 부착하면 되므로, 별도의 추가 공정이 필요 없으므로, 제조 비용과 제조 시간이 증가되지 않게 된다. In the embodiment, since the bending prevention member is formed by preliminarily machining and processing the processed bending prevention member, it does not require a separate additional process, so that the manufacturing cost and the manufacturing time are not increased.

도 1 내지 도 8는 실시예에 따른 발광 소자 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 9 및 도 10은 성장시 발생하는 휨을 보여주는 단면도이다.
도 11 및 도 12는 기판의 두께에 따른 휨을 보여주는 단면도이다.
도 13은 휨 방지 부재의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.1 to 8 are views showing a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.
Figs. 9 and 10 are cross-sectional views showing warpage occurring during growth.
11 and 12 are cross-sectional views showing deflection according to the thickness of the substrate.
13 is a cross-sectional view showing another modification of the bending prevention member.

발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. Also, in the case of "upper (upper) or lower (lower)", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one component.

도 1 내지 도 8은 실시예에 따른 발광 소자 제조 공정을 도시한 도면이다.1 to 8 are views showing a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 웨이퍼(3)가 마련될 수 있다. 상기 웨이퍼(3)는 다수의 발광 소자를 제조하기 위한 마더 기판(mother substrate)일 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼(3)로부터 다수의 발광 소자가 제조될 수 있다.1A and 1B, a wafer 3 may be provided. The wafer 3 may be a mother substrate for manufacturing a plurality of light emitting devices. That is, a plurality of light emitting devices can be manufactured from the wafer 3.

상기 웨이퍼(3)는 발광 소자를 구성하는 화합물 반도체를 용이하게 성장시킬 수 있는 재질이 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 웨이퍼(3)는 사파이어(Al2O3), IV족 반도체 재질 및 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질 중 하나로 형성될 수 있다. 상기 IV족 반도체 재질로는 Si, Ge, SiC 등이 사용될 수 있다. II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로는 GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP 등이 사용될 수 있다. The wafer 3 may be made of a material capable of easily growing a compound semiconductor constituting the light emitting element. For example, the wafer 3 may be formed of sapphire (Al 2 O 3 ), a Group IV semiconductor material, or a Group II-VI material or a Group III-V compound semiconductor material. The Group IV semiconductor material may be Si, Ge, SiC, or the like. GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, etc. may be used as the II-VI group or III-V group compound semiconductor material.

상기 웨이퍼(3)의 두께(t1)는 500㎛ 내지 2000㎛일 수 있다. 상기 웨이퍼(3)의 두께(t1)는 700㎛ 내지 1500㎛일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The thickness t1 of the wafer 3 may be 500 탆 to 2000 탆. The thickness t1 of the wafer 3 may be 700 탆 to 1500 탆, but it is not limited thereto.

상기 웨이퍼(3)의 두께가 두꺼우면 여러 가지 문제가 발생될 수 있다. If the thickness of the wafer 3 is large, various problems may occur.

예컨대, 웨이퍼(3)로 입사된 광이 웨이퍼(3)의 두꺼운 두께로 인해 외부로 방출되지 못하고 웨이퍼(3) 내에서 소멸될 수 있어, 광 효율이 저하될 수 있다.For example, the light incident on the wafer 3 may not be emitted to the outside due to the thick thickness of the wafer 3, and may be extinguished in the wafer 3, so that the light efficiency may be lowered.

예컨대, 웨이퍼(3)로부터 발광 소자의 단위 칩을 얻기 위해 다이싱(dicing) 공정 또는 스크라이빙(scribing) 공정이 수행되는 경우, 웨이퍼(3)의 두꺼운 두께로 인해 웨이퍼(3)가 절단되지 않고 깨질 수 있다.For example, when a dicing process or a scribing process is performed to obtain a unit chip of a light emitting device from the wafer 3, the wafer 3 is not cut due to the thick thickness of the wafer 3 It can be broken.

예컨대, 스크라이빙 공정이 수행되는 동안 웨이퍼(3)로부터 발생된 이물질이 발광 소자의 활성층 등에 부착되어 소자 불량을 야기할 수 있다.For example, foreign substances generated from the wafer 3 during the scribing process may adhere to the active layer or the like of the light emitting device, resulting in defective devices.

예컨대, 웨이퍼(3)의 두꺼운 두께로 인해 발광 소자에서 발생된 열이 웨이퍼(3) 내에 가두어지게 되고 외부로 방출되지 않게 되어 방열 특성이 저하될 수 있다. For example, due to the thick thickness of the wafer 3, heat generated in the light emitting device may be trapped in the wafer 3 and may not be emitted to the outside, resulting in degraded heat dissipation characteristics.

이상과 같은 문제들로 인해, 웨이퍼(3)는 후공정에 의해 얇은 두께로 연마될 수 있고, 이에 대해서는 나중에 설명한다.Due to the above problems, the wafer 3 can be polished to a thin thickness by a post-process, which will be described later.

도 2를 참조하면, 상기 웨이퍼(3) 상에 발광 구조물(5)이 성장될 수 있다. 상기 발광 구조물(5)은 광을 생성하는 부재로서, 다수의 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(5)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어지는 AlxInyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1)로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 발광 구조물(5)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Referring to FIG. 2, a light emitting structure 5 may be grown on the wafer 3. The light emitting structure 5 is a member for generating light and may include a plurality of compound semiconductor layers. The light-emitting structure 5 is made of AlxInyGa (1-xy) N (0 <x <1, 0 <y <1, 0 <x + y <1) made of a II-VI or III- . For example, the light emitting structure 5 may include at least one selected from the group consisting of InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and AlInN, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 구조물(5)은 도시되지 않았지만 적어도 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 웨이퍼(3) 상에 성장되고, 상기 활성층은 상기 제1 도전형 반도체층 상에 성장되며, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 활성층 상에 성장될 수 있다.The light emitting structure 5 may include at least a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer is grown on the wafer 3, the active layer is grown on the first conductivity type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer can be grown on the active layer.

상기 웨이퍼(3) 상에 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 성장될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer may be successively grown on the wafer 3.

상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy) 및 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma chemical vapor deposition (PECVD) (MBE), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE), but the present invention is not limited to this method.

상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층은 도펀트를 포함하고, 상기 활성층은 도펀트를 포함하거나 도펀트를 포함하지 않을 수 있다.The first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer may include a dopant, and the active layer may include a dopant or may not include a dopant.

상기 제1 도전형 반도체층의 도펀트와 상기 제2 도전형 반도체층의 도펀트는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 도펀트를 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 도펀트를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se 및 Te 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr 및 Ba 중 적어도 하나를 포함하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The dopant of the first conductivity type semiconductor layer and the dopant of the second conductivity type semiconductor layer may have opposite polarities. For example, the first conductive semiconductor layer may include an n-type dopant, and the second conductive semiconductor layer may include a p-type dopant, but the present invention is not limited thereto. The n-type dopant includes at least one of Si, Ge, Sn, Se and Te, and the p-type dopant includes at least one of Mg, Zn, Ca, Sr and Ba.

예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층은 전자를 생성하여 상기 활성층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층은 정공을 생성하여 상기 활성층으로 제공될 수 있다. 상기 활성층에서 상기 제1 도전형 반도체층으로부터의 전자와 상기 제2 도전형 반도체층으로부터의 정공이 재결합(recombination)될 수 있다. 이러한 재결합에 의해 의해 상기 활성층의 형성 물질에 의해 결정되는 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)에 상응하는 파장의 광이 방출될 수 있다. For example, the first conductive type semiconductor layer generates electrons and is provided to the active layer, and the second conductive type semiconductor layer generates holes to be provided as the active layer. Electrons from the first conductivity type semiconductor layer and holes from the second conductivity type semiconductor layer in the active layer can be recombined. By this recombination, light of a wavelength corresponding to an energy band gap determined by the material forming the active layer can be emitted.

상기 활성층은 단일 양자 우물 구조(SQW), 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층은 우물층과 배리어층을 한 주기로 하여 우물층과 배리어층이 반복적으로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 배리어층의 반복주기는 발광 소자의 특성에 따라 변형 가능하므로, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 활성층은 예를 들면, InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기 또는 InGaN/InGaN의 주기로 형성될 수 있다. The active layer may comprise any one of a single quantum well structure (SQW), a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum wire structure. The active layer may be formed by repeatedly forming a well layer and a barrier layer with a well layer and a barrier layer as one cycle. The repetition period of the well layer and the barrier layer may be varied depending on the characteristics of the light emitting device, and thus the present invention is not limited thereto. The active layer may be formed of, for example, a period of InGaN / GaN, a period of InGaN / AlGaN, or a period of InGaN / InGaN.

상기 활성층은 자외선, 가시 광선 및 적외선 중 하나를 포함할 수 있다. The active layer may include one of ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays.

상기 제1 도전형 반도체층의 아래 또는 상기 제2 도전형 반도체층의 위에 또 다른 화합물 반도체층이 단일층 또는 다층으로 성장될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Another compound semiconductor layer may be grown as a single layer or a multilayer below the first conductive type semiconductor layer or over the second conductive type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 웨이퍼(3)와 상기 발광 구조물(5)은 서로 상이한 격자 상수와 서로 상이한 열 팽창 계수를 가진다. 도 9에 도시한 바와 같이, 이러한 격자 상수 차이와 열 팽창 계수 차이로 인해 상기 웨이퍼(3)와 상기 발광 구조물(5)은 서로 간에 응력(strain)이 발생하게 된다. 다시 말해, 상기 발광 구조물(5)에 수축형 응력(compressive strain)이 강하게 작용하게 되어, 웨이퍼(3)는 아래로 오목한 형상으로 휘어질 수 있다.On the other hand, the wafer 3 and the light emitting structure 5 have different lattice constants and different thermal expansion coefficients from each other. As shown in FIG. 9, due to the difference between the lattice constant and the thermal expansion coefficient, the wafer 3 and the light emitting structure 5 are strained. In other words, a compressive strain acts strongly on the light emitting structure 5, so that the wafer 3 can be bent in a concave shape downward.

상기 발광 구조물(5)은 높은 온도에서 성장되므로, 상기 발광 구조물(5)이 성장된 후 냉각 공정이 수행될 수 있다. 도 10에 도시한 바와 같이, 이러한 냉각 공정에 의해 상기 발광 구조물(5)은 인장형 응력(tensile strain)이 강하게 작용하게 되어 웨이퍼(3)는 평형 상태를 유지할 수 있다. Since the light emitting structure 5 is grown at a high temperature, a cooling process may be performed after the light emitting structure 5 is grown. As shown in FIG. 10, by the cooling process, the light emitting structure 5 strongly acts on the tensile strain, and the wafer 3 can maintain the equilibrium state.

도 3을 참조하면, 상기 발광 구조물(5)이 상기 웨이퍼(3) 상에 성장된 후, 상기 웨이퍼(3)는 연마 장비로 이송될 수 있다. 상기 웨이퍼(3)의 이송은 캐리어(carrier)(7)에 의해 수행될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 캐리어(7)는 강도가 우수하며 열 팽창율이 적은 재질로 형성될 수 있다. 상기 캐리어(7)는 예컨대, 스테인레스 스틸(stainless steel) 재질이나 쿼츠(quartz) 재질로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Referring to FIG. 3, after the light emitting structure 5 is grown on the wafer 3, the wafer 3 may be transferred to the polishing equipment. The transfer of the wafer 3 can be performed by a carrier 7, but it is not limited thereto. The carrier 7 may be formed of a material having excellent strength and low thermal expansion coefficient. The carrier 7 may be made of, for example, stainless steel or quartz, but is not limited thereto.

상기 웨이퍼(3)의 하면이 연마되어야 하므로, 상기 웨이퍼(3)의 하면이 위로 향하도록 한 다음, 상기 발광 구조물(5)을 상기 캐리어(7)에 고정시킬 수 있다. 상기 상기 발광 구조물(5)은 양면 테이프, 점착 물질 또는 본딩 물질을 이용하여 상기 캐리어(7)에 고정될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The bottom surface of the wafer 3 must be polished so that the bottom surface of the wafer 3 faces upward and then the light emitting structure 5 is fixed to the carrier 7. The light emitting structure 5 may be fixed to the carrier 7 using a double-faced tape, an adhesive material, or a bonding material, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 구조물(5)이 캐리어(7)에 고정된 후 상기 연마 장비로 이송될 수 있다. The light emitting structure 5 may be fixed to the carrier 7 and then transferred to the polishing equipment.

상기 연마 장비에서 상기 캐리어(7)가 웨이퍼 척(chuck)(9)에 고정될 수 있다. 상기 웨이퍼 척(9)은 진공 척일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 웨이퍼 척(9)은 적어도 상하로 관통된 다수의 튜브를 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼 척(9)의 하부에 노출된 튜브 끝단은 공기 통로관(미도시)에 연결될 수 있다. 상기 공기 통로관을 통해 고압으로 공기가 제공되거나 공기가 흡입될 수 있다. 예컨대, 상기 공기 통로관을 통해 공기가 흡입될 때, 상기 캐리어(7)가 상기 웨이퍼 척(9)의 상면에 놓여지면, 상기 흡입되는 공기에 의해 상기 상기 캐리어(7)가 상기 웨이퍼 척(9)에 고정될 수 있다. 이와 반대로, 상기 공기 통로관을 통해 공기가 제공되면 상기 제공된 공기의 압력에 의해 상기 캐리어(7)가 상기 웨이퍼 척(9)의 상면으로부터 착탈될 수 있다.In the polishing equipment, the carrier 7 can be fixed to the wafer chuck 9. Although the wafer chuck 9 may be a vacuum chuck, it is not limited thereto. The wafer chuck 9 may include a plurality of tubes at least vertically penetrating therethrough. The tube end exposed at the lower portion of the wafer chuck 9 may be connected to an air passage tube (not shown). Air can be supplied at a high pressure through the air passage pipe or air can be sucked. For example, when the carrier 7 is placed on the upper surface of the wafer chuck 9 when the air is sucked through the air passage pipe, the carrier 7 is moved by the sucked air to the wafer chuck 9 ). On the contrary, when the air is supplied through the air passage pipe, the carrier 7 can be detached from the upper surface of the wafer chuck 9 by the pressure of the provided air.

상기 캐리어(7)가 상기 웨이퍼 척(9)에 고정된 후, 연마 부재(11)를 이용하여 상기 웨이퍼(3)의 상면이 연마될 수 있다. After the carrier 7 is fixed to the wafer chuck 9, the upper surface of the wafer 3 can be polished using the abrasive member 11.

상기 연마 부재(11)는 지지대(13), 플레이트(plate)(15) 및 패드(pad)(17)를 포함할 수 있다. 지지대(13)는 상기 플레이트(15)와 상기 패드(17)를 고정시키고 지지하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 지지대(13)는 스스로 회전되어 상기 지지대(13)에 고정된 상기 플레이트(15) 및 상기 패드(17)를 회전시키는 역할을 할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The abrasive member 11 may include a support 13, a plate 15 and a pad 17. The support base 13 may serve to fix and support the plate 15 and the pad 17. The support base 13 may be rotated by itself to rotate the plate 15 fixed to the support base 13 and the pad 17, but the present invention is not limited thereto.

상기 지지대(13)는 상하로 길게 형성된 원통 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The support base 13 may have a cylindrical shape formed in an elongated shape, but the support base 13 is not limited thereto.

상기 지지대(13)가 회전되지 않고 고정되는 대신, 상기 웨이퍼 척(9)이 회전되어 상기 웨이퍼 척(9)에 고정된 상기 웨이퍼(3)가 회전될 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The wafer chuck 9 is rotated and the wafer 3 fixed to the wafer chuck 9 may be rotated instead of the support base 13 being fixed without being rotated.

상기 플레이트(15)는 상기 패드(17)를 고정시키고 지지하는 역할을 할 수 있다. 상기 플레이와 상기 패드(17)는 위에서 보았을 때 원 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The plate (15) can serve to fix and support the pad (17). The play and the pad 17 may have a circular shape when viewed from above, but the invention is not limited thereto.

상기 지지대(13) 및/또는 상기 플레이는 강도가 높은 재질, 예컨대 스테인레스 스틸 등으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The support 13 and / or the play may be formed of a material having high strength, such as stainless steel, but the invention is not limited thereto.

상기 패드(17)는 실질적으로 상기 웨이퍼(3)와 물리적으로 접촉되어 상기 웨이퍼(3)의 상면을 연마시키는 역할을 할 수 있다. 상기 패드(17)의 회전과 더불어 연마제가 상기 패드(17)와 상기 웨이퍼(3) 상면 사이로 분사되어 연마 성능이 향상될 수 있다. The pad 17 may physically contact the wafer 3 to substantially polish the upper surface of the wafer 3. Along with the rotation of the pad 17, an abrasive may be injected between the pad 17 and the upper surface of the wafer 3 to improve polishing performance.

도 4에 도시한 바와 같이, 상기 연마 부재(11)에 의한 연마로 인해, 상기 웨이퍼(3)의 두께(t2)는 얇아질 수 있다. 상기 연마된 웨이퍼(3)의 두께(t2)는 50㎛ 내지 300㎛일 수 있다. 상기 연마된 웨이퍼(3)의 두께(t2)는 100㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 상기 연마된 웨이퍼(3)의 두께(t2)는 130㎛ 내지 170㎛일 수 있다.As shown in Fig. 4, due to the polishing by the abrasive member 11, the thickness t2 of the wafer 3 can be thinned. The thickness t2 of the polished wafer 3 may be 50 탆 to 300 탆. The thickness t2 of the polished wafer 3 may be 100 탆 to 200 탆. The thickness t2 of the polished wafer 3 may be 130 탆 to 170 탆.

이러한 연마 공정으로는 그라인딩(grinding), 래핑(lapping) 및 폴리싱(polishing) 중 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다.This polishing process may be performed by at least one of grinding, lapping, and polishing.

도 5를 참조하면, 연마 공정이 수행된 후, 상기 웨이퍼(3)의 상면의 주변 영역에 접착 부재(23)가 형성될 수 있다. 상기 접착 부재(23)는 상기 웨이퍼(3)의 상면의 주변 영역을 따라 폐루프(closed-loop)를 가질 수 있다. Referring to FIG. 5, an adhesive member 23 may be formed on the peripheral region of the upper surface of the wafer 3 after the polishing process is performed. The adhesive member 23 may have a closed-loop along the peripheral area of the upper surface of the wafer 3. [

상기 접착 부재(23)는 스크린 프린팅 장비를 이용하여 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 스크린 프린팅 장비는 상기 웨이퍼(3)의 상면의 주변 영역이 노출된 슬릿(slit)을 갖는 마스크가 형성되고, 접착 물질 분사 장치로부터 분사된 접착 물질이 상기 마스크의 슬릿를 통해 상기 웨이퍼(3)의 주변 영역에 형성될 수 있다. The adhesive member 23 may be formed using a screen printing equipment, but the present invention is not limited thereto. The screen printing apparatus includes a mask 3 having a slit in which a peripheral region of the upper surface of the wafer 3 is exposed, and an adhesive material sprayed from the adhesive material spraying device is applied to the wafer 3 through a slit May be formed in the peripheral region.

상기 접착 부재(23)는 UV 경화성 폴리머 재질 또는 열 경화성 폴리머 재질일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The adhesive member 23 may be a UV curable polymer material or a thermosetting polymer material, but the present invention is not limited thereto.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 접착 부재(23) 상에 휨 방지 부재(25)가 형성될 수 있다. 상기 휨 방지 부재(25)는 상기 웨이퍼(3)의 휨을 방지하여 주는 역할을 하여 줄 수 있다. 상기 휨 방지 부재(25)는 상기 웨이퍼(3)의 상면의 주변 영역을 따라 형성된 폐루프를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 6A and 6B, a bending prevention member 25 may be formed on the adhesive member 23. The bending prevention member 25 may prevent the wafer 3 from being warped. The bending prevention member 25 may have a closed loop formed along the peripheral region of the upper surface of the wafer 3. [

상기 휨 방지 부재(25)는 상기 접착 부재(23)와 동일한 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The bending prevention member 25 may have the same shape as the adhesive member 23, but the present invention is not limited thereto.

상기 휨 방지 부재(25)는 상기 접착 부재(23)에 의해 상기 웨이퍼(3)의 상면의 주변 영역에 부착될 수 있다. The bending prevention member 25 can be attached to the peripheral region of the upper surface of the wafer 3 by the bonding member 23. [

도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 상기 연마 공정에 의해 상기 웨이퍼(3)의 두께가 얇아질수록 상기 발광 구조물(5)의 인장 응력이 상기 웨이퍼(3)의 인장 응력보다 커지게 되어 상기 웨이퍼(3)가 위로 볼록한 형상으로 휘어질 수 있다. 11 and 12, as the thickness of the wafer 3 is decreased by the polishing process, the tensile stress of the light emitting structure 5 becomes larger than the tensile stress of the wafer 3, The wafer 3 can be bent in a convex shape.

도 11에 도시된 웨이퍼(3)보다 도 12에 도시된 웨이퍼(21)가 더 많이 연마되어, 도 12에 도시된 웨이퍼(21)의 두께가 도 11에 도시된 웨이퍼(3)의 두께보다 더 얇아지게 된다. 따라서, 도 12에 도시된 웨이퍼(21)가 도 11에 도시된 웨이퍼보다 더 크게 휘어질 수 있다. The wafer 21 shown in Fig. 12 is more abraded than the wafer 3 shown in Fig. 11 so that the thickness of the wafer 21 shown in Fig. 12 is more than the thickness of the wafer 3 shown in Fig. And becomes thin. Therefore, the wafer 21 shown in Fig. 12 can be bent more greatly than the wafer shown in Fig.

실시예는 상기 웨이퍼(21)의 상면의 주변 영역을 따라 폐루프 형상의 휨 방지 부재(25)를 형성하여, 연마 공정에 의해 웨이퍼(21)의 두께가 얇아질수록 웨이퍼(21)가 휘어지는 것을 방지하여 줄 수 있다. In the embodiment, a closed loop type bending prevention member 25 is formed along the periphery of the upper surface of the wafer 21 so that the wafer 21 is warped as the thickness of the wafer 21 is reduced by the polishing process Can be prevented.

상기 휨 방지 부재(25)가 폐루프 형상을 가지고 고 강도를 갖는 재질로 형성되므로, 상기 휨 방지 부재(25)가 상기 웨이퍼(21)의 두께 감소로 인해 발생되는 응력 증가를 차단하여 주므로, 웨이퍼(21)가 상기 휨 방지 부재(25)에 의해 휘어지지 않고 평형 상태를 유지하여 줄 수 있다. Since the bending prevention member 25 has a closed loop shape and is formed of a material having high strength, the bending prevention member 25 blocks the stress increase caused by the reduction of the thickness of the wafer 21, (21) can be kept in an equilibrium state without being bent by the bending prevention member (25).

상기 휨 방지 부재(25)는 고 강도를 갖는 재질, 예컨대 금속 재질, 플라스틱 재질 및 수지 재질 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 재질로는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 합금 등이 사용될 수 있다. 상기 플라스틱 재질로는 PVC로 사용될 수 있다. 수지 재질로는 실리콘(silicone) 또는 에폭시가 사용될 수 있다. The bending prevention member 25 may include one of high strength materials such as a metal material, a plastic material and a resin material. As the metal material, aluminum (Al), aluminum alloy, tungsten (W), tungsten alloy, titanium (Ti), titanium alloy and the like can be used. The plastic material may be used as PVC. As the resin material, silicone or epoxy may be used.

상기 휨 방지 부재(25)는 투명한 재질이거나 불투명한 재질일 수 있다.The bending prevention member 25 may be made of a transparent material or an opaque material.

만일 접착 부재(23)가 UV 경화성 폴리머 재질인 경우 UV가 휨 방지 부재(25)를 투과해야 UV 경화성 폴리머 재질을 경화시킬 수 있다. 이러한 경우, 상기 휨 방지 부재(25)는 투명한 재질로 형성될 수 있다. If the adhesive member 23 is a UV curable polymer material, the UV should penetrate the bending prevention member 25 to cure the UV curable polymer material. In this case, the bending prevention member 25 may be formed of a transparent material.

만일 접착 부재(23)가 열 경화성 폴리머 재질인 경우 상기 휨 방지 부재(25)는 투명한 재질을 사용하든 불 투명한 재질을 사용하든지 상관없다.If the adhesive member 23 is a thermosetting polymer material, the bending prevention member 25 may be made of a transparent material or a transparent material.

상기 휨 방지 부재(25)는 미리 가공되어 가압 부재(24)를 이용하여 상기 접착 부재(23) 상에 부착될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 휨 방지 부재(25)는 테이프나 라미네이팅 부재일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 가압 부재(24)는 프레스일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The bending prevention member 25 may be preliminarily processed and attached to the bonding member 23 using the pressing member 24, but the invention is not limited thereto. The bending prevention member 25 may be a tape or a laminating member, but the present invention is not limited thereto. The pressing member 24 may be a press but is not limited thereto.

한편, 도 13에 도시한 바와 같이, 상기 접착 부재(23)와 상기 휨 방지 부재(25)는 상기 웨이퍼(21)의 상면 주변 영역뿐만 아니라 상기 웨이퍼(21)의 측면 상에 형성될 수 있다. 13, the adhesive member 23 and the bending prevention member 25 may be formed on the wafer 21 as well as the peripheral region of the upper surface of the wafer 21. As shown in FIG.

또는, 상기 접착 부재(23) 및 상기 휨 방지 부재(25)는 상기 웨이퍼(21)의 상면 주변 영역, 상기 웨이퍼(21)의 측면 및 상기 발광 구조물(5)의 측면 상에 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 접착 부재(23) 및 상기 휨 방지 부재(25)는 상기 캐리어(7)의 상면과 부분적으로 접촉될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Alternatively, the bonding member 23 and the bending prevention member 25 may be formed on the upper surface peripheral region of the wafer 21, the side surface of the wafer 21, and the side surface of the light emitting structure 5. In this case, the adhesive member 23 and the bending prevention member 25 may be in partial contact with the upper surface of the carrier 7, but the present invention is not limited thereto.

이를 위해, 도 6b에 도시된 가압 부재(24) 외에 상기 웨이퍼(21)의 측면 및 상기 발광 구조물(5)의 측면을 상기 휨 방지 부재(25)를 가압하기 위한 또 다른 가압 부재(미도시)가 구비될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 6B, a side surface of the wafer 21 and a side surface of the light emitting structure 5 are joined to another pressing member (not shown) for pressing the bending prevention member 25, But the present invention is not limited thereto.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 휨 방지 부재(25)가 부착된 웨이퍼(21)가 상기 캐리어(7)로부터 분리될 수 있다. 7A and 7B, the wafer 21 to which the bending prevention member 25 is attached can be separated from the carrier 7.

상기 상기 발광 구조물(5)이 양면 테이프, 점착 물질 또는 본딩 물질을 이용하여 상기 캐리어(7)에 고정되므로, 양면 테이프, 점착 물질 또는 본딩 물질을 제거하여 줌으로써, 상기 웨이퍼(21) 아래의 상기 발광 구조물(5)의 하면이 상기 캐리어(7)로부터 분리될 수 있다.Since the light emitting structure 5 is fixed to the carrier 7 using a double-sided adhesive tape, a bonding material or a bonding material, the double-sided tape, the adhesive material or the bonding material is removed, The lower surface of the structure 5 can be separated from the carrier 7.

이후, 상기 웨이퍼(21)가 상기 발광 구조물(5)보다 하부 방향에 위치하도록 상기 웨이퍼(21)를 뒤집은 다음, 상기 발광 구조물(5)의 상면에 잔존하는 점착 물질 등의 이물질을 제거하기 위해 세정 공정이 수행될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Thereafter, the wafer 21 is turned upside down so that the wafer 21 is positioned lower than the light emitting structure 5, and then cleaned to remove foreign materials such as adhesive substances remaining on the upper surface of the light emitting structure 5 The process may be performed, but this is not limiting.

이후, 상기 발광 구조물(5)의 상면 상에 다수의 전극(29)이 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼(21) 상에는 다수의 칩 영역(26)이 정의될 수 있다. 상기 칩 영역(26)이 분리되어 발광 소자(27)가 될 수 있다. Thereafter, a plurality of electrodes 29 may be formed on the upper surface of the light emitting structure 5. A plurality of chip regions 26 may be defined on the wafer 21. The chip region 26 may be separated to become the light emitting device 27. [

상기 각 칩 영역(26)의 상기 발광 구조물(5) 상에 적어도 하나의 전극(29)이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. At least one electrode 29 may be formed on the light emitting structure 5 of each chip region 26, but the present invention is not limited thereto.

도 8을 참조하면, 상기 칩 영역(26)을 분리하기 위해 다이싱(dicing) 공정 또는 스크라이빙(scribing) 공정이 수행될 수 있다. Referring to FIG. 8, a dicing process or a scribing process may be performed to separate the chip region 26.

상기 웨이퍼(21)의 두께가 얇아졌기 때문에, 상기 다이싱 공정 또는 스크라이빙 공정을 수행하더라도, 웨이퍼(21)가 깨지지 않고 용이하게 절단될 수 있다. Since the thickness of the wafer 21 is reduced, even if the dicing step or the scribing step is performed, the wafer 21 can be easily cut without breaking.

또한, 상기 웨이퍼(21)의 두께가 얇아졌기 때문에, 웨이퍼(21)의 절단 시간이 단축되어 웨이퍼(21)의 절단 중에 이물질이 발생될 가능성이 낮아지게 되어, 이물질에 의한 불량이 감소될 수 있다.In addition, since the thickness of the wafer 21 is reduced, the cutting time of the wafer 21 is shortened, and the possibility that foreign matter is generated during cutting of the wafer 21 is lowered, so that defects due to foreign matter can be reduced .

상기 칩 영역(26)이 웨이퍼(21)로부터 분리되어 발광 소자(27)가 제조될 수 있다. 이때, 상기 발광 소자(27)의 웨이퍼(21)는 기판이라 불려질 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The chip region 26 may be separated from the wafer 21 to manufacture the light emitting device 27. [ At this time, the wafer 21 of the light emitting device 27 may be called a substrate, but it is not limited thereto.

상기 발광 소자(27)의 기판(21)은 웨이퍼(21)의 주변 영역에 해당되지 않기 때문에 웨이퍼(21)의 주변 영역에 형성된 휨 방지 부재(25)가 없으므로, 발광 소자(27)의 기판(21)으로부터 휨 방지 부재(25)를 별도로 제거할 필요가 없다. Since the substrate 21 of the light emitting element 27 does not correspond to the peripheral region of the wafer 21, there is no bending prevention member 25 formed in the peripheral region of the wafer 21, It is not necessary to separately remove the bending prevention member 25 from the bushing 21.

만일 상기 웨이퍼(21)로부터 분리된 발광 소자(27)가 웨이퍼(21)의 주변 영역에 해당되어, 상기 발광 소자(27)의 기판(21) 아래에 휨 방지 부재(25)가 형성되어 있다면, 접착 부재(23)와 휨 방지 부재(25)를 제거하기 위한 공정이 추가로 수행될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.If the light emitting element 27 separated from the wafer 21 corresponds to the peripheral region of the wafer 21 and the bending prevention member 25 is formed below the substrate 21 of the light emitting element 27, A process for removing the adhesive member 23 and the bending prevention member 25 may be additionally performed, but the present invention is not limited thereto.

상기 웨이퍼(21)로부터 분리된 발광 소자(27)는 상기 웨이퍼(21)에 비해 현저하게 작은 사이즈를 가지므로, 상기 발광 소자(27)의 기판(21) 아래에 휨 방지 부재(25)가 존재하지 않더라도 상기 발광 소자(27)의 기판(21)에 휨이 작용하지는 않게 되어 기판(21)이 깨지지 않게 된다. Since the light emitting element 27 separated from the wafer 21 has a significantly smaller size than the wafer 21, the bending prevention member 25 is present under the substrate 21 of the light emitting element 27 The substrate 21 of the light emitting element 27 is not warped and the substrate 21 is not broken.

상기 웨이퍼(21)로부터 분리된 발광 소자(27)에서 기판(21)은 전극으로 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 웨이퍼(21)는 앞서 언급한 바와 같이 반도체 재질이나 화합물 반도체 재질로 형성되고 추가로 도펀트가 포함될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. In the light emitting element 27 separated from the wafer 21, the substrate 21 can be used as an electrode. In this case, the wafer 21 may be formed of a semiconductor material or a compound semiconductor material as mentioned above and may further include a dopant, but the present invention is not limited thereto.

따라서, 상기 발광 소자(27)의 기판(21)과 전극(29)에 전원이 인가되어, 상기 발광 소자(27)의 발광 구조물(5)에서 광이 생성될 수 있다. Accordingly, power is applied to the substrate 21 and the electrode 29 of the light emitting device 27, so that light can be generated in the light emitting structure 5 of the light emitting device 27.

도시되지 않았지만, 상기 기판(21) 아래에 광을 반사시킬 수 있는 반사층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 반사층에 의해 상기 발광 구조물(5)에서 생성된 광이 상부 방향으로 반사되므로, 상기 발광 소자(27)의 광 효율이 향상될 수 있다.Although not shown, a reflective layer capable of reflecting light can be formed under the substrate 21, but the invention is not limited thereto. Since the light generated in the light emitting structure 5 is reflected upward by the reflective layer, the light efficiency of the light emitting device 27 can be improved.

실시예는 발광 소자의 기판의 두께가 얇아졌기 때문에, 발광 구조물에서 생성된 열이 기판에 머물지 않고 곧바로 외부로 방출되므로 발광 소자의 방출 특성이 향상될 수 있다.In the embodiment, since the substrate of the light emitting device has a reduced thickness, heat generated in the light emitting structure is directly emitted to the outside without staying on the substrate, so that the emission characteristics of the light emitting device can be improved.

실시예는 발광 소자의 기판의 두께가 얇아졌기 때문에, 상기 발광 구조물에서 생성된 광이 기판에서 소멸되기 보다 외부로 방출될 가능성이 증가되어 광 효율이 향상될 수 있다. In the embodiment, since the thickness of the substrate of the light emitting device is reduced, the possibility that the light generated in the light emitting structure is emitted to the outside rather than disappearing from the substrate is increased, so that the light efficiency can be improved.

실시예는 공정 중에 웨이퍼에 발생되는 휨을 휨 방지 부재에 의해 억제시킨 후, 후공정에 의해 웨이퍼로부터 발광 소자를 분리하여 줌으로써, 발광 소자에 휨이 발생되지 않아 발광 소자의 기판이 깨지지 않게 된다. 이에 따라, 소자 불량의 발생 가능성을 줄여 주어 제품 수율이 증가될 수 있다. In the embodiment, since the warpage generated in the wafer during the process is suppressed by the bending prevention member, the light emitting element is separated from the wafer by a post process, so that no warpage occurs in the light emitting element, and the substrate of the light emitting element is not broken. As a result, the possibility of device failure can be reduced and the product yield can be increased.

실시예는 휨 방지 부재가 미리 가공되어 가공된 휨 방지 부재를 단지 접착 부재 상에 부착하면 되므로, 별도의 추가 공정이 필요 없으므로, 제조 비용과 제조 시간이 증가되지 않게 된다. In the embodiment, since the bending prevention member is formed by preliminarily machining and processing the processed bending prevention member, it does not require a separate additional process, so that the manufacturing cost and the manufacturing time are not increased.

3, 21: 웨이퍼
5: 발광 구조물
7: 캐리어
9: 웨이퍼 척
11: 연마 부재
13: 지지대
15: 플레이트
17: 패드
23: 접착 부재
24: 가압 부재
25: 휨 방지 부재
26: 칩 영역
27: 발광 소자
29: 전극3, 21: wafer
5: Light emitting structure
7: Carrier
9: wafer chuck
11: abrasive member
13: Support
15: Plate
17: Pad
23:
24:
25:
26: chip area
27: Light emitting element
29: Electrode

Claims (15)

발광 구조물을 포함하는 웨이퍼의 두께를 줄이기 위해 상기 웨이퍼의 상면을 연마하는 연마 부재; 및
상기 연마 처리된 웨이퍼의 주변 영역으로 휨 방지 부재를 형성하기 위한 제1 가압 부재를 포함하는 발광 소자 제조 장치.A polishing member for polishing an upper surface of the wafer to reduce the thickness of the wafer including the light emitting structure; And
And a first pressing member for forming a bending prevention member in a peripheral region of the polished wafer. 제1항에 있어서,
상기 휨 방지 부재를 형성하기 전에 상기 웨이퍼의 주변 영역 상에 접착 부재를 형성하기 위한 스크린 프린팅 장비를 더 포함하는 발광 소자 제조 장치.The method according to claim 1,
Further comprising screen printing equipment for forming an adhesive member on a peripheral area of the wafer before forming the bending preventive member. 제2항에 있어서,
상기 스크린 프린팅 장비는
상기 웨이퍼의 주변 영역이 노출된 슬릿을 갖는 마스크; 및
상기 마스크를 통해 상기 주변 영역으로 진행되도록 접착 물질을 분사하는 분사 장치를 포함하는 발광 소자 제조 장치.3. The method of claim 2,
The screen printing equipment
A mask having a slit in which a peripheral region of the wafer is exposed; And
And an injector for injecting an adhesive material to advance to the peripheral region through the mask. 제1항에 있어서,
상기 연마에 의해 상기 웨이퍼는 제1 두께에서 제2 두께로 얇아지는 발광 소자 제조 장치.The method according to claim 1,
And the wafer is thinned from the first thickness to the second thickness by the polishing. 제4항에 있어서,
상기 제1 두께는 500㎛ 내지 2000㎛이고,
상기 제2 두께는 50㎛ 내지 300㎛인 발광 소자 제조 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first thickness is 500 탆 to 2000 탆,
And the second thickness is 50 탆 to 300 탆. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼의 측면 및 상기 발광 구조물의 측면으로 상기 휨 방지 부재를 형성하기 위한 제2 가압 부재를 더 포함하는 발광 소자 제조 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a second pressing member for forming the bending prevention member on a side surface of the wafer and a side surface of the light emitting structure. 제1 두께를 갖는 웨이퍼를 마련하는 단계;
상기 웨이퍼 상에 발광 구조물을 성장하는 단계;
상기 발광 구조물을 캐리어에 고정하는 단계;
상기 웨이퍼가 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖도록 상기 웨이퍼의 상면을 연마하는 단계;
상기 연마된 웨이퍼의 상면 상에 휨 방지 부재를 형성하는 단계; 및
상기 다수의 발광 소자를 형성하기 위해 상기 웨이퍼를 절단하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법.Providing a wafer having a first thickness;
Growing a light emitting structure on the wafer;
Fixing the light emitting structure to a carrier;
Polishing the upper surface of the wafer such that the wafer has a second thickness that is less than the first thickness;
Forming a bending prevention member on an upper surface of the polished wafer; And
And cutting the wafer to form the plurality of light emitting devices. 제7항에 있어서,
상기 웨이퍼를 절단하기 전에 상기 캐리어로부터 상기 발광 구조물을 분리하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 제조 방법.8. The method of claim 7,
Further comprising separating the light emitting structure from the carrier before cutting the wafer. 제7항에 있어서,
상기 제1 두께는 500㎛ 내지 2000㎛인 발광 소자 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the first thickness is from 500 mu m to 2000 mu m. 제7항에 있어서,
상기 제2 두께는 50㎛ 내지 300㎛인 발광 소자 제조 방법.8. The method of claim 7,
And the second thickness is 50 to 300 占 퐉. 제7항에 있어서,
상기 제1항에 있어서,
상기 휨 방지 부재를 형성하기 전에 상기 연마된 웨이퍼의 상면 상에 접착 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 제조 방법.8. The method of claim 7,
The method of claim 1,
Further comprising the step of forming an adhesive member on the upper surface of the polished wafer before forming the bending preventive member. 제7항에 있어서,
상기 휨 방지 부재는 상기 웨이퍼의 주변 영역을 따라 형성된 폐루프를 갖는 발광 소자 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the bending prevention member has a closed loop formed along a peripheral region of the wafer. 제7항에 있어서,
상기 휨 방지 부재는 금속 재질, 플라스틱 재질 및 수지 재질 중 하나인 발광 소자 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the bending prevention member is one of a metal material, a plastic material, and a resin material. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 의해 제조된 발광 소자.A light emitting device manufactured by any one of claims 1 to 6. 제14항에 있어서,
상기 웨이퍼로부터 다수개가 제조되는 발광 소자.15. The method of claim 14,
Wherein a plurality of light emitting devices are manufactured from the wafer.
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120042707A (en) * 2008-10-30 2012-05-03 이형곤 Crystal layer, led, substrate and methode of manufacturing and seperation
KR20130051475A (en) * 2010-07-13 2013-05-20 히타치가세이가부시끼가이샤 Dicing/die bonding integral film, dicing/die bonding integral film manufacturing method, and semiconductor chip manufacturing method

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