KR20140108433A - Light extraction layer having voids - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a plurality of light extraction layers having voids. The disclosed light extraction layers are arranged on a transparent substrate, whereby the light extraction layers consist of at least two metal oxide layers, and a plurality of voids are respectively formed on a first surface toward the transparent substrate and a second surface opposite to the first surface in at least one metal oxide layer.

Description

기공을 포함한 광추출층 {Light extraction layer having voids}[0002] Light extraction layer having voids,

개시된 실시예들은 기공을 가진 복수의 광추출층에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 적어도 하나의 광추출층의 표면에 기공이 형성되어서 광추출 효율을 향상시키는 광추출층에 관한 것이다.The disclosed embodiments relate to a plurality of light extraction layers having pores, and more particularly to a light extraction layer that enhances light extraction efficiency by forming pores on the surface of at least one light extraction layer.

유기 발광 소자(OLED)는 예를 들어, 화합물 반도체 재료로 이루어지는 점광원 소자인 LED(Light Emitting Diode)와는 다르게, 면발광이 가능할 뿐만 아니라, 낮은 소비전력, 높은 야외 시인성, 가요성(flexible) 등과 같은 많은 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 OLED는 디스플레이 장치뿐만 아니라 조명 분야에서도 많은 관심을 받고 있다. 그런데, OLED는 통상적으로 발광된 빛의 약 20% 정도만 외부로 방출될 정도로 광추출 효율이 낮은 편이다. 이러한 낮은 광추출 효율은 주로 유기 발광층과 외부의 공기 사이의 굴절률 차이에 기인한다. 즉, 유기 발광층에서 발생하는 빛 중에서 특정한 각도 영역의 빛만 외부로 방출되고, 나머지 각도 영역의 빛은 공기와의 계면에서 발생하는 전반사로 인해 OLED 내부에서 흡수되어 사라지게 된다.Unlike an LED (Light Emitting Diode) which is a point light source element made of, for example, a compound semiconductor material, the organic light emitting diode OLED is not only capable of emitting light on a plane surface but also has low power consumption, high outdoor visibility, It has many similar advantages. For this reason, OLEDs have attracted much attention not only in display devices but also in lighting. However, the light extraction efficiency of the OLED is low such that only about 20% of the emitted light is emitted to the outside. This low light extraction efficiency is mainly due to the refractive index difference between the organic luminescent layer and the outside air. That is, only the light in a certain angular region among the light generated in the organic light emitting layer is emitted to the outside, and the light in the remaining angular region is absorbed and disappeared in the OLED due to total reflection occurring at the interface with air.

OLED의 광추출 효율을 향상시키기 위해 다양한 구조의 광추출층이 사용되고 있다. 예를 들어, 기판의 외부 표면 상에 마이크로렌즈 어레이 형태의 광추출층을 부착할 수 있다. 그러나, 기판의 외부 표면에 형성된 외부 광추출층은 OLED 내부의 층들 사이에서 발생하는 광손실을 방지할 수 없어서 효율 향상에 한계가 있다.In order to improve the light extraction efficiency of the OLED, a light extracting layer of various structures is used. For example, a light extraction layer in the form of a microlens array may be attached on the outer surface of the substrate. However, the external light extraction layer formed on the outer surface of the substrate can not prevent the light loss occurring between the layers in the OLED, thereby limiting the efficiency improvement.

이에 따라, OLED 내부에 광추출층을 구현하기 위한 다양한 구조들이 제안되고 있다. 예를 들어, 이러한 내부 광추출층은 기판과 투명 전극 사이에 배치되는 것이 일반적이다. 내부 광추출층은 빛의 경로를 외부로 바꾸기 위해 통상적으로 요철이나 산란체를 포함하고 있는데, 이로 인해 투명 전극의 표면 평탄도가 저하될 수 있다. 투명 전극의 표면 평탄도가 저하되면, 정공 및 전자와 같은 전하들이 특정 영역에 집중되어 OLED의 전기적 특성이 악화될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 광추출층과 투명 전극 사이에 평탄층이 더 추가될 수 있다.Accordingly, various structures for implementing a light extracting layer in an OLED have been proposed. For example, such an inner light extraction layer is generally disposed between a substrate and a transparent electrode. The inner light extracting layer typically includes irregularities or scattering bodies for changing the light path to the outside, which may result in a decrease in surface flatness of the transparent electrode. When the surface flatness of the transparent electrode is lowered, electric charges such as holes and electrons are concentrated in a specific region, and the electrical characteristics of the OLED can be deteriorated. Therefore, in order to prevent this, a further flat layer may be added between the light extracting layer and the transparent electrode.

이종 물질층 사이의 원자 확산 속도 차이에 의해 상기 이종 물질층의 경계면에 광산란 요소를 형성한 복수의 광추출층을 제공한다.And a plurality of light extracting layers in which light scattering elements are formed on the interface of the heterogeneous material layer due to the difference in atomic diffusion rate between the heterogeneous material layers.

일 실시예에 따른 기공을 포함한 복수의 광추출층은:A plurality of light extraction layers including pores according to an embodiment may include:

투명 기판 상에 배치된 것으로, 평탄한 상부 표면을 갖는 투명한 광추출층이며,A transparent light extraction layer disposed on a transparent substrate and having a flat upper surface,

상기 광추출층은 적어도 두개의 금속산화물층으로 이루어지며, 적어도 하나의 상기 금속 산화물층에서 상기 투명기판을 향한 제1면과 상기 제1면과 반대측의 제2면에는 각각 복수의 기공(void)이 형성된다. Wherein the light extracting layer is composed of at least two metal oxide layers, and a plurality of voids are formed on the first surface of the at least one metal oxide layer facing the transparent substrate and the second surface of the at least one metal oxide layer, .

상기 적어도 두개의 금속산화물층은 상기 투명기판 상에 순차적으로 적층된 Zn 산화물층과 Al 산화물층을 포함한다. The at least two metal oxide layers include a Zn oxide layer and an Al oxide layer sequentially stacked on the transparent substrate.

상기 복수의 기공은 상기 Zn 산화물층의 양면에 형성될 수 있다. The plurality of pores may be formed on both surfaces of the Zn oxide layer.

상기 Zn 산화물층에서 상기 투명 기판과 접촉하는 제1 기공이 상기 Al 산화물층과 접촉하는 제2 기공 보다 더 클 수 있다. The first pores contacting the transparent substrate in the Zn oxide layer may be larger than the second pores contacting the Al oxide layer.

상기 Zn 산화물층은 0.5 ~ 1 ㎛ 두께를 가질 수 있다. The Zn oxide layer may have a thickness of 0.5 to 1 占 퐉.

상기 Al 산화물층은 10nm ~ 1 ㎛ 두께를 가질 수 있다.The Al oxide layer may have a thickness of 10 nm to 1 탆.

일 국면에 따르면, 상기 Al 산화물층 상에 다른 Zn 산화물층이 더 배치되며, 상기 Al 산화물층과 접촉하는 상기 다른 Zn 산화물층의 표면에 복수의 기공이 형성된다. According to one aspect, another Zn oxide layer is further disposed on the Al oxide layer, and a plurality of pores are formed on the surface of the other Zn oxide layer in contact with the Al oxide layer.

다른 국면에 따르면, 상기 Zn 산화물층과 상기 투명 기판 사이에 다른 Al 산화물층이 더 배치된다. According to another aspect, another Al oxide layer is further disposed between the Zn oxide layer and the transparent substrate.

상기 제1면에 형성된 기공과 상기 제2면에 형성된 기공은 각각 다른 층과 접촉하게 상기 하나의 상기 금속 산화물층에서 그루브 형태일 수 있다. The pores formed in the first surface and the pores formed in the second surface may be in the form of a groove in the one metal oxide layer in contact with the other layer.

개시된 실시예에 따르면, 복수의 광추출층 중 적어도 하나의 광추출층의 표면에 광산란 요소인 기공이 형성되며, 광추출층의 상부 표면이 편평하기 때문에 광추출 효율이 향상될 수 있다.According to the disclosed embodiment, pores serving as light scattering elements are formed on the surface of at least one light extracting layer of the plurality of light extracting layers, and the light extracting efficiency can be improved because the upper surface of the light extracting layer is flat.

도 1은 일 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광 소자의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 2는 일 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광 소자의 산란도를 측정한 결과를 보여주는 그래프다.
도 3은 일 실시예에 따른 광추출층이 적용된 OLED소자의 광추출효율에 대한 파동광학 simulation의 결과를 보여주는 그래프다.
도 4는 다른 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광소자의 구조를 보여주는 단면도다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광소자의 구조를 보여주는 단면도다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device including a light extracting layer according to an embodiment.
2 is a graph showing a result of measuring scattering of a light emitting device including a light extracting layer according to an embodiment.
FIG. 3 is a graph showing a result of a wave optical simulation on the light extraction efficiency of an OLED device to which a light extracting layer according to an embodiment is applied.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device including a light extracting layer according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device including a light extracting layer according to another embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 명세서를 통하여 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of the layers or regions shown in the figures are exaggerated for clarity of the description. The embodiments described below are merely illustrative, and various modifications are possible from these embodiments. In the following, what is referred to as "upper" or "upper" The same reference numerals are used for substantially the same components throughout the specification and the detailed description is omitted.

도 1은 일 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광 소자(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device 100 including a light extracting layer according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 투명 기판(110)의 상부 표면에 투명한 광추출층(120)이 배치되어 있다. 광추출층(120) 상에는 투명 전극(130), 발광층(140), 및 반사 전극(150)이 순차적으로 적층되어 있다. Referring to FIG. 1, a transparent light extracting layer 120 is disposed on an upper surface of a transparent substrate 110. A transparent electrode 130, a light emitting layer 140, and a reflective electrode 150 are sequentially stacked on the light extracting layer 120.

투명기판(110)은 투명한 유리나 투명한 플라스틱 재료로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서는 투명기판(110)으로 알루미노 실리케이트 유리를 사용하였다. The transparent substrate 110 may be made of transparent glass or a transparent plastic material. In this embodiment, aluminosilicate glass is used as the transparent substrate 110.

투명 전극(130)은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 투명 전도성 산화물 이외에도, 그래핀(graphene)을 사용하거나, 또는 금속을 빛이 투과할 수 있는 매우 얇은 두께로 형성하여 투명 전극(130)으로서 사용할 수도 있다. The transparent electrode 130 may be formed of a transparent conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). In addition to the transparent conductive oxide, graphene may be used, or a metal may be formed to have a very thin thickness through which light can be transmitted and used as the transparent electrode 130.

반사 전극(150)은 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 반사성이 우수한 도전성 금속 재료로 이루어질 수 있다.The reflective electrode 150 may be formed of a conductive metal material having excellent reflectivity, such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), or the like.

발광층(140)은 예를 들어 유기 발광 재료로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 재료 이외에도 발광층(140)의 재료로서 예를 들어 양자점과 같은 무기 발광 재료나 다른 발광 재료를 사용할 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 투명 전극(130)이 양극이고 반사 전극(150)이 음극인 경우에, 투명 전극(130)과 발광층(140) 사이에는 정공 주입층과 정공 수송층이 더 개재될 수 있으며, 반사 전극(150)과 발광층(140) 사이에는 전자 주입층과 전자 수송층이 더 개재될 수도 있다. 또한, 투명 전극(130)이 음극이고 반사 전극(150)이 양극인 경우에는, 투명 전극(130)과 발광층(140) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 개재될 수 있으며, 반사 전극(150)과 발광층(140) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 개재될 수도 있다.The light emitting layer 140 may be made of, for example, an organic light emitting material. However, the present embodiment is not limited to this, and an inorganic light emitting material such as a quantum dot or another light emitting material may be used as the material of the light emitting layer 140 in addition to the organic light emitting material. A hole injecting layer and a hole transporting layer may be further interposed between the transparent electrode 130 and the light emitting layer 140 when the transparent electrode 130 is an anode and the reflective electrode 150 is a cathode And between the reflective electrode 150 and the light emitting layer 140, an electron injection layer and an electron transport layer may be further interposed. When the transparent electrode 130 is a cathode and the reflective electrode 150 is an anode, an electron injection layer and an electron transport layer may be further interposed between the transparent electrode 130 and the light emitting layer 140, and the reflective electrode 150 ) And the light emitting layer 140 may further include a hole injection layer and a hole transport layer.

광추출층(120)은 제1 광추출층(121) 및 제2 광추출층(122)을 포함한다. 제1 광추출층(121) 및 제2 광추출층(122)은 각각 서로 다른 금속 산화물로 형성된다. 제1 광추출층(121) 및 제2 광추출층(122)은 열처리에 의해서 원자의 확산속도가 다른 물질로 이루어져 있다. 열처리는 700℃ 정도에서 수시간 수행될 수 있다. The light extraction layer 120 includes a first light extraction layer 121 and a second light extraction layer 122. The first light extracting layer 121 and the second light extracting layer 122 are formed of different metal oxides. The first light extracting layer 121 and the second light extracting layer 122 are made of materials having different diffusion rates of atoms by heat treatment. The heat treatment can be performed at a temperature of about 700 ° C for several hours.

예컨대, 제1 광추출층(121)은 Zn 산화물층이며, 제2 광추출층(122)은 Al 산화물층일 수 있다. 이하에서는 제1 광추출층(121)이 Zn 산화물층이며, 제2 광추출층(122)이 Al 산화물층인 예를 가지고 설명한다. 열처리에 의해 원자 확산속도가 빠른 Zn 원자가 Al 산화물층으로 이동하는 속도가 더 빠르며, 따라서, Zn 산화물층에 기공이 형성된다. For example, the first light extracting layer 121 may be a Zn oxide layer, and the second light extracting layer 122 may be an Al oxide layer. Hereinafter, the first light extracting layer 121 is a Zn oxide layer and the second light extracting layer 122 is an Al oxide layer. The Zn atoms having a high atomic diffusion rate are moved to the Al oxide layer faster by the heat treatment and thus the pores are formed in the Zn oxide layer.

한편, 고온에서 열처리시 열팽창 계수의 차이로 광추출층(120)의 깊이 방향으로 스트레스가 발생하고, 이는 원자의 확산을 촉진시킨다. 스트레스의 크기는 열팽창 계수가 상대적으로 큰 Al 산화물층의 두께에 의해 결정될 수 있다. On the other hand, a stress is generated in the depth direction of the light extracting layer 120 due to a difference in thermal expansion coefficient during heat treatment at a high temperature, which promotes atom diffusion. The magnitude of the stress can be determined by the thickness of the Al oxide layer having a relatively large thermal expansion coefficient.

도 2는 일 실시예에 따른 광추출층의 산란도를 측정한 결과를 보여주는 그래프다. FIG. 2 is a graph showing a result of measuring scattering of a light extracting layer according to an embodiment.

도 2는 글래스 기판 상에 Zn 산화물층 및 Al 산화물층이 적층된 구조에서 열처리에 의해 Zn 산화물층의 양면에 기공이 형성된 광추출층 구조를 가지고 400 nm 파장의 산란도를 측정한 결과를 보여준다. Al 산화물층의 두께가 증가함에 따라 산란도(Haze)가 증가되는 것을 볼 수 있다. 즉, 도 2의 그래프는 Al 산화물층의 두께에 의해 기공의 크기 및 밀도가 달라질 수 있는 것을 보여준다. 도 2에서 Al 산화물층의 두께가 제로인 경우는 Zn 산화물층에 기공이 없는 상태에서의 산란도를 보여준다. 도 2의 Haze(%)는 광추출층에 수직으로 광을 입사시킨 후, 수직으로 진행하지 않고 산란되어 퍼진 빛의 비율을 측정한 데이터다. FIG. 2 shows a result of measuring scattering of 400 nm wavelength with a light extraction layer structure in which pores are formed on both sides of a Zn oxide layer by heat treatment in a structure in which a Zn oxide layer and an Al oxide layer are laminated on a glass substrate. It can be seen that as the thickness of the Al oxide layer increases, the scattering haze increases. That is, the graph of FIG. 2 shows that the pore size and density can be varied by the thickness of the Al oxide layer. In FIG. 2, when the thickness of the Al oxide layer is zero, scattering is observed in a state where there is no pore in the Zn oxide layer. The haze (%) shown in FIG. 2 is data obtained by vertically incident light on the light extracting layer, and then measuring the ratio of light scattered and not propagated vertically.

제1 광추출층(121)은 0.5~1 ㎛ 두께로 형성될 수 있다. 제1 광추출층(121)에서 투명기판(110)과 접촉하는 제1면(121a)에는 제1 기공(125)이 형성되며, 제2 광추출층(122)과 접촉하는 제2면(121b)에는 제2 기공(126)이 형성된다. 제1 기공(125)은 제2 기공(126) 보다 크다. 제1 기공(125)은 200~400nm 크기의 기공일 수 있으며, 제2 기공(126)은 수십 nm 크기의 기공일 수 있다. 제1 광추출층(121)의 두께가 0.5㎛ 보다 작으면 제1 기공(125)이 제2 기공(126)과 접촉하여 제1 광추출층(121)에 홀이 형성될 수 있다. 제1 기공(125) 및 제2 기공(126)은 각각 다른 물질층(110, 122)과 접촉하게 그루브 형상을 가진다. The first light extracting layer 121 may be formed to a thickness of 0.5 to 1 占 퐉. A first pore 125 is formed on a first surface 121a of the first light extracting layer 121 which is in contact with the transparent substrate 110 and a second surface 121b The second pores 126 are formed. The first pores 125 are larger than the second pores 126. The first pores 125 may be pores having a size of 200 to 400 nm, and the second pores 126 may be pores having a size of several tens of nanometers. If the thickness of the first light extracting layer 121 is less than 0.5 탆, the first pores 125 may be in contact with the second pores 126 to form holes in the first light extracting layer 121. The first pores 125 and the second pores 126 have a groove shape in contact with the different material layers 110 and 122, respectively.

제2 광추출층(222)은 10nm ~ 1 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.The second light extracting layer 222 may be formed to a thickness of 10 nm to 1 μm.

광추출층(120)은 발광층(140)에서 발생하여 투명 전극(130)을 통과한 빛이 투명 기판(110)에서 전반사되는 것을 최소화하기 위해 빛의 진행 경로를 바꾸어주는 역할을 한다. 이를 위해, 광추출층(120)에는 다수의 기공들이 형성되어 있다. 기동들의 굴절률은 광추출층(120)의 굴절률과 다르다. 따라서, 투명 전극(130)에 의해 전반사되는 각도 범위로 광추출층(120) 내부를 진행하는 빛은 기공에 의해 진행 각도가 바뀔 수 있다. 예를 들어, 투명 기판(110)의 상부 표면의 법선을 기준으로 높은 각도로 진행하던 빛의 진행 각도가 기공들에 의해 투명 기판(110)의 상부 표면의 법선에 가까운 각도로 변경될 수 있다. 이러한 효과는 광추출층(120)과 기공(121, 122) 사이의 굴절률 차이가 클수록 향상될 수 있다. The light extracting layer 120 changes the path of light in order to minimize the total reflection of the light generated in the light emitting layer 140 and the transparent electrode 130 through the transparent substrate 110. For this, a plurality of pores are formed in the light extracting layer 120. The index of refraction of the actuators is different from the index of refraction of the light extracting layer 120. Therefore, the traveling angle of the light traveling in the light extracting layer 120 by the angle range which is totally reflected by the transparent electrode 130 can be changed by the pores. For example, the light advancing angle at a high angle with respect to the normal of the upper surface of the transparent substrate 110 may be changed to an angle close to the normal of the upper surface of the transparent substrate 110 by the pores. Such an effect can be improved as the refractive index difference between the light extracting layer 120 and the pores 121 and 122 is larger.

한편, 광추출층(120)은 기공(121, 122)으로 인하여 광추출층(120)의 상부 표면이 울퉁불퉁해지면, 그 위에 형성되는 투명 전극(130)의 평탄도도 악화될 수 있다. 그러면, 정공 및 전자와 같은 전하들이 투명 전극(130)의 특정 영역에 집중되면서 발광 소자(100)의 전기적 특성이 열화될 수 있다. 따라서, 광추출층(120)의 상부 표면에 요철이 생기지 않아야 한다. 제1 광추출층(121)의 제2면(121b)에 기공이 형성되어 있지만, 제2 광추출층(122)의 상부 표면이 평탄한 상태를 유지하고 있다. 따라서, 본 실시예에서는 기공(121, 122)이 형성되면서도 편평도가 저하되지 않으므로 광추출효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다. Meanwhile, if the upper surface of the light extracting layer 120 becomes uneven due to the pores 121 and 122, the flatness of the transparent electrode 130 formed thereon may be deteriorated. Then, electric charges such as holes and electrons are concentrated in a specific region of the transparent electrode 130, so that the electrical characteristics of the light emitting device 100 may deteriorate. Therefore, the upper surface of the light extracting layer 120 should not have irregularities. Pores are formed on the second surface 121b of the first light extracting layer 121. However, the upper surface of the second light extracting layer 122 remains flat. Accordingly, in this embodiment, since the flatness is not reduced while the pores 121 and 122 are formed, the light extraction efficiency can be effectively increased.

도 3은 일 실시예에 따른 광추출층이 적용된 OLED소자의 광추출효율에 대한 파동광학 simulation의 결과를 보여주는 그래프다. 도 3의 광추출 비는 가시광선 영역에서의 광추출 효율의 평균값이다. 해석은 Finite Difference in Time Domain (FDTD)방법에 의해 실행되었으며, 변수로서 기공의 크기를 사용하였다. 기공의 종횡비(Aspect ratio)는 1.5이다. 제1 광추출층인 Al 산화물층 및 제2 광추출층인 Zn 산화물층의 두께는 각각 500nm, 50nm 이였다. 제1면에 형성된 기공의 높이가 300nm 일 때, 광추출효율이 1.7배 이상 증가하는 것을 볼 수 있다. 광추출효율이 1 인 경우는 광추출층이 없는 상태를 나타낸다. FIG. 3 is a graph showing a result of a wave optical simulation of the light extraction efficiency of an OLED device to which a light extracting layer according to an embodiment is applied. The light extraction ratio in FIG. 3 is an average value of the light extraction efficiency in the visible light region. The analysis was performed by Finite Difference in Time Domain (FDTD) method and the size of the pore was used as a parameter. The aspect ratio of the pores is 1.5. The thicknesses of the Al oxide layer as the first light extracting layer and the Zn oxide layer as the second light extracting layer were 500 nm and 50 nm, respectively. When the height of the pores formed on the first surface is 300 nm, the light extraction efficiency is increased by 1.7 times or more. When the light extraction efficiency is 1, there is no light extraction layer.

도 4는 다른 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광소자(200)의 구조를 보여주는 단면도다. 도 1의 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다. 4 is a cross-sectional view showing a structure of a light emitting device 200 including a light extracting layer according to another embodiment. Components that are substantially the same as those in the embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

도 4를 참조하면, 광추출층(220)은 투명 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 제1 광추출층(221), 제2 광추출층(222) 및 제3 광추출층(223)을 포함한다. 제1 광추출층(221) 및 제2 광추출층(222)은 각각 서로 다른 금속 산화물로 형성되며, 제2 광추출층(222)과 제3 광추출층(223)도 서로 다른 금속 산화물로 형성된다. 제1 광추출층(221)과 제3 광추출층(223)은 동일한 금속 산화물로 형성될 수 있다. 이하에서는 제1 광추출층(221)과 제3 광추출층(223)이 동일한 금속 산화물로 형성된 실시예를 설명한다. 4, the light extracting layer 220 includes a first light extracting layer 221, a second light extracting layer 222, and a third light extracting layer 223 sequentially formed on a transparent substrate 110 . The first light extracting layer 221 and the second light extracting layer 222 are formed of different metal oxides and the second light extracting layer 222 and the third light extracting layer 223 are formed of different metal oxides . The first light extracting layer 221 and the third light extracting layer 223 may be formed of the same metal oxide. Hereinafter, an embodiment will be described in which the first light extracting layer 221 and the third light extracting layer 223 are formed of the same metal oxide.

제1 광추출층(221) 및 제2 광추출층(222)은 열처리에 의해서 원자의 확산속도가 다른 물질로 이루어져 있다. 예컨대, 제1 광추출층(221)은 Zn 산화물층이며, 제2 광추출층(222)은 Al 산화물층일 수 있다. 이하에서는 제1 광추출층(221)과 제3 광추출층(223)이 Zn 산화물층이며, 제2 광추출층(222)이 Al 산화물층인 예를 가지고 설명한다. 열처리에 의해 원자 확산속도가 빠른 Zn 원자가 Al 산화물층으로 이동하는 속도가 더 빠르며, 따라서, Zn 산화물층에 기공이 형성된다. The first light extracting layer 221 and the second light extracting layer 222 are made of materials having different diffusion rates of atoms by heat treatment. For example, the first light extracting layer 221 may be a Zn oxide layer, and the second light extracting layer 222 may be an Al oxide layer. Hereinafter, the first light extracting layer 221 and the third light extracting layer 223 are Zn oxide layers, and the second light extracting layer 222 is an Al oxide layer. The Zn atoms having a high atomic diffusion rate are moved to the Al oxide layer faster by the heat treatment and thus the pores are formed in the Zn oxide layer.

한편, 고온에서 열처리시 열팽창 계수의 차이로 광추출층(220)의 깊이 방향으로 스트레스가 발생하고, 이는 원자의 확산을 촉진시킨다. 스트레스의 크기는 열팽창 계수가 상대적으로 큰 Al 산화물층의 두께에 의해 결정될 수 있다. On the other hand, a stress is generated in the depth direction of the light extracting layer 220 due to a difference in thermal expansion coefficient during heat treatment at a high temperature, which promotes atom diffusion. The magnitude of the stress can be determined by the thickness of the Al oxide layer having a relatively large thermal expansion coefficient.

제1 광추출층(221) 및 제3 광추출층(223)은 0.5~1 ㎛ 두께로 형성될 수 있다. 제1 광추출층(221)에서 투명기판(210)과 접촉하는 제1면(221a)에는 제1 기공(225)이 형성되며, 제2 광추출층(222)과 접촉하는 제2면(221b)에는 제2 기공(226)이 형성된다. 제1 기공(225)은 제2 기공(226) 보다 크다. 제1 기공(225)은 200~400nm 크기의 기공일 수 있으며, 제2 기공(226)은 수십 nm 크기의 기공일 수 있다. 제1 광추출층(221)의 두께가 0.5㎛ 보다 작으면 제1 기공(225)이 제2 기공(226)과 접촉하여 제1 광추출층(221)에 홀이 형성될 수 있다. The first light extracting layer 221 and the third light extracting layer 223 may be formed to a thickness of 0.5 to 1 탆. A first pore 225 is formed on a first surface 221a of the first light extracting layer 221 that contacts the transparent substrate 210 and a second surface 221b contacting the second light extracting layer 222 The second pores 226 are formed. The first pores 225 are larger than the second pores 226. The first pores 225 may be pores having a size of 200 to 400 nm, and the second pores 226 may be pores having a size of several tens of nanometers. If the thickness of the first light extracting layer 221 is less than 0.5 탆, the first pores 225 may be in contact with the second pores 226 to form holes in the first light extracting layer 221.

제2 광추출층(222)은 10nm ~ 1 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.The second light extracting layer 222 may be formed to a thickness of 10 nm to 1 μm.

제3 광추출층(223)에서 제2 광추출층(222)과 접촉하는 제1면(223a)에는 제3 기공(227)이 형성된다. 제3 기공(227)의 크기는 200~400nm 일 수 있다. A third pore 227 is formed on the first surface 223a of the third light extracting layer 223 that is in contact with the second light extracting layer 222. The size of the third pores 227 may be 200 to 400 nm.

광추출층(220)의 상부 표면에 요철이 생기지 않아야 한다. 제3 광추출층(223)의 상부 표면이 평탄한 상태를 유지하고 있다. The upper surface of the light extracting layer 220 should not have irregularities. The upper surface of the third light extracting layer 223 remains flat.

광추출층(220)에서의 기공(225~227)의 증가로 광의 추출 효과가 증가될 수 있다. The extraction efficiency of light can be increased by increasing the pores 225 to 227 in the light extracting layer 220.

도 5는 또 다른 실시예에 따른 광추출층을 포함하는 발광소자(300)의 구조를 보여주는 단면도다. 도 1의 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다. 5 is a cross-sectional view showing a structure of a light emitting device 300 including a light extracting layer according to another embodiment. Components that are substantially the same as those in the embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

도 5를 참조하면, 광추출층(320)은 투명 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 제1 광추출층(321), 제2 광추출층(322) 및 제3 광추출층(323)을 포함한다. 제1 광추출층(321) 및 제2 광추출층(322)은 각각 서로 다른 금속 산화물로 형성되며, 제2 광추출층(322)과 제3 광추출층(323)도 서로 다른 금속 산화물로 형성된다. 제1 광추출층(321)과 제3 광추출층(323)은 동일한 금속 산화물로 형성될 수 있다. 이하에서는 제1 광추출층(321)과 제3 광추출층(323)이 동일한 금속 산화물로 형성된 실시예를 설명한다. 5, the light extracting layer 320 includes a first light extracting layer 321, a second light extracting layer 322, and a third light extracting layer 323 sequentially formed on a transparent substrate 110 . The first light extracting layer 321 and the second light extracting layer 322 are formed of different metal oxides and the second light extracting layer 322 and the third light extracting layer 323 are formed of different metal oxides . The first light extracting layer 321 and the third light extracting layer 323 may be formed of the same metal oxide. Hereinafter, an embodiment will be described in which the first light extracting layer 321 and the third light extracting layer 323 are formed of the same metal oxide.

제1 광추출층(321) 및 제2 광추출층(322)은 열처리에 의해서 원자의 확산속도가 다른 물질로 이루어져 있다. 예컨대, 제1 광추출층(321)은 Al 산화물층이며, 제2 광추출층(322)은 Zn 산화물층일 수 있다. 이하에서는 제1 광추출층(321)과 제3 광추출층(323)이 Al 산화물층이며, 제2 광추출층(322)이 Zn 산화물층인 예를 가지고 설명한다. 열처리에 의해 원자 확산속도가 빠른 Zn 원자가 Al 산화물층으로 이동하는 속도가 더 빠르며, 따라서, Zn 산화물층에 기공이 형성된다. The first light extracting layer 321 and the second light extracting layer 322 are made of materials having different diffusion rates of atoms by heat treatment. For example, the first light extraction layer 321 may be an Al oxide layer and the second light extraction layer 322 may be a Zn oxide layer. Hereinafter, the first light extracting layer 321 and the third light extracting layer 323 are an Al oxide layer, and the second light extracting layer 322 is a Zn oxide layer. The Zn atoms having a high atomic diffusion rate are moved to the Al oxide layer faster by the heat treatment and thus the pores are formed in the Zn oxide layer.

한편, 고온에서 열처리시 열팽창 계수의 차이로 광추출층(320)의 깊이 방향으로 스트레스가 발생하고, 이는 원자의 확산을 촉진시킨다. 스트레스의 크기는 열팽창 계수가 상대적으로 큰 Al 산화물층의 두께에 의해 결정될 수 있다. On the other hand, a stress is generated in the depth direction of the light extracting layer 320 due to a difference in thermal expansion coefficient during heat treatment at a high temperature, which promotes atom diffusion. The magnitude of the stress can be determined by the thickness of the Al oxide layer having a relatively large thermal expansion coefficient.

제1 광추출층(321) 및 제3 광추출층(323)은 10nm ~ 1 ㎛ 두께로 형성될 수 있다. The first light extracting layer 321 and the third light extracting layer 323 may be formed to a thickness of 10 nm to 1 μm.

제2 광추출층(322)은 0.5~1 ㎛ 두께로 형성될 수 있다. 제2 광추출층(322)에서 투명기판(310)과 접촉하는 제1면(322a)에는 제1 기공(325)이 형성되며, 제2 광추출층(322)과 접촉하는 제2면(322b)에는 제2 기공(326)이 형성된다. 제1 기공(325)과 제2 기공(326)은 수십 nm 크기의 기공일 수 있다. The second light extracting layer 322 may be formed to a thickness of 0.5 to 1 mu m. A first pore 325 is formed in a first surface 322a of the second light extracting layer 322 that is in contact with the transparent substrate 310 and a second surface 322b is formed in contact with the second light extracting layer 322. [ The second pores 326 are formed. The first pores 325 and the second pores 326 may be pores having a size of several tens of nanometers.

제2 광추출층(320)의 상부 및 하부에 각각 배치된 제3 광추출층(323) 및 제1 광추출층(321)에 의해 광추출층(320)의 평탄도가 더 증가할 수 있다. 또한, 기공이 형성되는 영역이 증가되므로, 광추출 효율의 증가가 예상된다. The flatness of the light extracting layer 320 can be further increased by the third light extracting layer 323 and the first light extracting layer 321 disposed at the upper and lower portions of the second light extracting layer 320 . Further, since the region where pores are formed is increased, an increase in light extraction efficiency is expected.

이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

100: 발광 소자 110: 투명 기판
120: 광추출층 121: 제1 광추출층
122: 제2 광추출층 125: 제1 기공
126: 제2 기공 130: 투명 전극
140: 발광층 150: 반사 전극100: light emitting element 110: transparent substrate
120: light extracting layer 121: first light extracting layer
122: second light extracting layer 125: first porous
126: Second pore 130: Transparent electrode
140: light emitting layer 150: reflective electrode

Claims (15)

투명 기판 상에 배치된 것으로, 평탄한 상부 표면을 갖는 투명한 광추출층으로, 상기 광추출층은 적어도 두개의 금속산화물층으로 이루어지며, 적어도 하나의 상기 금속 산화물층에서 상기 투명기판을 향한 제1면과 상기 제1면과 반대측의 제2면에는 각각 복수의 기공(void)이 형성된 광추출층광추출층.A transparent light extraction layer disposed on a transparent substrate and having a planar upper surface, the light extraction layer comprising at least two metal oxide layers, wherein at least one of the metal oxide layers has a first surface And a plurality of pores are formed on a second surface opposite to the first surface. 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 두개의 금속산화물층은 상기 투명기판 상에 순차적으로 적층된 Zn 산화물층과 Al 산화물층인 광추출층.The method according to claim 1,
Wherein the at least two metal oxide layers are a Zn oxide layer and an Al oxide layer sequentially stacked on the transparent substrate. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 기공은 상기 Zn 산화물층의 양면에 형성된 광추출층.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of pores are formed on both surfaces of the Zn oxide layer. 제 3 항에 있어서,
상기 Zn 산화물층에서 상기 투명 기판과 접촉하는 제1 기공이 상기 Al 산화물층과 접촉하는 제2 기공 보다 더 큰 광추출층.The method of claim 3,
Wherein the first pore contacting the transparent substrate in the Zn oxide layer is larger than the second pore contacting the Al oxide layer. 제 2 항에 있어서,
상기 Zn 산화물층은 0.5 ~ 1 ㎛ 두께를 가진 광추출층.3. The method of claim 2,
Wherein the Zn oxide layer has a thickness of 0.5 to 1 占 퐉. 제 2 항에 있어서,
상기 Al 산화물층은 10nm ~ 1 ㎛ 두께를 가진 광추출층.3. The method of claim 2,
Wherein the Al oxide layer has a thickness of 10 nm to 1 占 퐉. 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 두개의 금속산화물층은 상기 Al 산화물층 상에 배치된 다른 Zn 산화물층을 더 포함하는 광추출층.3. The method of claim 2,
Wherein the at least two metal oxide layers further comprise another Zn oxide layer disposed on the Al oxide layer. 제 7 항에 있어서,
상기 복수의 기공은 상기 Zn 산화물층의 양면에 각각 형성된 복수의 기공과 상기 다른 Zn 산화물층에서 상기 Al 산화물과 접촉하는 표면에 형성된 복수의 기공을 포함하는 광추출층.8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of pores include a plurality of pores formed on both surfaces of the Zn oxide layer and a plurality of pores formed on a surface of the other Zn oxide layer in contact with the Al oxide. 제 7 항에 있어서,
상기 Zn 산화물층과 상기 다른 Zn 산화물층은 각각 0.5 ~ 1 ㎛ 두께를 가진 광추출층.8. The method of claim 7,
Wherein the Zn oxide layer and the other Zn oxide layer each have a thickness of 0.5 to 1 占 퐉. 제 7 항에 있어서,
상기 Al 산화물층은 10nm ~ 1 ㎛ 두께를 가진 광추출층.8. The method of claim 7,
Wherein the Al oxide layer has a thickness of 10 nm to 1 占 퐉. 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 두개의 금속산화물층은 상기 Zn 산화물층과 상기 투명 기판 사이에 배치된 다른 Al 산화물층을 더 포함하는 광추출층.3. The method of claim 2,
Wherein the at least two metal oxide layers further comprise another Al oxide layer disposed between the Zn oxide layer and the transparent substrate. 제 11 항에 있어서,
상기 Zn 산화물층은 0.5 ~ 1 ㎛ 두께를 가진 광추출층.12. The method of claim 11,
Wherein the Zn oxide layer has a thickness of 0.5 to 1 占 퐉. 제 11 항에 있어서,
상기 Al 산화물층은 10nm ~ 1 ㎛ 두께를 가진 광추출층.12. The method of claim 11,
Wherein the Al oxide layer has a thickness of 10 nm to 1 占 퐉. 제 1 항에 있어서,
상기 제1면에 형성된 기공과 상기 제2면에 형성된 기공은 각각 다른 층과 접촉하게 상기 하나의 상기 금속 산화물층에서 그루브 형상인 광추출층.The method according to claim 1,
Wherein the pores formed in the first surface and the pores formed in the second surface are grooved in the one metal oxide layer in contact with the other layer. 제 1 항의 광추출층;
상기 광추출층의 상부 표면 상의 투명전극;
상기 투명전극 상에 배치된 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치된 반사전극을 포함하는 복수의 광추출층을 가진 발광소자. A light extracting layer of claim 1;
A transparent electrode on the upper surface of the light extracting layer;
A light emitting layer disposed on the transparent electrode; And
And a plurality of light extraction layers including a reflective electrode disposed on the light emitting layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110054836A (en) * 2009-11-18 2011-05-25 한국전자통신연구원 Organic light emitting diode using phase separation and method for fabricating the same
KR20110062236A (en) * 2009-12-03 2011-06-10 한국전자통신연구원 Organic light emitting diode and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110054836A (en) * 2009-11-18 2011-05-25 한국전자통신연구원 Organic light emitting diode using phase separation and method for fabricating the same
KR20110062236A (en) * 2009-12-03 2011-06-10 한국전자통신연구원 Organic light emitting diode and manufacturing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160056483A (en) * 2014-11-11 2016-05-20 엘지디스플레이 주식회사 Color Filter Array Substrate and Method For Fabricating the Same, and Organic Light Emitting Diode Display Device Using the Same

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