KR20140141307A - Method of manufacturing an organic light emitting device using the spin coating - Google Patents

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KR20140141307A
KR20140141307A KR20130062918A KR20130062918A KR20140141307A KR 20140141307 A KR20140141307 A KR 20140141307A KR 20130062918 A KR20130062918 A KR 20130062918A KR 20130062918 A KR20130062918 A KR 20130062918A KR 20140141307 A KR20140141307 A KR 20140141307A
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Abstract

The present invention relates to an organic light-emitting device, and more particularly, to an organic light-emitting device including an organic light-emitting layer formed using spin coating. The feature of the present invention is to pre-coat a solvent material before forming an organic light-emitting layer. In this way, defects can be reduced by removing foreign substances generated during movement for the progress of a process, and a coating material can be uniformly coated by reducing a surface friction between a substrate and an organic material coated on the substrate or between organic and inorganic materials. Therefore, a bank having a desired line width can be formed, thereby increasing an aperture ratio and an emission luminance. In addition, the organic light-emitting layer can be formed to have a uniform thickness. Since a height difference between a central portion and an edge portion is reduced, a difference in emission amount does not occur and thus a spot removal effect can be obtained. In particular, due to the reduction in the surface friction between the substrate and the organic material coated on the substrate or between the organic and inorganic materials, the coating process can be performed with the minimum portions of both surfaces, thereby achieving the cost reduction.

Description

스핀코팅을 이용한 유기발광소자 제조방법{Method of manufacturing an organic light emitting device using the spin coating}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device using spin coating,

본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로, 스핀코팅을 이용한 유기발광소자 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting device using spin coating.

현재 유기발광소자(OLED : Organic electro luminescent emitting device)는 자기발광(self-illuminating) 특성이 있고, 시야각이 자유롭고, 에너지가 절약되는 소자이다. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] Organic electro luminescent devices (OLEDs) are now self-illuminating, free of viewing angles, and energy-saving devices.

더욱이 낮은 생산 비용, 제조 용이성, 낮은 작동 온도, 신속한 응답 및 풀 컬러화(full coloration)와 같은 다른 이점들도 있어 차세대 평판 디스플레이 소자로의 대체가 가능하다.Furthermore, other advantages such as lower production cost, ease of manufacture, lower operating temperature, faster response and full coloration are possible to replace with next generation flat panel display devices.

이하, 도1을 참조하여 유기발광소자의 구성을 개략적으로 설명한다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting device will be schematically described with reference to FIG.

도시한 바와 같이, 유기발광소자(10)는 투명한 제 1 기판(12)의 상부에 박막트렌지스터(T)어레이부(14)와, 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)의 상부에 제 1 전극(16)과 유기 발광층(18)과 제 2 전극(20)으로 구성된다.The organic light emitting device 10 includes a thin film transistor array unit 14 on a transparent first substrate 12 and a first electrode 16 on the thin film transistor array unit 14, An organic light emitting layer 18, and a second electrode 20.

여기서, 제 1 전극과 제 2 전극 그리고 유기발광층은 유기발광다이오드를 이루게 된다.Here, the first electrode, the second electrode, and the organic light emitting layer form an organic light emitting diode.

이 때, 상기 유기 발광층(18)은 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러를 표현하게 되는데 일반적인 방법으로는 상기 각 화소(P)마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패터닝 또는 프린팅하여 사용한다.In this case, the organic light emitting layer 18 displays colors of red (R), green (G) and blue (B). In general, the organic light emitting layer 18 emits red, Is used by patterning or printing.

상기 제 1 기판(12)이 흡습제(22)가 부착된 제 2 기판(28)과 실런트(26)를 통해 합착됨으로써 캡슐화 된 유기 전계 발광 소자(10)이 완성된다.The encapsulated organic electroluminescent device 10 is completed by bonding the first substrate 12 to the second substrate 28 on which the moisture absorbent 22 is attached through the sealant 26.

전술한 구성에서, 상기 유기발광소자의 유기 발광층(18)을 형성하는 방법은 다양하게 시도될 수 있으며, 일례로 스핀 코팅 방법에 의해 형성될 수 있다.In the above-described configuration, the method of forming the organic light emitting layer 18 of the organic light emitting device may be variously attempted, for example, by spin coating.

일반적으로 스핀 코팅 방법은 기판 상에 포토 레지스트와 같은 코팅액을 공급하고, 기판을 지지하고 있는 지지대를 고속으로 회전시켜 균일한 두께의 코팅층을 형성시키는 방법을 일컫는다.In general, the spin coating method refers to a method of supplying a coating liquid such as a photoresist onto a substrate, and rotating a support supporting the substrate at a high speed to form a coating layer having a uniform thickness.

유기 발광층(18)을 스핀 코팅 방법을 이용하여 형성하기 위해서는, 각 화소의 가장자리를 나뉘어 정의하는 격벽 또는 뱅크(이하 뱅크라 칭함)가 필수적으로 형성되어야 한다. 일반적으로 스핀 코팅은 회전운동을 하며 이를 통해 유기 물질이 가판상에 도포된다. In order to form the organic light emitting layer 18 using a spin coating method, partition walls or banks (hereinafter, referred to as banks) defining the edges of the respective pixels should be necessarily formed. Generally, the spin coating rotates, and the organic material is applied on the plate.

이때 유기물질은 일반적으로 노즐로 적하시키거나, 블레이드형 노즐을 이용하여 적하시켜 도포 할 수도 있다.At this time, the organic material may be generally dropped by a nozzle or may be applied by dropping using a blade-type nozzle.

뱅크의 형성은 포토리소그래피법, 인쇄법 등 임의의 방법으로 행할 수 있다.Formation of the bank can be performed by any method such as photolithography or printing.

예를들면, 포토리소그래피법을 사용하는 경우는 스프레이코팅 등의 소정의 방법으로 형성하고자 하는 뱅크의 두께에 맞춰서 유기 또는 무기재료를 도포하고, 그 위에 포토 레지스트를 도포한다.For example, when the photolithography method is used, an organic or inorganic material is applied according to the thickness of a bank to be formed by a predetermined method such as spray coating, and a photoresist is coated thereon.

그리고, 뱅크 형상에 맞춰서 마스크를 사용하여 포토 레지스트를 노광, 현상하는 것에 의해서 포토 레지스트를 남긴다. Then, the photoresist is exposed and developed using a mask in accordance with the shape of the bank, thereby leaving the photoresist.

마지막으로 에칭하여 마스크 이외의 부분의 유기 또는 무기재료를 제거하여 뱅크를 형성하게 된다.Finally, organic or inorganic materials other than the mask are removed by etching to form banks.

한편, 이러한 기존 방식의 경우 유기발광소자를 구성하기 위한 공정 진행을 위해 후공정으로 이동하는 과정에서, 발생되는 잠재적인 이물이 부착되는 불량에 대한 대책이 구비되지 않아 유기 발광층을 형성하는데 있어서 불량률을 상승시키는 단점이 있다. Meanwhile, in the case of this conventional method, there is no countermeasure against badness of adherence of a potential foreign substance in the process of moving to a post-process in order to progress the process for constituting an organic light emitting device, so that a defect rate .

또한, 이물로 인해 기판과 기판상에 도포되는 유기물질 간의 표면마찰력이 상승하여, 기판상에 유기물질이 고르게 도포되지 않아 기준치 이상의 유기물질을 도포하게 되고, 이를 통해 원가가 상승하게 되는 문제점이 있다.In addition, the surface friction between the substrate and the organic material coated on the substrate increases due to the foreign matter, and the organic material is not evenly coated on the substrate, so that the organic material is coated over the reference value, thereby increasing the cost .

또한, 유기물질이 잘 퍼져나가지 못하므로 적하 시키는 위치에 따라(예를 들어 기판 중심부에 물질을 적하 하였을 때에, 기판 중심부에 도포되는 유기물질의 두께가 높고 가장 자리는 낮아지는 형상) 기판 상에 도포되는 유기물질의 평탄도의 균일성(Uniformity)이 떨어지게 된다.In addition, since the organic material does not easily spread out, the organic material applied on the central portion of the substrate may have a high thickness and a lowermost position depending on the position where the organic material is dripped (for example, The uniformity of the flatness of the organic material becomes poor.

이와 같이, 평탄도의 균일성이 떨어진 상태에서 뱅크를 형성 할 경우 기판 중심부와 가장자리에서 발생되는 유기물질의 높이차이가 포토리소그래픽법에 의해 노광, 식각 된다 하더라도 보완되지 못해, 이를 보완시키고자 선폭을 넓히게 된다.In this way, when the bank is formed in a state in which the uniformity of the flatness is deteriorated, even if the height difference of the organic material generated at the center and the edge of the substrate is exposed and etched by the photolithographic method, .

이는 결국 개구율을 축소시키게 되고 각 화소별 위치 차이를 발생시키게 된다. As a result, the aperture ratio is reduced and the positional difference is generated for each pixel.

또는, 유기 발광층의 경우 기판 중심부와 가장자리의 높이차이가 영역간 발광량의 차이로 화상에서는 얼룩과 같은 현상이 발생하게 된다.Alternatively, in the case of the organic light emitting layer, a difference in the height between the center of the substrate and the edge causes a phenomenon such as spots in the image due to the difference in the amount of light emission between regions.

도 2a내지 2b는 기존 스핀코팅 방식으로 형성된 뱅크의 선폭과 유기 발광층의 두께분포를 나타낸 분포도이다.FIGS. 2A and 2B are distribution diagrams showing a line width of a bank formed by a conventional spin coating method and a thickness distribution of an organic light emitting layer.

도2a 기존 스핀코팅 방식으로 형성된 뱅크의 선폭을 측정한 실험결과로, 선포 분포의 측정범위는 35 ±3μm이다. As a result of measuring the line width of the bank formed by the conventional spin coating method, the measurement range of the proclamation distribution is 35 3 m.

제 1 장축을 기준으로 제 1단축과 제 2 단축 사이의 선폭은 33 내지 34μm , 제 2 단축과 제 3단축 사이의 선폭은 33.5 내지 34μm , 제 3단축과 제 4 단축 사이의 선폭은 32.5 내지 34μm 를 보이고 있다.The line width between the first short axis and the second minor axis is 33 to 34 mu m, the line width between the second minor axis and the third minor axis is 33.5 to 34 mu m, the line width between the third minor axis and the fourth minor axis is 32.5 to 34 mu m Respectively.

제 2 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 선폭은 33 내지 34.5μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 선폭은 34 내지 34.5μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 선폭은 33 내지 34.5μm를 보이고 있다.The line width between the first minor axis and the second minor axis is 33 to 34.5 m, the line width between the second minor axis and the third minor axis is 34 to 34.5 m, the line width between the third minor axis and the fourth minor axis is 33 To 34.5 mu m.

제 3 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 선폭은 32.5 내 지 33μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 선폭은 32.5 내지 33.5μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 선폭은 32.5 내지 33.5μm를 보이고 있다.The linewidth between the first short axis and the second short axis is 32.5 mm and 33 μm, the line width between the second short axis and the third minor axis is 32.5 to 33.5 μm, the line width between the third short axis and the fourth short axis is 32.5 To 33.5 mu m.

제 1 단축을 기준으로 제 1장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 32.5 내지 33.5μm를 보이고 있다.The line width between the first major axis and the third major axis is 32.5 to 33.5 mu m on the basis of the first minor axis.

제 2 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 32.5 내지 34.5μm를 보이고 있다.And the line width between the first major axis and the third major axis is 32.5 to 34.5 m based on the second minor axis.

제 3 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 33 내지 34.5μm를 보이고 있다.And the line width between the first major axis and the third major axis is 33 to 34.5 占 퐉 based on the third minor axis.

제 4 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 32.5 내지 34μm를 보이고 있다.The line width between the first major axis and the third major axis is 32.5 to 34 占 퐉 based on the fourth minor axis.

장축 및 단축의 구역별로 각기 상이한 측정치를 보이고 있고, 이에 대한 균일성은 2.6%로 균일하지 않다는 것을 보여주고 있다.Different measurements are shown for each of the major axis and minor axis, and the uniformity thereof is 2.6%, which is not uniform.

도 2b는 기존 스핀코팅 방식으로 형성된 유기 발광층의 두께를 측정한 실험결과로, 두께 분포의 측정범위는 1.05 내지 1.18μm이다.FIG. 2B is a result of an experiment in which the thickness of the organic light emitting layer formed by the conventional spin coating method is measured. The measurement range of the thickness distribution is 1.05 to 1.18 μm.

제 1 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.1625μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first minor axis and the second minor axis is 1.09 to 1.135 m, the thickness between the second minor axis and the third minor axis is 1.1075 to 1.1625 m, the thickness between the third minor axis and the fourth minor axis is 1.1075 To 1.135 m.

제 2 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.19μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 두께는 1.1625 내지 1.19μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.19μm를 보이고 있다.The thickness between the first minor axis and the second minor axis is 1.1075 to 1.19 m, the thickness between the second minor axis and the third minor axis is 1.1625 to 1.19 m, the thickness between the third minor axis and the fourth minor axis is 1.1075 To 1.19 m.

제 3 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.1625μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 두께는 1.135 내지 1.1625μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.1625μm를 보이고 있다.The thickness between the first minor axis and the second minor axis is 1.09 to 1.1625 m, the thickness between the second minor axis and the third minor axis is 1.135 to 1.1625 m, the thickness between the third minor axis and the fourth minor axis is 1.09 To 1.1625 m.

제 1 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is 1.09 to 1.135 m based on the first minor axis.

제 2 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.19μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is 1.1075 to 1.19 占 퐉 based on the second minor axis.

제 3 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.135 내지 1.19μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is from 1.135 to 1.19 占 퐉 based on the third minor axis.

제 4 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is from 1.09 to 1.135 m based on the fourth minor axis.

장축 및 단축이 구별별로 각기 상이한 측정치를 보이고 있고, 이에 대한 균일성은 4.3%로 균일하지 않다는 것을 보여주고 있다.
The long axis and the short axis show different measurement values for each distinction, and the uniformity thereof is 4.3%, which is not uniform.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은,In order to solve the above-mentioned problems,

유기발광소자(OLED)의 유기 발광층을 형성함에 있어서,In forming the organic light emitting layer of the organic light emitting device OLED,

유기발광소자를 구성하기 위한 공정진행을 위해 후공정으로 이동하는 과정에서 발생되는 이물부착에 의한 불량률을 감소키키는 것을 제 1 목적으로 한다.The first object of the present invention is to reduce the defect rate due to adhesion of foreign substances generated in the process of moving to a post-process for progressing a process for constituting an organic light-emitting device.

또한, 화소의 가장자리를 나뉘어 정의하는 뱅크의 형성에 있어 선폭의 균일성 향상을 제 2 목적으로 한다.A second object of the present invention is to improve the uniformity of the line width in the formation of the banks defining the edges of the pixels.

또한, 유기 발광층을 형성함에 있어 기판과 유기물질 간 마찰력을 감소시켜 두께 균일성의 향상을 제 3 목적으로 한다.A third object of the present invention is to reduce the frictional force between the substrate and the organic material in forming the organic light emitting layer, thereby improving the thickness uniformity.

또한, 도포하는 유기물질 또는 유기 및 무기재료의 양을 저감 시키는 것을 제 4 목적으로 한다.It is also a fourth object to reduce the amount of organic material or organic and inorganic materials to be applied.

본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부 도면들과 관련되어 설명되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예 들로부터 더욱 명확해질 것이다.
Other objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and preferred embodiments, which are to be described in connection with the accompanying drawings.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다수의 화소가 정의되며, 각 화소 별로 구성되는 박막트렌지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과 제 2 전극과 그리고 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 유기 발광층으로 이루어지는 유기발광다이오드가 형성되는 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극이 형성된 기판 일면에 솔벤트 물질을 스핀코팅하여 솔벤트층을 형성하는 단계와; 상기 솔벤트층 상부에 스핀코팅으로 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는 스핀코팅을 이용한 유기발광소자를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film transistor comprising: a thin film transistor having a plurality of pixels defined therein, the thin film transistor being formed for each pixel; a first electrode and a second electrode connected to the thin film transistor; Forming an organic light emitting diode including an organic light emitting layer between the electrodes, the method comprising: forming a solvent layer by spin coating a solvent material on a surface of the substrate on which the thin film transistor and the first electrode are formed; And forming a polymer layer on the solvent layer by spin coating. The present invention also provides an organic light emitting device using the spin coating method.

상기 고분자층은 상기 다수의 화소를 나뉘어 정의하도록 패턴되어 뱅크를 이룬다.The polymer layer is patterned to form a bank so as to divide and define the plurality of pixels.

상기 고분자물질층은 상기 다수의 화소 각각에 도포되어 적, 녹, 청색의 유기 발광층을 이룬다.The polymer material layer is applied to each of the plurality of pixels to form an organic light emitting layer of red, green, and blue.

상기 고분자물질층이 상기 기판 상에 도포되는 동시에 상기 솔벤트층은 상기 기판 상에 잔존하던 이물을 제거하거나 함께 용해되는 것을 특징으로 한다.The polymer material layer is coated on the substrate, and the solvent layer is removed or dissolved together with the foreign substance remaining on the substrate.

상기 솔벤트 물질은 프로필렌글리콜 모노메틸에칠에텔아세테이트(PGMEA : Propylene Glycol Mnomethyl Ether Acetate)프로필렌글리콜에텔(PGME : Propylene Glycol Mnomethyl Ether), n-프로필에텔아세테이트(n-PAC : Propyl acetate)같은 재료 중 어느 하나의 재질로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.
The solvent material may be any of materials such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and n-propyl acetate acetate (n-PAC) And is made of one material.

본 발명에 따른 "스핀코팅을 이용한 유기발광소자의 제조방법"에 의하면 기존 스핀코팅에 비하여, 공정진행을 위해 이동하는 과정에서 발생되는 이물(Particle)을 사전 솔벤트 코팅을 통하여 화학적, 물리적으로 제거함으로 불량을 저감하는 효과를 가진다.According to the "method for manufacturing an organic light emitting device using spin coating" according to the present invention, the particles generated during the movement process are chemically and physically removed by a prior solvent coating And has an effect of reducing defects.

또한, 솔벤트 코팅으로 기판과 기판상에 도포되는 유기물질 또는 유기 및 무기재료 간의 표면마찰력이 감소하여 코팅물질을 균일하게 도포시킬 수 있고, 이에 원하는 선폭을 갖는 뱅크를 형성할 수 있어, 뱅크의 선폭이 증가하여 개구율이 감소하거나, 발광휘도가 낮아지는 문제점을 해결할 수 있는 효과를 갖는다.In addition, since the surface friction between the organic material or the organic and inorganic material applied on the substrate and the substrate is reduced by the solvent coating, the coating material can be uniformly applied and the bank having the desired line width can be formed, The aperture ratio is reduced, or the emission luminance is lowered.

또한, 솔벤트 코팅으로 기판과 기판상에 도포되는 유기물질 또는 유기 및 무기재료 간의 표면마찰력이 감소하여 유기물질을 균일하게 도포시킬 수 있고, 이에 유기 발광층을 균일한 두께로 형성할 수 있고, 이에 중심부와 가장자리의 높이 차이가 적어짐으로 인하여 발광량의 차이가 일어나지 않아 얼룩제거의 효과를 가지고 있다.In addition, since the surface friction between the organic material or the organic and inorganic materials applied on the substrate and the substrate is reduced by the solvent coating, the organic material can be uniformly applied and the organic light emitting layer can be formed with a uniform thickness, And the height difference between the edges is small, the difference in the amount of light emission does not occur and the effect of removing stains is obtained.

또한, 기판과 기판상에 도포되는 유기물질 또는 유기 및 무기재료 간의 표면마찰력의 감소로 최소한의 양만으로 코팅공정을 진행할 수 있어 원가절감의 효과가 있다.
In addition, since the surface friction between the substrate and the organic material or the organic and inorganic materials applied on the substrate is reduced, the coating process can be performed with a minimal amount, thereby reducing the cost.

도 1은 종래 기술에 따른 유기발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2b는 종래 기술에 따른 스핀코팅 방식으로 형성된 뱅크의 선폭과 유기 발광층의 두께분포를 나타낸 분포도이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 기판 표면의 이물(Particle)을 솔벤트 코팅 적용을 통한 제거하는 과정을 나타낸 공정흐름도이다.
도 4a 내지 도4e는 본 발명에 따른 솔벤트 코팅이 적용된 기판에 유기 발광층을 구분하는 뱅크 형성 과정을 나타낸 공정흐름도이다.
도 5a 내지 도5e는 본 발명에 따른 유기 발광층의 스핀코팅법을 도시한 개략도이다.
도6a 내지 도6c는 본 발명에 따른 뱅크의 선폭과 유기박막의 두께를 도시한 실험결과이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing the structure of an organic light emitting diode according to a conventional technique. FIG.
FIGS. 2A and 2B are distribution diagrams showing a line width of a bank formed by spin coating and a thickness distribution of an organic light emitting layer according to a related art.
3A to 3D are process flow diagrams illustrating a process of removing particles on a surface of a substrate according to the present invention by solvent coating.
4A to 4E are process flow diagrams illustrating a bank formation process for separating an organic light emitting layer from a substrate to which a solvent coating according to the present invention is applied.
5A to 5E are schematic views showing a spin coating method of an organic light emitting layer according to the present invention.
6A to 6C are experimental results showing the line width of the bank and the thickness of the organic thin film according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

이하에서 설명하는 실시 예는 본원 발명의 기술적 사상을 설명하기 위한 예시로써 제공되는 것이며, 본 발명의 기술적 범위는 이하의 실시 예들에 한정되는 것은 아니다.The embodiments described below are provided to illustrate the technical concept of the present invention, and the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiments.

도3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 기판 표면의 이물(Particle)을 솔벤트 코팅 적용을 통한 제거하는 과정을 나타낸 공정흐름도이다.3A to 3D are process flow diagrams illustrating a process of removing particles on a surface of a substrate by applying solvent coating according to the present invention.

도시한 바와 같이 스핀들(Spindle)(100), 스핀척(Spin Chuck)(110), 제 1 기판(120)과, 제 1 기판(120)상부에 노즐(80), 노즐(80)에서 적하되는 솔벤트 물질(82)을 포함하는 구성요소로 이루어지며 이를 간략히 설명한다.A spindle 100, a spin chuck 110, a first substrate 120, a nozzle 80, and a nozzle 80 on the first substrate 120 as shown in FIG. And a solvent material 82, which will be briefly described.

제 1 기판(120)상부에는 이물(90)이 잔존하게 되는데 이물(90)은 고형입자, 유기 오염물, 무기 오염물 등으로 이루어질 수 있으며, 제 1 기판(120)상부에 유기 오염막 형태로 구성될 수도 있으며, 먼지입자와 같이 붙어있는 형태로 구성될 수도 있다.The foreign substance 90 remains on the first substrate 120. The foreign substance 90 may be composed of solid particles, organic contaminants, inorganic contaminants and the like and may be formed in the form of an organic contaminant film on the first substrate 120 Or may be formed in the form attached to dust particles.

이어서, 제 1 기판(120)은 능동 매트릭스형 유기발광소자를 개략적으로 도시한 것으로, 플라스틱 또는 유리와 같은 투명한 절연기판상에 화소를 정의하고, 각 화소마다 액티브층과 게이트 전극과 소스전극 및 드레인 전극으로 구성된 박막트렌지스터가 형성된 것을 포함한다. Subsequently, the first substrate 120 schematically shows an active matrix type organic light emitting diode. Pixels are defined on a transparent insulating substrate such as plastic or glass, and an active layer, a gate electrode, a source electrode and a drain And a thin film transistor composed of an electrode is formed.

박막트렌지스터는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 유기절연물질 중 선택된 하나를 증착하고 패터닝하여, 드레인 전극의 일부를 노출하는 보호막을 형성하고 노출된 드레인전극과 접촉하는 양극전극(anode electrode)을 각 화소마다 독립적으로 형성한 것을 포함한다. The thin film transistor is formed by depositing and patterning a selected one of transparent organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin to form a protective film exposing a part of the drain electrode, And an anode electrode to be contacted is formed independently for each pixel.

양극전극(anode electrode)은 일 함수가 높은 금속을 사용하며 대표적으로 투명전극인 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 들 수 있다.As an anode electrode, a metal having a high work function is used, and indium-tin-oxide (ITO) which is a transparent electrode is exemplified.

스핀들(100)에 결합되는 형상을 가진 스핀척(110)은 유기박막공정 중 고분자를 도포하는 공정에 있어서 대표적인 스핀코터장비를 개략적으로 도시한 것으로 일반적인 특징은 생략한다. The spin chuck 110 having a shape coupled to the spindle 100 schematically shows a typical spin coater equipment in a process of applying a polymer in an organic thin film process, and its general features are omitted.

여기서, 도 3a에 도시한 바와 같이, 이물(90)이 부착된 제 1 기판(120)을 스핀코터장비(미도시) 내로 반입하고, 제 1 기판(120)을 스핀척(110) 상부에 안착시킨 후 진공홀(미도시)에 의해 스핀척(110)에 흡착시킨다.3A, the first substrate 120 to which the foreign object 90 is attached is brought into a spin coater equipment (not shown), and the first substrate 120 is placed on the spin chuck 110 And is adsorbed on the spin chuck 110 by a vacuum hole (not shown).

그리고, 스핀코터장비(미도시) 내에서 노즐(80)을 통해 솔벤트 물질(82)을 제 1 기판(120) 상부에 적하시킨다. Then, the solvent material 82 is dropped onto the first substrate 120 through the nozzle 80 in a spin coater equipment (not shown).

도 3b 내지 도 3c에 도시한 바와 같이, 스핀코터장비(미도시) 외부로 부터 밀폐시키고 모터(미도시)를 구동시켜 스핀들(100)을 회전시킨다. As shown in FIGS. 3B to 3C, the spindle 100 is rotated by sealing the spin coater equipment (not shown) from the outside and driving a motor (not shown).

이 때, 스핀척(110) 하부에 위치한 모터(미도시)의 동작은 1200[RPM]으로 되는 것을 특징으로 한다.At this time, the operation of the motor (not shown) located under the spin chuck 110 is 1200 [RPM].

스핀들(100)이 회전함에 따라 스핀들(100)과 결합되는 형상을 가진 스핀척(110)과 스핀척(110)에 흡착된 제 1 기판(120) 역시 회전하게 되고, 제 1 기판(120) 상부에 적하된 솔벤트 물질(82)은 원심력에 의해 상면에 골고루 퍼지게 된다.The spin chuck 110 having a shape coupled with the spindle 100 and the first substrate 120 attracted to the spin chuck 110 are also rotated as the spindle 100 rotates, The solvent material 82 dripped on the top surface of the substrate is spread evenly on the upper surface by the centrifugal force.

이 때, 이물(90)은 솔벤트 물질(82)에 의해 용해되는 과정을 거치거나 또는 원심력에 의해 제 1 기판(120) 상부에서 떨어져 나가게 된다.At this time, the foreign object 90 is dissolved by the solvent material 82 or is separated from the upper portion of the first substrate 120 by the centrifugal force.

다음으로, 도 3d에 도시한 바와 같이, 스핀척(110)과 및 제 1 기판(120)의 회전으로 솔벤트 물질(82)은 제 1 기판(120) 전체로 도포되어 되어 솔벤트층(123)을 이루게 된다.3D, the solvent material 82 is applied to the entire surface of the first substrate 120 by the rotation of the spin chuck 110 and the first substrate 120 to form the solvent layer 123 .

즉, 스핀들(100)과 결합되는 형상을 가진 스핀척(110), 그리고 스핀척(110)에 흡착된 제 1 기판(120)상에 솔벤트 물질(도 3c의 82)을 코팅하는 공정은, 공정간 이동 시에 발생하는 기판상 잔존이물(90)을 제거 하여 불량률을 저감시키는 이점을 갖는다.That is, the process of coating the solvent material (82 in FIG. 3C) on the spin chuck 110 having a shape coupled with the spindle 100 and the first substrate 120 adsorbed on the spin chuck 110 can be performed by a process There is an advantage in that the residual water on the substrate which is generated during the movement of the liver removes the water 90 to reduce the defective rate.

전술한 솔벤트 물질(도 3c의 82)은 프로필렌글리콜 모노메틸에칠에텔아세테이트(PGMEA : Propylene Glycol Mnomethyl Ether Acetate)프로필렌글리콜에텔(PGME : Propylene Glycol Mnomethyl Ether), n-프로필에텔아세테이트(n-PAC : Propyl acetate)같은 재료 중 어느 하나의 재질로 이루어 질 수 있다.The above-mentioned solvent material (82 in FIG. 3C) is a mixture of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol ether ether (PGME), n-propyl ether acetate Propyl acetate or the like.

또한, 코팅 된 솔벤트층(123)의 두께는 50 내지100Å이 바람직하지만, 이는 건조되기 전의 두께이며 이후 건조 후의 공정에서 자세히 설명한다.Further, the thickness of the coated solvent layer 123 is preferably 50 to 100 ANGSTROM, but it is a thickness before drying and will be described later in detail after the drying process.

이하, 솔벤트층(123)이 도포 된 제 1 기판(120) 상에 각 화소 별로 가장자리를 나뉘어 정의하는 뱅크(130a, 130b)형성 과정을 간략히 설명한다.Hereinafter, a process of forming the banks 130a and 130b, which define the edges of each pixel on the first substrate 120 coated with the solvent layer 123, will be briefly described.

도 4a 내지 도4e는 본 발명에 따른 솔벤트 코팅이 적용된 기판에 유기 발광층을 구분하는 뱅크 형성 과정을 나타낸 순서도이다4A to 4E are flowcharts illustrating a process of forming a bank for separating an organic light emitting layer from a substrate to which a solvent coating according to the present invention is applied

도4a에 도시한 바와 같이 제 1 기판(120)상부에 솔벤트층(123)이 도포된 상태에서 폴리이미드(Polyimide)와 같은 고분자물질(84)을 노즐(80)을 통해 제 1 기판(120)상부로 적하한다. A polymer material 84 such as polyimide is applied to the first substrate 120 through the nozzle 80 while the solvent layer 123 is coated on the first substrate 120 as shown in FIG. To the top.

도4b 내지 도 4c에 도시한 바와 같이, 고분자물질(84)이 적하된 제 1 기판(120)을 모터(미도시)를 이용하여 회전시킴으로써, 고분자물질(84)을 제 1 기판(120)에 도포 되도록한다.4B to 4C, the first substrate 120 on which the polymer material 84 is dropped is rotated by using a motor (not shown), so that the polymer material 84 is transferred to the first substrate 120 .

이 때, 제 1 기판(120)상에 형성된 솔벤트층(123)과 적하된 고분자물질(84) 사이의 표면마찰력이 감소하여 고분자물질(84)은 제 1 기판(120)에서 균일하게 퍼질 수 있게 되며, 회전을 하면서 사전에 도포되었던 솔벤트층(123)은 고분자물질(84)이 제 1 기판(120)전체로 퍼져나가는 만큼 고분자물질(84)에 흡수 또는 녹아버리게 된다. At this time, the surface friction between the solvent layer 123 formed on the first substrate 120 and the dropped polymer material 84 decreases, so that the polymer material 84 can be uniformly spread on the first substrate 120 And the solvent layer 123 previously applied while rotating is absorbed or dissolved in the polymer material 84 as the polymer material 84 spreads over the entire surface of the first substrate 120.

따라서, 고분자물질(84)이 제 1 기판(120)상에 균일하게 도포가 되었을 때 솔벤트층(123)은 고분자물질층(130)에 완전하게 흡수되어 없어진다.Therefore, when the polymeric material 84 is uniformly applied on the first substrate 120, the solvent layer 123 is completely absorbed into the polymeric material layer 130 and disappears.

고분자물질층(130)의 두께는 5 내지 50μm 인 것을 특징으로 하며, 이를 위한 모터(미도시)의 회전량은 1000[RPM]인 것을 특징으로 한다.The thickness of the polymer material layer 130 is 5 to 50 μm, and the amount of rotation of the motor (not shown) is 1000 [RPM].

이 후, 도포된 고분자물질층(130)은 전열기와 같은 장비를 통해 제 1 기판(120)상에서 건조되도록 가열을 시킨다. 이때, 전열기를 통해 가열되는 온도는 110 내지 130℃인 것을 특징으로 한다.Thereafter, the coated polymeric material layer 130 is heated to dry on the first substrate 120 through equipment such as an electric heater. At this time, the temperature to be heated through the electric heater is 110 to 130 占 폚.

이하, 제 1 기판상(120) 고분자물질층(130)을 뱅크(130a, 130b, 도 4d 참조)로 형성하는 과정을 자세히 설명한다.Hereinafter, the process of forming the polymer material layer 130 of the first substrate 120 on the banks 130a and 130b (see FIG. 4d) will be described in detail.

도4d 내지 도 4e에 도시한 바와 같이, 네가티브 포토레지스트를 이용한 노광법은 제 1 기판(120)상에 고분자물질층(130)이 도포되어 있고, 고분자물질층(130) 상부에 네가티브 포토레지스트층(135a)을 형성한다. 4D to 4E, in the exposure method using negative photoresist, a polymer material layer 130 is coated on the first substrate 120, a negative photoresist layer 130 is formed on the polymer material layer 130, (135a).

네가티브 포토레지스트층(135a)위에 적당한 간격을 유지하며 마스크(140)를 장착한 후 자외선(UV)으로 감광한다. The mask 140 is mounted on the negative photoresist layer 135a at an appropriate interval and then exposed to ultraviolet light (UV).

이 때, 노광량은 50 내지 100mJ가 바람직하지만, 이를 한정해서는 아니 된다.At this time, the exposure dose is preferably 50 to 100 mJ, but it should not be limited thereto.

마스크(140)는 크게 빛이 완전하게 통과할 수 있도록 투명한 제 1 부분, 빛을 완전히 차단하기 위한 제 2 부분으로 나뉜다. The mask 140 is largely divided into a transparent first portion for completely passing light therethrough, and a second portion for completely blocking light.

제1부분은 포토레지스트층(135a)이 완전히 남아있어야 하므로 완전 개방되고, 제 2부분은 네가티브 포토레지스트층(135a)이 없어야 하므로 완전히 가려지도록 감광한다. The first portion is exposed so that the photoresist layer 135a is completely left open, and the second portion is completely covered since the negative photoresist layer 135a should be absent.

네가티브 포토레지스트층(135a)을 현상하고 나면, 제 1부분에는 네가티브 포토레지스트층(135a)이 처음 도포된 두께로 완전하게 남고, 제 2 부분에는 네가티브 포토레지스트층(135a)이 완전히 제거되어 뱅크층(130)이 그대로 노출된다. After the negative photoresist layer 135a is developed, the negative photoresist layer 135a is completely left in the first portion of the first portion, the negative photoresist layer 135a is completely removed in the second portion, (130) is directly exposed.

네가티브 포토레지스트층(135a) 현상 후에 식각을 수행하면, 제 1부분에서 네가티브 포토레지스트층(135a)이 식각되는 동안 상기 제 2부분에서는 뱅크층(130)이 식각된다. 결과적으로 뱅크(130a)의 형성이 이루어진다.When the etching is performed after development of the negative photoresist layer 135a, the bank layer 130 is etched in the second portion while the negative photoresist layer 135a is etched in the first portion. As a result, the formation of the bank 130a is performed.

이어서, 뱅크(130c)가 형성된 제 1 기판(120)상에 유기 발광층(150) 을 형성하는 과정에 대하여 도5a 내지 도5e을 참조하여 자세히 설명한다. Next, the process of forming the organic light emitting layer 150 on the first substrate 120 on which the banks 130c are formed will be described in detail with reference to FIGS. 5A to 5E.

도 5a에 도시한 바와 같이, 스핀들(100)과 결합되는 형상을 가진 스핀척(110) 상부에 제 1 기판(120)이 흡착된 상태로, 제 1 기판(120)상부에는 각 화소의 가장자리를 나뉘어 정의하는 뱅크(130a)가 형성된다.5A, the first substrate 120 is attracted to an upper portion of a spin chuck 110 having a shape coupled to the spindle 100, and the edge of each pixel is disposed on the first substrate 120 A bank 130a is formed which is divided and defined.

도5b에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(120)상부에 노즐(80)을 통해서 솔벤트 물질(82)이 적하되고 1200[RPM]의 속도로 모터(미도시)를 회전시켜 솔벤트 물질(82)을 제 1 기판(120)상부 뱅크(130a)사이에서 균일하게 도포되도록 한다.5B, a solvent material 82 is dropped onto the first substrate 120 through the nozzle 80 and the motor (not shown) is rotated at a speed of 1200 RPM to remove the solvent material 82, Is uniformly applied between the upper bank 130a of the first substrate 120 and the upper bank 130a.

따라서, 도 5c에 도시한 바와 같이, 솔벤트 물질(82)은 제 1 기판(120)상부의 뱅크(130a)사이에서 균일하게 도포되어, 솔벤트층(123)을 이루게 된다.5C, the solvent material 82 is uniformly applied between the banks 130a on the first substrate 120 to form the solvent layer 123. In this case,

이 때, 솔벤트층(123)의 두께는 전술한 50 내지 100Å 가지는 것이 바람직하다.At this time, the thickness of the solvent layer 123 is preferably 50 to 100 Å.

도 5d에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(120)상의 솔벤트층(123)이 형성되면 노즐(80)을 이용하여 고분자 유기물(86)을 적하한다.5D, when the solvent layer 123 is formed on the first substrate 120, the polymer organic material 86 is dropped using the nozzle 80. As shown in FIG.

이 때, 제 1 기판(120)상에 형성된 솔벤트층(123)과 적하된 고분자물질(84) 사이의 표면마찰력이 감소하여 고분자물질(84)은 제 1 기판(120)에서 균일하게 퍼질 수 있게 된다.At this time, the surface friction between the solvent layer 123 formed on the first substrate 120 and the dropped polymer material 84 decreases, so that the polymer material 84 can be uniformly spread on the first substrate 120 do.

이 상태에서 800[RPM]의 속도로 모터(미도시)를 회전시켜 제 1 기판(120)에 균일하게 도포되도록 한다.In this state, the motor (not shown) is rotated at a speed of 800 [RPM] to uniformly coat the first substrate 120.

도 5e에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(150)이 형성된다. As shown in FIG. 5E, an organic light emitting layer 150 is formed.

이 때, 솔벤트층(도5d의 123)은 고분자 유기물(도 5d의 86)이 퍼져나가는데 있어서 매개체 역할을 하며 고분자 유기물(도 5d의 86)이 퍼져나가는 만큼 고분자 유기물(도 5d의 86)에 흡수 또는 녹아버려 제 1 기판(120)에는 유기 발광층(150)만 도포되게 된다. In this case, the solvent layer (123 in FIG. 5D) absorbs the polymer organic material (86 in FIG. 5D) as much as the polymer organic material (86 in FIG. 5D) Or melted, so that only the organic light emitting layer 150 is applied to the first substrate 120.

이 때, 유기 발광층(150)은 건조되기 전 두께가 0.5 내지 2μm인 것을 특징으로 한다. At this time, the organic light emitting layer 150 has a thickness of 0.5 to 2 μm before being dried.

이후, 전열기와 같은 장비를 통해 유기 발광층(150)이 건조되도록 가열을 시킨다. Then, the organic light emitting layer 150 is heated to be dried through equipment such as an electric heater.

이 때, 전열기를 통해 가열되는 온도는 150 내지 220℃인 것을 특징으로 한다. At this time, the temperature to be heated through the electric heater is 150 to 220 ° C.

건조가 완료되어 경화된 유기 발광층(150)의 두께는 200 내지 1000Å인 것을 특징으로 한다.The thickness of the cured organic light emitting layer 150 after drying is 200 to 1000 ANGSTROM.

유기 발광층(150)은 단일 유기 발광층으로 형성 될 수 있으며, The organic light emitting layer 150 may be formed of a single organic light emitting layer,

또는, 전공 전달층(HIL(Hole injection Layer)), 전공 수송층(HIL(Hole Transport Layer)), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(ETL(Electron Transport Later)), 전자 주입층(EIL(Electron Injection Layer))를 더 포함하여 형성 될 수 있다.(HIL), an emission layer (EIL), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and a hole transport layer Layer) may be further formed.

상기 전공 수송층은 전공 전달층을 포함하여 방향족 삼차 아민들과 같은(거기에 제한되지 않음) 아민들을 포함할 수 있다. 방향족 삼차 아민의 하나의 형태는 모노아릴아민(monoarylamine), 디아릴아민(diarylamine), 트리아릴아민(triarylamine), 또는 폴리머 아릴아민(polymericarylamine)과 같은(거기에 제한되지 않음) 아릴아민(arylamine)일 수 있다. 그 외에도 폴리머 정공 수송 물질들은 PVK(poly(N- vinylcarbazole)), 폴리티오펜들(polythiophenes), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate))와 같은 공중합체를 포함할 수 있다.The precursor transport layer may include amines including, but not limited to, aromatic tertiary amines including a porphyrin transport layer. One form of the aromatic tertiary amine is an arylamine such as, but not limited to, monoarylamine, diarylamine, triarylamine, or polymericarylamine. Lt; / RTI > In addition, polymeric hole transport materials include poly (N-vinylcarbazole), polythiophenes, polypyrrole, polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) 4-styrenesulfonate)).

상기 유기 발광층(150)은 염료들 또는 쿠마린(coumarin)들을 포함할 수 있고 자연 상태의 폴리머 물질(polymeric material)일 수도 있다. The organic light emitting layer 150 may include dyes or coumarins, and may be a polymeric material in a natural state.

폴리플루오렌들(polyfluorenes) 및 폴리비닐아릴렌들(polyvinylarylenes)(예를 들면, PPV(poly(p-phenylenevinylene)))과 같은 폴리머 물질은 호스트 물질로서 사용될 수도 있다.Polymeric materials such as polyfluorenes and polyvinylarylenes (e.g., poly (p-phenylenevinylene)) (PPV) may also be used as the host material.

상기 전자 수송 물질은 본 기술분야의 당업자에게 이러한 목적에 유용하다고 알려진 임의의 물질을 포함할 수 있다. 그러한 화합물들은 전자들의 주입 및 수송을 돕고, 높은수준들의 성능을 나타내고, 쉽게 박막들의 형태로 제조된다. 제한이 아닌, 예를 들면, 옥신의 킬레이트들 (chelates of oxine) 자체를 포함하는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물들(metal chelated oxinoidcompounds)(흔히 8-퀴놀리놀(8-quinolinol) 또는 8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline)이라고도 불림)가 사용될 수 있다.The electron transporting material may include any material known to be useful for this purpose to those skilled in the art. Such compounds aid in the injection and transport of electrons, exhibit high levels of performance, and are readily prepared in the form of thin films. For example, metal chelated oxinoid compounds (including 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline), including, but not limited to, the chelates of oxine itself, (Also called 8-hydroxyquinoline) can be used.

전술한 바와 같이 유기발광층이 형성된 기판의 전면에 음극전극(Cathode Electrode)을 형성하여, 양극전극과 유기발광층 그리고 음극전극으로 이루어지는 유기발광다이오드를 완성하게 된다.As described above, a cathode electrode is formed on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is formed to complete the organic light emitting diode including the anode electrode, the organic light emitting layer, and the cathode electrode.

이하 도6a 내지 도6c을 참조하여, 본 발명에 따른 솔벤트 물질을 이용한 스핀코팅 시 뱅크의 선폭과 유기 발광층의 두께에 대한 측정 결과를 자세히 설명한다.6A to 6C, measurement results of the line width of the bank and the thickness of the organic light emitting layer in the spin coating using the solvent material according to the present invention will be described in detail.

도 6a는 본 발명에 따라 형성된 뱅크의 선폭을 측정한 결과로, 선포 분포의 측정범위는 35 ±3μm이다.FIG. 6A is a result of measuring the line width of the bank formed according to the present invention, and the measurement range of the proclamation distribution is 35. + -. 3 .mu.m.

제 1 장축을 기준으로 제 1단축과 제 2 단축 사이의 선폭은 33 내지 34μm , 제 2 단축과 제 3단축 사이의 선폭은 33.5 내지 34.5μm , 제 3단축과 제 4 단축 사이의 선폭은 33.5 내지 34.5μm 를 보이고 있다.A line width between the first minor axis and the second minor axis is 33 to 34 μm, a line width between the second minor axis and the third minor axis is 33.5 to 34.5 μm, a line width between the third minor axis and the fourth minor axis is 33.5 to 33.5 μm, Respectively.

제 2 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 선폭은 33.5 내지 34.5μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 선폭은 34 내지 34.5μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 선폭은 34 내지 34.5μm를 보이고 있다.The line width between the first minor axis and the second minor axis is 33.5 to 34.5 m, the line width between the second minor axis and the third minor axis is 34 to 34.5 m, the line width between the third minor axis and the fourth minor axis is 34 To 34.5 mu m.

제 3 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 선폭은 33 내 지 33.5μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 선폭은 33 내지 34μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 선폭은 33 내지 34μm를 보이고 있다.The line width between the first short axis and the second minor axis is 33 to 33.5 μm, the line width between the second minor axis and the third minor axis is 33 to 34 μm, the line width between the third minor axis and the fourth minor axis is 33 To 34 m.

제 1 단축을 기준으로 제 1장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 33 내지 34μm를 보이고 있다.The line width between the first major axis and the third major axis is 33 to 34 占 퐉 based on the first minor axis.

제 2 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 33 내지 34.5μm를 보이고 있다.And the line width between the first major axis and the third major axis is 33 to 34.5 占 퐉 based on the second minor axis.

제 3 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 33.5 내지 34.5μm를 보이고 있다.And the line width between the first major axis and the third major axis is 33.5 to 34.5 m based on the third minor axis.

제 4 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 선폭은 33 내지 34.5μm를 보이고 있다.The line width between the first major axis and the third major axis is 33 to 34.5 占 퐉 based on the fourth minor axis.

즉, 장축 및 단축의 구역별로 적은 차이값의 측정치를 보이고 있고, 이에 대한 균일성은 1.4%로 도2a에서 측정된 균일성 2.6%에 비해 단차가 거의 없이 균일하게 도포가 되었다는 것으로 해석할 수 있다.That is, there is a small difference value measurement in each of the long axis and short axis regions, and the uniformity thereof is 1.4%, which can be interpreted to be uniformly applied with almost no step difference compared to the uniformity of 2.6% measured in FIG.

도 6b는 본 발명에 따라 형성된 유기 발광층의 두께를 측정한 결과, 두께 분포의 측정범위는 1.05 내지 1.18μm이다.FIG. 6B shows a result of measuring the thickness of the organic light emitting layer formed according to the present invention, and the measurement range of the thickness distribution is 1.05 to 1.18 μm.

제 1 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.135μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first minor axis and the second minor axis is 1.09 to 1.135 m, the thickness between the second minor axis and the third minor axis is 1.1075 to 1.135 m, the thickness between the third minor axis and the fourth minor axis is 1.09 To 1.135 m.

제 2 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.1625μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 두께는 1.1075내지 1.1625μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first minor axis and the second minor axis is 1.1075 to 1.1625 m, the thickness between the second minor axis and the third minor axis is 1.1075 to 1.1625 m, the thickness between the third minor axis and the fourth minor axis is 1.1075 To 1.135 m.

제 3 장축을 기준으로 제 1 단축과 제 2 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.1135μm, 제 2 단축과 제 3 단축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.135μm, 제 3 단축과 제 4 단축 사이의 두께는 1.09 내지 1.1135μm를 보이고 있다.The thickness between the first minor axis and the second minor axis is 1.09 to 1.1135 占 퐉, the thickness between the second minor axis and the third minor axis is 1.1075 to 1.135 占 퐉, the thickness between the third minor axis and the fourth minor axis is 1.09 To 1.1135 m.

제 1 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is 1.09 to 1.135 m based on the first minor axis.

제 2 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.1075 내지 1.625μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is 1.1075 to 1.625 占 퐉 based on the second minor axis.

제 3 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.1076 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is from 1.1076 to 1.135 m based on the third minor axis.

제 4 단축을 기준으로 제 1 장축 내지 제 3 장축 사이의 두께는 1.09 내지 1.135μm를 보이고 있다.The thickness between the first major axis and the third major axis is from 1.09 to 1.135 m based on the fourth minor axis.

즉, 장축 및 단축이 구별별로 적은 차이값의 측정치를 보이고 있고, 이에 대한 균일성은 2.3%로 도 2b에서 측정된 균일성 4.3%에 비해 단차가 거의 없이 균일하게 도포가 되었다는 것으로 해석할 수 있다.That is, it can be interpreted that the uniformity of the long axis and the short axis is small and the uniformity of the uniformity is 2.3%, which is uniform compared with the uniformity of 4.3% measured in 2b.

도 6c는 도 6a 내지 도 6b의 본 발명의 결과를 포함한 다른 실시예들의 단면을 도시한 도면이다. 6C is a cross-sectional view of another embodiment including the results of the invention of FIGS. 6A-6B.

Sample 1은 다른 실시예로써 전술한 유기발광소자를 구성하기 위한 공정 진행을 위해 이동하는 과정에서 발생되는 이물 부착에 의한 대책을 구비 하지 않은 채 폴리이미드(Polyimide)와 같은 고분자를 적하시켜 각 화소의 가장자리를 나뉘어 정의하는 뱅크를 형성한 것과, 고분자 유기물을 적하시켜 유기 발광층을 형성한 것이다.Sample 1 is another embodiment of the present invention in which a polymer such as a polyimide is dropped without taking countermeasures against foreign substances generated in the process of moving for the process of constructing the organic light emitting device, A bank in which the edges are divided and formed, and a polymer organic material is dropped to form an organic light emitting layer.

Sample 1 의 유기 발광층의 중심부 두께는 1.16μm 이며 가장자리의 두께는 1.11μm로 적하된 고분자 유기물이 중심부에서부터 잘 퍼져나가지 못하였다.The thickness of the center part of the organic luminescent layer of Sample 1 was 1.16 μm and the thickness of the edge was 1.11 μm, and the polymer organic material did not spread well from the center.

또한, 뱅크의 선폭은 중심부에서 33.7μm이며 가장자리의 선폭은 32.7μm로 적하된 폴리이미드와 같은 고분자가 중심부에서부터 잘 퍼져나가지 못하였다.In addition, the line width of the bank was 33.7 mu m at the center portion, and the polymer such as polyimide dripped at the edge line width of 32.7 mu m did not spread well from the center portion.

Sample 3 도 다른 실시예로써 간략하게 설명한다.Sample 3 is also briefly described as another embodiment.

앞에서 전술한 기존방식의 유기발광소자를 구성하기 위한 공정 진행을 위해 이동하는 과정에서 발생되는 이물 부착에 의한 대책을 구비 하지 않은 솔벤트 물질을 적하시키고 도포하지 않은 채 폴리이미드와 같은 고분자를 바로 적하 시켜, 솔벤트 물질과 고분자 물질이 동시에 도포되고, 각 화소의 가장자리를 나뉘어 정의하는 뱅크를 형성한 것 이다.In order to proceed with the process for constructing the conventional organic light emitting device as described above, a polymer such as polyimide is directly dropped without dropping a solvent material that does not have countermeasures due to adhesion of foreign substances generated in the process of moving, , A solvent material and a polymer material are simultaneously applied to form a bank defining the edge of each pixel.

유기 발광층의 형성은 Sample 1 과 동일하다.The formation of the organic luminescent layer is the same as that of Sample 1.

Sample 2 의 유기 발광층의 중심부 두께는 1.22μm 이며 가장자리의 두께는 1.11 μm로 적하된 고분자 유기물이 중심부에서부터 잘 퍼져나가지 못하였다.The thickness of the center part of the organic light emitting layer of Sample 2 was 1.22 μm and the thickness of the edge was 1.11 μm, and the polymer organic material did not spread well from the center.

또한, 뱅크의 선폭은 중심부에서 34.1μm 이며 가장자리의 선폭은 33.1μm로 적하된 폴리이미드와 같은 고분자가 중심부에서부터 잘 퍼져나가지 못하였다.In addition, the line width of the bank was 34.1 mu m at the center, and the polymer such as polyimide dripped at the edge line width of 33.1 mu m did not spread well from the center.

마지막으로 Sample 2 는 도 6a 내지 6b 에 도시한 분포도를 단면에서 측정한 도면이다.Finally, Sample 2 is a cross-sectional view showing the distribution diagrams shown in Figs. 6A to 6B.

유기 발광층의 중심부 두께는 1.11μm 이고 가장자리의 두께는 1.08μm로 Sample 1 내지 Sample 2 와 결과값에서 큰 차이를 보이고 있다.The thickness of the center part of the organic light emitting layer is 1.11 mu m and the thickness of the edge is 1.08 mu m, which shows a large difference from the results of Sample 1 to Sample 2.

이는 중심부와 가장자리의 높이차가 거의 없이 도포 되었음을 의미한다.This means that there is almost no difference in height between the center and the edge.

뱅크의 선폭은 중심부에서 33.4μm, 가장자리에서 33.5μm로 Sample 1 내지 Sample 2 와 결과값에서 큰 차이를 보이고 있다.The line width of the bank is 33.4 μm at the center and 33.5 μm at the edge.

이는 중심부와 가장자리의 높이차가 거의 없이 도포 되었음을 의마한다.This implies that the difference in height between the center and the edge is practically applied.

이와 같은 실시예에 대하여 선폭과 두께가, 솔벤트 코팅을 사전 실시하였을 때, 솔벤트 코팅을 하지 않았을 때의 상관관계를 정리하면 아래의 표 1과 같다.Table 1 below shows the relationship between line width and thickness when solvent coating is not performed and solvent coating is not performed.

코팅 조건Coating conditions 기판과의 마찰력Frictional force with the substrate 비고Remarks Sample 3Sample 3 0.720.72 0.2 < 상관 관계 없음,
0.2~0.4 낮은 상관 관계
0.4~0.7 비교적 높은 관계,
0.7~0.9 높은 상관 관계
0.9 > 매우 높은 관계
0.2 <no correlation,
0.2 ~ 0.4 Low correlation
0.4 to 0.7 Relatively high relationship,
0.7 ~ 0.9 High correlation
0.9> very high relationship
Sample 1Sample 1 0.7650.765 Sample 2Sample 2 0.6090.609

도시된 바와 같이, 솔벤트 물질을 도포 한 기판에서 기판과 고분자 물질 간의 마찰력이 낮아진 것을 볼 수 있다. 낮은 상관관계 일수록 균일성은 향상된다.
As shown in the figure, it can be seen that the frictional force between the substrate and the polymer material is lowered in the substrate coated with the solvent material. The lower the correlation, the better the uniformity.

본 발명에서는 스핀코팅을 이용하여 각 화소의 가장자리를 나뉘어 정의 하는 뱅크의 형성 및 유기 발광층을 형성하는 공정에서,In the present invention, in the formation of the bank defining the edge of each pixel by using spin coating and the step of forming the organic light emitting layer,

공정간 이동 시 기판 상부에 발생하는 이물(Particle)을 사전 솔벤트 물질을 기판 상부에 코팅하여 화학적, 물리적으로 세정하고 이에 원초적으로 불량률을 감소시키는 이점을 가진다.Particles generated in the upper part of the substrate during the movement between processes are chemically and physically cleaned by coating a pre-solvent material on the substrate, thereby reducing the defective rate.

또한, 솔벤트 코팅으로 기판의 표면마찰력이 감소하여 코팅물질을 균일하게 도포시킬 수 있고, 이에 형성 될 수 있는 뱅크의 선폭이 감소하여 개구율의 향상과 발광 휘도 증가의 효과를 가진다.In addition, since the surface friction of the substrate is reduced by the solvent coating, the coating material can be uniformly applied, and the line width of the bank that can be formed is reduced, thereby improving the aperture ratio and increasing the light emission luminance.

또한, 발광층의 두께가 균일하게 되고 이에 중심부와 가장자리의 단차가 적어져 가장자리의 높이차이가 적어짐으로 인하여 발광량의 차이가 일어나지 않게 되어 얼룩이 일어나지 않게 되는 효과를 가진다.In addition, since the thickness of the light emitting layer becomes uniform, the step difference between the center portion and the edge is reduced, and the difference in the height of the edge is reduced, so that there is no difference in the amount of light emission, and no unevenness is caused.

또한, 표면 마찰력을 감소의 감소로 최소한의 양만으로 코팅공정을 진행 할 수 있어 원가절감의 효과를 가진다.In addition, the coating process can be performed with a minimal amount of reduction in surface frictional force, thereby reducing the cost.

결과적으로 불량률이 감소하면서 공정 능력의 향상을 가져오는 장점이 있다.
As a result, the defect rate is reduced and the process capability is improved.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해 할 수 있을 것이다.As described above, those skilled in the art will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로 상술한 실시예들은 모든 면에 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
It is therefore to be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

100 : 스핀들 110 : 스핀척
120 : 제 1 기판 130a : 뱅크
150 : 유기 발광층
100: spindle 110: spin chuck
120: first substrate 130a: bank
150: organic light emitting layer

Claims (5)

다수의 화소가 정의되며, 각 화소 별로 구성되는 박막트렌지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과 제 2 전극과 그리고 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 유기 발광층으로 이루어지는 유기발광다이오드가 형성되는 유기발광소자의 제조방법에 있어서,
상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극이 형성된 기판 일면에 솔벤트 물질을 스핀코팅하여 솔벤트층을 형성하는 단계와;
상기 솔벤트층 상부에 스핀코팅으로 고분자층을 형성하는 단계;
를 포함하는 스핀코팅을 이용한 유기발광소자의 제조방법.
An organic light emitting diode including an organic light emitting layer between the first electrode and the second electrode is formed, and a plurality of pixels are defined, and a thin film transistor formed for each pixel, a first electrode and a second electrode connected to the thin film transistor, The method comprising the steps of:
Forming a solvent layer by spin-coating a solvent material on a surface of the substrate on which the thin film transistor and the first electrode are formed;
Forming a polymer layer on the solvent layer by spin coating;
Wherein the spin coating is performed using a spin coating method.
제 1 항에 있어서,
상기 고분자층은 상기 다수의 화소를 나뉘어 정의하도록 패턴되어 뱅크를 이루는 스핀코팅을 이용한 유기발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer layer is patterned so as to divide and define the plurality of pixels, thereby forming a bank.
제 1 항에 있어서,
상기 고분자물질층은 상기 다수의 화소 각각에 도포되어 적, 녹, 청색의 유기 발광층을 이루는 스핀코팅을 이용한 유기발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer material layer is applied to each of the plurality of pixels to form an organic light emitting layer of red, green, and blue, respectively.
제 1 항에 있어서,
상기 고분자물질층이 상기 기판 상에 도포되는 동시에 상기 솔벤트층은 상기 기판 상에 잔존하던 이물을 제거하거나 함께 용해되는 스핀코팅을 이용한 유기발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer layer is coated on the substrate, and the solvent layer is removed or dissolved together with the foreign substance remaining on the substrate.
제 1 항 있어서,
상기 솔벤트 물질은 프로필렌글리콜 모노메틸에칠에텔아세테이트(PGMEA : Propylene Glycol Mnomethyl Ether Acetate)프로필렌글리콜에텔(PGME : Propylene Glycol Mnomethyl Ether), n-프로필에텔아세테이트(n-PAC : Propyl acetate)같은 재료 중 어느 하나의 재질로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 스핀코팅을 이용한 유기발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
The solvent material may be any of materials such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and n-propyl acetate acetate (n-PAC) Wherein the organic layer is formed of a single material.
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