KR20140078881A - Touch panel using crystalline ito and amorphous ito - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 결정질 ITO와 비정질 ITO를 사용하여 제조된 터치패널과 그 제조방법에 대한 것이다.The present invention relates to a touch panel manufactured using crystalline ITO and amorphous ITO and a manufacturing method thereof.
최근 휴대용 장치의 발달로 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 게임기, 학습보조장치 및 카메라 등이 널리 사용되고 있다. 이러한 휴대용 장치들의 입력방식은, 기존의 마우스나 키보드 입령방식에서 현재는 터치 입력방식으로 진화하고 있다. 터치 입력방식은 화면을 보면서 직접 화면 위의 아이콘이나 프로그램을 선택하는 것이 가능하기 때문에 사용자로 하여금 직관적인 사용법을 제공할 수 있을 뿐만 아니라 장치의 소형화 및 경량화에도 장점이 있다.Recently, smart phones, tablet computers, game machines, learning aids, and cameras are widely used due to the development of portable devices. The input methods of these portable devices are evolving from the conventional mouse or keyboard entry method to the touch input method. Since the touch input method can directly select an icon or a program on the screen while viewing the screen, the user can not only intuitively use the device, but also has advantages in downsizing and lightening the device.
상기와 같은 터치에 의한 입력을 하기 위한 수단으로서 터치패널이 사용된다. 이러한 터치패널의 종류는 입력방식 또는 인식방식에 따라 구별될 수 있는데, 예를 들어, 저항막 방식(Resistive Type), 정전용량방식(Capacitive Type), 전기자기장방식(Electro-Magnetic Type), 소오방식(SAW Type; Surface Acoustic Wave Type), 인프라레드 방식(Infrared Type)의 터치패널로 나누어질 수 있다. 이들 중 현재 각광받고 있는 방식은 내구성이 뛰어나고 반응속도가 빠를 뿐만 아니라 멀티터치가 가능한 정전용량방식 터치패널이다.A touch panel is used as a means for inputting by touch as described above. The type of the touch panel may be classified according to the input method or the recognition method. For example, the touch panel may be a resistive type, a capacitive type, an electro-magnetic type, A surface acoustic wave type (SAW type), and an infrared type (touch panel). Of these, the currently popular method is a durable capacitive touch panel that is multi-touch capable as well as being fast and responsive.
정전용량방식 터치패널은 터치 인식을 위해서 기판에 복수의 센서전극을 형성되고 상기 센서전극에 리드선을 연결하여 정전용량 변화를 측정하는 것이다. 상기 정전용량방식 터치패널의 일례로서, 두 종류의 센서전극을 형성하되, 한 종류의 센서전극은 Y축 방향으로 서로 연결하여 센서패턴을 형성하고(제 1 센서패턴), 다른 종류의 센서전극은 X축 방향으로 서로 연결하여 센서패턴을 형성하여(제 2 센서패턴), 상기 두 종류의 센서패턴에 포함된 센서전극 사이에 형성되는 정전용량을 측정하여 접촉점의 좌표를 산출하는 방법이 있다. 이러한 정전용량방식의 터치패널을 상호 정전용량방식 터치패널이라고 한다.The capacitance type touch panel has a plurality of sensor electrodes formed on a substrate for touch recognition, and a lead wire is connected to the sensor electrodes to measure capacitance change. As one example of the capacitive touch panel, two kinds of sensor electrodes are formed, and one kind of sensor electrodes are connected to each other in the Y-axis direction to form a sensor pattern (first sensor pattern) (Second sensor pattern) by connecting them in the X-axis direction to measure the capacitance formed between the sensor electrodes included in the two kinds of sensor patterns to calculate the coordinates of the contact points. Such capacitive touch panels are called mutual capacitive touch panels.
이러한 상호 정전용량방식 터치패널은 이층 구조와 단층 구조로 구분될 수 있다. 이층 구조의 상호 정전용량방식 터치패널은 두 종류의 센서패턴이 서로 다른 평면에 배치하므로 두께가 증가하는 문제점이 있다. The mutual capacitance type touch panel can be divided into a two-layer structure and a single-layer structure. The mutual capacitance type touch panel of the two-layer structure has a problem in that the thickness of the two types of sensor patterns is increased because the two types of sensor patterns are disposed on different planes.
반면, 단층 구조의 상호 정전용량방식 터치패널은 두 종류의 센서패턴이 동일한 평면에 배치되기 때문에 터치패널의 두께가 증가하지 않을 수 있다. 그런데 상호 정전용량을 발생시키기 위해서는 두 종류의 센서패턴이 교차되는 것이 필요하다. 즉, 상기 단층 구조의 상호 정전용량방식 터치패널에서, 같은 종류의 센서전극들 중 동일방향에 배치된 센서전극들은 브릿지에 의하여 서로 연결되어 센서패턴을 형성하는데, 서로 다른 두 센서패턴들은 상기 브릿지에 의하여 서로 교차된다. 이 때 상기 두 센서패턴은 전기적으로 서로 연결되지 않아야 한다. 이를 위하여 두 센서패턴이 교차되는 브릿지 사이에 절연층을 배치하여 한쪽 브릿지는 절연층 아래로, 다른쪽 브릿지는 절연층 위로 배선되도록 한다. On the other hand, in the mutual capacitance type touch panel having a single layer structure, the thickness of the touch panel may not increase because the two kinds of sensor patterns are disposed on the same plane. However, in order to generate mutual capacitance, it is necessary that two types of sensor patterns intersect. That is, in the mutual capacitance type touch panel of the single layer structure, the sensor electrodes arranged in the same direction among the same kind of sensor electrodes are connected to each other by a bridge to form a sensor pattern, Respectively. At this time, the two sensor patterns should not be electrically connected to each other. To this end, an insulating layer is placed between the bridges where the two sensor patterns intersect so that one bridge is below the insulation layer and the other bridge is over the insulation layer.
상기와 브릿지를 형성하기 위해서는 브릿지를 패터닝해야 한다. 그러데 상기 패터닝 과정에서 먼저 형성된 브릿지나 센서전극이 손상을 받을 수 있다. 따라서, 먼저 형성된 브릿지나 센서전극에 손상이 없이 2차 브릿지를 형성하는 것이 필요하다.In order to form the bridge and the bridge, the bridge must be patterned. However, the bridge or sensor electrode formed in the patterning process may be damaged. Therefore, it is necessary to form the secondary bridge without damaging the formed bridge or sensor electrode.
이에 본 발명에서는, 제 1 브릿지는 결정질 ITO에 의하여 형성하고, 제 2 브릿지는 비정질 ITO에 의하여 형성함으로써, 제 2 브릿지 형성과정에서, 이미 형성되어 있는 제 1 브릿지의 손상을 최소화하고자 한다.Thus, in the present invention, the first bridge is formed by crystalline ITO and the second bridge is formed by amorphous ITO, thereby minimizing the damage of the first bridge already formed in the second bridge formation process.
본 발명의 일례에에서는, 기판; 제 1 방향을 따라 상기 기판상에 형성된 복수개의 제 1 센서패턴; 및 상기 제 1 센서패턴과 이격되어, 상기 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 상기 기판상에 형성된 복수개의 제 2 센서패턴;을 포함하며, 상기 제 1 센서패턴은 복수개의 제 1 센서전극 및 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 상기 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지를 포함하며, 상기 제 2 센서패턴은 복수개의 제 2 센서전극 및 상기 제 2 방향을 따라 인접하는 상기 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지를 포함하며, 상기 제 1 센서패턴과 상기 제 2 센서패턴은 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지에서 서로 이격되어 교차되며, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지 사이에는 절연층이 형성되어 있으며, 상기 제 1 브릿지는 결정질(crystalline) ITO로 형성되며, 상기 제 2 브릿지는 비정질(amorphous) ITO로 형성되는 터치패널을 제공한다.In one example of the present invention, a substrate; A plurality of first sensor patterns formed on the substrate along a first direction; And a plurality of second sensor patterns spaced apart from the first sensor pattern and formed on the substrate along a second direction intersecting the one direction, wherein the first sensor pattern includes a plurality of first sensor electrodes, And a first bridge connecting the first sensor electrodes adjacent to each other along the first direction, wherein the second sensor pattern includes a plurality of second sensor electrodes and the second sensor electrode adjacent to the second sensor electrode along the second direction, Wherein the first sensor pattern and the second sensor pattern are spaced apart from each other at the first bridge and the second bridge, and between the first bridge and the second bridge, Wherein the first bridge is formed of crystalline ITO, and the second bridge is formed of amorphous ITO.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제 1 센서전극 및 제 2 센서전극은 결정질 ITO에 의하여 형성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first sensor electrode and the second sensor electrode may be formed of crystalline ITO.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 제 1 브릿지는 기판과 절연층 사이에 배치된다. According to an example of the present invention, the first bridge is disposed between the substrate and the insulating layer.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 2 브릿지상에는 반사방지층이 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, an antireflection layer may be formed on the two bridges.
본 발명의 일례에서는, 결정질 ITO를 이용하여 기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 패터닝하는 단계; 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층이 형성된 기판 상에 비정질 ITO를 도포하는 단계; 상기 비정질 ITO를 식각하여 제 2 브릿지를 형성하는 단계;를 포함하는 터치패널의 제조방법을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: patterning a first sensor electrode, a first bridge and a second sensor electrode on a substrate using crystalline ITO; Forming an insulating layer on the first bridge; Applying amorphous ITO on the substrate on which the insulating layer is formed; And etching the amorphous ITO to form a second bridge.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 비정질 ITO를 도포하는 단계 후에, 상기 비정질 ITO상에 반사방지층 형성용 물질을 도포하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계에서는, 상기 비정질 ITO와 상기 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하여 제 2 브릿지 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: applying amorphous ITO on a substrate on which the insulating layer is formed, and then applying a material for forming an antireflection layer on the amorphous ITO; , The amorphous ITO and the anti-reflection layer forming material may be simultaneously etched to form an anti-reflection layer on the second bridge and the second bridge.
본 발명에 의한 터치패널에서는 제 1 브릿지는 결정질 ITO에 의하여 형성하고, 제 2 브릿지는 비정질 ITO에 의하여 형성함으로써, 제 2 브릿지 형성과정에서, 이미 형성되어 있는 제 1 브릿지의 손상을 최소화할 수 있다.In the touch panel according to the present invention, the first bridge is formed by crystalline ITO and the second bridge is formed by amorphous ITO, thereby minimizing the damage of the first bridge already formed in the second bridge formation process .
도 1은 본 발명의 일례에 따른 터치패널의 간략 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 A 부분에 대한 평면도로서, 브릿지 부분에 대한 부분 확대도이다.
도 3은 도 2에서 I-I'를 따라 절단한 부분 단면도이다.
도 4는 도 2에서 II-II'를 따라 절단한 부분 단면도이다.
도 5은 본 발명의 다른 일례에 따른 터치패널의 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일례에 따른 터치패널의 부분 단면도이다.
도 7a 내지 7e는 본 발명의 다른 일례에 따른 터치패널의 제조방법을 단계적으로 보여주는 도면이다.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 다른 일례에 따른 터치패널의 제조방법을 보여주는 도면이다.1 is a simplified plan view of a touch panel according to an example of the present invention.
Fig. 2 is a plan view of the portion A shown in Fig. 1, and is a partial enlarged view of the bridge portion. Fig.
3 is a partial cross-sectional view taken along line I-I 'in Fig.
4 is a partial cross-sectional view taken along line II-II 'in FIG.
5 is a partial cross-sectional view of a touch panel according to another example of the present invention.
6 is a partial cross-sectional view of a touch panel according to another example of the present invention.
7A to 7E are views showing a step-by-step method of manufacturing a touch panel according to another example of the present invention.
8A to 8C are views illustrating a manufacturing method of a touch panel according to another example of the present invention.
이하, 도면에 개시된 일례들을 중심으로 본 발명은 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기 설명하는 도면이나 예들에 의하여 한정되는 것은 아니다. 도면은 다양한 실시예들 중 본 발명의 설명하기에 적합한 예를 선택하여 표현한 것일 뿐이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the examples disclosed in the drawings. However, the scope of the present invention is not limited by the drawings or examples described below. The drawings are merely illustrative of various embodiments of the present invention which are suitable for describing the present invention.
도면에서는 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 또한, 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 기능을 갖는 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.In order to facilitate understanding, each component and its shape may be drawn or exaggerated in the drawing, and the component in the actual product may not be represented and may be omitted. In addition, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, it should be noted that the constituent elements having the same function have the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. Also, the terms "first "," second ", and the like are used to distinguish one element from another element, and the element is not limited thereto.
또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 '상'에 있다라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.It will also be understood that where a layer or element is described as being on the " top " of another layer or element, it is to be understood that not only is the layer or element disposed in direct contact with the other layer or element, To the case where the third layer is disposed interposed between the first and second layers.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 터치패널의 평면도이다.1 is a plan view of a touch panel according to an example of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 터치패널은, 기판(100), 제 1 방향을 따라 상기 기판(100)상에 형성된 복수개의 제 1 센서패턴(200) 및 상기 제 1 센서패턴(200)과 이격되어 상기 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 상기 기판상에 형성된 복수개의 제 2 센서패턴(300)을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 센서패턴(200)은 복수개의 제 1 센서전극(210) 및 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 상기 제 1 센서전극(210)을 서로 연결하는 제 1 브릿지(220)를 포함하며, 상기 제 2 센서패턴(300)은 복수개의 제 2 센서전극(310) 및 상기 제 2 방향을 따라 인접하는 상기 제 2 센서전극(310)을 서로 연결하는 제 2 브릿지(320)를 포함한다. 한편, 상기 제 1 센서패턴(200)과 상기 제 2 센서패턴(300)은 상기 제 1 브릿지(220)와 상기 제 2 브릿지(320)에서 서로 이격되어 교차되는데, 상기 제 1 브릿지(220)와 상기 제 2 브릿지(320) 사이에는 절연층(500)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제 1 브릿지(220)는 결정형 ITO로 형성되며, 상기 제 2 브릿지(320)는 비정질 ITO로 형성된다.1, a touch panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
상기 도 1에 개시된 일례에서 상기 제 1 방향은 Y축 방향이 되며, 제 2 방향은 X축 방향이 된다. 다른 실시예에서는 상기 제 1 방향과 제 2 방향이 서로 바뀔 수도 있다.In the example shown in FIG. 1, the first direction is the Y axis direction, and the second direction is the X axis direction. In other embodiments, the first direction and the second direction may be interchanged.
상기 기판(100)은 상기 제 1 센서패턴(200) 및 상기 제 2 센서패턴(300)이 형성될 공간을 제공한다. 상기 기판(100)은 투명성과 소정강도 이상의 지지력을 가진다면 그 종류가 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 기판(100)으로서, 예를들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC (Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS; BOPS) 또는 유리 등이 사용될 수 있다.The
상기 제 1 센서패턴(200)은 상기 제 2 센서패턴(300)과 함께 사용자의 터치에 의하여 신호를 발생시켜 터치 좌표를 인식할 수 있도록 하는 역할을 한다. 상기 제 1 센서패턴(200)과 상기 제 2 센서패턴(300)은 기판(100)상에 복수개로 라인형태로 형성될 수 있다. 도 1에서 상기 제 1 센서패턴(200)은 5개 라인, 상기 제 2 센서패턴(300)은 4개 라인으로 형성된 것을 도시하였지만, 이들은 각각 5개 내지 20개 라인 정도로 형성될 수 있으며, 필요에 따라서는 20라인 이상으로 형성될 수도 있다.The
이때, 제 1 센서패턴(200)과 제 2 센서패턴(300)은 서로 교차되도록 형성되는데, 도 1에서는 디들이 서로 수직으로 교차되도록 상기 기판(100)의 일면에 형성된다. 도 1에서 상기 제 1 센서패턴(200)은 Y축 방향으로 평행하게 형성되고, 상기 제 2 센서패턴(300)은 X축 방향으로 평행하게 형성된다. 다른 실시예에서는 상기 제 1 센서패턴(200)이 X축 방향으로 평형하게 형성되고, 제 2 센서패턴(300)이 Y축 방향으로 평행하게 형성될 수도 있음은 물론이다.In this case, the
상기 제 1 센서패턴(200)은 복수개의 제 1 센서전극(210)과 상기 제 1 센서들을 서로 연결하는 제 1 브릿지(220)로 구성된다. 여기서, 상기 제 1 센서전극(210)는 사용자의 터치를 감지하는 역할을 한다. 상기 제1 센서전극(210)의 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 도 1 및 도 2에서는 마름모 형태를 갖는 것을 예시하고 있지만, 상기 제1 센서전극(210)은 직사각형, 팔각형 또는 원형으로 형성될 수도 있다.The
상기 제 1 센서전극(210)은 투명도전성산화물(Transparent conductive oxide; TCO)에 의하여 형성될 수 있다. 이러한 TCO로서, ITO, IZO, AZO 등이 있으며, 그 중에서 ITO(Indium Thin Oxide)를 사용할 수 있다. 상기와 같은 TCO 뿐만 아니라 유연성이 뛰어나고 코팅 공정이 단순한 전도성 고분자를 이용하여 상기 제 1 센서전극을 형성할 수도 있다. The
본 발명의 일례에서는 상기 제 1 센서전극(210)은 결정질 ITO로 형성된다. In one embodiment of the present invention, the
상기 제 1 브릿지(220)는 제 2 센서패턴(300)의 제 2 브릿지(320)와 교차하는 지점에 형성되어, 인접하는 제 1 센서전극(210)를 Y축 방향으로 연결하는 역할을 한다. 본 발명의 일례에서는 상기 제 1 브릿지(220)는 결정질 ITO로 형성된다.The
상기 제 1 센서전극(210)과 상기 제 1 브릿지(220)는 동일한 재료를 이용하여 형성될 수 있는데, 상기 제 1 센서전극(210)과 상기 제 1 브릿지(220)는 동시에 패턴화될 수 있다. The
상기 제 2 센서패턴(300)은 전술한 바와 같이 상기 제 1 센서패턴(200)과 함께 사용자의 터치에 의하여 신호를 발생하는 역할을 하는데, 도 1에서는 상기 제 1 센서패턴(200)과 수직인 X축 방향으로 기판(100)의 일면에 형성된다. The
상기 제 2 센서패턴(300)은 복수개의 제 2 센서전극(310)와 제 2 브릿지(320)를 포함한다. 여기서, 상기 제 2 센서전극(310)은 사용자의 터치를 감지한다. 상기 제 2 센서전극(310) 역시 상기 제 1 센서전극(210)와 마찬가지로 마름모(도 1 및 도 2 참조), 직사각형, 팔각형 또는 원형으로 형성할 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 제 2 센서전극(310) 역시 상기 제 1 센서전극(210)과 마찬가지로 ITO를 포함하는 TCO 또는 전도성 고분자 등에 의하여 형성될 수 있다.Like the
본 발명의 일례에서는 상기 제 2 센서전극(310)은 결정질 ITO로 형성된다.In one embodiment of the present invention, the
상기 제 2 센서전극(310)은 상기 제 1 센서전극(210) 및 상기 제 1 브릿지(220)와 동일한 재료로 형성될 수 있는데, 상기 제 2 센서전극(310)은 상기 제 1 센서전극(210) 및 상기 제 1 브릿지(220)와 동시에 패턴화될 수 있다.The
상기 제 2 브릿지(320)는 상기 제 1 센서패턴(200)의 상기 제 1 브릿지(220)와 교차하는 지점에 형성되어 인접하는 상기 제 2 센서전극(310)을 X축 방향으로 연결한다. 이때, 제 2 브릿지(320)와 제 1 브릿지(220)가 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해서 제 2 브릿지(320)와 제 1 브릿지(220) 사이에는 절연층(500)이 개재된다.The
상기 절연층(500)은 전기를 절열시킬 수 있는 투명성 재료라면 제한없이 사용될 수 있다. 기판(100)의 재료가 상기 절연층(500)의 재료가 될 수도 있다. The insulating
일반적으로 제 1 브릿지(220) 형성 후, 상기 제 1 브릿지(220)를 절연층(500)으로 보호한 후 상기 제 2 브릿지(320)를 형성한다. 상기 제 2 브릿지(320)를 형성하기 위해서는, 제 2 브릿지 형성용 재료를 기판에 도포한 후 이를 패턴화 하는 과정에 필요한데, 상기 제 2 브릿지(320)의 패턴화 과정에서 상기 제 1 브릿지(220)가 손상되는 것을 방지하기 위하여, 상기 제 1 브릿지(220)는 결정질 ITO로 형성하고, 상기 제 2 브릿지(320)는 비정질 ITO로 형성할 수 있다.Generally, after forming the
비정질 ITO의 경우 비교적 온화한 식각 조건에서 패턴형성이 가능한데, 이러한 온화한 식각 조건에서는 결정질 ITO는 손상이 없거나 거의 없게 된다. 따라서, 비정질 ITO의 형성과정에서 결정질 ITO가 손상이 거의 없이 보호된다. 이에, 상기 제 1 브릿지(220)는 결정질 ITO로 형성하고, 상기 제 2 브릿지(320)는 비정질 ITO로 형성함으로써 상기 제 2 브릿지(320)의 패턴화 과정에서 상기 제 1 브릿지(220)를 보호할 수 있다.In the case of amorphous ITO, it is possible to form a pattern under relatively mild etching conditions. In such a mild etching condition, the crystalline ITO has no or little damage. Thus, during the formation of amorphous ITO, crystalline ITO is protected with little damage. The
도 2는 도 1에서 A부분을 확대한 부분 확대도인데, A 부분에 포함된 구성요소 중 센서전극(210, 310) 및 중심부에 배치된 브릿지 부분(220, 320)을 중심으로 표현하였다. 도 2에서 보는 바와 같이, 상기 브릿지에서는, 기판(100), 제 1 브릿지(220), 절연층(500), 제 2 브릿지(320)가 순서대로 적층되어 있음을 알 수 있다. FIG. 2 is a partially enlarged view of the portion A in FIG. 1, in which the
상기 브릿지의 구조를 보다 상세하게 설명하기 위하여 도 3에서는 도 2의 I-I'를 따라 절단한 단면의 주요부를 표시하고 있다. 도 3에서 보면, 기판(100)상에 제 1 브릿지(220)가 배치되어 있고, 상기 제 1 브릿지(220)를 덮도록 절연층(500)이 배치되어 있으며, 상기 절연층(500)상에 제 2 브릿지(320)가 형성되어 있다. 상기 도면에서 보는 바와 같이 상기 제 2 브릿지(320)는 서로 이격되어 있는 두 개의 제 2 센서전극(310)을 연결하기 위하여 브릿지 형태로 구성되어 있다.In order to explain the structure of the bridge in more detail, FIG. 3 shows a main part of a section cut along the line I-I 'in FIG. 3, a
상기 도면에서 보는 바와 같이 상기 제 1 브릿지(220)는 기판(100)과 절연층(500) 사이에 배치되어 있음을 알 수 있다. 또한 상기 제 2 브릿지(320)는 절연층(500)을 중심으로 기판(100)의 반대쪽에 배치되어 있다.As shown in the drawing, the
상기 제1 센서패턴(200)과 제 2 센서패턴(300)의 일단에는 제1 센서패턴(200)과 제2 센서패턴(300)으로부터 전기적 신호를 전달받는 리드선(410, 420)이 형성된다. 구체적으로, 도 1에서 보면, 상기 제 1 센서패턴(200)의 일단에서 각각 연장된 리드선들(411, 412, 413, 414, 415)은 각각 기판의 하부로 연장되어 말단에는 접속단자가 형성되어 있다. 또한 상기 제 2 센서패턴(300)의 일단에서 각각 연장된 리드선들(421, 422, 423, 424)은 기판의 측면으로 인출되어 기판의 하부로 연장되어 말단에는 접속단자가 형성되어 있다. Lead
상기 리드선(410, 420)은 실크스크린법, 그라비아인쇄법 또는 잉크젯인쇄법 등을 이용하여 인쇄할 수 있다. 또한, 리드선(410, 420)의 재료로는 전기 전도도가 뛰어난 은 페이스트(Ag paste) 또는 유기은으로 조성된 물질을 사용할 수 있다. 상기 리드선(410, 420)의 재료는 이에 한정되는 것은 아니고 전도성 고분자, 카본블랙, TCO, 금속류 또는 저저항 금속을 사용할 수 있다.The
도 1에서 상기 리드선은 제 1 센서패턴(200)과 제 2 센서패턴(300)의 일단에 연결되었지만 이는 예시적인 것으로, 터치패널의 방식에 따라 제 1 센서패턴(200)과 제 2 센서패턴(300)의 양단에 연결될 수도 있음은 물론이다.1, the lead wire is connected to one end of the
본 발명의 일례에서는 터치패널의 시인성을 높이기 위하여 상기 제 2 브릿지(320) 상에 반사방지층(600)을 형성할 수 있다(도 5 및 도 6). 도 5는 상기 도 3에서 제 2 브릿지(320) 상에 반사방지층(600)이 형성된 것을 표현한 것이며, 도 6은 상기 도 4에서 제 2 브릿지(320) 상에 반사방지층(600)이 형성된 것을 표현한 것이다. In one example of the present invention, an
한편, 상기 반사방지층(600)은 저굴절층 및 고굴절층을 포함할 수 있다. 상기 저굴절층과 상기 고굴절층은 서로 한층씩 교차되어 2 내지 5층으로 형성될 수 있다. 상기 저굴절층은 MgF2, NaF, SiO2 및 CaF2 중 어느 하나를 포함하는 재료에 의하여 형성될 수 있다. 또한 상기 고굴절층은 CeF3, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함하는 재료에 의하여 형성될 수 있다.The
이하 본 발명의 일례에 따른 터치패널의 제조방법을 설명한다. 상기 터치패널의 제조방법은 도면을 참고하여 단계적으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a touch panel according to an example of the present invention will be described. The manufacturing method of the touch panel will be described step by step with reference to the drawings.
먼저, 결정질 ITO를 이용하여 기판(100) 상에 제 1 센서전극(210), 제 1 브릿지(220) 및 제 2 센서전극(310)을 패터닝한다(도 7a). 예컨대, 상기 기판(100)상의 전면에 결정질 ITO를 도포한 후, 상에 제 1 센서전극(210), 제 1 브릿지(220) 및 제 2 센서전극(310)의 형상이 되도록 상기 결정질 ITO를 패터닝함으로써 상기 제 1 센서전극(210), 제 1 브릿지(220) 및 제 2 센서전극(310)을 패터닝할 수 있다. First, the
이어서, 상기 제 1 브릿지(220) 상에 절연층(500)을 형성한다(도 7b). 상기 절연층을 형성하는 방법의 일례로, 제 1 센서전극(210), 제 1 브릿지(220) 및 제 2 센서전극(310)이 형성된 기판의 전면에 절연층 재료를 도포한 후, 상기 절연층을 패터닝하여 절연층이 상기 제 1 브릿지(220)를 완전히 덮고 다른 부분은 노출되도록 할 수 있다.Next, an insulating
상기 절연층(500)이 형성된 기판 상에 비정질 ITO(321)를 도포한다(도 7c). 상기 비정질 ITO는 기판 전면에 도포할 수 있다.
상기 비정질 ITO(321)를 식각하여 제 2 브릿지(320)를 형성한다. 구체적으로, 상기 비정질 ITO를 식각하기 전에 상기 기판상의 전면에 도포된 비정질 ITO(321)에 대하여 선택적으로 노광을 하고(도 7d), 현상 및 식각을 하여 제 2 브릿지(320) 패턴을 형성한다(도 7e). 상기 노광 과정에서는 마스크(701)을 사용할 수 있다.The
상기에 보는 바와 같이, 먼저 제 1 브릿지(220) 형성 후, 상기 제 1 브릿지(220)를 절연층(500)으로 보호한 후 상기 제 2 브릿지(320)를 형성한다. 상기 제 2 브릿지(320)를 형성하기 위해서는, 제 2 브릿지 형성용 재료인 비정질 ITO를 기판에 도포한 후 식각에 의하여 제 2 브짓지 형상으로 패턴화한다, 상기 제 2 브릿지(320)를 형성하기 위한 식각 과정에서 상기 제 1 브릿지(220)가 손상되는 것을 방지하기 위하여, 상기 제 1 브릿지(220)는 결정질 ITO로 형성하고, 상기 제 2 브릿지(320)는 비정질 ITO로 형성한다.As described above, after forming the
비정질 ITO의 경우 비교적 온화한 식각 조건에서 패턴형성이 가능한데, 이러한 온화한 식각 조건에서는 결정질 ITO는 거의 손상되지 않는다. 따라서, 비정질 ITO의 식각과정에서 결정질 ITO가 보호될 수 있다. 따라서, 상기 제 1 브릿지(220)는 결정질 ITO로 형성하고, 상기 제 2 브릿지(320)는 비정질 ITO로 형성함으로써 상기 제 2 브릿지(320)의 식각 과정에서 상기 제 1 브릿지(220)를 보호할 수 있다.In the case of amorphous ITO, pattern formation is possible under relatively mild etching conditions. In such mild etching conditions, crystalline ITO is hardly damaged. Thus, crystalline ITO can be protected during the etching process of amorphous ITO. Accordingly, the
본 발명의 다른 일례에 따르면, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 비정질 ITO를 도포하는 단계(도 7c) 후에, 상기 비정질 ITO(321)상에 반사방지층 형성용 물질(601)을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다(도 8a).According to another embodiment of the present invention, the step of applying the amorphous ITO on the substrate on which the insulating layer is formed (FIG. 7C), the step of applying the anti-reflection
상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계에서는, 상기 비정질 ITO(321)와 상기 반사방지층 형성용 물질(601)을 동시에 식각하여, 제 2 브릿지(320) 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층(600)을 동시에 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 비정질 ITO(321)와 상기 반사방지층 형성용 물질(601)을 식각하기 전에, 상기 상기 비정질 ITO(321)와 상기 반사방지층 형성용 물질(601)에 대하여 선택적으로 노광을 하고(도 8b), 현상 및 식각을 하여 제 2 브릿지(320) 패턴 및 반사방지층(600)을 동시에 형성한다(도 8c). 상기 노광 과정에서는 마스크(702)을 사용할 수 있다.In forming the second bridge, the
여기서, 상기 반사방지층 형성용 물질을 도포하는 단계는, 저굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 고굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 저굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 고굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시할 수 있다. 상기 저굴절층 형성용 물질은 MgF2, NaF, SiO2 및 CaF2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 고굴절층 형성용 물질은 CeF3, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함할 수 있다.Here, the step of applying the antireflection layer forming material may include a step of applying the substance for forming the low refractive index layer all over and a step of applying the substance for forming the high refractive index layer all over. The step of applying the substance for forming the low refractive index layer all over and the step of applying the substance for forming a high refractive index layer may be performed two to five times, respectively. The material for forming the low refractive index layer may include any one of MgF 2 , NaF, SiO 2, and CaF 2 . In addition, the material for forming the high-refractive-index layer may include any one of CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2, and Nb 2 O x .
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 터치패널은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다. 본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. It will be apparent that modifications and improvements can be made by those skilled in the art. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
100: 기판 200: 제1 센서패턴
210: 제1 센서전극 220: 제 1 브릿지
221, 222: 제 1 연결패턴 300: 제2 센서패턴
310: 제2 센서전극 320: 제 2 브릿지
410, 420: 리드선 500: 절연층100: substrate 200: first sensor pattern
210: first sensor electrode 220: first bridge
221, 222: first connection pattern 300: second sensor pattern
310: second sensor electrode 320: second bridge
410, 420: lead wire 500: insulating layer
Claims (6)
제 1 방향을 따라 상기 기판상에 형성된 복수개의 제 1 센서패턴; 및
상기 제 1 센서패턴과 이격되어, 상기 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 상기 기판상에 형성된 복수개의 제 2 센서패턴;을 포함하며,
상기 제 1 센서패턴은 복수개의 제 1 센서전극 및 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 상기 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지를 포함하며,
상기 제 2 센서패턴은 복수개의 제 2 센서전극 및 상기 제 2 방향을 따라 인접하는 상기 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지를 포함하며,
상기 제 1 센서패턴과 상기 제 2 센서패턴은 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지에서 서로 이격되어 교차되며,
상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지 사이에는 절연층이 형성되어 있으며,
상기 제 1 브릿지는 결정질(crystalline) ITO로 형성되며, 상기 제 2 브릿지는 비정질(amorphous) ITO로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널.Board;
A plurality of first sensor patterns formed on the substrate along a first direction; And
And a plurality of second sensor patterns spaced apart from the first sensor pattern and formed on the substrate along a second direction intersecting the one direction,
Wherein the first sensor pattern includes a first bridge connecting the plurality of first sensor electrodes and the first sensor electrodes adjacent to each other along the first direction,
Wherein the second sensor pattern includes a plurality of second sensor electrodes and a second bridge connecting the second sensor electrodes adjacent to each other along the second direction,
Wherein the first sensor pattern and the second sensor pattern are spaced apart from each other at the first bridge and the second bridge,
An insulating layer is formed between the first bridge and the second bridge,
Wherein the first bridge is formed of crystalline ITO and the second bridge is formed of amorphous ITO.
상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층이 형성된 기판 상에 비정질 ITO를 도포하는 단계;
상기 비정질 ITO를 식각하여 제 2 브릿지를 형성하는 단계;
를 포함하는 터치패널의 제조방법.Patterning the first sensor electrode, the first bridge and the second sensor electrode on the substrate using crystalline ITO;
Forming an insulating layer on the first bridge;
Applying amorphous ITO on the substrate on which the insulating layer is formed;
Etching the amorphous ITO to form a second bridge;
The method comprising the steps of:
상기 절연층이 형성된 기판 상에 비정질 ITO를 도포하는 단계 후에, 상기 비정질 ITO상에 반사방지층 형성용 물질을 도포하는 단계를 더 포함하며,
상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계에서는, 상기 비정질 ITO와 상기 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하여 제 2 브릿지 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 제조방법.6. The method of claim 5,
Further comprising the step of applying a material for forming an antireflection layer on the amorphous ITO after the step of applying amorphous ITO on the substrate on which the insulating layer is formed,
Wherein the step of forming the second bridge simultaneously etches the amorphous ITO and the anti-reflection layer forming material to form an antireflection layer on the second bridge and the second bridge.
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EP3525073A4 (en) * | 2016-10-06 | 2020-06-03 | Alps Alpine Co., Ltd. | Capacitance sensor |
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2012
- 2012-12-18 KR KR1020120148126A patent/KR20140078881A/en not_active Application Discontinuation
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