KR20140064309A - Semiconductor integrated circuit, protection circuit and battery pack - Google Patents

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KR20140064309A
KR20140064309A KR1020120131503A KR20120131503A KR20140064309A KR 20140064309 A KR20140064309 A KR 20140064309A KR 1020120131503 A KR1020120131503 A KR 1020120131503A KR 20120131503 A KR20120131503 A KR 20120131503A KR 20140064309 A KR20140064309 A KR 20140064309A
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히데노리 타나카
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미쓰미덴기가부시기가이샤
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    • G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
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    • G01R31/52—Testing for short-circuits, leakage current or ground faults

Abstract

[OBJECTIVE] The purpose is to provide a semiconductor integrated circuit capable of stably maintaining the output voltage of a regulator even when a leak current is generated, a protection circuit and a battery pack. [SOLUTION] It includes a leak detection unit which detects the generation of a leak current in a semiconductor integrated circuit and outputs a detection result, a switch which is on/off by the output of the leak detection unit, and a pull-down resistor which drops the output voltage of the regulator by touching the output terminal of the regulator through the switch when the leak current is detected by the leak detection unit.

Description

반도체 집적 회로, 보호 회로 및 전지팩{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, PROTECTION CIRCUIT AND BATTERY PACK}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, a protection circuit,

본 발명은 레귤레이터를 갖는 반도체 집적 회로, 보호 회로 및 전지팩에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a regulator, a protection circuit, and a battery pack.

최근에는, 충방전 가능한 2차전지 등에 의해 구동되는 휴대기기가 보급되고 있다. 2차전지는 보호 회로를 갖는 전지팩으로서 탑재되는 경우가 있다. 이 보호 회로에는 2차전지를 과충전이나 과방전 등으로부터 보호하는 기능이나, 전지 잔량의 관리 등을 행하는 전지 감시 기능 등을 갖는 것이 있다. In recent years, portable devices driven by rechargeable and rechargeable batteries have become popular. The secondary battery may be mounted as a battery pack having a protection circuit. This protection circuit has a function of protecting the secondary battery from overcharge or overdischarge, a battery monitoring function of managing the remaining amount of the battery, and the like.

도 1은 종래의 보호 회로의 예를 도시하는 도면이다. 도 1에 도시하는 보호 회로(10)는 보호 IC(11)와, 전지 감시 IC(12)와, 스위치 트랜지스터(M1)와, 스위치 트랜지스터(M2)를 갖는다. 또한 보호 회로(10)는 단자(B+), 단자(B-), 단자(P+), 단자(P-)를 갖고, 단자(B+)와 단자(B-) 사이에 2차전지(B1)가 접속되고, 단자(P+)와 단자(P-) 사이에 충전기 또는 부하(도시하지 않음)가 접속된다. 보호 IC(11)와 전지 감시 IC(12)는 통신 가능하게 접속되어 있다. 1 is a diagram showing an example of a conventional protection circuit. The protection circuit 10 shown in Fig. 1 has a protection IC 11, a battery monitoring IC 12, a switch transistor M1, and a switch transistor M2. The protection circuit 10 also has a terminal B +, a terminal B-, a terminal P + and a terminal P- and a secondary battery B1 is connected between the terminal B + and the terminal B- And a charger or a load (not shown) is connected between the terminal P + and the terminal P-. The protection IC 11 and the battery monitoring IC 12 are connected so as to be able to communicate with each other.

보호 IC(11)는 2차전지(B1)로부터 공급되는 전압(VDD)에 의해 구동된다. 또한 보호 IC(11)의 기판은 N형 기판이다. 보호 IC(11)는, VDD-VSS 단자 간 전압으로부터 2차전지(B1)의 과충전을 검출하면, 단자(COUT)로부터 트랜지스터(M1)를 오프시키는 제어 신호를 출력하여 충전을 정지시킨다. 또한 보호 IC(11)는, VDD-VSS 단자 간 전압으로부터 2차전지(B1)의 과방전을 검출하면, 단자(DOUT)로부터 트랜지스터(M2)를 오프시키는 제어 신호를 출력하여 방전을 정지시킨다. The protection IC 11 is driven by the voltage VDD supplied from the secondary battery B1. The substrate of the protection IC 11 is an N-type substrate. The protection IC 11 outputs a control signal for turning off the transistor Ml from the terminal Cout to stop charging when detecting overcharge of the secondary battery B1 from the voltage between VDD and VSS terminals. The protection IC 11 also outputs a control signal for turning off the transistor M2 from the terminal DOUT to stop the discharge when the overdischarge of the secondary battery B1 is detected from the voltage between VDD and VSS terminals.

전지 감시 IC(12)는 보호 IC(11)가 갖는 레귤레이터에 의해 전압(VDD)으로부터 생성되는 전압을 전원으로 하고 있고, 2차전지(B1)의 상태를 감시한다. 2차전지(B1)의 상태란, 예를 들면, 전지 잔량이나 2차전지(B1)에 발생한 이상 이력 등이다. The battery monitoring IC 12 uses the voltage generated from the voltage VDD by the regulator of the protection IC 11 as a power source and monitors the state of the secondary battery B1. The state of the secondary battery B1 is, for example, a remaining battery level or an abnormal history occurring in the secondary battery B1.

도 2는 종래의 보호 IC의 예를 도시하는 도면이다. 보호 IC(11)는 기준전압 생성 회로(13), 컴퍼레이터(14), 로직 회로(15), 레귤레이터(16), 저항(R1), 저항(R2)을 갖는다. 2 is a diagram showing an example of a conventional protection IC. The protection IC 11 has a reference voltage generating circuit 13, a comparator 14, a logic circuit 15, a regulator 16, a resistor R1, and a resistor R2.

저항(R1)과 저항(R2)은 VSS-VDD간 전압을 분압한다. 컴퍼레이터(14)는 분압된 VSS-VDD간 전압과, 기준전압 생성 회로(13)에 의해 생성되는 기준전압을 비교하고, 그 결과를 로직 회로(15)에 출력한다. 로직 회로(15)는 컴퍼레이터(14)의 출력에 따라 과충전이나 과방전을 검출하고, 단자(COUT) 및 단자(DOUT)로부터 제어 신호를 출력한다. The resistor R1 and the resistor R2 divide the voltage between VSS and VDD. The comparator 14 compares the voltage between the divided VSS and VDD with a reference voltage generated by the reference voltage generating circuit 13 and outputs the result to the logic circuit 15. The logic circuit 15 detects overcharge or overdischarge in accordance with the output of the comparator 14 and outputs a control signal from the terminal COUT and the terminal DOUT.

또한 기준전압 생성 회로(13)에서 생성되는 기준전압은 레귤레이터(16)에 공급된다. 레귤레이터(16)는 앰프(17), 저항(R3), 저항(R4)을 갖는다. 기준전압 생성 회로(13)로부터 출력된 기준전압은 앰프(17)의 일방의 입력에 공급된다. 앰프(17)의 타방의 입력에는 앰프(17)의 출력이 공급된다. 앰프(17)의 출력은 저항(R3)과 저항(R4)에 의해 분압되어, 레귤레이터(16)의 출력 전압으로 된다. The reference voltage generated by the reference voltage generating circuit 13 is supplied to the regulator 16. [ The regulator 16 has an amplifier 17, a resistor R3, and a resistor R4. The reference voltage output from the reference voltage generating circuit 13 is supplied to one input of the amplifier 17. The other input of the amplifier 17 is supplied with the output of the amplifier 17. The output of the amplifier 17 is divided by the resistor R3 and the resistor R4 and becomes the output voltage of the regulator 16. [

그런데, 2차전지(B1)를 충전하는 경우에는, 단자(P+)와 단자(P-) 사이에 충전기가 접속된다. 2차전지(B1)의 충전시에는, 충전기가 2차전지(B1)와 극성이 반대가 되도록 접속될 가능성이 있다. 이 상태를 이하에서는 충전기 역접 상태라고 부른다. 충전기 역접 상태가 되면, 2차전지(B1)의 부극측에 과대하게 전압이 인가되어, 2차전지(B1)의 이상 상태가 된다. 그래서 종래에는 충전기 역접 상태의 발생을 방지하는 연구가 이루어졌다. When the secondary battery B1 is charged, a charger is connected between the terminal P + and the terminal P-. When the secondary battery B1 is charged, there is a possibility that the charger is connected to the secondary battery B1 so that the polarity is opposite to that of the secondary battery B1. This state is hereinafter referred to as a charging station reverse state. When the battery charger is in the reversed state, a voltage is excessively applied to the negative electrode side of the secondary battery (B1), resulting in an abnormal state of the secondary battery (B1). Thus, in the past, researches have been made to prevent the occurrence of the state of reversing the charger.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 충전기 역접 상태를 검출하면 2차전지로의 충전을 정지시키는 것이 기재되어 있다. For example, Patent Document 1 discloses that the charging to the secondary battery is stopped when the state of reversing the charger is detected.

일본 특개 2009-247100호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-247100

(발명의 개요)(Summary of the Invention)

(발명이 해결하고자 하는 과제)(Problems to be Solved by the Invention)

예를 들면, 도 1에 도시하는 보호 회로에서 충전기 역접 상태가 발생한 경우, 단자(P-)의 전압이 올라가기 때문에, 보호 IC(11)는 방전 과전류나 단락을 검출하고, 트랜지스터(M2)를 오프시킨다. 그렇지만 보호 IC(11)는 기판전압이 VDD의 N형 기판이기 때문에, 충전기 역접 상태에 의해 각 단자의 전압이 VDD보다 높아지면, 기생 트랜지스터가 동작하여 내부 회로에 리크 전류가 발생한다. 이 리크 전류에 의해, 레귤레이터(16)의 출력 전압이 높아져, 레귤레이터(16)의 출력 전압의 공급처인 전지 감시 IC(12)를 파손할 우려가 발생한다. 1, the protection IC 11 detects a discharge overcurrent or a short circuit, and when the transistor M2 is turned on, Off. However, since the protection IC 11 is an N-type substrate having a VDD voltage, if the voltage of each terminal becomes higher than VDD due to the state of the charger reverse state, the parasitic transistor operates and a leak current is generated in the internal circuit. This leakage current increases the output voltage of the regulator 16, which may damage the battery monitoring IC 12, which is the supply source of the output voltage of the regulator 16.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이것을 해결하기 위해 행해진 것으로, 리크 전류가 발생한 경우에도 레귤레이터의 출력 전압을 안정하게 유지하도록 가능한 반도체 집적 회로, 보호 회로 및 전지팩을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit, a protection circuit, and a battery pack capable of stably maintaining the output voltage of a regulator even when a leak current occurs.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 이하와 같은 구성을 채용했다. In order to achieve the above object, the present invention adopts the following structure.

본 발명은 레귤레이터(115)를 갖는 반도체 집적 회로(110)로서, 당해 반도체 집적 회로(110) 내에서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출 결과를 출력하는 리크 검출 수단(130)과, A semiconductor integrated circuit (110) having a regulator (115), comprising leakage detection means (130) for detecting occurrence of a leakage current in the semiconductor integrated circuit (110) and outputting a detection result,

상기 리크 검출 수단(130)의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치(S1)와, A switch S1 whose on / off is controlled by the output of the leak detecting means 130,

상기 리크 검출 수단(130)에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치(S1)를 통하여 상기 레귤레이터(115)의 출력 단자(VREGOUT)와 접속되어 상기 레귤레이터(115)의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항(R50)을 갖는다. A pull-down resistor connected to the output terminal (VREGOUT) of the regulator (115) through the switch (S1) to drop the output voltage of the regulator (115) when the leakage current is detected by the leak detecting means And a resistor R50.

본 발명은 2차전지(B10)의 보호를 행하는 반도체 집적 회로(110)로서, The present invention is a semiconductor integrated circuit (110) for protecting the secondary battery (B10)

방전 제어용 스위치(M20) 및 충전 제어용 스위치(M10)의 온/오프를 제어하는 신호를 출력하는 제어 수단과, Control means for outputting a signal for controlling on / off of the discharge control switch M20 and the charge control switch M10,

다른 반도체 집적 회로(120)에 공급하는 전압을 생성하는 레귤레이터(115)와, A regulator 115 for generating a voltage to be supplied to the other semiconductor integrated circuit 120,

당해 반도체 집적 회로 내(110)에 있어서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단(130)과, (130) for detecting occurrence of a leak current in the semiconductor integrated circuit (110) and outputting a detection result,

상기 리크 검출 수단(130)의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치(S1)와, A switch S1 whose on / off is controlled by the output of the leak detecting means 130,

상기 리크 검출 수단(130)에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치(S1)를 통하여 상기 레귤레이터(115)의 출력 단자(VREGOUT)와 접속되어 상기 레귤레이터(115)의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항(R50)을 갖는다. A pull-down resistor connected to the output terminal (VREGOUT) of the regulator (115) through the switch (S1) to drop the output voltage of the regulator (115) when the leakage current is detected by the leak detecting means And a resistor R50.

본 발명은, 2차전지(B10)의 보호를 행하는 보호 회로(100)로서, The present invention is a protection circuit (100) for protecting the secondary battery (B10)

방전 제어용 스위치(M20) 및 충전 제어용 스위치(M10)와, A discharge control switch M20 and a charge control switch M10,

상기 방전 제어용 스위치(M20) 및 상기 충전 제어용 스위치(M10)의 온/오프를 제어하는 신호를 출력하는 제 1 반도체 집적 회로(110)와, A first semiconductor integrated circuit 110 for outputting a signal for controlling on / off of the discharge control switch M20 and the charge control switch M10,

상기 제 1 반도체 집적 회로(110)로부터 공급되는 전압을 전원으로 하는 제 2 반도체 집적 회로(120)를 갖고, And a second semiconductor integrated circuit (120) which uses a voltage supplied from the first semiconductor integrated circuit (110) as a power supply,

상기 제 1 반도체 집적 회로(110)는, The first semiconductor integrated circuit (110)

상기 제 2 반도체 집적 회로(120)에 공급하는 전압을 생성하는 레귤레이터(115)와, A regulator 115 for generating a voltage to be supplied to the second semiconductor integrated circuit 120,

상기 제 1 반도체 집적 회로(110) 내에 있어서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단(130)과, A leakage detection means (130) for detecting occurrence of a leakage current in the first semiconductor integrated circuit (110) and outputting a detection result,

상기 리크 검출 수단(130)의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치(S1)와, A switch S1 whose on / off is controlled by the output of the leak detecting means 130,

상기 리크 검출 수단(130)에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치(S1)를 통하여 상기 레귤레이터(115)의 출력 단자(VREGOUT)와 접속되어 상기 레귤레이터(115)의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항(R50)을 갖는다. A pull-down resistor connected to the output terminal (VREGOUT) of the regulator (115) through the switch (S1) to drop the output voltage of the regulator (115) when the leakage current is detected by the leak detecting means And a resistor R50.

또한 본 발명의 보호 회로에 있어서, 상기 제 2 반도체 집적 회로(120)는, In the protection circuit of the present invention, the second semiconductor integrated circuit (120)

상기 2차전지(B10)의 잔용량을 산출하는 기능과, 상기 2차전지의 상태의 이력을 관리하는 기능을 포함한다. A function of calculating the remaining capacity of the secondary battery B10, and a function of managing the history of the state of the secondary battery.

또한 본 발명의 보호 회로는, 상기 제 1 반도체 집적 회로(110)에 있어서, Further, in the protection circuit of the present invention, in the first semiconductor integrated circuit 110,

상기 리크 검출 수단(130)은, The leak detection means (130)

상기 2차전지(B10)의 부극과 접속되는 단자(V-)의 전압이 소정 전압 이상이 되었을 때, 일단이 기생 소자(132)를 통하여 상기 단자(V-)에 접속되는 정전류원(131)을 갖고, A constant current source 131 whose one end is connected to the terminal V- through the parasitic element 132 when the voltage of the terminal V- connected to the negative electrode of the secondary battery B10 becomes equal to or higher than a predetermined voltage, Lt; / RTI &

상기 정전류원(131)의 출력이 소정값 이상으로 되었을 때, 상기 리크 전류를 검출한 것을 출력한다. When the output of the constant current source 131 becomes equal to or higher than a predetermined value, it outputs the detection of the leak current.

또한 본 발명의 보호 회로에 있어서, 상기 제 1 반도체 집적 회로(110)와 상기 제 2 반도체 집적 회로(120)는 통신 가능하게 접속되어 있고, In the protection circuit of the present invention, the first semiconductor integrated circuit 110 and the second semiconductor integrated circuit 120 are connected so as to be capable of communicating with each other,

상기 제 1 반도체 집적 회로(110)는 상기 리크 전류를 검출했을 때 상기 제 2 반도체 집적 회로(120)에 상기 검출을 통지한다. The first semiconductor integrated circuit 110 notifies the second semiconductor integrated circuit 120 of the detection when the leakage current is detected.

본 발명은, 2차전지(B10)와, The present invention relates to a battery comprising a secondary battery (B10)

방전 제어용 스위치(M20) 및 충전 제어용 스위치(M10)와, A discharge control switch M20 and a charge control switch M10,

상기 방전 제어용 스위치(M20) 및 상기 충전 제어용 스위치(M10)의 온/오프를 제어하는 신호를 출력하는 제 1 반도체 집적 회로(110)와, A first semiconductor integrated circuit 110 for outputting a signal for controlling on / off of the discharge control switch M20 and the charge control switch M10,

상기 제 1 반도체 집적 회로(110)로부터 공급되는 전압을 전원으로 하는 제 2 반도체 집적 회로(120)를 갖는 전지팩(200)으로서, A battery pack (200) having a second semiconductor integrated circuit (120) whose voltage is supplied from the first semiconductor integrated circuit (110)

상기 제 1 반도체 집적 회로(110)는 The first semiconductor integrated circuit 110 includes:

상기 제 2 반도체 집적 회로(120)에 공급하는 전압을 생성하는 레귤레이터(115)와, A regulator 115 for generating a voltage to be supplied to the second semiconductor integrated circuit 120,

상기 제 1 반도체 집적 회로(110) 내에 있어서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단(130)과, A leakage detection means (130) for detecting occurrence of a leakage current in the first semiconductor integrated circuit (110) and outputting a detection result,

상기 리크 검출 수단(130)의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치(S1)와, A switch S1 whose on / off is controlled by the output of the leak detecting means 130,

상기 리크 검출 수단(130)에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치(S1)를 통하여 상기 레귤레이터(115)의 출력 단자(VREGOUT)와 접속되어 상기 레귤레이터(115)의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항(R50)을 갖는다. A pull-down resistor connected to the output terminal (VREGOUT) of the regulator (115) through the switch (S1) to drop the output voltage of the regulator (115) when the leakage current is detected by the leak detecting means And a resistor R50.

또한, 상기 괄호 내의 참조부호는 이해를 쉽게 하기 위하여 붙인 것으로, 일례에 지나지 않으며, 도시된 태양에 한정되는 것은 아니다. In addition, the reference numerals in the above parentheses are added for ease of understanding, and are merely examples, and are not limited to the illustrated embodiments.

본 발명에 의하면, 리크 전류가 발생한 경우에도 레귤레이터의 출력 전압을 일정하게 유지할 수 있다. According to the present invention, even when a leak current occurs, the output voltage of the regulator can be kept constant.

도 1은 종래의 보호 회로의 예를 도시하는 도면.
도 2는 종래의 보호 IC의 예를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 보호 회로를 설명하는 도면.
도 4는 본 실시형태의 보호 IC를 설명하는 도면.
도 5는 본 실시형태의 리크 검출 회로를 설명하는 도면.1 is a diagram showing an example of a conventional protection circuit;
2 is a diagram showing an example of a conventional protection IC;
3 is a view for explaining a protection circuit of the present invention.
4 is a view for explaining a protection IC according to the present embodiment.
5 is a view for explaining a leak detecting circuit of the present embodiment.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

이하에 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 보호 회로를 설명하는 도면이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 3 is a view for explaining the protection circuit of the present invention.

도 3에 있어서, 본 실시형태의 보호 회로(100)는 충방전 가능한 2차전지(B10)와 접속되어 전지팩(200)을 구성하고 있다. 전지팩(200)은 도시하지 않은 휴대기기 등에 실장되고, 2차전지(B10)의 전지전압에 의해 휴대기기를 구동한다. 3, the protection circuit 100 of the present embodiment is connected to a rechargeable secondary battery B10 to constitute a battery pack 200. [ The battery pack 200 is mounted on a portable device or the like (not shown), and drives the portable device by the battery voltage of the secondary battery B10.

보호 회로(100)에 있어서, 단자 B+, B- 사이에는 리튬 이온 전지 등의 2차전지(B10)가 접속된다. 단자(B+)는 단자(P+)에 접속되고, 단자(B-)는 저항(R5) 및 MOS 트랜지스터(M20 및 M10)를 통하여 단자(P-)에 접속되어 있어, 단자 P+, P- 사이에 도시하지 않은 부하나 충전기가 접속된다. 또한 충전기가 접속될 때는, 단자(P+)에 충전기의 정극측이 접속되고, 단자(P-)에 충전기의 부극측이 접속된 상태가 통상의 접속상태가 된다. In the protection circuit 100, a secondary battery B10 such as a lithium ion battery is connected between the terminals B + and B-. The terminal B + is connected to the terminal P + and the terminal B- is connected to the terminal P- through the resistor R5 and the MOS transistors M20 and M10 and is connected between the terminals P + and P- And a charger, not shown, is connected. When the charger is connected, the positive terminal side of the charger is connected to the terminal P +, and the negative terminal side of the charger is connected to the terminal P-, which is a normal connected state.

또한 본 실시형태의 보호 회로(100)는 보호 IC(Integrated Circuit: 집적 회로)(110)와 전지 감시 IC(120)를 갖는다. 전지 감시 IC(120)는 저항(R5)의 양단의 전압을 단자(VRSM)와 단자(VRSF)에 공급받아, 단자(VRSM)와 단자(VRSF)의 전위차로부터 2차전지(B10)의 충방전 전류를 검출한다. 또한 2차전지(B10)의 전지전압이 보호 IC(110)를 통하여 단자(VBAT)에 공급되고, 전지 감시 IC(120)는 단자(VBAT)의 전압을 2차전지(B10)의 전압으로서 검출한다. In addition, the protection circuit 100 of this embodiment has a protection IC (integrated circuit) 110 and a battery monitoring IC 120. The battery monitoring IC 120 receives the voltages at both ends of the resistor R5 from the terminal VRSM and the terminal VRSF and detects the charge and discharge of the secondary battery B10 from the potential difference between the terminal VRSM and the terminal VRSF Current is detected. The battery voltage of the secondary battery B10 is supplied to the terminal VBAT through the protection IC 110 and the battery monitoring IC 120 detects the voltage of the terminal VBAT as the voltage of the secondary battery B10 do.

또한 전지 감시 IC(120)는 단자(VDD)에 보호 IC(110)에서 안정화된 전원을 공급받고 있다. 전지 감시 IC(120)는 마이크로컴퓨터를 내장하고, 2차전지(B10)의 충방전 전류를 적산하여 2차전지(B10)의 잔용량을 산출함과 아울러, 2차전지(B10)의 과전압 검출 및 충방전의 과전류 검출 등을 행하고, 그 검출결과에 기초하여 보호 IC(110)의 제어를 행한다. 또한 본 실시형태의 전지 감시 IC(120)는 2차전지(B10)에 발생한 이상 상태의 이력 등을 보유한다. The battery monitoring IC 120 is supplied with the stabilized power from the protection IC 110 to the terminal VDD. The battery monitoring IC 120 includes a microcomputer and calculates the remaining capacity of the secondary battery B10 by integrating the charging and discharging currents of the secondary battery B10 and detects the overvoltage detection of the secondary battery B10 And charge / discharge overcurrent detection, and controls the protection IC 110 based on the detection result. In addition, the battery monitoring IC 120 of the present embodiment holds a history of an abnormal state or the like occurring in the secondary battery B10.

본 실시형태의 보호 IC(110)는, 후술하는 레귤레이터에 의해, 2차전지(B10)로부터 저항(R6)를 통하여 단자(VDD)에 공급되는 전압을 안정화하고, 단자(VREGOUT)로부터 전지 감시 IC(120)에 공급한다. 또한 단자(VSENSE)에는 저항(R7)을 통하여 2차전지(B10)의 전지전압이 공급되고, 이 전지전압을 분압하여 단자(VBAT)로부터 전지 감시 IC(120)에 공급한다. The protection IC 110 according to the present embodiment stabilizes the voltage supplied from the secondary battery B10 to the terminal VDD through the resistor R6 by the regulator to be described later and outputs the voltage from the terminal VREGOUT to the battery monitoring IC (120). The battery voltage of the secondary battery B10 is supplied to the terminal VSENSE via the resistor R7 and the battery voltage is divided and supplied to the battery monitoring IC 120 from the terminal VBAT.

또한 본 실시형태의 보호 IC(110)는 단자(VSENSE)의 전압을 과충전 임계값 및 과방전 임계값과 비교하여, 단자(VSENSE) 전압이 과충전 임계값을 초과하면, 이상 상태라고 간주하여 MOS 트랜지스터(M10)를 오프하고, 과방전 임계값을 밑돌면, 이상 상태라고 간주하여 MOS 트랜지스터(M20)를 오프한다. 이것과 함께 보호 IC(110)는 전지 감시 IC(120)로부터의 제어에 따라 MOS 트랜지스터(M10, M20)의 온/오프를 전환함으로써 2차전지(B10)의 충방전 제어를 행한다. Also, the protection IC 110 of the present embodiment compares the voltage of the terminal VSENSE with the overcharge threshold value and the overdischarge threshold value, and if the terminal VSENSE voltage exceeds the overcharge threshold value, The MOS transistor M20 is turned off, and if it is lower than the over-discharge threshold value, it is regarded as an abnormal state and the MOS transistor M20 is turned off. Along with this, the protection IC 110 performs charge / discharge control of the secondary battery B10 by switching ON / OFF of the MOS transistors M10 and M20 under the control of the battery monitoring IC 120. [

본 실시형태의 보호 회로(100)에 있어서, 전지 감시 IC(120)의 단자(ICOM)와 보호 IC(110)의 단자(ICOM)는 신호선(13)으로 접속되어 있고, 전지 감시 IC(120)와 보호 IC(110) 사이에서 쌍방향의 3값 시리얼 통신이 행해진다. The terminal ICOM of the battery monitoring IC 120 and the terminal ICOM of the protection IC 110 are connected by a signal line 13 in the protection circuit 100 of the present embodiment, Bidirectional three-value serial communication is performed between the protection IC 110 and the protection IC 110. [

또한 본 실시형태의 보호 IC(110)는 전지팩(200)에 2차전지(B10)와 극성이 반대인 상태에서 충전기가 접속된 충전기 역접 상태로 된 것을 검출한다. 즉 충전기 역접 상태란 충전기의 정극측이 단자(P-)에 접속되고, 충전기의 부극측이 단자(P+)에 접속된 상태이다. Further, the protection IC 110 of the present embodiment detects that the charging IC is connected to the battery pack 200 in a state where the polarity is opposite to that of the secondary battery B10. That is, the state of the charger reverse state means that the positive side of the charger is connected to the terminal P- and the negative side of the charger is connected to the terminal P +.

본 실시형태의 보호 IC(110)는 충전기 역접 상태가 검출되면, 보호 IC(110)가 갖는 레귤레이터의 출력 전압을 풀다운 한다. 또한 본 실시형태의 보호 IC(110)는, 충전기 역접 상태가 되면, 트랜지스터(M20)를 오프하여 2차전지(B10)의 충방전을 정지시킨다. The protection IC 110 of the present embodiment pulls down the output voltage of the regulator of the protection IC 110 when the state of reversing the charger is detected. In addition, the protection IC 110 of the present embodiment turns off the transistor M20 to stop charging / discharging of the secondary battery B10 when the charger is brought into the reversed state.

이하에 도 4를 참조하여 본 실시형태의 보호 IC(110)에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시형태의 보호 IC를 설명하는 도면이다. 또한, 도 4에서는, 보호 IC(110)에 의한 충전기 역접 상태의 검출과, 레귤레이터의 출력 전압의 풀다운에 대하여 설명하기 위하여 필요한 단자만을 나타내고, 그 밖의 단자의 도시를 생략하고 있다. Hereinafter, the protection IC 110 of the present embodiment will be described with reference to FIG. 4 is a view for explaining a protection IC according to the present embodiment. 4 shows only the terminals necessary for explaining the detection of the state of the charging device reverse state by the protection IC 110 and the pull-down of the output voltage of the regulator, and the other terminals are not shown.

본 실시형태의 보호 IC(110)는 기준전압 생성 회로(112), 컴퍼레이터(113), 로직 회로(114), 레귤레이터(115), 리크 검출 회로(130), 저항(R10), 저항(R20), 저항(R50), 스위치(SW1)를 갖는다. The protection IC 110 of this embodiment includes a reference voltage generation circuit 112, a comparator 113, a logic circuit 114, a regulator 115, a leak detection circuit 130, a resistor R10, a resistor R20 ), A resistor R50, and a switch SW1.

본 실시형태의 보호 IC(110)에 있어서, 저항(R10)과 저항(R20)은 단자(VSS)-단자(VDD) 간의 전압을 분압한다. 컴퍼레이터(113)는 분압된 단자(VSS)-단자(VDD) 간 전압과, 기준전압 생성 회로(112)에 의해 생성되는 기준전압을 비교하고, 그 결과를 로직 회로(114)에 출력한다. 로직 회로(114)는 컴퍼레이터(113)의 출력에 따라 과충전이나 과방전을 검출하고, 단자(COUT) 및 단자(DOUT)로부터 제어 신호를 출력한다. 또한 기준전압 생성 회로(112)에서 생성되는 기준전압은 레귤레이터(115)에 공급된다. In the protection IC 110 of the present embodiment, the resistor R10 and the resistor R20 divide the voltage between the terminal VSS and the terminal VDD. The comparator 113 compares the voltage between the divided terminals VSS and VDD with the reference voltage generated by the reference voltage generating circuit 112 and outputs the result to the logic circuit 114. The logic circuit 114 detects overcharge or overdischarge in accordance with the output of the comparator 113 and outputs a control signal from the terminal COUT and the terminal DOUT. The reference voltage generated by the reference voltage generating circuit 112 is supplied to the regulator 115.

본 실시형태의 레귤레이터(115)는 앰프(116), 저항(R30), 저항(R40)을 갖는다. 기준전압 생성 회로(112)로부터 출력된 기준전압은 앰프(116)의 일방의 입력에 공급된다. 앰프(116)의 타방의 입력에는 앰프(116)의 출력이 공급된다. 앰프(116)의 출력은 저항(R30)과 저항(R40)에 의해 분압되어, 레귤레이터(115)의 출력 전압으로 된다. The regulator 115 of the present embodiment has an amplifier 116, a resistor R30, and a resistor R40. The reference voltage output from the reference voltage generating circuit 112 is supplied to one input of the amplifier 116. [ The other input of the amplifier 116 is supplied with the output of the amplifier 116. The output of the amplifier 116 is divided by the resistor R30 and the resistor R40 and becomes the output voltage of the regulator 115. [

본 실시형태의 리크 검출 회로(130)는 보호 IC(110) 내에서 리크 전류가 발생했는지 아닌지를 검출한다. 스위치(SW1)는 일단이 저항(R50)을 통하여 레귤레이터(115)의 출력과 접속되어 있고, 타단이 VSS 단자와 접속되어 있다. 스위치(SW1)는 리크 검출 회로(130)로부터 출력되는 신호에 기초하여, 온/오프가 제어된다. 본 실시형태에서는, 충전기 역접 상태로 된 경우에도, 스위치(SW1) 및 저항(R50)에 의해 레귤레이터(115)의 출력 전압을 소정 범위 내에 유지한다. The leak detection circuit 130 of the present embodiment detects whether a leak current has occurred in the protection IC 110 or not. The switch SW1 has one end connected to the output of the regulator 115 via a resistor R50 and the other end connected to the VSS terminal. The switch SW1 is controlled on / off based on a signal output from the leak detecting circuit 130. [ In this embodiment, the output voltage of the regulator 115 is kept within a predetermined range by the switch SW1 and the resistor R50 even when the charger is brought into the inverted state.

구체적으로는 본 실시형태에서는, 리크 검출 회로(130)는 충전기 역접 상태를 검출하면 하이 레벨(이하, H 레벨)의 신호를 출력하고, 충전기 역접 상태를 검출하지 않는 일반적인 접속상태에서는 로 레벨(이하, L 레벨)의 신호를 출력한다. 본 실시형태의 스위치(SW1)는, 리크 검출 회로(130)의 출력이 H 레벨일 때 온이 되고, 리크 검출 회로(130)의 출력이 L 레벨일 때 오프가 된다. Specifically, in the present embodiment, the leak detection circuit 130 outputs a signal of a high level (hereinafter referred to as H level) when detecting the state of the charger reverse state and outputs a signal of a low level , L level). The switch SW1 of the present embodiment is turned on when the output of the leak detection circuit 130 is at the H level and turned off when the output of the leak detection circuit 130 is at the L level.

리크 검출 회로(130)에 의해 충전기 역접 상태가 검출되면, 스위치(SW1)가 온 이 되고, 레귤레이터(115)의 출력 전압과 전압(VSS) 사이에 저항(R50)이 접속된다. 저항(R50)이 접속됨으로써, 레귤레이터(115)의 출력인 단자(VREGOUT)의 전압이 저항(R50)에 의해 풀다운 된다. The switch SW1 is turned on and the resistor R50 is connected between the output voltage of the regulator 115 and the voltage VSS. By connecting the resistor R50, the voltage of the terminal VREGOUT, which is the output of the regulator 115, is pulled down by the resistor R50.

따라서 본 실시형태에서는, 충전기 역접 상태가 검출되었을 때에도 레귤레이터(115)의 출력 전압을 소정 범위 내에 유지할 수 있다. 또한 본 실시형태의 저항(R50)의 저항값은 충전기 역접 상태로 된 경우의 단자(V-)의 전압이나, 평상시의 레귤레이터(115)의 출력 전압 등에 기초하여 설정된다. 또한 저항(R50)의 값은 충전기 역접 상태로 된 경우에도, 단자(VREGOUT)로부터 전압이 공급되는 전지 감시 IC(120)가 파손되지 않을 정도의 전압이 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 또한 저항(R50)의 값은, 충전기 역접 상태로 된 경우에도, 단자(VREGOUT)로부터 출력되는 전압이 평상시와 동일한 값이 되도록 설정되는 것이 바람직하다. Therefore, in the present embodiment, the output voltage of the regulator 115 can be kept within a predetermined range even when the charging station reverse state is detected. The resistance value of the resistor R50 of the present embodiment is set based on the voltage of the terminal V- when the charger is brought into the inverted state of the charger or the output voltage of the regulator 115 normally. It is also preferable that the value of the resistor R50 is set so that the voltage of the battery monitoring IC 120 to which the voltage is supplied from the terminal VREGOUT is not damaged even when the charging state of the battery is set to the charging state. It is also preferable that the value of the resistor R50 is set so that the voltage output from the terminal VREGOUT becomes the same value as usual even when the charger is turned on.

이하에 도 5를 참조하여 본 실시형태의 리크 검출 회로(130)에 대하여 설명한다. 도 5는 본 실시형태의 리크 검출 회로를 설명하는 도면이다. Hereinafter, the leak detection circuit 130 of the present embodiment will be described with reference to FIG. 5 is a view for explaining a leak detecting circuit of the present embodiment.

본 실시형태의 보호 IC(110)에 있어서, 리크 검출 회로(130)는 정전류원(131)을 갖는다. 또 본 실시형태의 보호 IC(110)의 기판은 N형 기판이며, 기판 위에 회로군이나 단자 등이 실장되는 영역은 P형 웰이기 때문에, N형 기판과 P형 웰 사이에는 기생 소자(132)가 존재한다. 본 실시형태에서는, 예를 들면, 리크 검출 회로(130) 내의 P형 웰(133)과, 단자(V-)에 접속된 P형 웰(134) 사이에 기생 트랜지스터(132)가 존재한다. 본 실시형태의 리크 검출 회로(130)는 정전류원(131)과 P형 웰(133)과의 접속점의 전압의 레벨을 출력으로 하고 있다. In the protection IC 110 of the present embodiment, the leak detection circuit 130 has a constant current source 131. Since the substrate of the protection IC 110 according to the present embodiment is an N-type substrate, and a region on which a circuit group or a terminal is mounted is a P-type well, parasitic elements 132 are formed between the N-type substrate and the P- Lt; / RTI > In this embodiment, for example, the parasitic transistor 132 is present between the P-type well 133 in the leak detection circuit 130 and the P-type well 134 connected to the terminal V-. The leakage detection circuit 130 of the present embodiment outputs the voltage level of the connection point between the constant current source 131 and the P-type well 133 as the output.

여기에서, 본 실시형태의 전지팩(200)에 있어서 충전기 역접 상태가 발생하면, 단자(P-)의 올라가, 보호 IC(110)의 단자(V-)의 전압이 VDD보다 높아진다. 그리고 단자(V-)의 전압이 전압(VDD)에 기생 트랜지스터(132)의 동작 임계값 전압을 가산한 값보다도 높아지면, 기생 트랜지스터(132)가 동작한다. 기생 트랜지스터(132)가 동작하면, 단자(V-)에 접속된 P형 웰(134)과 리크 검출 회로(130) 내의 P형 웰(133)이 기생 트랜지스터(132)를 통하여 단자(V-)와 접속되고, 리크 검출 회로(130) 내로 단자(V-)로부터 리크 전류가 흘러들어간다. Here, in the battery pack 200 according to the present embodiment, when the charger reverse state occurs, the terminal P- rises and the voltage at the terminal V- of the protection IC 110 becomes higher than VDD. When the voltage of the terminal V- becomes higher than the value obtained by adding the operation threshold voltage of the parasitic transistor 132 to the voltage VDD, the parasitic transistor 132 operates. When the parasitic transistor 132 operates, the P-type well 134 connected to the terminal V- and the P-type well 133 in the leak detection circuit 130 are connected to the terminal V- through the parasitic transistor 132, And a leakage current flows from the terminal V- into the leak detecting circuit 130. [

리크 검출 회로(130)에서는, 리크 전류가 흘러들어가면, P형 웰(132)과 정전류원(131)의 접속점(A)의 전압이 상승한다. 그리고 접속점(A)의 전압이 소정값 이상이 되면, 리크 검출 회로(130)의 출력이 H 레벨이 되고, 스위치(SW1)가 온 된다. 스위치(SW1)가 온 되면, 저항(R50)에 의해 단자(VREGOUT)의 전압이 풀다운 된다. In the leak detection circuit 130, when a leakage current flows, the voltage at the connection point A between the P-type well 132 and the constant current source 131 rises. When the voltage of the connection point A becomes equal to or higher than the predetermined value, the output of the leak detection circuit 130 becomes H level, and the switch SW1 is turned on. When the switch SW1 is turned on, the voltage of the terminal VREGOUT is pulled down by the resistor R50.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 충전기 역접 상태가 되어, 보호 IC(110) 내에 리크 전류가 발생한 경우에도, 레귤레이터(115)의 출력을 소정 범위 내로 유지할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, the output of the regulator 115 can be maintained within a predetermined range even when a leakage current is generated in the protection IC 110 due to the state where the charger is in the inverted state.

또한, 본 실시형태에서는, 보호 IC(110)가 갖는 레귤레이터(115)로부터 전지 감시 IC(120)에 전원전압이 공급되는 예를 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 본 실시형태는 레귤레이터를 갖는 반도체 집적 회로에 적응할 수 있다. In the present embodiment, an example has been described in which the power supply voltage is supplied from the regulator 115 of the protection IC 110 to the battery monitoring IC 120. However, the present invention is not limited to this. The present embodiment can be adapted to a semiconductor integrated circuit having a regulator.

또 본 실시형태에서는, 보호 IC(110)와 전지 감시 IC(120)가 단자(ICOM)에 의해 통신 가능하게 접속되어 있다. 이 때문에 본 실시형태에서는, 보호 IC(110)에서 충전기 역접 상태를 검출했을 때, 2차전지(B10)의 상태를 나타내는 정보로서, 검출결과를 전지 감시 IC(120)에 통지할 수 있다. In the present embodiment, the protection IC 110 and the battery monitoring IC 120 are connected so as to be able to communicate with each other via the terminal ICOM. Therefore, in the present embodiment, the detection result can be notified to the battery monitoring IC 120 as information indicating the state of the secondary battery B10 when the protection IC 110 detects the state of the battery charger reverse state.

이 때문에 본 실시형태에서는, 방전 제어를 행하는 트랜지스터(M20)가 오프된 상태에서, 충전기 역접 상태를 검출한 것을 구별할 수 있다. For this reason, in the present embodiment, it is possible to distinguish the state in which the charging station reverse state is detected while the transistor M20 for discharging control is off.

이상, 각 실시형태에 기초하여 본 발명의 설명을 했지만, 상기 실시형태에 나타낸 요건에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 이것들의 점에 관해서는, 본 발명의 주지를 손상시키지 않는 범위에서 변경할 수 있고, 그 응용형태에 따라 적절하게 정할 수 있다. Although the present invention has been described based on each embodiment, the present invention is not limited to the requirements described in the above embodiments. These points can be changed within a range not impairing the gist of the present invention, and can be appropriately determined according to the application form.

100 보호 회로 110 보호 IC
112 기준전압 생성 회로 115 레귤레이터
120 전지 감시 IC 130 리크 검출 회로
200 전지팩100 Protection Circuit 110 Protection IC
112 reference voltage generating circuit 115 regulator
120 Battery monitoring IC 130 Leak detection circuit
200 battery pack

Claims (7)

레귤레이터를 갖는 반도체 집적 회로로서,
당해 반도체 집적 회로 내에서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단과,
상기 리크 검출 수단의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치와,
상기 리크 검출 수단에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치를 통하여 상기 레귤레이터의 출력 단자와 접속되어 상기 레귤레이터의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.A semiconductor integrated circuit having a regulator,
Leak detecting means for detecting occurrence of a leak current in the semiconductor integrated circuit and outputting a detection result,
A switch whose on / off is controlled by an output of the leak detecting means,
Down resistor connected to the output terminal of the regulator through the switch to drop the output voltage of the regulator when the leak current is detected by the leak detecting means. 2차전지의 보호를 행하는 반도체 집적 회로로서,
방전 제어용 스위치 및 충전 제어용 스위치의 온/오프를 제어하는 신호를 출력하는 제어 수단과,
다른 반도체 집적 회로에 공급하는 전압을 생성하는 레귤레이터와,
당해 반도체 집적 회로 내에 있어서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단과,
상기 리크 검출 수단의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치와,
상기 리크 검출 수단에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치를 통하여 상기 레귤레이터의 출력 단자와 접속되어 상기 레귤레이터의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.1. A semiconductor integrated circuit for protecting a secondary battery, comprising:
Control means for outputting a signal for controlling on / off of the discharge control switch and the charge control switch,
A regulator for generating a voltage to be supplied to another semiconductor integrated circuit,
Leak detecting means for detecting occurrence of a leak current in the semiconductor integrated circuit and outputting a detection result,
A switch whose on / off is controlled by an output of the leak detecting means,
Down resistor connected to the output terminal of the regulator through the switch to drop the output voltage of the regulator when the leak current is detected by the leak detecting means. 2차전지의 보호를 행하는 보호 회로로서,
방전 제어용 스위치 및 충전 제어용 스위치와,
상기 방전 제어용 스위치 및 상기 충전 제어용 스위치의 온/오프를 제어하는 신호를 출력하는 제 1 반도체 집적 회로와,
상기 제 1 반도체 집적 회로로부터 공급되는 전압을 전원으로 하는 제 2 반도체 집적 회로를 갖고,
상기 제 1 반도체 집적 회로는,
상기 제 2 반도체 집적 회로에 공급하는 전압을 생성하는 레귤레이터와,
상기 제 1 반도체 집적 회로 내에 있어서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단과,
상기 리크 검출 수단의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치와,
상기 리크 검출 수단에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치를 통하여 상기 레귤레이터의 출력 단자와 접속되어 상기 레귤레이터의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 보호 회로.As a protection circuit for protecting the secondary battery,
A discharge control switch, a charge control switch,
A first semiconductor integrated circuit for outputting a signal for controlling on / off of the discharge control switch and the charge control switch,
And a second semiconductor integrated circuit that uses a voltage supplied from the first semiconductor integrated circuit as a power source,
The first semiconductor integrated circuit comprising:
A regulator for generating a voltage to be supplied to the second semiconductor integrated circuit;
Leak detecting means for detecting occurrence of a leak current in the first semiconductor integrated circuit and outputting a detection result;
A switch whose on / off is controlled by an output of the leak detecting means,
And a pull-down resistor connected to the output terminal of the regulator through the switch to drop the output voltage of the regulator when the leak current is detected by the leak detecting means. 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 반도체 집적 회로는
상기 2차전지의 잔용량을 산출하는 기능과, 상기 2차전지의 상태의 이력을 관리하는 기능을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 회로.The method of claim 3,
The second semiconductor integrated circuit
A function of calculating the remaining capacity of the secondary battery, and a function of managing the history of the state of the secondary battery. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 반도체 집적 회로에서,
상기 리크 검출 수단은, 상기 2차전지의 부극과 접속되는 단자의 전압이 소정 전압 이상이 되었을 때, 일단이 기생 소자를 통하여 상기 단자에 접속되는 정전류원을 갖고,
상기 정전류원의 출력이 소정값 이상으로 되었을 때, 상기 리크 전류를 검출한 것을 출력하는 것을 특징으로 하는 보호 회로.The method according to claim 3 or 4,
In the first semiconductor integrated circuit,
Wherein the leak detecting means has a constant current source whose one end is connected to the terminal via the parasitic element when the voltage of the terminal connected to the negative electrode of the secondary battery reaches a predetermined voltage or more,
And outputs the detection of the leak current when the output of the constant current source becomes a predetermined value or more. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 반도체 집적 회로와 상기 제 2 반도체 집적 회로는 통신 가능하게 접속되어 있고,
상기 제 1 반도체 집적 회로는 상기 리크 전류를 검출했을 때 상기 제 2 반도체 집적 회로에 상기 검출을 통지하는 것을 특징으로 하는 보호 회로.6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The first semiconductor integrated circuit and the second semiconductor integrated circuit are connected so as to be able to communicate with each other,
And said first semiconductor integrated circuit notifies said detection to said second semiconductor integrated circuit when said leakage current is detected. 2차전지와,
방전 제어용 스위치 및 충전 제어용 스위치와,
상기 방전 제어용 스위치 및 상기 충전 제어용 스위치의 온/오프를 제어하는 신호를 출력하는 제 1 반도체 집적 회로와,
상기 제 1 반도체 집적 회로로부터 공급되는 전압을 전원으로 하는 제 2 반도체 집적 회로를 갖는 전지팩으로서,
상기 제 1 반도체 집적 회로는,
상기 제 2 반도체 집적 회로에 공급하는 전압을 생성하는 레귤레이터와,
상기 제 1 반도체 집적 회로 내에 있어서의 리크 전류의 발생을 검출하고, 검출결과를 출력하는 리크 검출 수단과,
상기 리크 검출 수단의 출력에 의해, 온/오프가 제어되는 스위치와,
상기 리크 검출 수단에 의해 상기 리크 전류가 검출되었을 때, 상기 스위치를 통하여 상기 레귤레이터의 출력 단자와 접속되어 상기 레귤레이터의 출력 전압을 강하시키는 풀다운 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 전지팩.A secondary battery,
A discharge control switch, a charge control switch,
A first semiconductor integrated circuit for outputting a signal for controlling on / off of the discharge control switch and the charge control switch,
And a second semiconductor integrated circuit that uses a voltage supplied from the first semiconductor integrated circuit as a power source,
The first semiconductor integrated circuit comprising:
A regulator for generating a voltage to be supplied to the second semiconductor integrated circuit;
Leak detecting means for detecting occurrence of a leak current in the first semiconductor integrated circuit and outputting a detection result;
A switch whose on / off is controlled by an output of the leak detecting means,
And a pull-down resistor connected to the output terminal of the regulator through the switch to drop the output voltage of the regulator when the leakage current is detected by the leak detecting means.
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