KR20140110368A - White light emitting device using uv led chip - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 oxy-nitride Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 6
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 claims description 3
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L33/52—Encapsulations
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Abstract
Description
본 발명은 UV LED칩을 이용하는 백색 발광다이오드 소자에 관한 것이다. 더 상세하게는, UV LED칩과 더불어, 형광체를 포함하는 유리 담지체, 즉, 유리 형광체 복합체(glass-phosphor composite)를 이용함으로써, 발광 효율이 향상되고 수명이 증가된 백색 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a white light emitting diode device using a UV LED chip. More particularly, the present invention relates to a white light emitting device having improved light emitting efficiency and increased lifetime by using a glass carrier containing a phosphor, that is, a glass-phosphor composite, together with a UV LED chip.
발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 디스플레이의 백라이트 광원, 표시소자, 조명장치 등에 사용되고 있다. 백색 발광 다이오드는 빛의 3원색의 조합으로 백색광을 구현한다. 발광 다이오드로부터 백색을 구현하는 방식은 청색 LED칩과 황색 형광체의 조합을 이용하는 방식과, UV LED칩과 적색, 녹색 그리고 청색의 3가지 형광체를 조합하는 방식이 보편적이다. 통상 형광체는 분말 형태로 에폭시 또는 실리콘 담지체에 혼합되어 LED칩 상부에 도포된 형태로 이용되고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diodes (LEDs) are used in backlight sources, display devices, lighting devices, and the like of displays. White light emitting diodes realize white light by combining three primary colors of light. In the method of realizing a white color from a light emitting diode, a combination of a combination of a blue LED chip and a yellow phosphor and a combination of a UV LED chip and three phosphors of red, green and blue are common. Generally, the phosphor is mixed with an epoxy or a silicon carrier in powder form and applied to the LED chip.
형광체를 이용하는 구체적인 방식으로, LED칩의 주변을 둘러싸는 담지체로 된 봉지부에 형광체를 분산시키는 방법이 주로 사용되고 있다. 그런데, 조명용 백색 발광소자는 고휘도, 고출력이 요구되므로, LED칩 주변온도가 200℃ 이상으로 상승할 수 있다. 이때, 에폭시 또는 실리콘 등과 같은 물질로 형성된 담지체는 LED칩 및 형광체의 변성온도에 비해 낮은 변성온도를 가지므로, 형광체 분말의 담지체(특히, 에폭시 또는 실리콘)가 변성되는 현상, 즉, 황변 또는 갈변 등의 현상이 발생한다.A method of dispersing a phosphor in an encapsulation member surrounding a periphery of the LED chip is mainly used in a specific manner using a phosphor. However, since the white light emitting device for illumination is required to have high brightness and high output, the ambient temperature of the LED chip may rise to 200 DEG C or more. At this time, since the carrier formed of a material such as epoxy or silicone has a lower modification temperature than the modification temperature of the LED chip and the phosphor, the phenomenon that the carrier (particularly, epoxy or silicone) of the phosphor powder is denatured, Browning and the like occur.
담지체의 변성은 백색 발광소자의 광출력을 저하시키며, 백색 발광소자 전체의 수명을 감소시키는 원인이 된다. 게다가, 에폭시 바인더는 자외선에 노출될 경우에도 황변 현상이 일어나며, 따라서, 수명이 짧고 야외 조명용 발광소자로의 적용에 부적합하다.Modification of the carrier decreases the light output of the white light emitting device and causes a decrease in the lifetime of the entire white light emitting device. Furthermore, the epoxy binder is yellowed even when exposed to ultraviolet rays, and therefore has a short life span and is unsuitable for application to light emitting devices for outdoor illumination.
LED칩 상에 형광체를 형성하는 방법은 여러로 다양하게 이용될 수 있는데, 특히, 최근에는 LED칩 위에 형광체를 담은 층을 두는 방법이 효과적이라는 연구결과가 있다(Luo, H. et al., Applied Physics Letters 86, no. 24 (Jun 13 2005)). 그러나, 위와 같은 층은 얇은 디스크 형태로 형성되므로, LED 광원으로부터 방출된 광이 형광체에 의해 변환되지 않고 외부로 투과될 수 있다. 따라서, 1종의 형광체(황색 형광체) 또는 2종의 형광체(녹색 형광체 및 적색 형광체)를 적용하여 백색광의 구현이 가능한, 청색 LED칩을 포함하는 백색 발광소자에서 제한적으로 이루어지고 있다.Recently, there has been a research result that a method of placing a phosphor-containing layer on an LED chip is effective (Luo, H. et al., Applied Physics Letters 86, no. 24 (Jun 13 2005)). However, since the above layer is formed in the form of a thin disc, the light emitted from the LED light source can be transmitted to the outside without being converted by the phosphor. Accordingly, it is limited in a white light emitting device including a blue LED chip capable of realizing white light by applying one type of fluorescent material (yellow fluorescent material) or two kinds of fluorescent materials (green fluorescent material and red fluorescent material).
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 우수한 기계적 강도와, 고온 및 자외선 노출 환경에서의 화학적 안정성을 갖는 유리 담지체 및 형광체들을 포함하는 유리-형광체 복합체 및 이를 갖는 백색 발광소자를 제공하는 것이다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a glass-phosphor composite including a glass carrier and a phosphor having excellent mechanical strength and chemical stability in a high- And to provide a white light emitting element.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, UV LED칩 및 유리-형광체 복합체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a white light emitting device including a UV LED chip and a glass-phosphor composite.
본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자는, UV LED칩; 유리-형광체 복합체를 포함하며, 상기 유리-형광체 복합체는 복수 종의 형광체 5-30wt%와 유리프릿 70-95wt%를 포함할 수 있다.A white light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a UV LED chip; And the glass-phosphor composite may include 5-30 wt% of a plurality of phosphors and 70-95 wt% of glass frit.
상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 다른 색의 광을 발하는 3종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.The plurality of phosphors may include three or more kinds of phosphors which are excited by the UV light of the UV LED chip and emit light of a different color.
또한, 상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 두 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체와, 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 한 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.The plurality of phosphors may include at least one phosphor excited by UV light of the UV LED chip to emit two colors and at least one phosphor excited by the UV light of the UV LED chip to emit one color . ≪ / RTI >
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 UV LED칩은 200nm~420nm 범위의 파장을 가질 수 있다.In some embodiments, the UV LED chip may have a wavelength in the range of 200 nm to 420 nm.
한편, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 및 양자점 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The phosphor may include at least one of doped garnet, aluminate, nitride, silicate, sulfide, oxy-sulfide, oxy-nitride, phosphate, cro-phosphate, borate, tungstate phosphor and quantum dot phosphor can do.
나아가, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 및 BAM:Eu 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함할 수 있고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 및 SrGa2S4:Eu 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함할 수 있고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함할 수 있고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함할 수 있고, 상기 양자점 형광체는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 및 GaAs중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Further, the doped garnet fluorescent material may include at least one of YAG: Ce and (Y, Gd) AG: Ce, and the aluminate fluorescent material may include BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, Mn, Sr 2 Al 1 4 O 25 : Eu and BAM: Eu, and the nitride phosphors may include at least one of CaAlSiN 3 : Eu, Ca (Sr) AlSiN 3 : Eu and AESi 2 O 2 N 2 : Eu And the silicate phosphor may include SrBaSiO 3: Eu, and the sulfide phosphor may include at least one of ZnS: Ag, CaS: Eu and SrGa 2 S 4 : Eu, and the oxy- Eu, and the claw-phosphate fluorescent material may include Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu, the tungstate fluorescent material may include CaWO 4 , and the quantum dot fluorescent material may include Si, And may include at least one of GaAs, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, The.
다른 실시예들에 있어서, 상기 유리프릿은 150 - 450℃의 유리 전이 온도를 갖는 것일 수 있다.In other embodiments, the glass frit may have a glass transition temperature of 150 - 450 캜.
또한, 상기 유리프릿은 Sn, Zn, Pb, Sb 또는 Bi의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함할 수 있고, 또는, 상기 유리프릿은 B, P, Si 또는 Ge의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함할 수 있다.The glass frit may comprise oxides, fluorides, or oxyfluorides of B, P, Si, or Ge, or an oxide, fluoride, or oxyfluoride of Sn, Zn, Pb, Sb, or Bi. can do.
나아가, 상기 유리프릿은 Al 또는 Zr를 포함하는 구조 안정제를 포함할 수 있다.Further, the glass frit may comprise a structural stabilizer comprising Al or Zr.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 유리프릿은 Li, Na, K 또는 Ca를 포함하는 금속 산화물 또는 불화물을 포함할 수 있다.In some embodiments, the glass frit may comprise a metal oxide or fluoride including Li, Na, K, or Ca.
또 다른 실시예에서, 상기 유리-형광체 복합체는 단일 유리 담지체에 복수 종의 형광체가 담지되고, 상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 것일 수 있다.In another embodiment, the glass-phosphor composite may have a plurality of kinds of phosphors supported on a single glass support, and the glass-phosphor composite may have a disc shape.
또는, 상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 복수의 유리 담지체가 적층된 구조를 포함하고, 상기 복수의 유리 담지체는 각각 서로 다른 종류의 형광체를 포함할 수 있다.Alternatively, the glass-phosphor composite may include a structure in which a plurality of glass supports having a disk shape are stacked, and the plurality of glass supports may each include different kinds of phosphors.
본 발명에 따르면, UV LED칩과 더불어 백색광을 만드는 형광체들이 유리 담지체에 담지된 구조의 유리-형광체 복합체가 이용된다. 유리 담지체는, 종래 형광체의 담지체로 사용되었던 에폭시나 실리콘과 비교할 때, 녹는점이 높아 열적 안정성이 뛰어나고 그와 동시에 화학적 안정성이 우수하다. 유리-형광체 복합체는 UV LED칩 동작시 발생하는 열 및 UV 광에 의한 열화, 즉 갈변이나 황변 현상이 일어나지 않는 장점을 갖는다. 또한, 유리 담지체로, 에폭시에 비해 고굴절률인 유리 재료를 이용함으로써, 굴절률 차이로 인한 전반사를 줄일 수 있고, 이에 의해, 광의 손실을 크게 줄일 수 있다. 또한, 유리 재료를 형광체 담지체로 이용할 경우, 대면적화가 용이하다는 장점이 있다. According to the present invention, a glass-phosphor composite having a structure in which phosphors for forming white light are supported on a glass carrier together with a UV LED chip is used. Compared with epoxy or silicon used as a support of a conventional phosphor, the glass carrier has a high melting point and is excellent in thermal stability and chemical stability at the same time. The glass-phosphor composite has the advantage that it does not cause deterioration due to heat and UV light generated when the UV LED chip operates, that is, browning or yellowing. Further, by using a glass material having a refractive index higher than that of epoxy as the glass support, the total reflection due to the difference in refractive index can be reduced, thereby greatly reducing the loss of light. In addition, when a glass material is used as the phosphor support, it is advantageous in that it is easy to increase the area.
상술한 바와 같이, 본 발명은 3종 이상의 형광체를 포함하는 유리-형광체 복합체를 제공함으로써, 기존 유기 담지체와 비교하여 열적 안정성을 증가시켜, 갈변, 황변 등으로 인한 수명 단축을 방지할 수 있다. 또한 유리 담지체의 적용으로 인해, 광적 특성을 변화시킬 수 있는 기술 개발의 여지를 증가된다. As described above, the present invention provides a glass-phosphor composite comprising three or more kinds of phosphors to increase thermal stability as compared with conventional organic carriers and to prevent a shortening of lifetime due to browning, yellowing, and the like. Further, due to the application of the glass carrier, there is a room for development of a technique capable of changing optical characteristics.
도 1은 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자를 도시한 단면도이고,
도 2는 도 1에 도시된 백색 발광소자에 적용되는 유리-형광체 복합체의 성형 방식을 설명하기 위한 도면이며,
도 3은 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하여 제조된 유리-형광체 복합체들 각각을 포함하는 백색 발광소자의 색좌표를 실험 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고,
도 4의 (a) 및 (b)는 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하여 제조된 유리-형광체 복합체들 각각을 포함하는 백색 발광소자의 발광사진을 보여주는 도면들이며,
도 5는 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하여 제조된 유리-형광체 복합체들 각각을 포함하는 백색 발광소자의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이며,
도 6 내지 도 8은 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 백색 발광소자를 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating a white light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a view for explaining a molding method of a glass-phosphor composite applied to the white light emitting device shown in FIG. 1,
FIG. 3 is a CIE 1931 chromaticity diagram showing experimental results of the color coordinates of a white light emitting device including glass-phosphor composites prepared by varying the ratio of glass to phosphor to 9: 1 and 7: 3,
4 (a) and 4 (b) are photographs showing a light emission of a white light emitting device including glass-phosphor composites prepared by varying the ratio of glass and phosphor to 9: 1 and 7: 3, respectively,
FIG. 5 is a graph showing the emission spectrum of a white light emitting device including glass-phosphor composites prepared by different ratios of glass and phosphor to 9: 1 and 7: 3,
6 to 8 are cross-sectional views illustrating a white light emitting device according to various other embodiments of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a white light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자(1)는 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 실장된 UV LED칩(4)과 상기 UV LED칩(4)의 상부면에 부착된 유리-형광체 복합체(6)과, 상기 UV LED칩(4) 및 상기 유리-형광체 복합체(6)를 덮도록 형성된 실란트(sealant; 8)를 포함한다. 상기 실란트(8)는 투광성을 갖는 수지, 예컨대, 에폭시 또는 실리콘 등으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a white
본 명세서에서, 용어 "백색광" 또는 "백색 발광"은 백색으로 인지되는 2000K 내지 10,000K의 상관색온도(Correlated Color Temperature, CCT) 범위를 가지는 광 또는 그러한 광의 방출을 의미한다.As used herein, the term "white light" or "white light emission" means light or such light having a Correlated Color Temperature (CCT) range of 2000K to 10,000K recognized as white.
상기 기판(2)은 상기 UV LED칩(4)과 전기적으로 연결되는 도전성 전극 패턴 을 구비한 PCB(Print Circuit Board)일 수 있다. 또는, 상기 기판(2)은 도전성 기판 또는 절연성 기판일 수 있으며, 그 형태는 제한되지 않는다. 상기 UV LED칩(4)는 200nm~420nm 범위 파장의 자외선 광을 발하도록 구성될 수 있다.The
상기 유리-형광체 복합체(6)는 디스크 형태를 가질 수 있다. 또한, 유리-형광체 복합체(6)는 복수의 형광체 및 유리 담지체(61)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 유리-형광체 복합체(6)는 UV LED칩(4)과 함께 백색광을 만드는 3종 이상의 형광체(62R, 62G, 62B)가 유리 담지체(61)에 담지된 구조로 이루어진다. 상기 유리-형광체 복합체(6)는 이하 자세히 설명되는 바와 같이 5-30wt% 형광체와 70-95wt% 유리프릿(glass frits)이 균일하게 혼합되어 형성될 수 있다. 상기 3종 이상의 형광체는 적색 형광체(62R), 녹색 형광체(62G) 및 청색 형광체(62G)를 포함할 수 있다.The glass-
이제 전술한 유리-형광체 복합체를 구성하는 요소들인 형광체 및 유리프릿과 이들 요소들을 이용하여 유리-형광체 복합체를 만드는 방법에 대하여 보다 구제적으로 설명한다.
Now, the phosphor and glass frit, which are the constituent elements of the above-described glass-phosphor composite, and a method of making the glass-phosphor composite using these elements will be described more remotely.
- 형광체 -- Phosphor -
유리-형광체 복합체에는 UV LED칩과 함께 백색광을 만드는 복수 종의 형광체들이 제공된다. 이러한 형광체들은 적색, 녹색, 그리고 청색 3가지 형광체를 포함할 수 있다. 단, 두 가지 색을 발하는 형광체(예컨대, Mn과 Eu 등 전이금속과 희토류 등 두가지 원소를 동시에 포함한 형광체)의 경우, 앞에서 언급한 3가지 형광체 중 두 가지 형광체를 대체한다.The glass-phosphor composites are provided with a plurality of phosphors which together with the UV LED chip make white light. These phosphors may include three red, green, and blue phosphors. However, in the case of a phosphor emitting two colors (for example, a phosphor containing two elements such as Mn and Eu at the same time as a transition metal and rare earth), two of the three phosphors mentioned above are replaced.
또한 앞에서 언급된 적색, 녹색 그리고 청색 이외에 다른 색을 포함할 수 있다. 형광체는 형광 물질로 이루어지며, 형광 물질은 무기 입자, 유기 입자 또는 유기 분자 또는 그 조합일 수 있다.It may also contain other colors than the red, green and blue mentioned above. The phosphor is made of a fluorescent material, and the fluorescent material may be inorganic particles, organic particles or organic molecules or a combination thereof.
적합한 무기 입자는 도핑된 가닛(garnet)(예를 들어, YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce 중 적어도 하나를 포함하는), 알루미네이트(예를 들어, BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu, 및 BAM:Eu 중 적어도 하나를 포함하는), 나이트라이드(예를 들어, CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu 중 적어도 하나를 포함하는), 실리케이트(예를 들어, SrBaSiO:Eu를 포함하는), 설파이드(예를 들어, ZnS:Ag, CaS:Eu, 및 SrGa2S4:Eu 중 적어도 하나를 포함하는), 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드(예를 들어, β-SiAlON:Eu을 포함하는), 포스페이트, 클로-포스페이트(예를 들어, Sr5(PO4)3Cl:Eu을 포함하는), 보레이트 및 텅스테이트(예를 들어, CaWO4를 포함하는)를 포함한다. 이들 물질은 통상적인 형광체 분말 또는 나노입자형 형광체 분말의 형태일 수도 있다. 적합한 무기 입자의 다른 부류로는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP,InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, 또는 GaAs 및 그 조합을 포함하는 반도체 나노입자로 만들어진 소위 양자점 형광체(quantum dot phosphor)가 있다.
Suitable inorganic particles include doped garnets (e.g. comprising at least one of YAG: Ce and (Y, Gd) AG: Ce), aluminates (e.g. BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu , Mn, Sr 2 Al1 4 O 25: Eu, and BAM: Eu that comprises at least one) of, nitride (for example, CaAlSiN 3: Eu, Ca ( Sr) AlSiN 3: Eu and AESi 2 O 2 N 2 includes at least one of Eu), silicates (e.g., SrBaSiO: at least one of Eu: containing Eu), sulfides (e.g., ZnS: Ag, CaS: Eu , and SrGa 2 S 4 (Including, for example, Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu), oxy-sulfides, oxy-nitrides (including, for example, β-SiAlON: Eu), phosphates, ), Borates and tungstates (including, for example, CaWO 4 ). These materials may be in the form of conventional phosphor powders or nanoparticle-like phosphor powders. Other classes of suitable inorganic particles include Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, There is a so-called quantum dot phosphor made of semiconductor nanoparticles containing a combination thereof.
- 유리프릿 - - glass frit -
유리프릿은 150 - 450℃의 유리 전이 온도를 갖는 유리 재료일 수 있다. 또한 상기 유리프릿은, 예를 들어, Sn, Zn, Pb, Sb 또는 Bi의 산화물, 불화물 또는 산물화물을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 유리프릿은 B, P, Si 또는 Ge의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함할 수 있다.The glass frit may be a glass material having a glass transition temperature of 150 - 450 캜. The glass frit may also include, for example, oxides, fluorides or oxides of Sn, Zn, Pb, Sb or Bi. Alternatively, the glass frit may comprise oxides, fluorides or oxyfluorides of B, P, Si or Ge.
나아가, 유리프릿은 구조 안정제를 포함할 수 있으며, 이 구조 안정제로는 예를 들어, Al 또는 Zr이 사용될 수 있다. 더 나아가, 상기 유리프릿은 Li, Na, K 또는 Ca 등의 알칼리 (또는 알칼리토) 금속 산화물 또는 불화물을 포함할 수 있다.
Further, the glass frit may contain a structural stabilizer, for example, Al or Zr may be used. Further, the glass frit may comprise an alkali (or alkaline earth) metal oxide or fluoride such as Li, Na, K or Ca.
- 형광체-유리 복합체의 제조예 -- Preparation Example of Phosphor-glass composite -
50B2O3-20ZnO-30Bi2O3 (mol%, 굴절률 n=1.9)를 얻기 위해, B2O3과 ZnO, Bi2O3 시약을 적절히 칭량한 후, 혼합한다. 알루미나 도가니에 담은 후, 900℃ 전기로에서 40분간 녹인다. 그 후, 청동판 위에서 급냉시킨다. 이후, 상기 전기로를 거친 혼합물을 알루미나 막자사말을 이용하여 분쇄한다. 이후 45㎛이하의 입자를 고르기 위하여 체 고르기를 한다. 이를 통해 얻어진 파우더는 "유리프릿"으로서, 형광체-유리 복합체에서 UV LED칩과 함께 백색광을 만드는 형광체들을 담지하는 재료로 이용한다.To obtain 50B 2 O 3 -20ZnO-30Bi 2 O 3 (mol%, refractive index n = 1.9), B 2 O 3 , ZnO and Bi 2 O 3 reagents are properly weighed and mixed. Alumina crucible and melted in an electric furnace at 900 ℃ for 40 minutes. It is then quenched on a bronze plate. Thereafter, the mixture passed through the electric furnace is pulverized by using an alumina membrane. Then, weighing is performed to select particles of 45 μm or less. The powder thus obtained is used as a "glass frit", which is used as a material to support phosphors that produce white light with a UV LED chip in a phosphor-glass composite.
형광체는 적색 CaAlSiN3:Eu , 녹색 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, 청색 Sr5(PO4)3Cl:Eu 을 이용하였고, 유리프릿과 형광체 총량의 비율에 따라서 RGB 비율이 정해진다. 전체 중량에 대하여 유리프릿의 양을 90wt%, 총 형광체양을 10wt%로 할 경우, 형광체간 무게비율은 적색 7, 녹색 100, 청색 36 으로 맞춘다. 전체 중량에 대하여 유리프릿의 양을 70wt%, 총 형광체양을 30wt%로 할 경우, 형광체 무게비율을 적색 3, 녹색 100, 청색 66 으로 맞춘 후, 형광체와 유리프릿을 함께 균일하게 혼합한다.The red phosphor is CaAlSiN 3 : Eu, the green BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, Mn and the blue Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu are used, and the RGB ratio is determined according to the ratio of the total amount of phosphor and phosphor. When the amount of the glass frit is 90 wt% and the total amount of phosphor is 10 wt% based on the total weight, the weight ratio between the phosphors is adjusted to 7, 10, and 36, respectively. When the amount of the glass frit is 70 wt% with respect to the total weight and the amount of the total phosphor is 30 wt%, the phosphor weight ratio is adjusted to red 3, green 100, and blue 66, and then the phosphor and the glass frit are uniformly mixed together.
유리프릿과 형광체가 균일하게 혼합된 혼합물을 도 2에 도시된 것과 같은 금속 몰드에 넣은 후, 20kg/cm2, 2분 동안 프레스 과정을 통하여, 디스크 형태를 갖는 유리-형광체 복합체로 제조한다. 이후 유리-형광체 복합체를 전기로에 넣고 490℃에서 30분간 소결과정을 거친다. 이후, 연마과정을 통해, 유리-형광체 복합체의 표면을 매끄럽게 다듬는다.The mixture in which the glass frit and the phosphor are uniformly mixed is placed in a metal mold as shown in Fig. 2, and then, through a pressing process at 20 kg / cm 2 for 2 minutes, a glass-phosphor composite having a disc shape is produced. The glass-phosphor composite is then placed in an electric furnace and sintered at 490 ° C for 30 minutes. Then, through the grinding process, the surface of the glass-phosphor composite is smoothed.
이러한 과정을 통해서 디스크형태를 갖는 유리-형광체 복합체를 최종적으로 얻어질 수 있다.
Through this process, a glass-phosphor composite having a disc shape can be finally obtained.
- 실험예 -- Experimental Example -
도 3은 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하면서 전술한 방법으로 제조된 유리-형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용하여 색좌표를 측정한 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고, 도 4의 (a) 및 (b)는 동일한 방법으로 제조된 유리-형광체 복합체를 동일 백색 발광소자에 적용한 후의 발광사진을 보여주며, 도 5는 동일 백색 발광소자의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이다. 도 3 내지 도 5를 참조하면, UV LED칩과 유리-형광체 복합체를 이용하여 의도한 색좌표의 광을 발하는 백색 발광소자가 구현됨을 알 수 있다.
FIG. 3 is a graph showing the results of measurement of color coordinates by applying a glass-phosphor composite prepared by the above method to a white light emitting device as shown in FIG. 1 while changing the ratio of glass to phosphor to 9: 1 and 7: 4A and 4B show the emission spectra after applying the glass-phosphor composites manufactured by the same method to the same white light emitting device, and FIG. 5 shows the emission spectra of the same white light emitting device FIG. Referring to FIGS. 3 to 5, it can be seen that a white light emitting device emitting light with an intended color coordinate using a UV LED chip and a glass-phosphor composite is realized.
이하, 다른 실시예들에 따른 백색 발광소자들을 설명한다.Hereinafter, white light emitting devices according to other embodiments will be described.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 백색 발광소자들을 설명하기 위한 단면도들이다.6 to 8 are cross-sectional views illustrating white light emitting devices according to other embodiments of the present invention.
도 6에 도시된 백색 발광소자(1)는, 도 1에 도시된 백색 발광소자와 마찬가지로, 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 실장된 UV LED칩(4)과 상기 UV LED칩(4)의 상부면에 부착된 유리-형광체 복합체(6)과, 상기 UV LED칩(4) 및 상기 유리-형광체 복합체(6)를 덮도록 형성된 실란트(sealant; 8)를 포함한다. 단일 판 형태의 유리-형광체 복합체를 이용하는 앞선 실시예의 백색 발광소자와 달리, 도 6에 도시된 백색 발광소자는 3개의 단위 유리-형광체 복합체들(6R, 6G, 6B)이 적층되어 하나의 유리-형광체 복합체(6)를 구성한다. 그리고, 각 단위 유리-형광체 복합체(6R, 6G 또는 6B)는 디스크 형태를 갖는 유리 담지체 각각이 형광체(62R, 62G 또는 62B)를 담지하는 구조로 이루어진다. The white
상기 복수 종의 단위 유리-형광체 복합체들 중, 제1 단위 유리-형광체 복합체(6R)는 적색 형광체(62R)를 포함하고, 제2 단위 유리-형광체 복합체(6G)는 녹색 형광체(62G)를 포함하고, 제3 단위 유리-형광체 복합체(62B)를 포함한다. 각 단위 형광체-복합체를 제조하는 방법은 앞에서 설명한 유리-형광체 복합체의 제조 방식과 동일 또는 유사하게 유리프릿과 형광체가 균일하게 혼합된 혼합물(6')을 몰드(M)를 이용하여 프레스 성형하고 열처리하여 방식을 이용할 수 있다.The first unitary glass-
도 7에 도시된 백색 발광소자는 도 1에 도시된 백색 발광소자와 마찬가지로 적색 형광체(62R), 녹색 형광체(62G) 및 청색 형광체(62R)가 균일하게 분산되어 있는 단일 판 형태의 유리-형광체 복합체(6)를 포함한다. 앞선 실시예들과 달리, 본 실시예에 따른 백색 발광소자는 캐비티(21)가 형성된 리플렉터 타입의 기판(2)을 포함한다. 이때, 실란트(8)는 유리-형광체 복합체(6)의 상기 캐비티(21) 내에서 상기 유리-형광체 복합체(6)의 상부와 하부에 형성되어 있다. 상기 실란트(8)는 상기 유리-형광체 복합체(6) 하부에서 상기 UV LED칩(2)의 측면 둘레를 덮는다. The white light emitting device shown in Fig. 7 is a single-plate type glass-phosphor composite in which a
도 8에 도시된 백색 발광소자는, 도 6에 도시된 백색 발광소자와 동일하게, 3개의 단위 유리-형광체 복합체들이(6R, 6G, 6B)가 적층되어 형성된 유리-형광체 복합체(6)를 포함하는 한편, 도 7에 도시된 백색 발광소자와 동일하게, 캐비티(21)를 갖는 리플렉터 타입의 기판(2)을 포함한다. 유리-형광체 복합체(6)를 기준으로 상기 캐비티(21) 하부에서는, 실란트(8)가 UV LED칩(2)의 측면 둘레를 덮고 있다. 이때, 적층되는 유리-형광체 복합체들이 갖는 형광체의 종류는 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 하부에는 적색 형광체, 중간부분에는 녹색 형광체, 상부에는 청색 형광체가 위치하도록 할 수 있다. 이에 따라, 형광체에 여기된 광이 다시 다른 형광체에 여기되지 않고 외부로 방출될 수 있다.The white light emitting device shown in FIG. 8 includes a glass-
이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Variations and changes are possible.
Claims (13)
유리-형광체 복합체를 포함하며,
상기 유리-형광체 복합체는 복수 종의 형광체 5-30wt%와 유리프릿 70-95wt%를 포함하는 백색 발광소자. UV LED chip;
Glass-phosphor composites,
Wherein the glass-phosphor composite comprises 5-30 wt% of a plurality of phosphors and 70-95 wt% of glass frit.
상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 다른 색의 광을 발하는 3종 이상의 형광체를 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of phosphors include three or more phosphors excited by UV light of the UV LED chip to emit light of a different color.
상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 두 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체와, 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 한 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체를 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
The plurality of phosphors include at least one phosphor excited by UV light of the UV LED chip and emitting two colors and at least one phosphor excited by the UV light of the UV LED chip and emitting one color Emitting device.
상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 및 양자점 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
The phosphor is a white phosphor containing at least one of doped garnet, aluminate, nitride, silicate, sulfide, oxy-sulfide, oxy-nitride, phosphate, cro-phosphate, borate, tungstate phosphor, Light emitting element.
상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 및 BAM:Eu 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고,
상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 및 SrGa2S4:Eu 중 적어도 하나를 포함하고,
옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고,
상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고,
상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고,
상기 양자점 형광체는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 및 GaAs중 적어도 하나를 포함하는 백색 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the doped garnet phosphor comprises at least one of YAG: Ce and (Y, Gd) AG: Ce,
Wherein the aluminate phosphor comprises at least one of BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, Mn, Sr 2 Al 1 4 O 25 : Eu and BAM: Eu,
The nitride phosphor is CaAlSiN 3: includes at least one of Eu,: Eu, Ca (Sr ) AlSiN 3: Eu and AESi 2 O 2 N 2
The silicate phosphor includes SrBaSiO 3: Eu,
Wherein the sulfide phosphor comprises at least one of ZnS: Ag, CaS: Eu and SrGa 2 S 4 : Eu,
The oxy-nitride phosphors include? -SiAlON: Eu,
Wherein the claw-phosphate phosphor comprises Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu,
Wherein the tungstate phosphor comprises CaWO 4 ,
Wherein the quantum dot fluorescent material is at least one of a white color including at least one of Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, Light emitting element.
상기 유리프릿은 150 - 450℃의 유리 전이 온도를 갖는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the glass frit has a glass transition temperature of 150 - 450 캜.
상기 유리프릿은 Sn, Zn, Pb, Sb 또는 Bi의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함하는 백색 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the glass frit comprises an oxide, fluoride or oxyfluoride of Sn, Zn, Pb, Sb or Bi.
상기 유리프릿은 B, P, Si 또는 Ge의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the glass frit comprises an oxide, fluoride, or oxyfluoride of B, P, Si, or Ge.
상기 유리프릿은 Al 또는 Zr를 포함하는 구조 안정제를 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the glass frit comprises a structural stabilizer comprising Al or Zr.
상기 유리프릿은 Li, Na, K 또는 Ca를 포함하는 금속 산화물 또는 불화물을 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the glass frit comprises a metal oxide or fluoride including Li, Na, K, or Ca.
상기 유리-형광체 복합체는 단일 유리 담지체에 복수 종의 형광체가 담지되고,
상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
In the glass-phosphor composite, plural kinds of phosphors are supported on a single glass carrier,
The glass-phosphor composite has a disc shape.
상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 복수의 유리 담지체가 적층된 구조를 포함하고,
상기 복수의 유리 담지체는 각각 서로 다른 종류의 형광체를 포함하는 백색 발광소자.The method according to claim 1,
The glass-phosphor composite includes a structure in which a plurality of glass supports having a disk shape are laminated,
Wherein the plurality of glass carriers each comprise different kinds of phosphors.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130024574A KR102103881B1 (en) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | White light emitting device using uv led chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020130024574A KR102103881B1 (en) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | White light emitting device using uv led chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140110368A true KR20140110368A (en) | 2014-09-17 |
| KR102103881B1 KR102103881B1 (en) | 2020-04-23 |
Family
ID=51756430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130024574A KR102103881B1 (en) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | White light emitting device using uv led chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102103881B1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20190119300A (en) | 2018-04-12 | 2019-10-22 | 주식회사 옵티맥 | Light emitting device package |
| KR20190120508A (en) | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 주식회사 옵티맥 | White light emitting device package |
| KR20190137042A (en) | 2019-11-29 | 2019-12-10 | 주식회사 옵티맥 | White light emitting device package |
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| KR20190137042A (en) | 2019-11-29 | 2019-12-10 | 주식회사 옵티맥 | White light emitting device package |
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| KR102103881B1 (en) | 2020-04-23 |
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