KR20130117396A - Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and a electronic device thereof - Google Patents

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KR20130117396A KR1020120039643A KR20120039643A KR20130117396A KR 20130117396 A KR20130117396 A KR 20130117396A KR 1020120039643 A KR1020120039643 A KR 1020120039643A KR 20120039643 A KR20120039643 A KR 20120039643A KR 20130117396 A KR20130117396 A KR 20130117396A
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Abstract

PURPOSE: A compound for an organic electroluminescent device is provided to improve light emitting efficiency, thermal resistance, color purity, and lifetime with low driving voltage. CONSTITUTION: A compound for an organic electroluminescent device contains a compound of chemical formula 1. The organic electroluminescent device has one or more organic layers containing the compounds. In the organic electroluminescent device, the organic layer is formed of the compounds through a solution process. The organic electroluminescent device comprises a first electrode, the organic layers, and a second electrode. An electronic device comprises a display with the organic electroluminescent device; and a control unit which drives the display device.

Description

유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치{COMPOUND FOR ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME, AND A ELECTRONIC DEVICE THEREOF}COMPONENT FOR ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME, AND A ELECTRONIC DEVICE THEREOF

본 발명은 Dithienosilole 화합물 및 그 유도체를 포함하는 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a compound for an organic electric device comprising a Dithienosilole compound and derivatives thereof, an organic electric device comprising the same, and an electronic device thereof.

1980년대 이스트만 코닥사의 씨. 더블유. 탕(C. W. Tang) 등은 각종 역할을 각 재료에 분담시킨 적층 구조 소자를 개발함으로써, 유기 재료를 이용한 유기전기발광 소자를 실용적인 것으로 만들었다. 그들은 전자를 수송할 수 있는 형광체와 정공을 수송할 수 있는 유기물을 적층하고, 양쪽의 전하를 형광체의 층 중에 주입하여 발광시킴으로써, 10 V 이하의 전압으로 1000 cd/m2 이상의 고휘도를 얻을 수 있도록 하였다.Mr. Eastman Kodak Corporation in the 1980s. W. C. W. Tang et al. Developed a laminated structure element in which various roles were distributed to each material, thereby making organic electroluminescent elements using organic materials practical. They stacked phosphors that could transport electrons and organics that could transport holes, and injected both charges into a layer of the phosphor to emit light, so that high brightness of 1000 cd / m2 or more could be obtained at a voltage of 10 V or less. .

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic electric device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, an anode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic electronic device, the organic material layer is often formed of a multilayer structure composed of different materials, and may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고, 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.Materials used as the organic material layer in the organic electric element may be classified into light emitting materials and charge transport materials, such as hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, electron injection materials, and the like, depending on their functions. The light emitting material may be classified into a polymer type and a low molecular type depending on the molecular weight, and may be classified into a phosphorescent material derived from singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from the triplet excited state of electrons . In addition, the light emitting material may be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to achieve a better natural color according to the light emitting color.

특히, 유기전기소자의 우수한 수명 특성을 위해 정공 수송층 또는 완충층(buffer layer)으로 삽입되는 유기물질에 관해 여러 연구가 진행되고 있으며, 이를 위해 양극으로부터 유기층으로의 높은 정공 이동 특성을 부여하면서 증착 후 박막 형성시 균일도가 높고 결정화도가 낮은 정공 주입층 재료가 요구되고 있다.In particular, various studies have been conducted on organic materials inserted into the hole transport layer or the buffer layer for excellent life characteristics of the organic electric device, and for this purpose, a thin film after deposition is provided while providing high hole transport characteristics from the anode to the organic layer. There is a need for a hole injection layer material having high uniformity and low crystallinity in forming.

유기전기소자의 수명단축의 원인 중 하나인 양극전극(ITO)으로부터 금속 산화물이 유기층으로 침투 확산되는 것을 지연시키며, 소자 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 대해서도 안정된 특성, 즉 높은 유리 전이 온도를 갖는 정공 주입층 재료에 대한 개발이 필요하다. 또한 정공 수송층 재료의 낮은 유리전이 온도는 소자 구동시에 박막 표면의 균일도가 무너지는 특성에 따라 소자수명에 큰 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 또한, OLED 소자의 형성에 있어서 증착방법이 주류를 이루고 있으며, 이러한 증착방법에 오랫동안 견딜 수 있는 재료 즉 내열성 특성이 강한 재료가 필요한 실정이다. Delays penetration of metal oxide into the organic layer from the anode electrode (ITO), which is one of the causes of the shortening of the life of the organic electric device, and stable properties for Joule heating generated when driving the device, that is, high glass transition temperature. There is a need for development of a hole injection layer material having In addition, the low glass transition temperature of the hole transport layer material has been reported to have a significant effect on the device life, depending on the characteristics of the uniformity of the surface of the thin film when driving the device. In addition, the deposition method is the mainstream in the formation of the OLED device, a situation that requires a material that can withstand a long time, that is, a material having a strong heat resistance characteristics.

한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다. On the other hand, when only one material is used as the light emitting material, the maximum emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the emission attenuation effect. In order to increase the light emitting efficiency through the light emitting material, a host / dopant system may be used. When the dopant having a smaller energy band gap than the host forming the light emitting layer is mixed with a small amount of the light emitting layer, the excitons generated in the light emitting layer are transported to the dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength band of the dopant, the desired wavelength light can be obtained depending on the type of the dopant used.

전술한 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to fully exhibit the excellent characteristics of the above-described organic electroluminescent device, a material constituting the organic material layer in the device, such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc., is supported by a stable and efficient material. Although this should be preceded, the development of a stable and efficient organic material layer for an organic electric element has not yet been made sufficiently, and therefore, the development of new materials is continuously required.

본 발명은 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 고내열성, 색순도 및 수명을 향상시킬 수 있는 Dithienosilole 화합물 및 그 유도체를 이용한 유기전기소자, 그 단말을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic electric device using a Dithienosilole compound and derivatives thereof capable of improving high luminous efficiency, low driving voltage, high heat resistance, color purity and lifetime of the device, and a terminal thereof.

구체적으로, 본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고, 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 고내열성, 색순도, 안정성 및 수명의 향상이라는 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.Specifically, the present invention is represented by the following formula 1 to solve the problems of the prior art described above, and to achieve the object of the present invention to improve the luminous efficiency, low driving voltage, high heat resistance, color purity, stability and life of the device To provide a compound.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

(1) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 는 각각 서로 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴기; (1) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 are each independently hydrogen, deuterium, tritium, halogen, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkyl an amine group, C 1 ~ alkyl group of C 20 thiophene group, C 6 ~ C 20 aryl thiophene group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C cycloalkyl of 2 ~ C 20 alkynyl group, C 3 ~ C 20 of alkyl group, C 6 ~ C 20 aryl group, of a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen aryl, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a heteroaryl of germanium group, a C 2 ~ C 20 an aryl group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a ring C 6 ~ C 60;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환 되고, O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C 2 ~C 60 의 헤테로고리기; Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and Substituted or unsubstituted C 2 ~ C 60 heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of acetylene groups, and containing at least one heteroatom of O, N, S, Si, P ;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 2 ~ C 20 알케닐기;Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and with a substituent selected from the group consisting of acetylene substituted or unsubstituted C 2 ~ C 20 alkenyl;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 30 의 알콕시기;Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 7 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group group substituents a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 selected from the consisting of Alkoxy group ;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 50 의 알킬기; 및Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C arylalkyl group of 7 ~ C 20, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 1 ~ C 50 Alkyl group ; And

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C1~C50의 알킬기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 로 이루어진 군에서 선택되며,Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, Substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 -C 20 arylalkyl group, C 8 -C 20 arylalkenyl group, C 1 -C 50 alkyl group, C 2 -C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group or Unsubstituted fluorene group ; Is selected from the group consisting of

(2) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 는 각각 또는 인접한 기와 결합 또는 반응하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. 여기서, 인접한 기는 Ar1, Ar2, Ar3 등과 같은 치환기일수도 있고, 모핵(모체)일 수도 있으며, 모핵에 결합된 또 다른 치환기일 수도 있다.(2) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 may be bonded or reacted with each or adjacent groups to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring. Here, the adjacent group may be a substituent such as Ar 1 , Ar 2 , Ar 3, etc., may be a mother nucleus (parent), or may be another substituent bonded to the mother nucleus.

(3) L은 니트로, 니트릴, 할로겐, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기 및 C6~C20의 아릴기, C2~C20의 헤테로 고리기, 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴렌기; (3) L is composed of nitro, nitrile, halogen, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group and C 6 -C 20 aryl group, C 2 -C 20 heterocyclic group, amino group substituted with a substituent selected from the group or unsubstituted arylene group, a C 6 ~ C 60;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C1~C50의 알킬기,C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기 ; Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, Substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 -C 20 arylalkyl group, C 8 -C 20 arylalkenyl group, C 1 -C 50 alkyl group, C 2 -C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group or Unsubstituted fluorenylene group ;

니트로, 니트릴, 할로겐, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기 C6~C20의 아릴기, C2~C20의 헤테로 고리기 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 3 ~ C 60 의 헤테로 아릴렌기 ; 2가의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소; 로 이루어진 군에서 선택되며,Substituted by a substituent selected from the group consisting of nitro, nitrile, halogen, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group C 6 ~ C 20 aryl group, C 2 ~ C 20 heterocyclic group and amino group Or an unsubstituted C 3 to C 60 hetero arylene group ; And Divalent substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbons; Is selected from the group consisting of

(4) R 1 , R 2 는 각각 서로 독립적으로 수소; (4) R 1 and R 2 are each independently hydrogen;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 50 의 알킬기;Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C arylalkyl group of 7 ~ C 20, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 1 ~ C 50 Alkyl group ;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴기; Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkylamine group, C 1 ~ C 20 alkylthiophene group, C 6 C 20 -C20 arylthiophene group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, deuterated C 6 to C 20 aryl group, a C 8 - C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heterocyclic C 6 to an aryl group of C 60;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환 되고, O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C 2 ~C 60 의 헤테로고리기; Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and Substituted or unsubstituted C 2 ~ C 60 heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of acetylene groups, and containing at least one heteroatom of O, N, S, Si, P ;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이뤄진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~C 60 아릴아민기 ; Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C 60 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group yirwojin group heterocyclic C 6 ~ C 60 arylamine group;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 2 ~ C 20 알케닐기;Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and with a substituent selected from the group consisting of acetylene substituted or unsubstituted C 2 ~ C 20 alkenyl;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 30 의 알콕시기; 및Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 7 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group group substituents a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 selected from the consisting of Alkoxy group ; And

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 30 아릴옥시기 ;이다.
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 7 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group group substituted with substituted or unsubstituted C 6 ~ C 30 selected from the consisting of aryloxy; to be.

또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 하기 화학식 2 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 제공한다.In addition, the present invention provides a compound represented by any one of the following formulas (2) to (4) to achieve the above object.

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 2 내지 4에서,In the above Chemical Formulas 2 to 4,

(1) R 1 , R 2 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 는 상기 화학식 1에서 정의된 R 1 , R 2 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 와 같고,(1) R 1 , R 2 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 is the same as R 1 , R 2 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 defined in Formula 1,

(2) R′, R″ 는 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 50 의 알킬기; 및(2) R ′, R ″ are hydrogen, deuterium, tritium, halogen, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, substituted with deuterium Substituted by a substituent selected from the group consisting of C 6 ~ C 20 aryl group, C 7 ~ C 20 arylalkyl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group Or an unsubstituted C 1 to C 50 alkyl group ; And

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴기; 로 이루어진 군에서 선택되며,Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkylamine group, C 1 ~ C 20 alkylthiophene group, C 6 C 20 -C20 arylthiophene group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, deuterated C 6 to C 20 aryl group, a C 8 - C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heterocyclic C 6 to an aryl group of C 60; Is selected from the group consisting of

(3) R′, R″ 는 서로 결합 또는 반응하여 스피로 화합물을 형성할 수 있다.
(3) R ′ and R ″ may be bonded or reacted with each other to form a spiro compound.

본 명세서에서 '아릴기'는 단일환 또는 복소환의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 링을 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기일 수 있다.As used herein, an "aryl group" refers to a monocyclic or heterocyclic aromatic, and includes an aromatic ring formed by neighboring substituents participating in a bond or a reaction. For example, the aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a fluorene group, or a spirobifluorene group.

또한, '헤테로고리기'는 링을 형성하는 탄소 대신 이종원자(헤테로원자)를 포함하는 방향족 또는 지환족의 단일환 또는 복소환 고리를 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 헤테로 방향족 또는 지환족 고리를 포함한다.In addition, a "heterocyclic group" means an aromatic or alicyclic monocyclic or heterocyclic ring containing a heteroatom (heteroatom) instead of a carbon forming a ring, a hetero formed by neighboring substituents participating in the bond or reaction Aromatic or cycloaliphatic rings.

더욱 구체적으로, 상기 화학식 1 내지 화학식 4는 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, Chemical Formulas 1 to 4 may be one of the following compounds, but are not limited thereto.

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상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물들은 상기에서 제시된 화합물들 중 하나일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 이때 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물들의 각 치환기들이 광범위한 관계로 모든 화합물들을 예시하는 것은 현실적으로 어려우므로 대표적인 화합물들을 예시적으로 설명한 것이나, 이에 제시되지 않은 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물들도 본 명세서의 일부를 구성할 수 있다.The compounds represented by Chemical Formulas 1 to 4 may be one of the compounds shown above, but are not limited thereto. In this case, since it is practically difficult to exemplify all compounds in a wide relationship with each substituent of the compounds represented by the formulas (1) to (4), the exemplary compounds have been described by way of example, but the compounds represented by the formulas (1) to (4) not shown Part of this specification may be constituted.

또 다른 측면에서, 본 발명은 상기의 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 이 유기전기소자를 포함하는 전자 장치를 제공한다.In still another aspect, the present invention provides an organic electric element using the compound represented by the above formula and an electronic device including the organic electric element.

본 발명에 따르는 Dithienosilole 화합물 및 그 유도체를 이용함으로써 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 고내열성, 색순도 및 수명을 크게 향상시킬 수 있는 효과를 나타낸다.By using the Dithienosilole compound and its derivatives according to the present invention, it is possible to greatly improve the high luminous efficiency, low driving voltage, high heat resistance, color purity and lifetime of the device.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전기발광소자의 예를 도시한 것이다.1 to 6 show examples of the organic electroluminescent device to which the compound of the present invention can be applied.

이하에서 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible even though they are shown in different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a),(b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
In addition, in describing the component of this invention, terms, such as 1st, 2nd, A, B, (a), (b), can be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected,""coupled," or "connected."

이하에서 상기 화학식 1 내지 화학식 4에 속하는 화합물들 중 일부 화합물에 대한 제조예 또는 합성예를 설명한다. 다만, 화학식 1 내지 화학식 4에 속하는 화합물들의 수가 많기 때문에 이들 중 일부를 예시적으로 설명하기로 한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자, 즉 당업자라면 하기에서 설명한 제조예들을 통해, 예시하지 않은 본 발명에 속하는 화합물을 제조할 수 있다.
Hereinafter, the preparation or synthesis examples of some of the compounds belonging to Formulas 1 to 4 will be described. However, since the number of the compounds belonging to the general formula (1) to formula 4 is a large number of them will be described by way of example. Those skilled in the art to which the present invention pertains, that is, those skilled in the art can prepare the compounds belonging to the present invention which are not illustrated through the preparation examples described below.

일반적 합성법 예시General Synthesis Example

Figure pat00044
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Figure pat00045
Figure pat00045

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Figure pat00046

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상기 예시된 일반적 합성법 중 "Sub1-1 → Sub 1-2 → Sub 1" 합성법은 모두 선행논문 Dithienosilole- and Dibenzosilole -Thiophene Copolymers as Semiconductors for Organic Thin-Film Transistors. Hakan Usta, Gang Lu, Antonio Facchetti, and Tobin J. Marks. J. AM. CHEM. SOC. 2006, 128, 9034-9035. 등에 예시되어 있다. 또한, "Sub 1 + Sub 2 → Sub 3", "Sub 3 + Sub 4 → Sub 5", "Sub 5 + Sub 6 → Final" 은 모두 Buchwald-hartwig cross coupling 반응에 기초한 것으로서, 선행논문 중에는 Hartwig, J. F. Palladium-catalyzed amination of aryl halides. Mechanism and rational catalyst design. Synlett 1997, 329-340. 및 Jiang, L., Buchwald, S. L. Palladium-catalyzed aromatic carbon-nitrogen bond formation. Metal-Catalyzed Cross-Coupling Reactions(2nd Edition) 2004, 2, 699-760. 등에 예시되어 있다.
Among the general synthesis methods exemplified above, all of the "Sub1-1-> Sub 1-2-> Sub 1" synthesis methods are the preceding articles Dithienosilole- and Dibenzosilole-Thiophene Copolymers as Semiconductors for Organic Thin-Film Transistors. Hakan Usta, Gang Lu, Antonio Facchetti, and Tobin J. Marks. J. AM. CHEM. SOC. 2006, 128, 9034-9035. And the like. In addition, "Sub 1 + Sub 2 → Sub 3", "Sub 3 + Sub 4 → Sub 5", "Sub 5 + Sub 6 → Final" are all based on the Buchwald-hartwig cross coupling reaction. JF Palladium-catalyzed amination of aryl halides. Mechanism and rational catalyst design. Synlett 1997 , 329-340. And Jiang, L., Buchwald, SL Palladium-catalyzed aromatic carbon-nitrogen bond formation. Metal-Catalyzed Cross-Coupling Reactions (2nd Edition) 2004 , 2, 699-760. And the like.

SubSub 1 합성법 1 synthesis method

SubSub 1-1 합성법 예시 1-1 Synthesis Example

3,3′,5,5′-tetrabromo-2,2′-bithiophene (12.5 g, 25.9 mmol)에 zinc powder (6.5 g, 0.1 mol), 90% 에탄올 130 ml, glacial acetic acid 31mL과 3 M의 HCl 2.6 mL 을 넣고 30분 동안 교반한다. 그런 후 2시간 동안 reflux를 시키고 상온으로 쿨링한 뒤, 혼합물을 에탄올로 3번 필터한다. 반응이 종결된 후 물을 가한 후 디에틸에테르로 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4로 건조시킨 후 감압 건조하여 용매를 제거하여 crude product을 얻고, 에틸아세테이트와 노르말헥산을 이용하여 실리카겔관 크로마토그래피로 분리정제하여 Sub 1-1을 얻었다.
3,3 ′, 5,5′-tetrabromo-2,2′-bithiophene (12.5 g, 25.9 mmol) in zinc powder (6.5 g, 0.1 mol), 130 ml of 90% ethanol, 31 mL glacial acetic acid and 3 M Add 2.6 mL of HCl and stir for 30 minutes. After refluxing for 2 hours and cooling to room temperature, the mixture is filtered three times with ethanol. After the reaction was completed, water was added, followed by extraction with diethyl ether. The obtained extract was dried over MgSO 4 , dried under reduced pressure to remove the solvent to obtain a crude product, and purified by silica gel column chromatography using ethyl acetate and normal hexane to obtain Sub 1-1.

SubSub 1-2 합성법 예시 1-2 Synthesis Example

250 mL 2 구 둥근바닥 플라스크에 Sub 1-1 넣고 용매인 THF 125 mL를 가하여 녹인다. 반응 온도를 -78oC로 낮추고 여기에 2.5 M 농도의 n-BuLi를 가한 후 상온에서 1시간 더 교반한다. 반응혼합물을 다시 -78oC로 낮추고 여기에 silane화합물을 가한 후 다시 상온에서 3시간 더 교반한다. 반응이 종결된 후 20 mL의 물을 가한 후 디에틸에테르로 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4로 건조시킨 후 감압 건조하여 용매를 제거하여 crude product을 얻고, 에틸아세테이트와 노르말헥산을 이용하여 실리카겔관 크로마토그래피로 분리정제하여 Sub 1-2를 얻었다.
Sub 1-1 in a 250 mL two-necked round bottom flask was added to dissolve 125 mL of THF as a solvent. The reaction temperature was lowered to -78 o C and n-BuLi at a concentration of 2.5 M was added thereto, followed by further stirring at room temperature for 1 hour. Lower the reaction mixture to -78 o C again, add a silane compound to it, and then stir again at room temperature for 3 hours. After the reaction was completed, 20 mL of water was added, and the mixture was extracted with diethyl ether. The obtained extract was dried over MgSO 4 , dried under reduced pressure to remove the solvent to obtain a crude product, and purified by silica gel column chromatography using ethyl acetate and normal hexane to obtain Sub 1-2.

SubSub 1 합성법 예시 1 Synthetic method example

250 mL 2 구 둥근바닥 플라스크에 Sub 1-2를 넣고 용매인 THF 125 mL를 가하여 녹인다. 반응 온도를 -78oC로 낮추고 여기에 2.5 M 농도의 n-BuLi를 가한 후 상온에서 1시간 더 교반한다. 반응혼합물을 다시 -78oC로 낮추고 여기에 Sub 1-2와 Br2를 넣고 다시 상온에서 3시간 더 교반한다. 반응이 종결된 후 20 mL의 물을 가한 후 디에틸에테르로 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4로 건조시킨 후 감압 건조하여 용매를 제거하여 crude product을 얻고, 에틸아세테이트와 노르말헥산을 이용하여 실리카겔관 크로마토그래피로 분리정제하여 Sub 1을 얻었다.
Sub 1-2 is added to a 250 mL two-necked round bottom flask, and dissolved in 125 mL of THF. The reaction temperature was lowered to -78 o C and n-BuLi at a concentration of 2.5 M was added thereto, followed by further stirring at room temperature for 1 hour. Lower the reaction mixture to -78 o C again, add Sub 1-2 and Br 2 and stir again at room temperature for 3 hours. After the reaction was completed, 20 mL of water was added, and the mixture was extracted with diethyl ether. The extract was dried over MgSO 4 , dried under reduced pressure to remove the solvent to obtain a crude product, and purified by silica gel column chromatography using ethyl acetate and normal hexane to obtain Sub 1.

SubSub 3 합성법 예시 3 Synthesis Example

둥근바닥플라스크에 Sub 1 (1.1당량), Sub 2 (1당량), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 Sub 3을 얻었다.
In a round bottom flask, Sub 1 (1.1 equiv), Sub 2 (1 equiv), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv), Add toluene (10.5 mL / 1 mmol) and proceed with the reaction at 100 ° C. After completion of the reaction, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain product Sub 3.

Sub 2의 Ar3는 페닐, 나프틸, 바이페닐, 피리딘, anisole, tert-butylbenzene, 9,9-dimethyl-9H-fluorene, 9,9-diphenyl-9H-fluorene, 9,9'-spirobi[fluorene] 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이 외에도 Sub 2의 Ar3는,Ar 3 of Sub 2 is phenyl, naphthyl, biphenyl, pyridine, anisole, tert-butylbenzene, 9,9-dimethyl-9H-fluorene, 9,9-diphenyl-9H-fluorene, 9,9'-spirobi [fluorene ], Etc., but is not limited thereto. In addition, Ar 3 of Sub 2 may be

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기; Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkylamine group, C 1 ~ C 20 alkylthiophene group, C 6 C 20 -C20 arylthiophene group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, deuterated C 6 to C 20 aryl group, a C 8 - C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heterocyclic C 6 to C 60 aryl group;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환 되고, O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C2~C60의 헤테로고리기;Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and Substituted or unsubstituted C 2 ~ C 60 heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of acetylene groups, and containing at least one heteroatom of O, N, S, Si, P;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C20의 알케닐기;Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and C 2 ~ C 20 alkenyl group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of an acetylene group;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기;Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 1 ~ C 30 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 ~ C 20 arylalkyl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group An alkoxy group;

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50의 알킬기; 및Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, Unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 to C 20 arylalkyl group, C 8 to C 20 arylalkenyl group, C 2 to C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group A C 1 to C 50 alkyl group; And

수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C1~C50의 알킬기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 도 포함될 수 있다.
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, Substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 -C 20 arylalkyl group, C 8 -C 20 arylalkenyl group, C 1 -C 50 alkyl group, C 2 -C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group or Unsubstituted fluorene group; It may also be included.

SubSub 5 합성법 예시 5 Synthesis Example

둥근바닥플라스크에 Sub 3 (1당량), Sub 4 (1.1당량), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 Sub 5를 얻었다.
Sub 3 (1 equiv), Sub 4 (1.1 equiv), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) Add toluene (10.5 mL / 1 mmol) and proceed with the reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain the product Sub 5.

Sub 4의 예시는 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.An example of Sub 4 is as follows, but is not limited thereto.

Figure pat00048
Figure pat00048

상기 화합물 Sub 4-1 내지 Sub 4-3에 대해 질량분석법(HRMS)을 수행한 결과, 하기 표 1과 같았다.Mass spectrometry (HRMS) was performed on the compounds Sub 4-1 to Sub 4-3, and the results are as follows.

Figure pat00049
Figure pat00049

Sub 4의 연결기 L은 상기 제시된 화합물 외에 2가의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소를 포함할 수도 있다.The linking group L of Sub 4 may include a divalent substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon in addition to the compound shown above.

한편, Sub 4-1의 경우, Br과 I 사이의 연결기로 상기 제시된 화합물(비치환된 C12의 아릴렌기)뿐만 아니라, 니트로, 니트릴, 할로겐, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, C2~C20의 헤테로 고리기 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환된 C6~C60의 아릴렌기; 또는 비치환된 C6~C11, C13~C60의 아릴렌기;도 포함될 수 있다.On the other hand, in the case of Sub 4-1, as well as the compound (above substituted C 12 arylene group) as shown above as the linking group between Br and I, nitro, nitrile, halogen, alkyl group of C 1 ~ C 20 , C 1 ~ C A C 6 -C 60 arylene group substituted with a substituent selected from the group consisting of 20 alkoxy groups, C 6 -C 20 aryl groups, C 2 -C 20 heterocyclic groups, and amino groups; Or an unsubstituted C 6 ~ C 11 , C 13 ~ C 60 arylene group; may also be included.

Sub 4-2의 경우, Br과 I 사이의 연결기로 상기 제시된 화합물(C1~C2의 알킬기로 치환된 플루오레닐렌기)뿐만 아니라, 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C3~C50의 알킬기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기도 포함될 수 있다.In the case of Sub 4-2, hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 2 -C as well as the compound (fluorenylene group substituted with an alkyl group of C 1 -C 2 ) shown above as the linking group between Br and I 20 alkenyl group, an arylalkyl group of C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, of a C 6 ~ C 20 substituted by deuterium aryl group, C 7 ~ C 20 of, C 8 ~ C 20 An aryl alkenyl group, a C 3 ~ C 50 alkyl group, a C 2 ~ C 20 hetero ring group, a nitrile group and a fluorenylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of an acetylene group may be included.

Sub 4-3의 경우, Br과 I 사이의 연결기로 상기 제시된 화합물(비치환된 C11의 헤테로 아릴렌기)뿐만 아니라, 니트로, 니트릴, 할로겐, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, C2~C20의 헤테로 고리기 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환된 C3~C60의 헤테로 아릴렌기; 또는 비치환된 C3~C10, C12~C60의 헤테로 아릴렌기;도 포함될 수 있다.
For Sub 4-3, Br and the compound shown by the connector between the I as well as (Beach heteroaryl group in the C ring 11), nitro, nitrile, halogen, alkyl group of C 1 ~ C 20, C 1 ~ C 20 A C 3 -C 60 hetero arylene group substituted with a substituent selected from the group consisting of an alkoxy group, a C 6 -C 20 aryl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group and an amino group; Or an unsubstituted C 3 ~ C 10 , C 12 ~ C 60 hetero arylene group; may also be included.

FinalFinal 합성법 예시 Synthesis Example

둥근바닥플라스크에 Sub 5 (1.1당량), Sub 6 (1당량), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 Final을 얻었다.
In a round bottom flask, Sub 5 (1.1 equiv), Sub 6 (1 equiv), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv), Add toluene (10.5 mL / 1 mmol) and proceed with the reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic material was silicagel column and recrystallized to obtain a final product.

Sub 6의 예시는 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.An example of Sub 6 is as follows, but is not limited thereto.

Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057

상기 화합물 Sub 6-1 내지 Sub 6-39에 대해 질량분석법(HRMS)을 수행한 결과는 하기 표 2과 같았다.The results of performing mass spectrometry (HRMS) on the compounds Sub 6-1 to Sub 6-39 were as shown in Table 2 below.

Figure pat00058
Figure pat00058

Figure pat00059
Figure pat00059

Sub 6은 상기 제시된 화합물(Ar1 또는 Ar2가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 헤테로고리기, 알케닐기, 플루오렌기) 외에, Ar1 또는 Ar2가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기를 포함할 수 있다.
Sub 6 is set forth above compound (Ar groups 1 or Ar 2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, fluorene) In addition, a substituted or unsubstituted is Ar 1 or Ar 2 are each independently Alkoxy group, substituted or unsubstituted alkyl group.

FinalFinal ProductProduct 합성법 예시 Synthesis Example

1-4 합성 예시1-4 Synthesis Example

Figure pat00060
Figure pat00060

둥근바닥플라스크에 N-phenylbiphenyl-4-amine (4.9g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (13.1g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 9.2g 얻었다. (수율: 65%)
N-phenylbiphenyl-4-amine (4.9 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (13.1 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv) in a round bottom flask, NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added, followed by reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic material was silicagel column and recrystallized to obtain 9.2g of the product. (Yield 65%)

1-14 합성 예시1-14 Synthesis Example

Figure pat00061
Figure pat00061

둥근바닥플라스크에 N-(biphenyl-4-yl)naphthalen-1-amine (5.9g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (13.1g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 10.0g 얻었다. (수율: 66%)
N- (biphenyl-4-yl) naphthalen-1-amine (5.9 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (13.1 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv) and P (t-Bu) in a round bottom flask ) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added and the reaction was carried out at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic material was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 10.0 g of the product. (Yield: 66%).

1-23 합성 예시1-23 Synthesis Example

Figure pat00062
Figure pat00062

둥근바닥플라스크에 N-(biphenyl-4-yl)naphthalen-2-amine (5.9g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (13.1g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 10.3g 얻었다. (수율: 68%)
N- (biphenyl-4-yl) naphthalen-2-amine (5.9 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (13.1 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv) and P (t-Bu) in a round bottom flask ) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added and the reaction was carried out at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 10.3g of product. (Yield 68%)

1-31 합성 예시1-31 Synthesis Example

Figure pat00063
Figure pat00063

둥근바닥플라스크에 dibiphenyl-4-ylamine (6.4g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (13.1g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 10.8g 얻었다. (수율: 69%)
Dibiphenyl-4-ylamine (6.4 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (13.1 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added, followed by reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 10.8 g of the product. (Yield 69%)

1-39 합성 예시1-39 Synthesis Example

Figure pat00064
Figure pat00064

둥근바닥플라스크에 9H-carbazole (3.3g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (13.1g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 11.0g 얻었다. (수율: 70%)
9H-carbazole (3.3 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (13.1 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu in a round bottom flask (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added followed by reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 11.0 g of the product. (Yield 70%)

1-43 합성 예시1-43 Synthesis Example

Figure pat00065
Figure pat00065

둥근바닥플라스크에 dibiphenyl-4-ylamine (6.4g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (14.9g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 11.7g 얻었다. (수율: 68%)
Dibiphenyl-4-ylamine (6.4 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (14.9 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added, followed by reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 11.7 g of the product. (Yield 68%)

1-45 합성 예시1-45 Synthesis Example

Figure pat00066
Figure pat00066

둥근바닥플라스크에 dibiphenyl-4-ylamine (6.4g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (17.9g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 11.2g 얻었다. (수율: 65%)
Dibiphenyl-4-ylamine (6.4 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (17.9 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added, followed by reaction at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic material was silicagel column and recrystallized to obtain 11.2g of the product. (Yield 65%)

2-6 합성 예시2-6 Synthesis Example

Figure pat00067
Figure pat00067

둥근바닥플라스크에 (E)-N-(prop-1-enyl)aniline (2.7g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (13.1g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 7.4g 얻었다. (수율: 62%)
(E) -N- (prop-1-enyl) aniline (2.7 g, 20 mmol), Dithienosilole compound (13.1 g. 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) in a round bottom flask ) 3 (0.1 equiv), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added and the reaction was carried out at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic material was silicagel column and recrystallized to obtain 7.4g of the product. (Yield 62%)

3-8 합성 예시3-8 Synthesis Example

Figure pat00068
Figure pat00068

둥근바닥플라스크에 4-tert-butyl-N-phenylaniline (4.5g, 20mmol), Dithienosilole 화합물 (14.0g. 24mmol), Pd2(dba)3 (0.05 당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 9.32g 얻었다. (수율: 64%)
4-tert-butyl-N-phenylaniline (4.5g, 20mmol), Dithienosilole compound (14.0g. 24mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.05 equiv), P (t-Bu) 3 (0.1 equiv) in round bottom flasks ), NaO t -Bu (3 equiv) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) were added and the reaction was carried out at 100 ° C. After the reaction was completed, the mixture was extracted with ether and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting organic substance was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 9.32g of the product. (Yield 64%)

최종적으로 합성된 화합물 1-1 내지 3-50에 대해 질량분석법(HRMS)을 수행한 결과는 하기 표 3과 같았다.The results of performing mass spectrometry (HRMS) on the finally synthesized compounds 1-1 to 3-50 were as shown in Table 3 below.

Figure pat00069
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Figure pat00070
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Figure pat00071
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한편, 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물들의 각 치환기은 광범위한 관계로, 대표적인 화합물들의 합성예를 예시적으로 설명하였으나, 합성예로 예시적으로 설명하지 않은 화합물들도 본 명세서의 일부를 구성할 수 있다.On the other hand, each substituent of the compounds represented by the formula (1) to formula (4) has a broad relationship, exemplarily described the synthesis examples of the representative compounds, compounds that are not illustratively described as a synthesis example may form part of the present specification. have.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기발광소자를 비롯한 유기전기소자의 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송층 물질, 발광층 물질, 및 전자 수송층 물질에 사용되는 치환기를 상기 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 제조할 수 있다.Further, by introducing various substituents into the core structure having the above structure, it is possible to synthesize a compound having the intrinsic characteristics of the substituent introduced. For example, by introducing substituents used in the hole injection layer material, the hole transport layer material, the light emitting layer material, and the electron transport layer material used in the manufacture of the organic electric device, including the organic light emitting device to satisfy the conditions required for each organic material layer Materials can be prepared.

본 발명에 따른 화합물은 치환기의 종류 및 성질에 따라 유기전기발광소자에서 다양한 용도로 사용될 수 있다.The compound according to the present invention can be used for various purposes in the organic electroluminescent device according to the type and nature of the substituent.

본 발명의 화합물은 코어와 치환체에 의해 조절이 자유롭기 때문에 인광 또는 형광 발광층의 호스트 이외의 다양한 층으로 작용할 수 있다.The compounds of the present invention can act as various layers other than the host of the phosphorescent or fluorescent light emitting layer because they are freely controlled by the core and the substituents.

본 발명의 유기전기소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기전기소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electric device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic electric device except for forming one or more organic material layers using the above-described compounds.

본 발명의 화합물들을 유기전기발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층, 및 정공주입층에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.When the compounds of the present invention are used in other organic material layers of the organic electroluminescent device, for example, a light emitting auxiliary layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole injection layer, it is obvious that the same effect can be obtained.

한편 본 발명의 화합물은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수 있다. 다시 말해 상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 후술할 유기전기소자의 유기물층을 형성할 수 있다. 즉 상기 화합물을 유기물층으로 사용할 때 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.Meanwhile, the compound of the present invention can be used in a soluble process. In other words, the compound may form an organic material layer of the organic electronic device, which will be described later, by a solution process. In other words, when the compound is used as an organic material layer, the organic material layer may be formed by using various polymer materials, rather than a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be produced in fewer layers by the method.

본 발명의 화합물들이 사용될 수 있는 유기전기소자는 예를 들어, 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT) 등이 있다.Organic electroluminescent devices in which the compounds of the present invention may be used include, for example, organic electroluminescent devices (OLEDs), organic solar cells, organic photoconductor (OPC) drums, organic transistors (organic TFTs), and the like.

본 발명의 화합물들이 적용될 수 있는 유기전기소자 중 일예로 유기전기발광소자(OLED)에 대하여 설명하나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 다양한 유기전기소자에 위에서 설명한 화합물들이 적용될 수 있다.As an example of the organic electroluminescent device to which the compounds of the present invention can be applied, an organic electroluminescent device (OLED) will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the above-described compounds may be applied to various organic electroluminescent devices.

본 발명의 다른 실시예는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물들을 포함하는 유기전기발광소자를 제공한다.Another embodiment of the present invention is an organic electroluminescent device comprising a first electrode, a second electrode and an organic material layer disposed between the electrodes, wherein at least one of the organic material layer comprises an organic electroluminescent device comprising the compounds of the present invention to provide.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전기발광소자의 예를 도시한 것이다.1 to 6 show examples of the organic electroluminescent device to which the compound of the present invention can be applied.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층 중 1층 이상을 본 발명의 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 통상의 제조 방법 및 재료를 이용하여 당 기술 분야에 알려져 있는 구조로 제조될 수 있다.The organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention, except that at least one layer of the organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer to include the compound of the present invention. Can be prepared with a structure known in the art using conventional manufacturing methods and materials in the art.

본 발명에 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자의 구조는 도 1 내지 6에 예시되어 있으나, 이들 구조에만 한정된 것은 아니다. The structure of the organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention is illustrated in Figures 1 to 6, but is not limited to these structures.

도 1 내지 도 6을 참조해보면, 유기전기발광소자는 기판(101, 201, 301, 401, 501, 601), 양극(102, 202, 302, 402, 502, 602), 정공주입층(103, 203, 303), 정공수송층(104, 204, 304, 404), 발광층(105, 205, 305, 405, 505, 605), 전자수송층(106, 206, 406, 506), 전자주입층(107)을 포함하며, 발광층을 제외한 유기물층 중 적어도 일층이 생략될 수 있다.1 to 6, the organic electroluminescent device includes a substrate 101, 201, 301, 401, 501, 601, an anode 102, 202, 302, 402, 502, 602, a hole injection layer 103, 203, 303, hole transport layer 104, 204, 304, 404, light emitting layer 105, 205, 305, 405, 505, 605, electron transport layer 106, 206, 406, 506, electron injection layer 107 It includes, and at least one layer of the organic material layer except the light emitting layer may be omitted.

미도시하였지만, 이러한 유기전기발광소자는 정공의 이동을 저지하는 정공저지층(HBL), 전자의 이동을 저지하는 전자저지층(EBL), 발광을 돕거나 보조하는 발광보조층 및 보호층이 더 위치할 수도 있다. 보호층의 경우 최상위층에서 유기물층을 보호하거나 음극을 보호하도록 형성될 수 있다.Although not shown, the organic electroluminescent device further includes a hole blocking layer (HBL) that prevents the movement of holes, an electron blocking layer (EBL) that prevents the movement of electrons, a light emitting auxiliary layer that helps or assists light emission, and a protective layer. It may be located. The protective layer may be formed to protect the organic material layer or the cathode at the uppermost layer.

이때, 본 발명의 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층 중 하나 이상에 포함될 수 있다.In this case, the compound of the present invention may be included in one or more of an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.

구체적으로, 본 발명의 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층 및 보호층 중 하나 이상을 대신하여 사용되거나 이들과 함께 층을 형성하여 사용될 수도 있다. 물론 유기물층 중 한층에만 사용되는 것이 아니라 두층 이상에 사용될 수 있다.Specifically, the compound of the present invention is used in place of or in combination with one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, a light emitting auxiliary layer and a protective layer It may be used to form. Of course, the organic layer may be used not only in one layer but also in two or more layers.

특히, 본 발명의 화합물에 따라서 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자주입 재료, 전자수송 재료, 발광 재료 및 패시베이션(케핑) 재료로 사용될 수 있고, 특히 단독으로 발광물질 및 호스트/도판트에서 호스트 또는 도판트로 사용될 수 있으며, 정공 주입, 정공수송층으로 사용될 수 있다.In particular, it can be used as a hole injection material, a hole transport material, an electron injection material, an electron transport material, a luminescent material and a passivation (kepping) material according to the compound of the present invention, in particular a host or in a luminescent material and host / dopant alone Can be used as a dopant, can be used as a hole injection, a hole transport layer.

예컨대, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.For example, the organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention is a metal having metal or conductivity on a substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. An oxide or an alloy thereof is deposited to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed thereon, and then a material that can be used as a cathode is deposited thereon. Can be prepared.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기전기소자를 만들 수도 있다. 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다.In addition to the above method, an organic electronic device may be fabricated by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate. The organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure.

또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.In addition, the organic layer may be formed using a variety of polymer materials, but not by a deposition process or a solvent process, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be made with a small number of layers.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자는 위에서 설명한 화합물을 스핀 코팅(spin coating)이나 잉크젯(ink jet) 공정과 같은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수도 있다.The organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention may be used in a solution process such as spin coating or ink jet process.

기판은 유기전기발광소자의 지지체이며, 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.The substrate is a support of the organic electroluminescent device, and a silicon wafer, a quartz or glass plate, a metal plate, a plastic film or sheet, or the like can be used.

기판 위에는 양극이 위치된다. 이러한 양극은 그 위에 위치되는 정공주입층으로 정공을 주입한다. 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질일 수 있다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.An anode is positioned over the substrate. This anode injects holes into the hole injection layer located thereon. The positive electrode material may be a material having a large work function to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline.

양극 위에는 정공주입층이 위치된다. 이러한 정공주입층의 물질로 요구되는 조건은 양극으로부터의 정공주입 효율이 높으며, 주입된 정공을 효율적으로 수송할 수 있어야 한다. 이를 위해서는 이온화 포텐셜이 작고 가시광선에 대한 투명성이 높으며, 정공에 대한 안정성이 우수해야 한다.The hole injection layer is located on the anode. The conditions required for the material of the hole injection layer are high hole injection efficiency from the anode, it should be able to transport the injected holes efficiently. This requires a small ionization potential, high transparency to visible light, and excellent hole stability.

정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이일 수 있다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection material is a material that can be injected well from the anode at a low voltage, the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material may be between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organic materials, perylene-based organic materials, Anthraquinone, polyaniline and a polythiophene-based conductive polymer, but are not limited thereto.

상기 정공주입층 위에는 정공수송층이 위치된다. 이러한 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 전달받아 그 위에 위치되는 유기발광층으로 수송하는 역할을 하며, 높은 정공 이동도와 정공에 대한 안정성 및 전자를 막아주는 역할를 한다. 이러한 일반적 요구 이외에 차체 표시용으로 응용할 경우 소자에 대한 내열성이 요구되며, 유리 전이 온도(Tg)가 70 ℃ 이상의 값을 갖는 재료일 수 있다.The hole transport layer is positioned on the hole injection layer. The hole transport layer receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the organic light emitting layer located thereon, and serves to prevent high hole mobility, hole stability, and electrons. In addition to these general requirements, applications for vehicle body display require heat resistance to the device, and may be a material having a glass transition temperature (Tg) of 70 ° C. or higher.

이와 같은 조건을 만족하는 물질들로는 NPD(혹은 NPB라 함), 스피로-아릴아민계화합물, 페릴렌-아릴아민계화합물, 아자시클로헵타트리엔화합물, 비스(디페닐비닐페닐)안트라센, 실리콘게르마늄옥사이드화합물, 실리콘계아릴아민화합물 등이 될 수 있다.Materials satisfying these conditions include NPD (or NPB), spiro-arylamine compounds, perylene-arylamine compounds, azacycloheptatriene compounds, bis (diphenylvinylphenyl) anthracene, silicon germanium oxide Compound, a silicon-based arylamine compound, and the like.

정공수송층 위에는 유기발광층이 위치된다. 이러한 유기발광층는 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자가 재결합하여 발광을 하는 층이며, 양자효율이 높은 물질로 이루어져 있다. 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질일 수 있다.The organic light emitting layer is positioned on the hole transport layer. The organic light emitting layer is a layer for emitting light by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively, and is made of a material having high quantum efficiency. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and may be a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.

이와 같은 조건을 만족하는 물질 또는 화합물로는 녹색의 경우 Alq3가, 청색의 경우 Balq(8-hydroxyquinoline beryllium salt), DPVBi(4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl) 계열, 스피로(Spiro) 물질, 스피로-DPVBi(Spiro-4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl), LiPBO(2-(2-benzoxazoyl)-phenollithium salt), 비스(디페닐비닐페닐비닐)벤젠, 알루미늄-퀴놀린 금속착체, 이미다졸, 티아졸 및 옥사졸의 금속착체 등이 있으며, 청색 발광 효율을 높이기 위해 페릴렌, 및 BczVBi(3,3'[(1,1'-biphenyl)-4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl]bis(9-ethyl)-9H-carbazole; DSA(distrylamine)류)를 소량 도핑하여 사용할 수 있다. 적색의 경우는 녹색 발광 물질에 DCJTB([2-(1,1-dimethylethyl)-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo(ij)quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene]-propanedinitrile)와 같은 물질을 소량 도핑하여 사용할 수 있다. Substances or compounds that satisfy these conditions include Alq3 for green, Balq (8-hydroxyquinoline beryllium salt) for blue, DPVBi (4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'- biphenyl) series, Spiro material, Spiro-DPVBi (Spiro-4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'-biphenyl), LiPBO (2- (2-benzoxazoyl) -phenollithium salt ), Bis (diphenylvinylphenylvinyl) benzene, aluminum-quinoline metal complex, metal complexes of imidazole, thiazole and oxazole, and the like, perylene, and BczVBi (3,3 '[ (1,1'-biphenyl) -4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl] bis (9-ethyl) -9H-carbazole; DSA (distrylamine) can be used by doping in small amounts. In the case of red, DCJTB ([2- (1,1-dimethylethyl) -6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H Small amounts of doping such as -benzo (ij) quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene] -propanedinitrile) can be used.

잉크젯프린팅, 롤코팅, 스핀코팅 등의 공정을 사용하여 발광층을 형성할 경우에, 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 계통의 고분자나 폴리 플루오렌(poly fluorene) 등의 고분자를 유기발광층에 사용할 수 있다.When forming a light emitting layer using a process such as inkjet printing, roll coating, or spin coating, a polymer of polyphenylene vinylene (PPV) -based polymer or poly fluorene may be used for the organic light emitting layer. .

유기발광층 위에는 전자수송층이 위치된다. 이러한 전자수송층은 그 위에 위치되는 음극으로부터 전자주입 효율이 높고 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 물질이 필요하다. 이를 위해서는 전자 친화력과 전자 이동속도가 크고 전자에 대한 안정성이 우수한 물질로 이루어져야 한다. The electron transport layer is positioned on the organic light emitting layer. The electron transport layer needs a material having high electron injection efficiency from the cathode positioned thereon and capable of efficiently transporting the injected electrons. To this end, it must be made of a material having high electron affinity and electron transfer speed and excellent stability to electrons.

이와 같은 조건을 충족시키는 전자수송 물질로는 구체적인 예로 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the electron transport material that satisfies such conditions include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.

전자수송층 위에는 전자주입층이 적층된다. 전자주입층은 Balq, Alq3,Be(bq)2, Zn(BTZ)2, Zn(phq)2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P 등과 같은 금속착제화합물, imidazole ring 을 갖는 aromatic 화합물이나 boron화합물 등을 포함하는 저분자 물질을 이용하여 제작할 수 있다. 이때, 전자주입층은 100Å ~ 300Å의 두께 범위에서 형성될 수 있다.The electron injection layer is stacked on the electron transport layer. The electron injection layer is a metal complex compound such as Balq, Alq3, Be (bq) 2, Zn (BTZ) 2, Zn (phq) 2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P, aromatic compound with imidazole ring, It can be produced using a low molecular weight material containing boron compounds and the like. At this time, the electron injection layer may be formed in a thickness range of 100 ~ 300Å.

전자주입층 위에는 음극이 위치된다. 이러한 음극은 전자를 주입하는 역할을 한다. 음극으로 사용하는 재료는 양극에 사용된 재료를 이용하는 것이 가능하며, 효율적인 전자주입을 위해서는 일 함수가 낮은 금속일 수 있다. 특히 주석, 마그네슘, 인듐, 칼슘, 나트륨, 리튬, 알루미늄, 은 등의 적당한 금속, 또는 그들의 적절한 합금이 사용될 수 있다. 또한 100 ㎛ 이하 두께의 리튬플루오라이드와 알루미늄, 산화리튬과 알루미늄, 스트론튬산화물과 알루미늄 등의 2 층 구조의 전극도 사용될 수 있다.The cathode is positioned on the electron injection layer. This cathode serves to inject electrons. The material used as the cathode may use the material used for the anode, and may be a metal having a low work function for efficient electron injection. In particular, a suitable metal such as tin, magnesium, indium, calcium, sodium, lithium, aluminum, silver, or a suitable alloy thereof can be used. In addition, an electrode having a two-layer structure such as lithium fluoride and aluminum, lithium oxide and aluminum, strontium oxide and aluminum having a thickness of 100 μm or less may also be used.

전술하였듯이, 본 발명의 화합물에 따라서 적색, 녹색, 청색, 흰색 등의 모든 칼라의 형광과 인광소자에 적합한 정공주입 재료, 정공수송 재료, 발광 재료, 전자수송 재료 및 전자주입 재료로 사용할 수 있으며, 다양한 색의 호스트 또는 도판트 물질로 사용될 수 있다.As described above, according to the compound of the present invention, it can be used as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, and an electron injection material suitable for fluorescence and phosphorescent devices of all colors such as red, green, blue, and white, It can be used as a host or dopant material of various colors.

본 발명에 따른 유기전기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type depending on the material used.

한편 본 발명은, 위에서 설명한 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 단말을 포함한다. 이 단말은 현재 또는 장래의 유무선 통신단말을 의미한다. 이상에서 전술한 본 발명에 따른 단말은 휴대폰 등의 이동 통신 단말기일 수 있으며, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 단말을 포함한다.
Meanwhile, the present invention includes a display device including the organic electric element described above, and a terminal including a control unit for driving the display device. This terminal means a current or future wired or wireless communication terminal. The terminal according to the present invention described above may be a mobile communication terminal such as a mobile phone, and includes all terminals such as a PDA, an electronic dictionary, a PMP, a remote control, a navigation device, a game machine, various TVs, various computers, and the like.

유기전기소자의 제조평가Evaluation of manufacturing of organic electric device

합성을 통해 얻은 여러 화합물을 정공수송층으로 사용하여 통상적인 방법에 따라 유기전계 발광소자를 제작하였다. 먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 정공주입층으로서 4,4′,4″-트리스(N-(2-나프틸)-N-페닐아미노)-트리페닐아민 (이하 2T-NATA로 약기함)막을 진공증착하여 10 nm 두께로 형성하였다. 이어서, 정공 수송 화합물로서 본 발명의 실시예에 따른 화합물을 30 nm의 두께로 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층을 형성한 후 상부에 45nm두께의 BD-052X(Idemitus사)가 7% 도핑된 발광층 (이때, BD-052X는 청색 형광 도펀트이고, 발광 호스트 물질로는 9,10-다이(나프탈렌-2-안트라센(AND))을 사용하였다. 정공 저지층으로 (1,1′-비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄 (이하 BAlq로 약기함)을 10 nm 의 두께로 진공 증착하고, 이어서 전자 주입층으로 트리스(8-퀴놀리놀) 알루미늄 (이하 Alq3로 약칭함)을 40 nm의 두께로 성막하였다. 이 후, 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2 nm의 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 이 Al/LiF를 음극으로 사용함으로써 유기 전계 발광소자를 제조하였다.Using various compounds obtained through synthesis as a hole transport layer, an organic light emitting device was manufactured according to a conventional method. First, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (2-naphthyl) -N-phenylamino) -triphenylamine (hereinafter referred to as 2T-NATA) as a hole injection layer on the ITO layer (anode) formed on the glass substrate. The film was vacuum deposited to form a thickness of 10 nm. Subsequently, the compound according to the embodiment of the present invention as a hole transport compound was vacuum deposited to a thickness of 30 nm to form a hole transport layer. After forming the hole transporting layer, a light emitting layer doped with 7% of BD-052X (Idemitus Co., Ltd.) having a thickness of 45 nm (where BD-052X is a blue fluorescent dopant, and 9,10-die (naphthalene-2) is used as a light emitting host material. Anthracene (AND) was used as (1,1′-bisphenyl) -4-oleito) bis (2-methyl-8-quinolineoleito) aluminum (abbreviated as BAlq) as the hole blocking layer. Vacuum deposition was carried out to a thickness of 10 nm, and then tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter abbreviated to Alq 3 ) was deposited to a thickness of 40 nm with an electron injection layer. Thereafter, LiF, an alkali metal halide, was deposited at a thickness of 0.2 nm, and then Al was deposited at a thickness of 150 nm to use an Al / LiF as a cathode to prepare an organic EL device.

비교예 (1) NPB 비교예 (2)   Comparative Example (1) NPB Comparative Example (2)

Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00072
Figure pat00073

비교를 위해, 본 발명의 화합물 대신에 상기식으로 표시되는 화합물(비교예 1(NPB로 약기함), 비교예 2)을 정공수송층 물질로 사용하여 시험예와 동일한 구조의 유기전계발광소자를 제작하였다.For comparison, an organic electroluminescent device having the same structure as the test example was manufactured by using the compound represented by the above formula (Comparative Example 1 (abbreviated as NPB), Comparative Example 2) instead of the compound of the present invention as a hole transport layer material. It was.

이와 같이 제조된 실시예 및 비교예 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정 결과 300cd/m2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T90 수명을 측정하였다. The electroluminescent (EL) characteristics of the Example and Comparative Example organic electroluminescent devices prepared as described above were applied to the PR-650 of photoresearch by applying a forward bias DC voltage, and the measured results were measured at 300 cd / m2 reference luminance. The T90 life was measured using a life measurement instrument manufactured by McScience.

하기 표 4는 발명에 따른 화합물을 적용한 실험예 및 비교예에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.Table 4 shows the device fabrication and evaluation results of the experimental and comparative examples to which the compound according to the invention is applied.

Figure pat00074
Figure pat00074

Figure pat00075
Figure pat00075

Figure pat00076
Figure pat00076

Figure pat00077
Figure pat00077

Figure pat00078
Figure pat00078

Figure pat00079
Figure pat00079

상기 표들의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전계발광소자용 재료를 이용한 유기전계발광소자는 정공 수송재료로 사용되어 비교예 화합물보다 더 낮은 구동전압, 색순도, 높은 발광효율 및 수명을 현저히 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.As can be seen from the results of the tables, the organic light emitting device using the organic light emitting device material of the present invention is used as a hole transporting material to significantly improve the driving voltage, color purity, high luminous efficiency and lifetime lower than the comparative compound It can be confirmed that.

본 발명의 화합물들을 유기전계발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광층, 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.Even if the compounds of the present invention are used in other organic material layers of the organic light emitting device, for example, a light emitting layer, a light emitting auxiliary layer, an electron injection layer, an electron transport layer, it is obvious that the same effect can be obtained.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Accordingly, the embodiments disclosed herein are intended to be illustrative rather than limiting, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments.

본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (11)

하기 화학식 (1)의 화합물을 포함하는 유기전기소자용 화합물.
화학식 (1)
Figure pat00080

상기 화학식 (1)에서,
(1) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 는 각각 서로 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환 되고, O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C 2 ~C 60 의 헤테로고리기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 2 ~ C 20 알케닐기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 30 의 알콕시기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 50 의 알킬기; 및
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C1~C50의 알킬기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(2) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 는 인접한 기와 결합 또는 반응하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
(3) L은 니트로, 니트릴, 할로겐, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, C2~C20의 헤테로 고리기 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴렌기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C1~C50의 알킬기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기 ;
니트로, 니트릴, 할로겐, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, C2~C20의 헤테로 고리기 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 3 ~ C 60 의 헤테로 아릴렌기 ; 2가의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(4) R 1 , R 2 는 각각 서로 독립적으로 수소;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 50 의 알킬기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환 되고, O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C 2 ~C 60 의 헤테로고리기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이뤄진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~C 60 아릴아민기 ;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 2 ~ C 20 알케닐기;
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 30 의 알콕시기; 및
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 30 아릴옥시기 ;이다.
Compound for an organic electric device comprising the compound of formula (1).
(1)
Figure pat00080

In the above formula (1)
(1) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 are each independently hydrogen, deuterium, tritium, halogen, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkyl an amine group, C 1 ~ alkyl group of C 20 thiophene group, C 6 ~ C 20 aryl thiophene group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C cycloalkyl of 2 ~ C 20 alkynyl group, C 3 ~ C 20 of alkyl group, C 6 ~ C 20 aryl group, of a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen aryl, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a heteroaryl of germanium group, a C 2 ~ C 20 an aryl group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a ring C 6 ~ C 60;
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and Substituted or unsubstituted C 2 ~ C 60 heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of acetylene groups, and containing at least one heteroatom of O, N, S, Si, P ;
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and with a substituent selected from the group consisting of acetylene substituted or unsubstituted C 2 ~ C 20 alkenyl;
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 7 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group group substituents a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 selected from the consisting of Alkoxy group ;
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C arylalkyl group of 7 ~ C 20, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 1 ~ C 50 Alkyl group ; And
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, Substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 -C 20 arylalkyl group, C 8 -C 20 arylalkenyl group, C 1 -C 50 alkyl group, C 2 -C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group or Unsubstituted fluorene group ; Is selected from the group consisting of
(2) Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 may be bonded or reacted with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring,
(3) L is composed of nitro, nitrile, halogen, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 6 -C 20 aryl group, C 2 -C 20 heterocyclic group and amino group substituted with a substituent selected from the group or unsubstituted arylene group, a C 6 ~ C 60;
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, Substituted with a substituent selected from the group consisting of C 7 -C 20 arylalkyl group, C 8 -C 20 arylalkenyl group, C 1 -C 50 alkyl group, C 2 -C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group or Unsubstituted fluorenylene group ;
A substituent selected from the group consisting of nitro, nitrile, halogen, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 6 -C 20 aryl group, C 2 -C 20 heterocyclic group and amino group Substituted or unsubstituted C 3 ~ C 60 Hetero arylene group ; And Divalent substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbons; Is selected from the group consisting of
(4) R 1 and R 2 are each independently hydrogen;
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C arylalkyl group of 7 ~ C 20, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 1 ~ C 50 Alkyl group ;
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkylamine group, C 1 ~ C 20 alkylthiophene group, C 6 C 20 -C20 arylthiophene group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, deuterated C 6 to C 20 aryl group, a C 8 - C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heterocyclic C 6 to an aryl group of C 60;
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and Substituted or unsubstituted C 2 ~ C 60 heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of acetylene groups, and containing at least one heteroatom of O, N, S, Si, P ;
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C 60 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group yirwojin group heterocyclic C 6 ~ C 60 arylamine group;
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 arylamine group, C 6 ~ C An aryl group of 60 , a C 6 to C 20 aryl group substituted with deuterium, a C 7 to C 20 arylalkyl group, an aryl alkenyl group of C 8 to C 20 , a heterocyclic group of C 2 to C 20 , a nitrile group and with a substituent selected from the group consisting of acetylene substituted or unsubstituted C 2 ~ C 20 alkenyl;
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 7 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group group substituents a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 selected from the consisting of Alkoxy group ; And
Hydrogen, deuterium, tritium, a halogen group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group, C 7 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group group substituted with substituted or unsubstituted C 6 ~ C 30 selected from the consisting of aryloxy; to be.
제 1항에 있어서,
상기 Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 는 서로 인접한 기와 결합 또는 반응하여 포화 또는 불포화 고리를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자용 화합물.
The method of claim 1,
remind Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 Is a compound for an organic electric device, characterized in that to form a saturated or unsaturated ring by bonding or reaction with adjacent groups.
제 1항에 있어서,
상기 화합물은 하기 화학식 (2) 내지 화학식 (4) 중 어느 하나로 표시되는 유기전기소자용 화합물
화학식 (2) 화학식 (3) 화학식 (4)
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083

상기 화학식 (2) 내지 화학식 (4)에서,
(1) R′, R″ 는 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 1 ~ C 50 의 알킬기; 및
수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C 6 ~ C 60 아릴기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(2) R′, R″ 는 서로 결합 또는 반응하여 스피로 화합물을 형성할 수 있다.
The method of claim 1,
The compound is a compound for an organic electric device represented by any one of the following formula (2) to formula (4)
Chemical Formula (2) Chemical Formula (3) Chemical Formula (4)
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Figure pat00082
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In the above formulas (2) to (4),
(1) R ′, R ″ are hydrogen, deuterium, tritium, halogen, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, substituted with deuterium Substituted by a substituent selected from the group consisting of C 6 ~ C 20 aryl group, C 7 ~ C 20 arylalkyl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 heterocyclic group, nitrile group and acetylene group Or an unsubstituted C 1 to C 50 alkyl group ; And
Hydrogen, deuterium, tritium, halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 1 ~ C 20 alkylamine group, C 1 ~ C 20 alkylthiophene group, C 6 C 20 -C20 arylthiophene group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, deuterated C 6 to C 20 aryl group, a C 8 - C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heterocyclic C 6 to an aryl group of C 60; Is selected from the group consisting of
(2) R ′ and R ″ may be bonded or reacted with each other to form a spiro compound.
제 1항에 있어서,
하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자용 화합물.
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The method of claim 1,
Compound for an organic electric device, characterized in that one of the following compounds.
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제 1항의 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전기소자.An organic electric device comprising at least one organic material layer comprising the compound of claim 1. 제 5항에 있어서,
상기 화합물을 용액공정에 의해 상기 유기물층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
6. The method of claim 5,
An organic electric device, characterized in that to form the compound to the organic material layer by a solution process.
제 5항에 있어서,
순차적으로 적층된 제 1 전극, 상기 유기물층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전기소자.
6. The method of claim 5,
An organic electric device comprising a first electrode, the organic material layer and a second electrode sequentially stacked.
제 5항에 있어서,
상기 유기물층은 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
6. The method of claim 5,
The organic material layer comprises at least one of a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer.
제 8항에 있어서,
상기 화합물은 상기 정공 수송층 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
The method of claim 8,
And the compound is used as the hole transport layer material.
제 5항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부; 를 포함하는 전자장치.
A display device comprising the organic electroluminescent device of claim 5; And
A controller for driving the display device; ≪ / RTI >
제 10항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED ), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT) 중 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치.
The method of claim 10,
The organic electronic device is one of an organic electroluminescent device (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor (organic TFT).
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