KR20140145845A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, capable of preventing a short in data link lines due to a transparent electrode layer remaining on a pad region, wherein the transparent electrode layer is for forming a pixel electrode. The liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention includes an active region on which a plurality of pixels are formed and an image is displayed, a plurality of first link lines which are formed on the pad region with the same layer as a plurality of gate lines which are formed on the active region, an insulation layer which is formed to cover the first link lines, a plurality of second link lines which are formed on the insulation layer of the pad region with the same layer as a source and a drain of the active region, a dummy pattern which is formed on the first link lines, a pad part which includes a plurality of pads which are connected to the first link lines and the second link lines, and a drive integrated circuit (IC) which is bonded on the pad part.

Description

액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 액정 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 픽셀 전극을 형성하기 위한 투명 전극 막이 패드 영역에 잔존함으로 인해 발생되는 데이터 링크 라인들의 쇼트 불량을 방지한 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the liquid crystal display device that prevent a short failure of data link lines caused by a transparent electrode film remaining in a pad area for forming a pixel electrode.

이동통신 단말기, 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 디스플레이 장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 증대되고 있다.As mobile electronic devices such as mobile communication terminals and notebook computers are developed, there is an increasing demand for flat panel display devices applicable thereto.

평판 디스플레이 장치로는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계 방출 디스플레이 장치(Field Emission Display Device), 발광 다이오드 디스플레이 장치(Light Emitting Diode Display Device), 유기발광 다이오드 디스플레이 장치(OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device) 등이 연구되고 있다.Examples of the flat panel display device include a liquid crystal display device, a plasma display panel, a field emission display device, a light emitting diode display device, an organic light emitting diode A display device (OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device) and the like are being studied.

이러한 평판 디스플레이 장치 중에서 액정 디스플레이 장치(LCD)는 양산 기술의 발전, 구동수단의 용이성, 저전력 소비, 고화질 구현 및 대화면 구현의 장점이 있어 휴대용으로 기기에 적합하며 적용 분야가 확대되고 있다.Among such flat panel display devices, liquid crystal display devices (LCDs) are suitable for portable devices and have a wide application field due to the development of mass production technology, ease of driving means, low power consumption, realization of high image quality and realization of large screen.

액정 디스플레이 장치는 외부로부터 입력된 영상 신호를 데이터 전압으로 변환하고, 데이터 전압에 따라 복수의 픽셀(cell)의 액정층을 투과하는 광의 투과율을 조절하여 영상 신호에 따른 화상을 표시하게 된다.The liquid crystal display device converts a video signal input from the outside into a data voltage and adjusts the transmittance of light passing through the liquid crystal layer of a plurality of pixels according to the data voltage to display an image according to the video signal.

이러한 액정 디스플레이 장치는 TFT 어레이 기판(하부 기판) 상에 TFT(thin film transistor)를 포함한 패턴들을 형성하는 공정, 컬러필터 어레이 기판 상에 컬러필터층을 포함한 각종 패턴을 형성하는 공정, TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판을 대향 합착하고, 그 사이에 액정을 주입하는 액정셀 공정 및 TFT 어레이 기판에 구동 회로부를 연결하는 모듈 공정을 수행하여 제조되게 된다.Such a liquid crystal display device includes a process of forming patterns including a TFT (thin film transistor) on a TFT array substrate (a lower substrate), a process of forming various patterns including a color filter layer on a color filter array substrate, A liquid crystal cell process in which the filter array substrate is mounted in a face-to-face manner, liquid crystal is injected therebetween, and a module process in which a driving circuit portion is connected to the TFT array substrate.

도 1은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치의 패드 영역에 형성된 데이터 링크 라인 및 패드를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a view schematically showing a liquid crystal display device according to the related art, and FIG. 2 is a view showing a data link line and a pad formed in a pad region of a liquid crystal display device according to the related art.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치(1)는 액정 패널과 구동 회로부를 포함한다. 액정 패널은 화상이 표시되는 액티브 영역(10)과 비 표시 영역을 포함한다.1 and 2, a liquid crystal display device 1 according to the related art includes a liquid crystal panel and a driving circuit. The liquid crystal panel includes an active area 10 in which an image is displayed and a non-display area.

액티브 영역(10)에는 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차하도록 형성되어 복수의 픽셀을 정의한다. 복수의 픽셀에는 TFT(thin film transistor) 및 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되어 있다.In the active area 10, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are formed so as to intersect to define a plurality of pixels. A thin film transistor (TFT) and a storage capacitor (Cst) are formed in a plurality of pixels.

액티브 영역(10)의 하단에는 패드 영역(20)이 형성되어 있으며, 패드 영역(20)에는 드라이브 IC(intergrated circuit)와 접속되어 픽셀에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 링크 라인(30) 및 패드부(40)가 형성되어 있다.A pad region 20 is formed at the lower end of the active region 10 and a plurality of data link lines 30 connected to a drive IC (integrated circuit) A pad portion 40 is formed.

도 3은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치에서 발생되는 데이터 링크 라인들의 쇼트 불량을 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram showing short defects of data link lines generated in a conventional liquid crystal display device.

도 3을 참조하면, 패드 영역(20)에 많은 수의 데이터 링크 라인(30)을 형성하기 위해서 듀얼 링크 구조로 형성한다. 여기서, 액티브 영역(10)의 소스/드레인과 동일한 레이어에 제1 링크 라인(32)이 형성되고, 액티브 영역(10)의 게이트 라인과 동일한 레이어에 제2 링크 라인(34)이 형성되어 있다. 제1 링크 라인(32)과 제2 링크 라인(34) 사이에는 게이트 절연막(gate insulator, 50)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 3, a dual-link structure is formed in order to form a large number of data link lines 30 in the pad region 20. Here, the first link line 32 is formed in the same layer as the source / drain of the active region 10, and the second link line 34 is formed in the same layer as the gate line of the active region 10. A gate insulator 50 is formed between the first link line 32 and the second link line 34.

기판 전면에 형성된 보호막 중에서 패드 영역의 일정 부분의 보호막을 오픈 시키고 드라이브 IC를 본딩 한다. 여기서, 보호막은 포토아크릴(photoacryl)로 2-3um의 두께를 가지도록 형성되는데, 드라이브 IC의 본딩 영역에 포토아크릴을 제거하여 컨택 홀을 형성한다.A protective film of a certain portion of the pad region is opened among the protective film formed on the entire surface of the substrate, and the drive IC is bonded. Here, the protective film is formed to have a thickness of 2-3 um as a photoacryl, and photoacryl is removed in the bonding area of the drive IC to form a contact hole.

이후, 보호막 상에 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 픽셀 전극을 형성한다. 이때, 컨택 홀의 경계 영역에서 포토레지스트(PR, 60)의 두께가 다른 영역보다 두꺼워져 단차가 발생하게 된다. 픽셀 전극을 형성하기 위한 포토리쏘그래피 공정을 진행한 후에 일부 포토레지스트가 잔존하게 된다.Then, a pixel electrode is formed on the passivation layer with a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide). At this time, the thickness of the photoresist (PR) 60 in the boundary region of the contact hole becomes thicker than the other region, and a step is generated. Some photoresist remains after the photolithography process for forming the pixel electrode is performed.

포토레지스트를 현상(develop)한 이후에 포토레지스트가 완전히 제가되지 않고 잔존함으로 인해 데이터 링크 라인들(30) 상에 투명 전극(70)이 잔존하게 된다. 잔존하는 투명 전극(70)으로 인해 데이터 링크 라인들(30) 중에서 소스/드레인 레이어 형성된 제1 링크 라인(32)들 간에 쇼트가 발생하는 문제점이 있다.After the photoresist develops, the transparent electrode 70 remains on the data link lines 30 because the photoresist is not completely removed and remains. There is a problem that a short circuit occurs between the first link lines 32 formed in the source / drain layer in the data link lines 30 due to the remaining transparent electrodes 70. [

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 드라이브 IC가 본딩(bonding)되는 영역의 컨택 홀 경계 영역에 투명 전극 막이 잔존함으로 인해 발생되는 데이터 링크 라인들의 쇼트 불량을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a liquid crystal display device capable of preventing a short failure of data link lines caused by a transparent electrode film remaining in a contact hole boundary region of a region where a drive IC is bonded And a method for producing the same.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 드라이브 IC를 패드 영역에 본딩(bonding)하기 위해서 패드 영역의 보호층을 제거하여 형성된 컨택 홀의 경계 영역의 단차를 줄일 수 있는 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of reducing a stepped boundary region of a contact hole formed by removing a protective layer of a pad region to bond a drive IC to a pad region The technical problem is to provide.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 드라이브 IC가 본딩되는 영역의 컨택 홀 경계 영역의 포토레지스트(PR)가 두꺼워져 투명 전극 막이 데이터 링크 라인들 상에 잔존하는 하는 것을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of preventing the transparent electrode film from remaining on the data link lines due to thickening of the photoresist PR in the contact hole boundary region in the region where the drive IC is bonded, And a manufacturing method of a display device.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 복수의 픽셀이 형성되어 화상이 표시되는 액티브 영역; 상기 액티브 영역에 형성된 복수의 게이트 라인과 동일한 레이어로 패드 영역에 형성된 복수의 제1 링크 라인; 상기 복수의 제1 링크 라인을 덮도록 형성된 절연층; 상기 액티브 영역의 소스/드레인과 동일한 레이어로 상기 패드 영역의 절연층 상에 형성된 복수의 제2 링크 라인; 상기 복수의 제1 링크 라인 상에 형성된 더미 패턴; 상기 복수의 제1 링크라인 및 상기 복수의 제2 링크 라인과 접속된 복수의 패드가 형성된 패드부; 및 상기 패드부 상에 본딩된 드라이브 IC(intergrated circuit)를 포함하는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes: an active region where a plurality of pixels are formed to display an image; A plurality of first link lines formed in the pad region in the same layer as the plurality of gate lines formed in the active region; An insulating layer formed to cover the plurality of first link lines; A plurality of second link lines formed on the insulating layer of the pad region in the same layer as the source / drain of the active region; A dummy pattern formed on the plurality of first link lines; A plurality of first link lines and a plurality of pads connected to the plurality of second link lines; And an integrated circuit (IC) bonded on the pad portion.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조방법은 액티브 영역에 복수의 게이트 라인을 형성함과 동시에 패드 영역에 복수의 제1 링크 라인을 형성하는 단계; 상기 복수의 제1 링크 라인을 덮도록 절연층을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역에 TFT(thin film transistor)의 액티브를 형성함과 동시에 상기 제1 링크 라인 상부에 제1 더미 패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역의 소스/드레인을 형성함과 동시에 상기 패드 영역의 절연층 상에 복수의 제2 링크 라인을 형성하고, 상기 제1 더미 패턴 상에 제2 더미 패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역 및 상기 패드 영역에 보호막을 형성하는 단계; 드라이브 IC가 본딩 되도록 상기 패드 영역의 보호막 중 일부를 제거하는 단계; 및 상기 액티브 영역의 보호막 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes: forming a plurality of gate lines in an active region and a plurality of first link lines in a pad region; Forming an insulating layer to cover the plurality of first link lines; Forming a thin film transistor (TFT) active in the active region and forming a first dummy pattern on the first link line; Forming source / drain regions of the active region, forming a plurality of second link lines on the insulating layer of the pad region, and forming a second dummy pattern on the first dummy pattern; Forming a protective film on the active region and the pad region; Removing a portion of the passivation layer of the pad region so that the drive IC is bonded; And forming a pixel electrode on the protective film of the active region.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법은 드라이브 IC가 본딩(bonding)되는 영역의 컨택 홀 경계 영역에 투명 전극 막이 잔존하지 않도록 하여 데이터 링크 라인들의 쇼트 불량을 방지할 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention prevent the transparent electrode film from remaining in the contact hole boundary region of the area where the drive IC is bonded so as to prevent the short circuit of the data link lines.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법은 드라이브 IC를 패드에 본딩하기 위해서 패드 영역의 보호층을 제거하여 형성된 컨택 홀의 경계 영역의 단차를 줄일 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention can reduce the step of the boundary region of the contact hole formed by removing the protective layer of the pad region in order to bond the drive IC to the pad.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조방법은 드라이브 IC가 본딩되는 영역의 컨택 홀 경계 영역의 포토레지스트(PR)를 얇게 형성하여 투명 전극 막이 데이터 링크 라인들 상에 잔존하는 하는 것을 방지할 수 있다.The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention forms the photoresist PR in the contact hole boundary region in the region where the drive IC is bonded so as to prevent the transparent electrode film from remaining on the data link lines .

이 밖에도, 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.In addition, other features and advantages of the present invention may be newly understood through embodiments of the present invention.

도 1은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치의 패드 영역에 형성된 데이터 링크 라인 및 패드를 나타내는 도면이다.
도 3은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 장치에서 발생되는 데이터 링크 라인들의 쇼트 불량을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 패드 영역에 형성된 데이터 링크 라인 및 패드를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 A1-A2 및 B1-B2 선에 따른 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.1 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device.
2 is a view showing a data link line and a pad formed in a pad region of a liquid crystal display device according to the related art.
FIG. 3 is a diagram showing short defects of data link lines generated in a conventional liquid crystal display device.
4 is a view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a data link line and a pad formed in a pad region of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 and B1-B2 shown in Fig. 5;
FIGS. 7 to 9 are views showing a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 패드 영역에 형성된 데이터 링크 라인 및 패드를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view illustrating a data link line and a pad formed in a pad region of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 액정 디스플레이 장치(100)는 액정 패널과 구동 회로부를 포함한다. 액정 패널은 화상이 표시되는 액티브 영역(100)과 비 표시 영역을 포함한다.4 and 5, the liquid crystal display device 100 includes a liquid crystal panel and a driving circuit. The liquid crystal panel includes an active area 100 in which an image is displayed and a non-display area.

액티브 영역(110)에는 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차하도록 형성되어 복수의 픽셀을 정의한다. 복수의 픽셀에는 TFT(thin film transistor) 및 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되어 있다. TFT는 상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들이 교차되는 영역에 형성된다. 또한, 복수의 픽셀 각각은 공통 전극(Vcom electrode) 및 픽셀 전극(pixel electrode)을 포함한다.In the active region 110, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are formed to intersect to define a plurality of pixels. A thin film transistor (TFT) and a storage capacitor (Cst) are formed in a plurality of pixels. A TFT is formed in a region where the data lines and the gate lines intersect. In addition, each of the plurality of pixels includes a common electrode (Vcom electrode) and a pixel electrode.

액티브 영역(110)의 하단에는 패드 영역(120)이 형성되어 있으며, 패드 영역(120)에는 드라이브 IC와 접속되어 픽셀에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 링크 라인(30) 및 드라이브 IC가 본딩되는 패드부(140)가 형성되어 있다.A plurality of data link lines 30 for supplying a data voltage to the pixels and a plurality of data lines 30 connected to the drive IC are formed on the pad region 120. The plurality of data link lines 30, The pad portion 140 is formed.

복수의 데이터 링크 라인(130)은 듀얼 링크 구조로 형성되어 있으며, 복수의 제1 링크 라인(132)은 액티브 영역에 형성된 게이트 라인(TFT의 게이트)과 동일 레이어에 형성되어 있다. 그리고, 복수의 제2 링크 라인(134)은 액티브 영역에 형성된 데이터 라인(TFT의 소소/드레인)과 동일 레이어에 형성되어 있다.The plurality of data link lines 130 are formed in a dual-link structure, and the plurality of first link lines 132 are formed in the same layer as the gate lines (gates of the TFTs) formed in the active region. The plurality of second link lines 134 are formed on the same layer as the data lines (source / drain of the TFTs) formed in the active region.

기판 전면에 형성된 보호막(160) 중에서 패드 영역의 일정 부분의 보호막(160)을 오픈 시키고 드라이브 IC를 본딩 한다. 여기서, 보호막(160)은 포토아크릴(photoacryl)로 2-3um의 두께를 가지도록 형성되는데, 드라이브 IC의 본딩 영역에 포토아크릴을 제거하여 컨택 홀을 형성한다.The protective layer 160 of the pad region is opened and the drive IC is bonded to the protective layer 160 formed on the entire surface of the substrate. Here, the passivation layer 160 is formed to have a thickness of 2-3 .mu.m with a photoacryl. The photoresist is removed from the bonding area of the drive IC to form a contact hole.

액티브 영역(110)에 형성된 복수의 데이터 라인과 패드 영역(120)에 형성된 복수의 데이터 링크 라인(130)은 연결되며, 패드부(140)에 드라이브 IC가 본딩되어 액티브 영역(110)의 데이터 라인에 데이터 전압이 공급되게 된다.A plurality of data lines formed in the active area 110 and a plurality of data link lines 130 formed in the pad area 120 are connected to each other and a drive IC is bonded to the pad part 140, And the data voltage is supplied to the data lines.

본 발명에서는 보호막(160)을 제거하여 형성된 컨택 홀 영역에서 투명 전극이 잔존하여 소스/드레인 레이어에 형성된 제2 링크 라인(134)들이 쇼트되는 것을 방지하기 위해서, 제1 링크 라인(132) 상부에 더미 패턴(180)을 형성한다.In order to prevent shorting of the second link lines 134 formed on the source / drain layer due to the remaining transparent electrodes in the contact hole regions formed by removing the protective layer 160, Dummy patterns 180 are formed.

여기서, 더미 패턴(180)은 아일랜드(island) 패턴으로써 별도로 신호가 인가되지 않고, 다른 구성들과 연결되지 않는다. 더미 패턴(180)은 보호막(160)이 제거되어 형성된 컨택 홀의 경계 부분에 형성되는데, 더미 패턴(180)의 일부는 컨택 홀에 의해 노출된다.Here, the dummy pattern 180 is an island pattern, and no signal is applied, and it is not connected to other structures. The dummy pattern 180 is formed at the boundary portion of the contact hole formed by removing the protective film 160, and a part of the dummy pattern 180 is exposed by the contact hole.

도 6은 도 5에 도시된 A1-A2 및 B1-B2 선에 따른 단면도이다.Fig. 6 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 and B1-B2 shown in Fig. 5;

도 6을 참조하면, 더미 패턴(180)은 액티브 패턴(182)과 소스/드레인 패턴(184)으로 구성되며, 별도의 제조 공정을 추가하여 형성되는 것은 아니다.Referring to FIG. 6, the dummy pattern 180 includes an active pattern 182 and a source / drain pattern 184, and is not formed by adding a separate manufacturing process.

더미 패턴(180)의 액티브 패턴(182)은 액티브 영역의 TFT을 형성할 때 액티브를 형성하기 위한 반도체층의 패턴을 제1 링크 라인(132) 상에 잔존시켜 형성한다.The active pattern 182 of the dummy pattern 180 forms a pattern of the semiconductor layer for forming an active when the TFT of the active region is formed so as to remain on the first link line 132. [

더미 패턴(180)의 소스/드레인 패턴(184)은 액티브 영역의 데이터 라인 및 TFT의 소스/드레인을 형성할 때 기판 전면에 증착된 메탈층을 제1 링크 라인(132) 상에 잔존시켜 형성한다. 제1 링크 라인(132) 상에는 게이트 절연막(150)이 형성되고, 게이트 절연막(150) 상에 제2 링크 라인(134)이 형성된다.The source / drain pattern 184 of the dummy pattern 180 is formed by leaving a metal layer deposited on the entire surface of the substrate on the first link line 132 when forming the data line of the active region and the source / drain of the TFT . A gate insulating film 150 is formed on the first link line 132 and a second link line 134 is formed on the gate insulating film 150.

보호막(160)이 제거되어 형성된 컨택 홀의 경계 영역에서 게이트 라인 레이어에 형성된 제1 링크 라인(132) 상부에 더미 패턴(180)을 형성하여 소스/드레인 레이어에 형성된 제2 링크 라인(134)들 사이에 단차가 생기도록 한다.A dummy pattern 180 is formed on the first link line 132 formed on the gate line layer in the boundary region of the contact hole formed by removing the protective film 160 to form a dummy pattern 180 between the second link lines 134 formed on the source / So that a step is created.

이와 같이, 더미 패턴(180)에 의해 제2 링크 라인(134)들 사이에 단차를 형성하면, 제1 링크 라인(132)과 중첩된 부분은 픽셀 전극을 형성기 위한 제조 공정 중에 코팅되는 포토레지스트의 높이가 낮아지게 된다.As described above, when the dummy pattern 180 forms a step between the second link lines 134, a portion overlapped with the first link line 132 is formed in the portion of the photoresist coated in the manufacturing process for forming the pixel electrode The height becomes lower.

즉, 제1 링크 라인(132) 및 더미 패턴(180)이 중첩된 영역은 단차가 다른 영역보다 높기 때문에 다른 영역보다 포토레지스트의 두께가 얇아지게 되고, 포토레지스트를 현상한 이후에 잔여 막이 발생되지 않게 된다.That is, since the area where the first link line 132 and the dummy pattern 180 are overlapped is higher than the other area, the thickness of the photoresist is thinner than that of other areas, and the remaining film is not generated after the development of the photoresist .

따라서, 제1 링크 라인(132) 상부에는 픽셀 전극을 형성하기 위해 도포된 투명 전극(170)이 잔존하지 않아 소스/드레인 레이어에 형성된 제2 링크 라인(134)들이 쇼트되는 불량이 발생하지 않는다.Therefore, the transparent electrode 170 applied to form the pixel electrode does not remain on the first link line 132, and the second link lines 134 formed on the source / drain layer are not short-circuited.

이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 설명한다. 도 7 내지 도 9는 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 7 to 9 are views showing a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 액티브 영역에서 글래스 기판 상에 전기 전도성이 높은 금속 물질 예로서, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)을 증착시킨 후, 패터닝하여 게이트 라인 및 TFT의 게이트(136)를 형성한다. 이와 함께, 패드 영역에서 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 제1 링크 라인을 형성한다.7, aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), or molybdenum-titanium alloy (MoTi) is deposited on a glass substrate in an active region, Thereby forming the gate line and the gate 136 of the TFT. At the same time, the first link line is formed of aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), or molybdenum-titanium alloy (MoTi) in the pad region.

이후, 기판 전면을 덮도록 SiO2 또는 SiNx 물질로 게이트 절연막(150)을 형성한다. 다른 예로서, 게이트 절연막(150)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성할 수 있다.Thereafter, SiO 2 Or the gate insulating film 150 is formed of SiNx material. As another example, the gate insulating layer 150 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by CVD (Chemical Vapor Deposition).

이어서, 도 8을 참조하면, 게이트 상부에 반도체 물질을 증착시켜 반도체층 형성한다. 비정질 실리콘(a-Si: amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon), 금속 산화물(metal oxide)로 반도체층을 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 8, a semiconductor material is deposited on the gate to form a semiconductor layer. A semiconductor layer can be formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, low temperature polysilicon (LTPS), or metal oxide.

이후, 반도체층 상부에 전기 전도성이 높은 금속 물질 예로서, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)을 증착시킨다.Then, aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), or molybdenum-titanium alloy (MoTi) is deposited on the semiconductor layer with a high electrical conductivity.

이후, 액티브 영역에서 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정, 식각 공정 및 애싱 공정을 수행하여 게이트와 중첩되는 영역에 TFT의 액티브(181)를 형성한다. 그리고, 액티브 영역(110)에 복수의 데이터 라인을 형성함과 아울러, 액티브(181) 상에 TFT의 소스(183)와 드레인(185)을 형성한다.Thereafter, a photolithography process using a mask, an etching process, and an ashing process are performed in the active region to form an active portion 181 of the TFT in a region overlapping the gate. A plurality of data lines are formed in the active region 110 and a source 183 and a drain 185 of the TFT are formed on the active region 181.

이와 함께, 패드 영역에서 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정, 식각 공정 및 애싱 공정을 수행하여 복수의 제2 링크 라인(134)을 형성한다. 이때, 제2 링크 라인(134)은 액티브 영역(110)의 소스/드레인과 동일한 레이어에 형성된다.In addition, a plurality of second link lines 134 are formed by performing a photolithography process, an etching process, and an ashing process using a mask in the pad region. At this time, the second link line 134 is formed on the same layer as the source / drain of the active region 110.

이와 함께, 패드 영역에서 제1 링크 라인(132)과 중첩되는 영역에 더미 패턴(180)을 형성한다.At the same time, a dummy pattern 180 is formed in an area overlapping the first link line 132 in the pad area.

더미 패턴(180)은 소스/드레인 레이어에 형성되는 제2 링크 라인(134)들이 쇼트되는 것을 방지하기 위해서 제1 링크 라인(132)과 중첩되는 영역에 형성되는 것으로, 액티브 패턴(182) 및 소스/드레인 패턴(184)을 포함한다.The dummy pattern 180 is formed in an area overlapping with the first link line 132 to prevent shorting of the second link lines 134 formed in the source / drain layer. The active pattern 182 and the source / Drain pattern 184.

더미 패턴(180)은 아일랜드(island) 패턴으로 보호막(160)이 제거되어 형성된 컨택 홀의 경계 부분에 형성된다. 더미 패턴(180)의 일부는 컨택 홀에 의해 노출된다.The dummy pattern 180 is formed in a boundary portion of the contact hole formed by removing the protective film 160 in an island pattern. A portion of the dummy pattern 180 is exposed by the contact holes.

더미 패턴(180)의 액티브 패턴(182)은 액티브 영역의 TFT을 형성할 때 액티브를 형성하기 위한 반도체층의 패턴을 제1 링크 라인(132) 상에 잔존시켜 형성한다.The active pattern 182 of the dummy pattern 180 forms a pattern of the semiconductor layer for forming an active when the TFT of the active region is formed so as to remain on the first link line 132. [

더미 패턴(180)의 소스/드레인 패턴(184)은 액티브 영역의 데이터 라인 및 TFT의 소스/드레인을 형성할 때 기판 전면에 증착된 메탈층을 제1 링크 라인(132) 상에 잔존시켜 형성한다.The source / drain pattern 184 of the dummy pattern 180 is formed by leaving a metal layer deposited on the entire surface of the substrate on the first link line 132 when forming the data line of the active region and the source / drain of the TFT .

이이서, 도 9를 참조하면, 글래스 기판 전면에 포토아크릴을 도포하여 액티브 영역(110) 및 패드 영역(120)을 덮도록 2-3um의 두께로 보호막(160)을 형성한다.Referring to FIG. 9, a protective film 160 is formed to a thickness of about 2 .mu.m so as to cover the active region 110 and the pad region 120 by applying photoacryl on the entire surface of the glass substrate.

이후, 액티브 영역에서 TFT의 드레인(185)이 노출되도록 보호막(160)을 제거하여 컨택 홀을 형성한다.Then, the protective film 160 is removed to form the contact hole so that the drain 185 of the TFT is exposed in the active region.

이후, 보호막(160) 상에 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 픽셀 전극(175)을 형성한다. 예로서, 보호막(160) 상에 ITO와 같은 투명 전도성 물질은 전면에 증착시킨 후, 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정, 식각 공정 및 애싱 공정을 수행하여 액티브 영역의 각 픽셀에 픽셀 전극(175)을 형성한다.Then, a pixel electrode 175 is formed on the passivation layer 160 with a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). For example, a transparent conductive material such as ITO is deposited on the passivation layer 160, and then a photolithography process, an etching process, and an ashing process using a mask are performed to form a pixel electrode 175 in each pixel of the active region .

이와 함께, 드라이브 IC를 패드 영역에 본딩하기 위해서, 패드부(140) 상에 형성된 보호막(160)의 일부를 제거하여 컨택 홀을 형성한다.At the same time, in order to bond the drive IC to the pad region, a part of the protective film 160 formed on the pad portion 140 is removed to form a contact hole.

보호막(160)이 제거되어 형성된 컨택 홀의 경계 영역에서 액티브 영역(110)의 게이트 라인 레이어에 형성된 제1 링크 라인(132) 상부에 더미 패턴(180)을 형성하여 소스/드레인 레이어에 형성된 제2 링크 라인(134)들 사이에 단차가 생기도록 한다.A dummy pattern 180 is formed on the first link line 132 formed in the gate line layer of the active region 110 in the boundary region of the contact hole formed by removing the protective film 160 to form a second link Thereby causing a step between the lines 134.

이와 같이, 더미 패턴(180)에 의해 제2 링크 라인(134)들 사이에 단차를 형성시켜, 픽셀 전극을 형성기 위한 제조 공정 중에 코팅되는 포토레지스트의 높이가 제1 링크 라인(132)과 중첩된 부분에서 낮아지게 한다.In this way, a step is formed between the second link lines 134 by the dummy pattern 180, so that the height of the photoresist coated during the manufacturing process for forming the pixel electrode overlaps with the first link line 132 To be lowered.

제1 링크 라인(132) 및 더미 패턴(180)이 중첩된 영역은 단차가 다른 영역보다 높기 때문에 다른 영역보다 포토레지스트의 두께가 얇아지게 되고, 포토레지스트를 현상한 이후에 잔여 막이 발생되지 않게 된다.The region where the first link line 132 and the dummy pattern 180 are overlapped is higher than the other region because the step difference is higher than that of the other regions, so that the thickness of the photoresist is thinner than that of the other regions, .

따라서, 픽셀 전극을 형성하기 위해 도포된 투명 전극(170)이 제2 링크 라인(134) 상부에는 일부 잔존할 수 있다. 그러나, 제1 링크 라인(132) 상부에는 투명 전극(170)이 잔존하지 않아 소스/드레인 레이어에 형성된 제2 링크 라인(134)들이 쇼트되는 불량을 방지한다.Therefore, a part of the transparent electrode 170 applied to form the pixel electrode may remain on the second link line 134. However, since the transparent electrode 170 does not remain on the first link line 132, the second link lines 134 formed on the source / drain layer are prevented from being short-circuited.

상술한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법은 드라이브 IC를 패드에 본딩하기 위해서 패드 영역의 보호층을 제거하여 형성된 컨택 홀의 경계 영역의 단차를 줄일 수 있다. 그리고, 드라이브 IC가 본딩되는 영역의 컨택 홀 경계 영역의 포토레지스트를 얇게 형성하여 투명 전극 막이 데이터 링크 라인들 상에 잔존하는 하는 것을 방지한다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention can reduce the step of the boundary region of the contact hole formed by removing the protective layer of the pad region in order to bond the drive IC to the pad. Then, the photoresist in the contact hole boundary region of the region where the drive IC is bonded is thinned to prevent the transparent electrode film from remaining on the data link lines.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 액정 디스플레이 장치 110: 액티브 영역
120: 패드 영역 130: 데이터 링크 라인
132: 제1 링크 라인 134: 제2 링크 라인
140: 패드부 142: 패드
150: 게이트 절연막 160: 보호막
170: 투명 전극 175: 픽셀 전극
180: 더미 패턴 181: 액티브
182: 액티브 패턴 183: 소스
184: 소스/드레인 패턴 185: 드레인100: liquid crystal display device 110: active area
120: pad area 130: data link line
132: first link line 134: second link line
140: pad part 142: pad
150: gate insulating film 160: protective film
170: transparent electrode 175: pixel electrode
180: dummy pattern 181: active
182: active pattern 183: source
184: source / drain pattern 185: drain

Claims (8)

복수의 픽셀이 형성되어 화상이 표시되는 액티브 영역;
상기 액티브 영역에 형성된 복수의 게이트 라인과 동일한 레이어로 패드 영역에 형성된 복수의 제1 링크 라인;
상기 복수의 제1 링크 라인을 덮도록 형성된 절연층;
상기 액티브 영역의 소스/드레인과 동일한 레이어로 상기 패드 영역의 절연층 상에 형성된 복수의 제2 링크 라인;
상기 복수의 제1 링크 라인 상에 형성된 더미 패턴;
상기 복수의 제1 링크라인 및 상기 복수의 제2 링크 라인과 접속된 복수의 패드가 형성된 패드부; 및
상기 패드부 상에 본딩된 드라이브 IC(intergrated circuit)를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.An active area where a plurality of pixels are formed to display an image;
A plurality of first link lines formed in the pad region in the same layer as the plurality of gate lines formed in the active region;
An insulating layer formed to cover the plurality of first link lines;
A plurality of second link lines formed on the insulating layer of the pad region in the same layer as the source / drain of the active region;
A dummy pattern formed on the plurality of first link lines;
A plurality of first link lines and a plurality of pads connected to the plurality of second link lines; And
And a drive IC (integrated circuit) bonded on the pad portion. 제1 항에 있어서,
상기 더미 패턴은 상기 액티브 영역에 형성된 TFT(thin film transistor)의 반도체층과 함께 형성된 액티브 패턴 및 상기 TFT의 소스/드레인과 함께 형성된 소스/드레인 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the dummy pattern includes an active pattern formed together with a semiconductor layer of a thin film transistor (TFT) formed in the active region, and a source / drain pattern formed together with the source / drain of the TFT. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 제1 링크 라인 상부에 상기 더미 패턴을 형성하여, 상기 복수의 제1 링크 라인과 상기 복수의 제2 링크 라인 간에 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the dummy pattern is formed on the plurality of first link lines so that a step is formed between the plurality of first link lines and the plurality of second link lines. 제1 항에 있어서,
상기 더미 패턴은 아일랜드 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the dummy pattern is formed in an island pattern. 액티브 영역에 복수의 게이트 라인을 형성함과 동시에 패드 영역에 복수의 제1 링크 라인을 형성하는 단계;
상기 복수의 제1 링크 라인을 덮도록 절연층을 형성하는 단계;
상기 액티브 영역에 TFT(thin film transistor)의 액티브를 형성함과 동시에 상기 제1 링크 라인 상부에 제1 더미 패턴을 형성하는 단계;
상기 액티브 영역의 소스/드레인을 형성함과 동시에 상기 패드 영역의 절연층 상에 복수의 제2 링크 라인을 형성하고, 상기 제1 더미 패턴 상에 제2 더미 패턴을 형성하는 단계;
상기 액티브 영역 및 상기 패드 영역에 보호막을 형성하는 단계;
드라이브 IC가 본딩 되도록 상기 패드 영역의 보호막 중 일부를 제거하는 단계; 및
상기 액티브 영역의 보호막 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조방법.Forming a plurality of gate lines in the active region and forming a plurality of first link lines in the pad region;
Forming an insulating layer to cover the plurality of first link lines;
Forming a thin film transistor (TFT) active in the active region and forming a first dummy pattern on the first link line;
Forming source / drain regions of the active region, forming a plurality of second link lines on the insulating layer of the pad region, and forming a second dummy pattern on the first dummy pattern;
Forming a protective film on the active region and the pad region;
Removing a portion of the passivation layer of the pad region so that the drive IC is bonded; And
And forming a pixel electrode on the passivation layer of the active region. 제5 항에 있어서,
상기 액티브 영역의 게이트와 동일한 레이어에 상기 제1 더미 패턴을 형성하고,
상기 액티브 영역의 소스/드레인과 동일한 레이어에 상기 제2 더미 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
The first dummy pattern is formed on the same layer as the gate of the active region,
And the second dummy pattern is formed on the same layer as the source / drain of the active region. 제5 항에 있어서,
상기 복수의 제1 링크 라인 상부에 상기 제1 더미 패턴과 제2 더미패턴을 형성하여, 상기 복수의 제1 링크 라인과 상기 복수의 제2 링크 라인 간에 단차를 형성시키는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein the first dummy pattern and the second dummy pattern are formed on the plurality of first link lines to form a step between the plurality of first link lines and the plurality of second link lines. ≪ / RTI > 제5 항에 있어서,
상기 더미 패턴을 아일랜드 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein the dummy pattern is formed in an island pattern.
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