KR20150003674U - Electronic Device Having Multiport Antenna Structures With Resonating Slot - Google Patents

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유에후이 오우양
난보 진
이준 조우
엔리크 아얄라 바즈케즈
아난드 락쉬마난
로버트 더블유. 쉴럽
매티아 파스콜리니
매튜 에이. 모우
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Abstract

전자 디바이스는 무선-주파수 송수신기 회로 및 안테나 구조물을 포함할 수 있다. 안테나 구조물은 제1 및 제2 안테나 포트들을 구비하는 역-F 안테나를 형성하는 역-F 안테나 공진 요소 및 안테나 접지를 포함할 수 있다. 안테나 구조물은 슬롯 안테나 공진 요소를 포함할 수 있다. 슬롯 안테나 공진 요소는 제1 통신 대역 내의 주파수들에서 역-F 안테나에 대한 기생 안테나 공진 요소로서의 역할을 할 수 있고 제2 통신 대역 내의 주파수들에서 슬롯 안테나로서의 역할을 할 수 있다. 슬롯 안테나는 제3 안테나 포트를 이용하여 직접 피드될 수 있다. 조정가능한 커패시터는 역-F 안테나를 튜닝하도록 제1 포트에 연결될 수 있다. 역-F 안테나는 또한 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 조정가능한 커패시터를 이용해서 튜닝될 수도 있다.The electronic device may include a radio-frequency transceiver circuit and an antenna structure. The antenna structure may include an inverse-F antenna resonant element and an antenna ground forming an inverse-F antenna having first and second antenna ports. The antenna structure may include a slot antenna resonant element. The slot antenna resonant element may serve as a parasitic antenna resonant element for the inverse-F antenna at frequencies within the first communication band and may serve as a slot antenna at frequencies within the second communication band. The slot antenna may be fed directly using a third antenna port. The adjustable capacitor may be connected to the first port to tune the reverse-F antenna. The inverted-F antenna may also be tuned using an adjustable capacitor bridging the slot antenna resonant element.

Description

공진 슬롯을 갖는 멀티포트 안테나 구조물을 구비하는 전자 디바이스{Electronic Device Having Multiport Antenna Structures With Resonating Slot}[0001] The present invention relates to an electronic device having a multi-port antenna structure having a resonant slot,

본 출원은 2013년 3월 18일 출원된 미국 특허출원 제13/846,459호에 대한 우선권을 주장하며, 이것은 본 명세서에서 그 전체가 참조로서 포함된다.This application claims priority to U.S. Patent Application No. 13 / 846,459, filed March 18, 2013, which is incorporated herein by reference in its entirety.

본 발명은 일반적으로 전자 디바이스에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 무선 통신 회로를 갖는 전자 디바이스를 위한 안테나에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to electronic devices and, more particularly, to antennas for electronic devices having wireless communication circuits.

휴대용 컴퓨터 및 셀룰러 전화와 같은 전자 디바이스들에는 종종 무선 통신 성능이 제공된다. 예를 들어, 전자 디바이스들은 셀룰러 전화 대역을 이용하여 통신하기 위해 셀룰러 전화 회로와 같은 장거리 무선 통신 회로를 사용할 수 있다. 전자 디바이스들은 근처 장비와의 통신을 다루기 위해 무선 로컬 영역 네트워크 통신 회로와 같은 단거리 무선 통신 회로를 사용할 수 있다. 전자 디바이스들에는 또한 위성 내비게이션 시스템 수신기 및 다른 무선 회로가 제공될 수 있다.Electronic devices such as portable computers and cellular telephones are often provided with wireless communication capabilities. For example, electronic devices can use long distance wireless communication circuitry, such as a cellular telephone circuit, to communicate using the cellular telephone band. Electronic devices can use short-range wireless communication circuits, such as wireless local area network communication circuits, to handle communication with nearby equipment. The electronic devices may also be provided with a satellite navigation system receiver and other wireless circuits.

작은 폼 팩터(form factor)의 무선 디바이스에 대한 소비자 수요를 만족시키기 위해서, 제조자들은 소형 구조물을 이용한 안테나 컴포넌트들과 같은 무선 통신 회로를 구현하기 위해 계속해서 분투 중이다. 동시에, 전자 디바이스 내에 금속 디바이스 하우징 컴포넌트와 같은 전도성 구조물을 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 전도성 컴포넌트들이 무선-주파수 성능에 영향을 미칠 수 있기 때문에, 전도성 구조물을 포함하는 전자 디바이스에 안테나를 통합시킬 때 반드시 주의가 필요하다. 또한, 디바이스 내의 안테나 및 무선 회로가 동작 주파수들의 범위에 걸쳐 만족스러운 성능을 나타낼 수 있음을 보장하도록 반드시 주의가 필요하다.To meet consumer demand for small form factor wireless devices, manufacturers continue to struggle to implement wireless communication circuits such as antenna components using small structures. At the same time, it may be desirable to include a conductive structure, such as a metal device housing component, in the electronic device. Care must be taken when integrating antennas into electronic devices, including conductive structures, because conductive components can affect radio-frequency performance. Also, care must be taken to ensure that the antenna and radio circuitry within the device can exhibit satisfactory performance over a range of operating frequencies.

따라서 무선 전자 디바이스들을 위한 향상된 무선 통신 회로를 제공할 수 있는 것이 바람직할 것이다.It would therefore be desirable to be able to provide an improved wireless communication circuit for wireless electronic devices.

전자 디바이스들은 무선-주파수 송수신기 회로 및 안테나 구조물을 포함할 수 있다. 안테나 구조물은 제1 및 제2 안테나 포트들을 구비하는 역-F 안테나를 형성하는 역-F 안테나 공진 요소 및 안테나 접지를 포함할 수 있다. 안테나 구조물은 슬롯 안테나 공진 요소를 포함할 수 있다. 슬롯 안테나 공진 요소는 역-F 안테나에 대한 기생 안테나 공진 요소로서의 역할을 할 수 있고 슬롯 안테나로서의 역할을 할 수 있다. 슬롯 안테나는 제3 안테나 포트를 이용하여 피드될 수 있다.The electronic devices may include a radio-frequency transceiver circuit and an antenna structure. The antenna structure may include an inverse-F antenna resonant element and an antenna ground forming an inverse-F antenna having first and second antenna ports. The antenna structure may include a slot antenna resonant element. The slot antenna resonant element can serve as a parasitic antenna resonant element for the inverted-F antenna and can serve as a slot antenna. The slot antenna may be fed using a third antenna port.

역-F 안테나는 제1 안테나 포트를 이용하여 저 대역 및 고 대역에서의 셀룰러 전화 신호들을 커버하도록 구성될 수 있다. 역-F 안테나는 또한 역-F 안테나를 이용하여 무선 로컬 영역 네트워크 신호들을 다룰 수 있다. 고 대역 셀룰러 전화 통신 대역보다 높은 주파수들인 통신 대역 내의 무선 로컬 영역 네트워크 신호들은 제3 안테나 포트를 이용하여 슬롯 안테나에 의해 다루어질 수 있다. 제2 안테나 포트를 이용하여, 역-F 안테나가 위성 내비게이션 시스템 신호들을 수신할 수 있다.The reverse-F antenna may be configured to cover cellular telephone signals in the low and high bands using a first antenna port. The reverse-F antenna can also handle wireless local area network signals using a reverse-F antenna. The wireless local area network signals in the communication band that are frequencies higher than the high band cellular telephone communication band can be handled by the slot antenna using the third antenna port. With the second antenna port, a reverse-F antenna can receive satellite navigation system signals.

무선 회로는 안테나 구조물에 연결될 수 있다. 무선 회로는 제2 포트에 연결된 위성 내비게이션 시스템 수신기를 포함할 수 있다. 무선 회로는 또한 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기 및 셀룰러 전화 송수신기를 포함할 수 있다. 듀플렉서 회로는 셀룰러 전화 송수신기에 연결된 포트, 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기에 연결된 포트 및 역-F 안테나의 제1 안테나 포트에 연결된 공유 포트를 구비할 수 있다.The radio circuit may be connected to the antenna structure. The wireless circuit may include a satellite navigation system receiver coupled to the second port. The wireless circuitry may also include a wireless local area network transceiver and a cellular telephone transceiver. The duplexer circuit may include a port coupled to the cellular telephone transceiver, a port coupled to the wireless local area network transceiver, and a shared port coupled to the first antenna port of the inverted-F antenna.

무선 로컬 영역 네트워크 송수신기는 제3 안테나 포트에서 슬롯 안테나에 연결된 포트를 구비할 수 있다. 슬롯 안테나는 5 ㎓ 무선 로컬 영역 네트워크 대역과 같은 대역 내의 무선 로컬 영역 네트워크 신호들을 다루는 데에 사용될 수 있다. 2.4 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 대역과 연관된 신호들은 듀플렉서 회로를 이용하여 역-F 안테나의 제1 포트로 그리고 제1 포트로부터 라우팅될 수 있다.The wireless local area network transceiver may comprise a port connected to the slot antenna at a third antenna port. The slot antenna can be used to handle wireless local area network signals in the same band as the 5 GHz wireless local area network band. Signals associated with the wireless local area network band at 2.4 GHz can be routed to and from the first port of the inverse F antenna using a duplexer circuit.

조정가능한 커패시터는 셀룰러 전화 저 대역 내의 역-F 안테나를 튜닝하도록 제1 안테나 포트에 연결될 수 있다. 역-F 안테나는 또한 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 조정가능한 커패시터를 이용하여 튜닝될 수 있다. 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 조정가능한 커패시터에 대한 조정은, 예를 들어 2.4 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 대역 및 근처 셀룰러 전화 주파수들을 포함하는 통신 대역 내의 안테나 성능을 튜닝하도록 사용될 수 있다.The adjustable capacitor may be connected to the first antenna port to tune the reverse-F antenna in the cellular telephone low band. The inverted-F antenna may also be tuned using an adjustable capacitor bridging the slot antenna resonant element. Adjustments to the tunable capacitors bridging the slot antenna resonant elements can be used to tune antenna performance in communication bands including, for example, the wireless local area network band at 2.4 GHz and nearby cellular telephone frequencies.

본 발명의 추가적인 특성들, 그것의 본질 및 다양한 장점들이 첨부된 도면 및 바람직한 실시예들에 대한 아래의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.Additional features of the present invention, its nature and various advantages will become more apparent from the following detailed description of the attached drawings and the preferred embodiments.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무선 통신 회로를 갖는 예시적인 전자 디바이스의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 무선 통신 회로를 갖는 일 예시적인 전자 디바이스의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 튜닝가능한 안테나를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전자 디바이스 내의 튜닝 안테나 구조물로서 사용될 수 있는 유형의 예시적인 조정가능한 커패시터를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 하우징 구조로부터 형성된 두 개의 안테나 포트를 갖는 듀얼 암 역-F 안테나 공진 요소 및 다른 안테나 포트에 연결된 슬롯-기반 안테나 공진 요소를 구비하는 예시적인 튜닝가능한 전자 디바이스 안테나 구조물을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 도 5에 도시된 유형의 튜닝가능한 안테나에 대한 주파수의 함수로서의 안테나 성능의 그래프.1 is a perspective view of an exemplary electronic device having a wireless communication circuit according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram of an exemplary electronic device having a wireless communication circuit in accordance with an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an exemplary tunable antenna in accordance with an embodiment of the present invention.
4 is a diagram of an exemplary tunable capacitor of a type that can be used as a tuning antenna structure in an electronic device according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 illustrates an exemplary tunable electronic device antenna with a dual arm F-1 antenna resonant element having two antenna ports formed from a housing structure according to an embodiment of the present invention and a slot-based antenna resonant element coupled to another antenna port; Fig.
Figure 6 is a graph of antenna performance as a function of frequency for a tunable antenna of the type shown in Figure 5 in accordance with an embodiment of the present invention.

도 1의 전자 디바이스(10)와 같은 전자 디바이스에는 무선 통신 회로가 제공될 수 있다. 무선 통신 회로는 다수의 무선 통신 대역들에서 무선 통신을 지원하기 위하여 사용될 수 있다. 무선 통신 회로는 하나 이상의 안테나를 포함할 수 있다.A wireless communication circuit may be provided in an electronic device such as the electronic device 10 of Fig. A wireless communication circuit may be used to support wireless communication in a plurality of wireless communication bands. A wireless communication circuit may include one or more antennas.

안테나는 루프 안테나, 역-F 안테나, 스트립 안테나, 평면 역-F 안테나, 슬롯 안테나, 하나의 유형보다 많은 안테나 구조물을 포함하는 혼성 안테나, 또는 다른 적절한 안테나들을 포함할 수 있다. 만약 원한다면, 안테나 구조물을 위한 전도성 구조물이 전도성 전자 디바이스 구조물로부터 형성될 수 있다. 전도성 전자 디바이스 구조물은 전도성 하우징 구조물을 포함할 수 있다. 하우징 구조물은 전자 디바이스의 주변부 둘레에 연장된 주변 전도성 부재와 같은 주변 구조물을 포함할 수 있다. 주변 전도성 부재는 디스플레이와 같은 평면 구조를 위한 베젤(bezel)로서의 역할을 수행할 수 있고, 디바이스 하우징에 대한 측벽 구조물로서의 역할을 할 수 있고/있거나, 다른 하우징 구조물을 형성할 수 있다. 주변 전도성 부재 내의 갭들은 안테나들과 연관될 수 있다.The antenna may include a loop antenna, a reverse-F antenna, a strip antenna, a planar inverted-F antenna, a slot antenna, a hybrid antenna comprising more than one type of antenna structure, or other suitable antennas. If desired, a conductive structure for the antenna structure may be formed from the conductive electronic device structure. The conductive electronic device structure may include a conductive housing structure. The housing structure may include peripheral structures such as peripheral conductive members extending around the periphery of the electronic device. The peripheral conductive member may serve as a bezel for a planar structure such as a display, may serve as a sidewall structure for the device housing, or may form another housing structure. Gaps in the peripheral conductive member may be associated with the antennas.

전자 디바이스(10)는 휴대용 전자 디바이스 또는 다른 적합한 전자 디바이스일 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스(10)는 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 다소 더 소형인 디바이스, 예를 들어 손목 시계형 디바이스, 펜던트 디바이스, 헤드폰 디바이스, 이어피스(earpiece) 디바이스, 또는 다른 착용가능한 디바이스 또는 소형 디바이스, 셀룰러 전화, 또는 미디어 플레이어일 수 있다. 디바이스(10)는 또한 텔레비전, 셋톱 박스, 데스크톱 컴퓨터, 컴퓨터가 통합된 컴퓨터 모니터, 또는 다른 적합한 전자 장비일 수 있다.The electronic device 10 may be a portable electronic device or other suitable electronic device. For example, the electronic device 10 may be a laptop computer, a tablet computer, a somewhat smaller device such as a wristwatch device, a pendant device, a headphone device, an earpiece device, Device, cellular telephone, or media player. The device 10 may also be a television, set top box, desktop computer, computer monitor integrated with a computer, or other suitable electronic equipment.

디바이스(10)는 하우징(12)과 같은 하우징을 포함할 수 있다. 때때로 케이스로 지칭될 수 있는 하우징(12)은 플라스틱, 유리, 세라믹, 섬유 복합물, 금속(예를 들면, 스테인리스 스틸, 알루미늄 등), 다른 적합한 재료들, 또는 이러한 재료들의 조합으로 형성될 수 있다. 일부 상황들에서, 하우징(12)의 부분들은 유전체 또는 다른 저 전도성 재료로부터 형성될 수 있다. 다른 상황들에서, 하우징(12) 또는 하우징(12)을 형성하는 구조물 중 적어도 일부는 금속 요소들로부터 형성될 수 있다.The device 10 may include a housing, such as the housing 12. The housing 12, which may sometimes be referred to as a case, may be formed of plastic, glass, ceramic, fiber composite, metal (e.g., stainless steel, aluminum, etc.), other suitable materials, or a combination of these materials. In some situations, portions of the housing 12 may be formed from a dielectric or other low conductivity material. In other situations, at least some of the structures forming the housing 12 or the housing 12 may be formed from metal elements.

디바이스(10)는 필요한 경우 디스플레이(14)와 같은 디스플레이를 가질 수 있다. 디스플레이(14)는 예를 들어 용량성 터치 전극을 포함하는 터치 스크린일 수 있다. 디스플레이(14)는 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 플라즈마 셀, 전기 습윤(electrowetting) 픽셀, 전기 영동(electrophoretic) 픽셀, 액정 디스플레이(LCD) 컴포넌트, 또는 다른 적합한 이미지 픽셀 구조물로부터 형성되는 이미지 픽셀들을 포함할 수 있다. 깨끗한 유리 또는 플라스틱의 층과 같은 디스플레이 커버 층이 디스플레이(14)의 표면을 커버할 수 있다. 버튼(19)과 같은 버튼들은 커버 층 내의 개구를 통과할 수 있다. 커버 층은 또한 스피커 포트(26)를 위한 개구와 같은 다른 개구도 가질 수 있다.The device 10 may have a display such as the display 14 if desired. The display 14 may be, for example, a touch screen including capacitive touch electrodes. The display 14 may be formed from a light emitting diode (LED), an organic LED (OLED), a plasma cell, an electrowetting pixel, an electrophoretic pixel, a liquid crystal display (LCD) component, Image pixels. A display cover layer, such as a layer of clear glass or plastic, may cover the surface of the display 14. Buttons, such as button 19, can pass through openings in the cover layer. The cover layer may also have other openings such as openings for the speaker ports 26. [

하우징(12)은 구조물(16)와 같은 주변 하우징 구조물을 포함할 수 있다. 구조물(16)은 디바이스(10) 및 디스플레이(14)의 주변부 주위에서 연장될 수 있다. 디바이스(10) 및 디스플레이(14)가 직사각형 형상을 갖는 구성에서, 구조물(16)은 (예로서) 직사각형 링 형상을 갖는 주변 하우징 부재를 이용하여 구현될 수 있다. 주변 구조물(16) 또는 주변 구조물(16)의 부분은 디스플레이(14)를 위한 베젤(예컨대, 디스플레이(14)의 4개의 측면 모두를 둘러싸고 그리고/또는 디스플레이(14)를 디바이스(10)에 유지시키는 것을 돕는 장식 트림(cosmetic trim))으로서의 역할을 할 수 있다. 주변 구조물(16)은 또한, 원하는 경우, (예컨대, 수직 측벽들을 갖는 금속 밴드를 형성하는 등에 의해) 디바이스(10)을 위한 측벽 구조물을 형성할 수 있다.The housing 12 may include a peripheral housing structure such as the structure 16. The structure 16 may extend around the periphery of the device 10 and the display 14. In a configuration in which the device 10 and the display 14 have a rectangular shape, the structure 16 may be implemented using a peripheral housing member having a rectangular ring shape (as an example). The peripheral structure 16 or a portion of the peripheral structure 16 may be a bezel for the display 14 that surrounds all four sides of the display 14 and / As a cosmetic trim to help the user. The peripheral structure 16 may also form sidewall structures for the device 10, if desired (e.g., by forming a metal band with vertical sidewalls, etc.).

주변 하우징 구조물(16)은 금속과 같은 전도성 재료로 형성될 수 있고, 따라서 때때로 (예로서) 주변 전도성 하우징 구조물, 전도성 하우징 구조물, 주변 금속 구조물, 또는 주변 전도성 하우징 부재로 지칭될 수 있다. 주변 하우징 구조물(16)은 예로서 스테인리스 스틸, 알루미늄, 또는 다른 적합한 재료와 같은 금속으로부터 형성될 수 있다. 1개, 2개 또는 2개보다 많은 분리된 구조물이 주변 하우징 구조물(16)을 형성하는 데 사용될 수 있다.Peripheral housing structure 16 may be formed of a conductive material, such as metal, and may thus sometimes be referred to as a peripheral conductive housing structure, a conductive housing structure, a peripheral metal structure, or a peripheral conductive housing member (by way of example). The peripheral housing structure 16 may be formed from a metal such as, for example, stainless steel, aluminum, or other suitable material. More than one, two, or more than two separate structures may be used to form the peripheral housing structure 16.

주변 하우징 구조물(16)이 균일한 단면을 가질 필요는 없다. 예를 들어, 만약 원한다면, 주변 하우징 구조물(16)의 상단 부분이 디스플레이(14)를 제 위치에 유지시키는 것을 돕는 내향 돌출 립(inwardly protruding lip)을 구비할 수 있다. 필요한 경우, 주변 하우징 구조물(16)의 바닥 부분 또한 (예컨대, 디바이스(10)의 후면의 평면 내에) 확대된 립을 가질 수 있다. 도 1의 예에서, 주변 하우징 구조물(16)은 실질적으로 직선형인 수직 측벽을 구비한다. 이는 단지 예시적인 것이다. 주변 하우징 구조물(16)에 의해 형성된 측벽은 곡선형일 수 있거나, 다른 적합한 형상을 가질 수 있다. 일부 구성에서(예컨대, 주변 하우징 구조물(16)이 디스플레이(14)를 위한 베젤로서의 역할을 할 때), 주변 하우징 구조물(16)이 하우징(12)의 립 둘레에서 이어질 수 있다(즉, 주변 하우징 구조물(16)이 디스플레이(14)를 둘러싸는 하우징(12)의 에지만을 커버하고 하우징(12)의 측벽의 나머지를 커버하지 않을 수 있다).It is not necessary for the peripheral housing structure 16 to have a uniform cross-section. For example, if desired, the upper portion of the peripheral housing structure 16 may have an inwardly protruding lip to help keep the display 14 in place. If desired, the bottom portion of the peripheral housing structure 16 may also have an enlarged lip (e.g., in the plane of the back surface of the device 10). In the example of FIG. 1, the peripheral housing structure 16 has vertical sidewalls that are substantially straight. This is merely illustrative. The sidewall formed by the peripheral housing structure 16 may be curved or may have other suitable shapes. In some configurations (e.g., when the peripheral housing structure 16 serves as a bezel for the display 14), the peripheral housing structure 16 may extend around the lip of the housing 12 (i.e., The structure 16 may cover only the edge of the housing 12 surrounding the display 14 and not cover the remainder of the side wall of the housing 12).

원한다면, 하우징(12)은 전도성 후방 표면을 구비할 수 있다. 예를 들어, 하우징(12)은 스테인리스 스틸 또는 알루미늄과 같은 금속으로부터 형성될 수 있다. 하우징(12)의 후방 표면은 디스플레이(14)와 평행한 평면 내에 놓일 수 있다. 하우징(12)의 후방 표면이 금속으로부터 형성되는 디바이스(10)에 대한 구성에서, 하우징(12)의 후방 표면을 형성하는 하우징 구조물의 통합 부분으로서 주변 전도성 하우징 구조물(16)의 부분들을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 디바이스(10)의 후방 하우징 벽은 평면 금속 구조물로부터 형성될 수 있고 하우징(12)의 좌측 및 우측 상의 주변 하우징 구조물(16)의 부분들이 평면 금속 구조의 수직으로 연장하는 통합 금속 부분들로서 형성될 수 있다. 이들과 같은 하우징 구조물은, 필요하다면 금속 블록으로부터 기계 가공될 수 있다.If desired, the housing 12 may have a conductive rear surface. For example, the housing 12 may be formed from a metal such as stainless steel or aluminum. The rear surface of the housing 12 may lie within a plane parallel to the display 14. In the configuration for the device 10 in which the rear surface of the housing 12 is formed from a metal, forming the portions of the peripheral conductive housing structure 16 as an integral part of the housing structure forming the rear surface of the housing 12 Lt; / RTI > For example, the rear housing wall of the device 10 may be formed from a planar metal structure, and portions of the peripheral housing structure 16 on the left and right side of the housing 12 may be formed from a vertically extending, As shown in FIG. A housing structure such as these may be machined from a metal block if desired.

디스플레이(14)는 픽셀 요소들, 구동 회로들 등을 어드레싱하기 위한 전도성 라인들, 용량성 전극들의 어레이와 같은 전도성 구조물을 포함할 수 있다. 하우징(12)은 금속 프레임 부재들, 하우징(12)의 벽들에 걸친 (때때로 중간플레이트로도 지칭되는) 평면 하우징 부재(즉, 부재(16)의 대향하는 측면들 사이에 용접되거나 또는 다른 방식으로 접속된 하나 이상의 부분으로부터 형성된 실질적으로 직사각형인 시트), 인쇄 회로 보드 및 다른 내부 전도성 구조물과 같은 내부 구조물을 포함할 수 있다. 이들 전도성 구조물은 (예로서) 디스플레이(14) 아래의 하우징(12)의 중심에 위치될 수 있다.Display 14 may include conductive lines, such as arrays of capacitive electrodes, conductive lines for addressing pixel elements, driver circuits, and the like. The housing 12 may be constructed of metal frame members, a flat housing member (sometimes referred to as an intermediate plate) extending across the walls of the housing 12 (i.e., welded or otherwise interposed between opposite sides of the member 16) A substantially rectangular sheet formed from one or more portions connected thereto), printed circuit boards, and other internal conductive structures. These conductive structures may be located at the center of the housing 12 below the display 14 (as an example).

영역(22, 20)에서, 개구(갭)들이 디바이스(10)의 전도성 구조물 내에 (예를 들어, 주변 전도성 하우징 구조물(16)과 전도성 하우징 미드플레이트(midplate) 또는 후방 하우징 벽 구조물, 인쇄 회로 보드와 연관된 전도성 접지 평면 및 디바이스(10) 내의 전도성 전기 컴포넌트들과 같은 대향하는 전도성 구조물 사이에) 형성될 수 있다. 때때로 갭(gap)으로도 지칭될 수 있는 이들 개구는 공기, 플라스틱 및 다른 유전체로 충전될 수 있다. 전도성 하우징 구조물과 디바이스(10) 내의 다른 전도성 구조물은 디바이스(10) 내의 안테나를 위한 접지 평면의 역할을 할 수 있다. 영역(20, 22) 내의 개구들은 열린 또는 닫힌 슬롯 안테나 내의 슬롯으로서의 역할을 할 수 있거나, 루프 안테나 내의 재료들의 전도성 경로에 의해 둘러싸인 중심 유전체 영역으로서의 역할을 할 수 있거나, 스트립 안테나 공진 요소 또는 접지 평면으로부터의 역-F 안테나 공진 요소와 같이 안테나 공진 요소를 분리시키는 공간으로서의 역할을 할 수 있거나, 기생 안테나 공진 요소의 성능에 기여할 수 있거나, 또는 다른 방식으로 영역들(20, 22) 내에 형성된 안테나 구조물의 부분으로서의 역할을 할 수 있다.In the regions 22 and 20, openings (gaps) are formed in the conductive structure of the device 10 (e.g., the peripheral conductive housing structure 16 and the conductive housing midplate or rear housing wall structure, Such as between the conductive ground plane associated with the device 10 and the conductive electrical components within the device 10). These openings, sometimes also referred to as gaps, can be filled with air, plastic and other dielectrics. The conductive housing structure and other conductive structures within the device 10 may serve as a ground plane for the antenna in the device 10. [ The openings in regions 20 and 22 can serve as slots in an open or closed slot antenna or serve as a central dielectric region surrounded by the conductive path of the materials in the loop antenna, Or may contribute to the performance of the parasitic antenna resonant element or may otherwise serve as a space for separating the antenna resonant element such as an inverted-F antenna resonant element from the antenna structure 20, As shown in FIG.

일반적으로, 디바이스(10)는 임의의 적합한 수(예컨대, 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 등)의 안테나들을 포함할 수 있다. 디바이스(10) 내의 안테나들은 연장된 디바이스 하우징의 대향하는 제1 및 제2 단부에, 디바이스 하우징의 하나 이상의 에지를 따라, 디바이스 하우징의 중심에, 다른 적합한 위치에, 또는 그러한 위치들 중 하나 이상에 위치될 수 있다. 도 1의 배열은 단지 예시적인 것이다.In general, the device 10 may include any suitable number of antennas (e.g., one or more, two or more, three or more, four or more, etc.). The antennas in the device 10 may be disposed at opposite first and second ends of the elongated device housing, along one or more edges of the device housing, at the center of the device housing, at other suitable locations, Lt; / RTI > The arrangement of Figure 1 is merely exemplary.

주변 하우징 구조물(16)의 부분들에는 갭 구조물이 제공될 수 있다. 예를 들어, 주변 하우징 구조물(16)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 갭(18)과 같은 하나 이상의 갭이 제공될 수 있다. 주변 하우징 구조물(16) 내의 갭은 중합체, 세라믹, 유리, 공기, 다른 유전체 재료, 또는 이들 재료의 조합과 같은 유전체로 채워질 수 있다. 갭(18)은 주변 하우징 구조물(16)를 하나 이상의 주변 전도성 세그먼트로 분할할 수 있다. 예를 들어 (예컨대, 2개의 갭을 갖는 배치에서) 주변 하우징 구조물(16) 내의 2개의 주변 전도성 세그먼트, (예컨대, 3개의 갭을 갖는 배치에서) 3개의 주변 전도성 세그먼트, (예컨대, 4개의 갭을 갖는 배치에서) 4개의 주변 전도성 세그먼트가 존재할 수 있다. 이러한 방식으로 형성되는 주변 전도성 하우징 구조물(16)의 세그먼트들은 디바이스(10) 내에서 안테나의 부분들을 형성할 수 있다.Portions of the peripheral housing structure 16 may be provided with a gap structure. For example, the peripheral housing structure 16 may be provided with one or more gaps, such as gaps 18, as shown in FIG. The gaps in the surrounding housing structure 16 may be filled with a dielectric, such as a polymer, ceramic, glass, air, another dielectric material, or a combination of these materials. The gap 18 may divide the peripheral housing structure 16 into one or more peripheral conductive segments. For example, two peripheral conductive segments in the surrounding housing structure 16 (e.g., in a two-gap arrangement), three peripheral conductive segments (e.g., in an arrangement having three gaps), three peripheral conductive segments There may be four peripheral conductive segments. Segments of the circumferential conductive housing structure 16 formed in this manner may form portions of the antenna within the device 10. [

전형적인 시나리오에서, 디바이스(10)는 (예로서) 상부 및 하부 안테나를 가질 수 있다. 상부 안테나는 예를 들어 영역(22)에서 디바이스(10)의 상부 단부에 형성될 수 있다. 하부 안테나는 예를 들어 영역(20)에서 디바이스(10)의 하부 단부에 형성될 수 있다. 안테나는 동일한 통신 대역, 중첩 통신 대역, 또는 분리된 통신 대역들을 커버하도록 따로따로 사용될 수 있다. 안테나들은 안테나 다이버시티 방식(antenna diversity scheme) 또는 다중-입력-다중-출력(MIMO; multiple-input-multiple-output) 안테나 방식을 구현하기 위해 사용될 수 있다.In a typical scenario, the device 10 may have (for example) upper and lower antennas. An upper antenna may be formed at the upper end of device 10, for example, in region 22. A lower antenna may be formed, for example, at the lower end of the device 10 in region 20. The antenna may be used separately to cover the same communication band, overlapping communication band, or separate communication bands. The antennas may be used to implement an antenna diversity scheme or a multiple-input-multiple-output (MIMO) antenna scheme.

디바이스(10) 내의 안테나들은 임의의 관심 통신 대역을 지원하도록 사용될 수 있다. 예를 들어, 디바이스(10)는 로컬 영역 네트워크 통신, 음성 및 데이터 셀룰러 전화 통신, 글로벌 위치 확인 시스템(GPS) 통신 또는 다른 위성 내비게이션 시스템 통신, 블루투스® 통신 등을 지원하기 위한 안테나 구조물을 포함할 수 있다.The antennas in device 10 may be used to support any of the communication bands of interest. For example, device 10 may include an antenna structure to support a local area network communications, voice and data cellular phone, global positioning system (GPS) communication, or other satellite navigation system communication, Bluetooth ® communication, etc. have.

전자 디바이스(10)에 대해 사용될 수 있는 예시적인 구성의 개략도가 도 2에 도시되었다. 도 2에 도시된 바와 같이, 전자 디바이스(10)는 저장 및 처리 회로(28)와 같은 제어 회로를 포함할 수 있다. 저장 및 처리 회로(28)는 하드 디스크 드라이브 저장장치, 비휘발성 메모리(예컨대, 고체 상태 드라이브를 형성하도록 구성된 플래시 메모리 또는 다른 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리), 휘발성 메모리(예컨대, 정적 또는 동적 랜덤 액세스 메모리) 등과 같은 저장장치를 포함할 수 있다. 저장 및 처리 회로(28) 내의 처리 회로는 디바이스(10)의 동작을 제어하는 데에 사용될 수 있다. 처리 회로는 하나 이상의 마이크로프로세서, 마이크로 컨트롤러, 디지털 신호 프로세서, 기저대역 프로세서, 전력 관리 유닛, 음성 코덱 칩, ASIC(application specific integrated circuit) 등에 기반할 수 있다.A schematic diagram of an exemplary configuration that may be used for the electronic device 10 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the electronic device 10 may include control circuitry, such as storage and processing circuitry 28. The storage and processing circuitry 28 may be a hard disk drive storage device, a non-volatile memory (e.g., flash memory or other electrically programmable read only memory configured to form a solid state drive), volatile memory (e.g., static or dynamic random access Memory), and the like. The processing circuitry within the storage and processing circuitry 28 can be used to control the operation of the device 10. [ The processing circuitry may be based on one or more microprocessors, microcontrollers, digital signal processors, baseband processors, power management units, voice codec chips, application specific integrated circuits (ASICs), and the like.

저장 및 처리 회로(28)는 인터넷 브라우징 애플리케이션, VOIP(voice-over-internet-protocol) 전화 통화 애플리케이션, 이메일 애플리케이션, 미디어 재생 애플리케이션, 운영 체제 기능 등과 같은 소프트웨어를 디바이스(10)에서 실행시키도록 사용될 수 있다. 외부 장비와의 상호작용을 지원하기 위해서, 저장 및 처리 회로(28)는 통신 프로토콜을 구현하는 데에 사용될 수 있다. 저장 및 처리 회로(28)를 사용하여 구현될 수 있는 통신 프로토콜은 인터넷 프로토콜, 무선 로컬 네트워크 프로토콜(예컨대, IEEE 802.11 프로토콜 - 때때로 와이파이(WiFi®)로 지칭됨), 블루투스(Bluetooth®) 프로토콜과 같은 다른 단거리 무선 통신 링크를 위한 프로토콜, 셀룰러 전화 프로토콜 등을 포함한다.The storage and processing circuit 28 may be used to execute software on the device 10, such as an Internet browsing application, a voice-over-internet-protocol (VoIP) phone call application, an email application, a media playback application, have. To support interaction with external equipment, storage and processing circuitry 28 may be used to implement communication protocols. Communications protocols that may be implemented using storage and processing circuit 28 utilizing the Internet protocol, a wireless local network protocol (e.g., IEEE 802.11 protocols - sometimes referred to as WiFi (WiFi ®)), Bluetooth (Bluetooth ®), such as the protocol Protocols for other short range wireless communication links, cellular telephone protocols, and the like.

회로(28)는 디바이스(10) 내의 안테나들의 사용을 제어하는 제어 알고리즘을 구현하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 회로(28)는 신호 품질 모니터링 동작, 센서 모니터링 동작 및 다른 데이터 수집 동작을 수행할 수 있고, 어느 통신 대역이 디바이스(10)에 사용되는지에 관한 수집된 데이터 및 정보에 응답하여, 디바이스(10) 내의 어느 안테나 구조물이 데이터를 수신하고 처리하기 위해 사용되고 있는지를 제어할 수 있고/있거나, 안테나 성능을 조정하기 위해 하나 이상의 스위치, 튜닝가능한 요소, 또는 디바이스(10) 내의 다른 조정가능한 회로를 조정할 수 있다. 예로서, 회로(28)는 둘 이상의 안테나들 중 어떤 안테나가 들어오는 무선 주파수 신호를 수신하도록 사용되고 있는지를 제어할 수 있거나, 둘 이상의 안테나들 중 어느 안테나가 무선 주파수 신호를 전송하도록 사용되고 있는지를 제어할 수 있거나, 디바이스(10) 내의 둘 이상의 안테나들에 걸쳐 동시에 들어오는 데이터 스트림들을 라우팅하는 프로세스를 제어할 수 있거나, 원하는 통신 대역을 커버하도록 안테나를 튜닝하는 등을 수행할 수 있다.Circuit 28 may be configured to implement a control algorithm that controls the use of the antennas in device 10. [ For example, circuitry 28 may perform signal quality monitoring operations, sensor monitoring operations, and other data collection operations, and in response to collected data and information as to which communication bands are used for device 10, Tunable elements or other adjustable circuitry within device 10 to control which antenna structure in device 10 is being used to receive and process data and / Can be adjusted. By way of example, circuitry 28 may control which of two or more antennas is being used to receive an incoming radio frequency signal, or may control which of two or more antennas is being used to transmit a radio frequency signal Control the process of routing the incoming data streams over two or more antennas in device 10, or tune the antenna to cover the desired communication band, and so on.

이러한 제어 동작들의 수행 시에, 회로(28)는 스위치들을 열거나 닫을 수 있고 수신기 및 송신기를 턴온 및 턴오프할 수 있고, 임피던스 정합 회로(impedance matching circuit)들을 조정할 수 있고, 무선 주파수 송수신기 회로와 안테나 구조물 사이에 삽입된(interposed) 프론트-엔드-모듈(FEM) 무선 주파수 회로 내의 스위치들(예를 들어, 임피던스 정합 및 신호 라우팅을 위해 사용되는 필터링 및 스위칭 회로들)을 구성할 수 있고, 스위치들, 튜닝가능한 회로들 및 안테나의 일부로서 형성되거나 안테나 또는 안테나와 연관된 신호 경로에 연결된 다른 조정가능한 회로 요소들을 조정할 수 있고, 다른 방식으로 디바이스(10)의 컴포넌트들을 제어 및 조정할 수 있다.In performing these control operations, the circuit 28 may open or close the switches, turn on and off the receiver and transmitter, adjust the impedance matching circuits, adjust the radio frequency transceiver circuitry (E.g., filtering and switching circuits used for impedance matching and signal routing) in front-end-module (FEM) radio frequency circuits interposed between the antenna structures, Tunable circuits and other adjustable circuit elements that are formed as part of the antenna or connected to the signal path associated with the antenna or antenna and can control and adjust the components of the device 10 in other ways.

입출력 회로(30)는 데이터가 디바이스(10)에 공급되도록 허용하기 위해 그리고 데이터가 디바이스(10)로부터 외부 디바이스들로 제공되도록 허용하기 위해 이용될 수 있다. 입출력 회로(30)는 입출력 디바이스들(32)을 포함할 수 있다. 입출력 디바이스들(32)은 터치 스크린, 버튼, 조이스틱, 클릭 휠(click wheels), 스크롤링 휠, 터치 패드, 키 패드, 키보드, 마이크로폰, 스피커, 톤 생성기, 진동기, 카메라, 센서, 발광 다이오드 및 다른 상태 표시자, 데이터 포트 등을 포함할 수 있다. 사용자는 입출력 디바이스들(32)을 통해 커맨드를 공급함으로써 디바이스(10)의 작동을 제어할 수 있고, 입출력 디바이스들(32)의 출력 리소스들을 이용하여 디바이스(10)로부터 상태 정보 및 다른 출력을 수신할 수 있다.The input / output circuit 30 may be used to allow data to be supplied to the device 10 and to allow data to be provided to the external devices from the device 10. [ The input / output circuit 30 may include input / output devices 32. The input / output devices 32 may be a touch screen, a button, a joystick, a click wheel, a scrolling wheel, a touch pad, a keypad, a keyboard, a microphone, a speaker, a tone generator, a vibrator, An indicator, a data port, and the like. The user can control the operation of the device 10 by supplying commands via the input / output devices 32 and receive status information and other output from the device 10 using the output resources of the input / output devices 32 can do.

무선 통신 회로(34)는 하나 이상의 집적 회로들로부터 형성되는 무선 주파수(RF) 송수신기 회로, 전력 증폭기 회로, 저-잡음 입력 증폭기, 수동 RF 컴포넌트, 하나 이상의 안테나, 필터, 듀플렉서 및 RF 무선 신호를 다루기 위한 기타 회로를 포함할 수 있다. 무선 신호는 또한 광을 사용하여(예컨대, 적외선 통신을 사용하여) 전송될 수 있다.The wireless communication circuitry 34 may be any of a variety of wireless communication devices such as a radio frequency (RF) transceiver circuit, a power amplifier circuit, a low noise input amplifier, a passive RF component, one or more antennas, filters, duplexers and RF radio signals formed from one or more integrated circuits And other circuitry. The wireless signal may also be transmitted using light (e.g., using infrared communication).

무선 통신 회로(34)는 (예컨대, 1575 ㎒의 위성 위치 확인 신호를 수신하기 위한) GPS 수신기 회로(35)와 같은 위성 내비게이션 시스템 수신기 회로, 또는 다른 위성 내비게이션 시스템과 연관된 위성 내비게이션 시스템 수신기 회로를 포함할 수 있다. 송신기 회로(36)와 같은 무선 로컬 영역 네트워크 송신기 회로는 WiFi® (IEEE 802.11) 통신을 위한 2.4 ㎓ 및 5 ㎓ 대역을 다룰 수 있고 2.4 ㎓ 블루투스® 통신 대역을 다룰 수 있다. 회로(34)는 약 700 ㎒ 내지 약 2700 ㎒의 주파수 범위의 대역 또는 더 높거나 더 낮은 주파수의 대역과 같은 셀룰러 전화 대역에서 무선 통신을 다루기 위한 셀룰러 전화 송수신기 회로(38)를 사용할 수 있다. 만약 원한다면, 무선 통신 회로(34)는 다른 단거리 및 장거리 무선 링크를 위한 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 회로(34)는 라디오 및 텔레비전 신호를 수신하기 위한 무선 회로, 페이징 회로 등을 포함할 수 있다. (예를 들어, 13.56 ㎒에서의) 근거리 통신 또한 지원될 수 있다. WiFi® 및 블루투스® 링크와 다른 단거리 무선 링크들에서, 무선 신호들은 통상적으로 수십 또는 수백 피트에 걸쳐 데이터를 전달하도록 사용된다. 셀룰러 전화 링크 및 다른 장거리 링크에서, 무선 신호들은 전형적으로 수천 피트 또는 마일에 걸쳐 데이터를 전달하도록 사용된다.The wireless communication circuit 34 includes a satellite navigation system receiver circuit, such as a GPS receiver circuit 35 (e.g., for receiving a 1575 MHz satellite positioning signal), or satellite navigation system receiver circuitry associated with other satellite navigation systems can do. The transmitter circuit 36 and a wireless local area network transmitter circuit as may handle 2.4 ㎓ and 5 ㎓ band for WiFi ® (IEEE 802.11) communication can handle 2.4 ㎓ Bluetooth ® communication band. The circuit 34 may use the cellular telephone transceiver circuitry 38 to handle wireless communications in a cellular telephone band, such as a band of frequencies in the range of about 700 MHz to about 2700 MHz or a band of higher or lower frequencies. If desired, the wireless communication circuitry 34 may include circuitry for other short-haul and long-haul wireless links. For example, the wireless communication circuitry 34 may include wireless circuitry, paging circuitry, and the like, for receiving radio and television signals. (For example, at 13.56 MHz) may also be supported. In WiFi and Bluetooth ® ® links and other short-range wireless links, wireless signals are used to typically carry data over the tens or hundreds of feet. In cellular telephone links and other long haul links, wireless signals are typically used to carry data over thousands of feet or miles.

무선 통신 회로(34)는 하나 이상의 안테나 구조물(40)과 같은 안테나 구조물을 포함할 수 있다. 안테나 구조물(40)은 임의의 적합한 안테나 유형을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 안테나 구조물(40)은 루프 안테나 구조물, 패치 안테나 구조물, 역-F 안테나 구조물, 듀얼 암 역-F 안테나 구조물, 닫힌 및 열린 슬롯 안테나 구조물, 평면 역-F 안테나 구조물, 나선형 안테나 구조물, 스트립 안테나, 모노폴, 다이폴, 이러한 설계들의 혼합 등으로부터 형성된 공진 요소들을 갖는 안테나들을 포함할 수 있다. 서로 다른 유형의 안테나들이 서로 다른 대역들 및 대역들의 조합에 대해 사용될 수 있다. 예를 들어, 하나의 유형의 안테나가 로컬 무선 링크 안테나를 형성하는 데 사용될 수 있고, 다른 유형의 안테나가 원격 무선 링크를 형성하는 데 사용될 수 있다. 하나 이상의 안테나(40)와 같은 디바이스(10) 내의 안테나 구조물에는, 하나 이상의 안테나 피드, 고정된 및/또는 조정가능한 컴포넌트들 및 선택적인 기생 안테나 공진 요소들이 제공될 수 있으며, 그에 따라 안테나 구조물이 원하는 통신 대역을 커버하게 한다.The wireless communication circuitry 34 may include an antenna structure, such as one or more antenna structures 40. The antenna structure 40 may be formed using any suitable antenna type. For example, the antenna structure 40 may include a loop antenna structure, a patch antenna structure, a reverse-F antenna structure, a dual arm inverted-F antenna structure, a closed and open slot antenna structure, a planar inverted-F antenna structure, A strip antenna, a monopole, a dipole, a mix of such designs, and the like. Different types of antennas may be used for different bands and combinations of bands. For example, one type of antenna may be used to form a local radio link antenna, and another type of antenna may be used to form a remote radio link. The antenna structure in the device 10, such as the one or more antennas 40, may be provided with one or more antenna feeds, fixed and / or adjustable components, and optional parasitic antenna resonant elements, And covers the communication band.

디바이스(10)에서 사용될 수 있는 유형의 (예로서 영역(20) 및/또는 영역(22) 내의) 예시적인 안테나 구조물이 도 3에 도시되었다. 도 3의 안테나 구조물(40)은 때때로 듀얼 암 역-F 안테나 공진 요소 또는 T 안테나 공진 요소로서 지칭되는 유형의 안테나 공진 요소를 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 안테나 구조물(40)은 듀얼 암 역-F 안테나 공진 요소(50) 및 추가적인 안테나 공진 요소(132)와 같은 전도성 안테나 구조물을 구비할 수 있다. 안테나 공진 요소(132)는 근거리 연결된 기생 안테나 공진 요소 및 직접 피드되는 안테나 공진 요소로서 동작할 수 있다. 도 3의 안테나 구조물(40)은 또한 안테나 접지(52)를 포함한다.An exemplary antenna structure of a type (e.g., within region 20 and / or region 22) that can be used in device 10 is shown in FIG. The antenna structure 40 of FIG. 3 includes an antenna resonant element of the type sometimes referred to as a dual arm inverted-F antenna resonant element or a T antenna resonant element. As shown in FIG. 3, the antenna structure 40 may include a conductive antenna structure, such as a dual arm-F antenna resonant element 50 and an additional antenna resonant element 132. The antenna resonant element 132 may operate as a closely coupled parasitic antenna resonant element and an antenna resonant element that is directly fed. The antenna structure 40 of FIG. 3 also includes an antenna ground 52.

안테나 공진 요소(50), 안테나 공진 요소(132) 및 안테나 접지(52)를 형성하는 전도성 구조물은 전도성 하우징 구조물의 부분들, 디바이스(10) 내의 전기 디바이스 컴포넌트들의 부분들, 인쇄 회로 보드 트레이스들, 와이어 및 금속 호일의 스트립들과 같은 컨덕터의 스트립들로부터 형성될 수 있거나, 또는 다른 전도성 구조물을 이용하여 형성될 수 있다.The conductive structures that form the antenna resonant element 50, the antenna resonant element 132 and the antenna ground 52 may include portions of the conductive housing structure, portions of the electrical device components within the device 10, printed circuit board traces, May be formed from strips of conductors, such as strips of wire and metal foil, or may be formed using other conductive structures.

안테나 공진 요소(50) 및 안테나 접지(52)는 제1 안테나 구조물(40A)(예를 들어, 듀얼 암 역-F 안테나와 같은 제1 안테나)을 형성할 수 있다. 공진 요소(132) 및 안테나 접지(52)는 제2 안테나 구조물(40B)(예를 들어, 제2 안테나)을 형성할 수 있다. 원한다면, 공진 요소(132)는 또한 기생 안테나 공진 요소(예를 들어, 직접 피드되지 않는 요소)를 형성할 수 있다. 공진 요소(132)는, 예를 들어 소정의 주파수들에서 안테나 구조물(40)의 동작 동안 안테나(40A)의 응답에 기여하는 기생 안테나 요소를 형성할 수 있다.Antenna resonant element 50 and antenna ground 52 may form a first antenna structure 40A (e.g., a first antenna, such as a dual arm inverted-F antenna). The resonant element 132 and the antenna ground 52 may form a second antenna structure 40B (e.g., a second antenna). If desired, the resonant element 132 may also form a parasitic antenna resonant element (e.g., an element that is not directly fed). The resonant element 132 may form a parasitic antenna element that contributes to the response of the antenna 40A, for example, during operation of the antenna structure 40 at predetermined frequencies.

도 3에 도시된 바와 같이, 안테나 구조물(40)은 송수신기 회로, 필터, 스위치, 듀플렉서, 임피던스 정합 회로와 같은 무선 회로(90) 및 송신 라인 구조물(92)과 같은 송신 라인 구조물을 이용하는 다른 회로에 연결될 수 있다. 송신 라인 구조물(92)은 송신 라인(92-1), 송신 라인(92-2) 및 송신 라인(92-3)과 같은 송신 라인들을 포함할 수 있다. 송신 라인(92-1)은 포지티브 신호 경로(92-1A) 및 접지 신호 경로(92-1B)를 가질 수 있다.As shown in Figure 3, the antenna structure 40 may be coupled to other circuits utilizing transmit line structures, such as transceiver circuits, filters, switches, duplexers, radio circuitry 90 such as impedance matching circuits, Can be connected. The transmit line structure 92 may include transmit lines such as transmit line 92-1, transmit line 92-2, and transmit line 92-3. The transmission line 92-1 may have a positive signal path 92-1A and a ground signal path 92-1B.

송신 라인(92-2)은 포지티브 신호 경로(92-2A) 및 접지 신호 경로(92-2B)를 가질 수 있다. 송신 라인(92-3)은 포지티브 신호 경로(92-3A) 및 접지 신호 경로(92-3B)를 가질 수 있다. 경로들(92-1A, 92-1B, 92-2A, 92-2B, 92-3A, 92-3B)은 강성 인쇄 회로 보드 상의 금속 트레이스들로부터 형성될 수 있고, 가요성 인쇄 회로 상의 금속 트레이스들로부터 형성될 수 있고, 플라스틱, 유리 및 세라믹 부재들과 같은 유전체 지지 구조물 상에 형성될 수 있고, 케이블의 부분으로서 형성될 수 있으며, 다른 전도성 신호 라인들로부터 형성될 수 있다. 송신 라인 구조물(92)은 하나 이상의 마이크로스트립 송신 라인, 스트립라인 송신 라인, 에지 연결된 마이크로스트립 송신 라인, 에지 연결된 스트립라인 송신 라인, 동축 케이블, 또는 다른 적합한 송신 라인 구조물을 이용하여 형성될 수 있다. 만약 원한다면 임피던스 정합 회로, 필터, 스위치, 듀플렉서, 디플렉서 및 다른 회로와 같은 회로들이 송신 라인 구조물(92) 내에 삽입될 수 있다.The transmission line 92-2 may have a positive signal path 92-2A and a ground signal path 92-2B. The transmission line 92-3 may have a positive signal path 92-3A and a ground signal path 92-3B. Paths 92-1A, 92-1B, 92-2A, 92-2B, 92-3A, and 92-3B may be formed from metal traces on a rigid printed circuit board, and metal traces And may be formed on a dielectric support structure such as plastic, glass, and ceramic members, formed as part of a cable, and formed from other conductive signal lines. The transmit line structure 92 may be formed using one or more of a microstrip transmission line, a strip line transmission line, an edge connected microstrip transmission line, an edge connected strip line transmission line, a coaxial cable, or other suitable transmission line structure. Circuits such as impedance matching circuits, filters, switches, duplexers, diplexers, and other circuits, if desired, may be inserted into the transmission line structure 92.

송신 라인 구조물(92)은 (제1 안테나 포트를 형성하는) 안테나 포트 단자(94-1, 96-1), (제2 안테나 포트를 형성하는) 안테나 포트 단자(94-2, 96-2) 및 (제3 안테나 포트를 형성하는) 안테나 포트 단자(94-3, 96-3)에 연결될 수 있다. 안테나 포트는 때때로 안테나 피드로도 지칭될 수 있다. 예를 들어, 단자(94-1)는 포지티브 안테나 피드 단자일 수 있고 단자(96-1)는 제1 안테나 피드에 대한 접지 안테나 피드 단자일 수 있고, 단자(94-2)는 포지티브 안테나 피드 단자일 수 있고 단자(96-2)는 제2 안테나 피드에 대한 접지 안테나 피드 단자일 수 있으며, 단자(94-3)는 포지티브 안테나 피드 단자일 수 있고 단자(96-3)는 제3 안테나 피드에 대한 접지 안테나 피드 단자일 수 있다.The transmit line structure 92 includes antenna port terminals 94-1 and 96-1 (forming a first antenna port), antenna port terminals 94-2 and 96-2 (forming a second antenna port) And antenna port terminals 94-3 and 96-3 (forming a third antenna port). An antenna port may sometimes be referred to as an antenna feed. For example, terminal 94-1 may be a positive antenna feed terminal, terminal 96-1 may be a ground antenna feed terminal for the first antenna feed, terminal 94-2 may be a positive antenna feed terminal, Terminal 96-2 may be a grounded antenna feed terminal for the second antenna feed, terminal 94-3 may be a positive antenna feed terminal and terminal 96-3 may be connected to the third antenna feed And may be a grounding antenna feed terminal.

안테나 구조물(40) 내의 각 안테나 포트는 서로 다른 유형의 무선 신호들을 다루는 데에 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 포트는 제1 통신 대역 또는 통신 대역들의 제1 세트 내의 안테나 신호들을 송신 및/또는 수신하기 위해 사용될 수 있고, 제2 포트는 제2 통신 대역 또는 통신 대역들의 제2 세트 내의 안테나 신호들을 송신 및/또는 수신하기 위해 사용될 수 있으며, 제3 포트는 제3 통신 대역 또는 통신 대역들의 제3 세트 내의 안테나 신호들을 송신 및/또는 수신하기 위해 사용될 수 있다.Each antenna port in the antenna structure 40 can be used to handle different types of radio signals. For example, a first port may be used to transmit and / or receive antenna signals in a first communication band or a first set of communication bands, and a second port may be used to transmit and / or receive antenna signals in a second communication band or a second set of communication bands May be used to transmit and / or receive antenna signals and the third port may be used to transmit and / or receive antenna signals in a third communication band or a third set of communication bands.

만약 원한다면, 조정가능한 커패시터, 조정가능한 인덕터, 필터 회로, 스위치, 임피던스 정합 회로, 듀플렉서 및 다른 회로와 같은 튜닝가능한 컴포넌트들이 송신 라인 경로(92) 내에 (즉, 무선 회로(90)와 안테나 구조물(40)의 각각의 포트들 사이에) 삽입될 수 있다. 안테나 구조물(40) 내의 서로 다른 포트들은 각각이 동작 주파수의 함수로서 서로 다른 임피던스 및 안테나 공진 양상을 나타낼 수 있다. 무선 회로(90)는 따라서 서로 다른 타입의 통신들에 대한 서로 다른 포트들을 사용할 수 있다. 예로서, 하나 이상의 셀룰러 통신 대역 내에서 통신하는 것과 연관된 신호들이 포트들 중 하나를 이용하여 송신 및 수신될 수 있는 반면, 위성 내비게이션 시스템 신호들의 수신은 포트들 중 상이한 포트를 이용하여 다루어질 수 있다.Tunable components, such as tunable capacitors, adjustable inductors, filter circuits, switches, impedance matching circuits, duplexers, and other circuitry, may be included in the transmission line path 92 (i. E., The radio circuitry 90 and the antenna structure 40 Lt; / RTI > (e.g., between each of the ports). The different ports in the antenna structure 40 may each exhibit different impedance and antenna resonance aspects as a function of operating frequency. The wireless circuit 90 may thus use different ports for different types of communications. By way of example, while signals associated with communicating within one or more cellular communication bands may be transmitted and received using one of the ports, reception of satellite navigation system signals may be handled using a different one of the ports .

안테나 공진 요소(50)는 암(100, 102)과 같은 공진 요소 암 구조물을 안테나 접지(52)에 연결하는 브랜치(98)와 같은 단락 브랜치(short circuit branch)를 포함할 수 있다. 유전체 갭(101)은 암들(100, 102)을 안테나 접지(52)로부터 분리시킨다. 안테나 접지(52)는 금속 미드플레이트 부재, 인쇄 회로 트레이스, 전자 컴포넌트들의 금속 부분들, 또는 다른 전도성 접지 구조물과 같은 하우징 구조물로부터 형성될 수 있다. 갭(101)은 공기, 플라스틱 및 다른 유전체 재료들에 의해 형성될 수 있다. 단락 브랜치(98)는 금속 스트립, 인쇄 회로 또는 플라스틱 캐리어와 같은 유전체 지지 구조 상의 금속 트레이스, 또는 공진 요소 암 구조물(예로서, 암(102) 및/또는 암(100))과 안테나 접지(52) 사이의 갭(101)을 브릿지하는 다른 전도성 경로를 이용하여 구현될 수 있다.The antenna resonant element 50 may include a short circuit branch such as the branch 98 connecting the resonant element arm structure such as the arms 100 and 102 to the antenna ground 52. The dielectric gap 101 separates the arms 100, 102 from the antenna ground 52. The antenna ground 52 may be formed from a housing structure, such as a metal mid plate member, printed circuit traces, metal portions of electronic components, or other conductive ground structures. The gap 101 may be formed by air, plastic, and other dielectric materials. The shorting branch 98 may include a metal trace on a dielectric support structure such as a metal strip, a printed circuit or a plastic carrier, or a metal trace on a resonant element arm structure (e.g., the arm 102 and / or the arm 100) Gt; 101 < / RTI >

단자들(94-1, 96-1)로부터 형성된 안테나 포트는 갭(101)을 브릿지하는 경로(104-1)와 같은 경로 내에 연결될 수 있다. 단자들(94-2, 96-2)로부터 형성된 안테나 포트는 경로(104-1) 및 단락 경로(98)와 평행한 갭(101)을 브릿지하는 경로(104-2)와 같은 경로 내에 연결될 수 있다.An antenna port formed from the terminals 94-1 and 96-1 may be connected in the same path as the path 104-1 bridging the gap 101. [ An antenna port formed from the terminals 94-2 and 96-2 can be connected in a path such as a path 104-2 that bridges the gap 101 parallel to the path 104-1 and the short path 98 have.

공진 요소 암들(100, 102)은 듀얼 암 역-F 안테나 공진 요소 내의 각각의 암들을 형성할 수 있다. 암들(100, 102)은 하나 이상의 벤드(bend)를 구비할 수 있다. 암들(100, 102)이 접지(52)에 평행하게 이어지는 도 3의 예시적인 배치는 단지 실례를 들기 위한 것이다.The resonant element arms 100, 102 may form respective arms within the dual arm inverted-F antenna resonant element. The arms 100, 102 may have one or more bends. The exemplary arrangement of FIG. 3, in which the arms 100, 102 extend parallel to the ground 52, is for illustrative purposes only.

암(100)은 하위 주파수들을 다루는 (더 긴) 저 대역 암일 수 있는 반면, 암(102)은 상위 주파수들을 다루는 (더 짧은) 고 대역 암일 수 있다. 저 대역 암(100)은 안테나(40)가 700 ㎒ 내지 960 ㎒의 주파수들 또는 다른 적합한 주파수들과 같은 저 대역(LB) 주파수들에서 안테나 공진을 나타내는 것을 가능하게 할 수 있다. 고 대역 암(102)은 안테나(40)가 960 ㎒ 내지 2700 ㎒의 주파수들 또는 다른 적합한 주파수들의 하나 이상의 범위에서의 공진과 같은 고 대역(HB) 주파수들에서의 하나 이상의 안테나 공진을 나타내는 것을 가능하게 할 수 있다. 안테나 공진 요소(101)는 또한 1575 ㎒ 또는 GPS(글로벌 위치 확인 시스템) 통신과 같은 위성 내비게이션 시스템 통신을 지원하기 위한 다른 적합한 주파수에서 안테나 공진을 나타낼 수 있다.Arm 100 may be a (longer) low band arm that handles lower frequencies, while arm 102 may be a (shorter) high band arm that handles higher frequencies. The low band arm 100 may enable the antenna 40 to exhibit antenna resonance at low band (LB) frequencies such as frequencies 700 MHz to 960 MHz or other suitable frequencies. The high band arm 102 is capable of indicating that the antenna 40 exhibits one or more antenna resonances at high frequency (HB) frequencies, such as resonance in one or more ranges of frequencies of 960 MHz to 2700 MHz or other suitable frequencies. . The antenna resonant element 101 may also exhibit antenna resonance at other suitable frequencies to support satellite navigation system communications, such as 1575 MHz or GPS (Global Positioning System) communications.

안테나 공진 요소(132)는 추가적인 주파수들에서의 통신을 지원하는 데에 사용될 수 있다(예를 들어, IEEE 802.11 무선 로컬 영역 네트워크 대역과 같은 2.4 ㎓ 통신 대역, IEEE 802.11 무선 로컬 영역 네트워크 대역과 같은 5 ㎓ 통신 대역과 연관된 주파수들, 및/또는 2.3 내지 2.7 ㎓의 주파수들과 같은 2.4 ㎓ 부근의 셀룰러 대역 내의 주파수들과 같은 셀룰러 주파수들).The antenna resonant element 132 may be used to support communication at additional frequencies (e.g., 2.4 GHz communication band, such as the IEEE 802.11 wireless local area network band, 5 MHz, such as the IEEE 802.11 wireless local area network band) Such as frequencies within the cellular band around 2.4 GHz, such as frequencies associated with the < RTI ID = 0.0 > GHz < / RTI > communication band, and /

안테나 공진 요소(132)는 예를 들어 안테나 공진 요소(132)가 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소 및 슬롯 안테나 모두로서의 역할을 하는 것을 가능하게 하는 슬롯 안테나 공진 요소로부터 형성될 수 있다. 안테나 공진 요소(132)는 예를 들어 안테나 구조물(40)이 2.4 ㎓ IEEE 802.11 무선 로컬 영역 네트워크 대역 및LTE(Long Term Evolution) 대역들 38 및 40과 같은 부근의 셀룰러 대역들과 연관된 신호들을 다루는 것이 가능할 것임을 보장하는 것을 돕도록 2.4 ㎓ 부근 주파수들에서의 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소로서 동작할 수 있고, (예를 들어, 5 ㎓ IEEE 802.11 무선 로컬 영역 네트워크 대역 내의 트래픽을 다루기 위해) 5 ㎓의 주파수들에서 직접 피드되는 슬롯 안테나로서 안테나 공진 요소(50)로부터 독립적으로 동작할 수도 있다.The antenna resonant element 132 may be formed, for example, from a slot antenna resonant element that enables the antenna resonant element 132 to serve as both a slot-based parasitic antenna resonant element and a slot antenna. Antenna resonant element 132 may be used, for example, for antenna structure 40 to handle signals associated with nearby cellular bands such as the 2.4 GHz IEEE 802.11 wireless local area network band and LTE (Long Term Evolution) bands 38 and 40 Based parasitic antenna resonant element at frequencies near 2.4 GHz to help ensure that the frequency band of the 5 GHz (for example, to handle traffic within the 5 GHz IEEE 802.11 wireless local area network bandwidth) And may operate independently from the antenna resonant element 50 as a slot antenna directly fed at frequencies.

기생 공진 요소 동작 동안에, 안테나 공진 요소(132)의 구조물은 근거리 전자기 커플링에 의해 안테나 공진 요소(50)에 연결되고 (예를 들어, 예시로서 약 2.3 내지 2.7 ㎓의 범위 내의 신호들을 지원하기 위해) 안테나 구조물(40)이 원하는 주파수 응답을 가지고 동작하도록 안테나(40)의 주파수 응답을 수정하도록 사용된다. 안테나 공진 요소(132)가 기생 안테나 공진 요소로서 동작하는 주파수들(예컨대, 2.3 내지 2.7 ㎓)에서, 안테나 공진 요소(132)는 피드 단자(94-3, 96-3)로부터 형성된 안테나 피드에 의해 직접 피드되지 않으며, 오히려 안테나 공진 요소(50)에 근거리 연결되는 반면, 제1 또는 제2 안테나 포트는 무선 신호들을 송신 및/또는 수신하도록 무선 회로(90)에 의해 사용된다.During operation of the parasitic resonant element, the structure of the antenna resonant element 132 is connected to the antenna resonant element 50 by near-field electromagnetic coupling (e.g., to support signals within the range of about 2.3 to 2.7 GHz for example) ) Antenna structure 40 is used to modify the frequency response of antenna 40 to operate with a desired frequency response. At frequencies at which the antenna resonant element 132 operates as a parasitic antenna resonant element (e.g., 2.3 to 2.7 GHz), the antenna resonant element 132 is coupled to an antenna feed formed by the feed terminals 94-3, 96-3 The first or second antenna port is used by the wireless circuit 90 to transmit and / or receive wireless signals, while being not directly fed and rather connected to the antenna resonant element 50 in close proximity.

5 ㎓ IEEE 802.11 로컬 무선 영역 네트워크 대역과 같은 다른 대역들에서의 신호들을 다루기 위해서, 안테나 공진 요소(134)는 안테나 피드 단자들(94-3, 96-3)로부터 형성된 안테나 피드를 이용하여 직접 피드될 수 있다. 안테나 공진 요소(134)는 스탬프된 금속 구조물, 금속 호일 구조물, 가요성 인쇄 회로(예를 들어, 폴리이미드 층 또는 다른 폴리머 재료의 시트와 같은 가요성 기판으로부터 형성된 인쇄 회로) 상의 금속 트레이스, 강성 인쇄 회로 보드 기판(예를 들어, 섬유유리 충전된 에폭시의 층으로부터 형성된 기판) 상의 금속 트레이스, 플라스틱 캐리어 상의 금속 트레이스, 유리 또는 세라믹 지지 구조물 상의 패턴화된 금속, 와이어, 전자 디바이스 하우징 구조물, 디바이스(10) 내의 전자 컴포넌트들의 금속 부분들, 또는 다른 전도성 구조물과 같은 둘러싸는 전도성 구조물을 배치함으로써 정의되는 형태를 갖는 슬롯을 포함할 수 있다. 안테나 공진 요소(134) 내의 슬롯은 (예시로서) 하나의 열린 단부 및 하나의 닫힌 단부를 갖는 열린 슬롯 구조일 수 있다. 원한다면 두 개의 닫힌 단부를 갖는 슬롯 구조물이 사용될 수 있다.To handle signals in different bands, such as the 5GHz IEEE 802.11 local wireless area network band, the antenna resonant element 134 is directly fed using an antenna feed formed from antenna feed terminals 94-3, 96-3, . The antenna resonant element 134 may be a metal trace on a stamped metal structure, a metal foil structure, a flexible printed circuit (e.g., a printed circuit formed from a flexible substrate such as a sheet of polyimide layer or other polymeric material) A metal trace on a circuit board substrate (e.g., a substrate formed from a layer of fiberglass filled epoxy), a metal trace on a plastic carrier, a patterned metal on a glass or ceramic support structure, a wire, an electronic device housing structure, Such as metal parts of electronic components in the substrate, or other conductive structures. The slot in the antenna resonant element 134 may (as an example) be an open slot structure with one open end and one closed end. A slot structure having two closed ends can be used if desired.

안테나 공진 요소(134)에 대한 슬롯은 안테나 공진 요소(50) 및/또는 안테나 접지(52) 내의 대향하는 금속 구조물 사이에 형성될 수 있다. 플라스틱, 공기, 또는 다른 유전체가 슬롯의 내부에 충전될 수 있다. 슬롯들은 통상적으로 연장된다(즉, 그들의 길이가 실질적으로 그들의 폭보다 더 길다). 금속이 슬롯의 주변부를 둘러싼다. 열린 슬롯에서, 슬롯의 단부들 중 하나가 둘러싸는 유전체에 대해 열려 있다.A slot for the antenna resonant element 134 may be formed between the opposing metal structures within the antenna resonant element 50 and / or the antenna ground 52. Plastic, air, or other dielectrics can be charged inside the slots. The slots are typically extended (i. E., Their length is substantially longer than their width). The metal surrounds the perimeter of the slot. In the open slot, one of the ends of the slot is open to the surrounding dielectric.

안테나(40)에 튜닝 성능을 제공하기 위해서, 안테나(40)는 조정가능한 회로를 포함할 수 있다. 조정가능한 회로는 안테나 공진 요소(50) 상의 서로 다른 위치들 사이에서 연결될 수 있고, 공진 요소(132) 상의 서로 다른 위치들 사이에서 연결될 수 있고, 갭(101)을 브릿지하는 경로들(104-1, 104-2)과 같은 경로들의 부분을 형성할 수 있고, 송신 라인 구조물(92)의 부분을 형성할 수 있거나(예를 들어, 경로(92-1), 경로(92-2), 및/또는 경로(92-3) 내의 하나 이상의 전도성 라인 내에 삽입된 회로), 또는 안테나 구조물(40), 송신 라인 경로들(92) 및 무선 회로(90) 내의 어디에든 통합될 수 있다.In order to provide tuning capability to the antenna 40, the antenna 40 may comprise an adjustable circuit. The adjustable circuit may be connected between different positions on the antenna resonant element 50 and may be connected between different positions on the resonant element 132 and may include paths 104-1 (E.g., path 92-1, path 92-2, and / or path 92-1), and may form part of paths such as paths 92-1, Or circuitry embedded within one or more conductive lines in path 92-3), or anywhere within antenna structure 40, transmission line paths 92, and wireless circuitry 90. [

조정가능한 회로는 제어 회로(28)(도 2)로부터의 제어 신호들을 이용하여 튜닝될 수 있다. 제어 회로(28)로부터의 제어 신호들은 예를 들어 조정가능한 커패시터, 조정가능한 인덕터, 또는 제어 회로(28)와 조정가능한 회로 사이에 연결된 제어 회로 경로를 이용하는 다른 조정가능한 회로에 제공될 수 있다. 제어 회로(28)는 조정가능한 커패시터에 의해 나타내어지는 커패시턴스를 조정하도록 제어 신호들을 제공할 수 있고, 조정가능한 인덕터에 의해 나타내어지는 인덕턴스를 조정하도록 제어 신호들을 제공할 수 있고, 고정 및 가변 커패시터, 고정 및 가변 인덕터, 커패시터 및 인덕터와 같은 전기 컴포넌트의 사용 유무를 전환하기 위한 스위칭 회로, 저항기 및 다른 조정가능한 회로와 같은 하나 이상의 컴포넌트를 포함하는 회로의 임피던스를 조정하는 제어 회로들을 제공할 수 있거나, 또는 안테나 구조물(40)의 주파수 응답을 튜닝하기 위해 다른 조정가능한 회로에 제어 신호들을 제공할 수 있다. 예로서, 안테나 구조물(40)에는 제1 및 제2 조정가능한 커패시터들이 제공될 수 있다. 제어 회로(28)로부터의 제어 신호들을 이용하는 각각의 조정가능한 커패시터에 대해 원하는 커패시턴스 값을 선택함으로써, 안테나 구조물(40)이 관심 동작 주파수들을 커버하도록 튜닝될 수 있다.The adjustable circuit may be tuned using control signals from the control circuit 28 (Figure 2). The control signals from the control circuit 28 may be provided, for example, to an adjustable capacitor, an adjustable inductor, or other adjustable circuit using a control circuit path connected between the control circuit 28 and the adjustable circuit. The control circuit 28 may provide control signals to adjust the capacitance represented by the adjustable capacitor and may provide control signals to adjust the inductance exhibited by the adjustable inductor and may include fixed and variable capacitors, And control circuits for adjusting the impedance of a circuit comprising one or more components, such as switching circuits, resistors and other adjustable circuits, for switching the use of electrical components such as variable inductors, capacitors and inductors, or And may provide control signals to other adjustable circuitry to tune the frequency response of the antenna structure 40. By way of example, the antenna structure 40 may be provided with first and second adjustable capacitors. By selecting a desired capacitance value for each adjustable capacitor using control signals from the control circuit 28, the antenna structure 40 can be tuned to cover the operating frequencies of interest.

만약 원한다면, 안테나 구조물(40)의 조정가능한 회로가 안테나 공진 요소(50) 내의 암들(102, 100)과 같이 안테나 공진 요소 구조물(50)에 연결된 하나 이상의 조정가능한 회로, 슬롯-기반 공진 요소(예를 들어, 공진 요소(132)) 내의 슬롯을 가로질러 연결된 하나 이상의 조정가능한 회로, 및/또는 안테나 구조물(40)에 대한 하나 이상의 포트와 연관된 신호 라인들(예를 들어, 경로(104-1, 104-2), 경로(92) 등) 내에 삽입되는 하나 이상의 조정가능한 회로를 포함할 수 있다.If desired, the adjustable circuitry of the antenna structure 40 may include one or more adjustable circuits connected to the antenna resonant element structure 50, such as the arms 102 and 100 in the antenna resonant element 50, a slot-based resonant element And / or signal lines (e.g., paths 104-1, 104-2) associated with one or more adjustable circuits connected across a slot in antenna structure 40 (e.g., resonant element 132) 104-2), path 92, etc.). ≪ / RTI >

도 4는 튜닝 안테나 구조물(40) 내에서 사용될 수 있는 타입의 예시적인 조정가능한 커패시터 회로의 개략도이다. 도 4의 조정가능한 커패시터(106)는 입력 경로(108)에 제공된 제어 신호들에 응답하여 단자(114)와 단자(115) 사이의 조정가능한 양의 커패시턴스를 생성한다. 스위칭 회로(118)는 커패시터(C1, C2)에 각각 연결된 두 단자들 및 조정가능한 커패시터(106)의 단자(115)에 연결된 다른 단자를 구비한다. 커패시터(C1)는 스위칭 회로(118)의 단자들 중 하나와 단자(114) 사이에 연결된다. 커패시터(C2)는 커패시터(C1)에 평행한 스위칭 회로(118)의 다른 단자와 단자(114) 사이에 연결된다. 제어 입력(108)에 공급되는 제어 신호들의 값을 제어함으로써, 스위칭 회로(118)가 단자(114)와 단자(115) 사이의 원하는 커패시턴스 값을 생산하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 회로(118)는 커패시터(C1)를 사용하는 것으로 전환하도록 구성될 수 있거나 또는 커패시터(C2)를 사용하는 것으로 전환하도록 구성될 수 있다.4 is a schematic diagram of an exemplary tunable capacitor circuit of a type that may be used in a tuning antenna structure 40. FIG. The adjustable capacitor 106 of FIG. 4 generates an adjustable amount of capacitance between the terminal 114 and the terminal 115 in response to control signals provided to the input path 108. The switching circuit 118 has two terminals respectively connected to the capacitors C1 and C2 and another terminal connected to the terminal 115 of the adjustable capacitor 106. [ The capacitor C1 is connected between one of the terminals of the switching circuit 118 and the terminal 114. [ The capacitor C2 is connected between the terminal 114 and the other terminal of the switching circuit 118 parallel to the capacitor C1. The switching circuit 118 may be configured to produce a desired capacitance value between the terminal 114 and the terminal 115 by controlling the value of the control signals supplied to the control input 108. [ For example, the switching circuit 118 may be configured to switch to using capacitor C1, or it may be configured to switch to using capacitor C2.

원한다면, 스위칭 회로(118)는 (단자(114)와 단자(115) 사이의 경로가 열린 회로이고 두 커패시터들이 사용되지 않게 전환되도록 열린 회로를 형성함으로써) 커패시터(C1, C2)를 선택적으로 연결 해제하는 하나 이상의 스위치 또는 다른 스위칭 리소스를 포함할 수 있다. 스위칭 회로(118)는 또한 (만약 원한다면) 두 커패시터들(C1, C2)이 동시에 사용되는 것으로 전환될 수 있도록 구성될 수 있다. 더 적은 전환 단계들 또는 더 많은 전환 단계들을 나타내는 스위칭 회로와 같은 다른 타입의 스위칭 회로(118)가 원한다면 사용될 수 있다. 커패시터들(C1, C2)은 고정 커패시터일 수 있다. 조정가능한 커패시터(106)와 같은 조정가능한 커패시터들은 또한 (때때로 버랙터(varactor)로 지칭되는) 커패시터(C1) 및/또는 커패시터(C2)에 대한 가변 커패시터 디바이스들을 이용하여 구현될 수 있다. 커패시터(106)와 같은 조정가능한 커패시터들은 두 개의 커패시터, 세 개의 커패시터, 네 개의 커패시터, 또는 다른 적절한 수의 커패시터들을 포함할 수 있다. 도 4의 구성은 단지 실례를 들기 위한 것이다.If desired, the switching circuit 118 may selectively disconnect the capacitors C1, C2 (by forming an open circuit so that the path between the terminals 114 and 115 is an open circuit and the two capacitors are switched off unused) Lt; RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > other switching resources. The switching circuit 118 may also be configured so that the two capacitors C1 and C2 (if desired) can be switched to being used simultaneously. Other types of switching circuitry 118, such as a switching circuitry that exhibits fewer switching steps or more switching steps, may be used if desired. The capacitors C1 and C2 may be fixed capacitors. Adjustable capacitors such as adjustable capacitor 106 may also be implemented using variable capacitor devices for capacitor C1 and / or capacitor C2 (sometimes referred to as a varactor). Adjustable capacitors, such as capacitor 106, may include two capacitors, three capacitors, four capacitors, or any other suitable number of capacitors. The configuration of FIG. 4 is intended to serve as an example only.

디바이스(10)의 동작 동안, 도 2의 저장 및 처리 회로(28)와 같은 제어 회로가 하나 이상의 조정가능한 커패시터(106)와 같은 조정가능한 컴포넌트에 제어 신호를 제공함으로써 안테나 조정을 할 수 있다. 만약 원한다면, 제어 회로(28)는 또한 조정가능한 인덕터 또는 다른 조정가능한 회로를 이용하여 안테나 튜닝 조정을 할 수 있다. 안테나 주파수 응답 조정은 어느 통신 대역이 활동 중인지를 식별하는 정보에 응답하여, 신호 품질 또는 다른 성능 메트릭과 관련된 피드백에 응답하여, 센서 정보에 응답하여, 또는 다른 정보에 기초하여 실시간으로 이루어질 수 있다.During operation of the device 10, control circuitry, such as the storage and processing circuitry 28 of FIG. 2, may provide antenna control by providing control signals to the adjustable component, such as one or more adjustable capacitors 106. If desired, the control circuit 28 may also adjust the antenna tuning using an adjustable inductor or other adjustable circuitry. The antenna frequency response adjustments may be made in real time in response to sensor information, or based on other information, in response to feedback relating to signal quality or other performance metrics, in response to information identifying which communication band is active.

도 5는 예시적인 조정가능한 안테나 구조물(40)을 갖는 전자 디바이스의 도면이다. 도 5의 예시적인 구조에서, 전자 디바이스(10)는 전자 디바이스(10) 내의 전도성 구조물을 이용하여 구현되는 조정가능한 안테나 구조물(40)을 구비한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 안테나 구조물(40)은 주변 전도성 하우징 부재(16)와 같은 주변 전도성 전자 디바이스 하우징 구조물 및 안테나 접지(52)를 포함한다. 단락 경로(98)는 유전체 갭(101)을 브릿지할 수 있다. 주변 전도성 하우징 부재(16)는 듀얼 암 역-F 안테나 공진 요소의 저 대역(LB) 및 고 대역(HB) 공진 요소 암 부분들을 형성하는 (단락 회로 경로(98)의 좌측 및 우측의) 암들을 구비할 수 있다. 주변 전도성 부재(16) 및 안테나 접지(52)에 의해 형성된 역-F 안테나 공진 요소는 듀얼 암 역-F 안테나(40A)를 형성할 수 있다. 안테나(40A)는 (주변 전도성 하우징 부재(16)에 연결되는 신호 라인(92-1A)을 갖는) 포트(1A) 및 (주변 전도성 하우징 부재(16)에 연결되는 신호 라인(92-2A)을 갖는) 포트(1B)와 같은 다수의 포트들을 구비할 수 있다.FIG. 5 is a diagram of an electronic device having an exemplary adjustable antenna structure 40. In the exemplary structure of FIG. 5, the electronic device 10 has an adjustable antenna structure 40 implemented using a conductive structure within the electronic device 10. As shown in FIG. 5, the antenna structure 40 includes a peripheral conductive electronic device housing structure, such as a peripheral conductive housing member 16, and an antenna ground 52. The short path 98 may bridge the dielectric gap 101. Peripheral conductive housing member 16 includes arms (left and right of short circuit path 98) forming low band (LB) and high band (HB) resonant element arm portions of a dual arm inverted-F antenna resonant element . The inverse-F antenna resonant element formed by the peripheral conductive member 16 and the antenna ground 52 may form a dual arm inverted-F antenna 40A. The antenna 40A includes a port 1A (having a signal line 92-1A connected to the peripheral conductive housing member 16) and a port A (having a signal line 92-2A connected to the peripheral conductive housing member 16) Port 1B). ≪ / RTI >

도 5에 도시된 바와 같이, 안테나 구조물(40)은 또한 슬롯-기반 안테나 공진 요소(132)(즉, 슬롯)를 포함한다. 슬롯(132)은 디바이스(10) 내의 대향하는 전도성 구조물 사이의 개구(예를 들어, 공기, 플라스틱 및 다른 유전체 재료들로부터 형성된 유전체 개구)로부터 형성된다. 슬롯(132)은 자신의 폭 W보다 긴 길이 L를 갖는 연장된 형태를 갖는다. 슬롯(132)은 직선형 개구 또는 하나 이상의 벤드를 갖는 개구로부터 형성될 수 있다. 도 5의 예시에서, 슬롯(132)은 세 개의 세그먼트-세그먼트(132A), 세그먼트(132B) 및 세그먼트(132C)를 갖는다. 세그먼트(132C)는 열린 단부(160)를 갖는다. 열린 단부(160)는 유전체 갭(101)에 대해 열려 있다. 슬롯 부분(132C)의 외부 에지는 주변 전도성 하우징 부재(16)의 일부분에 의해 정의된다. 슬롯 부분(132C)의 내부 에지는 안테나 접지(52)의 대향하는 평행 부분에 의해 정의된다. 세그먼트(132A)는 닫힌 단부(158)를 갖는다. 닫힌 단부(158)는 안테나 접지(52)의 부분들에 의해 형성된다. 세그먼트(132A)의 사이드는 안테나 접지(52)의 대향하는 부분들로부터 형성된다. 중간 세그먼트(132B)는 슬롯 부분들(132A, 132C)에 직교하게 이어지고 슬롯(132)을 형성하기 위해 슬롯 부분들(132A, 132C)을 연결시킨다. 슬롯 세그먼트(132B)의 외부 에지는 주변 전도성 하우징 부재(16)의 일부분에 의해 형성된다. 슬롯 세그먼트(132B)의 대향하는 내부 에지는 안테나 접지(52)의 일부분에 의해 형성된다.As shown in FIG. 5, the antenna structure 40 also includes a slot-based antenna resonant element 132 (i.e., a slot). Slots 132 are formed from openings (e.g., dielectric openings formed from air, plastic, and other dielectric materials) between opposing conductive structures within device 10. The slot 132 has an elongated shape with a length L longer than its width W. [ The slot 132 may be formed from a straight opening or an opening with one or more bends. In the example of FIG. 5, slot 132 has three segments-segment 132A, segment 132B, and segment 132C. Segment 132C has an open end 160. The open end 160 is open relative to the dielectric gap 101. The outer edge of the slot portion 132C is defined by a portion of the peripheral conductive housing member 16. The inner edge of the slot portion 132C is defined by the opposing parallel portion of the antenna ground 52. Segment 132A has a closed end 158. Closed end 158 is formed by portions of antenna ground 52. The side of the segment 132A is formed from the opposing portions of the antenna ground 52. The middle segment 132B extends perpendicularly to the slot portions 132A and 132C and connects the slot portions 132A and 132C to form the slot 132. [ The outer edge of the slot segment 132B is defined by a portion of the circumferential conductive housing member 16. The opposing inner edge of the slot segment 132B is formed by a portion of the antenna ground 52.

슬롯(132)은 두 타입의 안테나 요소들: (예로서) 5 ㎓ 대역 내의 통신을 다루기 위한 슬롯 안테나 및 (예로서) 안테나(40A)가 2.3 내지 2.7 ㎓의 원하는 관심 주파수들을 커버할 수 있음을 보장하는 것을 돕기 위한 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소를 형성할 수 있다.The slot 132 may include two types of antenna elements: (for example) a slot antenna for handling communications in the 5 GHz band and an antenna 40A (for example) to cover the desired frequencies of interest from 2.3 to 2.7 GHz Based parasitic antenna resonant element to assist in ensuring that the slot-based parasitic antenna resonant element is formed.

특히, (때때로 대역 TB로 지칭되는) 5 ㎓ IEEE 802.11 무선 로컬 영역 네트워크 통신 대역과 같은 통신 대역에서, 슬롯(132)은 안테나 포트(2)에서 피드되는 직접 피드되는 슬롯 안테나를 형성할 수 있다. 슬롯(132)에 대한 안테나 피드는 슬롯(132)을 브릿지하는 단자들에 의해 형성된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 송신 라인(92-3)은 포트(2) 내의 포지티브 안테나 피드 단자(94-3)에 연결된 포지티브 신호 라인(92-3A)을 구비할 수 있고 안테나 접지 단자(96-3)에 연결된 접지 신호 라인(92-3B)을 구비할 수 있다. 송신 라인(92-3)은 송수신기(116)의 송수신기 포트(TB)로 슬롯 안테나(132)의 포트(2)를 연결할 수 있다. 송수신기 포트(TB)는 슬롯(132)으로부터 형성된 5 ㎓ 슬롯 안테나를 이용하여 5 ㎓ 무선 로컬 영역 네트워크 신호들을 송신 및 수신하도록 사용될 수 있다.In particular, in a communication band such as the 5 ㎓ IEEE 802.11 wireless local area network communication band (sometimes referred to as band TB), slot 132 may form a directly fed slotted antenna that is fed at antenna port 2. The antenna feed to slot 132 is formed by terminals bridging slot 132. 5, the transmission line 92-3 may have a positive signal line 92-3A connected to the positive antenna feed terminal 94-3 in the port 2, and the antenna ground terminal 96 -3) connected to the ground signal line 92-3B. The transmission line 92-3 may connect the port 2 of the slot antenna 132 to the transceiver port TB of the transceiver 116. The transceiver port (TB) may be used to transmit and receive 5 GHz wireless local area network signals using a 5 GHz slot antenna formed from slot (132).

(때때로 대역 UB로 지칭되는) 2.3 내지 2.7 ㎓의 주파수들에서, 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소(132)는 안테나(40A)에 근거리 연결될 수 있으며 신호들이 포트(1A)를 이용하여 안테나(40A)에 의해 송신 및 수신되는 것을 가능하게 하는 안테나 응답이 생기게 할 수 있다. 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소(132)와 연관된 공진이 2.3 내지 2.7 ㎓ 대역 내에 있다는 것을 보장하도록 조정가능한 커패시터(106B)가 슬롯(132)을 브릿지할 수 있다. 커패시터(106B)에는, 예로서 약 0.2pF의 고정 커패시터(C1) 및 약 0.4pF의 고정 커패시터(C2)가 제공될 수 있으며, 조정가능한 커패시터(106B)의 커패시턴스가 0.6pF(C1 및 C2가 모두 동시에 사용하는 것으로 전환될 때), 0.2pF(C1이 사용하는 것으로 전환될 때), 0.4pF(커패시터(C2)가 사용하는 것으로 전환될 때) 및 0(커패시터(C1, C2)가 모두 사용하지 않도록 전환될 때) 커패시턴스와 같은 커패시턴스의 범위에 걸쳐 조정되는 것을 가능하게 한다. 조정가능한 커패시터(106B)의 존재 시에, 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소(132)의 공진 주파수는 약 2.4 ㎓로 감소될 수 있다. 조정가능한 커패시터(106B)를 이용하여 생성되는 커패시턴스 조정은 슬롯-기반 기생 안테나 공진 요소(132)에 의해 생성되는 공진이 전체 관심 주파수 대역(예를 들어, 이 예에서 2.3 ㎓ 내지 2.7 ㎓의 모든 주파수들)을 커버함을 보장하는 것을 돕는다.Based parasitic antenna resonant element 132 can be connected close to antenna 40A and signals can be coupled to antenna 40A using port 1A at frequencies of 2.3 to 2.7 GHz (sometimes referred to as band UB) Lt; RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > An adjustable capacitor 106B may bridge the slot 132 to ensure that the resonance associated with the slot-based parasitic antenna resonant element 132 is within the 2.3 to 2.7 GHz band. The capacitor 106B may be provided with a fixed capacitor C1 of about 0.2 pF and a fixed capacitor C2 of about 0.4 pF for example and the capacitance of the adjustable capacitor 106B is 0.6 pF (When switched to use by C1), 0.4 pF (when switched to use by capacitor C2) and 0 (when switched to use by capacitor C1) To be adjusted over a range of capacitances such as capacitance. In the presence of the adjustable capacitor 106B, the resonant frequency of the slot-based parasitic antenna resonant element 132 may be reduced to about 2.4 GHz. The capacitance adjustment created using the adjustable capacitor 106B is such that the resonance generated by the slot-based parasitic antenna resonant element 132 is at a frequency of interest over the entire frequency band of interest (e.g., at every frequency of 2.3 GHz to 2.7 GHz in this example) Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

도 3과 관련하여 기술된 바와 같이, 안테나 구조물(40)은 세 개의 안테나 포트들을 구비할 수 있다. 포트(1A)는 부재(16)에 따른 제1 위치에서 듀얼 암 안테나 공진 요소(50)의 안테나 공진 요소 암들에 연결될 수 있다(예를 들어, 단자(94-1)에서 부재(16)에 연결된 경로(92-1A)를 참조). 포트(1B)는 제1 위치와는 상이한 제2 위치에서 듀얼 암 안테나 공진 요소(50)의 안테나 공진 요소 암 구조물에 연결될 수 있다(예를 들어, 단자(94-2)에서 부재(16)에 연결된 경로(92-2A)를 참조).As described in connection with FIG. 3, the antenna structure 40 may include three antenna ports. The port 1A may be connected to the antenna resonant element arms of the dual arm antenna resonant element 50 at a first location along the member 16 (e.g., connected to the member 16 at terminal 94-1) Path 92-1A). The port 1B may be connected to the antenna resonant element arm structure of the dual arm antenna resonant element 50 at a second location different from the first location (e.g., from terminal 94-2 to member 16) Connected path 92-2A).

조정가능한 커패시터(106A)(예를 들어, 도 4에 도시된 타입의 커패시터)는 경로(92-1A)에 삽입될 수 있고 안테나 구조물(40)을 튜닝하는 데에 사용하기 위한(예를 들어, 듀얼 암 역-F 안테나(40A)를 튜닝하기 위한) 포트(1A)에 연결될 수 있다. 글로벌 위치 찾기 시스템(GPS) 신호는 안테나(40A)의 포트(1B)를 이용하여 수신될 수 있다. 송신 라인 경로(92-2)는 포트(1B)와 위성 내비게이션 시스템 수신기(114)(예를 들어, 도 2의 위성 내비게이션 시스템 수신기(35)와 같은 글로벌 위치 찾기 시스템 수신기) 사이에 연결될 수 있다. 대역 통과 필터(110) 및 증폭기(112)와 같은 회로는, 만약 원한다면, 송신 라인 경로(92-2) 내에 삽입될 수 있다. 동작 중에, 위성 내비게이션 시스템 신호들은 필터(110) 및 증폭기(112)를 통해 안테나(40A)로부터 수신기(114)로 통과할 수 있다.An adjustable capacitor 106A (e.g., a capacitor of the type shown in FIG. 4) may be inserted into path 92-1A and used for tuning antenna structure 40 (e.g., (For tuning the dual arm inverted-F antenna 40A). A global positioning system (GPS) signal may be received using port 1B of antenna 40A. The transmit line path 92-2 may be connected between the port 1B and the satellite navigation system receiver 114 (e.g., a global positioning system receiver such as the satellite navigation system receiver 35 of FIG. 2). Circuitry, such as bandpass filter 110 and amplifier 112, may be inserted into the transmit line path 92-2, if desired. In operation, the satellite navigation system signals may pass from the antenna 40A to the receiver 114 via the filter 110 and the amplifier 112.

안테나 공진 요소(50)는 (예로서) 약 700 ㎒로부터 960 ㎒까지 연장하는 저 대역(LB) 통신 대역 및, 만약 원한다면, 약 1.7로부터 2.2 ㎓까지 연장하는 고 대역(HB) 통신 대역 내의 주파수들과 같은 주파수들을 커버할 수 있다. 조정가능한 커패시터(106A)는 700 ㎒ 내지 960 ㎒ 사이의 모든 원하는 주파수들이 커버될 수 있도록 대역LB 내의 저 대역 성능을 튜닝하는 데에 사용될 수 있다. 슬롯 안테나 공진 요소(132)는 통신 대역 UB 내의 2.3 ㎓ 내지 2.7 ㎓의 모든 주파수들을 커버하도록 조정가능한 커패시터(106B)를 이용하여 튜닝될 수 있는 안테나(40A)(포트(1A))에 대해 안테나 공진을 일으키는 기생 안테나 공진 요소로서의 역할을 할 수 있다.The antenna resonant element 50 includes a low band (LB) communication band extending from about 700 MHz to 960 MHz (as an example) and frequencies within the high band (HB) communication band extending from about 1.7 to 2.2 GHz if desired As shown in FIG. The adjustable capacitor 106A can be used to tune low band performance in band LB so that all desired frequencies between 700 MHz and 960 MHz can be covered. The slot antenna resonant element 132 is connected to the antenna 40A (port 1A), which can be tuned using an adjustable capacitor 106B to cover all frequencies of 2.3 GHz to 2.7 GHz within the communication band UB, Which is a parasitic antenna resonant element.

포트(2)는 요소(132)가 안테나로서 동작하도록 슬롯 안테나 공진 요소(132)(안테나(40B))를 피드하기 위해 경로(92-3)를 사용할 수 있다. 도 5의 예시적인 배치에서, 안테나 공진 요소(132)는 포트(2)에서 피드될 때 슬롯 안테나이고 IEEE 802.11 무선 로컬 영역 네트워크 대역과 같은 5 ㎓에서의 통신 대역(때때로 대역 TB로 지칭됨)을 다루도록 구성된다.Port 2 may use path 92-3 to feed slot antenna resonant element 132 (antenna 40B) so that element 132 operates as an antenna. In the exemplary arrangement of Figure 5, the antenna resonant element 132 is a slot antenna when fed at port 2 and has a communication band (sometimes referred to as band TB) at 5 GHz, such as the IEEE 802.11 wireless local area network band, .

무선 회로(90)는 위성 내비게이션 시스템 수신기(114) 및 무선-주파수 송수신기 회로(116, 118)와 같은 무선-주파수 송수신기 회로를 포함할 수 있다. 수신기(114)는 글로벌 위치 찾기 시스템 수신기 또는 다른 위성 내비게이션 시스템 수신기(예를 들어, 도 2의 수신기(35))일 수 있다.The radio circuitry 90 may include a radio-frequency transceiver circuit, such as a satellite navigation system receiver 114 and radio-frequency transceiver circuits 116 and 118. Receiver 114 may be a global positioning system receiver or other satellite navigation system receiver (e.g., receiver 35 of FIG. 2).

송수신기(116)는 2.4 ㎓ 대역 및 5 ㎓ 대역과 같은 대역들에서 동작하는 도 2의 무선-주파수 송수신기(36)와 같은 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기일 수 있다. 송수신기(116)는 예를 들어 (때때로 WiFi® 송수신기로 지칭되는) IEEE 802.11 무선-주파수 송수신기일 수 있다. 송수신기(116)는 슬롯(132)을 이용하여 (즉, 슬롯(132)이 슬롯 안테나를 형성하는 모드에서 슬롯(132)을 이용하여) 5 ㎓ 통신을 다루는 포트 TB와 같은 포트를 구비할 수 있다. 송수신기(116)는 또한 2.4 ㎓ 통신을 다루는 포트 UB와 같은 포트를 구비할 수 있다. 포트 UB는 듀플렉서(150)의 포트(152)에 연결될 수 있다.The transceiver 116 may be a wireless local area network transceiver, such as the wireless-frequency transceiver 36 of FIG. 2, operating in bands such as the 2.4 GHz band and the 5 GHz band. The transceiver 116 may, for example IEEE 802.11 Wireless (sometimes referred to as WiFi ® transceiver) may be a frequency transceiver. Transceiver 116 may have a port such as port TB that handles 5 GHz communications using slot 132 (i.e., slot 132 uses slot 132 in mode in which slot 132 forms a slot antenna) . The transceiver 116 may also have a port such as port UB that handles 2.4 GHz communications. Port UB may be coupled to port 152 of duplexer 150.

듀플렉서(150)는 송수신기(118)에 연결된 포트(154)와 같은 포트를 구비할 수 있다. 송수신기(118)는 하나 이상의 셀룰러 대역에서의 음성 및 데이터 트래픽을 다루도록 구성된 도 2의 셀룰러 송수신기(38)와 같은 셀룰러 송수신기일 수 있다. 커버될 수 있는 셀룰러 대역들의 예는 700 ㎒ 내지 960 ㎒의 범위를 갖는 대역(예로서, 저 대역 LB), 1.7 내지 2.2 ㎓의 범위를 갖는 대역(예로서, 고 대역 HB) 및 LTE 대역 38 및 40을 포함한다.The duplexer 150 may have the same port as the port 154 connected to the transceiver 118. The transceiver 118 may be a cellular transceiver, such as the cellular transceiver 38 of FIG. 2 configured to handle voice and data traffic in one or more cellular bands. Examples of cellular bands that can be covered include bands (e.g., low band LB) ranging from 700 MHz to 960 MHz, bands (e.g., high band HB) ranging from 1.7 to 2.2 GHz and LTE bands 38 and 40 < / RTI >

LTE 대역 38은 약 2.6 ㎓의 주파수들과 연관된다. LTE 대역 40은 약 2.3 내지 2.4 ㎓의 주파수들과 연관된다. 송수신기(118)의 포트(155)는 대역 LB(700 ㎒ 내지 960 ㎒) 및, 원한다면 대역 HB(1.7 내지 2.2 ㎓) 내의 셀룰러 신호들을 다루도록 사용될 수 있다. 포트(155)는 또한 LTE 대역 38 및 LTE 대역 40 내의 통신을 다루도록 사용될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 송수신기(118)의 포트(155)는 듀플렉서 회로(150)의 포트(154)에 연결될 수 있다. 듀플렉서 회로(150)는 하나 이상의 듀플렉서를 포함할 수 있다.LTE band 38 is associated with frequencies of about 2.6 GHz. The LTE band 40 is associated with frequencies from about 2.3 to 2.4 GHz. Port 155 of transceiver 118 may be used to handle cellular signals in band LB (700 MHz to 960 MHz) and, if desired, in band HB (1.7 to 2.2 GHz). Port 155 may also be used to handle communications within LTE band 38 and LTE band 40. 5, the port 155 of the transceiver 118 may be coupled to the port 154 of the duplexer circuit 150. The duplexer circuit 150 may include one or more duplexers.

듀플렉서 회로(150)는 포트들(152, 154)과 공유 듀플렉서 포트(156) 사이의 신호들을 라우팅하기 위해 주파수 멀티플렉싱을 사용한다. 공유 포트(156)는 송신 라인 경로(92-1)에 연결된다. 이러한 배치에서, 송수신기(116)의 송수신기 포트 UB 및 듀플렉서(150)의 포트(152)와 연관된 2.4 ㎓ WiFi® 신호들이 경로(92-1)로/로부터 라우팅될 수 있고, 송수신기(118)의 포트(154) 및 포트(155)와 연관된 대역 LB 및 HB 내의 셀룰러 전화 신호들 및 LTE 대역 38/40 신호들이 경로(92-1)로/로부터 라우팅될 수 있다. 디바이스(10)의 동작 중에, 조정가능한 커패시터(106A)가 대역 UB와 연관된 트래픽을 다루도록(즉, 송수신기(116)의 포트 UB로부터의 2.4 ㎓ 트래픽을 다루고 LTE 대역 38/40 트래픽 및 송수신기(118)로부터의 2.3 ㎓ 내지 2.7 ㎓의 범위 내의 다른 셀룰러 트래픽을 다루도록) 필요에 따라 안테나 공진 요소(50) 및 안테나 접지(52)로부터 형성된 안테나를 튜닝하기 위해 조정될 수 있다.The duplexer circuit 150 uses frequency multiplexing to route signals between the ports 152 and 154 and the shared duplexer port 156. The shared port 156 is connected to the transmission line path 92-1. In this arrangement, 2.4 ㎓ WiFi ® signal associated with the port 152 of the transceiver port UB and the duplexer 150 of the transceiver 116 that may be routed from a / path (92-1), the port of the transceiver 118 Cellular telephone signals and LTE band 38/40 signals within bands LB and HB associated with base station 154 and port 155 may be routed to / from path 92-1. During operation of device 10, adjustable capacitor 106A is configured to handle traffic associated with band UB (i.e., to handle 2.4 GHz traffic from port UB of transceiver 116 and receive LTE band 38/40 traffic and transceiver 118 ) To tune the antenna formed from the antenna resonant element 50 and the antenna ground 52 as needed to handle other cellular traffic within the range of 2.3 GHz to 2.7 GHz.

도 6은 도 5의 안테나 구조물(40)과 같은 안테나 구조물을 갖는 전자 디바이스에 대해 안테나 성능(정상파비 SWR(standing wave ratio))이 동작 주파수 f의 함수로서 그려진 그래프이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 안테나 구조물(40)은 포트(1A)를 이용하여 대역 LB에서 공진을 나타낼 수 있다. 조정가능한 커패시터(106A)는 LB 공진의 위치를 조정하도록 조정될 수 있으며, 그에 따라 모든 관심 주파수들(예를 들어, 예로서 약 0.7 ㎓ 내지 0.96 ㎓의 범위 내의 모든 주파수들)을 커버한다. 대역 HB(예를 들어, 1.7 내지 2.2 ㎓의 셀룰러 대역)은 포트(1A)를 이용하여 선택적으로 커버될 수 있다. 안테나 구조물(40)은 기생 안테나 공진 요소(132)로서의 역할을 하는 슬롯 안테나 공진 요소(132)의 존재로 인해 포트(1A)를 이용할 때 대역 UB에서 공진을 나타낼 수 있다. 포트(1A)를 이용할 때 슬롯 안테나 공진 요소(132)와 연관된 공진은 튜닝가능한 커패시터(106B)를 이용하여 대역 UB에 걸쳐 튜닝될 수 있다. 포트(1B)를 이용할 때, 안테나 구조물(40)은 글로벌 위치 찾기 시스템 신호들을 다루기 위한 1.575 ㎓ 공진과 같은 위성 내비게이션 시스템 주파수에서 공진을 나타낼 수 있다. 대역 TB(예를 들어, 5 ㎓)에서의 안테나 응답은 포트(2)를 슬롯 안테나 공진 요소(132)를 위한 안테나 피드로서 사용하는 것과 연관될 수 있다. 통신 대역 TB 내의 주파수들에서, 슬롯(132)은 송수신기(116)의 포트 TB에 대한 트래픽을 다루기 위한 슬롯 안테나로서 동작할 수 있다.FIG. 6 is a graph in which antenna performance (standing wave ratio) is plotted as a function of operating frequency f for an electronic device having an antenna structure such as the antenna structure 40 of FIG. As shown in FIG. 6, the antenna structure 40 may exhibit resonance in the band LB using the port 1A. The adjustable capacitor 106A can be adjusted to adjust the position of the LB resonance thereby covering all frequencies of interest (e.g., all frequencies within the range of about 0.7 GHz to 0.96 GHz, for example). Band HB (e.g., a cellular band of 1.7 to 2.2 GHz) can be selectively covered using port 1A. The antenna structure 40 may exhibit resonance in the band UB when using the port 1A due to the presence of the slot antenna resonant element 132 serving as the parasitic antenna resonant element 132. [ Resonance associated with slot antenna resonant element 132 when using port 1A can be tuned across band UB using tunable capacitor 106B. When using port 1B, the antenna structure 40 may exhibit resonance at a satellite navigation system frequency, such as a 1.575 GHz resonance, to handle global positioning system signals. An antenna response in band TB (e.g., 5 GHz) may be associated with using port 2 as an antenna feed for slot antenna resonant element 132. At frequencies within the communication band TB, the slot 132 may operate as a slot antenna to handle traffic to the port TB of the transceiver 116.

실시예에 따르면, 안테나 접지 및 안테나 접지와 함께 제1 안테나를 형성하는 안테나 공진 요소를 포함하는 전자 디바이스 안테나 구조물이 제공되고, 제1 안테나는 제1 및 제2 포트를 구비하며, 슬롯 안테나 공진 요소가 제3 포트를 구비하고, 슬롯 안테나 공진 요소는 제3 안테나 포트를 통해 신호들을 다루는 제2 안테나를 형성하고 슬롯 안테나 공진 요소는 제1 안테나에 대한 기생 안테나 공진 요소를 형성한다.According to an embodiment, there is provided an electronic device antenna structure comprising an antenna resonant element forming a first antenna with an antenna ground and an antenna ground, the first antenna having first and second ports, the slot antenna resonant element Has a third port, the slot antenna resonant element forms a second antenna that handles signals through a third antenna port, and the slot antenna resonant element forms a parasitic antenna resonant element for the first antenna.

다른 실시예에 따르면, 슬롯 안테나 공진 요소는 안테나 공진 요소와 안테나 접지의 부분들 사이에 형성된 슬롯을 포함한다.According to another embodiment, the slot antenna resonant element includes a slot formed between the antenna resonant element and portions of the antenna ground.

다른 실시예에 따르면, 안테나 공진 요소는 주변 전도성 전자 디바이스 하우징 구조를 포함한다.According to another embodiment, the antenna resonant element includes a peripheral conductive electronic device housing structure.

다른 실시예에 따르면, 제1 안테나는 듀얼 암 역-F 안테나를 포함한다.According to another embodiment, the first antenna comprises a dual arm inverted-F antenna.

다른 실시예에 따르면, 슬롯 안테나는 제3 안테나 포트를 이용하여 5 ㎓ 통신 대역에서 무선 로컬 영역 네트워크를 송신 및 수신하도록 구성된다.According to another embodiment, the slot antenna is configured to transmit and receive wireless local area networks in a 5 GHz communication band using a third antenna port.

다른 실시예에 따르면, 슬롯 안테나 공진 요소는 2.4 ㎓에서 제1 안테나의 동작 동안 제1 안테나의 안테나 공진 요소에 근거리 연결된다.According to another embodiment, the slot antenna resonant element is connected close to the antenna resonant element of the first antenna during operation of the first antenna at 2.4 GHz.

다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스 안테나 구조물은 제2 안테나 포트에 연결된 대역 통과 필터를 포함한다.According to another embodiment, the electronic device antenna structure includes a bandpass filter coupled to a second antenna port.

다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스 안테나 구조물은 제1 안테나 포트에 연결된 조정가능한 커패시터를 포함한다.According to another embodiment, the electronic device antenna structure includes an adjustable capacitor connected to the first antenna port.

다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스 안테나 구조물은 슬롯을 브릿지하는 조정가능한 커패시터를 포함한다.According to another embodiment, the electronic device antenna structure includes an adjustable capacitor that bridges the slot.

다른 실시예에 따르면, 조정가능한 커패시터는 제 1 안테나에 대한 안테나 공진을 튜닝하는 조정가능한 커패시터 값을 생성하도록 구성된다.According to another embodiment, the adjustable capacitor is configured to generate an adjustable capacitor value that tunes the antenna resonance for the first antenna.

다른 실시예에 따르면, 조정가능한 커패시터는 스위칭 회로 및 복수의 고정된 커패시터들을 포함한다.According to another embodiment, the adjustable capacitor comprises a switching circuit and a plurality of fixed capacitors.

실시예에 따르면, 무선 로컬 영역 네트워크 신호, 위성 내비게이션 시스템 신호 및 셀룰러 전화 신호를 다루도록 구성된 무선-주파수 송수신기 회로를 포함하는 장치가 제공되며, 제1, 제2 및 제3 안테나 포트들을 구비하는 안테나 구조물은 제1 및 제2 안테나 포트들이 연결된 역-F 안테나 공진 요소 및 제3 안테나 포트가 연결된 슬롯 안테나 공진 요소, 무선-주파수 송수신기 회로와 제1 안테나 포트 사이에 연결된 제1 조정가능한 커패시터 및 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 제2 조정가능한 커패시터를 포함한다.According to an embodiment, there is provided an apparatus comprising a radio-frequency transceiver circuit configured to handle a wireless local area network signal, a satellite navigation system signal and a cellular telephone signal, the antenna comprising first, second and third antenna ports, The structure includes a slot antenna resonant element to which the first and second antenna ports are connected and to which a third antenna port is coupled, a first tunable capacitor and a slot antenna coupled between the radio-frequency transceiver circuit and the first antenna port, And a second adjustable capacitor bridging the resonant element.

다른 실시예에 따르면, 안테나 구조물은 제1 안테나 포트를 이용하여 적어도 제1 및 제2 통신 대역들 내의 무선-주파수 신호들을 다루도록 구성되며, 제1 조정가능한 커패시터는 제1 통신 대역 내의 안테나 공진을 튜닝하도록 구성되고 제2 조정가능한 커패시터는 제2 통신 대역 내의 제2 안테나 공진을 튜닝하도록 구성된다.According to another embodiment, the antenna structure is configured to handle radio-frequency signals in at least first and second communication bands using a first antenna port, wherein the first adjustable capacitor has an antenna resonance within the first communication band And the second adjustable capacitor is configured to tune the second antenna resonance in the second communication band.

다른 실시예에 따르면, 슬롯 안테나 공진 요소는 제3 통신 대역 내의 무선-주파수 신호들에 대한 슬롯 안테나를 형성한다.According to another embodiment, the slot antenna resonant element forms a slot antenna for radio-frequency signals in the third communication band.

다른 실시예에 따르면, 제3 통신 대역은 5 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 통신 대역을 포함하고 무선-주파수 송수신기 회로는 제3 안테나 포트 및 슬롯 안테나를 이용하여 5 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 통신 대역 내의 신호들을 송신 및 수신하도록 구성된 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기를 포함한다.According to another embodiment, the third communication band comprises a wireless local area network communication band at 5 GHz and the radio-frequency transceiver circuit uses a third antenna port and a slot antenna to transmit a wireless local area network communication band at 5 GHz And a wireless local area network transceiver configured to transmit and receive signals within the wireless local area network.

다른 실시예에 따르면, 무선-주파수 송수신기 회로는 제2 안테나 포트에 연결된 위성 내비게이션 시스템 수신기를 포함한다.According to another embodiment, the radio-frequency transceiver circuit includes a satellite navigation system receiver coupled to a second antenna port.

다른 실시예에 따르면, 무선-주파수 송수신기 회로는 제1 및 제2 통신 대역 내의 신호들을 송신 및 수신하기 위한 제1 안테나 포트에 연결된 셀룰러 전화 송수신기를 포함한다.According to another embodiment, a radio-frequency transceiver circuit includes a cellular telephone transceiver coupled to a first antenna port for transmitting and receiving signals within the first and second communication bands.

실시예에 따르면, 안테나 구조물을 포함하는 전자 디바이스가 제공되며, 안테나 구조물은 안테나 접지, 안테나 접지와 함께 역-F 안테나를 형성하는 역-F 안테나 공진 요소, 슬롯 안테나 및 역-F 안테나에 대한 기생 안테나 공진 요소로서의 역할을 하는 슬롯 안테나 공진 요소 및 제1 통신 대역 내의 신호들을 다루기 위해 역-F 안테나를 사용하고 제2 통신 대역 내의 신호들을 다루기 위해 슬롯 안테나를 사용하는 무선 회로를 포함한다.According to an embodiment, there is provided an electronic device comprising an antenna structure, the antenna structure comprising an antenna ground, a reverse-F antenna resonant element forming an inverted-F antenna with antenna ground, a parasitic A slot antenna resonant element serving as an antenna resonant element and a radio circuit using a slot antenna to handle signals in the second communication band and using an inverse F antenna to handle signals in the first communication band.

다른 실시예에 따르면, 무선 회로는 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기 및 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기와 슬롯 안테나 공진 요소 사이에 연결된 송신 라인 구조물을 포함하며, 슬롯 안테나가 제2 통신 대역 내의 무선 로컬 영역 네트워크 신호들을 다루도록 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기가 슬롯 안테나 공진 요소에 직접 피드한다.According to another embodiment, the wireless circuit comprises a wireless local area network transceiver and a transmission line structure coupled between the wireless local area network transceiver and the slot antenna resonant element, wherein the slot antenna is adapted to handle wireless local area network signals in the second communication band The wireless local area network transceiver feeds directly to the slot antenna resonant element.

다른 실시예에 따르면, 무선 회로는 셀룰러 전화 송수신기 및 듀플렉서 회로를 포함하고, 듀플렉서 회로는 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기에 연결된 제1 포트 및 셀룰러 전화 송수신기에 연결된 제2 포트를 구비한다.According to another embodiment, the wireless circuit comprises a cellular telephone transceiver and a duplexer circuit, wherein the duplexer circuit has a first port connected to the wireless local area network transceiver and a second port connected to the cellular telephone transceiver.

다른 실시예에 따르면, 듀플렉서 회로는 역-F 안테나에 연결된 공유 포트를 구비한다.According to another embodiment, the duplexer circuit has a shared port connected to the inverted-F antenna.

다른 실시예에 따르면, 역-F 안테나는 제1 및 제2 안테나 포트들을 구비하고, 듀플렉서 회로의 공유 포트가 제1 안테나 포트에 연결된다.According to another embodiment, the reverse-F antenna has first and second antenna ports, and the shared port of the duplexer circuit is connected to the first antenna port.

다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스는 듀플렉서 회로의 공유 포트와 제1 안테나 포트 사이에 연결된 조정가능한 회로를 포함하고, 조정가능한 회로는 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성된다.According to another embodiment, the electronic device comprises an adjustable circuit connected between the shared port of the duplexer circuit and the first antenna port, and the adjustable circuit is configured to tune the inverted-F antenna.

다른 실시예에 따르면, 조정가능한 회로는 조정가능한 커패시터를 포함한다.According to another embodiment, the adjustable circuit includes an adjustable capacitor.

다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스는 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 조정가능한 회로를 포함한다.According to another embodiment, the electronic device includes an adjustable circuit that bridges the slot antenna resonant element.

다른 실시예에 따르면, 조정가능한 회로는 조정가능한 커패시터를 포함한다.According to another embodiment, the adjustable circuit includes an adjustable capacitor.

다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스는 주변 전도성 하우징 구조를 갖는 하우징을 포함하고, 역-F 안테나 공진 요소는 주변 전도성 하우징 구조의 일부분을 포함한다.According to another embodiment, the electronic device includes a housing having a peripheral conductive housing structure, and the inverse-F antenna resonant element includes a portion of the peripheral conductive housing structure.

다른 실시예에 따르면, 슬롯 안테나 공진 요소는 주변 전도성 하우징 구조의 일부분 및 안테나 접지로부터 형성된 에지들을 구비하는 슬롯을 포함하고, 안테나 구조물은 슬롯을 브릿지하는 조정가능한 커패시터를 더 포함하며, 조정가능한 커패시터는 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성된다.According to another embodiment, the slot antenna resonant element includes a slot having a portion of the peripheral conductive housing structure and edges formed from the antenna ground, the antenna structure further comprising an adjustable capacitor bridging the slot, the adjustable capacitor And is configured to tune the reverse-F antenna.

다른 실시예에 따르면, 역-F 안테나는 적어도 하나의 안테나 포트를 포함하고 전자 디바이스는 역-F 안테나를 튜닝하도록 안테나 포트에 연결된 추가의 조정가능한 커패시터를 더 포함하며, 조정가능한 커패시터는 제1 통신 대역 내에서 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성되고 추가의 조정가능한 커패시터는 제3 통신 대역 내에서 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성된다.According to another embodiment, the inverted-F antenna comprises at least one antenna port and the electronic device further comprises an additional tunable capacitor connected to the antenna port for tuning the inverted-F antenna, F antenna within the band and the further adjustable capacitor is configured to tune the reverse-F antenna within the third communication band.

다른 실시예에 따르면, 제1 통신 대역은 760 ㎒ 내지 960 ㎒의 통신 대역을 포함하고, 제2 통신 대역은 5 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 통신을 포함하고, 제3 통신 대역은 2.3 내지 2.7 ㎓의 통신 대역을 포함하며, 전자 디바이스는 조정가능한 커패시터 및 추가의 조정가능한 커패시터를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함한다.According to another embodiment, the first communication band includes a communication band of 760 MHz to 960 MHz, the second communication band includes wireless local area network communication at 5 GHz, the third communication band includes 2.3 to 2.7 GHz And the electronic device includes a control circuit configured to control the adjustable capacitor and the further adjustable capacitor.

전술된 내용은 단지 본 발명의 원리들의 실례를 들기 위한 것이며, 본 발명의 범주 및 사상으로부터 벗어나지 않고 다양한 수정이 당업자들에 의해 이루어질 수 있다.The foregoing is merely illustrative of the principles of the invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the invention.

Claims (20)

전자 디바이스 안테나 구조물로서,
안테나 접지;
상기 안테나 접지와 함께 제1 및 제2 포트들을 구비하는 제1 안테나를 형성하는 안테나 공진 요소; 및
제3 안테나 포트를 구비하는 슬롯 안테나 공진 요소를 포함하며,
상기 슬롯 안테나 공진 요소는 상기 제3 안테나 포트를 통과하는 신호를 다루는 제2 안테나를 형성하고 상기 슬롯 안테나 공진 요소는 상기 제1 안테나에 대한 기생(parasitic) 안테나 공진 요소를 형성하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.1. An electronic device antenna structure,
Antenna grounding;
An antenna resonant element forming a first antenna with first and second ports together with the antenna ground; And
A slot antenna resonant element having a third antenna port,
Wherein the slot antenna resonant element forms a second antenna for handling a signal passing through the third antenna port and the slot antenna resonant element forms a parasitic antenna resonant element for the first antenna, . 제1항에 있어서,
상기 슬롯 안테나 공진 요소는 상기 안테나 공진 요소와 상기 안테나 접지의 부분들 사이에 형성된 슬롯을 포함하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the slot antenna resonant element comprises a slot formed between the antenna resonant element and portions of the antenna ground. 제2항에 있어서,
상기 안테나 공진 요소는 주변 전도성 전자 디바이스 하우징 구조를 포함하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.3. The method of claim 2,
Wherein the antenna resonant element comprises a peripheral conductive electronic device housing structure. 제3항에 있어서,
상기 제1 안테나는 듀얼 암(dual arm) 역-F 안테나를 포함하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.The method of claim 3,
Wherein the first antenna comprises a dual arm inverted-F antenna. 제4항에 있어서,
상기 슬롯 안테나는 상기 제3 안테나 포트를 이용하여 5 ㎓ 통신 대역 내에서 무선 로컬 영역 네트워크를 송신 및 수신하도록 구성되는, 전자 디바이스 안테나 구조물.5. The method of claim 4,
Wherein the slot antenna is configured to transmit and receive a wireless local area network within a 5 GHz communication band using the third antenna port. 제4항에 있어서,
상기 슬롯 안테나 공진 요소는 2.4 ㎓에서의 상기 제1 안테나의 동작 동안 상기 제1 안테나의 상기 안테나 공진 요소에 근거리 연결되는, 전자 디바이스 안테나 구조물.5. The method of claim 4,
Wherein the slot antenna resonant element is connected close to the antenna resonant element of the first antenna during operation of the first antenna at 2.4 GHz. 제1항에 있어서,
상기 제2 안테나 포트에 연결된 대역 통과 필터를 더 포함하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.The method according to claim 1,
And a bandpass filter coupled to the second antenna port. 제1항에 있어서,
상기 제1 안테나 포트에 연결된 조정가능한 커패시터를 더 포함하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.The method according to claim 1,
And an adjustable capacitor coupled to the first antenna port. 제1항에 있어서,
상기 슬롯을 브릿지(bridge)하는 조정가능한 커패시터를 더 포함하며, 상기 조정가능한 커패시터는 상기 제1 안테나에 대한 안테나 공진을 튜닝하는 조정가능한 커패시터 값을 생산하도록 구성되고, 상기 조정가능한 커패시터는 스위칭 회로 및 복수의 고정된 커패시터들을 포함하는, 전자 디바이스 안테나 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the adjustable capacitor is configured to produce an adjustable capacitor value that tunes the antenna resonance for the first antenna, the adjustable capacitor comprising a switching circuit and an adjustable capacitor, And a plurality of fixed capacitors. 장치로서,
무선 로컬 영역 네트워크 신호, 위성 내비게이션 시스템 신호 및 셀룰러 전화 신호를 다루도록 구성된 무선-주파수 송수신기 회로;
제1, 제2 및 제3 안테나 포트들을 구비하고, 상기 제1 및 제2 안테나 포트들이 연결되는 역-F 안테나 공진 요소 및 상기 제3 안테나 포트가 연결되는 슬롯 안테나 공진 요소를 포함하는 안테나 구조물;
상기 무선-주파수 송수신기 회로와 상기 제1 안테나 포트 사이에 연결된 제1 조정가능한 커패시터; 및
상기 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 제2 조정가능한 커패시터를 포함하는, 장치.As an apparatus,
A wireless-frequency transceiver circuit configured to handle a wireless local area network signal, a satellite navigation system signal, and a cellular telephone signal;
An antenna structure having first, second and third antenna ports, the antenna structure including an in-F antenna resonant element to which the first and second antenna ports are connected, and a slot antenna resonant element to which the third antenna port is connected;
A first adjustable capacitor coupled between the radio-frequency transceiver circuit and the first antenna port; And
And a second adjustable capacitor bridging the slot antenna resonant element. 제10항에 있어서,
상기 안테나 구조물은 상기 제1 안테나 포트를 이용하여 적어도 제1 및 제2 통신 대역에서 무선-주파수 신호를 다루도록 구성되고, 상기 제1 조정가능한 커패시터는 상기 제1 통신 대역에서 안테나 공진을 튜닝하도록 구성되고, 상기 제2 조정가능한 커패시터는 상기 제2 통신 대역에서 제2 안테나 공진을 튜닝하도록 구성되며, 상기 슬롯 안테나 공진 요소는 제3 통신 대역 내의 무선-주파수 신호에 대한 슬롯 안테나를 형성하는, 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the antenna structure is configured to handle radio-frequency signals in at least first and second communication bands using the first antenna port, the first adjustable capacitor configured to tune antenna resonance in the first communication band, Wherein the second adjustable capacitor is configured to tune a second antenna resonance in the second communication band and wherein the slot antenna resonant element forms a slot antenna for radio-frequency signals in a third communication band. 제11항에 있어서,
상기 제3 통신 대역은 5 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 통신 대역을 포함하고, 상기 무선-주파수 송수신기 회로는 상기 제3 안테나 포트 및 상기 슬롯 안테나를 이용하여 5 ㎓에서의 상기 무선 로컬 영역 네트워크 통신 대역 내의 신호를 송신 및 수신하도록 구성되는 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기를 포함하고, 상기 무선-주파수 송수신기 회로는 상기 제2 안테나 포트에 연결된 위성 내비게이션 시스템 수신기를 포함하며, 상기 무선-주파수 송수신기 회로는 상기 제1 및 제2 통신 대역 내의 신호를 송신 및 수신하기 위해 상기 제1 안테나 포트에 연결된 셀룰러 전화 송수신기를 포함하는, 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the third communication band comprises a wireless local area network communication band at 5 GHz and the wireless-frequency transceiver circuit is configured to transmit the wireless local area network communication band at 5 GHz using the third antenna port and the slot antenna. Wherein the wireless-frequency transceiver circuitry includes a satellite navigation system receiver coupled to the second antenna port, wherein the radio-frequency transceiver circuitry is configured to transmit the first And a cellular telephone transceiver coupled to the first antenna port for transmitting and receiving signals within the second communication band. 전자 디바이스로서,
안테나 접지, 상기 안테나 접지와 함께 역-F 안테나를 형성하는 역-F 안테나 공진 요소 및 슬롯 안테나로서의 역할 및 상기 역-F 안테나에 대한 기생 안테나 공진 요소로서의 역할을 하는 슬롯 안테나 공진 요소를 포함하는 안테나 구조물; 및
제1 통신 대역 내의 신호를 다루도록 상기 역-F 안테나를 사용하고 제2 통신 내역 내의 신호를 다루도록 상기 슬롯 안테나를 사용하는 무선 회로를 포함하는, 전자 디바이스.As an electronic device,
Antenna antenna comprising a slot antenna resonant element serving as a parasitic antenna resonant element for the inverse-F antenna and a reverse-F antenna resonant element forming a reverse-F antenna together with the antenna ground, structure; And
And a radio circuit that uses the inverse-F antenna to handle a signal in a first communication band and uses the slot antenna to handle a signal in a second communication particulars. 제13항에 있어서,
상기 무선 회로는,
무선 로컬 영역 네트워크 송수신기; 및
상기 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기와 상기 슬롯 안테나 공진 요소 사이에 연결된 송신 라인 구조물을 포함하며,
상기 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기는 상기 슬롯 안테나가 상기 제2 통신 대역 내의 무선 로컬 영역 네트워크 신호를 다루도록 상기 슬롯 안테나 공진 요소에 직접 피드(feed)하고, 상기 무선 회로는 셀룰러 전화 송수신기 및 듀플렉서 회로를 포함하며, 상기 듀플렉서 회로는 상기 무선 로컬 영역 네트워크 송수신기에 연결된 제1 포트 및 상기 셀룰러 전화 송수신기에 연결된 제2 포트를 구비하는, 전자 디바이스.14. The method of claim 13,
The wireless circuit comprising:
A wireless local area network transceiver; And
And a transmission line structure coupled between the wireless local area network transceiver and the slot antenna resonant element,
The wireless local area network transceiver directly feeds the slot antenna resonant element such that the slot antenna handles the wireless local area network signal in the second communication band and the wireless circuit includes a cellular telephone transceiver and a duplexer circuit The duplexer circuit having a first port coupled to the wireless local area network transceiver and a second port coupled to the cellular telephone transceiver. 제14항에 있어서,
상기 듀플렉서 회로는 상기 역-F 안테나에 연결된 공유 포트를 구비하고, 상기 역-F 안테나는 제1 및 제2 안테나 포트들을 구비하며, 상기 듀플렉서 회로의 상기 공유 포트는 상기 제1 안테나 포트에 연결되는, 전자 디바이스.15. The method of claim 14,
The duplexer circuit has a shared port connected to the inverted-F antenna, the inverted-F antenna having first and second antenna ports, wherein the shared port of the duplexer circuit is coupled to the first antenna port , An electronic device. 제15항에 있어서,
상기 듀플렉서 회로의 상기 공유 포트와 상기 제1 안테나 포트 사이에 연결된 조정가능한 회로를 더 포함하고, 상기 조정가능한 회로는 상기 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성되며, 상기 조정가능한 회로는 조정가능한 커패시터를 포함하는, 전자 디바이스.16. The method of claim 15,
Further comprising: an adjustable circuit coupled between the shared port of the duplexer circuit and the first antenna port, the adjustable circuit being configured to tune the inverted-F antenna, the adjustable circuit comprising an adjustable capacitor Lt; / RTI > 제13항에 있어서,
상기 슬롯 안테나 공진 요소를 브릿지하는 조정가능한 회로를 더 포함하며, 상기 조정가능한 회로는 조정가능한 커패시터를 포함하는, 전자 디바이스.14. The method of claim 13,
Further comprising an adjustable circuit bridging the slot antenna resonant element, the adjustable circuit comprising an adjustable capacitor. 제13항에 있어서,
주변 전도성 하우징 구조를 갖는 하우징을 더 포함하며, 상기 역-F 안테나 공진 요소는 상기 주변 전도성 하우징 구조의 일부분을 포함하는, 전자 디바이스.14. The method of claim 13,
Further comprising a housing having a peripheral conductive housing structure, wherein the inverse-F antenna resonant element comprises a portion of the peripheral conductive housing structure. 제18항에 있어서,
상기 슬롯 안테나 공진 요소는 상기 주변 전도성 하우징 구조의 일부분 및 상기 안테나 접지로부터 형성된 에지들을 구비하는 슬롯을 포함하고, 상기 안테나 구조물은 상기 슬롯을 브릿지하는 조정가능한 커패시터를 더 포함하며, 상기 조정가능한 커패시터는 상기 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성되는, 전자 디바이스.19. The method of claim 18,
Wherein the slot antenna resonant element comprises a slot having a portion of the peripheral conductive housing structure and edges formed from the antenna ground, the antenna structure further comprising an adjustable capacitor bridging the slot, the adjustable capacitor Wherein the antenna is configured to tune the reverse-F antenna. 제19항에 있어서,
상기 역-F 안테나는 적어도 하나의 안테나 포트를 포함하고 상기 전자 디바이스는 상기 역-F 안테나를 튜닝하기 위해 상기 안테나 포트에 연결된 추가적인 조정가능한 커패시터를 더 포함하며, 상기 조정가능한 커패시터는 상기 제1 통신 대역에서 상기 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성되고 상기 추가적인 조정가능한 커패시터는 제3 통신 대역에서 상기 역-F 안테나를 튜닝하도록 구성되며, 상기 제1 통신 대역은 760 ㎒ 내지 960 ㎒의 통신 대역을 포함하고, 상기 제2 통신 대역은 5 ㎓에서의 무선 로컬 영역 네트워크 통신 대역을 포함하고, 상기 제3 통신 대역은 2.3 내지 2.7 ㎓의 통신 대역을 포함하며, 상기 전자 디바이스는 상기 조정가능한 커패시터 및 상기 추가적인 조정가능한 커패시터를 제어하도록 구성된 제어 회로를 더 포함하는, 전자 디바이스.20. The method of claim 19,
Wherein the inverted-F antenna comprises at least one antenna port and the electronic device further comprises an additional adjustable capacitor coupled to the antenna port for tuning the inverted-F antenna, F antenna and the further adjustable capacitor is configured to tune the reverse-F antenna in a third communication band, wherein the first communication band includes a communication band of 760 MHz to 960 MHz Wherein the second communication band includes a wireless local area network communication band at 5 GHz and the third communication band includes a communication band of 2.3 to 2.7 GHz and the electronic device further comprises a tunable capacitor and the additional Further comprising a control circuit configured to control the adjustable capacitor.
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