KR20140104114A - 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치 - Google Patents

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Abstract

평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면 디스플레이용 기판에 대한 증착공정을 수행하는 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버의 하부 영역에 배치되되, 상기 기판이 로딩되는 서셉터; 상기 챔버의 상부 영역에 배치되되, 증착물질을 상기 기판방향으로 공급함과 동시에 상기 증착물질이 상기 기판의 표면에서 반응 후 생성된 반응물을 상부로 배기하는 가스 공급/배기판; 상기 챔버 내부의 상기 가스 공급/배기판의 상부에 배치되되, 상기 가스 공급/배기판과 사이에 버퍼공간을 형성하는 백킹 플레이트; 및 상기 챔버의 상부에 마련된 고주파 전원부를 포함하며, 상기 고주파 전원부는, 고주파 전원의 전기적 길이에 따라 발생되는 정상파 특성에 의한 전기장 분포의 불균일을 방지하도록, 상기 백킹 플레이트를 관통하되 상기 가스 공급/배기판에 직접 연결되는 복수의 입력포트를 포함한다.

Description

평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR FLAT DISPLAY}
본 발명은, 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
평면 디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.
평면 디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.
특히, 평면 디스플레이 중 유기전계 발광표시장치(OLED, Organic Light Emitting Display)는 유기물의 자체 발광에 의해 컬러 화상을 구현하는 초경박형 표시장치로서, 그 구조가 간단하면서 광효율이 높다는 점에서 차세대의 유망 평면 디스플레이로서 주목받고 있다.
이러한 유기전계 발광표시장치는 애노드와 캐소드 그리고, 애노드와 캐소드 사이에 개재된 유기막들을 포함하고 있다.
여기서 유기막들은 최소한 발광층을 포함하며, 발광층 이외에도 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층을 더 포함한다.
또한, 유기전계 발광표시장치는 유기물의 자체 발광에 의해 컬러 화상을 구현하는 초경박형 표시장치로서, 그 구조가 간단하면서 광효율이 높다는 점에서 차세대의 유망 평면디스플레이로서 주목받고 있다.
이러한 유기전계 발광표시장치용 기판을 제조하기 위해서는 기판 상에 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하기 위한 무기물 증착공정과 패터닝 공정이 반복적으로 이루어지고, 이후 발광 셀(Cell)을 구성하기 위한 유기물 증착이 이루어진다.
통상적으로 유기전계 발광표시장치용 기판에 증착되는 무기물은 화학 기상 증착공정(CVD, Chemical Vapor Deposition Process)으로 증착된다. 이는 화학 기상 증착공정이 다양한 박막을 형성하는데 유리하기 때문이다.
유기전계발광표시장치(OLED) 기판을 제조하기 위한 증착공정 중에 하나인 화학 기상 증착공정(CVD, Chemical Vapor Deposition Process)을 간략히 설명하면 다음과 같다.
화학 기상 증착공정은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스 분배판에서 분출되어 기판 상에 증착되는 공정으로서, 이러한 공정은 화학 기상 증착공정을 수행하는 공정챔버 내에서 이루어진다.
특히 최근에는 단시간에 많은 기판을 처리할 수 있도록, 일정한 간격으로 배치되는 복수 개의 공정챔버를 구비하는 화학 기상 증착 장치가 널리 사용되고 있다.
도 1에서 도시한 바와 같이, 종래기술에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치(10)는, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버(1) 내부의 하부 영역에는 증착 대상의 기판(G)이 로딩되는 기판 로딩부(2)를 구비한 서셉터(3)가 설치된다.
챔버(1)의 내부에는 서셉터(3)의 상부에 기판(G)에 플라즈마 상태의 공정가스, 즉 증착물질을 분배하는 가스 분배판(4)과, 가스 분배판(4)과 사이에 버퍼공간(S)을 형성하는 백킹 플레이트가(5)가 배치된다.
그리고, 챔버의 상부에는 버퍼공간(S)에 공정가스를 공급하는 가스 공급부(8)가 마련되며, 또한 챔버(1)의 상부에는 백킹 플레이트(5)의 중심부에 고주파 전원을 공급하는 고주파 전원부(9)가 마련된다.
서셉터(3)의 하부에는 기판 로딩부(2)에 로딩된 기판(G)이 처지는 것을 방지하는 복수의 서셉터 지지대(6)가 결합된다.
서셉터(3)와 서셉터 지지대(5)는 그 하부에 마련된 승강모듈(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강되도록 설치된다.
그리고, 기판(G)은 챔버(1)의 측부에 마련된 기판 출입구(10), 즉 게이트 밸브를 통해 기판 로딩부(2)의 상면으로 로딩되거나 혹은 기판 로딩부(2)로부터 취출된다.
그리고, 기판(G)이 로딩되거나 취출될 때, 기판(G)의 하면을 지지하는 복수의 리프트 핀(7)이 기판 로딩부(2)를 관통하여 상하 승강할 수 있도록 설치된다.
상기와 같은 종래기술에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 백킹 플레이트(5)의 중심부에 고주파 전원이 공급된다.
특히 대면적의 기판(G)에 박막을 증착하고자 하는 경우에, 백킹 플레이트(5)는 기판(G)의 면적에 비례하여 커지게 되므로, 고주파 전원의 주파수에 대한 정상파 효과가 발생하는 문제점이 있다.
즉, 정상파 효과에 의해 백킹 플레이트(5)의 중심부에서 테두리부로 갈수록 전계의 세기가 달라져 백킹 플레이트(5)의 중심부에서 모서리부에 걸쳐 고주파 전원의 불균형이 발생된다.
따라서, 백킹 플레이트(5)의 중심부에서 테두리부에 걸쳐 플라즈마 밀도가 불균일하게 되며, 이로써 기판(G) 상에 균일한 박막을 형성할 수 없는 문제점이 있다.
특히, 기판(G)의 대면적화에 의해 백킹 플레이트(5)의 크기가 커질 경우에, 플라즈마 밀도의 불균일 현상은 더욱 심화되는 문제점이 있다.
[문헌1] 한국특허공개공보 제10-2006-0092886호 (어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드), 2006.08.23. 공개
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 기판의 전면적에 걸쳐 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 평면 디스플레이용 기판에 대한 증착공정을 수행하는 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버의 하부 영역에 배치되되, 상기 기판이 로딩되는 서셉터; 상기 챔버의 상부 영역에 배치되되, 증착물질을 상기 기판방향으로 공급함과 동시에 상기 증착물질이 상기 기판의 표면에서 반응 후 생성된 반응물을 상부로 배기하는 가스 공급/배기판; 상기 챔버 내부의 상기 가스 공급/배기판의 상부에 배치되되, 상기 가스 공급/배기판과 사이에 버퍼공간을 형성하는 백킹 플레이트; 및 상기 챔버의 상부에 마련된 고주파 전원부를 포함하며, 상기 고주파 전원부는, 고주파 전원의 전기적 길이에 따라 발생되는 정상파 특성에 의한 전기장 분포의 불균일을 방지하도록, 상기 백킹 플레이트를 관통하되 상기 가스 공급/배기판에 직접 연결되는 복수의 입력포트를 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치가 제공될 수 있다.
상기 복수의 입력포트는, 상기 가스 공급/배기판의 중심부를 기준으로 상호 이격되게 배치되며, 상호 통전될 수 있다.
상기 백킹 플레이트에는, 고주파 전원이 관통하는 절연체가 마련될 수 있다.
상기 백킹 플레이트와 상기 서셉트는 접지될 수 있다.
증착공정을 수행하기 위해 상기 서셉터가 상승된 경우에, 상기 가스 공급/배기판과 상기 서셉터 사이에서 플라즈마가 발생되도록 상기 가스 공급/배기판과 상기 서셉터 사이의 간격이 상기 가스 공급/배기판과 상기 백킹 플레이트의 간격보다 작을 수 있다.
상기 가스 공급/배기판은, 몸체부; 상기 몸체부에 마련되되, 상기 증착물질을 상기 기판방향으로 공급하도록 상기 기판방향으로 개구된 복수의 분배공; 및 상기 몸체부에 마련되되, 상기 반응물을 상기 버퍼공간으로 배기하도록 상기 몸체부의 두께방향으로 관통된 복수의 배기공을 포함할 수 있다.
상기 챔버의 상부에 마련되어 상기 가스 공급/배기판에 공정가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하며, 상기 가스 공급/배기판은, 상기 몸체부의 양측벽에 각각 마련되되, 상기 가스 공급부와 연통되는 가스 유입구; 및 상기 몸체부의 내부에 마련되되, 상기 복수의 분배공과 상기 가스 유입구를 연통되게 하는 가스 공급터널을 더 포함할 수 있다.
상기 가스 공급터널은, 상기 몸체부의 양측부를 잇는 길이방향에 평행되게 복수 개 마련되며, 상기 복수의 분배공은, 일단부가 상기 가스 공급터널에 연통되며 타단부가 상기 기판방향으로 개구될 수 있다.
상기 복수의 분배공 각각은, 상기 가스 공급터널에 연통되어 상기 공정가스가 유입되며, 하방으로 갈수록 직경이 점진적으로 작아지게 형성된 축경홀; 상기 축경홀의 하단부에 연결되며, 상기 축경홀을 통과한 상기 공정가스가 하방으로 통과하는 오리피스; 및 상기 오리피스를 통과한 상기 공정가스가 상기 기판을 향해 낙하되도록 상기 오리피스의 하단에 연결되며, 하방으로 갈수록 직경이 점진적으로 커지게 형성되는 확경홀을 포함할 수 있다.
상기 가스 공급부는, 상기 백킹 플레이트의 양측부를 관통하여 상기 가스 유입구에 상기 공정가스를 공급하는 가스 공급유로를 포함할 수 있다.
상기 가스 공급/배기판을 통하여 상기 버퍼공간으로 유입된 상기 반응물을 상기 챔버의 외부로 배기하는 반응물 배기유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 반응물 배기유닛은, 상기 백킹 플레이트를 관통하되, 상기 버퍼공간에 연통되는 반응물 배기포트; 및 상기 챔버의 상부에 배치되되, 상기 반응물을 상기 복수의 배기공을 통하여 상기 버퍼공간 및 상기 반응물 배기포트로 흡입한 후 상기 챔버의 외부로 배기하는 반응물 배기펌프를 포함할 수 있다.
상기 반응물 배기유닛은, 상기 버퍼공간에 마련되되, 상기 복수의 배기공에 가해지는 배기압력을 균일하게 조절하도록 상기 반응물 배기포트에 연통되는 복수의 관통공을 구비한 배플을 더 포함할 수 있다.
상기 반응물 배기포트는, 상기 가스 공급/배기판의 중심부에 대응되는 위치에 배치되며, 상기 배플은, 상기 반응물 배기포트에 대응되는 위치인 중심부에서 테두리부로 갈수록 단위면적당 상기 복수의 관통공의 개수가 증가될 수 있다.
본 발명의 실시예는, 가스 공급/배기판에 고주파 전원이 공급되는 입력포트를 복수 개 마련함으로써, 기판이 대면적화되어 가스 공급/배기판의 크기가 증가되는 경우에도 고주파 전원의 전기적 길이에 따라 발생되는 정상파 효과를 방지할 수 있으며 아울러 기판의 전면적에 걸쳐 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터의 승강동작을 나타내는 상태도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실링부의 동작상태를 나타내는 확대도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 이너챔버 내부의 개략적인 구조도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 백킹 플레이트, 가스 공급/배기판 및 고주파 전원부의 결합관계를 나타내는 확대사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급/배기판을 나타내는 확대 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 전원부의 입력포트를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반응물 배기유닛의 개략적인 구조도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
이하에서 설명될 평면 디스플레이란 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다. 다만, 본 실시예에서는 OLED(Organic Light Emitting Diodes)를 채택하여 설명한다.
이하, 편의를 위해, OLED(Organic Light Emitting Diodes)용 유리기판을 단순히 기판이라 하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터의 승강동작을 나타내는 상태도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실링부의 동작상태를 나타내는 확대도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 이너챔버 내부의 개략적인 구조도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 백킹 플레이트, 가스 공급/배기판 및 고주파 전원부의 결합관계를 나타내는 확대사시도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급/배기판을 나타내는 확대 사시도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 전원부의 입력포트를 나타내는 단면도이고, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반응물 배기유닛의 개략적인 구조도이다.
도 2 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 기판(G)에 대한 증착공정이 수행되는 이너챔버(inner chamber,200)와, 이너챔버(200)가 내재되되 기판(G)이 출입되는 기판 출입구(미도시)를 구비한 아우터챔버(outer chamber,100)를 포함한다
기판(G)은 기판 출입구에 유입된 후 이너챔버(200)에 장착되고, 그 후에 이너챔버(200)의 내부에서 증착공정이 수행된다.
본 실시예는 기판(G)에 대한 증착공정이 진행되는 이너챔버(200)와 기판(G)이 출입되는 아우터챔버(100)를 별도로 마련하고, 이너챔버(200)와 아우터챔버(100)를 격리함으로써 이너챔버(200)에서 증착공정을 수행하는 동안 증착물질 내지 공정가스가 아우터챔버(100)로 유입되는 것을 차단한다.
따라서, 아우터챔버(100)의 내부에서 플라즈마가 발생되지 않으므로 아우터챔버(100) 내부의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 종래와 같이 기판 출입구의 존재로 인한 아우터챔버(100) 내부의 전기적 분포 불균형으로 인해 기판의 전면적에 걸친 플라즈마의 불균일성도 해소할 수 있다.
한편, 아우터챔버(100)는 내부를 진공상태로 유지하도록 외벽에 연결된 진공모터(미도시)를 더 포함한다.
본 실시예에서 이너챔버(200)는, 상부챔버(210)와, 상부챔버(210) 내부의 상부영역에 마련된 가스 공급/배기판(250)과, 상부챔버(210) 내의 상부영역에 마련되되 가스 공급/배기판(250)의 상부에 배치된 백킹 플레이트(backing plate,260)와, 기판(G)이 로딩되되 상승하여 상부챔버(210)에 밀착됨에 따라 상부챔버(210)의 내부를 밀폐하는 서셉터(230)를 포함한다.
즉, 이너챔버(200)는 상부챔버(210)의 하부에 서셉터(230)가 상승하여 밀착됨에 따라 그 내부가 밀폐되며, 기판(G)에 대한 증착공정을 수행하는 공간을 형성한다.
먼저, 서셉터(230)에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 서셉터(230)는 아우터챔버(100)의 기판 출입구를 통해 로딩되는 기판(G)을 지지하는 기판 로딩부(231)와, 기판 로딩부(231)에 대해 상대적으로 승강가능하게 결합되어 기판(G)을 지지하는 복수의 리프트 핀(lift pin,233)과, 기판 로딩부(231)의 테두리부에서 상방으로 절곡되되 승강함에 따라 상부챔버(210)의 외벽에 밀착 및 밀착해제되는 절곡부(235)를 포함한다.
기판 로딩부(231)는 로봇암(미도시)에 의해 아우터챔버(100)의 기판 출입구를 통해 로딩된 기판(G)을 지지하는 역할을 한다.
기판 로딩부(231)의 상면은 기판(G)이 정밀하게 수평상태로 로딩될 수 있도록 정반으로 제조된다.
그리고, 기판 로딩부(231)의 내부에는 히터(미도시)가 장착되어 기판 로딩부(231)를 소정온도로 가열한다.
복수의 리프트 핀(233)은 기판(G)이 기판 로딩부(231)에 로딩되거나 기판 로딩부(231)에서 취출되는 경우에, 기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하도록 기판 로딩부(231)에 상대적으로 승강가능하게 결합된다.
도 3에서 도시한 바와 같이, 기판 로딩부(231)가 하강하는 경우, 리프트 핀(233)의 하단이 아우터챔버(100)의 바닥면에 가압되어 상단이 기판 로딩부(231)의 상면으로 돌출된다. 그리고, 기판 로딩부(231)가 더욱 하강하는 경우에 기판(G)은 리프트 핀(233)에 안착된 상태로 기판 로딩부(231)로부터 상부로 이격된다.
반대로, 도 4에서 도시한 바와 같이, 기판 로딩부(231)가 상승하는 경우, 리프트 핀(233)은 기판 로딩부(231)에 대해 상대적으로 하강하여 기판(G)이 기판 로딩부(231)의 상면에 밀착되도록 한다.
이러한 리프트 핀(233)은 기판 로딩부(231)에 로딩된 기판(G)을 로봇암이 파지할 수 있도록 기판(G)과 기판 로딩부(231) 사이의 공간을 형성하는 역할을 한다.
그리고, 절곡부(235)는 기판 로딩부(231)가 승강함에 따라 상부챔버(210)의 외벽에 밀착 및 밀착해제되어 상부챔버(210)를 밀폐 및 밀폐해제하는 역할을 한다.
본 실시예에서 절곡부(235)는 상승되어 상부챔버(210)의 외벽을 감싸도록 형성된다.
한편, 도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 상부챔버(210)의 밀폐 효과를 더욱 향상시키기 위하여 절곡부(235)와 상부챔버(210)의 외벽 사이에 마련된 실링부(240)를 더 포함한다.
실링부(240)는 절곡부(235)가 상부챔버(210)의 외벽에 밀착되는 경우에 상부챔버(210)의 내부를 밀폐하는 역할을 한다.
실링부(240)는 상부챔버(210)의 외벽에 마련된 홈부(241)와, 홈부(241)에 마련되되 팽창 및 수축됨에 따라 절곡부(235)와 상부챔버(210) 사이에 밀착되어 상부챔버(210)의 내부를 밀폐 및 밀폐해제하는 오링(o-ring,243)을 포함한다.
예를들어, 도 5에서 도시한 바와 같이, 기판(G)에 대한 증착공정을 수행하기 위해 기판 로딩부(231)가 상승되어 절곡부(235)가 상부챔버(210)의 외벽을 감싸는 형상으로 상부챔버(210)의 외벽에 밀착되는 경우에, 오링(243)이 팽창하여 상부챔버(210)와 절곡부(235) 사이를 밀폐함으로써 상부챔버(210)의 내부를 밀폐한다.
반대로, 도 6에서 도시한 바와 같이, 기판(G)에 대한 증착공정을 완료한 후 기판 로딩부(231)가 하강되는 경우에, 절곡부(235)가 상부챔버(210)의 외벽에서 밀착해제되고, 오링(243)이 수축하여 상부챔버(210) 내부를 밀폐해제한다.
이러한 기판 로딩부(231) 및 절곡부(235)를 포함한 서셉터(230)의 승강은 서셉터 승강유닛(300)에 의해 수행된다.
서셉터 승강유닛(300)은 서셉터(230)를 아우터챔버(100)의 내부공간에서 승강시키는 역할을 한다.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 서셉터 승강유닛(300)은, 기판 로딩부(231)의 테두리부를 지지하되 아우터챔버(100)의 높이방향으로 승강되는 서셉터 지지부(310)와, 서셉터 지지부(310)에 결합되어 서셉터 지지부(310)를 승강시키는 서셉터 승강모듈(330)과, 일단부가 아우터챔버(100)의 내부에 결합되고 타단부가 기판 로딩부(231)에 대해 관통 결합되되 기판 로딩부(231)의 승강을 안내하는 안내 지지바(350)와, 안내 지지바(350)의 타단부에 마련되되 기판(G)의 테두리부를 가압하는 가압 플레이트(370)를 포함한다.
서셉터 지지부(310)는 기판 로딩부(231)의 테두리부를 지지하는 역할을 한다.
기판(G)이 대면적화됨에 따라 기판 로딩부(231) 및 기판(G)의 무게가 무거워지고, 이에 따라 기판 로딩부(231) 및 기판(G)에 처짐이 발생할 수 있다.
이에, 서셉터 지지부(310)는 기판 로딩부(231)의 테두리부를 지지하여 기판 로딩부(231) 및 기판(G)이 자중에 의해 처지는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 서셉터 승강모듈(330)은 서셉터 지지부(310)를 아우터챔버(100)의 내부에서 승강시키는 역할을 한다.
서셉터 지지부(310)가 승강함에 따라 기판 로딩부(231)도 역시 아우터챔버(100)의 내부에서 승강된다.
이러한, 서셉터 승강모듈(330)은, 아우터챔버(100)의 내벽에 마련되되 아우터챔버(100)의 높이방향으로 배치된 이송레일(331)과, 서셉터 지지부(310)에 연결되어 서셉터 지지부(310)가 이송레일(331)을 따라 이송가능하게 하는 이송구동부(333)를 포함한다.
서셉터 지지부(310)는 이송구동부(333)에 의해 이송레일(331)을 따라 아우터챔버(100)의 내부에서 승강된다.
여기서, 이송구동부(333)는, 이송레일(331)을 따라 배치되되 서셉터 지지부(310)에 결합된 볼 스크류(334)와, 볼 스크류(334)에 결합되어 볼 스크류(334)를 정방향 및 역방향 회전시키는 구동모터(335)를 포함한다.
구동모터(335)의 정방향 및 역방향 회전에 동기되어 볼 스크류(334)가 정방향 및 역방향으로 회전하는 경우에, 볼 스크류(334)에 결합된 서셉터 지지부(310)는 아우터챔버(100)의 내부에서 승강되고, 서셉터 지지부(310)에 결합된 기판 로딩부(231)도 역시 아우터챔버(100)의 내부에서 승강된다.
한편, 기판 로딩부(231)가 승강하는 경우에 기판 로딩부(231)가 수평상태를 유지하면서 승강될 수 있도록, 안내 지지바(350)는 기판 로딩부(231)의 승강을 안내하는 역할을 한다.
안내 지지바(350)의 일단부는 아우터챔버(100)의 바닥면에 결합되고 타단부가 기판 로딩부(231)에 관통결합된다.
따라서, 기판 로딩부(231)는 안내 지지바(350)를 따라 승강된다.
한편, 안내 지지바(350)의 타단부에는 기판(G)의 테두리부를 가압하는 가압 플레이트(370)가 마련된다.
가압 플레이트(370)는 기판(G)의 상부에 위치하며 기판(G)의 테두리부를 가압하므로, 가압 플레이트(370)가 위치한 기판(G)의 테두리부에는 증착이 일어나지 않으며, 또한 가압 플레이트(370)가 기판(G)의 테두리부를 가압하므로 열로 인해 기판(G)이 뒤틀리거나 휘는 등의 기판(G)의 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.
가압 플레이트(370)에 의한 기판(G)의 가압을 설명하면 다음과 같다.
도 3에서 도시한 바와 같이 기판 로딩부(231)가 하강된 상태에서 기판(G)이 유입되어 리프트 핀(233)에 안착되고, 도 4에서 도시한 바와 같이 기판 로딩부(231)가 상승하여 기판(G)이 기판 로딩부(231)의 상면에 밀착된다. 그리고, 기판 로딩부(231)가 더욱 상승되는 경우에 가압 플레이트(370)는 상대적으로 기판(G)의 상부에서 하강하여 기판(G)의 테두리부를 가압한다.
전술한 바와 같이, 서셉터 승강유닛(300)에 의해 기판 로딩부(231)가 아우터챔버(100)의 내부에서 하강한 상태에서 아우터챔버(100)의 기판 출입구를 통해 유입된 기판(G)이 리프트 핀(233)에 안착되고, 기판 로딩부(231)가 아우터챔버(100)의 내부에서 상승하여 기판(G)의 테두리부가 가압 플레이트(370)에 의해 가압된다.
그리고, 서셉터 승강유닛(300)에 의해 기판 로딩부(231)가 상승하며 기판(G)이 기판 로딩부(231)에 안착된 상태에서, 서셉터(230)의 절곡부(235)가 상부챔버(210)의 외벽에 밀착되고, 절곡부(235)와 상부챔버(210)의 외벽에 마련된 오링(243)이 팽창하여 상부챔버(210)를 밀폐한다.
상부챔버(210)가 밀폐된 상태에서 기판(G)에 대한 증착공정이 진행되는데, 이하에서는 본 실시예에 따른 기판(G)에 대한 증착공정을 살펴보기로 한다.
도 7 내지 도 11을 참조하면, 상부챔버(210) 내부의 상부영역에는 가스 공급/배기판(250)이 마련되고, 상부챔버(210) 내부의 가스 공급/배기판(250)의 상부에 배치되되 가스 공급/배기판(250)과 사이에 버퍼공간(S)을 형성하는 백킹 플레이트(260)가 마련된다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에서 가스 공급/배기판(250)은, 기판(G)에 증착물질을 공급함과 동시에 증착물질이 기판(G)의 표면에서 반응 후 생성된 반응물을 상부로 배기하는 역할을 한다.
종래에는 기판(G)의 표면에서 반응되어 생성된 반응물이 기판(G)의 표면을 따라 기판(G)의 테두리부로 이동된 후 외부로 배출되므로, 반응물로 인해 기판(G) 상에 압력 불균형이 발생되고 이로 인하여 기판(G)의 전면적에 걸쳐 균일한 플라즈마 밀도를 확보하기 어려운 문제점이 있었다.
따라서, 본 실시예에서는 증착물질을 기판(G)에 공급함과 동시에 생성된 반응물을 기판(G)의 상부로 배기하도록, 가스 공급/배기판(250)에는 증착물질을 기판(G)에 공급하는 복수의 분배공(253)과, 반응물을 기판(G)의 상부로 배기하는 복수의 배기공(255)이 형성된다.
즉, 본 실시예에서 가스 공급/배기판(250)은, 상부챔버(210)의 내부에 배치된 몸체부(251)와, 몸체부(251)에 마련되되 증착물질을 기판(G)방향으로 공급하도록 기판(G)방향으로 개구된 복수의 분배공(253)과, 몸체부(251)에 마련되되 반응물을 버퍼공간(S)으로 배기하도록 몸체부(251)의 두께방향으로 관통된 복수의 배기공(255)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 가스 공급/배기판(250)에 증착물질인 공정가스를 공급하는 가스 공급부(400)를 더 포함한다.
가스 공급부(400)는 아우터챔버(100)의 상부에 마련될 수 있으며, 가스 공급/배기판(250)에 공정가스를 공급한다.
본 실시예에서 가스 공급부(400)에 의해 공급되는 공정가스는 가스 공급/배기판(250)의 양측부에서 유입된다.
따라서, 가스 공급/배기판(250)은 몸체부(251)의 양측벽에 각각 마련되되 가스 공급부(400)와 연통되는 가스 유입구(257)와, 몸체부(251)의 내부에 마련되되 복수의 분배공(253)과 가스 유입구(257)를 연통되게 하는 가스 공급터널(259)을 더 포함한다.
그리고, 가스 공급터널(259)은 몸체부(251)의 양측부를 잇는 길이방향에 평행되게 복수개 마련된다.
이는, 하나의 가스 공급터널(259)은 몸체부(251)의 길이방향으로 형성되며, 복수 개의 가스 공급터널(259) 각각은 몸체부(251)의 길이방향과 직교되는 폭방향으로 소정간격 이격되어 배치된다.
따라서, 몸체부(251)의 길이방향으로 가스 공급터널(259)이 형성된 경우에, 복수의 분배공(253)도 가스 공급터널(259)과 평행되게 상호 소정간격 이격되어 배치되며, 복수의 분배공(253) 각각의 일단부는 가스 공급터널(259)에 연통되며 타단부는 기판(G)방향으로 개구되게 형성된다.
또한, 가스 공급터널(259)이 몸체부(251)에 복수 개 마련된 경우에, 가스 유입구(257)는 복수 개의 가스 공급터널(259)에 공정가스를 공급하기 위하여 몸체부(251)의 양측벽에 몸체부(251)의 폭방향으로 길게 형성된다.
전술한 가스 공급부(400)에서 가스 공급/배기판(250)에 공급되는 공정가스의 흐름은, 먼저 가스 공급부(400)에서 몸체부(251)의 양측벽에 각각 마련된 가스 유입구(257)를 통해 공정가스가 공급되며, 공급된 공정가스는 몸체부(251)의 내부에 마련된 복수 개의 가스 공급터널(259)을 따라 몸체부(251)의 내부로 이동된 후, 가스 공급터널(259)에 연통된 복수의 분배공(253)을 통하여 기판(G)으로 낙하된다.
한편, 가스 공급부(400)는 가스 유입구(257)에 공정가스를 공급하는 가스 공급유로(410)를 포함한다.
가스 공급유로(410)는 일단부가 아우터챔버(100)의 상부에 마련된 가스 공급부(400)에 연결되고 타단부가 상부챔버(210) 및 백킹 플레이트(260)의 양측부를 관통하여 가스 유입구(257)에 연결된다.
한편, 몸체부(251)에 마련된 증착물질인 공정가스를 기판(G)에 분배하는 복수의 분배공(253)과 반응물을 배기하는 복수의 배기공(255)에 대해 자세히 살펴보면 다음과 같다.
도 9에서 도시한 바와 같이, 분배공(253)은 축경홀(253a)과, 오리피스(253b) 및 확경홀(253c)을 포함한다.
축경홀(253a)은 분배공(253)이 시작되는 부분이며, 가스 공급터널(259)에 유입된 증착물질인 공정가스가 확경홀(253c)로 분배되기 시작하는 부분이다.
축경홀(253a)은 하방으로 갈수록 직경이 작아지도록 경사진 형상을 갖는다. 즉, 축경홀(253a)은 하부에 인접 배치된 오리피스(253b)로 갈수록 테이퍼(taper)진 형상을 갖는다.
이와 같은 축경홀(253a)의 형상은, 가스 공급터널(259)을 통과한 공정가스가 상대적으로 작은 크기의 분배공(253)으로 유입되면서 생길 수 있는 와류를 방지하도록 하여 공정가스가 균일하고 안정되게 흐를 수 있게 한다.
본 실시예에서 축경홀(253a)은 오리피스(253b)로 갈수록 테이퍼(taper)진 형상으로 도시하였으나, 좀 더 완만한 곡선을 갖는 나팔관 형상, 곡면 형상 등으로 제작될 수 있으며 공정가스의 점성 등을 고려하여 그 경사각이나 완만한 정도를 달리할 수 있다.
또한, 오리피스(253b)는, 축경홀(253a)의 하단에 연결되는 작은 모세관 형상의 관으로서, 축경홀(253a)과 후술할 확경홀(253c)을 연결하며 축경홀(253a)을 통과한 공정가스가 유입되어 통과하는 부분이다.
오리피스(253b)는 축경홀(253a)과 확경홀(253c) 보다 상대적으로 작은 직경을 가지며, 길이도 축경홀(253a)과 확경홀(253c) 보다 짧게 형성된다.
이와 같은 오리피스(253b)의 형상은, 축경홀(253a)에서 유입된 공정가스의 압력을 낮게 하여 유속을 빠르게 한다.
그리고 오리피스(253b)의 두께와 길이를 조절함으로써 유입된 공정가스가 원하는 유속으로 확경홀(253c)에서 분사되도록 할 수 있다.
즉, 오리피스(253b)의 형상을 조절함으로써, 공정가스의 유속을 조절할 수 있어 공정가스인 증착물질이 기판(G)에 증착되는 증착속도를 조절할 수 있다.
또한, 확경홀(253c)은 오리피스(253b)를 통과한 빠른 유속의 공정가스가 실질적으로 기판(G)으로 분사 또는 낙하되는 부분으로서, 하방으로 갈수록 직경이 점진적으로 커지는 형상으로 형성된다.
본 실시예에서 확경홀(253c)은, 상부로 갈수록 테이퍼(taper)진 형상을 가지며 축경홀(253a)의 직경보다 큰 형상으로 형성된다.
이러한 확경홀(253c)의 형상은, 공정가스가 기판(G)의 전 영역으로 보다 더 잘 분사 또는 낙하되도록 한다.
확경홀(253c)은 전술한 축경홀(253a)과 같이 나팔관 형상, 곡면 형상 등의 다양한 형상으로 제작될 수 있다.
한편, 배기공(255)은 몸체부(251)를 관통하도록 형성된다. 즉, 배기공(255)을 통해 기판(G)의 표면에서 생성된 반응물이 가스 공급/배기판(250)을 관통하여 버퍼공간(S)으로 유입된다.
도 9에서는, 가스 공급터널(259) 및 몸체부(251)의 폭향으로 이격된 복수의 분배공(253) 사이에 복수의 배기공(255)이 몸체부(251)이 길이방향으로 배치되게 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 가스 공급터널(259) 및 복수의 분배공(253)과 상호 격리된 상태에서 배기공(255)이 몸체부(251)에 복수 개 형성되어 기판(G)의 표면에서 생성된 반응물을 버퍼공간(S)으로 배기할 수 있으면 어떠한 형상이든 무관하다.
백킹 플레이트(260)는 가스 공급/배기판(250)과 사이에 버퍼공간(S)을 형성한다.
본 실시예에서 기판(G)의 표면에서 생성된 반응물은 배기공(255)을 통하여 버퍼공간(S)으로 유입된 후, 후술할 반응물 배기유닛(600)에 의해 아우터챔버(100)의 외부로 배기된다.
한편, 본 실시예에서 가스 공급/배기판(250)의 배기공(255)에서 기판(G)으로 낙하된 공정가스는 가스 공급/배기판(250)과 서셉터(230)의 기판 로딩부(231) 사이에서 플라즈마화되고, 플라즈마화된 증착물질은 기판(G)에 박막을 증착하게 된다.
이처럼, 가스 공급/배기판(250)과 기판 로딩부(231) 사이에서 공정가스가 플라즈마화되기 위하여 본 실시예에서는 가스 공급/배기판(250)에 직접 고주파 전원을 공급한다.
기판(G)이 대면적화됨에 따라 고주파 전원의 전기적 길이 또는 주파수에 대한 정상파 효과가 발생될 수 있다.
이러한, 정상파 효과에 의해 기판 공급/배기판(250)과 기판 로딩부(231) 사이에는 불균일한 전기장 분포가 발생될 수 있으며, 기판(G)의 전면적에 걸쳐 균일한 플라즈마 밀도를 확보하기 어렵게 된다.
따라서, 도 10에서 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는 고주파 전원의 전기적 길이를 짧게 하여 정상파 효과를 제거하도록, 가스 공급/배기판(250)에 고주파 전원을 공급하는 복수의 입력포트(510)를 배치한다.
즉, 아우터챔버(100)의 외부에 마련된 고주파 전원부(500)에서 상부챔버(210) 및 백킹 플레이트(260)를 관통하여 가스 공급/배기판(250)에 직접 고주파 전원을 공급한다.
복수의 입력포트(510)는 기판 공급/배기판(250)에 고주파 전원 전기적 길이를 짧게하는 최적의 위치에 배치되며, 후술할 반응물 배기유닛(600)의 배기포트가 기판 공급/배기판(250)의 중심부에 대응되는 위치에서 백킹 플레이트(260)를 관통하여 형성되는 경우, 복수의 입력포트(510)는 반응물 배기포트(610)의 둘레를 따라 기판 공급/배기판(250)의 중심부에서 소정간격 상호 이격되게 배치된다.
또한, 복수의 입력포트(510)는 상호 전기적으로 통전되도록 연결된다.
본 실시예는 기판 공급/배기판(250)과 기판 로딩부(231) 사이에서 공정가스가 플라즈마화되도록 하고 기판(G)에서 생성된 반응물을 버퍼공간(S)으로 배기하도록 설계되므로, 백킹 플레이트(260)와 서셉터(230)의 기판 로딩부(231)는 접지되어야 한다.
따라서, 고주파 전원이 관통하는 백킹 플레이트(260)에는 절연체(530)가 개재되며, 고주파 전원은 절연체(530)를 통해 복수의 입력포트(510)에 고주파 전원을 공급한다.
또한, 증착공정을 수행하기 위해 기판 로딩부(231)가 상승된 경우에 있어, 가스 공급/배기판(250)과 백킹 플레이트(260) 사이의 버퍼공간(S)에서 플라즈마가 발생되지 않고, 가스 공급/배기판(250)과 서셉터(230)의 기판 로딩부(231) 사이에서만 플라즈마가 발생되도록 본 실시예에서는 가스 공급/배기판(250)과 서셉터(230)의 기판 로딩부(231) 사이의 간격(G1)이 가스 공급/배기판(250)과 백킹 플레이트(260)의 간격(G2)보다 작게 한다.
한편, 본 실시예에서 기판(G)에 대한 증착공정이 진행되는 경우에, 증착물질이 기판(G)의 표면에서 반응한 후 생성된 반응물은 기판 공급/배기판(250)에 형성된 복수의 배기공(255)을 따라 버퍼공간(S)으로 유입된 후, 아우터챔버(100)의 외부로 배출된다.
이는 반응물로 인한 기판(G) 상의 압력 불균형을 해소하기 위함이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에서 반응물 배기유닛(600)은, 백킹 플레이트(260)를 관통하되 버퍼공간(S)에 연통되는 반응물 배기포트(610)와, 아우터챔버(100)의 상부에 배치되되 반응물을 복수의 배기공(255)을 통하여 버퍼공간(S) 및 반응물 배기포트(610)로 흡입한 후 아우터챔버(100)의 외부로 배기하는 반응물 배기펌프(620)와, 버퍼공간(S)에 마련되되 복수의 배기공(255)에 가해지는 배기압력을 균일하게 조절하도록 반응물 배기포트(610)에 연통되는 복수의 관통공(631)을 구비한 배플(baffle,630)을 포함한다.
본 실시예는 아우터챔버(100)의 내부에 이너챔버(200)가 내재된 상태에서 이너챔버(200) 내부에서 증착공정을 수행하므로, 반응물 배기포트(610)는 백킹 플레이트(260), 상부챔버(210) 및 아우터챔버(100)를 관통하여 길게 형성된다.
그리고, 아우터챔버(100)의 외부에는 반응물 배기포트(610)를 따라 반응물을 배기하는 반응물 배기펌프(620)가 마련된다.
한편, 반응물로 인한 기판(G) 상의 압력 불균형을 해소하기 위해서, 버퍼공간(S)으로 유입되는 반응물은 기판 공급/배기판(250)에 형성된 복수의 배기공(255)을 통해 균일하게 버퍼공간(S)으로 유입되어야 한다.
따라서, 기판 공급/배기판(250)에 형성된 복수의 배기공(255)을 따라 균일하게 반응물이 유입될 수 있도록 버퍼공간(S)에는 복수의 관통공(631)이 형성된 배플(630)이 마련된다.
배플(630)은 반응물 배기포트(610)의 개구부에 인접하게 배치되며, 버퍼공간(S) 내부에 길게 형성된 판형으로 형성될 수 있다.
그리고, 반응물 배기포트(610)가 가스 공급/배기판(250)의 중심부에 대응되는 위치에 배치된 경우, 반응물 배기펌프(620)의 배기압력은 가스 공급/배기판(250)의 중심부 위치에 대응되는 위치에서 가장 높고, 가스 공급/배기판(250)의 테두리부로 갈수록 감소된다.
따라서, 배플(630)에 형성된 관통공(631)을 반응물 배기포트(610)에 대응되는 위치인 중심부에서 테두리부로 갈수록 단위면적당 개수가 증가되게 배치하여 복수의 배기공(255)에 가해지는 배기압력을 균일하게 조절한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
기판(G)에 대한 증착공정을 수행하기 위해 기판(G)은 아우터챔버(100)의 기판 출입구를 통해 아우터챔버(100)의 내부로 유입된다.
이때, 기판 로딩부(231)는 서셉터 승강유닛(300)에 의해 하강된 상태이며, 기판(G)은 리프트 핀(233)에 안착된다.
기판(G)이 안착된 경우, 서셉터 승강유닛(300)을 이용하여 절곡부(235)가 상부챔버(210)의 외벽에 밀착되게 기판 로딩부(231)를 상승시킨다.
그리고, 상부챔버(210)와 절곡부(235) 사이에 마련된 오링(243)을 팽창시켜 상부챔버(210)의 내부를 밀폐한 후 기판(G)에 대한 증착공정을 진행한다.
이처럼, 상부챔버(210)와 세섭터(230)의 절곡부(235)가 밀착되어 내부가 밀폐된 이너챔버(200)의 내부에서 기판(G)에 대한 증착공정을 수행한다.
기판(G)에 대한 증착공정은, 가스 공급유로(410)에 공급된 공정가스는 가스 유입구(257) 및 가스 공급터널(259)을 경유하여 복수의 분배공(253)에서 기판(G)방향으로 낙하된다.
이때, 가스 공급/배기판(250)의 몸체부(251)에 마련된 복수의 입력포트(510)를 통해 고주파 전원이 인가된다.
따라서, 가스 공급/배기판(250)과 기판 로딩부(231) 사이에서 공정가스가 플라즈마화되어 기판(G)에 박막이 증착된다.
한편, 플라즈마화된 공정가스, 즉 증착물질이 기판에서 반응 후 생성된 반응물은 기판 공급/배기판(250)의 복수의 배기공(255)을 통해 버퍼공간(S)으로 유입된다.
그리고, 버퍼공간(S)에 유입된 반응물은 배플(630)의 복수의 관통공(631) 및 반응물 배기포트(610)를 통하여 아우터챔버(100)의 외부로 배출된다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100: 아우터챔버 200: 이너챔버
210: 상부챔버 230: 서셉터
231: 기판 로딩부 233: 리프트 핀
235: 절곡부 240: 실링부
241: 홈부 243: 오링
250: 가스 공급/배기판 251: 몸체부
253: 분배공 255: 배기공
257: 가스 유입구 259: 가스 공급터널
260: 백킹 플레이트 300: 세섭터 승강유닛
310: 서셉터 지지부 330: 서셉터 승강모듈
331: 이송레일 333: 이송구동부
350: 안내 지지바 370: 가압 플레이트
400: 가스 공급부 410: 가스 공급유로
500: 고주파 전원부 510: 입력포트
530: 절연체 600: 반응물 배기유닛
610: 반응물 배기포트 630: 배플

Claims (14)

  1. 평면 디스플레이용 기판에 대한 증착공정을 수행하는 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버의 하부 영역에 배치되되, 상기 기판이 로딩되는 서셉터;
    상기 챔버의 상부 영역에 배치되되, 증착물질을 상기 기판방향으로 공급함과 동시에 상기 증착물질이 상기 기판의 표면에서 반응 후 생성된 반응물을 상부로 배기하는 가스 공급/배기판;
    상기 챔버 내부의 상기 가스 공급/배기판의 상부에 배치되되, 상기 가스 공급/배기판과 사이에 버퍼공간을 형성하는 백킹 플레이트; 및
    상기 챔버의 상부에 마련된 고주파 전원부를 포함하며,
    상기 고주파 전원부는,
    고주파 전원의 전기적 길이에 따라 발생되는 정상파 특성에 의한 전기장 분포의 불균일을 방지하도록, 상기 백킹 플레이트를 관통하되 상기 가스 공급/배기판에 직접 연결되는 복수의 입력포트를 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 입력포트는,
    상기 가스 공급/배기판의 중심부를 기준으로 상호 이격되게 배치되며, 상호 통전되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트에는,
    고주파 전원이 관통하는 절연체가 마련된 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트와 상기 서셉트는 접지되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  5. 제4항에 있어서,
    증착공정을 수행하기 위해 상기 서셉터가 상승된 경우에, 상기 가스 공급/배기판과 상기 서셉터 사이에서 플라즈마가 발생되도록 상기 가스 공급/배기판과 상기 서셉터 사이의 간격이 상기 가스 공급/배기판과 상기 백킹 플레이트의 간격보다 작은 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급/배기판은,
    몸체부;
    상기 몸체부에 마련되되, 상기 증착물질을 상기 기판방향으로 공급하도록 상기 기판방향으로 개구된 복수의 분배공; 및
    상기 몸체부에 마련되되, 상기 반응물을 상기 버퍼공간으로 배기하도록 상기 몸체부의 두께방향으로 관통된 복수의 배기공을 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에 마련되어 상기 가스 공급/배기판에 공정가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하며,
    상기 가스 공급/배기판은,
    상기 몸체부의 양측벽에 각각 마련되되, 상기 가스 공급부와 연통되는 가스 유입구; 및
    상기 몸체부의 내부에 마련되되, 상기 복수의 분배공과 상기 가스 유입구를 연통되게 하는 가스 공급터널을 더 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가스 공급터널은, 상기 몸체부의 양측부를 잇는 길이방향에 평행되게 복수 개 마련되며,
    상기 복수의 분배공은, 일단부가 상기 가스 공급터널에 연통되며 타단부가 상기 기판방향으로 개구된 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 분배공 각각은,
    상기 가스 공급터널에 연통되어 상기 공정가스가 유입되며, 하방으로 갈수록 직경이 점진적으로 작아지게 형성된 축경홀;
    상기 축경홀의 하단부에 연결되며, 상기 축경홀을 통과한 상기 공정가스가 하방으로 통과하는 오리피스; 및
    상기 오리피스를 통과한 상기 공정가스가 상기 기판을 향해 낙하되도록 상기 오리피스의 하단에 연결되며, 하방으로 갈수록 직경이 점진적으로 커지게 형성되는 확경홀을 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 가스 공급부는,
    상기 백킹 플레이트의 양측부를 관통하여 상기 가스 유입구에 상기 공정가스를 공급하는 가스 공급유로를 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 가스 공급/배기판을 통하여 상기 버퍼공간으로 유입된 상기 반응물을 상기 챔버의 외부로 배기하는 반응물 배기유닛을 더 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반응물 배기유닛은,
    상기 백킹 플레이트를 관통하되, 상기 버퍼공간에 연통되는 반응물 배기포트; 및
    상기 챔버의 상부에 배치되되, 상기 반응물을 상기 복수의 배기공을 통하여 상기 버퍼공간 및 상기 반응물 배기포트로 흡입한 후 상기 챔버의 외부로 배기하는 반응물 배기펌프를 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 반응물 배기유닛은,
    상기 버퍼공간에 마련되되, 상기 복수의 배기공에 가해지는 배기압력을 균일하게 조절하도록 상기 반응물 배기포트에 연통되는 복수의 관통공을 구비한 배플을 더 포함하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반응물 배기포트는, 상기 가스 공급/배기판의 중심부에 대응되는 위치에 배치되며,
    상기 배플은, 상기 반응물 배기포트에 대응되는 위치인 중심부에서 테두리부로 갈수록 단위면적당 상기 복수의 관통공의 개수가 증가되는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치.
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