KR20150010227A - Detecting method of defect of barrier film and detecting apparatus of defect of barrier film for flat panel display device - Google Patents

Detecting method of defect of barrier film and detecting apparatus of defect of barrier film for flat panel display device Download PDF

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KR20150010227A
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Abstract

The present invention relates to a detecting method of defects of a barrier film, and a detecting apparatus of defects of a barrier film, in which the detecting method of defects of a barrier film comprises a step of preparing a device including an electrode and a barrier film covering the electrode; a step of irradiating infrared rays to the barrier film; a step of firstly mapping by measuring the infrared transmittance to the device; a step of aging the device under the oxygen atmosphere; a step of irradiating infrared rays to the barrier film; a step of secondly mapping by measuring the infrared transmittance to the device; and a step of comparing the first map with the second map.

Description

배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치 {Detecting method of defect of barrier film and detecting apparatus of defect of barrier film for flat panel display device }TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a defect detection method for a barrier film and a defect detection apparatus for a barrier film,

배리어 막의 결함 검출 방법 및 배리어 막의 결함 검출 장치에 관한 것이다.A method for detecting a defect in a barrier film, and an apparatus for detecting a defect in a barrier film.

배리어막에 대한 수분 침투율을 측정하는 방법으로 칼슘 전극을 이용한 방법이 알려져 있다. 칼슘 전극을 테스트용 배리어막으로 감싸고, 수분 및 산소 환경 하에 두면, 칼슘 전극과 반응한 수분 및 산소가 광학 또는 전기적 측정 장치에 의해 검출될 수 있다. 그러나 이는 칼슘 막을 구비한 특별한 패드가 필요한 데, 이는 OLED와 같은 평판 표시 장치에 적용되기 어렵다. 또한 이 방법은 배리어 막의 결함으로 수분이나 산소가 침투된 이후에 측정할 수 있는 것이어서, 수분이나 산소의 침투 전에 결합의 존재 여부를 발견할 수 없다. 이 측정을 위해서 장시간 고습 환경 하에 표시 장치를 둘 경우, 설사 배리어막에 결함이 없는 것으로 판명된다 하더라도 평판 표시 장치의 수명이 저하되는 문제가 있다.A method using a calcium electrode is known as a method of measuring the permeation rate of moisture to the barrier film. Wrapping the calcium electrode with a barrier film for testing, and leaving it in a moisture and oxygen environment, moisture and oxygen reacted with the calcium electrode can be detected by an optical or electrical measuring device. However, this requires a special pad with a calcium film, which is difficult to apply to a flat panel display such as an OLED. In addition, this method can be measured after permeation of water or oxygen due to defects of the barrier film, so that it is impossible to detect the presence of bonding before permeation of water or oxygen. When the display device is placed under a high humidity environment for a long time for this measurement, even if it is found that there is no defect in the barrier film, there is a problem that the lifetime of the flat panel display device is reduced.

US5,196,799에 따르면 매우 작은 크기의 구멍이라도 막의 침투율에 매우 치명적일 수 있다는 내용이 개시되어 있다.No. 5,196,799 discloses that even very small holes can be very fatal to the permeability of the membrane.

실제 양산되는 평판 표시 장치의 표면에 코팅된 배리어 막의 결함을 비파괴적으로 및/또는 제조 공정 중에 매우 짧은 시간 안에 측정할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 데에 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus which can measure defects of a barrier film coated on the surface of a flat panel display device which is actually mass-produced nondestructively and / or during a manufacturing process in a very short time.

일 측면에 따르면, 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 준비하는 단계와, 적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사하는 단계와, 상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 제1맵핑하는 단계와, 상기 장치를 산소 분위기에서 에이징하는 단계와, 적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사하는 단계와, 상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 제2맵핑하는 단계와, 상기 제1맵핑과 상기 제2맵핑을 비교하는 단계를 포함하는 배리어 막의 결함 검출 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing an apparatus including an electrode and a barrier film covering the electrode; irradiating at least infrared rays to the barrier film; Comprising the steps of: aging the device in an oxygen atmosphere; irradiating at least the barrier film with infrared light; measuring a infrared transmittance of the device and performing a second mapping; comparing the first mapping with the second mapping; A defect detection method of a barrier film comprising the steps of:

다른 일 측면에 따르면, 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 준비하는 단계와, 상기 장치를 산소 분위기에서 에이징하는 단계와, 적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사하는 단계와, 상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 맵핑하는 단계와, 상기 맵핑의 형상으로부터 상기 배리어 막의 결함을 검출하는 단계를 포함하는 배리어 막의 결함 검출 방법을 제공한다.According to another aspect, there is provided a method of manufacturing a device comprising the steps of preparing an apparatus including an electrode and a barrier film covering the electrode, aging the apparatus in an oxygen atmosphere, irradiating at least the infrared film to the barrier film, A step of measuring and mapping the infrared transmittance, and a step of detecting a defect in the barrier film from the shape of the mapping.

상기 적외선은 근적외선 또는 단파 적외선일 수 있다.The infrared may be near-infrared or short-wave infrared.

상기 산소 분위기는 건조한 산소 분위기일 수 있다.The oxygen atmosphere may be a dry oxygen atmosphere.

상기 에이징은 상온에서 진행될 수 있다.The aging may proceed at room temperature.

또 다른 일 측면에 따르면, 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 산소 분위기에서 에이징하는 에이징 유닛과, 적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사해 상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 맵핑하는 맵핑 유닛을 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: an aging unit for aging an apparatus including an electrode and a barrier film covering the electrode in an oxygen atmosphere; and a mapping unit for irradiating infrared rays to at least the barrier film to measure and map the infrared transmittance to the apparatus The present invention also provides a defect detection apparatus for a barrier film.

상기 에이징 유닛은, 상기 장치를 수용하고 기밀이 유지되는 챔버와, 상기 챔버와 연통되고 상기 챔버에 산소를 제공하는 가스 조화 유닛을 포함할 수 있다.The aging unit may include a chamber that receives the device and is kept airtight, and a gas-conditioning unit that is in communication with the chamber and provides oxygen to the chamber.

상기 맵핑 유닛은, 상기 장치가 안착되는 투명한 테이블과, 상기 테이블의 일측에 위치하는 적외선 조사 유닛과, 상기 테이블의 타측에 위치하는 카메라 유닛을 포함할 수 있다.The mapping unit may include a transparent table on which the apparatus is mounted, an infrared ray irradiation unit positioned on one side of the table, and a camera unit located on the other side of the table.

상기 카메라 유닛은 적외선 밴드 패스 필터를 구비한 렌즈 조립체를 더 포함할 수 있다.The camera unit may further include a lens assembly having an infrared band-pass filter.

상기 카메라 유닛이 결합된 수평 이동 스테이지를 더 포함할 수 있다.And a horizontal movement stage to which the camera unit is coupled.

본 발명에 따르면, 배리어 막에 결함이 있는지 유무 및/또는 결함의 위치를 짧은 시간 안에 간단한 방법으로 검출할 수 있다.According to the present invention, it is possible to detect whether there is a defect in the barrier film and / or the position of the defect in a short time in a simple manner.

배리어 막의 결함 검출을 위해 피검사 장치를 파괴하지 않고도 진행할 수 있다.It is possible to proceed without destroying the device under test for defect detection of the barrier film.

배리어 막의 결함 검출을 피검사 장치의 제조 공정 중의 어느 일 단계에서 행할 수 있다.The defect detection of the barrier film can be performed at any stage during the manufacturing process of the device under test.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 배리어 막의 산화막을 도시한 개략도이다.
도 3은 5nm, 6.5nm, 10nm, 13nm 두께의 마그네슘 막의 광 파장에 따른 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 습한 환경에서 200시간 에이징한 후의 적외선 투과도 맵 및 실제 결함 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a defect detection method of a barrier film according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a schematic view showing an oxide film of a barrier film.
FIG. 3 is a graph showing transmittance of a magnesium film having a thickness of 5 nm, 6.5 nm, 10 nm, and 13 nm according to an optical wavelength.
4 is a diagram showing an infrared transmittance map and an actual defect state after 200 hours of aging in a humid environment.
5 is a view schematically showing a defect detection apparatus for a barrier film according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a defect detection method of a barrier film according to an embodiment of the present invention; FIG.

먼저, 평판 표시 장치(1)를 준비한다. 상기 평판 표시 장치(1)는 기판(11) 상에 표시부(12)가 형성되어 있고, 이 표시부(12)를 배리어 막(13)에 의해 외부의 수분/산소로부터 밀봉한다. First, the flat panel display device 1 is prepared. The flat panel display 1 is provided with a display portion 12 on a substrate 11 and this display portion 12 is sealed from the outside moisture / oxygen by the barrier film 13.

상기 평판 표시 장치(1)는 유기 발광 표시 장치가 될 수 있는 데, 이 때, 상기 표시부(12)는 유기 발광 표시부가 될 수 있다. 그러나 본 발명은 반드시 유기 발광 표시 장치에 적용되는 것은 아니고, 외부의 수분/산소로부터 밀봉하여 보호할 필요가 있는 소자면 어느 것이나 적용될 수 있다.The flat panel display 1 may be an organic light emitting display. In this case, the display unit 12 may be an organic light emitting display unit. However, the present invention is not necessarily applied to an organic light emitting display, and any of the elements that need to be sealed and protected from external moisture / oxygen can be applied.

상기 표시부(12)는 복수의 픽셀들을 포함하는 데, 이 픽셀들을 모두 덮는 공통 전극(121)을 포함한다. 이 공통 전극(121)은 캐소드 전극일 수 있다. The display unit 12 includes a plurality of pixels, and includes a common electrode 121 covering all of the pixels. The common electrode 121 may be a cathode electrode.

상기 배리어 막(13)은 도 2에서 볼 수 있듯이, 적어도 하나의 제1막(131)과 적어도 하나의 제2막(132)을 포함한다. 상기 제1막(131)은 무기물을 포함하고, 상기 제2막(132)은 유기물을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the barrier film 13 includes at least one first film 131 and at least one second film 132. The first film 131 may include an inorganic material, and the second film 132 may include an organic material.

상기 제1막(131) 또는 상기 제2막(132)은 각각 복수 개일 수 있다. Each of the first film 131 and the second film 132 may be plural.

상기 제1막(131)은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1막(131)은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The first film 131 may be a single film or a laminated film including a metal oxide or a metal nitride. Specifically, the first film 131 may comprise any one of SiNx, Al 2 O 3, SiO 2, TiO 2.

상기 제2막(132)은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 제2막(132)은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second film 132 may be a single film or a laminated film formed of a polymer, and preferably formed of any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, epoxy, polyethylene, and polyacrylate. More preferably, the second film 132 may be formed of polyacrylate, specifically, a monomer composition comprising a diacrylate monomer and a triacrylate monomer. The monomer composition may further include a monoacrylate monomer. Further, the monomer composition may further include a known photoinitiator such as TPO, but is not limited thereto.

상기 배리어 막(13) 중 외부로 노출된 최상부의 층은 표시부(12)에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기물을 포함하는 제1막(131)으로 형성될 수 잇다.The uppermost layer exposed to the outside of the barrier film 13 may be formed of a first film 131 containing an inorganic substance to prevent moisture permeation to the display unit 12. [

상기 배리어 막(13)은 적어도 2개의 제1막(131) 사이에 적어도 하나의 제2막(132)이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 배리어 막(13)은 적어도 2개의 제2막(132) 사이에 적어도 하나의 제1막(131)이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.The barrier film 13 may include at least one sandwich structure in which at least one second film 132 is inserted between at least two first films 131. In addition, the barrier film 13 may include at least one sandwich structure in which at least one first film 131 is inserted between at least two second films 132.

상기 배리어 막(13)은 상기 표시부(12)의 상부로부터 순차적으로 제1막(131), 제2막(132), 제1막(131), 제2막(132) 및 제1막(131)의 적층체를 포함할 수 있다. 도 2에는 3층의 제1막(131)들이 형성되고, 제1막(131)들의 사이에 각각 제2막(132)들이 개재된 구조이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1막(131)과 제2막(132)의 개수는 변경될 수 있다.The barrier film 13 is sequentially formed from the upper portion of the display portion 12 to the first film 131, the second film 132, the first film 131, the second film 132 and the first film 131 ). ≪ / RTI > 2 shows a structure in which the first films 131 of three layers are formed and the second films 132 are interposed between the first films 131. However, And the number of the second films 132 may be changed.

상기 표시부(12)와 상기 제1막(131) 사이에 보호막(133)이 더 개재될 수 있는 데, 이 보호막(133)은 최초 제1막(131)을 증착할 때에 공통 전극(121)이 증착 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.A protective film 133 may be further interposed between the display unit 12 and the first film 131. The protective film 133 may be formed on the common electrode 121 when depositing the first first film 131, It is possible to prevent deposition damage.

상기 보호막(133)은 예를 들면, LiF, 리튬 퀴놀레이트 또는 Alq3 등의 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 보호막(133)은 LiF를 포함하는 할로겐화 금속으로 형성될 수 있다.The protective film 133 may be formed using a material such as LiF, lithium quinolate, or Alq 3 , for example. More specifically, the protective film 133 may be formed of a metal halide including LiF.

상기 제2막(132)은 적어도 그 상부의 제1막(131)보다 면적이 좁을 수 있는 데, 이에 따라 제2막(132)은 그 상부의 제1막(131)에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.The second film 132 may be at least as narrow in area than the first film 131 on top of the second film 132 so that the second film 132 may be completely covered by the first film 131 thereon have.

상기 평판 표시 장치(1)의 구성요소 중 가장 민감한 요소 중 하나가 캐소드전극이 되는 공통 전극이다. 이는 캐소드 전극이 마그네슘, 알루미늄 또는 칼슘과 같이 낮은 일함수를 갖는 활성 금속으로 형성되기 때문으로, 이러한 낮은 일함수를 갖는 금속은 수분 또는 산소와의 반응성이 매우 높다. 따라서 이러한 캐소드 전극의 열화는 암점(dark spots) 불량의 한 원인이 될 수 있다.One of the most sensitive elements among the components of the flat panel display 1 is a common electrode serving as a cathode electrode. This is because the cathode electrode is formed of an active metal having a low work function such as magnesium, aluminum, or calcium, and the metal having such a low work function is highly reactive with moisture or oxygen. Therefore, such deterioration of the cathode electrode may cause a defect in dark spots.

상기 배리어 막(13)은 상기 표시부(12)의 유기 발광막을 보호할 뿐 아니라, 캐소드 전극인 공통 전극(121)의 보호를 위해서도 중요하다. 그러나 최근 경향은 상기 배리어 막(13)을 얇게 형성하고자 하기 때문에, 상기 배리어 막(13)은 작은 파티클에도 쉽게 배리어 특성이 저하될 수 있다. The barrier film 13 is important not only for protecting the organic light emitting layer of the display portion 12 but also for protecting the common electrode 121 which is a cathode electrode. However, in recent trends, since the barrier film 13 is intended to be formed thin, the barrier film 13 may be easily deteriorated in barrier properties even with small particles.

이러한 배리어 막(13)에 생긴 결함은 수분이나 산소가 침투하는 경로를 제공할 수 있다. Defects in the barrier film 13 can provide a path through which moisture or oxygen penetrates.

그런데 배리어 막(13)의 결함은 수분이나 산소가 침투하여 적어도 공통 전극(121)의 열화가 상당히 진행된 후가 아니면 검출하는 것이 어렵다.However, defects in the barrier film 13 are difficult to detect unless water or oxygen permeates at least after the deterioration of the common electrode 121 has progressed considerably.

본 발명자들은, 도 1에서 볼 수 있듯이 적외선 조사 유닛(41)을 이용하여 평판 표시 장치(1)에 적외선을 조사하고, 반대측에서 카메라 유닛(44)를 이용하여 적외선 투과도를 측정함으로써 결함의 존재 여부 및/또는 결함의 위치를 검출하였다.1, the inventors of the present invention measured the infrared transmittance by irradiating the flat panel display 1 with infrared rays using the infrared ray irradiating unit 41 and measuring the infrared ray transmittance using the camera unit 44 on the opposite side, And / or the position of the defect.

본 발명의 일 측면에 따른 결함 측정 방법은 다음과 같다.A defect measurement method according to one aspect of the present invention is as follows.

먼저, 배리어 막(13)을 형성한 후, 적외선 조사하여 적외선 투과도를 측정해 투과도 맵을 작성한다(1단계). First, after the barrier film 13 is formed, infrared radiation is irradiated to measure the infrared transmittance to prepare a transmittance map (step 1).

다음으로, 상기 평판 표시 장치(1)를 상온(또는 이보다 약간 높은 온도를 포함한다)에서 건조한 공기에 일정 시간 노출시킨다(2단계). 이 때 상기 건조한 공기는 수분 농도가 가능한 한 낮은 것이 바람직하다.Next, the flat panel display 1 is exposed to air dried at a normal temperature (or at a slightly higher temperature) for a predetermined time (step 2). At this time, it is preferable that the dry air has a water concentration as low as possible.

다시 상기 평판 표시 장치(1)에 적외선을 조사하여 적외선 투과도를 측정한 후 투과도 맵을 작성한다(3단계).Then, the flat panel display 1 is irradiated with infrared rays to measure the infrared transmittance, and then a transmittance map is prepared (step 3).

3단계의 투과도 맵을 1단계의 투과도 맵과 비교한다(4단계). 얻어진 차이가 배리어 막(13)에 대한 결함의 위치가 된다.The permeability map of the third stage is compared with the map of permeability of the first stage (step 4). The obtained difference is the position of the defect with respect to the barrier film 13.

도 2에서 볼 수 있듯이 배리어 막(13)에 결함(134)이 있을 경우, 이 결함(134)을 따라 산소가 침투해 공통전극(121)과 반응하게 된다. 그러면 공통 전극(121)과 배리어 막(13)과의 사이 계면에 공통 전극(121)을 형성하는 물질의 산화막(122)이 형성된다. 이 산화막(122)이 형성된 부분의 두께는 공통 전극(121)의 다른 부분의 두께보다 두꺼워지고, 이 두께 변화에 의해 적외선 투과도에 차이가 발생하는 것이다.As shown in FIG. 2, when there is a defect 134 in the barrier film 13, oxygen penetrates along the defect 134 to react with the common electrode 121. An oxide film 122 of a material for forming the common electrode 121 is formed at the interface between the common electrode 121 and the barrier film 13. The thickness of the portion where the oxide film 122 is formed becomes thicker than the thickness of the other portion of the common electrode 121, and a difference in infrared transmittance occurs due to the thickness change.

광 투과는 흔히 공통전극(121) 물질로 사용되는 마그네슘 막의 두께에 매우 크게 의존된다. 도 3은 5nm, 6.5nm, 10nm, 13nm 두께의 마그네슘 막의 광 파장에 따른 투과도를 나타낸 것이다. 도 3에서 볼 수 있듯이, 적외선 파장 영역에서 투과율 변화가 가장 크게 일어나고, 가시광 영역에서는 가장 작다. 따라서 공통전극(121)의 두께 변화를 감지하기 위해서는 적외선 스펙트럼을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나 너무 긴 적외선 파장을 사용하는 것은 너무 낮은 광 투과도를 나타낼 수 있으므로, 감지를 위한 바람직한 파장은 근적외선(near infrared)에서 단파 적외선(short wavelength infrared)의 범위(0.8~1.8㎛)이다.Light transmission is often very much dependent on the thickness of the magnesium film used as the common electrode 121 material. 3 shows the transmittance of the magnesium film of 5 nm, 6.5 nm, 10 nm and 13 nm thickness according to the light wavelength. As can be seen from Fig. 3, the transmittance changes the greatest in the infrared wavelength region and the smallest in the visible region. Therefore, it is preferable to use an infrared spectrum to detect a change in the thickness of the common electrode 121. However, since the use of too long infrared wavelengths may exhibit too low a light transmittance, the preferred wavelength for detection is in the range of near infrared to short wavelength infrared (0.8 to 1.8 μm).

배리어 막(13)에 대한 산소(또는 다른 가스) 투과율은 극히 작기 때문에, 결함(134) 부분에 대한 측정은 고농도 산소에 의해 가능할 수 있다. 투과 산소는 마그네슘, 알루미늄 또는 칼슘과 같은 활성 요소를 함유한 공통전극(121) 금속과 즉시 반응한다. 반응 속도는 산소 농도에 비례하는 데, 산화는 결함(134) 부위에서 보다 빨리 진행될 것이다. 수분 대비 산소의 가장 큰 장점 중 하나는, 금속 위에 얇은 산화막이 형성되었을 때에 상온에서 반응이 정지된다는 점이다. 즉, 산화막의 두께가 일정 시간이 지나면 증가하지 않는다. 즉, 도 2에서 볼 수 있듯이 배리어 막(13)을 투과한 산소는 배리어 막(13)과 공통전극(121)의 계면에 단지 ?은 산화막(122)을 형성하고, 깊은 열화를 초래하지는 않는 반면, 수분은 매우 깊은 공통전극(121) 열화를 초래할 수 있다. 따라서 산소에 노출시키는 것은 공통전극(121)의 전기적 특정에 큰 변화를 주지 않으며, 따라서 본 실시예에서 제안된 에이징은 비파괴적인 것으로 간주될 수 있다.Since the oxygen (or other gas) permeability to the barrier film 13 is extremely small, the measurement for the portion of the defect 134 may be possible with high oxygen concentration. Transmitting oxygen reacts immediately with a common electrode 121 metal containing active elements such as magnesium, aluminum or calcium. The reaction rate is proportional to the oxygen concentration, which will proceed faster at the defect 134 site. One of the great advantages of oxygen over moisture is that the reaction stops at room temperature when a thin oxide film is formed on the metal. That is, the thickness of the oxide film does not increase after a certain time. 2, the oxygen that has permeated through the barrier film 13 forms only a silver oxide film 122 at the interface between the barrier film 13 and the common electrode 121 and does not cause deep deterioration , Moisture may cause deterioration of the common electrode 121 which is very deep. Thus, exposure to oxygen does not significantly change the electrical specification of the common electrode 121, and therefore the aging proposed in this embodiment can be regarded as non-destructive.

금속과 산소와의 반응은 온도가 상승하지 않으면 증대되지 않는다. 따라서 상기 산화막(122)의 두께도 에이징 온도가 높아지지 않는다면 더 이상 증대되지 않는다. The reaction between the metal and oxygen does not increase unless the temperature rises. Therefore, the thickness of the oxide film 122 is not further increased unless the aging temperature is increased.

이처럼 본 발명의 일 실시예는 산화막(122)에 의해 공통 전극(121)의 두께가 두꺼워지면 이 부분에서의 적외선 투과도가 차이나는 점을 이용해 결함(134)의 존재를 파악할 수 있는 것이다.
As described above, according to one embodiment of the present invention, if the thickness of the common electrode 121 is increased by the oxide film 122, the presence of the defect 134 can be detected by using the difference of the infrared transmittance at this portion.

본 발명의 다른 일 측면에 따른 결함 측정 방법은 다음과 같다.A defect measurement method according to another aspect of the present invention is as follows.

먼저, 배리어 막(13)을 형성한 후, 상기 평판 표시 장치(1)를 상온(또는 이보다 약간 높은 온도를 포함한다)에서 건조한 공기에 일정 시간 노출시킨다(1단계). 이 때 상기 건조한 공기는 수분 농도가 가능한 한 낮은 것이 바람직하다.First, after the barrier film 13 is formed, the flat panel display 1 is exposed to air dried at room temperature (or at a slightly higher temperature) for a predetermined time (step 1). At this time, it is preferable that the dry air has a water concentration as low as possible.

상기 평판 표시 장치(1)에 적외선을 조사하여 적외선 투과도를 측정한 후 투과도 맵을 작성한다(2단계).Infrared rays are irradiated to the flat panel display 1 to measure infrared transmittance, and then a transmittance map is prepared (step 2).

2단계에서 얻어진 투과도 맵에서 원형과 같이 특정 패턴이 존재하는지 여부를 분석한다(3단계).In the permeability map obtained in step 2, it is analyzed whether there is a specific pattern such as a circle (step 3).

이전 실시예의 방법과 가장 큰 차이는 에이징 전 단계에서 하는 예비적 스캔이 빠진 것이다. 대신 투과도 맵에서 결함에 특화된 특정한 특징을 찾아내는 것이다. 예컨대 습한 환경에서 200시간 에이징 후 적외선 조사하여 얻어진 실험 셀을 고려해 볼 수 있다. 도 4에서 볼 수 있듯이 결함이 날카로운 가장자리를 갖는 원형의 높은 적외선 투과율을 갖는 스폿으로 특화됨을 볼 수 있다. 도 4에서 오른쪽 사진은 실제 셀에 결함이 관찰된 사진이고, 왼쪽 사진은 적외선 투과도 맵의 사진이다.The biggest difference from the method of the previous embodiment is that the preliminary scan performed in the pre-aging step is missing. Instead, it looks for a specific feature specific to the defect in the permeability map. For example, a test cell obtained by 200 hours of aging in a humid environment and then irradiated with infrared rays may be considered. As can be seen in FIG. 4, the defect is characterized by a circular high infrared transmittance spot with a sharp edge. In FIG. 4, the right photograph is a photograph in which a defect is observed in an actual cell, and the left photograph is a photograph of an infrared transmittance map.

이러한 특징을 찾음으로서 결함의 위치와 치수를 정의할 수 있다.
By locating these features, you can define the location and dimensions of the defect.

상기와 같은 방법은 도 5에서 볼 수 있는 실시예의 장치에 의해 구현될 수 있다.The above-described method may be implemented by the apparatus of the embodiment shown in FIG.

도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치는, 에이징 유닛(2)과 맵핑 유닛(4)을 포함한다. 상기 에이징 유닛(2)과 맵핑 유닛(4)의 사이에는 평판 표시 장치(1)를 이송할 이송 유닛(3)이 위치할 수 있다.Referring to FIG. 5, a defect detection apparatus for a barrier film according to an embodiment includes an aging unit 2 and a mapping unit 4. A transfer unit 3 for transferring the flat panel display 1 may be positioned between the aging unit 2 and the mapping unit 4.

상기 에이징 유닛(2)은 상기 평판 표시 장치(1)를 산소 분위기에서 에이징하는 것으로, 상기 평판 표시 장치(1)를 수용하고 기밀이 유지되는 챔버(21)와, 상기 챔버(21)와 연통되고 상기 챔버(21)에 산소를 제공하는 가스 조화 유닛(23)을 포함할 수 있다. 상기 챔버(21)는 이송 유닛(3)과 연통될 수 있도록 일 측에 출구(22)를 포함할 수 있다. 상기 가스 조화 유닛(23)은 상기 챔버(21)내로 산소를 제공할 뿐 아니라, 챔버(21)로부터 산소를 회수하도록 순환시키는 것일 수 있다. 상기 가스 조화 유닛(23)은 상기 챔버(21) 내의 온도가 일정하게 유지되도록 하는 기능을 겸할 수 있다.The aging unit 2 ages the flat panel display device 1 in an oxygen atmosphere and includes a chamber 21 for accommodating the flat panel display device 1 and kept airtight, And a gas-conditioning unit 23 for supplying oxygen to the chamber 21. [ The chamber 21 may include an outlet 22 on one side so as to be able to communicate with the transfer unit 3. The gas-conditioning unit 23 may not only provide oxygen into the chamber 21 but also circulate the oxygen to be recovered from the chamber 21. The gas-conditioning unit 23 can also function to keep the temperature in the chamber 21 constant.

상기 맵핑 유닛(4)은 적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사해 상기 평판 표시 장치(1)에 대한 적외선 투과율을 측정하여 맵핑하는 것으로, 상기 평판 표시 장치(1)가 안착되는 투명한 테이블(42)과, 상기 테이블(42)의 일측에 위치하는 적외선 조사 유닛(41)과, 상기 테이블(42)의 타측에 위치하는 카메라 유닛(44)을 포함할 수 있다. The mapping unit 4 maps at least the infrared ray to the barrier film and measures and maps infrared transmittance to the flat panel display device 1. The mapping unit 4 includes a transparent table 42 on which the flat panel display device 1 is placed, An infrared ray irradiating unit 41 located on one side of the table 42 and a camera unit 44 located on the other side of the table 42. [

상기 적외선 조사 유닛(41)은 적외선 램프가 될 수 있는 데, 근적외선 램프 또는 단파 적외선 램프가 될 수 있다. The infrared irradiation unit 41 may be an infrared lamp, which may be a near-infrared lamp or a short-wave infrared lamp.

상기 카메라 유닛(44)은 상기 평판 표시 장치(1)를 향하여 대물 렌즈(43)와 같은 렌즈 조립체를 더 구비할 수 있는 데, 상기 대물 렌즈(43)는 적외선 밴드 패스 필터를 구비해, 적외선 투과도를 카메라 유닛(44)이 촬영할 수 있도록 할 수 있다.The camera unit 44 may further include a lens assembly such as an objective lens 43 toward the flat panel display 1. The objective lens 43 may include an infrared bandpass filter, So that the camera unit 44 can take a photograph.

상기 카메라 유닛(44)은 평판 표시 장치(1)의 표면을 따라 적외선 투과도를 촬영하여야 하기 때문에 평면 방향으로 움직일 수 있도록 수평 이동 스테이지(45)에 결합될 수 있다.The camera unit 44 can be coupled to the horizontal movement stage 45 so as to move in the planar direction since the infrared transmittance should be photographed along the surface of the flat panel display device 1. [

상기와 같은 본 발명의 실시예에 따른 배리어 막의 결함 검출 장치에 따르면 간단한 방법으로 배리어 막의 결함 여부 및/또는 결함 위치를 검출할 수 있다.According to the defect detection apparatus for a barrier film according to the embodiment of the present invention as described above, it is possible to detect the defect position and / or the defect position of the barrier film by a simple method.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

Claims (10)

전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 준비하는 단계;
적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사하는 단계;
상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 제1맵핑하는 단계;
상기 장치를 산소 분위기에서 에이징하는 단계;
적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사하는 단계;
상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 제2맵핑하는 단계; 및
상기 제1맵핑과 상기 제2맵핑을 비교하는 단계;를 포함하는 배리어 막의 결함 검출 방법.Preparing an apparatus including an electrode and a barrier film covering the electrode;
Irradiating at least the barrier film with infrared light;
Measuring a infrared transmittance of the device to perform a first mapping;
Aging the device in an oxygen atmosphere;
Irradiating at least the barrier film with infrared light;
Measuring a infrared transmittance of the apparatus and mapping the second infrared transmittance; And
And comparing the first mapping with the second mapping. 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 준비하는 단계;
상기 장치를 산소 분위기에서 에이징하는 단계;
적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사하는 단계;
상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 맵핑하는 단계; 및
상기 맵핑의 형상으로부터 상기 배리어 막의 결함을 검출하는 단계;를 포함하는 배리어 막의 결함 검출 방법.Preparing an apparatus including an electrode and a barrier film covering the electrode;
Aging the device in an oxygen atmosphere;
Irradiating at least the barrier film with infrared light;
Measuring and mapping the infrared transmittance of the device; And
And detecting a defect of the barrier film from the shape of the mapping. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 적외선은 근적외선 또는 단파 적외선인 배리어 막의 결함 검출 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the infrared ray is a near-infrared ray or a short-wave infrared ray. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 산소 분위기는 건조한 산소 분위기인 배리어 막의 결함 검출 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the oxygen atmosphere is a dry oxygen atmosphere. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 에이징은 상온에서 진행되는 배리어 막의 결함 검출 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the aging proceeds at room temperature. 전극과 상기 전극을 덮는 배리어 막을 포함하는 장치를 산소 분위기에서 에이징하는 에이징 유닛; 및
적어도 상기 배리어 막에 적외선을 조사해 상기 장치에 대한 적외선 투과율을 측정하여 맵핑하는 맵핑 유닛;을 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치.An aging unit for aging an apparatus including an electrode and a barrier film covering the electrode in an oxygen atmosphere; And
And a mapping unit for irradiating at least the barrier film with infrared rays to measure and map the infrared transmittance to the device. 제6항에 있어서,
상기 에이징 유닛은,
상기 장치를 수용하고 기밀이 유지되는 챔버; 및
상기 챔버와 연통되고 상기 챔버에 산소를 제공하는 가스 조화 유닛;을 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치.The method according to claim 6,
The aging unit includes:
A chamber to receive and maintain the device; And
And a gas-conditioning unit which is in communication with the chamber and supplies oxygen to the chamber. 제6항에 있어서,
상기 맵핑 유닛은,
상기 장치가 안착되는 투명한 테이블;
상기 테이블의 일측에 위치하는 적외선 조사 유닛; 및
상기 테이블의 타측에 위치하는 카메라 유닛;을 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치.The method according to claim 6,
Wherein the mapping unit comprises:
A transparent table on which the device is seated;
An infrared irradiation unit located at one side of the table; And
And a camera unit located on the other side of the table. 제8항에 있어서,
상기 카메라 유닛은 적외선 밴드 패스 필터를 구비한 렌즈 조립체를 더 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the camera unit further comprises a lens assembly having an infrared band-pass filter. 제8항에 있어서,
상기 카메라 유닛이 결합된 수평 이동 스테이지를 더 포함하는 배리어 막의 결함 검출 장치.9. The method of claim 8,
And a horizontal movement stage to which the camera unit is coupled.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109283712A (en) * 2018-10-09 2019-01-29 四川省长江龙科技有限公司 A kind of liquid crystal display screen of mobile phone ageing tester

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