KR20140062552A - Substrate processing module and substrate processing system having the same - Google Patents
Substrate processing module and substrate processing system having the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140062552A KR20140062552A KR1020120127550A KR20120127550A KR20140062552A KR 20140062552 A KR20140062552 A KR 20140062552A KR 1020120127550 A KR1020120127550 A KR 1020120127550A KR 20120127550 A KR20120127550 A KR 20120127550A KR 20140062552 A KR20140062552 A KR 20140062552A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- tray
- substrate processing
- process chamber
- processing module
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 449
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 118
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 94
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 59
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
- H01L21/2652—Through-implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 이온을 조사하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 기판, LCD패널용 유리기판, OLED패널용 기판, 태양전지기판 등에서 반도체영역, 즉 pn접합구조를 형성하는 방법으로서 열확산법 및 이온조사법이 있다.There are a thermal diffusion method and an ion irradiation method as a method of forming a semiconductor region, that is, a pn junction structure in a semiconductor substrate, a glass substrate for an LCD panel, a substrate for an OLED panel, and a solar cell substrate.
그런데 열확산법에 의하여 불순물을 주입하는 경우 불순물 주입을 위한 POCl3를 증착할 때 도핑이 균일하게 이루어지지 않아 공정 균일도가 낮으며, POCl3를 사용하는 경우 증착 후 기판 표면에 부산물로 형성되는 PSG막의 제거, 측면 반도체구조 제거(에지 아이솔레이션) 등 공정이 복잡하며 전체 공정시간이 길어져 생산성이 저하되는 문제점이 있다.However, when the impurity is implanted by the thermal diffusion method, the process uniformity is not uniform when doping POCl3 for impurity implantation. In the case of using POCl3, removal of the PSG film formed as a byproduct on the substrate surface after deposition, And removal of side semiconductor structure (edge isolation) are complicated and the whole process time is prolonged.
이에 반하여 이온을 조사하여 기판에 이온을 주입하는 이온조사법은 열확산법에 비하여 제어가 용이하며 정밀한 불순물 주입이 가능하여 최근에 많이 활용되고 있다.On the other hand, the ion irradiation method in which ions are injected into a substrate by irradiating ions is easier to control than a thermal diffusion method, and impurities can be injected precisely.
한편 상기와 같은 기판 표면에 이온을 조사하기 위한 기판처리모듈은 일반적으로 이온빔소스와, 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 밀폐된 처리공간 내에 설치된 스테이션에 안착된 기판에 조사함으로써 기판에 이온을 주입하도록 구성된다.On the other hand, the substrate processing module for irradiating ions to the surface of the substrate as described above generally includes an ion beam source and a configuration for injecting ions into the substrate by irradiating the ion beam generated from the ion beam source to a substrate placed in a station provided in a closed processing space do.
그러나 상기와 같은 종래의 기판처리모듈은 단일의 이온빔소스에 의하여 이온조사공정이 수행됨에 따라서 이온조사 패턴에 제한을 받게 되며 이온조사의 대량처리가 곤란한 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing module as described above, the ion irradiation process is performed by a single ion beam source, so that the ion irradiation pattern is limited and it is difficult to mass-process the ion irradiation.
또한 다양한 패턴의 이온조사공정을 수행하기 위해서는 복수의 기판처리모듈에 의하여 수행되어야 하므로 그 처리가 복잡하고, 장치가 고가이며 장치가 차지하는 공간 또한 커지는 문제점이 있다.Further, in order to perform the ion irradiation process with various patterns, it is required to be performed by a plurality of substrate processing modules, so that the processing is complicated, the apparatus is expensive, and the space occupied by the apparatus becomes large.
또한 종래의 기판처리모듈은 기판이 고정된 상태에서 이온빔을 이동시키면서 이온주입이 이루어짐에 따라서 이온주입 후의 기판교체, 이온빔의 이동을 위한 장치 등 장치가 복잡하고 공정시간이 많이 소요됨에 따라서 생산성이 낮은 문제점이 있다.In addition, the conventional substrate processing module is complicated and requires a long process time, such as a substrate replacement after the ion implantation and a device for moving the ion beam as the ion implantation is performed while moving the ion beam while the substrate is fixed, There is a problem.
한편 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 종래의 다른 기판처리모듈로서 이온빔을 주사하는 이온빔조사장치를 고정한 상태에서 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 이온빔이 조사되는 조사영역을 통과시키는 기판처리모듈이 개시된 바 있다.In order to solve such a problem, a substrate processing module has been disclosed in which, as another conventional substrate processing module, an ion beam irradiating device for scanning an ion beam is fixed and a tray on which at least one substrate is placed is passed through an irradiation area irradiated with an ion beam .
그런데 트레이를 이용한 종래의 기판처리모듈은 공정챔버 내로 도입할 때 보다 많은 수의 기판들을 적재하여 도입할 필요가 있는바, 기판이 적재되는 트레이의 크기가 커져 결과적으로 장치의 크기가 커져 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.However, since a conventional substrate processing module using a tray requires a larger number of substrates to be loaded and introduced when the substrate is introduced into the process chamber, the size of the tray on which the substrate is loaded increases, There is an increasing problem.
또한 트레이를 이용한 종래의 기판처리모듈은 트레이가 대기 상태에서 기판을 적재한 후 진공압 상태의 공정챔버로 도입되어 공정이 수행되는바, 대기 환경에서 그래파이트 재질의 트레이에 수분이 흡수되어 로드락모듈에서의 진공압 변경시간이 증가해서 전체 공정처리속도가 저하되어 생산성이 저하되는 문제점이 있다.In addition, since the conventional substrate processing module using the tray is loaded in the standby state, the substrate is loaded into the process chamber in the vacuum pneumatic state after the substrate is loaded, and moisture is absorbed into the tray of the graphite material in the atmospheric environment, There is a problem in that the entire process speed is lowered and the productivity is lowered.
또한 트레이를 이용한 종래의 기판처리모듈은 공정챔버 내에 마스크를 설치하고, 트레이가 이동하면서 이온이 주입됨에 따라서 라인형태의 패턴을 가지는 이온주입만이 가능하며 다양한 패턴을 가지는 이온주입이 불가능한 문제점이 있다.Also, in the conventional substrate processing module using a tray, a mask is installed in a process chamber, and ions are injected while a tray moves, so that only ion implantation with a line-shaped pattern is possible and ion implantation with various patterns is impossible .
더 나아가, 기판에 패턴화된 이온주입에 있어서 마스크에 대한 기판의 위치를 정렬하기 위한 정렬장치가 없어 정밀한 패턴화된 이온주입이 불가능한 문제점이 있다.Furthermore, there is no alignment device for aligning the position of the substrate with respect to the mask in the patterned ion implantation on the substrate, so that there is a problem that precise patterned ion implantation is not possible.
본 발명의 목적은, 하나 이상의 기판이 트레이에 안착된 상태에서 기판처리가 수행될 때 트레이 상에 미리 설정된 기판처리위치로 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부를 추가로 구비함으로써, 보다 정밀한 기판처리의 수행이 가능한 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to further provide a substrate alignment unit for aligning the position of a substrate to a predetermined substrate processing position on a tray when the substrate processing is performed with at least one substrate placed on a tray, And a substrate processing system having the substrate processing module.
본 발명의 다른 목적은, 기판이 안착되는 트레이에 패턴화된 기판처리의 수행을 위한 마스크를 설치하고 마스크에 대한 기판의 위치를 정렬하는 기판정렬부를 추가로 구비함으로써 보다 다양한 패턴의 기판처리의 수행이 가능한 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can perform a substrate processing of a wider variety of patterns by providing a mask for performing patterned substrate processing on a tray on which a substrate is placed and further arranging a substrate alignment unit for aligning the position of the substrate with respect to the mask And a substrate processing system having the substrate processing module.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버를 포함하며, 트레이에 설정된 하나 이상의 기판처리위치에 직사각형 기판이 안착된 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리모듈로서, 상기 트레이에 설정된 상기 기판처리위치로 상기 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부가 더 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈을 개시한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber for forming a closed process space, in which a rectangular substrate is placed at one or more substrate processing positions set in a tray A substrate processing module for performing a substrate processing, the substrate processing module further comprising a substrate aligning portion for aligning the position of the substrate with the substrate processing position set in the tray.
상기 기판정렬부는, 트레이에 설정된 기판처리위치에 대응되어 기판의 X축방향 및 Y축방향 이동을 각각 제한하는 제1스토퍼 및 제2스토퍼와, 상기 제1스토퍼를 향하여 기판을 X축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제1기판선형이동부와, 상기 제2스토퍼를 향하여 기판을 Y축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제2기판선형이동부를 포함할 수 있다.The substrate aligning unit includes a first stopper and a second stopper corresponding to a substrate processing position set in the tray and restricting movement of the substrate in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, and a second stopper And a second substrate linear movement unit for aligning the substrate by moving the substrate toward the second stopper in the Y axis direction.
상기 제1기판선형이동부 및 상기 제2기판선형이동부는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 설치되어 기판의 저면을 지지하여 회전에 의하여 기판을 이동시키는 복수의 롤러들을 포함할 수 있다.The first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part may include a plurality of rollers installed vertically through the incision part formed in the tray and supporting the bottom surface of the substrate to move the substrate by rotation .
상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼 중 적어도 어느 하나는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되며, 기판의 위치를 정렬할 때에만 상기 트레이의 상측으로 돌출될 수 있다.At least one of the first stopper and the second stopper is installed to vertically move through a cut portion formed in the tray so as to be vertically movable and may protrude upward from the tray only when the position of the substrate is aligned.
상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼는, 상기 트레이에 설치될 수 있다.The first stopper and the second stopper may be installed in the tray.
상기 기판처리모듈은 기판이 안착된 상기 트레이가 상기 공정챔버 내에서 이동하면서 기판처리를 수행할 수 있다.The substrate processing module may perform the substrate processing while the tray on which the substrate is mounted moves in the process chamber.
상기 공정챔버는 상기 트레이에 의하여 이송되는 기판에 이온을 조사하도록 상기 공정챔버에 설치된 이온빔조사부를 포함할 수 있다.The process chamber may include an ion beam irradiator installed in the process chamber to irradiate ions to a substrate transferred by the tray.
상기 공정챔버 및 상기 트레이 중 어느 하나는, 기판에 대한 패턴화된 이온빔 조사를 위하여 개구패턴이 형성된 마스크가 설치되며, 상기 기판처리위치는 상기 마스크에 대한 정렬위치일 수 있다.Wherein either one of the process chamber and the tray is provided with a mask having an opening pattern for irradiating a patterned ion beam onto the substrate and the substrate processing position may be an alignment position with respect to the mask.
상기 공정챔버는, 하나 이상의 트레이가 순환되는 이송경로가 설정되며, 상기 이송경로는, 상기 이온빔조사부에 의하여 트레이에 안착된 기판에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간과, 상기 이온빔조사구간과 함께 트레이가 순환되도록 상기 이온빔조사구간의 전단 및 후단을 연결하는 트레이리턴구간을 포함할 수 있다.Wherein the transfer path is set such that the ion beam is irradiated to the substrate placed on the tray by the ion beam irradiating unit and the ion beam irradiating section is irradiated with the ion beam irradiating section, And a tray return section connecting the front end and the rear end of the ion beam irradiation section to be circulated.
상기 트레이리턴구간은, 상기 트레이가 외부로부터 기판을 전달받는 로딩위치와, 기판을 외부로 반출하는 언로딩위치가 설정될 수 있다.In the tray return period, a loading position at which the tray receives the substrate from the outside and an unloading position at which the substrate is taken out may be set.
상기 공정챔버는, 상기 로딩위치에 인접하여 기판이 도입되는 제1게이트와, 상기 언로딩위치에 인접하여 기판이 반출되는 제2게이트가 형성될 수 있다.The process chamber may be formed with a first gate to which the substrate is introduced adjacent to the loading position and a second gate to which the substrate is transferred adjacent to the unloading position.
상기 공정챔버는, 상기 로딩위치에서, 외부로부터 기판이 도입될 때 기판을 지지하여 이동시켜 트레이 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 제1기판이송부가 설치되고, 상기 언로딩위치에서, 기판을 지지하여 이동시켜 상기 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 외부로 반출시키는 제2기판이송부가 설치될 수 있다.Wherein the process chamber is provided with a first substrate transferring portion for supporting the substrate when the substrate is introduced from the outside at the loading position and positioning the substrate on the tray at a predetermined substrate position for substrate processing, The second substrate transferring unit may be provided to support and move the substrate and take it out to the outside from the tray positioned at the unloading position.
본 발명은 또한 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리모듈과; 상기 공정챔버의 제1게이트를 통하여 트레이를 전달하도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제1버퍼모듈과; 상기 공정챔버의 제2게이트를 통하여 트레이를 전달받도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제2버퍼모듈을 포함하는 기판처리시스템을 개시한다.The present invention also relates to a substrate processing module having the above-described structure; A first buffer module coupled to the substrate processing module to transfer a tray through a first gate of the process chamber; And a second buffer module coupled to the substrate processing module to receive a tray through a second gate of the process chamber.
상기 제1버퍼모듈 및 상기 제2버퍼모듈은 진공압으로 압력이 유지되거나, 대기압 및 공정압 사이에서 압력이 변환될 수 있다.The first buffer module and the second buffer module may be maintained at a vacuum pressure, or the pressure may be changed between an atmospheric pressure and a process pressure.
상기 제1버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 카세트에 적재된 각각의 기판을 상기 기판처리모듈 내의 로딩위치에 위치된 트레이에 전달하며, 상기 제2버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 기판처리모듈 내의 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 기판이 상기 카세트로 적재될 수 있다.Wherein the first buffer module transfers each of the substrates loaded in the cassette to a tray positioned at a loading position in the substrate processing module after a cassette on which a plurality of substrates are loaded is loaded, The substrate can be loaded into the cassette from the tray located at the unloading position in the substrate processing module after the cassette on which the substrates of the substrate are loaded.
본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 하나 이상의 기판이 트레이에 안착된 상태에서 기판처리가 수행될 때 트레이 상에 미리 설정된 기판처리위치로 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부를 추가로 구비함으로써, 보다 정밀한 기판처리의 수행이 가능한 이점이 있다.A substrate processing module and a substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention include a substrate aligning portion for aligning a position of a substrate to a predetermined substrate processing position on a tray when the substrate processing is performed while one or more substrates are placed on a tray By additionally providing the substrate processing apparatus, there is an advantage that more accurate substrate processing can be performed.
또한 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 기판이 안착되는 트레이에 패턴화된 기판처리의 수행을 위한 마스크를 설치하고 마스크에 대한 기판의 위치를 정렬하는 기판정렬부를 추가로 구비함으로써 보다 다양한 패턴의 기판처리의 수행이 가능한 이점이 있다.Further, the substrate processing module and the substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention may further include a substrate aligning part for arranging a mask for performing patterned substrate processing on the tray on which the substrate is placed and aligning the position of the substrate with respect to the mask So that there is an advantage that the substrate processing of a wider variety of patterns can be performed.
또한 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 공정챔버 내에서만 트레이가 순환하도록 구성하고, 외부로부터 기판을 전달받아 트레이에 적재시킨 후 트레이 순환에 의하여 이온주입공정을 수행함으로써, 모듈의 크기를 최소화할 수 있는 이점이 있다.Further, the substrate processing module and the substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention may be configured such that the tray is circulated only in the process chamber, the substrate is received from the outside and is loaded on the tray, There is an advantage in that the size of the antenna can be minimized.
또한 로드락모듈, 기판처리모듈 및 언로드락모듈로 이루어진 인라인 시스템의 경우 트레이에 기판을 적재하여 이송하면서 이온주입을 수행하는 종래의 기판처리시스템은, 외부에서 트레이가 대기에 노출됨으로써, 수분, 이물질 등이 트레이에 흡수 또는 부착되어 원활한 이온주입공정의 수행이 어려우나, 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 공정챔버 내에서만 트레이가 순환하도록 구성하고, 외부로부터 기판을 전달받아 트레이에 적재시킨 후 트레이 순환에 의하여 이온주입공정을 수행함으로써, 기판처리모듈 내에 기판만이 도입되고 트레이가 대기에 노출되지 않아 트레이에 수분, 이물질 등이 흡수되는 문제가 없는 바, 보다 원활한 이온주입공정의 수행이 가능한 이점이 있다.Also, in the case of an in-line system comprising a load lock module, a substrate processing module and an unload lock module, a conventional substrate processing system for performing ion implantation while loading and transporting a substrate to and from a tray, It is difficult to perform a smooth ion implantation process. However, in the substrate processing module and the substrate processing system having the same according to the present invention, the tray is circulated only in the process chamber, There is no problem that only the substrate is introduced into the substrate processing module and the tray is not exposed to the atmosphere to absorb moisture and foreign matter into the tray, Can be performed.
특히 트레이에 수분이 잔존하는 경우, 로드락챔버 내에서 진공압 변환에 소요되는 시간이 증가하여 전체 공정시간이 증가하는 문제점이 있으나, 본 발명은 트레이가 대기에 노출되지 않아 트레이에 수분이 흡수되는 문제가 없는 바, 보다 신속한 이온주입공정의 수행이 가능한 이점이 있다.In particular, when water remains in the tray, the time required for the vacuum pressure conversion in the load lock chamber increases, thereby increasing the overall process time. However, the present invention is not limited to this, There is no problem, and there is an advantage that a faster ion implantation process can be performed.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템을 보여주는 개념도이다.
도 2a는 도 1에서 기판처리모듈 내로 기판을 도입하는 과정을 보여주는 평면도이다.
도 2b는 도 1의 기판처리시스템의 제1기판정렬부 및 제2기판정렬부를 보여주는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1에서 기판처리모듈 내로 기판을 도입하는 과정을 보여주는 측면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리처리시스템을 보여주는 개념도이다.1 is a conceptual view showing a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention.
2A is a plan view illustrating a process of introducing a substrate into the substrate processing module in FIG.
2B is a plan view showing the first substrate alignment unit and the second substrate alignment unit of the substrate processing system of FIG.
FIGS. 3A and 3B are side views illustrating the process of introducing a substrate into the substrate processing module in FIG.
4 is a conceptual diagram showing a substrate processing system according to a second embodiment of the present invention.
이하 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing module and a substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
상기 기판처리모듈(100)은, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(110)를 포함하며, 하나 이상의 기판(10)이 안착된 트레이(20)에 설정된 하나 이상의 기판처리위치에 기판(10)이 안착된 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리모듈로서, 트레이(20)에 설정된 기판처리위치로 기판(10)의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부가 더 설치된 것을 특징으로 한다.1 and 4, the
상기 기판처리모듈(100)에 의한 기판처리는, 기판처리의 방식에 따라서 다양한 방식이 가능하며, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 이온빔조사부(150)에 의하여 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 이동시키면서 이온주입을 하는 등 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIGS. 1 and 4, the ion
예로서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리모듈(100)은, 도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 기판전달을 위한 하나 이상의 게이트(111, 112)가 형성되며 하나 이상의 트레이(20)가 순환되는 이송경로(120)가 설정된 공정챔버(110)와, 트레이(20)에 의하여 이송되는 기판(10)에 이온을 조사하도록 공정챔버(110)에 설치된 이온빔조사부(150)를 포함할 수 있다.1 to 3B, the
여기서 처리대상인 기판(10)은 반도체기판, LCD패널용 유리기판, OLED 패널용 기판, 태양전지용 기판 등이 될 수 있다.Here, the
특히 본 발명에 따른 기판처리모듈(100)의 기판처리대상인 기판(10)은 태양전지용 실리콘 기판이 바람직하며, 이때 상기 이온빔조사부(150)에 의하여 조사되는 이온은 기판(10)의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온이 될 수 있다.Particularly, the
또한 상기 기판처리대상이 태양전지용 실리콘 기판인 경우, 기판(10) 표면에 형성되는 반도체영역은 선택적 에미터(Selective Emitter)이거나, IBC를 형성하는 n형 반도체영역 및 p형 반도체영역이 될 수 있다.When the substrate to be processed is a silicon substrate for a solar cell, the semiconductor region formed on the surface of the
상기 트레이(20)는, 공정챔버(110) 내에서 순환하도록 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 적재하여 이송하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
일예로서, 상기 트레이(20)는, 그래파이트 등 기판(10)을 안정적으로 지지할 수 있는 재질이면 어떠한 구성도 가능하다.For example, the
그리고 상기 트레이(20)는, 평면형상이 직사각형의 형상을 가질 수 있으며, 후술하는 로딩위치 및 언로딩위치에서 트레이(20)에 적재된 기판(10)의 선형이동방향을 길이방향(X축방향), 길이방향(X축방향)과 수직인 방향을 폭방향(Y축방향)이라고 할 때, 트레이(20)는, X축방향 및 Y축방향으로 n×m 배열(n은 1 이상의 자연수이며, m은 2 이상의 자연수)을 이루어 복수의 기판들이 배치될 수 있다.The
또한 상기 트레이(20)는 공정챔버(110) 내에서 이송경로(120)를 따라서 일렬로 순환하거나 복수 개의 열로 순환하도록 구성될 수 있다.The
특히 상기 공정챔버(110) 내에 설정된 이송경로(120)를 따라서 순환하는 트레이(20)는 하나 또는 복수개로 구성될 수 있으며, 기판(10)의 로딩 및 언로딩 시간, 이온주입시간 등을 고려하여 적절한 숫자로 설치될 수 있다.Particularly, the
또한 상기 트레이(20)는, 기판(10)에 대하여 패턴화된 이온빔 조사를 위하여 하나 이상의 개구가 형성된 마스크(30)가 고정 또는 탈착가능하게 설치될 수 있다.Also, the
여기서, 상기 마스크(30)는, 로딩위치 및 언로딩위치에서 트레이(20)에 적재된 기판(10)의 도입 또는 배출을 위하여, 그 선형이동방향을 따라서 전방 및 후방이 개방될 수 있다.Here, the
또한 상기 마스크(30)는 트레이(20)에 결합되어 설치되는 대신에, 공정챔버(100)와 트레이(20)가 이송되는 이송경로(120) 사이에 설치될 수도 있음은 물론이다.The
상기 공정챔버(110)는 이온빔조사부(150)에 의하여 기판(10)에 이온이 주입될 수 있는 환경을 형성하고, 트레이(20)가 순환되는 이송경로(120)가 설정되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
상기 공정챔버(110)는 일예로서, 서로 착탈가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체 및 상부리드를 포함하여 구성될 수 있다.The
상기 챔버본체는 트레이(20)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111, 112)가 형성될 수 있으며, 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 배기시스템과 연결될 수 있다.The chamber body may be formed with one or
상기 제1게이트(111) 및 제2게이트(112)는, 안정적인 이온빔 조사를 위하여 게이트밸브(210, 220)에 의하여 개폐될 수 있으며, 공정챔버(110)에 후술하는 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)이 결합되고, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)이 진공압으로 유지되는 경우 게이트밸브(210, 220)에 의한 개폐없이 개방된 상태로 유지될 수 있다.The
상기 이온빔조사부(150)는 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 유도함과 아울러 이온빔의 강도 및 농도를 제어하여 기판(10) 표면에 이온 주입에 적합한 조사영역을 트레이(20)에 적재되어 이송되는 기판(10) 표면에 형성한다.The ion
상기 이송경로(120)는, 하나 이상의 트레이(20)가 순환이동되도록 공정챔버(110) 내에 설정되며, 이온빔조사부(150)에 의하여 트레이(20)에 안착된 기판(10)에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간을 포함한다.The
여기서 상기 이송경로(120)는, 공정챔버(110) 내에서 트레이(20)가 순환되는 경로로서 트레이(20)의 이송방식에 따라서 복수의 이송롤러(130)들이 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The
상기 이송롤러(130)는, 공정챔버(110)에 설치된 구동장치(미도시)의 구동에 의하여 구동되며, 공정챔버(110)에 설치되어 트레이(20)의 저면을 지지하여 회전에 의하여 트레이(20)를 이송하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 이송롤러(130)는, 공정챔버(110)에 설치된 프레임(미도시)에 의하여 회전가능하게 설치됨과 아울러, 체인, 벨트, 기어 등 다양한 방식에 의하여 회전구동될 수 있다.For example, the conveying
한편 상기 이송경로(120)는, 트레이(20)를 공정챔버(110) 내에서 순환시키기 위하여, 이온빔조사부(150)에 의하여 트레이(20)에 안착된 기판(10)에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간과, 이온빔조사구간과 함께 트레이(20)가 순환되도록 이온빔조사구간의 전단 및 후단을 연결하는 트레이리턴구간을 포함하여 구성될 수 있다.The
그리고 상기 이송경로(120), 특히 트레이리턴구간은, 트레이(20)가 외부로부터 기판(10)을 전달받는 로딩위치와, 트레이(20)로부터 기판(10)을 외부로 반출하는 언로딩위치가 설정된다.The
상기 로딩위치 및 언로딩위치는, 각각 트레이(20)가 외부로부터 기판(10)을 전달받는 위치, 및 이온빔조사구간으로부터 트레이(20)를 전달받아 기판(10)을 외부로 반출하는 위치로서, 기판(10)의 도입 및 배출방식에 따라서 공정챔버(110) 내에 적절한 위치에 위치될 수 있다.The loading position and the unloading position are positions at which the
예로서, 상기 공정챔버(110)가 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110)에서 일측에 형성된 제1게이트(111)를 통하여 도입되고 제1게이트(111)에 대향되는 위치에 형성된 제2게이트(112)를 통하여 배출되는 경우, 로딩위치 및 언로딩위치는 각각 공정챔버(110) 내에 제1게이트(111) 및 제2게이트(112)에 인접하여 위치된다. As an example, the
또한 상기 공정챔버(110)가 공정챔버(110)에 하나의 게이트가 형성되고 그를 통하여 기판(10)의 도입 및 배출이 이루어지는 경우, 로딩위치 및 언로딩위치는 이송경로(120)에서 동일한 위치에 설정될 수 있다.Also, when the
한편 상기 로딩위치에서는, 후술하는 기판정렬부가 설치되어 기판(10)의 도입 후, 기판(10)의 정렬, 예를 들면 트레이(20)에 설치된 마스크(30)에 대한 정렬이 이루어질 수 있다.On the other hand, at the loading position, alignment of the
여기서 물론, 상기 기판정렬부는, 로딩위치 이외에 이온주입구간의 전단에 설치되어 기판(10)의 정렬, 예를 들면 트레이(20)에 설치된 마스크(30)에 대한 정렬이 이루어질 수 있다.Here, of course, the substrate aligning part may be arranged at the front end between the ion implanting areas in addition to the loading position so that the alignment of the
한편 상기 이송경로(120)는, 공정챔버(110) 내에 트레이(20)의 순환방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 예로서, 트레이리턴구간의 일부를 이루는 제1경로(121)와, 제1경로(121)의 상측에 위치되며 트레이리턴구간의 일부 및 이온빔조사구간을 이루는 제2경로(122)를 포함할 수 있다. The
여기서, 상기 로딩위치 및 언로딩위치는, 그 설정 위치가 앞서 설명한 바와 같이, 공정챔버(110)에 형성된 제1게이트(111)와, 제2게이트(112)가 형성된 위치에 따라서 결정된다.Here, the loading position and the unloading position are determined according to the position where the
그리고 상기 제1경로(121) 및 제2경로(122)이 상하로 배치되는 경우, 공정챔버(110)에는, 트레이(20)를 상승시켜 제1경로(121)로부터 제2경로(122)로 전달하기 위한 제1트레이전달부(미도시)와, 제2경로(122)로부터 제1경로(121)로 트레이(20)를 전달하기 위한 제2트레이전달부(미도시)가 설치될 수 있다.When the
상기 제1트레이전달부 및 제2트레이전달부는 공정챔버(110) 내에 설치되어 트레이(20)를 지지하여 상승시키거나 하강시키기 위한 구성으로서, 트레이(20)의 지지방식 및 상승 또는 하강방식에 따라서 다양한 방식이 가능하다.The first tray transfer unit and the second tray transfer unit are installed in the
이때, 상기 제2경로(122)에 설치된 이송롤러(130)들은 제1트레이전달부 및 제2트레이전달부에 의한 트레이(20)의 상승 또는 하강시 간섭되는 것을 방지하기 위하여 트레이(20)의 폭 방향으로 이동가능하게 설치됨이 바람직하다.At this time, the conveying
즉, 상기 제2경로(122)에 위치된 트레이(20)가 제1트레이전달부에 의하여 제1경로(121)로 전달되는 경우 제1경로(1221에 설치된 이송롤러(130)들은 대향되는 폭을 확장하도록 이동하고, 트레이(20)가 제1경로(121)로 이동을 마친 경우 그 반대로 이동하여 트레이(20)를 지지함과 아울러 제1경로(121)를 따라서 이동시킨다.That is, when the
그리고 상기 제1경로(121)를 따라서 이동을 마친 트레이(20)는 제2트레이전달부의 지지 및 하강에 의하여 제2경로(122)로 이동된다. 이때 상기 이송롤러(130)는 트레이(20)의 하강시 간섭을 방지하기 위하여 대향되는 폭을 확장하도록 이동하고, 트레이(20)가 하강된 후에는 그 반대로 이동하여 제2경로(122)를 따라서 이송되는 다음의 트레이(20)를 지지한다.The
상기 로딩위치 및 언로딩위치는 동일한 위치로 위치되거나, 제1경로(121) 또는 제2경로(122)의 양단에 각각 위치되는 등 다양하게 위치될 수 있다.The loading position and the unloading position may be located at the same position, or may be positioned at various positions such as located at both ends of the
한편 상기 공정챔버(110)는, 이송빔조사구간에 트레이(20)가 없는 경우 그 내벽이 이온빔에 노출되어 공정챔버(110)의 내벽을 손상시키는 문제점이 있다.On the other hand, in the
이에, 상기 공정챔버(110)는, 공정챔버(110)에 이온빔이 조사되는 것을 방지하기 위한 이온이온빔차단부(180)가 추가로 설치될 수 있다.The
상기 이온빔차단부(180)는 공정챔버(110)에 이온빔이 조사되는 것을 방지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The ion
예로서, 상기 이온빔차단부(180)는 도 1에 도시된 바와 같이, 조사되는 이온빔을 산란시키기 위하여 그 상면에 다수의 요철들이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the ion
상기 다수의 요철들은 이온빔차단부(180)에 조사되는 이온빔을 산란시켜 이온빔 조사에 따른 이온빔차단부(180)의 온도상승을 최소화하고 증발효과를 억제할 수 있다.The plurality of irregularities scatter the ion beam irradiated to the ion
또한 상기 이온빔차단부(180)는 단일의 부재에 의하여 구성되거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 이온빔이 조사되는 하나 이상의 상판부와, 상판부의 저면에 결합되어 상판부를 냉각시키는 하나 이상의 냉각부를 포함할 수 있다.1, the ion
상기 상판부는 알루미늄, 알루미늄합금, 그래파이트, 탄소강화섬유(carbon reinforced fiber), 카본컴퍼지트(carbon composite), SiC 등 이온빔에 강한 재질이 사용됨이 바람직하다. 여기서 상기 상판부는 금속재질보다는 비금속재질의 사용이 보다 바람직하다.The upper plate is preferably made of a material resistant to ion beams such as aluminum, aluminum alloy, graphite, carbon reinforced fiber, carbon composite, SiC, and the like. Here, the upper plate is preferably made of a non-metal material rather than a metal material.
예로서, 상기 상판부는, 알루미늄, 알루미늄합금 등의 금속재질의 모재(미도시)와, 모재 상에 형성되는 비금속층과; 비금속층 상에 코팅되며 전기전도성 재질의 코팅층을 포함할 수 있다. 여기서 상기 모재는 비금속재질의 사용도 가능하며, 전기전도성 재질의 코팅층은 Si를 포함하는 물질이 바람직하다. For example, the upper plate portion may include a base material (not shown) made of a metal such as aluminum or an aluminum alloy, a nonmetal layer formed on the base material, And may include a coating layer of an electrically conductive material coated on the non-metallic layer. Here, the base material may be made of a non-metallic material, and the coating layer of the electrically conductive material is preferably a material containing Si.
또한 상기 상판부는 그래파이트 및 SiC 중 어느 하나의 재질을 가질 수도 있다. 이때 상기 상판부는 Si를 포함하는 코팅물질에 의하여 코팅됨이 바람직하다.The upper plate may have any one of graphite and SiC. At this time, the upper plate is preferably coated with a coating material containing Si.
한편 상기 상판부는 냉각부와는 별도의 부재로 구성되어, 냉각부 상에 아무런 결합없이 놓이거나, 볼팅, 용접 등 기계적으로 결합되는 등 냉각부와 다양한 형태로 결합될 수 있다.On the other hand, the upper plate part is formed of a separate member from the cooling part, and can be coupled to various parts of the cooling part such as being placed on the cooling part without any coupling or being mechanically coupled with bolting, welding or the like.
상기 냉각부는 이온빔 조사에 의하여 가열된 상판부를 냉각시키기 위한 구성으로서 상판부를 냉각시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The cooling unit may have any structure as long as it can cool the upper plate portion to cool the upper plate portion heated by the ion beam irradiation.
한편, 상기 기판처리모듈(100)은, 트레이(20)에 기판(10)을 적재하여 공정챔버(110)에 도입하는 종래 기판처리모듈과는 달리, 기판(10)이 게이트(111, 112)를 통하여 공정챔버(110) 내부에서 순환하는 트레이(20)에 도입되거나 배출되는바, 트레이(20) 상에서 기판(10)이 이동될 필요가 있다.Unlike the conventional substrate processing module in which the
따라서 상기 공정챔버(110) 및 트레이(20) 중 어느 하나에는, 공정챔버(110)에서 기판(10)이 도입되거나 배출될 때, 로딩위치 및 언로딩위치에 위치된 트레이(20) 상에서 기판(10)을 이동시키는 하나 이상의 기판이송부가 설치된다.Any one of the
상기 기판이송부는 로딩위치 및 언로딩위치에 위치된 트레이(20) 상에서 기판(10)을 이동시키기 위한 구성으로서, 트레이(20)에 설치되거나 공정챔버(110)에 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The substrate can be configured in various ways such as a structure for moving the
상기 기판이송부의 일예로서, 기판이송부는, 로딩위치에서 공정챔버(110)에 설치되어 외부로부터 기판(10)이 도입될 때 기판(10)을 지지하여 이동시켜 트레이(20) 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 제1기판이송부와, 언로딩위치에서 로딩위치에서 공정챔버(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하여 이동시켜 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 외부로 반출시키는 제2기판이송부로 구성될 수 있다.The substrate transferring unit is installed in the
상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부는 공정챔버(110)에 각각 로딩위치 및 언로딩위치에 설치되고, 트레이(20)가 로딩위치 및 언로딩위치에 위치되면 트레이(20)를 지지하여 기판(10)을 이동시키도록 구성된다.The first substrate transferring unit and the second substrate transferring unit are installed at the loading and unloading positions respectively in the
상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부는 그 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 후술하는 벨트 및 풀리의 조합, 롤러(610, 640) 등 다양한 구성이 가능하며, 제1기판이송부는 제1기판선형이동부와 유사한 구성을 가지거나, 제1기판선형이동부로서 구성될 수 있다.The first substrate transferring part and the second substrate transferring part can have various configurations according to the transferring method, and various configurations such as a combination of a belt and a pulley to be described later,
여기서 상기 공정챔버(110), 더 나아가 후술하는 제1버퍼챔버(410) 및 제2버퍼챔버(510)는 챔버(110, 410, 520) 간의 간격, 게이트(111, 491, 112, 591)들로 인하여 후술하는 카세트(40) 및 트레이(20) 사이의 거리를 고려하여 기판(10)의 이동방향을 따라서 하나 이상의 보조롤러들이 설치될 수 있다.The
또한 상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부의 구동은, 공정챔버(110)에 설치된 구동부(미도시) 또는 트레이(20)에 설치된 구동부(미도시)에 의하여 구동되는 등 다양한 방식에 의하여 구동될 수 있다.The feeding of the first substrate and the feeding of the second substrate may be performed by a driving unit (not shown) provided in the
그리고 상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부는, 트레이(20)의 수평방향 이동시 그 간섭을 방지하기 위하여 상하로 이동가능하게 설치될 수 있다.The first substrate transferring unit and the second substrate transferring unit may be installed to be movable up and down to prevent interference with the movement of the
이때 상기 트레이(20)에는 제1기판이송부 및 제2기판이송부가 트레이(20)를 관통하여 상측으로 이동하여 기판(20)의 저면을 지지할 수 있도록 상하로 개방된 하나 이상의 절개부(21)가 형성된다.At this time, in the
특히 상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부가 트레이(20)를 관통하여 상측으로 이동할 때 기판(20)이 트레이(20)의 상면과의 마찰을 방지하기 위하여 제1기판이송부 및 제2기판이송부가 기판(10)을 지지하는 부분은 트레이(20)의 상면보다 약간 높게 돌출됨이 바람직하다.Particularly, in order to prevent the
상기 기판이송부의 또 다른 예로서, 기판이송부는 트레이(20)에 설치되어 로딩위치에서 외부로부터 기판(10)이 도입될 때 기판(10)을 지지하여 이동시켜 트레이(20) 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키거나, 언로딩위치에서 기판(10)을 지지하여 이동시켜 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 외부로 반출시키는 하나의 기판이송부로 구성될 수 있다.As another example of the substrate transferring unit, the substrate transferring unit is installed in the
한편 상기 기판처리모듈(100)은 도 1에 도시된 바와 같이, 트레이(20)가 순환하도록 설치되는 대신에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1버퍼모듈(400), 기판처리모듈(100) 및 제2버퍼모듈(500)을 따라서 순차적으로 이동되도록 구성될 수 있다.1, the
즉, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리모듈(100)은 도 4에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 기판처리모듈(100)에 대비하여 트레이(20)의 이송경로(120)가 순환방식이 아닌 인라인방식으로 구성됨에 특징이 있다.4, the
상기 기판정렬부는 트레이(20)에 설정된 기판처리위치로 기판(10)의 위치를 정렬하기 위한 구성으로서 기판(10)을 이동시켜 정렬할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The substrate alignment unit may be any structure as long as it can align and move the
여기서 상기 기판처리위치는, 트레이(20) 상에 이온주입 등 기판처리시 요구되는 기판의 위치로서 기판처리에 따라서 다양하게 설정될 수 있다.Here, the substrate processing position may be variously set according to the substrate processing as the position of the substrate required for the substrate processing such as ion implantation on the
그리고 상기 기판정렬부의 일예로서, 상기 기판정렬부는, 도 2 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 트레이(20)에 설정된 기판처리위치에 대응되어 기판(10)의 X축방향 및 Y축방향 이동을 각각 제한하는 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)와, 제1스토퍼(631)를 향하여 기판(10)을 X축방향으로 이동시켜 기판(10)을 정렬하는 제1기판선형이동부와; 제2스토퍼(632)를 향하여 기판(10)을 Y축방향으로 이동시켜 기판(10)을 정렬하는 제2기판선형이동부를 포함할 수 있다.2 to 3B, movement of the
상기 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)는, 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부 각각에 의하여 선형이동되는 기판(10)의 한 변을 지지하여 그 이동을 제한할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The
그리고 상기 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632) 중 적어도 어느 하나는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 트레이(20)에 고정되어 설치되거나, 트레이(20)에 형성된 절개부(22)를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있다.3A and 3B, at least one of the
특히 상기 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)가 트레이(20)를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되면, 기판(10)의 위치를 정렬할 때에만 트레이(20)의 상측으로 돌출되도록 함으로써 기판처리시 기판(10)에 주는 영향을 최소화하고 트레이(20)에 기판(10)이 복렬로 배치되는 경우 트레이(20)에서 기판(20)이 배출되는 경우 등 기판(10)의 이동에 간섭되는 것을 방지할 수 있다.When the
상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 각각 기판(10)을 X축방향 또는 Y축방향으로 이동시켜 제1스토퍼(631) 또는 제2스토퍼(632)와 함께 X축방향 또는 Y축방향으로 기판(10)을 정렬하는 구성으로서 기판(10)을 X축방향 또는 Y축방향으로 선형이동시킬 수 있는 구성이면 롤러(610, 620), 풀리 등 어떠한 구성도 가능하다.The first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part move the
여기서 상기 공정챔버(110) 또는 트레이(20)에는 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부의 구동을 위한 구동장치(미도시)가 설치된다.A driving device (not shown) for driving the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part is installed in the
또한 상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부의 설치를 위하여 도 2a 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 트레이(20)에는 상하로 관통하여 형성되 하나 이상의 절개부(21)가 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 2A to 3B for the installation of the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part, one or more cut-out
상기 절개부(21)는, 기판(10)의 저면을 지지할 수 있도록 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부가 트레이(20)를 관통하여 상측으로 이동할 수 있도록 개구부, 절개홈 등 트레이(20)에 다양하게 형성될 수 있다.The cut-out
상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부의 일예로서, 도 2a 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 저면을 지지하여 회전에 의하여 기판(10)을 이동시키는 복수의 롤러(610, 620)들을 포함할 수 있다.As shown in Figs. 2A to 3B, a plurality of (for example, two or more) substrates for supporting the bottom surface of the
상기 롤러(610, 620)는, 공정챔버(110)에 설치된 구동장치(미도시)의 구동에 의하여 구동되며, 공정챔버(110)에 설치되어 트레이(20)의 저면을 지지하여 회전에 의하여 트레이(20)를 이송하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 롤러(610, 620)는, 공정챔버(110)에 설치된 프레임(611, 621)에 의하여 회전가능하게 설치됨과 아울러, 체인, 벨트, 기어 등 다양한 방식에 의하여 회전구동될 수 있다.For example, the
한편, 상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 기판정렬시에만 트레이(20)의 상측으로 돌출되는 것이 바람직한바, 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 트레이(20)에 형성된 절개부(21)를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치됨이 바람직하다.It is preferable that the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part protrude upward of the
이때, 상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 기판(10)을 지지하는 부분이 트레이(20)의 상면보다 약간 높게 돌출됨이 바람직하다.At this time, it is preferable that the portion supporting the
아울러, 기판정렬이, X축방향 및 Y축방향이 동시에 이루어지는 경우 기판(10)의 저면이 손상될 수 있는바, X축방향 및 Y축방향 각각이 순차적으로 이루어지도록 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는 서로 독립적으로 승하강하도록 구성됨이 바람직하다.In addition, when the X-axis direction and the Y-axis direction are simultaneously performed, the bottom surface of the
즉, 기판도입시, X축방향으로 기판(10)이 이동되는바 제1기판선형이동부가 트레이(20)의 상측으로 돌출되어 기판(10)의 X축방향 정렬을 마친 후, 제1기판선형이동부는 하강하고 제2기판선형이동부가 상승하여 기판(10)의 Y축방향의 정렬을 수행할 수 있다.That is, when the
한편 상기 제1기판선형이동부는 트레이(20) 상에서 기판(10)을 X축방향으로 이동시키는 구성으로서, 공정챔버(110)의 외부로부터 기판(10)이 도입되는 방향으로 이동시키는바, 앞서 설명한 로딩위치에서 공정챔버(110)에 설치되어 외부로부터 기판(10)이 도입될 때 기판(10)을 지지하여 이동시켜 트레이(20) 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 기판이송부로서 기능할 수 있다.On the other hand, the first substrate linear moving part is configured to move the
여기서 상기 언로딩위치에서 설치되어 트레이(20)에서 기판(10)을 외부로 반출하는 기판이송부는, 제1기판선형이동부의 구성과 유사하게 구성될 수 있음은 물론이다.It is a matter of course that the substrate transfer unit installed at the unloading position and carrying the
한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판정렬부는, 공정챔버(110) 또는 트레이(20)에 설치될 수 있다.Meanwhile, the substrate alignment unit having the above-described structure may be installed in the
또한 상기 기판정렬부는, 그 구성의 일부 예를 들면, 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)는 트레이(20)에 설치되고, 구성의 일부 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는 공정챔버(110)에 설치될 수 있다.The substrate aligning portion is provided with a
또한 상기 기판정렬부는, 공정챔버(110)에 그 구성의 적어도 일부가 설치되는 경우 기판정렬 후에 트레이(20)의 이동시 간섭될 수 있으므로, 공정챔버(110)에서 상하로 이동되도록 설치될 수 있다.In addition, the substrate alignment unit may be installed to move up and down in the
또한 상기 기판정렬부는, 이송경로(120)에 설치된 이송롤러(130)들과의 간섭을 방지하기 위하여 한 쌍의 이송롤러(130)들 사이에 설치됨이 바람직하다.The substrate aligning unit may be disposed between the pair of conveying
한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리모듈(100)은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)과 함께, 기판처리시스템을 구성할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 1, the
여기서 앞서 설명한 기판정렬부는, 기판처리 전에 기판정렬이 이루어지면 되는바, 기판처리모듈(100)에 설치되지 않고 제1버퍼모듈(400)에 설치될 수 있다.The substrate alignment unit described above may be installed in the
상기 제1버퍼모듈(400)은, 공정챔버(110)의 제1게이트(111)를 통하여 트레이(20)를 전달하도록 기판처리모듈(100)과 결합되는 구성으로서, 하나 이상의 게이트(491, 492, 493)가 형성된 버퍼챔버(410)를 포함하여 구성될 수 있다.The
상기 제2버퍼모듈(500)은, 공정챔버(110)의 제2게이트(112)를 통하여 트레이(20)로부터 기판(20)을 전달받을 수 있도록 기판처리모듈(100)에 결합되는 구성으로서, 하나 이상의 게이트(591, 592, 593)가 형성된 버퍼챔버(510)를 포함하여 구성될 수 있다.The
여기서 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)를 구성하는 버퍼챔버(410, 510)에 형성된 게이트(491, 492, 493, 591, 592, 593)들은 각각 별도의 게이트밸브(210, 220, 231, 232, 241, 242)들에 의하여 개폐된다.The
상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은, 각각 기판처리모듈(100)로 기판(10)을 도입하거나 배출할 때 기판(10)을 임시로 저장하는 구성으로서, 진공압으로 압력이 유지되거나, 로드락모듈 또는 언로드락모듈과 같이 대기압 및 공정압 사이에서 압력이 변환되도록 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.The
이때 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은, 압력변환을 위하여 압력 및 배기시스템에 연결된다.At this time, the
한편 상기 기판처리시스템은, 기판(10)을 지지하여 이송하는 트레이(20)를 기판처리모듈(100) 내에서만 순환시키도록 구성되는바, 기판처리모듈(100)과의 기판교환이 원활하게 이루어져야 한다.Meanwhile, the substrate processing system is configured to circulate the
따라서 상기 기판처리시스템은, 기판처리모듈(100)과의 기판교환에 있어서 복수의 기판(10)들이 적재되는 카세트(40)를 이용하여 기판(10)을 기판처리모듈(100)에 도입하거나 기판처리모듈(100)로부터 배출한다.Accordingly, the substrate processing system can be configured such that the
구체적으로, 상기 제1버퍼모듈(400)은 도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(10)들이 적재되는 카세트(40)에 의하여 버퍼챔버(410)로 기판(10)이 도입되고, 카세트(40)에 적재된 각각의 기판(10)이, 기판처리모듈(100) 내의 로딩위치에 위치된 트레이(20)에 전달되도록 구성되며, 제2버퍼모듈(500)은 복수의 기판(10)들이 적재되는 카세트(40)에 의하여 버퍼챔버(510)로 기판(10)이 반출되고, 기판처리모듈(100) 내의 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 카세트(40)로 적재되도록 구성될 수 있다.1 to 3B, the
한편, 상기 기판처리모듈(100)과의 기판교환시, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500) 내에는 각각 카세트(40)를 상하로 이동시키기 위한 상하이동부(420, 520)가 설치된다.When the substrate is exchanged with the
상기 상하이동부(420, 520)는, 카세트(40)에 적재된 기판(10)이 순차적으로 기판처리모듈(100)로 기판(10)을 전달하거나 기판처리모듈(100)로부터 기판(10)을 전달받을 수 있도록 카세트(40)를 상하로 이동시키기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 예로서, 카세트(40)를 지지하는 지지부(421, 521)와, 지지부(421, 521)를 상하로 이동시키기 위한 상하구동부(422, 522)를 포함할 수 있다.The upper and lower
한편 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은 카세트(40)의 도입 또는 배출방식에 따라서 카세트(40)가 도입되거나 배출될 수 있도록 카세트(40)를 수평방향으로 이동시키기 위한 수평이동부(미도시)가 추가로 설치될 수 있다.The
상기 수평이동부는 카세트(40)를 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500) 각각에서 이송하기 위한 구성으로서 선형이동장치 등 다양한 구성이 가능하다.The horizontal moving part may have various configurations such as a linear moving device for transferring the
상기 카세트(40)는, 기판(10)을 상하로 간격을 두고 적재하여 이송하기 위한 구성으로서 기판(10)을 상하로 간격을 두고 적재할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The
한편 상기 카세트(40)에 적재된 기판(10)은, 기판처리모듈(100) 내의 트레이(20)에 도입되거나 배출되는바, 카세트(40)로부터 기판(10)을 배출하거나 도입하는 기판전달부가 설치될 필요가 있다.Meanwhile, the
상기 기판전달부는, 기판처리모듈(100) 내의 트레이(20)에 도입되거나 배출되는바, 카세트(40)로부터 기판(10)을 배출하거나 도입하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The substrate transferring unit may be variously configured as a structure for discharging or introducing the
특히 상기 기판전달부는, 기판(10)을 이동시킨다는 점에서 앞서 설명한 기판이송부와 유사한 구성으로서, 도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 카세트(40)에 설치되거나, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)에 각각 설치될 수 있다.1 to 3B, the substrate transfer unit may be provided in the
즉, 상기 기판전달부의 일예로서, 기판전달부는, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)에 각각 설치되어 카세트(40)에 적재된 기판(10)을 인출하여 로딩위치에 위치된 트레이(20)로 기판(10)을 전달하거나, 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 기판(10)을 전달받아 카세트(40)에 적재시킬 수 있다.That is, as an example of the substrate transfer unit, the substrate transfer unit is installed in each of the
상기 기판전달부는 그 이송방식에 따라서 벨트 및 풀리의 조합, 롤러 등 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer unit may have various configurations such as a combination of a belt and a pulley, a roller, and the like in accordance with the conveying method.
이때 상기 카세트(40)에는 기판(10)의 가장자리만을 지지하고 중앙부분이 상하로 관통되어 형성되는 등 기판전달부의 기판지지 및 이동이 가능하도록 적절한 구조를 가질 수 있다. At this time, the
상기 기판전달부의 또 다른 예로서, 기판전달부(41)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 카세트(40)에 설치되어 기판(10)을 이동함으로써 로딩위치에 위치된 트레이(20) 기판(10)을 도입하거나, 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 기판(10)을 전달받아 카세트(40)에 적재시킬 수 있다.3A and 3B, the
상기 기판이송부(41)는 기판(10)의 이송방식에 따라서 벨트 및 풀리의 조합, 롤러 등 다양하게 구성될 수 있다.The
여기서 상기 기판이송부(41)의 구동은, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500) 각각에 설치된 구동부(미도시) 또는 카세트(40)에 설치된 구동부(미도시)에 의하여 구동되는 등 다양한 방식에 의하여 구동될 수 있다.The
한편 상기 카세트(40)가 기판처리모듈(100)과의 기판교환이 완료되면, 기판교환을 마친 카세트(40)는 로드락모듈(200) 또는 언로드락모듈(300)을 거쳐 새로운 카세트(40)로 교체되어야 한다. 여기서 상기 카세트(40)는 다양한 방식에 의하여 이송되어 로드락모듈(200) 또는 언로드락모듈(300)을 거쳐 새로운 카세트(40)로 교체된다.When the
그런데 새로운 카세트(40)로의 교체가 지체되면, 기판처리모듈(100)로의 기판도입 또는 기판배출이 늦어져 전체 기판처리속도가 저하되는 문제점이 있다.However, if the replacement with the
따라서 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 카세트(40)를 임시로 저장하기 위한 버퍼공간이 형성될 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 1, the
또한 상기 제1버퍼모듈(400)로부터 제2버퍼모듈(500)에 이르는 카세트이송경로(미도시)가 형성되어, 제1버퍼모듈(400)에서 기판전달을 마친 빈 카세트(40)는 외부로 배출되지 않고, 카세트이송경로를 거쳐 제2버퍼모듈(500)로 전달되어 기판처리모듈(100)로부터 기판(10)을 전달받는데 사용될 수 있다.
A cassette transfer path (not shown) from the
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.
10 : 기판 20 : 트레이
30 : 마스크 40 : 카세트
100 : 기판처리모듈 200 : 로드락모듈
300 : 언로드락모듈 400 : 제1버퍼모듈
500 : 제2버퍼모듈
120 : 이송경로10: substrate 20: tray
30: mask 40: cassette
100: substrate processing module 200: load lock module
300: unload lock module 400: first buffer module
500: second buffer module
120: Feed path
Claims (15)
상기 트레이에 설정된 상기 기판처리위치로 상기 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부가 더 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.A substrate processing module comprising a process chamber defining an enclosed process space, the substrate processing module performing substrate processing with a rectangular substrate positioned at one or more substrate processing locations set in the tray,
Further comprising a substrate aligning portion for aligning the position of the substrate to the substrate processing position set in the tray.
상기 기판정렬부는,
트레이에 설정된 기판처리위치에 대응되어 기판의 X축방향 및 Y축방향 이동을 각각 제한하는 제1스토퍼 및 제2스토퍼와,
상기 제1스토퍼를 향하여 기판을 X축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제1기판선형이동부와,
상기 제2스토퍼를 향하여 기판을 Y축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제2기판선형이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method according to claim 1,
The substrate alignment unit may include:
A first stopper and a second stopper respectively corresponding to the substrate processing positions set in the tray and restricting movement of the substrate in the X-axis direction and the Y-
A first substrate linear moving part moving the substrate toward the first stopper in the X axis direction to align the substrate,
And a second substrate linear moving part moving the substrate in the Y axis direction toward the second stopper to align the substrate.
상기 제1기판선형이동부 및 상기 제2기판선형이동부는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 설치되어 기판의 저면을 지지하여 회전에 의하여 기판을 이동시키는 복수의 롤러들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 2,
The first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part include a plurality of rollers installed vertically through the incision part formed in the tray to support the bottom surface of the substrate and move the substrate by rotation .
상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼 중 적어도 어느 하나는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되며, 기판의 위치를 정렬할 때에만 상기 트레이의 상측으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 2,
Wherein at least one of the first stopper and the second stopper protrudes upward from the tray only when the position of the substrate is aligned when the substrate is aligned, characterized in that the at least one of the first stopper and the second stopper is vertically movable through the cut- Substrate processing module.
상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼는, 상기 트레이에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 2,
Wherein the first stopper and the second stopper are installed in the tray.
상기 기판처리모듈은 기판이 안착된 상기 트레이가 상기 공정챔버 내에서 이동하면서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the substrate processing module performs substrate processing while moving the tray on which the substrate is mounted, in the process chamber.
상기 공정챔버는 상기 트레이에 의하여 이송되는 기판에 이온을 조사하도록 상기 공정챔버에 설치된 이온빔조사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 6,
Wherein the process chamber includes an ion beam irradiating unit installed in the process chamber to irradiate ions to a substrate transferred by the tray.
상기 공정챔버 및 상기 트레이 중 어느 하나는, 기판에 대한 패턴화된 이온빔 조사를 위하여 개구패턴이 형성된 마스크가 설치되며,
상기 기판처리위치는 상기 마스크에 대한 정렬위치인 것을 특징으로 하는 기판처리모듈. The method of claim 7,
Wherein one of the process chamber and the tray is provided with a mask having an opening pattern for irradiating a patterned ion beam onto the substrate,
Wherein the substrate processing position is an alignment position with respect to the mask.
상기 공정챔버는, 하나 이상의 트레이가 순환되는 이송경로가 설정되며,
상기 이송경로는, 상기 이온빔조사부에 의하여 트레이에 안착된 기판에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간과,
상기 이온빔조사구간과 함께 트레이가 순환되도록 상기 이온빔조사구간의 전단 및 후단을 연결하는 트레이리턴구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 6,
Wherein the process chamber is set with a transport path through which one or more trays are circulated,
Wherein the transfer path includes an ion beam irradiation section in which an ion beam is irradiated onto a substrate placed on the tray by the ion beam irradiating section,
And a tray return section connecting the front end and the rear end of the ion beam irradiation section such that the tray is circulated together with the ion beam irradiation section.
상기 트레이리턴구간은, 상기 트레이가 외부로부터 기판을 전달받는 로딩위치와, 기판을 외부로 반출하는 언로딩위치가 설정된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 9,
Wherein the tray return section is set at a loading position at which the tray receives the substrate from the outside and an unloading position at which the substrate is taken out to the outside.
상기 공정챔버는, 상기 로딩위치에 인접하여 기판이 도입되는 제1게이트와, 상기 언로딩위치에 인접하여 기판이 반출되는 제2게이트가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 10,
Wherein the process chamber is formed with a first gate to which the substrate is introduced adjacent to the loading position and a second gate to which the substrate is transferred adjacent to the unloading position.
상기 공정챔버는,
상기 로딩위치에서, 외부로부터 기판이 도입될 때 기판을 지지하여 이동시켜 트레이 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 제1기판이송부가 설치되고,
상기 언로딩위치에서, 기판을 지지하여 이동시켜 상기 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 외부로 반출시키는 제2기판이송부가 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.The method of claim 10,
The process chamber includes:
A first substrate transferring portion for supporting and moving the substrate when the substrate is introduced from the outside at the loading position and positioning the substrate on the tray at a predetermined substrate position for substrate processing,
And a second substrate transfer section for transferring the substrate from the tray positioned at the unloading position by moving the substrate while supporting the substrate at the unloading position.
상기 공정챔버의 제1게이트를 통하여 트레이를 전달하도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제1버퍼모듈과;
상기 공정챔버의 제2게이트를 통하여 트레이를 전달받도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제2버퍼모듈을 포함하는 기판처리시스템.A substrate processing module according to any one of claims 1 to 5;
A first buffer module coupled to the substrate processing module to transfer a tray through a first gate of the process chamber;
And a second buffer module coupled to the substrate processing module to receive a tray through a second gate of the process chamber.
상기 제1버퍼모듈 및 상기 제2버퍼모듈은 진공압으로 압력이 유지되거나, 대기압 및 공정압 사이에서 압력이 변환되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.14. The method of claim 13,
Wherein the first buffer module and the second buffer module are maintained at a vacuum pressure or the pressure is changed between an atmospheric pressure and a process pressure.
상기 제1버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 카세트에 적재된 각각의 기판을 상기 기판처리모듈 내의 로딩위치에 위치된 트레이에 전달하며,
상기 제2버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 기판처리모듈 내의 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 기판이 상기 카세트로 적재되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.14. The method of claim 13,
The first buffer module transfers each of the substrates loaded in the cassette to a tray positioned at a loading position in the substrate processing module after a cassette on which a plurality of substrates are loaded is loaded,
Wherein the second buffer module loads the substrate from the tray placed in the unloading position in the substrate processing module into the cassette after the cassette on which the plurality of substrates are loaded is loaded.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120127550A KR101971453B1 (en) | 2012-11-12 | 2012-11-12 | Substrate processing module and substrate processing system having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120127550A KR101971453B1 (en) | 2012-11-12 | 2012-11-12 | Substrate processing module and substrate processing system having the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140062552A true KR20140062552A (en) | 2014-05-26 |
KR101971453B1 KR101971453B1 (en) | 2019-04-24 |
Family
ID=50890733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120127550A KR101971453B1 (en) | 2012-11-12 | 2012-11-12 | Substrate processing module and substrate processing system having the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101971453B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020068193A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method for fast loading substrates in a flat panel tool |
KR20220050518A (en) | 2020-10-16 | 2022-04-25 | 주식회사 엘지화학 | Manufacturing method for mo-bi composite metal oxide |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009174060A (en) * | 2009-04-28 | 2009-08-06 | Canon Anelva Corp | Substrate tray of film deposition apparatus |
KR20110129821A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | Ion implantation apparatus |
KR20120098822A (en) * | 2009-11-27 | 2012-09-05 | 가부시키가이샤 니콘 | Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
KR20120113973A (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 주식회사 원익아이피에스 | Substrate processing system and tray therefor |
-
2012
- 2012-11-12 KR KR1020120127550A patent/KR101971453B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009174060A (en) * | 2009-04-28 | 2009-08-06 | Canon Anelva Corp | Substrate tray of film deposition apparatus |
KR20120098822A (en) * | 2009-11-27 | 2012-09-05 | 가부시키가이샤 니콘 | Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
KR20110129821A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | Ion implantation apparatus |
KR20120113973A (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 주식회사 원익아이피에스 | Substrate processing system and tray therefor |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020068193A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method for fast loading substrates in a flat panel tool |
US10901328B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method for fast loading substrates in a flat panel tool |
CN112534343A (en) * | 2018-09-28 | 2021-03-19 | 应用材料公司 | Method for rapid loading of substrates in a flat panel tool |
CN112534343B (en) * | 2018-09-28 | 2024-02-23 | 应用材料公司 | Method for rapid loading of substrates in a flat panel tool |
KR20220050518A (en) | 2020-10-16 | 2022-04-25 | 주식회사 엘지화학 | Manufacturing method for mo-bi composite metal oxide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101971453B1 (en) | 2019-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102337428B1 (en) | Laser annealing device, serial conveyance path for laser annealing, laser beam radiation means, and laser annealing method | |
US9263310B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102079460B1 (en) | Vacuum processing unit | |
KR20180118523A (en) | Substrate heating device | |
KR101971453B1 (en) | Substrate processing module and substrate processing system having the same | |
US20200002807A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
KR101898066B1 (en) | Substrate processing module and substrate processing system having the same | |
KR101412687B1 (en) | Ion Implantation Method, Transporting Container and Ion Implantation apparatus | |
KR101794087B1 (en) | ION BEAM MASK, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, and SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM | |
KR20120113973A (en) | Substrate processing system and tray therefor | |
KR101769493B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing system | |
KR101877337B1 (en) | Ion injection apparatus and tray therefor | |
TWI719607B (en) | Substrate treating apparatus | |
KR101436489B1 (en) | Method for manufacturing a solar cell and apparatus for manufacturing the same | |
KR101818730B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method | |
KR101765232B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing system | |
KR101751307B1 (en) | High-throughput ion implanter | |
KR20140142800A (en) | Substrate processing system, and tray tilting apparatus, and tray therefor | |
KR101896949B1 (en) | Laser processing apparatus | |
JP5467578B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP5447991B2 (en) | Laser processing equipment | |
KR20210112326A (en) | vacuum processing device | |
KR20120113977A (en) | Substrate processing system and tray therefor | |
KR20130037862A (en) | Substrate processing system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |