KR20140044536A - 전자파 플라즈마 토치를 이용한 분말 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치로서, 상기 장치는, 플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 반응재료를 공급하는 반응재료 공급부, 상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부, 및 반응기를 포함하며, 상기 반응기는 상기 플라즈마 발생부의 상기 플라즈마 소스 가스가 주입되는 반대편 위치하고, 상기 플라즈마 발생부로부터 발생된 플라즈마 소스 가스 플라즈마 토치가 위치하는 공간이며, 상기 반응기 내 상기 플라즈마 토치가 닿는 위치에 기판을 포함하고, 상기 반응재료 공급부는 상기 기판 위로 반응재료가 공급되도록 구성되는, 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 플라즈마 토치 반응기로서, 플라즈마 토치 내의 특정 위치에서 정확하게 반응을 제어하도록 구성된 플라즈마 토치 반응기에 관한 것이다.
전자파를 이용한 플라즈마토치로 합성 가스를 원료로 새로운 물질을 발생시키는 기술은 알려져 있다. 대한민국 등록특허 제 10-1166444호는 전자파로 발생한 이산화탄소 토치 및 그 응용에 관한 것으로, 그 목적은 이산화탄소가스를 전자파로 가열하여 순수한 이산화탄소 플라즈마 토치를 발생하고 발생된 이산화탄소 플라즈마에 기체, 액체 또는 고체 상태의 탄화수소 화합물을 공급하여 합성가스 원료를 생산함을 제시하고 있다. 또한, 대한민국 등록특허 제10-0375423호는 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 매연 제거 기술이 개시되어 있다.
이러한 플라즈마 토치를 이용한 합성 방법 및 장치들은 개발되고 소개되고 있지만, 플라즈마 토치 반응 결과물은 매 반응마다 균일하지 못하였고, 반응을 정확히 제어하는 문제점이 많았다.
본 발명자는 매 반응마다 반응 결과의 신뢰도가 낮은 이유, 그리고 반응을 정확히 제어하기 어려운 이유는 플라즈마 토치의 고유의 특성에 기인하는 것으로 판단하였다.
플라즈마 토치 반응기 내의 반응에 사용되는 반응 물질은 분말 형태 또는 기체 형태가 일반적이다. 그런데, 플라즈마 토치는 그 위치마다 온도 및 그 특성을 달리하기 때문에, 플라즈마 토치 내의 특정 위치에서의 반응의 제어는 필요하다. 또한 플라즈마 토치는 강한 물리적인 앞으로 전진하는 힘을 가지고 있는데, 플라즈마 토치에 투입되는 반응물질은 분말 형태 또는 기체 형태여서, 플라즈마 내 특정 지점에 상기 반응물질이 위치하는 시간은 매우 짧아, 원하는 반응을 발생시키기에 문제점이 많았다. 또한, 반응 후 남은 물질을 수거하기 위한 구성에 대한 필요성이 있다.
이에, 본 발명자는 이러한 문제점을 인식하고, 연구 끝에, 아래와 같은 구성을 도입함으로서, 종래 갖은 플라즈마 토치 반응기위 문제점을 해결하여, 신뢰도 높은 반응을 제공하고, 정확한 반응의 제어가 가능한, 플라즈마 토치 반응기를 개발하기에 이르렀다.
본 발명은, 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치로서, 플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 반응재료를 공급하는 반응재료 공급부, 상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부, 및 반응기를 포함하며, 상기 반응기는 상기 플라즈마 발생부의 상기 플라즈마 소스 가스가 주입되는 반대편 위치하고, 상기 플라즈마 발생부로부터 발생된 플라즈마 소스 가스 플라즈마 토치가 위치하는 공간이며, 상기 반응기 내 상기 플라즈마 토치가 닿는 위치에 기판을 포함하고, 상기 반응재료 공급부는 상기 기판 위로 반응재료가 공급되도록 구성되는, 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치를 제공한다.
상기 장치는, 상기 반응기에 설치되어 상기 플라즈마 토치와 반응한 반응재료 및 반응 결과물을 흡입 방식으로 수집하도록 구성된 수집부를 추가로 포함한다.
반응기에는 반응 후 남은 물질로서, 미반응 반응재료 및 반응 결과물이 반응기 내에 존재한다. 상기 반응 후 반응기에 남은 물질의 상은 액상, 기상, 고체 상 등일 수 있다. 이러한 반응 후 남은 물질을 밀폐된 반응기에 설치된 수집부를 통해 흡입 방식으로 수집된다. 이러한 흡입 방식의 수집은 수집 대상 물질의 상에 의존하지 않는다.
본원 발명의 장치는, 기판 위치 제어부를 포함한다. 상기 기판 위치 제어부는 상기 반응기 내에서 상기 플라즈마 토치의 종방향에 따라 기판을 이동하도록 구성된다. 기판의 위치 제어를 위한 특정된 방식은 본 발명의 특징이 아니며, 기판을 원하는 위치에 이동시킬 수 있는 다양한 방식이 본 발명에 사용될 수 있음은 인식될 것이다.
상기 마이크로웨이브 발생부는, 상기 플라즈마 발생기로 고주파를 전송할 수 있는 다양한 방식이 가능함은 인식될 것이다.
본 발명은, 마이크로웨이브 발생부의 일 예로서, 마이크로웨이브 발진기, 및 마이크로웨이브 전송라인을 포함하는 마이크로웨이브 발생부를 제시한다. 상기 플라즈마 발생부는 상기 마이크로웨이브 전송 라인의 종단에 위치하며, 상기 마이크로웨이브 발진기로부터 발생한 전자파는 마이크로웨이브 전송라인을 통해 상기 플라즈마 발생부로 전송된다.
본 발명의 장치는 공급 되는 반응 물질, 특히 분말을 상기 플라즈마 토치로 정확하게 공급하고, 공급된 금속 분말의 상기 이산화탄소 플라즈마 토치 하에서 반응을 제어하기 용이하도록 한다.
본 발명의 장치는 상기 반응기에 설치되어, 상기 플라즈마 토치와 반응하는 반응물질 및 반응 결과물을 흡입 방식으로 수집하도록 구성된 수집부를 추가로 포함한다. 합성물의 용이한 수거를 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이산화탄소 플라즈마를 이용한 합성가스 제조 장치를 개념적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 이산화탄소 플라즈마를 이용한 합성가스 제조 장치를 더욱 구체적으로 예시한다.
도 3은 플라즈마 발생부(150) 및 반응기(170)의 더욱 자세히 설명하는 도면이다.
도 4은 기판 및 수집부를 포함하는 본 발명의 플라즈마 토치 반응기의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 이산화탄소 플라즈마를 이용한 합성가스 제조 장치를 더욱 구체적으로 예시한다.
도 3은 플라즈마 발생부(150) 및 반응기(170)의 더욱 자세히 설명하는 도면이다.
도 4은 기판 및 수집부를 포함하는 본 발명의 플라즈마 토치 반응기의 개략도이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자파를 이용한 플라즈마 토치 발생 장치를 개념적으로 나타낸 블록도이다.
플라즈마 토치 발생 장치에 대해서는 본원 특허의 발명자의 이전 등록 특허인, 대한민국 특허공보 10-0394994호가 참조된다. 이 특허는 본원에 그대로 참조로서 통합된다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 장치는 전원공급부(110), 마이크로웨이브 발진기(120), 마이크로웨이브 전송라인(130), 재료공급부(140), 플라즈마 발생부(150), 이산화탄소주입부(160), 및 반응기(170)를 포함한다.
상기 전원공급부(110)는 전파전압배율기와 펄스 및 직류(DC)장치로 구성되어 상기 마이크로웨이브 발진기(120)로 전력을 공급하도록 구성된다.
상기 마이크로웨이브 발진기(120)는 10 ㎒ 내지 10 ㎓ 대역의 전자파를 발진하는 마그네트론이 사용된다. 바람직하게는 상기 마이크로웨이브 발진기(120)는 2.45㎓ 전자파를 발진한다.
상기 마이크로웨이브 전송라인(130)은 도파관으로서, 상기 마이크로웨이브를 플라즈마 발생부(150)로 전송하도록 구성된다.
상기 플라즈마 발생부(150)는 상기 마이크로웨이브 전송라인(130)의 종단에 설치되어 상기 마이크로웨이브 전송라인(130)을 통해 입력되는 전자파에 의해 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하도록 구성된다.
상기 이산화탄소주입부(160)는 이산화탄소 플라즈마 토치가 발생되도록, 플라즈마 발생부(150) 내에 주입되도록 구성된다. 도 3이 참조된다.
상기 반응기(170)는 상기 플라즈마 발생부로부터 상기 이산화탄소주입부의 주입 방향에 따른 반대편에 생성된 이산화탄소 플라즈마 토치가 위치하는 공간이다.
상기 재료공급부(140)는 상기 반응기로, 반응재료를 공급하도록 구성된다. 특히, 상기 재료공급부(140)는 상기 이산화탄소 플라즈마 토치로, 반응재료를 공급하도록 구성된다.
도 2는 본 발명의 이산화탄소 플라즈마를 이용한 합성가스 제조 장치를 더욱 구체적으로 예시한다.
전원공급부(110)는 마이크로웨이브 발진기(120)로 전력을 공급한다. 상기 마이크로웨이브 발진기는 전자파를 발생시킨다. 상기 발생된 전자파는 순차적으로 순환기(210), 방향성 결합기(220), 정합기(230), 및 마이크로웨이브 전송라인(130)을 통해 플라즈마 발생부(150)로 전송된다.
플라즈마 발생부(150) 및 반응기(170)의 더욱 자세한 설명은 도 3이 참조된다.
상기 이산화탄소 가스는 상기 플라즈마 발생부(150)의 일 측을 통해 주입된다.
이산화탄소 플라즈마 토치는 이산화탄소가 상기 플라즈마 발생부(150)로 공급되고, 상기 마이크로웨이브 전송라인(130)을 통해 전자파가 플라즈마 발생부(150)로 전송되면서, 상기 반응기(170)에 생성된다.
상기 이산화탄소 플라즈마 토치(310)의 임의의 선택된 위치로 상기 재료공급부(140)를 통해 반응재료(320)가 공급된다.
도 4은 기판 및 수집부를 포함하는 본 발명의 플라즈마 토치 반응기의 개략도이다.
반응기(170) 내 상기 플라즈마 토치가 닿는 위치에 기판(410)을 포함하고, 상기 기판(410) 위에 상기 공급부(140)를 통해 반응 재료(420)가 공급된다.
본 발명의 장치는 수집부(430)를 추가로 포함한다. 상기 수집부(430)는 상기 반응기(170)에 설치되고, 상기 플라즈마 토치(440)와 반응하는 반응 재료 및 반응 결과물을 흡입 방식으로 수집하도록 구성된 수집부를 추가로 포함한다. 합성물의 용이한 수거를 제공한다.
또한, 본 발명의 장치는 기판 위치 제어부(도시되지 않음)를 포함하며, 상기 기판 위치 제어부는 상기 반응기 내에서 상기 이산화탄소 플라즈마 토치의 종방향에 따라 기판을 이동하도록 구성된다. 상기 이산화탄소 플라즈마 토치의 원하는 위치에서 상기 금속 분말의 반응이 제어되도록 한다.
Claims (4)
- 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치로서,
상기 장치는,
플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 반응재료를 공급하는 반응재료 공급부, 상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부, 및 반응기를 포함하며,
상기 반응기는 상기 플라즈마 발생부의 상기 플라즈마 소스 가스가 주입되는 반대편 위치하고, 상기 플라즈마 발생부로부터 발생된 플라즈마 소스 가스 플라즈마 토치가 위치하는 공간이며,
상기 반응기 내 상기 플라즈마 토치가 닿는 위치에 기판을 포함하고,
상기 반응재료 공급부는 상기 기판 위로 반응재료가 공급되도록 구성되는,
플라즈마 토치를 이용한 반응 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 반응기에 설치되어, 상기 플라즈마 토치와 반응하는 반응재료 및 반응 결과물을 흡입 방식으로 수집하도록 구성된 수집부를 추가로 포함하는,
플라즈마 토치를 이용한 반응 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
기판 위치 제어부를 포함하며,
상기 기판 위치 제어부는 상기 반응기 내에서 상기 플라즈마 토치의 종방향에 따라 기판을 이동하도록 구성되는,
플라즈마 토치를 이용한 반응 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 발생부는, 마이크로웨이브 발진기, 및 마이크로웨이브 전송라인을 포함하며,
상기 플라즈마 발생부는 상기 마이크로웨이브 전송 라인의 종단에 위치하며,
상기 마이크로웨이브 발진기로부터 발생한 전자파는 마이크로웨이브 전송라인을 통해 상기 플라즈마 발생부로 전송되는,
플라즈마 토치를 이용한 반응 장치.
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