KR20140090177A - Positive photosensitive resin composition, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured product and optical member - Google Patents

Positive photosensitive resin composition, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured product and optical member Download PDF

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KR20140090177A
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마코토 쿠보타
와타루 키쿠치
시게카즈 스즈키
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 경화물을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것. 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진, 백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 광학 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (성분A) 무기 입자, (성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체, (성분C) 용제, (성분D) (a1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위와 (a2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (성분E) 광산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 한다.

Figure pct00031
Provided is a positive photosensitive resin composition capable of obtaining a cured product that is free from opacity and cracks (cracks) and is clear. It is also an object of the present invention to provide an optical member obtained by curing the above positive photosensitive resin composition and free of cloudiness and cracks (cracks) and being clear.
The positive photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) an inorganic particle, (B) a graft copolymer having a constitutional unit represented by any one of formulas (1) to (4), (component C) D) a polymer having (a1) a structural unit having a group which is eliminated by acid and / or heat, (a2) a structural unit having a crosslinking group, and (E) a photoacid generator.
Figure pct00031

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화물의 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 경화물 및 광학 부재{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING RESIN PATTERN, CURED PRODUCT AND OPTICAL MEMBER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method of producing a cured product, a method of producing a resin pattern, a cured product and an optical member,

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화물의 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 경화물 및 광학 부재에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method for producing a cured product, a method for producing a resin pattern, a cured product and an optical member.

고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 발달에 의해, 유기 소재(수지)에 의해 마이크로 렌즈, 광도파로, 반사 방지막 등의 광학 부재를 제작하는 것이 널리 행해지게 되고 있다.BACKGROUND ART Due to the development of solid-state image pickup devices and liquid crystal display devices, it has been widely practiced to manufacture optical members such as microlenses, optical waveguides, and antireflection films by organic materials (resins).

이들 광학 부재는 고굴절률로 하기 위해서, 산화티탄 등의 입자를 첨가하는 것이 검토되고 있다(하기 특허문헌 1 참조).In order to obtain a high refractive index of these optical members, it has been studied to add particles such as titanium oxide (see Patent Document 1 below).

또한, 종래의 네거티브형 감광성 수지 조성물로서는 특허문헌 2∼4에 기재된 감광성 수지 조성물이 알려져 있다.As a conventional negative photosensitive resin composition, photosensitive resin compositions described in Patent Documents 2 to 4 are known.

일본 특허 공개 2006-98985호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-98985 일본 특허 공개 2011-127096호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-127096 일본 특허 공개 2009-179678호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-179678 일본 특허 공개 2008-185683호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-185683

본 발명은 백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 경화물을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition which can obtain a cured product free from opacity and cracks (cracks) and clear.

또한, 본 발명은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진, 백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 광학 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an optical member obtained by curing the positive photosensitive resin composition and free of whitishness and cracks (cracks) and being clear.

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1> 또는 <9>∼<12>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시형태인 <2>∼<8>과 함께 이하에 기재한다.The above problem of the present invention is solved by the means described in the following <1> or <9> - <12>. Are described below together with <2> to <8> which are the preferred embodiments.

<1> (성분A) 무기 입자, (성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체, (성분C) 용제, (성분D) (a1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위와 (a2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (성분E) 광산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물,(Component B) a graft copolymer having a constitutional unit represented by any one of formulas (1) to (4), (component C) a solvent, (component D) (A2) a polymer having a structural unit having a crosslinking group, and (E) a photoacid generator. The positive photosensitive resin composition according to claim 1,

Figure pct00001
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[식(1)∼식(4)에 있어서, X1, X2, X3, X4 및 X5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, W1, W2, W3 및 W4는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 NH를 나타내고, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R'는 각각 독립적으로 분기 또는 직쇄 알킬렌기를 나타내고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 2가의 연결기를 나타내고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, n, m, p 및 q는 각각 독립적으로 3∼500의 정수이고, j 및 k는 각각 독립적으로 2∼8의 정수이다]In the formula (1) to equation (4), X 1, X 2, X 3, X 4 and X 5 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, W 1, W 2, W 3 and W 4 each independently represent an oxygen atom or NH, each R independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, each R 'independently represents a branched or straight chain alkylene group, Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 each independently represents a divalent linking group, Z 1, Z 2, Z 3 and Z 4 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, n, m, p and q are each independently of 3-500 And j and k are each independently an integer of 2 to 8,

<2> 성분A가 금속 산화물 입자인 상기 <1>에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<2> The positive photosensitive resin composition according to <1>, wherein the component A is a metal oxide particle,

<3> 성분A가 산화티탄 입자, 또는 산화지르코늄 입자인 상기 <2>에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<3> The positive photosensitive resin composition according to <2>, wherein the component A is titanium oxide particles or zirconium oxide particles,

<4> 성분B가 카르복실산기를 갖는 구성 단위를 더 갖는 그래프트 공중합체인 상기 <1>∼<3> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<4> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the component B further has a structural unit having a carboxylic acid group,

<5> (성분F) 열 가교제를 더 포함하는 상기 <1>∼<4> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<5> (Component F) The positive-working photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, further comprising a heat-

<6> 성분D의 산가가 50㎎KOH/g을 초과하는 상기 <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<6> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the acid value of the component D exceeds 50 mgKOH / g,

<7> 성분B의 중량 평균 분자량이 25,000 미만인 상기 <1>∼<6> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<7> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <6>, wherein the component B has a weight average molecular weight of less than 25,000,

<8> 광학 부재용 수지 조성물인 상기 <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,&Lt; 8 > The positive photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 7 &

<9> 적어도 공정 (a)∼(c)를 이 순서로 포함하는 경화물의 제조 방법,<9> A process for producing a cured product comprising at least steps (a) to (c)

(a) 상기 <1>∼<8> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(a) a coating step of applying the positive-working photosensitive resin composition described in any one of < 1 > to < 8 &

(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed

<10> 적어도 공정 (1)∼(5)를 이 순서로 포함하는 수지 패턴 제조 방법,&Lt; 10 > A resin pattern production method comprising at least the steps (1) to (5)

(1) 상기 <1>∼<8> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the positive-working photosensitive resin composition described in any one of < 1 > to < 8 &

(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

<11> 상기 <9>에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는 상기 <10>에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 경화물,<11> A cured product according to <9>, a cured product obtained by the resin pattern production method described in <10>

<12> 상기 <9>에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는 상기 <10>에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 광학 부재.&Lt; 12 > An optical member obtained by the process for producing a cured product described in the above item <9> or the process for producing a resin pattern described in <10>.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 경화물을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있었다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a positive photosensitive resin composition which can obtain a cured product free from opacity and cracks (cracks) and clear.

또한, 본 발명에 의하면 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진, 백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 광학 부재를 제공할 수 있었다.Further, according to the present invention, it is possible to provide an optical member obtained by curing the above positive photosensitive resin composition and free of opacity and crack (crack) and being clear.

이하, 본 발명의 수지 조성물에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the resin composition of the present invention will be described in detail.

또한, 본 발명에 있어서 수치 범위를 나타내는 「하한∼상한」의 기재는 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한∼하한」의 기재는 「상한 이하, 하한 이상」을 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치 범위를 나타낸다.The term "lower limit to upper limit" in the present invention indicates "lower limit to upper limit" and "upper limit to lower limit" indicates "upper limit to lower limit". That is, a numerical range including an upper limit and a lower limit.

또한, 본 발명에 있어서 「(성분A) 무기 입자」 등을 단순히 「성분A」 등이라고도 하고, 「(a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위」 등을 단순히 「구성 단위(a-1)」 등이라고도 한다.In the present invention, the term &quot; (component A) inorganic particle &quot;, etc. may be simply referred to as &quot; component A &quot; (a-1) &quot;.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the present specification, the notation in which the substituent and the non-substituent are not described in the notation of the group (atomic group) includes not only a substituent but also a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, 본 발명에 있어서 「질량%」와 「중량%」는 동의이며, 「질량부」와 「중량부」는 동의이다.In the present invention, &quot; mass% &quot; and &quot; weight% &quot; are agreement, and &quot; mass part &quot;

(포지티브형 감광성 수지 조성물)(Positive photosensitive resin composition)

이하, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 설명한다.Each component constituting the positive photosensitive resin composition will be described below.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물(이하, 단순히 「감광성 수지 조성물」 또는 「수지 조성물」이라고도 함)은 (성분A) 무기 입자, (성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체, (성분C) 용제, (성분D) (a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위와 (a-2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (성분E) 광산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention (hereinafter, simply referred to as "photosensitive resin composition" or "resin composition") may be any one of (Component A) inorganic particles and (Component B) any one of formulas (1) (A) a polymer having a constituent unit having (a-1) an acid and / or a heat-removable group and (a-2) a constituent unit having a crosslinking group, , And (E) a photoacid generator.

Figure pct00002
Figure pct00002

[식(1)∼식(4)에 있어서, X1, X2, X3, X4 및 X5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, W1, W2, W3 및 W4는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 NH를 나타내고, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R'는 각각 독립적으로 분기 또는 직쇄 알킬렌기를 나타내고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 2가의 연결기를 나타내고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, n, m, p 및 q는 각각 독립적으로 3∼500의 정수이고, j 및 k는 각각 독립적으로 2∼8의 정수이다]In the formula (1) to equation (4), X 1, X 2, X 3, X 4 and X 5 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, W 1, W 2, W 3 and W 4 each independently represent an oxygen atom or NH, each R independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, each R 'independently represents a branched or straight chain alkylene group, Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 each independently represents a divalent linking group, Z 1, Z 2, Z 3 and Z 4 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, n, m, p and q are each independently of 3-500 And j and k are each independently an integer of 2 to 8,

또한, 본 발명의 수지 조성물은 열에 의해 경화하는 성질을 갖는 수지 조성물인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은 열경화성 및 감광성 수지 조성물인 것이 특히 바람직하다.In addition, the resin composition of the present invention is preferably a resin composition having properties of being cured by heat. The resin composition of the present invention is particularly preferably a thermosetting and photosensitive resin composition.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The positive photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 편이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은 축차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자수율은 반드시 1 이하이다.The positive photosensitive resin composition of the present invention preferably does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator that is sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is necessarily 1 or less.

이에 대하여 본 발명에서 사용하는 (성분E) 광산 발생제는 활성 광선에 감응해서 생성되는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용으로 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여해서 양자수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 수승과 같은 큰 값으로 되고, 소위 화학 증폭의 결과로서 고감도가 얻어진다.On the other hand, the (Component E) photoacid generator used in the present invention acts as a catalyst against the deprotection of an acid-protected acid generated by the action of an actinic ray, so that the acid generated by the action of one photon is protected The quantum yield is greater than 1, for example, a large value such as 10, contributing to the reaction, and a high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 마이크로 렌즈, 광도파로, 반사 방지막, LED용 밀봉재 및 LED용 칩 코트재 등의 광학 부재, 또는 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 수지 조성물인 것이 바람직하고, 마이크로 렌즈용 수지 조성물인 것이 보다 바람직하다. 또한, 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 조성물이란 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성을 저감시키는, 즉 배선 전극을 보이기 어렵게 하는 부재용 조성물이며, 예를 들면 ITO(산화인듐주석) 전극간의 층간 절연막 등을 들 수 있고, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention is a resin composition for reducing visibility of optical members such as a microlens, an optical waveguide, an antireflection film, a sealing material for LED and a chip coating material for LED, or a wiring electrode used for a touch panel And is more preferably a resin composition for a micro lens. A composition for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel is a composition for a member which reduces the visibility of wiring electrodes used in a touch panel, that is, makes it difficult to see wiring electrodes. For example, ITO (indium tin oxide) And the positive photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used for the above applications.

본 발명자들은 굴절률이나 광 투과성을 조절하는 것을 목적으로 해서 무기 입자를 포지티브형 감광성 수지 조성물에 첨가했을 경우, 조성물의 상태에서는 균일하고 클리어한 분산물이라도 도포시에 조성물이 백탁화하거나, 형성한 막이 균열된다고 하는 문제가 있는 것을 발견했다.When the inorganic particles are added to the positive photosensitive resin composition for the purpose of controlling the refractive index or the light transmittance, the present inventors have found that even if the dispersion is uniform and clear in the state of the composition, the composition becomes cloudy at the time of coating, It is found that there is a problem that it is cracked.

본 발명자들은 상세한 검토의 결과, 성분A∼성분E를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물로 함으로써, 아마 성분A와 성분B와 성분D의 3성분의 상호 작용에 의한 것이라고 추정되지만, 백탁 및 크랙(균열)이 없고 클리어한 경화물을 얻을 수 있는 것을 발견했다.As a result of a detailed examination, the inventors of the present invention have concluded that the positive photosensitive resin composition containing the components A to E is believed to be caused by the interaction of the three components of the flax component A, the component B and the component D, ), And found a clear cured product.

(성분A) 무기 입자(Component A)

본 발명의 수지 조성물은 굴절률이나 광 투과성을 조절하는 것을 목적으로 해서 무기 입자를 함유한다.The resin composition of the present invention contains inorganic particles for the purpose of controlling the refractive index and light transmittance.

성분A는 상기 입자를 제외한 재료로 이루어지는 수지 조성물의 굴절률보다 굴절률이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 400∼750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 입자가 보다 바람직하고, 굴절률이 1.70 이상인 입자가 더욱 바람직하고, 1.90 이상인 입자가 특히 바람직하다.The component A preferably has a refractive index higher than that of the resin composition made of a material other than the above-mentioned particles. Specifically, particles having a refractive index of 1.50 or higher in light having a wavelength of 400 to 750 nm are more preferable, and a refractive index is 1.70 Or more, more preferably 1.90 or more.

여기에서, 400∼750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상이면 상기 범위의 파장을 갖는 광에 있어서의 평균 굴절률이 1.50 이상인 것을 의미하고, 상기 범위의 파장을 갖는 모든 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 것을 필요로 하지 않는다. 또한, 평균 굴절률은 상기 범위의 파장을 갖는 각 광에 대한 굴절률의 측정값의 총 합계를 측정점의 수로 나눈 값이다.Here, when the refractive index in the light having the wavelength of 400 to 750 nm is 1.50 or more, it means that the average refractive index in the light having the wavelength in the above range is 1.50 or more. In all the light having the wavelength in the above range It is not necessary that the refractive index is 1.50 or more. The average refractive index is a value obtained by dividing the total sum of measured values of the refractive index for each light having a wavelength in the above range by the number of measurement points.

이러한 높은 굴절률을 갖는 무기 입자로서는 투명성이 높고 광 투과성을 갖기 때문에 무기 산화물 입자가 바람직하고, 금속 산화물 입자가 보다 바람직하다.As inorganic particles having such a high refractive index, inorganic oxide particles are preferable, and metal oxide particles are more preferable because of high transparency and light transmittance.

광 투과성이고 굴절률이 높은 무기 산화물 입자로서는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Bi, Te 등의 원자를 포함하는 산화물 입자가 바람직하고, 산화티탄, 산화아연, 산화지르코늄, 인듐/주석 산화물, 또는 안티몬/주석 산화물이 보다 바람직하고, 산화티탄 입자, 또는 산화지르코늄이 더욱 바람직하고, 산화티탄이 특히 바람직하고, 이산화티탄이 가장 바람직하다. 이산화티탄으로서는 특히 굴절률이 높은 루틸형이 바람직하다. 이들 무기 입자는 분산 안정성 부여를 위해서 표면을 유기 재료로 처리할 수도 있다.As inorganic oxide particles having high light transmittance and high refractive index, inorganic oxide particles such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Oxide particles containing atoms such as Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Bi and Te are preferable and titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium / tin oxide or antimony / Titanium oxide particles or zirconium oxide are more preferable, titanium oxide is particularly preferable, and titanium dioxide is most preferable. As the titanium dioxide, a rutile type having a particularly high refractive index is preferable. These inorganic particles may be treated with an organic material to impart dispersion stability.

수지 조성물의 투명성의 관점으로부터 성분A의 평균 1차 입자 지름은 1∼300㎚가 바람직하고, 3∼80㎚가 특히 바람직하다. 여기에서, 입자의 평균 1차 입자 지름은 전자 현미경에 의해 임의의 입자 200개의 입자 지름을 측정하고, 그 산술평균을 말한다. 또한, 입자의 형상이 구형이 아닐 경우에는 가장 긴 변을 지름으로 한다.From the viewpoint of transparency of the resin composition, the average primary particle diameter of the component A is preferably from 1 to 300 nm, particularly preferably from 3 to 80 nm. Here, the average primary particle diameter of the particles refers to the arithmetic mean of 200 particle diameters of arbitrary particles measured by an electron microscope. When the shape of the particle is not spherical, the longest side is a diameter.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 무기 입자의 함유량은 수지 조성물에 의해 얻어지는 광학 부재에 요구되는 굴절률이나, 광 투과성 등을 고려하여 적당하게 결정하면 좋지만, 본 발명의 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 5∼80질량%로 하는 것이 바람직하고, 10∼70질량%로 하는 것이 보다 바람직하다.The content of the inorganic particles in the resin composition of the present invention may be appropriately determined in consideration of the refractive index and light transmittance required for the optical member obtained by the resin composition, By mass to 80% by mass, and more preferably from 10 to 70% by mass.

(성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체(Component B) A graft copolymer having a constitutional unit represented by any one of formulas (1) to (4)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체를 함유한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention contains (Component B) a graft copolymer having a constitutional unit represented by any one of formulas (1) to (4).

Figure pct00003
Figure pct00003

[식(1)∼식(4)에 있어서, X1, X2, X3, X4 및 X5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, W1, W2, W3 및 W4는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 NH를 나타내고, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R'는 각각 독립적으로 분기 또는 직쇄 알킬렌기를 나타내고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 2가의 연결기를 나타내고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, n, m, p 및 q는 각각 독립적으로 3∼500의 정수이고, j 및 k는 각각 독립적으로 2∼8의 정수이다]In the formula (1) to equation (4), X 1, X 2, X 3, X 4 and X 5 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, W 1, W 2, W 3 and W 4 each independently represent an oxygen atom or NH, each R independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, each R 'independently represents a branched or straight chain alkylene group, Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 each independently represents a divalent linking group, Z 1, Z 2, Z 3 and Z 4 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, n, m, p and q are each independently of 3-500 And j and k are each independently an integer of 2 to 8,

식(1)∼식(4)에 있어서, X1, X2, X3, X4 및 X5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 합성상의 제약의 관점으로부터 수소 원자 또는 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.In the formulas (1) to (4), X 1 , X 2 , X 3 , X 4 and X 5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, More preferably a hydrogen atom or a methyl group, and particularly preferably a methyl group.

식(1)∼식(4)에 있어서, W1, W2, W3 및 W4는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 NH를 나타내고, 산소 원자인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (1) to (4), W 1 , W 2 , W 3 and W 4 each independently represents an oxygen atom or NH, particularly preferably an oxygen atom.

식(3) 중, R'는 각각 독립적으로 분기 또는 직쇄의 알킬렌기(탄소수는 1∼10이 바람직하고, 2 또는 3인 것이 보다 바람직함)를 나타내고, 분산 안정성의 관점으로부터 -CH2-CH(CH3)-로 나타내어지는 기, 또는 -CH(CH3)-CH2-로 나타내어지는 기가 바람직하다.In the formula (3), R 'each independently represents a branched or straight chain alkylene group (preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 2 or 3), and from the viewpoint of dispersion stability, -CH 2 -CH (CH 3 ) -, or a group represented by -CH (CH 3 ) -CH 2 -.

또한, 식(3) 중의 R'로서는 1종의 성분B 중에 구조가 다른 R'를 2종 이상 혼합해서 사용해도 좋다.As R 'in the formula (3), one kind of component B may be used by mixing two or more kinds of R' having different structures.

식(1)∼식(4)에 있어서, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 2가의 연결기이며, 특별하게 구조상 제약되지 않는다. 구체적으로는, 하기의 (Y-1)∼(Y-21)의 연결기 등을 들 수 있다. 하기 구조에 있어서, A는 식(1)∼식(4)에 있어서의 Y1, Y2, Y3 또는 Y4의 좌말단기와의 결합을 의미하고, B는 식(1)∼식(4)에 있어서의 Y1, Y2, Y3 또는 Y4의 우말단기와의 결합을 의미한다. 하기에 나타낸 구조 중, 합성의 간편성으로부터 (Y-2), (Y-13)인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (1) to (4), Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 are each independently a divalent linking group and are not particularly limited in structure. Specifically, the following linking groups (Y-1) to (Y-21) may be mentioned. In the following structure, A means a bond with the left terminal group of Y 1 , Y 2 , Y 3 or Y 4 in formulas (1) to (4) Y 1 , Y 2 , Y 3 or Y 4 in the formula (1). Of the structures shown below, (Y-2) and (Y-13) are more preferable from the viewpoint of simplicity of synthesis.

Figure pct00004
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식(1)∼식(4)에 있어서, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며, 특별하게 구조는 한정되지 않지만, 구체적으로는 수소 원자, 알킬기, 수산기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기, 알킬티오에테르기, 아릴티오에테르기, 헤테로아릴티오에테르기, 아미노기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 분산성 향상의 관점으로부터 Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 탄소수 5∼24의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 5∼24의 분기 알킬기 또는 탄소수 5∼24의 환상 알킬기가 보다 바람직하다. Z3은 수산기, 알콕시기 또는 아릴옥시기인 것이 바람직하고, 수산기인 것이 더욱 바람직하다. 또한, Z4는 수소 원자, 수산기 또는 알콕시기인 것이 바람직하고, 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (1) to (4), Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group, An alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a heteroaryloxy group, an alkylthioether group, an arylthioether group, a heteroarylthioether group, and an amino group. Among them, Z 1 and Z 2 are each independently preferably an alkyl group having 5 to 24 carbon atoms, more preferably a branched alkyl group having 5 to 24 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 5 to 24 carbon atoms, from the viewpoint of improving dispersibility. Z 3 is preferably a hydroxyl group, an alkoxy group or an aryloxy group, more preferably a hydroxyl group. Z 4 is preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkoxy group, more preferably a hydrogen atom.

식(1)∼식(4)에 있어서, n, m, p 및 q는 각각 독립적으로 3∼500의 정수이고, 5∼50의 정수인 것이 바람직하고, 10∼30의 정수인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (1) to (4), n, m, p and q are each independently an integer of 3 to 500, preferably an integer of 5 to 50, and more preferably an integer of 10 to 30.

식(1) 및 식(2)에 있어서, j 및 k는 각각 독립적으로 2∼8의 정수를 나타내고, 분산 안정성 및 현상성의 관점으로부터 3∼6의 정수가 바람직하고, 4 또는 5가 보다 바람직하고, 5가 가장 바람직하다.In the formulas (1) and (2), j and k each independently represent an integer of 2 to 8, preferably an integer of 3 to 6 from the viewpoints of dispersion stability and developability, more preferably 4 or 5 , 5 is most preferable.

식(4) 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 특별하게 구조상 한정은 되지 않지만, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴 기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다. 상기 R이 알킬기일 경우, 상기 알킬기로서는 탄소수 1∼20의 직쇄상 알킬기, 탄소수 3∼20의 분기쇄상 알킬기 또는 탄소수 5∼20의 환상 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼20의 직쇄상 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 직쇄상 알킬기가 특히 바람직하다.In formula (4), each R independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and is preferably a hydrogen atom or an alkyl group desirable. When R is an alkyl group, the alkyl group is preferably a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a branched chain alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkyl group having 5 to 20 carbon atoms, more preferably a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms And a straight chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is particularly preferable.

또한, 식(4) 중의 R로서는 1종의 성분B 중에 구조가 다른 R이 2종 이상 포함되어 있어도 좋다.In addition, as R in the formula (4), one kind of component B may contain two or more Rs having different structures.

성분B에 있어서의, 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위의 함유량[식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위가 복수종 포함될 경우에는 그 총 함유량]은 질량 환산으로 성분B의 전체 질량에 대하여 10∼90질량%의 범위인 것이 바람직하고, 10∼70질량%의 범위인 것이 보다 바람직하고, 10질량% 이상 30질량% 미만인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위 내이면 무기 입자의 분산성이 뛰어나고, 감광성 수지 조성물로 했을 때의 현상성이 양호해진다.The content of the constituent unit represented by any one of the formulas (1) to (4) in the component B [when the constituent unit represented by any one of the formulas (1) to (4) Is preferably in the range of 10 to 90 mass%, more preferably in the range of 10 to 70 mass%, and further preferably in the range of 10 to 30 mass% with respect to the total mass of the component B in terms of mass. Within this range, the dispersibility of the inorganic particles is excellent, and the developability of the photosensitive resin composition is improved.

또한, 본 발명의 수지 조성물은 성분B를 1종 단독으로 함유하고 있어도 좋고, 2종 이상의 구조가 다른 성분B를 함유하고 있어도 좋다.The resin composition of the present invention may contain component B alone or may contain component B of two or more different structures.

또한, 성분B는 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위 중에서도 식(1)∼식(3) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 것이 바람직하고, 식(1) 또는 식(3) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 것이 보다 바람직하고, 식(1)으로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 것이 더욱 바람직하다.The component B preferably has a structural unit represented by any one of the formulas (1) to (3) among the constituent units represented by any one of the formulas (1) to (4) (3), and more preferably a structural unit represented by the formula (1).

또한, 성분B는 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위, 및 산기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는 그래프트 공중합체인 것이 바람직하다.The component B is preferably a graft copolymer having at least a constituent unit represented by any one of formulas (1) to (4) and a constituent unit having an acid group.

산기로서는 카르복실산기(카르복시기), 술폰산기, 인산기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있고, 이산화티탄으로의 흡착력과 분산성의 관점으로부터 카르복실산기, 술폰산기, 및 인산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하고, 카르복실산기가 특히 바람직하다. 상기 산기로서는 이들을 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Examples of the acid group include a carboxylic acid group (carboxy group), a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, a phenolic hydroxyl group and the like, and from the viewpoint of adsorption and dispersibility into titanium dioxide, at least one kind selected from the group consisting of carboxylic acid group, And a carboxylic acid group is particularly preferable. These acid groups can be used singly or in combination of two or more kinds.

그 중에서도 성분B는 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위, 및 (메타)아크릴산 유래의 구성 단위 또는 프탈산 모노에스테르 구조를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는 그래프트 공중합체인 것이 특히 바람직하다.Among them, the component B is particularly preferably a graft copolymer having at least a constitutional unit represented by any one of the formulas (1) to (4) and a constitutional unit derived from a (meth) acrylic acid or a phthalic acid monoester structure .

성분B의 산가는 5.0㎎KOH/g 이상 200㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 바람직하고, 10㎎KOH/g 이상 195㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 보다 바람직하고, 15㎎KOH/g 이상 190㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 산가가 200㎎KOH/g 이하이면 현상시에 있어서의 패턴 박리가 억제되고, 또한 5.0㎎KOH/g 이상이면 알칼리 현상성이 좋다.The acid value of the component B is preferably in the range of 5.0 mgKOH / g or more and 200 mgKOH / g or less, more preferably 10 mgKOH / g or more and 195 mgKOH / g or less, more preferably 15 mgKOH / g or more And more preferably not more than 190 mg KOH / g. When the acid value is 200 mgKOH / g or less, the pattern peeling at the time of development is inhibited. When the acid value is 5.0 mgKOH / g or more, the alkali developability is good.

본 발명에 있어서 성분B의 산가는, 예를 들면 성분B 중에 있어서의 산기의 평균 함유량으로부터 산출할 수 있다. 또한, 성분B를 구성하는 산기를 함유하는 구성 단위의 함유량을 변화시킴으로써 원하는 산가를 갖는 성분B를 얻을 수 있다.The acid value of the component B in the present invention can be calculated from the average content of the acid groups in the component B, for example. Component B having a desired acid value can be obtained by changing the content of the acid group-containing structural unit constituting the component B.

성분B의 산가의 측정 방법은 특별하게 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 측정할 수 있지만, 후술하는 성분D의 산가의 측정 방법과 마찬가지인 방법으로 바람직하게 측정할 수 있다.The method for measuring the acid value of the component B is not particularly limited and can be measured by a known method. However, the method can be suitably measured by a method similar to the method for measuring the acid value of the component D to be described later.

성분B의 중량 평균 분자량은 현상시의 패턴 박리 억제와 현상성의 관점으로부터 10,000 이상 300,000 이하인 것이 바람직하고, 15,000 이상 200,000 이하인 것이 보다 바람직하고, 15,000 이상 100,000 이하인 것이 더욱 바람직하고, 15,000 이상 50,000 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 성분B의 중량 평균 분자량은 25,000 미만인 것이 바람직하다. 또한, 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들면 GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)에 의해 측정할 수 있다.The weight average molecular weight of the component B is preferably from 10,000 to 300,000, more preferably from 15,000 to 200,000, still more preferably from 15,000 to 100,000, even more preferably from 15,000 to 50,000 desirable. The weight average molecular weight of component B is preferably less than 25,000. The weight average molecular weight of the resin can be measured by GPC (Gel Permeation Chromatography), for example.

성분B의 구체예로서는 하기에 나타내는 화합물 1∼6을 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 하기 식 중 x 및 y는 질량%를 나타내고, x:y=50:50∼95:5인 것이 바람직하고, 70:30∼90:10인 것이 보다 바람직하다.As specific examples of the component B, the following compounds 1 to 6 can be preferably exemplified. In the following formulas, x and y represent mass%, and x: y is preferably 50:50 to 95: 5, more preferably 70:30 to 90:10.

Figure pct00005
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Figure pct00006
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Figure pct00007
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본 발명의 수지 조성물에 있어서의 성분B의 함유량은 성분A의 함유량 100질량부당 50∼3,000질량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000질량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the component B in the resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by mass, more preferably 100 to 2,000 parts by mass, and further preferably 150 to 1,500 parts by mass per 100 parts by mass of the content of the component A.

(성분C) 용제(Component C) Solvent

본 발명의 수지 조성물은 (성분C) 용제를 함유한다.The resin composition of the present invention (component C) contains a solvent.

본 발명의 수지 조성물은 성분A 및 성분B, 및 그 밖의 후술의 각종 첨가제의 임의 성분을 (성분C) 용제에 용해 또는 분산된 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention is prepared as a solution in which the component A and the component B, and any other components of the various additives described below are dissolved or dispersed in the (component C) solvent.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 (성분C) 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (component C) used in the resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers , Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, di Propylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

상기한 용제 중, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 및/또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 바람직하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다.Of these solvents, diethylene glycol ethyl methyl ether and / or propylene glycol monomethyl ether acetate are preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is particularly preferable.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The solvents usable in the present invention may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분C) 용제의 함유량은 성분D의 함유량 100질량부당 50∼3,000질량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000질량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the (component C) solvent in the resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by mass, more preferably 100 to 2,000 parts by mass, further preferably 150 to 1,500 parts by mass, per 100 parts by mass of the content of the component D Do.

(성분D) (a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위와 (a-2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체(Component D) A polymer having a structural unit (a-1) having a structural unit having a group dissociated by an acid and / or heat and (a-2) a structural unit having a crosslinking group

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (성분D) (a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기(단순히 「탈리기」라고도 함)를 갖는 구성 단위와 (a-2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체를 함유한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition comprising a constituent unit (component D) having a structural unit having (a-1) an acid and / or a thermal eliminator (also simply referred to as a " Units. &Lt; / RTI &gt;

또한, 성분D는 고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 분야에 있어서의 프로세스 적성의 관점으로부터 황원자를 갖지 않는 중합체인 것이 바람직하다.The component D is preferably a polymer having no sulfur atom from the viewpoint of processability in the fields of solid-state imaging devices and liquid crystal display devices.

성분D는 상기 구성 단위 (a-1) 및 (a-2) 이외에, (a-3)알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위, 및/또는 (a-4)방향환을 갖는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 성분D는 상기 모노머 단위 (a-1)∼(a-4) 이외의 구성 단위(a-5)를 함유해도 좋다.Component D preferably contains a structural unit having (a-3) an alkali-soluble group and / or a structural unit having an aromatic ring (a-4) in addition to the structural units (a-1) and Do. The component D may contain the structural unit (a-5) other than the monomer units (a-1) to (a-4).

또한, 본 발명에 있어서의 「구성 단위」는 모노머 1분자로부터 형성되는 모노머 단위를 포함할 뿐만 아니라, 모노머 1분자로부터 형성되는 모노머 단위를 고분자 반응 등에 의해 변성한 구성 단위도 포함하는 것으로 한다.The "constituent unit" in the present invention includes not only a monomer unit formed from one molecule of a monomer but also a constituent unit in which a monomer unit formed from one monomer molecule is modified by a polymer reaction or the like.

성분D의 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 이상인 것이 바람직하고, 5,000 이상인 것이 보다 바람직하고, 10,000 이상인 것이 더욱 바람직하고, 또한 1,000,000 이하인 것이 바람직하고, 80,000 이하인 것이 보다 바람직하고, 60,000 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 양호한 해상성이 얻어진다.The weight average molecular weight (Mw) of the component D is preferably 3,000 or more, more preferably 5,000 or more, further preferably 10,000 or more, further preferably 1,000,000 or less, more preferably 80,000 or less, and even more preferably 60,000 or less . Within this range, good resolution is obtained.

또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다. 용제는 THF를 사용하고, 컬럼에는 TSKgel SuperHZ3000 및 TSKgel SuperHZM-M[모두 토소(주) 제]을 사용해서 측정하는 것이 바람직하다.The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by GPC (gel permeation chromatography). It is preferable to use THF as the solvent and TSKgel SuperHZ3000 and TSKgel SuperHZM-M (all manufactured by Tosoh Corporation) for the column.

성분D는 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.Component D is preferably an acrylic polymer.

본 발명에 있어서의 「아크릴계 중합체」는 부가 중합형의 수지이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르로부터 유래되는 모노머 단위를 포함하는 중합체이고, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르로부터 유래되는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들면 스티렌류로부터 유래되는 모노머 단위나 비닐 화합물로부터 유래되는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 좋다. 또한, 성분D는 (메타)아크릴산으로부터 유래되는 모노머 단위 및 (메타)아크릴산 에스테르로부터 유래되는 모노머 단위를 모두 포함해도 좋다.The "acrylic polymer" in the present invention is an addition polymerization type resin and is a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof, and is a monomer other than a monomer unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof Unit, for example, a monomer unit derived from a styrene or a monomer unit derived from a vinyl compound. Component D may contain both monomer units derived from (meth) acrylic acid and monomer units derived from (meth) acrylic acid esters.

또한, 본 명세서에서는 「(메타)아크릴산 또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위」를 「아크릴계 구성 단위」라고도 한다. 또한, (메타)아크릴산은 메타크릴산 및 아크릴산을 총칭하는 것으로 한다.In the present specification, the term "structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof" is also referred to as "acrylic structural unit". Further, (meth) acrylic acid is collectively referred to as methacrylic acid and acrylic acid.

이하, 구성 단위(a-1), 구성 단위(a-2) 등의 각 구성 단위에 대하여 설명한다.Hereinafter, each structural unit such as the structural unit (a-1) and the structural unit (a-2) will be described.

(a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위(a-1) a structural unit having a group which is eliminated by an acid and / or heat

성분D는 (a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다.Component D has at least a constituent unit having (a-1) an acid and / or a group which is desorbed by heat.

상기 산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기는 산에 의해 탈리되는 기라도 좋고, 열에 의해 탈리되는 기라도 좋고, 산 및 열에 의해 탈리되는 기라도 좋지만, 적어도 산에 의해 탈리되는 기, 즉 산에 의해 탈리되는 기 또는 산 및 열에 의해 탈리되는 기인 것이 바람직하다.The group which is cleaved by the acid and / or the heat may be a group which is cleaved by an acid, a group which is cleaved by heat or a group which is cleaved by an acid and heat. However, Or a group which is eliminated by acid and heat.

적어도 산에 의해 탈리되는 기로서는, 예를 들면 산 분해성기로 보호된 기를 들 수 있다.The group which is cleaved at least by an acid includes, for example, a group protected with an acid-decomposable group.

감도와 해상도의 관점으로부터 상기 구성 단위(a-1)는 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-1)인 것이 바람직하다.From the viewpoints of sensitivity and resolution, it is preferable that the structural unit (a-1) is a structural unit (a-1-1) having a carboxyl group or a group in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

성분D는 구성 단위(a-1-1)를 포함할 경우에는 알칼리 불용성이며, 상기 구성 단위(a-1-1)에 있어서의 산 분해성기가 분해되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다.Component D is preferably a resin that is alkali-insoluble when it contains the structural unit (a-1-1) and becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group in the structural unit (a-1-1) is decomposed.

또한, 본 발명에 있어서의 「알칼리 가용성」이란 상기 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 4㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란 상기 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 4㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만, 바람직하게는 0.005㎛/초 미만인 것을 말한다.The term "alkali solubility" in the present invention means that the solution of the compound (resin) is coated on a substrate and the coating film (thickness: 4 μm) of the compound (resin) formed by heating at 90 ° C. for 2 minutes is 23 Means that the dissolution rate of the compound (resin) in an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide of 0.4% by mass or more is 0.01 m / sec or more. The term &quot; alkali insoluble &quot; means that the solution of the compound The dissolution rate of the coating film (thickness: 4 mu m) of the compound (resin) formed by heating for minute in a 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 deg. C is less than 0.01 mu m / second, preferably 0.005 mu m / Sec &lt; / RTI &gt;

〔카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-1)〕[Structural unit (a-1-1) in which a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group has a group protected with an acid-decomposable group]

성분D는 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-1)를 갖는 것이 바람직하다.Component D preferably has a carboxyl group or a structural unit (a-1-1) having a group in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

성분D가 구성 단위(a-1-1)를 가짐으로써 매우 고감도인 수지 조성물로 할 수 있다. 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위에 비하면 현상이 빠르다고 하는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위가 바람직하다. 반대로, 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 사용하는 것이 바람직하다.By having the constituent unit (a-1-1) in the component D, a highly sensitive resin composition can be obtained. The constitutional unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is characterized in that the phenolic hydroxyl group has a faster phenomenon than a constitutional unit having a group protected with an acid-decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, a structural unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use a structural unit having a group in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

또한, 상기 산 분해성기로서는 1-에톡시에틸기 또는 테트라히드로푸라닐기가 특히 바람직하고, 테트라히드로푸라닐기가 가장 바람직하다.As the acid decomposable group, a 1-ethoxyethyl group or a tetrahydrofuranyl group is particularly preferable, and a tetrahydrofuranyl group is most preferable.

〔카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-2)〕[Structural unit (a-1-2) having carboxyl group protected group by acid-decomposable group]

-카르복시기를 갖는 구성 단위-- a constituent unit having a carboxyl group -

카르복시기를 갖는 구성 단위로서는, 예를 들면 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복시기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위를 들 수 있다.Examples of the structural unit having a carboxyl group include structural units derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, and an unsaturated tricarboxylic acid. .

카르복시기를 갖는 구성 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 예시하는 것과 같은 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복실산으로서는 예를 들면 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이라도 좋다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르라도 좋고, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.As the unsaturated carboxylic acid to be used for obtaining the constituent unit having a carboxyl group, those exemplified below are used. That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used for obtaining a monomer unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, for example, mono (2-acryloyloxyethyl) succinate, mono Mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like.

또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양쪽 말단 디카르복시 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트라도 좋고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymers thereof, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate and ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate. have.

또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도 현상성의 관점으로부터 카르복시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산, 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, acrylic acid, methacrylic acid, or anhydride of unsaturated polycarboxylic acid is preferably used to form a structural unit having a carboxyl group from the viewpoint of developability, and acrylic acid or methacrylic acid is more preferably used.

카르복시기를 갖는 구성 단위는 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The constituent unit having a carboxyl group may be composed of one kind alone, or may be composed of two or more kinds.

또한, 카르복시기를 갖는 구성 단위는 수산기를 갖는 모노머 단위와 산 무수물을 반응시켜서 얻어진 구성 단위라도 좋다.The constituent unit having a carboxyl group may be a constituent unit obtained by reacting a monomer unit having a hydroxyl group with an acid anhydride.

산 무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 이염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐 테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점으로부터 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는 무수 숙신산이 바람직하다.Specific examples of the acid anhydrides include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chlorendic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

산 무수물의 상기 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점으로부터 10∼100몰%인 것이 바람직하고, 30∼100몰%인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of developability, the reaction rate of the acid anhydride to the hydroxyl group is preferably from 10 to 100 mol%, more preferably from 30 to 100 mol%.

-카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-2)-- a structural unit (a-1-2) having a group in which the carboxyl group is protected with an acid-decomposable group -

카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-2)란, 바람직하게는 상기 카르복시기를 갖는 구성 단위의 카르복시기가 이하에 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 기를 갖는 구성 단위이다.The constituent unit (a-1-2) having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferably a constituent unit in which the carboxyl group of the constituent unit having a carboxyl group has a group protected by an acid-decomposable group described in detail below.

산 분해성기로서는 지금까지 KrF용 포지티브형 레지스트, ArF용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산 분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별하게 한정되지 않는다. 종래, 산 분해성기로서는 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기로서 테트라히드로피라닐기 등의 아세탈계 관능기나, 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기로서 t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기가 알려져 있으며 이것들을 사용할 수 있다.As the acid decomposable group, those known as the acid decomposable group in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF have heretofore been used and are not particularly limited. Conventionally, acid-decomposable groups include acetal-based functional groups such as tetrahydropyranyl groups which are relatively easily decomposed by an acid, t-butyl ester groups such as t-butyl ester group and t-butylcarbonate group, Butyl-based functional groups are known and can be used.

또한, 이러한 아세탈계 관능기나 t-부틸계 관능기는 열에 의해서도 탈리가 발생할 수 있는 관능기이다.These acetal-based functional groups and t-butyl-based functional groups are functional groups capable of causing desorption even by heat.

이들 산 분해성기 중에서도 카르복시기가 아세탈의 형태로 보호된 기를 갖는 구성 단위인 것이 감도와 해상도의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 카르복시기가 하기 식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 기인 것이 보다 바람직하다. 또한, 카르복시기가 하기 식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 기일 경우, 기의 전체로서는 -C(=O)-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 「아세탈」에는 협의의 아세탈뿐만 아니라, 케탈도 포함된다.Among these acid decomposable groups, a constituent unit in which a carboxyl group is protected in the form of an acetal is preferable from the viewpoints of sensitivity and resolution. Among the acid decomposable groups, it is more preferable that the carboxyl group is a group protected in the form of an acetal represented by the following formula (a1-1). When the carboxy group is a protected group in the form of an acetal represented by the following formula (a1-1), the whole group has a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 (OR 3 ). The term &quot; acetal &quot; in the present invention includes not only acetal but also ketal.

Figure pct00008
Figure pct00008

[식(a1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. 단, R1과 R2가 모두 수소 원자인 경우를 제외한다. R3은 알킬기를 나타낸다. R1 또는 R2와, R3이 연결되어서 환상 에테르를 형성해도 좋다. 또한, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다][In the formula (a1-1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Except that R 1 and R 2 are both hydrogen atoms. R 3 represents an alkyl group. R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether. In addition, the broken line indicates the bonding position with other structures]

식(a1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R3은 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 여기에서, R1 및 R2의 쌍방이 수소 원자를 나타낼 일은 없고, R1 및 R2 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In formula (a1-1), R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, R 3 represents an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Here, both of R 1 and R 2 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group.

식(a1-1)에 있어서, R1, R2 및 R3이 알킬기를 나타낼 경우, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 어느 것이라도 좋다.In the formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는 탄소수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

환상 알킬기로서는 탄소수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4∼6인 것이 더욱 바람직하다. 환상 알킬기로서는 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노보닐기, 이소보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobonyl group.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 가질 경우 R1, R2, R3은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 가질 경우 R1, R2, R3은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When R 1 , R 2 , and R 3 have a haloalkyl group as a substituent, R 1 , R 2 , and R 3 have an aralkyl group when they have an aryl group as a substituent.

할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6∼12의 아릴기가 보다 바람직하다. 구체적으로는 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl group,? -Methylphenyl group, naphthyl group and the like.

상기 아랄킬기로서는 탄소수 7∼32의 아랄킬기가 바람직하고, 탄소수 7∼20의 아랄킬기가 보다 바람직하다. 구체적으로는 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aralkyl group is preferably an aralkyl group having 7 to 32 carbon atoms, more preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms. Specifically, benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group and the like can be exemplified.

상기 알콕시기로서는 탄소수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알콕시기가 보다 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 더욱 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한, 알킬기가 시클로알킬기일 경우, 상기 시클로알킬기는 치환기로서 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기일 경우에는 치환기로서 탄소수 3∼12의 시클로알킬기를 갖고 있어도 좋다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, May have a cycloalkyl group.

이들 치환기는 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

식(a1-1)에 있어서, R1, R2 및 R3이 아릴기를 나타낼 경우, 상기 아릴기는 탄소수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 상기 치환기로서는 탄소수 1∼6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 톨릴기, 실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.In the formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferably exemplified. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a silyl group, a cumenyl group and a 1-naphthyl group.

또한, R1, R2 및 R3은 서로 결합해서 그것들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수 있다. R1과 R2, R1과 R3 또는 R2와 R3이 결합했을 경우의 환 구조로서는, 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 테트라히드로푸라닐기가 바람직하다.Further, R 1 , R 2 and R 3 may bond to each other to form a ring together with the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 1 and R 2 , R 1 and R 3, or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group. Among them, a tetrahydrofuranyl group is preferable.

또한, 식(a1-1)에 있어서, R1 및 R2 중 어느 한쪽이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-1), it is preferable that either R 1 or R 2 is a hydrogen atom or a methyl group.

식(a1-1)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit having a group represented by the formula (a1-1) may be commercially available or synthesized by a known method. For example, it can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below.

Figure pct00009
Figure pct00009

R11은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

R12 및 R13은 -CH(R12)(R13)로서, 식(a1-1)에 있어서의 R2와 동의이고, R14는 식(a1-1)에 있어서의 R1과 동의이고, R15는 식(a1-1)에 있어서의 R3과 동의이고, 또한 이들은 바람직한 범위도 마찬가지이다.R 12 and R 13 are -CH (R 12 ) (R 13 ), agrees with R 2 in formula (a1-1), and R 14 corresponds to R 1 in formula (a1-1) , R &lt; 15 &gt; is the same as R &lt; 3 &gt; in the formula (a1-1), and their preferable ranges are also the same.

상기 합성은 (메타)아크릴산을 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 놓고, 그 후에 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 좋다.The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing (meth) acrylic acid with other monomers, and then reacting with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-2)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the structural unit (a-1-2) having a group in which the carboxyl group is protected with an acid-decomposable group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00010
Figure pct00010

〔페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위(a-1-3)〕[Structural unit (a-1-3) in which the phenolic hydroxyl group has a group protected with an acid-decomposable group]

-페놀성 수산기를 갖는 구성 단위-- a constituent unit having a phenolic hydroxyl group -

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는 히드록시스티렌계 모노머 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있다. 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위 중에서도 식(a1-2)으로 나타내어지는 구성 단위가 투명성, 감도의 관점으로부터 바람직하다.Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a structural unit in a hydroxystyrene-based monomer unit or a novolac-based resin. Among the constituent units having a phenolic hydroxyl group, the constituent units represented by the formula (a1-2) are preferable from the viewpoints of transparency and sensitivity.

Figure pct00011
Figure pct00011

[식(a1-2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R22는 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내고, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R22가 2 이상 존재할 경우, 이들 R22는 서로 달라도 좋고 동일해도 좋다](Wherein R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a divalent linking group, R 22 represents a halogen atom or an alkyl group, a represents an integer of 1 to 5 , b represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less. When two or more R &lt; 22 &gt; are present, these R &lt; 22 &gt;

식(a1-2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, 식(a1-2)에 있어서의 R21은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합일 경우에는 감도를 향상시킬 수 있고, 경화막의 투명성을 더 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R21의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R21이 알킬렌기인 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R21이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.In formula (a1-2), R 21 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of a single crystal combination, the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be further improved. Examples of the divalent linking group of R 21 include an alkylene group and specific examples of R 21 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. Among them, R 21 is preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또한, 식(a1-2)에 있어서의 a는 1∼5의 정수를 나타내지만, 본 발명의 효과의 관점이나, 제조가 용이하다고 하는 점으로부터 a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a1-2), a represents an integer of 1 to 5, but from the viewpoint of the effects of the present invention, and from the viewpoint of easy production, a is preferably 1 or 2, and a is 1 Is more preferable.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는 R21과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1-position).

식(a1-2)에 있어서의 R22는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다. 구체적으로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다고 하는 점으로부터 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 in the formula (a1-2) is a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group or an ethyl group is preferable in view of easiness of production.

또한, b는 0 또는 1∼4의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

-페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위-- a structural unit having a group in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-

페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위의 페놀성 수산기가 이하에 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 기를 갖는 구성 단위이다.The constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a group protected by an acid-decomposable group is a constituent unit in which the phenolic hydroxyl group of the constituent unit having a phenolic hydroxyl group has a group protected by an acid-decomposable group described in detail below.

산 분해성기로서는 상술한 바와 같이 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별하게 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 기를 갖는 구성 단위인 것이, 특히 감도나 수지 조성물의 보존 안정성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 기일 경우, 기의 전체로서는 -Ar-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.As the acid decomposable group, a known acid dissociable group can be used, and there is no particular limitation. Among the acid decomposable groups, the phenolic hydroxyl group is preferably a structural unit having a group protected in the form of an acetal from the viewpoints of sensitivity and storage stability of the resin composition. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the phenolic hydroxyl group is a group protected in the form of an acetal represented by the formula (a1-1). When the phenolic hydroxyl group is a protected group in the form of an acetal represented by the formula (a1-1), the group as a whole has a structure of -Ar-O-CR 1 R 2 (OR 3 ). Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기를 보호하는 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는 R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기이며 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure for protecting the phenolic hydroxyl group include a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸-히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit having a group in which the phenolic hydroxyl group is protected in the form of an acetal include a 1-alkoxyalkyl protected product of hydroxystyrene, a tetrahydropyranyl Alkoxyalkyl protected form of? -Methylhydroxystyrene, tetrahydrothiopyranyl protected form of? -Methyl-hydroxystyrene, 1-alkoxyalkyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate, 4- And a tetrahydropyranyl protected form of hydroxyphenyl methacrylate.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기로서는 식(a1-1)이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.The acetal protecting group of the phenolic hydroxyl group is preferably the formula (a1-1). These may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a-1-3)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 구성 단위에 있어서의 R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the monomer unit (a-1-3) include the following constitutional units, but the present invention is not limited thereto. R in the structural unit shown below represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00012
Figure pct00012

Figure pct00013
Figure pct00013

또한, 구성 단위(a-1)는 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 1-에톡시에틸기 또는 테트라히드로푸라닐기로 보호된 기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a-1) is preferably a monomer unit having a carboxyl group or a group in which the phenolic hydroxyl group is protected with a 1-ethoxyethyl group or a tetrahydrofuranyl group.

성분D에 있어서의 구성 단위(a-1)를 구성하는 모노머 단위의 함유량은 감도의 관점으로부터 성분D의 전체 모노머 단위에 대하여 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼65몰%가 보다 바람직하고, 20∼60몰%가 더욱 바람직하다.The content of the monomer unit constituting the constituent unit (a-1) in the component D is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 10 to 65 mol%, based on the total monomer units of the component D from the viewpoint of sensitivity , More preferably from 20 to 60 mol%.

(a-2)가교기를 갖는 구성 단위(a-2) a structural unit having a crosslinking group

성분D는 (a-2)가교기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다.Component D has at least a constituent unit having (a-2) a crosslinking group.

상기 가교기는 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 특별하게 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교기를 갖는 구성 단위의 형태로서는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위, 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group which causes a curing reaction by a heat treatment. Preferable examples of the type of the structural unit having a crosslinking group include a structural unit containing at least one selected from the group consisting of a structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group and a structural unit having an ethylenic unsaturated group. More specifically, the following can be mentioned.

보존 안정성이나 경화막 특성의 관점으로부터 구성 단위(a-2)는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a-2-1)인 것이 바람직하다.The structural unit (a-2) is preferably a structural unit (a-2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group from the viewpoints of storage stability and cured film characteristics.

<에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a-2-1)><Structural unit (a-2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group>

성분D는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a-2-1)를 갖는 것이 바람직하다. 성분D는 에폭시기를 갖는 구성 단위 및 옥세타닐기를 갖는 구성 단위의 양쪽을 갖고 있어도 좋다. 또한, 경화물의 투명성의 관점으로부터는 성분D는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 갖고 있는 것이 바람직하다.The component D preferably has the structural unit (a-2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group. Component D may have both of a structural unit having an epoxy group and a structural unit having an oxetanyl group. From the viewpoint of transparency of the cured product, the component D preferably has a constituent unit having an oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 기로서는 에폭시환을 갖고 있으면 특별하게 제한은 없지만, 글리시딜기, 3,4-에폭시시클로헥실메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an epoxy group is not particularly limited as long as it has an epoxy ring, but a glycidyl group and a 3,4-epoxycyclohexylmethyl group can be preferably exemplified.

옥세타닐기를 갖는 기로서는 옥세탄환을 갖고 있으면 특별하게 제한은 없지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetanyl ring, but (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

구성 단위(a-2-1)는 1개의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별하게 한정되지 않지만 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1개 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a-2-1) may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, at least two epoxy groups, But not limited to, a total of 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups, more preferably one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, More preferably an epoxy group or an oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicumyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, Heptyl, α-ethyl acrylate-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in &quot;

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylic esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953 .

구성 단위(a-2-1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a-2-1) are a monomer containing a methacrylic acid ester structure and a monomer containing an acrylic ester structure.

이들 모노머 중에서, 더욱 바람직한 것으로서는 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 글리시딜, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락 0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 들 수 있다.Among these monomers, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and compounds disclosed in JP-A-2001-330953 (Meta) acrylic acid esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-

내열 투명성의 관점으로부터 특히 바람직한 것으로서는 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 중 어느 하나로부터 유래되는 구성 단위이다.Particularly preferred from the viewpoint of heat-resistant transparency are structural units derived from any one of acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl.

이들 구성 단위(a-2-1)는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.These structural units (a-2-1) may be used alone or in combination of two or more.

구성 단위(a-2-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다.Specific preferred examples of the structural unit (a-2-1) include the following structural units.

Figure pct00014
Figure pct00014

<에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a-2-2)><Structural unit having an ethylenically unsaturated group (a-2-2)>

가교기를 갖는 구성 단위(a-2) 중 하나로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a-2-2)를 들 수 있다.As the structural unit (a-2) having a crosslinking group, a structural unit (a-2-2) having an ethylenic unsaturated group can be mentioned.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a-2-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고 탄소수 3∼16의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 식(a2-2-2)으로 나타내어지는 측쇄를 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.The structural unit (a-2-2) having an ethylenically unsaturated group is preferably a structural unit having an ethylenic unsaturated group in its side chain, more preferably a structural unit having an ethylenic unsaturated group at its terminal and a side chain of 3 to 16 carbon atoms , And a structural unit having a side chain represented by the formula (a2-2-2) are more preferable.

Figure pct00015
Figure pct00015

[식(a2-2-2) 중, R1은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다](In the formula (a2-2-2), R 1 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, and R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.

R1은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기이면 좋지만, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이것들을 조합시킨 기를 포함하는 것이 바람직하고, 또한 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 2가의 연결기는 임의의 위치에 히드록시기, 카르복시기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다.R 1 may be a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, but preferably includes an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a group obtained by combining these groups, and further includes a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond, May be included. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxy group or a carboxy group at an arbitrary position.

성분D에 있어서의 구성 단위(a-2)를 구성하는 모노머 단위의 함유량은 성분D의 전체 모노머 단위에 대하여 5∼60몰%가 바람직하고, 10∼55몰%가 더욱 바람직하고, 20∼50몰%가 특히 바람직하다. 구성 단위(a-2)를 상기 비율로 함유시킴으로써 경화막의 물성이 양호해진다.The content of the monomer unit constituting the constituent unit (a-2) in the component D is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 55 mol%, and still more preferably 20 to 50 mol% based on the total monomer units of the component D. Mol% is particularly preferable. By containing the structural unit (a-2) in the above ratio, physical properties of the cured film are improved.

(a-3)알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위(a-3) a structural unit having an alkali-soluble group

성분D는 알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위(a-3)를 갖는 것이 바람직하다.The component D preferably has the structural unit (a-3) having an alkali-soluble group.

알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위(a-3)는 성분D에 알칼리 가용성을 부여하는 기능을 갖는다. 이것에 의해, 성분D는 현상시에 알칼리 용액(현상액)에 용해되므로 구성 단위(a-3)를 포함하는 성분D는 현상액에 의해 용이하게 현상할 수 있다. 또한, 알칼리 가용성기 함유 모노머는 가교제를 사용한 가교에 의해, 또는 성분D의 분자 내에 있는 에폭시기 또는 옥세탄기[예를 들면, 상기 구성 단위(a-2-1)로부터 유래되는 기 등]와의 반응에 의해 경화시켜, 얻어진 경화물에 경도를 부여한다.The structural unit (a-3) having an alkali-soluble group has a function of imparting alkali solubility to the component D. By this, since the component D is dissolved in the alkali solution (developer) at the time of development, the component D containing the constituent unit (a-3) can be easily developed by the developer. Further, the alkali-soluble group-containing monomer may be reacted with a crosslinking agent using a crosslinking agent or with an epoxy group or an oxetane group (for example, a group derived from the structural unit (a-2-1)) present in the molecule of the component D To give hardness to the obtained cured product.

알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위(a-3)에 있어서의 알칼리 가용성기로서는 레지스트의 분야에서 통상 사용되는 기이면 좋고, 예를 들면 카르복시기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있다. 알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위(a-3)의 대표적인 예로서 불포화 카르복실산 또는 그 산 무수물, 히드록시스티렌 또는 그 유도체 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.The alkali-soluble group in the structural unit (a-3) having an alkali-soluble group may be a group ordinarily used in the field of resists, and examples thereof include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. Representative examples of the alkali-soluble group-containing structural unit (a-3) include, but are not limited to, an unsaturated carboxylic acid or its acid anhydride, hydroxystyrene or a derivative thereof.

구성 단위(a-3)로서는 상기 카르복시기를 갖는 구성 단위나, 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 바람직하게 사용할 수 있다. 이것들 중에서도 특히 불포화 카르복실산 또는 그 산 무수물이 바람직하다.As the structural unit (a-3), a structural unit having a carboxyl group or a structural unit having a phenolic hydroxyl group can be preferably used. Of these, an unsaturated carboxylic acid or its acid anhydride is particularly preferable.

불포화 카르복실산 또는 그 산 무수물로서, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산 등의 α,β-불포화 카르복실산 및 그 산 무수물(무수 말레산, 무수 이타콘산 등)이 예시된다. 이것들 중에서도 아크릴산, 메타크릴산이 특히 바람직하다. 알칼리 가용성기를 갖는 구성 단위(a-3)는 단독으로 또는 2개 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid or its acid anhydride include?,? - unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid and fumaric acid, and acid anhydrides thereof (maleic anhydride, Itaconic acid, etc.). Of these, acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferable. The structural unit (a-3) having an alkali-soluble group may be used alone or in combination of two or more thereof.

성분D가 구성 단위(a-3)를 가질 경우, 성분D에 있어서의 구성 단위(a-3)를 구성하는 모노머 단위의 함유량은 성분D의 전체 모노머 단위에 대하여 5∼40몰%가 바람직하고, 10∼25몰%가 더욱 바람직하고, 15∼20몰%가 특히 바람직하다. 구성 단위(a-3)를 상기 비율로 함유시킴으로써 현상성이 양호해진다.When the component D has the structural unit (a-3), the content of the monomer unit constituting the structural unit (a-3) in the component D is preferably from 5 to 40 mol% based on the total monomer units of the component D , More preferably 10 to 25 mol%, and particularly preferably 15 to 20 mol%. Incorporation of the structural unit (a-3) at the above ratio improves developability.

또한, 성분D의 산가는 50㎎KOH/g을 초과하는 것이 바람직하다.It is also preferable that the acid value of the component D exceeds 50 mg KOH / g.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 성분D의 산가는 탈리기를 갖는 구성 단위(a-1)가 존재하는 상태에서의 산가이다. 예를 들면, 구성 단위(a-1)가 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위일 경우, 탈리기가 탈리된 후의 성분D는 산가가 탈리 전의 것보다 상승하는 것은 말할 필요도 없다.The acid value of the component D in the positive photosensitive resin composition of the present invention is an acid value in the presence of the structural unit (a-1) having a leaving group. For example, when the structural unit (a-1) is a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group, it is needless to say that the acid value of the component D after the removal of the leaving group is higher than that before the removal of the acid value.

산가의 측정 방법으로서는 특별하게 제한은 없고, 공지의 방법을 사용할 수 있지만, 이하의 방법에 의해 측정하는 것이 바람직하다.The method for measuring the acid value is not particularly limited and a known method can be used, but it is preferable to measure the acid value by the following method.

본 발명에 있어서의 산가의 측정 방법으로서는 특별하게 제한은 없고, 공지의 방법 중에서 적당하게 선택할 수 있고, 예를 들면 적정법 등을 들 수 있고, 수산화칼륨을 사용한 적정에 의해 산가를 측정하는 방법을 바람직하게 들 수 있다.The method for measuring the acid value in the present invention is not particularly limited and can be appropriately selected from among known methods. For example, a titration method can be exemplified. A method of measuring an acid value by titration using potassium hydroxide is preferable .

(a-4)방향환을 갖는 구성 단위(a-4) a structural unit having an aromatic ring

성분D는 상기 구성 단위(a-1)∼(a-3) 이외의 구성 단위로서, 굴절률의 관점으로부터 방향환을 갖는 구성 단위(a-4)를 갖는 것이 바람직하다.Component D is preferably a structural unit other than the structural units (a-1) to (a-3) and has a structural unit (a-4) having an aromatic ring from the viewpoint of the refractive index.

상기 구성 단위(a-4)를 형성하는 모노머로서는, 예를 들면 스티렌류, 방향환을 갖는 (메타)아크릴산 에스테르류 등을 들 수 있다.Examples of the monomer forming the structural unit (a-4) include styrenes, (meth) acrylic esters having an aromatic ring, and the like.

이들 중에서도 스티렌 유래의 구성 단위 및 벤질(메타)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 바람직하게 들 수 있고, 벤질메타크릴레이트 유래의 구성 단위를 보다 바람직하게 들 수 있다.Among these, styrene-derived structural units and benzyl (meth) acrylate-derived structural units are preferably used, and benzyl methacrylate-derived structural units are more preferred.

성분D가 구성 단위(a-4)를 가질 경우, 성분D에 있어서의 구성 단위(a-4)를 구성하는 모노머 단위의 함유량은 성분D의 전체 모노머 단위에 대하여 5∼35몰%가 바람직하고, 10∼30몰%가 더욱 바람직하고, 15∼25몰%가 특히 바람직하다. 구성 단위(a-4)를 상기 비율로 함유시킴으로써 경화막의 물성이 양호해진다.When the component D has the structural unit (a-4), the content of the monomer unit constituting the structural unit (a-4) in the component D is preferably 5 to 35 mol% based on the total monomer units of the component D , More preferably 10 to 30 mol%, and particularly preferably 15 to 25 mol%. By containing the structural unit (a-4) in the above ratio, the physical properties of the cured film are improved.

(a-5)그 밖의 구성 단위(a-5) Other structural units

성분D는 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 상기 구성 단위(a-1)∼(a-4) 이외의 구성 단위(a-5)를 갖고 있어도 좋다.The component D may have the structural unit (a-5) other than the structural units (a-1) to (a-4) within the range not hindering the effect of the present invention.

구성 단위(a-5)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다[단, 상술의 구성 단위(a-1)∼(a-4)를 형성하는 모노머를 제외한다].Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a-5) include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP 2004-264623 A [ except for the monomers which form (a-1) to (a-4).

구성 단위(a-5)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 (메타)아크릴산 디시클로펜타닐, (메타)아크릴산 시클로헥실, 아크릴산 시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산 에스테르류, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, 스티렌 등을 바람직하게 예시할 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a-5) include (meth) acrylic acid esters having an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclohexyl acrylate, (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, styrene, and the like.

또한, 이하에 기재하는 화합물 등도 들 수 있다.Further, the compounds described below and the like are also exemplified.

폴리옥시알킬렌쇄 함유 (메타)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들면 에틸렌옥사이드 변성 크레졸아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-901), 에틸렌옥사이드 변성 도데실아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-950), 에틸렌옥사이드 변성 트리데실아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-951), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-946), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-947), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-948), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 아로닉스 TO-949), 이상 도아 고세이(주) 제; Examples of the polyoxyalkylene chain-containing (meth) acrylate monomer include ethylene oxide modified cresol acrylate (Aronix TO-901), ethylene oxide modified dodecyl acrylate (Aronix TO-950), ethylene (Trade name: Aronix TO-947), 2-ethylhexyl polyethylene glycol acrylate (trade name: Aronix TO-946), 2-ethylhexyl polyethylene glycol acrylate ), 2-ethylhexyl polyethylene glycol acrylate (Aronix TO-948), 2-ethylhexyl polyethylene glycol acrylate (Aronix TO-949), manufactured by Soko Dojo Kosei Co.,

에톡시-디에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 라이트 아크릴레이트 EU-A), 메톡시-트리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 라이트 아크릴레이트 MTG-A), 메톡시-폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 라이트 아크릴레이트 130A), 페녹시-폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 라이트 아크릴레이트 P-200A), 노닐페닐-폴리옥시에틸렌쇄 부가물 아크릴레이트(상품명: 라이트 아크릴레이트 NP-4EA), 노닐페닐-폴리옥시에틸렌쇄 부가물 아크릴레이트(상품명: 라이트 아크릴레이트 NP-8EA), 이상 쿄에이샤 카가쿠(주) 제; (Trade name: LIGHT ACRYLATE EU-A), methoxy-triethylene glycol acrylate (trade name: light acrylate MTG-A), methoxy-polyethylene glycol acrylate (Trade name: LIGHT ACRYLATE NP-4EA), nonylphenyl-polyoxyethylene (nonylphenyl-polyoxyethylene) acrylate (trade name: Chain adduct acrylate (trade name: light acrylate NP-8EA), manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.;

폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: 블렘머 AE-350), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PE-90), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PE-200), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PE-350), 메톡시폴리에틸렌글리콜모노아크릴레이트(상품명: 블렘머 AME-400), 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PME-100), 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PME-200), 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PME-400), 폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PP-500), 폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 PP-800), 폴리에틸렌글리콜폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 70PEP-370B), 폴리에틸렌글리콜폴리테트라메틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: 블렘머 50PET-800), 옥톡시폴리에틸렌글리콜폴리프로필렌글리콜모노메타크릴레이트(상품명: 블렘머 50POEP-800B), 옥톡시폴리에틸렌글리콜폴리옥시프로필렌글리콜모노메타크릴레이트(상품명: 블렘머 50AOEP-800B), 이상 니혼 유시(주) 제;(Trade name: Blemmer PE-200), polyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PE-90), polyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer AE-350), polyethylene glycol methacrylate (Trade name: Blemmer PE-350), methoxypolyethylene glycol monoacrylate (trade name: Blemmer AME-400), methoxypolyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PME-100), methoxypolyethylene glycol methacrylate (Trade name: Blemmer PME-200), methoxypolyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PME-400), polypropylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PP-500), polypropylene glycol methacrylate (Blemmer PP-800), polyethylene glycol polypropylene glycol methacrylate (Blemmer 70PEP-370B), polyethylene glycol polytetramethylene glycol methacrylate (trade name: : Blemmer 50PET-800), octoxypolyethylene glycol polypropylene glycol monomethacrylate (Blemmer 50POEP-800B), octoxypolyethylene glycol polyoxypropylene glycol monomethacrylate (trade name: Blemmer 50AOEP-800B) , Manufactured by Nippon Oil Corporation;

메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: NK 에스테르 M-20G), 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: NK 에스테르 M-40G), 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명: NK 에스테르 M-90G), 페녹시디에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명: NK 에스테르 AMP-20G), 이상 신나카무라 카가쿠 코교(주) 제 등을 들 수 있다.(Trade name: NK Ester M-90G), methoxyethyleneglycol methacrylate (trade name: NK Ester M-20G), methoxydiethylene glycol methacrylate (trade name: NK Ester M- , Phenoxyethylene glycol acrylate (trade name: NK Ester AMP-20G), and Shin-Nakamura Kagakukogyo Co., Ltd., and the like.

그 중에서도 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트가 바람직하다. 성분D는 구성 단위(a-5)를 1종 단독으로 갖고 있어도 좋고, 2종류 이상을 갖고 있어도 좋다.Among them, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are preferable. Component D may have one structural unit (a-5) alone or two or more structural units (a-5).

성분D에 있어서의 구성 단위(a-5)를 구성하는 모노머 단위의 함유량은 성분D의 전체 모노머 단위에 대하여 0∼40몰%인 것이 바람직하다.The content of the monomer unit constituting the constituent unit (a-5) in the component D is preferably 0 to 40 mol% based on the total monomer units of the component D.

또한, 성분D가 구성 단위(a-5)를 포함하는 경우에는 성분D에 있어서의 구성 단위(a-5)를 구성하는 모노머 단위의 함유량은 성분D의 전체 모노머 단위에 대하여 1∼40몰%가 바람직하고, 5∼30몰%가 보다 바람직하고, 5∼25몰%가 특히 바람직하다.When the component D contains the structural unit (a-5), the content of the monomer unit constituting the structural unit (a-5) in the component D is preferably from 1 to 40 mol% based on the total monomer units of the component D, , More preferably 5 to 30 mol%, and particularly preferably 5 to 25 mol%.

또한, 성분D가 갖는 각 구성 단위를 도입하는 방법은 중합법이라도 좋고, 고분자 반응법이라도 좋고, 이들 2가지 방법을 병용해도 좋다. 성분D는 상기 수지 조성물에 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.The method of introducing each constituent unit of the component D may be a polymerization method, a polymer reaction method, or both of these methods may be used in combination. Component D can be used alone or in combination of two or more in the above resin composition.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 성분D의 함유량은 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 10∼99질량%인 것이 바람직하고, 20∼97질량%인 것이 보다 바람직하고, 25∼95질량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해지고, 또한 보다 고굴절률의 경화물이 얻어진다. 또한, 수지 조성물의 고형분 양이란 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the component D in the resin composition of the present invention is preferably from 10 to 99% by mass, more preferably from 20 to 97% by mass, further preferably from 25 to 95% by mass, based on the total solid content of the resin composition Do. When the content is within this range, the patterning property upon development is improved, and a cured product having a higher refractive index is obtained. In addition, the solid content amount of the resin composition means an amount excluding volatile components such as a solvent.

또한, 본 발명의 수지 조성물 중에서는 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 성분B 및 성분D 이외의 수지를 병용해도 좋다. 단, 성분B 및 성분D 이외의 수지의 함유량은 성분B의 함유량 및 성분D의 함유량보다 적은 편이 바람직하다.In the resin composition of the present invention, a resin other than the component B and the component D may be used in combination within a range not hindering the effect of the present invention. However, the content of the resin other than the component B and the component D is preferably smaller than the content of the component B and the content of the component D.

(성분E) 광산 발생제(Component E)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (성분E) 광산 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The positive photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (Component E) a photoacid generator.

성분E로서는 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성 광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이면 증감제와 조합시켜서 바람직하게 사용할 수 있다.As the component E, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, is preferable, but the chemical structure is not limited thereto. Also, for a photoacid generator that does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer.

성분E로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the component E, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 고감도인 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the viewpoint of high sensitivity. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들의 구체예로서는 이하를 예시할 수 있다.Specific examples thereof include the following.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는 2-(4-메톡시나프틸)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등.As trichloromethyl-s-triazine, there can be mentioned 2- (3-chlorophenyl) bis (4,6-trichloromethyl) (4-methylthiophenyl) bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy -? - styryl) bis , 2-piperonylbis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan-2-yl) ethenyl] bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-methoxynaphthyl) bis (4,6-trichloromethyl) -Trichloromethyl) -s-triazine and the like.

디아릴요오드늄염류로서, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 또는 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄p-톨루엔술포네이트 등.As the diaryl iodonium salts, there may be mentioned diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenyl phenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl 4- (2'-hydroxy-1'- Iodonium hexafluoroantimonate, or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecaoxy) phenyliodonium p-toluenesulfonate.

트리아릴술포늄염류로서, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 또는 4-페닐티오페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트 등.As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate.

제 4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등.Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. .

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄 등.Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like.

이미드술포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸술포닐옥시비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸술포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸술포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄술포네이트, N-히드록시-5-노보넨-2,3-디카르복시이미드프로판술포네이트 등.As the imidosulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] hept-5-ene-dicarboxyimide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfonate , N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimide propanesulfonate, and the like.

본 발명의 수지 조성물은 감도의 관점으로부터 성분E로서 하기 식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 적어도 1개 갖는 옥심술포네이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 파선 부분은 다른 화학 구조와의 결합 위치를 나타낸다.The resin composition of the present invention preferably contains an oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate structure represented by the following formula (1) as Component E from the viewpoint of sensitivity. In addition, the broken line indicates a bonding position with another chemical structure.

Figure pct00016
Figure pct00016

상기 식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 적어도 1개 갖는 옥심술포네이트 화합물은 하기 식(2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate structure represented by the above formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (2).

R1A-C(R2A)=N-O-SO2-R3A (2) R 1A -C (R 2A) = NO-SO 2 -R 3A (2)

식(2) 중, R1A는 탄소 원자수 1∼6의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 할로겐화 알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 또는 시아노기를 나타낸다. R1A가 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기일 경우, 이들 기는 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.In formula (2), R 1A is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a 2-furyl group, a 2-thienyl group, Or an alkoxy group or a cyano group. When R 1A is a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, .

식(2) 중, R2A는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기, 디알킬아미노기, 모르폴리노기, 또는 시아노기를 나타낸다. R2A와 R1A는 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성해도 좋고, 상기 5원환 또는 6원환은 1개 또는 2개의 임의의 치환기를 가져도 좋은 벤젠환과 결합하고 있어도 좋다.In formula (2), R 2A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W A naphthyl group which may be substituted by W, or an anthranyl, dialkylamino, morpholino or cyano group which may be substituted with W, R 2A and R 1A may be bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and the 5-membered ring or the 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have 1 or 2 arbitrary substituents.

식(2) 중, R3A는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타낸다. W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (2), R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W , A naphthyl group which may be substituted by W, or an anthranyl group which may be substituted by W. [ W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms .

R1A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼6의 알킬기는 직쇄 또는 분기쇄 알킬기라도 좋고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소아밀기, n-헥실기, 또는 2-에틸부틸기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1A may be a straight chain or branched chain alkyl group, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, , n-pentyl group, isoamyl group, n-hexyl group, or 2-ethylbutyl group.

R1A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4의 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기, 또는 2-브로모프로필기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1A include a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group, and a 2-bromopropyl group.

R1A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1A include methoxy group and ethoxy group.

R1A가 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타낼 경우, 이들 기는 할로겐 원자(예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기), 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기) 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.When R 1A represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom), a hydroxyl group, (For example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a tert- butyl group), an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms , n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group) and a nitro group.

R2A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2A include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R2A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기의 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2A include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R2A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 2A include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, - Amyl group.

R2A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 2A include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R2A로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기의 구체예로서는 o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페닐일기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 2A include an o-tolyl group, an m-tolyl group, a p-tolyl group, an o-ethylphenyl group, Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2 , A 4,6-trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenyl group.

R2A로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기의 구체예로서는 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 2A include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, a 4-methyl- Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R2A로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기의 구체예로서는 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 2A include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

R2A로 나타내어지는 디알킬아미노기로서는 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the dialkylamino group represented by R 2A include dimethylamino group, diethylamino group, dipropylamino group, dibutylamino group and diphenylamino group.

R3A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R3A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기의 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R3A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 3A include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, a perfluoro-n - Amyl group.

R3A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 3A include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R3A로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기의 구체예로서는 o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로 페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페닐일기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 3A include o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, o-ethylphenyl, m- Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2 , A 4,6-trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenyl group.

R3A로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기의 구체예로서는 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 3A include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, a 4-methyl- Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R3A로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기의 구체예로서는 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group optionally substituted by W represented by R 3A include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

W로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시의 구체예로서는, R2A 또는 R3A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.The number of carbon atoms represented by W alkyl groups of 1 to 10, specific examples of the halogenated alkyl halogenated alkoxy, and the number of 1 to 5 carbon atoms in the alkoxy group, the number of 1 to 5 carbon atoms of 1 to 10 carbon atoms, examples, R 2A or Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, represented by R 3A , The same thing can be said.

R2A와 R1A는 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성해도 좋다.R 2A and R 1A may combine with each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring.

R2A와 R1A가 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성할 경우, 상기 5원환 또는 6원환으로서는 탄소환식기 및 복소환식기를 들 수 있고, 예를 들면 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피란, 피리딘, 피라진, 모르폴린, 피페리딘 또는 피페라진환이면 좋다. 상기 5원환 또는 6원환은 임의의 치환기를 가져도 좋은 벤젠환과 결합하고 있어도 좋고, 그 예로서는 테트라히드로나프탈렌, 디히드로안트라센, 인덴, 크로만, 플루오렌, 크산텐 또는 티오크산텐환계를 들 수 있다. 상기 5원환 또는 6원환은 카르보닐기를 포함해도 좋고, 그 예로서는 시클로헥사디엔온, 나프탈렌온 및 안트론환계를 들 수 있다.When R 2A and R 1A are bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, examples of the 5-membered ring or 6-membered ring include a carbocyclic group and a heterocyclic group. Examples of the 5- or 6-membered ring include cyclopentane, cyclohexane, Pyrrole, furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyran, pyridine, pyrazine, morpholine, piperidine or piperazin ring. The 5-membered or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have an arbitrary substituent. Examples thereof include tetrahydronaphthalene, dihydroanthracene, indene, chroman, fluorene, xanthene or thioxanthene ring system . The 5-membered or 6-membered ring may contain a carbonyl group, and examples thereof include cyclohexadiene, naphthalene and anthrone ring systems.

상기 식(2)으로 나타내어지는 화합물의 바람직한 형태 중 하나는 하기 식(2-1)으로 나타내어지는 화합물이다. 식(2-1)으로 나타내어지는 화합물은 식(2)에 있어서의 R2A와 R1A가 결합해서 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One of the preferable forms of the compound represented by the formula (2) is a compound represented by the following formula (2-1). The compound represented by the formula (2-1) is a compound in which R 2A and R 1A in the formula (2) are bonded to form a 5-membered ring.

Figure pct00017
Figure pct00017

[식(2-1) 중, R3A는 식(2)에 있어서의 R3A와 동의이며, X는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, t는 0∼3의 정수를 나타내고, t가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일하거나 달라도 좋다]Equation (2-1) of, R 3A, and R 3A is a synonym of the expression (2), X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, t represents an integer of 0~3, t is 2 Or 3, the plural Xs may be the same or different)

X로 나타내어지는 알킬기로서는 탄소 원자수 1∼4의, 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다. X로 나타내어지는 알콕시기로서는 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기쇄상 알콕시기가 바람직하다. X로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.As the alkyl group represented by X, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. As the alkoxy group represented by X, a straight chain or branched chain alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

t로서는 0 또는 1이 바람직하다. 식(2-1) 중 t가 1이고, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오르토 위치이고, R3A가 탄소 원자수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노보닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.t is preferably 0 or 1. In the formula (2-1), t is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in the ortho position, R 3A is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl- A n-methyl group, or a p-toluyl group is particularly preferable.

식(2-1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv) 등을 들 수 있고, 이들 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물(i)∼(iv)은 시판품으로서 입수할 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the formula (2-1) include the following compounds (i), (ii), (iii) and (iv) Two or more types may be used in combination. The compounds (i) to (iv) are commercially available.

또한, 다른 종류의 광산 발생제와 조합시켜서 사용할 수도 있다.It may also be used in combination with other types of photoacid generators.

Figure pct00018
Figure pct00018

식(2)으로 나타내어지는 화합물의 바람직한 형태 중 하나로서는,As a preferred form of the compound represented by the formula (2)

R1A가 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 메톡시페닐기, 4-비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내고;R 1A represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a methoxyphenyl group, a 4-biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group;

R2A가 시아노기를 나타내고;R 2A represents a cyano group;

R3A가 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타내는 것이다.R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group , A naphthyl group which may be substituted with W or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(2)으로 나타내어지는 화합물로서는 하기 식(2-2)으로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound represented by the formula (2) is also preferably a compound represented by the following formula (2-2).

Figure pct00019
Figure pct00019

식(2-2) 중, R4A는 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R3A는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (2-2), R 4A represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a nitro group, and L represents an integer of 0 to 5. R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group , A naphthyl group which may be substituted with W or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(2-2)에 있어서의 R3A로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 3A in the formula (2-2) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-octyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro- N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group or p-tolyl group is particularly preferable.

R4A로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by R 4A is preferably a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom.

R4A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기로서는 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A is preferably a methyl group or an ethyl group.

R4A로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.L is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

식(2)으로 나타내어지는 화합물 중, 식(2-2)으로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 바람직한 형태로서는 식(2) 중, R1A가 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R2A가 시아노기를 나타내고, R3A가 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내는 형태이다.In the formula (2) of the compound represented by the following, examples of preferred forms of the compounds included in the compound represented by the formula (2-2), formula (2), R 1A is a phenyl group or a 4-methoxyphenyl group, R 2A is A cyano group, and R 3A represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a 4-tolyl group.

상기 식(1)으로 나타내어지는 화합물로서는, 하기 식(1-2)으로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound represented by the formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (1-2).

Figure pct00020
Figure pct00020

[식(1-2) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다]Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 each independently represents a halogen atom, An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6,

본 발명의 수지 조성물에 있어서, (성분E) 광산 발생제는 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the resin composition of the present invention, the (Component E) photoacid generator is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the component D content.

(성분F) 열 가교제(Component F) Heat crosslinking agent

본 발명의 수지 조성물은 (성분F) 열 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. (성분F) 열 가교제를 첨가함으로써 강고한 경화막으로 할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 성분F는 성분D 이외의 것으로 한다.The resin composition of the present invention (component F) preferably contains a heat crosslinking agent. (Component F) A strong cured film can be obtained by adding a heat crosslinking agent. Component F in the present invention is other than component D.

열 가교제로서는 블록 이소시아네이트계 가교제, 알콕시메틸기 함유 가교제, 에폭시기를 갖는 에폭시 수지나 카르복시기를 갖는 (메타)아크릴 수지 등을 바람직하게 예시할 수 있다. 이들 중에서도 에폭시기를 갖는 에폭시 수지가 특히 바람직하다.As the thermal crosslinking agent, a block isocyanate crosslinking agent, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, a (meth) acrylic resin having an epoxy group or a carboxyl group having an epoxy group, and the like can be preferably exemplified. Among them, an epoxy resin having an epoxy group is particularly preferable.

에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 구체예로서는, 에폭시기를 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the epoxy resin having an epoxy group include bisphenol A type epoxy resin having an epoxy group, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.

이것들 중에서도 에폭시기를 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지, 에폭시기를 갖는 지방족 에폭시 수지, 에폭시기를 갖는 페놀노볼락형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Of these, a bisphenol A type epoxy resin having an epoxy group, an aliphatic epoxy resin having an epoxy group, and a phenol novolak type epoxy resin having an epoxy group are particularly preferable.

성분F의 첨가량은 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.05∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5질량부인 것이 더욱 바람직하다.The addition amount of the component F is preferably 0.05 to 50 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, and still more preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the component D. [

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 수지 조성물은 상기 성분A∼성분F 이외의 그 밖의 성분을 함유해도 좋다.The resin composition of the present invention may contain other components other than the components A to F described above.

그 밖의 성분으로서는 감도의 관점으로부터 (성분G) 증감제나 (성분H) 현상 촉진제를 첨가하는 것이 바람직하다.As the other components, it is preferable to add a sensitizer (component G) and a development accelerator (component H) from the viewpoint of sensitivity.

또한, 본 발명의 수지 조성물은 기판 밀착성의 관점으로부터 (성분I) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 액 보존 안정성의 관점으로부터 (성분J) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 도포성의 관점으로부터 (성분K) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of substrate adhesion, the resin composition of the present invention preferably contains (Component I) an adhesion improver, and preferably contains a basic compound (Component J) from the viewpoint of liquid storage stability. (K) a surfactant (a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, etc.).

또한, 필요에 따라서 본 발명의 수지 조성물에는 (성분L) 산화방지제, (성분M) 가소제, (성분N) 열 라디칼 발생제, (성분O) 열 산 발생제, (성분P) 산 증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 첨가할 수 있다.If necessary, the resin composition of the present invention may contain (Component L) antioxidant, (Component M) plasticizer, (Component N) thermal radical generator, (Component O) thermal acid generator, (Component P) Ultraviolet absorbers, thickeners, and organic or inorganic precipitation inhibitors.

이하, 본 발명의 수지 조성물이 포함할 수 있는 그 밖의 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that the resin composition of the present invention can include will be described.

(성분G) 증감제(Component G) sensitizer

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상술의 (성분E) 광산 발생제와의 조합에 있어서 그 분해를 촉진시키기 위해서 (성분G) 증감제를 첨가할 수 있다.In the resin composition of the present invention, a sensitizer (component G) may be added to accelerate the decomposition in combination with the aforementioned (component E) photoacid generator.

증감제는 활성 광선 또는 방사선을 흡수해서 여기 상태가 된다. 여기 상태가 된 증감제는 광산 발생제와 접촉하여 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이에 따라, 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜서 분해되고, 산을 생성한다.The sensitizer absorbs the actinic ray or radiation and becomes excited. The sensitizer in the excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron movement, energy transfer, and heat generation. As a result, the photoacid generator is decomposed by chemical change to generate an acid.

바람직한 증감제의 예로서는 이하의 화합물류에 속하고 있고, 또한 350㎚∼450㎚ 역에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of the preferable sensitizer include compounds having an absorption wavelength in the range of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리스로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류(예를 들면, 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류(예를 들면, 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌블루, 톨루이딘블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스 스티릴류, 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노-4-메틸쿠마린). 이들 증감제 중에서도 안트라센류, 아크리돈류, 쿠마린류, 베이스 스티릴류가 특히 바람직하다.Polycyclic aromatic compounds (e.g., pyrene, perylene, triphenylene, anthracene), xanthines (for example, fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B and rose bengal), xanthones , Xanthones, thioxanthones, dimethylthioxanthones, diethylthioxanthones), cyanines (for example, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), melocyanines (for example, Methylene blue, toluidine blue), acridines (for example, acridine orange, chloroflavin, thioxanthone, thioxanthone, Acrolein), acridine (e.g., acridone, 10-butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (e.g., anthraquinone), squarylium Alumium), styryls, basestyryls, coumarins (for example, 7-diethylamino-4-methylcoumarin). Among these sensitizers, anthracene, acridone, coumarin and base styryl are particularly preferable.

증감제는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 합성 방법에 의해 합성해도 좋다.The sensitizer may be commercially available or may be synthesized by a known synthesis method.

증감제의 첨가량은 감도, 투명성의 양립의 관점으로부터 (성분E) 광산 발생제 100질량부에 대하여 20∼300질량부가 바람직하고, 30∼200질량부가 특히 바람직하다.The addition amount of the sensitizer is preferably from 20 to 300 parts by mass, particularly preferably from 30 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the (E) component of the photoacid generator from the viewpoints of both sensitivity and transparency.

(성분H) 현상 촉진제(Component H) Development accelerator

본 발명의 수지 조성물은 (성분H) 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (component H) a development accelerator.

(성분H) 현상 촉진제로서는 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복시기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하다. 산 해리성기로 보호된 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물도 특히 바람직하다.(Component H) As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development can be used, but it is preferably a compound having at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group and an alkyleneoxy group, A compound having a phenolic hydroxyl group is more preferable. A compound having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected with an acid-dissociable group is also particularly preferable.

또한, (성분H) 현상 촉진제의 분자량으로서는 100∼2,000이 바람직하고, 150∼1,500이 더욱 바람직하고, 150∼1,000이 특히 바람직하다.The molecular weight of the component (H) of the development accelerator is preferably 100 to 2,000, more preferably 150 to 1,500, and particularly preferably 150 to 1,000.

현상 촉진제의 예로서, 알킬렌옥시기를 갖는 것으로서는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜의 메틸에테르, 및 일본 특허 공개 평 9-222724호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As examples of the development accelerator, those having an alkyleneoxy group include polyethylene glycol, methyl ether of polyethylene glycol, and compounds described in JP-A-9-222724.

카르복시기를 갖는 것으로서는 일본 특허 공개 2000-66406호 공보, 일본 특허 공개 평 9-6001호 공보, 일본 특허 공개 평 10-20501호 공보, 일본 특허 공개 평 11-338150호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a carboxyl group include compounds described in JP-A-2000-66406, JP-A-9-6001, JP-A-10-20501, JP-A-11-338150 .

페놀성 수산기를 갖는 것으로서는 일본 특허 공개 2005-346024호 공보, 일본 특허 공개 평 10-133366호 공보, 일본 특허 공개 평 9-194415호 공보, 일본 특허 공개 평 9-222724호 공보, 일본 특허 공개 평 11-171810호 공보, 일본 특허 공개 2007-121766호 공보, 일본 특허 공개 평 9-297396호 공보, 일본 특허 공개 2003-43679호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도 벤젠환수가 2∼10개인 페놀 화합물이 바람직하고, 벤젠환수가 2∼5개인 페놀 화합물이 더욱 바람직하다. 특히 바람직한 것으로서는 일본 특허 공개 평 10-133366호 공보에 용해 촉진제로서 개시되어 있는 페놀성 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a phenolic hydroxyl group include compounds disclosed in JP-A-2005-346024, JP-A-10-133366, JP-A-9-194415, JP-A-9-222724, 11-171810, JP-A-2007-121766, JP-A-9-297396, JP-A-2003-43679, etc. Among them, a phenol compound having 2 to 10 benzene ring is preferable, and a phenol compound having 2 to 5 benzene ring number is more preferable. Particularly preferred examples include phenolic compounds disclosed as dissolution accelerators in JP-A-10-133366.

(성분H) 현상 촉진제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(Component H) The development accelerator may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분H) 현상 촉진제의 첨가량은 감도와 잔막률의 관점으로부터 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부가 바람직하고, 0.2∼20질량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the phenomenon promoter (component H) in the resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 30 parts by mass, more preferably from 0.2 to 20 parts by mass, more preferably from 0.2 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the component D from the viewpoints of sensitivity and residual film ratio, And most preferably 0.5 to 10 parts by mass.

(성분I) 밀착 개량제(Component I) Adhesion improving agent

본 발명의 수지 조성물은 (성분I) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component I) an adhesion improver.

본 발명의 수지 조성물에 사용할 수 있는 (성분I) 밀착 개량제는 기판이 되는 무기물, 예를 들면 규소, 산화규소, 질화규소 등의 규소 화합물, 금, 동, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (성분I) 밀착 개량제로서의 실란커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별하게 한정되지 않고 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improver (component I) that can be used in the resin composition of the present invention is an adhesion promoter that improves adhesion of an inorganic substance to be a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, / RTI &gt; Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (Component I) adhesion improver used in the present invention is for the purpose of modifying the interface and is not particularly limited and a known silane coupling agent can be used.

바람직한 실란커플링제로서는, 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? - Silane, and vinyltrialkoxysilane.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, 및 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다.Of these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is even more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.These may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분I) 밀착 개량제의 함유량은 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.1∼20질량부가 바람직하고, 0.5∼10질량부가 보다 바람직하다.The content of the (I) adhesion improver in the resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the content of the component D.

(성분J) 염기성 화합물(Component J) Basic compound

본 발명의 수지 조성물은 (성분J) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component J) a basic compound.

(성분J) 염기성 화합물로서는 화학 증폭 레지스터에서 사용되는 것 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4급 암모늄히드록시드, 및 카르복실산의 제 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.(Component J) As the basic compound, any of those used in the chemical amplification resistor can be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는, 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy 4-methyl morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1, 2-diazabicyclo [4.3.0] -naphthalene, pyrazine, pyridazine, pyridine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, , 8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, and the like.

제 4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide .

카르복실산의 제 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분J) 염기성 화합물의 함유량은 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.001∼1질량부인 것이 바람직하고, 0.002∼0.2질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the (basic component) basic compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by mass, more preferably 0.002 to 0.2 part by mass based on 100 parts by mass of the component D content.

(성분K) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)(Component K) Surfactant (fluorine surfactant, silicone surfactant, etc.)

본 발명의 수지 조성물은 (성분K) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component K) a surfactant (a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, etc.).

계면활성제로서는 하기에 나타내는 구성 단위A와 구성 단위B를 포함하는 공중합체(3)를 바람직한 예로서 들 수 있다. 그 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,000 이상 10,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500 이상 5,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에서 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다.As the surfactant, a copolymer (3) containing the constituent unit A and the constituent unit B shown below may be mentioned as a preferable example. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is preferably 1,000 or more and 10,000 or less, and more preferably 1,500 or more and 5,000 or less. The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

Figure pct00021
Figure pct00021

공중합체(3) 중, R21 및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R24는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분율이고, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the copolymer (3), R 21 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 24 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an integer of not less than 10% by mass and not more than 80% by mass, q represents an amount of not less than 20% by mass And n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

구성 단위B 중에 있어서의 L은 하기 식(4)으로 나타내어지는 알킬렌기인 것이 바람직하다.L in the constituent unit B is preferably an alkylene group represented by the following formula (4).

Figure pct00022
Figure pct00022

식(4) 중, R25는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 습윤성의 점에서 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다.In the formula (4), R 25 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a surface to be coated, more preferably an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms .

또한, p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉 100질량%인 것이 바람직하다.It is also preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100% by mass.

불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제의 예로서, 구체적으로는 일본 특허 공개 소 62-36663호, 일본 특허 공개 소 61-226746호, 일본 특허 공개 소 61-226745호, 일본 특허 공개 소 62-170950호, 일본 특허 공개 소 63-34540호, 일본 특허 공개 평 7-230165호, 일본 특허 공개 평 8-62834호, 일본 특허 공개 평 9-54432호, 일본 특허 공개 평 9-5988호, 일본 특허 공개 2001-330953호 등의 각 공보 기재의 계면활성제를 들 수 있고, 시판의 계면활성제를 사용할 수도 있다. 사용할 수 있는 시판의 계면활성제로서, 예를 들면 에프톱 EF301, EF303[이상, 미쓰비시 마테리알 덴시 카세이(주) 제], 플루오라이드 FC430, 431[이상, 스미토모스리엠(주) 제], 메가팩 F171, F780F, F173, F176, F189, R08[이상, DIC(주) 제], 서플론 S-382, SC01, 102, 103, 104, 105, 106[이상, 아사히가라스(주) 제], PolyFox 시리즈(OMNOVA사 제) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산 폴리머 KP-341[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.Specific examples of the fluorine-based surfactant and the silicon-based surfactant include Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 63-34540, 7-230165, 8-62834, 9-54432, 9-5988, 2001- 330953, and the like, and commercially available surfactants may also be used. Examples of commercially available surfactants that can be used include surfactants such as EFTOP EF301 and EF303 (manufactured by Mitsubishi Materials Denshi Kasei Co., Ltd.), Fluoride FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.) F171, F780F, F173, F176, F189 and R08 (manufactured by DIC Corporation), Surflon S-382, SC01, 102, 103, 104, 105 and 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Fluorine surfactants such as PolyFox series (manufactured by OMNOVA), and silicone surfactants. The polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone surfactant.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 또한, 불소계 계면활성제와 실리콘계 계면활성제를 병용해도 좋다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more. Further, a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant may be used in combination.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분K) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)의 첨가량은 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼1질량부인 것이 더욱 바람직하다.The addition amount of the (K component) surfactant (fluorine surfactant, silicone surfactant, etc.) in the resin composition of the present invention is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component D And more preferably 0.01 to 1 part by mass.

(성분L) 산화방지제(Component L) Antioxidant

본 발명의 수지 조성물은 (성분L) 산화방지제를 함유해도 좋다. (성분L) 산화방지제를 첨가함으로써 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또는 분해에 의한 막 두께 감소를 저감시킬 수 있다.The resin composition of the present invention may contain an antioxidant (component L). (Component L) Addition of an antioxidant prevents the cured film from being colored, or it is possible to reduce the film thickness reduction due to decomposition.

(성분L) 산화방지제로서는 공지의 산화방지제를 함유할 수 있다. 이러한 산화방지제로서는, 예를 들면 인계 산화방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 페놀계 산화방지제, 아스코르브산류, 황산 아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이것들 중에서는 경화막의 착색, 막 두께 감소의 관점으로부터 특히 페놀계 산화방지제가 바람직하다. 이것들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.(Component L) The antioxidant may contain a known antioxidant. Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite salts, sulfites, thiosulfates, hydroxylamines And derivatives thereof. Of these, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

페놀계 산화방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스터브 AO-60, 아데카스터브 AO-80[이상, (주)ADEKA 제], 일가녹스 1098[치바재팬(주) 제]을 들 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include ADEKA STAV AO-60, ADEKA STAV AO-80 (manufactured by ADEKA Corporation), and ILKANOX 1098 (manufactured by Chiba Japan K.K.).

(성분L) 산화방지제의 함유량은 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼6질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.(Component L) The content of the antioxidant is preferably from 0.1 to 6% by mass, more preferably from 0.2 to 5% by mass, and particularly preferably from 0.5 to 4% by mass, based on the total solid content of the resin composition. With this range, sufficient transparency of the film formed can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화방지제 이외의 첨가제로서 "고분자 첨가제의 신전개[(주)닛칸 코교 신분사]"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 수지 조성물에 첨가해도 좋다.In addition, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New developments of polymer additive " (Nikkan Kogyo Shinbun Co., Ltd.) may be added to the resin composition of the present invention as additives other than the antioxidant.

(성분M) 가소제(Component M) Plasticizer

본 발명의 수지 조성물은 (성분M) 가소제를 함유해도 좋다.The resin composition of the present invention may contain (Component M) a plasticizer.

(성분M) 가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 주석산 디부틸, 아디프산 디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.(Component M) Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, triacetyl glycerin and the like.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분M) 가소제의 함유량은 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the plasticizer (component M) in the resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the component D.

(성분N) 열 라디칼 발생제(Component N) Heat radical generator

본 발명의 수지 조성물은 (성분N) 열 라디칼 발생제를 포함하고 있어도 좋고, 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유할 경우, (성분N) 열 라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 열 라디칼 발생제로서는 공지의 열 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain (component N) a thermal radical generator, and when it contains an ethylenically unsaturated compound such as a compound having an ethylenically unsaturated double bond, the component (N) . As the thermal radical generator, a known thermal radical generator may be used.

열 라디칼 발생제는 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하고, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열 라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인해지고, 내열성, 내용제성이 향상되는 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound that generates radicals by the energy of heat and initiates or promotes the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding a thermal radical generator, the resulting cured film becomes stronger, and heat resistance and solvent resistance may be improved.

바람직한 열 라디칼 발생제로서는 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소 할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, , An azo-based compound, and a non-benzyl compound.

(성분N) 열 라디칼 발생제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(Component N) One kind of thermal radical generator may be used singly or two or more kinds thereof may be used in combination.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분N) 열 라디칼 발생제의 함유량은 막 물성 향상의 관점으로부터 성분D의 함유량을 100질량부로 했을 때 0.01∼50질량부가 바람직하고, 0.1∼20질량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10질량부가 가장 바람직하다.From the viewpoint of improving the film properties, the content of the (component N) thermal radical generator in the resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, And most preferably 0.5 to 10 parts by mass.

(성분O) 열 산 발생제(Component O) Thermal acid generator

본 발명의 수지 조성물은 (성분O) 열 산 발생제를 함유해도 좋다.The resin composition of the present invention (component O) may contain a thermal acid generator.

열 산 발생제란 열에 의해 산이 발생하는 화합물이고, 바람직하게는 열 분해점이 130℃∼250℃, 보다 바람직하게는 150℃∼220℃의 범위의 화합물이며, 예를 들면 가열에 의해 술폰산, 카르복실산, 디술포닐이미드 등의 저구핵성의 산을 발생하는 화합물이다.The thermal acid generator is a compound generating an acid by heat, preferably a compound having a thermal decomposition point in the range of 130 ° C to 250 ° C, more preferably 150 ° C to 220 ° C, for example, Acid, a disulfonylimide, and the like.

발생 산으로서는 pKa가 2 이하로 강하고, 술폰산이나 전자 구인기의 치환한 알킬카르복실산 또는 아릴카르복실산, 마찬가지로 전자 구인기의 치환한 디술포닐이미드 등이 바람직하다. 전자 구인기로서는 불소 원자 등의 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.As the generated acid, a sulfonic acid or a substituted alkylcarboxylic acid or arylcarboxylic acid having a pKa of not more than 2, and a disulfoneimide substituted with an electron-withdrawing group are preferred. Examples of the electron-withdrawing group include a halogen atom such as a fluorine atom, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a nitro group, and a cyano group.

또한, 본 발명에 있어서는 노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생하지 않고, 열에 의해 산을 발생하는 술폰산 에스테르를 사용하는 것도 바람직하다. 열 산 발생제의 분자량은 230∼1,000이 바람직하고, 230∼800이 보다 바람직하다.In the present invention, it is also preferable to use a sulfonic acid ester which does not generate an acid substantially by irradiation with exposure light and generates an acid by heat. The molecular weight of the thermal acid generator is preferably from 230 to 1,000, more preferably from 230 to 800.

열 산 발생제의 수지 조성물로의 함유량은 성분D의 함유량 100질량부에 대하여 0.5∼20질량부가 바람직하고, 1∼15질량부가 특히 바람직하다.The content of the thermal acid generator in the resin composition is preferably 0.5 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 15 parts by mass, per 100 parts by mass of the component D content.

(성분P) 산 증식제(Component P)

본 발명의 수지 조성물은 감도 향상을 목적으로 (성분P) 산 증식제를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서 사용하는 산 증식제는 산 촉매 반응에 의해 산을 더 발생해서 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이고, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정되게 존재하는 화합물이다. 이러한 화합물은 1회의 반응으로 1개 이상의 산이 증가하기 때문에 반응의 진행에 따라서 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생한 산 자체가 자기분해를 유기하기 때문에 여기에서 발생하는 산의 강도는 산해리정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 특히 바람직하다.The resin composition of the present invention may use an acid-proliferating agent for improving the sensitivity (Component P). The acid-proliferating agent used in the present invention is a compound capable of generating an acid by further catalysing an acid catalysis to increase the concentration of an acid in the reaction system, and is a compound stably present in the absence of acid. These compounds accelerate the reaction progressively due to the increase of at least one acid in one reaction. However, since the generated acid itself undergoes self-decomposition, the intensity of the acid generated here is the acid dissociation constant, pKa 3 or less, and particularly preferably 2 or less.

산 증식제의 구체예로서는, 일본 특허 공개 평 10-1508호 공보의 단락 0203∼0223, 일본 특허 공개 평 10-282642호 공보의 단락 0016∼0055, 및 일본 특허 공표 평 9-512498호 공보 제 39쪽 12줄째∼제 47쪽 2줄째에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the acid proliferating agent include the compounds described in paragraphs 0203 to 023 of JP-A No. 10-1508, paragraphs 0016 to 0055 of JP-A No. 10-282642, and JP-A No. 9-512498, page 39 12th line to 47th page 2nd line.

본 발명에서 사용할 수 있는 산 증식제로서는 산 발생제로부터 발생한 산에 의해 분해되고, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acid growth agent that can be used in the present invention include acids having a pKa of 3 or less such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, phenylphosphonic acid, etc., . &Lt; / RTI &gt;

산 증식제의 수지 조성물로의 함유량은 (성분E) 광산 발생제 100질량부에 대하여 10∼1,000질량부로 하는 것이 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점으로부터 바람직하고, 20∼500질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the resin composition is preferably from 10 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the (E) photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, and preferably from 20 to 500 parts by mass More preferable.

(포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조 방법)(Method for producing positive-type photosensitive resin composition)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조 방법은 특별하게 제한은 없지만, (성분A) 무기 입자, (성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체 및 (성분C) 용제를 혼합하여 분산액을 얻는 공정, 및 상기 분산액에 (성분D) (a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위와 (a-2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (성분E) 광산 발생제를 첨가하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The process for producing the positive photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, but may be a process comprising the steps of: (A) an inorganic particle; (B) a graft copolymer having a constitutional unit represented by any one of formulas (1) (A-1) a structural unit having an acid and / or a thermal cleavable group and (a-2) a structural unit having a crosslinking group (a-1) (Component E), and a step of adding a photoacid generator.

성분B는 무기 입자의 분산제로서도 작용하기 때문에, 성분A∼성분C를 사전에 혼합하여 분산액으로 하는 것이 바람직하다.Since the component B also functions as a dispersant for the inorganic particles, it is preferable to mix the components A to C in advance to prepare a dispersion.

성분A∼성분C의 혼합 순서는 특별하게 제한은 없고, 3종을 동시에 혼합해도 좋고, 어느 2종을 최초로 혼합하고 나머지 1종을 거기에 첨가해도 좋다. 또한, 성분A와 용제를 혼합한 것과, 성분B와 용제를 혼합한 것을 합쳐도 좋다.The mixing order of the components A to C is not particularly limited and three kinds may be mixed at the same time, and two kinds may be mixed first and the other one may be added thereto. It is also possible to combine the component A and the solvent, or to mix the component B and the solvent.

상기 분산액의 조제에 사용되는 용제로서는, 예를 들면 상술한 (성분C) 용제 외에, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-2-프로판올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 2-메틸-2-부탄올, 네오펜탄올, 시클로펜탄올, 1-헥산올, 시클로헥산올 등의 알콜류 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used in the preparation of the dispersion include, in addition to the above-mentioned (Component C) solvent, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, , Alcohols such as 2-pentanol, 3-pentanol, 3-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, neopentanol, cyclopentanol, 1-hexanol and cyclohexanol have.

이들 용제는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.These solvents may be used alone or in combination of two or more.

성분A∼성분E, 및 그 밖의 성분의 혼합 수단은 특별하게 제한은 없지만, 볼밀, 로드밀, 비드밀, 페인트 쉐이커, 호모지나이저, 삼단롤밀 등의 혼합 장치를 이용하여 혼합·분산함으로써 보다 바람직하게 조제할 수 있다.The mixing means of the components A to E and other components are not particularly limited, but they are preferably mixed and dispersed by using a mixing device such as a ball mill, a rod mill, a bead mill, a paint shaker, a homogenizer, .

또한, 무기 입자, 성분B 및 용제를 이용하여 사전에 분산액을 조제할 경우, 상기 분산액의 전체 고형분 중에 대한 성분B의 함유량은 분산성, 분산 안정성의 관점으로부터 0.1∼50질량%의 범위가 바람직하고, 5∼40질량%의 범위가 보다 바람직하고, 10∼30질량%의 범위가 더욱 바람직하다.When the dispersion is prepared in advance using the inorganic particles, the component B and the solvent, the content of the component B in the total solid content of the dispersion is preferably in the range of 0.1 to 50 mass% from the viewpoints of dispersion and dispersion stability , More preferably from 5 to 40 mass%, and still more preferably from 10 to 30 mass%.

또한, 성분D 및 성분E의 첨가에 대해서도 특별하게 제한은 없고, 예를 들면 성분D 및 성분E를 그대로 상기 분산액에 동시 또는 순차적으로 첨가해도 좋고, 성분D 및 성분E를 각각 용제와 혼합하고 그것을 상기 분산액에 첨가해도 좋다.The addition of the component D and the component E is not particularly limited. For example, the component D and the component E may be added to the dispersion simultaneously or sequentially, and the components D and E may be mixed with the solvent, It may be added to the dispersion.

또한, 성분A∼성분E 이외의 성분의 혼합 시기에 대해서는 특별하게 제한은 없고, 상기 분산액의 단계에서 혼합하고 있어도 좋고, 상기 분산액을 조제 후에 혼합해도 좋지만, 상기 분산액을 조제 후에 혼합하는 것이 바람직하다.The mixing timing of the components other than the components A to E is not particularly limited and may be mixed at the stage of the dispersion or may be mixed after the preparation. However, the dispersion is preferably mixed after the preparation .

(경화물의 제조 방법)(Production method of cured product)

본 발명의 경화물의 제조 방법은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 경화물의 제조 방법이면 특별하게 제한은 없지만, 적어도 공정 (a)∼(c)를 이 순서로 포함하는 방법인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 경화물의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물의 형상은 특별하게 제한은 없고, 하기 공정 (a)∼(c)를 포함하는 방법과 같이 막 형상의 경화물이라도 좋고, 임의의 형상이라도 좋고, 후술하는 바와 같이 패턴 형상의 경화물이라도 좋다.The method for producing the cured product of the present invention is not particularly limited as long as it is a method for producing a cured product using the positive photosensitive resin composition of the present invention, but it is preferable that the method includes at least steps (a) to (c) in this order. The shape of the cured product obtained by the method for producing a cured product of the present invention is not particularly limited and may be a film-shaped cured product such as a method including the following steps (a) to (c) , Or a patterned cured product as described later.

(a) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(a) a coating step of applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate

(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

<도포 공정[공정(a)]><Coating Process [Process (a)]>

본 발명의 경화물의 제조 방법은 (a) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured product of the present invention preferably includes (a) an application step of applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate.

공정(a)에 있어서는 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용제를 제거함으로써 원하는 건조 도막을 형성하는 것이 바람직하다.In the step (a), it is preferable that a desired dry film is formed by applying the positive photosensitive resin composition of the present invention to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking).

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 기판 재료로서는 규소, 이산화규소, 질화규소, 알루미나, 유리, 유리-세라믹스, 비화갈륨, 인화인듐, 동, 알루미늄, 니켈, 철, 강, 동-규소 합금, 인듐-주석 산화물 피복 유리; 폴리이미드 및 폴리에스테르 등의 유기 필름; 금속, 반도체 및 절연 재료의 패터닝 영역을 함유하는 임의의 기판 등을 들 수 있지만 그것들에 한정되지 않는다. 경우에 따라서, 수지 조성물을 도포하기 전에 흡수된 습분을 제거하기 위해서 기판 상에서 베이킹 스텝을 실시할 수 있다. 기판으로의 도포 방법은 특별하게 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 대형 기판의 경우에는 그 중에서도 슬릿 코트법이 바람직하다. 여기에서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상 5m 이하의 크기인 기판을 말한다.Examples of the substrate material that can be used in the present invention include silicon, silicon dioxide, silicon nitride, alumina, glass, glass-ceramics, gallium arsenide, indium phosphide, copper, aluminum, nickel, iron, Coated glass; Organic films such as polyimide and polyester; Metal, semiconductor, and any substrate containing a patterning region of an insulating material, but are not limited thereto. Optionally, a baking step may be performed on the substrate to remove absorbed moisture prior to application of the resin composition. The method of applying the coating liquid to the substrate is not particularly limited, and for example, slit coat method, spray method, roll coat method, spin coating method and the like can be used. In the case of a large substrate, the slit coat method is preferable. Here, a large substrate means a substrate having a size of 1 m or more and 5 m or less in each side.

<용제 제거 공정[공정(b)]><Solvent removal step [Step (b)]>

본 발명의 경화물의 제조 방법은 (b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured product of the present invention preferably includes a solvent removing step of (b) removing the solvent from the applied resin composition.

공정(b)에서는 도포된 상기 막으로부터 감압(버큠) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거해서 기판 상에 건조 도막을 형성시키는 것이 바람직하다. 가열 조건은 바람직하게는 70∼120℃에서 30∼300초간 정도이다.In the step (b), it is preferable that the solvent is removed from the applied film by depressurization (bubbling) and / or heating to form a dry film on the substrate. The heating conditions are preferably about 70 to 120 DEG C for about 30 to about 300 seconds.

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 형상 제어성이 좋기 때문에, 용제 제거 후의 막 두께가 4㎛ 이상인 후막 패턴 제조에 바람직하게 사용된다. 용제 제거 후의 막 두께로서는 4∼500㎛가 바람직하고, 4∼100㎛가 특히 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention is preferably used for manufacturing a thick film having a thickness of 4 mu m or more after removal of a solvent since the shape controllability is good. The film thickness after removing the solvent is preferably 4 to 500 mu m, more preferably 4 to 100 mu m.

<열처리 공정[공정(c)]><Heat Treatment Process [Step (c)]>

본 발명의 경화물의 제조 방법은 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(베이킹 공정)을 포함하는 것이 바람직하다. 열처리함으로써 경화막을 형성할 수 있다.The method for producing a cured product of the present invention preferably includes a heat treatment step (baking step) for heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed. The cured film can be formed by heat treatment.

열처리 온도(베이킹 온도)는 180∼250℃가 바람직하고, 열처리 시간은 30∼150분이 바람직하다.The heat treatment temperature (baking temperature) is preferably 180 to 250 占 폚, and the heat treatment time is preferably 30 to 150 minutes.

예를 들면, 성분D로서 (a-1-1)카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2-1)에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체를 사용했을 경우, 상기 열처리 공정에 있어서 모노머 단위(a-1-1) 중의 산 분해성기를 열 분해하여 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 생성시키고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 가교시킴으로써 경화막을 형성할 수 있다.For example, it is possible to use, as the component D, (a-1-1) a monomer having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group and (a-2-1) a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group When a polymer is used, a curing film is formed by thermally decomposing an acid-decomposable group in the monomer unit (a-1-1) in the above-mentioned heat treatment step to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group and crosslinking with an epoxy group and / or an oxetanyl group .

또한, (성분F) 열 가교제를 사용한 경우에는 상기 열처리 공정에 있어서 (성분F) 열 가교제도 열 가교시키는 것이 바람직하다.When (Component F) a thermal cross-linking agent is used, it is preferable that the thermal cross-linking agent (Component F) is also thermally crosslinked in the heat-treatment step.

(수지 패턴 제조 방법)(Resin pattern production method)

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 수지 패턴 제조 방법이면 특별하게 제한은 없지만, 적어도 공정 (1)∼(5)를 이 순서로 포함하는 방법인 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention is not particularly limited as long as it is a method for producing a resin pattern using the positive photosensitive resin composition of the present invention, but it is preferable that the method includes at least steps (1) to (5) in this order.

(1) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(1) A coating process for applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate

(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

<도포 공정[공정(1)]><Coating Process [Step (1)]>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (1) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes (1) a coating step of applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate.

공정(1)은 상기 공정(a)과 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.Step (1) is a step similar to that of step (a), and the same is true of preferred embodiments.

<용제 제거 공정[공정(2)]>&Lt; Solvent removal step [Step (2)] >

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a solvent removal step of (2) removing the solvent from the applied resin composition.

공정(2)는 상기 공정(b)과 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.Step (2) is a step similar to the step (b), and the same is true for preferred embodiments.

<노광 공정[공정(3)]>&Lt; Exposure Step (Step (3)) >

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray.

공정(3)에서는 건조 도막을 설치한 기판에 소정의 패턴의 활성 광선을 조사한다. 노광은 마스크를 통해서 행해도 좋고, 소정의 패턴을 직접 묘화해도 좋다.In step (3), the substrate provided with the dry coating film is irradiated with an actinic ray of a predetermined pattern. The exposure may be performed through a mask, or a predetermined pattern may be directly drawn.

활성 광선으로서는 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 활성 광선에 의한 노광에는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, LED 광원 등을 사용할 수 있다.As the active light ray, an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, an LED light source, and the like can be used for exposure by an actinic ray.

수은등을 사용할 경우에는 g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 수은등은 레이저에 비하면 대면적의 노광에 적합하다고 하는 점에서 바람직하다.When a mercury lamp is used, an actinic ray having a wavelength of g-line (436 nm), i-line (365 nm) and h-line (405 nm) can be preferably used. The mercury lamp is preferable in that it is suitable for exposure of a large area as compared with a laser.

레이저를 사용할 경우에는 파장을 적당하게 선택해서 각종 레이저를 특별하게 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 고체(YAG) 레이저에서는 343㎚, 355㎚가 사용되고, 엑시머 레이저에서는 351㎚(XeF)가 사용되고, 또한 반도체 레이저에서는 375㎚, 405㎚가 사용된다. 이 중에서도 안정성, 비용 등의 점으로부터 355㎚, 또는 405㎚가 보다 바람직하다. 레이저는 1회 또는 복수회로 나누어 도막에 조사할 수 있다.When a laser is used, various lasers can be used without any limitations by appropriately selecting the wavelength. For example, in a solid-state (YAG) laser, 343 nm and 355 nm are used, and in an excimer laser, 351 nm (XeF) is used, and in a semiconductor laser, 375 nm and 405 nm are used. Of these, 355 nm or 405 nm is more preferable in view of stability and cost. The laser can be irradiated to the coating film once or plural times.

레이저는 수은등과 비교하면 초점을 좁히는 것이 용이하고, 노광 공정에서의 패턴 형성의 마스크가 불필요해서 비용 절감할 수 있다고 하는 점에서 바람직하다.The laser is preferable in that it is easy to narrow the focus as compared with a mercury lamp, and a mask for pattern formation in the exposure process is unnecessary, thereby reducing the cost.

본 발명에 사용 가능한 노광 장치로서는 특별하게 제한은 없지만, 시판되고 있는 것으로서는 Callisto[(주)브이 테크놀로지 제]나 AEGIS[(주)브이 테크놀로지 제]나 DF2200G[다이닛폰 스크린 세이조(주) 제] 등이 사용 가능하다. 또한, 상기 이외의 장치도 바람직하게 사용된다.Examples of the exposure apparatus that can be used in the present invention include, but are not limited to, commercially available products such as those available from Callisto (manufactured by V Technology) or AEGIS (manufactured by V Technology) or DF2200G (manufactured by Dainippon Screen Shoji Co., ] Can be used. Apparatuses other than those described above are also preferably used.

또한, 필요에 따라서 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통해서 조사광을 조정할 수도 있다.If necessary, the irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

또한, 상기 노광 공정 후, 현상 공정보다 전에 필요에 따라서 PEB(노광 후 가열 처리)를 행할 수 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50℃ 이상 90℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.After the exposure process, PEB (post-exposure heat treatment) can be performed before the development process as needed. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 90 占 폚.

<현상 공정[공정(4)]><Development Process [Step (4)]>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes (4) a developing step of developing the exposed resin composition by an aqueous developing solution.

공정(4)에서는 수성 현상액을 이용하여 현상한다.In step (4), development is carried out using an aqueous developer.

수성 현상액으로서는 알칼리성 현상액이 바람직하다. 알칼리성 현상액에 사용할 수 있는 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.As the aqueous developer, an alkaline developer is preferred. Examples of the basic compound that can be used for the alkaline developer include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는 10.0∼14.0인 것이 바람직하다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 30∼180초간인 것이 바람직하고, 또한 현상의 방법은 액 채우기법, 딥법, 샤워법 등의 어느 것이라도 좋다. 현상 후에는 유수 세정을 10∼90초간 행하고, 원하는 패턴을 형성시키는 것이 바람직하다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid filling method, a dipping method, and a shower method. After the development, it is preferable to carry out the water washing for 10 to 90 seconds to form a desired pattern.

또한, 본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 공정(4)와 공정(5) 사이에 패턴을 형성한 기판을 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하고 있어도 좋지만, 포함하지 않는 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention may include a re-exposure step of re-exposing a substrate on which a pattern is formed between steps (4) and (5) by an actinic ray, but preferably not.

재노광 공정에 있어서의 노광은 상기 노광 공정과 마찬가지의 수단에 의해 행하면 좋지만, 상기 재노광 공정에서는 기판의 수지 조성물의 막이 형성된 측에 대하여 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다.The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the entire exposure on the side where the resin composition film of the substrate is formed.

재노광 공정의 바람직한 노광량은 100∼1,000mJ/㎠이다.The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

<열처리 공정[공정(5)]><Heat Treatment Process [Step (5)]>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(베이킹 공정)을 포함하는 것이 바람직하다. 열처리함으로써 경화막을 형성할 수 있다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a heat treatment step (baking step) for heat-treating the developed resin composition. The cured film can be formed by heat treatment.

공정(5)는 용제가 제거된 수지 조성물 대신에 상기 공정(4)를 거친 현상된 수지 조성물을 사용하는 것 이외에는 상기 공정(c)와 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.Step (5) is a step similar to that of the step (c) except that the resin composition from which the solvent has been removed and the developed resin composition after the step (4) is used is the same as the preferred embodiment.

(전사 재료)(Transfer material)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 전사 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 가지지체 상에 설치한 수지 조성물을 표시 장치의 기판 상이나 반도체 기판 상에 전사해서 사용하는 전사 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used as a transferring material. Specifically, it can be suitably used as a transfer material for use, for example, by transferring a resin composition provided on a branching material onto a substrate of a display device or a semiconductor substrate.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 전사 재료로서 사용하여 수지 패턴을 형성할 경우, 본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 이하의 공정(1')∼(6')를 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다.When the positive photosensitive resin composition of the present invention is used as a transfer material to form a resin pattern, the resin pattern production method of the present invention preferably includes the following steps (1 ') to (6') in this order .

(1') 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 가지지체 상에 도포하는 도포 공정(1 ') A coating process for applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a support material

(2') 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2 ') a solvent removing step for removing the solvent from the applied resin composition

(3') 용제가 제거된 수지 조성물을 기판(영구 지지체)에 전사하는 공정(3 ') Step of transferring the resin composition from which the solvent has been removed to a substrate (permanent support)

(4') 전사된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정(4 ') an exposure process for exposing the transferred resin composition to a pattern by an actinic ray

(5') 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(5 ') a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(6') 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(6 ') Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

<도포 공정[공정(1')]>&Lt; Coating Process [Step (1 ')]

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (1') 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably comprises (1 ') a coating step of applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate.

공정(1')는 기판 대신에 하기에 나타내는 가지지체를 사용한 것 이외에는 상기 공정(a)와 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step (1 ') is a step similar to that of the step (a) except that the substrate shown below is used in place of the substrate, and the preferred embodiment is also the same.

가지지체로서는 폴리에스테르, 폴리스티렌 등의 공지의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도 2축 연신한 폴리에틸렌테레프탈레이트는 비용, 내열성, 치수 안정성의 관점으로부터 바람직하다.As the branching material, known materials such as polyester and polystyrene can be used. Among them, biaxially stretched polyethylene terephthalate is preferable from the viewpoints of cost, heat resistance and dimensional stability.

상기 가지지체의 두께는 15∼200㎛인 것이 바람직하고, 30∼150㎛인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the branched body is preferably 15 to 200 mu m, more preferably 30 to 150 mu m.

<용제 제거 공정[공정(2')]>&Lt; Solvent removal step [Step (2 ')]

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (2') 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a solvent removal step of removing the solvent from the resin composition (2 ').

공정(2')는 상기 공정(b)와 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step (2 ') is a step similar to the step (b), and the preferable mode is the same.

<전사 공정[공정(3')]>&Lt; Transcription step [Step (3 ')]

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (3') 용제가 제거된 수지 조성물을 기판(영구 지지체)에 전사하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a step of transferring (3 ') the resin composition from which the solvent has been removed to a substrate (permanent support).

상기 전사 공정은 용제가 제거된 수지 조성물을 기판(영구 지지체)에 접합하는 공정, 및 기판에 부착한 수지 조성물로부터 가지지체를 제거하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The transferring step preferably includes a step of bonding the resin composition from which the solvent has been removed to a substrate (permanent support), and a step of removing the branching agent from the resin composition adhered to the substrate.

용제가 제거된 수지 조성물과 기판의 접합은, 예를 들면 가열 및/또는 가압한 롤러 또는 평판에서 압착 또는 가열 압착함으로써 행할 수 있다.The bonding of the resin composition from which the solvent has been removed and the substrate can be performed, for example, by pressing or hot pressing on a heated and / or pressurized roller or flat plate.

구체적으로는, 일본 특허 공개 평 7-110575호 공보, 일본 특허 공개 평 11-77942호 공보, 일본 특허 공개 2000-334836호 공보, 일본 특허 공개 2002-148794호 공보에 기재된 라미네이터 및 라미네이트 방법을 들 수 있지만, 저이물의 관점에서 일본 특허 공개 평 7-110575호 공보에 기재된 방법을 사용하는 것이 바람직하다.Specifically, the laminator and the lamination method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-110575, 11-77942, 2000-334836, and 2002-148794 However, it is preferable to use the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-110575 from the viewpoint of low water.

가지지체의 제거 방법은 특별하게 제한은 없지만, 예를 들면 점착층을 갖는 점착 롤러 등을 가지지체에 접촉시키고, 기판에 부착한 수지 조성물로부터 가지지체를 박리함으로써 제거할 수 있다. 가지지체의 박리는, 구체적으로 가지지체를 연속 권취식으로 박리하는 연속 박리 또는 매엽식으로 분리된 기판으로부터 돌출되는 가지지체의 단부를 파지해서 박리할 수도 있다.The method of removing branch lags is not particularly limited, but it can be removed, for example, by bringing a pressure-sensitive adhesive roller having an adhesive layer into contact with the branch support and peeling the branch support from the resin composition adhered to the substrate. The delamination of the branch lug can be peeled by grasping the end portion of the branch lug protruded from the substrate separated by the continuous peeling or the single wafer laminating method.

상기 가지지체의 박리 방법은 연속 박리로서는 일본 특허 공개 2006-297879호 공보, 매엽 박리로서는 일본 특허 공개 2007-320678호 공보에 기재된 방법을 바람직하게 들 수 있다.The method of peeling the branched body is preferably a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-297879 for continuous peeling, and a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-320678 for sheet laminating.

<노광 공정[공정(4')]>&Lt; Exposure Step (Step (4 ')]

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (4') 전사된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention preferably includes an exposure step of exposing the transferred resin composition to a pattern shape by an actinic ray (4 ').

공정(4')는 용제가 제거된 수지 조성물 대신에 상기 공정(3')를 거친 전사된 수지 조성물을 사용하는 것 이외에는 상기 공정(3)과 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step (4 ') is a step similar to the step (3) except that the resin composition from which the solvent has been removed is used in place of the transferred resin composition obtained through the step (3').

<현상 공정[공정(5')]>&Lt; Development process (step (5 ')]

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (5') 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern manufacturing method of the present invention preferably includes a developing step (5 ') for developing the exposed resin composition by an aqueous developing solution.

공정(5')는 상기 공정(4)와 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step (5 ') is a step similar to the step (4), and the preferable mode is the same.

<열처리 공정[공정(6')]>&Lt; Heat treatment step [Step (6 ')]

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은 (6') 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 열처리함으로써 경화막을 형성할 수 있다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a heat treatment step (6 ') for heat-treating the developed resin composition. The cured film can be formed by heat treatment.

공정(6')는 상기 공정(5)와 마찬가지의 공정이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step (6 ') is a step similar to the step (5), and the preferable mode is the same.

본 발명의 수지 조성물을 전사 재료로서 사용하여 수지 패턴을 형성할 경우의 수지 패턴 제조 방법으로서는 일본 특허 공개 2010-72589호 공보 등도 참조할 수 있다.As a resin pattern production method for forming a resin pattern by using the resin composition of the present invention as a transfer material, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-72589 can also be referred to.

(경화물, 광학 부재)(Cured product, optical member)

본 발명의 경화물은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화한 것이면 특별하게 제한은 없지만, 본 발명의 경화물의 제조 방법, 또는 수지 패턴 제조 방법에 의해 제조된 경화물인 것이 바람직하다.The cured product of the present invention is not particularly limited as long as it is a cured product of the positive photosensitive resin composition of the present invention, but is preferably a cured product produced by the method of producing a cured product of the present invention or the method of producing a resin pattern.

또한, 본 발명의 경화물은 마이크로 렌즈, 광도파로, 반사 방지막 등의 광학 부재로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화물은 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 부재로서도 바람직하게 사용할 수 있다. 그 중에서도 마이크로 렌즈로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the cured product of the present invention can be preferably used as an optical member such as a microlens, an optical waveguide, or an antireflection film. The cured product of the present invention can also be preferably used as a member for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel. Among them, micro lenses can be particularly preferably used.

실시예Example

이어서, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 기재하지 않는 한 「부」, 「%」는 질량 기준이다.EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to these examples. Unless specifically stated, &quot; part &quot; and &quot;% &quot; are based on mass.

<분산액의 조제><Preparation of dispersion>

하기 조성의 분산액을 조합하고, 이것을 지르코니아비드(0.2㎜φ) 17,000질량부와 혼합하고, 페인트 쉐이커를 이용하여 10시간 분산을 행했다. 지르코니아비드(0.2㎜φ)를 여과 분리하여 분산액 D1∼D18을 각각 얻었다.The dispersion was mixed with 17,000 parts by mass of zirconia beads (0.2 mm?) And dispersed for 10 hours using a paint shaker. Zirconia beads (0.2 mm?) Were separated by filtration to obtain dispersions D1 to D18, respectively.

또한, 분산제는 고형분 양이 동등해지도록 용제에 의해 조정했다.Further, the dispersing agent was adjusted by a solvent so that the amount of the solid component became equal.

·이산화티탄[이시하라 산교(주) 제, 상품명: TTO-51(C), 평균 1차 입경: 10∼30㎚]: 1,880부- Titanium dioxide [trade name: TTO-51 (C), average primary particle diameter: 10 to 30 nm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.): 1,880 parts

·분산제(고형분 양): 660부Dispersant (solid content): 660 parts

·용제 PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트): 4,970부Solvent PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate): 4,970 parts

상기한 바와 같이 하여 얻어진 분산액 D1∼D18의 초기 점도와 상온(25℃) 1주간 보존 후의 점도를 표 1에 나타냈다.Table 1 shows the initial viscosity of the dispersions D1 to D18 obtained as described above and the viscosity after storage at room temperature (25 DEG C) for 1 week.

또한, 초기 점도와 상온 1주간 보존 후의 점도의 차가 낮을수록 보존 안정성이 양호하다.The lower the difference between the initial viscosity and the viscosity after storage for one week at room temperature is, the better the storage stability is.

Figure pct00023
Figure pct00023

또한, 표 1에 기재된 분산제는 이하와 같다. 또한, 화합물 1∼6의 괄호 []의 오른쪽 아래에 기재된 공중합비는 질량%비이다. 또한, 괄호 ()의 오른쪽 아래에 기재된 숫자는 반복수를 나타낸다.The dispersants listed in Table 1 are as follows. In addition, the copolymerization ratio described in the lower right of parentheses [] of the compounds 1 to 6 is a mass% ratio. In addition, the number shown on the lower right of the parentheses () indicates the number of repetitions.

TTO-55(C): 이산화티탄, 이시하라 산교(주) 제, 평균 1차 입경: 30∼50㎚TTO-55 (C): titanium dioxide, manufactured by Ishihara Sangyo KK, average primary particle diameter: 30 to 50 nm

RC-100: 이산화지르코늄, 다이이치 키겐소 카가쿠 코교(주) 제, D50: 1.5∼4㎛RC-100: zirconium dioxide, manufactured by Dai-ichi Kigenso Kagaku Corp., D 50 : 1.5 to 4 탆

화합물 1: 하기 화합물, Mw=20,000Compound 1: The following compound, Mw = 20,000

화합물 2: 하기 화합물, Mw=20,000Compound 2: The following compound, Mw = 20,000

화합물 3: 하기 화합물, Mw=20,000Compound 3: The following compound, Mw = 20,000

화합물 4: 하기 화합물, Mw=20,000Compound 4: The following compound, Mw = 20,000

화합물 5: 하기 화합물, Mw=20,000Compound 5: The following compound, Mw = 20,000

화합물 6: 하기 화합물, Mw=20,000Compound 6: The following compound, Mw = 20,000

DISPERBYK-161(빅케미사 제)DISPERBYK-161 (manufactured by Big Chemical)

DISPERBYK-164(빅케미사 제)DISPERBYK-164 (made by Big Chemical)

DISPERBYK-180(빅케미사 제)DISPERBYK-180 (manufactured by Big Chemical)

SOLPLUS D540[니혼 루브리졸(주) 제]SOLPLUS D540 (manufactured by Nippon Lubrizol Corporation)

Figure pct00024
Figure pct00024

Figure pct00025
Figure pct00025

Figure pct00026
Figure pct00026

<중합체의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer &

이하의 합성예에 있어서, 이하의 약호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, the following abbreviations respectively represent the following compounds.

V-601: 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)V-601: Dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate)

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

<중합체 P1의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer P1 &

메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(0.40몰당량), 메타크릴산(0.20몰당량), 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(0.40몰당량)을 합계로 100부, 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)(120부)의 혼합 용액을 질소 기류 하, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서 라디칼 중합 개시제 V-601: 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), [와코쥰야쿠 코교(주) 제, 12.0부] 및 PGMEA(80부)의 혼합 용액을 3.5시간 걸려서 적하했다. 적하가 종료되고 나서 70℃에서 2시간 반응시킴으로써 중합체 P1의 PGMEA 용액을 얻었다. 또한, PGMEA를 첨가해서 고형분 농도 40질량%로 조정했다.Methacrylic acid (0.40 molar equivalent), methacrylic acid (0.20 molar equivalent), and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl methacrylate (0.40 molar equivalent) , And propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) (120 parts) was heated to 70 占 폚 under a nitrogen stream. While stirring this mixture solution, a radical polymerization initiator V-601: dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate), 12.0 parts of Wako Pure Chemical Industries, Ltd. and PGMEA (80 parts) Was added dropwise over 3.5 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was carried out at 70 DEG C for 2 hours to obtain a PGMEA solution of the polymer P1. Further, PGMEA was added to adjust the solid content concentration to 40 mass%.

얻어진 중합체 P1의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량(Mw)은 15,000이었다.The polymer P1 thus obtained had a weight average molecular weight (Mw) of 15,000 as measured by gel permeation chromatography (GPC).

<중합체 P2∼P6의 합성>&Lt; Synthesis of polymers P2 to P6 >

중합체 P1의 합성에서 사용한 각 모노머를 표 2에 기재된 각 모노머 단위를 형성하는 모노머로 변경하고, 각 모노머 단위를 형성하는 모노머의 사용량을 표 1에 기재된 것으로 변경한 것 이외에는 중합체 P1의 합성과 마찬가지로 해서 중합체 P2∼P6을 각각 합성했다. 라디칼 중합 개시제 V-601의 첨가량은 표 2에 기재된 분자량이 되도록 각각 조정했다.Except that the respective monomers used in the synthesis of the polymer P1 were changed to the monomers forming the respective monomer units described in Table 2 and the amounts of the monomers forming the respective monomer units were changed to those described in Table 1, Polymers P2 to P6 were synthesized, respectively. The addition amount of the radical polymerization initiator V-601 was adjusted so as to have the molecular weights shown in Table 2, respectively.

Figure pct00027
Figure pct00027

또한, 표 2에 기재된 양은 몰비이며, 종류란에 기재된 각 모노머 유래의 구성 단위의 공중합비를 나타낸다. 또한, 표 2 중 「-」는 그 모노머 단위를 사용하고 있지 않은 것을 나타낸다.The amounts shown in Table 2 are molar ratios and show the copolymerization ratios of the respective monomer-derived constituent units described in the category column. In Table 2, "-" indicates that the monomer unit is not used.

또한, 표 2 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Table 2 are as follows.

MAEVE: 메타크릴산 1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

MATHF: 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

OXE-30: 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸[오사카 유키 카가쿠 코교(주) 제]OXE-30: methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl [manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.]

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

BzMA: 벤질메타크릴레이트BzMA: Benzyl methacrylate

HEMA: 메타크릴산 2-히드록시에틸HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

(감광성 수지 조성물의 조제)(Preparation of photosensitive resin composition)

하기 조성에 의해 배합하고 혼합해서 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 이용하여 여과하고, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 조제했다.The resulting solution was mixed with the following composition to prepare a homogeneous solution, which was then filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a photosensitive resin composition of Example 1.

(실시예 1)(Example 1)

·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트: 140부Propylene glycol monomethyl ether acetate: 140 parts

·1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨의 0.5% PGMEA 용액: 18부0.5% PGMEA solution of 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene: 18 parts

·트리페닐이미다졸의 0.2% PGMEA 용액: 4부· 0.2% PGMEA solution of triphenylimidazole: 4 parts

·중합체 P1: 223부Polymer P1: 223 parts

·α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴: 2부? - (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile: 2 parts

·JER157S65[미쓰비시 카가쿠(주) 제, 에폭시당량: 200∼220g/eq]: 5부· JER157S65 [manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 200 to 220 g / eq]: 5 parts

·3-글리시독시프로필트리메톡시실란[KBM-403, 신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]: 3부3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 3 parts

·하기 화합물 W-3의 2.0% PGMEA 용액: 5부2.0% PGMEA solution of the following compound W-3: 5 parts

·분산액 D1: 600부Dispersion D1: 600 parts

Figure pct00028
Figure pct00028

(도포면 형상의 평가)(Evaluation of coating surface shape)

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에, 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 1.0㎛가 되도록 스핀코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)했다. 이때의 도포면의 상태를 육안 및 광학 현미경으로 관찰하고, 이하의 평가 기준에 의해 평가했다.The obtained photosensitive resin composition was coated on a glass substrate (trade name: XG, Corning) having a size of 100 mm x 100 mm with a spin coater so as to have a film thickness of 1.0 탆 and dried (prebaked) on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds . The state of the coated surface at this time was observed with a naked eye and an optical microscope, and evaluated according to the following evaluation criteria.

1: 백탁 및 크랙(균열)이 전혀 없는 클리어한 도포면이었다.1: It was a clear coated surface free from opacity and crack (crack).

2: 옅게 탁한 도포면이었다.2: It was a slightly turbid coating.

3: 도포면에 백탁이 보였다.3: The surface of the coating was cloudy.

4: 도포면에 백탁이 보이고, 또한 크랙(균열)이 보였다.4: White turbidity was seen on the coated surface, and a crack (crack) was also observed.

(투과율의 평가)(Evaluation of transmittance)

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에, 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 1.0㎛가 되도록 스핀코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)했다. 또한, 도포막을 230℃의 오븐에서 30분 가열 처리(포스트베이킹)를 실시하고, 포스트베이킹 후의 분광을 오츠카덴시(주) 제 MCPD-3000로 계측하여 400㎚의 투과율을 이하의 평가 기준에 의해 평가했다.The obtained photosensitive resin composition was coated on a glass substrate (trade name: XG, Corning) having a size of 100 mm x 100 mm with a spin coater so as to have a film thickness of 1.0 탆 and dried (prebaked) on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds . The coating film was subjected to heat treatment (post baking) in an oven at 230 캜 for 30 minutes, and the post-baking spectra were measured with MCPD-3000 manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd., and the transmittance of 400 nm was measured according to the following evaluation criteria I appreciated.

1: 400㎚의 투과율이 90% 이상이었다.The transmittance at 1: 400 nm was 90% or more.

2: 400㎚의 투과율이 85% 이상 90% 미만이었다.2: The transmittance of 400 nm was 85% or more and less than 90%.

3: 400㎚의 투과율이 85% 미만이었다.3: The transmittance of 400 nm was less than 85%.

(해상성의 평가)(Evaluation of resolution)

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에, 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 1.0㎛가 되도록 스핀코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)했다.The obtained photosensitive resin composition was coated on a glass substrate (trade name: XG, Corning) having a size of 100 mm x 100 mm with a spin coater so as to have a film thickness of 1.0 탆 and dried (prebaked) on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds .

이어서, ghi선 혼합형 노광기를 이용하여 조도 20mW/㎠, 200mJ/㎠로 라인 앤드 스페이스 1:1의 1%∼60% 그라이데이션이 있는 마스크를 통해서 노광했다.Subsequently, exposure was carried out using a ghi-ray hybrid type exposure apparatus through a mask having a 1% to 60% line-and-space gradient of 1: 1 at an illumination intensity of 20 mW / cm 2 and 200 mJ / cm 2.

이어서, 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 10초간 침액 채우기법에 의해 현상하고, 초순수로 10초간 더 린싱했다. 계속해서, 220℃ 30분 가열해서 패턴을 얻었다. 이 패턴을 광학 현미경으로 관찰했다.Subsequently, development was carried out with a 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 for 10 seconds by dip filling method, and further rinsed with ultrapure water for 10 seconds. Subsequently, a pattern was obtained by heating at 220 DEG C for 30 minutes. This pattern was observed with an optical microscope.

이 조작을 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 50㎛부터 개시하고, 10㎛까지는 5㎛씩, 10㎛ 이하는 폭을 1㎛씩 좁혀 가서 최적 노광량 부분의 깨끗하게 패턴 제작할 수 있었던 최소폭을 해상도라고 했다.This operation was started from the width of the line and space of the mask of 50 mu m, and the minimum width in which the pattern of the optimal exposure amount was clearly formed was defined as the resolution by narrowing the width by 5 mu m by 5 mu m until 10 mu m and by 1 mu m by 10 mu m or less.

1: 해상도가 10㎛ 이하였다.1: Resolution was 10 탆 or less.

2: 해상도가 10㎛를 초과하고 50㎛ 이하였다.2: The resolution was more than 10 탆 and not more than 50 탆.

3: 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 50㎛에서 패턴을 형성할 수 없었다.3: The pattern could not be formed at a line-and-space width of 50 mu m of the mask.

4: 도막 전체가 박리되었다.4: The entire film was peeled off.

또한, 실시예 2∼24 및 비교예 1∼24에 있어서는 분산액, 성분B를 표 3으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 감광성 수지 조성물을 조정하고, 도포면 형상, 투과율 및 해상성의 평가를 행했다.In Examples 2 to 24 and Comparative Examples 1 to 24, the photosensitive resin composition was adjusted in the same manner as in Example 1 except that the dispersion and component B were changed to Table 3, and the shape of the applied surface, the transmittance and the resolution were evaluated.

Figure pct00029
Figure pct00029

Claims (12)

(성분A) 무기 입자,
(성분B) 식(1)∼식(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 그래프트 공중합체,
(성분C) 용제,
(성분D) (a-1)산 및/또는 열에 의해 탈리되는 기를 갖는 구성 단위와 (a-2)가교기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및
(성분E) 광산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pct00030

[식(1)∼식(4)에 있어서, X1, X2, X3, X4 및 X5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, W1, W2, W3 및 W4는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 NH를 나타내고, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R'는 각각 독립적으로 분기 또는 직쇄 알킬렌기를 나타내고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 2가의 연결기를 나타내고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, n, m, p 및 q는 각각 독립적으로 3∼500의 정수이고, j 및 k는 각각 독립적으로 2∼8의 정수이다]
(Component A) An inorganic particle,
(Component B) A graft copolymer having a constitutional unit represented by any one of formulas (1) to (4)
(Component C) Solvent,
(Component D) a polymer having (a-1) a structural unit having an acid and / or a thermal eliminable group and (a-2) a structural unit having a crosslinking group, and
(Component E) a positive photo-sensitive resin composition.
Figure pct00030

In the formula (1) to equation (4), X 1, X 2, X 3, X 4 and X 5 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, W 1, W 2, W 3 and W 4 each independently represents an oxygen atom or NH, each R independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, each R 'independently represents a branched or straight chain alkylene group, Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 each independently represents a divalent linking group, Z 1, Z 2, Z 3 and Z 4 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic, n, m, p and q are each independently of 3-500 And j and k are each independently an integer of 2 to 8,
제 1 항에 있어서,
성분A는 금속 산화물 입자인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the component A is a metal oxide particle.
제 2 항에 있어서,
성분A는 산화티탄 입자, 또는 산화지르코늄 입자인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method of claim 2,
Wherein the component A is a titanium oxide particle or a zirconium oxide particle.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
성분B는 카르복실산기를 갖는 구성 단위를 더 갖는 그래프트 공중합체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the component B is a graft copolymer further having a structural unit having a carboxylic acid group.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
(성분F) 열 가교제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
(Component F) A positive type photosensitive resin composition, further comprising a heat crosslinking agent.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
성분D의 산가는 50㎎KOH/g을 초과하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the acid value of the component D exceeds 50 mgKOH / g.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
성분B의 중량 평균 분자량은 25,000 미만인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And the component B has a weight average molecular weight of less than 25,000.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
광학 부재용 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the positive photosensitive resin composition is a resin composition for an optical member.
적어도 공정 (a)∼(c)를 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물의 제조 방법.
(a) 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정
(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정
Wherein at least the steps (a) to (c) are included in this order.
(a) a coating step of applying the positive-working photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8 onto a substrate
(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed
적어도 공정 (1)∼(5)를 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 패턴 제조 방법.
(1) 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정
(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정
(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정
(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정
A method for producing a resin pattern, comprising at least steps (1) to (5) in this order.
(1) A coating process for applying the positive-working photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8 onto a substrate
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray
(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution
(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition
제 9 항에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는 제 10 항에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 경화물.A cured product obtained by the process for producing a cured product according to claim 9 or the process for producing a resin pattern according to claim 10. 제 9 항에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는 제 10 항에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 광학 부재.An optical member characterized by being obtained by the process for producing a cured product according to claim 9 or the process for producing a resin pattern according to claim 10.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201421154A (en) * 2012-10-26 2014-06-01 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, cured object and method for manufacturing the same, method for manufacturing resin pattern, cured film, organic EL display device, liquid crystal display device and touch panel display device
JPWO2014126036A1 (en) * 2013-02-14 2017-02-02 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured product and production method thereof, resin pattern production method, cured film, liquid crystal display device, organic EL display device, and touch panel display device
CN105190437A (en) * 2013-06-14 2015-12-23 富士胶片株式会社 Photosensitive resin composition, cured product, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
KR101754901B1 (en) 2014-05-16 2017-07-06 제일모직 주식회사 Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition
WO2017056832A1 (en) * 2015-09-30 2017-04-06 富士フイルム株式会社 Active-light-sensitive or radiation-sensitive composition, resist film in which same is used, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device
TWI696891B (en) * 2015-12-09 2020-06-21 日商住友化學股份有限公司 Photoresist composition and process for producing photoresist pattern
JP7012424B2 (en) * 2016-03-25 2022-02-14 東京応化工業株式会社 Energy-sensitive compositions, cured products and methods for producing cured products
JP6893550B2 (en) * 2017-03-30 2021-06-23 富士フイルム株式会社 Manufacturing method of photosensitive transfer material and circuit wiring

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005292613A (en) * 2004-04-02 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resist material and pattern forming method using the same
JP2008040180A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photosensitive resin composition for interlayer insulation film
JP5094315B2 (en) * 2007-10-04 2012-12-12 富士フイルム株式会社 Curable composition for colored pixels and color filter
JP5343738B2 (en) * 2008-08-05 2013-11-13 Jsr株式会社 Resin composition, optical film and optical member
TWI516450B (en) * 2009-10-19 2016-01-11 富士軟片股份有限公司 Titanium black dispersion, photosensitive resin composition, wafer level lens, light-shielding film and producing method thereof, and solid-state image pick-up device
JP5701576B2 (en) * 2009-11-20 2015-04-15 富士フイルム株式会社 Dispersion composition, photosensitive resin composition, and solid-state imaging device
JP5396315B2 (en) * 2010-01-19 2014-01-22 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR101570447B1 (en) * 2010-03-11 2015-11-19 후지필름 가부시키가이샤 Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device

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