KR20140062552A - Substrate processing module and substrate processing system having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing system and, more particularly, to a substrate processing module and a substrate processing system having the same, which can perform substrate process such as ion radiation on a substrate. The disclosed substrate processing module includes a processing chamber forming a sealed processing space, performs substrate process when a rectangular substrate is seated on one or more substrate processing positions set on a tray, and includes a substrate arranging unit for arranging the position of the substrate on the substrate processing position set on the tray.

Description

기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템 {Substrate processing module and substrate processing system having the same}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate processing module and substrate processing system having same [0002]

본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 이온을 조사하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing module for performing substrate processing such as irradiating a substrate with ions and a substrate processing system having the same.

반도체 기판, LCD패널용 유리기판, OLED패널용 기판, 태양전지기판 등에서 반도체영역, 즉 pn접합구조를 형성하는 방법으로서 열확산법 및 이온조사법이 있다.There are a thermal diffusion method and an ion irradiation method as a method of forming a semiconductor region, that is, a pn junction structure in a semiconductor substrate, a glass substrate for an LCD panel, a substrate for an OLED panel, and a solar cell substrate.

그런데 열확산법에 의하여 불순물을 주입하는 경우 불순물 주입을 위한 POCl3를 증착할 때 도핑이 균일하게 이루어지지 않아 공정 균일도가 낮으며, POCl3를 사용하는 경우 증착 후 기판 표면에 부산물로 형성되는 PSG막의 제거, 측면 반도체구조 제거(에지 아이솔레이션) 등 공정이 복잡하며 전체 공정시간이 길어져 생산성이 저하되는 문제점이 있다.However, when the impurity is implanted by the thermal diffusion method, the process uniformity is not uniform when doping POCl3 for impurity implantation. In the case of using POCl3, removal of the PSG film formed as a byproduct on the substrate surface after deposition, And removal of side semiconductor structure (edge isolation) are complicated and the whole process time is prolonged.

이에 반하여 이온을 조사하여 기판에 이온을 주입하는 이온조사법은 열확산법에 비하여 제어가 용이하며 정밀한 불순물 주입이 가능하여 최근에 많이 활용되고 있다.On the other hand, the ion irradiation method in which ions are injected into a substrate by irradiating ions is easier to control than a thermal diffusion method, and impurities can be injected precisely.

한편 상기와 같은 기판 표면에 이온을 조사하기 위한 기판처리모듈은 일반적으로 이온빔소스와, 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 밀폐된 처리공간 내에 설치된 스테이션에 안착된 기판에 조사함으로써 기판에 이온을 주입하도록 구성된다.On the other hand, the substrate processing module for irradiating ions to the surface of the substrate as described above generally includes an ion beam source and a configuration for injecting ions into the substrate by irradiating the ion beam generated from the ion beam source to a substrate placed in a station provided in a closed processing space do.

그러나 상기와 같은 종래의 기판처리모듈은 단일의 이온빔소스에 의하여 이온조사공정이 수행됨에 따라서 이온조사 패턴에 제한을 받게 되며 이온조사의 대량처리가 곤란한 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing module as described above, the ion irradiation process is performed by a single ion beam source, so that the ion irradiation pattern is limited and it is difficult to mass-process the ion irradiation.

또한 다양한 패턴의 이온조사공정을 수행하기 위해서는 복수의 기판처리모듈에 의하여 수행되어야 하므로 그 처리가 복잡하고, 장치가 고가이며 장치가 차지하는 공간 또한 커지는 문제점이 있다.Further, in order to perform the ion irradiation process with various patterns, it is required to be performed by a plurality of substrate processing modules, so that the processing is complicated, the apparatus is expensive, and the space occupied by the apparatus becomes large.

또한 종래의 기판처리모듈은 기판이 고정된 상태에서 이온빔을 이동시키면서 이온주입이 이루어짐에 따라서 이온주입 후의 기판교체, 이온빔의 이동을 위한 장치 등 장치가 복잡하고 공정시간이 많이 소요됨에 따라서 생산성이 낮은 문제점이 있다.In addition, the conventional substrate processing module is complicated and requires a long process time, such as a substrate replacement after the ion implantation and a device for moving the ion beam as the ion implantation is performed while moving the ion beam while the substrate is fixed, There is a problem.

한편 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 종래의 다른 기판처리모듈로서 이온빔을 주사하는 이온빔조사장치를 고정한 상태에서 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 이온빔이 조사되는 조사영역을 통과시키는 기판처리모듈이 개시된 바 있다.In order to solve such a problem, a substrate processing module has been disclosed in which, as another conventional substrate processing module, an ion beam irradiating device for scanning an ion beam is fixed and a tray on which at least one substrate is placed is passed through an irradiation area irradiated with an ion beam .

그런데 트레이를 이용한 종래의 기판처리모듈은 공정챔버 내로 도입할 때 보다 많은 수의 기판들을 적재하여 도입할 필요가 있는바, 기판이 적재되는 트레이의 크기가 커져 결과적으로 장치의 크기가 커져 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.However, since a conventional substrate processing module using a tray requires a larger number of substrates to be loaded and introduced when the substrate is introduced into the process chamber, the size of the tray on which the substrate is loaded increases, There is an increasing problem.

또한 트레이를 이용한 종래의 기판처리모듈은 트레이가 대기 상태에서 기판을 적재한 후 진공압 상태의 공정챔버로 도입되어 공정이 수행되는바, 대기 환경에서 그래파이트 재질의 트레이에 수분이 흡수되어 로드락모듈에서의 진공압 변경시간이 증가해서 전체 공정처리속도가 저하되어 생산성이 저하되는 문제점이 있다.In addition, since the conventional substrate processing module using the tray is loaded in the standby state, the substrate is loaded into the process chamber in the vacuum pneumatic state after the substrate is loaded, and moisture is absorbed into the tray of the graphite material in the atmospheric environment, There is a problem in that the entire process speed is lowered and the productivity is lowered.

또한 트레이를 이용한 종래의 기판처리모듈은 공정챔버 내에 마스크를 설치하고, 트레이가 이동하면서 이온이 주입됨에 따라서 라인형태의 패턴을 가지는 이온주입만이 가능하며 다양한 패턴을 가지는 이온주입이 불가능한 문제점이 있다.Also, in the conventional substrate processing module using a tray, a mask is installed in a process chamber, and ions are injected while a tray moves, so that only ion implantation with a line-shaped pattern is possible and ion implantation with various patterns is impossible .

더 나아가, 기판에 패턴화된 이온주입에 있어서 마스크에 대한 기판의 위치를 정렬하기 위한 정렬장치가 없어 정밀한 패턴화된 이온주입이 불가능한 문제점이 있다.Furthermore, there is no alignment device for aligning the position of the substrate with respect to the mask in the patterned ion implantation on the substrate, so that there is a problem that precise patterned ion implantation is not possible.

본 발명의 목적은, 하나 이상의 기판이 트레이에 안착된 상태에서 기판처리가 수행될 때 트레이 상에 미리 설정된 기판처리위치로 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부를 추가로 구비함으로써, 보다 정밀한 기판처리의 수행이 가능한 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to further provide a substrate alignment unit for aligning the position of a substrate to a predetermined substrate processing position on a tray when the substrate processing is performed with at least one substrate placed on a tray, And a substrate processing system having the substrate processing module.

본 발명의 다른 목적은, 기판이 안착되는 트레이에 패턴화된 기판처리의 수행을 위한 마스크를 설치하고 마스크에 대한 기판의 위치를 정렬하는 기판정렬부를 추가로 구비함으로써 보다 다양한 패턴의 기판처리의 수행이 가능한 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can perform a substrate processing of a wider variety of patterns by providing a mask for performing patterned substrate processing on a tray on which a substrate is placed and further arranging a substrate alignment unit for aligning the position of the substrate with respect to the mask And a substrate processing system having the substrate processing module.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버를 포함하며, 트레이에 설정된 하나 이상의 기판처리위치에 직사각형 기판이 안착된 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리모듈로서, 상기 트레이에 설정된 상기 기판처리위치로 상기 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부가 더 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈을 개시한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber for forming a closed process space, in which a rectangular substrate is placed at one or more substrate processing positions set in a tray A substrate processing module for performing a substrate processing, the substrate processing module further comprising a substrate aligning portion for aligning the position of the substrate with the substrate processing position set in the tray.

상기 기판정렬부는, 트레이에 설정된 기판처리위치에 대응되어 기판의 X축방향 및 Y축방향 이동을 각각 제한하는 제1스토퍼 및 제2스토퍼와, 상기 제1스토퍼를 향하여 기판을 X축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제1기판선형이동부와, 상기 제2스토퍼를 향하여 기판을 Y축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제2기판선형이동부를 포함할 수 있다.The substrate aligning unit includes a first stopper and a second stopper corresponding to a substrate processing position set in the tray and restricting movement of the substrate in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, and a second stopper And a second substrate linear movement unit for aligning the substrate by moving the substrate toward the second stopper in the Y axis direction.

상기 제1기판선형이동부 및 상기 제2기판선형이동부는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 설치되어 기판의 저면을 지지하여 회전에 의하여 기판을 이동시키는 복수의 롤러들을 포함할 수 있다.The first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part may include a plurality of rollers installed vertically through the incision part formed in the tray and supporting the bottom surface of the substrate to move the substrate by rotation .

상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼 중 적어도 어느 하나는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되며, 기판의 위치를 정렬할 때에만 상기 트레이의 상측으로 돌출될 수 있다.At least one of the first stopper and the second stopper is installed to vertically move through a cut portion formed in the tray so as to be vertically movable and may protrude upward from the tray only when the position of the substrate is aligned.

상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼는, 상기 트레이에 설치될 수 있다.The first stopper and the second stopper may be installed in the tray.

상기 기판처리모듈은 기판이 안착된 상기 트레이가 상기 공정챔버 내에서 이동하면서 기판처리를 수행할 수 있다.The substrate processing module may perform the substrate processing while the tray on which the substrate is mounted moves in the process chamber.

상기 공정챔버는 상기 트레이에 의하여 이송되는 기판에 이온을 조사하도록 상기 공정챔버에 설치된 이온빔조사부를 포함할 수 있다.The process chamber may include an ion beam irradiator installed in the process chamber to irradiate ions to a substrate transferred by the tray.

상기 공정챔버 및 상기 트레이 중 어느 하나는, 기판에 대한 패턴화된 이온빔 조사를 위하여 개구패턴이 형성된 마스크가 설치되며, 상기 기판처리위치는 상기 마스크에 대한 정렬위치일 수 있다.Wherein either one of the process chamber and the tray is provided with a mask having an opening pattern for irradiating a patterned ion beam onto the substrate and the substrate processing position may be an alignment position with respect to the mask.

상기 공정챔버는, 하나 이상의 트레이가 순환되는 이송경로가 설정되며, 상기 이송경로는, 상기 이온빔조사부에 의하여 트레이에 안착된 기판에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간과, 상기 이온빔조사구간과 함께 트레이가 순환되도록 상기 이온빔조사구간의 전단 및 후단을 연결하는 트레이리턴구간을 포함할 수 있다.Wherein the transfer path is set such that the ion beam is irradiated to the substrate placed on the tray by the ion beam irradiating unit and the ion beam irradiating section is irradiated with the ion beam irradiating section, And a tray return section connecting the front end and the rear end of the ion beam irradiation section to be circulated.

상기 트레이리턴구간은, 상기 트레이가 외부로부터 기판을 전달받는 로딩위치와, 기판을 외부로 반출하는 언로딩위치가 설정될 수 있다.In the tray return period, a loading position at which the tray receives the substrate from the outside and an unloading position at which the substrate is taken out may be set.

상기 공정챔버는, 상기 로딩위치에 인접하여 기판이 도입되는 제1게이트와, 상기 언로딩위치에 인접하여 기판이 반출되는 제2게이트가 형성될 수 있다.The process chamber may be formed with a first gate to which the substrate is introduced adjacent to the loading position and a second gate to which the substrate is transferred adjacent to the unloading position.

상기 공정챔버는, 상기 로딩위치에서, 외부로부터 기판이 도입될 때 기판을 지지하여 이동시켜 트레이 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 제1기판이송부가 설치되고, 상기 언로딩위치에서, 기판을 지지하여 이동시켜 상기 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 외부로 반출시키는 제2기판이송부가 설치될 수 있다.Wherein the process chamber is provided with a first substrate transferring portion for supporting the substrate when the substrate is introduced from the outside at the loading position and positioning the substrate on the tray at a predetermined substrate position for substrate processing, The second substrate transferring unit may be provided to support and move the substrate and take it out to the outside from the tray positioned at the unloading position.

본 발명은 또한 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리모듈과; 상기 공정챔버의 제1게이트를 통하여 트레이를 전달하도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제1버퍼모듈과; 상기 공정챔버의 제2게이트를 통하여 트레이를 전달받도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제2버퍼모듈을 포함하는 기판처리시스템을 개시한다.The present invention also relates to a substrate processing module having the above-described structure; A first buffer module coupled to the substrate processing module to transfer a tray through a first gate of the process chamber; And a second buffer module coupled to the substrate processing module to receive a tray through a second gate of the process chamber.

상기 제1버퍼모듈 및 상기 제2버퍼모듈은 진공압으로 압력이 유지되거나, 대기압 및 공정압 사이에서 압력이 변환될 수 있다.The first buffer module and the second buffer module may be maintained at a vacuum pressure, or the pressure may be changed between an atmospheric pressure and a process pressure.

상기 제1버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 카세트에 적재된 각각의 기판을 상기 기판처리모듈 내의 로딩위치에 위치된 트레이에 전달하며, 상기 제2버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 기판처리모듈 내의 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 기판이 상기 카세트로 적재될 수 있다.Wherein the first buffer module transfers each of the substrates loaded in the cassette to a tray positioned at a loading position in the substrate processing module after a cassette on which a plurality of substrates are loaded is loaded, The substrate can be loaded into the cassette from the tray located at the unloading position in the substrate processing module after the cassette on which the substrates of the substrate are loaded.

본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 하나 이상의 기판이 트레이에 안착된 상태에서 기판처리가 수행될 때 트레이 상에 미리 설정된 기판처리위치로 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부를 추가로 구비함으로써, 보다 정밀한 기판처리의 수행이 가능한 이점이 있다.A substrate processing module and a substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention include a substrate aligning portion for aligning a position of a substrate to a predetermined substrate processing position on a tray when the substrate processing is performed while one or more substrates are placed on a tray By additionally providing the substrate processing apparatus, there is an advantage that more accurate substrate processing can be performed.

또한 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 기판이 안착되는 트레이에 패턴화된 기판처리의 수행을 위한 마스크를 설치하고 마스크에 대한 기판의 위치를 정렬하는 기판정렬부를 추가로 구비함으로써 보다 다양한 패턴의 기판처리의 수행이 가능한 이점이 있다.Further, the substrate processing module and the substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention may further include a substrate aligning part for arranging a mask for performing patterned substrate processing on the tray on which the substrate is placed and aligning the position of the substrate with respect to the mask So that there is an advantage that the substrate processing of a wider variety of patterns can be performed.

또한 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 공정챔버 내에서만 트레이가 순환하도록 구성하고, 외부로부터 기판을 전달받아 트레이에 적재시킨 후 트레이 순환에 의하여 이온주입공정을 수행함으로써, 모듈의 크기를 최소화할 수 있는 이점이 있다.Further, the substrate processing module and the substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention may be configured such that the tray is circulated only in the process chamber, the substrate is received from the outside and is loaded on the tray, There is an advantage in that the size of the antenna can be minimized.

또한 로드락모듈, 기판처리모듈 및 언로드락모듈로 이루어진 인라인 시스템의 경우 트레이에 기판을 적재하여 이송하면서 이온주입을 수행하는 종래의 기판처리시스템은, 외부에서 트레이가 대기에 노출됨으로써, 수분, 이물질 등이 트레이에 흡수 또는 부착되어 원활한 이온주입공정의 수행이 어려우나, 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템은, 공정챔버 내에서만 트레이가 순환하도록 구성하고, 외부로부터 기판을 전달받아 트레이에 적재시킨 후 트레이 순환에 의하여 이온주입공정을 수행함으로써, 기판처리모듈 내에 기판만이 도입되고 트레이가 대기에 노출되지 않아 트레이에 수분, 이물질 등이 흡수되는 문제가 없는 바, 보다 원활한 이온주입공정의 수행이 가능한 이점이 있다.Also, in the case of an in-line system comprising a load lock module, a substrate processing module and an unload lock module, a conventional substrate processing system for performing ion implantation while loading and transporting a substrate to and from a tray, It is difficult to perform a smooth ion implantation process. However, in the substrate processing module and the substrate processing system having the same according to the present invention, the tray is circulated only in the process chamber, There is no problem that only the substrate is introduced into the substrate processing module and the tray is not exposed to the atmosphere to absorb moisture and foreign matter into the tray, Can be performed.

특히 트레이에 수분이 잔존하는 경우, 로드락챔버 내에서 진공압 변환에 소요되는 시간이 증가하여 전체 공정시간이 증가하는 문제점이 있으나, 본 발명은 트레이가 대기에 노출되지 않아 트레이에 수분이 흡수되는 문제가 없는 바, 보다 신속한 이온주입공정의 수행이 가능한 이점이 있다.In particular, when water remains in the tray, the time required for the vacuum pressure conversion in the load lock chamber increases, thereby increasing the overall process time. However, the present invention is not limited to this, There is no problem, and there is an advantage that a faster ion implantation process can be performed.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템을 보여주는 개념도이다.
도 2a는 도 1에서 기판처리모듈 내로 기판을 도입하는 과정을 보여주는 평면도이다.
도 2b는 도 1의 기판처리시스템의 제1기판정렬부 및 제2기판정렬부를 보여주는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1에서 기판처리모듈 내로 기판을 도입하는 과정을 보여주는 측면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리처리시스템을 보여주는 개념도이다.
1 is a conceptual view showing a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention.
2A is a plan view illustrating a process of introducing a substrate into the substrate processing module in FIG.
2B is a plan view showing the first substrate alignment unit and the second substrate alignment unit of the substrate processing system of FIG.
FIGS. 3A and 3B are side views illustrating the process of introducing a substrate into the substrate processing module in FIG.
4 is a conceptual diagram showing a substrate processing system according to a second embodiment of the present invention.

이하 본 발명에 따른 기판처리모듈 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing module and a substrate processing system having the substrate processing module according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

상기 기판처리모듈(100)은, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(110)를 포함하며, 하나 이상의 기판(10)이 안착된 트레이(20)에 설정된 하나 이상의 기판처리위치에 기판(10)이 안착된 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리모듈로서, 트레이(20)에 설정된 기판처리위치로 기판(10)의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부가 더 설치된 것을 특징으로 한다.1 and 4, the substrate processing module 100 includes a process chamber 110 for forming a closed processing space S, and a tray (not shown) on which at least one substrate 10 is placed A substrate processing module for performing substrate processing in a state in which a substrate (10) is seated in at least one substrate processing position set in a substrate (20) And an alignment unit is further provided.

상기 기판처리모듈(100)에 의한 기판처리는, 기판처리의 방식에 따라서 다양한 방식이 가능하며, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 이온빔조사부(150)에 의하여 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 이동시키면서 이온주입을 하는 등 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIGS. 1 and 4, the ion beam irradiating unit 150 may be used to process the substrate by the substrate processing module 100, Various arrangements such as ion implantation while moving the tray 20 are possible.

예로서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리모듈(100)은, 도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 기판전달을 위한 하나 이상의 게이트(111, 112)가 형성되며 하나 이상의 트레이(20)가 순환되는 이송경로(120)가 설정된 공정챔버(110)와, 트레이(20)에 의하여 이송되는 기판(10)에 이온을 조사하도록 공정챔버(110)에 설치된 이온빔조사부(150)를 포함할 수 있다.1 to 3B, the substrate processing module 100 according to the first embodiment of the present invention forms an enclosed processing space S and includes at least one gate 111 And a transfer path 120 through which one or more trays 20 are circulated is installed and a processing chamber 110 for irradiating ions to the substrate 10 transported by the tray 20, And an ion beam irradiating unit 150 installed in the ion beam irradiating unit 150.

여기서 처리대상인 기판(10)은 반도체기판, LCD패널용 유리기판, OLED 패널용 기판, 태양전지용 기판 등이 될 수 있다.Here, the substrate 10 to be treated may be a semiconductor substrate, a glass substrate for an LCD panel, a substrate for an OLED panel, a substrate for a solar cell, or the like.

특히 본 발명에 따른 기판처리모듈(100)의 기판처리대상인 기판(10)은 태양전지용 실리콘 기판이 바람직하며, 이때 상기 이온빔조사부(150)에 의하여 조사되는 이온은 기판(10)의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온이 될 수 있다.Particularly, the substrate 10 to be subjected to the substrate processing of the substrate processing module 100 according to the present invention is preferably a silicon substrate for a solar battery. At this time, ions irradiated by the ion beam irradiating unit 150 are irradiated onto the surface of the substrate 10, And may be ions forming a semiconductor region.

또한 상기 기판처리대상이 태양전지용 실리콘 기판인 경우, 기판(10) 표면에 형성되는 반도체영역은 선택적 에미터(Selective Emitter)이거나, IBC를 형성하는 n형 반도체영역 및 p형 반도체영역이 될 수 있다.When the substrate to be processed is a silicon substrate for a solar cell, the semiconductor region formed on the surface of the substrate 10 may be a selective emitter or an n-type semiconductor region and a p-type semiconductor region for forming an IBC .

상기 트레이(20)는, 공정챔버(110) 내에서 순환하도록 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 적재하여 이송하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The tray 20 is installed in the process chamber 110 so as to circulate therein, and can be configured in various ways as a structure for loading and transporting one or more substrates 10.

일예로서, 상기 트레이(20)는, 그래파이트 등 기판(10)을 안정적으로 지지할 수 있는 재질이면 어떠한 구성도 가능하다.For example, the tray 20 may have any structure as long as it can stably support the substrate 10 such as graphite.

그리고 상기 트레이(20)는, 평면형상이 직사각형의 형상을 가질 수 있으며, 후술하는 로딩위치 및 언로딩위치에서 트레이(20)에 적재된 기판(10)의 선형이동방향을 길이방향(X축방향), 길이방향(X축방향)과 수직인 방향을 폭방향(Y축방향)이라고 할 때, 트레이(20)는, X축방향 및 Y축방향으로 n×m 배열(n은 1 이상의 자연수이며, m은 2 이상의 자연수)을 이루어 복수의 기판들이 배치될 수 있다.The tray 20 may have a rectangular shape in plan view. The linear movement direction of the substrate 10 loaded on the tray 20 at a loading position and an unloading position, which will be described later, And the direction orthogonal to the longitudinal direction (X-axis direction) is the width direction (Y-axis direction), the tray 20 is arranged in an nx m array (n is a natural number of 1 or more and m is a natural number of 2 or more).

또한 상기 트레이(20)는 공정챔버(110) 내에서 이송경로(120)를 따라서 일렬로 순환하거나 복수 개의 열로 순환하도록 구성될 수 있다.The tray 20 may also be configured to circulate in a line or circulate in a plurality of rows along the transport path 120 within the process chamber 110.

특히 상기 공정챔버(110) 내에 설정된 이송경로(120)를 따라서 순환하는 트레이(20)는 하나 또는 복수개로 구성될 수 있으며, 기판(10)의 로딩 및 언로딩 시간, 이온주입시간 등을 고려하여 적절한 숫자로 설치될 수 있다.Particularly, the tray 20 circulating along the conveyance path 120 set in the process chamber 110 may be composed of one or a plurality of materials. In consideration of the loading and unloading time of the substrate 10, It can be installed in an appropriate number.

또한 상기 트레이(20)는, 기판(10)에 대하여 패턴화된 이온빔 조사를 위하여 하나 이상의 개구가 형성된 마스크(30)가 고정 또는 탈착가능하게 설치될 수 있다.Also, the tray 20 may be fixedly or removably installed with a mask 30 having one or more openings for irradiating the substrate 10 with patterned ion beams.

여기서, 상기 마스크(30)는, 로딩위치 및 언로딩위치에서 트레이(20)에 적재된 기판(10)의 도입 또는 배출을 위하여, 그 선형이동방향을 따라서 전방 및 후방이 개방될 수 있다.Here, the mask 30 can be opened frontward and rearward along the linear movement direction for introduction or ejection of the substrate 10 loaded on the tray 20 at the loading position and the unloading position.

또한 상기 마스크(30)는 트레이(20)에 결합되어 설치되는 대신에, 공정챔버(100)와 트레이(20)가 이송되는 이송경로(120) 사이에 설치될 수도 있음은 물론이다.The mask 30 may be installed between the process chamber 100 and the transfer path 120 through which the tray 20 is transferred, instead of being coupled to the tray 20.

상기 공정챔버(110)는 이온빔조사부(150)에 의하여 기판(10)에 이온이 주입될 수 있는 환경을 형성하고, 트레이(20)가 순환되는 이송경로(120)가 설정되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 110 has a configuration in which an ion beam can be injected into the substrate 10 by the ion beam irradiating unit 150 and a transfer path 120 through which the tray 20 is circulated is set, It is possible.

상기 공정챔버(110)는 일예로서, 서로 착탈가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체 및 상부리드를 포함하여 구성될 수 있다.The process chamber 110 may include, for example, a chamber body and an upper lid that are detachably coupled to each other to form a closed processing space S.

상기 챔버본체는 트레이(20)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111, 112)가 형성될 수 있으며, 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 배기시스템과 연결될 수 있다.The chamber body may be formed with one or more gates 111 and 112 for the entrance and exit of the tray 20 and may be connected to the exhaust system for exhaust and pressure control in the process space S. [

상기 제1게이트(111) 및 제2게이트(112)는, 안정적인 이온빔 조사를 위하여 게이트밸브(210, 220)에 의하여 개폐될 수 있으며, 공정챔버(110)에 후술하는 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)이 결합되고, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)이 진공압으로 유지되는 경우 게이트밸브(210, 220)에 의한 개폐없이 개방된 상태로 유지될 수 있다.The first gate 111 and the second gate 112 may be opened and closed by gate valves 210 and 220 for stable ion beam irradiation and may be connected to the first buffer module 400, When the first buffer module 400 and the second buffer module 500 are maintained at a vacuum pressure, the first buffer module 400 and the second buffer module 500 are kept open without being opened and closed by the gate valves 210 and 220, .

상기 이온빔조사부(150)는 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 유도함과 아울러 이온빔의 강도 및 농도를 제어하여 기판(10) 표면에 이온 주입에 적합한 조사영역을 트레이(20)에 적재되어 이송되는 기판(10) 표면에 형성한다.The ion beam irradiating unit 150 guides the ion beam generated from the ion beam source and controls the intensity and concentration of the ion beam to irradiate an irradiation region suitable for ion implantation on the surface of the substrate 10 to the substrate 10 ) Surface.

상기 이송경로(120)는, 하나 이상의 트레이(20)가 순환이동되도록 공정챔버(110) 내에 설정되며, 이온빔조사부(150)에 의하여 트레이(20)에 안착된 기판(10)에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간을 포함한다.The transfer path 120 is set in the process chamber 110 so that one or more trays 20 are circulated and an ion beam is irradiated onto the substrate 10 placed on the tray 20 by the ion beam irradiating unit 150 Ion beam irradiation period.

여기서 상기 이송경로(120)는, 공정챔버(110) 내에서 트레이(20)가 순환되는 경로로서 트레이(20)의 이송방식에 따라서 복수의 이송롤러(130)들이 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The conveyance path 120 is a path through which the tray 20 is circulated in the process chamber 110 and a plurality of conveyance rollers 130 are installed in accordance with the conveyance method of the tray 20 .

상기 이송롤러(130)는, 공정챔버(110)에 설치된 구동장치(미도시)의 구동에 의하여 구동되며, 공정챔버(110)에 설치되어 트레이(20)의 저면을 지지하여 회전에 의하여 트레이(20)를 이송하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The transfer roller 130 is driven by a driving device (not shown) installed in the process chamber 110 and is installed in the process chamber 110 to support the bottom surface of the tray 20, 20 can be conveyed.

예로서, 상기 이송롤러(130)는, 공정챔버(110)에 설치된 프레임(미도시)에 의하여 회전가능하게 설치됨과 아울러, 체인, 벨트, 기어 등 다양한 방식에 의하여 회전구동될 수 있다.For example, the conveying roller 130 may be rotatably installed by a frame (not shown) installed in the process chamber 110, and may be rotatably driven by various methods such as a chain, a belt, and a gear.

한편 상기 이송경로(120)는, 트레이(20)를 공정챔버(110) 내에서 순환시키기 위하여, 이온빔조사부(150)에 의하여 트레이(20)에 안착된 기판(10)에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간과, 이온빔조사구간과 함께 트레이(20)가 순환되도록 이온빔조사구간의 전단 및 후단을 연결하는 트레이리턴구간을 포함하여 구성될 수 있다.The transfer path 120 may include an ion beam irradiating the substrate 10 placed on the tray 20 by the ion beam irradiating unit 150 so as to circulate the tray 20 in the process chamber 110. [ And a tray return section connecting the front end and the rear end of the ion beam irradiation section such that the tray 20 is circulated together with the ion beam irradiation section.

그리고 상기 이송경로(120), 특히 트레이리턴구간은, 트레이(20)가 외부로부터 기판(10)을 전달받는 로딩위치와, 트레이(20)로부터 기판(10)을 외부로 반출하는 언로딩위치가 설정된다.The transport path 120, and particularly the tray return period, may be a loading position in which the tray 20 receives the substrate 10 from the outside, and an unloading position in which the substrate 20 is unloaded from the tray 20 Respectively.

상기 로딩위치 및 언로딩위치는, 각각 트레이(20)가 외부로부터 기판(10)을 전달받는 위치, 및 이온빔조사구간으로부터 트레이(20)를 전달받아 기판(10)을 외부로 반출하는 위치로서, 기판(10)의 도입 및 배출방식에 따라서 공정챔버(110) 내에 적절한 위치에 위치될 수 있다.The loading position and the unloading position are positions at which the tray 20 receives the substrate 10 from the outside and positions at which the tray 20 is transferred from the ion beam irradiation section to the outside, And may be positioned in the process chamber 110 in an appropriate position depending on the manner of introduction and discharge of the substrate 10.

예로서, 상기 공정챔버(110)가 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110)에서 일측에 형성된 제1게이트(111)를 통하여 도입되고 제1게이트(111)에 대향되는 위치에 형성된 제2게이트(112)를 통하여 배출되는 경우, 로딩위치 및 언로딩위치는 각각 공정챔버(110) 내에 제1게이트(111) 및 제2게이트(112)에 인접하여 위치된다. As an example, the process chamber 110 may be formed of a material that is introduced through a first gate 111 formed at one side in the process chamber 110 and formed at a position opposite the first gate 111, 2 gate 112, the loading position and the unloading position are located adjacent to the first gate 111 and the second gate 112, respectively, in the process chamber 110.

또한 상기 공정챔버(110)가 공정챔버(110)에 하나의 게이트가 형성되고 그를 통하여 기판(10)의 도입 및 배출이 이루어지는 경우, 로딩위치 및 언로딩위치는 이송경로(120)에서 동일한 위치에 설정될 수 있다.Also, when the process chamber 110 is formed with one gate in the process chamber 110, and the substrate 10 is introduced and discharged therefrom, the loading position and the unloading position are the same at the transfer path 120 Can be set.

한편 상기 로딩위치에서는, 후술하는 기판정렬부가 설치되어 기판(10)의 도입 후, 기판(10)의 정렬, 예를 들면 트레이(20)에 설치된 마스크(30)에 대한 정렬이 이루어질 수 있다.On the other hand, at the loading position, alignment of the substrate 10, for example, alignment with respect to the mask 30 provided on the tray 20, can be performed after the introduction of the substrate 10 with the substrate aligning portion described later.

여기서 물론, 상기 기판정렬부는, 로딩위치 이외에 이온주입구간의 전단에 설치되어 기판(10)의 정렬, 예를 들면 트레이(20)에 설치된 마스크(30)에 대한 정렬이 이루어질 수 있다.Here, of course, the substrate aligning part may be arranged at the front end between the ion implanting areas in addition to the loading position so that the alignment of the substrate 10, for example, alignment with respect to the mask 30 provided on the tray 20, can be performed.

한편 상기 이송경로(120)는, 공정챔버(110) 내에 트레이(20)의 순환방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 예로서, 트레이리턴구간의 일부를 이루는 제1경로(121)와, 제1경로(121)의 상측에 위치되며 트레이리턴구간의 일부 및 이온빔조사구간을 이루는 제2경로(122)를 포함할 수 있다. The transfer path 120 may be configured in various ways according to the circulation manner of the tray 20 in the process chamber 110. For example, the transfer path 120 may include a first path 121 forming a part of a tray return period, And a second path 122 positioned above the path 121 and forming a part of the tray return period and an ion beam irradiation period.

여기서, 상기 로딩위치 및 언로딩위치는, 그 설정 위치가 앞서 설명한 바와 같이, 공정챔버(110)에 형성된 제1게이트(111)와, 제2게이트(112)가 형성된 위치에 따라서 결정된다.Here, the loading position and the unloading position are determined according to the position where the first gate 111 formed in the process chamber 110 and the second gate 112 are formed, as described above.

그리고 상기 제1경로(121) 및 제2경로(122)이 상하로 배치되는 경우, 공정챔버(110)에는, 트레이(20)를 상승시켜 제1경로(121)로부터 제2경로(122)로 전달하기 위한 제1트레이전달부(미도시)와, 제2경로(122)로부터 제1경로(121)로 트레이(20)를 전달하기 위한 제2트레이전달부(미도시)가 설치될 수 있다.When the first path 121 and the second path 122 are vertically disposed, the process chamber 110 is moved up from the first path 121 to the second path 122 by raising the tray 20 (Not shown) for conveying the tray 20 from the second path 122 to the first path 121 may be installed on the first path 121 .

상기 제1트레이전달부 및 제2트레이전달부는 공정챔버(110) 내에 설치되어 트레이(20)를 지지하여 상승시키거나 하강시키기 위한 구성으로서, 트레이(20)의 지지방식 및 상승 또는 하강방식에 따라서 다양한 방식이 가능하다.The first tray transfer unit and the second tray transfer unit are installed in the process chamber 110 to support the tray 20 so as to raise or lower the tray 20. The tray 20 is supported by the tray 20, Various methods are possible.

이때, 상기 제2경로(122)에 설치된 이송롤러(130)들은 제1트레이전달부 및 제2트레이전달부에 의한 트레이(20)의 상승 또는 하강시 간섭되는 것을 방지하기 위하여 트레이(20)의 폭 방향으로 이동가능하게 설치됨이 바람직하다.At this time, the conveying rollers 130 installed on the second path 122 are moved in the vertical direction of the tray 20 to prevent the trays 20 from interfering with the raising or lowering of the tray 20 by the first tray transmitting unit and the second tray transmitting unit. It is preferable to be provided so as to be movable in the width direction.

즉, 상기 제2경로(122)에 위치된 트레이(20)가 제1트레이전달부에 의하여 제1경로(121)로 전달되는 경우 제1경로(1221에 설치된 이송롤러(130)들은 대향되는 폭을 확장하도록 이동하고, 트레이(20)가 제1경로(121)로 이동을 마친 경우 그 반대로 이동하여 트레이(20)를 지지함과 아울러 제1경로(121)를 따라서 이동시킨다.That is, when the tray 20 positioned in the second path 122 is conveyed to the first path 121 by the first tray conveying unit, the conveying rollers 130 installed in the first path 1221 may have a width When the tray 20 is moved to the first path 121, the tray 20 is moved in the opposite direction to move the tray 20 along the first path 121 while supporting the tray 20.

그리고 상기 제1경로(121)를 따라서 이동을 마친 트레이(20)는 제2트레이전달부의 지지 및 하강에 의하여 제2경로(122)로 이동된다. 이때 상기 이송롤러(130)는 트레이(20)의 하강시 간섭을 방지하기 위하여 대향되는 폭을 확장하도록 이동하고, 트레이(20)가 하강된 후에는 그 반대로 이동하여 제2경로(122)를 따라서 이송되는 다음의 트레이(20)를 지지한다.The tray 20, which has been moved along the first path 121, is moved to the second path 122 by the support and descent of the second tray transfer part. At this time, the conveying roller 130 is moved to extend the opposite width to prevent interference when the tray 20 is lowered. After the tray 20 is lowered, the conveying roller 130 is moved in the opposite direction to move along the second path 122 And supports the next tray 20 to be transported.

상기 로딩위치 및 언로딩위치는 동일한 위치로 위치되거나, 제1경로(121) 또는 제2경로(122)의 양단에 각각 위치되는 등 다양하게 위치될 수 있다.The loading position and the unloading position may be located at the same position, or may be positioned at various positions such as located at both ends of the first path 121 or the second path 122, respectively.

한편 상기 공정챔버(110)는, 이송빔조사구간에 트레이(20)가 없는 경우 그 내벽이 이온빔에 노출되어 공정챔버(110)의 내벽을 손상시키는 문제점이 있다.On the other hand, in the process chamber 110, when the tray 20 is not provided in the transfer beam irradiation section, the inner wall of the process chamber 110 is exposed to the ion beam, thereby damaging the inner wall of the process chamber 110.

이에, 상기 공정챔버(110)는, 공정챔버(110)에 이온빔이 조사되는 것을 방지하기 위한 이온이온빔차단부(180)가 추가로 설치될 수 있다.The process chamber 110 may further include an ion beam blocking unit 180 for preventing the ion beam from being irradiated to the process chamber 110.

상기 이온빔차단부(180)는 공정챔버(110)에 이온빔이 조사되는 것을 방지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The ion beam cutoff unit 180 may have any structure as long as it can prevent the ion beam from being irradiated to the process chamber 110.

예로서, 상기 이온빔차단부(180)는 도 1에 도시된 바와 같이, 조사되는 이온빔을 산란시키기 위하여 그 상면에 다수의 요철들이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the ion beam blocking portion 180 may have a plurality of irregularities formed on its upper surface to scatter the irradiated ion beam.

상기 다수의 요철들은 이온빔차단부(180)에 조사되는 이온빔을 산란시켜 이온빔 조사에 따른 이온빔차단부(180)의 온도상승을 최소화하고 증발효과를 억제할 수 있다.The plurality of irregularities scatter the ion beam irradiated to the ion beam shielding part 180, thereby minimizing the temperature rise of the ion beam shielding part 180 according to the irradiation of the ion beam and suppressing the evaporation effect.

또한 상기 이온빔차단부(180)는 단일의 부재에 의하여 구성되거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 이온빔이 조사되는 하나 이상의 상판부와, 상판부의 저면에 결합되어 상판부를 냉각시키는 하나 이상의 냉각부를 포함할 수 있다.1, the ion beam blocking portion 180 may include at least one upper plate portion irradiated with an ion beam and at least one cooling portion coupled to a bottom surface of the upper plate portion to cool the upper plate portion .

상기 상판부는 알루미늄, 알루미늄합금, 그래파이트, 탄소강화섬유(carbon reinforced fiber), 카본컴퍼지트(carbon composite), SiC 등 이온빔에 강한 재질이 사용됨이 바람직하다. 여기서 상기 상판부는 금속재질보다는 비금속재질의 사용이 보다 바람직하다.The upper plate is preferably made of a material resistant to ion beams such as aluminum, aluminum alloy, graphite, carbon reinforced fiber, carbon composite, SiC, and the like. Here, the upper plate is preferably made of a non-metal material rather than a metal material.

예로서, 상기 상판부는, 알루미늄, 알루미늄합금 등의 금속재질의 모재(미도시)와, 모재 상에 형성되는 비금속층과; 비금속층 상에 코팅되며 전기전도성 재질의 코팅층을 포함할 수 있다. 여기서 상기 모재는 비금속재질의 사용도 가능하며, 전기전도성 재질의 코팅층은 Si를 포함하는 물질이 바람직하다. For example, the upper plate portion may include a base material (not shown) made of a metal such as aluminum or an aluminum alloy, a nonmetal layer formed on the base material, And may include a coating layer of an electrically conductive material coated on the non-metallic layer. Here, the base material may be made of a non-metallic material, and the coating layer of the electrically conductive material is preferably a material containing Si.

또한 상기 상판부는 그래파이트 및 SiC 중 어느 하나의 재질을 가질 수도 있다. 이때 상기 상판부는 Si를 포함하는 코팅물질에 의하여 코팅됨이 바람직하다.The upper plate may have any one of graphite and SiC. At this time, the upper plate is preferably coated with a coating material containing Si.

한편 상기 상판부는 냉각부와는 별도의 부재로 구성되어, 냉각부 상에 아무런 결합없이 놓이거나, 볼팅, 용접 등 기계적으로 결합되는 등 냉각부와 다양한 형태로 결합될 수 있다.On the other hand, the upper plate part is formed of a separate member from the cooling part, and can be coupled to various parts of the cooling part such as being placed on the cooling part without any coupling or being mechanically coupled with bolting, welding or the like.

상기 냉각부는 이온빔 조사에 의하여 가열된 상판부를 냉각시키기 위한 구성으로서 상판부를 냉각시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The cooling unit may have any structure as long as it can cool the upper plate portion to cool the upper plate portion heated by the ion beam irradiation.

한편, 상기 기판처리모듈(100)은, 트레이(20)에 기판(10)을 적재하여 공정챔버(110)에 도입하는 종래 기판처리모듈과는 달리, 기판(10)이 게이트(111, 112)를 통하여 공정챔버(110) 내부에서 순환하는 트레이(20)에 도입되거나 배출되는바, 트레이(20) 상에서 기판(10)이 이동될 필요가 있다.Unlike the conventional substrate processing module in which the substrate 10 is loaded on the tray 20 and introduced into the process chamber 110, the substrate processing module 100 includes a substrate 110, The substrate 10 needs to be moved on the tray 20 as it is introduced into or discharged from the tray 20 circulating inside the process chamber 110 through the tray 20.

따라서 상기 공정챔버(110) 및 트레이(20) 중 어느 하나에는, 공정챔버(110)에서 기판(10)이 도입되거나 배출될 때, 로딩위치 및 언로딩위치에 위치된 트레이(20) 상에서 기판(10)을 이동시키는 하나 이상의 기판이송부가 설치된다.Any one of the process chamber 110 and the tray 20 may be provided with the substrate 10 on the tray 20 positioned at the loading position and the unloading position when the substrate 10 is introduced or discharged from the process chamber 110 10 are moved.

상기 기판이송부는 로딩위치 및 언로딩위치에 위치된 트레이(20) 상에서 기판(10)을 이동시키기 위한 구성으로서, 트레이(20)에 설치되거나 공정챔버(110)에 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The substrate can be configured in various ways such as a structure for moving the substrate 10 on the tray 20 placed at the loading position and the unloading position, such as being installed in the tray 20 or installed in the process chamber 110 Do.

상기 기판이송부의 일예로서, 기판이송부는, 로딩위치에서 공정챔버(110)에 설치되어 외부로부터 기판(10)이 도입될 때 기판(10)을 지지하여 이동시켜 트레이(20) 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 제1기판이송부와, 언로딩위치에서 로딩위치에서 공정챔버(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하여 이동시켜 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 외부로 반출시키는 제2기판이송부로 구성될 수 있다.The substrate transferring unit is installed in the process chamber 110 at a loading position to support and move the substrate 10 when the substrate 10 is introduced from the outside, A first substrate placed at a predetermined substrate position for processing and a second substrate placed in the processing chamber at a loading position in an unloading position to support and move the substrate, The second substrate may be configured as a transmitting portion.

상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부는 공정챔버(110)에 각각 로딩위치 및 언로딩위치에 설치되고, 트레이(20)가 로딩위치 및 언로딩위치에 위치되면 트레이(20)를 지지하여 기판(10)을 이동시키도록 구성된다.The first substrate transferring unit and the second substrate transferring unit are installed at the loading and unloading positions respectively in the process chamber 110. When the tray 20 is positioned at the loading position and the unloading position, So as to move the substrate 10.

상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부는 그 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 후술하는 벨트 및 풀리의 조합, 롤러(610, 640) 등 다양한 구성이 가능하며, 제1기판이송부는 제1기판선형이동부와 유사한 구성을 가지거나, 제1기판선형이동부로서 구성될 수 있다.The first substrate transferring part and the second substrate transferring part can have various configurations according to the transferring method, and various configurations such as a combination of a belt and a pulley to be described later, rollers 610 and 640, May have a configuration similar to that of the first substrate linear moving part, or may be configured as the first substrate linear moving part.

여기서 상기 공정챔버(110), 더 나아가 후술하는 제1버퍼챔버(410) 및 제2버퍼챔버(510)는 챔버(110, 410, 520) 간의 간격, 게이트(111, 491, 112, 591)들로 인하여 후술하는 카세트(40) 및 트레이(20) 사이의 거리를 고려하여 기판(10)의 이동방향을 따라서 하나 이상의 보조롤러들이 설치될 수 있다.The process chamber 110 and further the first buffer chamber 410 and the second buffer chamber 510 to be described later are spaced apart from each other by the gap between the chambers 110, 410 and 520 and the gates 111, 491, 112 and 591 One or more auxiliary rollers may be installed along the moving direction of the substrate 10 in consideration of the distance between the cassette 40 and the tray 20 to be described later.

또한 상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부의 구동은, 공정챔버(110)에 설치된 구동부(미도시) 또는 트레이(20)에 설치된 구동부(미도시)에 의하여 구동되는 등 다양한 방식에 의하여 구동될 수 있다.The feeding of the first substrate and the feeding of the second substrate may be performed by a driving unit (not shown) provided in the process chamber 110 or a driving unit (not shown) provided in the tray 20 Can be driven.

그리고 상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부는, 트레이(20)의 수평방향 이동시 그 간섭을 방지하기 위하여 상하로 이동가능하게 설치될 수 있다.The first substrate transferring unit and the second substrate transferring unit may be installed to be movable up and down to prevent interference with the movement of the tray 20 in the horizontal direction.

이때 상기 트레이(20)에는 제1기판이송부 및 제2기판이송부가 트레이(20)를 관통하여 상측으로 이동하여 기판(20)의 저면을 지지할 수 있도록 상하로 개방된 하나 이상의 절개부(21)가 형성된다.At this time, in the tray 20, one or more cutouts (not shown) are vertically opened to support the bottom surface of the substrate 20 by moving the first substrate transferring part and the second substrate transferring part through the tray 20 21 are formed.

특히 상기 제1기판이송부 및 제2기판이송부가 트레이(20)를 관통하여 상측으로 이동할 때 기판(20)이 트레이(20)의 상면과의 마찰을 방지하기 위하여 제1기판이송부 및 제2기판이송부가 기판(10)을 지지하는 부분은 트레이(20)의 상면보다 약간 높게 돌출됨이 바람직하다.Particularly, in order to prevent the substrate 20 from friction with the upper surface of the tray 20 when the first substrate and the second substrate are moved upward through the tray 20, It is preferable that a portion of the substrate 2 supporting the substrate 10 is projected slightly higher than the upper surface of the tray 20.

상기 기판이송부의 또 다른 예로서, 기판이송부는 트레이(20)에 설치되어 로딩위치에서 외부로부터 기판(10)이 도입될 때 기판(10)을 지지하여 이동시켜 트레이(20) 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키거나, 언로딩위치에서 기판(10)을 지지하여 이동시켜 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 외부로 반출시키는 하나의 기판이송부로 구성될 수 있다.As another example of the substrate transferring unit, the substrate transferring unit is installed in the tray 20 to support and move the substrate 10 when the substrate 10 is introduced from the outside at the loading position, One substrate may be configured to be placed at a predetermined substrate position for processing or to move the substrate 10 while supporting the substrate 10 at the unloading position and to take it out to the outside from the tray positioned at the unloading position.

한편 상기 기판처리모듈(100)은 도 1에 도시된 바와 같이, 트레이(20)가 순환하도록 설치되는 대신에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1버퍼모듈(400), 기판처리모듈(100) 및 제2버퍼모듈(500)을 따라서 순차적으로 이동되도록 구성될 수 있다.1, the substrate processing module 100 may include a first buffer module 400, a substrate processing module 100 (see FIG. 4), a second buffer module ) And the second buffer module 500 in the same manner.

즉, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리모듈(100)은 도 4에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 기판처리모듈(100)에 대비하여 트레이(20)의 이송경로(120)가 순환방식이 아닌 인라인방식으로 구성됨에 특징이 있다.4, the substrate processing module 100 according to the second embodiment of the present invention includes a transfer path 120 (see FIG. 4) of the tray 20 in comparison with the substrate processing module 100 according to the first embodiment, ) Is configured in an inline manner rather than in a circulating manner.

상기 기판정렬부는 트레이(20)에 설정된 기판처리위치로 기판(10)의 위치를 정렬하기 위한 구성으로서 기판(10)을 이동시켜 정렬할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The substrate alignment unit may be any structure as long as it can align and move the substrate 10 as a structure for aligning the position of the substrate 10 to the substrate processing position set in the tray 20. [

여기서 상기 기판처리위치는, 트레이(20) 상에 이온주입 등 기판처리시 요구되는 기판의 위치로서 기판처리에 따라서 다양하게 설정될 수 있다.Here, the substrate processing position may be variously set according to the substrate processing as the position of the substrate required for the substrate processing such as ion implantation on the tray 20.

그리고 상기 기판정렬부의 일예로서, 상기 기판정렬부는, 도 2 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 트레이(20)에 설정된 기판처리위치에 대응되어 기판(10)의 X축방향 및 Y축방향 이동을 각각 제한하는 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)와, 제1스토퍼(631)를 향하여 기판(10)을 X축방향으로 이동시켜 기판(10)을 정렬하는 제1기판선형이동부와; 제2스토퍼(632)를 향하여 기판(10)을 Y축방향으로 이동시켜 기판(10)을 정렬하는 제2기판선형이동부를 포함할 수 있다.2 to 3B, movement of the substrate 10 in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed corresponding to the substrate processing position set in the tray 20, as an example of the substrate aligning portion, A first stopper 631 and a second stopper 632 for restricting the first stopper 631 and a second stopper 632 for moving the substrate 10 toward the first stopper 631 in the X- Wow; Axis direction moving the substrate 10 toward the second stopper 632 in the Y-axis direction to align the substrate 10.

상기 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)는, 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부 각각에 의하여 선형이동되는 기판(10)의 한 변을 지지하여 그 이동을 제한할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The first stopper 631 and the second stopper 632 support one side of the substrate 10 to which the first substrate linear movement unit and the second substrate linear movement unit move linearly, Any configuration is possible.

그리고 상기 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632) 중 적어도 어느 하나는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 트레이(20)에 고정되어 설치되거나, 트레이(20)에 형성된 절개부(22)를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있다.3A and 3B, at least one of the first stopper 631 and the second stopper 632 may be fixed to the tray 20, (22) vertically so as to be movable up and down.

특히 상기 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)가 트레이(20)를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되면, 기판(10)의 위치를 정렬할 때에만 트레이(20)의 상측으로 돌출되도록 함으로써 기판처리시 기판(10)에 주는 영향을 최소화하고 트레이(20)에 기판(10)이 복렬로 배치되는 경우 트레이(20)에서 기판(20)이 배출되는 경우 등 기판(10)의 이동에 간섭되는 것을 방지할 수 있다.When the first stopper 631 and the second stopper 632 are installed so as to vertically move through the tray 20 up and down, only when the position of the substrate 10 is aligned, So that the influence of the substrate 10 on the substrate 10 is minimized and the substrate 20 is discharged from the tray 20 when the substrate 10 is arranged in a row on the tray 20. [ It is possible to prevent interference with movement.

상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 각각 기판(10)을 X축방향 또는 Y축방향으로 이동시켜 제1스토퍼(631) 또는 제2스토퍼(632)와 함께 X축방향 또는 Y축방향으로 기판(10)을 정렬하는 구성으로서 기판(10)을 X축방향 또는 Y축방향으로 선형이동시킬 수 있는 구성이면 롤러(610, 620), 풀리 등 어떠한 구성도 가능하다.The first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part move the substrate 10 in the X-axis direction or the Y-axis direction and move together with the first stopper 631 or the second stopper 632 in the X- 620 and pulleys as long as it can linearly move the substrate 10 in the X-axis direction or the Y-axis direction as a configuration for aligning the substrate 10 in the Y-axis direction.

여기서 상기 공정챔버(110) 또는 트레이(20)에는 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부의 구동을 위한 구동장치(미도시)가 설치된다.A driving device (not shown) for driving the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part is installed in the process chamber 110 or the tray 20.

또한 상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부의 설치를 위하여 도 2a 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 트레이(20)에는 상하로 관통하여 형성되 하나 이상의 절개부(21)가 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 2A to 3B for the installation of the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part, one or more cut-out parts 21 are formed in the tray 20, .

상기 절개부(21)는, 기판(10)의 저면을 지지할 수 있도록 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부가 트레이(20)를 관통하여 상측으로 이동할 수 있도록 개구부, 절개홈 등 트레이(20)에 다양하게 형성될 수 있다.The cut-out portion 21 is provided with an opening, a cutting groove, and the like so that the moving portion of the first substrate linear moving portion and the moving portion of the second substrate linearly moves through the tray 20 so as to support the bottom surface of the substrate 10 And may be variously formed in the tray 20.

상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부의 일예로서, 도 2a 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 저면을 지지하여 회전에 의하여 기판(10)을 이동시키는 복수의 롤러(610, 620)들을 포함할 수 있다.As shown in Figs. 2A to 3B, a plurality of (for example, two or more) substrates for supporting the bottom surface of the substrate 10 and moving the substrate 10 by rotation may be provided as an example of the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part, Rollers 610 and 620. In this embodiment,

상기 롤러(610, 620)는, 공정챔버(110)에 설치된 구동장치(미도시)의 구동에 의하여 구동되며, 공정챔버(110)에 설치되어 트레이(20)의 저면을 지지하여 회전에 의하여 트레이(20)를 이송하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The rollers 610 and 620 are driven by a drive unit (not shown) installed in the process chamber 110 and installed in the process chamber 110 to support the bottom surface of the tray 20, (20).

예로서, 상기 롤러(610, 620)는, 공정챔버(110)에 설치된 프레임(611, 621)에 의하여 회전가능하게 설치됨과 아울러, 체인, 벨트, 기어 등 다양한 방식에 의하여 회전구동될 수 있다.For example, the rollers 610 and 620 are rotatably installed by the frames 611 and 621 installed in the process chamber 110, and may be rotatably driven by various methods such as a chain, a belt, and a gear.

한편, 상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 기판정렬시에만 트레이(20)의 상측으로 돌출되는 것이 바람직한바, 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 트레이(20)에 형성된 절개부(21)를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치됨이 바람직하다.It is preferable that the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part protrude upward of the tray 20 only at the time of substrate alignment. When the first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part are protruded, It is preferable that the cutout portion 21 formed in the tray 20 is vertically penetrated and vertically movable.

이때, 상기 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는, 기판(10)을 지지하는 부분이 트레이(20)의 상면보다 약간 높게 돌출됨이 바람직하다.At this time, it is preferable that the portion supporting the substrate 10 protrudes slightly higher than the upper surface of the tray 20 when the first substrate linear moving portion and the second substrate moving portion linearly move.

아울러, 기판정렬이, X축방향 및 Y축방향이 동시에 이루어지는 경우 기판(10)의 저면이 손상될 수 있는바, X축방향 및 Y축방향 각각이 순차적으로 이루어지도록 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는 서로 독립적으로 승하강하도록 구성됨이 바람직하다.In addition, when the X-axis direction and the Y-axis direction are simultaneously performed, the bottom surface of the substrate 10 may be damaged. In this case, the first substrate linear shape moves in the X- And the second substrate linear moving part is configured to move up and down independently of each other.

즉, 기판도입시, X축방향으로 기판(10)이 이동되는바 제1기판선형이동부가 트레이(20)의 상측으로 돌출되어 기판(10)의 X축방향 정렬을 마친 후, 제1기판선형이동부는 하강하고 제2기판선형이동부가 상승하여 기판(10)의 Y축방향의 정렬을 수행할 수 있다.That is, when the substrate 10 is introduced, the substrate 10 is moved in the X-axis direction. After the first substrate linear-shaped moving part is projected upward of the tray 20 to complete alignment of the substrate 10 in the X-axis direction, The alignment of the substrate 10 in the Y-axis direction can be performed by lowering the linear moving part and moving the moving part of the second substrate linearly.

한편 상기 제1기판선형이동부는 트레이(20) 상에서 기판(10)을 X축방향으로 이동시키는 구성으로서, 공정챔버(110)의 외부로부터 기판(10)이 도입되는 방향으로 이동시키는바, 앞서 설명한 로딩위치에서 공정챔버(110)에 설치되어 외부로부터 기판(10)이 도입될 때 기판(10)을 지지하여 이동시켜 트레이(20) 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 기판이송부로서 기능할 수 있다.On the other hand, the first substrate linear moving part is configured to move the substrate 10 in the X-axis direction on the tray 20 in a direction in which the substrate 10 is introduced from the outside of the process chamber 110, A substrate which is installed in the process chamber 110 at the loading position and supports the substrate 10 when the substrate 10 is introduced from the outside and places the substrate 10 at a predetermined substrate position on the tray 20 And can function as a sending unit.

여기서 상기 언로딩위치에서 설치되어 트레이(20)에서 기판(10)을 외부로 반출하는 기판이송부는, 제1기판선형이동부의 구성과 유사하게 구성될 수 있음은 물론이다.It is a matter of course that the substrate transfer unit installed at the unloading position and carrying the substrate 10 out of the tray 20 to the outside may be configured similar to the configuration of the first substrate linear transfer unit.

한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판정렬부는, 공정챔버(110) 또는 트레이(20)에 설치될 수 있다.Meanwhile, the substrate alignment unit having the above-described structure may be installed in the process chamber 110 or the tray 20.

또한 상기 기판정렬부는, 그 구성의 일부 예를 들면, 제1스토퍼(631) 및 제2스토퍼(632)는 트레이(20)에 설치되고, 구성의 일부 제1기판선형이동부 및 제2기판선형이동부는 공정챔버(110)에 설치될 수 있다.The substrate aligning portion is provided with a first stopper 631 and a second stopper 632 on a tray 20, and a part of the constitution of the substrate aligning portion includes a first substrate linear moving portion and a second substrate linear moving portion The moving part can be installed in the process chamber 110.

또한 상기 기판정렬부는, 공정챔버(110)에 그 구성의 적어도 일부가 설치되는 경우 기판정렬 후에 트레이(20)의 이동시 간섭될 수 있으므로, 공정챔버(110)에서 상하로 이동되도록 설치될 수 있다.In addition, the substrate alignment unit may be installed to move up and down in the process chamber 110, since it may interfere with movement of the tray 20 after substrate alignment if at least a portion of the structure is installed in the process chamber 110.

또한 상기 기판정렬부는, 이송경로(120)에 설치된 이송롤러(130)들과의 간섭을 방지하기 위하여 한 쌍의 이송롤러(130)들 사이에 설치됨이 바람직하다.The substrate aligning unit may be disposed between the pair of conveying rollers 130 to prevent interference with the conveying rollers 130 installed in the conveying path 120.

한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리모듈(100)은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)과 함께, 기판처리시스템을 구성할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 1, the substrate processing module 100 having the above-described structure may constitute a substrate processing system together with the first buffer module 400 and the second buffer module 500.

여기서 앞서 설명한 기판정렬부는, 기판처리 전에 기판정렬이 이루어지면 되는바, 기판처리모듈(100)에 설치되지 않고 제1버퍼모듈(400)에 설치될 수 있다.The substrate alignment unit described above may be installed in the first buffer module 400 without being installed in the substrate processing module 100 because the substrate alignment is performed before the substrate processing.

상기 제1버퍼모듈(400)은, 공정챔버(110)의 제1게이트(111)를 통하여 트레이(20)를 전달하도록 기판처리모듈(100)과 결합되는 구성으로서, 하나 이상의 게이트(491, 492, 493)가 형성된 버퍼챔버(410)를 포함하여 구성될 수 있다.The first buffer module 400 is coupled to the substrate processing module 100 to transfer the tray 20 through the first gate 111 of the process chamber 110. The first buffer module 400 includes one or more gates 491 and 492 And a buffer chamber 410 in which the buffer chambers 493 and 493 are formed.

상기 제2버퍼모듈(500)은, 공정챔버(110)의 제2게이트(112)를 통하여 트레이(20)로부터 기판(20)을 전달받을 수 있도록 기판처리모듈(100)에 결합되는 구성으로서, 하나 이상의 게이트(591, 592, 593)가 형성된 버퍼챔버(510)를 포함하여 구성될 수 있다.The second buffer module 500 is coupled to the substrate processing module 100 to receive the substrate 20 from the tray 20 through the second gate 112 of the process chamber 110, And a buffer chamber 510 in which one or more gates 591, 592 and 593 are formed.

여기서 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)를 구성하는 버퍼챔버(410, 510)에 형성된 게이트(491, 492, 493, 591, 592, 593)들은 각각 별도의 게이트밸브(210, 220, 231, 232, 241, 242)들에 의하여 개폐된다.The gates 491, 492, 493, 591, 592 and 593 formed in the buffer chambers 410 and 510 constituting the first buffer module 400 and the second buffer module 500 are respectively connected to separate gate valves 210, 220, 231, 232, 241, 242, respectively.

상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은, 각각 기판처리모듈(100)로 기판(10)을 도입하거나 배출할 때 기판(10)을 임시로 저장하는 구성으로서, 진공압으로 압력이 유지되거나, 로드락모듈 또는 언로드락모듈과 같이 대기압 및 공정압 사이에서 압력이 변환되도록 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.The first buffer module 400 and the second buffer module 500 temporarily store the substrate 10 when the substrate processing module 100 introduces or discharges the substrate 10, Such as a load lock module or an unload lock module, in which pressure is converted between atmospheric pressure and process pressure.

이때 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은, 압력변환을 위하여 압력 및 배기시스템에 연결된다.At this time, the first buffer module 400 and the second buffer module 500 are connected to the pressure and exhaust system for pressure conversion.

한편 상기 기판처리시스템은, 기판(10)을 지지하여 이송하는 트레이(20)를 기판처리모듈(100) 내에서만 순환시키도록 구성되는바, 기판처리모듈(100)과의 기판교환이 원활하게 이루어져야 한다.Meanwhile, the substrate processing system is configured to circulate the tray 20, which supports and transports the substrate 10 only in the substrate processing module 100, so that the substrate exchange with the substrate processing module 100 must be performed smoothly do.

따라서 상기 기판처리시스템은, 기판처리모듈(100)과의 기판교환에 있어서 복수의 기판(10)들이 적재되는 카세트(40)를 이용하여 기판(10)을 기판처리모듈(100)에 도입하거나 기판처리모듈(100)로부터 배출한다.Accordingly, the substrate processing system can be configured such that the substrate 10 is introduced into the substrate processing module 100 by using the cassette 40 on which the plurality of substrates 10 are stacked in exchange of the substrate with the substrate processing module 100, And discharges it from the processing module 100.

구체적으로, 상기 제1버퍼모듈(400)은 도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(10)들이 적재되는 카세트(40)에 의하여 버퍼챔버(410)로 기판(10)이 도입되고, 카세트(40)에 적재된 각각의 기판(10)이, 기판처리모듈(100) 내의 로딩위치에 위치된 트레이(20)에 전달되도록 구성되며, 제2버퍼모듈(500)은 복수의 기판(10)들이 적재되는 카세트(40)에 의하여 버퍼챔버(510)로 기판(10)이 반출되고, 기판처리모듈(100) 내의 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 카세트(40)로 적재되도록 구성될 수 있다.1 to 3B, the first buffer module 400 includes a plurality of substrates 10, a cassette 40 on which the substrate 10 is introduced into the buffer chamber 410, Each of the substrates 10 loaded on the cassette 40 is configured to be transferred to a tray 20 located at a loading position in the substrate processing module 100 and the second buffer module 500 is configured to transfer a plurality of substrates 10, The substrate 10 is carried out to the buffer chamber 510 by the cassette 40 in which the substrates 10 are loaded and is loaded from the tray 20 located in the unloading position in the substrate processing module 100 to the cassette 40 Lt; / RTI >

한편, 상기 기판처리모듈(100)과의 기판교환시, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500) 내에는 각각 카세트(40)를 상하로 이동시키기 위한 상하이동부(420, 520)가 설치된다.When the substrate is exchanged with the substrate processing module 100, the first and second buffer modules 400 and 500 are respectively provided with upper and lower moving parts 420 and 520 for moving the cassette 40 up and down, Respectively.

상기 상하이동부(420, 520)는, 카세트(40)에 적재된 기판(10)이 순차적으로 기판처리모듈(100)로 기판(10)을 전달하거나 기판처리모듈(100)로부터 기판(10)을 전달받을 수 있도록 카세트(40)를 상하로 이동시키기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 예로서, 카세트(40)를 지지하는 지지부(421, 521)와, 지지부(421, 521)를 상하로 이동시키기 위한 상하구동부(422, 522)를 포함할 수 있다.The upper and lower movable parts 420 and 520 are configured such that the substrate 10 mounted on the cassette 40 sequentially transfers the substrate 10 to or from the substrate processing module 100, For example, supports 421 and 521 for supporting the cassette 40 and support parts 421 and 521 for moving the cassette 40 up and down And up and down driving parts 422 and 522 for driving.

한편 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은 카세트(40)의 도입 또는 배출방식에 따라서 카세트(40)가 도입되거나 배출될 수 있도록 카세트(40)를 수평방향으로 이동시키기 위한 수평이동부(미도시)가 추가로 설치될 수 있다.The first buffer module 400 and the second buffer module 500 may move the cassette 40 in the horizontal direction so that the cassette 40 can be introduced or discharged according to the introduction or discharge of the cassette 40 A horizontal moving part (not shown) may be additionally provided.

상기 수평이동부는 카세트(40)를 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500) 각각에서 이송하기 위한 구성으로서 선형이동장치 등 다양한 구성이 가능하다.The horizontal moving part may have various configurations such as a linear moving device for transferring the cassette 40 from the first buffer module 400 and the second buffer module 500, respectively.

상기 카세트(40)는, 기판(10)을 상하로 간격을 두고 적재하여 이송하기 위한 구성으로서 기판(10)을 상하로 간격을 두고 적재할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The cassette 40 may have any structure as long as the substrate 10 can be stacked up and down with a space therebetween as a structure for stacking and transferring the substrates 10 up and down.

한편 상기 카세트(40)에 적재된 기판(10)은, 기판처리모듈(100) 내의 트레이(20)에 도입되거나 배출되는바, 카세트(40)로부터 기판(10)을 배출하거나 도입하는 기판전달부가 설치될 필요가 있다.Meanwhile, the substrate 10 mounted on the cassette 40 is introduced into or discharged from the tray 20 in the substrate processing module 100, and the substrate transfer unit 30, which discharges or introduces the substrate 10 from the cassette 40, It needs to be installed.

상기 기판전달부는, 기판처리모듈(100) 내의 트레이(20)에 도입되거나 배출되는바, 카세트(40)로부터 기판(10)을 배출하거나 도입하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The substrate transferring unit may be variously configured as a structure for discharging or introducing the substrate 10 from the cassette 40 as it is introduced into or discharged from the tray 20 in the substrate processing module 100.

특히 상기 기판전달부는, 기판(10)을 이동시킨다는 점에서 앞서 설명한 기판이송부와 유사한 구성으로서, 도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 카세트(40)에 설치되거나, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)에 각각 설치될 수 있다.1 to 3B, the substrate transfer unit may be provided in the cassette 40 or may be provided in the first buffer module 400 And the second buffer module 500, respectively.

즉, 상기 기판전달부의 일예로서, 기판전달부는, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)에 각각 설치되어 카세트(40)에 적재된 기판(10)을 인출하여 로딩위치에 위치된 트레이(20)로 기판(10)을 전달하거나, 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 기판(10)을 전달받아 카세트(40)에 적재시킬 수 있다.That is, as an example of the substrate transfer unit, the substrate transfer unit is installed in each of the first buffer module 400 and the second buffer module 500 to take out the substrate 10 loaded on the cassette 40, The substrate 10 can be transferred to the cassette 40 by transferring the substrate 10 from the tray 20 placed at the unloading position.

상기 기판전달부는 그 이송방식에 따라서 벨트 및 풀리의 조합, 롤러 등 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer unit may have various configurations such as a combination of a belt and a pulley, a roller, and the like in accordance with the conveying method.

이때 상기 카세트(40)에는 기판(10)의 가장자리만을 지지하고 중앙부분이 상하로 관통되어 형성되는 등 기판전달부의 기판지지 및 이동이 가능하도록 적절한 구조를 가질 수 있다. At this time, the cassette 40 may have a suitable structure to support and move the substrate of the substrate transfer part such as supporting only the edge of the substrate 10 and passing through the center part vertically.

상기 기판전달부의 또 다른 예로서, 기판전달부(41)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 카세트(40)에 설치되어 기판(10)을 이동함으로써 로딩위치에 위치된 트레이(20) 기판(10)을 도입하거나, 언로딩위치에 위치된 트레이(20)로부터 기판(10)을 전달받아 카세트(40)에 적재시킬 수 있다.3A and 3B, the substrate transfer unit 41 is installed on the cassette 40 to move the substrate 10 to the tray 20 positioned at the loading position, The substrate 10 can be introduced or the substrate 10 can be received from the tray 20 positioned at the unloading position and loaded on the cassette 40. [

상기 기판이송부(41)는 기판(10)의 이송방식에 따라서 벨트 및 풀리의 조합, 롤러 등 다양하게 구성될 수 있다.The substrate transfer section 41 may be configured in various manners such as a combination of a belt and a pulley, a roller, and the like in accordance with a transfer method of the substrate 10.

여기서 상기 기판이송부(41)의 구동은, 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500) 각각에 설치된 구동부(미도시) 또는 카세트(40)에 설치된 구동부(미도시)에 의하여 구동되는 등 다양한 방식에 의하여 구동될 수 있다.The substrate transfer unit 41 is driven by a driving unit (not shown) provided in each of the first buffer module 400 and the second buffer module 500 or a driving unit (not shown) provided in the cassette 40 And the like.

한편 상기 카세트(40)가 기판처리모듈(100)과의 기판교환이 완료되면, 기판교환을 마친 카세트(40)는 로드락모듈(200) 또는 언로드락모듈(300)을 거쳐 새로운 카세트(40)로 교체되어야 한다. 여기서 상기 카세트(40)는 다양한 방식에 의하여 이송되어 로드락모듈(200) 또는 언로드락모듈(300)을 거쳐 새로운 카세트(40)로 교체된다.When the cassette 40 completes the substrate exchange with the substrate processing module 100, the cassette 40 after the substrate exchange is transferred to the new cassette 40 through the load lock module 200 or the unloading lock module 300, . Here, the cassette 40 is transferred in various manners and is replaced with a new cassette 40 through the load lock module 200 or the unload lock module 300.

그런데 새로운 카세트(40)로의 교체가 지체되면, 기판처리모듈(100)로의 기판도입 또는 기판배출이 늦어져 전체 기판처리속도가 저하되는 문제점이 있다.However, if the replacement with the new cassette 40 is delayed, there is a problem that the introduction of the substrate into the substrate processing module 100 or the ejection of the substrate is delayed, and the whole substrate processing speed is lowered.

따라서 상기 제1버퍼모듈(400) 및 제2버퍼모듈(500)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 카세트(40)를 임시로 저장하기 위한 버퍼공간이 형성될 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 1, the first buffer module 400 and the second buffer module 500 may have a buffer space for temporarily storing the cassette 40.

또한 상기 제1버퍼모듈(400)로부터 제2버퍼모듈(500)에 이르는 카세트이송경로(미도시)가 형성되어, 제1버퍼모듈(400)에서 기판전달을 마친 빈 카세트(40)는 외부로 배출되지 않고, 카세트이송경로를 거쳐 제2버퍼모듈(500)로 전달되어 기판처리모듈(100)로부터 기판(10)을 전달받는데 사용될 수 있다.
A cassette transfer path (not shown) from the first buffer module 400 to the second buffer module 500 is formed and the empty cassette 40 after the substrate transfer in the first buffer module 400 is transferred to the outside The second buffer module 500 can be used to transfer the substrate 10 from the substrate processing module 100 without being discharged.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

10 : 기판 20 : 트레이
30 : 마스크 40 : 카세트
100 : 기판처리모듈 200 : 로드락모듈
300 : 언로드락모듈 400 : 제1버퍼모듈
500 : 제2버퍼모듈
120 : 이송경로
10: substrate 20: tray
30: mask 40: cassette
100: substrate processing module 200: load lock module
300: unload lock module 400: first buffer module
500: second buffer module
120: Feed path

Claims (15)

밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버를 포함하며, 트레이에 설정된 하나 이상의 기판처리위치에 직사각형 기판이 안착된 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리모듈로서,
상기 트레이에 설정된 상기 기판처리위치로 상기 기판의 위치를 정렬하기 위한 기판정렬부가 더 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
A substrate processing module comprising a process chamber defining an enclosed process space, the substrate processing module performing substrate processing with a rectangular substrate positioned at one or more substrate processing locations set in the tray,
Further comprising a substrate aligning portion for aligning the position of the substrate to the substrate processing position set in the tray.
청구항 1에 있어서,
상기 기판정렬부는,
트레이에 설정된 기판처리위치에 대응되어 기판의 X축방향 및 Y축방향 이동을 각각 제한하는 제1스토퍼 및 제2스토퍼와,
상기 제1스토퍼를 향하여 기판을 X축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제1기판선형이동부와,
상기 제2스토퍼를 향하여 기판을 Y축방향으로 이동시켜 기판을 정렬하는 제2기판선형이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method according to claim 1,
The substrate alignment unit may include:
A first stopper and a second stopper respectively corresponding to the substrate processing positions set in the tray and restricting movement of the substrate in the X-axis direction and the Y-
A first substrate linear moving part moving the substrate toward the first stopper in the X axis direction to align the substrate,
And a second substrate linear moving part moving the substrate in the Y axis direction toward the second stopper to align the substrate.
청구항 2에 있어서,
상기 제1기판선형이동부 및 상기 제2기판선형이동부는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 설치되어 기판의 저면을 지지하여 회전에 의하여 기판을 이동시키는 복수의 롤러들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 2,
The first substrate linear moving part and the second substrate linear moving part include a plurality of rollers installed vertically through the incision part formed in the tray to support the bottom surface of the substrate and move the substrate by rotation .
청구항 2에 있어서,
상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼 중 적어도 어느 하나는, 상기 트레이에 형성된 절개부를 상하로 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되며, 기판의 위치를 정렬할 때에만 상기 트레이의 상측으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 2,
Wherein at least one of the first stopper and the second stopper protrudes upward from the tray only when the position of the substrate is aligned when the substrate is aligned, characterized in that the at least one of the first stopper and the second stopper is vertically movable through the cut- Substrate processing module.
청구항 2에 있어서,
상기 제1스토퍼 및 상기 제2스토퍼는, 상기 트레이에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 2,
Wherein the first stopper and the second stopper are installed in the tray.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판처리모듈은 기판이 안착된 상기 트레이가 상기 공정챔버 내에서 이동하면서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the substrate processing module performs substrate processing while moving the tray on which the substrate is mounted, in the process chamber.
청구항 6에 있어서,
상기 공정챔버는 상기 트레이에 의하여 이송되는 기판에 이온을 조사하도록 상기 공정챔버에 설치된 이온빔조사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 6,
Wherein the process chamber includes an ion beam irradiating unit installed in the process chamber to irradiate ions to a substrate transferred by the tray.
청구항 7에 있어서,
상기 공정챔버 및 상기 트레이 중 어느 하나는, 기판에 대한 패턴화된 이온빔 조사를 위하여 개구패턴이 형성된 마스크가 설치되며,
상기 기판처리위치는 상기 마스크에 대한 정렬위치인 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 7,
Wherein one of the process chamber and the tray is provided with a mask having an opening pattern for irradiating a patterned ion beam onto the substrate,
Wherein the substrate processing position is an alignment position with respect to the mask.
청구항 6에 있어서,
상기 공정챔버는, 하나 이상의 트레이가 순환되는 이송경로가 설정되며,
상기 이송경로는, 상기 이온빔조사부에 의하여 트레이에 안착된 기판에 이온빔이 조사되는 이온빔조사구간과,
상기 이온빔조사구간과 함께 트레이가 순환되도록 상기 이온빔조사구간의 전단 및 후단을 연결하는 트레이리턴구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 6,
Wherein the process chamber is set with a transport path through which one or more trays are circulated,
Wherein the transfer path includes an ion beam irradiation section in which an ion beam is irradiated onto a substrate placed on the tray by the ion beam irradiating section,
And a tray return section connecting the front end and the rear end of the ion beam irradiation section such that the tray is circulated together with the ion beam irradiation section.
청구항 9에 있어서,
상기 트레이리턴구간은, 상기 트레이가 외부로부터 기판을 전달받는 로딩위치와, 기판을 외부로 반출하는 언로딩위치가 설정된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 9,
Wherein the tray return section is set at a loading position at which the tray receives the substrate from the outside and an unloading position at which the substrate is taken out to the outside.
청구항 10에 있어서,
상기 공정챔버는, 상기 로딩위치에 인접하여 기판이 도입되는 제1게이트와, 상기 언로딩위치에 인접하여 기판이 반출되는 제2게이트가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 10,
Wherein the process chamber is formed with a first gate to which the substrate is introduced adjacent to the loading position and a second gate to which the substrate is transferred adjacent to the unloading position.
청구항 10에 있어서,
상기 공정챔버는,
상기 로딩위치에서, 외부로부터 기판이 도입될 때 기판을 지지하여 이동시켜 트레이 상에 기판처리를 위하여 미리 설정된 기판위치에 위치시키는 제1기판이송부가 설치되고,
상기 언로딩위치에서, 기판을 지지하여 이동시켜 상기 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 외부로 반출시키는 제2기판이송부가 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.
The method of claim 10,
The process chamber includes:
A first substrate transferring portion for supporting and moving the substrate when the substrate is introduced from the outside at the loading position and positioning the substrate on the tray at a predetermined substrate position for substrate processing,
And a second substrate transfer section for transferring the substrate from the tray positioned at the unloading position by moving the substrate while supporting the substrate at the unloading position.
청구항 1 내지 청구항 5에 따른 기판처리모듈과;
상기 공정챔버의 제1게이트를 통하여 트레이를 전달하도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제1버퍼모듈과;
상기 공정챔버의 제2게이트를 통하여 트레이를 전달받도록 상기 기판처리모듈과 결합되는 제2버퍼모듈을 포함하는 기판처리시스템.
A substrate processing module according to any one of claims 1 to 5;
A first buffer module coupled to the substrate processing module to transfer a tray through a first gate of the process chamber;
And a second buffer module coupled to the substrate processing module to receive a tray through a second gate of the process chamber.
청구항 13에 있어서,
상기 제1버퍼모듈 및 상기 제2버퍼모듈은 진공압으로 압력이 유지되거나, 대기압 및 공정압 사이에서 압력이 변환되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
14. The method of claim 13,
Wherein the first buffer module and the second buffer module are maintained at a vacuum pressure or the pressure is changed between an atmospheric pressure and a process pressure.
청구항 13에 있어서,
상기 제1버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 카세트에 적재된 각각의 기판을 상기 기판처리모듈 내의 로딩위치에 위치된 트레이에 전달하며,
상기 제2버퍼모듈은, 복수의 기판들이 적재되는 카세트가 로딩된 후 상기 기판처리모듈 내의 언로딩위치에 위치된 트레이로부터 기판이 상기 카세트로 적재되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
14. The method of claim 13,
The first buffer module transfers each of the substrates loaded in the cassette to a tray positioned at a loading position in the substrate processing module after a cassette on which a plurality of substrates are loaded is loaded,
Wherein the second buffer module loads the substrate from the tray placed in the unloading position in the substrate processing module into the cassette after the cassette on which the plurality of substrates are loaded is loaded.
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