KR20140004429A - 반도체 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 동작 방법 Download PDF

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KR20140004429A
KR20140004429A KR1020120071978A KR20120071978A KR20140004429A KR 20140004429 A KR20140004429 A KR 20140004429A KR 1020120071978 A KR1020120071978 A KR 1020120071978A KR 20120071978 A KR20120071978 A KR 20120071978A KR 20140004429 A KR20140004429 A KR 20140004429A
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Abstract

본 발명은 메모리 장치의 저장 공간 재활용을 제어하는 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 장치의 동작 방법은 메모리 장치에서 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계, 상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계, 상기 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계 및 상기 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 반도체 장치는 메모리 장치에서 재활용이 필요한 블록을 선택하는 블록 선택부, 상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 산정하는 비용 산정부 및 상기 산정된 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 재활용 기술 선택부를 포함한다.

Description

반도체 장치 및 그 동작 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF}
본 발명은 메모리 장치를 제어하는 반도체 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 메모리 장치의 저장 공간을 재활용할 수 있는 반도체 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다.
플래시 메모리 장치는 비휘발성 메모리 장치의 일종으로서 일반적으로 FTL(Flash Translation Layer)로 지칭되는 제어 구조에 의해 제어된다.
플래시 메모리 장치는 기본적으로 덮어쓰기가 불가능하다. 따라서 동일한 물리적 위치에 새로운 데이터를 기록하기 위해서는 기존의 데이터를 먼저 소거해야 한다. 일반적으로 데이터를 기록하는 단위(예를 들어 페이지)에 비하여 데이터를 소거하는 단위(예를 들어 다수의 페이지로 구성되는 블록)가 더 크고 이에 따라 하나의 블록안에 유효한 페이지와 무효한 페이지가 혼재할 수 있다.
예를 들어 종래의 페이지 레벨 매핑을 사용하는 플래시 메모리 장치의 경우 저장 공간을 재활용할 희생 블록을 먼저 선택하고 희생 블록에 가비지 콜렉션 기술을 적용하여 무효 페이지로 인한 저장 공간의 낭비를 방지한다.
그러나 종래와 같이 일률적으로 한 가지 방법에 따라 저장 공간을 재활용하는 경우 저장 공간 재활용 동작을 위해 시간 비용이 낭비될 수 있으며 이에 따라 메모리 장치 또는 시스템의 성능 저하가 야기될 수 있다.
따라서 메모리 장치 또는 시스템의 성능 저하를 최소로 하면서 저장 공간을 재활용할 수 있는 기술이 필요로 되고 있다.
본 발명은 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템의 성능 저하를 줄이면서 메모리 장치의 저장 공간을 재활용할 수 있는 반도체 장치 및 그 동작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치의 동작 방법은 메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계, 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계, 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계, 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계 및 선택된 재활용 기술을 상기 선택된 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치의 동작 방법은 메모리 장치에 대하여 페이지 레벨 매핑을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치의 동작 방법에서 비용을 확인하는 단계는 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치의 동작 방법에서 필요한 비용을 확인하는 단계는 다수의 재활용 기술 중 어느 하나의 기술을 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 포함하는 룩업 테이블을 참조하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치의 동작 방법에서 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계는 상기 페이지당 비용이 최소인 재활용 기술을 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치는 메모리 장치에서 재활용이 필요한 블록을 선택하는 블록 선택부, 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 후보 기술 선택부, 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 산정하는 비용 산정부, 산정된 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 재활용 기술 선택부 및 선택된 재활용 기술을 상기 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 저장 공간 재활용부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치는 메모리 장치에 대하여 페이지 레벨 매핑을 적용하는 매핑 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치에서 메모리 장치는 비휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치에서 메모리 장치는 플래시 메모리 장치일 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치에서 비용 산정부는 다수의 재활용 기술 중 어느 하나의 기술을 수행하는 데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 수행하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나누어 산출된 페이지당 비용을 산정할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치에서 비용 산정부는 다수의 재활용 기술 중 어느 하나의 기술을 수행하는 데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 수행하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나누어 산출된 페이지당 비용이 저장된 룩업 테이블을 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 반도체 장치에서 재활용 기술 선택부는 상기 다수의 재활용 기술 중 상기 페이지당 비용이 최소인 재활용 기술을 선택할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 시스템은 메모리 장치 및 프로세서를 포함하되, 프로세서는 메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계, 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계, 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계, 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계 및 선택된 재활용 기술을 상기 선택된 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계를 실행할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 시스템에서 비용을 확인하는 단계는 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 시스템에서 상기 단계들은 메모리 장치에 대하여 페이지 레벨 매핑을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 시스템에서 메모리 장치는 비휘발성 메모리 장치일 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 시스템에서 메모리 장치는 플래시 메모리 장치일 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 저장 매체는 프로세서에 의해 실행될 수 있는 단계들을 저장하되, 단계들은 메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계, 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계, 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계, 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계 및 선택된 재활용 기술을 상기 선택된 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일측면에 의한 저장 매체에서 비용을 확인하는 단계는 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명을 통해 다수의 이용 가능한 저장 공간 재활용 기술 중 재활용에 필요한 비용이 적게 드는 기술을 선택적으로 적용함으로써 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템의 성능 저하를 최소화하면서 메모리 장치의 저장 공간을 재활용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 장치의 동작 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 저장 공간 재활용 기술 중 하나로 사용될 수 있는 가비지 콜렉션 기술에 대한 설명도.
도 3a 및 b는 본 발명의 저장 공간 재활용 기술 중 하나로 사용될 수 있는 머지 기술에 대한 설명도.
도 4는 저장 공간 재활용 기술을 적용하여 얻어지는 단위 페이지당 비용에 대한 실험 결과를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 장치 및 이를 포함하는 시스템을 나타낸 블록도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 장치를 나타낸 블록도.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 다양한 실시예들을 구체적으로 개시한다. 이하에서 동일한 참조번호는 실질적으로 동일한 구성요소를 지시한다.
이하에 개시된 실시예에서는 페이지 레벨 매핑이 적용되는 플래시 메모리 장치를 제어하는 반도체 장치 및 그 동작 방법을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명에 의한 반도체 장치 및 그 동작 방법에 따라 제어 대상이 되는 메모리 장치가 플래시 메모리 장치로 한정되는 것은 아니며 저장 공간의 재활용이 필요한 다른 종류의 메모리 장치에도 본 발명이 적용될 수 있음은 통상의 기술자에게 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 장치의 동작 방법을 나타내는 순서도이다.
본 실시예는 메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계(S110), 선택된 블록에 대하여 적용 가능한 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계(S120), 다수의 재활용 기술들 각각을 수행하는데 필요한 비용을 계산하는 단계(S130), 비용이 최소인 재활용 기술을 선택하는 단계(S140), 선택된 블록에 선택된 재활용 기술을 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계(S150)를 포함한다.
저장 공간 재활용이 필요한 블록(이하, 희생 블록)을 선택하는 단계(S110)에서 희생 블록을 선택하는 기준은 종래의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 블록 내에 유효 페이지의 개수가 가장 적은 즉 이용률이 가장 낮은 블록이 희생 블록으로 선택될 수 있다.
종래의 플래시 메모리 장치의 경우 저장 공간 재활용 기술은 예를 들어 가비지 콜렉션 기술과 같이 하나로 고정되어 있었다. 그러나 본 발명은 희생 블록에 대하여 적용 가능한 다수의 재활용 기술을 하나로 한정하지 않는다.
본 실시예에서는 예를 들어 머지 기술을 저장 공간 재활용 기술의 하나로 고려할 수 있다. 또한 본 실시예에서는 가비지 콜렉션 기술을 저장 공간 재활용 기술의 하나로 더 고려할 수 있다. 예시된 가비지 콜렉션과 머지 기술의 수행 방법에 대해서는 도 2 및 3a, 3b를 참고하여 설명한다.
도 2는 가비지 콜렉션을 수행하는 방법에 관한 설명도이다. 이하에서는 하나의 블록에 5개의 페이지가 포함되는 것으로 가정한다. 도면에서 회색으로 표시된 페이지는 무효 페이지를 의미하고 흰색으로 표시된 페이지는 유효 페이지 또는 비어 있는 페이지를 의미한다.
가비지 콜렉션을 위해 희생 블록이 선택된 경우 이를 재활용하기 위해서는 프리 블록을 필요로 한다. 희생 블록에서 유효한 페이지들을 프리 블록에 기록한 이후 희생 블록 전체를 소거함으로써 가비지 콜렉션이 종료된다.
도시된 실시예에서 가비지 콜렉션 수행 결과 기록 가능한 페이지가 3개 증가하였음을 알 수 있다.
도 3a 및 3b는 머지를 수행하는 방법에 관한 설명도이다. 머지를 수행하기 위해서는 선택된 희생 블록과 연관된 연관 블록 및 프리 블록을 필요로 한다.
연관 블록은 그 내부의 유효 페이지들과 희생 블록에 포함된 유효 페이지들을 합하여 하나의 연속된 페이지들을 포함하는 새로운 블록을 생성할 수 있는 블록을 의미한다.
경우에 따라 하나의 희생 블록은 여러 개의 연관 블록을 필요로 할 수 있으며 그 개수를 연관수(association count)로 나타낸다. 일단 희생 블록이 선택되면 이와 연관된 연관 블록은 거의 실시간으로 선택될 수 있다.
도 3a는 연관수가 1인 경우에 대한 설명도이다. 희생 블록이 선택되면 이와 연관된 연관 블록이 거의 실시간으로 선택된다. 이후 희생 블록과 연관 블록 내의 유효 페이지들을 프리 블록에 기록한 이후 희생 블록과 연관 블록을 소거함으로써 머지 동작이 종료된다. 도시된 바와 같이 머지 수행 결과 기록 가능한 페이지가 5개 증가하였음을 알 수 있다.
도 3b는 연관수가 2인 경우에 대한 설명도이다. 연관수가 2인 경우는 연관 블록이 2개 존재한다.
먼저 희생 블록과 연관 블록 1에서 유효 페이지들을 프리 블록 1에 기록하고 연관 블록 1을 소거함으로써 1 차 동작이 종료된다. 다음으로 1차 머지가 수행된 희생 블록의 남은 유효 페이지와 연관 블록 2의 유효 페이지들을 프리 블록 2에 기록하고 희생 블록 및 연관 블록 2를 소거함으로써 머지 동작이 완료된다. 도시된 바와 같이 머지 수행 결과 기록 가능한 페이지가 5개 증가하였음을 알 수 있다.
이상에서는 희생 블록에 적용 가능한 저장 공간 재활용 기술로서 머지 및 가비지 콜렉션을 예로 들었으나 저장 공간 재활용 기술이 이들에 한정되는 것은 아니며 다양한 다른 기술들이 후보로 선택될 수 있다.
도 1로 돌아가서, 본 실시예에서는 희생 블록에 적용할 다수의 저장 공간 재활용 기술들 각각의 수행에 필요한 비용을 산정한다(S130).
이때 비용은 저장 공간의 재활용에 필요한 총 시간 비용을 저장 공간 재활용 기술의 수행 결과 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 단위 페이지당 비용을 의미한다.
다음 수학식 1, 2는 가비지 콜렉션 수행에 필요한 총 비용과 단위 페이지당 비용을 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002
다음 수학식 3, 4는 머지 수행에 필요한 총 비용과 페이지당 비용을 나타낸다.
Figure pat00003
Figure pat00004
위 수학식들에서 μ는 블록 내 유효 페이지의 비율(페이지 이용률), N은 블록 내 전체 페이지 수, Ccopy는 페이지 하나를 프리 블록에 저장하는 비용, Cerase는 하나의 블록을 소거하는 비용을 나타낸다.
위 수학식들은 각 기술을 적용하는데 필요한 비용을 계산하는 일 예이다. 실시예에 따라서는 위 수학식들에 제시된 요소들 이외에 다른 요소들을 추가로 고려하여 비용을 계산할 수 있다. 비용 계산에 필요한 수학식의 도출은 실시예에 따라 통상의 기술자가 용이하게 수행할 수 있다.
위의 비용 계산은 필요한 수치를 이용하여 직접 연산을 수행함으로써 산출될 수 있다. 다른 실시예에서는 희생 블록과 적용 가능한 다양한 재활용 기술들에 대한 정보를 바탕으로 미리 계산된 비용을 저장하는 비용 룩업 테이블을 준비해두고 재활용 기술에 따른 비용을 산정하는 단계에서는 단지 비용 룩업 테이블을 조회함으로써 비용을 산정할 수도 있다.
도 1로 돌아가서, 희생 블록에 적용 가능한 다수의 재활용 기술들 각각의 수행에 필요한 비용이 계산되면 비용에 따라 희생 블록에 적용할 재활용 기술을 선택한다. 이때 희생 블록에 적용할 재활용 기술은 단위 페이지당 비용이 최소인 기술을 선택할 수 있다.
도 4는 다수의 재활용 기술을 적용하는 경우 단위 페이지당 비용을 비교 실험한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4를 위한 실험에서는 하나의 버퍼가 128개의 페이지를 포함하며 Cerase = 3000, Ccopy = 860인 것으로 가정하였다.
그래프의 가로축은 10을 기준으로 한 희생 블록의 이용률(10 * 희생 블록 내 유효 페이지수 / 128)을 나타내고, 세로축은 산정된 단위 페이지당 비용을 나타낸다.
그래프에서 BRS1A1은 머지 기술 적용시 연관수 1인 경우(예를 들어 도 3a)를 나타내고, BRS1A2는 머지 기술 적용시 연관수 2인 경우(예를 들어 도 3b)를 나타내고, BRS2는 가비지 콜렉션을 적용한 경우(예를 들어 도 2)를 나타낸다.
머지 기술 적용시 연관수는 희생 블록에 따라 유일하게 결정되므로 실제 환경에서는 BRS1A1 또는 BRS1A2 중 하나만이 후보로 선택될 수 있다.
예를 들어 BRS1A1이 후보로 선택될 수 있는 경우에 희생 블록의 이용률이 약 50% 미만인 경우에는 가비지 콜렉션의 페이지당 비용이 더 작으며, 이용률이 약 50 % 이상인 경우에는 머지 기술의 페이지당 비용이 더 작음을 알 수 있다.
따라서 본 실시예에서는 이용률이 50% 미만인 경우에는 희생 블록에 대하여 가비지 콜렉션 기술을 적용하나 이용률이 50% 이상이 경우에는 희생 블록에 대하여 머지 기술을 적용한다.
예를 들어 BRS1A2가 후보로 선택될 수 있는 경우에 희생 블록의 이용률이 약 65% 미만이면 가비지 콜렉션의 페이지당 비용이 더 작으며, 이용률이 약 65 % 이상이면 머지 기술의 페이지당 비용이 더 작음을 알 수 있다.
따라서 본 실시예에서 이용률이 65% 미만인 경우에는 희생 블록에 대하여 가비지 콜렉션 기술을 적용하나 이용률이 65% 이상이 경우에는 희생 블록에 대하여 머지 기술을 적용하게 된다.
도 1에 도시된 단계들은 예를 들어 비휘발성 메모리 장치와 같은 프로그램 저장 매체에 저장되어 예를 들어 프로세서와 같은 반도체 장치에 의해 실행될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 장치(110) 및 이를 포함하는 시스템(100) 나타내는 블록도이다.
본 실시예 의한 반도체 장치(110)는 호스트(10)와 메모리 장치(120) 사이에서 호스트(10)로부터의 요청에 따라 메모리 장치(120)를 제어한다. 본 실시예에 의한 반도체 장치(110)는 도 1에 도시된 단계들을 수행하는 프로세서(111)와 프로세서(111)에서 수행하는 단계들이 저장된 기억 장치(112)를 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 장치(200)를 나타내는 블록도이다.
본 실시예에 의한 반도체 장치는 저장 공간 재활용이 필요한 블록(희생 블록)을 선택하는 블록 선택부(210), 희생 블록에 적용할 수 있는 다수의 저장 공간 재활용 기술들을 선정하는 후보 기술 선택부(220), 선택된 희생 블록에 후보로 선택된 재활용 기술들을 적용하는데 필요한 비용을 산정하는 비용 산정부(230), 산정된 비용에 따라 적용할 재활용 기술을 선택하는 재활용 기술 선택부(240), 선택된 재활용 기술을 희생 블록에 적용하는 저장 공간 재활용부(250)를 포함한다.
비용 산정부(230)는 희생 블록과 후보 기술들이 정해지면 각각의 기술에 대한 비용을 산정한다. 본 실시예에서는 각각의 기술을 수행하는데 필요한 총 비용을 재활용 기술을 적용한 결과 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 산정하는 것이 바람직하다.
다른 실시예에서 비용 산정부(230)는 희생 블록의 이용률, 적용 가능한 재활용 기술 등 가능한 모든 경우에 따라 미리 비용을 산정하여 저장하고 있는 비용 룩업 테이블을 포함할 수 있다. 이 경우 비용 산정부(230)는 비용 룩업 테이블을 참조함으로써 현재 선택된 희생 블록에 대하여 각 재활용 기술을 적용하는 경우의 페이지당 비용을 산정할 수 있다.
재활용 기술 선택부(240)는 비용 산정부(230)에서 산정한 비용을 참조하여 최소 비용이 드는 재활용 기술을 선택할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 실시예에 대한 설명을 위한 것이나 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 권리범위는 청구범위에 의하여 정해진다. 또한 청구범위에 기재된 사항으로부터 통상의 기술자가 용이하게 수정 또는 변경할 수 있는 균등물 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 호스트
100: 시스템
120: 메모리 장치
111: 프로세서
112; 기억 장치
110, 200: 반도체 장치
210: 블록 선택부
220: 후보 기술 선택부
230: 비용 산정부
240: 재활용 기술 선택부
250: 저장 공간 재활용부

Claims (19)

  1. 메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계;
    상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계;
    상기 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계;
    상기 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계 및
    상기 선택된 재활용 기술을 상기 선택된 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계
    를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 메모리 장치에 대하여 페이지 레벨 매핑을 수행하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 비용을 확인하는 단계는
    상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 확인하는 단계
    를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 필요한 비용을 확인하는 단계는
    상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나의 기술을 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 포함하는 룩업 테이블을 참조하는 단계
    를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법.
  5. 청구항 3 또는 4에 있어서, 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계는 상기 페이지당 비용이 최소인 재활용 기술을 선택하는 반도체 장치의 동작 방법.
  6. 메모리 장치에서 재활용이 필요한 블록을 선택하는 블록 선택부;
    상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 후보 기술 선택부;
    상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 산정하는 비용 산정부;
    상기 산정된 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 재활용 기술 선택부 및
    상기 선택된 재활용 기술을 상기 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 저장 공간 재활용부;
    를 포함하는 반도체 장치.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 메모리 장치에 대하여 페이지 레벨 매핑을 적용하는 매핑 제어부를 더 포함하는 반도체 장치.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 메모리 장치는 비휘발성 메모리 장치인 반도체 장치.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 메모리 장치는 플래시 메모리 장치인 반도체 장치.
  10. 청구항 6에 있어서, 상기 비용 산정부는
    상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나의 기술을 수행하는 데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 수행하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나누어 산출된 페이지당 비용을 산정하는 반도체 장치.
  11. 청구항 6에 있어서, 상기 비용 산정부는
    상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나의 기술을 수행하는 데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 수행하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나누어 산출된 페이지당 비용이 저장된 룩업 테이블을 포함하는 반도체 장치.
  12. 청구항 10 또는 11에 있어서, 상기 재활용 기술 선택부는 상기 다수의 재활용 기술 중 상기 페이지당 비용이 최소인 재활용 기술을 선택하는 반도체 장치.
  13. 메모리 장치 및 프로세서
    를 포함하되,
    상기 프로세서는
    상기 메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계;
    상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계;
    상기 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계;
    상기 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계 및
    상기 선택된 재활용 기술을 상기 선택된 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계
    를 실행하는 시스템.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 비용을 확인하는 단계는
    상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 확인하는 단계
    를 포함하는 시스템.
  15. 청구항 13에 있어서, 상기 단계들은
    상기 메모리 장치에 대하여 페이지 레벨 매핑을 수행하는 단계를 더 포함하는 시스템.
  16. 청구항 13에 있어서, 상기 메모리 장치는 비휘발성 메모리 장치인 시스템.
  17. 청구항 13에 있어서, 상기 메모리 장치는 플래시 메모리 장치인 시스템.
  18. 프로세서에 의해 실행될 수 있는 단계들을 저장하되,
    상기 단계들은
    메모리 장치에서 저장 공간 재활용이 필요한 블록을 선택하는 단계;
    상기 블록에 적용할 수 있는 다수의 재활용 기술을 선택하는 단계;
    상기 다수의 재활용 기술을 수행하는데 필요한 비용을 확인하는 단계;
    상기 비용에 따라 상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 선택하는 단계 및
    상기 선택된 재활용 기술을 상기 선택된 블록에 적용하여 저장 공간을 재활용하는 단계
    를 포함하는 프로세서로 읽을 수 있는 저장 매체.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 비용을 확인하는 단계는
    상기 다수의 재활용 기술 중 어느 하나를 수행하는데 필요한 총 비용을 상기 어느 하나의 기술을 적용하여 추가로 얻어지는 기록 가능한 페이지의 개수로 나눈 페이지당 비용을 확인하는 단계
    를 포함하는 프로세서로 읽을 수 있는 저장 매체.
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