KR20140027432A - Solar cell module - Google Patents

Solar cell module Download PDF

Info

Publication number
KR20140027432A
KR20140027432A KR1020140007996A KR20140007996A KR20140027432A KR 20140027432 A KR20140027432 A KR 20140027432A KR 1020140007996 A KR1020140007996 A KR 1020140007996A KR 20140007996 A KR20140007996 A KR 20140007996A KR 20140027432 A KR20140027432 A KR 20140027432A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
layer
disposed
cell module
scattering
Prior art date
Application number
KR1020140007996A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이호민
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140007996A priority Critical patent/KR20140027432A/en
Publication of KR20140027432A publication Critical patent/KR20140027432A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Abstract

The present invention relates to a solar cell module. According to an embodiment of the present invention, the solar cell module comprises a solar cell panel including multiple solar cells; a scattering layer on the solar cell panel, including optical scattering particles; and a reflection prevention layer on the scattering layer. The solar cell module according to an embodiment of the present invention prevents sunlight exposed to the solar cell module from being totally reflected using the reflection prevention layer; and increases the amount of light incidence.

Description

태양전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

실시예는 산란층 및 반사 방지층을 포함하는 태양전지 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to a solar cell module including a scattering layer and an antireflection layer.

최근 심각한 환경 오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인해, 신·재생에너지에 대한 필요성 및 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 무공해 에너지 원으로 기대되고 있다. Due to serious environmental pollution and depletion of fossil energy, the necessity and interest for new and renewable energy are increasing. Among them, solar cells are expected to be a pollution-free energy source that can solve future energy problems due to their low pollution, infinite resources and semi-permanent lifespan.

태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.A solar cell can be defined as a device that converts light energy into electric energy by using a photovoltaic effect that generates electrons when light is applied to a p-n junction diode. The solar cell can be classified into a silicon solar cell, a compound semiconductor solar cell represented by group I-III-VI or III-V, a dye-sensitized solar cell, and an organic solar cell, depending on materials used as a junction diode.

I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다. CIGS (CuInGaSe) solar cell, which is one of the I-III-VI family chalcopyrite compound semiconductors, has excellent light absorption, high photoelectric conversion efficiency even at a thin thickness, and excellent electro- It is emerging as an alternative solar cell.

태양전지 모듈에서 생성되는 전기량은 빛의 양에 비례한다. 따라서, 태양전지 모듈의 효율을 높이기 위해서는, 태양전지의 광 흡수층으로 입사되는 태양광의 최대한 증가시킬 수 있는 구조가 필요하다. 이와 관련하여, 커버 글라스(cover glass) 표면에 돌기 처리를 하거나, 반사 방지막을 코팅 하는 등 다양한 연구가 진행되고 있다.The amount of electricity generated by the solar cell module is proportional to the amount of light. Accordingly, in order to increase the efficiency of the solar cell module, a structure capable of maximally increasing the sunlight incident on the light absorbing layer of the solar cell is required. In this regard, various studies have been conducted, such as protruding treatment on the cover glass surface or coating an anti-reflection film.

실시예는 태양광의 반사율을 감소시키고, 태양광의 산란을 증가시켜, 향상된 광-전 변환효율을 가지는 태양전지 모듈을 제공하고자 한다.Embodiments provide a solar cell module having an improved photoelectric conversion efficiency by reducing the reflectance of sunlight and increasing scattering of sunlight.

제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 다수개의 태양전지 셀들을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되며, 광 산란 입자를 포함하는 산란층; 및 상기 산란층 상에 배치되는 반사 방지층을 포함한다.The solar cell module according to the first embodiment includes a solar cell panel including a plurality of solar cells; A scattering layer disposed on the solar cell panel and including light scattering particles; And an anti-reflection layer disposed on the scattering layer.

제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 다수개의 태양전지 셀들을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 반사 방지층; 및 상기 반사 방지층 상에 배치되며, 광 산란 입자를 포함하는 산란층을 포함한다.The solar cell module according to the second embodiment includes a solar cell panel including a plurality of solar cell cells; An anti-reflection layer disposed on the solar cell panel; And a scattering layer disposed on the anti-reflection layer and including light scattering particles.

제 3 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층; 및 상기 전면 전극층 상에 배치되며, 광 산란 입자를 포함하는 반사 방지층을 포함한다.The solar cell module according to the third embodiment includes a rear electrode layer disposed on a support substrate; A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; A front electrode layer disposed on the light absorbing layer; And an anti-reflection layer disposed on the front electrode layer and including light scattering particles.

실시예에 따른 태양전지 모듈은 반사 방지층을 형성함으로써, 태양전지 모듈로 입사되는 태양광이 전반사 되는 것을 방지하고, 입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광 산란 입자는 입사된 빛을 고르게 분산시킴으로써 상대적으로 많은 양의 빛을 태양전지 모듈에 전달 할 수 있다. The solar cell module according to the embodiment may prevent the total reflection of sunlight incident to the solar cell module by forming an anti-reflection layer and increase the amount of incident light. In addition, the light scattering particles according to the embodiment can transmit a relatively large amount of light to the solar cell module by uniformly dispersing the incident light.

이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 향상된 광-전 변환 효율을 제공할 수 있다.Accordingly, the solar cell module according to the embodiment may provide improved photoelectric conversion efficiency.

도 1 내지 도 4는 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도들이다.
도 5 내지 도 6은 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도들이다.
도 7 내지 도 8은 제 3 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도들이다.1 to 4 are cross-sectional views illustrating a cross section of the solar cell module according to the first embodiment.
5 to 6 are cross-sectional views illustrating a cross section of the solar cell module according to the second embodiment.
7 to 8 are cross-sectional views illustrating a cross section of the solar cell module according to the third embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, in the case where each substrate, layer, film or electrode is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer, film, , "On" and "under" all include being formed "directly" or "indirectly" through "another element". In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1 내지 도 4는 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도들이다. 도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2..)을 포함하는 태양전지 패널(100, 200), 광 산란 입자(400)를 포함하는 산란층(300) 및 상기 산란층(300) 상에 배치되는 반사 방지층(500)을 포함한다. 1 to 4 are cross-sectional views illustrating a cross section of the solar cell module according to the first embodiment. 1 to 4, a solar cell module according to an embodiment includes solar cell panels 100 and 200 including a plurality of solar cells C1 and C2 .. and light scattering particles 400. The scattering layer 300 and the anti-reflection layer 500 disposed on the scattering layer 300 is included.

상기 태양전지 패널은 지지기판(100) 및 상기 지지기판 상에 배치되는 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2..)로 이루어진다. 또한, 상기 다수개의 태양전지 셀들은 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 후면 전극층(10), 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층(20), 상기 광 흡수층(20) 상에 배치되는 버퍼층(30), 상기 버퍼층(30) 상에 배치되는 고저항 버퍼층(40) 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층(50)을 포함한다. The solar panel is composed of a support substrate 100 and a plurality of solar cells (C1, C2 ..) disposed on the support substrate. In addition, the plurality of solar cells may include a back electrode layer 10 disposed on the support substrate 100, a light absorbing layer 20 disposed on the back electrode layer, and a buffer layer disposed on the light absorbing layer 20. 30), a high resistance buffer layer 40 disposed on the buffer layer 30, and a front electrode layer 50 disposed on the buffer layer.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2..), 산란층(300), 광 산란 입자(400), 및 반사 방지층(400)을 지지한다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있고 리지드하거나 플렉서블할 수 있다. 또한, 상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다.The support substrate 100 has a plate shape and supports a plurality of solar cells C1 and C2..., A scattering layer 300, a light scattering particle 400, and an antireflection layer 400. The support substrate 100 may be transparent and rigid or flexible. Also, the supporting substrate 100 may be an insulator.

예를 들어, 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다.For example, the support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. In more detail, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. Alternatively, a ceramic substrate such as alumina, stainless steel, a flexible polymer, or the like may be used as the support substrate 100.

상기 후면 전극층(10)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 상기 후면 전극층(10)에는 제 1 관통홈들(P1)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(P1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다.The back electrode layer 10 may be formed of any one of molybdenum (Mo), gold (Au), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W), and copper (Cu). Among them, molybdenum (Mo) has a smaller difference in thermal expansion coefficient than the support substrate (100) in comparison with other elements, so that it is possible to prevent peeling phenomenon from occurring due to its excellent adhesion. First through holes P1 may be formed in the rear electrode layer 10. The first through holes P1 are open regions exposing the top surface of the support substrate 100.

상기 광 흡수층(20)은 상기 후면 전극층(10) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(20)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(20)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2; CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 20 is disposed on the back electrode layer 10. The light absorbing layer 20 includes an I-III-VI compound. For example, the light absorbing layer 20 may be formed of a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) (Se, S) 2 ; CIGSS-based) crystal structure, copper-indium-selenide-based, or copper- It may have a gallium-selenide-based crystal structure.

상기 광 흡수층(20)은 상기 후면 전극층(10)의 일부를 노출시키는 제 2 관통홈들(P2)을 포함하며, 상기 제 2 관통홈(P2)에 의해서, 상기 광 흡수층(300)은 다수 개의 광 흡수부들로 구분된다. The light absorbing layer 20 includes second through holes P2 exposing a part of the rear electrode layer 10, and the light absorbing layer 300 is formed by the second through holes P2. It is divided into light absorbing portions.

상기 버퍼층(30)은 상기 광 흡수층(20) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(30)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(40)은 상기 버퍼층(30) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(40)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. The buffer layer 30 is disposed on the light absorbing layer 20. The buffer layer 30 includes cadmium sulfide, ZnS, In X S Y and In X Se Y Zn (O, OH). The high resistance buffer layer 40 is disposed on the buffer layer 30. The high resistance buffer layer 40 includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities.

상기 전면 전극층(50)은 상기 광 흡수층(20) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(50)은 상기 광 흡수층(20) 상의 고저항 버퍼층(40)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다. The front electrode layer 50 may be disposed on the light absorbing layer 20. For example, the front electrode layer 50 may be disposed in direct contact with the high resistance buffer layer 40 on the light absorbing layer 20.

상기 전면 전극층(50)은 투광성 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(50)은 n 형 반도체의 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 전면 전극층(50)은 상기 버퍼층(30)과 함께 n 형 반도체층을 형성하여 p 형 반도체층인 상기 광 흡수층(20)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(50)은 상기 전면 전극층(50)을 관통하는 제 3 관통홈들(P3)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 관통홈들(P3)에 의하여, 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2..)은 구분될 수 있다. The front electrode layer 50 may be formed of a transparent conductive material. In addition, the front electrode layer 50 may have characteristics of an n-type semiconductor. In this case, the front electrode layer 50 may form an n-type semiconductor layer together with the buffer layer 30 to form a pn junction with the light absorbing layer 20, which is a p-type semiconductor layer. The front electrode layer 50 may include third through holes P3 penetrating the front electrode layer 50. By the third through holes P3, a plurality of solar cells C1 and C2 .. may be distinguished.

상기 전면 전극층(50) 상에는 산란층(300)이 배치된다. 상기 산란층(300)은 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리아미드(PA), 폴리에스테르(PET) 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물로 이루어질 수 있다. 더 자세하게, 상기 산란층(300)은 에틸렌비닐아세테이트(EVA)로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 산란층(300)의 두께는 약 100 nm 내지 약 500 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The scattering layer 300 is disposed on the front electrode layer 50. The scattering layer 300 is composed of ethylene vinyl acetate (EVA), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC), polyamide (PA), polyester (PET) and combinations thereof It may consist of a compound selected from. In more detail, the scattering layer 300 may be made of ethylene vinyl acetate (EVA), but is not limited thereto. In addition, the thickness of the scattering layer 300 may be about 100 nm to about 500 nm, but is not limited thereto.

상기 산란층(300)은 광 산란 입자(400)를 포함한다. 즉, 상기 산란층(300)은 상기 언급한 유기 물질 상에 다수개의 광 산란 입자들이 분산되어 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The scattering layer 300 includes light scattering particles 400. That is, the scattering layer 300 may be formed by dispersing a plurality of light scattering particles on the above-mentioned organic material, but is not limited thereto.

상기 광 산란 입자(400)는 굴절률이 약 2 내지 약 3 이내의 것으로 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다. 예를 들어, 상기 광 산란 입자(400)는 TiO2, Ta2O5, SiO2, CaCo3, SnO2, Mb2O5, ZnS, ZnO2, MgF2, CeO2, Al2O3, HfO2, Na3LaF6, LaF6 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 산란 입자는 TiO2 또는 SiO2 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The light scattering particles 400 may be used without particular limitation as long as they have a refractive index of about 2 to about 3 and are commonly used in the art. For example, the light scattering particles 400 are TiO 2 , Ta 2 O 5, SiO 2 , CaCo 3 , SnO 2 , Mb 2 O 5 , ZnS, ZnO 2 , MgF 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 , It may include a material selected from the group consisting of HfO 2 , Na 3 LaF 6 , LaF 6 and combinations thereof. In more detail, the light scattering particles may be TiO 2 or SiO 2 , but is not limited thereto.

상기 광 산란 입자(400)의 평균 직경은 수백 나노 미터 내지 수십 마이크로 미터일 수 있다. 예를 들어, 상기 광 산란 입자(400)의 평균 직경은 약 10 ㎚ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 산란 입자(400)의 평균 직경은 약 10 nm 내지 약 50 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 광 산란 입자(400)의 크기가 작은 경우, 상기 산란층(300)의 투광성은 보다 향상될 수 있다. The average diameter of the light scattering particles 400 may be several hundred nanometers to several tens of micrometers. For example, the average diameter of the light scattering particles 400 may be about 10 nm to about 10 μm. In more detail, the average diameter of the light scattering particles 400 may be about 10 nm to about 50 nm, but is not limited thereto. When the size of the light scattering particles 400 is small, the light transmittance of the scattering layer 300 may be further improved.

또한, 상기 광 산란 입자(400)는 서로 다른 크기를 가지는 둘 이상의 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광 산란 입자는 서로 다른 크기를 가지는 제 1 산화물 입자와 상기 제 1 산화물 입자보다 크기가 큰 제 2 산화물 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 산화물 입자는 TiO2 입자이고, 상기 제 2 산화물 입자는 SiO2 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, the light scattering particles 400 may include two or more particles having different sizes. For example, the light scattering particles may include first oxide particles having different sizes and second oxide particles larger in size than the first oxide particles. For example, the first oxide particles may be TiO 2 particles, and the second oxide particles may be SiO 2 , but are not limited thereto.

상기 광 산란 입자(400)는 다양한 방법에 의하여 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 산란 입자(400)는 가스증발-응축법(Gas Evaporation Method), 기상합성법(Mixed Gas Method), 침전법(Precipitation), 분무건조법(Spray Drying) 또는 기계적 분쇄법(Mechanical Alloying) 등의 방법으로 제조될 수 있다. 이후, 상기 광 산란 입자(400)는 상기 산란층(300)에 분산된 후 상기 전면 전극층(50) 상에 스핀 코팅 등에 의해 도포될 수 있다. The light scattering particles 400 may be manufactured by various methods. For example, the light scattering particles 400 may be formed by a gas evaporation method, a mixed gas method, a precipitation method, a spray drying method, or a mechanical alloying method. ) And the like. Thereafter, the light scattering particles 400 may be dispersed in the scattering layer 300 and then coated on the front electrode layer 50 by spin coating.

도 1을 참조하면, 상기 태양전지 패널은 활성영역들(active Area; AA) 및 비활성영역들(non-active Area; NAA)을 포함한다. 상기 활성영역들(AA)은 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)이 배치되는 영역을, 상기 비활성영역들(NAA)은 각각의 상기 활성영역들(AA) 사이에 배치되는 영역을 의미한다. Referring to FIG. 1, the solar cell panel includes active areas AA and non-active areas NAA. The active regions AA mean regions where solar cells C1, C2, and C3 .. are disposed, and the inactive regions NAA indicate regions where the active regions AA are disposed between the active regions AA. do.

이 때, 상기 산란층(300)은 비활성 영역(NAA) 상에만 선택적으로 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 산란층(300)은 비활성 영역(NAA) 중 상기 제 3 관통홈(P3) 사이에만 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In this case, the scattering layer 300 may be selectively disposed only on the inactive region NAA. In more detail, the scattering layer 300 may be formed only between the third through holes P3 in the inactive region NAA, but is not limited thereto.

상기 반사 방지층(500)은 상기 산란층(300) 상에 배치된다. 상기 반사 방지층(500)은 태양전지의 반사 방지를 위하여 당업계에서 통상적으로 사용되는 물질이라면 특별히 제한없이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 방지층(500)Al2O3, Si3N4, TiO2, ZnS, MgF2 또는 LiF 을 포함할 수 있다. The anti-reflection layer 500 is disposed on the scattering layer 300. The anti-reflection layer 500 may be used without particular limitation as long as it is a material commonly used in the art for anti-reflection of the solar cell. For example, the anti-reflection layer 500 may include Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , TiO 2 , ZnS, MgF 2, or LiF.

도 2는 실시예에 따른 태양전지 모듈에 있어서, 반사 방지층(500) 및 광 산란 입자(400)를 포함하는 산란층(300)의 기능을 설명하는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 태양으로부터 태양전지 모듈로 입사되는 태양광(L1)은 매우 극소량의 광(L2)만이 일부 반사되고, 대부분의 입사광(L1)은 반사 방지막을 투과하게 된다. 즉, 반사 방지층을 형성함으로써, 태양전지 모듈로 입사되는 태양광이 전반사 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 투과된 광(L3)은 산란층(300)의 광 산란 입자(400)들에 의하여 광 흡수층(미도시)으로 고르게 분산되어 출사될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 입사되는 빛의 양을 증가시킴과 동시에, 빛을 고르게 분산함으로써 광-전 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 2 is a cross-sectional view illustrating a function of the scattering layer 300 including the anti-reflection layer 500 and the light scattering particles 400 in the solar cell module according to the embodiment. Referring to FIG. 2, only a very small amount of light L2 is partially reflected by sunlight L1 incident to the solar cell module from the sun, and most incident light L1 passes through the anti-reflection film. That is, by forming the antireflection layer, it is possible to prevent the total reflection of the solar light incident on the solar cell module. In addition, the transmitted light L3 may be evenly distributed to the light absorbing layer (not shown) by the light scattering particles 400 of the scattering layer 300 and emitted. That is, the solar cell module according to the embodiment may increase the amount of incident light and at the same time, evenly distribute the light to improve the photo-electric conversion efficiency.

도 3을 참조하면, 상기 반사 방지층(500)은 패터닝 될 수 있다. 상기 반사 방지층(500)은 상기 산란층(300) 상에 베이스층(510) 및 상기 베이스층(510) 상에 돌기 패턴(520)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 반사 방지층(500)은 베이스층(510) 없이 전부가 돌기 패턴(520)으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3, the anti-reflection layer 500 may be patterned. The anti-reflection layer 500 may include a base layer 510 on the scattering layer 300 and a protrusion pattern 520 on the base layer 510, but is not limited thereto. For example, the anti-reflection layer 500 may be entirely formed of the protrusion pattern 520 without the base layer 510.

상기 돌기 패턴(510)은 입사광의 반사를 보다 방지할 수 있는 크기 또는 형태라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 돌기 패턴(510)은 수 나노 미터 내지 수십 나노 미터의 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 돌기 패턴(510)은 상기 베이스층(510)에 대하여 경사지는 제 1 경사면(521) 및 상기 제 1 경사면(521)과 다른 방향으로 연장되는 제 2 경사면(522)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 경사면(521) 및 상기 제 2 경사면(522)은 대향되게 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 경사면(521)과 상기 베이스층(510)간의 각도(θ1) 및 상기 제 2 경사면(522)과 상기 베이스층(510) 간의 각도(θ2)는 각각 약 20° 내지 약 60° 일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 상기 θ1과 θ2는 서로 같거나 다른 값을 가질 수 있다. The protrusion pattern 510 is not particularly limited as long as it is a size or shape that can more effectively prevent the reflection of incident light. For example, the protrusion pattern 510 may have a size of several nanometers to several tens of nanometers. In addition, the protrusion pattern 510 may include a first inclined surface 521 inclined with respect to the base layer 510 and a second inclined surface 522 extending in a direction different from the first inclined surface 521. . The first inclined surface 521 and the second inclined surface 522 may be formed to face each other. Further, the first angle between the first inclined surface 521 and the base layer 510, an angle (θ 1) and the second inclined surface 522 and the base layer 510, between the (θ 2) is about 20 ° each to about 60 °, but is not limited thereto. In addition, θ 1 and θ 2 may have the same or different values.

도 4를 참조하면, 상기 산란층(300)은 패터닝 될 수 있다. 이 때, 상기 산란층(300)은 상기 반사 방지층(500)의 돌기 패턴(520)과 대응되는 형상으로 패터닝 될 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 상기 산란층(300)은 베이스층(310) 및 상기 베이스층(310) 상에 배치되며, 제 1 경사면(321) 및 제 2 경사면(322)을 가지는 돌기 패턴(320)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the scattering layer 300 may be patterned. In this case, the scattering layer 300 may be patterned in a shape corresponding to the protrusion pattern 520 of the anti-reflection layer 500. For example, referring to FIG. 5, the scattering layer 300 is disposed on the base layer 310 and the base layer 310, and has a protrusion having a first inclined surface 321 and a second inclined surface 322. The pattern 320 may be included.

한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 반사 방지층(520) 상에는 고분자 접착층(미도시)이 추가로 배치될 수 있다. 상기 고분자 접착층(미도시)은 상기 태양전지 패널과 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 보호 패널(미도시) 간의 접착력을 향상 시킬 뿐만 아니라, 외부의 충격으로부터 상기 태양전지 패널을 보호할 수 있다. 상기 고분자 접착층은 상기 산란층(300)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 접착층은 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지 층일 수 있다. Although not shown in the drawings, a polymer adhesive layer (not shown) may be additionally disposed on the anti-reflection layer 520. The polymer adhesive layer (not shown) may not only improve adhesion between the solar cell panel and a protection panel (not shown) disposed on the solar cell panel, but may also protect the solar cell panel from external impact. The polymer adhesive layer may be made of the same material as the scattering layer 300. For example, the polymer adhesive layer may be an ethylene vinyl acetate (EVA) resin layer.

도 5 및 도 6은 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시하는 단면도들이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈에 있어서, 상기 산란층(300)은 상기 반사 방지층(500) 상에 배치될 수 있다. 본 제 2 실시예에서는 앞서 설명한 제 1 실시예에 대한 내용은 모두 적용될 수 있으며, 편의상 중복 기재를 생략한다. 5 and 6 are cross-sectional views showing a cross section of the solar cell module according to the second embodiment. 5 and 6, in the solar cell module according to the second embodiment, the scattering layer 300 may be disposed on the anti-reflection layer 500. In the second embodiment, all the descriptions of the above-described first embodiment may be applied, and duplicate descriptions are omitted for convenience.

상기 광 산란 입자(400)를 포함하는 산란층(300)은 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 산란 입자(400)가 TiO2 입자인 경우, 티탄 알콕사이드나 염화티탄의 가수분해 및 수열반응으로 합성하거나 상용 이산화 티탄(Degussa P-25, Showa-Denko F-5)등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 광 산란 입자(400)가 SiO2 입자인 경우, TEOS를 알코올과 암모니아 수의 혼합 용액에서 반응시키는 스토버(Stober)법으로 합성할 수 있다. 이후, 상기 광 산란 입자(400)를 포함하는 용액에 전색제, 고분자 결합제 및 분산제 등을 더 포함하여 페이스트를 제조하고, 상기 페이스트를 상기 반사 방지층(500) 상에 도포한다. 도포 방법으로는 스크린 프린트법 또는 닥터 블레이드법을 이용할 수 있으며, 도포 후, 상기 페이스트를 소성함으로써 상기 산란층(300)을 제조할 수 있다. The scattering layer 300 including the light scattering particles 400 may be formed by various methods. For example, when the light scattering particles 400 are TiO 2 particles, they are synthesized by hydrolysis and hydrothermal reaction of titanium alkoxide or titanium chloride, or commercially available titanium dioxide (Degussa P-25, Showa-Denko F-5). Can be used. In addition, when the light scattering particles 400 are SiO 2 particles, the light scattering particles 400 may be synthesized by a Stober method in which TEOS is reacted in a mixed solution of alcohol and ammonia water. Thereafter, a paste including a colorant, a polymer binder, a dispersant, and the like is further included in the solution including the light scattering particles 400, and the paste is applied onto the anti-reflection layer 500. As the coating method, a screen printing method or a doctor blade method may be used, and after the coating, the scattering layer 300 may be manufactured by baking the paste.

도 7 및 도 8은 제 3 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시하는 단면도들이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 제 3 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판(100), 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 후면 전극층(10), 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층(20), 상기 광 흡수층(20) 상에 배치되는 버퍼층(30), 상기 버퍼층(30) 상에 배치되는 고저항 버퍼층(40), 상기 고저항 버퍼층(40) 상에 배치되는 전면 전극층(50), 상기 전면 전극층(50) 상에 배치되며, 광 산란 입자(400)를 포함하는 반사 방지층(500)을 포함할 수 있다. 즉, 제 3 실시예에 따른 태양전지 모듈은 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 달리, 산란층(300)은 생략될 수 있다. 상기 광 산란 입자(400)는 상기 반사 방지층(500)내에서 규칙적 또는 불규칙적으로 분포될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 산란 입자(400)는 상기 반사 방지층(500)의 베이스층(510)에 집중적으로 분포될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
7 and 8 are cross-sectional views showing a cross section of the solar cell module according to the third embodiment. 7 and 8, the solar cell module according to the third embodiment includes a support substrate 100, a rear electrode layer 10 disposed on the support substrate 100, and a light absorbing layer disposed on the rear electrode layer. 20, a buffer layer 30 disposed on the light absorbing layer 20, a high resistance buffer layer 40 disposed on the buffer layer 30, and a front electrode layer 50 disposed on the high resistance buffer layer 40. The anti-reflection layer 500 may be disposed on the front electrode layer 50 and include light scattering particles 400. That is, in the solar cell module according to the third embodiment, the scattering layer 300 may be omitted, unlike the first and second embodiments. The light scattering particles 400 may be regularly or irregularly distributed in the antireflection layer 500. For example, the light scattering particles 400 may be concentrated in the base layer 510 of the anti-reflection layer 500, but is not limited thereto.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (12)

다수개의 태양전지 셀들을 포함하는 태양전지 패널;
상기 태양전지 패널 상에 배치되며, 광 산란 입자를 포함하는 산란층; 및
상기 산란층 상에 배치되는 반사 방지층을 포함하고,
상기 태양전지 패널은,
지지기판;
상기 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 태양전지 패널은, 상기 태양전지 셀들이 배치되는 활성영역들(active Area; AA) 및 상기 활성영역들 사이에 배치되는 비활성영역들(non-active Area; NAA)을 포함하고,
상기 산란층은 상기 비활성영역 상에 배치되고,
상기 광 산란 입자는, TiO2, Ta2O5, SiO2, CaCo3, SnO2, Mb2O5, ZnS, ZnO2, MgF2, CeO2, Al2O3, HfO2, Na3LaF6, LaF6 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 태양전지 모듈.A solar cell panel including a plurality of solar cells;
A scattering layer disposed on the solar cell panel and including light scattering particles; And
An anti-reflection layer disposed on the scattering layer,
In the solar cell panel,
A support substrate;
A rear electrode layer disposed on the support substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; And
A front electrode layer disposed on the light absorbing layer,
The solar cell panel includes active areas (AA) in which the solar cells are disposed and non-active areas (NAA) disposed between the active areas,
The scattering layer is disposed on the inactive region,
The light scattering particles are TiO 2 , Ta 2 O 5, SiO 2 , CaCo 3 , SnO 2 , Mb 2 O 5 , ZnS, ZnO 2 , MgF 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2 , Na 3 LaF 6 , LaF 6 and a solar cell module comprising a material selected from the group consisting of a combination thereof. 제 1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 Al2O3, Si3N4, TiO2, ZnS, MgF2 또는 LiF 를 포함하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The anti-reflection layer is a solar cell module containing Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , TiO 2 , ZnS, MgF 2 or LiF. 제 1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 돌기 패턴을 포함하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The anti-reflection layer is a solar cell module comprising a projection pattern. 제 3 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 상기 돌기 패턴을 포함하고,
상기 돌기 패턴은 상기 베이스층에 대하여 경사지는 제 1 경사면; 및
상기 제 1 경사면과 다른 방향으로 연장되는 제 2 경사면을 포함하는 태양전지 모듈.The method of claim 3, wherein
The anti-reflection layer includes a base layer and the protrusion pattern disposed on the base layer.
The protrusion pattern may include a first inclined surface inclined with respect to the base layer; And
A solar cell module comprising a second inclined surface extending in a direction different from the first inclined surface. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 경사면과 상기 베이스층 간의 각도 및 상기 제 2 경사면과 상기 베이스층 간의 각도는 각각 20° 내지 60° 태양전지 모듈.5. The method of claim 4,
The angle between the first inclined surface and the base layer and the angle between the second inclined surface and the base layer are each 20 ° to 60 ° solar cell module. 제 4 항에 있어서,
상기 산란층은 상기 돌기 패턴에 대응되는 형상으로 패터닝 된 태양전지 모듈.5. The method of claim 4,
The scattering layer is a solar cell module patterned in a shape corresponding to the protrusion pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 산란층은 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리아미드(PA), 폴리에스테르(PET) 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The scattering layer is selected from the group consisting of ethylene vinyl acetate (EVA), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC), polyamide (PA), polyester (PET) and combinations thereof The solar cell module. 제 1 항에 있어서,
상기 광 산란 입자는 서로 다른 크기를 가지는 제 1 산화물 입자 및 제 2 산화물 입자를 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The light scattering particles are solar cell modules of the first oxide particles and the second oxide particles having different sizes. 제 1 항에 있어서,
상기 반사 방지층 상에 배치되는 고분자 접착층을 추가 포함하는 태양전지 모듈. The method of claim 1,
The solar cell module further comprises a polymer adhesive layer disposed on the anti-reflection layer. 다수개의 태양전지 셀들을 포함하는 태양전지 패널;
상기 태양전지 패널 상에 배치되는 반사 방지층; 및
상기 반사 방지층 상에 배치되며, 광 산란 입자를 포함하는 산란층을 포함고,
상기 태양전지 패널은,
지지기판;
상기 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 태양전지 패널은, 상기 태양전지 셀들이 배치되는 활성영역들(active Area; AA) 및 상기 활성영역들 사이에 배치되는 비활성영역들(non-active Area; NAA)을 포함하고,
상기 산란층은 상기 비활성영역 상에 배치되고,
상기 광 산란 입자는, TiO2, Ta2O5, SiO2, CaCo3, SnO2, Mb2O5, ZnS, ZnO2, MgF2, CeO2, Al2O3, HfO2, Na3LaF6, LaF6 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 태양전지 모듈.A solar cell panel including a plurality of solar cells;
An anti-reflection layer disposed on the solar cell panel; And
Disposed on the anti-reflection layer, the scattering layer comprising light scattering particles;
In the solar cell panel,
A support substrate;
A rear electrode layer disposed on the support substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; And
A front electrode layer disposed on the light absorbing layer,
The solar cell panel includes active areas (AA) in which the solar cells are disposed and non-active areas (NAA) disposed between the active areas,
The scattering layer is disposed on the inactive region,
The light scattering particles are TiO 2 , Ta 2 O 5, SiO 2 , CaCo 3 , SnO 2 , Mb 2 O 5 , ZnS, ZnO 2 , MgF 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2 , Na 3 LaF 6 , LaF 6 and a solar cell module comprising a material selected from the group consisting of a combination thereof. 제 10 항에 있어서,
상기 산란층은 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 돌기 패턴을 포함하고,
상기 돌기 패턴은 상기 베이스층에 대하여 경사지는 제 3 경사면; 및
상기 제 3 경사면과 다른 방향으로 연장되는 제 4 경사면을 포함하는 태양전지 모듈.11. The method of claim 10,
The scattering layer includes a base layer and a projection pattern disposed on the base layer,
The protrusion pattern may include a third inclined surface inclined with respect to the base layer; And
A solar cell module comprising a fourth inclined surface extending in a direction different from the third inclined surface. 제 11 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 상기 돌기 패턴에 대응하는 형상으로 패터닝 된 태양전지 모듈.The method of claim 11,
The anti-reflection layer is a solar cell module patterned in a shape corresponding to the protrusion pattern.
KR1020140007996A 2014-01-22 2014-01-22 Solar cell module KR20140027432A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140007996A KR20140027432A (en) 2014-01-22 2014-01-22 Solar cell module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140007996A KR20140027432A (en) 2014-01-22 2014-01-22 Solar cell module

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110109246A Division KR20130044901A (en) 2011-10-25 2011-10-25 Solaa cell module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140027432A true KR20140027432A (en) 2014-03-06

Family

ID=50641372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140007996A KR20140027432A (en) 2014-01-22 2014-01-22 Solar cell module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140027432A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1001252S1 (en) 2019-05-23 2023-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Air conditioner

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1001252S1 (en) 2019-05-23 2023-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Air conditioner

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5178705B2 (en) Non-planar solar unit assembly with internal spacing
US7947893B2 (en) Solar cell and solar cell module
US20090084439A1 (en) TCO-based hybrid solar photovoltaic energy conversion apparatus
JP2011129925A (en) Solar cell module using semiconductor nanocrystal
KR20110005444A (en) Tandem solar cell
KR101523246B1 (en) Double buffer comprising ZnS and solar cell using the same, and a method of manufacturing them
CN102082190B (en) Solar battery and manufacturing method thereof
US6936865B2 (en) Visible light transmitting structure with photovoltaic effect
KR20140027432A (en) Solar cell module
KR101173418B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
US20110259398A1 (en) Thin film solar cell and method for manufacturing the same
KR101541415B1 (en) Solar cells with enhanced substrate and its manufacturing method
KR101349554B1 (en) Solar cell module
KR101577420B1 (en) Buffer layer comprising In, Se or Ga and thin film solar cell using the same, and a method of manufacturing them
KR20130044901A (en) Solaa cell module
KR20100086925A (en) Solar cell
KR101306450B1 (en) Solar cell module and method of fabricating the same
KR101557020B1 (en) Scattering metal-layer coated electrode and solar cell using the same, and a method of manufacturing them
KR101806548B1 (en) Solar cell module
KR101272998B1 (en) Solar cell and solar cell module unsing the same
KR20130045494A (en) Solar cell module and preparing method of the same
KR20220132976A (en) Energy conversion optical device and method of manufacturing the same
KR20100070732A (en) Solar cell
JP6776118B2 (en) Solar cell module
CN205723574U (en) Solar panel using light guide assembly

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
WITN Withdrawal due to no request for examination