KR20140010686A - Equipment for controlling by-product in exhaustion line and pump used for process chamber in semiconductor field and control method for the same - Google Patents

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Abstract

Provided is a pump cleaning apparatus of a semiconductor process system that includes a reaction gas generation part for generating reaction gas active species supplied to a fore line; and a control part for controlling the operation of the reaction gas generation part. The pump cleaning apparatus is equipment for controlling a byproduct and a pump of a semiconductor process system including a fore line between a pump and a process chamber, a pump connected to a process chamber, and the process chamber for a semiconductor process.

Description

반도체 공정 펌프 및 배기라인의 부산물 제어 방법{Equipment for controlling by-product in exhaustion line and pump used for process chamber in semiconductor field and control method for the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of controlling a semiconductor process pump and a by-product of an exhaust line,

본 발명은 반도체 공정 세정펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 펌프의 제어 상태를 고려하여, 펌프를 효과적으로 세정하거나 부산물이 내벽에 흡착되는 것을 방지할 수 있는 반도체 공정 펌프와 배기라인의 부산물을 제어하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor process cleaning pump and an apparatus for controlling byproducts of an exhaust line and a control method thereof. More particularly, the present invention relates to a semiconductor process cleaning pump, And more particularly, to a device and method for controlling byproducts of a semiconductor process pump and an exhaust line.

반도체 소자 제조공정 중에서 부산물제어는 기본적으로 공정 안정성을 확보하여야만 되는 중요한 공정이라 할 수 있다. 현재의 반도체 소자 제조기술에서는 매우 미세한 패턴의 형성 및 가공 등이 요구되고 있으며, 이를 위해서는 당연히 초청정 환경이 필요하고, 다시 그것을 유지하기 위한 표면처리, 세정기술 등이 필요함은 당연하다. By-product control in the semiconductor device manufacturing process is basically an important process that must secure process stability. In the present semiconductor device fabrication technology, very fine patterns are required to be formed and processed, and in order to achieve this, an ultra clean environment is naturally required, and it is natural that a surface treatment and a cleaning technique are required to maintain it again.

이러한 반도체 공정이 수행되는 공정챔버는 공정 중 발생하는 부산물을 제거하기 위한 진공을 인가하는 펌프와 연결되어 있는데, 반도체 공정 중 발생하는 부산물이 배기 중 상기 펌프에 쌓여 세정 공정의 효율을 떨어뜨리는 문제가 있다. The process chamber in which such a semiconductor process is performed is connected to a pump for applying vacuum to remove by-products generated during the process. The problem that the byproducts generated during the semiconductor process accumulates in the pump during the exhaust process, have.

이러한 부산물은 보통 쉽게 액화되는 물질, 수분 혹은 암모니아등에 의해 점착성을 가지며 이로 인하여 펌프나 배기라인의 내벽에 쉽게 점착된다. These byproducts are usually tacky due to easily liquefied material, moisture or ammonia, and thus easily adhere to the inner wall of the pump or exhaust line.

보통 수분은 공정가스들의 반응에 의해 생성이되거나, 배관 등의 리크(leak)에 의해 유입된 공기에 포함될수 있다. 또한 암모니아, TEOS, TEPO 등은 저진공에서 쉽게 액화되는 물질 등은 공정 중에 사용되는 물질들이며, 이러한 물질들이 배기라인을 통하여 펌프로 유입되면서 온도나 압력 등의 변화에 의해 쉽게 액화되어 부산물의 점착을 유발하고 있다.Normally, the water may be generated by the reaction of the process gases, or may be included in the air introduced by leaks such as piping. In addition, ammonia, TEOS, and TEPO are substances that are easily liquefied in low vacuum during the process. These substances are easily liquefied by changes in temperature or pressure as they enter the pump through the exhaust line, .

본 발명은 플라즈마를 이용하여, 플로린을 포함하는 활성종가스를 생성한후 배기란인이나 펌프에 유입시켜, 부산물과 직접 반응하여 제거하거나, 더 나아가 내부에 존재하는 수분 혹은 쉽게 액화되어 점착성을 유발하는 물질과 반응시켜 제거함으로써, 부산물이 점착성을 가지지 않고 건조한 상태로 빠져나가게 한다.The present invention generates an active species gas containing florin by using a plasma, and then flows it into an exhaust pipe or a pump to directly react with by-products to remove it, or furthermore, to cause tackiness due to moisture present inside or easily liquefied. By reacting with the material to be removed, the by-products leave the dry state without being tacky.

보통은 고체상태의 부산물과 반응하여 부산물을 가스화하는 역할보다, 기체 혹은 액체 상태의 점착성 유발물질들과의 반응하는 더 쉽게 일어난다고 볼수있다. 이러한 기체-액채/혹은 기체 반응이, 기체-고체 간의 반응보다 훨씬 적은 에너지로 쉽게 일어나며, 이는 반응가스의 양과 에너지를 줄일 수 있는 방법이다.It is usually easier to react with gaseous or liquid tacky substances than to react with solid byproducts to gasify byproducts. This gas-liquefied / gas reaction easily occurs with much less energy than gas-solid reactions, which is a way to reduce the amount and energy of the reactive gas.

예로, F 라디컬은 수분과 반응하여 아래와 같이 분해된다.For example, the F radical reacts with water and decomposes as follows.

2F* + H2O → 2HF + 2O2 2F * + H 2 O - > 2HF + 2O 2

또한 암모니아 (NH3)와 격렬하게 아래와 같이 반응하여 제거가 가능하다.It can also be removed by reacting violently with ammonia (NH3) as follows.

F* + NH3 →NH4F 또는 NH4HF2 (점착성 없는 파우더 형태임)F * + NH 3 ? NH 4 F or NH 4 HF 2 (in the form of a non-sticky powder)

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 효과적으로 펌프, 배기라인의 부산물을 제어할 수 있는 방법과 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for effectively controlling by-products of pumps and exhaust lines.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 공정이 진행되는 공정챔버, 상기 공정챔버와 연결된 펌프, 및 상기 공정챔버와 펌프 사이의 포어라인을 포함하는 반도체 공정 시스템의 펌프 부산물을 제어하는 장치로서, 상기 포어라인으로 주입되는 반응가스 활성종을 생성하기 위한 반응가스 생성부; 및 상기 반응가스 생성부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치를 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention provides an apparatus for controlling a pump byproduct of a semiconductor process system including a process chamber in which a semiconductor process is performed, a pump connected to the process chamber, and a foreline between the process chamber and the pump, A reaction gas generator for generating reactive gas active species injected into the foreline; And a controller for controlling the operation of the reaction gas generator. The apparatus for controlling the byproduct of the pump and the exhaust line of the semiconductor process system is provided.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 반응가스 생성부는 리모트 플라즈마 공급장치(RPS)이고, 상기 반응가스는 플로린 포함가스이다. In an embodiment of the present invention, the reaction gas generator is a remote plasma feeder (RPS), and the reaction gas is a florine-containing gas.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제어부는 상기 펌프의 모터 전류나 펌프 내부의 압력 정보를 입력받아, 상기 모터 전류나 펌프내부의 압력이 기설정된 수치 이상으로 상승하는 경우, 상기 반응가스 생성부가 반응가스 활성종을 생성시킨다. In an embodiment of the present invention, the control unit receives the motor current of the pump or the pressure information inside the pump, and when the pressure of the motor current or the pressure inside the pump rises above a predetermined value, Gas active species.

본 발명은 또한 상술한 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인 부산물의 제어방법으로, 상기 제어부는, 상기 펌프의 모터 전류 및 펌프내부압력을 검출하는 단계; 상기 검출된 모터 전류 및 펌프내부압력이 기설정된 수치 이상인 경우, 상기 반도체 공정이 진행되는 공정챔버의 동작 상태가 공정 진행 중인지를 판단하는 단계; 상기 공정챔버의 동작 상태가 공정 진행 중이 아니면, 상기 반응가스 생성부의 누적 작동 시간이 기설정된 수치 범위 이하인지를 판단하는 단계; 상기 반응반응가스 생성부의 누적 작동 시간이 기설정된 수치 범위 이하이면, 상기 반응가스 생성부에서의 반응가스 활성종 생성을 허용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정 시스템의 펌프 세정 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치의 제어방법을 제공한다. The present invention also provides a method for controlling pumps and exhaust line byproducts of the semiconductor processing system, wherein the control unit comprises: detecting a motor current and a pump internal pressure of the pump; Determining whether an operation state of the process chamber in which the semiconductor process is proceeding is in progress if the detected motor current and the pressure inside the pump are greater than a predetermined value; Determining whether the cumulative operation time of the reaction gas generator is less than a preset numerical value if the operation state of the process chamber is not in progress; And permitting generation of reaction gas active species in the reaction gas generating section when the cumulative operation time of the reaction gas generating section is within a predetermined numerical value range. By-product of the process gas.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 반응가스 생성부의 누적 작동 시간은 기설정된 시간구간위 동안 누적된 작동 시간이다.In an embodiment of the present invention, the cumulative operation time of the reaction gas generator is an accumulated operation time over a predetermined time interval.

본 발명에 따르면, 반도체 공정 중 발생하는 부산물이 펌프나 배기라인에 누적됨으로써 발생하는 문제를, 플라즈마 공정에 의하여 활성화된 반응가스로 해결한다. 특히 활성화된 반응가스를 포어라인에 주입하고, 이를 펌프 및 배기라인으로 흘림으로써 펌프나 배기라인의 부산물을 점 등을 제어할 수 있다. 더 나아가, 펌프의 모터 전류 및 펌프내부의 압력 정보, 챔버의 동작 상태 및 반응 공정의 누적 시간을 모두 고려하여, 공정 장치에 손상을 주지 않는 범위 내에서 효과적인 펌프 및 배기라인의 부산물제어가 가능하다. According to the present invention, problems caused by accumulation of byproducts generated during semiconductor processing in a pump or an exhaust line are solved by a reactive gas activated by a plasma process. Particularly, the activated reaction gas is injected into the foreline, and it is flowed to the pump and the exhaust line, so that the by-products of the pump and the exhaust line can be controlled. Further, by taking into consideration both the motor current of the pump and the pressure information inside the pump, the operating condition of the chamber, and the cumulative time of the reaction process, it is possible to effectively control the by-product of the pump and the exhaust line without damaging the processing apparatus .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배라인의 부산물제어장치의 모식도이다.
도 2 내지 5는 본 발명의 일 실시에에 따른 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물제어 공정을 설명하는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic diagram of a by-product control apparatus for a pump and a ship line of a semiconductor process system according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIGS. 2 to 5 are diagrams illustrating a process for controlling by-products of a pump and an exhaust line of a semiconductor processing system according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 따른, 펌프 및 배기라인의 부산물제어 장치 및 제어방법에 대하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown.

이하의 실시 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 상세한 설명이며, 본 발명의 권리 범위를 제한하는 것이 아님은 당연할 것이다. 따라서, 본 발명과 동일한 기능을 수행하는 균등한 발명 역시 본 발명의 권리 범위에 속할 것이다. The following embodiments are detailed description to help understand the present invention, and it should be understood that the present invention is not intended to limit the scope of the present invention. Accordingly, equivalent inventions performing the same functions as the present invention are also within the scope of the present invention.

또한 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In addition, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, it is to be noted that the same constituent elements are denoted by the same reference numerals even though they are shown in different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the component of this invention, terms, such as 1st, 2nd, A, B, (a), (b), can be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; may be "connected," "coupled," or "connected. &Quot;

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여, 공정챔버와 상기 공정챔버에 진공 또는 저압을 인가하기 위한 펌프 사이의 배기라인인 포어라인으로 플라즈마화된 반응 가스(이하 반응가스 활성종)를 직접 주입한다. 특히 본 발명은 리모트 플라즈마 소스(RPS)를 이용하여, 공정 시스템 외부에서 반응가스 활성종(예를 들어 NF3 등과 같은 플로린 함유 가스의 라디칼종)을 생성하고, 이를 직접 포어라인으로 주입한다. 상기 주입된 반응가스 활성종은 포어라인을 통하여 펌프로 유입되며, 이로써 상기 펌프나 배기라인에 누적된 공정 부산물과 상기 활성종이 반응하여, 상기 부산물의 점착력을 제어하고, 더 나아가 상기 부산물을 분해하거나, 점착력이 떨어진 펌프, 배기라인의 표면으로부터 떨어뜨린다. 또한 부산물의 직접적인 분해 또는 가스화가 아니더라도, 활성화된 반응가스가 펌프내부나 배기라인에 누적되어있는 수분(H2O), 암노니아(NH3) 또는 저진공상태에서 쉽게 액화되어 부산물의 점착성을 유발시키는 물질들과 반응하여, 이러한 점착성을 유발하는 물질들을 제거해줌으로써, 부산물이 내벽에 들러붙어 고착화되지 않고 건조한 상태로 쉽게 빠져나가게 하는 역할을 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the problems of the prior art described above, the present invention provides a plasma processing apparatus, comprising: a reaction gas (hereinafter referred to as reactive gas active species) plasmaized by a foreline, which is an exhaust line between a process chamber and a pump for applying a vacuum or a low pressure to the process chamber; Direct injection. In particular, the present invention utilizes a remote plasma source (RPS) to generate reaction gas active species (radical species of a florine-containing gas, such as NF3, for example) outside the process system and inject it directly into the foreline. The injected reactant gas active species is introduced into the pump through the foreline so that the process by-products accumulated in the pump or the exhaust line react with the active species to control the adhesion of the by-product and further decompose the by- , The pump with a poor adhesive force, and the surface of the exhaust line. In addition, even if not directly decomposing or gasifying the by-products, the activated reaction gas may contain water (H2O), ammonia (NH3) accumulated in the pump or the exhaust line, or substances which easily liquefy in the low- And by removing the substances causing stickiness, the byproducts stick to the inner wall, so that they do not stick to each other and easily escape to the dry state.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물제어 장치의 모식도이다. 1 is a schematic diagram of an apparatus for controlling a by-product of a pump and an exhaust line of a semiconductor process system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 공정이 진행되는 공정챔버(110), 상기 공정챔버와 연결된 펌프(120), 및 상기 공정챔버(110)와 펌프(120) 사이의 포어라인(130)을 포함하는 반도체 공정 시스템이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 반도체 공정 시스템은 화학적 기상 증착(CVD)공정을 위한 시스템일 수 있다. 이 경우, 공정 챔버(110)에는 다양한 반응가스가 유입되어 챔버 내 CVD 공정이 진행될 수 있다. Referring to FIG. 1, a semiconductor device includes a process chamber 110 in which a semiconductor process is performed, a pump 120 connected to the process chamber, and a foreline 130 between the process chamber 110 and the pump 120. A process system is disclosed. The semiconductor processing system according to an embodiment of the present invention may be a system for a chemical vapor deposition (CVD) process. In this case, various reaction gases may be introduced into the process chamber 110 and the CVD process may be performed in the chamber.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 공정챔버(110)와 펌프(120) 사이의 포어라인으로 라디칼 등과 같은 반응가스 활성종을 주입하며, 이러한 반응가스 활성종은 NF3와 같은 플로린 함유 가스의 라디칼일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, reactive gas active species, such as radicals, are injected into the foreline between the process chamber 110 and the pump 120, and such reactive gas active species are reacted with a radical of a florine containing gas such as NF3 Lt; / RTI >

본 발명의 일 실시예에 따른 펌프 세정 장치는 상기 공정챔버(110와 펌프(120) 사이의 포어라인(130)으로 활성화된 반응가스를 주입하며, 이를 위한 별도의 반응가스 공급장치(200)를 포함한다. The pump cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention injects the activated reaction gas into the foreline 130 between the process chamber 110 and the pump 120 and provides a separate reaction gas supply device 200 .

본 발명의 일 실시예에 따른 반응가스 공급장치(200)는 안정화된 반응가스 자체를 주입하는 것이 아니라, 활성화된 라디칼, 이온 형태의 반응가스를 주입하므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 반응가스 공급장치(200)는 반응가스를 활성화시키는, 반응가스 생성부(210)와 상기 반응가스 생성부(210)의 동작을 제어하기 위한 제어부(220)를 포함한다. The reaction gas supply apparatus 200 according to an embodiment of the present invention injects activated radical and ion type reaction gas instead of injecting the stabilized reaction gas per se, The feeder 200 includes a reaction gas generator 210 for activating the reaction gas and a controller 220 for controlling the operation of the reaction gas generator 210.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 반응가스 생성부(210)는 유입된 안정화된 반응가스, 예를 들어 NF3와 같은 가스를 플라즈마화시켜, 라디칼로 변환시킬 수 있다. 이후 상기 변환된 반응가스 활성종은 압력차에 의하여 포어라인-펌프로 유입되어, 펌프 내의 부산물와 반응, 분해시켜, 제거한다. 또한 부산물에 점착성을 제공할 수 있는, 저진공에서 쉽게 액화될수있는 물질들을 제거함으로써 부산물이 내벽에 붙지 않고 쉽게 빠져나갈 수 있게 한다.According to an embodiment of the present invention, the reaction gas generator 210 may transform a stabilized reaction gas, for example, NF 3, into a plasma, into radicals. Thereafter, the converted reaction gas active species is introduced into the foreline-pump by a pressure difference to react with, decompose, and remove by-products in the pump. Also, by-products that can easily be liquefied in a low vacuum, which can provide tackiness to the byproduct, are removed, allowing the byproduct to escape easily without sticking to the inner wall.

본 발명의 일 실시예는 특히 이러한 반응가스 생성부(210)의 온-오프를 제어하기 위한 제어부(220)를 포함하며, 상기 제어부(220)는 펌프의 모터 전류 및 펌프내부압력-공정 챔버의 동작 상태-세정 공정의 누적시간을 연속적으로 고려하여, 상기 반응가스 생성부(210)의 작동 여부를 결정한다. One embodiment of the present invention particularly includes a controller 220 for controlling the on / off of the reaction gas generator 210 and the controller 220 controls the motor current of the pump and the internal pressure of the pump- Operation state-Determining whether or not the reaction gas generator 210 is operated continuously considering the cumulative time of the cleaning process.

도 2 내지 5는 본 발명의 일 실시에에 따른 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물제어 공정을 설명하는 도면이다.FIGS. 2 to 5 are diagrams illustrating a process for controlling by-products of a pump and an exhaust line of a semiconductor processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 포어라인(120)의 후단에 연결된 펌프의 모터 전류 및 펌프내부압력 정보가 상기 제어부(220)에 의하여 검출된다. 만약 상기 모터 전류나 펌프압력이 기설정된 임계치(A) 이하인 경우, 상기 펌프 내에는 파우더 등과 같은 부산물이 쌓여있지 않은 것으로 판단될 수 있다. 즉, 공정 챔버로 충분한 진공력을 인가하기 위한 펌프의 모터 출력은 실제 펌프에 끼여 있는 부산물의 양에 의하여 달라질 수 있으며, 만약 부산물이 과도하게 쌓여있으면, 펌프의 모터는 동일 진공력을 인가하기 위하여 과도한 출력으로 모터를 회전시켜야 한다. 따라서, 본 발명자는 이러한 펌프의 모터 전류를 통하여 부산물의 양을 예상하고, 상기 예상된 부산물의 양이 많은 경우(즉, 기설정된 수치 이상의 모터 전류 값이 검출되는 경우), 세정 모드로 전환시킨다. Referring to FIG. 2, the controller 220 detects the motor current and the pressure inside the pump connected to the rear end of the foreline 120. If the motor current or the pump pressure is less than or equal to the predetermined threshold value A, it can be determined that the by-product such as powder is not accumulated in the pump. That is, the motor output of the pump for applying sufficient vacuum force to the process chamber can vary depending on the amount of by-products that are actually pumped into the pump, and if the by-products are overloaded, The motor must be rotated with excessive output. Therefore, the present inventors anticipate the amount of byproducts through the motor current of such a pump, and switch to the cleaning mode when the expected amount of by-products is large (that is, when a motor current value of more than a predetermined value is detected).

도 3을 참조하면, 상기 검출된 모터의 전류 또는 펌프 압력이 기설정된 수치(A) 이상인 경우, 상기 공정 챔버의 동작 정보가 상기 제어부(220)로 입력된다. 상기 동작 정보는 공정챔버가 반도체 공정을 진행하는지(워킹 상태) 또는 진행하고 있는 않은지(즉, 아이들 상태)에 대한 정보로서, 본 발명은 상기 공정챔버가 실제 반도체 공정을 진행하고 있지 않은 상태(아이들 상태)에서만 활성화된 반응가스를 포어라인(130)에 주입한다. 만약 워킹 상태에서 포어라인을 주입하는 경우, 상기 활성화된 반응가스가 일부 상기 공정챔버(110)로 배압 등의 이유로 들어갈 수 있기 때문에, 본 발명은 공정 챔버로 반응가스가 전혀 주입되지 않는 아이들 상태에서만 상기 포어라인(130)에 활성화된 반응가스를 주입한다. Referring to FIG. 3, when the current or pump pressure of the detected motor is equal to or greater than a predetermined value A, operation information of the process chamber is input to the controller 220. The operation information is information on whether the process chamber is performing a semiconductor process (working state) or not (that is, idle state), and the present invention is a state in which the process chamber is not actually conducting a semiconductor process State) is injected into the forerunner 130. In this case, If the foreline is injected in the working state, the activated reaction gas may enter into the process chamber 110 due to back pressure or the like. Therefore, the present invention can be applied to the process chamber 110 only in the idle state in which no reaction gas is injected into the process chamber Activated reactive gas is injected into the foreline 130.

도 4를 참조하면, 상기 검출된 모터의 전류 또는 펌프 압력이 기설정된 수치(A) 이상이고, 상기 공정 챔버의 동작 정보가 아이들 상태, 즉, 공정을 진행하지 않은 상태가 되면, 상기 제어부(220)는 단위 구간 시간 범위 동안 진행된 총 세정 공정 누적 시간, 즉, 반응가스를 상기 포어라인으로 주입한 시간의 누적기록을 카운트한다. Referring to FIG. 4, when the detected current or pump pressure of the motor is equal to or greater than a predetermined value A and the operation information of the process chamber is in an idle state, ) Counts the cumulative recording time of the total cleaning process performed during the unit section time range, that is, the time of injecting the reactive gas into the foreline.

본 발명의 일 실시예에 따른 부산물 제어방법은, 세정 공정의 누적시간이 과도한 경우, 배관, 펌프 등의 부식을 초래하는 점을 방지하기 위하여, 누적된 세정 공정 시간이 기설정된 시간(B)을 초과하는 경우, 세정공정을 진행하지 않는다. 특히, 본 발명자는 기설정된 시간구간(예를 들어, 1일, 3일, 1주일 등)동안 세정공정의 누적시간을 카운트하고, 상기 카운트된 세정공정 누적시간을 기설정된 임계치와 비교한다. The byproduct controlling method according to an embodiment of the present invention is a method of controlling byproducts in order to prevent corrosion of piping, pumps and the like when the cumulative time of the cleaning process is excessive, If it exceeds, the cleaning process is not carried out. Particularly, the present inventor counts the cumulative time of the cleaning process for a predetermined time period (for example, one day, three days, one week, etc.) and compares the counted cleaning process cumulative time with a predetermined threshold value.

예를 들어, 1주일 동안의 세정공정 누적시간이 2시간이고, 기설정된 1주일간 세정공정 임계 시간이 3시간인 경우, 세정공정의 누적시간이 기설정된 임계시간 미만이므로, 세정공정이 가능하다. 따라서, 상기 제어부(220)는 반응가스 생성부(210)로 하여금 유입되는 가스를 활성화시켜 반응가스를 생성하게 허용하며, 상기 생성된 활성화 반응가스는 상기 포어라인(130)으로 유입되어, 펌프 내의 부산물을 분해, 제거하게 된다. For example, if the cumulative time of the cleaning process for one week is two hours, and the cleaning process critical time for one week is three hours, the cleaning process is possible because the cumulative time of the cleaning process is less than a predetermined threshold time. Accordingly, the control unit 220 allows the reaction gas generator 210 to generate the reaction gas by activating the introduced gas, and the generated activation reaction gas flows into the foreline 130, By-products are decomposed and removed.

도 2 내지 5의 조건, 즉 모터 전류-공정 챔버 동작 상태-누적 세정 공정 시간의 비교 조건이 모두 만족되는 경우에만, 상기 공정 외부에서 생성된 활성화 반응 가스가 상기 포어라인에 주입된다. 더 나아가, 도 2 내지 5의 조건의 판단은 반드시 도 2 내지 5의 순서에 제한되지 않으며, 그 순서를 바꾸어 판단될 수 있으며, 이 또한 모두 본 발명의 범위에 속한다. 또한 펌프의 종류 혹은 상태에 따라 모터 전류치를 펌프내부의 압력값으로 설정할수 있으며, 이 또한 부산물의 펌프 및 배기라인에의 점착 정도에 따라 압력이 올라갈 수 있으며, 본 발명의 일 실시예는 이러한 펌프 압력을 이용하여 상기에 설명한 방법으로 부산물을 제어할 수 있다. Activation reaction gas generated outside the process is injected into the foreline only when the conditions of FIGS. 2 to 5, that is, the comparison conditions of the motor current-process chamber operating state-cumulative cleaning process time, are all satisfied. Further, the judgment of the conditions of Figs. 2 to 5 is not necessarily limited to the order of Figs. 2 to 5, and can be judged by changing the order thereof, all of which are also within the scope of the present invention. In addition, the motor current value can be set to the pressure value inside the pump depending on the type or state of the pump, and the pressure can be increased depending on the degree of adhesion of the by-product to the pump and the exhaust line. By-products can be controlled using the pressure described above.

이상에서, 본 발명의 실시예를 구성하는 모든 구성 요소들이 하나로 결합되거나 결합되어 동작하는 것으로 설명되었다고 해서, 본 발 명이 반드시 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 목적 범위 안에서라면, 그 모든 구성 요소들이 하나 이상으로 선택적으로 결합하여 동작할 수도 있다. 또한, 그 모든 구성 요소들이 각각 하나의 독립적인 하드웨어로 구현될 수 있지만, 각 구성 요소들의 그 일부 또는 전부가 선택적으로 조합되어 하나 또는 복수 개의 하드웨어에서 조합된 일부 또는 전부의 기능을 수행하는 프로그램 모듈을 갖는 컴퓨터 프로그램으로서 구현될 수도 있다. The present invention is not limited to the embodiments described above, as long as all the constituent elements constituting the embodiment of the present invention are described as being combined or combined in one operation. That is, within the scope of the present invention, all of the components may be selectively coupled to one or more of them. In addition, although all of the components may be implemented as one independent hardware, some or all of the components may be selectively combined to perform a part or all of the functions in one or a plurality of hardware. As shown in FIG.

또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.It is also to be understood that the terms such as " comprises, "" comprising," or "having ", as used herein, mean that a component can be implanted unless specifically stated to the contrary. But should be construed as including other elements. All terms, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise defined. Commonly used terms, such as predefined terms, should be interpreted to be consistent with the contextual meanings of the related art, and are not to be construed as ideal or overly formal, unless expressly defined to the contrary.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (5)

반도체 공정이 진행되는 공정챔버, 상기 공정챔버와 연결된 펌프, 및 상기 공정챔버와 펌프 사이의 포어라인을 포함하는 반도체 공정 시스템에서, 펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치로서,
상기 포어라인으로 주입되는 반응가스 활성종을 생성하기 위한 반응가스 생성부; 및
상기 반응가스 생성부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치. An apparatus for controlling a pump and a by-product of an exhaust line, in a semiconductor process system including a process chamber in which a semiconductor process is carried out, a pump connected to the process chamber, and a foreline between the process chamber and the pump,
A reaction gas generator for generating reactive gas active species injected into the foreline; And
And a control unit for controlling the operation of the reaction gas generating unit. 제 1항에 있어서, 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치는,
상기 반응가스 생성부가 리모트 플라즈마 공급장치(RPS)이고, 상기 반응가스는 플로린 포함가스인 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치. The apparatus of claim 1, wherein the pump of the semiconductor process system and the by-
Wherein the reaction gas generator is a remote plasma reactor (RPS) and the reaction gas is a florine-containing gas. 제 2항에 있어서,
상기 제어부는 상기 펌프의 모터 전류나 펌프 내부의 압력 정보를 입력받아, 상기 모터 전류나 압력이 기설정된 수치 이상으로 상승하는 경우, 상기 반응가스 생성부가 반응가스 활성종을 생성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물을 제어하는 장치.3. The method of claim 2,
The control unit receives the motor current of the pump or the pressure information inside the pump, when the motor current or the pressure rises above a predetermined value, the semiconductor, characterized in that the reaction gas generating unit generates reactive gas active species A device for controlling the by-products of pumps and exhaust lines in process systems. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물제어 장치의 제어방법으로, 상기 제어부가,
상기 펌프의 모터 전류 또는 펌프 내부압력을 검출하는 단계;
상기 검출된 모터 전류 또는 펌프 내부 압력이 기설정된 수치 이상인 경우, 상기 반도체 공정이 진행되는 공정챔버의 동작 상태가 공정 진행 중인지를 판단하는 단계;
상기 공정챔버의 동작 상태가 공정 진행 중이 아니면, 상기 반응가스 생성부의 누적 작동 시간이 기설정된 수치 범위 이하인지를 판단하는 단계;
상기 반응가스 생성부의 누적 작동 시간이 기설정된 수치 범위 이하이면, 상기 반응가스 생성부에서의 반응가스 활성종 생성을 허용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정 시스템의 펌프 세정 장치의 제어방법.The method of controlling the by-product control device of the pump and exhaust line of the semiconductor processing system according to any one of claims 1 to 3,
Detecting a motor current or a pump internal pressure of the pump;
Determining whether the operation state of the process chamber in which the semiconductor process is proceeding is in progress, when the detected motor current or pressure inside the pump is greater than a predetermined value;
Determining whether the cumulative operating time of the reaction gas generating unit is less than or equal to a preset numerical range when the operating state of the process chamber is not in progress;
If the cumulative operating time of the reaction gas generating unit is less than or equal to a predetermined numerical range, comprising the step of allowing the generation of reactive gas active species in the reaction gas generating unit, the control method of the pump cleaning apparatus of the semiconductor process system. . 제 4항에 있어서,
상기 반응가스 생성부의 누적 작동 시간은 기설정된 시간구간 동안 누적된 작동 시간인 것을 특징으로 하는, 반도체 공정 시스템의 펌프 및 배기라인의 부산물제어 장치의 제어방법.5. The method of claim 4,
The cumulative operating time of the reaction gas generating unit is a cumulative operating time for a predetermined time period, the control method of the by-product control device of the pump and exhaust line of the semiconductor process system.
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