KR20140064227A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 특히 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of uniformly controlling the temperature of the substrate.
일반적으로 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 증착하거나, 기판 상에 증착된 박막을 식각하는 장치들을 지칭한다. 이러한 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 증착하고 식각하여 반도체 소자, 평판 표시 패널, 광학 소자 및 솔라셀 등을 생산한다. 예를 들어, 기판 상에 박막을 증착하는 경우 기판 처리 장치 내의 기판 안치 수단 상에 기판을 안치시키고 기판을 소정 온도로 가열한 후 반응 공간 내에 공정 가스를 분사한다. 기판을 가열하기 위해 챔버의 외측 하부에 가열 수단을 마련할 수 있으며, 가열 수단은 예를 들어 복수의 할로겐 램프를 원형으로 배치하고 할로겐 램프 주위에 반사체를 배치한다.In general, a substrate processing apparatus refers to apparatuses for depositing a thin film on a substrate or etching thin films deposited on the substrate. A thin film is deposited and etched using such a substrate processing apparatus to produce a semiconductor device, a flat panel display panel, an optical element, and a solar cell. For example, when a thin film is deposited on a substrate, the substrate is placed on the substrate holding means in the substrate processing apparatus, and the substrate is heated to a predetermined temperature, and then the process gas is injected into the reaction space. Heating means may be provided on the lower outer side of the chamber to heat the substrate, for example, a plurality of halogen lamps are arranged in a circle and a reflector is arranged around the halogen lamp.
그런데, 최근 들어 기판의 사이즈가 증가함에 따라 기판 표면에 균일한 두께로 박막을 증착시키는 것이 어려워지고 있다. 이러한 문제의 원인 중 하나는 챔버의 가장자리 영역이 챔버의 중심 영역보다 구조적으로 열손실이 발생되어 챔버의 가장자리 영역과 중심 영역의 온도를 균일하게 유지하는 것이 어렵다는 것이다. 따라서, 도 1에 도시된 바와 같이 가열 수단을 2단으로 구성하는데, 기판(10)의 중심 영역을 가열하기 위해 상대적으로 낮은 위치에 제 1 가열 수단(30a)을 배치하고, 기판의 가장자리 영역을 가열하기 위해 상대적으로 높은 위치에 제 2 가열 수단(30b)을 배치하여 챔버 내부 온도의 균일성을 향상시켰다. 여기서, 제 1 및 제 2 가열 수단(30a, 30b)은 고정되어 설정된 영역만을 가열하였다.However, in recent years, as the size of the substrate increases, it becomes difficult to deposit a thin film having a uniform thickness on the substrate surface. One of the causes of this problem is that the edge region of the chamber is structurally more heat lost than the central region of the chamber, making it difficult to keep the temperature of the edge region and center region of the chamber uniform. Accordingly, as shown in Fig. 1, the heating means is composed of two stages. In order to heat the central region of the
그러나, 가열 수단(30a, 30b)의 높이를 2단으로 형성하는 것만으로는 챔버(10) 내부의 중심 영역 온도가 가장자리 영역 온도보다 높게 형성되는 문제점을 해결하는데 한계가 있었다. 즉, 기존의 할로겐 램프는 수평 방향으로 고정되어 있고 이로 인한 가열 범위가 제한적이기 때문에 할로겐 램프의 개수, 위치 그리고 반사체의 형상에 따라 온도 균일성을 최적화하는데 어려움이 있다. 따라서, 할로겐 램프의 배열을 다시 정렬하거나 다른 열원을 추가하는 등 가열 장치의 구조를 변경해야 한다. 그러나, 가열 장치의 구조 변경에 많은 시간과 비용이 소요되고, 다양한 공정 조건에 따른 변경에 적절하게 대응하기 어려운 문제가 있다.
However, there is a limitation in solving the problem that the central region temperature inside the
본 발명은 램프의 추가나 다른 열원의 추가 없이 챔버 내부의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly controlling the temperature inside a chamber without adding a lamp or adding another heat source.
본 발명은 챔버 하부에 마련된 가열 수단의 각도를 조절함으로써 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly regulating the temperature of a substrate by adjusting the angle of a heating means provided at a lower portion of the chamber.
본 발명의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 외측에 마련되어 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단을 포함하고, 상기 가열 수단은, 히터; 상기 히터를 지지하는 지지부; 및 상기 히터의 기울기를 조절하는 조절부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes: a chamber having a reaction space; And a heating means provided outside the chamber for heating the inside of the chamber, the heating means comprising: a heater; A support for supporting the heater; And an adjusting unit for adjusting the inclination of the heater.
또한, 본 발명의 다른 양태에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간 내에 기판을 수용하는 챔버; 상기 기판 하측에 마련되어 상기 기판을 가열하는 가열 수단을 포함하고, 상기 가열 수단은, 히터; 상기 히터를 지지하는 지지부; 및 상기 기판에 대한 상기 히터의 조사 각도를 조절하는 조절부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber for accommodating a substrate in a reaction space; And a heating means provided below the substrate for heating the substrate, wherein the heating means comprises: a heater; A support for supporting the heater; And an adjusting unit adjusting the irradiation angle of the heater with respect to the substrate.
상기 가열 수단은 상기 지지부의 외측 상부에 마련된 측면부를 더 포함하고, 상기 조절부는 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나에 마련되어 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나의 기울기를 조절한다.The heating means may further include a side surface portion provided on an upper side of the support portion, and the adjustment portion may be provided on at least one of the support portion and the side surface portion to adjust the tilt of at least one of the support portion and the side surface portion.
상기 가열 수단은, 상기 챔버 내부의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단과, 상기 챔버 내부의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단을 포함하고, 상기 제 1 가열 수단 또는 제 2 가열 수단의 어느 하나는 다른 하나의 하측에 마련된다.Wherein the heating means includes a first heating means for heating a central region inside the chamber and a second heating means for heating an edge region inside the chamber, Is provided on the lower side of the other.
상기 조절부는 상기 지지부를 관통하도록 형성된 볼트탭과, 상기 볼트탭에 체결되고 상기 측면부의 하면과 접촉되는 볼트를 포함하고, 상기 볼트의 움직임에 따라 상기 측면부의 기울기가 조절된다.The adjusting portion includes a bolt formed to penetrate the supporting portion, and a bolt coupled to the bolt tab and contacting the lower surface of the side portion. The inclination of the side portion is adjusted according to the movement of the bolt.
상기 조절부는 상기 지지부를 관통하도록 형성된 관통홀과, 상기 관통홀 내에 마련되고 상기 측면부의 하면과 접촉되는 핀을 포함하고, 상기 핀의 움직임에 따라 상기 측면부의 기울기가 조절된다.The adjusting portion includes a through hole formed to penetrate the support portion and a pin provided in the through hole and in contact with the lower surface of the side portion, and the inclination of the side portion is adjusted according to the movement of the fin.
상기 조절부는 상기 측면부의 내측 및 외측의 적어도 어느 한 영역에 대응되도록 적어도 하나 마련된다.At least one of the regulating portions is provided so as to correspond to at least one of the inner side and the outer side of the side portion.
상기 조절부는 상기 지지부의 내측 하면에 마련되어 상기 지지부의 기울기를 조절한다.The adjustment portion is provided on the inner bottom surface of the support portion to adjust the inclination of the support portion.
상기 가열 수단은 동일 평면 상에서 적어도 둘 이상으로 분할되어 마련된다.The heating means is divided into at least two on the same plane.
상기 조절부는 상기 복수의 가열 수단의 상기 측면부의 각각에 마련되어 상기 측면부의 기울기를 조절한다.The adjusting portion is provided on each of the side portions of the plurality of heating means to adjust the inclination of the side portion.
상기 히터의 기울기는 상기 기판을 가열하는 도중 또는 기판을 가열하기 이전에 조절된다.The slope of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.
상기 히터의 각도는 상기 기판을 가열하는 도중 또는 기판을 가열하기 이전에 조절된다.
The angle of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.
본 발명의 실시 예들은 가열 수단의 적어도 일부에 조절부를 마련하고, 조절부에 의해 가열 수단의 적어도 일부의 기울기를 조절함으로써 램프 히터의 조사 각도를 조절할 수 있다. 따라서, 챔버 내부의 온도 분포를 균일하게 조절할 수 있고, 그에 따라 기판 상에 증착되는 박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.Embodiments of the present invention can adjust the angle of irradiation of the lamp heater by providing a regulating portion on at least a part of the heating means and adjusting the inclination of at least a part of the heating means by the regulating portion. Accordingly, the temperature distribution inside the chamber can be uniformly adjusted, and the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved.
뿐만 아니라, 가열 수단을 적어도 둘 이상의 복수로 마련하고 복수의 가열 수단 각각에 조절부를 마련함으로써 복수의 가열 수단의 램프 히터의 조사 각도를 각각 조절할 수 있다. 이에 따라, 챔버 내부의 각 영역에서의 온도를 서로 다르게 조절할 수 있어 필요에 따라 기판 상에 증착되는 박막의 두께를 다르게 할 수도 있다.
In addition, it is possible to adjust the irradiation angle of the lamp heater of each of the plurality of heating means by providing at least two or more heating means in plural and arranging the adjusting means in each of the plural heating means. Accordingly, the temperature in each region of the chamber can be adjusted differently, so that the thickness of the thin film deposited on the substrate may be different if necessary.
도 1은 종래의 기판 처리 장치의 가열 수단의 가열 범위를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 가열 수단의 가열 범위를 도시한 개략도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가열 수단의 개략도.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 가열 수단의 부분 단면도.1 is a schematic view showing a heating range of a heating means of a conventional substrate processing apparatus;
2 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a schematic view showing a heating range of a heating means of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
4 is a schematic view of a heating means according to an embodiment of the invention;
5 to 7 are partial cross-sectional views of heating means according to embodiments of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 가열 수단의 가열 범위를 도시한 개략도이다. 또한, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가열 수단의 개략도이고, 도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 가열 수단의 부분 개략도이다.FIG. 2 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic view showing a heating range of a heating means of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 4 is a schematic view of a heating means according to an embodiment of the present invention, and Figs. 5 to 7 are partial schematic views of heating means according to embodiments of the present invention.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(100)와, 챔버(100) 내부에 마련되어 기판(10)을 안치하고 회전시키는 기판 안치 수단(200)과, 챔버(100)의 하측에 마련되어 챔버(100) 내부를 가열하는 가열 수단(300)을 포함한다. 여기서, 가열 수단(300)은 챔버(100) 하측의 중심 영역에 위치하여 반응 공간의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단(300a)과, 챔버(100)의 하측 가장자리 영역에 위치하여 반응 공간의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단(300b)을 포함할 수 있다. 또한, 가열 수단(300)은 도 3에 도시된 바와 같이 상측 및 하측으로 각도가 조절되어 기판(10)의 조사 영역을 조절할 수 있다. 여기서, 가열 수단(300)은 기판(10)을 가열하기 이전 또는 기판(10)을 가열하는 동안에 조사 각도가 조절될 수 있다. 한편, 챔버(100)의 상부에 위치하여 반응 공간을 가열하는 상측 가열 수단(400)을 더 포함할 수 있다. 물론, 도시되지 않았지만 반응 공간(101)에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 장치가 마련될 수도 있다.2 to 4, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100 having a reaction space, substrate holding means provided inside the chamber 100 for holding and rotating the
챔버(100)는 반응 공간(101)을 형성하는 챔버 몸체(110), 상부돔(120) 및 하부돔(130)을 구비한다. 챔버 몸체(110)는 상하부가 개방된 원통 형상으로 제작된다. 즉, 원형의 띠 형태로 제작된다. 그러나, 이에 한정되지 않고 다각형의 통 형상으로 제작될 수도 있다. 챔버 몸체(110)는 일부 또는 모두가 예를 들어 알루미늄 또는 스테인레스 등의 금속 재질로 제작될 수 있다. 이러한 챔버 몸체(110)는 챔버(100) 내의 반응 공간의 측벽면 역할을 한다. 한편, 도시되지 않았지만, 챔버 몸체(110)의 일부에는 기판이 출입하는 기판 출입구와, 반응 공간에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치가 형성될 수도 있다. 상부돔(120)은 챔버 몸체(110)의 상부 커버, 즉 챔버(100)의 상부벽이 된다. 상부돔(120)은 돔의 하부 영역, 즉 돔의 가장자리 영역이 챔버 몸체(110)의 상부면에 부착되어 반응 공간의 상부 영역을 밀폐시킨다. 이때, 상부돔(120)은 탈착 가능하게 챔버 몸체(110)에 부착되는 것이 바람직하다. 상부돔(120)은 제 3 가열수단(300)의 열이 반응 공간에 효과적으로 전달될 수 있도록 열 전도성이 우수한 물질로 제작된다. 즉, 상부 돔(120)으로 복사열을 반응 공간에 잘 전달할 수 있는 예를 들어 석영 등의 투광성 판으로 제작할 수도 있다. 따라서, 챔버(100)의 반응 공간에서 상부돔(120) 방향으로 전도되는 복사열이 상부돔(120)을 투과한다. 그리고, 투과한 복사열은 제 3 가열 수단(300)에 의해 반사되어 다시 상부돔(120)을 투과하여 챔버(100)의 반응 공간에 전도될 수 있다. 물론, 상부돔(120)은 이에 한정되지 않고 다양한 물질로 제작될 수 있는데, 예를 들어 세라믹 재질로 제작될 수도 있다. 하부돔(130)은 챔버 몸체(110)의 하부 커버, 즉 챔버(100)의 바닥면이 된다. 하부돔(130)은 챔버 몸체(110)의 하부면에 부착되어 반응 공간의 하부 영역을 밀폐시킨다. 이러한 하부돔(130)은 예를 들어 석영 등의 광 투과성 물질로 제작될 수 있다. 따라서, 하부돔(130)은 챔버(100) 외측에 위치한 제 1 가열 수단(300) 및 제 2 가열 수단(400)의 복사열이 챔버(100) 내부의 반응 공간으로 전달되도록 한다. 또한, 하부돔(130)은 일부 영역만이 광 투과성 물질로 제작될 수 있고, 나머지 영역은 열 전도성의 우수한 불투광성 물질로 제작될 수도 있다. 한편, 하부돔(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 하향 경사진 바닥판(131)과, 바닥판의 중심에서 하측 방향으로 돌출 연장된 연장관(132)을 구비할 수 있고, 바닥판(131)은 상하부가 개방된 역상의 원뿔 형상으로 제작된다. 이렇게 챔버 몸체(110), 상부돔(120) 및 하부돔(130)의 결합에 의해 반응 공간을 갖는 챔버(100)가 제작된다. 또한, 챔버(100)에는 압력 조절 장치, 압력 측정 장치 및 챔버(100) 내부를 점검하기 위한 각종 장치들이 설치될 수 있다. 뿐만 아니라, 챔버(100) 내부의 불순물 및 미반응 물질을 배기하기 위한 배기 수단이 더 마련될 수도 있고, 챔버(100) 외부에서 내부 반응 공간을 들여다 볼 수 있는 뷰포트(view port)가 설치될 수도 있다.The chamber 100 includes a
기판 안치 수단(200)은 챔버(100) 내의 하측에 마련된다. 이러한 기판 안치 수단(200)은 기판이 안착되는 서셉터(210)와, 서섭터(210)에 접속되어 반응 공간 외측으로 연장된 구동축(220)과, 구동축(220)을 승강 및 회전시키는 구동 장치(230)를 포함한다. 서셉터(210)는 대략 기판(10)과 동일한 판 형상으로 제작되며, 열 전도성이 우수한 물질로 제작된다. 또한, 서셉터(210)에는 적어도 하나의 기판 안치 영역이 마련된다. 이를 통해 서셉터(210) 상에 적어도 하나의 기판(10)이 안치될 수 있다. 구동축(220)은 하부돔(130)의 연장관(132)을 통하여 챔버(100)의 외측으로 연장된다. 또한, 구동 장치(230)는 구동축(220)을 승강 및 회전시킬 수 있는 어떠한 수단이 이용되어도 무방하며, 예를 들어 스테이지를 이용할 수 있다. 이때 스테이지는 승강 및 회전을 위한 모터를 구비할 수 있다. 그리고, 도시되지 않았지만, 기판 안치 수단(200)은 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 돕기 위한 복수의 리프트 핀을 더 구비할 수 있다.The substrate holding means 200 is provided on the lower side in the chamber 100. The substrate holding means 200 includes a
가열 수단(300)은 챔버(100) 외부의 하측에 마련되어 챔버(100)의 하부돔(130)을 투과하여 챔버(100) 내부에 복사열을 인가한다. 이러한 가열 수단(300)은 챔버(100) 내의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단(300a)과, 챔버(100) 내의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단(300b)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 가열 수단(300a)은 제 2 가열 수단(300b)보다 하측에 위치할 수 있다. 이러한 가열 수단(300)은 도 4에 도시된 바와 같이 수평으로 마련된 지지부(310)와, 지지부(310)의 외측으로부터 상측으로 연장되며 복수의 홀(321)이 마련된 측면부(320)와, 측면부(320)의 홀(321) 내에 삽입된 복수의 램프 히터(330)와, 지지부(310) 하측에 마련되어 램프 히터(330)의 각도를 조절하는 조절부(340)를 포함한다. 또한, 도시되지 않았지만, 측면부(320)의 상측에 마련된 반사판을 더 포함할 수 있다.The heating means 300 is provided on the lower side of the chamber 100 to apply radiant heat to the inside of the chamber 100 through the
지지부(310)은 챔버(100)의 형상을 따라 챔버(100)의 하측의 연장관(132)을 둘러싸도록 마련되고, 수평 방향으로 소정의 폭을 갖는 대략 링 형상으로 마련될 수 있다. 이때, 제 2 가열 수단(300b)은 제 1 가열 수단(300a)보다 상측에 마련되고 제 1 가열 수단(300a)은 제 2 가열 수단(300b)의 지지부(310) 내측을 통해 복사열을 인가한다. 따라서, 제 1 가열 수단(300a)의 지지부(310)는 그 외경이 제 2 가열 수단(300b)의 지지부의 내경보다 작거나 같게 마련될 수 있다. 또한, 지지부(310)는 램프 히터(330)에서 발생된 복사열을 반사하여 챔버(100) 내로 향할 수 있도록 복사열을 반사할 수 있는 알루미늄 등의 물질로 제작될 수 있으며, 알루미늄, 금 등이 도금되어 제작될 수 있다.The
측면부(320)는 지지부(310)의 외측으로부터 상측으로 연장되어 마련된다. 즉, 측면부(320)는 소정의 폭을 갖는 대략 통 형상을 가지고, 챔버(100) 하부를 둘러싸도록 마련된다. 이러한 측면부(320)에는 복수의 램프 히터(330)가 각각 삽입되는 복수의 홀(321)이 등간격으로 형성되고, 측면부(320) 내에는 복수의 램프 히터(330)를 고정하고 전기적으로 연결되는 복수의 소켓(미도시)이 마련된다. 즉, 복수의 램프 히터(330)는 복수의 홀(321)을 통해 각각 삽입되어 소켓에 고정된다. 또한, 측면부(320)는 일부가 지지부(310)에 접촉되고 일부는 상하 움직임이 가능하도록 마련된다. 이를 위해 예를 들어 측면부(320)의 외측과 지지부(310)의 외측 사이에 측면부(320)와 지지부(310)를 고정하는 동시에 측면부(320)의 상하 움직임을 가능하도록 하는 접이식 힌지 등의 고정 부재(미도시)가 마련될 수 있다. 물론, 접이식 힌지 등의 고정 부재는 측면부(320)의 외측 하면과 지지부(310)의 상면 사이에 마련될 수도 있다. 한편, 측면부(320) 상측에는 가열 수단(300) 외측으로 램프 히터(330)의 복사열이 방출되는 것을 방지하고 챔버(100)로의 복사열 조사를 집중시키기 위해 반사판(미도시)이 마련될 수 있다. 반사판은 램프 히터(340) 측으로 소정 각도를 갖도록 마련될 수 있다. 또한, 반사판은 복사열을 반사할 수 있는 물질, 예를 들어 알루미늄, 금 등이 도금되어 제작될 수 있다.The
램프 히터(330)는 전구 형태 또는 원형 띠 형태를 이용할 수 있다. 본 실시 예에서는 전구 형태의 램프 히터(330)가 이용되며, 예를 들어 할로겐 전구를 이용할 수 있다. 램프 히터(330)는 인가되는 전원에 따라 발생되는 열이 조절될 수 있다. 즉, 램프 히터(330)에 높은 전원이 인가될수록 높은 온도의 열을 방출할 수 있다. The
조절부(340)는 가열 수단(300)의 적어도 일부를 상측 또는 하측으로 이동시키고, 그에 따라 램프 히터(330)의 복사열 조사 각도가 조절되도록 한다. 이러한 조절부(340)는 지지부(310) 하측의 측면부(320)에 대응되는 영역에 마련될 수 있다. 예를 들어, 도 5(a)에 도시된 바와 같이 지지부(310)를 관통하여 복수의 볼트탭(341)이 형성되고, 복수의 볼트(342)가 볼트탭(341)에 결합되어 볼트(342)의 상면이 측면부(320)의 하측에 접촉된다. 이때, 볼트탭(341)은 측면부(320)의 내측에 대응되는 영역의 지지부(310)에 형성된다. 따라서, 볼트(342)가 일 방향으로 회전하여 상측으로 이동하는 경우 도 5(b)에 도시된 바와 같이 측면부(320)의 내측도 상측으로 이동하게 된다. 즉, 측면부(320)가 외측으로 기울어지게 된다. 이때, 측면부(320)와 지지부(310) 사이에 접이식 힌지 등이 마련되므로 지지부(310)로부터 측면부(320)가 이탈되지는 않는다. 측면부(320)가 외측으로 기울어지게 되면 그에 따라 램프 히터(330)도 상측을 향하도록 이동된다. 따라서, 램프 히터(330)의 복사열의 조사 부분이 도 3에 도시된 바와 같이 기판(10)의 외측으로 이동하게 된다. 이와 반대로, 볼트(342)가 타 방향으로 회전하여 하측으로 이동하는 경우 측면부(320)의 내측도 하측으로 이동하게 된다. 따라서, 램프 히터(330)도 하측을 이동하고 그에 따라 램프 히터(330)가 도 3에 도시된 바와 같이 챔버(100)의 중심 부분을 향하게 된다. 이렇게 볼트(342)의 회전에 의해 측면부(320)의 기울기를 조절할 수 있고, 그에 따라 램프 히터(330)의 조사 방향을 조절할 수 있다. 한편, 램프 히터(330)의 복사열 조사 각도를 조절하기 위해 조절부(340)를 구동하는 구동부(미도시) 및 제어부(미도시)가 더 마련될 수 있다. 구동부는 DC 모터 등을 이용하여 모터의 회전에 의해 볼트(342)를 회전시킬 수 있다. 또한, 제어부는 볼트(342)의 회전을 제어하여 램프 히터(330)의 조사 각도를 제어하기 위해 구동부를 제어할 수 있다.
The adjusting
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예는 가열 수단(300)의 하측에 측면부(320)의 내측과 접촉되도록 볼트(342) 등의 조절부(340)를 마련하고, 조절부(340)의 회전에 의해 측면부(320)의 기울어짐 각도를 조절함으로써 도 3에 도시된 바와 같이 램프 히터(330)의 각도를 조절할 수 있다. 이렇게 램프 히터(330)의 각도를 조절함으로써 챔버(100) 내부의 온도를 전체적으로 균일하게 조절하거나 챔버(100) 내부의 온도를 부분적으로 제어할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)의 가장자리에서의 막 두께가 중앙부보다 얇게 형성되는 경우 제 2 가열 수단(300b)이 기판(10)의 가장자리를 향하도록 램프 히터(340)의 조사 각도를 상측으로 이동시킬 수 있다. 그에 따라 막 두께가 얇은 부분에 복사열을 더 조사하여 온도를 상승시킴으로써 박막의 증착 두께를 증가시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 램프 히터(340)의 조사 각도를 조절함으로써 기판(10) 상의 임의의 영역의 박막 증착 두께를 다른 영역과 다르게 조절할 수도 있다.
As described above, according to one embodiment of the present invention, the adjusting
또한, 도 6(a)에 도시된 바와 같이 두 개의 볼트(342)가 측면부(320)의 내측 및 외측에 각각 대응되도록 마련될 수 있다. 이때, 내측의 볼트(322a)와 외측의 볼트(342b)은 측면부(320)의 예를 들어 내측을 이동시키기 위해 회전 속도가 다르게 동일 방향으로 회전할 수도 있다. 예를 들어, 내측의 볼트(342a)가 일 방향으로 소정 회 회전할 때 회측의 볼트(342b)가 동일 방향으로 이보다 적은 수로 회전할 수 있다. 이렇게 되면 도 6(b)에 도시된 바와 같이 측면부(320)의 내측이 외측보다 높게 이동할 수 있고, 그에 따라 램프 히터(330)가 상측을 향하도록 할 수 있다. 또한, 내측의 볼트(342a)가 일 방향으로 소정 회 회전할 때 회측의 볼트(342b)가 동일 방향으로 이보다 많은 수로 회전하게 되면, 도 6(c)에 도시된 바와 같이 측면부(320)의 외측이 내측보다 높게 이동할 수 있고, 그에 따라 램프 히터(330)가 하측을 향하도록 할 수 있다. 이때, 측면부(320)의 내측 하면과 지지부(310)의 상면 사이, 그리고 측면부(320)의 외측 하면과 지지부(310)의 상면 사이의 적어도 어느 한 부분에 접이식 힌지 등의 고정 부재가 마련될 수 있다.
6 (a), two
한편, 상기 본 발명의 일 실시 예는 볼트탭(341) 및 볼트(342)를 이용하여 조절부(340)를 제작하였으나, 예를 들어 지지부(310)에 관통홀이 형성되고 관통홀을 삽입되도록 핀이 마련되어 조절부(340)를 제작할 수도 있다. 핀은 예를 들어 측면부(320) 내측의 하면에 접촉되어 측면부(320) 내측을 상측 및 하측으로 이동시킬 수 있다. 또한, 핀을 상하 이동을 제어하기 위해 예를 들어 구동부 및 제어부가 마련될 수 있는데, 구동부는 유압 방식으로 핀을 이동시키고, 제어부는 구동부를 제어하여 핀에 인가되는 유압이 조절되도록 할 수 있다.
Although the adjusting
또한, 상기 실시 예들은 조절부(340)가 지지부(310)를 관통하여 측면부(320) 하측에 접촉되어 측면부(320)의 일부를 이동시키는 경우를 설명하였으나, 도 7(a)에 도시된 바와 같이 지지부(310)의 내측에 조절부(340)가 마련되어 지지부(310)의 내측을 상측으로 이동시킬 수 있다. 이때, 조절부(340)가 상측으로 이동됨으로써 지지부(310)의 내측이 도 7(b)에 도시된 바와 같이 상측으로 이동된다. 이에 따라 측면부(320)도 함께 이동하여 램프 히터(340)도 상측을 향하도록 이동될 수 있다. 즉, 가열 수단(300) 전체가 이동될 수 있다.
In the above-described embodiments, the
한편, 조절부(340)는 상기 실시 예들에 설명된 구조뿐만 아니라 다양한 방식으로 변형이 가능하다. 즉, 본 발명에 따른 조절부(340)는 가열 수단(300)의 지지부(310) 및 측면부(320)의 적어도 어느 하나를 적어도 일 부분이 기울어지도록 마련됨으로써 램프 히터(330)의 조사 각도를 조절할 수 있는 구성 또는 방식이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어 지지부(310)가 측면부(320)의 하측을 모두 지지하지 않고 일부만 지지하고, 지지부(310)가 제거된 영역의 측면부(320) 하측에 조절부(340)를 마련할 수 있다. 조절부(340)는 측면부(320) 하측에 마련되어 측면부(320)의 각도를 조절하는 틸팅 부재(미도시)와, 틸팅 부재의 일측에 마련되어 틸팅 부재를 구동시키는 구동 부재(미도시)를 포함할 수 있다. 이러한 조절부(340)는 구동 부재(342)가 예를 들어 일 방향으로 회전하면 틸팅 부재가 상측 또는 하측으로 구동하고 그에 따라 측면부(320)가 상측 또는 하측으로 이동하게 된다. 한편, 지지부(310)의 외측와 측면부(320)의 하측 사이에 접이식 힌지 등의 고정 부재가 마련되어 측면부(320)의 기울기가 조절되더라도 지지부(310)로부터 측면부(320)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
Meanwhile, the
또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 가열 장치(300)는 챔버(100) 하측에 하나로 마련될 수 있으나, 적어도 둘 이상 분할되어 마련될 수 있다. 이렇게 가열 장치(300)가 적어도 둘 이상으로 분할되어 마련되는 경우 조절부(340)는 복수의 가열 장치(300)에 각각 마련될 수 있다. 또한, 이 경우 측면부(320)의 측면, 즉 램프 히터가 마련되는 측면부(320)의 일측과 대향되는 타측에 조절부(340)가 마련될 수 있다. 조절부(340)는 틸팅 힌지(미도시)와 틸팅 힌지의 각도 조절을 위한 조절 부재(미도시)를 포함할 수 있다.
In addition, the
본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.
100 : 챔버 200 : 기판 안착 수단
300 : 가열 수단 310 : 지지부
320 : 측면부 330 : 램프 히터
350 : 조절부100: chamber 200: substrate seating means
300: Heating means 310: Support
320: side portion 330: lamp heater
350:
Claims (12)
상기 챔버 외측에 마련되어 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단을 포함하고,
상기 가열 수단은,
히터;
상기 히터를 지지하는 지지부; 및
상기 히터의 기울기를 조절하는 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
A chamber having a reaction space;
And heating means provided outside the chamber for heating the inside of the chamber,
The heating means,
heater;
A support for supporting the heater; And
And an adjusting unit for adjusting the inclination of the heater.
상기 기판 하측에 마련되어 상기 기판을 가열하는 가열 수단을 포함하고,
상기 가열 수단은,
히터;
상기 히터를 지지하는 지지부; 및
상기 기판에 대한 상기 히터의 조사 각도를 조절하는 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
A chamber for receiving a substrate within a reaction space;
And heating means provided below the substrate for heating the substrate,
The heating means,
heater;
A support for supporting the heater; And
And an adjusting unit for adjusting an irradiation angle of the heater with respect to the substrate.
상기 가열 수단은 상기 지지부의 외측 상부에 마련된 측면부를 더 포함하고,
상기 조절부는 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나에 마련되어 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나의 기울기를 조절하는 기판 처리 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heating means further includes a side portion provided on the upper side of the support portion,
Wherein the adjusting portion is provided on at least one of the supporting portion and the side surface portion to adjust the tilt of at least one of the supporting portion and the side surface portion.
상기 챔버 내부의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단과,
상기 챔버 내부의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단을 포함하고,
상기 제 1 가열 수단 또는 제 2 가열 수단의 어느 하나는 다른 하나의 하측에 마련되는 기판 처리 장치.
4. The apparatus according to claim 3,
A first heating means for heating a central region inside the chamber,
And second heating means for heating the edge region inside the chamber,
Wherein either one of the first heating means or the second heating means is provided on the lower side of the other.
[5] The apparatus as claimed in claim 4, wherein the adjuster comprises: a bolt formed to penetrate through the support; and a bolt coupled to the bolt tab and contacting the lower surface of the side portion, wherein the inclination of the side portion is adjusted according to the movement of the bolt / RTI >
[5] The apparatus of claim 4, wherein the regulating portion includes a through hole formed to penetrate the support portion, and a pin provided in the through hole and in contact with a lower surface of the side portion, wherein a slope of the side portion is adjusted / RTI >
The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein at least one of the regulating portions is provided so as to correspond to at least one of an inner side and an outer side of the side portion.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the adjusting portion is provided on an inner bottom surface of the supporting portion to adjust a tilt of the supporting portion.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the heating means is divided into at least two or more portions on the same plane.
10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the adjusting section is provided on each of the side portions of the plurality of heating means to adjust the inclination of the side portion.
The apparatus of claim 1, wherein the slope of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.
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2012
- 2012-11-20 KR KR1020120131306A patent/KR102009864B1/en active IP Right Grant
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