KR20130119664A - 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20130119664A
KR20130119664A KR1020120042640A KR20120042640A KR20130119664A KR 20130119664 A KR20130119664 A KR 20130119664A KR 1020120042640 A KR1020120042640 A KR 1020120042640A KR 20120042640 A KR20120042640 A KR 20120042640A KR 20130119664 A KR20130119664 A KR 20130119664A
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Abstract

실시예는 발광소자 패키지, 조명장치 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 소정의 관통홀을 구비하는 패키지 몸체; 상기 관통홀에 배치된 관통 전극; 상기 패키지 몸체 저면에 상기 관통 전극과 연결되는 하부 전극; 상기 패키지 몸체 상면에 상기 관통 전극과 연결되는 상부 전극; 상기 상부 전극 상에 배치되는 발광소자; 상기 발광소자의 둘레에 배치되며 상기 상부 전극 상에 형성된 광반사부; 및 상기 상부 전극 하측에 배치되며 상기 패키지 몸체 내부에 구비되는 제너다이오드;를 포함한다.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자 패키지, 조명장치 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체 발광소자는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
또한, 질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
한편, 종래기술에 의하면 발광소자 패키지에서 정전기 방전에 대비하기 위해 제너다이오드(Zener diode)가 패키지 몸체 상에 실장되는데, 이러한 제너다이오드는 일정한 공간을 차지하므로 광손실을 유발한다.
또한, 종래기술에 의하면 제너다이오드를 발광소자 패키지 상에 배치하는 경우 제너다이오드 상에 연결되는 와이어 본딩에 의해 광손실 또는 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다.
또한, 종래기술에 의하면 발광소자에서 발광된 빛을 외부로 반사하기 위한 반사층이 구비되어 있으나 이러한 반사층이 발광소자 패키지 상에 배치되는 경우 패키지 몸체 상에 배치되는 제너다이오드에 의해 반사층의 구현에 한계가 있는 점이 있었다.
또한, 종래기술에 의하면 패키지 몸체 상에 배치되는 반사층의 광학적 효율을 제대로 발휘하지 못하는 문제가 있었다.
또한, 종래기술에 의하면 패키지 몸체 상에 배치되는 발광소자의 깊이에 따른 광학적 효율에 대한 고려가 부족한 면이 있었다.
실시예는 광학적 효율이 극대화된 발광소자 패키지 및 조명장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 소정의 관통홀을 구비하는 패키지 몸체; 상기 관통홀에 배치된 관통 전극; 상기 패키지 몸체 저면에 상기 관통 전극과 연결되는 하부 전극; 상기 패키지 몸체 상면에 상기 관통 전극과 연결되는 상부 전극; 상기 상부 전극 상에 배치되는 발광소자; 상기 발광소자의 둘레에 배치되며 상기 상부 전극 상에 형성된 광반사부; 및 상기 상부 전극 하측에 배치되며 상기 패키지 몸체 내부에 구비되는 제너다이오드;를 포함한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 조명장치에 의하면 광학적 효율을 극대화시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면 투과도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 제1 단면도.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 제2 단면도.
도 4 내지 도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 공정 단면도.
도 7 내지 도 9는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면.
도 10 및 도 11은 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면.
도 12는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 평면 투과도이며, 도 2는 실시예에 따른 발광소자의 I-I'선을 따른 제1 단면도이고, 도 3은 실시예에 따른 발광소자의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따른 제2 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 소정의 관통홀(T)(도 4 참조)을 구비하는 패키지 몸체(210)와, 상기 관통홀(T)에 배치된 관통 전극(224)과, 상기 패키지 몸체(210) 저면에 상기 관통 전극(224)과 연결되는 하부 전극(226)과, 상기 패키지 몸체(210) 상면에 상기 관통 전극(224)과 연결되는 상부 전극(222)과, 상기 상부 전극(222) 상에 배치되는 발광소자(260)와, 상기 발광소자(260)의 둘레에 배치되며 상기 상부 전극(222) 상에 형성된 광반사부(250) 및 상기 상부 전극(222) 하측에 배치되며 상기 패키지 몸체(210) 내부에 구비되는 제너다이오드(230)를 포함할 수 있다.
상기 상부 전극(222)은 상기 패키지 몸체(210) 상에 상호 이격되어 배치되는 제1 상부 전극(222a)과 제2 상부 전극(222b)을 포함하고, 상기 제1 상부 전극(222a) 상에 제1 발광소자(261)가 배치되고, 상기 제2 상부 전극(222b) 상에 제2 발광소자(262)가 배치될 수 있다.
실시예는 상기 제1 상부 전극(222a)과 상기 제2 상부 전극(222b) 사이에 배치되는 연결 전극(222c)을 더 포함하며, 상기 광반사부(250)는 상기 연결 전극(222c) 상에 배치되는 중간 광반사부(250c)를 더 포함할 수 있다.
실시예는 상기 상부 전극(222) 상에 형성된 반사층(미도시)을 더 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 상부 전극(222) 상에 Ag 반사층을 구비하여 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.
실시예에서 발광소자(260)는발광소자(260)는직렬로 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 제1 발광소자(261)는 상기 제1 상부 전극(222a)과 제1 와이어(271)에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 연결 전극(222c)과 제2 와이어(272)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 발광소자(262)는 상기 제2 상부 전극(222b)과 제3 와이어(273)에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 연결 전극(222c)과 제4 와이어(274)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예는 정전기 방전에 대비하기 위해, 패키지 몸체(210) 내부에 제너다이오드(230)를 구비할 수 있다. 상기 제너다이오드(230)는 패키지 몸체(210) 내에 형성된 제1 도전형 이온주입영역(230a)과 상기 제1 도전형 이온주입영역(230a) 내에 배치되는 제2 도전형 이온주입영역(230b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(210)는 비도전형 영역일 수 있으며, 상기 제1 도전형 이온주입영역(230a)은 p형 이온주입 영역을 포함하고, 상기 제2 도전형 이온주입영역(230b)은 n형 이온주입영역을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 제너다이오드(230)은 1개로 도시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 복수로 형성될 수도 있다.
실시예에 의하면 상기 제1 상부 전극(222a)과 제1 도전형 이온주입영역(230a) 사이에 절연층(240)이 개재되어, 상기 제1 상부 전극(222a)과 제1 도전형 이온주입영역(230a) 사이는 전기적으로 절연하고, 상기 제1 상부 전극(222a)이 상기 제2 도전형 이온주입영역(230b)과 전기적으로 연결되도록 할 수 있다.
상기 제2 상부 전극(222b)은 상기 제1 도전형 이온주입영역(230a)과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에서 상기 제너 다이오드(230)는 상기 중간 광반사부(250c)의 하측의 상기 패키지 몸체(210) 내에 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
종래기술에 의하면 제너다이오드(Zener diode)가 패키지 몸체 상에 실장되는데, 이러한 제너다이오드는 일정한 공간을 차지하므로 광손실을 유발하며, 제너다이오드 상에 연결되는 와이어 본딩에 의해 광손실이 발생할 수 있고, 와이어의 단선, 이탈 등으로 인해 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다.
실시예에 의하면 패키지 몸체(210) 내부에 제너다이오드(230)를 형성함으로써 광학적 손실을 방지하여 광학적 효율을 증대시킬 수 있고, 제어다이오드에 연결되는 와이어를 배제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시예에서 상기 광반사부(250)는 상기 패키지 몸체(210)와 다른 재질을 포함할 수 있다. 또한, 실시예에서 상기 광반사부(250)는 광산란체를 더 포함할 수 있다.
종래기술에 의하면 발광소자에서 발광된 빛을 외부로 반사하기 위한 반사층이 구비되어 있으나 이러한 반사층이 발광소자 패키지 상에 배치되는 경우 패키지 몸체 상에 배치되는 제너다이오드에 의해 반사층의 구현에 한계가 있는 점이 있었다.
또한, 종래기술에 의하면 패키지 몸체 상에 배치되는 반사층의 광학적 효율을 제대로 발휘하지 못하는 문제가 있었다.
반면, 실시예에서 제너다이오드(230)가 패키지 몸체(210) 내부에 배치됨으로써 광반사부(250)의 공간적인 설계자유도가 높아지고, 이에 따라 광학적 효율을 극대화할 수 있는 설계가 가능하다.
또한, 실시예에서 상기 광반사부(250)는 패키지 몸체(210)와 다른 재질, 예를 들어 폴리프탈아미드(Polyphthalamide, PPA)로 이루어질 수 있으며, 열가소성 수지와 글라스 파우더에 Al2O3 또는 Zn2O3의 광산란체가 첨가될 수 있다.
실시예에서 Al2O3 또는 Zn2O3의 재료가 패키지 몸체(210)의 캐버티 내에 도포되어 광반사부(250)를 이루는 경우 발광소자(260)에서 발생되는 빛을 광반사부(250)에서 반사 외에 산란 기능도 수행하여 발광소자 패키지에서 빛이 고르게 외부로 투사될 수 있다.
또한, 실시예에서 광반사부(250)에는 TiO2가 약 10% 내외로 포함되어 광반사를 높일 수 있다. 그리고, 글라스 파우더는 내열성이 높아 약 300℃의 열에서도 캐버티 표면의 변형을 예방할 수 있다.
또한, 종래기술에 의하면 패키지 몸체 상에 배치되는 발광소자의 깊이에 따른 광학적 효율에 대한 고려가 부족한 면이 있었다.
반면, 실시예에서 광반사부(250)의 높이 제어가 용이하므로 광반사부(250)의 높이 조절에 따라 발광소자(260)가 배치되는 캐버티의 깊이 제어가 가능하다.
이에 따라 캐버티의 깊이에 따른 광학적 효율의 최적화가 가능할 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 상기 광반사부(250)의 높이는 상기 발광소자(260)의 높이보다 높게 설계될 수 있으며, 실시예에서 상기 광반사부(250)의 높이를 약 550㎛ 이상으로 설계하는 경우 최적의 광추출 효율을 구현할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 조명장치에 의하면 제너다이오드의 패키지 몸체 내에 배치, 광반사층의 설계 자유도, 광반사층의 반사물질, 광산란층 물질 포함 등에 의해 광학적 효율을 극대화시킬 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 제조방법을 설명한다.
우선, 도 4와 같이 패키지 몸체(210)을 준비하고, 소정의 관통홀(T)을 형성한다. 상기 패키지 몸체(210)는 실리콘(Si) 기판 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 관통홀(T)은 식각에 의해 형성할 수 있으며, 예를 들어, 습식식각을 진행하는 경우 소정의 식각마스크(미도시)를 형성하고, 노출되는 영역에 대한 식각을 통해 관통홀(T)을 형성할 수 있다. 도 4에 예시된 도면은 식각 공정 후의 도면으로서 식각공정이 진행되는 경우 도 4의 도면에서 180°회전된 상태에서 식각이 진행될 수 있다.
다음으로, 도 5와 같이 관통 전극(224), 상부 전극(222), 하부 전극(226), 제너다이오드(230)를 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 관통홀(T)에 관통 전극(224)을 형성하고, 상기 패키지 몸체(210) 저면에 상기 관통 전극(224)과 연결되는 하부 전극(226)과, 상기 패키지 몸체(210) 상면에 상기 관통 전극(224)과 연결되는 상부 전극(222)을 형성할 수 있다.
상기 관통 전극(224), 상부 전극(222), 하부 전극(226)은 구리 등의 재료일 수 있으며, 이들 재료들을 도금한 금속 재료일 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(222) 상에는 반사층(미도시)을 더 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 상부 전극(222) 상에 Ag 반사층을 구비하여 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.
상기 상부 전극(222)은 상기 패키지 몸체(210) 상에 상호 이격되어 배치되는 제1 상부 전극(222a)과 제2 상부 전극(222b)을 포함하고, 이후 공정에서 상기 제1 상부 전극(222a) 상에 제1 발광소자(261)가 배치되고, 상기 제2 상부 전극(222b) 상에 제2 발광소자(262)가 배치될 수 있다.
또한, 상기 관통 전극(224)은 상기 제1 상부 전극(222a)과 전기적으로 연결되는 제1 관통 전극(224a)과 , 상기 제2 상부 전극(222b)과 전기적으로 연결되는 제2 관통 전극(224b)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 하부 전극(226)은 상기 제1 관통 전극(224a)과 전기적으로 연결되는 제1 하부 전극(226a)과 상기 제2 관통 전극(224b)과 전기적으로 연결되는 제2 하부 전극(226b)을 포함할 수 있다.
실시예는 상기 제1 상부 전극(222a)과 상기 제2 상부 전극(222b) 사이에 배치되는 연결 전극(222c)을 더 포함할 수 있다.
실시예는 정전기 방전에 대비하기 위해, 패키지 몸체(210) 내부에 제너다이오드(230)를 구비할 수 있다.
예를 들어, 상기 제너다이오드(230)는 패키지 몸체(210) 내에 형성된 제1 도전형 이온주입영역(230a)과 상기 제1 도전형 이온주입영역(230a) 내에 배치되는 제2 도전형 이온주입영역(230b)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 패키지 몸체(210)는 비도전형 영역일 수 있으며, 상기 패키지 몸체(210) 상에 제1 도전형 이온주입영역(230a)이 형성될 영역을 노출하는 소정의 제1 마스크 패턴(미도시)을 형성한 후 p형 이온을 주입하여 제1 도전형 이온주입영역(230a)을 형성하고, 상기 제1 마스크 패턴을 제거한다. 이후, 제2 도전형 이온주입영역(230b)이 형성될 영역을 노출하는 제2 마스크 패턴(미도시)을 형성한 n형 이온을 주입하여 제2 도전형 이온주입영역(230b)을 형성한 후 제2 마스크 패턴을 제거할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 실시예는 이후 형성되는 제1 상부 전극(222a)과 제1 도전형 이온주입영역(230a) 사이의 일부 영역에 절연층(240)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(240)은 산화막, 질화막 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층(240)은 상기 제1 상부 전극(222a)과 제1 도전형 이온주입영역(230a) 사이는 전기적으로 절연하고, 상기 제1 상부 전극(222a)이 상기 제2 도전형 이온주입영역(230b)과 전기적으로 연결되도록 할 수 있다.
상기 제2 상부 전극(222b)은 상기 제1 도전형 이온주입영역(230a)과 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다.
상기 제1 상부 전극(222a) 과 상기 제2 상부 전극(222b)은 상호 이격되도록 형성될 수 있다.
실시예에 의하면 패키지 몸체(210) 내부에 제너다이오드(230)를 형성함으로써 광학적 손실을 방지하여 광학적 효율을 증대시킬 수 있고, 제어다이오드에 연결되는 와이어를 배제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 실시예는 도 6과 같이 상기 상부 전극(222) 상에 발광소자(260)를발광소자(260)를광소자(260)의 둘레에 배치되며 상기 상부 전극(222) 상에 광반사부(250)를 형성할 수 있다.
실시예에서 발광소자(260)가 2개인 경우 직렬로 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 제1 발광소자(261)는 상기 제1 상부 전극(222a)과 제1 와이어(271)에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 연결 전극(222c)과 제2 와이어(272)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 발광소자(262)는 상기 제2 상부 전극(222b)과 제3 와이어(273)에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 연결 전극(222c)과 제4 와이어(274)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예는 상기 광반사부(250)는 상기 패키지 몸체(210)와 다른 재질을 포함할 수 있다. 또한, 실시예에서 상기 광반사부(250)는 광산란체를 더 포함할 수 있다.
종래기술에 의하면 발광소자에서 발광된 빛을 외부로 반사하기 위한 반사층이 구비되어 있으나 이러한 반사층이 발광소자 패키지 상에 배치되는 경우 패키지 몸체 상에 배치되는 제너다이오드에 의해 반사층의 구현에 한계가 있는 점이 있었다.
또한, 종래기술에 의하면 패키지 몸체 상에 배치되는 반사층의 광학적 효율을 제대로 발휘하지 못하는 문제가 있었다.
반면, 실시예에서 제너다이오드(230)가 패키지 몸체(210) 내부에 배치됨으로써 광반사부(250)의 공간적인 설계자유도가 높아지고, 이에 따라 광학적 효율을 극대화할 수 있는 설계가 가능하다.
또한, 실시예에서 상기 광반사부(250)는 패키지 몸체(210)와 다른 재질, 예를 들어 폴리프탈아미드(Polyphthalamide, PPA)로 이루어질 수 있으며, 열가소성 수지와 글라스 파우더에 Al2O3 또는 Zn2O3의 광산란체가 첨가될 수 있다.
실시예에서 Al2O3 또는 Zn2O3의 재료가 패키지 몸체(210)의 캐버티 내에 도포되어 광반사부(250)를 이루는 경우 발광소자(260)에서 발생되는 빛을 광반사부(250)에서 반사 외에 산란 기능도 수행하여 발광소자 패키지에서 빛이 고르게 외부로 투사될 수 있다.
또한, 실시예에서 광반사부(250)에는 TiO2가 약 10% 내외로 포함되어 광반사를 높일 수 있다. 그리고, 글라스 파우더는 내열성이 높아 약 300℃의 열에서도 캐버티 표면의 변형을 예방할 수 있다.
또한, 종래기술에 의하면 패키지 몸체 상에 배치되는 발광소자의 깊이에 따른 광학적 효율에 대한 고려가 부족한 면이 있었다.
반면, 실시예에서 광반사부(250)의 높이 제어가 용이하므로 광반사부(250)의 높이 조절에 따라 발광소자(260)가 배치되는 캐버티의 깊이 제어가 가능하다.
이에 따라 캐버티의 깊이에 따른 광학적 효율의 최적화가 가능할 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 상기 광반사부(250)의 높이는 상기 발광소자(260)의 높이보다 높게 설계될 수 있으며, 실시예에서 상기 광반사부(250)의 높이를 약 550㎛ 이상으로 설계하는 경우 최적의 광추출 효율을 구현할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 도 6과 같은 공정이 끝난 후 상기 캐버티(C)를 메우는 봉지재(280)를 실리콘 또는 수지 재질로 형성할 수 있다. 상기 봉지재(280)는 패키지 몸체(210)의 캐버티(C) 내에 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 봉지재(280)는 발광소자(260)에서 방출되는 빛의 특성을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 조명장치에 의하면 광학적 효율을 극대화시킬 수 있다.
도 7 내지 도 9는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 조명 장치를 위에서 바라본 사시도이고, 도 8은 도 7에 도시된 조명 장치를 아래에서 바라본 사시도이고, 도 9는 도 7에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀(2511)을 갖는다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 10 및 도 11은 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이고, 도 11은 도 10에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다.
상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사산이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.
상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다.
상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.
상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.
도 11에서, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다.
상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.
상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.
상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.
상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.
상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.
상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 15에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다.
상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다.
상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.
상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. 상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. 다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.
상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(510)를 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다.
상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 소켓(600)은 상기 내부 케이스(500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사산 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.
도 12는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도이다.
도 12는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도(1200)이다. 다만, 도 12의 백라이트 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에 따른 백라이트 유닛(1200)은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.
상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 조명장치에 의하면 광학적 효율을 극대화시킬 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
발광소자 패키지(200), 관통홀(T)
상부 전극(222), 관통 전극(224)
하부 전극(226), 제너다이오드(230)
광반사부(250), 발광소자(260)

Claims (9)

  1. 소정의 관통홀을 구비하는 패키지 몸체;
    상기 관통홀에 배치된 관통 전극;
    상기 패키지 몸체 저면에 상기 관통 전극과 연결되는 하부 전극;
    상기 패키지 몸체 상면에 상기 관통 전극과 연결되는 상부 전극;
    상기 상부 전극 상에 배치되는 발광소자;
    상기 발광소자의 둘레에 배치되며 상기 상부 전극 상에 형성된 광반사부; 및
    상기 상부 전극 하측에 배치되며 상기 패키지 몸체 내부에 구비되는 제너다이오드;를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 상기 패키지 몸체 상에 상호 이격되어 배치되는 제1 상부 전극과 제2 상부 전극을 포함하고,
    상기 발광소자는 상기 제1 상부 전극 상에 배치되는 제1 발광소자와 상기 제2 상부 전극 상에 배치되는 제2 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극 사이에 배치되는 연결전극을 더 포함하며,
    상기 광반사부는 상기 연결전극 상에 배치되는 중간 광반사부를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제너 다이오드는
    상기 중간 광반사부의 하측의 상기 패키지 몸체 내에 배치되는 발광소자 패키지.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 광반사부는
    상기 패키지 몸체와 다른 재질을 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 광반사부는
    광산란체를 더 포함하는 발공소자 패키지.
  7. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 광반사부의 높이는
    상기 발광소자의 높이보다 높은 발광소자 패키지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 광반사부의 높이는 550㎛ 이상인 발광소자 패키지.
  9. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 상부 전극 상에 형성된 반사층을 더 포함하는 발광소자 패키지.
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