KR20140026945A - 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템 - Google Patents

플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20140026945A
KR20140026945A KR1020120093014A KR20120093014A KR20140026945A KR 20140026945 A KR20140026945 A KR 20140026945A KR 1020120093014 A KR1020120093014 A KR 1020120093014A KR 20120093014 A KR20120093014 A KR 20120093014A KR 20140026945 A KR20140026945 A KR 20140026945A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
electrode
electrodes
shielding
power
Prior art date
Application number
KR1020120093014A
Other languages
English (en)
Inventor
김용환
김진배
Original Assignee
주식회사 인포비온
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 인포비온 filed Critical 주식회사 인포비온
Priority to KR1020120093014A priority Critical patent/KR20140026945A/ko
Publication of KR20140026945A publication Critical patent/KR20140026945A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 관한 것이다. 상기 차폐 장치는, 전압 조절이 가능한 전원 공급원; 및 중앙에 중공부가 형성된 전기 전도성 재질의 전극으로 이루어지며, 상기 전극은 상기 전원 공급원과 연결되어 전원 공급원으로부터 전원이 제공되고, 상기 중공부는 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 배치되는 차폐 부재;를 구비하고, 상기 전극에 전원이 인가되면 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 이온 및 전자가 상기 중공부로 유입되고, 상기 유입된 이온 및 전자의 진행 경로가 차폐 부재의 전기장에 의해 변경된다.

Description

플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 장치{Plasma shielding apparatus for removing the plasma damage and Sputtering apparatus using the plasma shielding apparatus}
본 발명은 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 플라즈마로부터 방출된 전자, 음이온, 양이온과 같은 전하를 갖는 하전 입자들이 기판에 도달되지 못하도록 하여, 증착 필름이 플라즈마로 인한 데미지를 받는 것을 최소화시킬 수 있도록 하는 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
기판위에 박막을 증착시키기 위한 스퍼터링 장치는 증착할 물질로 이루어진 타겟의 표면에 생성된 플라즈마의 양이온을 타겟의 표면과 충돌시켜 타겟의 입자를 분리시킨 후, 분리된 타겟의 입자를 기판의 표면에 도달되도록 하여, 기판의 표면에 타겟의 입자를 증착시키는 장치이다.
이러한 장비를 이용하여 기판의 표면에 타겟 물질을 증착시킬 때, 타겟의 입자와 함께 플라즈마를 구성하는 전자, 음이온 및 양이온들도 기판에 도달하게 되고, 이렇게 기판에 도달한 전자, 음이온 및 양이온들은 에너지를 갖고 있기 때문에, 증착 필름이 손상을 받게 된다. 이와 같이 플라즈마로부터 방출된 이온이나 전자들에 의해 증착 필름이 손상됨에 따라, 이러한 손상된 증착 필름은 기판에 형성된 소자들의 특성을 저하시키는 원인으로 작용하게 된다.
한국 공개특허공보 제 10-1998-079752호 한국 공개특허공보 제 10-2006-0101292호
전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 에너지를 갖는 전자, 음이온 및 양이온들이 기판의 표면에 도달하지 못하도록 하는 차폐 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전술한 차폐 장치를 장착하여 플라즈마 데미지를 감소시킬 수 있는 플라즈마 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치는, 전압 조절이 가능한 전원 공급원; 및 중앙에 중공부가 형성된 전기 전도성 재질의 전극으로 이루어지며, 상기 전극은 상기 전원 공급원과 연결되어 전원 공급원으로부터 전원이 제공되고, 상기 중공부는 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 배치되는 차폐 부재;를 구비하고, 상기 전극에 전원이 인가되면 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 이온 및 전자가 상기 중공부로 유입되고, 상기 유입된 이온 및 전자의 진행 경로가 차폐 부재의 전기장에 의해 변경된다.
전술한 특징에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 있어서, 상기 차폐 부재는 적어도 둘 이상의 전극들을 구비하고, 상기 둘 이상의 전극은 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 일정거리 이격되어 순차적으로 배치되고, 서로 인접한 전극들은 서로 반대 극성의 전원이 각각 공급되는 것이 바람직하다.
전술한 특징에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 있어서, 상기 전극은 원 또는 다각형 형상의 링(ring) 구조로 이루어진 것이 바람직하다.
전술한 특징에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 있어서, 상기 전극의 중공부의 면적은 플라즈마 생성 영역의 면적보다 크고 본체의 전기장이 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출되어 중공부로 유입된 전자나 이온의 진행 경로를 변경시킬 수 있도록 설정된 것이 바람직하다.
전술한 특징에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 있어서, 상기 차폐 부재는 서로 마주보도록 배치된 적어도 둘 이상의 전극들을 구비하고, 서로 인접한 전극들은 서로 반대 극성의 전원이 각각 공급되는 것이 바람직하며, 상기 둘 이상의 전극들은 원 또는 다각형 형상의 링(ring) 및 사각형 또는 모든 형상의 플라즈마 생성 장치의 전극으로 적용 가능한 형태가 사전 설정된 개수로 분할되어 이격 배치된 것이 바람직하다.
전술한 특징에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치에 있어서, 상기 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치는 서로 마주보도록 배치된 전극들로 이루어진 적어도 둘 이상의 차폐 부재를 구비하고, 상기 차폐 부재는 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 순차적으로 배치되며, 서로 인접한 차폐 부재의 전극들은 서로 반대 극성의 전원이 각각 공급되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 특징에 따른 스퍼터링 장치는, 전술한 특징을 갖는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치가 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 배치된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치를 플라즈마 생성 영역과 기판의 사이에 배치시킴으로써, 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 전자, 음이온, 양이온과 같이 전하를 갖는 하전 입자들을 흡수하여 제거하거나 진행 경로를 변경시켜, 이들이 기판의 표면으로 도달하지 못하도록 한다.
그 결과, 원치 않는 전하를 갖는 입자들이 기판의 표면에 도달하지 못하도록 함으로써, 이러한 입자들에 의해 증착 필름이 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치의 단면도(a) 및 정면도(b)를 예시적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 차폐 장치를 스퍼터링 장치에 배치한 상태 및 동작을 개념적으로 도시한 것이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 차폐 장치를 도시한 단면도 및 전극을 도시한 정면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 차폐 장치를 도시한 단면도 및 전극을 도시한 정면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 차폐 장치를 도시한 단면도 및 전극을 도시한 정면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치의 구조 및 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.
제1 실시예
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치의 단면도(a) 및 정면도(b)를 예시적으로 도시한 것이다.
도 1 을 참조하면, 본 발명에 따른 차폐 장치(100)는 전원 공급원(110) 및 차폐 부재(120)를 구비한다. 상기 전원 공급원(110)은 사전 설정된 전압을 상기 차폐 부재로 제공한다. 상기 차폐 부재(120)는 중앙에 중공부('a')가 형성된 전기 전도성 재질의 전극으로 이루어지며, 상기 전원 공급원과 연결되어 전원 공급원으로부터 전원이 제공되면 전기장이 형성된다. 상기 전극은 원이나 다각형 형상의 링(ring) 구조로 형성되거나, 서로 대향 배치된 평행 전극 구조로 형성될 수 있으며, 상기 전극은 플라즈마 생성 장치의 형태에 적용 가능한 것은 모두 사용할 수 있다. 상기 전원 공급원은 출력 전압을 조절 가능한 것이 바람직하다.
상기 중공부가 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 놓여지도록 상기 전극을 배치시켜, 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출되는 양이온, 음이온 및 전자가 상기 중공부로 유입되도록 한다. 상기 중공부의 면적은 플라즈마 생성 영역의 면적보다 크고, 전극에 인가된 전원에 의해 형성되는 전기장이 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출되어 중공부로 유입된 전자나 이온의 이동에 영향을 미칠 수 있도록 설정된 것이 바람직하다.
상기 전극에 전원이 인가되어 전극의 주변에 전기장이 형성되면, 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출되어 상기 중공부로 유입되는 전자, 양이온, 음이온 중 일부는 전기장에 의해 전극으로 이동하고, 전극을 통해 흡수되어 제거된다. 또한, 강한 전기장에 의해 상기 중공부로 유입되는 전자, 양이온, 음이온과 같은 하전 입자는 전기장에 의해 의하여 이동 경로가 변경되어 기판 홀더에 도달하지 못하게 된다.
한편, 이와 같은 차폐 부재(120)의 형태는 원형 링의 형태로 제작되거나 다각형의 링의 형태로 제작될 수 있으며, 또한 대면적 코팅용 선형 타겟(linear target)의 경우 선형 타겟의 입구를 따라 선형 직사각형의 모양으로도 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 차폐 장치를 스퍼터링 장치에 배치한 상태 및 동작을 개념적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 차폐 장치(100)의 차폐 부재(120)는 스퍼터링 장치의 타겟(target) 전면에 형성된 플라즈마 생성 영역(200)과 기판(210)의 사이에 배치된다.
기판위에 박막을 증착시키기 위한 스퍼터링 장치는 증착할 물질로 이루어진 타겟의 표면에 생성된 플라즈마의 양이온을 타겟의 표면과 충돌시켜 타겟의 입자를 분리시킨 후, 분리된 타겟의 입자를 기판의 표면에 도달되도록 하여, 기판의 표면에 타겟의 입자를 증착시키는 장치이다. 이때, 타겟의 입자와 함께 플라즈마를 구성하는 전자, 음이온 및 양이온들과 같은 전하를 갖는 입자들이 플라즈마로부터 방출되어 기판으로 진행하게 된다.
전원 공급원은 상기 플라즈마 생성 영역과 기판의 사이에 배치된 차폐 부재의 전극에 전원을 인가하게 된다.
상기 전극에 + 전압을 인가하면, 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 전자 및 음이온은 전극과 연결된 폐루프(close loop) 회로를 통해 흡수되고, 양이온은 링 구조의 전극에 형성되는 전기장에 의해 기판의 외각으로 유도되어 기판에서 벗어나고, 그 결과 기판에 도달하지 못하게 된다. 상기 전극에 - 전압을 인가하면, 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 양이온은 전극과 연결된 폐루프 회로를 통해 흡수되고, 전자 및 음이온은 링 구조의 전극에 형성되는 전기장에 의해 기판의 외각으로 유도되어, 기판에 도달하지 못하게 된다.
이때, 전극에 의해 형성되는 전기장의 세기는 전극에 가하는 전압의 세기로 조절이 가능하고 이는 타겟과 기판사이의 거리, 및 타겟에 의해 형성되는 플라즈마 세기의 변화에 따라 조절될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
제2 실시예
도 3 및 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 차폐 장치를 도시한 단면도 및 전극을 도시한 정면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 차폐 장치(300, 400)는 차폐 부재(320, 420)가 둘 이상의 전극(322, 324, 422, 424, 426)으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 도 3에 도시된 바와 같이 차폐 부재(320)를 2개의 전극(322, 324)으로 구성하거나, 도 4에 도시된 바와 같이 차폐 부재(420)를 3개의 전극(422, 424, 426)으로 구성할 수 있다. 둘 이상의 전극은 기판과 플라즈마 생성 영역의 사이에 일정 거리 이격되어 순차적으로 배치되며, 서로 인접한 전극은 서로 다른 극성의 전원이 제공된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 차폐 부재가 2개의 전극으로 구성된 경우, 상부의 전극에 + 전압을 인가하고 하부의 전극에 - 전압을 인가하거나, 그 반대로 상부 전극에 - 전압을 인가하고 하부 전극에 + 전압을 인가하면, 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 전자와 음이온은 상부의 전극과 연결된 폐루프 회로를 통해 흡수되고, 양이온은 하부의 전극과 연결된 폐루프 회로를 통해 흡수된다. 또한, 이와 동시에 상부의 전극과 하부의 전극에 가해지는 전압들에 의해 주변에 형성된 +/- 전기장에 의해 전자, 음이온, 양이온이 기판의 외곽으로 경로를 변경하게 되고 기판에 도달하지 못하게 된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 차폐 부재(420)가 3개의 전극(422, 424, 426)으로 구성된 경우, 상부와 하부의 전극(422, 426)에는 + 전압을 인가하고 중간 전극(424)에는 - 전극을 인가하거나, 그 반대로 전원을 인가할 수도 있다.
그 결과, 전자, 음이온, 양이온이 폐루프 회로를 통해 흡수되어 제거되거나 전극에 인가된 전압에 의해 형성된 전기장에 의해 기판의 외곽으로 진행 경로를 변경하게 됨으로써, 전하를 갖는 입자들이 기판의 표면에 도달하지 못하게 되어 기판의 손상을 방지하게 된다.
제3 실시예
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 차폐 장치를 도시한 단면도 및 전극을 도시한 정면도이다. 도 5를 참조하면, 제3 실시예에 따른 차폐 장치(500)의 차폐 부재(520)는 반원 형태의 링으로 구성된 전극들(522, 524)로 이루어지며, 상기 전극들은 서로 마주보도록 배치되며, 서로 반대 극성의 전원이 인가된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 전극(522)에는 + 전압을 인가하고, 제2 전극(524)에는 - 전압을 인가하면, 전자, 음이온, 양이온이 각 전극들과 연결된 폐루프 회로를 통해 흡수되어 제거되거나, 각 전극에 의해 형성된 전기장에 의해 진행 경로가 기판의 외곽으로 변경되어 기판에 도달하지 못하게 된다.
제4 실시예
도 6 및 도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 차폐 장치를 도시한 단면도 및 전극을 도시한 정면도이다. 상기 제4 실시예에 따른 차폐 장치(600, 700)는 제3 실시예에 따른 차폐 부재를 적어도 둘 이상 구비하는 것을 특징으로 한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 차폐 부재들(620, 630)은 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 순차적으로 배치되며, 서로 인접한 차폐 부재들(620, 630)의 전극들(622, 624, 632, 634)은 서로 반대 극성의 전원이 제공되는 것이 바람직하다.
전술한 구조를 갖는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치는 플라즈마를 이용하는 스퍼터링 장치의 플라즈마 생성 영역과 기판의 사이에 배치되어 사용될 수 있다. 한편, 스퍼터링 장치는 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 전술한 구조의 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치를 더 구비함으로써, 증착 공정시에 기판의 손상을 방지할 수 있게 된다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 그리고, 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치는 반도체, 디스플레이, 그 밖의 박막 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 이용하는 장비에 널리 사용될 수 있다.
100, 300, 500, 600 : 차폐 장치
110 : 전원 공급원
120, 320, 520, 620, 630, 720, 720, 740 : 차폐 부재
200 : 플라즈마 생성 영역
210 : 기판
322, 324, 422, 424, 426, 522, 524, 622, 624, 632, 634, 722, 724, 732, 734, 742, 744 : 전극

Claims (9)

  1. 전원 공급원;
    중앙에 중공부가 형성된 전기 전도성 재질의 전극으로 이루어지며, 상기 전극은 상기 전원 공급원과 연결되어 전원 공급원으로부터 전원이 제공되고, 상기 중공부는 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 배치되는 차폐 부재;
    을 구비하고, 상기 전극에 전원이 인가되면 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출된 이온 및 전자가 상기 중공부로 유입되고, 상기 유입된 이온 및 전자의 진행 경로가 차폐 부재의 전기장에 의해 변경되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차폐 부재는 적어도 둘 이상의 전극들을 구비하고,
    상기 둘 이상의 전극은 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 일정거리 이격되어 순차적으로 배치되고,
    서로 인접한 전극들은 서로 반대 극성의 전원이 각각 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  3. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 원 또는 다각형 형상의 링(ring) 구조로 이루어지거나 서로 대향되는 평행 전극 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  4. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극의 중공부의 면적은 플라즈마 생성 영역의 면적보다 크고 본체의 전기장이 상기 플라즈마 생성 영역으로부터 방출되어 중공부로 유입된 전자나 이온의 이동에 영향을 미칠 수 있도록 설정된 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 차폐 부재는 서로 마주보도록 배치된 적어도 둘 이상의 전극들을 구비하고,
    서로 인접한 전극들은 서로 반대 극성의 전원이 각각 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 둘 이상의 전극들은 원 또는 다각형 형상의 링(ring),또는 평행 전극 구조가 사전 설정된 개수로 분할되어 이격 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  7. 제5항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치는 적어도 둘 이상의 차폐 부재를 구비하고, 상기 차폐 부재는 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 순차적으로 배치되며, 서로 인접한 차폐 부재의 전극들은 서로 반대 극성의 전원이 각각 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전원 공급원은 출력 전압을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치가 플라즈마 생성 영역과 기판 홀더의 사이에 배치된 것을 특징으로 한 스퍼터링 장치.
KR1020120093014A 2012-08-24 2012-08-24 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템 KR20140026945A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120093014A KR20140026945A (ko) 2012-08-24 2012-08-24 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120093014A KR20140026945A (ko) 2012-08-24 2012-08-24 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140026945A true KR20140026945A (ko) 2014-03-06

Family

ID=50641302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120093014A KR20140026945A (ko) 2012-08-24 2012-08-24 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140026945A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113727505A (zh) * 2020-05-25 2021-11-30 禅才株式会社 具有能拆卸的完全保护型除电模块的光电离器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113727505A (zh) * 2020-05-25 2021-11-30 禅才株式会社 具有能拆卸的完全保护型除电模块的光电离器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130081761A1 (en) Radical passing device and substrate processing apparatus
US11728135B2 (en) Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity
KR102630511B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP4808818B2 (ja) 低インピーダンスプラズマ
CN101828246B (zh) 通过电子回旋共振产生的等离子体基本源来处理至少一个零件的表面的方法
CN105097403B (zh) 等离子体处理装置
US10388528B2 (en) Non-ambipolar electric pressure plasma uniformity control
KR20160113534A (ko) 성막장치
CN111074214A (zh) 沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法
US10480062B2 (en) Sputtering apparatus and sputtering method using the same
KR20140026945A (ko) 플라즈마 데미지 제거용 차폐 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 시스템
CN112838159B (zh) 极化设备
JP6959447B2 (ja) スパッタ成膜装置
KR101005203B1 (ko) 대향 타겟식 스퍼터링 장치
KR102572537B1 (ko) 스퍼터링 캐소드, 스퍼터링 캐소드 집합체 및 스퍼터링 장치
KR101160919B1 (ko) 처리효율이 향상된 스퍼터 장치
KR20150056810A (ko) 플라즈마 소스
KR101173574B1 (ko) 기판처리방법
US20170125214A1 (en) Ion implantation tool and ion implantation method
KR20150012590A (ko) 대향타겟 스퍼터링 장치
KR20120091643A (ko) 스퍼터링 장비
KR20110105308A (ko) 스퍼터링 챔버
KR102523798B1 (ko) 마스크 홀더 및 이를 포함하는 기판처리장치
WO2012086229A1 (ja) スパッタリング装置
CN111945117A (zh) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application