KR20140011200A - 온도 측정 회로 - Google Patents

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KR20140011200A KR1020120078289A KR20120078289A KR20140011200A KR 20140011200 A KR20140011200 A KR 20140011200A KR 1020120078289 A KR1020120078289 A KR 1020120078289A KR 20120078289 A KR20120078289 A KR 20120078289A KR 20140011200 A KR20140011200 A KR 20140011200A
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백원진
김경욱
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 온도 측정 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 온도 측정 회로는 외부로부터의 클락 신호를 입력받아 온/오프 스위칭 동작하며, 상호 병렬로 접속된 복수의 스위치; 복수의 스위치에 그 일단이 각각 연결되고 타단은 상호 공통 접속되며, 해당 스위치의 온 시 유입된 전류에 의해 전압강하를 발생하는 복수의 저항; 외부로부터 클락 신호(아날로그 신호)를 입력받아 디지털 형태의 신호로 변환 출력하여 상기 복수의 스위치를 온/오프 제어하는 클락 카운터; IC 내부의 온도 변화를 감지하여 대응하는 전압 신호를 출력하는 온도 센서; 상기 저항을 거쳐 입력되는 전압(Vo)과 상기 온도 센서로부터의 출력 전압(Vd)을 비교하여 하이(high) 또는 로우(low) 신호를 출력하는 비교기를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, ADC를 사용하는 대신 복수의 저항과 단순한 스위치 어레이, 비교기, 카운터를 이용하여 회로를 구성함으로써, IC로 구현 시 작은 면적을 차지하여 면적에 대한 제한에서 자유롭고, 간단하면서도 사용하기 쉬운 온도 측정 회로의 제공이 가능하다.

Description

온도 측정 회로{Temperature measuring circuit}
본 발명은 온도 측정 회로에 관한 것으로서, 특히 IC(integrated circuit)로 구현할 시 비교적 작은 면적을 차지하여 면적에 대한 제한에서 자유로운 온도 측정 회로에 관한 것이다.
일반적으로 IC에서 온도를 측정하는 경우 온도센서로서 -2mV/℃의 온도 특성을 가지는 PN 접합의 순방향 전압을 이용하고 ADC(analog-to-digital convertor)를 이용하여 그 전압을 출력함으로써 온도를 측정하게 된다. 이때 원하는 성능을 만족시키기 위해 선택한 ADC와 온도센서의 설계가 복잡하고, 일반적으로 ADC와 주변회로로 인해 IC 내에서의 해당 기능을 구현하기 위한 면적이 비교적 커지게 된다. 이에 따라 종래 방식의 온도 측정 회로를 설계 및 제작함에 있어서 면적에 대한 제약을 많이 받게 된다.
한국 공개특허공보 공개번호 10-2010-0079184 한국 공개특허공보 공개번호 10-2010-0054748
본 발명은 이상과 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, ADC를 사용하는 대신 복수의 저항과 단순한 스위치 어레이 등을 이용하여 구성이 단순하면서도 사용하기 쉬우며, IC로 구현할 시 비교적 작은 면적을 차지하는 온도 측정 회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 온도 측정 회로는,
외부로부터의 클락 신호를 입력받아 온/오프 스위칭 동작하며, 상호 병렬로 접속된 복수의 스위치;
상기 복수의 스위치에 그 일단이 각각 연결되고 타단은 상호 공통 접속되며,해당 스위치의 온 시 유입된 전류에 의해 전압강하를 발생하는 복수의 저항;
외부로부터 클락 신호(아날로그 신호)를 입력받아 디지털 형태의 신호로 변환 출력하여 상기 복수의 스위치를 온/오프 제어하는 클락 카운터;
IC 내부의 온도 변화를 감지하여 대응하는 전압 신호를 출력하는 온도 센서;
상기 저항을 거쳐 입력되는 전압(Vo)과 상기 온도 센서로부터의 출력 전압 (Vd)을 비교하여 하이(high) 또는 로우(low) 신호를 출력하는 비교기를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 복수의 저항의 공통 접속 노드와 상기 비교기의 비반전 입력단 사이에는 상기 복수의 저항 중 적어도 하나의 저항에 유입된 전류가 흘러 발생한 전압강하에 의한 전압과 기준전압(Vref)을 비교하여 전압강하에 의한 전압이 기준전압보다 작을 경우 전압강하에 의한 전압을 증폭하여 출력하는 연산증폭기(OP Amp)가 더 설치된다.
또한, 상기 복수의 스위치로는 반도체 스위칭 소자가 사용될 수 있다.
또한, 상기 반도체 스위칭 소자는 바이폴라 접합형 트랜지스터(BJT) 또는 전계효과 트랜지스터(FET)일 수 있다.
또한, 상기 전계효과 트랜지스터는 산화금속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)일 수 있다.
또한, 상기 복수의 저항은 서로 다른 저항값을 가지며 상호 병렬 접속 관계를 갖는다.
이와 같은 본 발명에 의하면, ADC를 사용하는 대신 복수의 저항과 단순한 스위치 어레이, 비교기, 카운터를 이용하여 회로를 구성함으로써, IC로 구현 시 작은 면적을 차지하여 면적에 대한 제한에서 자유롭고, 간단하면서도 사용하기 쉬운 온도 측정 회로의 제공이 가능하다.
도 1은 IC 내에 구현된 종래 온도 측정 시스템을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 IC에서 온도 센서로 사용되는 다이오드의 순방향 전압의 온도 특성을 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 측정 회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 온도 측정 회로의 온도 센서의 전압(Vd)과 저항에 의한 전압강하 전압(Vo)에 대한 온도 특성을 보여주는 도면.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되지 말아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
여기서, 본 발명의 실시예에 대하여 본격적으로 설명하기에 앞서, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 종래 온도 측정 방식에 대해 먼저 살펴보기로 한다.
도 1은 IC 내에 구현된 종래 온도 측정 시스템을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, IC 내에 구현된 종래 온도 측정 시스템은 크게 IC 내부의 온도 변화를 감지하여 상응하는 전압 신호(Vd)로 출력하는 온도 센서(110)와, 온도 센서(110)로부터 출력된 전압 신호(Vd)(아날로그 신호)를 입력받아 디지털 신호로 변환하여 출력하는 ADC(120)와, 전류 Id를 조정함으로써 온도 센서(110)로부터 출력된 전압 신호(Vd)의 오프셋(offset)을 조절하는 전류조정기(130)로 구성되어 있다.
이상과 같은 종래 온도 측정 시스템에 있어서, 온도 센서(110)는 주변의 온도변화를 감지하여 온도에 따라 -2mV/℃의 특성을 나타내는 전압 Vd를 출력하고, ADC(120)는 온도 센서(110)로부터 출력된 전압 Vd(아날로그 신호)를 입력받아 디지털 신호로 변환하여 출력한다. 그리고, ADC(120)에서 출력된 디지털 신호(데이터)는 데이터 획득부(140)에서 입력받아 저장 및 사용하게 된다.
도 2는 IC에서 온도 센서로 사용되는 다이오드의 순방향 전압의 온도 특성을 보여주는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 다이오드(Qd)의 순방향 전압(Vd)은 온도가 상승함에 따라 낮아지는 반비례 특성을 나타낸다. 도 2에서 점선은, 이와 같은 다이오드(Qd)의 순방향 전압(Vd) 온도 특성에서 전류 Id를 조정함으로써 순방향 전압(Vd) 온도 특성의 오프셋을 조절할 수 있음을 나타낸다.
그런데, 이상과 같은 종래 온도 측정 시스템은 전술한 바와 같이, 원하는 성능을 만족시키기 위해 선택하게 되는 ADC와 온도 센서의 설계가 복잡하고, 일반적으로 ADC와 주변회로로 인해 IC 내에서의 해당 기능을 구현하기 위한 면적이 비교적 커지게 된다. 이에 따라 온도 측정 회로를 설계 및 제작함에 있어서 면적에 대한 제약을 많이 받게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 도출된 것으로서, ADC를 사용하는 대신 복수의 저항과 단순한 스위치 어레이 등을 이용하여 구성이 단순하면서도 사용하기 쉬우며, IC로 구현할 시 비교적 작은 면적을 차지하는 온도 측정 회로를 제공하고자 한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 측정 회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 온도 측정 회로는 복수의 스위치(310), 복수의 저항(320), 클락 카운터(330), 온도 센서(340), 비교기(350)를 포함하여 구성된다.
상기 복수의 스위치(310)(Q0,...,Qn-1)는 외부로부터의 클락 신호를 입력받아 온/오프 스위칭 동작하며, 개개의 스위치들은 상호 병렬로 접속된다. 이와 같은 복수의 스위치(310)로는 반도체 스위칭 소자가 사용될 수 있다. 이때, 반도체 스위칭 소자는 바이폴라 접합형 트랜지스터(BJT) 또는 전계효과 트랜지스터(FET)일 수 있다. 또한, 바람직하게는 상기 전계효과 트랜지스터로는 산화금속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)가 사용된다.
상기 복수의 저항(320)(2n-1R, 2n-2R,...,R)은 상기 복수의 스위치(310)에 그 일단이 각각 연결되고 타단은 상호 공통 접속되며, 해당 스위치의 온(ON) 시 유입된 전류에 의해 전압강하를 발생한다. 이와 같은 복수의 저항(320)은 서로 다른 저항값을 가지며 상호 병렬 접속 관계를 갖는다.
상기 클락 카운터(330)는 외부로부터 클락 신호(아날로그 신호)를 입력받아 디지털 형태의 신호로 변환 출력하여 상기 복수의 스위치(310)를 온/오프 제어한다.
상기 온도 센서(340)는 IC 내부의 온도 변화를 감지하여 대응하는 전압(Vd) 신호를 출력한다.
상기 비교기(350)는 상기 저항(320)을 거쳐 입력되는 전압(Vo)과 상기 온도 센서(340)로부터의 출력 전압(Vd)을 비교하여 하이(high) 또는 로우(low) 신호를 출력한다.
여기서, 바람직하게는 상기 복수의 저항(320)의 공통 접속 노드(N)와 상기 비교기(350)의 비반전 입력단 사이에는 상기 복수의 저항(320) 중 적어도 하나의 저항에 유입된 전류가 흘러 발생한 전압강하에 의한 전압과 기준전압(Vref)을 비교하여 전압강하에 의한 전압이 기준전압보다 작을 경우 전압강하에 의한 전압을 증폭하여 출력하는 연산증폭기(OP Amp)(360)가 더 설치된다.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 온도 측정 회로는 기본적인 동작에 있어서는 종래 방식의 온도 측정 시스템의 동작과 유사하다. 하지만, 본 발명의 온도 측정 회로에 있어서는 온도 센서(340)의 출력인 Vd 전압을 측정하기 위해, ADC를 사용하지 않고 최대 전압(Vomax)에서 일정 간격의 전압(Voresolution)만큼씩 감소하다가 최소 전압(Vomin)에서 다시 최대 전압(Vomax)으로 복귀하는 것을 반복하는 전압(Vo)을 온도 센서(340)의 출력 전압(Vd)과 비교기(350)에서 비교하고, 비교기 (350)의 출력이 로우(low)에서 하이로(high)로 변환되는 순간(EOC; end of conversion)에 Vo 발생에 관여한 클락 카운터(330)의 출력을 읽어서 온도 센서 (340)의 출력인 Vd의 전압을 알아낸다. 이때 클락 카운터(330)의 출력은 디지탈 코드로써 데이터 획득부(370)에서 입력받아 저장 및 사용하게 된다. 도 3에서 참조번호 380은 전류조정기를 나타낸다.
여기서, EOC와 클락 카운터(330)의 출력을 이용하여 온도 센서(340)의 출력전압(Vd)을 알아내는 것에 대하여 부연 설명해 보기로 한다.
EOC 라이징 에지(rising edge) 시, 클락 카운터(330)의 출력값(Qn-1,Qn-2,Qn-3,,,,Q0)을 읽으면, 온도 센서(340)의 전압(Vd)을 알 수 있게 되며, 온도로 환산 가능하게 된다.
이때, Vo, Voresolution, Vomax, Vomin을 수식 관계로 나타내면 다음과 같다.
Vo = Vref-(Vin-Vref)(Q0/2n-1 + Q1/2n-2 + Q2/2n-3 +...+ Qn-1)
= Vref-(Vin-Vref)/2n-1(Q0 + 21Q1 + 22Q2 + 23Q3 +...+ 2n-1Qn-1)
Voresolution = Vref-(Vin-Vref)/2n-1
Vomax = Vref (모든 Qn-i = 0, i= 1, 2,...,n)
Vomin = Vref-(Vin-Vref)/2n-1(2n-1) (모든 Qn-i = 1, i= 1, 2,...,n)
예를 들면, n=3일 경우,
Vo = Vref-(Vin-Vref)/23-1(Q0 + 21Q1 +...+ 23-1Q3-1)
= Vref-(Vin-Vref)/22(Q0 + 21Q1 + 22Q2)
= Vref-(Vin-Vref)/4(Q0 + 2Q1 + 4Q2)
n=3의 경우, 클락 카운터의 출력을 [표 1]로 정리하면 다음과 같다.
< n=3일 때, 클락 카운터의 출력 >
Q 2 Q 1 Q 0 Vo
0 0 0 Vref
0 0 1 Vref-(Vin-Vref)/4×1
0 1 0 Vref-(Vin-Vref)/4×2
0 1 1 Vref-(Vin-Vref)/4×3
1 0 0 Vref-(Vin-Vref)/4×4
1 0 1 Vref-(Vin-Vref)/4×5
1 1 0 Vref-(Vin-Vref)/4×6
1 1 1 Vref-(Vin-Vref)/4×7
한편, 도 4는 본 발명에 따른 온도 측정 회로의 온도 센서의 전압(Vd)과 저항에 의한 전압강하 전압(Vo)에 대한 온도 특성을 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 온도 센서(340)(Qd)의 순방향 전압(Vd)은 온도가 상승함에 따라 Vomax에서 Vomin으로 선형적으로 점차 낮아지는 반비례 특성을 나타냄을 알 수 있다. 이와 같은 온도 특성은 종래 방식의 온도 측정 시스템에 의한 온도 특성과 거의 같으며, 따라서 ADC를 사용하지 않고도 복수의 저항과 단순한 스위치 어레이 및 비교기에 의해 IC 내부의 온도 변화를 비교적 정확하게 측정해 낼 수 있음을 알 수 있다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 온도 측정 회로는 ADC를 사용하는 대신 복수의 저항과 단순한 스위치 어레이, 비교기, 카운터를 이용하여 회로를 구성함으로써, IC로 구현 시 작은 면적을 차지하여 면적에 대한 제한에서 자유롭고, 간단하면서도 사용하기 쉬운 온도 측정 회로의 제공이 가능하다.
이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변경, 응용될 수 있음은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 다음의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110,340...온도 센서 120...ADC(analog-to-digital convertor)
130,380...전류조정기 140,370...데이터 획득부
310...스위치 320...저항
330...클락 카운터 350...비교기
360...연산증폭기

Claims (6)

  1. 외부로부터의 클락 신호를 입력받아 온/오프 스위칭 동작하며, 상호 병렬로 접속된 복수의 스위치;
    상기 복수의 스위치에 그 일단이 각각 연결되고 타단은 상호 공통 접속되며,해당 스위치의 온 시 유입된 전류에 의해 전압강하를 발생하는 복수의 저항;
    외부로부터 클락 신호(아날로그 신호)를 입력받아 디지털 형태의 신호로 변환 출력하여 상기 복수의 스위치를 온/오프 제어하는 클락 카운터;
    IC 내부의 온도 변화를 감지하여 대응하는 전압 신호를 출력하는 온도 센서;
    상기 저항을 거쳐 입력되는 전압(Vo)과 상기 온도 센서로부터의 출력 전압 (Vd)을 비교하여 하이(high) 또는 로우(low) 신호를 출력하는 비교기를 포함하는 온도 측정 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 저항의 공통 접속 노드와 상기 비교기의 비반전 입력단 사이에는 상기 복수의 저항 중 적어도 하나의 저항에 유입된 전류가 흘러 발생한 전압강하에 의한 전압과 기준전압(Vref)을 비교하여 전압강하에 의한 전압이 기준전압보다 작을 경우 전압강하에 의한 전압을 증폭하여 출력하는 연산증폭기(OP Amp)가 더 설치된 온도 측정 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 스위치는 반도체 스위칭 소자인 온도 측정 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 바이폴라 접합형 트랜지스터(BJT) 또는 전계효과 트랜지스터(FET)인 온도 측정 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전계효과 트랜지스터는 산화금속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)인 온도 측정 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 저항은 서로 다른 저항값을 가지며 상호 병렬 접속 관계를 갖는 온도 측정 회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102085449B1 (ko) * 2018-10-05 2020-03-05 주식회사 엘지화학 온도 센서의 비교 검증 시스템 및 비교 검증 방법, 온도 센서의 비교 검증 시스템을 포함하는 배터리 관리 시스템

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KR102085449B1 (ko) * 2018-10-05 2020-03-05 주식회사 엘지화학 온도 센서의 비교 검증 시스템 및 비교 검증 방법, 온도 센서의 비교 검증 시스템을 포함하는 배터리 관리 시스템

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