KR20140055823A - 발광 장치 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- -1 alkaline earth metal boron halide Chemical class 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102100040160 Rabankyrin-5 Human genes 0.000 description 1
- 101710086049 Rabankyrin-5 Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N [P].[P] Chemical compound [P].[P] QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 150000002290 germanium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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Abstract
실시 예에 따른 발광 장치는, 제1발광 칩과 상기 제1발광 칩을 덮고 제1 및 제2형광체를 갖는 제1몰딩 부재를 포함하는 제1발광 소자; 및 제2발광 칩과 상기 제2발광 칩을 덮고 제1 및 제3형광체를 갖는 제2몰딩 부재를 포함하는 제2발광 소자를 포함하며, 상기 제1발광 칩은 청색, 적색, 및 녹색 중 어느 하나의 제1주 피크파장의 광을 발광하며, 상기 제1내지 제3형광체는 서로 동일한 황색 컬러의 파장 범위 내에서 서로 다른 주 피크파장의 광을 발광하며, 상기 제2형광체는 상기 제1형광체로부터 발광된 제2주 피크파장의 광보다 단 파장인 제3주 피크파장을 발광하며, 상기 제2발광 칩은 상기 제1발광 칩과 동일한 컬러를 발광하며, 상기 제1주 피크파장보다 장 파장의 제4주 피크파장의 광을 발광하며, 상기 제3형광체는 상기 제1형광체로부터 발광된 제2주 피크파장의 광보다 장 파장인 제4주 피크 파장을 발광한다.
Description
실시 예는 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다. 이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 발광 다이오드는 형광체를 이용하여 다양한 컬러의 광을 제공할 수 있어, 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 발광 칩으로부터 방출된 제1파장의 광에 따라 제1형광체로 여기된 제2파장의 광을 조절할 수 있도록 한 발광 장치를 제공한다.
실시 예는 발광 칩으로부터 방출된 파장의 광을 이종의 형광체로 조절할 수 있도록 한 발광 장치를 제공한다.
실시 예는 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 파장 범위 내에서 주 피크파장이 12nm 이상의 차이를 갖는 제1 및 제2발광 칩을 이종 형광체를 이용하여, 백색을 구현할 수 있도록 한 발광 장치를 제공한다.
실시 예는 동일 컬러 내에서 1~3nm의 주 피크파장 차이를 갖는 이종 형광체를 갖는 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
실시 예는 제1발광 소자에 상기 제1발광 소자 내에 첨가된 제1형광체보다 장파장의 주 피크파장(main peak wavelength)의 광을 발광하는 제2형광체를 포함한 발광 장치를 제공한다.
실시 예는 제1발광 소자에 인접한 제2발광 소자에 상기 제2발광 소자 내에 첨가된 제1형광체보다 단 파장의 주 피크파장의 광을 발광하는 제3형광체를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 장치는, 제1발광 칩과 상기 제1발광 칩을 덮고 제1 및 제2형광체를 갖는 제1몰딩 부재를 포함하는 제1발광 소자; 및 제2발광 칩과 상기 제2발광 칩을 덮고 제1 및 제3형광체를 갖는 제2몰딩 부재를 포함하는 제2발광 소자를 포함하며, 상기 제1발광 칩은 청색, 적색, 및 녹색 중 어느 하나의 제1주 피크파장의 광을 발광하며, 상기 제1내지 제3형광체는 서로 동일한 컬러의 파장 범위에서 서로 다른 주 피크파장의 광을 발광하며, 상기 제2형광체는 상기 제1형광체로부터 발광된 제2주 피크파장의 광보다 단 파장인 제3주 피크파장을 발광하며, 상기 제2발광 칩은 상기 제1발광 칩과 동일한 컬러를 발광하며, 상기 제1주 피크파장보다 장 파장의 제4주 피크파장의 광을 발광하며, 상기 제3형광체는 상기 제1형광체로부터 발광된 제2주 피크파장의 광보다 장 파장인 제4주 피크 파장을 발광한다.
실시 예는 발광 칩의 가용 영역을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자의 가용 비율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 장치에서 원하는 파장 영역으로의 시프트를 시켜 줌으로써, 불용의 칩을 사용하여 발광 소자들의 광 산포를 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 장치의 상세 구성도이다.
도 3은 CIE 색좌표를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 영역 A1의 CIE 랭크를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 있어서, 발광 칩의 파장에 따른 CIE의 파장 분포를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 이종 형광체를 이용한 파장 시프트에 따른 CIE의 파장 분포를 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 제1 및 제2형광체에 의한 제1발광 칩으로부터 방출된 광의 시프트 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 제1 및 제3형광체에 의한 제2발광 칩으로부터 방출된 광의 시프트 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 장치에서의 파장들의 혼합 예를 설명하기 위한 그래프이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 장치의 상세 구성도이다.
도 3은 CIE 색좌표를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 영역 A1의 CIE 랭크를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 있어서, 발광 칩의 파장에 따른 CIE의 파장 분포를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 이종 형광체를 이용한 파장 시프트에 따른 CIE의 파장 분포를 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 제1 및 제2형광체에 의한 제1발광 칩으로부터 방출된 광의 시프트 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 제1 및 제3형광체에 의한 제2발광 칩으로부터 방출된 광의 시프트 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 장치에서의 파장들의 혼합 예를 설명하기 위한 그래프이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 두께는 일 예이며, 각 구성 요소의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 또한 각 실시 예의 기술적 특징은 각 실시 예로 한정하지 않고 다른 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 상세도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 장치(100)는 회로 기판(11) 및 상기 회로 기판(11) 상에 배치된 복수의 발광 소자(21,31)를 포함한다. 상기 복수의 발광 소자(21,31)는 서로 다른 주 피크파장들이 혼합된 백색 광(L1, L2)을 발광하며, 상기의 백색 광(L1, L2)들은 다시 혼합될 수 있다.
상기 회로 기판(11)은 금속층을 갖는 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 수지 재질의 기판을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 회로 기판(11) 내에는 배선층이 배치될 수 있으며, 상기 배선층에 의해 복수의 발광 소자(21,31)를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다.
상기 복수의 발광 소자(21,31)는 소정 간격(D1)으로 이격된 발광 소자들로 정의할 수 있으며, 제1 및 제2발광 소자(21,31)를 포함한다. 상기 제1 및 제2발광 소자(21,31)의 간격(D1)은 각 발광 소자(21,31)로부터 방출된 광들이 서로 혼합될 수 있는 영역으로 정의할 수 있으며, 예컨대 5cm 이하일 수 있다.
상기 제1발광 소자(21)는 캐비티(22A)를 갖는 몸체(22), 복수의 리드 프레임(23,24), 제1발광 칩(25), 및 상기 제1발광 칩(25)를 덮고 제1 및 제2형광체(7,8)을 갖는 제1몰딩 부재(28)를 포함한다. 상기 제2발광 소자(31)는 캐비티(22A)를 갖는 몸체(22), 복수의 리드 프레임(23,24), 제2발광 칩(25A), 및 상기 제2발광 칩(25A)를 덮고 제1 및 제3형광체(7,9)를 갖는 제2몰딩 부재(28A)를 포함한다.
상기 몸체(22)는 실리콘 재료, 세라믹 재료, 수지 재료 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 실리콘(silicon), 에폭시, 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride: AlN), 폴리프탈아마이드(Polyphthalamide: PPA), 고분자액정(Liquid Crystal Polymer: LCP) 중 적어도 한 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다. 또한 상기 몸체(22)는 절연성 재질, 전도성 재질, 금속성 재질, 비 금속성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 몸체(22)의 상부에는 개구부를 갖는 캐비티(22A)가 형성된다. 상기 캐비티(22A)의 형상은 오목한 컵 형상 또는 소정 곡률을 갖는 오목 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 그 표면 형상은 원형 또는 다각형 등으로 형성될 수 있으며, 이러한 형상은 변경될 수 있다. 상기 캐비티(22A)의 측면은 외측으로 경사지게 형성될 수 있으며, 입사되는 광을 개구 방향으로 반사시켜 준다. 상기 캐비티(22A)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 캐비티(22A)의 바닥에는 상기 몸체(22)의 측면 방향으로 연장된 복수의 리드 프레임(23,24)이 배치되며, 상기 복수의 리드 프레임(23,24)은 회로 기판(11)과 접합 부재(42,42)로 접합된다. 이에 따라 회로 기판(11)과 발광 소자(21,31)는 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 접합 부재(41,42)는 솔더와 같은 전기 전도성 재질을 포함한다.
상기 복수의 리드 프레임(23,24)은 금속 재질 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 복수의 금속을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제1발광 칩(25)은 상기 제1발광 소자(21) 내에 배치된 복수의 리드 프레임(23,24) 중 적어도 하나의 위에 접착제로 부착되고, 상기 와이어(26,27)로 복수의 리드 프레임(23,24)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2발광 칩(25A)은 상기 제2발광 소자(31) 내에 배치된 복수의 리드 프레임(23,24) 중 적어도 하나의 위에 접착제로 부착되고, 상기 와이어(26,27)로 복수의 리드 프레임(23,24)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 각 캐비티(22A) 내에 하나 또는 2개 이상이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1발광 칩(25)은 상기 제2발광 칩(25A)의 주 피크파장의 광과 다른 주 피크파장의 광을 발생하게 된다. 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 또는 II족과 VI족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 예컨대 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 계열의 반도체 재질로 형성되어, 반도체 재질 고유의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다.
또한 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 청색 LED 칩, 황색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, UV LED 칩, 호박색 LED 칩, 녹색을 띤 청색 LED 칩, 백색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 청색, 녹색, 적색 중 어느 하나의 주 피크 파장을 발광할 수 있으며, 예컨대 청색 LED 칩으로 설명하기로 하며, 청색 LED 칩은 440~460nm 범위의 파장을 발광하게 된다.
제1발광 소자(21)의 캐비티(22A)에는 제1몰딩 부재(28)가 형성되고, 제2발광 소자(31)의 캐비티(22A)에는 제2몰딩 부재(28A)가 형성된다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(28,28A)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재료를 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2몰딩 부재(28,28A)의 상면은 플랫 형태, 오목 형태, 볼록 형태로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(28,28A) 상에는 렌즈가 부착될 수도 있으며, 상기 렌즈는 반구형 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1몰딩 부재(28)에는 이종 형광체 예컨대, 제1형광체(7)와 제2형광체(8)가 첨가되며, 상기 제1 및 제2형광체(7,8)는 상기 제1발광 칩(25)으로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 서로 다른 주 피크파장의 광들로 발광하게 된다. 상기 제1 및 제2형광체(7,8)은 서로 다른 주 피크파장을 갖고 동일한 컬러의 광을 발광하게 된다.
상기 제2몰딩 부재에는 이종 형광체 예컨대, 제1형광체(7)와 제3형광체(9)가 첨가되며, 상기 제1 및 제3형광체(7,9)는 상기 제2발광 칩(25A)으로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 서로 다른 주 피크파장의 광들로 발광하게 된다. 상기 제1 및 제3형광체(7,9)는 동일한 컬러의 광을 발광하게 된다.
상기 제1 내지 제3형광체((7,8,9)는 동일한 컬러의 파장 범위 내에서 서로 다른 주 피크파장의 광을 발광하게 되며, 상기 제2형광체(8)는 상기 제1형광체(7)에 비해 단 파장의 광을 발광하며, 상기 제3형광체(9)는 상기 제1형광체(7)에 비해 장 파장의 광을 발광하게 된다.
상기의 제1 내지 제3형광체(7,8,9)는 황색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 적색 형광체 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물계 형광체·산질화물계 형광체·사이어론계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이금속계의 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리 토류 할로겐 아파타이트 형광체, 알칼리 토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리 토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리 토류 규산염, 알칼리 토류 황화물, 알칼리 토류 티오갈레이트, 알칼리 토류 질화규소, 게르마늄산염, 또는, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 유기 및 유기 착체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기의 형광체를 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
상기 황색 형광체는 가넷계, 오소실리케이트(orthosolicate)계, 티오갈레이트(thiogallate)계 중 적어도 하나를 포함하며, 예컨대 상기 황색 형광체는 Y3Al5O12:Ce3+, (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2 +, Sr2SiO4:Eu2 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기의 황색 형광체 중에서 (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2 + 와 같은 형광체들은 주 메인 물질인 Sr과 Ba의 비율 변화나 활성제의 양에 따라 파장이 변화게 된다. 예컨대, 조성은 동일하지만, 비율적으로 Sr의 함량이 더 많은 경우 장 파장으로 쉬프트되고, Ba의 함량이 많으면 단 파장으로 쉬프트될 수 있다. 이러한 형광체는 조성식이 동일하더라도, 함량 차이 또는 물질에 따라 형광체의 파장이 변화될 수 있다.
상기 청색 형광체는, Sr2MgSi2O7:Eu2 +의 물질, BaMgAl10O17: Eu(Mn), Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2+, Sr2P2O7:Eu2 +, SrSiAl2O3N2:Eu2 +, (Ba1 - xSrx)SiO4:Eu2 +, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+, CaMgSi2O6:Eu2 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 적색 형광체는 La2O2S:Eu3 +, Y2O2S:Eu3 +, Y2O3:Eu3 +(Bi3 +), CaS:Eu2 +, (Zn,Cd)S:Ag+(Cl-), K5(WO4)6.25:Eu3 + 2.5, LiLa2O2BO3:Eu3 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 녹색 형광체는 ZnS:Cu+(Al3 +), SrGa2S4:Eu2 +, CaMgSi2O7:Eu2 +, Ca8Mg(SiO4)Cl2:Eu2+(Mn2+), (Ba, Sr)2SiO4:Eu2 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 적색 형광체에 의해 방출된 주 피크파장은 600~630nm 범위 내이며, 상기 녹색 형광체에 의해 방출된 주 피크파장은 525~535nm 범위 내이며, 상기 황색 형광체에 의해 방출된 주 피크파장은 510~525nm 범위 내에 있다.
실시 예는 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)이 청색 광을 발광하면, 상기 제1 내지 제3형광체(7,8,9)는 황색 형광체를 포함한다. 이에 따라 상기 제1 및 제2발광 소자(21,31)는 백색 광을 발광할 수 있다.
백색을 구현하기 위해 사용되는 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 제품에 요구되는 광 특성에 따라 사용되는 종류와 양이 결정되게 된다. 광 특성은 광도와 색으로 나눌 수 있으며, 빛을 정량적으로 표현하기 위해 도 3과 같은 CIE(Commission International de I'Eclairage) 좌표를 활용하고 있다. 도 3의 CIE 좌표 계에서 타켓 영역(A1)은 백색 영역이 될 수 있다.
상기 타켓 영역(A1)은 발광 소자들의 광 특성에 따라 CIE 좌표에 필요한 영역을 구분하기 위해 랭크(Rank)로 세분화하여 도 4와 같이 발광 소자들의 랭크들을 구분하게 된다.
도 4에 도시된 발광 소자들의 CIE 랭크를 통해 실제 제품에 적용된 발광 소자들을 선별하여 사용하게 되므로, 균일한 광 분포를 갖는 발광 소자들을 사용할 수 있게 된다.
그러나, 청색 LED 칩과 황색 형광체를 갖는 발광 소자의 경우, 청색 LED 칩의 파장에 따라 CIE 색좌표에서 레벨 변화가 발생하게 된다. 이는 청색 LED 칩이 동일한 웨이퍼에서 제조되더라도 1~15nm의 파장 차이를 가질 수 있으며, 이러한 파장 차이로 인해 가용될 수 있는 가용 칩과 가용될 수 없는 비가용 칩으로 구분될 수 있다. 상기 청색 LED 칩을 청색 파장 범위에서 2.5nm 범위를 하나의 랭크로 정의할 때, 442.5~445nm(제1랭크), 445~457.5nm(제2랭크), 457.5~450nm(제3랭크), 450~452.5nm(제4랭크), 452.5~455nm(제5랭크), 455~457.5nm(제6랭크)와 같이 5개 또는 6개 이상의 랭크로 구분할 수 있다. 또한 440~442.5nm의 랭크를 포함할 수도 있다. 상기 청색 파장 범위에서 가장 이격된 두 랭크 예컨대, 제1랭크와 제6랭크는 청색 파장 범위의 균일한 색 분포를 기준으로 볼 때, 청색 파장 범위의 센터로부터 벗어난 불용 칩들로 구분될 수 있다. 그러나, 이러한 불용 칩들은 불용 칩간의 조합을 통해 재 사용할 수 있다. 예컨대, 제1랭크와 제6랭크를 조합하면, 청색 파장 범위의 센터 영역 즉, 제2 내지 제5랭크의 범위에 분포하게 된다. 이러한 칩들의 조합을 위한 영역을 멀티 랭크 혼합(multi rank mixing: MRM) 영역으로 정의할 수 있다. 또한 타켓 영역에 위하여 혼합되지 않을 수 있는 랭크들의 영역을 단일 랭크 혼합(single rank mixing: SRM) 영역으로 정의할 수 있다.
도 5는 황색 형광체와 청색 LED 칩의 파장에 따른 랭크들의 분포를 나타낸 도면이다. 도 5에서 B1, B2, B3 영역에서의 황색 형광체는 동일하며, 동일한 주 주 피크파장을 발광하게 되며, 상기 B1 영역은 447.5~450nm의 주 피크 파장을 발광하는 청색 LED 칩에 의한 색 분포이며, B2 영역은 450~452.5nm의 주 피크 파장을 발광하는 청색 LED 칩에 의한 색 분포이며, B3 영역은 452.5~455nm의 주 피크 파장을 발광하는 청색 LED 칩에 의한 색 분포가 될 수 있다. 도 5에서, 영역 A2를 벗어난 영역은 멀티 랭크들의 칩들로 이용될 수 있으며, 영역 M1과 M2는 B2의 칩 및 B1의 칩과의 조합을 하거나, 단일 랭크(SRM)들의 칩들로 사용될 수 있다.
도 2와 같이, 상기 제1 및 제2발광 칩(25,25A)은 440~460nm의 주 피크 파장을 발광하는 청색 LED 칩 중에서 12.5nm 이상 이격된 칩들일 수 있으며, 예컨대 12.5nm~15nm 범위의 주 피크파장의 차이를 갖는 칩이거나, 동일한 컬러 예컨대, 적색, 녹색, 청색과 같은 컬러를 갖는 칩일 수 있다. 예를 들면, 제1발광 칩(25)는 제1랭크에 분포될 수 있는 칩이며, 제2발광 칩(25A)는 제6랭크에 분포될 수 있는 칩일 수 있다. 상기 제1발광 칩(25)은 445nm 이하 예컨대, 440~442.5nm 또는 442.5~445nm의 주 피크파장을 갖는 랭크에 분포될 수 있으며, 상기 제2발광 칩(25A)은 452.5 이상 예컨대, 452.5~455nm 또는 455~457.5nm의 주 피크파장을 갖는 랭크에 분포될 수 있다.
도 2 및 도 9을 참조하면, 제1발광 소자(21)는 제1발광 칩(25)으로부터 방출된 제1주 피크파장의 광(W1)과, 제1형광체(7)에 의해 방출된 제2주 피크파장의 광(W2) 및 제2형광체(8)에 의한 제3주 피크파장의 광(W3)이 혼합된다. 이때, 상기 제3주 피크파장의 광(W3)은 제1주 피크파장의 광(W1)과 상기 제2주 피크파장의 광(W2)의 혼합된 광을 여기시켜 줄 수 있다. 즉, 도 6 및 도 9과 같이 제1주 피크파장의 광(W1)과 제2주 피크파장의 광(W2)이 혼합된 광(R1)은 상기 제3주 피크파장의 광(W4)에 의해 시프트되어 CIE 색좌표의 중심 랭크의 소정 영역(T1)에 위치하게 된다. 이에 따라 제1발광 소자(21)로부터 혼합된 광은 CIE 색좌표의 중심 랭크(SRM 영역)으로 이동될 수 있다. 이는 단파장의 제2형광체(8)를 이용하여 단파장의 제1발광 칩(25)과 제1형광체(7)에 의해 혼합된 광(R1)의 색좌표 분포를 CIE 색좌표의 중심 랭크 영역으로 시프트시켜 줄 수 있다.
제2발광 소자(31)는 제2발광 칩(25A)으로부터 방출된 제4주 피크파장의 광(W4)과, 상기 제1형광체(7)에 의해 방출된 제2주 피크파장의 광(W2) 및 제3형광체(9)에 의한 제5주 피크파장의 광(W5)이 혼합된다. 이때, 제5주 피크파장의 광(W5)은 상기 제4주 피크파장의 광(W4)과 상기 제2주 피크파장의 광(W2)의 혼합된 광을 여기시켜 줄 수 있다. 즉, 도 6 및 도 9과 같이 제4주 피크파장의 광(W4)과 제2주 피크파장의 광(W2)이 혼합된 광(R2)은 상기 제5주 피크파장의 광(W5)에 의해 시프트되어 CIE 색좌표의 중심 랭크의 소정 영역(T2)에 위치하게 된다. 이에 따라 제2발광 소자(31) 내에서 혼합된 광은 CIE 색좌표의 중심 랭크(SRM 영역)으로 이동될 수 있다. 이는 장파장의 제3형광체(9)를 이용하여 장파장의 제2발광 칩(25A)과 제1형광체(7)에 의해 혼합된 광(R2)의 색좌표 분포를 CIE 색좌표의 중심 랭크 영역으로 시프트시켜 줄 수 있다.
상기 제1발광 칩(25)은 440~442.5nm 또는 442.5~445nm의 주 피크파장을 갖는 랭크에 분포될 수 있으며, 상기 제2발광 칩(25A)은 452.5~455nm 또는 455~457.5nm의 주 피크파장을 갖는 랭크에 분포될 수 있다.
상기 제1발광 칩(25)은 청색 파장 중에서 단 파장에 가까운 랭크에 분포하는 단 파장의 칩들 중 어느 하나이며, 예컨대, 440~442.5nm 또는 442.5~445nm의 주 피크파장의 광 분포로 발광하는 칩일 수 있다. 상기 제2발광 칩(25A)은 청색 파장 중에서 장 파장에 가까운 랭크에 분포하는 장 파장의 칩들 중 어느 하나이며, 예컨대 452.5~455nm 또는 455~457.5nm 범위의 주 피크파장의 광 분포로 발광하는 칩일 수 있다.
상기 제1 내지 제3형광체(7,8,9)는 499nm 이상 예컨대, 499~555nm 범위의 황색 형광체를 포함하며, 상기 제1형광체(7)는 상기 제2형광체(8)와 제3형광체(9)로부터 발광된 광들 사이의 범위의 파장을 발광하며, 예컨대 552nm±1nm 범위를 발광할 수 있다. 상기 제2형광체(8)는 상기 제1형광체(7)보다 단 파장의 광을 발광하는 형광체로서, 예컨대 550nm±1nm 범위를 발광할 수 있다. 상기 제3형광체(9)는 상기 제1형광체(7)보다 장 파장의 광을 발광하는 형광제로서, 예컨대 554nm±1nm 범위를 발광할 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3형광체(7,8,9)은 예컨대, (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2 + 와 같은 형광체를 사용한 경우, 주 메인 물질인 Sr과 Ba의 비율 변화나 활성제의 양을 변화시켜 파장을 변화시켜 줄 수 있다. 즉, 비율적으로 Sr의 함량이 더 많은 경우 장 파장으로 쉬프트되고, Ba의 함량이 많으면 단 파장으로 쉬프트될 수 있다. 즉, 형광체는 메인 물질들의 조성에 따라 주 피크 파장의 차이가 나므로, 동일한 조성식을 갖는 형광체를 사용할 수 있다.
상기 제2형광체(8)과 상기 제3형광체(9)의 주 피크파장의 차이는 3~6nm 범위이며, 상기 제1형광체(7)과 상기 제2 또는 제3형광체(8,9) 간의 주 피크파장의 차이는 1~3nm 범위일 수 있다.
도 2 및 도 7을 참조하면, 제1발광 칩(25)의 주 피크파장에 대해 제1형광체(7)만을 적용할 경우, 혼합된 파장(P1)은 SRM 영역(A3)를 벗어난 MRM 영역(M3)에 배치되었고, 제2형광체(8)만을 적용할 경우 혼합된 파장(P2)은 SRM 영역(M3)에 배치된다. 이에 따라 상기 제1발광 칩(25)에 제1 및 제2형광체(7,8)를 혼합할 경우, 그 혼합된 파장(P1+P2)은 MRM 영역(M3)을 벗어나 SRM 영역(A3)에 배치됨을 알 수 있다.
도 2 및 도 8을 참조하면, 제2발광 칩(25A)의 주 피크파장에 대해 제1형광체(7)만을 적용할 경우, 혼합된 파장(P1)은 SRM 영역(A3)을 벗어난 MRM 영역(M3)에 배치되었고, 제3형광체(9)만를 적용할 경우 혼합된 파장(P3)은 SRM 영역(A3)에 배치된다. 이에 따라 상기 제2발광 칩(25A)에 제1 및 제3형광체(7,9)를 혼합할 경우, 혼합된 파장(P1+P3)은 MRM 영역(M3)을 벗어나 SRM 영역(A3)에 배치됨을 알 수 있다.
따라서, 실시 예는 제1컬러 범위 내에서 단 파장에 가까운 광을 발생하는 제1발광 칩(25)과, 제1형광체(7)와 상기 제1형광체(7)보다 단 파장의 광을 발광하는 제2형광체(8)를 조합하여, 제1발광 칩(25)에 의한 파장 변화를 SRM 영역으로 보상할 수 있는 제1발광 소자(21)를 제공할 수 있다.
또한 제1컬러 범위 내에서 장 파장에 가까운 광을 발생하는 제2발광 칩(25A)과, 제1형광체(7)와 제1형광체(7)보다 장 파장의 광을 발광하는 제3형광체(9)를 조합하여, 제2발광 칩(25A)에 의한 파장 변화를 SRM 영역으로 보상할 수 있는 제2발광 소자(31)를 제공할 수 있다. 따라서, 발광 장치는 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 파장 범위 내에서 주 피크 파장의 차이가 12nm 이상인 불용 칩들을 서로 다른 발광 소자 내의 이종의 황색 형광체를 이용하여, 혼합된 피크 파장이 원하는 영역에서 발광될 수 있도록 함으로써, 불용 칩의 가용 비율을 높일 수 있다.
실시 예의 발광 장치는 제1발광 소자(21)와 제2발광 소자(31)를 별도로 사용하거나, 혼합하여 사용할 수 있다.
또한 실시 예의 발광 장치에서 제1 및 제2발광 소자(21,31)는 다른 제3발광 소자와 혼합될 수 있으며, 제3발광 소자는 제2 내지 제4랭크의 청색의 주 피크파장의 광을 발광하고 제1형광체(7)를 갖는 형광체일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 장치는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치, 도 12에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 10은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 상기 광원 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 회로 기판(1033)와 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광소자(1035)는 상기 회로 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 회로 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 회로 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 회로 기판(1033)는 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광소자(1035)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.
상기 복수의 발광소자(1035)는 상기 회로 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일 측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 광원 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 실시 예의 발광소자(1124)가 어레이된 회로 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 회로 기판(1120)와 상기 발광소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다.
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 12는 실시 예에 따른 조명소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.
도 12와 같이, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 발광소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
7: 제1형광체
8: 제2형광체
9: 제3형광체
11: 회로 기판
21,31: 발광 소자
25: 제1발광 칩
22: 몸체
25A: 제2발광 칩
28: 제1몰딩 부재
28A: 제2몰딩 부재
100: 발광 장치
8: 제2형광체
9: 제3형광체
11: 회로 기판
21,31: 발광 소자
25: 제1발광 칩
22: 몸체
25A: 제2발광 칩
28: 제1몰딩 부재
28A: 제2몰딩 부재
100: 발광 장치
Claims (9)
- 제1발광 칩과 상기 제1발광 칩을 덮고 제1 및 제2형광체를 갖는 제1몰딩 부재를 포함하는 제1발광 소자; 및
제2발광 칩과 상기 제2발광 칩을 덮고 제1 및 제3형광체를 갖는 제2몰딩 부재를 포함하는 제2발광 소자를 포함하며,
상기 제1발광 칩은 청색, 적색, 및 녹색 중 어느 하나의 제1주 피크파장의 광을 발광하며,
상기 제1내지 제3형광체는 서로 동일한 컬러의 파장 범위 내에서 서로 다른 주 피크파장의 광을 발광하며,
상기 제2형광체는 상기 제1형광체로부터 발광된 제2주 피크파장의 광보다 단 파장인 제3주 피크파장을 발광하며,
상기 제2발광 칩은 상기 제1발광 칩과 동일한 컬러를 발광하며, 상기 제1주 피크파장보다 장 파장의 제4주 피크파장의 광을 발광하며,
상기 제3형광체는 상기 제1형광체로부터 발광된 제2주 피크파장의 광보다 장 파장인 제4주 피크 파장을 발광하는 발광 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2발광 칩은 청색의 주 피크 파장을 발광하며,
상기 제1 내지 제3형광체는 황색의 주 피크 파장을 발광하는 발광 장치. - 제2항에 있어서, 상기 제1발광 칩과 상기 제2발광 칩의 주 피크파장의 차이는 12.5nm 이상인 발광 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1발광 칩은 445nm~440nm 범위의 주 피크파장을 발광하며,
상기 제2발광 칩은 452.5nm~457.5nm 범위의 주 피크파장을 발광하는 발광 장치. - 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1형광체와 상기 제2 또는 제2형광체 간의 주 피크파장의 차이는 1~3nm 범위의 차이를 갖는 발광 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제2형광체와 상기 제3형광체 간의 주 피크파장의 차이는 3~6nm 범위인 발광 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1형광체는 552nm±1nm 범위의 주 피크파장을 포함하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2발광 소자 아래에 배치된 회로 기판을 포함하는 발광 장치.
- 제2내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3형광체는 (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2 + 의 조성식을 갖는 발광 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120123166A KR20140055823A (ko) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 발광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120123166A KR20140055823A (ko) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 발광 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140055823A true KR20140055823A (ko) | 2014-05-09 |
Family
ID=50887397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120123166A KR20140055823A (ko) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 발광 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140055823A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10361248B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light source module, display panel and display apparatus having blue sub-pixel that emits blue light and green light and methods for manufacturing the same |
-
2012
- 2012-11-01 KR KR1020120123166A patent/KR20140055823A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10361248B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light source module, display panel and display apparatus having blue sub-pixel that emits blue light and green light and methods for manufacturing the same |
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