KR20140080283A - Semiconductor Memory Apparatus - Google Patents

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KR20140080283A
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Abstract

리프레쉬 신호, 복수개의 뱅크 인에이블 신호에 응답하여 스탠바이 오실레이터 신호 및 액티브 오실레이터 신호를 생성하는 펌핑 제어부, 및 상기 스탠바이 오실레이터 신호 및 상기 액티브 신호에 응답하여 펌핑 전압을 생성하는 펌핑부를 포함한다.A pumping control section for generating a standby oscillator signal and an active oscillator signal in response to a refresh signal, a plurality of bank enable signals, and a pumping section for generating a pumping voltage in response to the standby oscillator signal and the active signal.

Figure P1020120149909
Figure P1020120149909

Description

반도체 메모리 장치{Semiconductor Memory Apparatus}[0001] Semiconductor Memory Apparatus [0002]

본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a semiconductor memory device.

반도체 장치는 입력된 데이터를 저장하고, 저장된 데이터를 출력하도록 구성된다. 반도체 장치는 데이터를 저장하기 위하여, 트랜지스터 및 커패시터로 구성된 메모리 셀을 포함한다. 이때, 반도체 장치는 복수개의 메모리 셀을 각각 포함하는 복수개의 뱅크를 포함한다. The semiconductor device is configured to store the input data and output the stored data. A semiconductor device includes a memory cell composed of a transistor and a capacitor for storing data. At this time, the semiconductor device includes a plurality of banks each including a plurality of memory cells.

이와 같이 구성된 일반적인 반도체 장치는 커패시터에 전하를 충전시켜 데이터를 저장하도록 구성된다. 커패시터에 전하를 충전할 경우 즉 데이터를 저장할 경우 커패시터에 연결된 트랜지스터를 통해 전하를 커패시터에 인가시킨다. 이때, 트랜지스터를 통한 전하의 손실을 줄이기 위해 트랜지스터를 턴온시킬 때 펌핑 전압을 이용한다.A general semiconductor device thus configured is configured to charge the capacitor and store data. When a capacitor is charged, that is, when data is stored, charge is applied to the capacitor through the transistor connected to the capacitor. At this time, the pumping voltage is used to turn on the transistor to reduce the loss of charge through the transistor.

일반적인 반도체 장치는 도 1과 같이, 제 1 내지 제 8 뱅크(11~18), 펌핑 제어부(21), 및 제 1 및 제 2 펌핑부(22, 23)를 포함한다.A typical semiconductor device includes first to eighth banks 11 to 18, a pumping control section 21, and first and second pumping sections 22 and 23 as shown in Fig.

상기 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)는 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 인가 받아 활성화된다. 이때, 뱅크의 활성화란 뱅크에 포함된 워드라인이 인에이블되는 것으로 인에이블된 워드라인은 메모리 셀에 포함된 트랜지스터를 턴온시킨다. 상기 워드라인은 펌핑 전압 레벨로 인에이블된다.The first to fourth banks 11 to 14 are activated by receiving the first pumping voltage VPP_1. At this time, the activation of the bank means that the word line included in the bank is enabled, and the enabled word line turns on the transistor included in the memory cell. The word line is enabled to a pumping voltage level.

상기 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18)는 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 인가 받아 활성화된다.The fifth to eighth banks 15 to 18 are activated by receiving the second pumping voltage VPP_2.

상기 펌핑 제어부(21)는 제 1 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:7>) 중 하나의 뱅크 인에이블 신호라도 인에이블되면 오실레이터 신호(OSC), 및 액티브 펌프 인에이블 신호(EN_actpump)를 생성한다. 이때, 상기 제 1 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:7>)는 상기 제 1 내지 제 8 뱅크 중 하나의 뱅크를 인에이블시키기 위하여 입력되는 신호이다. The pumping control unit 21 outputs an oscillator signal OSC and an active pump enable signal EN_actpump when one bank enable signal of the first to eighth bank enable signals Bank_en <0: 7> is enabled, . At this time, the first to eighth bank enable signals (Bank_en <0: 7>) are signals input to enable one of the first to eighth banks.

상기 제 1 펌핑부(22)는 상기 오실레이터 신호(OSC), 및 상기 액티프 펌프 인에이블 신호(EN_actpump)에 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.The first pumping unit 22 generates the first pumping voltage VPP_ 1 in response to the oscillator signal OSC and the ACTIVE pump enable signal EN_actpump.

상기 제 2 펌핑부(23)는 상기 오실레이터 신호(OSC), 및 상기 액티브 펌프 인에이블 신호(EN_actpump)에 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다.The second pumping unit 23 generates the second pumping voltage VPP_2 in response to the oscillator signal OSC and the active pump enable signal EN_actpump.

상기 제 1 펌핑부(22)는 도 2에 도시된 바와 같이, 스탠바이 펌프(22_1), 및 액티브 펌프(22_2)를 포함한다.The first pumping portion 22 includes a standby pump 22_1 and an active pump 22_2, as shown in FIG.

상기 스탠바이 펌프(22_1)는 상기 오실레이터 신호(OSC)에 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.The standby pump 22_1 generates the first pumping voltage VPP_1 in response to the oscillator signal OSC.

상기 액티브 펌프(22_2)는 상기 액티브 펌프 인에이블 신호(EN_actpump)가 인에이블되면 상기 오실레이터 신호(OSC)에 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.The active pump 22_2 generates the first pumping voltage VPP_1 in response to the oscillator signal OSC when the active pump enable signal EN_actpump is enabled.

상기 제 2 펌핑부(23) 또한 상기 제 1 펌핑부(22)와 동일하게 구성된다.The second pumping portion 23 is also configured the same as the first pumping portion 22.

이와 같이 구성된 일반적인 반도체 장치는 8개의 뱅크(11~18) 중 하나의 뱅크만이 액티브되더라도 8개의 뱅크 모두에 인가되는 제 1 및 제 2 펌핑 전압(VPP_1, VPP_2)이 생성된다. In the general semiconductor device thus configured, first and second pumping voltages VPP_1 and VPP_2 applied to all eight banks are generated even if only one of the eight banks 11 to 18 is active.

일반적인 반도체 장치는 반도체 장치에 구비된 복수개의 뱅크 중 하나의 뱅크가 활성화되더라도 모든 뱅크에 인가되는 펌핑 전압이 생성되므로, 반도체 장치는 많은 전력을 소모하게 된다.A semiconductor device consumes a large amount of power because a pumping voltage applied to all the banks is generated even if one bank of the plurality of banks provided in the semiconductor device is activated.

본 발명은 복수개의 뱅크를 그룹별로 나누어 활성화된 뱅크가 속한 그룹에만 펌핑 전압을 제공하는 반도체 장치를 제공한다.The present invention provides a semiconductor device that divides a plurality of banks into groups and provides a pumping voltage only to a group to which an activated bank belongs.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 리프레쉬 신호, 복수개의 뱅크 인에이블 신호에 응답하여 스탠바이 오실레이터 신호 및 액티브 오실레이터 신호를 생성하는 펌핑 제어부, 및 상기 스탠바이 오실레이터 신호 및 상기 액티브 신호에 응답하여 펌핑 전압을 생성하는 펌핑부를 포함한다.A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a pumping control unit for generating a refresh signal, a standby oscillator signal and an active oscillator signal in response to a plurality of bank enable signals, and a pumping control unit for, in response to the standby oscillator signal and the active signal, And a pumping section for generating a pumping section.

본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치는 제 1 뱅크, 제 2 뱅크, 제 3 뱅크, 제 4 뱅크를 포함하는 제1 뱅크 그룹, 제 5 뱅크, 제 6 뱅크, 제 7 뱅크, 제 8 뱅크를 포함하는 제 2 뱅크 그룹, 상기 제1 뱅크 그룹의 하나의 뱅크라도 인에이블되면 제 1 펌핑 전압을 생성하여 상기 제 1 뱅크 그룹에 인가시키는 제 1 펌핑 전압 생성부, 및 상기 제 2 뱅크 그룹의 하나의 뱅크라도 인에이블되면 제 2 펌핑 전압을 생성하여 상기 제 2 뱅크 그룹에 인가시키는 제 2 펌핑 전압 생성부를 포함한다.A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a first bank group including a first bank, a second bank, a third bank, and a fourth bank, a fifth bank, a sixth bank, a seventh bank, A first pumping voltage generator for generating a first pumping voltage and applying the generated first pumping voltage to the first bank group if one of the banks of the first bank group is enabled, A second pumping voltage generator for generating a second pumping voltage and applying the second pumping voltage to the second bank group.

본 발명에 따른 반도체 장치는 복수개의 뱅크를 그룹별로 나누어 활성화된 뱅크가 속한 그룹에만 펌핑 전압을 제공하므로써, 전력 소모를 줄일 수 있다.The semiconductor device according to the present invention can reduce the power consumption by dividing the plurality of banks into groups and providing the pumping voltage only to the group to which the activated bank belongs.

도 1은 일반적인 반도체 장치의 구성도,
도 2는 도 1의 제 1 펌핑부의 구성도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성도,
도 4는 도 3의 제 1 펌핑 제어부의 구성도,
도 5는 도 4의 액티브 오실레이터 신호 생성부의 구성도,
도 6은 도 3의 제 1 펌핑부의 구성도이다.1 is a schematic view of a general semiconductor device,
Fig. 2 is a configuration diagram of the first pumping unit of Fig. 1,
3 is a configuration diagram of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention,
4 is a configuration diagram of the first pumping control unit of FIG. 3,
5 is a configuration diagram of the active oscillator signal generator of FIG. 4,
FIG. 6 is a configuration diagram of the first pumping portion in FIG. 3; FIG.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 8 뱅크(11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18), 제 1 펌핑 전압 생성부(100), 및 제 2 펌핑 전압 생성부(200)를 포함한다. 이때, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)의 출력, 즉 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 인가 받는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)를 제 1 뱅크 그룹(300), 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)의 출력, 즉 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 인가 받는 제 2 뱅크 그룹(400)으로 구분한다.3, the semiconductor device according to the embodiment of the present invention includes first through eighth banks 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, a first pumping voltage generator 100 And a second pumping voltage generator 200. At this time, the first to fourth banks 11 to 14 receiving the output of the first pumping voltage generator 100, that is, the first pumping voltage VPP_1 are referred to as a first bank group 300, The output of the pumping voltage generator 200, that is, the second pumping voltage VPP_2 is divided into a second bank group 400 to which the second pumping voltage VPP_2 is applied.

상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 뱅크 그룹(300)의 뱅크(11~14) 중 하나의 뱅크라도 인에이블되면 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성하여, 상기 제 1 뱅크 그룹(300)에 인가시킨다. 또한 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 리프레쉬 동작시 상기 제 1 뱅크 그룹(300)에 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 제공한다. 예를 들어, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 뱅크 그룹(300)의 뱅크들(11~14) 중 하나의 뱅크라도 인에이블되거나 리프레쉬 동작시 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 설정된 전압 레벨보다 낮으면 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1), 및 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)에 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다. 또한 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 뱅크 그룹(300)의 뱅크들(11~14)이 모두 디스에이블되거나 리프레쉬 동작이 아닐 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 설정된 전압 레벨보다 낮으면 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)에 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.The first pumping voltage generator 100 generates the first pumping voltage VPP_1 when one of the banks 11 to 14 of the first bank group 300 is enabled, To the group (300). The first pumping voltage generator 100 provides the first pumping voltage VPP_1 to the first bank group 300 during a refresh operation. For example, the first pumping voltage generator 100 may enable either one of the banks 11 to 14 of the first bank group 300 or the first pumping voltage VPP_1 during a refresh operation, And generates the first pumping voltage VPP_1 in response to the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 when the voltage level is lower than the set voltage level. The first pumping voltage generator 100 may be configured such that when the banks 11 through 14 of the first bank group 300 are neither disabled nor are refresh operations, And generates the first pumping voltage VPP_1 in response to the first standby oscillator signal OSC_sb1.

상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 제 1 펌핑 제어부(110), 및 제 1 펌핑부(120)를 포함한다.The first pumping voltage generator 100 includes a first pumping controller 110, and a first pumping unit 120.

상기 제 1 펌핑 제어부(110)는 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우 리프레쉬 신호(Ref_signal) 및 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>)에 응답하여 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 모두 생성하거나, 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)만을 생성한다. 이때, 상기 제 1 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0>)는 상기 제 1 뱅크(11)를 활성화시키는 신호이고, 상기 제 2 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<1>)는 상기 제 2 뱅크(12)를 활성화시키는 신호이며, 상기 제 3 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<2>)는 상기 제 3 뱅크(13)를 활성화시키는 신호이고, 상기 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<3>)는 상기 제 4 뱅크(14)를 활성화시키는 신호이다. 예를 들어, 상기 제 1펌핑 제어부(110)는 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal) 및 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>) 중 하나의 신호라도 인에이블되면 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 모두 생성한다. 또한 상기 제 1 펌핑부(110)는 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하일 경우 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal) 및 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>)가 모두 디스에이블되면 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)만을 생성한다. The first pumping controller 110 outputs the refresh signal Ref_signal and the first to fourth bank enable signals Bank_en <0: 3> when the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 becomes lower than the set voltage level, Generates both the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 in response to the first standby oscillator signal OSC_sb1 or generates only the first standby oscillator signal OSC_sb1. In this case, the first bank enable signal Bank_en <0> is a signal for activating the first bank 11, and the second bank enable signal Bank_en <1> The third bank enable signal Bank_en <2> is a signal for activating the third bank 13 and the fourth bank enable signal Bank_en <3> And activates the bank 14. For example, when the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 becomes lower than the set voltage level, the first pumping control unit 110 outputs the refresh signal Ref_signal and the first to fourth bank enable signals Bank_en <0: 3>), all of the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 are generated. When the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 is equal to or lower than a preset voltage level, the first pumping unit 110 outputs the refresh signal Ref_signal and the first to fourth bank enable signals Bank_en <0: 3 > Are all disabled, it generates only the first standby oscillator signal OSC_sb1.

한편, 상기 제 1 펌핑 제어부(110)는 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1), 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 생성할 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하이면 주기적으로 천이하는 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1), 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 생성하고, 상기 제1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이상이면 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1), 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 특정 레벨로 고정시킨다.When the first pumping controller 110 generates the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1, the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 becomes a set voltage level And generates the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 that transition periodically if the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 is equal to or higher than a set voltage level, The active oscillator signal OSC_act1, and the first standby oscillator signal OSC_sb1 to a certain level.

상기 제 1 펌핑 제어부(110)는 도 4에 도시된 바와 같이, 전압 레벨 감지부(111), 오실레이터(112), 및 액티브 오실레이터 신호 생성부(113)를 포함한다.The first pumping controller 110 includes a voltage level detector 111, an oscillator 112, and an active oscillator signal generator 113, as shown in FIG.

상기 전압 레벨 감지부(111)는 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하가 되면 오실레이터 인에이블 신호(OSC_en)를 인에이블시킨다. 예를 들어, 상기 전압 레벨 감지부(111)는 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨과 기준 전압(Vref)의 전압 레벨을 비교하여, 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 상기 기준 전압(Vref)의 전압 레벨보다 낮으면 상기 오실레이터 인에이블 신호(OSC_en)를 인에이블시킨다.The voltage level sensing unit 111 enables the oscillator enable signal OSC_en when the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 becomes equal to or lower than the set voltage level. For example, the voltage level sensing unit 111 compares the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 with the voltage level of the reference voltage Vref to determine whether the first pumping voltage VPP_1 is higher than the reference voltage Vref Vref, the oscillator enable signal OSC_en is enabled.

상기 오실레이터(112)는 상기 오실레이터 인에이블 신호(OSC_en)가 인에이블되면 주기적으로 천이하는 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 생성하고, 상기 오실레이터 인에이블 신호(OSC_en)가 디스에이블되면 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 특정 레벨로 고정시킨다. The oscillator 112 generates the first standby oscillator signal OSC_sb1 that periodically transitions when the oscillator enable signal OSC_en is enabled and when the oscillator enable signal OSC_en is disabled, And fixes the standby oscillator signal OSC_sb1 to a certain level.

상기 액티브 오실레이터 신호 생성부(113)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>) 및 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal) 중 하나의 신호라도 인에이블되면 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)로서 출력한다.The active oscillator signal generator 113 generates the first standby oscillator signal (Bank_en <0: 3>) and the refresh signal (Ref_signal) when the first to fourth bank enable signals Bank_en < OSC_sb1 as the first active oscillator signal OSC_act1.

상기 액티브 오실레이터 신호 생성부(113)는 도 5에 도시된 바와 같이, 제어 신호 생성부(113-1), 및 출력 제어부(113-2)를 포함한다.The active oscillator signal generator 113 includes a control signal generator 113-1 and an output controller 113-2 as shown in FIG.

상기 제어 신호 생성부(113-1)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>) 및 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal) 중 하나의 신호라도 인에이블되면 제어 신호(ctrl)를 인에이블시킨다. 한편, 상기 제어 신호 생성부(113-1)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>) 및 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 모두 디스에이블되면 상기 제어 신호(ctrl)를 디스에이블시킨다.The control signal generator 113-1 generates a control signal ctrl when one of the first to fourth bank enable signals Bank_en <0: 3> and the refresh signal Ref_signal is enabled . The control signal generator 113-1 generates the control signal ctrl when the first to fourth bank enable signals Bank_en <0: 3> and the refresh signal Ref_signal are both disabled Disable.

상기 제어 신호 생성부(113-1)는 노어 게이트(NOR11), 및 제 1 인버터(IV11)를 포함한다. 상기 제 1 노어 게이트(NOR11)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:4>), 및 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)를 입력 받는다. 상기 제 1 인버터(IV11)는 상기 제 1 노어 게이트(NOR11)의 출력 신호를 입력 받아 상기 제어 신호(ctrl)를 출력한다.The control signal generator 113-1 includes a NOR gate NOR11 and a first inverter IV11. The first NOR gate NOR11 receives the first through fourth bank enable signals Bank_en <0: 4> and the refresh signal Ref_signal. The first inverter IV11 receives the output signal of the first NOR gate NOR11 and outputs the control signal ctrl.

상기 출력 제어부(113-2)는 상기 제어 신호(ctrl)가 인에이블되면 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)로서 출력하고, 상기 제어 신호(ctrl)가 디스에이블되면 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)를 특정 레벨로 고정시킨다.The output control unit 113-2 outputs the first standby oscillator signal OSC_sb1 as the first active oscillator signal OSC_act1 when the control signal ctrl is enabled and the control signal ctrl is set to And fixes the first active oscillator signal (OSC_act1) to a certain level when it is enabled.

상기 출력 제어부(113-2)는 낸드 게이트(ND11), 및 제 2 인버터(IV12)를 포함한다. 상기 낸드 게이트(ND11)는 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1) 및 상기 제어 신호(ctrl)를 입력 받는다. 상기 제 2 인버터(IV12)는 상기 낸드 게이트(ND11)의 출력을 입력 받아 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)를 출력한다.The output control section 113-2 includes a NAND gate ND11 and a second inverter IV12. The NAND gate ND11 receives the first standby oscillator signal OSC_sb1 and the control signal ctrl. The second inverter IV12 receives the output of the NAND gate ND11 and outputs the first active oscillator signal OSC_act1.

도 3에 도시된 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)의 제 1 펌핑부(120)는 도 6에 도시된 바와 같이, 스탠바이 펌프(121), 및 액티브 펌프(122)를 포함한다.The first pumping unit 120 of the first pumping voltage generator 100 shown in FIG. 3 includes a standby pump 121 and an active pump 122, as shown in FIG.

상기 스탠바이 펌프(121)는 상기 제1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다. 예를 들어, 상기 스탠바이 펌프(121)는 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)가 특정 레벨로 고정된 신호이면 펌핑 동작을 수행하지 않는다.The standby pump 121 performs a pumping operation in response to the first standby oscillator signal OSC_sb1 and generates the first pumping voltage VPP_1 through a pumping operation. For example, the standby pump 121 performs a pumping operation when the first standby oscillator signal OSC_sb1 periodically transitions, and when the first standby oscillator signal OSC_sb1 is a signal fixed to a specific level The pumping operation is not performed.

상기 액티브 펌프(122)는 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다. 예를 들어, 상기 액티브 펌프(122)는 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)가 특정 레벨로 고정된 신호이면 펌핑 동작을 수행하지 않는다.The active pump 122 performs a pumping operation in response to the first active oscillator signal OSC_act1 and generates the first pumping voltage VPP_1 through a pumping operation. For example, the active pump 122 performs a pumping operation when the first active oscillator signal OSC_act1 periodically transitions, and when the first active oscillator signal OSC_act1 is a fixed-level signal The pumping operation is not performed.

상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 2 뱅크 그룹(400)의 뱅크(15~18) 중 하나의 뱅크라도 인에이블되면 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성하여, 상기 제 2 뱅크 그룹(400)에 인가시킨다. 또한 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 리프레쉬 동작시 상기 제 2 뱅크 그룹(400)에 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 제공한다. 예를 들어, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 2 뱅크 그룹(400)의 뱅크들(15~18) 중 하나의 뱅크라도 인에이블되거나 리프레쉬 동작시 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)이 설정된 전압 레벨보다 낮으면 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2), 및 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)에 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다. 또한 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 2 뱅크 그룹(400)의 뱅크들(15~18)이 모두 디스에이블되거나 리프레쉬 동작이 아닐 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)이 설정된 전압 레벨보다 낮으면 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)에 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다.The second pumping voltage generator 200 generates the second pumping voltage VPP_2 when one of the banks 15-18 of the second bank group 400 is enabled, To the group (400). The second pumping voltage generator 200 provides the second pumping voltage VPP_2 to the second bank group 400 during a refresh operation. For example, the second pumping voltage generator 200 may enable either a bank of the banks 15-18 of the second bank group 400 or the second pumping voltage VPP_2 during a refresh operation, And generates the second pumping voltage VPP_2 in response to the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2 when the voltage level is lower than the set voltage level. When the banks 15 to 18 of the second bank group 400 are neither disabled nor refreshed, the second pumping voltage generator 200 generates the second pumping voltage VPP_2 at a set voltage level And generates the second pumping voltage VPP_2 in response to the second standby oscillator signal OSC_sb2.

상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 제 2 펌핑 제어부(210), 및 제 2 펌핑부(220)를 포함한다.The second pumping voltage generator 200 includes a second pumping controller 210 and a second pumping unit 220.

상기 제 2 펌핑 제어부(210)는 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우 리프레쉬 신호(Ref_signal) 및 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>)에 응답하여 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 모두 생성하거나, 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)만을 생성한다. 이때, 상기 제 5 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4>)는 상기 제 5 뱅크(15)를 활성화시키는 신호이고, 상기 제 6 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<5>)는 상기 제 6 뱅크(16)를 활성화시키는 신호이며, 상기 제 7 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<6>)는 상기 제 7 뱅크(17)를 활성화시키는 신호이고, 상기 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<7>)는 상기 제 8 뱅크(18)를 활성화시키는 신호이다. 예를 들어, 상기 제 2펌핑 제어부(210)는 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal) 및 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>) 중 하나의 신호라도 인에이블되면 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 모두 생성한다. 또한 상기 제 2 펌핑부(210)는 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하일 경우 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal) 및 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>)가 모두 디스에이블되면 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)만을 생성한다. The second pumping control unit 210 outputs the refresh signal Ref_signal and the fifth to eighth bank enable signals Bank_en <4: 7> when the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 becomes lower than the set voltage level, Generates both the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2 in response to the first standby oscillator signal OSC_sb2 or generates only the second standby oscillator signal OSC_sb2. The fifth bank enable signal Bank_en <4> is a signal for activating the fifth bank 15 and the sixth bank enable signal Bank_en <5> is a signal for activating the sixth bank 16, The seventh bank enable signal Bank_en <6> is a signal for activating the seventh bank 17 and the eighth bank enable signal Bank_en <7> And activates the bank 18. For example, when the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 becomes lower than the set voltage level, the second pumping control unit 210 outputs the refresh signal Ref_signal and the fifth to eighth bank enable signals Bank_en <4: 7>), it generates both the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2 when enabled. When the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 is equal to or lower than the set voltage level, the second pumping unit 210 outputs the refresh signal Ref_signal and the fifth to eighth bank enable signals Bank_en <4: 7 > Are all disabled, it generates only the second standby oscillator signal OSC_sb2.

한편, 상기 제 2 펌핑 제어부(210)는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2), 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 생성할 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하이면 주기적으로 천이하는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2), 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 생성하고, 상기 제2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이상이면 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2), 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 특정 레벨로 고정시킨다.Meanwhile, when the second pumping control unit 210 generates the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2, the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 becomes a set voltage level And generates the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2 that periodically transition if the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 is equal to or greater than a set voltage level, The active oscillator signal OSC_act2, and the second standby oscillator signal OSC_sb2 to a certain level.

상기 제 2 펌핑 제어부(210)는 도 4에 도시된 상기 제 1 펌핑 제어부(110)의 구성과 같이, 전압 레벨 감지부(111), 오실레이터(112), 및 액티브 오실레이터 신호 생성부(113)를 포함한다. 다만, 입력되는 신호와 출력되는 신호가 다를 뿐이다. 상기 제 2 펌핑 제어부(210)의 구성 설명은 상기 제 1 펌핑 제어부(110)의 구성 설명으로 대신한다.The second pumping control unit 210 includes a voltage level sensing unit 111, an oscillator 112, and an active oscillator signal generating unit 113, as in the first pumping control unit 110 shown in FIG. . However, only the input signal and the output signal are different. The configuration of the second pumping controller 210 is replaced with a description of the configuration of the first pumping controller 110.

도 3에 도시된 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)의 제 2 펌핑부(220)는 도 6에 도시된 상기 제 1 펌핑부(220)와 구성이 동일하다. 다만, 입력되는 신호와 출력되는 신호만이 다를뿐이다. The second pumping unit 220 of the second pumping voltage generator 200 shown in FIG. 3 has the same configuration as that of the first pumping unit 220 shown in FIG. However, only the input signal and the output signal are different.

상기 제 2 펌핑부(220)는 스탠바이 펌프(미도시, 예를 들어 도 6의 스탠바이 펌프(121)와 같이 구성됨), 및 액티브 펌프(미도시, 예를 들어 도 6의 액티브 펌프(122)와 같이 구성됨)를 포함한다.6), and an active pump (not shown, for example, the active pump 122 of FIG. 6) and a second pump (not shown, for example) ).

상기 제 2 펌핑부(220)의 상기 스탠바이 펌프는 상기 제2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다. 예를 들어, 상기 스탠바이 펌프는 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)가 특정 레벨로 고정된 신호이면 펌핑 동작을 수행하지 않는다.The standby pump of the second pumping unit 220 performs a pumping operation in response to the second standby oscillator signal OSC_sb2 and generates the second pumping voltage VPP_2 through a pumping operation. For example, the standby pump performs a pumping operation when the second standby oscillator signal OSC_sb2 periodically transitions, and performs a pumping operation if the second standby oscillator signal OSC_sb2 is a fixed level signal. Do not perform.

상기 제 2 펌핑부(220)의 상기 액티브 펌프는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2)에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다. 예를 들어, 상기 액티브 펌프는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2)가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2)가 특정 레벨로 고정된 신호이면 펌핑 동작을 수행하지 않는다.The active pump of the second pumping unit 220 performs a pumping operation in response to the second active oscillator signal OSC_act2 and generates the second pumping voltage VPP_2 through a pumping operation. For example, the active pump performs a pumping operation when the second active oscillator signal OSC_act2 periodically transitions, and performs a pumping operation if the second active oscillator signal OSC_act2 is a fixed-level signal. Do not perform.

이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention will now be described.

도 3을 참조하면, 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하이면 펌핑 동작을 수행하여, 펌핑 동작을 통해 생성된 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 제 1 뱅크 그룹(300)에 제공한다. 이때, 상기 제 1 뱅크 그룹(300)은 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)를 포함하며, 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)은 상기 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)에 제공된다.Referring to FIG. 3, the first pumping voltage generator 100 performs a pumping operation when the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 is lower than the set voltage level, VPP_1) to the first bank group (300). Here, the first bank group 300 includes first to fourth banks 11 to 14, and the first pumping voltage VPP_1 is provided to the first to fourth banks 11 to 14 .

또한, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 설정된 전압 레벨이상이면 펌핑 동작을 수행하지 않는다.Also, the first pumping voltage generator 100 does not perform a pumping operation when the first pumping voltage VPP_1 is equal to or higher than a set voltage level.

더욱 상세히 설명하면, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)가 모두 활성화되지 않고, 리프레쉬 동작시가 아닐 경우, 즉, 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>)가 모두 디스에이블되고 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 디스에이블된 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 설정된 레벨이상이면 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 모두 특정 레벨로 고정시킨다. 따라서, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 펌핑 동작을 수행하지 않는다.More specifically, when the first to fourth banks 11 to 14 are not activated and the refresh operation is not performed, that is, when the first to fourth banks 11 to 14 are not activated, The first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_act1 are turned off when the first pumping voltage VPP_1 is equal to or higher than the set level when all the enable signals Bank_en <0: 3> are disabled and the refresh signal Ref_signal is disabled, And fixes the oscillator signal OSC_sb1 to a certain level. Therefore, the first pumping voltage generator 100 does not perform the pumping operation.

한편, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)가 모두 활성화되지 않고, 리프레쉬 동작시가 아닐 경우, 즉 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>)가 모두 디스에이블되고 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 디스에이블된 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 설정된 전압 레벨이하이면 상기 제 1액티브 오실레이터 신호(OSC_act1)를 특정 레벨로 고정시키고, 상기 제 1 스탠바이 오실레이터(OSC_sb1)를 주기적으로 천이하는 신호로 생성한다. 따라서, 제 1 펌핑부(120)의 스탠바이 펌프(121)는 펌핑 동작을 수행하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성하며, 상기 제 1 펌핑부(120)의 액티브 펌프(122)는 펌핑 동작을 수행하지 않는다. 즉, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>)가 모두 디스에이블되고 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 디스에이블된 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)이 설정된 전압 레벨이하이면 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1) 중 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)에만 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.When the first to fourth banks 11 to 14 are not activated and the refresh operation is not performed, the first pumping voltage generator 100 generates the first to fourth bank enable signals < RTI ID = 0.0 > Bank_en <0: 3> are all disabled and the refresh signal Ref_signal is disabled, the first active oscillator signal OSC_act1 is set to a certain level when the first pumping voltage VPP_1 is below the set voltage level And generates the signal that periodically transitions the first standby oscillator OSC_sb1. The standby pump 121 of the first pumping unit 120 performs a pumping operation to generate the first pumping voltage VPP_1 and the active pump 122 of the first pumping unit 120 performs a pumping operation . That is, when the first to fourth bank enable signals Bank_en <0: 3> are all disabled and the refresh signal Ref_signal is disabled, the first pumping voltage generator 100 generates the first pumping voltage The first pumping voltage VPP_1 is lower than the set voltage level in response to the first standby oscillator signal OSC_sb1 of the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1, ).

또한, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>) 중 하나의 뱅크 인에이블 신호라도 인에이블되거나 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 인에이블될 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨 이하이면 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 모두 주기적으로 천이하는 신호로 생성한다. 따라서, 상기 제 1 펌핑부(120)의 상기 스탠바이 펌프(121) 및 상기 액티브 펌프(122)는 모두 펌핑 동작을 수행하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.Also, the first pumping voltage generator 100 may enable either one of the bank enable signals (Bank_en <0: 3>) of the first to fourth bank enable signals or the refresh signal Ref_signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 when the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 is lower than the set voltage level. Therefore, both the standby pump 121 and the active pump 122 of the first pumping unit 120 perform the pumping operation to generate the first pumping voltage VPP_1.

한편, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<0:3>) 중 하나의 뱅크 인에이블 신호라도 인에이블되거나 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 인에이블될 경우 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨 이상일 경우 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)를 모두 특정 레벨로 고정시킨다. 따라서, 상기 제 1 펌핑부(120)는 펌핑 동작을 수행하지 않는다.On the other hand, the first pumping voltage generator 100 may enable either one of the bank enable signals (Bank_en <0: 3>) of the first to fourth bank enable signals or the refresh signal Ref_signal The first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 are all fixed to a specific level when the voltage level of the first pumping voltage VPP_1 is equal to or higher than the set voltage level. Accordingly, the first pumping unit 120 does not perform the pumping operation.

제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이하이면 펌핑 동작을 수행하여, 펌핑 동작을 통해 생성된 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 제 2 뱅크 그룹(400)에 제공한다. 이때, 상기 제 2 뱅크 그룹(400)은 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18)를 포함하며, 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)은 상기 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18)에 제공된다.The second pumping voltage generator 200 performs a pumping operation when the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 is equal to or lower than the set voltage level to cause the second pumping voltage VPP_2, To the group (400). At this time, the second bank group 400 includes the fifth to eighth banks 15 to 18, and the second pumping voltage VPP_2 is provided to the fifth to eighth banks 15 to 18 .

또한, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)이 설정된 전압 레벨이상이면 펌핑 동작을 수행하지 않는다.Also, the second pumping voltage generator 200 does not perform the pumping operation when the second pumping voltage VPP_2 is equal to or higher than the set voltage level.

더욱 상세히 설명하면, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18)가 모두 활성화되지 않고, 리프레쉬 동작시가 아닐 경우, 즉, 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>)가 모두 디스에이블되고 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 디스에이블된 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)이 설정된 레벨이상이면 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 모두 특정 레벨로 고정시킨다. 따라서, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 펌핑 동작을 수행하지 않는다.More specifically, when the fifth to eighth banks 15 to 18 are not activated and the refresh operation is not performed, that is, the fifth to eighth banks 15 to 18 are not activated, The second active oscillator signal OSC_act2 and the second active oscillator signal OSC_act2 when the second pumping voltage VPP_2 is equal to or higher than the set level when all the enable signals Bank_en <4: 7> are disabled and the refresh signal Ref_signal is disabled, Thereby fixing the standby oscillator signal OSC_sb2 to a certain level. Therefore, the second pumping voltage generator 200 does not perform the pumping operation.

한편, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18)가 모두 활성화되지 않고, 리프레쉬 동작시가 아닐 경우, 즉 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>)가 모두 디스에이블되고 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 디스에이블된 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)이 설정된 전압 레벨이하이면 상기 제2액티브 오실레이터 신호(OSC_act2)를 특정 레벨로 고정시키고, 상기 제 2 스탠바이 오실레이터(OSC_sb2)를 주기적으로 천이하는 신호로 생성한다. 따라서, 제 2 펌핑부(220)의 스탠바이 펌프(미도시)는 펌핑 동작을 수행하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성하며, 상기 제 2 펌핑부(220)의 액티브 펌프(미도시)는 펌핑 동작을 수행하지 않는다. 즉, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>)가 모두 디스에이블되고 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 디스에이블된 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)이 설정된 전압 레벨이하이면 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2) 중 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)에만 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다.Meanwhile, when the fifth to eighth banks 15 to 18 are not activated and the refresh operation is not performed, that is, the fifth to eighth bank enable signals Bank_en <4: 7> are all disabled and the refresh signal Ref_signal is disabled, if the second pumping voltage VPP_2 is below the set voltage level, the second active oscillator signal OSC_act2 is set to a certain level And generates a signal that periodically transitions the second standby oscillator OSC_sb2. Accordingly, the standby pump (not shown) of the second pumping unit 220 performs the pumping operation to generate the second pumping voltage VPP_2, and the active pump (not shown) of the second pumping unit 220 The pumping operation is not performed. That is, when the fifth to eighth bank enable signals Bank_en <4: 7> are all disabled and the refresh signal Ref_signal is disabled, the second pumping voltage generator 200 generates the second pumping voltage If the pumping voltage VPP_2 is less than the set voltage level, the second pumping voltage VPP_2 in response to the second standby oscillator signal OSC_sb2 of the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2, ).

또한, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>) 중 하나의 뱅크 인에이블 신호라도 인에이블되거나 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 인에이블될 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨 이하이면 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 모두 주기적으로 천이하는 신호로 생성한다. 따라서, 상기 제 2 펌핑부(220)의 상기 스탠바이 펌프(미도시) 및 상기 액티브 펌프(미도시)는 모두 펌핑 동작을 수행하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다. 즉, 상기 제 1 펌핑부(220)는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)에 모두 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다.Also, the second pumping voltage generator 200 may enable either the bank enable signal of the fifth to eighth bank enable signals Bank_en <4: 7> or the refresh signal Ref_signal of the fifth to eighth bank enable signals Bank_en < OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2 when the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 is equal to or lower than the set voltage level. Accordingly, the standby pump (not shown) and the active pump (not shown) of the second pumping unit 220 both perform a pumping operation to generate the second pumping voltage VPP_2. That is, the first pumping unit 220 generates the second pumping voltage VPP_2 in response to both the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2.

한편, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호(Bank_en<4:7>) 중 하나의 뱅크 인에이블 신호라도 인에이블되거나 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 인에이블될 경우 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨 이상일 경우 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)를 모두 특정 레벨로 고정시킨다. 상기 제 2 펌핑부(220)는 펌핑 동작을 수행하지 않는다.Meanwhile, the second pumping voltage generator 200 may enable either one of the bank enable signals (Bank_en <4: 7>) and the refresh signal Ref_signal The second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2 are all fixed to a certain level when the voltage level of the second pumping voltage VPP_2 is equal to or higher than the set voltage level. The second pumping unit 220 does not perform the pumping operation.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨이상일 경우 펌핑 동작을 수행하지 않는다. 한편, 펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨 이하인 경우를 가정하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 동작을 정리하면 다음과 같다.The semiconductor device according to the embodiment of the present invention does not perform the pumping operation when the voltage level of the pumping voltage is equal to or higher than the set voltage level. Meanwhile, the operation of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention will be summarized as follows, assuming that the voltage level of the pumping voltage is equal to or lower than the set voltage level.

상기 제 1뱅크 그룹(300)과 상기 제 2 뱅크 그룹(400) 중 상기 제 1 뱅크 그룹(300)의 뱅크가 인에이블되면 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1) 모두에 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다. 이때, 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2) 중 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2)에만 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다. When the bank of the first bank group 300 among the first bank group 300 and the second bank group 400 is enabled, the first pumping voltage generator 100 generates the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 to generate the first pumping voltage VPP_1. In response to the second standby oscillator signal OSC_sb2 of the second active oscillator signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2, the second pumping voltage generator 200 generates the second pumping voltage (VPP_2).

한편, 상기 제 1 뱅크 그룹(300)과 상기 제 2 뱅크 그룹(400) 중 상기 제 2 뱅크 그룹(400)의 뱅크가 인에이블되면 상기 제 2 펌핑 전압 생성부(200)는 상기 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act2) 및 상기 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb2) 모두에 응답하여 상기 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 생성한다. 이때, 상기 제 1 펌핑 전압 생성부(100)는 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1) 및 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1) 중 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1)에만 응답하여 상기 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 생성한다.Meanwhile, when the banks of the second bank group 400 among the first bank group 300 and the second bank group 400 are enabled, the second pumping voltage generator 200 generates the second pumping voltage And generates the second pumping voltage VPP_2 in response to both the signal OSC_act2 and the second standby oscillator signal OSC_sb2. The first pumping voltage generator 100 generates the first pumping voltage OSC_act1 in response to the first active oscillator signal OSC_act1 and the first standby oscillator signal OSC_sb1 of the first standby oscillator signal OSC_sb1, (VPP_1).

리프레쉬 동작시 즉, 상기 리프레쉬 신호(Ref_signal)가 인에이블되면 상기 제 1 및 제 2 펌핑 전압 생성부(100, 200)는 상기 제 1 및 제 2 액티브 오실레이터 신호(OSC_act1, OSC_act2) 및 상기 제 1 및 제 2 스탠바이 오실레이터 신호(OSC_sb1, OSC_sb2) 모드에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 펌핑 전압(VPP_1, VPP_2)을 생성한다. When the refresh signal Ref_signal is enabled in the refresh operation, the first and second pumping voltage generators 100 and 200 generate the first and second active oscillator signals OSC_act1 and OSC_act2, And generates the first and second pumping voltages VPP_1 and VPP_2 in response to the second standby oscillator signal OSC_sb1 and OSC_sb2.

이와 같이, 본 발명에 따른 반도체 장치는 인에이블된 뱅크가 포함되는 뱅크 그룹에만 액티브 오실레이터 신호와 스탠바이 오실레이터 신호 모두에 응답하여 생성된 펌핑 전압을 제공하고, 인에이블되지 않은 뱅크가 포함되는 뱅크 그룹에는 스탠바이 오실레이터 신호에만 응답하여 생성된 펌핑 전압을 제공한다. Thus, the semiconductor device according to the present invention provides the pumping voltage generated in response to both the active oscillator signal and the standby oscillator signal to only the bank group including the enabled bank, and the bank group including the non- Providing a generated pumping voltage in response to only the standby oscillator signal.

본 발명에 따른 반도체 장치와 일반적인 반도체 장치와 비교해보면, 일반적인 반도체 장치(도 1 참조)는 8개의 뱅크(11~18) 중 하나의 뱅크가 인에이블되면 제 1 및 제 2 펌핑부(22, 23)에 포함된 2개의 액티브 펌프와 2개의 스탠바이 펌프가 모두 펌핑 동작을 수행하는 반면, 본 발명에 따른 반도체 장치(도 3 참조)는 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)과 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18) 중 제 1 뱅크(11)가 인에이블되면 제 1 내지 제 4 뱅크(11~14)에는 액티브 펌프와 스탠바이 펌프에서 생성된 제 1 펌핑 전압(VPP_1)을 제공하고, 제 5 내지 제 8 뱅크(15~18)에는 스탠바이 펌프에서 생성된 제 2 펌핑 전압(VPP_2)을 제공한다. 따라서 본 발명은 동일한 조건에서 일반적인 반도체 장치에 비해 1개의 펌프가 펌핑 동작을 수행하지 않으면서도 각 뱅크들에 안정적인 전압 제공이 가능하다. 따라서 본 발명의 반도체 장치는 일반적인 반도체 장치에 비해 펌핑 전압 생성에 소모하는 전력을 감소시킬 수 있다. Compared to the semiconductor device and the general semiconductor device according to the present invention, a general semiconductor device (see FIG. 1) has first and second pumping portions 22 and 23 (see FIG. 1) when one of the eight banks 11 to 18 is enabled. (See Fig. 3) according to the present invention are provided with the first to fourth banks 11 to 14 and the fifth to eleventh banks 11 to 14, respectively, while the two active pumps and the two standby pumps included in the first to fourth banks 11 to 14 perform the pumping operation, When the first bank 11 of the eight banks 15 to 18 is enabled, the first to fourth banks 11 to 14 are supplied with the first pumping voltage VPP_1 generated by the active pump and the standby pump, 5 to eighth banks 15 to 18 provide the second pumping voltage VPP_2 generated in the standby pump. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a stable voltage to each bank even when one pump does not perform a pumping operation in comparison with a general semiconductor device under the same conditions. Therefore, the semiconductor device of the present invention can reduce the power consumed in generating the pumping voltage as compared with a general semiconductor device.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims and their equivalents. Only. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

Claims (13)

리프레쉬 신호, 복수개의 뱅크 인에이블 신호에 응답하여 스탠바이 오실레이터 신호 및 액티브 오실레이터 신호를 생성하는 펌핑 제어부; 및
상기 스탠바이 오실레이터 신호 및 상기 액티브 신호에 응답하여 펌핑 전압을 생성하는 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.A pumping control unit for generating a standby oscillator signal and an active oscillator signal in response to a refresh signal, a plurality of bank enable signals; And
And a pumping unit for generating a pumping voltage in response to the standby oscillator signal and the active signal. 제 1 항에 있어서,
상기 펌핑 제어부는
상기 펌핑 전압의 전압 레벨을 감지하여 오실레이터 인에이블 신호를 생성하고,
상기 오실레이터 인에이블 신호에 응답하여 상기 스탠바이 오실레이터 신호를 생성하는 오실레이터, 및
상기 리프레쉬 신호, 및 상기 복수개의 뱅크 인에이블 신호 중 하나의 신호라도 인에이블되면 상기 스탠바이 오실레이터 신호를 상기 액티브 오실레이터 신호로서 출력하는 액티브 오실레이터 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.The method according to claim 1,
The pumping control unit
Sensing the voltage level of the pumping voltage to generate an oscillator enable signal,
An oscillator for generating the standby oscillator signal in response to the oscillator enable signal, and
And an active oscillator signal generator for outputting the standby oscillator signal as the active oscillator signal if one of the refresh signal and the plurality of bank enable signals is enabled. 제 2 항에 있어서,
상기 펌핑부는
상기 스탠바이 오실레이터 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 생성된 전압을 출력단으로 출력하는 스탠바이 펌프, 및
상기 액티브 오실레이터 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 생성된 전압을 출력단으로 출력하는 액티브 펌프를 포함하며,
상기 스탠바이 오실레이터 및 상기 액티브 오실레이터의 각 출력단이 공통 연결된 노드에서 상기 펌핑 전압이 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.3. The method of claim 2,
The pumping unit
A standby pump for performing a pumping operation in response to the standby oscillator signal and for outputting a voltage generated through a pumping operation to an output stage,
And an active pump that performs a pumping operation in response to the active oscillator signal and outputs a voltage generated through a pumping operation to an output stage,
Wherein the pumping voltage is generated at a node to which the output terminals of the standby oscillator and the active oscillator are connected in common. 제 1 뱅크, 제 2 뱅크, 제 3 뱅크, 제 4 뱅크를 포함하는 제1 뱅크 그룹;
제 5 뱅크, 제 6 뱅크, 제 7 뱅크, 제 8 뱅크를 포함하는 제 2 뱅크 그룹;
상기 제1 뱅크 그룹의 하나의 뱅크라도 인에이블되면 제 1 펌핑 전압을 생성하여 상기 제 1 뱅크 그룹에 인가시키는 제 1 펌핑 전압 생성부; 및
상기 제 2 뱅크 그룹의 하나의 뱅크라도 인에이블되면 제 2 펌핑 전압을 생성하여 상기 제 2 뱅크 그룹에 인가시키는 제 2 펌핑 전압 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.A first bank group including a first bank, a second bank, a third bank, and a fourth bank;
A second bank group including a fifth bank, a sixth bank, a seventh bank, and an eighth bank;
A first pumping voltage generator configured to generate and apply a first pumping voltage to the first bank group if one bank of the first bank group is enabled; And
And a second pumping voltage generator for generating a second pumping voltage and applying the second pumping voltage to the second bank group when one bank of the second bank group is enabled. 제 4 항에 있어서,
상기 제1 및 제 2 펌핑 전압 생성부는
리프레쉬 동작시 상기 제 1 및 제 2 펌핑 전압을 생성하여 상기 제 1 및 제 2 뱅크 그룹에 상기 제 1 및 제 2 펌핑 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.5. The method of claim 4,
The first and second pumping voltage generators
And generates the first and second pumping voltages during a refresh operation to apply the first and second pumping voltages to the first and second bank groups. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 펌핑 전압 생성부는
상기 제 1 펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우 리프레쉬 신호, 제 1 뱅크 인에이블 신호, 제 2 뱅크 인에이블 신호, 제 3 뱅크 인에이블 신호, 및 제 4 뱅크 인에이블 신호에 응답하여 액티브 오실레이터 신호 및 스탠바이 오실레이터 신호를 모두 생성하거나 상기 스탠바이 오실레이터 신호만을 생성하는 펌핑 제어부, 및
상기 스탠바이 오실레이터 신호 및 상기 액티브 오실레이터 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작에 의해 상기 제 1 펌핑 전압을 생성하는 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.6. The method of claim 5,
The first pumping voltage generator
A first bank enable signal, a third bank enable signal, and a fourth bank enable signal when the voltage level of the first pumping voltage becomes lower than the set voltage level, and in response to the refresh signal, the first bank enable signal, the second bank enable signal, A pumping control section for generating both the oscillator signal and the standby oscillator signal or generating only the standby oscillator signal, and
And a pumping unit that performs a pumping operation in response to the standby oscillator signal and the active oscillator signal and generates the first pumping voltage by a pumping operation. 제 6 항에 있어서,
상기 펌핑 제어부는
상기 제 1펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우, 상기 리프레시쉬 신호, 및 상기 제 1 내지 제 4 뱅크 인에이블 신호 중 하나의 신호라도 인에이블되면 상기 액티브 오실레이터 신호 및 상기 스탠바이 오실레이터 신호를 생성하고, 상기 리프레시쉬 신호, 상기 제 1 뱅크 인에이블 신호, 상기 제 2 뱅크 인에이블 신호, 상기 제 3 뱅크 인에이블 신호, 및 상기 제 4 뱅크 인에이블 신호가 모두 디스에이블되면 상기 스탠바이 오실레이터 신호만을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.The method according to claim 6,
The pumping control unit
Wherein when the voltage level of the first pumping voltage is lower than the set voltage level and the refresh signal and the first to fourth bank enable signals are enabled, the active oscillator signal and the standby oscillator signal And when the refresh signal, the first bank enable signal, the second bank enable signal, the third bank enable signal, and the fourth bank enable signal are both disabled, only the standby oscillator signal And the semiconductor device. 제 7 항에 있어서,
상기 펌핑부는
상기 스탠바이 오실레이터 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 1 펌핑 전압을 생성하는 스탠바이 펌프, 및
상기 액티브 오실레이터 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 1 펌핑 전압을 생성하는 액티브 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 8. The method of claim 7,
The pumping unit
A standby pump for performing a pumping operation in response to the standby oscillator signal and generating the first pumping voltage through a pumping operation,
And an active pump for performing a pumping operation in response to the active oscillator signal and generating the first pumping voltage through a pumping operation. 제 8 항에 있어서,
상기 스탠바이 펌프는
상기 스탠바이 오실레이터 신호가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 상기 제 1 스탠바이 오실레이터 신호가 특정 레벨로 고정되면 펌핑 동작을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.9. The method of claim 8,
The standby pump
Wherein the pumping operation is performed when the standby oscillator signal periodically transitions, and the pumping operation is not performed when the first standby oscillator signal is fixed to a specific level. 제 8 항에 있어서,
상기 액티브 펌프는
상기 제 1 액티브 오실레이터 신호가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 상기 제 1 액티브 오실레이터 신호가 특정 레벨로 고정되면 펌핑 동작을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.9. The method of claim 8,
The active pump
Wherein the pumping operation is performed when the first active oscillator signal periodically transitions and the pumping operation is not performed when the first active oscillator signal is fixed to a certain level. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 펌핑 전압 생성부는
상기 제 2 펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우 리프레쉬 신호, 제 5 뱅크 인에이블 신호, 제 6 뱅크 인에이블 신호, 제 7 뱅크 인에이블 신호, 및 제 8 뱅크 인에이블 신호에 응답하여 주기적으로 천이하는 액티브 오실레이터 신호 및 스탠바이 오실레이터 신호를 생성하거나 상기 액티브 오실레이터 신호를 특정 레벨로 고정시키고 상기 스탠바이 오실레이터 신호만을 주기적으로 천이하는 신호로 생성하는 펌핑 제어부, 및
상기 스탠바이 오실레이터 신호 및 상기 액티브 오실레이터 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작에 의해 상기 제 2 펌핑 전압을 생성하는 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.6. The method of claim 5,
The second pumping voltage generator
A fifth bank enable signal, a seventh bank enable signal, and an eighth bank enable signal when the voltage level of the second pumping voltage becomes lower than the set voltage level. A pumping controller for generating an active oscillator signal and a standby oscillator signal that transition to the standby oscillator signal, or to generate a signal that periodically transitions only the standby oscillator signal while fixing the active oscillator signal to a certain level, and
And a pumping unit that performs a pumping operation in response to the standby oscillator signal and the active oscillator signal and generates the second pumping voltage by a pumping operation. 제 11 항에 있어서,
상기 펌핑 제어부는
상기 제 2 펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 높은 경우, 상기 액티브 오실레이터 신호 및 상기 스탠바이 오실레이터 신호 모두를 특정 레벨로 고정시키고,
상기 제2펌핑 전압의 전압 레벨이 설정된 전압 레벨보다 낮아질 경우, 상기 리프레시쉬 신호, 및 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호 중 하나의 신호라도 인에이블되면 주기적으로 천이하는 상기 액티브 오실레이터 신호 및 상기 스탠바이 오실레이터 신호를 생성하고,
상기 리프레시쉬 신호, 및 상기 제 5 내지 제 8 뱅크 인에이블 신호가 모두 디스에이블되면 상기 액티브 오실레이터 신호를 특정 레벨로 고정시키고 상기 스탠바이 오실레이터 신호만을 주기적으로 천이시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.12. The method of claim 11,
The pumping control unit
If the voltage level of the second pumping voltage is higher than a set voltage level, both the active oscillator signal and the standby oscillator signal are fixed to a certain level,
When the voltage level of the second pumping voltage is lower than the set voltage level, the refresh signal and the fifth to eighth bank enable signals are enabled, the active oscillator signal that periodically transitions, Generates a standby oscillator signal,
And the refresh signal and the fifth to eighth bank enable signals are disabled, the active oscillator signal is fixed to a specific level and only the standby oscillator signal is periodically transited. 제 12 항에 있어서,
상기 펌핑부는
상기 스탠바이 오실레이터 신호가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 2 펌핑 전압을 생성하며, 상기 스탠바이 오실레이터 신호가 특정 레벨로 고정된 신호이면 펌핑 동작을 수행하지 않는 스탠바이 펌프, 및
상기 액티브 오실레이터 신호가 주기적으로 천이하는 신호이면 펌핑 동작을 수행하고, 펌핑 동작을 통해 상기 제 2 펌핑 전압을 생성하며, 상기 액티브 오실레이터 신호가 특정 레벨로 고정된 신호이면 펌핑 동작을 수행하지 않는 액티브 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.13. The method of claim 12,
The pumping unit
A standby pump that performs a pumping operation if the standby oscillator signal periodically transitions and generates the second pumping voltage through a pumping operation and, if the standby oscillator signal is a fixed level signal, , And
An active oscillator circuit that performs a pumping operation if the active oscillator signal periodically transitions, generates the second pumping voltage through a pumping operation, and, if the active oscillator signal is a fixed level signal, The semiconductor device comprising: a semiconductor substrate;
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Patent event code: PA01091R01D

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Patent event date: 20121220

PG1501 Laying open of application
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