KR20140067391A - 가스를 매개체로 하는 반도체 및 ｌｃｄ 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템 - Google Patents

가스를 매개체로 하는 반도체 및 ｌｃｄ 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정설비에서 배출된 소정의 작동유체(working fluid)가 제1이송라인을 통해 압축기로 유입되는 단계와, 압축기에 유입되어 고온고압으로 가압 된 작동유체가 배출되어 제2이송라인을 통해 응축기로 유입되는 단계와, 응축기에 유입되어 응축된 작동유체가 배출되어 제3이송라인을 통해 제1전자팽창밸브로 유입되는 단계와, 제1전자팽창밸브에 유입되어 단열팽창된 작동유체가 제4이송라인을 통해 공정설비로 유입되는 단계를 구비한 제1순환단계 및 제2이송라인을 통해 이송되는 고온고압으로 가압 된 작동유체가 분기 되어 제5이송라인을 통해 제2전자팽창밸브로 유입되는 단계와, 제2전자팽창밸브로 유입되어 단열팽창된 작동유체가 제6이송라인을 통해 이송되어 제4이송라인으로 유입되는 단계를 구비한 제2순환단계를 포함하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 및 LCD 제조공정설비에 가스를 사용하여 온도를 제어함으로써, 기존에 액상을 통한 온도 제어방식에 비해 소비전력 및 유지비용을 절감하는 효과가 있다.

Description

가스를 매개체로 하는 반도체 및 ＬＣＤ 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템{Controlling method and system for temperature of gas chiller for semiconductor and LCD manufacturing process}
본 발명은 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법에 관한 것으로, 특히 액상의 냉각 유체를 사용하지 않고, 가스를 사용하여 온도를 제어함으로써 소비전력 및 유지비용을 절감할 수 있는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 및 LCD 등을 제조하는 과정에서 반도체 및 LCD 등의 공정용 설비는 정전척(Electrostatic Chuck), 히터(Heater) 및 챔버(Chamber) 등의 내부온도를 항시 일정하게 유지시켜야 하며, 이러한 온도 유지의 역할을 하는 장비를 칠러(Chiller)라 한다.
이러한 반도체 및 LCD 등의 공정용 설비는 반도체의 제조과정에서 열적 부하를 받아 온도가 상승하게 되는데, 반도체 및 LCD용 칠러는 펌프를 사용하여 정전척, 히터 및 챔버 등의 내부에 냉각 유체를 순환시키는 방법으로 열적 부하를 칠러로 회수하여 열을 제거한다.
이때, 반도체 및 LCD용 칠러는 본체로 회수된 냉각 유체의 냉각 목표 온도에 따라 저온용 칠러와 고온용 칠러로 구분할 수 있으며, 저온용 칠러는 통상적으로 프레온 가스를 이용한 냉각사이클을 이용하여 냉각 유체를 냉각하는 방식이며, 고온용 칠러(또는, 열교환기식 칠러)는 소정의 냉매를 이용하여 냉각 유체를 냉각하는 방식이다.
도 1은 종래의 액상을 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템을 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 1을 참조하면, 종래 액상을 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템은 열교환을 위한 증발기(10), 기액을 분리하기 위한 축열기(20), 냉매의 압력을 높이는 압축기(30) 및 냉매를 응축하는 응축기(40)로 이루어져 냉매를 순환시키는 냉매 라인과, 히터(50), 펌프(60) 및 저장탱크(70)로 이루어진 순환 라인을 포함하는 구성요소로 이루어지며, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 순환 라인에서 반도체 공정챔버인 피 냉각장치에서 배출되는 액상의 냉매인 쿨런트는 상기 히터(50)에 의해 온도가 상승하게 된 후, 펌프(60)에 의해 펌핑 되어 상기 증발기(10)로 유입된다.
상기 증발기(10)에서 열교환이 이루어진 쿨런트는 상기 피 냉각장치에 공급된다.
여기서, 상기 냉매 라인은 프레온 가스가 상기 증발기(10), 상기 축열기(20), 상기 압축기(30) 및 상기 응축기(40)를 순환하는데, 상기 증발기(10)를 통해 쿨런트와 열교환이 이루어진다.
따라서, 이러한 열교환으로 인해 쿨런트의 온도가 조절할 수 있게 되어 피 냉각장치에 공급되는 쿨런트의 온도를 제어할 수 있는 것이다.
이때, 상기 저장탱크(70)에 쿨런트가 지속적으로 공급되어 상기 저장탱크(70)에는 쿨런트가 소정 높이 만큼 저류가 되어 있고, 이렇게 저류된 쿨런트는 상기 히터(50) 부분에서 상기 순환라인에 공급이 된다.
이와 같이 상술한 종래의 액상을 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템은 별도의 쿨런트의 온도를 상승시키기 위한 별도의 히팅 수단이 구비되기 때문에 이를 가동하는 별도의 전원을 필요로 한다.
따라서, 이에 대한 전력이 소모되므로 적지 않은 에너지 비용이 발생하는 문제점이 있다.
그리고, 상기 쿨런트를 강제순환시키는 별도의 펌핑 수단이 마련되어야 하며, 지속적으로 액상의 쿨런트를 공급하는 별도의 저장탱크를 구비하기 때문에 전체적인 온도제어 시스템의 크기가 커 많은 공간을 차지하는 문제점이 있다.
도 2는 상기 도 1을 참조하여 설명한 문제점을 해소하기 위한 온도 제어시스템으로서, 기존의 액상의 쿨런트 대신 기체로 이루어진 쿨런트를 사용함과 동시에 펌프와, 저장탱크를 삭제하여 전체적인 온도 제어시스템의 부피를 줄이면서 약 40% 이상의 전기를 절감할 수 있다.
또한, 열교환을 위한 증발기 대신 소정의 팽창제어밸브(80)를 마련하여 응축기(40)를 통과한 고압 상온의 기체로 이루어진 쿨런트가 상기 팽창제어밸브(80)를 통과하며 단열팽창되면서 원하는 온도로 제어할 수 있게 된다. 덧붙인다면, 보다 고온의 온도가 필요할 시에는 히터를 추가로 적용할 수 있는 것이다.
그러나, 상술한 바와 같은 온도 제어시스템 또한 기존과 같이 별도의 축열기(20), 압축기(30) 및 응축기(40)로 이루어진 프레온 가스가 순환되는 냉매 라인을 요구하기 때문에 전체적인 온도제어 시스템의 부피를 여전히 줄일 수 없으며, 고온의 온도가 요구될 때에는 별도의 히팅 수단이 더 마련되어야 하기 때문에 전기절감효과가 미비한 문제점이 있다.
(0001) 대한민국 공개실용신안공보 제20-2008-0004784호(2008년 10월 22일 공개) (0002) 대한민국 등록특허공보 제10-1109728호(2012년 01월 18일 공고) (0003) 대한민국 등록특허공보 제10-1109730호(2012년 02월 24일 공고)
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 과제는, 반도체 및 LCD 제조공정설비에 가스를 사용하여 온도를 제어함으로써, 기존에 액상을 통한 온도 제어방식에 비해 소비전력 및 유지비용을 절감할 수 있는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 부수적인 과제는, 복수의 전자팽창밸브를 사용함으로써 저온에서 고온까지 비교적 폭넓은 범위로 온도를 제어할 수 있는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 부수적인 과제는, 구성을 단순화하여 시스템을 소형화하고, 온도제어의 정밀도를 향상시킬 수 있는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 달성하기 위해 안출된 본 발명은, 공정설비에서 배출된 소정의 작동유체(working fluid)가 제1이송라인을 통해 압축기로 유입되는 단계와, 상기 압축기에 유입되어 고온고압으로 가압 된 상기 작동유체가 배출되어 제2이송라인을 통해 응축기로 유입되는 단계와, 상기 응축기에 유입되어 응축된 상기 작동유체가 배출되어 제3이송라인을 통해 제1전자팽창밸브로 유입되는 단계와, 상기 제1전자팽창밸브에 유입되어 단열팽창된 상기 작동유체가 제4이송라인을 통해 상기 공정설비로 유입되는 단계를 구비한 제1순환단계 및 상기 제2이송라인을 통해 이송되는 상기 고온고압으로 가압 된 작동유체가 분기 되어 제5이송라인을 통해 제2전자팽창밸브로 유입되는 단계와, 상기 제2전자팽창밸브로 유입되어 단열팽창된 상기 작동유체가 제6이송라인을 통해 이송되어 상기 제4이송라인으로 유입되는 단계를 구비한 제2순환단계를 포함한다.
상기 작동유체는 R12, R22, R502, R717, R13, R113, R114, R500, R134A, R410A 및 R407 중 어느 하나의 냉매가스인 것을 특징으로 한다.
상기 공정설비는 정전척(electrostatic chuck)을 구비한 반도체 공정챔버인 것을 특징으로 한다.
상기 공정설비에 설치된 메인 온도센서에 의해 감지된 온도에 기초하여 상기 제1전자팽창밸브와 상기 제2전자팽창밸브의 개도가 각각 조절되는 것을 특징으로 한다.
소정의 작동유체가 순환되는 공정설비, 제1이송라인을 통해 상기 공정설비로부터 유입되는 상기 작동유체의 압력을 높이는 압축기와, 제2이송라인을 통해 상기 압축기로부터 유입되는 상기 작동유체를 응축하는 응축기를 구비한 본체부 및 제3이송라인을 통해 상기 응축기로부터 유입되는 상기 작동유체량을 제어하여 제4이송라인을 통해 상기 공정설비에 상기 작동유체를 공급하는 제1전자팽창밸브와, 상기 제2이송라인을 통해 이송되는 상기 작동유체가 분기 되어 제5이송라인을 통해 상기 압축기로부터 유입되는 상기 작동유체량을 제어하여 제6이송라인을 통해 상기 제4이송라인에 상기 작동유체를 공급하는 제2전자팽창밸브를 구비한 제어부를 포함한다.
상기 제어부는 상기 본체부 보다 상기 공정설비에 더 가까운 곳에 위치한 것을 특징으로 한다.
상기 작동유체는 R12, R22, R502, R717, R13, R113, R114, R500, R134A, R410A 및 R407 중 어느 하나의 냉매가스인 것을 특징으로 한다.
상기 공정설비는 정전척(electrostatic chuck)을 구비한 반도체 공정챔버인 것을 특징으로 한다.
상기 공정설비에 설치된 메인 온도센서에 의해 감지된 온도에 기초하여 상기 제1전자팽창밸브와 상기 제2전자팽창밸브의 개도가 조절되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 반도체 및 LCD 제조공정설비에 가스를 사용하여 온도를 제어함으로써, 기존에 액상을 통한 온도 제어방식에 비해 소비전력 및 유지비용을 절감하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 복수의 전자팽창밸브를 사용함으로써, 저온에서 고온까지 비교적 폭넓은 범위로 용이하게 온도를 제어하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 구성을 단순화하여 시스템을 소형화하고, 온도제어의 정밀도를 향상하는 효과가 있다.
본 명세서에서 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어서 해석되어서는 아니 된다.
도 1 및 도 2는 종래의 액상을 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템을 개략적으로 나타낸 개념도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법을 나타낸 순서도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템을 나타낸 예시도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법을 나타낸 순서도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템을 나타낸 예시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법 및 온도 제어시스템은 공정설비(100), 본체부(200) 및 제어부(300)를 포함하는 구성요소로 이루어지며, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 공정설비(100)는 정전척(electrostatic chuck), 히터 및 챔버 등과 같이 LCD, 반도체 등의 제조공정에 사용되는 공정설비(100)를 지칭하며, 바람직하게는 공정설비(100)는 정전척을 구비한 반도체 공정챔버이다.
그리고, 상기 공정설비(100)는 소정의 작동유체(working fluid)가 순환되면서 상기 공정설비(100)의 온도를 제어하는데, 여기서 상기 작동유체는 R12, R22, R502, R717, R13, R113, R114, R500, R134A, R410A 및 R407 중 어느 하나의 기체로 이루어진 냉매가스이다.
상기 본체부(200)는 상기 작동유체를 고온고압으로 압축하는 압축기(210)와 상기 작동유체를 응축하는 응축기(220)를 구비한다.
그리고, 상기 제어부(300)는 제1전자팽창밸브(310)와 제2전자팽창밸브(320)를 구비한다.
이때, 상기 제어부(300)는 상기 본체부(200) 보다 상기 공정설비(100)에 더 가까운 곳에 위치하는 것이 바람직한데, 즉 상기 제1전자팽창밸브(310)와 제2전자팽창밸브(320)가 상기 공정설비(100) 인근에 위치하게 되면, 상기 공정설비(100)에 유입되어 온도를 제어하는 작동유체의 온도제어의 정밀도를 높이는 이점이 있다.
즉, 공간을 많이 차지하는 본체부(200)와, 비교적 부피가 작아 공간을 덜 차지하는 제어부(300)로 각각 분리함으로써, 공간을 효율적으로 활용하는 동시에 보다 정밀하게 온도를 제어할 수 있는 것이다.
여기서, 상기 제1전자팽창밸브(310)와 상기 제2전자팽창밸브(320)는 상기 공정설비(100)에 설치된 메인 온도센서(미도시)에 의해 감지된 온도에 기초하여 각각 개도가 조절된다.
즉, 상기 제1전자팽창밸브(310)의 경우 약 30℃ 미만의 저온의 작동유체로 상기 공정설비(100)의 온도를 제어하게 되고, 상기 제2전자팽창밸브(320)는 약 30℃ 이상의 상온의 작동유체로 상기 공정설비(100)의 온도를 제어하는 것이다.
이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법은, 저온의 온도제어를 위한 제1순환경로와, 비교적 고온의 온도제어를 위한 제2순환경로를 구비한다.
여기서, 상기 제1순환경로에 대해 설명하면, 공정설비(100)에서 배출된 소정의 작동유체(working fluid)가 제1이송라인(230)을 통해 압축기(210)로 유입(단계 S100)된다.
그 다음, 상기 압축기(210)에 유입되어 고온고압으로 가압 된 상기 작동유체가 배출되어 제2이송라인(240)을 통해 응축기(220)로 유입(단계 S200)된다.
그 다음, 상기 응축기(220)에 유입되어 응축된 상기 작동유체가 배출되어 제3이송라인(330)을 통해 제1전자팽창밸브(310)로 유입(단계 S300)된다.
그 다음, 상기 제1전자팽창밸브(310)에 유입되어 단열팽창된 상기 작동유체가 제4이송라인(340)을 통해 상기 공정설비(100)로 유입(단계 S400)된다.
그리고, 상기 제2순환경로에 대해 설명하면, 상기 제2이송라인(240)을 통해 이송되는 상기 고온고압으로 가압 된 작동유체가 분기 되어 제5이송라인(350)을 통해 제2전자팽창밸브(320)로 유입(단계 S500)된다.
그 다음, 상기 제2전자팽창밸브(320)로 유입되어 단열팽창된 상기 작동유체가 제6이송라인(360)을 통해 이송되어 상기 제4이송라인(340)으로 유입(단계 S600)된다.
상기 공정설비(100)는 정전척(electrostatic chuck), 히터 및 챔버 등과 같이 LCD, 반도체 등의 제조공정에 사용되는 공정설비(100)를 지칭하며, 바람직하게는 공정설비(100)는 정전척을 구비한 반도체 공정챔버이다.
그리고, 상기 공정설비(100)는 소정의 작동유체(working fluid)가 순환되면서 상기 공정챔버의 온도를 제어하는데, 여기서 상기 작동유체는 R12, R22, R502, R717, R13, R113, R114, R500, R134A, R410A 및 R407 중 어느 하나의 기체로 이루어진 냉매가스이다.
여기서, 상기 제1전자팽창밸브(310)와 상기 제2전자팽창밸브(320)는 상기 공정설비(100)에 설치된 메인 온도센서에 의해 감지된 온도에 기초하여 각각 개도가 조절된다.
즉, 상기 제1전자팽창밸브(310)의 경우 약 30℃ 미만의 저온의 작동유체로 상기 공정설비(100)의 온도를 제어하게 되고, 상기 제2전자팽창밸브(320)는 약 30℃ 이상의 상온의 작동유체로 상기 공정설비(100)의 온도를 제어하는 것이다.
이상에서는 본 발명을 바람직한 실시예에 의거하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 아니하고 청구항에 기재된 범위 내에서 변형이나 변경 실시가 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 첨부된 특허청구범위에 속한다 할 것이다.
100: 공정설비 200: 본체부
210: 압축기 220: 응축기
230: 제1이송라인 240: 제2이송라인
300: 제어부 310: 제1전자팽창밸브
320: 제2전자팽창밸브 330: 제3이송라인
340: 제4이송라인 350: 제5이송라인
360: 제6이송라인

Claims (9)

  1. 공정설비(100)에서 배출된 소정의 작동유체(working fluid)가 제1이송라인(230)을 통해 압축기(210)로 유입되는 단계와, 상기 압축기(210)에 유입되어 고온고압으로 가압 된 상기 작동유체가 배출되어 제2이송라인(240)을 통해 응축기(220)로 유입되는 단계와, 상기 응축기(220)에 유입되어 응축된 상기 작동유체가 배출되어 제3이송라인(330)을 통해 제1전자팽창밸브(310)로 유입되는 단계와, 상기 제1전자팽창밸브(310)에 유입되어 단열팽창된 상기 작동유체가 제4이송라인(340)을 통해 상기 공정설비(100)로 유입되는 단계를 구비한 제1순환단계; 및
    상기 제2이송라인(240)을 통해 이송되는 상기 고온고압으로 가압 된 작동유체가 분기 되어 제5이송라인(350)을 통해 제2전자팽창밸브(320)로 유입되는 단계와, 상기 제2전자팽창밸브(320)로 유입되어 단열팽창된 상기 작동유체가 제6이송라인(360)을 통해 이송되어 상기 제4이송라인(340)으로 유입되는 단계를 구비한 제2순환단계를 포함하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 작동유체는 R12, R22, R502, R717, R13, R113, R114, R500, R134A, R410A 및 R407 중 어느 하나의 냉매가스인 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공정설비(100)는 정전척(electrostatic chuck)을 구비한 반도체 공정챔버인 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공정설비(100)에 설치된 메인 온도센서에 의해 감지된 온도에 기초하여 상기 제1전자팽창밸브(310)와 상기 제2전자팽창밸브(320)의 개도가 각각 조절되는 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어방법.
  5. 소정의 작동유체가 순환되는 공정설비(100);
    제1이송라인(230)을 통해 상기 공정설비(100)로부터 유입되는 상기 작동유체의 압력을 높이는 압축기(210)와, 제2이송라인(240)을 통해 상기 압축기(210)로부터 유입되는 상기 작동유체를 응축하는 응축기(220)를 구비한 본체부(200); 및
    제3이송라인을 통해 상기 응축기(220)로부터 유입되는 상기 작동유체량을 제어하여 제4이송라인(340)을 통해 상기 공정설비(100)에 상기 작동유체를 공급하는 제1전자팽창밸브(310)와, 상기 제2이송라인(240)을 통해 이송되는 상기 작동유체가 분기 되어 제5이송라인(350)을 통해 상기 압축기(210)로부터 유입되는 상기 작동유체량을 제어하여 제6이송라인(360)을 통해 상기 제4이송라인(340)에 상기 작동유체를 공급하는 제2전자팽창밸브(320)를 구비한 제어부(300)를 포함하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부(300)는 상기 본체부(200) 보다 상기 공정설비(100)에 더 가까운 곳에 위치한 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 작동유체는 R12, R22, R502, R717, R13, R113, R114, R500, R134A, R410A 및 R407 중 어느 하나의 냉매가스인 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 공정설비(100)는 정전척(electrostatic chuck)을 구비한 반도체 공정챔버인 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 공정설비(100)에 설치된 메인 온도센서에 의해 감지된 온도에 기초하여 상기 제1전자팽창밸브(310)와 상기 제2전자팽창밸브(320)의 개도가 조절되는 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 및 LCD 제조공정설비의 온도 제어시스템.
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