KR20140077593A - Method for manufacturing organic device and organic device manufactured by using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention provide a method for manufacturing an organic device capable of improving efficiency of an organic device by forming a stable multi-layered thin film structure of of a flat and even surface; and an organic device manufactured using the same. The manufacturing method comprises a step of forming a thin film layer on the substrate by coating the substrate with a coating solution while transferring the substrate in a roll-to-roll method.

Description

유기소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기소자{METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC DEVICE AND ORGANIC DEVICE MANUFACTURED BY USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an organic device,

본 발명은 유기소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기소자에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic device and an organic device manufactured using the same.

유기소자란 유기 태양 전지, 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 등과 같이 전하수송성 유기화합물을 사용하며, 일반적으로 다층 박막 구조를 갖는 장치이다. 유기화합물은 디자인이 가능하고, 다양하게 합성하는 것이 가능하기 때문에, 이를 이용한 유기소자는 무한한 발전의 가능성을 가지고 있다. An organic device is a device using a charge-transporting organic compound such as an organic solar cell, an organic electroluminescent device, and an organic field effect transistor, and generally has a multilayer thin film structure. Since organic compounds can be designed and synthesized in a variety of ways, the organic devices using the organic compounds have unlimited potential for development.

다층 박막 구조를 갖는 유기 소자는 슬롯다이 코팅, 스프레이코팅, 스핀코팅, 그라비어 코팅 등 다양한 코팅법을 이용하여 제조할 수 있으며, 이중에서도 롤투롤(roll-to-roll) 방식의 슬롯다이 코팅법이 주로 이용된다. 그러나, 슬롯다이 코팅을 통하여 다층 박막 구조를 형성할 경우, 먼저 형성된 박막의 표면에너지와 나중에 코팅할 코팅액의 표면장력 관계에 의하여 퍼짐성과 젖음성이 좋지 않고, 그 결과로 평평하고 고른 표면의 박막을 얻기 어렵다는 문제가 있다. 또한 롤투롤 공정을 여러 번 거치게 되면 웨브(web) 표면에 오염이 발생할 가능성이 높고, 또한 발생된 오염은 코팅액의 표면장력 불균형을 초래하여 박막 표면에 결함이 발생시키게 된다.The organic device having a multilayer thin film structure can be manufactured by various coating methods such as slot die coating, spray coating, spin coating, and gravure coating, and a roll-to-roll slot die coating method It is mainly used. However, when the multi-layer thin film structure is formed through the slot die coating, spreadability and wettability are not good due to the surface energy of the thin film formed first and the surface tension of the coating liquid to be coated later. As a result, There is a problem that it is difficult. Also, if the roll-to-roll process is repeated several times, there is a high possibility that the surface of the web is contaminated. Also, the contamination caused by the roll-to-roll process causes imbalance of the surface tension of the coating liquid and causes defects on the surface of the thin film.

이 같은 슬롯다이 코팅시의 문제점을 해결하기 위해 다양한 기술들이 연구 개발 되었다. 구체적으로 한국특허공개 제2008-0020283호에는 하나의 슬롯 다이에서 여러 개의 슬롯을 통해 다수의 코팅액을 토출하는 방식이 개시되어 있다. 그러나 이 방법은 사용가능한 용매의 종류가 제한되는 문제점이 있다. 또한 한국특허공개 제2010-0062742호에는 한가지 물질을 먼저 코팅한 다음, 다른 물질을 코팅하는 방법으로 이질적인 물질을 다층코팅하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 상기 방법의 경우 물질 상호간의 성질로 인하여 퍼짐성과 젖음성이 나빠 코팅 공정이 원활하게 진행되지 않는 문제점이 있었다.Various techniques have been researched and developed to solve such problems in slot die coating. Specifically, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2008-0020283 discloses a method of discharging a plurality of coating liquids through a plurality of slots in one slot die. However, this method has a problem that the kinds of usable solvents are limited. Korean Patent Laid-Open Publication No. 2010-0062742 discloses a method in which one material is first coated, and then another material is coated, thereby coating a plurality of layers of a heterogeneous material. However, in the case of the above method, the spreadability and the wettability are poor due to the mutual properties of the materials, so that the coating process can not proceed smoothly.

한국특허공개 제 2008-0020283호(공개일: 2008년 3월 5일)Korean Patent Publication No. 2008-0020283 (published on March 5, 2008) 한국특허공개 제 2010-0062742호(공개일: 2010년 6월 10일)Korean Patent Publication No. 2010-0062742 (Published on June 10, 2010)

Solar Energy Materials & Solar Cells 98(2012) 118-123 Solar Energy Materials & Solar Cells 98 (2012) 118-123 Solar Energy Materials & Solar Cells 95(2011) 731-734 Solar Energy Materials & Solar Cells 95 (2011) 731-734

본 발명의 목적은 평평하고 고른 표면의 안정적인 다층 박막 구조 형성을 통해 유기소자의 효율을 향상시킬 수 있는 유기소자의 제조방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic device capable of improving the efficiency of an organic device by forming a stable multilayer thin film structure of a flat and even surface.

본 발명의 다른 목적은 상기 제조방법에 의하여 제조된 유기소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic device manufactured by the above manufacturing method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 박막층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 코팅 용액은 불소계 첨가제를 포함하는 것인 유기소자의 제조방법을 제공한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of forming a thin film on a substrate, the method comprising: coating a coating solution while transferring the substrate in a roll-to-roll manner to form a thin film layer on the substrate; The organic semiconductor layer being formed on the substrate.

상기 불소계 첨가제는, 불소계 고분자의 양 말단 중 적어도 하나의 말단이 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 알킬아미드기, 알코올기, 우레탄기, 실록산기, 인산기, 폴리에테르기, 음이온성 작용기, 양이온성 작용기, 비이온성 작용기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 작용기로 치환된 것일 수 있다.The fluorine-based additive preferably has at least one terminal of the fluorine-containing polymer with at least one terminal of the fluorine-containing polymer is a carboxyl group, an ester group, an amide group, an alkylamide group, an alcohol group, a urethane group, a siloxane group, a phosphoric acid group, a polyether group, , A nonionic functional group, and combinations thereof.

상기 불소계 고분자는 퍼플루오로폴리에테르, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리비닐플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리-1,2-디플루오로에틸렌 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.Wherein the fluorine-based polymer is at least one selected from the group consisting of perfluoropolyether, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, polychlorotrifluoroethylene, polytetrafluoroethylene, poly-1,2-difluoroethylene, It can be chosen from the group.

바람직하게는 상기 불소계 첨가제는 하기 화학식 1 또는 2의 화합물일 수 있다:Preferably, the fluorine-based additive may be a compound of the following formula 1 or 2:

[화학식 1][Chemical Formula 1]

X1-CF2O-(CF2-CF2-O)p-(CF2O)q-OCF2-X2 X 1 -CF 2 O- (CF 2 -CF 2 -O) p- (CF 2 O) q-OCF 2 -X 2

[화학식 2](2)

X3-CF2O-(CF2-O-CF2-CF2-O)r-CF2-X4 X 3 -CF 2 O- (CF 2 -O-CF 2 -CF 2 -O) r-CF 2 -X 4

상기 식에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 알킬아미드기, 알코올기, 우레탄기, 실록산기, 인산기, 폴리에테르기, 음이온성 작용기, 양이온성 작용기, 비이온성 작용기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며, p/q의 비는 1 내지 4의 정수이고 그리고 r은 1 이상의 정수이다.X 1 to X 4 each independently represent a functional group selected from the group consisting of a carboxyl group, an ester group, an amide group, an alkylamide group, an alcohol group, a urethane group, a siloxane group, a phosphoric acid group, a polyether group, an anionic functional group, a cationic functional group, And a combination thereof. The ratio of p / q is an integer of 1 to 4, and r is an integer of 1 or more.

바람직하게는 상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 -COOH, -COOR, -CONH2, -CONHR, -ROH, -R(OR')xOH, -NHCOOR, (-NHRSi(OR')3, HO(P=O)(OH)O-, -RO(P=O)(OH)2, -O(R-O)x-, COONR3H+, NR3H+COCH3O- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것이며, 이때 상기 R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, x는 1 이상의 정수이다. 보다 바람직하게는 상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 -COOH, -COOCH2CH3, -CONHC18H37, -CH2OH, -CH2(OCH2CH2)OH, -CH2OCH2CH(OH)CH2OH, -CH2O(P=O)(OH)2, 및 NR3H+COCH3O-로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.Preferably, X 1 to X 4 each independently represent -COOH, -COOR, -CONH 2 , -CONHR, -ROH, -R (OR ') x OH, -NHCOOR, (-NHRSi (OR') 3 , HO (P = O) (OH ) O-, -RO (P = O) (OH) 2, -O (RO) x -, COONR 3 H +, NR 3 H + COCH 3 O- , and a combination thereof Wherein R and R 'are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and x is an integer of 1 or more. More preferably, X 1 to X 4 each independently represent -COOH, -COOCH 2 CH 3, -CONHC 18 H 37 , -CH 2 OH, -CH 2 (OCH 2 CH 2) OH, -CH 2 OCH 2 CH (OH) CH 2 OH, -CH 2 O (P = O) (OH ) 2 , and NR 3 H + COCH 3 O-.

상기 불소계 첨가제는 겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 1,000 내지 2,000g/mol인 불소계 고분자일 수 있다.The fluorine-based additive may be a fluorine-based polymer having a polystyrene reduced weight average molecular weight of 1,000 to 2,000 g / mol by gel permeation chromatography.

상기 불소계 첨가제는 중량평균 분자량과 수평균 분자량의 비(Mw/Mn)가 1 내지 4일 수 있다.The fluorine-based additive may have a ratio (Mw / Mn) of the weight-average molecular weight to the number-average molecular weight of 1 to 4.

상기 불소계 첨가제는 코팅용액 총 중량에 대하여 0.001 내지 5중량%로 포함될 수 있다.The fluorine-based additive may be included in an amount of 0.001 to 5% by weight based on the total weight of the coating solution.

바람직하게는 상기 박막층을 형성하는 단계는 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 코팅 용액을 슬롯 다이 코팅하여 상기 기재 위에 박막층을 형성하여 실시될 수 있다.Preferably, the step of forming the thin film layer may be carried out by forming a thin film layer on the substrate by slot-coating the coating solution while transferring the substrate in a roll-to-roll manner.

상기 박막층을 형성하는 단계는 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 투명 전도성 박막층 형성용 물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 투명 전도성 박막층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the thin film layer may be a step of forming a transparent conductive thin film layer on the substrate by coating a coating solution containing a substance for forming a transparent conductive thin film layer, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate by a roll-to-roll method.

상기 투명 전도성 박막층 형성용 물질은 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 전도성 고분자, 그라펜(graphene), 그라펜 산화물(graphene oxide), 탄소나노튜브, 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.The transparent conductive thin film material for forming a tin-doped indium oxide (ITO: tin-doped indium oxide ), fluorine-doped tin oxide (FTO: fluorine-doped tin oxide ), ZnO-Ga 2 O 3, ZnO-Al 2 O 3, SnO 2 -Sb 2 O 3 , a conductive polymer, graphene, graphene oxide, carbon nanotubes, precursors thereof, and mixtures thereof.

상기 박막층을 형성하는 단계는 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 금속산화물 박막층 형성용 물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 금속산화물 박막층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the thin film layer may be a step of forming a metal oxide thin film layer on the substrate by coating a coating solution containing a metal oxide thin film layer forming material, a fluorine based additive and a solvent while transferring the substrate by a roll-to-roll method.

상기 금속산화물 박막층 형성용 물질은 금속 클로라이드(chloride), 금속 아세테이트(acetate), 금속 시트레이트(citrate), 금속 (메트)아크릴레이트((meth)acrylate), 금속 브로마이드(bromide), 금속 시아나이드(cyanide), 금속 포스페이트(phosphate), 금속 술페이트(sulfate), 금속 술파이드(sulfide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 금속산화물 전구체 또는 이로부터 제조된 금속산화물 입자일 수 있으며, 상기 금속은 Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.The metal oxide thin film layer forming material may be at least one selected from the group consisting of metal chloride, metal acetate, metal citrate, metal (meth) acrylate, metal bromide, metal cyanide the metal oxide precursor may be a metal oxide precursor selected from the group consisting of cyanide, cyanide, metal phosphate, metal sulfate, metal sulfide and mixtures thereof, or metal oxide particles prepared therefrom, And is selected from the group consisting of Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, .

상기 박막층을 형성하는 단계는 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 전자수용체, 정공수용체, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 광활성층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the thin film layer may be a step of forming a photoactive layer on the substrate by coating a coating solution containing an electron acceptor, a hole receptor, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate by a roll-to-roll method.

상기 전자수용체는 (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester; C70-PCBM], (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], 탄소나노튜브, 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 정공수용체는 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene, P3OT], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene, PPV], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9'-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV], 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV], 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The electron acceptor (6,6) -phenyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6) - phenyl -C 71 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 71 -butyric acid methyl ester; C 70 -PCBM], (6,6) - thienyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -thienyl-C 61 -butyric acid methyl ester; ThCBM], carbon nanotubes, precursors thereof, and mixtures thereof, and the hole acceptor is any one selected from the group consisting of poly-3-hexylthiophene (P3HT), poly- Poly-3-octylthiophene (P3OT), poly-p-phenylenevinylene (PPV), poly (9,9'-dioctylfluorene) (2-methoxy, 5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene, MEH- PPV], poly (2-methyl, 5- (3 ', 7'-dimethyloctyloxy) ) -1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV], precursors thereof, and mixtures thereof.

상기 박막층을 형성하는 단계는 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 정공전달물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 정공전달층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the thin film layer may include a step of forming a hole transporting layer on the substrate by coating a coating solution containing a hole transporting material, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate by a roll-to-roll method.

상기 정공전달물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(스티렌설포네이트)(PSS), 폴리아닐린, 프탈로시아닌, 펜타센, 폴리디페닐 아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, 구리 프탈로시아닌(Cu-PC) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(t-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌, 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.The hole transport material may be at least one selected from the group consisting of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (styrenesulfonate) (PSS), polyaniline, phthalocyanine, pentacene, polydiphenylacetylene, Acetylene, poly (trifluoromethyl) diphenylacetylene, copper phthalocyanine (Cu-PC) poly (bistrifluoromethyl) acetylene, polybis (t- butyldiphenyl) acetylene, poly (trimethylsilyl) diphenylacetylene, There can be mentioned, for example, polyacetals such as poly (carbazole) diphenylacetylene, polydiacetylene, polyphenylacetylene, polypyridine acetylene, polymethoxyphenylacetylene, polymethylphenylacetylene, poly (t- Methyl) phenylacetylene, poly (trimethylsilyl) phenylacetylene, precursors thereof, and mixtures thereof.

상기 박막층을 형성하는 단계는 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 전극형성물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 전극층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the thin film layer may be a step of forming an electrode layer on the substrate by coating a coating solution containing an electrode-forming material, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate by a roll-to-roll method.

상기 전극층 형성용 물질은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 및 망간(Mn)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 입자; 또는 상기 금속원소를 포함하는 전구체일 수 있다.The electrode layer forming material may be at least one selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Pt, Ti, Al, Ni, Zr, , And manganese (Mn); Or a precursor containing the metal element.

본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 제조방법에 의해 제조된 유기소자를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an organic device manufactured by the above manufacturing method.

바람직하게는 상기 유기소자는 유기 태양 전지일 수 있다. Preferably, the organic device may be an organic solar cell.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other details of the embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

상기 본 발명의 제조방법에 따르면, 기 형성된 박막의 표면에너지에 대한 변화없이, 코팅 용액의 표면장력을 낮출 수 있는 첨가제를 사용하여 다층 코팅 공정에서 평평하고 고른 표면의 안정적인 박막을 형성할 수 있으며, 이를 통해 유기소자의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 상기 제조방법에 의해 공정안정성을 향상시킴으로써 불량률을 크게 낮출 수 있다. According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to form a stable thin film on a flat and even surface in a multilayer coating process by using an additive capable of lowering the surface tension of the coating solution without changing the surface energy of the pre-formed thin film, Thus, the efficiency of the organic device can be improved. Further, by improving the process stability by the above-described manufacturing method, the defective rate can be greatly reduced.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 태양 전지를 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 유기 태양 전지의 제조 공정 중 정공전달층 형성 후 형성된 정공전달층을 현미경으로 관찰한 사진이다(관찰배율 7배).
도 3a는 비교예에 따른 유기 태양 전지의 제조 공정 중 정공전달층 형성 후 형성된 정공전달층의 중심 부분을 현미경으로 관찰한 사진이고(관찰배율 7배), 도 3b는 에지 부분을 현미경으로 관찰한 사진이다(관찰배율 7배).
1 is a perspective view illustrating an organic solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a photograph (observed magnification 7 times) of a hole transport layer formed after the formation of a hole transport layer in a manufacturing process of an organic solar cell according to an embodiment. FIG.
FIG. 3A is a photograph (observed magnification 7 times) of a center portion of a hole transporting layer formed after forming a hole transporting layer in a manufacturing process of an organic solar cell according to a comparative example, and FIG. 3B is a photograph It is a photograph (observation magnification 7 times).

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.

롤투롤 방식의 용액 코팅법, 특히 롤투롤 방식의 슬롯다이를 이용한 다층 박막 형성시, 평평하고 고른 표면의 박막을 형성을 위해서는 기 형성된 박막의 표면에너지를 높이거나 또는 나중에 코팅할 코팅 용액의 표면장력을 낮추는 방법을 고려할 수 있다. 그러나 기 형성된 박막의 표면에너지를 조절하는 방법은 박막의 성질을 변화시킬 위험성이 있다.In the roll-to-roll coating method, particularly when forming a multilayer thin film using a slot die of a roll-to-roll method, the surface energy of the pre-formed thin film is increased or the surface tension Can be considered. However, the method of controlling the surface energy of the preformed thin film has a risk of changing the properties of the thin film.

이에 따라, 본 발명에서는 유기소자의 다층 박막 구조의 형성시 코팅 용액의 표면장력을 낮출 수 있는 불소계 첨가제를 사용함으로써 평평하고 고른 표면의 박막을 안정적으로 형성하고, 이를 통해 유기소자의 효율을 향상시키는 것을 특징으로 한다.Accordingly, in the present invention, by using the fluorine-based additive capable of lowering the surface tension of the coating solution in forming the multilayer thin film structure of the organic device, a flat and uniform thin film can be stably formed, thereby improving the efficiency of the organic device .

즉, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기소자의 제조방법은, 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서 코팅 용액을 코팅하여 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 이때 상기 박막층은 투명 전도성 박막층, 광활성층, 정공전달층, 금속산화물 박막층 및 전극층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있으며, 상기 코팅 용액은 불소계 첨가제와 함께 상기한 박막층 형성용 코팅물질 및 용매를 포함한다. That is, a method of manufacturing an organic device according to an embodiment of the present invention includes forming a thin film layer by coating a coating solution while transferring the substrate by a roll-to-roll method. The thin film layer may be at least one selected from the group consisting of a transparent conductive thin film layer, a photoactive layer, a hole transport layer, a metal oxide thin film layer and an electrode layer. The coating solution may contain at least one of a coating material for forming a thin film layer and a solvent .

상기 불소계 첨가제는 고분자의 양 말단 중 적어도 하나의 말단에 치환된 작용기(functional group)에 의해 수용성을 나타내는 불소계 고분자로서, 분산력에 민감하지 않고, 상기 말단에 치환된 작용기가 다양한 성질의 물질들과 상호작용을 할 수 있으며, 또한 전기음성도가 높은 불소 부분이 코팅용액의 계면에서 분극성을 낮추는 역할을 한다. The fluorine-based additive is a fluorine-based polymer exhibiting water solubility by a functional group substituted on at least one terminal of both ends of the polymer. The fluorine-based additive is not sensitive to the dispersing power, And the fluorine portion having a high electronegativity serves to lower the polarizability at the interface of the coating solution.

코팅 용액에서 표면장력이 불균일하면 코팅 후 박막 표면에서 뭉치는 현상이 발생하게 된다. 특히 기재에 오염물질이 존재할 경우 기재 위에 코팅된 코팅액에 표면장력의 기울기가 발생하게 되고, 그 결과로 크레이터 현상이 일어나게 된다. 이에 대해 상기 불소계 첨가제는 기재 위에 코팅된 코팅 용액의 계면에서 플리팅 쌍극자(fleeting dipole)에 의한 인력을 감소시켜, 즉 분자들끼리 잡아당기는 인력을 약하게 하여 코팅 용액의 표면장력을 감소시키고, 그 결과로 퍼짐성과 젖음성이 개선되어 표면결함 발생이 감소하게 된다. If the surface tension is not uniform in the coating solution, the surface of the thin film after the coating is aggregated. In particular, when contaminants are present on the substrate, a slope of the surface tension is generated in the coating liquid coated on the substrate, and as a result, the crater phenomenon occurs. On the contrary, the fluorine-based additive reduces the attraction force by the fleeting dipole at the interface of the coating solution coated on the substrate, that is, weakens the attracting force between the molecules, thereby reducing the surface tension of the coating solution, The spreadability and wettability are improved and the occurrence of surface defects is reduced.

상기 불소계 고분자는 구체적으로 퍼플루오로폴리에테르(PFPE), 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리비닐플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 폴리-1,2-디플루오로에틸렌 등 일 수 있으며, 바람직하게는 퍼플루오로폴리에테르이다.The fluorine-based polymer specifically includes a perfluoropolyether (PFPE), polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, polychlorotrifluoroethylene, polytetrafluoroethylene or poly-1,2-difluoroethylene And is preferably a perfluoropolyether.

또한 상기 불소계 고분자의 말단에 치환가능한 작용기는 구체적으로 카르복시기(-COOH), 에스테르기(-COOR(이때, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다), 예를 들면 -COOCH2CH3), 아미드기(-CONH2), 알킬아미드기(-CONHR(이때, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다), 예를 들면 -CONHC18H37), 알코올기(-ROH 또는 -R(OR')xOH(이때 R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, x는 1 이상의 정수, 바람직하게는 1 내지 10의 정수이다), 예를 들면 -CH2OH, -CH2(OCH2CH2)OH, -CH2OCH2CH(OH)CH2OH 등), 우레탄기(-NHCOOR(이때, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다), 실록산기(-NHRSi(OR')3(이때, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)), 인산기(예를 들면, HO(P=O)(OH)O-, -RO(P=O)(OH)2(이때, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)), 폴리에테르기(-O(R-O)x-(이때, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, x는 1 이상의 정수, 바람직하게는 1 내지 30의 정수이다), 음이온성(anionic) 작용기(예를 들면 COONR3H+(이때 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)), 양이온성(cationic) 작용기(예를 들면, NR3H+COCH3O-(이때 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)), 비이온성(non-ionic) 작용기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.The functional group substitutable at the terminal of the fluorine-containing polymer specifically includes a carboxyl group (-COOH), an ester group (-COOR wherein R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, -COOCH 2 CH 3 ), an amide group (-CONH 2 ), an alkylamido group (-CONHR wherein R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, such as -CONHC 18 H 37 ), an alcohol group (-ROH or -R (OR ') x OH (Wherein R and R 'are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and x is an integer of 1 or more, preferably an integer of 1 to 10), for example, -CH 2 OH, -CH 2 (OCH 2 CH 2) OH, -CH 2 OCH 2 CH (OH) CH 2 OH and the like), urethane group (-NHCOOR (wherein, R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms), siloxane group (-NHRSi (OR ') 3 (wherein , R and R 'is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, each independently)), phosphate groups (e.g., HO (P = O) (OH) O-, -RO (P = O) (OH) 2 (wherein , R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)), a polyether group (-O (RO) x - (wherein, R is C 1 An alkyl group of paper 10, x is an integer of 1 or more integer, preferably from 1 to 30), anionic (anionic) functional groups (e.g., COONR 3 H + (where R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)), In the group consisting of a cationic functional group (e.g., NR 3 H + COCH 3 O-, where R is an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms), a non-ionic functional group, It can be selected.

바람직하게는 상기 불소계 첨가제는 하기 화학식 1 또는 2의 구조를 갖는 화합물이다:Preferably, the fluorine-based additive is a compound having a structure represented by the following formula (1) or (2):

[화학식 1][Chemical Formula 1]

X1-CF2O-(CF2-CF2-O)p-(CF2O)q-OCF2-X2 X 1 -CF 2 O- (CF 2 -CF 2 -O) p- (CF 2 O) q-OCF 2 -X 2

[화학식 2](2)

X3-CF2O-(CF2-O-CF2-CF2-O)r-CF2-X4 X 3 -CF 2 O- (CF 2 -O-CF 2 -CF 2 -O) r-CF 2 -X 4

상기 식에서 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 상기한 치환기일 수 있으며, p/q의 비는 1 내지 4의 정수이고 그리고 r은 1 이상의 정수이다. In the above formula, X 1 to X 4 each independently may be the above-mentioned substituent, the ratio of p / q is an integer of 1 to 4, and r is an integer of 1 or more.

바람직하게는 상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 -COOH, -COOR, -CONH2, -CONHR, -ROH, -R(OR')xOH, -NHCOOR, (-NHRSi(OR')3, HO(P=O)(OH)O-, -RO(P=O)(OH)2, -O(R-O)x-, COONR3H+, NR3H+COCH3O- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며(상기 R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, x는 1 이상의 정수임), 보다 바람직하게는 상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 -COOH, -COOCH2CH3, -CONHC18H37, -CH2OH, -CH2(OCH2CH2)OH, -CH2OCH2CH(OH)CH2OH, -CH2O(P=O)(OH)2, 및 NR3H+COCH3O- 로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.Preferably, X 1 to X 4 each independently represent -COOH, -COOR, -CONH 2 , -CONHR, -ROH, -R (OR ') x OH, -NHCOOR, (-NHRSi (OR') 3 , HO (P = O) (OH ) O-, -RO (P = O) (OH) 2, -O (RO) x -, COONR 3 H +, NR 3 H + COCH 3 O- , and a combination thereof (Wherein R and R 'are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and x is an integer of 1 or more), more preferably X 1 to X 4 are each independently -COOH, - COOCH 2 CH 3, -CONHC 18 H 37, -CH 2 OH, -CH 2 (OCH 2 CH 2) OH, -CH 2 OCH 2 CH (OH) CH 2 OH, -CH 2 O (P = O) ( OH) 2 , and NR 3 H + COCH 3 O-.

상기 불소계 첨가제는 30 내지 70%의 불소 함량을 갖는 것이 바람직하다. The fluorine-based additive preferably has a fluorine content of 30 to 70%.

또한 상기 불소계 첨가제는 동적점성도(kinematic viscosity, cSt)가 5 내지 20,000cSt인 것이 바람직하다.The fluorine-based additive preferably has a kinematic viscosity (cSt) of 5 to 20,000 cSt.

또한 상기 불소계 첨가제는 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography: GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하 "Mw"라 함)이 1,000 내지 2,000g/mol인 것이 바람직하다. The fluorine-based additive preferably has a weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of 1,000 to 2,000 g / mol.

또한, 상기 불소계 첨가제는 중량평균 분자량과 수평균 분자량의 비(Mw/Mn)가 1 내지 4인 것이 바람직하다.The fluorine-based additive preferably has a weight-average molecular weight to number-average molecular weight ratio (Mw / Mn) of 1 to 4.

상기와 같은 불소계 첨가제는 코팅용액 총 중량에 대하여 0.001 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 불소계 첨가제의 함량이 0.001중량% 미만이면 첨가제 사용에 따른 효과가 미미하고, 5중량%를 초과하면 박막 특성이 떨어질 우려가 있어 바람직하지 않다.The fluorine-based additive may be included in an amount of 0.001 to 5% by weight based on the total weight of the coating solution. If the content of the fluorine-based additive is less than 0.001% by weight, the effect of using the additives is insignificant. If the content is more than 5% by weight, the properties of the thin film may be deteriorated.

또한 상기 코팅물질은 유기소자를 구성하는 각 박막에 포함되는 유기 또는 무기 물질일 수 있다. 구체적으로는 상기 코팅물질은 투명 전도성 박막층 형성용 물질, 광활성층 형성용 물질, 정공전달층 형성용 물질, 금속산화물 박막층 형성용 물질 및 전극층 형성용 물질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 이는 형성하고자 하는 코팅층의 종류에 따라 적절히 선택될 수 있다.The coating material may be an organic or inorganic material included in each thin film constituting the organic device. Specifically, the coating material may be any one selected from the group consisting of a material for forming a transparent conductive thin film layer, a material for forming a photoactive layer, a material for forming a hole transporting layer, a material for forming a metal oxide thin film layer, This can be appropriately selected depending on the kind of the coating layer to be formed.

구체적으로 상기 박막층을 형성하는 단계가 투명 전도성 박막층을 형성하는 단계일 경우, 상기 코팅물질은 투명 전도성 박막층 형성용 물질로서 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 전도성 고분자, 그라펜(graphene), 그라펜 산화물(graphene oxide), 탄소나노튜브 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 투명 전도성 물질 또는 이의 전구체일 수 있다. Specifically, when the step of forming the thin film layer is a step of forming a transparent conductive thin film layer, the coating material may be a tin-doped indium oxide (ITO), a fluorine-doped tin oxide : fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga 2 O 3, ZnO-Al 2 O 3, SnO 2 -Sb 2 O 3, a conductive polymer, graphene (graphene), graphene oxide (graphene oxide), carbon nanotubes, And a mixture thereof, or a precursor thereof.

또한 상기 박막층을 형성하는 단계가 금속산화물 박막층을 형성하는 단계일 경우, 상기 코팅물질은 금속산화물 박막층 형성용 물질로서 금속 클로라이드(chloride), 금속 아세테이트(acetate), 금속 시트레이트(citrate), 금속 (메트)아크릴레이트((meth)acrylate), 금속 브로마이드(bromide), 금속 시아나이드(cyanide), 금속 포스페이트(phosphate), 금속 술페이트(sulfate), 금속 술파이드(sulfide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 금속산화물 전구체 또는 이로부터 제조된 금속산화물 입자일 수 있다. 이때 상기 금속은 Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. When the step of forming the thin film layer is a step of forming a metal oxide thin film layer, the coating material may be a metal oxide thin film layer forming material such as metal chloride, metal acetate, metal citrate, metal (Meth) acrylate, a metal bromide, a cyanide, a metal phosphate, a metal sulfate, a metal sulfide, and a mixture thereof. And metal oxide particles prepared therefrom. The metal may be selected from the group consisting of Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh, And the like.

또한 상기 박막층을 형성하는 단계가 광활성층을 형성하는 단계일 경우, 상기 코팅물질은 광활성층 형성용 물질로서 정공수용체, 전자수용체 또는 이들의 전구체일 수 있다. 구체적으로 상기 정공수용체는 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene, P3OT], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene, PPV], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9'-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV], 및 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV]로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 상기 전자수용체는 (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester; C70-PCBM], (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], 및 탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.Also, when the step of forming the thin film layer is a step of forming a photoactive layer, the coating material may be a hole receptor, an electron acceptor or a precursor thereof as a material for forming a photoactive layer. Specifically, the hole acceptor may be a poly-3-hexylthiophene (P3HT), a poly-3-octylthiophene (P3OT), a polyparaphenylenevinylene -phenylenevinylene, PPV, poly (9,9'-dioctylfluorene), poly (2-methoxy, 5- (2-ethyl- hexyloxy) Poly (2-methoxy, 5- (2-ethyle-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV] ) -1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV]. The poly (2-methyl) -5- (3 ', 7'-dimethyloctyloxy) (6,6) -phenyl-C61-butyric acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM] Butyric acid methyl ester [(6,6) -thienyl (C7-PCBM), (6,6) -thienyl-C61-butyric acid methyl ester -C61-butyric acid methyl ester (ThCBM), and carbon It may be any one selected from the group consisting of tubes.

또한 상기 박막층을 형성하는 단계가 정공전달층을 형성하는 단계일 경우, 상기 코팅물질은 정공전달층 형성용 물질로서 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(스티렌설포네이트)(PSS), 폴리아닐린, 프탈로시아닌, 펜타센, 폴리디페닐 아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, 구리 프탈로시아닌(Cu-PC) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(T-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌 및 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌로 이루어진 군에서 선택되는 정공전달물질 또는 이들의 전구체일 수 있다.When the step of forming the thin film layer is a step of forming a hole transporting layer, the coating material may be at least one selected from the group consisting of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (styrenesulfonate) (PSS), polyaniline, phthalocyanine, pentacene, polydiphenylacetylene, poly (t-butyl) diphenylacetylene, polytrifluoromethyldiphenylacetylene, copper phthalocyanine (Cu- (Methyl) acetylene, poly (trimethylsilyl) diphenylacetylene, poly (carbazole) diphenylacetylene, polydiacetylene, polyphenylacetylene, polypyridine acetylene, polymethoxyphenylacetylene , Poly (methylmethacrylate), polymethylphenylacetylene, poly (t-butyl) phenylacetylene, polynitrophenylacetylene, poly (trifluoromethyl) phenylacetylene and poly (trimethylsilyl) phenylacetylene Ball transfer may be a material or a precursor thereof.

또한 상기 박막층을 형성하는 단계가 전극을 형성하는 단계일 경우, 상기 코팅물질은 전극층 형성용 물질로서 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 망간(Mn) 등의 금속 입자; 또는 상기 금속원소를 포함하는 전구체, 예를 들면 질산은(AgNO3), Cu(HAFC)2 (Cu(hexafluoroacetylacetonate)2,), Cu(HAFC)(1,5-Cyclooctanediene), Cu(HAFC)(1,5-Dimethylcyclooctanediene), Cu(HAFC)(4-Methyl-1-pentene), Cu(HAFC)(Vinylcyclohexane), Cu(HAFC)(DMB), Cu(TMHD)2(Cu (tetramethylheptanedionate)2), DMAH(dimethylaluminum hydride), TMEDA(tetramethylethylenediamine), DMEAA(dimethylethylamine alane, NMe2Et·AlH3), TMA(trimethylaluminum), TEA(triethylaluminum), TBA(triisobutylaluminum), TDMAT(tetra(dimethylamino)titanium), TDEAT(tetra(dimethylamino)titanium) 등 일 수 있다. 상기 코팅물질이 금속 입자일 경우, 상기 금속 입자의 입경은 1nm 내지 50nm, 바람직하게는 3nm 내지 20nm일 수 있다.In addition, when the step of forming the thin film layer is a step of forming an electrode, the coating material may be formed of Ag, Cu, Au, Pt, Ti, Metal particles such as aluminum (Al), nickel (Ni), zirconium (Zr), iron (Fe), and manganese (Mn); Or a precursor containing the metal element, for example, silver nitrate (AgNO 3), Cu (HAFC ) 2 (Cu (hexafluoroacetylacetonate) 2,), Cu (HAFC) (1,5-Cyclooctanediene), Cu (HAFC) (1 , 5-Dimethylcyclooctanediene), Cu ( HAFC) (4-Methyl-1-pentene), Cu (HAFC) (Vinylcyclohexane), Cu (HAFC) (DMB), Cu (TMHD) 2 (Cu (tetramethylheptanedionate) 2), DMAH (dimethylaluminum hydride), TMEDA (tetramethylethylenediamine ), DMEAA (dimethylethylamine alane, NMe 2 Et · AlH 3), TMA (trimethylaluminum), TEA (triethylaluminum), TBA (triisobutylaluminum), TDMAT (tetra (dimethylamino) titanium), TDEAT (tetra (dimethylamino) titanium). When the coating material is a metal particle, the particle size of the metal particle may be 1 nm to 50 nm, preferably 3 nm to 20 nm.

상기와 같은 코팅물질은 형성하고자 하는 박막의 용도에 따라 그 함량이 적절히 결정될 수 있는데, 구체적으로는 코팅용액 총 중량에 대하여 5 내지 99중량%로 포함될 수 있다. The content of the coating material may be appropriately determined depending on the use of the thin film to be formed, and may be 5 to 99% by weight based on the total weight of the coating solution.

상기 용매로는 상기한 코팅물질을 용해시키거나 또는 분산시킬 수 있는 것이라면 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로는 상기 용매는 물; 에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 등의 알코올; 또는 아세톤, 펜탄, 톨루엔, 벤젠, 디에틸에테르, 메틸부틸에테르, N-메틸피롤리돈(NMP), 테트라하이드로퓨란(THF), 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 디메틸술폭사이드(DMSO), 카본테트라클로라이드, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 사이클로헥산, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 디옥산, 터피네올, 메틸에텔케톤 등의 유기 용매, 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 코팅액 제조시 코팅물질의 종류에 따라 상기한 용매 물질들 중에서 적절히 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the coating material. Specifically, the solvent is water; Alcohols such as ethanol, methanol, propanol, isopropanol and butanol; (DMF), dimethylacetamide (DMAC), dimethylsulfoxide (DMF), tetrahydrofuran (DMF), or the like, or a solvent such as acetone, pentane, toluene, benzene, diethyl ether, methyl butyl ether, N-methylpyrrolidone (DMSO), carbon tetrachloride, dichloromethane, dichloroethane, trichlorethylene, chloroform, chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, cyclohexane, cyclopentanone, cyclohexanone, dioxane, terpineol, methyl An organic solvent such as ether ketone, or a mixture thereof, and it is preferable that the solvent is appropriately selected from among the above-mentioned solvent materials depending on the type of the coating material when preparing the coating liquid.

상기 용매는 코팅 용액 중 잔부의 양으로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 코팅용액 총 중량에 대하여 1 내지 95중량%로 포함될 수 있다. 용매의 함량이 95중량%를 초과할 경우 원하는 코팅층의 기능을 얻기 어렵고, 용매의 함량이 1중량% 미만일 경우 균일한 두께의 박막 형성이 어렵다.The solvent may be contained in an amount of the remainder in the coating solution, and preferably 1 to 95% by weight based on the total weight of the coating solution. When the content of the solvent exceeds 95 wt%, it is difficult to obtain the function of the desired coating layer. When the content of the solvent is less than 1 wt%, it is difficult to form a thin film having a uniform thickness.

상기와 같은 구성을 갖는 코팅 용액은 상기한 코팅물질을 용매 중에 분산시키거나 용해시킴으로써 제조할 수 있다. The coating solution having the above-described constitution can be prepared by dispersing or dissolving the coating material in a solvent.

상기 기재는 기재 필름을 포함한다.The substrate includes a substrate film.

상기 기재 필름은 투명성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 석영 또는 유리와 같은 투명 무기 기재 필름이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌설포네이트(PES), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES) 및 폴리에테르이미드(PEI)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 플라스틱 기재 필름을 사용할 수 있다. 특히, 상기 투명 플라스틱 기재 필름은 플렉서블(flexible)하면서도 높은 화학적 안정성, 기계적 강도 및 투명도를 가지는 것을 바람직하게 사용할 수 있다.The base film is not particularly limited as long as it has transparency, and may be a transparent inorganic base film such as quartz or glass, a polyethylene terephthalate (PET), a polyethylene naphthalate (PEN), a polycarbonate (PC), a polystyrene (PEI), polyether sulfone (PES), and polyetherimide (PEI), in the group consisting of propylene (PP), polyimide (PI), polyethylene sulfonate (PES), polyoxymethylene Any one selected transparent plastic substrate film can be used. Particularly, the transparent plastic substrate film is preferably flexible and has high chemical stability, mechanical strength and transparency.

또한 상기 기재 필름은 약 400 내지 750nm의 가시광 파장에서 적어도 70% 이상, 바람직하게는 80% 이상의 투과율을 갖는 것이 좋다.The base film preferably has a transmittance of at least 70% or more, preferably 80% or more at a visible light wavelength of about 400 to 750 nm.

또한 상기 기재는 유기소자를 구성하는 투명 전도성 박막층, 광활성층, 전공전달층, 금속산화물 박막층 및 전극층으로 이루어진 군에서 선택되는 박막층 또는 이들의 다층 구조물, 예를 들면, 투명전도성 박막층과 금속산화물 박막층이 순차적으로 적층된 다층 구조물, 투명 전도성 박막층, 금속산화물 박막층 및 광활성층이 순차적으로 적층된 다층 구조물, 투명전도성 박막층과 광활성층이 순차적으로 적층된 다층 구조물, 투명전도성 박막층, 금속산화물 박막층 및 광활성층이 순차적으로 적층된 다층구조물, 투명전도성 박막층, 광활성층, 및 정공 전달층이 순차적으로 적층된 다층구조물, 투명전도성 박막층, 금속산화물 박막층, 광활성층 및 정공 전달층이 순차적으로 적층된 다층구조물을 더 포함할 수도 있다. The substrate may be a thin film layer or a multilayer structure thereof selected from the group consisting of a transparent conductive thin film layer, a photoactive layer, a hole transport layer, a metal oxide thin film layer and an electrode layer constituting an organic device, for example, a transparent conductive thin film layer and a metal oxide thin film layer A transparent conductive thin film layer, a metal oxide thin film layer, and a photoactive layer are sequentially stacked, a multi-layer structure in which a transparent conductive thin film layer and a photoactive layer are sequentially stacked, a transparent conductive thin film layer, a metal oxide thin film layer, Layer structure in which a sequentially stacked multilayer structure, a transparent conductive thin film layer, a photoactive layer, and a hole transport layer are sequentially stacked, a transparent conductive thin film layer, a metal oxide thin film layer, a photoactive layer, and a hole transport layer are sequentially stacked You may.

상기 기재에 대한 박막층 형성시, 상기 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키는 속도는 0.01m/min 내지 20m/min일 수 있고, 바람직하게 0.1m/min 내지 5m/min 일 수 있다. 상기 이송 속도는 롤투롤 장비를 이용한 박막층의 코팅 및 건조 속도에 따라 최적화하여 사용할 수 있다.When the thin film layer is formed on the substrate, the speed at which the substrate is transported by the roll-to-roll method may be from 0.01 m / min to 20 m / min, and preferably from 0.1 m / min to 5 m / min. The feed rate may be optimized according to the coating and drying speed of the thin film layer using the roll-to-roll equipment.

이송된 기재에 대한 코팅 용액의 코팅은 슬롯-다이(slot-die) 코팅, 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 또는 닥터블레이딩 등의 방법으로 실시될 수 있으며, 슬롯-다이 코팅법에 의해 실시하는 것이 바람직하다. 상기 코팅 용액의 코팅 후, 코팅된 기재에 대해 선택적으로 건조 또는 열처리하는 후처리 공정을 실시할 수 있다. 상기 건조는 50 내지 400℃, 바람직하게는 70 내지 200℃에서 1 내지 30분 동안 열풍건조, NIR 건조, 또는 UV 건조를 통하여 실시될 수 있다. The coating of the coating solution on the transferred substrate may be carried out by a method such as slot-die coating, spraying, spin coating, dipping, printing, or doctor blading, . After coating the coating solution, a post-treatment process may be carried out by selectively drying or heat-treating the coated substrate. The drying may be carried out by hot air drying, NIR drying, or UV drying at 50 to 400 ° C, preferably 70 to 200 ° C for 1 to 30 minutes.

일례로, 광활성층의 경우 코팅 공정 후 25 내지 150℃에서 5 내지 145분 동안 건조 및 열처리하는 후처리 공정을 실시할 수 있다. 상기 건조 공정과 열처리 공정의 적절한 조절에 의하여 상기 전자수용체와 상기 정공수용체 사이에 적절한 상분리를 유도할 수 있고, 상기 전자수용체의 배향을 유도할 수 있다. 상기 열처리 공정의 경우, 온도가 25℃ 미만인 경우 상기 전자수용체 및 상기 정공수용체의 이동도가 낮아서 열처리 효과가 미미할 수 있고, 상기 열처리 온도가 150℃를 초과하는 경우 상기 전자수용체의 열화로 인하여 성능이 저하될 수 있다. 또한, 상기 열처리 시간이 5분 미만인 경우 상기 전자수용체 및 상기 정공수용체의 이동도가 낮아서 열처리 효과가 미미할 수 있고, 상기 열처리 시간이 145분을 초과하는 경우 상기 전자수용체의 열화로 인하여 성능이 저하될 수 있다. For example, in the case of a photoactive layer, post-treatment may be performed after drying and heat treatment at 25 to 150 ° C for 5 to 145 minutes after the coating process. By appropriately controlling the drying step and the heat treatment step, appropriate phase separation can be induced between the electron acceptor and the hole acceptor, and the orientation of the electron acceptor can be induced. If the temperature is less than 25 ° C, the mobility of the electron acceptor and the hole acceptor may be low and the heat treatment effect may be insignificant. If the annealing temperature exceeds 150 ° C, Can be degraded. If the heat treatment time is less than 5 minutes, the mobility of the electron acceptor and the hole acceptor may be low and the heat treatment effect may be insufficient. If the heat treatment time exceeds 145 minutes, the performance deteriorates due to deterioration of the electron acceptor .

상기와 같은 방법에 따라 형성되는 박막층의 두께는 그 용도에 따라 적절히 결정될 수 있으며, 바람직하게는 10nm 내지 10㎛, 보다 바람직하게 20nm 내지 1㎛ 일 수 있다. 상기 박막층의 두께가 상기 범위 내인 경우 제조된 유기 소자의 효율이 가장 우수하다. The thickness of the thin film layer formed according to the above-described method can be appropriately determined according to the application, and may be preferably 10 nm to 10 탆, more preferably 20 nm to 1 탆. When the thickness of the thin film layer is within the above range, the efficiency of the organic device manufactured is the most excellent.

상기와 같이 코팅 용액 중 표면 장력을 낮출 수 있는 불소계 첨가제를 사용하는 본 발명의 제조방법에 의해 평평하고 고른 표면의 박막을 안정적으로 형성할 수 있으며, 상기와 같은 방법에 의해 제조된 박막의 다층 구조를 포함하는 유기소자는 보다 개선된 효율을 나타낼 수 있다. By using the fluorine-based additive capable of lowering the surface tension of the coating solution as described above, it is possible to stably form a flat and uniform thin film, and the multilayer structure of the thin film produced by the above- ≪ / RTI > can exhibit improved efficiency.

이에 따라 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 제조방법에 의해 제조된 유기소자를 제공한다. According to another embodiment of the present invention, there is provided an organic device manufactured by the above manufacturing method.

상기 유기소자는 유기소자를 구성하는 다층의 박막 중 1층 이상이 상기한 제조방법에 의해 제조된 것일 수 있다. 구체적으로 상기 유기소자는 유기 태양 전지, 유기 전계발광 소자 또는 유기 전계 효과 트랜지스터일 수 있으며, 이중에서도 바람직하게는 유기 태양 전지일 수 있다.The organic device may be one or more of the multi-layered thin films constituting the organic device by the above manufacturing method. Specifically, the organic device may be an organic solar cell, an organic electroluminescent device, or an organic field effect transistor, and preferably an organic solar cell.

상세하게는 상기 유기 태양 전지는 기재 필름 위에 투명 전도성 박막층 형성용 코팅 용액을 이용하여 투명 전도성 박막층을 형성하는 단계; 상기 투명 전도성 박막층 위에 광활성층 형성용 코팅용액을 이용하여 광활성층을 형성하는 단계; 상기 광활성층 위에 전극층 형성용 코팅용액을 이용하여 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조될 수 있으며, 이때 상기 각 층 형성단계 중 적어도 하나는 불소계 첨가제를 포함하는 코팅용액을 롤투롤 방식에 따른 슬롯 다이 코팅하여 실시된다. 상기 제조방법은 투명 전도성 박막층 형성 후 금속산화물 박막층을 형성하는 단계 또는 상기 광활성층 형성 후 정공 전달층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이들 단계 또한 불소계 첨가제를 포함하는 코팅용액을 롤투롤 방식에 따른 슬롯 다이 코팅하여 실시될 수 있다. Specifically, the organic solar cell includes a transparent conductive thin film layer formed on a base film using a coating solution for forming a transparent conductive thin film layer; Forming a photoactive layer on the transparent conductive thin film layer using a coating solution for forming a photoactive layer; And forming an electrode layer on the photoactive layer by using a coating solution for forming an electrode layer. At least one of the layers may be formed by a roll-to- Coated with a slot die. The method may further include a step of forming a metal oxide thin film layer after forming the transparent conductive thin film layer or a step of forming a hole transporting layer after forming the photoactive layer, and these steps may further include a step of forming a coating solution containing a fluorine- Lt; RTI ID = 0.0 > die-coating < / RTI >

이에 따라 상기 롤투롤 방식에 따른 슬롯 다이 코팅법에 의해 형성되지 않는 박막층은 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 닥터블레이딩 또는 스퍼터링 등 통상의 방법에 따라 제조될 수 있다. 예를 들어, 투명전도성 박막층이 통상의 방법에 따라 제조되는 경우 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서 에치 레지스트(etch resist)를 스크린 프린팅하고, UV 경화시킨 후, 염화 구리 수용액 등의 에칭액을 이용하여 에칭하고, 수산화나트륨 등의 스트립핑제로 스트립핑하여 패턴을 형성시킨 후, 세척하고 건조함으로써 제조할 수 있다. 또한 양극의 경우, 정공전달층 위에 양극 형성 물질을 스크린 프린팅, 그라비어 프린팅, 그라비어 오프셋(Gravure-offset) 프린팅, 열 기상 증착, 전자 빔 증착, RF 또는 마그네트론 스퍼터링, 화학적 증착 또는 이와 유사한 방법을 통하여 형성할 수도 있다.Accordingly, the thin film layer not formed by the slot die coating method according to the roll-to-roll method can be manufactured by a conventional method such as spraying, spin coating, dipping, printing, doctor blading or sputtering. For example, when a transparent conductive thin film layer is prepared by a conventional method, an etch resist is screen-printed while transferring the substrate in a roll-to-roll manner, UV-cured, and then etched using an etching solution such as a copper chloride aqueous solution Followed by stripping with a stripping agent such as sodium hydroxide to form a pattern, followed by washing and drying. In the case of the anode, the anode forming material is formed on the hole transporting layer by screen printing, gravure printing, gravure-offset printing, thermal vapor deposition, electron beam deposition, RF or magnetron sputtering, chemical vapor deposition or the like You may.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 태양 전지를 도시한 사시도이다. 도 1은 본 발명에 대한 일 예일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한. 상기 유기 태양 전지는 음극과 광활성층 사이에 형성된 금속산화물 박막층을 포함하는 인버티드 유기 태양 전지일 수 있다.1 is a perspective view illustrating an organic solar cell according to an embodiment of the present invention. 1 is an example of the present invention, but the present invention is not limited thereto. Also. The organic solar cell may be an inverted organic solar cell including a metal oxide thin film layer formed between a cathode and a photoactive layer.

도 1을 참조하면, 상기 유기 태양 전지(100)는 서로 대향 배치되는 양극(160)과 음극(120), 상기 양극(160)과 음극(120) 사이에 위치하며, 정공수용체 및 전자수용체가 혼합된 광활성층(140), 그리고 상기 음극(120)과 상기 광활성층(140) 사이에 형성되는 금속산화물 박막층(170)을 포함한다.1, the organic solar battery 100 includes an anode 160 and a cathode 120 disposed opposite to each other, and a light emitting layer 130 disposed between the anode 160 and the cathode 120, And a metal oxide thin film layer 170 formed between the cathode 120 and the photoactive layer 140.

상기 음극(120)은 음극 지지를 위한 기재 필름(110)을 포함할 수 있으며, 상기 기재 필름은 앞서 설명한 바와 동일하다.The cathode 120 may include a base film 110 for supporting a cathode, and the base film is the same as described above.

상기 음극(120)은 상기 기재 필름(110)을 통과한 빛이 광활성층(140)에 도달할 수 있도록 하는 경로가 되므로, 전도성과 함께 높은 투명도를 갖는 투명 전도성 물질을 포함한다. 상기 음극(120)을 형성하는 음극 형성 물질의 구체적인 예로는 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 투명산화물, 또는 전도성 고분자, 그라펜(graphene) 박막, 그라펜 산화물(graphene oxide) 박막, 탄소나노튜브 박막과 같은 유기 투명전극, 금속이 결합된 탄소나노튜브 박막과 같은 유-무기 결합 투명전극 등을 사용할 수 있다.The cathode 120 is a path for allowing light passing through the base film 110 to reach the photoactive layer 140, and thus includes a transparent conductive material having conductivity and high transparency. Specific examples of the anode forming material for forming the cathode 120 include tin-doped indium oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), ZnO-Ga 2 O 3 , A transparent oxide selected from the group consisting of ZnO-Al 2 O 3 , SnO 2 -Sb 2 O 3 and a mixture thereof, or a conductive polymer, a graphene thin film, a graphene oxide thin film, a carbon nanotube Organic-transparent electrodes such as thin films, and organic-inorganic transparent electrodes such as metal-bonded carbon nanotube thin films.

상기 양극(160)은 구체적으로 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 망간(Mn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.The anode 160 may be formed of a material selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Pt, Ti, Al, Ni, Zr, Fe), manganese (Mn), and combinations thereof.

상기 광활성층(140)은 정공수용체와 전자수용체가 혼합된 벌크 이종 접합 구조를 가진다. The photoactive layer 140 has a bulk heterojunction structure in which a hole receptor and an electron acceptor are mixed.

상기 정공수용체는 전기 전도성 고분자 또는 유기 저분자 반도체 물질 등과 같은 유기 반도체로서, 상기 전기 전도성 고분자는 폴리티오펜(polythiphene), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfulorene), 폴리피롤(polypyrrole), 이들의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 상기 유기 저분자 반도체 물질은 펜타센(pentacene), 안트라센(anthracene), 테트라센(tetracene), 퍼릴렌(perylene), 올리고티오펜(oligothiphene), 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 바람직하게는 상기 정공수용체는 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene, P3OT], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene, PPV], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9'-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV], 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV] 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The hole-transporting material may be an organic semiconductor such as an electrically conductive polymer or an organic low-molecular semiconductor material. The electrically conductive polymer may be a polythiophene, polyphenylenevinylene, polyfulorene, polypyrrole, , Copolymers thereof, and mixtures thereof. The organic low-molecular semiconductor material may be at least one selected from the group consisting of pentacene, anthracene, tetracene, perylene, Oligothiophenes, oligothiophenes, derivatives thereof, and combinations thereof. Preferably, the hole acceptor is selected from the group consisting of poly-3-hexylthiophene (P3HT), poly-3-octylthiophene (P3OT), poly- p-phenylenevinylene, PPV, poly (9,9'-dioctylfluorene), poly (2-methoxy, 5- (2-ethyl-hexyloxy) Poly (2-methyloxy) -5- (3 ', 7'-dimethyloctyloxy) ) -1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV], and mixtures thereof. The term " poly (2-methyl) It can be either.

또한 상기 전자수용체는 풀러렌(fullerene, C60) 또는 풀러렌 유도체, CdS, CdSe, CdTe, ZnSe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 나노 입자일 수 있다. 바람직하게는 상기 전자수용체는 (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester; C70-PCBM], (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], 탄소나노튜브 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The electron acceptor may be any nanoparticle selected from the group consisting of fullerene (C 60 ) or a fullerene derivative, CdS, CdSe, CdTe, ZnSe, and mixtures thereof. Preferably, the electron acceptor (6,6) -phenyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6) - phenyl -C 71 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 71 -butyric acid methyl ester; C 70 -PCBM], (6,6) - thienyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -thienyl-C 61 -butyric acid methyl ester; ThCBM], carbon nanotubes, and mixtures thereof.

상기 광활성층(140)은 상기 정공수용체로서 P3HT와 상기 전자수용체로서 PCBM의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하고, 이때 상기 P3HT와 PCBM의 혼합 중량 비율을 1:0.1 내지 1:2일 수 있다.The photoactive layer 140 preferably includes a mixture of P3HT as the hole acceptor and PCBM as the electron acceptor, wherein the mixing weight ratio of the P3HT and PCBM may be 1: 0.1 to 1: 2.

상기 유기 태양 전지(100)는 상기 양극(160)과 상기 광활성층(140) 사이에 정공전달층(150)을 더 포함할 수 있다. 상기 정공전달층(150)은 광활성층(140)에서 발생된 정공을 양극(160)으로 이동시키는 것을 도와주는 층이다. 상기 정공전달층(150)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(스티렌설포네이트)(PSS), 폴리아닐린, 프탈로시아닌, 펜타센, 폴리디페닐 아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, 구리 프탈로시아닌(Cu-PC) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(T-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 정공전달물질을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 상기 PEDOT와 PSS의 혼합물을 포함할 수 있다.The organic solar battery 100 may further include a hole transporting layer 150 between the anode 160 and the photoactive layer 140. The hole transport layer 150 is a layer that helps to move the holes generated in the photoactive layer 140 to the anode 160. The hole transport layer 150 may be formed of at least one selected from the group consisting of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (styrenesulfonate) (PSS), polyaniline, phthalocyanine, pentacene, polydiphenylacetylene, ) Poly (trimethylsilyl) di (triphenylmethyl) diphenyl acetylene, poly (trifluoromethyl) diphenylacetylene, copper phthalocyanine (Cu-PC) poly (bistrifluoromethyl) acetylene, (Meth) acrylates, such as phenylacetylene, poly (acetylenes), phenylacetylene, poly (carbazole) diphenylacetylene, polydiacetylene, polyphenylacetylene, polypyridine acetylene, polymethoxyphenylacetylene, polymethylphenylacetylene, (Trifluoromethyl) phenylacetylene, poly (trimethylsilyl) phenylacetylene, a derivative thereof, and a mixture thereof, preferably, the hole transporting material is selected from the group consisting of A mixture of PEDOT and PSS.

한편, 상기 유기 태양 전지(100)는 상기 음극(120)과 상기 광활성층(140) 사이에 금속산화물 박막층(170)을 포함한다. 상기 금속산화물 박막층(170)은 부전극으로서 전자의 이동 속도를 증가시켜 유기 태양 전지(100)의 작동을 가능하게 하고, 외부로부터 침투하는 산소와 수분을 차단하여 상기 광활성층(140)에 포함된 고분자가 산소와 수분에 의하여 열화되는 것을 방지하여 유기 태양 전지(100)의 수명을 향상시킬 수 있다.The organic solar battery 100 includes a metal oxide thin film layer 170 between the cathode 120 and the photoactive layer 140. The metal oxide thin film layer 170 serves as a negative electrode to increase the traveling speed of electrons to enable operation of the organic solar cell 100 and to block oxygen and moisture penetrating from the outside, The life of the organic solar battery 100 can be improved by preventing the polymer from being deteriorated by oxygen and moisture.

상기 금속산화물 박막층(170)은 두께가 10 내지 500nm, 바람직하게 20 내지 300nm, 더욱 바람직하게 20 내지 200nm일 수 있다. 상기 금속산화물 박막층(170)의 두께가 상기 범위 내인 경우 전자의 이동 속도를 향상시키면서도 외부로부터 산소와 수분이 침투하여 광활성층 및 정공전달층에 영향을 주는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The metal oxide thin film layer 170 may have a thickness of 10 to 500 nm, preferably 20 to 300 nm, more preferably 20 to 200 nm. When the thickness of the metal oxide thin film layer 170 is within the above range, it is possible to effectively prevent the oxygen and moisture from penetrating from the outside and affecting the photoactive layer and the hole transporting layer while enhancing the electron moving speed.

또한 상기 금속산화물 박막층(170)에 포함되는 금속산화물은 평균 입경이 10nm 이하이고, 바람직하게 1 내지 8nm이고, 더욱 바람직하게 3 내지 7nm일 수 있다. The metal oxide contained in the metal oxide thin film layer 170 may have an average particle diameter of 10 nm or less, preferably 1 to 8 nm, and more preferably 3 to 7 nm.

상기 금속산화물은 Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속의 산화물일 수 있으며, 바람직하게 ZnO일 수 있다. 상기 ZnO는 밴드갭이 넓고 반도체적 성질을 가지고 있어, 상기 음극(120)과 함께 사용하는 경우 전자의 이동을 더욱 향상시킬 수 있다.The metal oxide may be selected from the group consisting of Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh, And may be an oxide of any one of metals selected from the group consisting of ZnO, and preferably ZnO. The ZnO has a broad bandgap and a semiconducting property, so that when the ZnO is used together with the cathode 120, the movement of electrons can be further improved.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

[제조예: 유기 태양 전지의 제조][Production Example: Production of Organic Solar Cell]

(실시예)(Example)

ITO층이 형성된 기재 필름을 롤투롤 방식으로 이송시키면서 상기 ITO층 위에 ZnO 함유 코팅액(Zn(OAC)2H2O 247mg, KOH 126mg 및 1-부탄올(1-Butanol) 1ml를 혼합하여 제조함)을 스트라이프 형태로 슬롯다이 코팅한 후 120℃에서 건조하여 ZnO의 금속산화물 박막층을 형성하였다. 상기 슬롯다이 코팅시 라인 속도(line speed)는 12mm/sec, 슬롯다이 높이는 1300㎛, 코팅액 유량(flow rate)은 0.4ml/min으로 하였다. (Prepared by mixing 247 mg of ZnO-containing coating solution (Zn (OAC) 2 .2H 2 O, 126 mg of KOH and 1 ml of 1-butanol) onto the ITO layer while transferring the base film on which the ITO layer was formed, Was coated on a slot die in a stripe form and then dried at 120 ° C. to form a metal oxide thin film layer of ZnO. The slot die coating had a line speed of 12 mm / sec, a slot die height of 1300 μm, and a coating liquid flow rate of 0.4 ml / min.

이어서 상기 ZnO 금속산화물 박막층 위에 광활성층 형성용 코팅용액(lisicon® SP001(머크사제) 15mg, lisicon® A-600(머크사제) 12mg 및 1,2-디클로로벤젠(Dichlorobenzene) 1ml를 혼합하여 제조함)을 슬롯 다이 코팅하고 120℃에서 건조하여 광활성층을 제조하였다. 상기 슬롯 다이 코팅시 라인 속도는 12mm/sec, 슬롯다이 높이는 1500㎛, 코팅액 유량은 1.2ml/min로 하였다. Then the coating solution for forming the optically active layer on the ZnO thin film layer of metal oxide (prepared by mixing lisicon SP001 ® (Merck Ltd.) 15mg, lisicon ® A-600 ( Merck & Co.), and 12mg of 1,2-dichlorobenzene (Dichlorobenzene) 1ml) Was coated on a slot die and dried at 120 DEG C to prepare a photoactive layer. The slot die coating had a line speed of 12 mm / sec, a slot die height of 1500 m, and a coating liquid flow rate of 1.2 ml / min.

다음으로, 상기 광활성층 위에 PEDOT:PSS(Orgacon®EL-P 5010, agfa사제)과 이소프로필 알코올, 그리고 불소계 첨가제(FLUOROLINK® P54, 솔베이솔렉시스사제)를 50:49:1의 중량비로 포함하는 코팅 용액을 슬롯 다이 코팅하고, 120℃에서 건조하여 정공전달층을 형성하였다. 상기 슬롯 다이 코팅시 라인 속도는 5mm/sec, 슬롯다이 높이는 800㎛, 코팅액 유량은 3.0ml/min로 하였다.Next, the optically active layer on a PEDOT: a weight ratio of 1: PSS (Orgacon ® EL-P 5010 , agfa , Ltd.) with isopropyl alcohol, and fluorine-based additive (FLUOROLINK ® P54, Solvay Solexis, Inc.) 50: 49 Was coated by slot die coating and dried at 120 캜 to form a hole transporting layer. The slot die coating was performed at a line speed of 5 mm / sec, a slot die height of 800 m, and a coating fluid flow rate of 3.0 ml / min.

이후, 스크린 프린터를 이용하여 상기 정공전달층 위에 Ag 전극을 프린팅하여 유기 태양 전지를 제작하였다.
Then, an Ag electrode was printed on the hole transport layer using a screen printer to produce an organic solar cell.

(비교예)(Comparative Example)

정공전달층 형성시 PEDOT:PSS(Orgacon® EL-P 5010, agfa사제)과 이소프로필 알코올을 50:50의 중량비로 포함하는 코팅용액을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예에서와 동일한 방법으로 실시하여 유기 태양 전지를 제조하였다.
And is carried out in the same manner as in Example except for using the coating solution containing the PSS (Orgacon ® EL-P 5010 , agfa , Ltd.) and isopropyl alcohol in a weight ratio of 50: 50: hole transport layer formed during PEDOT Thereby preparing an organic solar cell.

[시험예: 코팅층 형성성 평가][Test Example: Evaluation of Formability of Coating Layer]

상기 실시예 및 비교예에서의 유기 태양 전지 제조과정 중 정공전달층 형성 후 형성된 정공전달층을 현미경을 이용하여 관찰하였다. 그 결과를 도 2, 3a 및 3b에 나타내었다.The hole transport layer formed after the formation of the hole transport layer in the manufacturing process of the organic solar cell in the above Examples and Comparative Examples was observed using a microscope. The results are shown in Figs. 2, 3a and 3b.

도 2는 실시예에서 제조된 정공전달층을 현미경으로 관찰한 사진이고, 도 3a 및 도 3b는 비교예에서 제조된 정공전달층의 중심부분 및 에지 부분을 각각 현미경으로 관찰한 사진이다. FIG. 2 is a photograph of the hole transporting layer prepared in Example, and FIG. 3 (a) and FIG. 3 (b) are microscopic photographs of the central portion and the edge portion of the hole transporting layer prepared in Comparative Example.

도 2, 3a 및 3b에서 어두운 부분이 기 형성된 박막층을 나타낸다. 도 2에 나타난 바와 같이, 불소계 첨가제를 이용하여 정공전달층을 형성한 실시예의 경우 PEDOT:PSS가 기 형성된 광활성층 위에 평평하고 고르게 코팅된 반면, 불소계 첨가제를 사용하지 않은 비교예의 경우 도 3a 및 3b에 나타난 바와 같이 PEDOT:PSS가 광활성층의 중심이나 에지 부분에 몰려서 코팅되어 있음을 확인할 수 있다.Figures 2, 3a and 3b show the thin film layer formed with dark portions. As shown in FIG. 2, PEDOT: PSS was flat and uniformly coated on the formed photoactive layer in the case of forming the hole transport layer using the fluorine-based additive, whereas in the comparative example in which the fluorine-based additive was not used, It can be seen that PEDOT: PSS is coated on the center or the edge portion of the photoactive layer as shown in FIG.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

100 : 유기 태양 전지
110 : 기재 필름
120 : 음극
140 : 광활성층
150 : 정공전달층
160 : 양극
170 : 금속산화물 박막층
100: Organic solar cell
110: base film
120: cathode
140: photoactive layer
150: hole transport layer
160: anode
170: metal oxide thin film layer

Claims (22)

기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 박막층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 코팅 용액은 불소계 첨가제를 포함하는 것인 유기소자의 제조방법.
And coating the coating solution while transferring the substrate in a roll-to-roll manner to form a thin film layer on the substrate,
Wherein the coating solution comprises a fluorine-based additive.
제1항에 있어서,
상기 불소계 첨가제가 불소계 고분자의 양 말단 중 적어도 하나의 말단이 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 알킬아미드기, 알코올기, 우레탄기, 실록산기, 인산기, 폴리에테르기, 음이온성 작용기, 양이온성 작용기, 비이온성 작용기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 작용기로 치환된 것인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-based additive has a structure in which at least one end of the fluorine-containing polymer has at least one terminal of a carboxyl group, an ester group, an amide group, an alkylamide group, an alcohol group, a urethane group, a siloxane group, a phosphate group, a polyether group, an anionic functional group, Nonionic functional groups and combinations thereof. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제2항에 있어서,
상기 불소계 고분자가 퍼플루오로폴리에테르, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리비닐플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리-1,2-디플루오로에틸렌 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기소자의 제조방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the fluorine-based polymer is at least one selected from the group consisting of perfluoropolyether, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, polychlorotrifluoroethylene, polytetrafluoroethylene, poly-1,2-difluoroethylene, Lt; RTI ID = 0.0 > (I) < / RTI >
제1항에 있어서,
상기 불소계 첨가제가 하기 화학식 1 또는 2의 구조를 갖는 화합물인 것인 유기소자의 제조방법.
[화학식 1]
X1-CF2O-(CF2-CF2-O)p-(CF2O)q-OCF2-X2
[화학식 2]
X3-CF2O-(CF2-O-CF2-CF2-O)r-CF2-X4
(상기 식에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 알킬아미드기, 알코올기, 우레탄기, 실록산기, 인산기, 폴리에테르기, 음이온성 작용기, 양이온성 작용기, 비이온성 작용기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며, p/q의 비는 1 내지 4의 정수이고 그리고 r은 1 이상의 정수이다.)
The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-based additive is a compound having a structure represented by the following formula (1) or (2).
[Chemical Formula 1]
X 1 -CF 2 O- (CF 2 -CF 2 -O) p- (CF 2 O) q-OCF 2 -X 2
(2)
X 3 -CF 2 O- (CF 2 -O-CF 2 -CF 2 -O) r-CF 2 -X 4
X 1 to X 4 each independently represent a functional group selected from the group consisting of a carboxyl group, an ester group, an amide group, an alkylamide group, an alcohol group, a urethane group, a siloxane group, a phosphoric acid group, a polyether group, an anionic functional group, Functional group and combinations thereof, wherein the ratio of p / q is an integer of 1 to 4 and r is an integer of 1 or more.
제4항에 있어서,
상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 -COOH, -COOR, -CONH2, -CONHR, -ROH, -R(OR')xOH, -NHCOOR, -NHRSi(OR')3, HO(P=O)(OH)O-, -RO(P=O)(OH)2, -O(R-O)x-, COONR3H+, NR3H+COCH3O- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 상기 R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, x는 1 이상의 정수인 것인 유기소자의 제조방법.
5. The method of claim 4,
Wherein X 1 to X 4 are each independently selected from -COOH, -COOR, -CONH 2, -CONHR , -ROH, -R (OR ') x OH, -NHCOOR, -NHRSi (OR') 3, HO (P = O (OH) O-, -RO (P = O) (OH) 2 , -O (RO) x- , COONR 3 H +, NR 3 H + COCH 3 O- and combinations thereof. , Wherein R and R 'are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and x is an integer of 1 or more.
제4항에 있어서,
상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 -COOH, -COOCH2CH3, -CONHC18H37, -CH2OH, -CH2(OCH2CH2)OH, -CH2OCH2CH(OH)CH2OH, -CH2O(P=O)(OH)2, 및 NR3H+COCH3O-로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기소자의 제조방법.
5. The method of claim 4,
X 1 to X 4 each independently represent -COOH, -COOCH 2 CH 3 , -CONHC 18 H 37 , -CH 2 OH, -CH 2 (OCH 2 CH 2 ) OH, -CH 2 OCH 2 CH CH 2 OH, -CH 2 O (P═O) (OH) 2 , and NR 3 H + COCH 3 O-.
제1항에 있어서,
상기 불소계 첨가제가 겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 1,000 내지 2,000g/mol인 것인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-based additive has a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 1,000 to 2,000 g / mol by gel permeation chromatography.
제1항에 있어서,
상기 불소계 첨가제가 중량평균 분자량과 수평균 분자량의 비(Mw/Mn)가 1 내지 4인 것인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-based additive has a ratio (Mw / Mn) of a weight-average molecular weight to a number-average molecular weight of 1 to 4.
제1항에 있어서,
상기 불소계 첨가제가 코팅용액 총 중량에 대하여 0.001 내지 5중량%로 포함되는 것인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-based additive is contained in an amount of 0.001 to 5% by weight based on the total weight of the coating solution.
제1항에 있어서,
상기 박막층을 형성하는 단계가 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 코팅 용액을 슬롯 다이 코팅하여 상기 기재 위에 박막층을 형성하여 실시되는 것인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the thin film layer is carried out by performing slot die coating of a coating solution while transferring the substrate in a roll-to-roll manner to form a thin film layer on the substrate.
제1항에 있어서,
상기 박막층을 형성하는 단계가 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 투명 전도성 박막층 형성용 물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 투명 전도성 박막층을 형성하는 단계인 것인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the thin film layer is a step of forming a transparent conductive thin film layer on the substrate by coating a coating solution containing a material for forming a transparent conductive thin film layer, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate in a roll- ≪ / RTI >
제11항에 있어서,
상기 투명 전도성 박막층 형성용 물질이 주석도핑 산화인듐(tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 전도성 고분자, 그라펜(graphene), 그라펜 산화물(graphene oxide), 탄소나노튜브, 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기소자의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the transparent conductive thin film layer forming material is selected from the group consisting of tin-doped indium oxide, fluorine-doped tin oxide, ZnO-Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3 , SnO 2 -Sb 2 O 3 , a conductive polymer, a graphene, a graphene oxide, a carbon nanotube, a precursor thereof, and a mixture thereof.
제1항에 있어서,
상기 박막층을 형성하는 단계가 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 금속산화물 박막층 형성용 물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 금속산화물 박막층을 형성하는 단계인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the thin film layer is a step of coating a coating solution containing a metal oxide thin film layer forming material, a fluorine based additive and a solvent while transferring the substrate in a roll-to-roll manner to form a metal oxide thin film layer on the substrate Way.
제13항에 있어서,
상기 금속산화물 박막층 형성용 물질이 금속 클로라이드(chloride), 금속 아세테이트(acetate), 금속 시트레이트(citrate), 금속 (메트)아크릴레이트((meth)acrylate), 금속 브로마이드(bromide), 금속 시아나이드(cyanide), 금속 포스페이트(phosphate), 금속 술페이트(sulfate), 금속 술파이드(sulfide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 금속산화물 전구체 또는 이를 이용하여 만들어진 금속산화물 입자이며,
상기 금속은 Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 것인 유기소자의 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the metal oxide thin film layer forming material is selected from the group consisting of metal chloride, metal acetate, metal citrate, metal acrylate, metal bromide, metal cyanide, wherein the metal oxide precursor is a metal oxide precursor selected from the group consisting of cyanide, metal phosphate, metal sulfate, metal sulfide and mixtures thereof,
The metal may be selected from the group consisting of Ti, Zn, Si, Mn, Sr, In, Ba, K, Nb, Fe, Ta, W, Sa, Bi, Ni, Cu, Mo, Ce, Pt, Ag, Rh, Lt; RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI >
제1항에 있어서,
상기 박막층을 형성하는 단계가 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 전자수용체, 정공수용체, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 광활성층을 형성하는 단계인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the thin film layer is a step of forming a photoactive layer on the substrate by coating a coating solution containing an electron acceptor, a hole acceptor, a fluorine additive and a solvent while transferring the substrate in a roll-to-roll manner.
제15항에 있어서,
상기 전자수용체가 (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester], (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester], 탄소나노튜브, 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 정공수용체가 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene], 폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9'-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene], 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene], 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기소자의 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the electron acceptor is (6,6) -phenyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester], (6,6) - 71 -C-phenyl-butyric Rick Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 71 -butyric acid methyl ester], (6,6) - thienyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -thienyl-C 61 -butyric acid methyl ester], carbon nanotubes, precursors thereof, and mixtures thereof.
Wherein said hole acceptor is selected from the group consisting of poly-3-hexylthiophene, poly-3-octylthiophene, poly-p-phenylenevinylene, Dioctylfluorene), poly (2-methoxy, 5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene) [poly (2- methoxy, 5- (2-ethyle-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene], poly (2-methyl, 5- (3 ', 7'-dimethyloctyloxy) (2-methyl, 5- (3 ', 7'-dimethyloctyloxy)) - 1,4-phenylene vinylene], precursors thereof, and mixtures thereof.
제1항에 있어서,
상기 박막층을 형성하는 단계가 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 정공전달물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 정공전달층을 형성하는 단계인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the thin film layer is a step of forming a hole transporting layer on the substrate by coating a coating solution containing a hole transporting material, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate in a roll-to-roll manner.
제17항에 있어서,
상기 정공전달물질이 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(스티렌설포네이트), 폴리아닐린, 프탈로시아닌, 펜타센, 폴리디페닐 아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, 구리 프탈로시아닌(Cu-PC) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(t-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌, 이들의 전구체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기소자의 제조방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the hole transport material is selected from the group consisting of poly (3,4-ethylenedioxythiophene), poly (styrenesulfonate), polyaniline, phthalocyanine, pentacene, polydiphenylacetylene, poly (t- (T-butyldiphenyl) acetylene, poly (trimethylsilyl) diphenylacetylene, poly (carbazole) di (Meth) acrylates, such as phenylacetylene, polydiacetylene, polyphenylacetylene, polypyridine acetylene, polymethoxyphenylacetylene, polymethylphenylacetylene, poly (t-butyl) phenylacetylene, polynitrophenylacetylene, (Trimethylsilyl) phenylacetylene, a precursor thereof, and a mixture thereof.
제1항에 있어서,
상기 박막층을 형성하는 단계가 기재를 롤투롤 방식으로 이송시키면서, 전극형성물질, 불소계 첨가제 및 용매를 포함하는 코팅 용액을 코팅하여 상기 기재 위에 전극층을 형성하는 단계인 유기소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the thin film layer is a step of forming an electrode layer on the substrate by coating a coating solution containing an electrode forming material, a fluorine-based additive and a solvent while transferring the substrate in a roll-to-roll manner.
제19항에 있어서,
상기 전극층 형성용 물질이 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 및 망간(Mn)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 입자; 또는 상기 금속원소를 포함하는 전구체인 것인 유기소자의 제조방법.
20. The method of claim 19,
Wherein the electrode layer forming material is at least one selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Pt, Ti, Al, Ni, Zr, , And manganese (Mn); Or a precursor containing the metal element.
제1항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 유기소자.An organic device produced by the manufacturing method according to claim 1. 제21항에 있어서,
상기 유기소자가 유기 태양 전지인 유기소자.
22. The method of claim 21,
Wherein the organic device is an organic solar cell.
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