KR20130120138A - 듀얼모드 터치감지방법, 듀얼모드 터치감지회로 및 터치스크린 구동시스템 - Google Patents

듀얼모드 터치감지방법, 듀얼모드 터치감지회로 및 터치스크린 구동시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 잡음과 RF 잡음에 강한 디퍼랜셜 센싱 방식과 인가되는 잡음을 평균화하여 신호 대 잡음 비가 우수한 싱글 센싱 방식을 번갈아가면서 사용하는 듀얼모드 터치감지방법, 듀얼모드 터치감지회로 및 터치스크린 구동시스템을 개시(introduce)한다. 상기 듀얼모드 터치감지방법은, 신호리드아웃 단계, 디퍼랜셜 모드 센싱 단계 및 싱글 모드 센싱 단계를 수행한다. 상기 신호리드아웃 단계는 수평구동라인을 구동하면서 상기 수평구동라인과 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차노드의 감지전압들에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하고 피크 잡음이 제거된 상기 감지전압들은 연속시간 적분함으로써, 피크잡음을 사전에 제거한 후 본격적인 신호처리를 수행하도록 한다.

Description

듀얼모드 터치감지방법, 듀얼모드 터치감지회로 및 터치스크린 구동시스템 {Method and circuit of dual mode touch detection and touch screen driving system}
본 발명은 터치스크린 패널에 관한 것으로, 특히, 터치스크린 패널의 터치 여부를 디퍼랜셜 모드 센싱 방식과 싱글 모드 센싱 방식이 상호보완하며 각 방식의 장점을 이용하여 터치의 감지시 잡음에 강하고 스캔 시간이 감소하는 듀얼모드 터치감지방법, 듀얼모드 터치감지회로 및 상기 듀얼모드 터치감지회로를 구비하는 터치스크린 구동시스템에 관한 것이다.
오늘날 사용자 인터페이스 기술이 발달함에 따라 다양한 전자기기 애플리케이션이 등장하고 있다. 그 중에도 LCD(Liquid Crystal Display)에 직접 입력이 가능한 터치스크린 기술을 이용한 애플리케이션들이 주목을 받고 있다. 터치스크린 애플리케이션은 사용자와의 상호 작용이 직관적이고 디자인에의 제약이 거의 없기 때문에 기존의 버튼 방식과 스크린이 분리된 종래의 장치들을 대체하고 있다.
종래에는 모바일 통신 수단과 같은 소형 터치스크린 애플리케이션이 주를 이루었으나, 최근에는 갤럭시 탭 및 아이 패드와 같이 중대형 터치스크린 애플리케이션에 대한 고객의 수요가 증가하고 있다.
중대형 터치스크린의 경우 터치스크린의 크기가 커질수록 터치스크린 패널을 스캔 할 때 감지(sensing)해야 하는 노드의 수가 증가 되는데, 제한된 시간 내에 모든 노드를 스캔해야 하므로, 각 노드에 할당되는 스캔 시간이 감소하게 되어 정밀한 센싱이 어려워진다. 이를 해결하기 위하여 현재 제안되어 사용되는 해결 방안으로는 터치스크린 패널을 이루는 수평구동라인과 서로 교차하는 수직감지라인 당 하나씩의 터치감지 집적회로(readout IC)를 사용하여 하나의 수평구동라인과 복수 개의 수직감지라인 이 교차하는 노드에서의 터치 신호성분을 한 번에 감지하도록 한다. 그러나 이 방법은 스캔 시간은 감소하는 대신 소비전력이 증가하게 된다는 문제가 있다.
또한 터치스크린의 구조상 LCD 패널의 상부에 터치스크린 패널이 위치하게 됨에 따라, 디스플레이 잡음과 터치스크린 패널과 사람의 손가락 사이에 형성되는 핑거링 커패시터에 의한 RF 잡음이 직간접으로 영향을 주기 때문에, 터치 신호를 정확하게 검출해 내는데 어려움이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 수평구동라인을 구동하면서 상기 수평구동라인과 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차노드의 감지전압들에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하고 피크 잡음이 제거된 상기 감지전압들에 대하여 디스플레이 잡음과 RF 잡음에 강한 디퍼랜셜 센싱 방식과 인가되는 잡음을 평균화하여 신호 대 잡음 비가 우수한 싱글 센싱 방식을 번갈아가면서 사용하는 듀얼모드 터치감지방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 수평구동라인을 구동하면서 상기 수평구동라인과 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차노드의 감지전압들에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하고 피크 잡음이 제거된 상기 감지전압들에 대하여 디스플레이 잡음과 RF 잡음에 강한 디퍼랜셜 센싱 방식과 인가되는 잡음을 평균화하여 신호 대 잡음 비가 우수한 싱글 센싱 방식을 번갈아가면서 수행하는 듀얼모드 터치감지회로를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 상기 듀얼모드 터치감지회로를 포함하는 터치스크린 구동시스템을 제공하는 것에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 듀얼모드 터치감지방법은, 신호리드아웃 단계, 디퍼랜셜 모드 센싱 단계 및 싱글 모드 센싱 단계를 수행한다. 상기 신호리드아웃 단계는 수평구동라인을 구동하면서 상기 수평구동라인과 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차노드의 감지전압들에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하고 피크 잡음이 제거된 상기 감지전압들은 연속시간 적분한다. 상기 디퍼랜셜 모드 센싱 단계는 상기 신호리드아웃 단계를 거친 2개의 교차 노드에 대해 디퍼랜설 모드 센싱을 수행하여 상기 2개의 교차 노드에 대한 터치 여부를 판단한다. 상기 싱글 모드 센싱 단계는 상기 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하면서 임의의 2개의 교차 노드에서 터치가 발생하였다고 판단한 경우, 상기 2개의 교차 노드 중 적어도 하나의 교차 노드에 대해 싱글 모드 센싱을 수행하여 해당 노드에 대해 터치 여부를 판단하며, 싱글 모드 센싱을 수행한 교차 노드에서 터치가 발생하지 않았다고 판단한 경우에는 이어지는 교차 노드에 대해서는 상기 디퍼랜셜 모드 센싱 단계를 수행하도록 한다. 상기 디퍼랜셜 모드 센싱은 구동전압이 인가되는 수평구동라인과 교차하는 서로 인접한 2개의 수직감지라인의 감지전압의 차이를 미리 설정한 오프셋 전압과 비교하여 상기 수평구동라인과 상기 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단하며, 상기 싱글 모드 센싱은 구동전압이 인가되는 수평구동라인과 교차하는 하나의 수직감지라인의 감지전압을 일정시간 누적시켜 누적전압을 생성하고, 상기 누적전압의 준위와 미리 설정한 기준전압의 준위를 비교하여 상기 수평구동라인과 상기 수직감지라인이 교차하는 하나의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지회로는, 스위치블록, 리드아웃 블록, 오프셋 비교블록, 래치드 비교블록 및 모드선택블록을 구비한다. 상기 스위치블록은 상기 복수 개의 수직감지라인 중 2개를 스위칭한다. 상기 리드아웃 블록은 모드선택신호에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 스위치블록에서 선택된 2개의 수직감지라인의 감지전압에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하면서 연속시간 적분(continuous time integration)하여 제1라인감지전압, 제2라인감지전압 및 제3라인감지전압을 출력한다. 상기 오프셋 비교블록은 모드선택신호에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 제1라인감지전압 및 상기 제2라인감지전압의 전압준위의 차이를 미리 설정한 오프셋 전압과 비교하여 오프셋 비교값을 생성한다. 상기 래치드 비교블록은 모드선택신호에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 제3라인감지전압을 일정시간 누적하여 누적전압을 생성하고, 상기 누적전압의 준위와 미리 설정한 기준전압의 준위를 비교하여 래치드 비교값을 생성한다. 상기 모드선택블록은 상기 오프셋 비교값 및 상기 래치드 비교값에 대응되는 상기 모드선택신호를 생성한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치스크린 구동시스템은, 제5항에 기재된 듀얼모드 터치감지회로를 구비한다.
본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법은 터치스크린 패널에서 터치 된 노드를 대략적으로 파악한 뒤 터치가 된 노드에 대해서는 정밀한 감지를 수행함으로써, 중대형 터치스크린의 스캔 시간을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
특히, 피크형태의 디스플레이 잡음을 미리 클램핑하므로 피크 잡음에 강한 특성이 있으며, 이어서 디스플레이 잡음에 강하고 아날로그 신호의 처리에 유리한 디퍼랜셜 센싱 방법과 잡은 평균화 효과에 의해 신호대 잡음의 특성이 좋고 디지털 신호의 처리에 유리한 싱글 센싱 방법을 혼용하여 사용함으로써, 두 개의 센싱 방법의 단점을 상호 보완할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법의 개념도이다.
도 2는 2군데의 터치가 있는 터치스크린 패널을 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 하나의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 일 실시 예를 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 하나의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 다른 일 실시 예를 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 두 개의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 일 실시 예를 설명한다.
도 6은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 두 개의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 다른 일 실시 예를 설명한다.
도 7은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지회로의 일 실시 예이다.
도 8은 듀얼모드 터치감지회로를 구성하는 리드아웃블록의 회로이다.
도 9는 리드아웃블록을 구성하는 GM셀의 회로도이다.
도 10은 듀얼모드 터치감지회로를 구성하는 오프셋 비교블록의 일 실시 예를 나타낸다.
도 11은 오프셋 비교블록의 기능을 설명한다.
도 12는 듀얼모드 터치감지회로를 구성하는 오프셋 비교블록의 다른 일 실시 예를 나타낸다.
도 13은 래치드 비교블록의 일 실시 예이다.
도 14는 래치드 비교블록의 기능을 설명한다.
도 15는 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지회로의 모의실험결과를 나타낸다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시 예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 듀얼모드 터치감지방법(100)은, 터치스크린 패널(미도시)에 각각 설치되며 구동전압이 인가되는 복수 개의 수평구동라인 및 상기 수평구동라인과 일정한 절연물질을 사이에 두고 서로 교차하는 복수 개의 수직감지라인을 이용하여 상기 터치스크린 패널의 터치 여부를 감지하는 것이며, 신호리드아웃 단계(105), 디퍼랜셜 모드 센싱 단계(110) 및 싱글 모드 센싱 단계(120)를 번갈아 가면서 수행한다.
신호리드아웃 단계(105)는 터치스크린 패널의 수평구동라인을 구동하면서 상기 수평구동라인과 인접하는 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차 노드에서의 감지전압들에 포함되는 피크 잡음은 제거(clamping, 이하 클램핑)하고 피크 잡음이 제거된 상기 감지전압들은 연속시간 적분(continuous time integration)한다.
디퍼랜셜 모드 센싱 단계(110)는 신호리드아웃 단계(105)를 거친 2개의 교차노드에서의 감지전압들에 대해 디퍼랜설 모드 센싱을 수행하여 2개의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단한다. 판단 결과 임의의 2개의 교차 노드 중 적어도 하나에서 터치가 없었다고 판단한 경우(No)에는, 터치가 있었다고 판단할 때까지, 이웃하는 수직감지라인에 대하여 연속하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행한다.
싱글 모드 센싱 단계(120)는 디퍼랜셜 모드 센싱(110)을 수행하면서 임의의 2개의 교차 노드에서 터치가 발생하였다고 판단한 경우(Yes), 2개의 교차 노드 중 적어도 하나의 교차 노드에 대해 싱글 모드 센싱을 수행하여 해당 노드에 대해 터치 여부를 판단하며, 싱글 모드 센싱을 수행한 교차 노드에서 터치가 발생하였다고 판단한 경우(No)에는 이웃하는 수직감지라인에 대하여 싱글 모드 센싱을 수행하고, 싱글 모드 센싱을 수행한 교차 노드에서 터치가 발생하지 않았다고 판단한 경우(Yes)에는 이어지는 교차 노드에 대해서는 디퍼랜셜 모드 센싱 단계를 수행하도록 한다.
디퍼랜셜 모드 센싱 방법과 싱글 모드 센싱 방법은 이 분야의 통상의 지식을 가진 기술자에게는 알려져 있지만, 이해를 돕기 위해 간략하게 설명한다.
디퍼랜셜 모드 센싱은 구동전압이 인가되는 수평구동라인과 교차하는 서로 인접한 2개의 수직감지라인의 감지전압(VL1, VL2)의 차이(VL1-VL2)를 미리 설정한 오프셋 전압(Voff)과 비교하여 수평구동라인과 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단한다. 싱글 모드 센싱은 구동전압이 인가되는 수평구동라인과 교차하는 하나의 수직감지라인의 감지전압(VL1)을 일정시간 누적시켜 누적전압(∫VL1)을 생성하고, 누적전압(∫VL1)의 준위와 미리 설정한 기준전압(Vref)의 준위를 비교하여 수평구동라인과 수직감지라인이 교차하는 하나의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단한다.
싱글 모드 센싱 단계(120)는, 디퍼랜셜 모드 센싱 단계(110)에서 터치가 발생하였다고 판단된 순간(Yes)의 수평구동라인과 2개의 수직감지라인과 교차하는 2개의 교차 노드 및 2개의 교차 노드에 연속하는 교차 노드에 대하여 수행하거나, 디퍼랜셜 모드 센싱 단계(110)에서 터치가 발생하였다고 판단된 순간(Yes)의 수평구동라인과 2개의 수직감지라인과 교차하는 2개의 교차 노드 중 선택된 하나의 교차 노드 및 선택된 교차 노드와 연속하는 교차 노드에 대하여 수행한다.
디퍼랜셜 모드 센싱 단계(110)에서, 2개의 수직감지라인의 감지전압의 차이가 상기 오프셋 전압보다 큰 경우(Yes)에는 2개의 수직감지라인과 수평구동라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하였다고 판단하고, 2개의 수직감지라인의 감지전압의 차이가 오프셋 전압보다 작은 경우에는 2개의 수직감지라인과 수평구동라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하지 않았다고 판단한다.
싱글 모드 센싱 단계(120)에서, 누적전압의 준위가 기준전압의 준위에 비해 낮을 경우에는 수평구동라인과 수직감지라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하였다고 판단하고, 누적전압의 준위가 상기 기준전압의 준위에 비해 높을 경우에는 수평구동라인과 수직감지라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하지 않았다고 판단한다.
이하에서는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시 예에 따른 듀얼모드 터치감지방법에 대하여 구체적으로 설명한다. 먼저 설명의 편의를 위해 터치스크린 패널을 정의하고, 터치스크린 패널 중 2곳에 터치가 있었다고 가정한다.
도 2는 2군데의 터치가 있는 터치스크린 패널을 나타낸다.
도 2를 참조하면, 이하의 설명에서 적용하는 터치스크린 패널은 8개의 수평구동라인과 13개의 수직감지라인이 있는 것으로 가정하였다. 터치스크린 패널의 2번째 수평구동라인과 4번째 수직감지라인이 교차하는 하나의 노드에 하나의 터치가 있고, 6번째 수평구동라인과 7 및 8번째 수직감지라인이 교차하는 2개의 노드에 터치가 있었다고 가정하고 설명한다. 터치스크린 패널의 가장자리가 되는 부분에는 라인 번호를 기재하지 않았으며, 설명의 편의를 위해서 첫 번째 수평구동라인 및 수직감지라인의 번호는 0(zero)으로 기재하였다.
도 3은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 하나의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 일 실시 예를 설명한다.
도 3을 참조하면, 하나의 교차 노드에 터치가 발생한 경우, 도 3a도 3j까지 모두 10개의 순서대로 터치 여부를 감지한다.
터치스크린 패널의 터치 여부의 감지는 첫 번째 수평구동라인(1)에 구동전압을 인가하여 활성화하고, 첫 번째 수평구동라인(1)과 교차하는 13개의 수직구동라인과의 교차 노드에서 터치 여부를 감지한 다음, 두 번째 수평구동라인(2)을 활성화한 후 두 번째 수평구동라인(2)과 교차하는 13개의 수직구동라인과의 교차 노드에서의 터치 여부를 감지하며, 이러한 감지 방식을 각각의 수평구동라인 및 수직구동라인에 대하여 순차적으로 수행한다.
도 3은 두 번째 수평구동라인(2)을 활성화한 후 13개의 수직구동라인과의 교차 노드에서의 터치 여부를 감지하는 과정을 설명한다.
먼저 2개의 수직감지라인 즉, 패널의 가장자리에 위치한 수직감지라인(0)과 첫 번째 수직감지라인(1)에 대하여 센싱을 수행한다(3a). 두 번째 수평구동라인(2)과 2개의 수직구동라인(0, 1)이 서로 교차하는 교차 노드에 대하여 터치 여부를 감지하는 방식으로, 본 발명에서는 디스플레이 잡음과 RF 잡음에 강하다고 일반적으로 알려져 있는 디퍼랜셜 모드 센싱을 제안한다. 디퍼랜션 모드 센싱은 앞에서 설명한 바와 같이, 수직구동라인(0, 1)의 감지전압의 차이가 미리 설정한 오프셋 전압(Voff)와 비교하고, 비교 결과에 따란 2개의 교차 노드 중 적어도 하나의 교차 노드에 터치가 있는가를 판단한다. 도 3a를 참조하면, 터치가 발생하지 않았으므로 수직구동라인(0, 1)의 감지전압의 차이(VL1-VL2)가 오프셋 전압(Voff)보다 적을 것이므로, 다음 단계도 디퍼랜션 모드 센싱을 수행한다.
다음 단계는 첫 번째 수직감지라인(1) 및 두 번째 수직감지라인(2)에 대하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하는데(3b) 센싱 결과 해당 교차 노드에서의 터치는 없으며, 이어서 두 번째 수직감지라인(2) 및 세 번째 수직감지라인(3)에 대하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(3c)하여도 해당 교차 노드에서의 터치는 없다고 판단된다.
세 번째 수직감지라인(3) 및 네 번째 수직감지라인(4)에 대하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하는 경우(3d), 그림을 참조하면 네 번째 수직감지라인(4)에 터치가 있었으므로, 세 번째 수직감지라인(3) 및 네 번째 수직감지라인(4)의 차이는 오프셋 전압보다 크게 될 것이다. 이러한 비교 결과에 따라 네 번째 수직감지라인(4)은 싱글 모드 센싱 단계(120)를 수행(3e)하게 된다. 두 번째 수직감지라인(2)과 세 번째 수직감지라인(3)에 대한 디퍼랜셜 모드 센싱 결과 터치가 없었다고 판단하였으므로, 여기서는 세 번째 수직감지라인(3)에 대해서는 싱글 모드 센싱을 수행하지 않고, 네 번째 수직감지라인(4)에 대해서만 싱글 모드 센싱을 수행하자는 것이다.
네 번째 수직감지라인(4)에 터치가 있었고, 따라서 네 번째 수직감지라인(4)의 누적전압(∫VL1)의 준위가 기준전압(Vref)의 준위에 비해 낮게 되므로(No) 이어지는 다섯 번째 수직감지라인(5)에 대해서도 싱글 모드 센싱을 수행(3f)하게 된다.
다섯 번째 수직감지라인(5)과 2번째 수평구동라인(2)과의 교차 노드에는 터치가 없었으므로, 다섯 번째 수직감지라인(5)의 누적전압의 준위는 기준전압의 준위에 비해 높게 되므로, 이어지는 여섯 번째 수직감지라인(6) 및 일곱 번째 수직감지라인(7)에 대해서는 다시 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(3g)한다.
이어지는 나머지 수직감지라인(8~13)에 대해서도 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(3h~3j)하여도 터치는 감지되지 않게 된다.
요약하면, 2 번째 수평구동라인(2)을 활성화 한 후, 2 번째 수평구동라인(2)과 교차하는 13개의 수직감지라인(1~13)에 대하여 먼저 디퍼랜셜 모드 센싱을 2개의 수직감지라인에 대하여 수행(3a~3C)하고, 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하면서 터치가 감지된 경우(3d)에는 해당 교차 노드에 대하여 싱글 모드 센싱을 수행(3e)한다. 싱글 모드 센싱을 수행하면서 터치가 감지되지 않은 경우(3f)에는 이어지는 교차 노드에 대해서는 다시 디퍼랜션 모드 센싱을 수행(3g~3j)한다.
본 발명에서는 터치스크린의 터치를 감지하기 위하여, 일단은 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하고, 터치가 감지된 경우에는 정밀한 감지를 위해 해당 교차 노드에는 싱글 모드 센싱을 수행하는 것을 제안한다.
도 3에 도시된 과정은 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하다가 터치가 감지된 경우 싱글 모드 센싱으로 변경할 때, 앞선 과정에서 터치가 발생하지 않았다고 판단한 수직구동라인에 대해서는 싱글 모드 센싱을 수행하지 않는 경우에 대한 것이다. 그러나 안정적이고 정밀한 터치 감지를 위해서는 아래와 같은 감지 방식을 선택할 수도 있다.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 하나의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 다른 일 실시 예를 설명한다.
도 4를 참조하면, 2개의 교차 노드에 대하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하다가 터치가 감지된 경우, 감지된 순간에 사용된 2개의 교차 노드 모두에 대하여 싱글 모드 센싱을 수행하도록 하는 것이다.
도 4a 내지 도 4d까지는 도 3a 내지 도 3d에 대한 경우와 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다.
세 번째 수직감지라인(3)과 네 번째 수직감지라인(4)에 대하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행한 결과 터치를 감지하였는데(3d), 새로 제안되는 방식은 세 번째 수직감지라인(3)에 대하여 싱글 모드 센싱을 수행(4e)하는 것이다. 도 3의 경우에는 네 번째 수직감지라인(4)에 대해서만 싱글 모드 센싱을 수행하였다. 도 4e를 참조하면, 세 번째 수직감지라인(3)에는 터치가 발생하지 않았으므로, 이어지는 2개의 수직감지라인(4, 5)에 대해서는 다시 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(4f)한다.
도 4f를 참조하면, 네 번째 수직감지라인(4)에 터치가 있었으므로, 2개의 수직감지라인(4, 5)에 대한 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(4f)한 결과 다시 터치가 감지된다. 따라서 2개의 교차 노드 중 네 번째 수직감지라인(4)과 두 번째 수평구동라인(2)과의 교차 노드에 대해 싱글 모드 센싱을 수행(4g)한다. 네 번째 수직감지라인(4)에 실제 터치가 있었으므로, 이어지는 다섯 번째 수직감지라인(5)에 대해서도 센싱 모드를 바꾸지 않고 싱글 모드 센싱을 수행(4h)한다.
다섯 번째 수직감지라인(5)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되지 않으므로, 이어지는 2개의 수직감지라인(6, 7)에 대해서는 다시 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(4i)한다. 2개의 수직감지라인(6, 7)에 대한 디퍼랜셜 모드 센싱 결과 터치가 감지되지 않으므로, 연속하는 수직감지라인(8, 13)에 대해서도 계속하여 디퍼랜셜 모스 센싱을 수행(4j~4l)한다.
도 4에 도시된 방법이 도 3에 도시된 방법에 비해 더 많은 감지시간과 연산이 필요하지만, 터치스크린에의 터치는 상대적으로 정확하게 인식할 수 있는 장점이 있다.
도 3 및 도 4는 하나의 교차 노드에 터치가 이루어진 상황에 대하여 설명하였다. 이하에서는 2개의 교차 노드에 터치가 이루어진 경우 감지하는 방법에 대하여 설명한다. 도 3 및 도 4에서 한 것과 같이, 간단한 감지방식(도 5)과 정밀한 감지방식(도 6)으로 나누어 설명한다. 이하에서는 설명을 간단하게 하기 위하여, 도 3 및 도 4에서의 설명과 중복되는 부분은 생략 또는 압축하였다.
도 5는 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 두 개의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 일 실시 예를 설명한다.
도 5를 참조하면, 여섯 번째 수평구동라인(6)과 일곱 번째 및 여덟 번째 수직감지라인(7, 8)이 교차하는 2개의 노드에 터치가 이루어졌으니, 여섯 번째 수평구동라인(6)이 활성화된 것을 가정하고 설명한다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 여섯 번째 수직감지라인(6)까지 2개씩의 수직감지라인에 대하여 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행한 결과 터치가 감지되지 않았고, 여섯 번째 수직감지라인(6)과 일곱 번째 수직감지라인(7)에 대한 디퍼래셜 모드 센싱을 수행(5d)한 결과 터치가 감지되었다. 따라서 이어지는 감지 단계에서는 센싱 모드를 바꿔 일곱 번째 수직감지라인(7)에 대해서는 싱글 모드 센싱을 수행(5e)한다.
일곱 번째 수직감지라인(7)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되므로, 여덟 번째 수직감지라인(8)에 대해서도 싱글 모드 센싱을 수행(5f)하며, 여덟 번째 수직감지라인(8)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되므로 아홉 번째 수직감지라인(9)에 대해서도 싱글 모드 센싱을 수행(5g)한다.
아홉 번째 수직감지라인(9)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되지 않으므로 이어지는 감지 단계에서는 센싱 모드를 변경하며, 따라서 2개의 수직감지라인(10, 11)에 대해서는 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(5h)한다. 4개의 수직감지라인(10, 11, 12, 13)에는 터치가 발생하지 않았으므로, 수직감지라인(10, 11, 12, 13)에 대해서는 디퍼랜셜 모드 센싱을 그대로 수행(5i, 5j)하게 된다.
도 6은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지방법에서 두 개의 교차 노드에 터치가 있는 경우의 감지과정의 다른 일 실시 예를 설명한다.
도 6a부터 도 6d까지는 도 5a부터 도 5d까지와 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다. 여섯 번째 수직감지라인(6)과 일곱 번째 수직감지라인(7)에 대한 디퍼래셜 모드 센싱을 수행(6d)한 결과 터치가 감지되었다. 따라서 이어지는 감지 단계에서는 센싱 모드를 바꿔 여섯 번째 수직감지라인(6)에 대하여 싱글 모드 센싱을 수행(6e)한다.
여섯 번째 수직감지라인(6)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되지 않았으므로, 이어지는 2개의 수직감지라인(7, 8)에 대해서는 다시 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(6f)한다. 2개의 수직감지라인(7, 8)에 대한 디퍼랜셜 모스 센싱 결과 터치가 감지되었으므로, 일곱 번째 수직감지라인(7)에 대해서는 센싱 모드를 변경하여 싱글 모드 센싱을 수행(6g)한다.
일곱 번째 수직감지라인(7)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되므로, 여덟 번째 수직감지라인(8)에 대해서도 싱글 모드 센싱을 수행(6h)하며, 여덟 번째 수직감지라인(8)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되므로 아홉 번째 수직감지라인(9)에 대해서도 싱글 모드 센싱을 수행(6i)한다.
아홉 번째 수직감지라인(9)에 대한 싱글 모드 센싱 결과 터치가 감지되지 않으므로 이어지는 감지 단계에서는 센싱 모드를 변경하며, 따라서 2개의 수직감지라인(10, 11)에 대해서는 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행(6j)한다. 4개의 수직감지라인(10, 11, 12, 13)에는 터치가 발생하지 않았으므로, 수직감지라인(10, 11, 12, 13)에 대해서는 디퍼랜셜 모드 센싱을 그대로 수행(6k, 6l)하게 된다.
상술한 바와 같이 디퍼랜셜 모드 센싱 방식은 디스플레이 잡음과 RF 잡음에 강하므로 간편하게 터치 여부를 판단할 수 있으며, 싱글 센싱 방식은 인가되는 잡음을 평균화하여 신호대 잡음 비가 우수하므로 정밀하게 터치여부를 판단할 수 있다.
본 발명에서는 디퍼랜셜 모드 센싱을 이용하여 1차적으로 터치 여부를 간편하게 감지한 후, 터치가 감지된 교차 노드에 대해서는 싱글 모드 센싱 방식을 이용하여 2차적으로 정밀하게 터치여부를 판단한다는 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지회로의 일 실시 예이다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지회로는, 터치스크린 패널(10)에 설치된 구동전압이 인가되는 복수 개의 수평구동라인(미도시) 및 상기 수평구동라인과 일정한 절연물질을 사이에 두고 서로 교차하는 복수 개의 수직감지라인(미도시)을 이용하여 터치스크린 패널의 터치 여부를 감지하며, 이 기능을 수행하기 위하여 스위치블록(710), 리드아웃 블록(720), 오프셋 비교블록(730), 래치드 비교블록(740), 모드선택블록(750) 및 아날로그 디지털 변환기(760)를 구비한다.
스위치블록(710)은 터치스크린 패널(10)에 설치된 복수 개의 수직감지라인 중 2개(D1, D2)를 스위칭한다. 리드아웃 블록(720)은 모드선택신호(Mode)에 따라 활성화되는 스위칭제어신호(미도시)에 응답하여 스위치블록(710)에서 선택된 2개의 수직감지라인의 감지전압(D1, D2)에 포함되는 피크 잡음(peak noise)은 클램핑하면서 연속시간 적분(continuous time integration)하여 제1라인감지전압(L1), 제2라인감지전압(L2) 및 제3라인감지전압(L3)을 출력한다. 오프셋 비교블록(730)은 모드선택신호(Mode)에 따라 활성화되는 스위칭제어신호(미도시)에 응답하여 제1라인감지전압(L1) 및 제2라인감지전압(L2)의 전압준위의 차이를 미리 설정한 오프셋 전압(Voff)과 비교하여 오프셋 비교값(OOC)을 생성한다. 래치드 비교블록(740)은 모드선택신호(Mode)에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 제3라인감지전압(L3)을 일정시간 누적하여 누적전압을 생성하고, 누적전압의 준위와 미리 설정한 기준전압(V_ref)의 준위를 비교하여 래치드 비교값(OLC)을 생성한다. 모드선택블록(750)은 오프셋 비교값(OOC) 및 래치드 비교값(OLC)에 대응되는 모드선택신호(Mode)를 생성한다. 아날로그 디지털 변환기(760)는 아날로그 상태인 래치드 비교값(OLC)을 디지털 데이터로 변환한다.
도 8은 듀얼모드 터치감지회로를 구성하는 리드아웃블록의 회로이다.
도 8을 참조하면, 리드아웃블록(720)은, 스위치블록(710)에서 선택된 2개의 수직감지라인 중 하나의 감지전압(D1)에 포함된 피크 잡음을 클램핑하면서 동시에 적분하여 제1라인감지전압(L1)을 생성하는 제1리드아웃회로(810), 스위치블록(710)에서 선택된 2개의 수직감지라인 중 다른 하나의 감지전압(D2)에 포함된 피크 잡음을 클램핑하면서 동시에 적분하여 제2라인감지전압(L2)을 생성하는 제2리드아웃회로(820) 및 제1리드아웃회로(810)의 내부 전압(O1)을 이용하여 제3라인감지전압(L3)을 생성하는 제3리드아웃회로(830)를 포함한다.
제1리드아웃회로(810)는, 제1커패시터(C1), 제1GM셀(811), 제1스위치(S1), 제2스위치(S2), 제3스위치(S3), 제2커패시터(C2) 및 제4스위치(S4)를 포함한다.
제1커패시터(C1)의 일 단자로는 스위치블록(710)에서 선택된 2개의 수직감지라인 중 하나의 감지전압(D1)이 인가된다. 제1GM셀(811)은 제1커패시터(C1)의 다른 일 단자를 통해 네거티브 입력단자(-)로 인가되는 하나의 감지전압(D1)에 포함된 피크 잡음을 클램핑하고, 포지티브 입력단자(+)에 인가된 비교기준전압(VCM)과 제1커패시터(C1)를 경유하여 네거티브 입력단자(-)에 인가되는 하나의 감지전압의 차이를 증폭하여 제1내부출력전압(O1)을 생성한다. 제1스위치(S1)는 제1스위칭신호(φ1)에 응답하여 제1GM셀(811)의 네거티브 입력단자(-)와 출력단자를 스위칭한다. 제2스위치(S2)는 제2스위칭신호(φ2)에 응답하여 제1커패시터(C1)의 일 단자를 비교기준전압(VCM)으로 스위칭한다. 제3스위치(S3)는 제3스위칭신호(φ3)에 응답하여 제1GM셀(8110)의 출력단자(O1)를 스위칭하여 제1라인감지전압(L1)을 출력한다. 제2커패시터(C2)는 제1GM셀(811)의 출력단자와접지전압 사이에 설치된다. 제4스위치(S4)는 제2스위칭신호(φ2)에 응답하여 제2커패시터(C2)를 리셋시킨다.
후술하겠지만, 제1리드아웃회로(810)에서 피크 잡음에 대한 클램핑은 GM셀(811)에서 수행하며, 적분은 제1커패시터(C1), GM셀(811), 제2커패시터(C2) 및 스위치들(S1~S4)의 스위칭 동작에 의해 이루어진다. 이하에서 설명하는 제2리드아웃회로(820)에서도 동일하다.
제2리드아웃회로(820)는, 제3커패시터(C3), 제2GM셀(821), 제5스위치(S5), 제6스위치(S6), 제7스위치(S7), 제4커패시터(C4) 및 제8스위치(S8)를 포함한다.
제3커패시터(C3)의 일 단자로는 스위치블록(710)에서 선택된 2개의 수직감지라인 중 다른 하나의 감지전압(D2)이 인가된다. 제2GM셀(821)은 제3커패시터(C3)의 다른 일 단자를 통해 네거티브 입력단자(-)로 인가되는 다른 하나의 감지전압(D2)에 포함된 피크 잡음을 클램핑하고, 포지티브 입력단자(+)에 인가된 비교기준전압(VCM)과 제3커패시터(C3)를 경유하여 네거티브 입력단자에 인가되는 하나의 감지전압(D1)의 차이를 증폭하여 제2내부출력전압(O2)을 생성한다. 제5스위치(S5)는 제1스위칭신호(φ1)에 응답하여 제2GM셀(821)의 네거티브 입력단자(-)와 출력단자(O2)를 스위칭한다. 제6스위치(S6)는 제2스위칭신호(φ2)에 응답하여 제3커패시터(C3)의 일 단자를 비교기준전압(VCM)으로 스위칭한다. 제7스위치(S7)는 제3스위칭신호(φ3)에 응답하여 제2GM셀(821)의 출력단자(O2)를 스위칭하여 제2라인감지전압(L2)을 출력한다. 제4커패시터(C4)는 제2GM셀(821)의 출력단자(O2)와 접지전압(GND) 사이에 설치된다. 제8스위치(S8)는 제2스위칭신호(φ2)에 응답하여 제4커패시터(C4)를 리셋시킨다.
제3리드아웃회로(830)는, 제5커패시터(C5), 제9스위치(S9) 및 제10스위치(S10)를 포함한다.
제5커패시터(C5)는 일 단자가 제1GM셀(811)의 출력단자(O1)에 연결되고 다른 일 단자는 접지전압(GND)에 연결된다. 제9스위치(S9)는 제4스위칭신호(φ4)에 응답하여 제1GM셀(811)의 출력단자(O2)를 스위칭하여 제3라인감지전압(L3)을 출력한다. 제10스위치(S10)는 제2스위칭신호(φ2)에 응답하여 제5커패시터(C5)를 리셋시킨다.
제1스위칭신호(φ1)가 활성화되는 경우, GM셀(811, 812)의 네거티브 입력단자(-)와 출력단자가 전기적으로 연결되어 GM셀(811, 812)의 출력에 연결된 커패시터(C2, C4, C5)가 비교기준전압(VCM)으로 충전된다. 제1스위칭신호(φ1)가 불활성화되면 GM셀(811, 812)이 적분 회로의 구성요소 중 하나로 동작한다.
모드선택신호(Mode)가 디퍼랜셜 모드 센싱을 지시하는 경우 제3스위칭신호(φ3)가 활성화되며, 싱글 모드 센싱을 지시하는 경우 제3스위칭신호(φ3)는 불활성화되고 제4스위칭신호(φ4)가 활성화된다.
제2스위칭신호(φ2)가 활성화되는 경우 GM셀(811, 812)의 출력에 연결된 커패시터(C2, C4, C5)가 방전되며, GM셀(811, 812)의 네거티브 입력단자(-)에 있는 커패시터(C1, C3)는 비교기준전압(VCM)으로 충전된다.
도 9는 리드아웃블록을 구성하는 GM셀의 회로도이다.
도 9를 참조하면, 2개의 GM셀(811, 812) 각각은, 한 개의 전류원(ICS) 및 12개의 모스트랜지스터(M1~M12)로 구성된다. 도 9에 도시된 GM셀(811, 821)은 크게 3개의 스테이지로 구분할 수 있는데, 바이어스 스테이지(910), 입력스테이지(920) 및 출력스테이지(930)로 구분할 수 있다. 바이어스 스테이지(910)에는 제1전류원(ICS) 및 제1모스트랜지스터(M1)가 포함되며, 입력스테이지(920)에는 3개의 모스트랜지스터(M2~M4)가 포함되고, 출력스테이지(930)에는 7개의 모스트랜지스터(M5~M12)가 포함된다.
제1전류원(ICS)은 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결된다. 제1모스트랜지스터(M1)는 일 단자 및 게이트 단자가 제1전류원(ICS)의 다른 일 단자에 연결되어 제0바이어스전압(Vb0)을 생성하게 되고 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결된다.
제2모스트랜지스터(M2)는 게이트 단자에 제0바이어스전압(Vb0)이 인가되고 일 단자가 접지전압(GND)에 연결된다. 제3모스트랜지스터(M3)는 일 단자가 제2모스트랜지스터(M2)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 비교기준전압(VCM)이 인가된다. 제4모스트랜지스터(M4)는 일 단자가 제2모스트랜지스터(M2)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자로 감지전압(D1/D2)이 인가되는데, 제1GM셀(811)인 경우에는 게이트 단자로 제1감지전압(D1)이 인가되며, 제2GM셀(821)인 경우에는 게이트 단자로 제2감지전압(D2)이 인가될 것이다.
제5모스트랜지스터(M5)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 다른 일 단자가 제3모스트랜지스터(M3)의 다른 일 단자에 연결되며 게이트 단자에 제1바이어스전압(Vb1)이 인가된다. 제6모스트랜지스터(M6)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 다른 일 단자가 제4모스트랜지스터(M4)의 다른 일 단자에 연결되며 게이트 단자에 제1바이어스전압(Vb1)이 인가된다. 제7모스트랜지스터(M7)는 일 단자가 제5모스트랜지스터(M5)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제2바이어스전압(Vb2)이 인가된다. 제8모스트랜지스터(M8)는 일 단자가 제6모스트랜지스터(M6)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제2바이어스전압(Vb2)이 인가된다. 제9모스트랜지스터(M9)는 일 단자가 제7모스트랜지스터(M7)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제3바이어스전압(Vb3)이 인가된다. 제10모스트랜지스터(M10)는 일 단자가 제8모스트랜지스터(M8)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제3바이어스 전압(Vb3)이 인가된다. 제11모스트랜지스터(M11)는 일 단자가 제9모스트랜지스터(M9)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자는 접지전압(GND)에 연결되며 게이트 단자는 제7모스트랜지스터(M7) 및 제9모스트랜지스터(M9)의 공통 단자에 연결된다. 제12모스트랜지스터(M12)는 일 단자가 제10모스트랜지스터(M10)의 다른 일 단자에 연결되며 다른 일 단자는 접지전압(GND)에 연결되고 게이트 단자는 제11모스트랜지스터(M11)의 게이트 단자에 연결된다.
여기서, 3개의 바이어스전압(Vb1~Vb3)들은 GM셀(811, 821)의 외부에서 공급되는 바이어스 전압이다.
GM셀(811, 821)을 구성하는 출력스테이지(930)에 포함되는 모스트랜지스터들의 게이트의 길이(L) 및 폭(W)의 비(W/L)를 조절함으로써 출력단자(O1/O2)의 다이내믹 범위(dyanmic range) 즉 출력전압의 최대값 및 최소값의 범위를 조정할 수 있다. 따라서, 감지전압(D1/D2)에 피크전압이 포함되더라고, 피크전압이 그대로 출력되지 않고 일정한 크기로 제한되어 출력되므로 결국 피크전압이 클램핑되는 효과를 얻을 수 있다.
GM셀(811, 821)은 제1스위칭신호(φ1)이 턴 온 되면 입력단자(-)와 출력단자가 서로 연결되므로, 출력단자는 비교기준전압(VCM)과 동일한 전압준위를 가진다. 제1스위칭신호(φ1)가 턴 오프 되면 GM셀(811, 821)은 오픈 루프(open loop) 상태로 동작하며, 이 경우 입력단자(-)에 인가되는 감지전압(D1/D2)과 gm이 곱해진 형태의 전류가 흘러 커패시터(C2, C4, C5)에 충전된다. 여기서 gm은 GM셀(811, 821)의 등가 저항(R)의 역수(1/R)를 의미한다.
도 9에 도시된 GM셀(811, 821)을 구성하는 모스트랜지스터는 P형 모스트랜지스터 및 N형 모스트랜지스터 중 한 종류의 모스트랜지스터를 이용하여 구현할 수도 있으나, 본 발명에서는 일 예로써 P형 모스트랜지스터와 N형 모스트랜지스터를 모두 사용하였다. 제3모스트랜지스터(M3)부터 제8 모스트랜지스터(M8)까지 6개는 P형 모스트랜지스터이고, 나머지 6개는 N형 모스트랜지스터이다.
도 10은 듀얼모드 터치감지회로를 구성하는 오프셋 비교블록의 일 실시 예를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 오프셋 비교블록(730)은, 바이어스 생성회로(1010), 오프셋 비교전압 생성회로(1020, 1030) 및 오프셋 비교회로(1040)를 포함한다.
바이어스 생성회로(1010)는 제5바이어스전압(Vb5) 및 제6바이어스전압(Vb6)을 생성한다. 오프셋 비교전압 생성회로(1020)는 외부에서 인가되는 제4바이어스전압(Vb4) 및 바이어스 생성회로(1010)에서 생성된 제5바이어스전압(Vb5), 제6바이어스전압(Vb6)을 이용하여 동작하며, 리드아웃블록(720)에서 출력되는 제1라인감지전압(L1) 및 제2라인감지전압(L2)의 전압준위에 각각 대응되는 제1오프셋비교전압(IO1) 및 제2오프셋비교전압(IO2)을 생성한다. 오프셋 비교회로(1030)는 제1오프셋비교전압(IO1) 및 제2오프셋비교전압(IO2)을 비교하여 오프셋 비교값(OOC)을 생성한다.
바이어스 생성회로(1010)는, 전류원(ICS), 5개의 모스트랜지스터(M21~M25) 및 3개의 스위치(S11~S13)를 포함한다.
전류원(ICS)은 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결된다. 제1모스트랜지스터(M21)는 일 단자가 전류원(ICS)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제4바이어스전압(Vb4)이 인가된다. 제2모스트랜지스터(M22)는 일 단자가 제1모스트랜지스터(M21)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자는 접지전압(GND)에 연결된다. 제1스위치(S11)는 제5스위치제어신호(φ5)에 응답하여 전류원(ICS)과 제1모스트랜지스터(M21)의 공통단자를 제2모스트랜지스터(M22)의 게이트 단자로 스위칭한다. 제1스위치(S11)가 턴 온 되면 전류원(ICS)과 제1모스트랜지스터(M21)의 공통단자의 전압준위가 제6바이어스전압(Vb6)이 된다. 제2스위치(S12)는 제5스위치제어신호(φ5)와 크기는 동일하고 위상은 반대인 반전제5스위치제어신호(φ5')에 응답하여 접지전압(GND)을 제2모스트랜지스터(M22)의 게이트 단자로 스위칭한다. 제3모스트랜지스터(M23)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 다른 일 단자 및 게이트 단자가 서로 연결되어 제5바이어스전압(Vb5)을 생성한다. 제3스위치(S13)는 반전제5스위치제어신호(ㄵㅥ5')에 응답하여 동작전압(VDD)을 제3모스트랜지스터(M23)의 게이트 단자에 스위칭한다. 제4모스트랜지스터(M24)는 일 단자가 제3모스트랜지스터(M23)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제4바이어스전압(Vb4)이 인가된다. 제5모스트랜지스터(M25)는 일 단자가 제4모스트랜지스터(M24)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결되며 게이트 단자가 제2모스트랜지스터(M22)의 게이트 단자에 즉 제6바이어스전압(Vb6)이 인가된다.
제5스위치제어신호(ㄵㅥ5)는 모드선택신호(Mode)가 디퍼랜셜 모드 센싱을 지시하는 경우 활성화되어 제5바이어스전압(Vb5) 및 제6바이어스전압(Vb6)이 생성된다. 반전제5스위치제어신호(φ5')는 모드선택신호(Mode)가 싱글 모드 센싱을 지시하는 하는 경우 활성화되며, 이 경우 제5바이어스전압(Vb5) 및 제6바이어스전압(Vb6)은각각 동작전압(VDD) 및 접지전압(GND)으로 되어 오프셋 비교블록(730)이 정상동작을 하지 않게 되어 소비전력이 최소로 된다.
오프셋 비교전압 생성회로(1020, 1030)는 9개의 모스트랜지스터(M26~M34)로 구성되며, 부재번호 1020은 입력단자가 포함되는 입력 스테이지이고, 부재번호 1030은 입력스테이지에서 흐르는 2종류의 전류의 차이를 이용하여 제1오프셋비교전압(IO1) 및 제2오프셋비교전압(IO2)을 생성하는 비교전압 출력스테이지가 될 것이다.
제6모스트랜지스터(M26)는 일 단자가 동작전압에 연결되고 게이트 단자에 제5바이어스전압(Vb5)이 인가된다. 제7모스트랜지스터(M27)는 일 단자가 제6모스트랜지스터(M26)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제1라인감지전압(L1)이 인가된다. 제8모스트랜지스터(M28)는 일 단자가 제6모스트랜지스터(M26)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제2라인감지전압(L2)이 인가된다. 제9모스트랜지스터(M29)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 게이트 단자에 제5바이어스전압(Vb5)이 인가된다. 제10모스트랜지스터(M30)는 일 단자가 제9모스트랜지스터(M29)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 제7모스트랜지스터(M27)의 다른 일 단자에 연결되며 게이트 단자에 제4바이어스전압(Vb4)이 인가된다. 제11모스트랜지스터(M31)는 일 단자가 제10모스트랜지스터(M30)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결되며 게이트 단자에 제6바이어스전압(Vb6)이인가된다. 제12모스트랜지스터(M32)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 게이트 단자에 제5바이어스전압(Vb5)이 인가된다. 제13모스트랜지스터(M33)는 일 단자가 제12모스트랜지스터(M32)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 제8모스트랜지스터(M28)의 다른 일 단자에 연결되며 게이트 단자에 제4바이어스전압(Vb4)이 인가된다. 제14모스트랜지스터(M34)는 일 단자가 제13모스트랜지스터(M33)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결되며 게이트 단자에 제6바이어스전압(Vb6)이 인가된다.
오프셋 비교회로(1040)는, 3개의 인버터(I1~I3) 및 1개의 NOR 게이트(NOR)를 포함한다. 제1인버터(I1)는 제9모스트랜지스터(M29) 및 제10모스트랜지스터(M30)의 공통단자의 전압인 제1오프셋비교전압(IO1)을 반전시킨다. 제2인버터(I2)는 제12모스트랜지스터(M32) 및 제13모스트랜지스터(M33)의 공통단자의 전압인 제2오프셋비교전압(IO2)을 반전시킨다. NOR 게이트(NOR)는 제1인버터(I1) 및 제2인버터(I2)의 출력의 논리 합을 반전시킨다. 제3인버터(I3)는 NOR 게이트(NOR)의 출력을 반전시켜 오프셋 비교값(OOC)을 생성한다.
도 10에 도시된 오프셋 비교블록을 구성하는 모스트랜지스터 중 부재번호 M23, M26 ~ M29, M32인 모스트랜지스터는 P형 모스트랜지스터이고, 나머지는 모두 N형 모스트랜지스터이다.
도 11은 오프셋 비교블록의 기능을 설명한다.
도 11을 참조하면, 오프셋 비교블록(730)에 인가되는 2개의 수직감지라인 감지전압의 차이값(ㄵㅔ)이 미리 설정한 오프셋 전압(Voff)보다 큰 경우를 나타낸다. 2개의 수직감지라인 감지전압의 차이값(ㄵㅔ)은 2개의 수직감지라인 중 터치가 이루어진 수직감지라인의 전압준위(Touch)의 시간에 따른 증가율과 터치가 이루어지지 않은 수직감지라인의 전압준위(Non-Touch)의 시간에 따른 증가율이 서로 다르기 때문에 발생한다. 만일 터치가 2개의 수직감지라인에 모두에 발생하거나 터치가 전혀 발생하지 않은 경우 2개의 수직감지라인 감지전압의 차이값(ㄵㅔ)은 0(zero)가 되거나 오프셋 전압(Voff)보다 적은 값을 나타내게 될 것이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 오프셋 비교값(OOC)은 제1라인감지전압(L1) 및 제2라인감지전압(L2)의 차이(ㄵㅔ)가 오프셋 전압(Voff)보다 적을 경우에는 제1논리 값을 가지며, 반대로 제1라인감지전압(L1) 및 제2라인감지전압(L2)의 차이(ㄵㅔ)가 오프셋 전압(Voff)보다 클 경우에는 제2논리값을 가지게 된다. 2진 시스템(binary system)인 경우에는 제1논리값 및 제2논리값은 논리하이(logic high) 및 논리로우(logic low) 중 하나의 값을 가지게 될 것이다.
예를 들면, 오프셋 비교값(OOC)이 제1논리값을 가지는 경우에는 사용자가 터치스크린 패널을 터치하지 않은 것이므로 모드선택신호(Mode)의 논리값이 변하지 않게 되어 터치스크린 구동시스템은 디퍼랜셜 모드 센싱을 계속해서 유지하게 되며, 반대로 제2논리값을 가지는 경우에는 사용자가 터치스크린 패널을 터치한 것이므로 모드선택신호(Mode)의 논리 값이 변하여 싱글 모드 센싱을 수행하도록 지시하게 될 것이다.
오프셋 전압(Voff)의 크기는 제9모스트랜지스터(M29) 및 제12모스트랜지스터(M32)가 제10모스트랜지스터(M30) 및 제13모스트랜지스터(M33)에 공급하는 전류의 양에 따라 조정이 가능하다. 제9모스트랜지스터(M29) 및 제12모스트랜지스터(M32)의 게이트의 길이 및 폭의 비를 조절함으로써 전류의 크기는 조절할 수 있다.
제9모스트랜지스터(M29) 및 제12모스트랜지스터(M32)의 게이트의 길이 및 폭의 비를 조절하여 오프셋 전압(Voff)을 조정하는 것은 한계가 있으며, 일단 회로가 결정된 다음에는 더 이상의 조절이 불가능하므로, 본 발명에서는 회로가 완성된 후에도, 오프셋 전압(Voff)의 사후 조절이 가능하도록 아래와 같은 회로를 추가로 제안한다.
도 12는 듀얼모드 터치감지회로를 구성하는 오프셋 비교블록의 다른 일 실시 예를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 도 11에 도시된 제9모스트랜지스터(M29)의 다른 일 단자에 전류를 추가 공급하는 제1오프셋서브회로를 적어도 하나 포함하는 제1오프셋 제어회로(1131)를 추가 설치하고, 제12모스트랜지스터(M32)의 다른 일 단자로 전류를 추가 공급하는 제2오프셋서브회로를 적어도 하는 포함하는 제2오프셋 제어회로(1132)를 추가 설치한다.
도 12에는 일 예로써 3개의 제1오프셋서브회로가 도시되어 있는데, 각각 공급전압(VDD)과 제9모스트랜지스터(M29)의 다른 일 단자 사이에 직렬로 연결된 제1전류제어모스트랜지스터 및 제1전류제어스위치를 포함한다. 각각의 제1전류제어모스트랜지스터(M41~M43)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 게이트 단자에 제5바이어스전압(Vb5)이 인가되며, 각각의 제1전류제어스위치(M44~M46)는 해당 오프셋전류제어신호(CC1~CC3)에 응답하여 각각 직렬로 연결된 해당 제1전류제어모스트랜지스터(M41~M43)의 다른 일 단자를 제9모스트랜지스터(M29)의 다른 일 단자로 스위칭한다.
도 12에는 일 예로써 3개의 제2오프셋서브회로가 도시되어 있는데, 각각 공급전압(VDD)과 제12모스트랜지스터(M32)의 다른 일 단자 사이에 직렬로 연결된 제2전류제어모스트랜지스터 및 제2전류제어스위치를 포함한다. 각각의 제2전류제어모스트랜지스터(M51~M53)는 일 단자가 동작전압(VDD)에 연결되고 게이트 단자에 제5바이어스전압(Vb5)이 인가된다. 각각의 제2전류제어스위치(M54~M56)는 해당 오프셋전류제어신호(CC4~CC6)에 응답하여 직렬로 연결된 해당 제2전류제어모스트랜지스터(M51~M53)의 다른 일 단자를 제12모스트랜지스터(M32)의 다른 일 단자로 스위칭한다.
사용자는 불활성화되어 있는 오프셋전류제어신호(CC1~CC6)를 활성화시킴으로써 제10모스트랜지스터(M30) 및 제13모스트랜지스터(M33)에 흐르는 전류의 양을 조절할 수 있다.
제1오프셋 제어회로(1131) 및 제2오프셋 제어회로(1132)를 구성하는 전류제어모스트랜지스터들 및 전류제어스위치들은 모두 P형 모스트랜지스터이며, 나머지 구성요소들은 도 11에 도시된 오프셋 비교블록과 동일하다.
도 13은 래치드 비교블록의 일 실시 예이다.
도 13을 참조하면, 래치드 비교블록(740)은, 누적전압 비교회로(13010) 및 래치드 비교값 생성회로(1320)를 포함한다.
누적전압 비교회로(13010)는 제6스위치제어신호(φ6)에 응답하여 제3라인감지전압(l1')을 일정시간 누적시킨 누적전압의 준위와 미리 설정한 기준전압(V_ref)의 준위를 비교하여 제1비교전압(COM1) 및 제2비교전압(COM1)을 생성한다. 래치드 비교값 생성회로(1320)는 제1비교전압(COM1) 및 제2비교전압(COM2)의 전압준위에 대응되는 래치드 비교값(OLC)을 생성한다.
누적전압 비교회로(1310)는 9개의 모스트랜지스터(M61~M69)로 구현된다.
제1모스트랜지스터(M61)는 일 단자가 동작전압에 연결되고 게이트 단자에 제6스위치제어신호(φ6)가 인가된다. 제2모스트랜지스터(M62)는 일 단자가 제1모스트랜지스터(M61)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 제3라인감지전압(L1')이 인가된다. 제3모스트랜지스터(M63)는 일 단자가 제2모스트랜지스터(M62)의 다른 일 단자에 연결된다. 제4모스트랜지스터(M64)는 일 단자가 제3모스트랜지스터(M63)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결되며 게이트 단자가 제3모스트랜지스터(M63)의 게이트 단자에 연결된다. 제5모스트랜지스터(M65)는 제4모스트랜지스터(M64)와 병렬로 연결되며 게이트 단자에 제6스위치제어신호(φ6)가 인가된다. 제6모스트랜지스터(M66)는 일 단자가 제1모스트랜지스터(M61)의 다른 일 단자에 연결되고 게이트 단자에 기준전압(V_ref)이 인가된다. 제7모스트랜지스터(M67)는 일 단자가 제6모스트랜지스터(M66)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 제3모스트랜지스터(M63)의 게이트 단자에 연결되며 게이트 단자가 제3모스트랜지스터(M63)의 다른 일 단자에 연결된다. 제8모스트랜지스터(M68)는 일 단자가 제7모스트랜지스터(M67)의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결되며 게이트 단자가 제7모스트랜지스터(M67)의 게이트 단자에 연결된다. 제9모스트랜지스터(M69)는 제8모스트랜지스터(M68)와 병렬로 연결되며 게이트 단자에 제6스위치제어신호(φ6)가 인가된다.
5개의 모스트랜지스터(M61, M62, M63, M66, M67)는 P형 모스트랜지스터이고 나머지 4개의 모스트랜지스터(M64, M65, M68, M69)는 N형 모스트랜지스터이다.
모드선택신호(Mode)가 싱글 모드 센싱을 지시하는 경우 제6스위치제어신호(φ6)가 활성화되어 래치드 비교블록(740)이 정상적으로 동작한다. 도 13의 경우 제1모스트랜지스터(M61)은 P형 모스트랜지스터이고, 제5 및 제9 모스트랜지스터(M65, M69)는 N형 모스트랜지스터이므로, 제6스위치제어신호(φ6)의 값에 따라 제1모스트랜지스터(M61)가 턴 온 되는 경우에는 제5 및 제9 모스트랜지스터(M65, M69)는 턴 오프되고, 반대로 제5 및 제9 모스트랜지스터(M65, M69)가 턴 온 되는 경우에는 제1모스트랜지스터(M61)가 턴 오프된다는 것을 알 수 있다.
래치드 비교블록(740)이 정상적으로 동작하기 위해서는 제1모스트랜지스터(M61)는 턴 온 되고 제5 및 제9 모스트랜지스터(M65, M69)는 턴 오프되어야 한다.
래치드 비교값 생성회로(1320)는, 제7모스트랜지스터(M67) 및 제8모스트랜지스터(M68)의 공통단자의 전압인 제1비교전압(COM1)을 반전시키는 제1인버터(I1), 제3모스트랜지스터(M63) 및 제4모스트랜지스터(M64)의 공통단자의 전압인 제2비교전압(COM2)을 반전시키는 제2인버터(I2), 제1인버터(I1) 및 제2인버터(I2)의 출력의 논리 합을 반전시키는 NOR 게이트(NOR) 및 NOR 게이트(NOR)의 출력을 반전시켜 오프셋 비교값(OLC)을 생성하는 제3인버터(I3)를 포함한다.
도 14는 래치드 비교블록의 기능을 설명한다.
도 14를 참조하면, 래치드 비교블록(740)의 적분기능에 의해, 래치드 비교블록(740)에 인가되는 수직감지라인(L1)의 감지전압은 시간이 경과 함에 따라 증가하게 될 것인데, 수직감지라인(L1)에 터치가 발생한 경우(Touch)의 누적전압 증가율은 터치가 발생하지 않은 경우(Non-Touch)의 누적전압 증가율에 비해 낮다. 본 발명에서는 이러한 증가율에 대한 판단 기준으로, 일정한 시간 내에 누적된 누적전압의 준위와 기준전압(Vref)의 준위를 비교하여, 래치드 비교값(OLC)을 생성한다.
도 14의 경우, 터치가 발생하지 않은 경우(Non-Touch)는, 일정한 시간(t)이 경과 한 후에 기준전압(Vref)보다 높은 전압준위를 가지게 되며, 터치가 발생한 경우(Touch)에는 동일한 측정 시간에 기준전압(Vref)보다 낮은 전압준위를 가지게 될 것이고, 래치드 비교값(OLC)은 이러한 상태에 따라 특정의 값을 가지게 된다.
도 15는 본 발명에 따른 듀얼모드 터치감지회로의 모의실험결과를 나타낸다.
도 15를 참조하면, 상부 점선원에 도시된 피크형태의 잡음이 하부의 점선원에 도시된 GM셀의 출력에서는 클램핑되었다는 것을 알 수 있다. 즉, 입력신호(상부의 실선)에 포함된 피크전압 형태의 디스플레이 잡음(Display Noise)에 대한 응답 시, GM셀(811)은 피크형태의 디스플레이 잡음(Display Noise)을 출력(하부의 점선)에 거의 반영하지 않는다는 것을 알 수 있다.
도 8을 참조하면, GM셀(811, 821)이 연속적인 적분형태의 회로로 구성되어 있으며, GM셀(811, 821) 자체에 클램핑 기능이 포함되어 있는데, 도 15에 도시된 실험결과는 이러한 2가지 특징이 반영된 결과이다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다.
105: 리드아웃단계 110: 디퍼랜셜 모드 센싱 단계
120: 싱글 모드 센싱 단계 710: 스위치블록
720: 리드아웃회로 730: 오프셋 비교블록
740: 래치드 비교블록 750: 모드선택블록
760: 아날로그 디지털 변환기

Claims (6)

  1. 터치스크린 패널에 설치된 구동전압이 인가되는 복수 개의 수평구동라인 및 상기 수평구동라인과 일정한 절연물질을 사이에 두고 서로 교차하는 복수 개의 수직감지라인을 이용하여 상기 터치스크린 패널의 터치 여부를 감지하는 듀얼모드 터치감지방법에 있어서,
    수평구동라인을 구동하면서 상기 수평구동라인과 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차노드의 감지전압들에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하고 피크 잡음이 제거된 상기 감지전압들은 연속시간 적분(continuous time integration)하는 신호리드아웃 단계;
    상기 신호리드아웃 단계를 거친 2개의 교차 노드에 대해 디퍼랜설 모드 센싱을 수행하여 상기 2개의 교차 노드에 대한 터치 여부를 판단하는 디퍼랜셜 모드 센싱 단계; 및
    상기 디퍼랜셜 모드 센싱을 수행하면서 임의의 2개의 교차 노드에서 터치가 발생하였다고 판단한 경우, 상기 2개의 교차 노드 중 적어도 하나의 교차 노드에 대해 싱글 모드 센싱을 수행하여 해당 노드에 대해 터치 여부를 판단하며, 싱글 모드 센싱을 수행한 교차 노드에서 터치가 발생하지 않았다고 판단한 경우에는 이어지는 교차 노드에 대해서는 상기 디퍼랜셜 모드 센싱 단계를 수행하도록 하는 싱글 모드 센싱 단계;를 수행하며,
    상기 디퍼랜셜 모드 센싱은 구동전압이 인가되는 수평구동라인과 교차하는 서로 인접한 2개의 수직감지라인의 감지전압의 차이를 미리 설정한 오프셋 전압과 비교하여 상기 수평구동라인과 상기 2개의 수직감지라인이 교차하는 2개의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단하며,
    상기 싱글 모드 센싱은 구동전압이 인가되는 수평구동라인과 교차하는 하나의 수직감지라인의 감지전압을 일정시간 누적시켜 누적전압을 생성하고, 상기 누적전압의 준위와 미리 설정한 기준전압의 준위를 비교하여 상기 수평구동라인과 상기 수직감지라인이 교차하는 하나의 교차 노드에서의 터치 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 듀얼모드 터치감지방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 싱글 모드 센싱 단계는,
    상기 디퍼랜셜 모드 센싱 단계에서 터치가 발생하였다고 판단된 순간의 수평구동라인과 2개의 수직감지라인과 교차하는 2개의 교차 노드 및 상기 2개의 교차 노드에 연속하는 교차 노드에 대하여 수행하거나,
    상기 디퍼랜셜 모드 센싱 단계에서 터치가 발생하였다고 판단된 순간의 수평구동라인과 2개의 수직감지라인과 교차하는 2개의 교차 노드 중 선택된 하나의 교차 노드 및 상기 선택된 교차 노드와 연속하는 교차 노드에 대하여 수행하는 것을 특징으로 하는 듀얼모드 터치감지방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 디퍼랜셜 모드 센싱 단계에서,
    상기 2개의 수직감지라인의 감지전압의 차이가 상기 오프셋 전압보다 큰 경우에는 상기 2개의 수직감지라인과 상기 수평구동라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하였다고 판단하고,
    상기 2개의 수직감지라인의 감지전압의 차이가 상기 오프셋 전압보다 작은 경우에는 상기 2개의 수직감지라인과 상기 수평구동라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하지 않았다고 판단하는 것을 특징으로 하는 듀얼모드 터치감지방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 싱글 모드 센싱 단계에서,
    상기 누적전압의 준위가 상기 기준전압의 준위에 비해 낮을 경우에는 상기 수평구동라인과 상기 수직감지라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하였다고 판단하고,
    상기 누적전압의 준위가 상기 기준전압의 준위에 비해 높을 경우에는 상기 수평구동라인과 상기 수직감지라인의 교차 노드에서는 터치가 발생하지 않았다고 판단하는 것을 특징으로 하는 듀얼모드 터치감지방법.
  5. 터치스크린 패널에 설치된 구동전압이 인가되는 복수 개의 수평구동라인 및 상기 수평구동라인과 일정한 절연물질을 사이에 두고 서로 교차하는 복수 개의 수직감지라인을 이용하여 상기 터치스크린 패널의 터치 여부를 감지하는 듀얼모드 터치감지회로에 있어서,
    상기 복수 개의 수직감지라인 중 2개를 스위칭하는 스위치 블록;
    모드선택신호에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 스위치블록에서 선택된 2개의 수직감지라인의 감지전압에 포함되는 피크 잡음은 클램핑하면서 연속시간 적분(continuous time integration)하여 제1라인감지전압, 제2라인감지전압 및 제3라인감지전압을 출력하는 리드아웃 블록;
    모드선택신호에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 제1라인감지전압 및 상기 제2라인감지전압의 전압준위의 차이를 미리 설정한 오프셋 전압과 비교하여 오프셋 비교값을 생성하는 오프셋 비교블록;
    모드선택신호에 따라 활성화되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 제3라인감지전압을 일정시간 누적하여 누적전압을 생성하고, 상기 누적전압의 준위와 미리 설정한 기준전압의 준위를 비교하여 래치드 비교값을 생성하는 래치드 비교블록; 및
    상기 오프셋 비교값 및 상기 래치드 비교값에 대응되는 상기 모드선택신호를 생성하는 모드선택블록;을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼모드 터치감지회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 리드아웃블록은,
    상기 스위치블록에서 선택된 2개의 수직감지라인 중 하나의 감지전압을 클램핑하고, 적분하여 상기 제1라인감지전압을 생성하는 제1리드아웃회로;
    상기 스위치블록에서 선택된 2개의 수직감지라인 중 다른 하나의 감지전압을 클램핑하고, 적분하여 상기 제2라인감지전압을 생성하는 제2리드아웃회로; 및
    상기 제1리드아웃회로의 내부 전압을 이용하여 상기 제3라인감지전압을 생성하는 제3리드아웃회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼모드 터치감지회로.
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KR20160022206A (ko) * 2014-08-19 2016-02-29 크루셜텍 (주) 플렉서블 터치 스크린 패널의 멀티 터치에 대한 터치 검출 방법 및 장치

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