KR20130113240A - Apparatus and method for matching impedence - Google Patents

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KR20130113240A KR1020120035667A KR20120035667A KR20130113240A KR 20130113240 A KR20130113240 A KR 20130113240A KR 1020120035667 A KR1020120035667 A KR 1020120035667A KR 20120035667 A KR20120035667 A KR 20120035667A KR 20130113240 A KR20130113240 A KR 20130113240A
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Abstract

PURPOSE: An impedance matching device is provided to execute an impedance matching process in an extended range. CONSTITUTION: An impedance matching circuit (110) comprises a first impedance variable element (113), a second impedance variable device (114), and a first or a third variable inductor (115a-115c). The first impedance variable element includes a first switch (113a) and a second switch (113b). The second impedance variable element includes a third switch (114a) and a fourth switch (114b). One end of the first variable inductor is connected to the first switch, and other end of the first variable inductor is connected to one end of a first capacitor (116a) or one end of a second variable inductor. One end of the second variable inductor is connected to one end of the third variable inductor, and other end of the second variable inductor is connected to a second capacitor (116b). Other end of the third variable inductor is connected to a third switch.

Description

임피던스 정합 장치{APPARATUS AND METHOD FOR MATCHING IMPEDENCE}Impedance matching device {APPARATUS AND METHOD FOR MATCHING IMPEDENCE}

본 발명은 임피던스 정합 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an impedance matching device.

이동 통신 단말기에서 안테나는 소정의 전파 신호를 송신하거나 전파를 수신하는 역할을 한다. 안테나가 최적의 송수신 방사성능을 갖도록 하기 위해서는 임피던스를 정확하게, 최적으로 정합시킬 필요가 있다.In the mobile communication terminal, the antenna transmits a predetermined radio signal or receives radio waves. In order for the antenna to have optimal transmit and receive radioactivity, it is necessary to match the impedance accurately and optimally.

임피던스를 정확히 정합시키기 위해 안테나 정합 회로는 캐패시터 및 인덕터 등을 구비하고, 그 캐패시터 및 인덕터의 값을 조절한다. 임피던스 정합은 통상적으로 이동통신 단말기를 자유공간에 위치시킨 상태에서 안테나의 임피던스를 정합시키는 것이다.In order to accurately match the impedance, the antenna matching circuit includes a capacitor, an inductor, and the like, and adjusts the values of the capacitor and the inductor. Impedance matching is typically to match the impedance of the antenna with the mobile communication terminal located in free space.

한편, 이동통신 단말기는 기기의 특성상 사용자가 본체를 손으로 잡고, 스피커를 귀에 밀착시킨 상태에서 사용하거나 주머니나 이동통신 단말기의 본체를 가방 등에 넣고 이어폰을 이용하여 사용하게 된다. 사용자가 이동통신 단말기의 본체를 손으로 잡고, 귀에 밀착시켜 사용하거나, 주머니 또는 가방 등에 넣고 사용함에 따라 안테나의 임피던스 정합 조건이 가변하고, 이로 인하여 자유 공간에서 임피던스를 정합시킨 안테나의 송수신 방사 성능이 저하된다.On the other hand, the mobile terminal is used in a state in which the user holds the main body by hand and the speaker closely adheres to the ear, or puts the main body of the pocket or the mobile communication terminal into a bag and uses the earphone. As the user holds the main body of the mobile communication terminal by hand and uses it in close contact with the ear, or puts it in a pocket or bag, the impedance matching condition of the antenna varies, and thus the transmit / receive radiation performance of the antenna that matches the impedance in free space is improved. Degrades.

따라서, 임피던스 정합 조건이 가변될 경우에 자동으로 안테나의 임피던스를 조절하여 안테나가 최적의 송수신 방사성능을 갖도록 하는 임피던스 정합 장치가 등장하였다.Therefore, an impedance matching device has been introduced to automatically adjust the impedance of the antenna when the impedance matching condition is varied so that the antenna has an optimal transmit / receive radioactivity.

기존에는 고정된 인덕턴스 값과 캐패시턴스 값을 갖는 리액턴스 소자인 인덕터 및 캐패시터를 사용하여 임피던스 정합을 수행하여 왔다.Conventionally, impedance matching has been performed using inductors and capacitors, which are reactance elements having fixed inductance values and capacitance values.

휴대폰과 같은 이동 단말기에서 지원해야 할 주파수 밴드가 갈수록 늘어나고 있어, 이를 지원하기 위해 휴대폰 용 RF 부품(예를 들어 다중모드 다중밴드 전력 증폭기)들도 멀티 밴드를 지원하도록 발전되고 있다. Increasingly, the frequency bands supported by mobile terminals such as mobile phones are increasing, and to support this, RF components for mobile phones (for example, multimode multiband power amplifiers) are being developed to support multibands.

그러나, 기존의 고정된 값을 갖는 리액턴스 소자를 이용한 임피던스 정합 방식은 다양한 주파수 밴드를 커버하지 못하는 문제가 있다.However, the conventional impedance matching method using a reactance element having a fixed value does not cover various frequency bands.

본 발명은 RF 스위치 및 가변 리액턴스 소자를 사용하여 확장된 범위에서 임피던스 정합을 가능케하는 방법의 제공을 목적으로 한다.The present invention aims to provide a method for enabling impedance matching over an extended range using RF switches and variable reactance elements.

본 발명은 RF 스위치를 사용하여 임피던스 정합 회로의 구조의 변경이 가능한 임피던스 정합 회로의 제공을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an impedance matching circuit capable of changing the structure of an impedance matching circuit using an RF switch.

본 발명은 가변 인덕터 및 가변 캐패시터를 사용하여 임피던스의 리액턴스 성분의 방향을 변경시켜 임피던스 정합 구간을 크게 확장시킬 수 있는 임피던스 정합 회로의 제공을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an impedance matching circuit capable of greatly extending an impedance matching section by changing the direction of reactance components of an impedance using a variable inductor and a variable capacitor.

본 발명은 멤스(MEMS) 기술을 이용해 임피던스 정합 회로를 하나의 칩으로 구현하여 전체 사이즈를 줄이고, 비용을 절감시킬 수 있는 방법의 제공을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method capable of reducing the overall size and cost by implementing an impedance matching circuit as one chip using MEMS technology.

본 발명은 수작업으로 임피던스 정합 회로를 튜닝할 필요가 없어 임피던스 정합 회로 구현 시간 단축을 통해 생산성을 크게 향상시킬 수 있는 방법의 제공을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a method for greatly improving productivity through the need for manually tuning an impedance matching circuit, thereby reducing the impedance matching circuit implementation time.

본 발명은 스위치 및 가변 소자를 사용하여 광대역에서 임피던스 정합이 가능하므로, 사용 주파수 별로 최적의 임피던스 정합을 수행할 수 있어 휴대폰과 같은 이동 단말기의 통화 품질을 크게 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since impedance matching is possible in a wide band using a switch and a variable element, an optimal impedance matching can be performed for each frequency used, thereby greatly improving call quality of a mobile terminal such as a mobile phone.

본 발명의 실시 예에 따른 전원 임피던스와 부하 임피던스 사이의 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합 회로는 제1 스위치 및 제2 스위치를 포함하는 제1 임피던스 가변소자; 제3 스위치 및 제4 스위치를 포함하는 제2 임피던스 가변소자; 제1 가변 인덕터; 제2 가변 인덕터; 제3 가변 인덕터; 제1 가변 캐패시터; 및 제2 가변 캐패시터를 포함하고, 상기 제1 가변 인덕터는 상기 제1 스위치에 연결되는 일단과 상기 제1 캐패시터의 일단 및 상기 제2 가변 인덕터의 일단에 연결되는 타단을 갖고, 상기 제1 캐패시터는 상기 제2 스위치에 연결되는 일단에 연결되는 타단을 갖고, 상기 제2 가변 인덕터는 상기 제3 가변 인덕터의 일단 및 상기 제2 캐패시터의 일단에 연결되는 타단을 갖고, 상기 제3 가변 인덕터는 상기 제3 스위치에 연결되는 타단을 갖고, 상기 제2 가변 캐패시터는 상기 제4 스위치에 연결되는 타단을 갖는 것을 특징으로 한다.An impedance matching circuit for performing impedance matching between a power supply impedance and a load impedance according to an embodiment of the present invention includes a first impedance variable element including a first switch and a second switch; A second impedance variable element including a third switch and a fourth switch; A first variable inductor; A second variable inductor; A third variable inductor; A first variable capacitor; And a second variable capacitor, wherein the first variable inductor has one end connected to the first switch, the other end connected to one end of the first capacitor and one end of the second variable inductor, and the first capacitor The second variable inductor has the other end connected to one end connected to the second switch, The second variable inductor has the other end connected to one end of the third variable inductor and one end of the second capacitor, and the third variable inductor is the second end. And the other end connected to the third switch, and the second variable capacitor has the other end connected to the fourth switch.

상기 제1 임피던스 가변소자 및 상기 제2 임피던스 가변소자는 쌍극 쌍투 스위치인 것을 특징으로 한다.The first impedance variable element and the second impedance variable element is characterized in that the dipole double throw switch.

상기 제1 내지 제4 스위치의 개방 또는 단락의 조합에 따라 구조가 변경되어 상기 임피던스 정합을 수행하는 것을 특징으로 한다.The structure is changed according to the combination of opening or shorting of the first to fourth switches to perform the impedance matching.

상기 제1 내지 제4 스위치는 멤스(MEMS) 스위치인 것을 특징으로 한다.The first to fourth switches may be MEMS switches.

상기 가변 인덕터 및 상기 가변 캐패시터는 멤스(MEMS)를 이용하여 구현된 소자인 것을 특징으로 한다.The variable inductor and the variable capacitor may be devices implemented using MEMS.

상기 제1 스위치는 제1 가동 단자, 제1 고정 단자, 제2 고정 단자를 포함하고, 상기 제2 스위치는 제2 가동 단자, 제3 고정 단자, 제4 고정 단자를 포함하고, 상기 제3 스위치는 제3 가동 단자, 제5 고정 단자, 제6 고정 단자를 포함하고, 상기 제4 스위치는 제4 가동 단자, 제7 고정 단자, 제8 고정 단자를 포함하고, 상기 제1 고정 단자와 상기 제4 고정 단자는 서로 연결되고, 상기 제2 고정 단자와 상기 제3 고정 단자는 서로 연결되고, 상기 제5 고정 단자와 상기 제7 고정 단자는 서로 연결되고, 상기 제6 고정 단자와 상기 제8 고정 단자는 서로 연결되는 것을 특징으로 한다.
The first switch includes a first movable terminal, a first fixed terminal, and a second fixed terminal, and the second switch includes a second movable terminal, a third fixed terminal, and a fourth fixed terminal, and the third switch Includes a third movable terminal, a fifth fixed terminal, and a sixth fixed terminal, and the fourth switch includes a fourth movable terminal, a seventh fixed terminal, and an eighth fixed terminal, and the first fixed terminal and the first fixed terminal. Four fixed terminals are connected to each other, the second fixed terminal and the third fixed terminal are connected to each other, the fifth fixed terminal and the seventh fixed terminal are connected to each other, and the sixth fixed terminal and the eighth fixed terminal The terminals are connected to each other.

본 발명의 실시 예에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다.According to the embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.

본 발명은 RF 스위치 및 가변 리액턴스 소자를 사용하여 확장된 범위에서 임피던스 정합을 가능케한다.The present invention enables impedance matching over an extended range using RF switches and variable reactance elements.

또한, 가변 인덕터 및 가변 캐패시터를 사용하여 임피던스의 리액턴스 성분의 방향을 변경시켜 임피던스 정합 구간을 크게 확장시킬 수 있다.In addition, a variable inductor and a variable capacitor may be used to change the direction of the reactance component of the impedance, thereby greatly extending the impedance matching period.

또한, 본 발명은 멤스(MEMS) 기술을 이용해 임피던스 정합 회로를 하나의 칩으로 구현하여 전체 사이즈를 줄이고, 비용을 절감시킬 수 있다.In addition, the present invention can implement the impedance matching circuit as a single chip using MEMS technology to reduce the overall size and cost.

또한, 수작업으로 임피던스 정합 회로를 튜닝할 필요가 없어 임피던스 정합 회로 구현 시간 단축을 통해 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.In addition, there is no need to manually tune the impedance matching circuit, greatly improving productivity by reducing the impedance matching circuit implementation time.

또한, 스위치 및 가변 소자를 사용하여 광대역에서 임피던스 정합이 가능하므로, 사용 주파수 별로 최적의 임피던스 정합을 수행할 수 있어 휴대폰과 같은 이동 단말기의 통화 품질을 크게 향상시킬 수 있다.In addition, since impedance matching is possible in a wide band by using a switch and a variable element, an optimum impedance matching can be performed for each frequency used, thereby greatly improving call quality of a mobile terminal such as a mobile phone.

한편 그 외의 다양한 효과는 후술될 본 발명의 실시 예에 따른 상세한 설명에서 직접적 또는 암시적으로 개시될 것이다.
Meanwhile, various other effects will be directly or implicitly disclosed in the detailed description according to the embodiment of the present invention to be described later.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 정합 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 정합 회로의 구성도이다.
도 3 내지 도 6은 제어신호의 인가에 따라 다양한 임피던스 정합 회로의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 12에서 임피던스 정합 회로의 다양한 구조를 설명하기 위한 도면이다.1 is a block diagram of an impedance matching device according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram of an impedance matching circuit according to an embodiment of the present invention.
3 to 6 are diagrams for explaining structures of various impedance matching circuits according to application of a control signal.
7 to 12 are views for explaining various structures of the impedance matching circuit.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be easily understood by those skilled in the art.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 정합 장치의 구성도이다.1 is a block diagram of an impedance matching device according to an embodiment of the present invention.

임피던스 정합 장치(100)는 임피던스 정합 회로(110), 방향성 커플러(120), 검출부(130), 제어부(140)를 포함한다.The impedance matching device 100 includes an impedance matching circuit 110, a directional coupler 120, a detector 130, and a controller 140.

임피던스 정합 장치(100)의 일단에는 전력증폭기(200)가 연결되고, 타단에는 RF 신호를 송수신하는 안테나(300)가 연결된다.One end of the impedance matching device 100 is connected to the power amplifier 200, the other end is connected to the antenna 300 for transmitting and receiving RF signals.

전력증폭기(200)는 외부로부터 수신한 송신신호를 증폭하여 임피던스 정합 장치(100)에 전달한다.The power amplifier 200 amplifies a transmission signal received from the outside and transmits the amplified signal to the impedance matching device 100.

임피던스 정합 장치(100)는 안테나(300)가 최적의 방사성능을 갖도록 전력증폭기(200)와 안테나(300) 사이의 임피던스를 조절한다.The impedance matching device 100 adjusts the impedance between the power amplifier 200 and the antenna 300 so that the antenna 300 has an optimal radiation performance.

임피던스 정합 회로(110)는 안테나(300)와 병렬 연결된 캐패시터(111a), 직렬 연결된 직렬 캐패시터(111b)와 인덕터 소자들(112a, 112b, 112c)를 포함하여 구성된다. 한편, 일 실시 예에서 캐패시터들(111a, 111b)과 인덕터(112a, 112b, 112c)의 결선 또는 소자 개수는 실시 예에 따라 달라질 수 있다. The impedance matching circuit 110 includes a capacitor 111a connected in parallel with the antenna 300, a series capacitor 111b connected in series, and inductors 112a, 112b, and 112c. Meanwhile, in some embodiments, the wirings or the number of elements of the capacitors 111a and 111b and the inductors 112a, 112b and 112c may vary according to embodiments.

일 실시 예에서 캐패시터들(111a, 111b)은 병렬 캐패시터(111a) 하나와 직렬 캐패시터(111b) 하나로 구성되는 것을 예시하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 병렬 캐패시터 또는 직렬 캐패시터만으로 구성될 수 있고, 3 개이상의 캐패시터들로 구성될 수 있다.In an embodiment, the capacitors 111a and 111b are exemplarily configured to have one parallel capacitor 111a and one series capacitor 111b, but the present invention is not limited thereto. It may be composed of the above capacitors.

방향성 커플러(Directional Coupler)(120)는 전력증폭기(200)를 통해 출력되는 송신신호와 안테나(300)의 종단으로부터 반사되는 반사신호를 분리하여 출력한다.The directional coupler 120 separates and transmits the transmission signal output through the power amplifier 200 and the reflection signal reflected from the end of the antenna 300.

검출부(130)는 방향성 커플러(120)로부터 출력된 송신신호 및 반사신호를 통해 송신 전력 및 반사 전력의 크기를 검출할 수 있고, 송신전력에 해당되는 크기의 송신전압과 반사전력에 해당되는 크기의 반사전압을 출력할 수 있다.The detector 130 may detect the magnitude of the transmission power and the reflection power through the transmission signal and the reflection signal output from the directional coupler 120, and the magnitude of the transmission voltage and the reflection power of the magnitude corresponding to the transmission power. The reflected voltage can be output.

검출부(130)로부터 출력되는 송신전압 및 반사전압은 각각 송신전력 및 반사전력에 비례하므로, 설명의 편의를 위하여 전압과 전력을 같은 개념으로 사용하도록 한다.  Since the transmission voltage and the reflected voltage output from the detector 130 are proportional to the transmission power and the reflection power, respectively, the voltage and the power are used in the same concept for convenience of description.

검출부(130)는 송신전력 검출부(131) 및 반사전력 검출부(132)를 포함할 수 있다. The detector 130 may include a transmission power detector 131 and a reflected power detector 132.

송신전력 검출부(131)는 송신신호로부터 송신전력을 검출하고, 송신전력으로부터 송신전압을 출력한다.The transmission power detector 131 detects the transmission power from the transmission signal and outputs the transmission voltage from the transmission power.

반사전력 검출부(132)는 반사신호로부터 반사전력을 검출하고, 반사전력으로부터 반사전압을 출력한다. 송신전력 및 반사전력은 아날로그 형태의 신호이다.The reflected power detector 132 detects the reflected power from the reflected signal and outputs the reflected voltage from the reflected power. The transmit power and the reflected power are analog signals.

제어부(140)는 출력된 송신 전력과 반사 전력의 크기를 기초로 변경시킬 임피던스 값을 결정할 수 있고, 결정된 임피던스 값에 따라 임피던스를 정합할 수 있다.The controller 140 may determine an impedance value to be changed based on the magnitudes of the output transmission power and the reflected power, and match the impedance according to the determined impedance value.

제어부(140)는 아날로그 디지털 변환기(ADC)를 더 포함할 수 있다. 아날로그 디지털 변환기(ADC)는 검출부(130)로부터 출력된 송신전력 및 반사전력을 디지털 형태의 신호로 변환한다. The controller 140 may further include an analog to digital converter (ADC). The analog-to-digital converter ADC converts the transmission power and the reflected power output from the detector 130 into a digital signal.

제어부(140)는 송신전력 및 반사전력 크기의 차이를 검출할 수 있다. 제어부(140)는 검출된 송신전력 및 반사전력 크기의 차이를 기초로 임피던스 정합 회로(110)를 제어하여 임피던스 정합을 수행하도록 할 수 있다.The controller 140 may detect a difference between the transmission power and the reflected power. The controller 140 may control the impedance matching circuit 110 to perform impedance matching based on the detected difference between the transmission power and the reflected power.

임피던스 정합회로(110)는 제어부(140)의 제어 신호에 의해 전력증폭기(200)와 안테나(300) 사이의 임피던스 값을 정합하여 최적의 임피던스 정합을 가능하게 한다. The impedance matching circuit 110 matches the impedance value between the power amplifier 200 and the antenna 300 by the control signal of the controller 140 to enable optimum impedance matching.

제어부(140)는 임피던스 정합회로(110)에 인가되는 DC 전압을 변경시켜 가변 캐패시터들(111a, 111b)의 캐패시턴스 값을 변경시킨다. 캐패시턴스 값이 변경되면, 송신 전력과 반사 전력의 크기 차이가 변경된다. 이때, 송신전력과 반사전력의 크기 차이가 작으면 임피던스 정합이 제대로 이루어지지 않은 것이고, 송신전력과 반사전력의 크기 차이가 클수록 임피던스 정합이 잘 이루어진 것이다. 송신전력과 반사전력의 크기 차이가 크다는 것은 송신전력 대비 반사전력의 비율이 작다는 것을 의미할 수 있다.The controller 140 changes the capacitance values of the variable capacitors 111a and 111b by changing the DC voltage applied to the impedance matching circuit 110. When the capacitance value is changed, the magnitude difference between the transmit power and the reflected power is changed. In this case, if the difference between the transmission power and the reflected power is small, impedance matching is not properly performed, and the larger the difference between the transmission power and the reflected power is, the better the impedance matching is achieved. A large difference in magnitude between the transmission power and the reflection power may mean that the ratio of the reflection power to the transmission power is small.

임피던스 정합 정도는 전력증폭기(200)와 안테나(300) 간의 정합 정도를 나타내는 지표 중의 하나인 전압 정재파비(VSWR, Voltage Standing Wave Ratio)를 측정하여 판단한다. 전압 정재파비(VSWR, Voltage Standing Wave Ratio)는 1일 때, 최적의 조건이며, 이 때는 반사신호가 없는 경우를 의미한다. 즉, 전압 정재파비(VSWR, Voltage Standing Wave Ratio)가 1에 가깝게 정합이 수행되어야 임피던스 정합이 잘 이루어진 것으로 볼 수 있다. 전압 정재파비(VSWR, Voltage Standing Wave Ratio)가 1에 가깝게 되려면, 송신전력의 크기가 최대가 되도록 또는 송신전력과 반사전력의 크기 차이가 최대가 되도록 임피던스 정합이 수행되어야 한다.
The impedance matching degree is determined by measuring a voltage standing wave ratio (VSWR), which is one of the indicators indicating the matching degree between the power amplifier 200 and the antenna 300. Voltage standing wave ratio (VSWR) is an optimum condition when 1, and this means that there is no reflected signal. That is, it can be considered that the impedance matching is well performed when the matching is performed close to the voltage standing wave ratio (VSWR). In order for the voltage standing wave ratio (VSWR) to be close to 1, impedance matching must be performed so that the magnitude of the transmission power is maximized or the difference between the transmission power and the reflected power is maximum.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 정합 회로의 구성도이다.2 is a block diagram of an impedance matching circuit according to an embodiment of the present invention.

임피던스 정합 회로(110)의 일단에는 전원 임피던스(10)가 연결되고, 타단에는 부하 임피던스(20)가 연결된다. 전원 임피던스(10)의 임피던스(Zs)는 실수 성분인 Rs와 허수 성분인 Xs의 합으로 표현될 수 있다. 부하 임피던스(20)의 임피던스(ZL)는 실수 성분인 RL과 허수 성분인 XL의 합으로 표현될 수 있다.One end of the impedance matching circuit 110 is connected to the power supply impedance 10, the other end is connected to the load impedance 20. The impedance Zs of the power supply impedance 10 may be expressed as the sum of the real component Rs and the imaginary component Xs. The impedance ZL of the load impedance 20 may be expressed as the sum of the real component RL and the imaginary component XL.

전원 임피던스(10)는 프론트앤트 모듈을 의미할 수 있다.The power supply impedance 10 may mean a front-end module.

부하 임피던스(20)는 안테나(150)단을 의미할 수 있다.
The load impedance 20 may mean the end of the antenna 150.

도 2를 참고하면, 임피던스 정합 회로(110)는 제1 임피던스 가변소자(113), 제2 임피던스 가변소자(114), 제1 가변 인덕터(115a), 제2 가변 인덕터(115b), 제3 가변 인덕터(115c), 제1 가변 캐패시터(116a), 제2 가변 캐패시터(116b), 제1 단자(A), 제2 단자(B)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the impedance matching circuit 110 may include a first impedance variable element 113, a second impedance variable element 114, a first variable inductor 115a, a second variable inductor 115b, and a third variable. An inductor 115c, a first variable capacitor 116a, a second variable capacitor 116b, a first terminal A, and a second terminal B are included.

제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)는 제어부(140)로부터 제어신호를 인가받아 전원 임피던스(10)와 부하 임피던스(20) 사이의 임피던스 정합을 수행한다.The first impedance variable element 113 and the second impedance variable element 114 receive a control signal from the controller 140 to perform impedance matching between the power source impedance 10 and the load impedance 20.

제1 임피던스 가변소자(113)는 쌍극 쌍투(DPDT, double-Pole Double Throw) 스위치일 수 있다. 쌍극 쌍투(DPDT, double-Pole Double Throw) 스위치는 하나의 제어신호에 의해 2개의 스위치를 동시에 동작시킬 수 있는 스위치이다. 예를 들어, 개방신호가 쌍극 쌍투 스위치에 인가된 경우, 2개의 스위치는 동시에 같은 방향으로 동작한.The first impedance variable device 113 may be a double-pole double throw (DPDT) switch. A double-pole double throw (DPDT) switch is a switch that can operate two switches simultaneously by one control signal. For example, when an open signal is applied to a dipole twin throw switch, the two switches operate in the same direction at the same time.

제1 임피던스 가변소자(113)가 쌍극 쌍투 스위치라면, 제1 스위치 및 제2 스위치를 포함한다.If the first impedance variable device 113 is a dipole double throw switch, it includes a first switch and a second switch.

제1 스위치(113a)는 제1 가동 단자, 제1 고정 단자, 제2 고정 단자를 포함한다.The first switch 113a includes a first movable terminal, a first fixed terminal, and a second fixed terminal.

제2 스위치(113b)는 제2 가동 단자, 제3 고정 단자, 제4 고정 단자를 포함한다.The second switch 113b includes a second movable terminal, a third fixed terminal, and a fourth fixed terminal.

제2 임피던스 가변소자(114) 또한, 쌍극 쌍투(DPDT, double-Pole Double Throw) 스위치일 수 있다.The second impedance variable element 114 may also be a double-pole double throw (DPDT) switch.

제2 임피던스 가변소자(114)가 쌍극 쌍투 스위치라면, 제3 스위치(114a) 및 제4 스위치(114b)를 포함한다.If the second impedance variable element 114 is a dipole double throw switch, it includes a third switch 114a and a fourth switch 114b.

제3 스위치(114a)는 제3 가동 단자(E), 제5 고정 단자(a33), 제6 고정 단자(b33)를 포함한다.The third switch 114a includes a third movable terminal E, a fifth fixed terminal a33, and a sixth fixed terminal b33.

제4 스위치(114b)는 제4 가동 단자(F), 제7 고정 단자(a44), 제8 고정 단자(b44)를 포함한다.The fourth switch 114b includes a fourth movable terminal F, a seventh fixed terminal a44, and an eighth fixed terminal b44.

제1 스위치(113a)의 제1 고정 단자(a11) 및 제2 스위치(113b)의 제4 고정단자는 제1 단자(A)에 연결될 수 있다. 제1 단자(A)에는 전원 임피던스(10)가 연결된다.The first fixed terminal a11 of the first switch 113a and the fourth fixed terminal of the second switch 113b may be connected to the first terminal A. FIG. A power impedance 10 is connected to the first terminal A. FIG.

제1 스위치(113a)의 제2 고정 단자(b11) 및 제2 스위치(113b)의 제3 고정 단자(a22)는 접지된다.The second fixed terminal b11 of the first switch 113a and the third fixed terminal a22 of the second switch 113b are grounded.

제1 가변 인덕터(115a)는 제1 스위치(113a), 제2 가변 인덕터(115b), 제1 가변 캐패시터(116a)에 연결될 수 있다.The first variable inductor 115a may be connected to the first switch 113a, the second variable inductor 115b, and the first variable capacitor 116a.

제1 가변 인덕터(115a)는 제1 스위치(113a)의 제1 가동 단자(C)에 연결된 일단과 제2 가변 인덕터(115b)의 일단 및 제1 가변 캐패시터(116a)의 일단에 연결된 타단을 갖는다.The first variable inductor 115a has one end connected to the first movable terminal C of the first switch 113a and one end of the second variable inductor 115b and the other end connected to one end of the first variable capacitor 116a. .

제1 가변 캐패시터(116a)는 제2 스위치(113b)의 제2 가동 단자(D)에 연결된 타단을 갖는다.The first variable capacitor 116a has the other end connected to the second movable terminal D of the second switch 113b.

제2 가변 인덕터(115b)는 제3 가변 인덕터(115c)의 일단 및 제2 가변 캐패시터(116b)의 일단에 연결된 타단을 갖는다.The second variable inductor 115b has one end connected to one end of the third variable inductor 115c and one end of the second variable capacitor 116b.

제3 가변 인덕터(115c)는 제3 스위치(114a)의 제3 가동 단자(E)에 연결된 타단을 갖는다.The third variable inductor 115c has the other end connected to the third movable terminal E of the third switch 114a.

제2 가변 캐패시터(116b)는 제4 스위치(114b)의 제4 가동 단자(F)에 연결된 타단을 갖는다.The second variable capacitor 116b has the other end connected to the fourth movable terminal F of the fourth switch 114b.

제3 스위치(114a)의 제5 고정단자 및 제4 스위치(114b)의 제8 고정단자는 제2 단자(B)에 연결된다. 제2 단자(B)는 부하 임피던스(20)에 연결된다.The fifth fixed terminal of the third switch 114a and the eighth fixed terminal of the fourth switch 114b are connected to the second terminal B. FIG. The second terminal B is connected to the load impedance 20.

제3 스위치(114a)의 제6 고정 단자(b33) 및 제4 스위치(114b)의 제7 고정 단자(a44)는 접지된다.The sixth fixed terminal b33 of the third switch 114a and the seventh fixed terminal a44 of the fourth switch 114b are grounded.

제어부(140)는 임피던스 정합 회로(110)(110)에 제어신호를 인가하여 임피던스 정합을 수행하게 할 수 있다. 즉, 제어부(140)는 임피던스 정합 회로(110)에 제어신호를 인가하여 제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)의 스위칭 동작을 통해 임피던스 정합을 수행하게 할 수 있다.
The controller 140 may apply a control signal to the impedance matching circuits 110 and 110 to perform impedance matching. That is, the controller 140 may apply a control signal to the impedance matching circuit 110 to perform impedance matching through switching operations of the first impedance varying element 113 and the second impedance varying element 114.

도 3 내지 도 6은 제어신호의 인가에 따라 다양한 임피던스 정합 회로(110)의 구조를 설명하기 위한 도면이다.3 to 6 are views for explaining the structure of the various impedance matching circuit 110 according to the application of the control signal.

도 3 내지 도 6을 설명하기에 앞서, 제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)에 인가되는 제1 동작 신호 및 제2 동작 신호에 대해 설명한다.3 to 6, a first operation signal and a second operation signal applied to the first impedance variable element 113 and the second impedance variable element 114 will be described.

제1 동작 신호는 각 스위치의 가동 단자와 상 측의 고정 단자가 서로 연결되게 하기 위한 신호를 의미할 수 있고, 제2 동작 신호는 각 스위치의 가동 단자와 하 측의 고정 단자가 서로 연결되게 하기 위한 신호를 의미할 수 있다.The first operation signal may mean a signal for connecting the movable terminal of each switch and the fixed terminal of the upper side to each other, and the second operation signal may cause the movable terminal and the fixed terminal of the lower side to be connected to each other. It may mean a signal for.

제1 동작 신호 및 제2 동작 신호는 제어부(140)로부터 전달받는 신호이다.The first operation signal and the second operation signal are signals received from the controller 140.

즉, 제어부(140)는 송신전력과 반사전력의 크기를 기초로 변경시킬 임피던스 값을 결정할 수 있고, 결정된 임피던스 값에 따라 임피던스를 정합하도록 제1 동작 신호 및 제2 동작 신호를 생성하여 임피던스 정합 회로(110)로 전달할 수 있다.That is, the controller 140 may determine an impedance value to be changed based on the magnitudes of the transmission power and the reflected power, and generate the first operation signal and the second operation signal to match the impedance according to the determined impedance value to generate an impedance matching circuit. May be forwarded to 110.

또한, 제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)는 쌍극 쌍투(DPDT, double-Pole Double Throw) 스위치를 사용한 경우를 가정한다.In addition, it is assumed that the first impedance variable element 113 and the second impedance variable element 114 use a double-pole double throw (DPDT) switch.

제1 임피던스 가변소자(113)에 제1 동작 신호 또는 제2 동작 신호가 인가되는 경우, 제1 임피던스 가변소자(113)는 쌍극 쌍투 스위치이므로, 제1 임피던스 가변소자(113)의 구성요소인 제1 스위치(113a) 및 제2 스위치(113b)는 동일한 동작을 수행한다.When a first operation signal or a second operation signal is applied to the first impedance variable element 113, since the first impedance variable element 113 is a dipole double throw switch, the first impedance variable element 113 is a component of the first impedance variable element 113. The first switch 113a and the second switch 113b perform the same operation.

제2 임피던스 가변소자(114)에 제1 동작 신호 또는 제2 동작 신호가 인가되는 경우, 제2 임피던스 가변소자(114)는 쌍극 쌍투 스위치이므로, 제2 임피던스 가변소자(114)의 구성요소인 제3 스위치(114a) 및 제4 스위치(114b)는 동일한 동작을 수행한다.
When the first operation signal or the second operation signal is applied to the second impedance variable element 114, since the second impedance variable element 114 is a dipole double throw switch, the second impedance variable element 114 is a component of the second impedance variable element 114. The third switch 114a and the fourth switch 114b perform the same operation.

도 3은 제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)에 제1 동작 신호가 인가된 경우, 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.3 is a structural diagram of the impedance matching circuit 110 when the first operation signal is applied to the first impedance variable element 113 and the second impedance variable element 114.

즉, 제1 임피던스 가변소자(113)에 제1 동작 신호가 인가되면, 제1 스위치(113a)의 제1 가동 단자(C)가 제1 고정 단자(a11)에 연결되고, 제2 스위치(113b)의 제2 가동 단자(D)가 제3 고정 단자(a22)에 연결된다.That is, when the first operation signal is applied to the first impedance variable element 113, the first movable terminal C of the first switch 113a is connected to the first fixed terminal a11, and the second switch 113b. ) Is connected to the third fixed terminal a22.

또한, 제2 임피던스 가변소자(114)에 제1 동작 신호가 인가되면, 제3 스위치(114a)의 제3 가동 단자(E)가 제5 고정 단자(a33)에 연결되고, 제4 스위치(114b)의 제4 가동 단자(F)가 제7 고정 단자(a44)에 연결된다.In addition, when the first operation signal is applied to the second impedance variable element 114, the third movable terminal E of the third switch 114a is connected to the fifth fixed terminal a33, and the fourth switch 114b. ) Is connected to the seventh fixed terminal a44.

위와 같은 동작으로 인해 도 2의 임피던스 정합 회로(110)는 도 3과 같은 구조를 갖게 된다.
Due to the above operation, the impedance matching circuit 110 of FIG. 2 has the structure shown in FIG. 3.

도 4는 제1 임피던스 가변소자(113)에 제1 동작 신호가 인가되고, 제2 임피던스 가변소자(114)에 제2 동작 신호가 인가된 경우, 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.FIG. 4 is a structural diagram of the impedance matching circuit 110 when the first operation signal is applied to the first impedance variable element 113 and the second operation signal is applied to the second impedance variable element 114.

즉, 제1 임피던스 가변소자(113)에 제1 동작 신호가 인가되면, 제1 스위치(113a)의 제1 가동 단자(C)가 제1 고정 단자(a11)에 연결되고, 제2 스위치(113b)의 제2 가동 단자(D)가 제3 고정 단자(a22)에 연결된다.That is, when the first operation signal is applied to the first impedance variable element 113, the first movable terminal C of the first switch 113a is connected to the first fixed terminal a11, and the second switch 113b. ) Is connected to the third fixed terminal a22.

또한, 제2 임피던스 가변소자(114)에 제2 동작 신호가 인가되면, 제3 스위치(114a)의 제3 가동 단자(E)가 제6 고정 단자(b33)에 연결되고, 제4 스위치(114b)의 제4 가동 단자(F)가 제8 고정 단자(b44)에 연결된다.In addition, when the second operation signal is applied to the second impedance variable element 114, the third movable terminal E of the third switch 114a is connected to the sixth fixed terminal b33, and the fourth switch 114b. Is connected to the eighth fixed terminal b44.

위와 같은 동작으로 인해 도 2의 임피던스 정합 회로(110)는 도 4과 같은 구조를 갖게 된다.
Due to the above operation, the impedance matching circuit 110 of FIG. 2 has the structure shown in FIG. 4.

도 5는 제1 임피던스 가변소자(113)에 제2 동작 신호가 인가되고, 제2 임피던스 가변소자(114)에 제1 동작 신호가 인가된 경우, 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.FIG. 5 is a structural diagram of the impedance matching circuit 110 when the second operation signal is applied to the first impedance variable element 113 and the first operation signal is applied to the second impedance variable element 114.

즉, 제1 임피던스 가변소자(113)에 제2 동작 신호가 인가되면, 제1 스위치(113a)의 제1 가동 단자(C)가 제2 고정 단자(b11)에 연결되고, 제2 스위치(113b)의 제2 가동 단자(D)가 제4 고정 단자(b22)에 연결된다.That is, when the second operation signal is applied to the first impedance variable element 113, the first movable terminal C of the first switch 113a is connected to the second fixed terminal b11, and the second switch 113b. ) Is connected to the fourth fixed terminal b22.

또한, 제2 임피던스 가변소자(114)에 제1 동작 신호가 인가되면, 제3 스위치(114a)의 제3 가동 단자(E)가 제5 고정 단자(a33)에 연결되고, 제4 스위치(114b)의 제4 가동 단자(F)가 제7 고정 단자(a44)에 연결된다.In addition, when the first operation signal is applied to the second impedance variable element 114, the third movable terminal E of the third switch 114a is connected to the fifth fixed terminal a33, and the fourth switch 114b. ) Is connected to the seventh fixed terminal a44.

위와 같은 동작으로 인해 도 2의 임피던스 정합 회로(110)는 도 5와 같은 구조를 갖게 된다.
Due to the above operation, the impedance matching circuit 110 of FIG. 2 has the structure shown in FIG. 5.

도 6은 제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)에 제2 동작 신호가 인가된 경우, 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.FIG. 6 is a structural diagram of the impedance matching circuit 110 when a second operation signal is applied to the first impedance variable element 113 and the second impedance variable element 114.

즉, 제1 임피던스 가변소자(113)에 제2 동작 신호가 인가되면, 제1 스위치(113a)의 제1 가동 단자(C)가 제2 고정 단자(b11)에 연결되고, 제2 스위치(113b)의 제2 가동 단자(D)가 제4 고정 단자(b22)에 연결된다.That is, when the second operation signal is applied to the first impedance variable element 113, the first movable terminal C of the first switch 113a is connected to the second fixed terminal b11, and the second switch 113b. ) Is connected to the fourth fixed terminal b22.

또한, 제2 임피던스 가변소자(114)에 제2 동작 신호가 인가되면, 제3 스위치(114a)의 제3 가동 단자(E)가 제6 고정 단자(b33)에 연결되고, 제4 스위치(114b)의 제4 가동 단자(F)가 제8 고정 단자(b44)에 연결된다.In addition, when the second operation signal is applied to the second impedance variable element 114, the third movable terminal E of the third switch 114a is connected to the sixth fixed terminal b33, and the fourth switch 114b. Is connected to the eighth fixed terminal b44.

위와 같은 동작으로 인해 도 2의 임피던스 정합 회로(110)는 도 6과 같은 구조를 갖게 된다.Due to the above operation, the impedance matching circuit 110 of FIG. 2 has the structure shown in FIG. 6.

본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 정합 회로(110)는 쌍극 쌍투(DPDT, double-Pole Double Throw) 스위치를 이용하여 전원 임피던스(10) 및 부하 임피던스(20)의 임피던스 값에 따라 적절한 임피던스 정합 회로(110)를 선택해 임피던스를 정합 할 수 있는 영역을 크게 확장시킬 수 있다. 이로 인해, 정합이 가능한 임피던스 구간이 스미스 차트(smith chart)의 전 영역에 분포하게 되는 효과를 가져올 수 있다.Impedance matching circuit 110 according to an embodiment of the present invention is a suitable impedance matching circuit according to the impedance value of the power supply impedance 10 and the load impedance 20 using a double-pole double throw (DPDT) switch Select 110 to greatly expand the area where impedances can be matched. As a result, the impedance section that can be matched may be distributed over the entire region of the Smith chart.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 임피던스 정합 회로(110)는 스위치를 4개 사용함에도 2개의 제어신호만이 필요하여 임피던스 정합을 신속히 수행할 수 있는 장점도 있다.
In addition, the impedance matching circuit 110 according to an embodiment of the present invention has the advantage that it is possible to quickly perform impedance matching because only two control signals are required even though four switches are used.

다음으로 도 7 내지 도 12에서 임피던스 정합 회로(110)의 다양한 구조를 설명한다.Next, various structures of the impedance matching circuit 110 will be described with reference to FIGS. 7 to 12.

도 7 내지 도 12에서 도시된 임피던스 정합 회로(110)는 제1 임피던스 가변소자(113) 및 제2 임피던스 가변소자(114)로 일반적인 RF 스위치를 사용한 경우를 가정하여 설명한다.The impedance matching circuit 110 illustrated in FIGS. 7 to 12 will be described on the assumption that a general RF switch is used as the first impedance variable element 113 and the second impedance variable element 114.

도 7 내지 도 8은 L형 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.7 to 8 are structural diagrams of the L-type impedance matching circuit 110.

도 7은 L형 임피던스 정합 회로(110) 중 고역통과(High Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이다.7 is a high pass type impedance matching circuit 110 among the L type impedance matching circuit 110.

도 8은 L형 임피던스 정합 회로(110) 중 저역통과(Low Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이다.
FIG. 8 is a low pass type impedance matching circuit 110 of the L type impedance matching circuit 110.

도 9은 파이(Pi)형 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.9 is a structural diagram of a Pi type impedance matching circuit 110.

구체적으로, 파이형 임피던스 정합 회로(110) 중 저역통과(Low Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이다.In detail, the piezoelectric impedance matching circuit 110 is a low pass type impedance matching circuit 110.

도 10은 T형 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.10 is a structural diagram of a T-type impedance matching circuit 110.

구체적으로, 도 10의 좌측에 있는 회로는 고역통과(High Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이고, 도 10의 우측에 있는 회로는 저역통과(Low Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이다.
Specifically, the circuit on the left side of FIG. 10 is a high pass type impedance matching circuit 110, and the circuit on the right side of FIG. 10 is a low pass type impedance matching circuit 110.

도 11 내지 도 12는 복합형 임피던스 정합 회로(110)의 구조도이다.11 through 12 are structural diagrams of the complex impedance matching circuit 110.

도 11은 복합형 임피던스 정합 회로(110) 중 저역통과(Low Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이고, 도 12는 복합형 임피던스 정합 회로(110) 중 대역통과(Band Pass)형 임피던스 정합 회로(110)이다.
11 is a low pass type impedance matching circuit 110 of the complex impedance matching circuit 110, and FIG. 12 is a band pass type impedance matching circuit of the complex impedance matching circuit 110 ( 110).

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

100: 임피던스 정합 장치
110: 임피던스 정합 회로
113: 제1 임피던스 가변소자
114: 제2 임피던스 가변소자
115a: 제1 가변 인덕터
115b: 제2 가변 인덕터
115c: 제3 가변 인덕터
116a: 제1 가변 캐패시터
116b: 제2 가변 캐패시터
120: 방향성 커플러
130: 검출부
140: 제어부
150: 안테나100: impedance matching device
110: impedance matching circuit
113: first impedance variable element
114: second impedance variable element
115a: first variable inductor
115b: second variable inductor
115c: third variable inductor
116a: first variable capacitor
116b: second variable capacitor
120: directional coupler
130:
140:
150: antenna

Claims (6)

전원 임피던스와 부하 임피던스 사이의 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합 회로에 있어서,
제1 스위치 및 제2 스위치를 포함하는 제1 임피던스 가변소자;
제3 스위치 및 제4 스위치를 포함하는 제2 임피던스 가변소자;
제1 가변 인덕터;
제2 가변 인덕터;
제3 가변 인덕터;
제1 가변 캐패시터; 및
제2 가변 캐패시터를 포함하고,
상기 제1 가변 인덕터는 상기 제1 스위치에 연결되는 일단과 상기 제1 캐패시터의 일단 및 상기 제2 가변 인덕터의 일단에 연결되는 타단을 갖고,
상기 제1 캐패시터는 상기 제2 스위치에 연결되는 일단에 연결되는 타단을 갖고,
상기 제2 가변 인덕터는 상기 제3 가변 인덕터의 일단 및 상기 제2 캐패시터의 일단에 연결되는 타단을 갖고,
상기 제3 가변 인덕터는 상기 제3 스위치에 연결되는 타단을 갖고,
상기 제2 가변 캐패시터는 상기 제4 스위치에 연결되는 타단을 갖는 임피던스 정합 회로.An impedance matching circuit for performing impedance matching between power supply impedance and load impedance,
A first impedance variable element including a first switch and a second switch;
A second impedance variable element including a third switch and a fourth switch;
A first variable inductor;
A second variable inductor;
A third variable inductor;
A first variable capacitor; And
A second variable capacitor,
The first variable inductor has one end connected to the first switch and the other end connected to one end of the first capacitor and one end of the second variable inductor,
The first capacitor has the other end connected to one end connected to the second switch,
The second variable inductor has the other end connected to one end of the third variable inductor and one end of the second capacitor,
The third variable inductor has the other end connected to the third switch,
The second variable capacitor having the other end connected to the fourth switch. 제1항에 있어서,
상기 제1 임피던스 가변소자 및 상기 제2 임피던스 가변소자는 쌍극 쌍투 스위치인 임피던스 정합 회로.The method of claim 1,
And the first impedance variable element and the second impedance variable element are dipole double throw switches. 제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 스위치의 개방 또는 단락의 조합에 따라 구조가 변경되어 상기 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합 회로.The method of claim 1,
Impedance matching circuit to change the structure according to the combination of opening or shorting of the first to fourth switches to perform the impedance matching. 제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 스위치는 멤스(MEMS) 스위치인 임피던스 정합 회로.The method of claim 1,
The first to fourth switches are MEMS switch impedance matching circuit. 제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 가변 인덕터 및 상기 제1 내지 제2 가변 캐패시터는 멤스(MEMS)를 이용하여 구현된 소자인 임피던스 정합 회로.The method of claim 1,
The first to the third variable inductor and the first to the second variable capacitor is an impedance matching circuit is a device implemented using MEMS (MEMS). 제1항에 있어서,
상기 제1 스위치는 제1 가동 단자, 제1 고정 단자, 제2 고정 단자를 포함하고,
상기 제2 스위치는 제2 가동 단자, 제3 고정 단자, 제4 고정 단자를 포함하고,
상기 제3 스위치는 제3 가동 단자, 제5 고정 단자, 제6 고정 단자를 포함하고,
상기 제4 스위치는 제4 가동 단자, 제7 고정 단자, 제8 고정 단자를 포함하고,
상기 제1 고정 단자와 상기 제4 고정 단자는 서로 연결되고, 상기 제2 고정 단자와 상기 제3 고정 단자는 서로 연결되고,
상기 제5 고정 단자와 상기 제7 고정 단자는 서로 연결되고, 상기 제6 고정 단자와 상기 제8 고정 단자는 서로 연결되는 임피던스 정합 회로.
The method of claim 1,
The first switch includes a first movable terminal, a first fixed terminal, a second fixed terminal,
The second switch includes a second movable terminal, a third fixed terminal, a fourth fixed terminal,
The third switch includes a third movable terminal, a fifth fixed terminal, a sixth fixed terminal,
The fourth switch includes a fourth movable terminal, a seventh fixed terminal, and an eighth fixed terminal,
The first fixed terminal and the fourth fixed terminal are connected to each other, the second fixed terminal and the third fixed terminal are connected to each other,
The fifth fixed terminal and the seventh fixed terminal are connected to each other, and the sixth fixed terminal and the eighth fixed terminal are connected to each other.
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