KR20140056524A - Solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as petroleum and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.
일반적인 태양전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 각각 이루어지는 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성된다.A typical solar cell has a substrate and an emitter layer each of which is made of a semiconductor of a different conductive type such as a p-type and an n-type, and electrodes respectively connected to the substrate and the emitter. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.
이러한 태양전지에 빛이 입사되면 반도체 내부의 전자가 광전 효과(photoelectric effect)에 의해 자유전자(free electron)(이하, '전자'라 함)가 되고, 전자와 정공은 p-n 접합의 원리에 따라 n형 반도체와 p형 반도체 쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판 쪽으로 각각 이동한다. 그리고 이동한 전자와 정공은 기판 및 에미터부에 전기적으로 연결된 각각의 전극에 의해 수집된다.When light is incident on such a solar cell, electrons in the semiconductor become free electrons (hereinafter referred to as 'electrons') due to a photoelectric effect, and electrons and holes are attracted to n Type semiconductor and the p-type semiconductor, for example, toward the emitter portion and the substrate, respectively. And the transferred electrons and holes are collected by the respective electrodes electrically connected to the substrate and the emitter portion.
그런데, 빛이 입사되는 기판의 입사면 쪽에 위치하는 전극은 기판의 빛 흡수 면적을 가리게 되며, 0°의 입사각, 즉 수직으로 전극에 입사되는 대부분의 빛은 전극 표면에서 정반사되어 전면 기판을 통해 외부로 빠져나가게 된다.An electrode located on the incident side of the substrate on which the light is incident has a light absorption area of the substrate. Most of the light incident on the electrode at an incident angle of 0 DEG, that is, vertically, is regularly reflected at the electrode surface, .
이러한 문제점을 억제하기 위해 전극이 위치하는 부분의 전면 기판에 빛 산란 패턴을 형성하는 방안이 제안되고 있지만, 빛 산란 패턴을 형성하기 위해서는 정렬 작업이 필수적이며, 이로 인해 공정 수 및 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다.In order to suppress such a problem, a method of forming a light scattering pattern on a front substrate of a portion where electrodes are disposed has been proposed. However, in order to form a light scattering pattern, alignment work is necessary, There is a problem.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 효율이 향상된 태양전지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a solar cell with improved efficiency.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지는, 기판; 기판의 제1 면에 위치하며, 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 기판의 제1 면에 위치하며, 에미터부와 연결되는 제1 전극부; 제1 면의 반대쪽에 위치하는 기판의 제2 면에 위치하며, 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하며, 제1 전극부는 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극들을 포함하고, 복수의 제1 핑거 전극들은 인접한 제1 핑거 전극들과 서로 이격되며, 제1 핑거 전극들의 상부 표면에는 난반사 코팅막이 형성된다.A solar cell according to an embodiment of the present invention includes a substrate; An emitter located on a first side of the substrate and forming a p-n junction with the substrate; A first electrode part located on a first surface of the substrate and connected to the emitter part; And a second electrode portion located on a second surface of the substrate opposite to the first surface and connected to the substrate, wherein the first electrode portion includes a plurality of first finger electrodes extending in a first direction, The first finger electrodes are spaced apart from adjacent first finger electrodes, and a diffusive coating film is formed on the upper surface of the first finger electrodes.
복수의 제1 핑거 전극들은 이웃하는 제1 핑거 전극과 물리적으로 연결되지 않는 논 버스 구조로 형성될 수 있다. The plurality of first finger electrodes may be formed in a non-bus structure that is not physically connected to the neighboring first finger electrodes.
즉, 논 버스 구조의 제1 핑거 전극들을 갖는 태양전지에서, 기판의 제1 면에는 라인 형상의 제1 핑거 전극들이 소정의 간격을 두고 서로 이격된 상태로 배치되며, 인접한 제1 핑거 전극들은 인터커넥터 및 에미터부에 의해서만 전기적으로 연결된다.That is, in the solar cell having the first finger electrodes of the non-bus structure, the first finger electrodes of the line shape are arranged on the first surface of the substrate so as to be spaced apart from each other with a predetermined interval, And is electrically connected only by the connector and the emitter portion.
이때, 각각의 제1 핑거 전극들은 인터커넥터가 접합되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지의 제2 영역을 포함한다.In this case, each first finger electrode includes a first region where the interconnector is bonded and a second region other than the first region.
제2 영역은 제1 방향으로 제2 영역과 일체로 연결되며, 난반사 코팅막은 제2 영역의 상부 표면에만 형성된다.The second region is integrally connected to the second region in the first direction, and the diffusely reflective coating film is formed only on the upper surface of the second region.
난반사 코팅막의 폭은 제1 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 제1 핑거 전극의 폭보다 작게 형성된다.The width of the diffusely reflective coating film is equal to the width of the first finger electrode or smaller than the width of the first finger electrode.
제1 핑거 전극의 제2 영역의 개수는 제1 영역의 개수보다 1개 더 많이 형성된다.The number of the second regions of the first finger electrode is one more than the number of the first regions.
기판의 제2 면에 위치하는 제2 전극부는 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극들을 포함하고, 복수의 제2 핑거 전극들은 복수의 제1 핑거 전극들과 마찬가지로 논 버스 구조로 형성될 수 있다.The second electrode portion located on the second surface of the substrate includes a plurality of second finger electrodes extending in the first direction and the plurality of second finger electrodes are formed in a non-bus structure like the plurality of first finger electrodes .
따라서, 복수의 제2 핑거 전극들은 라인 형상으로 형성되며, 인접한 제2 핑거 전극들과 소정의 간격을 두고 서로 이격되며, 인접한 제2 핑거 전극들은 인터커넥터에 의해서만 전기적으로 연결된다.Accordingly, the plurality of second finger electrodes are formed in a line shape, are spaced apart from each other by a predetermined distance from adjacent second finger electrodes, and the adjacent second finger electrodes are electrically connected only by the interconnector.
그리고 기판의 제2 면에 후면 전계부가 위치하는 경우에는 인접한 제2 핑거 전극들이 인터커넥터 및 후면 전계부에 의해서만 전기적으로 연결된다.And when the rear electric field portion is located on the second surface of the substrate, the adjacent second finger electrodes are electrically connected only by the interconnector and the rear electric field portion.
이때, 각각의 제2 핑거 전극들은 인터커넥터가 접합되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지의 제2 영역을 포함하고, 난반사 코팅막은 제2 영역의 하부 표면에만 형성된다.At this time, each of the second finger electrodes includes a first region where the interconnector is bonded and a second region other than the first region, and the diffuse reflection coating film is formed only on the lower surface of the second region.
난반사 코팅막의 폭은 제2 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 제2 핑거 전극의 폭보다 작게 형성될 수 있으며, 제2 핑거 전극의 제2 영역의 개수는 제1 영역의 개수보다 1개 더 많이 형성된다.The width of the diffusely reflective coating film may be equal to or smaller than the width of the second finger electrode and the number of the second regions of the second finger electrode may be one more than the number of the first regions do.
이와는 달리, 제2 전극부는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극 및 제2 버스바 전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극을 포함할 수 있다.Alternatively, the second electrode part may include a plurality of second bus bar electrodes extending in a second direction intersecting the first direction, and a plurality of second bus bar electrodes formed on the sheet, Two electrodes may be included.
제1 전극부는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 복수의 제1 핑거 전극들을 인접한 제1 핑거 전극들과 물리적으로 연결하는 제1 버스바 전극을 더 포함할 수 있다.The first electrode unit may further include a first bus bar electrode extending in a second direction intersecting the first direction and physically connecting the plurality of first finger electrodes to adjacent first finger electrodes.
즉, 논 버스 구조의 제1 전극부에서는 제1 핑거 전극들이 에미터부 및 인터커넥터에 의해 전기적으로 연결되지만, 제1 버스바 전극을 포함하는 제1 전극부에서는 에미터부 및 제1 버스바 전극에 의해 제1 핑거 전극들이 전기적으로 연결된다.That is, in the first electrode part of the non-bus structure, the first finger electrodes are electrically connected by the emitter part and the inter connector, but in the first electrode part including the first bus bar electrode, the emitter part and the first bus bar electrode The first finger electrodes are electrically connected.
이때, 제1 버스바 전극에는 인터커넥터가 접합되며, 난반사 코팅막은 제1 핑거 전극들의 상부 표면 전체에 형성된다.At this time, an interconnector is bonded to the first bus bar electrode, and a diffusely reflective coating film is formed on the entire upper surface of the first finger electrodes.
난반사 코팅막의 폭은 제1 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 제1 핑거 전극의 폭보다 작게 형성될 수 있다.The width of the diffusely reflective coating may be the same as the width of the first finger electrode or less than the width of the first finger electrode.
제1 전극부와 마찬가지로, 제2 전극부는 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극들 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 복수의 제2 핑거 전극들을 인접한 제2 핑거 전극들과 물리적으로 연결하는 제2 버스바 전극을 포함할 수 있다.As with the first electrode unit, the second electrode unit includes a plurality of second finger electrodes extending in a first direction and a plurality of second finger electrodes extending in a second direction intersecting the first direction, And a second bus bar electrode that is physically connected to the second bus bar electrode.
이때, 제2 버스바 전극에는 인터커넥터가 접합되며, 난반사 코팅막은 제2 핑거 전극들의 하부 표면 전체에 형성될 수 있다.At this time, the second bus bar electrode is bonded to the interconnector, and the diffusely reflective coating film may be formed on the entire lower surface of the second finger electrodes.
그리고 난반사 코팅막의 폭은 제2 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 제2 핑거 전극의 폭보다 작게 형성될 수 있다.The width of the diffused reflection coating may be equal to the width of the second finger electrode or smaller than the width of the second finger electrode.
이와는 달리, 제2 전극부는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극 및 제2 버스바 전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극을 포함할 수도 있다.Alternatively, the second electrode part may include a plurality of second bus bar electrodes extending in a second direction intersecting the first direction, and a plurality of second bus bar electrodes formed on the sheet, Two electrodes may be included.
이러한 특징에 의하면, 0°의 입사각, 즉 수직으로 핑거 전극에 입사되는 대부분의 빛은 핑거 전극의 표면에 형성된 난반사 코팅막에 의해 난반사되고, 난반사된 빛은 전면 기판의 내면에서 다시 반사되어 기판에 입사된다.According to this feature, the incident angle of 0 °, that is, most of the light incident on the finger electrode in the vertical direction is irregularly reflected by the diffuse reflection coating film formed on the surface of the finger electrode, the diffused reflection is reflected again from the inner surface of the front substrate, do.
따라서, 기판에 입사되는 빛의 양이 증가하여 태양전지의 효율이 증가한다.Accordingly, the amount of light incident on the substrate increases, thereby increasing the efficiency of the solar cell.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 태양전지 모듈의 전기적 연결 구조를 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view showing an electrical connection structure of the solar cell module.
3 is a perspective view of a main part of a solar cell according to the first embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a main part of a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of a main part of a solar cell according to a third embodiment of the present invention.
6 is a perspective view of a main portion of a solar cell according to a fourth embodiment of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the description are omitted, and like reference numerals are given to similar portions throughout the specification.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 태양전지 모듈의 전기적 연결 구조를 나타내는 측면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view illustrating an electrical connection structure of the solar cell module.
도면을 참고로 하면, 태양전지 모듈은 복수의 태양전지(10)들, 인접한 태양전지(10)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(20), 태양전지(10)들을 보호하는 보호막(EVA: Ethylene Vinyl Acetate)(30a, 30b), 태양전지(10)들의 전면 쪽으로 보호막(30a) 위에 배치되는 전면 기판(40), 태양전지(10)들의 후면 쪽으로 보호막(30b)의 하부에 배치되는 후면 기판, 예컨대 후면 시트(back sheet)(50), 라미네이션 공정에 의해 일체화 된 상기 부품들을 수납하는 프레임(frame, 도시하지 않음) 및 태양전지(10)들에서 생산된 전류 및 전압을 최종적으로 수집하는 정션 박스(junction box, 도시하지 않음)를 포함한다.Referring to the drawings, a solar cell module includes a plurality of
전면 기판(40)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 전면 기판(40)은 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.The
후면 기판(50)은 태양전지 모듈의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지(10)들을 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 기판(50)은 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.The
후면 기판(50)은 전면 기판(40)과 마찬가지로 광 투과성의 유리 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있지만, 이와는 달리 불투광성의 재질로 형성될 수도 있다.Like the
전면 기판(40)과 후면 기판(50) 사이에 위치하는 보호막(30a, 30b)은 태양전지(10)들의 전면 및 후면에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지(10)들과 일체화 되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지(10)들을 충격으로부터 보호한다.The
이러한 보호막(30a, 30b)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate), 또는 실리콘 수지(silicone resin)과 같은 물질로 이루어질 수 있다.The
이러한 태양전지 모듈은 태양전지(10)들을 테스트하는 단계, 테스트가 완료된 복수의 태양전지(10)들을 인터커넥터(20)에 의해 전기적으로 연결하는 단계, 상기 부품들을 순차적으로, 예컨대 하부로부터 후면 기판(50), 보호막(30b), 태양전지(10)들, 보호막(30a) 및 전면 기판(40)의 순서로 배치하는 단계, 진공 상태에서 라미네이션 공정을 실시하여 상기 부품들을 일체화 하는 단계, 에지 트리밍(edge trimming) 단계 및 모듈 테스트를 실시하는 단계 등의 공정 순서에 따라 제조된다.The solar cell module includes a step of testing the
복수의 태양전지(10)는 도 1에 도시한 바와 같이 행렬(matrix) 구조로 배열되어 있다. 도 1에서, 보호막(130b) 위에 배열된 태양전지(10)는 3×3 행렬 구조를 가지지만, 이에 한정되지 않고 필요에 따라 행과 열 방향으로 배치되는 태양전지(10)의 개수는 조정이 가능하다.A plurality of
이러한 구성의 태양전지(10)들이 인접 배치된 상태에서, 어느 한 태양전지(10)의 전면에 형성된 제1 전극부는 인접한 다른 한 태양전지(10)의 후면에 형성된 제2 전극부와 인터커넥터(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The first electrode portion formed on the front surface of one
예를 들면, 인터커넥터(20)를 길이 방향으로 이등분할 때, 한쪽은 어느 한 태양전지(10)의 전면에 형성된 제1 전극부와 접합되고, 나머지 한쪽은 인접한 다른 한 태양전지(10)의 후면에 형성된 제2 전극부와 접합된다. 이러한 연결 방식에 따르면, 복수의 태양전지는 직렬로 연결된다.For example, when bisecting the
인터커넥터(20)는 전도성 금속부를 포함한다. 전도성 금속부는 전도성이 우수한 Cu, Al 및 Ag 중에서 어느 한 물질로 이루어질 수 있다. The
이하, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 구성에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 3은 태양전지의 전면에 위치하는 제1 전극부가 버스바를 갖지 않는 논 버스 구조의 태양전지를 도시한 것으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도를 도시한 것이다.3 is a perspective view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention, showing a non-bus solar cell in which a first electrode portion positioned on a front surface of the solar cell has no bus bar.
도면을 참고하면, 제1 실시예에 따른 태양전지(10)는 기판(110), 기판(110)의 제1 면, 예컨대 빛이 입사되는 면에 위치하는 에미터부(120), 에미터부(120) 위에 위치하는 복수의 제1 핑거 전극(131), 복수의 제1 핑거 전극(131)이 위치하지 않는 에미터부(120) 위에 위치하는 제1 유전층(140), 수광면의 반대쪽 면, 즉 기판(110)의 제2 면에 위치하는 제2 전극부(150)를 포함한다.The
태양전지(10)는 제2 전극부(150)와 기판(110) 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부(160)를 더 포함할 수 있다. 후면 전계부(160)는 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이다.The
이러한 후면 전계부(160)는 기판(110)의 후면부 쪽에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소시킨다.This rear
기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다The
기판(110)의 표면은 복수의 요철을 갖는 텍스처링(texturing) 표면으로 형성될 수 있다.The surface of the
기판(110)의 표면이 텍스처링 표면으로 형성되면 기판(110)의 수광면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 이루어져 태양전지의 내부에 빛이 갇히게 되어 빛의 흡수율이 증가된다.When the surface of the
따라서, 태양전지의 효율이 향상된다. 이에 더하여, 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다. Thus, the efficiency of the solar cell is improved. In addition, since the reflection loss of light incident on the
에미터부(120)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물이 도핑(doping)된 영역으로서, 기판(110)과 p-n 접합을 이룬다.The
에미터부(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있다.When the
이에 따라, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 반도체 내부의 전자가 에너지를 받으면 전자는 n형 반도체 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110)이 p형이고 에미터부(120)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120)쪽으로 이동한다.Accordingly, when electrons in the semiconductor are energized by the light incident on the
이와는 반대로, 기판(110)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.Conversely, the
에미터부(120)는 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(120)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동한다.Since the
에미터부(120)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the
기판(110)의 에미터부(120) 위에는 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2) 또는 이산화티탄(TiO2) 등으로 이루어진 막(layer)을 적어도 1층 이상 포함하는 제1 유전층(140)이 형성되어 있다. A
제1 유전층(140)은 태양전지(10)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지(10)의 효율을 높이는 반사방지막의 기능을 수행할 수 있다.The
이와는 달리, 제1 유전층(140)은 패시베이션막의 기능을 수행할 수도 있으며, 필요에 따라 반사방지막 및 패시베이션막의 기능을 동시에 수행할 수도 있다.Alternatively, the
복수의 제1 핑거 전극(131)은 라인 형상으로 형성되며, 에미터부(120) 위에 형성되어 에미터부(120)와 전기적 및 물리적으로 연결되고, 인접하는 제1 핑거 전극(131)과 서로 이격된 상태로 어느 한 방향으로 형성된다.The plurality of
본 실시예의 태양전지는 제1 핑거 전극(131)들을 물리적 및 전기적으로 연결하는 버스바 전극이 없으므로, 제1 핑거 전극(131)들은 인터커넥터(20) 및 에미터부(120)에 의해서만 전기적으로 연결된다.The solar cell of this embodiment has no bus bar electrode that physically and electrically connects the
각각의 제1 핑거 전극(131)은 에미터부(120) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집한다. Each of the
복수의 제1 핑거 전극(131)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The plurality of
예를 들면, 제1 핑거 전극(131)은 납(Pb)을 포함하는 은(Ag) 페이스트로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제1 핑거 전극(131)은 스크린 인쇄 공정을 이용하여 은 페이스트를 제1 유전층(140) 위에 도포하고, 기판(110)을 약 750℃ 내지 800℃의 온도에서 소성(firing)하는 과정에서 에미터부(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.For example, the
이때, 전술한 전기적 연결은 소성 과정에서 은(Ag) 페이스트에 포함된 납 성분이 제1 유전층(140)을 식각하여 은(Ag) 입자가 에미터부(120)와 접촉하는 것에 따라 이루어진다.At this time, the above-mentioned electrical connection is made by the lead component contained in the silver (Ag) paste in the firing process, by etching the
각각의 제1 핑거 전극(131)들은 인터커넥터(20)가 접합되는 제1 영역(A1) 및 제1 영역(A1)을 제외한 나머지의 제2 영역(A2)을 포함한다.Each of the
제2 영역(A2)은 제1 방향(X-X')으로 제1 영역(A1)과 일체로 연결되며, 제2 영역(A2)의 상부 표면에는 난반사 코팅막(170)이 형성된다.The second region A2 is integrally connected to the first region A1 in the first direction X-X ', and the
난반사 코팅막(170)은 일례로, 서로 다른 입도 분포를 갖는 동종 내지 이종의 나노 분말을 양쪽성 용제에 균일하게 분산시킨 혼합액과 바인더 성분을 포함한 조성물로 형성될 수 있다.The
서로 다른 입도 분포를 갖는 동종 내지 이종의 나노 분말의 혼합 비율은 입도 분포의 평균치가 최대인 나노 분말을 이등분 내지 삼등분으로 나눈 후 각 등분에 해당하는 나노 분말의 평균치 입도 분포를 갖는 나노 분말을 일정 비율로 혼합하여 형성할 수 있다.The mixing ratios of the homogeneous or heterogeneous nano powders having different particle size distributions are obtained by dividing the nano powder having the maximum average particle size distribution by the bisector or the third portion and then mixing the nano powder having the average particle size distribution corresponding to each part As shown in FIG.
이때, 나노 분말의 입도 크기가 큰 쪽을 투명도가 높은 것을 배치하고, 나노 분말의 입도 크기가 작은 쪽을 투과율이 떨어지는 재료로 사용할 수 있다.At this time, a material having a higher particle size of the nanopowder may be arranged as a material having higher transparency, and a material having a smaller particle size of the nanopowder may be used as a material having a lower transmittance.
나노 분말은 조성물의 총 중량%에 대해 0.001 중량% 내지 20 중량%로 함유될 수 있다.The nano powder may be included in an amount of 0.001% by weight to 20% by weight based on the total weight% of the composition.
나노 분말은 실리카(SiO2), 알루미나(Al2o3), 산화마그네슘(MgO), 이산화티탄(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 산화아연(ZnO), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화안티몬(Sb2O5), 황화아연(ZnS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Nano-powder of silica (SiO 2), alumina (Al 2 o 3), magnesium oxide (MgO), titanium dioxide (TiO 2), zirconia (ZrO 2), zinc (ZnO), indium oxide (In 2 O 3) , Tin oxide (SnO 2 ), antimony oxide (Sb 2 O 5 ), and zinc sulfide (ZnS).
양쪽성 용매는 디메틸 포름아마이드, 디메틸 아세트아마이드, 디메틸 설폭사이드, 헥사메틸 포스포릭산 트리 아마이드, 디에틸 아세트아마이드, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르를 포함할 수 있다.The amphoteric solvent may be selected from the group consisting of dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoric acid triamide, diethylacetamide, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol mono Butyl ether.
난반사 코팅막(170)은 반투명한 막으로 형성될 수 있으며, 반사시키고자 하는 파장대역에 따라 나노 분말의 입경을 조절할 수 있다. 이때, 나노 분말의 입경은 반사시키고자 하는 파장의 대략 0.5배 정도로 선택할 수 있다.The
이러한 구성의 난반사 코팅막(170)은 페인트(paint) 방법 또는 스프레이(spray) 방법에 의해 제1 핑거 전극(131)의 제2 영역(A2)의 상부 표면에 코팅될 수 있다.The diffusive
이와는 달리, 난반사 코팅막(170)은 테이프 형태로 제조된 후 테이프 부착 방법에 의해 제2 영역(A2)의 상부 표면에 부착될 수 있다.Alternatively, the
난반사 코팅막(170)의 폭은 제1 핑거 전극(131)의 폭과 동일하거나, 제1 핑거 전극(131)의 폭보다 작게 형성된다. 여기에서, 상기 "폭"은 제1 방향(X-X')과 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 측정된 폭을 의미한다.The width of the diffusely
제1 핑거 전극(131)의 제2 영역(A2)의 개수는 제1 영역(A1)의 개수보다 1개 더 많이 형성된다.The number of the second regions A2 of the
제2 전극부(150)는 기판(110)의 제2 면에 형성되며 제1 방향(X-X')과 교차하는 제2 방향(Y-Y')으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극(153) 및 제2 버스바 전극(153)이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극(151)을 포함한다.The
시트상의 제2 전극(151)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수 있다.The sheet-like
제2 버스바 전극(153) 또한 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 제2 전극(151)과 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 제2 버스바 전극(153)은 제2 전극(151)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 정공을 외부 장치로 출력한다.The second
제2 버스바 전극(153)을 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The conductive metal material constituting the second
기판(110)의 제2 면에 후면 전계부(160)를 형성하기 위해, 제2 전극(151)은 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있고, 제1 핑거 전극(131)과 제2 버스바 전극(153)은 도전성이 양호한 은(Ag)으로 이루어질 수 있다.The
이러한 구성의 태양전지(10)는 인터커넥터(20)에 의해 이웃하는 태양전지와 전기적으로 연결된다.The
이에 대하여 보다 구체적으로 설명하면, 기판(110)의 에미터부(120) 위에는 복수의 제1 핑거 전극(131)과 교차하는 방향, 즉 제2 방향(Y-Y')으로 복수의 도전성 접착 필름(60)이 위치한다.More specifically, a plurality of conductive adhesive films ((Y-Y ')) are formed on the
도 3은 한 개의 도전성 접착 필름(60)만 도시하였지만, 기판(110)의 제1 면 및 제2 면에는 2개 내지 3개의 도전성 접착 필름(60)이 각각 위치할 수 있다.Although FIG. 3 shows only one
도전성 접착 필름(60)은 수지 내에 복수의 도전성 입자가 분산된 필름 형상으로 형성된다. The conductive
수지는 접착성을 갖는 재질이면 특별히 한정되지 않는다. 단 접착 신뢰성을 높이기 위해서는 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.The resin is not particularly limited as long as it is a material having adhesiveness. However, in order to improve adhesion reliability, it is preferable to use a thermosetting resin.
열경화성 수지로는 에폭시(epoxy) 수지, 페녹시(phenoxy) 수지, 아크릴(acryl) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 수지를 사용할 수 있다.As the thermosetting resin, at least one resin selected from an epoxy resin, a phenoxy resin, an acryl resin, a polyimide resin, and a polycarbonate resin may be used.
수지는 열 경화성 수지 이외의 임의 성분으로서, 공지의 경화제 및 경화 촉진제를 함유할 수 있다.The resin may contain a known curing agent and a curing accelerator as optional components other than the thermosetting resin.
예를 들면, 수지는 전극부(131, 153)와 인터커넥터(20)의 접착성을 향상시키기 위해 실란(silane)계 커플링(coupling)제, 티타네이트(titanate)계 커플링제, 알루미네이트(aluminate)계 커플링제 등의 개질 재료를 함유할 수 있으며, 도전성 입자의 분산성을 향상시키기 위해 인산 칼슘이나 탄산칼슘 등의 분산제를 함유할 수 있다. 또한 수지는 탄성률을 제어하기 위해 아크릴 고무, 실리콘 고무, 우레탄 등의 고무 성분을 함유할 수 있다.For example, the resin may be a silane-based coupling agent, a titanate-based coupling agent, or an aluminate-based coupling agent for improving the adhesiveness between the
그리고 도전성 입자는 도전성을 갖는 것이라면 그 재료는 특별히 한정되지 않는다. 도전성 입자는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 철(Fe), 니켈(Ni), 납(Pb), 아연(Zn), 코발트(Co), 티타늄(Ti) 및 마그네슘(Mg)으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 주성분으로 포함할 수 있으며, 금속 입자만으로 이루어지거나, 금속 피복 수지 입자로 이루어질 수 있다. 이러한 구성의 도전성 접착 필름(60)은 박리 필름을 더 포함할 수 있다.The conductive particles are not particularly limited as long as they have conductivity. The conductive particles may be selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), iron (Fe), nickel (Ni), lead (Pb), zinc (Zn), cobalt (Co), titanium Mg) as a main component, and may be composed of only metal particles or metal coated resin particles. The conductive
도전성 입자의 압축 응력을 완화하고 접속 신뢰성을 향상시키기 위해서는 도전성 입자로 금속 피복 수지 입자를 사용하는 것이 바람직하다.In order to alleviate the compressive stress of the conductive particles and improve the connection reliability, it is preferable to use the metal-coated resin particles as the conductive particles.
분산성을 향상시키기 위해 도전성 입자는 2㎛ 내지 30㎛의 입경을 갖는 것이 바람직하다.In order to improve the dispersibility, the conductive particles preferably have a particle diameter of 2 mu m to 30 mu m.
수지가 경화한 뒤의 접속 신뢰성 측면에서, 수지 내에 분산되는 도전성 입자의 배합량은 도전성 접착 필름(60)의 전체 체적에 대하여 0.5 체적% 내지 20 체적%로 하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of the connection reliability after the resin is cured, the amount of the conductive particles dispersed in the resin is preferably 0.5 volume% to 20 volume% with respect to the total volume of the conductive
도전성 입자의 배합량이 0.5 체적% 미만이면 전극부(131, 153)와의 물리적인 접점이 감소하므로 전류 흐름이 원활하게 이루어지지 않을 수 있으며, 상기 배합량이 20 체적%를 초과하면 수지의 상대적 양이 감소하여 접착 강도가 저하될 수 있다.If the blending amount of the conductive particles is less than 0.5% by volume, the physical contact point with the
도전성 접착 필름(60)은 복수의 제1 핑거 전극(131)과 교차하는 방향으로 상기 제1 핑거 전극(131)의 제1 영역(A1)에 접착된다. 따라서, 도전성 접착 필름(60)의 일부분은 제1 영역(A1)의 상부 표면 직접 접촉하고, 나머지 부분은 반사방지막(140)에 직접 접촉한다.The conductive
도전성 접착 필름(60)을 이용하여 태빙(tabbing) 작업을 실시할 때, 전기적 접속 확보 및 접착력 유지가 가능한 범위라면 가열 온도 및 가압 압력의 조건은 특별히 제한되지 않는다.The conditions of the heating temperature and the pressing pressure are not particularly limited as long as the electrical connection and the adhesive force can be maintained when tabbing is performed using the conductive
예를 들면, 가열 온도는 수지가 경화되는 온도 범위, 예컨대 150℃ 내지 180℃의 범위로 설정할 수 있고, 가압 압력은 전극부(131, 153), 도전성 접착 필름(60) 및 인터커넥터(20)가 상호간에 충분히 밀착되는 범위로 설정할 수 있다. 또한 가열 및 가압 시간은 전극부(131, 153) 및 인터커넥터(20) 등이 열로 인한 손상 또는 변질되지 않는 범위로 설정할 수 있다.For example, the heating temperature can be set within a temperature range in which the resin is cured, for example, in the range of 150 to 180 DEG C. The pressing pressure is applied to the
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지의 사시도를 도시한 것으로, 기판(110)의 제2 면에 형성된 제2 전극부 및 후면 전계부의 구성을 제외한 나머지 구성은 도 3에 도시한 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제2 전극부 및 후면 전계부의 구성에 대해서만 설명한다.4 is a perspective view of a solar cell according to a second embodiment of the present invention. The remaining structure except for the second electrode portion and the rear electric field portion formed on the second surface of the
그리고 이하의 실시예를 설명함에 있어서 전술한 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.In the following description of the embodiment, the same constituent elements as those of the first embodiment are given the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.
기판(110)의 제2 면에는 제2 유전층(180)이 형성되고, 제2 유전층(180)이 위치하지 않는 영역의 제2 면에는 복수의 제2 핑거 전극(155)이 형성된다.A
복수의 제2 핑거 전극(155)은 제1 핑거 전극(131)과 마찬가지로 제1 방향(X-X')으로 연장된 라인 형상으로 형성되며, 인접한 제2 핑거 전극(155)들과 소정의 간격을 두고 서로 이격된다. 따라서, 인접한 제2 핑거 전극(155)들은 인터커넥터에 의해서만 전기적으로 연결된다.The plurality of
그리고 제2 핑거 전극(155)은 제1 핑거 전극(131)과 마찬가지로 인터커넥터(20)가 접합되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지의 제2 영역을 포함하며, 제2 영역의 하부 표면에 난반사 코팅막(170)이 형성된다.The
이와 같이, 본 실시예의 태양전지는 기판(110)의 제1 면에 위치하는 제1 전극부가 제1 핑거 전극(131)들로만 구성되고, 기판(110)의 제2 면에 위치하는 제2 전극부가 제2 핑거 전극(155)들로만 구성된다.As described above, in the solar cell of the present embodiment, the first electrode portion located on the first surface of the
따라서, 본 실시예의 태양전지는 전술한 제1 실시예의 태양전지와는 달리 기판의 제1 면 및 제2 면을 통해 빛이 각각 입사될 수 있으므로, 양면 수광형 태양전지로 사용될 수 있다.Therefore, unlike the solar cell of the first embodiment, the solar cell of the present embodiment can be used as a double-sided light receiving solar cell because light can be incident through the first and second surfaces of the substrate, respectively.
한편, 양면 수광형 태양전지의 경우, 기판(110)의 제1 면을 통해 입사되는 빛의 양이 제2 면을 통해 입사되는 빛의 양에 비해 많으므로, 제2 면에는 제1 핑거 전극(131)들에 비해 많은 개수의 제2 핑거 전극(155)들이 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 핑거 전극(155)간의 간격, 즉 피치(pitch)는 제1 핑거 전극(131)간의 간격보다 작을 수 있다.On the other hand, in the case of the double-sided light receiving type solar cell, the amount of light incident through the first surface of the
이상에서 설명한 도 3의 제1 실시예와 도 4의 제2 실시예는 제1 전극부가 논 버스 구조로 형성된 태양전지이다.The first embodiment of FIG. 3 and the second embodiment of FIG. 4 described above are solar cells in which the first electrode portion has a non-bus structure.
그러나, 본 발명은 제1 전극부가 버스바 전극을 갖는 경우에도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 태양전지에 대해 설명한다.However, the present invention can also be applied to a case where the first electrode portion has a bus bar electrode. Hereinafter, a solar cell according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지의 사시도로서, 기판(110)의 제1 면에 형성되는 제1 전극부의 구성을 제외한 나머지의 구성은 도 3에 도시한 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제1 전극부의 구성에 대해서만 설명한다.5 is a perspective view of a solar cell according to a third embodiment of the present invention. The remaining configuration except for the configuration of the first electrode portion formed on the first surface of the
도시한 바와 같이, 본 실시예의 태양전지는 복수의 제1 핑거 전극(131)들 및 적어도 2개 이상의 제1 버스바 전극(133)들을 구비하는 제1 전극부(130)를 포함한다.As shown in the figure, the solar cell of the present embodiment includes a
여기에서, 제1 버스바 전극(133)은 제2 방향(Y-Y')으로 연장되며, 복수의 제1 핑거 전극(131)들을 전기적 및 물리적으로 연결한다.Here, the first
제1 버스바 전극(133)은 제1 핑거 전극(131)과 동일한 물질, 예컨대 은(Ag)으로 형성될 수 있다.The first
이러한 구성의 제1 전극부(130)에 있어서, 제1 버스바 전극(133)에는 도전성 접착 필름(60)에 의해 인터커넥터(20)가 접합되므로, 제1 버스바 전극(133)의 상부 표면에는 난반사 코팅막(170)이 형성되지 않는다. 그리고 난반사 코팅막(170)은 제1 핑거 전극(131)들의 상부 표면 전체에 형성된다.Since the
도 5에서는 제1 버스바 전극(133)의 두께가 제1 핑거 전극(131)의 두께보다 약간 크고, 제1 핑거 전극(131)의 두께와 난반사 코팅막(17)의 두께를 합한 두께가 제1 버스바 전극(133)의 두께와 대략 유사한 것으로 도시하였지만, 제1 버스바 전극(133)의 두께가 제1 핑거 전극(131)의 두께와 난반사 코팅막(17)의 두께를 합한 두께보다 더 클 수도 있다.5, the thickness of the first
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지의 사시도로서, 기판(110)의 제2 면에 위치하는 제2 전극부 및 후면 전계부의 구성을 제외한 나머지의 구성은 전술한 도 5의 제3 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제2 전극부 및 후면 전계부의 구성에 대해서만 설명한다.6 is a perspective view of the solar cell according to the fourth embodiment of the present invention. The remaining structure except for the configuration of the second electrode portion and the rear electric field portion located on the second surface of the
도시한 바와 같이, 본 실시예의 태양전지는 복수의 제2 핑거 전극(155)들 및 적어도 2개 이상의 제2 버스바 전극(153)들을 구비하는 제2 전극부(150)를 포함한다.As shown in the figure, the solar cell of this embodiment includes a
여기에서, 제2 버스바 전극(153)은 제2 방향(Y-Y')으로 연장되며, 복수의 제2 핑거 전극(155)들을 전기적 및 물리적으로 연결한다.Here, the second
제2 버스바 전극(153)은 제2 핑거 전극(155)과 동일한 물질, 예컨대 은(Ag) 또는 은과 알루미늄의 합금(AgAl)으로 형성될 수 있다.The second
그리고 후면 전계부(160)는 전술한 도 4의 제2 실시예에 도시한 후면 전계부와는 달리 기판(110)의 후면에 국부적으로(locally) 형성되는 차이점이 있다.Unlike the rear electric field portion shown in the second embodiment of FIG. 4, the rear
여기에서, 후면 전계부가 국부적으로 형성된다는 것은 후면 전계부가 도 4의 실시예에서와 같이 기판(110)의 제2 면 전체 영역에 형성되지 않고, 제2 면의 일부 영역, 예를 들면 제2 핑거 전극(155) 및 제2 버스바 전극(153)과 대응하는 위치에만 형성된 것을 의미한다. 따라서, 인접한 후면 전계부(160) 사이에는 기판(110) 영역이 위치한다.Here, the fact that the rear electric field portion is formed locally does not mean that the rear electric field portion is not formed in the entire area of the second surface of the
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.
Claims (17)
상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;
상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부;
상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극부
를 포함하며,
상기 제1 전극부는 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제1 핑거 전극들은 인접한 제1 핑거 전극들과 서로 이격되며, 제1 핑거 전극들의 상부 표면에는 난반사 코팅막이 형성되는 태양전지.Board;
An emitter located on a first side of the substrate and forming a pn junction with the substrate;
A first electrode part located on a first surface of the substrate and connected to the emitter part;
A second electrode located on a second surface of the substrate opposite to the first surface and connected to the substrate,
/ RTI >
Wherein the first electrode portion includes a plurality of first finger electrodes extending in a first direction, the plurality of first finger electrodes are spaced apart from adjacent first finger electrodes, Is formed.
상기 복수의 제1 핑거 전극들이 이웃하는 제1 핑거 전극과 물리적으로 연결되지 않는 논 버스 구조로 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the plurality of first finger electrodes are not physically connected to neighboring first finger electrodes.
각각의 제1 핑거 전극들은 인터커넥터가 접합되는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하고, 상기 난반사 코팅막은 상기 제2 영역의 상부 표면에만 형성되는 태양전지.3. The method of claim 2,
Wherein each of the first finger electrodes includes a first region where the interconnector is bonded and a second region except the first region, and the diffusely reflective coating film is formed only on the upper surface of the second region.
상기 난반사 코팅막의 폭은 상기 제1 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 상기 제1 핑거 전극의 폭보다 작게 형성되는 태양전지.4. The method of claim 3,
Wherein the width of the diffusely reflective coating film is equal to or smaller than the width of the first finger electrode.
상기 제1 핑거 전극의 상기 제2 영역의 개수는 상기 제1 영역의 개수보다 1개 더 많은 태양전지.4. The method of claim 3,
Wherein the number of the second regions of the first finger electrodes is one more than the number of the first regions.
상기 제2 전극부는 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제2 핑거 전극들은 인접한 제2 핑거 전극들과 서로 이격되며, 제2 핑거 전극들의 하부 표면에는 난반사 코팅막이 형성되는 태양전지.The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein the second electrode portion includes a plurality of second finger electrodes extending in the first direction, the plurality of second finger electrodes are spaced apart from adjacent second finger electrodes, and the lower surface of the second finger electrodes has diffused reflection A solar cell in which a coating film is formed.
각각의 제2 핑거 전극들은 인터커넥터가 접합되는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하고, 상기 난반사 코팅막은 상기 제2 영역의 하부 표면에만 형성되는 태양전지.The method of claim 6,
Wherein each of the second finger electrodes includes a first region where the interconnector is bonded and a second region except for the first region, and the diffusely reflective coating film is formed only on the lower surface of the second region.
상기 난반사 코팅막의 폭은 상기 제1 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 상기 제1 핑거 전극의 폭보다 작게 형성되는 태양전지.8. The method of claim 7,
Wherein the width of the diffusely reflective coating film is equal to or smaller than the width of the first finger electrode.
상기 제2 핑거 전극의 상기 제2 영역의 개수는 상기 제1 영역의 개수보다 1개 더 많은 태양전지.9. The method of claim 8,
Wherein the number of the second regions of the second finger electrodes is one more than the number of the first regions.
상기 제2 전극부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극 및 상기 제2 버스바 전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극을 포함하는 태양전지.The method according to any one of claims 2 to 5,
The second electrode portion includes a plurality of second bus bar electrodes extending in a second direction intersecting the first direction and a plurality of second bus bar electrodes formed on a sheet on the rear surface of the substrate except the portion where the second bus bar electrodes are formed, A solar cell comprising two electrodes.
상기 제1 전극부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 제1 핑거 전극들을 인접한 제1 핑거 전극들과 물리적으로 연결하는 제1 버스바 전극을 더 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the first electrode portion further comprises a first bus bar electrode extending in a second direction intersecting the first direction and physically connecting the plurality of first finger electrodes to adjacent first finger electrodes.
상기 제1 버스바 전극에는 인터커넥터가 접합되며, 상기 난반사 코팅막은 상기 제1 핑거 전극들의 상부 표면 전체에 형성되는 태양전지.12. The method of claim 11,
Wherein the first bus bar electrode is connected to an interconnector and the diffusely reflective coating film is formed on the entire upper surface of the first finger electrodes.
상기 난반사 코팅막의 폭은 상기 제1 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 상기 제1 핑거 전극의 폭보다 작게 형성되는 태양전지.The method of claim 12,
Wherein the width of the diffusely reflective coating film is equal to or smaller than the width of the first finger electrode.
상기 제2 전극부는 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극들 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 제2 핑거 전극들을 인접한 제2 핑거 전극들과 물리적으로 연결하는 제2 버스바 전극을 포함하는 태양전지.The method according to any one of claims 11 to 13,
The second electrode portion may include a plurality of second finger electrodes extending in the first direction and a plurality of second finger electrodes extending in a second direction intersecting with the first direction, And a second bus bar electrode connected to the second bus bar electrode.
상기 제2 버스바 전극에는 인터커넥터가 접합되며, 상기 난반사 코팅막은 상기 제2 핑거 전극들의 하부 표면 전체에 형성되는 태양전지.The method of claim 14,
Wherein the second bus bar electrode is bonded to an interconnector, and the diffusely reflective coating film is formed on the entire lower surface of the second finger electrodes.
상기 난반사 코팅막의 폭은 상기 제2 핑거 전극의 폭과 동일하거나, 상기 제2 핑거 전극의 폭보다 작게 형성되는 태양전지.16. The method of claim 15,
Wherein the width of the diffusely reflective coating film is equal to or smaller than the width of the second finger electrode.
상기 제2 전극부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극 및 상기 제2 버스바 전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극을 포함하는 태양전지.The method according to any one of claims 11 to 13,
The second electrode portion includes a plurality of second bus bar electrodes extending in a second direction intersecting the first direction and a plurality of second bus bar electrodes formed on a sheet on the rear surface of the substrate except the portion where the second bus bar electrodes are formed, A solar cell comprising two electrodes.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1020120120225A KR20140056524A (en) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Solar cell |
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KR1020120120225A KR20140056524A (en) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Solar cell |
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Publication Number | Publication Date |
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KR20140056524A true KR20140056524A (en) | 2014-05-12 |
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KR1020120120225A KR20140056524A (en) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Solar cell |
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JP2017120810A (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日立化成株式会社 | Solar cell and solar cell module |
JP2018010973A (en) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | アートビーム株式会社 | Solar battery and method for manufacturing the same |
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2012
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